特許 7559016 基板接合体の製造方法、液体吐出基板の製造方法、基板接合体、及び液体吐出基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-20

(45)【発行日】2024-10-01

(54)【発明の名称】基板接合体の製造方法、液体吐出基板の製造方法、基板接合体、及び液体吐出基板

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20240924BHJP

   B41J 2/16 20060101ALI20240924BHJP

   B41J 2/14 20060101ALI20240924BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240924BHJP

【ＦＩ】

H01L21/02 B

B41J2/16 503

B41J2/14 607

H01L21/304 621B

【請求項の数】 35

(21)【出願番号】P 2022129394

(22)【出願日】2022-08-15

(65)【公開番号】P2024025986

(43)【公開日】2024-02-28

【審査請求日】2023-05-16

(73)【特許権者】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002860

【氏名又は名称】弁理士法人秀和特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】石川 哲史

【審査官】佐藤 靖史

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１３／１６１９０６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－００１６８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－２０２８２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１１４８４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－０２０３８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０５４９３０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２

Ｂ４１Ｊ ２／１６

Ｂ４１Ｊ ２／１４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

素子の一部を形成する第１基板と、素子の他部を形成する第２基板とが接合された基板接合体の製造方法であって、
前記第２基板に対向する前記第１基板の面である接合面が前記第２基板に向かって凸形状となるように前記第１基板の接合面に無機膜を成膜するとともに前記第１基板の接合面と反対側の面である接合逆面に無機膜を成膜する成膜工程と、
前記第１基板と前記第２基板を近接させ接触させる接触工程と、
前記第１基板と前記第２基板を接着剤を介して接合する接合工程と、
を有し、
前記成膜工程では、前記第１基板の接合面に成膜される無機膜に生じる応力と膜厚の積と、前記接合逆面に成膜される無機膜に生じる応力と膜厚の積と、の差が負の値になるように前記第１基板の接合面及び接合逆面に無機膜を成膜することを特徴とする基板接合体の製造方法。

【請求項2】

前記成膜工程では、前記第１基板の接合面の凸形状が、前記接合面の周縁部から前記接合面の中央部に向かって径方向に沿って凸となるお椀型形状になるように前記無機膜を成膜する請求項１に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項3】

前記成膜工程では、前記第１基板の接合面の凸形状が、前記接合面の周縁部から前記接合面の中央部を通る特定の直線に向かって当該直線に垂直の方向に沿って凸となる鞍型形状になるように前記無機膜を成膜する請求項１に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項4】

前記成膜工程では、前記無機膜に圧縮応力が生じるように前記無機膜を成膜する請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項5】

前記成膜工程では、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＴｉＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、及びＡｌ_２Ｏ_３のいずれかを含む前記無機膜を成膜する請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項6】

前記成膜工程では、前記第１基板の接合面の凸形状の頂点と平坦な状態の前記第１基板
の接合面との距離である凸量は０．１～３ｍｍとなるように前記無機膜を成膜する請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項7】

前記成膜工程では、スパッタ法、ＣＶＤ法、又は蒸着法で前記無機膜が成膜される請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項8】

前記成膜工程では、前記第１基板の接合面の全面に前記無機膜が成膜される請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項9】

前記成膜工程では、前記第１基板の接合面の一部に前記無機膜が成膜される請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項10】

前記接合工程では、接着剤層の厚さが１～５μｍになるように接合が行われる請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項11】

前記成膜工程では、前記第１基板の前記接合逆面に成膜される前記無機膜に引張応力が生じるように前記接合逆面に無機膜を成膜する請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項12】

前記第１基板の接合面に凹部又は貫通孔を形成する形成工程をさらに有する請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項13】

前記成膜工程は、前記凹部又は貫通孔の壁面に無機膜を成膜する工程を含む請求項１２に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項14】

前記形成工程では、前記第１基板の厚さの１／６以上の深さの凹部を形成する請求項１２に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項15】

前記成膜工程では、前記第１基板の厚さをＴ、前記第１基板の接合面の無機膜に生じる応力をσ、前記第１基板の接合面の無機膜の厚さをｔ、前記凹部又は貫通孔による開口面積と前記第１基板の接合面の面積との比である開口率をＲ、特性値Ａ＝Ｔ^２／（σ×ｔ）とした場合、－１８００×Ｒ－１３００≦Ａ≦－６００×Ｒ－４０となるように、前記第１基板の接合面に無機膜を成膜する請求項１４に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項16】

前記形成工程は、前記第１基板の接合面と反対側の面である接合逆面に凹部又は貫通孔を形成する工程を含み、
前記第１基板の接合面に形成される凹部又は貫通孔による開口面積と前記凹部又は貫通孔が形成された接合面の面積との比である開口率は、
前記接合逆面に形成される凹部又は貫通孔による開口面積と前記凹部又は貫通孔が形成された接合逆面の面積との比である開口率より、大きい請求項１２に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項17】

前記成膜工程は、前記第２基板の接合面が前記第１基板の接合面に向かって凸形状となるように前記第２基板の接合面に無機膜を成膜する工程を含む請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項18】

前記第１基板及び前記第２基板は、複数の素子が形成されるウエハ状の基板である請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。

【請求項19】

液体を吐出する吐出口と前記吐出口に連通して前記液体を供給する第１流路が形成され
た第１基板と、前記第１流路と連結されて流路を構成する第２流路が形成された第２基板とが接合された液体吐出基板の製造方法であって、
前記第１基板と前記第２基板を請求項１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法によって接合する工程を有する液体吐出基板の製造方法。

【請求項20】

素子の一部を形成する第１基板と、素子の他部を形成する第２基板と、が接着剤層を介して接合された基板接合体であって、
前記第１基板の接合面と前記接着剤層との間に、内部に圧縮応力が生じている無機膜を有するとともに、前記第１基板の接合面と反対側の面である接合逆面に無機膜を有し、
前記第１基板の接合面に設けられる無機膜に生じる応力と膜厚の積と、前記接合逆面に設けられる無機膜に生じる応力と膜厚の積と、の差が負の値であることを特徴とする基板接合体。

【請求項21】

素子の一部を形成する第１基板と、素子の他部を形成する第２基板と、が接着剤層を介して接合された基板接合体であって、
前記第１基板の接合面と前記接着剤層との間に、内部に圧縮応力が生じている無機膜を有し、
前記第１基板は、前記接合面に設けられた凹部又は貫通孔を有することを特徴とする基板接合体。

【請求項22】

前記無機膜は、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＴｉＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、及びＡｌ_２Ｏ_３のいずれかを含む請求項２０又は２１に記載の基板接合体。

【請求項23】

前記無機膜は、前記第１基板の接合面の全面に設けられる請求項２０又は２１に記載の基板接合体。

【請求項24】

前記無機膜は、前記第１基板の接合面の一部に設けられる請求項２０又は２１に記載の基板接合体。

【請求項25】

前記接着剤層の厚さは１～５μｍである請求項２０又は２１に記載の基板接合体。

【請求項26】

前記第１基板の接合面と反対側の面である接合逆面に無機膜を有し、
前記第１基板の接合面に設けられる無機膜に生じる応力と膜厚の積と、前記接合逆面に設けられる無機膜に生じる応力と膜厚の積と、の差が負の値である請求項２１に記載の基板接合体。

【請求項27】

前記接合逆面に成膜される無機膜は、内部に引張応力が生じている無機膜である請求項２０又は２６に記載の基板接合体。

【請求項28】

前記第１基板は、前記接合面に設けられた凹部又は貫通孔を有する請求項２０に記載の基板接合体。

【請求項29】

前記凹部又は貫通孔の壁面に形成された無機膜を有する請求項２１又は２８に記載の基板接合体。

【請求項30】

前記第１基板は前記凹部を有し、前記凹部の深さは前記第１基板の厚さの１／６以上である請求項２１又は２８に記載の基板接合体。

【請求項31】

前記第１基板の厚さをＴ、前記第１基板の接合面の無機膜に生じる応力をσ、前記第１基板の接合面の無機膜の厚さをｔ、前記凹部又は貫通孔による開口面積と前記接合面の面
積との比である開口率をＲ、Ａ＝Ｔ^２／（σ×ｔ）とした場合、－１８００×Ｒ－１３００≦Ａ≦－６００×Ｒ－４０を満たす請求項２１又は２８に記載の基板接合体。

【請求項32】

前記第１基板の接合面と反対側の面である接合逆面に設けられた凹部又は貫通孔を有し、
前記第１基板の接合面に形成される凹部又は貫通孔による開口面積と前記凹部又は貫通孔が形成された接合面の面積との比である開口率は、
前記接合逆面に形成される凹部又は貫通孔による開口面積と前記凹部又は貫通孔が形成された接合逆面の面積との比である開口率より、大きい請求項２１又は２８に記載の基板接合体。

【請求項33】

前記第２基板の接合面と前記接着剤層との間に、内部に圧縮応力が生じている無機膜を有する請求項２０又は２１に記載の基板接合体。

【請求項34】

前記第１基板及び前記第２基板は、複数の素子が形成されるウエハ状の基板である請求項２０又は２１に記載の基板接合体。

【請求項35】

請求項２０又は２１に記載の基板接合体を有する液体吐出ヘッド用の液体吐出基板であって、
前記第１基板には、液体を吐出する吐出口と前記吐出口に連通して前記液体を供給する第１流路が形成され、
前記第２基板には、前記第１流路と連結されて流路を形成する第２流路が形成されていることを特徴とする液体吐出基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は基板接合体の製造方法、液体吐出基板の製造方法、基板接合体、及び液体吐出基板
に関するものである。

【背景技術】

【0002】

インクジェット方式を用いた記録装置（液体吐出装置）は、液体吐出ヘッドの吐出口からインク（記録液）滴を吐出飛翔させ、これを記録媒体に付着させて記録する構成となっている。この種の液体吐出ヘッドの構成について以下で説明する。液体吐出ヘッドは、ＭＥＭＳ技術を使用し、圧電素子、電気配線、発泡室等を含む液体流路、及び振動膜が形成された基板に対して、吐出口が形成された基板を接合することによって形成される。圧電素子は、吐出口と連通する発泡室内の液体を加圧するため、電気機械変換素子からなり、振動板は発泡室の一部を形成するもので、圧電素子の振動をインクに伝搬する部材である。発泡室の位置に吐出口が形成されることになる。複数の圧電素子の各々に対応する位置に吐出口が形成されている。

【0003】

特許文献１には、圧電素子からなる液体吐出ヘッドについて、シリコン基板を接合することで製造する製造方法が記載されている。このような基板同士の接合では、基板の接合界面に気泡が混入し、気泡が排出されないまま接合されてしまうことがある。これは、接合時に基板同士が接触する際、ランダムな位置で接触することで気泡が抱き込まれ、さらに気泡の排出経路に基板同士の接触点があると、気泡の外部への排出の障害となることで発生する。液体吐出ヘッド用の基板接合において気泡の混入により接合部にボイド（空隙）が生じると、インクリークが発生し、圧電素子部へのインク混入、及び混色するといった課題がある。これに対し特許文献２では、断面凸状球面形状の載置テーブルに基板を載置して接合することで、接合装置内で基板の接合面を凸形状とし、中央の一点の接触点から外側に接触点が広がるようにしている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１３－９１２７２号公報

【文献】特開２００２－１９０４３５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献２の技術では、載置テーブルの形状で定まる一定の凸形状に基板が変形することになる。基板には厚くて剛性の高い基板や薄くて剛性が低い基板等、多種類あるため、同一形状の載置テーブルを用いると凸形状が不十分となったり、凸形状が過剰となり剛性の低い基板でクラックが発生したりする可能性がある。

【0006】

本発明は、基板同士の接合部におけるボイドの発生を抑制することができる基板接合体及び液体吐出基板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は、素子の一部を形成する第１基板と、素子の他部を形成する第２基板とが接合された基板接合体の製造方法であって、
前記第２基板に対向する前記第１基板の面である接合面が前記第２基板に向かって凸形状となるように前記第１基板の接合面に無機膜を成膜するとともに前記第１基板の接合面と反対側の面である接合逆面に無機膜を成膜する成膜工程と、
前記第１基板と前記第２基板を近接させ接触させる接触工程と、
前記第１基板と前記第２基板を接着剤を介して接合する接合工程と、
を有し、
前記成膜工程では、前記第１基板の接合面に成膜される無機膜に生じる応力と膜厚の積と、前記接合逆面に成膜される無機膜に生じる応力と膜厚の積と、の差が負の値になるように前記第１基板の接合面及び接合逆面に無機膜を成膜することを特徴とする基板接合体の製造方法である。

【0008】

本発明は、素子の一部を形成する第１基板と、素子の他部を形成する第２基板と、が接
着剤層を介して接合された基板接合体であって、
前記第１基板の接合面と前記接着剤層との間に、内部に圧縮応力が生じている無機膜を有するとともに、前記第１基板の接合面と反対側の面である接合逆面に無機膜を有し、
前記第１基板の接合面に設けられる無機膜に生じる応力と膜厚の積と、前記接合逆面に設けられる無機膜に生じる応力と膜厚の積と、の差が負の値であることを特徴とする基板接合体である。
また、本発明は、素子の一部を形成する第１基板と、素子の他部を形成する第２基板と、が接着剤層を介して接合された基板接合体であって、
前記第１基板の接合面と前記接着剤層との間に、内部に圧縮応力が生じている無機膜を有し、
前記第１基板は、前記接合面に設けられた凹部又は貫通孔を有することを特徴とする基板接合体である。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、基板同士の接合部におけるボイドの発生を抑制することができる基板接合体及び液体吐出基板の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】液体吐出基板の製造時のウエハ状の基板を示す斜視図

【図2】実施例の液体吐出基板の製造時の基板の断面模式図

【図3】従来の液体吐出基板の製造時の基板の断面模式図

【図4】実施例の無機膜の膜応力、膜厚、基板厚と基板の凸量の関係を示す図

【図5】実施例の無機膜の膜応力、膜厚、基板の凸量の関係を示す図

【図6】実施例の基板の接合面に凹部や貫通孔がある場合を模式的に示す図

【図7】実施例の無機膜の膜応力、膜厚、基板の凸量、開口率の関係を示す図

【図8】実施例の開口率、特性値Ａ、凸量との関係を示す図

【図9】実施例の液体吐出基板の断面図

【図10】実施例の液体吐出基板の製造方法を示す図

【図11】実施例のインクジェット記録装置の概略構成図

【図12】実施例の液体吐出ヘッドモジュールの概略図

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係る液体吐出ヘッド及び液体吐出装置について説明する。以下、液体の一例としてインクを吐出するインクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置に本発明を適用した実施例を説明するが、本発明は他の装置にも適用可能である。例えば、プリンタ、複写機、通信システムを有するファクシミリ、プリンタ部を有するワードプロセッサ等の装置、各種処理装置と複合的に組み合わせた産業記録装置、例えば、バイオチップ作製や電子回路印刷等を行う装置に適用することができる。また、液体噴射ヘッドの基本的構成は以下の実施例に限定されるものではない。本発明は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射するものにも適用することができる。実施例の構成は説明のための一例であって、本発明の範囲内で種々の組み合わせや改変が可能である。

【0012】

（ヘッド全体の説明）
図１１は、実施例に係るインクジェット記録装置１０１の概略構成図である。インクジェット記録装置１０１は、搬送部１１０による記録媒体１１１の一度の搬送で、液体吐出ヘッドモジュール１００により記録媒体１１１に画像を記録するワンパスタイプの記録装置である。以下、記録媒体１１１の幅方向をＸ方向、記録媒体１１１の搬送方向（矢印Ａで示す）をＹ方向、Ｘ方向及びＹ方向に交差する方向をＺ方向とする。Ｘ方向及びＹ方向は液体吐出ヘッドモジュール１００の後述するノズルが形成された吐出面に沿う方向であり、Ｘ方向（第１方向）はノズルの配列方向であり、Ｙ方向（第２方向）はノズル列の配列方向である。Ｙ方向（第２方向）は吐出面に沿いＸ方向（第１方向）と交差する方向である。典型的には、Ｘ方向及びＹ方向は水平面に沿い互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に
平行である。

【0013】

液体吐出ヘッドモジュール１００は、シアン、マゼンタ、イエロー及びブラックのインクを吐出する個別のモジュールから構成される。各色の液体吐出ヘッドモジュールを区別する場合、符号Ｃ、Ｍ、Ｙ、Ｋを付して区別する。４色の液体吐出ヘッドモジュールは、記録媒体１１１の搬送方向（Ｙ方向）に沿って配列されている。また、各色の液体吐出ヘッドモジュールは、記録媒体１１１の幅方向（Ｘ方向）に沿って配列されたサブモジュールを有する。サブモジュールを区別する場合、符号ａ、ｂを付して区別する。図１１において、液体吐出ヘッドモジュール１００は、記録媒体１１１に対し鉛直上方に配置され、鉛直下向き（Ｚ方向）にインクを吐出する。なお、図１１に示す液体吐出ヘッドモジュール１００の構成は一例であり、本発明は他の形態の液体吐出ヘッドモジュールにも適用可能である。

【0014】

（液体吐出ヘッドの構成の説明）
図１２は、液体吐出ヘッドモジュール１００の概略図である。図１２（ａ）は、液体吐出ヘッドモジュール１００を吐出面側から見た斜視図である。図１２（ｂ）は、液体吐出基板２００の吐出面を示す図である。図１２（ｃ）は液体吐出基板２００の吐出面と反対側の面を示す図である。

【0015】

液体吐出ヘッドモジュール１００は、ヘッド本体４００と、ヘッド本体４００に配置された複数の液体吐出基板２００とを有する。液体吐出ヘッドモジュール１００は、液体吐出基板２００の吐出面３０１に沿ってＸ方向（第１方向）に配列された複数のノズル３００を有する。

【0016】

液体吐出基板２００は、ノズル基板２０１を有し、ノズル基板２０１の長手方向（Ｘ方向）に沿って複数のノズル３００が配列され、ノズル列を形成している。ノズル基板２０１には、短手方向（Ｙ方向）に沿って複数のノズル列が配列されている。液体吐出基板２００は、流路形成基板２０４を有し、流路形成基板２０４に形成された供給外部開口部２２０を介して外部のインクタンクから液体吐出基板２００にインクが供給される。供給されたインクは、液体吐出基板２００内部の流路を流れ、ノズル３００から吐出され、記録媒体１１１に滴下する。複数の供給外部開口部２２０には、ヘッド本体４００に設けられる共通供給口（不図示）を介してインクタンク（不図示）からインクが供給される。

【0017】

ヘッド本体４００には、ノズル３００からインクを吐出させる圧電素子等のアクチュエータを駆動する電力や信号を供給するための電気回路基板（不図示）が配置されている。電気回路基板は、液体吐出基板２００のアクチュエータが設けられた振動基板２０２の端子５００と配線（不図示）で接続されている。なお、図１２に示す液体吐出ヘッドモジュール１００の構成は一例であり、本発明は他の形態の液体吐出ヘッドモジュールにも適用可能である。

【0018】

図９は、液体吐出基板２００の断面図である。図９は、図１２（ｂ）におけるＢＢ断面を示す。液体吐出基板２００は、圧電素子１５、圧電素子の隣接層に振動膜１６を具備したアクチュエータ基板１２に対して、凹部１４が形成された流路基板１１が接着剤層２１を介して接合されている。また、吐出口１９が形成されたノズル基板１３は、接着剤層２９を介して、アクチュエータ基板１２に接合されている。流路基板１１、アクチュエータ基板１２、ノズル基板１３が接合された構造体において、流路１７、発泡室１８が形成される。発泡室１８は吐出口１９に連通して液体を供給する第１流路であり、流路１７は発泡室１８に連結されて流路を構成する第２流路である。流路基板１１とアクチュエータ基板１２との接合部は、内部に圧縮応力が生じている無機膜２０、２２を有する。それぞれの接合面に無機膜２０、２２が形成された流路基板１１とアクチュエータ基板１２は、接
着剤層２１を介して接合される。アクチュエータ基板１２とノズル基板１３との接合部は、内部に圧縮応力が生じている無機膜２８、３０を有する。それぞれの接合面に無機膜２８、３０が形成されたアクチュエータ基板１２とノズル基板１３は、接着剤層２９を介して接合される。液体吐出基板２００はこのように複数の基板が接着剤層を介して接合された基板接合体である。図９の例では、流路基板１１とアクチュエータ基板１２の接合部の全体、アクチュエータ基板１２とノズル基板１３の接合部の全体に無機膜が設けられているが、無機膜は接合部の一部に設けられていても良い。接着剤層２１、２９の厚さは１～５μｍである。図９の例では流路基板１１とノズル基板１３は接合部とは反対側の面である接合逆面に無機膜が形成されていないが、接合逆面にも無機膜を形成しても良い。その場合、接合部の無機膜に生じる応力と膜厚の積と、接合逆面の無機膜に生じる応力と膜厚の積と、の差が負の値になると良い。図９の例では、流路基板１１、アクチュエータ基板１２、ノズル基板１３には基板接合体において流路１７、発泡室１８、吐出口１９となる凹部や貫通孔が形成されており、これら凹部や貫通孔の壁面にも無機膜が形成されている。

【0019】

図１は、液体吐出基板を製造するために接合されるウエハ状の２つのシリコン基板を示す図である。基板１（第１基板）には素子（チップ）が形成される素子形成領域１Ａが多数形成されており、それ以外の領域１Ｂからは素子の取得は行われない。実施例では、少なくとも２枚以上のウエハ状の基板を接合し、切断により分割することにより、複数の素子を得る。図１は、素子としての液体吐出基板の一部を形成する基板１（第１基板）と、素子としての液体吐出基板の他部を形成する基板２（第２基板）とを接合し、基板接合体を製造する様子を模式的に示している。

【0020】

図２、図３は、図１のＸ－Ｘ’断面の断面模式図を示している。図２は実施例の製造方法による基板の接合の様子を示し、図３は従来の製造方法による基板の接合の様子を示す。

【0021】

従来の製造方法では、図３（ａ）に示すように、平坦な基板１と平坦な基板２を矢印Ａ方向で近接させ、接着剤３を介して接合する。この場合、基板同士がランダムな複数の位置で接触するため、基板間に抱き込んだ気泡が排出されずに、図３（ｂ）に示すように、接合部にボイド７が発生することがあった。

【0022】

実施例の製造方法では、図２（ａ）に示すように、接合する２枚の基板の少なくとも一方の接合面が他方の接合面に対して凸形状となるようにする。こうすることで、矢印Ａ方向に基板１、２を近接させたときに、基板中央から接触開始し、中央から外周に向かって接触面積が広がっていく。これにより、基板間の空気が外側へ排出され、基板間に気泡を抱き込むことを抑制し、図２（ｂ）に示すように、接合部にボイドが生じることを抑制できる。図２（ａ）では基板１（第１基板）の接合面が基板２（第２基板）の接合面に向かって凸形状となるように基板１の接合面に無機膜５を成膜し、かつ、基板２の接合面が基板１の接合面に向かって凸形状となるように基板２の接合面に無機膜４を成膜している。しかし、例えば基板１の接合面にのみ無機膜を成膜しても良いし、基板２の接合面にのみ無機膜を成膜しても良い。

【0023】

基板の凸形状は、お椀型形状（周縁部から中央部に向かって径方向に沿って凸となる形状）や鞍型形状（周縁部から中央部を通る特定の直線に向かって当該直線に垂直の方向に沿って凸となる形状）が考えられる。凸形状は基板に加工されているパターンに依存する。例えば、加工形状が未加工や等方的なレイアウトの場合はお椀型になり、加工形状が異方的なレイアウト（細長い流路等）の場合、鞍型になる。凸形状の頂点（凸形状の基板において対向する基板に最も近い点）の位置は、基板の中央に限られない。凸形状の頂点が基板の中央からずれていても、凸形状の頂点で対向する基板に接触開始し、凸形状の頂点
から外周に向かって徐々に接触が進んでいく作用効果は同様に得られる。

【0024】

基板の接合面に、圧縮応力が働くような成膜条件でＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＴｉＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等に代表される無機膜を成膜することで、基板を凸形状にする。成膜手法はスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等のドライ成膜を例示できる。例えば、プラズマＣＶＤの成膜としてシャワーヘッドに１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源をＨＦ（１００Ｗ）、プラテンに３８０ｋＨｚのＲＦ電源をＬＦ（２００Ｗ）として、ＳｉＨ_４とＣＨ_４を用い、圧力１００Ｐａに調整しトライオード成膜する。これにより－５００ＭＰａの圧縮応力のＳｉＣ膜が成膜される。図２の例では、基板１に無機膜５を成膜し、基板２に無機膜４を成膜し、基板１、２がお互いに向かって凸となるようにした例を示しているが、これに限られない。２枚の基板のうち一方の基板の接合面にのみ無機膜を成膜し、当該一方の基板のみが相手基板に向かって凸となるようにしてもよい。

【0025】

図４（ａ）は無機膜４を成膜した際の基板２の凸量を示す模式図である。凸形状の基板２において、凸形状の頂点と基板２が平坦な状態であったときの基板２の接合面との間の接合面に垂直の方向Ｚでの距離を凸量とする。凸量としては、０．１ｍｍ以上が好ましい。成膜される膜が圧縮応力（圧縮応力は負値）の場合に、成膜面が凸になる。凸量は、形状（基板剛性）、膜応力（圧縮応力）、膜厚で決まる。なお、無機膜４は、単層でも良いし、多層でも良い。

【0026】

図４（ｂ）は、無機膜４の膜応力及び膜厚と基板２の凸量との関係を示す。基板厚は４００μｍとした。膜応力は圧縮応力であり負値である。図４（ｂ）に示すように、膜応力（絶対値）が大きいほど凸量は大きくなる。また、膜厚が大きいほど凸量は大きくなる。

【0027】

図４（ｃ）は、基板２の厚さと基板２の凸量との関係を示す。膜応力は－５００ＭＰａとした。図４（ｃ）に示すように、基板厚が小さいほど凸量は大きくなる。基板の剛性が低下するためと考えられる。ボイド抑制のためには基板厚６００μｍ以下とするのが好ましい。

【0028】

図５（ａ）は、基板２の両面に無機膜４、６が成膜された状態を示す。図５（ａ）に示すように、基板２の接合面とは反対側の面（接合逆面という）に成膜されている無機膜６が引張応力（引張応力は正値）の場合、無機膜６の存在により無機膜４によるＺ方向の凸量は増加する。接合逆面に、引張応力が働くような成膜条件でＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＴｉＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機膜を成膜しても良い。例えば、ＴｉＯ膜については、ＡＬＤ成膜法で、チャンバ内温度を８０℃にして、成膜すると５００ＭＰａ（引張応力）になる。チャンバ内温度を上昇させると応力増大する。

【0029】

図５（ｂ）は、無機膜４の膜応力及び膜厚と基板２の凸量との関係を示す。基板厚は４００μｍとし、接合逆面に引張応力＋５００ＭＰａ、膜厚０．５μｍの無機膜６を成膜した。図４（ｂ）と比較すると、圧縮応力、膜厚が同じ場合、接合逆面に引張応力の無機膜６を成膜したときの方が基板２の凸量が大きくなることがわかる。なお、接合逆面に圧縮応力の無機膜６を成膜する場合、接合面側の無機膜４の応力と膜厚の積と、接合逆面側の無機膜６の応力と膜厚の積との差が負の値になるようにすることで、接合面が凸形状となる。無機膜の圧縮応力を調整する方法としては、成膜時の圧力を調整する方法がある。例えば、プラズマＣＶＤの成膜としてシャワーヘッドに１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源をＨＦ（１００Ｗ）、プラテンに３８０ｋＨｚのＲＦ電源をＬＦ（２００Ｗ）として、ＳｉＨ_４とＣＨ_４を用い、圧力１００Ｐａに調整しトライオード成膜する。これにより－５００ＭＰａの圧縮応力のＳｉＣ膜が成膜される。圧力を５０Ｐａに調整しトライオード成膜することで、－６５０ＭＰの圧縮応力のＳｉＣ膜が成膜される。

【0030】

図４（ｂ）、図４（ｃ）では未加工基板の凸量を示しているが、図６（ｂ）のように凹部５１を基板２の接合面に形成する加工を施した場合、接合面の凸量が増加する。図６（ｂ）は図６（ａ）の枠線Ａで囲んだ部分の拡大図である。さらに、凹部５１が形成された領域の面積（開口面積という）が大きくなるほど、接合面の凸量が増加する。また、接合逆面へ貫通する貫通孔５０を形成する加工を施してもよい。凹部５１の深さは基板厚の１／６以上であるとより凸量が増加する。図４、図５、図６（ａ）、図６（ｂ）では無機膜を接合面の全面に成膜する例を示したが、図６（ｃ）のように、接合面の一部に無機膜４をパターニングしても良い。基板の接合面と接合逆面の両面に凹部や貫通孔の加工を施す場合、接合面の開口率が接合逆面の開口率より大きくなるようにすると、接合面が凸形状になりやすい。ここで、開口率とは、接合面の面積に対する凹部又は貫通孔による開口面積の割合である。第１基板の接合面に凹部や貫通孔を形成した場合、第１基板の接合面のうち第２基板に対向する部分及び凹部又は貫通孔の壁面に無機膜を成膜すると良い。

【0031】

図７（ａ）は、開口率が３０％の基板２の凸量と、無機膜４の膜応力及び膜厚との関係を示す。開口率３０％の基板では、開口率０％（凹部や貫通孔が形成されていない）基板と比較し、無機膜の膜応力と膜厚の条件が同じであれば凸量が４倍程度増加した。図７（ｂ）は、開口率及び無機膜の膜厚と、凸量との関係を示す。図７（ｂ）は、種々の開口率の加工を接合面に施した基板に、一定の膜応力の無機膜を種々の膜厚で成膜した場合の基板の成膜面の凸量を示す。図７（ｂ）に示すように、開口率３０％の基板の接合面に膜応力－５００ＭＰａ、膜厚０．０５μｍの無機膜を成膜した場合の接合面の凸量は０．１ｍｍ程度となり、開口率が大きいほど凸量が大きくなった。

【0032】

基板の接合面の凸量が大きすぎると基板の剛性によってはクラックが入る可能性があるため、接合面を加工している基板については、凸量は３ｍｍ以下が良い。膜応力－１０００ＭＰａ、膜厚１．０μｍの無機膜を接合面に成膜した場合、凸量が３ｍｍを超え、基板にクラックが生じる可能性がある。

【0033】

図８は、基板厚Ｔ［μｍ］、無機膜の膜応力σ［ＭＰａ］、無機膜の膜厚ｔ［μｍ］、接合面の開口率Ｒ［％］、凸量Ｂ［ｍｍ］の関係を示す。図８の横軸は開口率Ｒ、縦軸は特性値Ａ＝Ｔ^２／σ×ｔである。図４（ｂ）に示す膜応力σ、膜厚ｔ、凸量Ｂの関係、図４（ｃ）に示す基板厚Ｔ、膜厚ｔ、凸量Ｂの関係、図７（ｂ）に示す開口率Ｒ、膜厚ｔ、凸量Ｂの関係から、特性値Ａと開口率Ｒの関係をプロットすると、図８のようになる。開口率Ｒが一定ならば、凸量Ｂが大きいほど特性値Ａは小さくなる。図８のグラフＬ１（Ａ＝－６００×Ｒ－４０）は凸量Ｂ＝０．１ｍｍの場合の特性値Ａと開口率Ｒの関係を示し、グラフＬ２（Ａ＝－１８００×Ｒ－１３００）はＢ＝３ｍｍの場合の特性値Ａと開口率Ｒの関係を示す。凸量の好適な範囲は０．１～３ｍｍである。基板の接合面の開口率Ｒと基板厚Ｔに応じて、－１８００×Ｒ－１３００≦Ａ≦－６００×Ｒ－４０となるように、グラフＬ１とＬ２の間にある特性値Ａの値から成膜する無機膜の膜応力σ、膜厚ｔを設定する。この設定により接合面に無機膜を成膜することで、クラックの発生を抑制しつつ、基板の接合面を凸形状にすることができる。

【0034】

図１０は実施例の液体吐出ヘッド用の液体吐出基板の製造方法を示す図である。

【0035】

図１０（ａ）は流路基板１１を示す。流路基板１１は、例えばシリコン基板からなり、ポジレジストを露光、現像し、その後、Ｓｉドライエッチングにより最終的に流路１７となる貫通部と凹部１４が形成される。次いで、流路基板１１の接合面に無機膜２０が成膜される。無機膜２０は、例えば膜応力－５００ＭＰａ（圧縮応力）、膜厚０．１５μｍのＳｉＣ膜とし、ＣＶＤ法で成膜される。無機膜２０の圧縮応力が働くことにより、流路基板１１の接合面は凸形状（図１０（ａ）で下方向に凸）になる。接合面に凹部１４が形成されていることにより、接合面は凸形状をとりやすい。

【0036】

次いで、図１０（ｂ）に示すアクチュエータ基板１２が準備される。アクチュエータ基板１２は、活性層２４、２６、ＢＯＸ層２５、２７からなるＳＯＩ基板であり、加工により、振動膜１６となる層が形成される。振動膜１６上に圧電素子１５が配置される。圧電素子１５は、振動膜１６上に形成された下部電極と、下部電極上に形成された圧電素子１５と、圧電素子１５上に形成された上部電極とを備える。保護膜２３は圧電素子１５及び上部電極の各層を覆うように設けられる。

【0037】

圧電素子１５としては、金属酸化物結晶の焼結体からなり、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）膜を用いることができる。駆動ＩＣ（不図示）から圧電素子１５に駆動電圧が印可されると、逆圧電効果によって、圧電素子１５が変形する。これにより、圧電素子１５とともに振動膜１６が変形し、それによって、発泡室１８の容積変化がもたらされ、液体が加圧され、吐出口１９から微小液滴となって吐出される。

【0038】

アクチュエータ基板１２の流路基板１１に対向する接合面には無機膜２２が成膜される。無機膜２２の構成は無機膜２０と同様とする。これによりアクチュエータ基板１２の流路基板１１に対向する接合面は流路基板１１に向かって凸形状となる。

【0039】

次に、図１０（ｃ）に示すように、流路基板１１とアクチュエータ基板１２が接着剤層２１を介して接合される。接合は、接着剤の軟化温度に応じた温度（例えば１５０℃）で加熱することで行われる。接着剤層の厚さは１～５μｍとする。このとき、流路基板１１の接合面及びアクチュエータ基板１２の接合面は互いに対向する方向に凸形状であり、各基板の中央付近の１点から接触開始し、中央から外側に向かって接触領域が広がっていく。そのため、接合面間の気泡が外部に排出されやすく、接合部にボイドが生じにくい。

【0040】

次に、図１０（ｄ）に示すように、アクチュエータ基板１２の流路基板１１との接合面とは反対の第２接合面に対し、研削、研磨により薄化され、接合後に発泡室１８となる凹部が形成される。これによりアクチュエータ基板１２の第２接合面の開口率は例えば３０％になるとする。

【0041】

次に、図１０（ｅ）に示すように、アクチュエータ基板１２の第２接合面に対して、無機膜２８が成膜される。無機膜２８の構成は無機膜２０、２２と同様に、膜応力－５００ＭＰａ（圧縮応力）、膜厚０．１５μｍのＳｉＣ膜とし、ＣＶＤ法で成膜される。無機膜２８の圧縮応力が働くことによりアクチュエータ基板１２の第２接合面は図１０（ｅ）の下方に向かって凸形状になる。

【0042】

次に、図１０（ｆ）に示すように、シリコン基板３１に接合後に吐出口１９となる貫通孔が形成されたノズル基板１３の接合面に対して、無機膜３０が成膜される。ノズル基板１３の接合面の開口率は３０％とする。無機膜３０の構成は無機膜２０、２２、２８と同様に、膜応力－５００ＭＰａ（圧縮応力）、膜厚０．１５μｍのＳｉＣ膜とし、ＣＶＤ法で成膜される。無機膜３０の圧縮応力が働くことによりノズル基板１３の接合面は図１０（ｆ）の上方に向かって凸形状になる。

【0043】

次に、図１０（ｇ）に示すように、アクチュエータ基板１２の第２接合面とノズル基板１３の接合面とを対向させる。

【0044】

次に、図１０（ｈ）に示すように、アクチュエータ基板１２の第２接合面とノズル基板１３の接合面とを接着剤層２９を介して接合する。接合は接着剤の材質によって決まる温度（例えば１５０℃）で加熱することで行われる。接着剤層の厚さは１～５μｍとする。このとき、アクチュエータ基板１２の第２接合面とノズル基板１３の接合面は互いに対向
する方向に凸形状であり、各基板の中央付近の１点から接触開始し、中央から外側に向かって接触領域が広がっていく。そのため、接合面間の気泡が外部に排出されやすく、接合部にボイドが生じにくい。

【0045】

以上のような工程で製造される液体吐出ヘッド用の液体吐出基板においては、基板同士の接合部にボイドが生じることがより確実に抑制される。特に圧電素子を備えた液体吐出ヘッドの場合、インク流路と圧電素子が密閉された空間が近い。本実施例の製造方法により製造される液体吐出基板を有する液体吐出ヘッドでは、基板同士の接合部のボイドの発生を抑制できることにより、インクリーク、圧電素子部へのインク混入、混色等の発生を抑制できる。

【0046】

本実施形態の開示は、以下の構成及び方法を含む。
（方法１）
素子の一部を形成する第１基板と、素子の他部を形成する第２基板とが接合された基板接合体の製造方法であって、
前記第２基板に対向する前記第１基板の面である接合面が前記第２基板に向かって凸形状となるように前記第１基板の接合面に無機膜を成膜する成膜工程と、
前記第１基板と前記第２基板を近接させ接触させる接触工程と、
前記第１基板と前記第２基板を接着剤を介して接合する接合工程と、
を有することを特徴とする基板接合体の製造方法。
（方法２）
前記成膜工程では、前記第１基板の接合面の凸形状が、前記接合面の周縁部から前記接合面の中央部に向かって径方向に沿って凸となるお椀型形状になるように前記無機膜を成膜する方法１に記載の基板接合体の製造方法。
（方法３）
前記成膜工程では、前記第１基板の接合面の凸形状が、前記接合面の周縁部から前記接合面の中央部を通る特定の直線に向かって当該直線に垂直の方向に沿って凸となる鞍型形状になるように前記無機膜を成膜する方法１に記載の基板接合体の製造方法。
（方法４）
前記成膜工程では、前記無機膜に圧縮応力が生じるように前記無機膜を成膜する方法１～３のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法５）
前記成膜工程では、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＴｉＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、及びＡｌ_２Ｏ_３のいずれかを含む前記無機膜を成膜する方法１～４のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法６）
前記成膜工程では、前記第１基板の接合面の凸形状の頂点と平坦な状態の前記第１基板の接合面との距離である凸量は０．１～３ｍｍとなるように前記無機膜を成膜する方法１～５のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法７）
前記成膜工程では、スパッタ法、ＣＶＤ法、又は蒸着法で前記無機膜が成膜される方法１～６のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法８）
前記成膜工程では、前記第１基板の接合面の全面に前記無機膜が成膜される方法１～７のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法９）
前記成膜工程では、前記第１基板の接合面の一部に前記無機膜が成膜される方法１～７のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法１０）
前記接合工程では、接着剤層の厚さが１～５μｍになるように接合が行われる方法１～
９のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法１１）
前記成膜工程は、前記第１基板の接合面と反対側の面である接合逆面に無機膜を成膜する工程を含み、
前記成膜工程では、前記第１基板の接合面に成膜される無機膜に生じる応力と膜厚の積と、前記接合逆面に成膜される無機膜に生じる応力と膜厚の積と、の差が負の値になるように前記第１基板の接合面及び接合逆面に無機膜を成膜する方法１～１０のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法１２）
前記成膜工程では、前記第１基板の前記接合逆面に成膜される前記無機膜に引張応力が生じるように前記接合逆面に無機膜を成膜する方法１１に記載の基板接合体の製造方法。（方法１３）
前記第１基板の接合面に凹部又は貫通孔を形成する形成工程をさらに有する方法１～１２のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法１４）
前記成膜工程は、前記凹部又は貫通孔の壁面に無機膜を成膜する工程を含む方法１３に記載の基板接合体の製造方法。
（方法１５）
前記形成工程では、前記第１基板の厚さの１／６以上の深さの凹部を形成する方法１３又は１４に記載の基板接合体の製造方法。
（方法１６）
前記成膜工程では、前記第１基板の厚さをＴ、前記第１基板の接合面の無機膜に生じる応力をσ、前記第１基板の接合面の無機膜の厚さをｔ、前記凹部又は貫通孔による開口面積と前記第１基板の接合面の面積との比である開口率をＲ、特性値Ａ＝Ｔ^２／（σ×ｔ）とした場合、－１８００×Ｒ－１３００≦Ａ≦－６００×Ｒ－４０となるように、前記第１基板の接合面に無機膜を成膜する方法１３～１５のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法１７）
前記形成工程は、前記第１基板の接合面と反対側の面である接合逆面に凹部又は貫通孔を形成する工程を含み、
前記第１基板の接合面に形成される凹部又は貫通孔による開口面積と前記凹部又は貫通孔が形成された接合面の面積との比である開口率は、
前記接合逆面に形成される凹部又は貫通孔による開口面積と前記凹部又は貫通孔が形成された接合逆面の面積との比である開口率より、大きい方法１３～１６のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法１８）
前記成膜工程は、前記第２基板の接合面が前記第１基板の接合面に向かって凸形状となるように前記第２基板の接合面に無機膜を成膜する工程を含む方法１～１７のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法１９）
前記第１基板及び前記第２基板は、複数の素子が形成されるウエハ状の基板である方法１～１８のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法。
（方法２０）
液体を吐出する吐出口と前記吐出口に連通して前記液体を供給する第１流路が形成された第１基板と、前記第１流路と連結されて流路を構成する第２流路が形成された第２基板とが接合された液体吐出基板の製造方法であって、
前記第１基板と前記第２基板を方法１～１９のいずれか１項に記載の基板接合体の製造方法によって接合する工程を有する液体吐出基板の製造方法。
（構成２１）
素子の一部を形成する第１基板と、素子の他部を形成する第２基板と、が接着剤層を介
して接合された基板接合体であって、
前記第１基板の接合面と前記接着剤層との間に、内部に圧縮応力が生じている無機膜を有することを特徴とする基板接合体。
（構成２２）
前記無機膜は、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＴｉＯ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、及びＡｌ_２Ｏ_３のいずれかを含む構成２１に記載の基板接合体。
（構成２３）
前記無機膜は、前記第１基板の接合面の全面に設けられる構成２１又は２２に記載の基板接合体。
（構成２４）
前記無機膜は、前記第１基板の接合面の一部に設けられる構成２１又は２２に記載の基板接合体。
（構成２５）
前記接着剤層の厚さは１～５μｍである構成２１～２４のいずれか１項に記載の基板接合体。
（構成２６）
前記第１基板の接合面と反対側の面である接合逆面に無機膜を有し、
前記第１基板の接合面に設けられる無機膜に生じる応力と膜厚の積と、前記接合逆面に設けられる無機膜に生じる応力と膜厚の積と、の差が負の値である構成２１～２５のいずれか１項に記載の基板接合体。
（構成２７）
前記接合逆面に成膜される無機膜は、内部に引張応力が生じている無機膜である構成２６に記載の基板接合体。
（構成２８）
前記第１基板は、前記接合面に設けられた凹部又は貫通孔を有する構成２１～２７のいずれか１項に記載の基板接合体。
（構成２９）
前記凹部又は貫通孔の壁面に形成された無機膜を有する構成２８に記載の基板接合体。（構成３０）
前記凹部の深さは前記第１基板の厚さの１／６以上である構成２８又は２９に記載の基板接合体。
（構成３１）
前記第１基板の厚さをＴ、前記第１基板の接合面の無機膜に生じる応力をσ、前記第１基板の接合面の無機膜の厚さをｔ、前記第１流路により前記第１基板の接合面に形成される開口面積と前記接合面の面積との比である開口率をＲ、Ａ＝Ｔ^２／（σ×ｔ）とした場合、－１８００×Ｒ－１３００≦Ａ≦－６００×Ｒ－４０を満たす構成２８～３０のいずれか１項に記載の基板接合体。
（構成３２）
前記第１基板の接合面と反対側の面である接合逆面に設けられた凹部又は貫通孔を有し、
前記第１基板の接合面に形成される凹部又は貫通孔による開口面積と前記凹部又は貫通孔が形成された接合面の面積との比である開口率は、
前記接合逆面に形成される凹部又は貫通孔による開口面積と前記凹部又は貫通孔が形成された接合逆面の面積との比である開口率より、大きい構成２８～３１のいずれか１項に記載の基板接合体。
（構成３３）
前記第２基板の接合面と前記接着剤層との間に、内部に圧縮応力が生じている無機膜を有する構成２１～３２のいずれか１項に記載の基板接合体。
（構成３４）
前記第１基板及び前記第２基板は、複数の素子が形成されるウエハ状の基板である構成
２１～３３のいずれか１項に記載の基板接合体。
（構成３５）
構成２１～３４のいずれか１項に記載の基板接合体を有する液体吐出ヘッド用の液体吐出基板であって、
前記第１基板には、液体を吐出する吐出口と前記吐出口に連通して前記液体を供給する第１流路が形成され、
前記第２基板には、前記第１流路と連結されて流路を形成する第２流路が形成されていることを特徴とする液体吐出基板。

【符号の説明】

【0047】

１：第１基板、２：第２基板、３：接着剤、４：無機膜、５：無機膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】