特許 7558036 レーザ素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-19

(45)【発行日】2024-09-30

(54)【発明の名称】レーザ素子

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/22 20060101AFI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01S5/22

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2020191712

(22)【出願日】2020-11-18

(65)【公開番号】P2022080571

(43)【公開日】2022-05-30

【審査請求日】2023-09-20

(73)【特許権者】

【識別番号】319006036

【氏名又は名称】シャープ福山レーザー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000338

【氏名又は名称】弁理士法人 ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ

(72)【発明者】

【氏名】野口 哲寛

(72)【発明者】

【氏名】谷 善彦

(72)【発明者】

【氏名】中津 弘志

【審査官】佐藤 美紗子

(56)【参考文献】

【文献】特開２００９－０８８４４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／０８７５２４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１０－０６７７６３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｓ ５／００－５／５０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、前記基板の一方の主面に順番に積層されたｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、電極層、及び誘電体層と、を備え、
前記ｐ型半導体層は、ストライプ状に隆起したリッジであって、前記基板と逆側の主面を含む層に、コンタクト層が設けられたリッジを含み、
前記リッジの外縁を構成する表面のうち前記リッジの長手方向に沿った表面である側面と、前記リッジの主面と、の境界の少なくとも一部には、前記コンタクト層を凹ませた段差が設けられており、
前記電極層は、前記リッジの主面及び前記段差を直接覆っており、
前記誘電体層は、
前記基板の前記一方の主面における前記リッジが存在しない領域と、
前記電極層の一部であって前記段差を覆った部分における、前記電極層の一部が前記段差と接触した側とは逆側の外縁部と、
を覆っている、
ことを特徴とするレーザ素子。

【請求項2】

前記段差の高さは、２ｎｍ以上である、
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ素子。

【請求項3】

前記段差は、前記境界の前記長手方向における端部を含む部分に設けられている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ素子。

【請求項4】

前記段差は、前記境界の全部に設けられている、
ことを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載のレーザ素子。

【請求項5】

前記リッジを含む前記ｐ型半導体層において、前記コンタクト層の前記発光層側には、前記発光層よりも屈折率が低いクラッド層が設けられており、
前記段差の凹みは、前記リッジの主面から前記クラッド層に至る、
ことを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載のレーザ素子。

【請求項6】

前記電極層は、前記リッジの主面及び前記段差に加えて、前記側面の少なくとも一部を覆っており、
前記誘電体層は、前記電極層の上から前記側面を覆っている、
ことを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載のレーザ素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光層が半導体により構成されたレーザ素子に関する。

【背景技術】

【0002】

発光層が窒化物系半導体により構成されたレーザ素子が知られており、近年は、このようなレーザ素子の高出力化が進められている。以下において、特に断りなくレーザ素子と記載した場合、そのレーザ素子は、窒化物系半導体により構成されたレーザ素子のことを意味する。

【0003】

例えば、特許文献１の図１及び特許文献２のＦＩＧ １には、レーザ素子の模式的な断面図が示されている。これらの図に示されているように、レーザ素子は、基板上にｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、ｐ側のコンタクト層、及びｐ側の電極層を、この順番で積層することによって構成されている。このレーザ素子において、ｐ型半導体層は、厚さが均一になるように構成されている。

【0004】

なお、特許文献１の図１及び特許文献２のＦＩＧ １に図示された断面は、レーザ素子を構成する共振器の長手方向に対して平行な断面である。以下において、このような断面を縦断面と称し、縦断面に直行する断面を横断面と称する。

【0005】

また、特許文献１の図８及び特許文献２のＦＩＧ ８に示すように、レーザ素子の一例において、ｐ型半導体層には、ストライプ状に隆起したリッジが設けられていてもよい。リッジは、共振器の長手方向に対して平行に設けられたストライプ状の構造を有し、且つ、ｐ型半導体層のリッジ以外の部分よりも厚みが厚く構成されている。リッジは、レーザ素子の横断面において台形形状となるように成形されている。

【0006】

なお、以下においては、リッジの寸法のうち、共振器の長手方向に対して平行な寸法（すなわち、縦断面における寸法）を長さと称し、共振器の長手方向に対して垂直な寸法（すなわち、横断面における寸法）を幅と称する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】米国特許第１０３３３２７８号明細書

【文献】特表２０１８－５２３３１１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

特許文献１，２のレーザ素子（例えば、図１及びＦＩＧ １参照）では、レーザ素子をより高い電流で駆動するために、共振器の端面（特許文献１，２におけるファセット）の近くに電流保護領域を設けている。電流保護領域においては、ｐ側のコンタクト層が除去されており、ｐ側の電極層がｐ型半導体層に直接接触している。なお、以下において、リッジの外縁を構成する表面のうち、共振器の長手方向に対して直交する表面をリッジの端面と称し、共振器の長手方向に対して平行な表面をリッジの側面と称する。

【0009】

この構成によれば、共振器の長手方向における端面の近傍に流れる電流を抑制することができるので、当該端面の近傍において生じ得る非発光再結合を抑制することができる。

【0010】

また、レーザ素子に供給する電流を高めることによってレーザ素子の高出力化を図る別の手法としては、リッジの幅を広げることによってリッジの面積を大面積化することが考えられる。しかしながら、この場合、リッジの幅を広げれば広げるほど、リッジの中央部よりもリッジの側面に多くの電流が流れることが分かった。側面には、ダンブリングボンドが発生しやすく、ダンブリングボンドに起因する非発光再結合準位が多く形成される。リッジの側面に流れる電流は、発光に寄与することなく非発光再結合し、熱となって散逸する。この非発光再結合に伴う発熱は、所定の電力で駆動した場合にレーザ素子の出力を低下させるだけでなく、側面の近傍に結晶欠陥を生じさせる。この結晶欠陥は、レーザ素子の信頼性の低下を招く。

【0011】

本発明の一態様は、上述した課題に鑑みなされたものである。本発明の一態様の目的は、ｐ型半導体層にリッジが設けられたレーザ素子において、リッジの側面の近傍に流れる電流を抑制することによって、レーザ素子の駆動効率及び信頼性を高めることである。

【課題を解決するための手段】

【0012】

上記の課題を解決するために、本発明の態様１に係るレーザ素子は、基板と、前記基板の一方の主面に順番に積層されたｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、及び電極層と、を備えている。

【0013】

態様１に係るレーザ素子においては、前記ｐ型半導体層は、ストライプ状に隆起したリッジであって、前記基板と逆側の主面を含む層にコンタクト層が設けられたリッジを含み、前記リッジの外縁を構成する表面のうち前記リッジの長手方向に沿った表面である側面と、前記リッジの主面との境界の少なくとも一部には、前記コンタクト層を凹ませた段差が設けられており、前記電極層は、前記リッジの主面及び前記段差を覆っている、構成が採用されている。

【発明の効果】

【0014】

本発明の一態様によれば、ｐ型半導体層にリッジが設けられたレーザ素子において、リッジの側面の近傍に流れる電流を抑制することによって、レーザ素子の信頼性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の第１の実施形態に係るレーザ素子の正面図である。

【図2】図１に示したレーザ素子が備えているｐ型半導体層の斜視図である。

【図3】図２に示したｐ型半導体層に含まれるリッジにおけるＭｇの濃度分布を示すグラフである。

【図4】リッジの主面のうち基板と逆側の主面における電極層／リッジ接合の模式的なバンド図である。

【図5】リッジの主面のうち基板と逆側の主面に設けられた段差の表面における電極層／リッジ接合の模式的なバンド図である。

【図6】図２に示したｐ型半導体層に含まれるリッジの平面図である。

【図7】図３に示したリッジの一変形例の平面図である。

【図8】本発明の第２の実施形態に係るレーザ素子の正面図である。

【図9】本発明の第３の実施形態に係るレーザ素子の正面図である。

【図10】本発明の第４の実施形態に係るレーザ素子の正面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

〔第１の実施形態〕
＜レーザ素子の構成＞
本発明の第１の実施形態に係るレーザ素子１０について、図１～図７を参照して説明する。図１は、レーザ素子１０の正面図である。図１は、レーザ素子１０の一方の端面であって、レーザ光が出射される端面を示している。図２は、レーザ素子１０が備えているｐ型半導体層１５の斜視図である。図３は、ｐ型半導体層１５に含まれているリッジ１５２におけるＭｇの濃度分布を示すグラフである。図４は、リッジ１５２の主面のうち基板と逆側の主面Ｐ１における電極層１６／リッジ１５２からなる接合の模式的なバンド図である。図５は、主面Ｐ１に設けられた段差１５２３の表面における電極層１６／リッジ１５２からなる接合の模式的なバンド図である。図６は、ｐ型半導体層１５に含まれているリッジ１５２の平面図である。図７は、リッジ１５２の一変形例の平面図である。

【0017】

図１に示すように、レーザ素子１０は、電極層１１、基板１２、ｎ型半導体層１３、発光層１４、ｐ型半導体層１５、電極層１６、及び誘電体層１７を備えている。

【0018】

ｎ型半導体層１３、発光層１４、ｐ型半導体層１５、電極層１６、及び誘電体層１７は、基板１２の一方の主面（図１に図示した直交座標系におけるｙ軸正方向側の主面）に、この順番で積層されている。電極層１１は、基板１２の他方の主面（図１に図示した直交座標系におけるｙ軸負方向側の主面）に積層されている。

【0019】

なお、図１においては、電極層１１、基板１２、ｎ型半導体層１３、発光層１４、ｐ型半導体層１５、電極層１６、及び誘電体層１７が基板１２の上側に位置するように配置されたレーザ素子１０を示している。

【0020】

図１においては、基板１２の主面に対する法線と平行な方向をｙ軸方向と定め、ｙ軸方向に対して垂直であり、且つ、レーザ素子１０の一方の端面と平行な方向をｘ軸方向と定め、基板１２の主面の面内方向のうち前記一方の端面に垂直な方向をｚ軸と定めている。図１においては、ｙ軸方向のうち、基板１２から発光層１４に向かう方向（すなわち、図１における上方向）をｙ軸正方向と定め、ｘ軸方向のうち図１の左側から右側へ向かう方向をｘ軸正方向と定め、ｚ軸方向のうち図１の奥から手前に向かう方向をｚ軸正方向と定めている。

【0021】

なお、以下に示す図面は、レーザ素子１０の長さ（ｚ軸方向に沿った寸法）、幅（ｘ軸方向に沿った寸法）、及び、厚み（ｙ軸方向に沿った寸法）について、実際の寸法の大小関係を忠実に表したものではない。特に厚みは、長さ及び幅と対比して誇張して示されている。

【0022】

（基板）
基板１２は、ＧａＮ及びＡｌＧａＮに代表される窒化物半導体製の板状部材である（図１参照）。基板１２を構成する窒化物半導体としてＡｌＧａＮを用いた場合、基板１２は、クラッドとして機能する。したがって、前記窒化物半導体としてＧａＮを用いた場合と比較して、後述する共振器内を伝搬する光が基板１２へ漏れることを抑制することができる。

【0023】

前記窒化物半導体としてＡｌＧａＮを用いる場合、ＡｌＧａＮにおけるＡｌ組成比は、７％以下であることが好ましい。基板１２の主面となる面方位は、極性面の（０００１）面であってもよいし、無極性面の（１－１００）面であってもよいし、半極性面の（１１－２２）面であってもよい。

【0024】

本実施形態においては、基板１２として、ＡｌＧａＮ製であり、且つ、主面の面方位が（０００１）面である板状部材を採用している。

【0025】

（ｎ側の電極層）
電極層１１は、レーザ素子１０に電流を供給する一対の電極層のうちｎ側の電極層である（図１参照）。電極層１１は、基板１２のｙ軸負方向側の主面に積層された導体製の薄膜である。電極層１１を構成する導体は、限定されるものではなく、金属及び導電性酸化物の中から適宜選択することができる。また、電極層１１は、１つの導体により構成された単層膜であってもよいし、異なる種類の導体により各層が構成された多層膜であってもよい。

【0026】

本実施形態においては、電極層１１として、金製の薄膜を採用している。

【0027】

（ｎ型半導体層）
ｎ型半導体層１３は、基板１２のｙ軸正方向側の主面に積層されたｎ型の窒化物系半導体製の膜である（図１参照）。ｎ型半導体層１３を構成するｎ型の窒化物系半導体としては、ＳｉをドープしたＡｌＧａＮ、ＳｉをドープしたＧａＮ、ＳｉをドープしたＡｌＩｎＧａＮ、及び、ＳｉをドープしたＩｎＧａＮの少なくとも何れかを用いることができる。Ｓｉは、窒化物半導体に対するｎ型ドーパントとして機能する。

【0028】

ｎ型半導体層１３は、上述した窒化物系半導体のうち何れかにより構成された単層膜であってもよいし、上述した窒化物系半導体のうち異なる種類の窒化物系半導体により各層が構成された多層膜であってもよい。

【0029】

ｎ型半導体層１３の屈折率は、後述する発光層１４の屈折率よりも小さい。したがって、ｎ型半導体層１３は、光を発光層１４に閉じ込めるクラッドとして機能する。

【0030】

本実施形態においては、ｎ型半導体層１３として、ＳｉをドープしたＧａＮ、ＳｉをドープしたＡｌＧａＮ、及びＳｉをドープしたＧａＮの各々により各層が構成された多層膜を採用している。

【0031】

（発光層）
発光層１４は、ｎ型半導体層１３のｙ軸正方向側の主面に積層された窒化物系半導体製の多層膜である（図１参照）。発光層１４は、ｎ層（ｎは、２以上の整数）の井戸層と、ｎ－１層の障壁層とを含み、井戸層と障壁層とを交互に積層した構造を有する。なお、図１においては、発光層１４における多層構造の図示を省略している。

【0032】

井戸層を構成する窒化物系半導体としては、ＩｎＧａＮを用いることができる。障壁層を構成する窒化物系半導体としては、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮの何れかを用いることができる。井戸層及び障壁層の構成（例えば、各層を構成する窒化物系半導体や各層の厚みなど）は、限定されるものではなく、発光層として知られている構成のなかから適宜選択することができる。

【0033】

本実施形態においては、井戸層を構成する窒化物系半導体として、Ｉｎ組成比が１５％であるＩｎＧａＮを採用し、障壁層を構成する窒化物系半導体として、Ｉｎ組成比が０～５％であるＩｎＧａＮを採用している。

【0034】

（ｐ型半導体層）
ｐ型半導体層１５は、発光層１４のｙ軸正方向側の主面に積層されたｐ型の窒化物系半導体製の多層膜を、図１及び図２に示した形状に微細加工することによって得られる。

【0035】

ｐ型半導体層１５を構成するｐ型の窒化物系半導体としては、ＭｇをドープしたＡｌＧａＮ、ＭｇをドープしたＧａＮ、ＭｇをドープしたＡｌＩｎＧａＮ、及び、ＭｇをドープしたＩｎＧａＮの少なくとも何れかを用いることができる。Ｍｇは、窒化物半導体に対するｐ型ドーパントとして機能する。

【0036】

ｐ型半導体層１５は、均一な厚みを有するプレート１５１と、プレート１５１からストライプ状に隆起したリッジ１５２とを含んでいる。図２に示すように、リッジ１５２は、ｚ軸方向に対して平行に延伸されている。

【0037】

また、リッジ１５２は、クラッド層１５２１と、コンタクト層１５２２とを含んでいる。クラッド層１５２１は、プレート１５１のｙ軸正方向側の主面に積層されている。コンタクト層１５２２は、クラッド層１５２１のｙ軸正方向側の主面に積層されている。すなわち、コンタクト層１５２２は、リッジ１５２の一方の主面（ｙ軸正方向側の主面）である主面Ｐ１を含む層に設けられている。

【0038】

本実施形態においては、プレート１５１及びクラッド層１５２１を構成する窒化物系半導体として、Ｍｇを含有するＡｌ_ｘＧａ_１－ｘＮ（０≦ｘ≦０．０５５）を採用している。

【0039】

プレート１５１及びクラッド層１５２１の屈折率は、ｎ型半導体層１３の屈折率と同様に、発光層１４の屈折率よりも小さい。したがって、プレート１５１及びクラッド層１５２１は、光を発光層１４に閉じ込めるクラッドとして機能する。プレート１５１及びクラッド層１５２１を含むｐ型半導体層１５は、上述したｎ型半導体層１３及び発光層１４とともにレーザ素子１０の共振器を構成する。

【0040】

プレート１５１及びクラッド層１５２１の厚みの和は、特に限定されないが３５０ｎｍ以下であることが好ましい。プレート１５１及びクラッド層１５２１の厚みの和を薄くすると、レーザ素子１０の動作電圧を下げることができる。したがって、プレート１５１及びクラッド層１５２１の厚みの和は、２８０ｎｍ以下であることがより好ましい。

【0041】

また、プレート１５１の一部であって、プレート１５１の主面のうち発光層１４側の主面（ｙ軸負方向側の主面）を含む層には、ブロック層として機能する層が設けられている。本実施形態においては、このブロック層として機能する層を構成する窒化物系半導体として、Ｍｇを含有したＡｌ_ｘＧａ_１－ｘＮ（０≦ｘ≦０．３５）を採用している。なお、図１及び図２においては、プレート１５１におけるこの層の図示を省略している。

【0042】

本実施形態においては、コンタクト層１５２２を構成する窒化物系半導体として、Ｍｇを含有したＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ＜０．０１５、０≦ｙ＜０．１）を採用している。コンタクト層１５２２は、ｐ型半導体層１５と、後述する電極層１６との界面において生じ得る接触抵抗を低減する機能を有する。

【0043】

コンタクト層１５２２の厚みは特に限定されないが、２０ｎｍ以下であることが望ましい。コンタクト層１５２２の厚みを薄くすると、レーザ素子１０の動作電圧を下げることができる。したがって、コンタクト層１５２２の厚みは、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。

【0044】

コンタクト層１５２２は、電極層１６との接触抵抗を低減するために、プレート１５１及びクラッド層１５２１と比較して、ドーパントであるＭｇを高濃度で含有する必要がある。具体的には、リッジ１５２の主面Ｐ１において、Ｍｇの濃度は、１×１０^１９ｃｍ^－３以上であることが好ましく、３×１０^１９ｃｍ^－３以上であることがより好ましい。主面Ｐ１におけるＭｇの濃度が高ければ高いほど前記接触抵抗を低減することができるので、レーザ素子１０の動作電圧を低く抑えることができる。

【0045】

なお、コンタクト層１５２２に対してＭｇを高濃度で添加するためには、コンタクト層１５２２の結晶成長後に、Ｍｇを含む雰囲気においてｎ型半導体層１３、発光層１４、及びｐ型半導体層１５が積層された基板１２をアニールすればよい。このアニールにより、主面Ｐ１からコンタクト層１５２２の内部にＭｇが拡散する。この手法では、Ｍｇの拡散を用いているため、コンタクト層１５２２に添加されたＭｇの濃度は、主面Ｐ１において最も高くなり、コンタクト層１５２２の内部に向かって主面Ｐ１から離れれば離れるほど低くなる。

【0046】

例えば、図３に示す例では、主面Ｐ１におけるＭｇの濃度が３×１０^１９ｃｍ^－３になるようにＭｇの仕込み流量を設定し、９００℃において１０分に亘ってｎ型半導体層１３、発光層１４、及びｐ型半導体層１５が積層された基板１２をアニールした。このアニールにより得られたコンタクト層１５２２では、主面Ｐ１におけるＭｇの濃度がほぼ３×１０^１９ｃｍ^－３であり、主面Ｐ１からの距離が２ｎｍである位置におけるＭｇの濃度が７×１０^１８ｃｍ^－３であることが分かった。

【0047】

このようなアニールを実施することにより得られた電極層１６／リッジ１５２からなる接合の模式的なバンド図を図４及び図５に示す。図４は、主面Ｐ１において電極層１６がリッジ１５２に接触している場合の接合における模式的なバンド図を示す。図５は、段差１５２３の表面において電極層１６がリッジ１５２に接触している場合の接合における模式的なバンド図を示す。図４及び図５においては、バンド図における左方向及び右方向の各々が、それぞれ、図１に示した座標系におけるｙ軸正方向及びｙ軸負方向に対応している。

【0048】

図３に示したグラフにおける主面Ｐ１からの距離が０ｎｍである場合から分かるように、主面Ｐ１におけるＭｇの濃度は、１×１０^１９ｃｍ^－３以上（本実施形態においては、３×１０^１９ｃｍ^－３）である。そのため、主面Ｐ１において電極層１６がリッジ１５２に接触している場合の接合の界面近傍においては、バンド端Ｅ_ＶとフェルミレベルＥ_Ｆとが接近している（図４参照）。その結果、電極層１６からコンタクト層１５２２へのトンネル確率は、十分に高くなる。すなわち、電極層１６からコンタクト層１５２２に向かって電流が流れる。

【0049】

一方、図３に示したグラフにおける主面Ｐ１からの距離が２ｎｍである場合から分かるように、段差１５２３の表面におけるＭｇの濃度は、１×１０^１９ｃｍ^－３未満である。そのため、段差１５２３の表面において電極層１６がリッジ１５２に接触している場合の接合の界面近傍においては、バンド端Ｅ_ＶとフェルミレベルＥ_Ｆとが図４に示した接合の場合よりも離間している（図５参照）。その結果、電極層１６からコンタクト層１５２２へのトンネル確率は、低くなる。すなわち、電極層１６からコンタクト層１５２２に向かって電流は流れない。

【0050】

コンタクト層１５２２と後述する電極層１６との接触抵抗は、電極層１６が接触するコンタクト層１５２２の表面におけるＭｇの濃度に対して負の相関関係を有する。すなわち、この接触抵抗は、Ｍｇの濃度が高ければ高いほど低下する。レーザ素子１０においては、主面Ｐ１と側面Ｐ２との境界に段差１５２３を設けることによって、電極層１６と接触するコンタクト層１５２２の表面においてＭｇの濃度が異なる２つの領域を任意に設けることができる。このことは、前記表面において、電極層１６との接触抵抗が異なる２つの領域を任意に設けることができることを意味する。言い替えれば、前記表面において、電流を注入したい領域と、電流を注入したくない領域と、を選択的に設定可能であることを意味する。本実施形態においては、電流を注入したくない領域として、主面Ｐ１と側面Ｐ２との一対の境界である一対の境界線ＬＢの近傍を選択している。

【0051】

リッジ１５２において、側面Ｐ２にはダンブリングボンドが発生しやすい。その結果、側面Ｐ２の近傍には、ダンブリングボンドに起因する非発光再結合準位が多く形成される。レーザ素子に段差１５２３が設けられていない場合、境界線ＬＢの近傍に注入された電流は、側面Ｐ２に沿って流れる。したがって、境界線ＬＢの近傍に注入された電流は、発光に寄与することなく非発光再結合し、熱となって散逸する。この非発光再結合に伴う発熱は、所定の電力で駆動した場合にけるレーザ素子の出力を低下させるだけでなく、側面Ｐ２の近傍に結晶欠陥を生じさせる。この結晶欠陥は、レーザ素子の信頼性の低下を招く。

【0052】

レーザ素子１０においては、コンタクト層１５２２に段差１５２３が設けられているため、側面Ｐ２の近傍に注入される電流を抑制することができる。したがって、レーザ素子１０は、所定の電力で駆動した場合におけるレーザ素子の出力（すなわち駆動効率）を高めることができ、且つ、信頼性を高めることができる。

【0053】

なお、後述する製造方法において説明するように、レーザ素子１０が電極層１６を覆う金属電極層を備えている場合、金属電極層を形成したあとに更なるアニールを施す。コンタクト層１５２２に添加されたＭｇは、このアニールによっても拡散する。したがって、Ｍｇの仕込み流量は、このアニールのことも考慮して決定することが好ましい。

【0054】

リッジ１５２の主面Ｐ１をｙ軸正方向側から平面視した場合において、リッジ１５２の外縁を構成する表面のうちリッジ１５２の長手方向（リッジ１５２が延伸されている方向）に沿った一対の表面は、リッジ１５２における一対の側面Ｐ２を構成する。なお、本実施形態において、リッジ１５２の長手方向とは、図２に示した座標系におけるｚ軸方向である。また、リッジ１５２の外縁を構成する表面のうち前記長手方向に交わる一対の表面は、共振器の両端の一部を構成する。

【0055】

本実施形態において、主面Ｐ１と側面Ｐ２との境界の全部に亘って段差１５２３が設けられている（図６参照）。なお、図２に示す境界線ＬＢは、主面Ｐ１と側面Ｐ２との境界に存在する稜線を点線にて示している。

【0056】

ただし、段差１５２３を設ける境界の部分は、図６に示したように、境界の全部に限定されるものではない。図７に示すように、段差１５２３は、主面Ｐ１と側面Ｐ２との境界の一部に設けられていてもよい。この場合、段差１５２３は、境界の前記長手方向における端部（ｚ軸正方向側の端部及びｚ軸負方向側の端部）を含む部分に設けられていることが好ましい。換言すれば、境界のうち段差１５２３が設けられない部分は、前記長手方向における中央部であることが好ましい。また、この場合、境界のうち段差１５２３が設けられている部分の長さ（すなわち、長さＬ２１と長さＬ２２との和）がリッジ１５２の前記長手方向の長さである長さＬ１の５０％以上であることが好ましい。

【0057】

また、段差１５２３の高さｈ（図１参照）は、２ｎｍ以上であることが好ましい。図３を参照して説明したように、主面Ｐ１におけるＭｇの濃度がほぼ３×１０^１９ｃｍ^－３になるようにコンタクト層１５２２にＭｇを添加したとする。この場合、主面Ｐ１からの距離が２ｎｍである位置におけるＭｇの濃度は、７×１０^１８ｃｍ^－３であり１×１０^１９ｃｍ^－３を下回ることが分かった。

【0058】

後述する電極層１６は、Ｍｇの濃度が１×１０^１９ｃｍ^－３以上であるコンタクト層１５２２の表面に接触させた場合、良好な接触抵抗が得られる。したがって、電極層１６は、コンタクト層１５２２にロスが少ない状態で電流を注入することができる。

【0059】

一方、電極層１６は、Ｍｇの濃度が１×１０^１９ｃｍ^－３未満である表面に接触させた場合、良好な接触抵抗を得ることができない。したがって、電極層１６は、コンタクト層１５２２に電流を注入する場合に大きなロスを伴うか、又は、コンタクト層１５２２に電流を注入することができない。

【0060】

以上の知見より、高さｈを２ｎｍ以上に設定することによって、レーザ素子１０は、段差１５２３が設けられていない主面Ｐ１には電極層１６から電流を注入しつつ、段差１５２３の表面に注入され得る電流を抑制することができる。

【0061】

（電極層）
電極層１６は、レーザ素子１０に電流を供給する一対の電極層のうちｐ側の電極層である（図１参照）。電極層１６は、リッジ１５２の主面Ｐ１及び段差１５２３の表面に積層された導体製の薄膜である。電極層１６を構成する導体は、限定されるものではない。電極層１６を構成する導体は、例えば、Ｐｄや、Ｎｉや、Ｍｏなどに代表される金属、及び、ＩＴＯや、ＩＺＯや、ＺｎＯに代表される導電性酸化物の中から適宜選択することができる。また、電極層１６は、１つの導体により構成された単層膜であってもよいし、異なる種類の導体により各層が構成された多層膜であってもよい。本実施形態においては、電極層１６として、ＩＴＯ製の薄膜を採用している。

【0062】

本実施形態において、電極層１６は、リッジ１５２の主面Ｐ１と段差１５２３の表面を覆っている。なお、上述したように段差１５２３の表面と電極層１６との界面における接触抵抗が高いため、リッジ１５２と電極層１６とは、実質的に、主面Ｐ１と電極層１６との界面のみを介して導通している。

【0063】

なお、図１では図示を省略しているが、電極層１６のｙ軸正方向側の主面には、配線を接続するための金属電極層が更に設けられていてもよい。

【0064】

（誘電体層）
誘電体層１７は、プレート１５１のｙ軸正方向側の主面と、リッジ１５２の側面Ｐ２と、電極層１６のｙ軸正方向側の主面のうち外縁部を覆うように、ｐ型半導体層１５に積層された誘電体製の薄膜である。誘電体層１７が電極層１６の外縁部を覆うことによって、コンタクト層１５２２に対して電流を注入する領域を限定することができる。

【0065】

誘電体層１７を構成する誘電体は、限定されるものではなく、例えば、酸化シリコンや、酸化アルミニウムや、酸化チタンや、酸化タンタルや、酸化ジルコニウムなどに代表される酸化物から適宜選択することができる。本実施形態においては、誘電体層１７として、酸化シリコン製の薄膜を採用している。

【0066】

（製造方法）
レーザ素子１０の製造方法について、以下に説明する。レーザ素子１０の製造方法は、第１の成膜工程と、アニール工程と、微細加工工程と、第２の成膜工程と、第３の成膜工程と、を含んでいる。

【0067】

第１の成膜工程は、基板１２の一方の主面にｎ型半導体層１３、発光層１４、及びｐ型半導体層１５のベタ膜を形成する工程である。ｎ型半導体層１３、発光層１４、及びｐ型半導体層１５の成膜条件は、特に限定されるものではなく適宜定めることができる。したがって、本実施形態では、第１の成膜工程に関する詳しい説明を省略する。

【0068】

アニール工程は、第１の成膜工程のあとに実施する工程である。アニール工程は、Ｍｇを含む雰囲気においてｎ型半導体層１３、発光層１４、及びｐ型半導体層１５が積層された基板１２をアニールする工程である。アニール工程において採用するアニール条件は、アニール後にコンタクト層１５２２の主面Ｐ１におけるＭｇの濃度が１×１０^１９ｃｍ^－３以上、より好ましくは３×１０^１９ｃｍ^－３以上になるように定められていればよい。したがって、本実施形態では、アニール工程に関する詳しい説明を省略する。

【0069】

微細加工工程は、アニール工程のあとに実施する工程である。微細加工工程は、フォトリソグラフィのプロセスを用いて、ベタ膜であるｐ型半導体層１５にリッジ１５２を形成するとともに、コンタクト層１５２２に段差１５２３を形成する工程である。

【0070】

微細加工工程においては、まず、コンタクト層１５２２の一方の主面（図１に示した座標系におけるｙ軸負方向側の主面）に、フォトレジストを用いて、リッジ１５２の形状に対応したストライプ状のマスクである第１マスクを形成する。本実施形態では、第１マスクの幅として３０μｍを採用する。

【0071】

次に、第１マスクが設けられたコンタクト層１５２２の一方の主面を、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用いてエッチングする。このエッチングにより、ベタ膜であったｐ型半導体層１５にリッジ１５２が形成される。本実施形態では、リッジ１５２の高さとして１９０ｎｍを採用する。したがって、リッジ１５２の横断面形状は、上底面である主面Ｐ１の幅が３０μｍであり、高さが１９０ｎｍである台形形状になる（図１参照）。

【0072】

有機溶媒を用いて第１マスクを除去する。その後、ｐ型半導体層１５の表面にフォトレジストを用いて、主面Ｐ１の中央に対応する位置に幅２８μｍのストライプ状のマスクである第２マスクを形成する。

【0073】

次に、第２マスクが設けられたｐ型半導体層１５の表面を、ＲＩＥ装置を用いて２ｎｍ以上エッチングする。このエッチングにより、コンタクト層１５２２の主面Ｐ１に段差１５２３が形成される。本実施形態では、図２に示すように、側面Ｐ２と、主面Ｐ１との一対の境界（図２に示した座標系におけるｘ軸正方向側及びｘ軸負方向側の境界）の全部に、幅が１μｍであり且つ高さｈが２ｎｍ以上である段差１５２３を設けている。第２マスクは、有機溶剤を用いて除去される。

【0074】

第２の成膜工程は、微細加工工程のあとに実施する工程である。第２成膜工程は、段差１５２３を含むリッジ１５２が設けられたｐ型半導体層１５の表面に、電極層１６、誘電体層１７、及び金属電極層（図１においては図示を省略）を形成する工程である。

【0075】

第２の成膜工程においては、まず、蒸着装置を用いてｐ型半導体層１５の表面に電極層１６のベタ膜を形成する。電極層１６を構成する導体としては、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍｏなどの金属、及び、ＩＴＯ、ＩＺＯ，ＺｎＯなどの導電性酸化物の何れかを採用することができる。本実施形態においては、電極層１６を構成する導体としてＩＴＯを採用する。

【0076】

次に、電極層１６のベタ膜の表面にフォトレジストを塗布して、主面Ｐ１に対応する位置に幅３０μｍのストライプ状のマスクである第３マスクを形成する。

【0077】

ＲＩＥ装置を用いて電極層１６のベタ膜をエッチングする。このエッチングにより、主面Ｐ１上に、主面Ｐ１を覆う電極層１６が形成される。

【0078】

続いて、ＣＶＤ装置を用いて、ｐ型半導体層１５及び電極層１６の表面に誘電体層１７のベタ膜を形成する。誘電体層１７を構成する誘電体としては、ＳｉＯ_２や、Ａｌ_２Ｏ_３や、ＴｉＯ_２や、Ｔａ_２Ｏ_５や、ＺｒＯ_２などに代表される酸化物から適宜選択することができる。本実施形態においては、誘電体層１７を構成する誘電体としてＳｉＯ_２を採用する。

【0079】

次に、誘電体層１７のベタ膜の表面にフォトレジストを塗布して、主面Ｐ１に対応する位置に幅が主面Ｐ１よりも狭い開口を有する第３マスクを形成する。

【0080】

次に、第３マスクが設けられた誘電体層１７の表面を、ウェットエッチングを用いてエッチングする。このエッチングにより、ベタ膜であった誘電体層１７の主面Ｐ１に対応する位置に開口が形成され、電極層１６が露出する。その後、有機溶剤を用いて第３マスクを除去する。

【0081】

その後、蒸着装置を用いて、誘電体層１７と誘電体層１７の開口から露出した電極層１６との表面に金属電極層のベタ膜を形成する。金属電極層を構成する金属は、特に限定されないが、本実施形態ではチタンを採用する。

【0082】

金属電極層を形成した後、蒸着装置からレーザ素子１０を取り出し、数百℃の温度でレーザ素子１０をアニールする。このアニールを行うことでコンタクト層１５２２と電極層１６との界面、及び、電極層１６と金属電極層との界面の各々における接触抵抗を低減することができるので、レーザ素子１０に電流を注入するときに印加する電圧を低減することができる。

【0083】

第３の成膜工程は、レーザ素子１０をアニールした後に実施する工程である。第３の成膜工程は、基板１２の他方の主面（図１に示した座標系におけるｙ軸負方向側の主面）に電極層１１を設ける工程である。電極層１１の成膜条件は、特に限定されるものではなく適宜定めることができる。したがって、本実施形態では、第３の成膜工程に関する詳しい説明を省略する。以上の工程により、図１に示したレーザ素子１０が完成する。

【0084】

〔第２の実施形態〕
本発明の第２の実施形態に係るレーザ素子１０Ａについて、図８を参照して説明する。図８は、レーザ素子１０Ａの正面図である。

【0085】

レーザ素子１０Ａは、図１に示したレーザ素子１０をベースにして、電極層１６を、電極層１６Ａに置き換えることによって得られる。したがって、本実施形態においては、電極層１６Ａについてのみ説明し、それ以外の構成要素についての説明を省略する。また、図８においては、電極層１１、基板１２、ｎ型半導体層１３、及び発光層１４の図示を省略している。なお、説明の便宜上、レーザ素子１０Ａにおいては、ｐ型半導体層１５のことをｐ型半導体層１５Ａに読み替えるとともに、ｐ型半導体層１５の各構成要素の末尾に符号「Ａ」を付している。

【0086】

図８に示すように、電極層１６Ａは、リッジ１５２Ａの主面Ｐ１と、段差１５２３Ａに加えて、リッジ１５２Ａの側面Ｐ２の全部を覆うように構成されている。なお、側面Ｐ２のうち、電極層１６Ａが覆う領域は、全部に限定されるものではなく、一部であってもよい。すなわち、電極層１６Ａにおけるプレート１５１Ａに近い側の端部（図８に図示した座標系におけるｙ軸負方向側の端部）は、プレート１５１Ａに接していてもよいし、接しておらず側面Ｐ２の中途に位置してもよい。

【0087】

〔第３の実施形態〕
本発明の第３の実施形態に係るレーザ素子１０Ｂについて、図９を参照して説明する。図９は、レーザ素子１０Ｂの正面図である。

【0088】

レーザ素子１０Ｂは、図１に示したレーザ素子１０をベースにして、ｐ型半導体層１５及び電極層１６の各々を、それぞれ、ｐ型半導体層１５Ｂ及び電極層１６Ｂに置き換えることによって得られる。したがって、本実施形態においては、ｐ型半導体層１５Ｂ及び電極層１６Ｂについてのみ説明し、それ以外の構成要素についての説明を省略する。また、図９においては、電極層１１、基板１２、ｎ型半導体層１３、及び発光層１４の図示を省略している。

【0089】

図９に示すように、ｐ型半導体層１５Ｂにおいて、コンタクト層１５２２Ｂのプレート１５１Ｂ側（図９に図示した座標系におけるｙ軸負方向側）の層には、発光層１４よりも屈折率が低い窒化物系半導体により構成されたクラッド層１５２１Ｂが設けられている。この点については、第１の実施形態において説明した通りである。

【0090】

コンタクト層１５２２Ｂにおいて、段差１５２３Ｂは、主面Ｐ１からクラッド層１５２１Ｂに至るように構成されている。すなわち、段差１５２３Ｂの高さｈは、コンタクト層１５２２Ｂの厚みを上回り、且つ、リッジ１５２Ｂの厚みを下回るように定められている。

【0091】

電極層１６Ｂは、電極層１６と同様に、主面Ｐ１及び段差１５２３Ｂを覆うように設けられている。

【0092】

〔第４の実施形態〕
本発明の第４の実施形態に係るレーザ素子１０Ｃについて、図１０を参照して説明する。図１０は、レーザ素子１０Ｃの正面図である。

【0093】

レーザ素子１０Ｃは、図１に示したレーザ素子１０をベースにして、ｐ型半導体層１５及び電極層１６の各々を、それぞれ、ｐ型半導体層１５Ｃ及び電極層１６Ｃに置き換えることによって得られる。したがって、本実施形態においては、ｐ型半導体層１５Ｃ及び電極層１６Ｃについてのみ説明し、それ以外の構成要素についての説明を省略する。また、図１０においては、電極層１１、基板１２、ｎ型半導体層１３、及び発光層１４の図示を省略している。

【0094】

図１０に示すように、ｐ型半導体層１５Ｃにおいて、コンタクト層１５２２Ｃのプレート１５１Ｃ側（図１０に図示した座標系におけるｙ軸負方向側）の層には、発光層１４よりも屈折率が低い窒化物系半導体により構成されたクラッド層１５２１Ｃが設けられている。この点については、第１の実施形態において説明した通りである。

【0095】

コンタクト層１５２２Ｃにおいて、段差１５２３Ｃは、主面Ｐ１からクラッド層１５２１Ｃに至るように構成されている。すなわち、段差１５２３Ｃの高さｈは、コンタクト層１５２２Ｃの厚みを上回り、且つ、リッジ１５２Ｃの厚みを下回るように定められている。

【0096】

図１０に示すように、電極層１６Ｃは、リッジ１５２Ｃの主面Ｐ１と、段差１５２３Ｃに加えて、リッジ１５２Ｃの側面Ｐ２の全部を覆うように構成されている。すなわち、電極層１６Ｃは、図８に示した電極層１６Ａと同様に構成されている。

【0097】

〔まとめ〕
本発明の態様１に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、基板１２と、基板１２の一方の主面に順番に積層されたｎ型半導体層１３、発光層１４、ｐ型半導体層１５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ、及び電極層１６と、を備えている。

【0098】

レーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃにおいては、ｐ型半導体層１５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃは、ストライプ状に隆起したリッジ１５２，１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃであって、基板１２と逆側の主面Ｐ１を含む層にコンタクト層１５２２，１５２２Ａ，１５２２Ｂ，１５２２Ｃが設けられたリッジ１５２，１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃを含み、側面Ｐ２と、主面Ｐ１との境界（境界線ＬＢ）の少なくとも一部には、コンタクト層１５２２，１５２２Ａ，１５２２Ｂ，１５２２Ｃを凹ませた段差１５２３，１５２３Ａ，１５２３Ｂ，１５２３Ｃが設けられており、電極層１６は、主面Ｐ１及び段差１５２３，１５２３Ａ，１５２３Ｂ，１５２３Ｃを覆っている、構成が採用されている。

【0099】

なお、側面Ｐ２は、リッジ１５２，１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃの外縁を構成する表面のうち、リッジ１５２，１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃの長手方向（図１，図２，図６～図１０に図示した座標系におけるｚ軸方向）に沿った表面である。

【0100】

前記コンタクト層は、前記ｐ型半導体層と前記電極層との接触抵抗を低減するために、前記リッジの主面を含む層に設けられている。前記コンタクト層におけるキャリア濃度は、前記リッジの主面において最も高く、前記リッジの主面から遠ざかるにしたがって低くなる。

【0101】

そのため、前記コンタクト層のうち前記段差の表面におけるキャリア濃度は、前記リッジの主面におけるキャリア濃度より低い。換言すれば、前記段差の前記表面と前記電極層との接触抵抗は、前記リッジの主面と前記電極層との接触抵抗よりも高くなる。したがって、電極層からリッジに供給される電流は、前記段差の前記表面と電極層との界面を避け、前記リッジの主面と前記電極層との界面を流れる。なお、前記段差の表面は、前記コンタクト層の一部を例えばエッチングすることによって凹ませた場合に露出する表面である。

【0102】

上記の構成によれば、前記境界の少なくとも一部に前記段差が設けられているため、前記段差が設けられていないレーザ素子と比較して、前記側面に流れる電流を抑制することができる。したがって、態様１に係るレーザ素子は、駆動効率及び信頼性を高めることができる。

【0103】

本発明の態様２に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃにおいては、上述した態様１に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの構成に加えて、前記段差の高さｈは、２ｎｍ以上である、構成が採用されている。

【0104】

上記の構成によれば、前記リッジの主面におけるキャリア濃度を低下させることなく、前記コンタクト層のうち前記段差の前記表面におけるキャリア濃度を低下させることができる。例えば、前記リッジの主面におけるキャリア濃度を１×１０^１９ｃｍ^－３以上に保ちつつ、前記表面におけるキャリア濃度を１×１０^１９ｃｍ^－３未満にすることができる。したがって、前記段差の前記表面と前記電極層との接触抵抗に対して、前記リッジの主面と前記電極層との接触抵抗を十分に大きくすることができるので、前記側面に流れる電流を確実に抑制することができる。

【0105】

本発明の態様３に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃにおいては、上述した態様１又は態様２に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの構成に加えて、段差１５２３，１５２３Ａ，１５２３Ｂ，１５２３Ｃは、境界（境界線ＬＢの前記長手方向（図２，図６，図７に図示した座標系におけるｚ軸方向）における端部を含む部分に設けられている、構成が採用されている。

【0106】

前記段差が設けられていないレーザ素子において、電極層からリッジに供給される電流は、前記境界の前記端部の近傍において高くなりやすく、前記境界の前記長手方向における中央近傍において低くなりやすいことが分かった。上記の構成によれば、前記境界の前記端部を含む部分に段差を設けているため、前記段差を前記境界の中央近傍に設ける場合と比較して、前記側面に流れる電流を効果的に抑制することができる。

【0107】

本発明の態様４に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃにおいては、上述した態様１～態様３の何れか一態様に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの構成に加えて、段差１５２３，１５２３Ａ，１５２３Ｂ，１５２３Ｃは、境界（境界線ＬＢ）の全部に設けられている、構成が採用されている。

【0108】

上記の構成によれば、前記側面に流れる電流を最も抑制することができる。

【0109】

本発明の態様５に係るレーザ素子１０Ｂ，１０Ｃにおいては、上述した態様１～態様４の何れか一態様に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの構成に加えて、リッジ１５２Ｂ，１５２Ｃを含む前記ｐ型半導体層１５Ｂ，１５Ｃにおいて、コンタクト層１５２２Ｂ，１５２２Ｃの発光層１４側には、発光層１４よりも屈折率が低いクラッド層１５２１Ｂ，１５２１Ｃが設けられており、段差１５２３Ｂ，１５２３Ｃの凹みは、主面Ｐ１からクラッド層１５２１Ｂ，１５２１Ｃに至る、構成が採用されている。

【0110】

上記の構成によれば、ｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層により構成された共振器内を伝搬するレーザ光をより強く閉じ込めることができるので、レーザ光において生じ得る高次モードを抑制することができる。

【0111】

本発明の態様６に係るレーザ素子１０Ａ，１０Ｃにおいては、上述した態様１～態様５の何れか一態様に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの構成に加えて、電極層１６は、主面Ｐ１及び段差１５２３，１５２３Ａ，１５２３Ｂ，１５２３Ｃに加えて、側面Ｐ２の少なくとも一部を覆っており、電極層１６の上から側面Ｐ２を覆う誘電体層１７を更に備えている、構成が採用されている。なお、上述した各実施形態において、レーザ素子１０Ａ，１０Ｃは、側面Ｐ２の全部を覆う電極層１６を採用している。

【0112】

前記リッジの前記側面を直接覆うように前記誘電体層を設けた場合、前記誘電体層から生じる水素が前記リッジに浸透することによって、前記リッジを構成するｐ型半導体を劣化させる場合がある。上記の構成によれば、前記電極層が前記側面の少なくとも一部を覆っていることによって、水素の前記リッジへの浸透を抑制することができる。

【0113】

なお、本発明の一態様に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃにおいては、上述した態様１に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの構成に加えて、コンタクト層１５２２，１５２２Ａ，１５２２Ｂ，１５２２Ｃは、ｐ型半導体層１５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃにおけるコンタクト層１５２２，１５２２Ａ，１５２２Ｂ，１５２２Ｃ以外の層（クラッド層１５２１，１５２１Ａ，１５２１Ｂ，１５２１Ｃ及びプレート１５１，１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃ）と比較して、ｐ型ドーパント（例えばＭｇ）の濃度が高い、構成が採用されている。

【0114】

すなわち、本発明の一態様に係るレーザ素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃにおいて、ｐ型半導体層１５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃは、ストライプ状に隆起したリッジ１５２，１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃを含み、リッジ１５２，１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃは、基板１２と逆側の主面である主面Ｐ１を含む層に設けられたコンタクト層１５２２，１５２２Ａ，１５２２Ｂ，１５２２Ｃであって、ｐ型半導体層１５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃにおけるコンタクト層１５２２，１５２２Ａ，１５２２Ｂ，１５２２Ｃ以外の層と比較して、ｐ型ドーパントが高濃度で添加されたコンタクト層１５２２，１５２２Ａ，１５２２Ｂ，１５２２Ｃを含む、構成が採用されている。

【0115】

〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

【符号の説明】

【0116】

１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ レーザ素子
１１、１６、１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ 電極層
１２ 基板
１３ ｎ型半導体層
１４ 発光層
１５、１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ ｐ型半導体層
１５２、１５２Ａ、１５２Ｂ、１５２Ｃ リッジ
１５２１、１５２１Ａ、１５２１Ｂ、１５２１Ｃ クラッド層
１５２２、１５２２Ａ、１５２２Ｂ、１５２２Ｃ コンタクト層
１５２３、１５２３Ａ１５２３Ｂ、１５２３Ｃ 段差
Ｐ１ リッジの主面
Ｐ２ リッジの側面
ＬＢ 境界線（側面と主面との境界）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】