特許 7559552 回路装置及び発振器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-24

(45)【発行日】2024-10-02

(54)【発明の名称】回路装置及び発振器

(51)【国際特許分類】

   H03B 5/32 20060101AFI20240925BHJP

【ＦＩ】

H03B5/32 J

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2020218552

(22)【出願日】2020-12-28

(65)【公開番号】P2022103739

(43)【公開日】2022-07-08

【審査請求日】2023-11-06

(73)【特許権者】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】山本 壮洋

【審査官】石田 昌敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２００３－３３８７１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０６７８３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０４６４６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１２６２８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－０９４６４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－０３５３０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１０７２９４５１３（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０３Ｂ ５／３０－ ５／４２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

振動子の一端に電気的に接続される第１ノードと、前記振動子の他端に電気的に接続される第２ノードとに電気的に接続され、前記振動子を発振させることで発振信号を生成する発振回路と、
前記第１ノードに接続され、前記第１ノードから前記発振信号が入力され、前記発振信号を波形整形したクロック信号を出力する波形整形回路と、
調整データに基づき可変に調整したバイアス電圧を前記第１ノードに供給することにより、前記クロック信号のデューティー比を調整するデューティー調整回路と、を含み、
前記発振回路は、
一端が前記第１ノードに接続され、容量値が固定である固定容量キャパシターと、
一端が前記固定容量キャパシターの他端に接続され、容量値が可変である可変容量素子と、を含み、
前記可変容量素子の一端及び他端の一方に温度補償電圧が入力され、
前記デューティー調整回路は、前記可変容量素子の一端及び他端の他方に基準電圧を供給することを特徴とする回路装置。

【請求項2】

請求項１に記載の回路装置において、
前記デューティー調整回路は、
電源ノードとグランドノードの間に直列接続された複数の抵抗を有し、前記複数の抵抗により分圧された複数の分圧電圧を出力する分圧回路と、
前記複数の分圧電圧のいずれかである第１分圧電圧を前記バイアス電圧として選択し、前記複数の分圧電圧のいずれかである第２分圧電圧を前記基準電圧として選択する選択回路と、を含み、
前記温度補償電圧をＶＣＭＰとし、前記基準電圧をＶＲＥＦとしたときに、前記複数の分圧電圧は、ＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが０Ｖよりも大きくなる電圧、及び、ＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが０Ｖ以下になる電圧を含むことを特徴とする回路装置。

【請求項3】

請求項１又は２に記載の回路装置において、
前記調整データを記憶する不揮発性メモリーを含み、
前記デューティー調整回路は、
前記不揮発性メモリーに記憶された前記調整データにより設定される電圧の前記バイアス電圧を生成することを特徴とする回路装置。

【請求項4】

請求項１乃至３のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記発振回路の電源電圧は、前記波形整形回路の電源電圧以上の電圧であることを特徴とする回路装置。

【請求項5】

請求項２に記載の回路装置において、
前記デューティー調整回路は、
ＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが０Ｖよりも大きくなる前記基準電圧を供給することを特徴とする回路装置。

【請求項6】

請求項２に記載の回路装置において、
前記デューティー調整回路は、
ＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが０Ｖ以下になる前記基準電圧を供給することを特徴とする回路装置。

【請求項7】

請求項１乃至６のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記クロック信号をバッファリングして出力クロック信号を外部に出力する出力バッファー回路を含むことを特徴とする回路装置。

【請求項8】

請求項１乃至７のいずれか一項に記載の回路装置と、
前記振動子と、
を含むことを特徴とする発振器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路装置及び発振器等に関する。

【背景技術】

【0002】

従来より、水晶振動子等の振動子を発振させる発振回路を有する回路装置が知られている。このような回路装置では、発振信号に基づき生成されるクロック信号のデューティー比の高精度化が望まれる。例えば特許文献１では、電源電圧の２分の１程度のバイアス電圧を出力するバイアス回路が、出力回路の入力端子に設けられており、これにより振幅の高電圧側又は低電圧側での波形の歪みを高いマージンで低減し、出力波形のデューティー比を５０％に調整し易くすることが可能な発振回路を実現している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００８－３５３０２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１の発振回路では、出力回路に入力される信号の波形自体に非線形の歪みが生じる場合などにおいて、クロック信号のデューティー比を高精度に調整することができなかった。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様は、振動子の一端に電気的に接続される第１ノードと、前記振動子の他端に電気的に接続される第２ノードとに電気的に接続され、前記振動子を発振させることで発振信号を生成する発振回路と、前記第１ノードに接続され、前記第１ノードから前記発振信号が入力され、前記発振信号を波形整形したクロック信号を出力する波形整形回路と、調整データに基づき可変に調整したバイアス電圧を前記第１ノードに供給することにより、前記クロック信号のデューティー比を調整するデューティー調整回路と、を含む回路装置に関係する。

【0006】

また本開示の他の態様は、上記に記載の回路装置と、前記振動子と、を含む発振器に関係する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本実施形態の回路装置の構成例。

【図2】本実施形態の回路装置の詳細な構成例。

【図3】本実施形態の回路装置の更に詳細な構成例。

【図4】調整データの調整値とデューティー比の関係を示すグラフ。

【図5】クロック信号のデューティー比のプロセス変動を示すグラフ。

【図6】デューティー調整回路のデューティー調整を行った場合のデューティー比のプロセス変動を示すグラフ。

【図7】本実施形態の第１比較例の回路装置の構成例。

【図8】本実施形態の第２比較例の回路装置の構成例。

【図9】本実施形態の回路装置の変形例。

【図10】本実施形態の回路装置の変形例。

【図11】本実施形態の回路装置の変形例。

【図12】デューティー調整回路の構成例。

【図13】発振器の構造例。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本実施形態について説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲の記載内容を不当に限定するものではない。また本実施形態で説明される構成の全てが必須構成要件であるとは限らない。

【0009】

１．回路装置
図１に本実施形態の回路装置２０の構成例を示す。本実施形態の回路装置２０は、発振回路３０と波形整形回路４０とデューティー調整回路５０を含む。また後述の図１３で説明するように本実施形態の発振器４は、振動子１０と回路装置２０を含む。振動子１０は回路装置２０に電気的に接続されている。例えば振動子１０及び回路装置２０を収納するパッケージの内部配線、ボンディグワイヤー又は金属バンプ等を用いて、振動子１０と回路装置２０は電気的に接続されている。

【0010】

振動子１０は、電気的な信号により機械的な振動を発生する素子である。振動子１０は、例えば水晶振動片などの振動片により実現できる。例えば振動子１０は、カット角がＡＴカットやＳＣカットなどの厚みすべり振動する水晶振動片、音叉型水晶振動片、或いは双音叉型水晶振動片などにより実現できる。例えば振動子１０は、恒温槽を備えない温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）に内蔵されている振動子であってもよいし、恒温槽を備える恒温槽型水晶発振器（ＯＣＸＯ）に内蔵されている振動子であってもよい。或いは振動子１０は、ＳＰＸＯ（Simple Packaged Crystal Oscillator）の発振器に内蔵される振動子であってもよい。なお本実施形態の振動子１０は、例えば厚みすべり振動型、音叉型、又は双音叉型以外の振動片や、水晶以外の材料で形成された圧電振動片などの種々の振動片によっても実現できる。例えば振動子１０として、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子や、シリコン基板を用いて形成されたシリコン製振動子としてのＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）振動子等を採用してもよい。

【0011】

回路装置２０は、ＩＣ（Integrated Circuit）と呼ばれる集積回路装置である。例えば回路装置２０は、半導体プロセスにより製造されるＩＣであり、半導体基板上に回路素子が形成された半導体チップである。

【0012】

発振回路３０は振動子１０を発振させる回路である。例えば発振回路３０は、振動子１０の一端に電気的に接続される第１ノードＮ１と、振動子１０の他端に電気的に接続される第２ノードＮ２とに電気的に接続され、振動子１０を発振させることで発振信号ＸＩ、ＸＯを生成する。具体的には、発振回路３０は、振動子１０の一端に電気的に接続される端子ＴＸＩと、振動子１０の他端に電気的に接続される端子ＴＸＯに電気的に接続され、振動子１０を発振させることで発振信号ＸＩ、ＸＯを生成する。端子ＴＸＩは第１端子であり、端子ＴＸＯは第２端子である。端子ＴＸＩ、ＴＸＯはＩＣである回路装置２０の例えばパッドである。発振回路３０は、例えば、端子ＴＸＩと端子ＴＸＯとの間に設けられた発振用の駆動回路と、キャパシターや抵抗などの受動素子により実現できる。駆動回路は、例えばＣＭＯＳのインバーター回路やバイポーラートランジスターにより実現できる。駆動回路は、発振回路３０のコア回路であり、駆動回路が、振動子１０を電圧駆動又は電流駆動することで、振動子１０を発振させる。発振回路３０としては、例えばインバーター型、ピアース型、コルピッツ型、又はハートレー型などの種々のタイプの発振回路を用いることができる。また発振回路３０には、可変容量回路が設けられ、この可変容量回路の容量の調整により、発振周波数を調整できるようになっている。可変容量回路は、例えばバラクターなどの可変容量素子により実現できる。或いは可変容量回路を、容量値がバイナリーに重み付けされたキャパシターアレイと、キャパシターアレイに接続されるスイッチアレイとにより実現することも可能である。可変容量回路は、例えば端子ＴＸＩが接続される第１信号線に電気的に接続される。発振回路３０は、端子ＴＸＩが接続される第１信号線に電気的に接続される第１可変容量回路と、端子ＴＸＯが接続される第２信号線に電気的に接続される第２可変容量回路を有していてもよい。なお本実施形態における接続は電気的な接続である。電気的な接続は、電気信号が伝達可能に接続されていることであり、電気信号による情報の伝達が可能となる接続である。電気的な接続は受動素子等を介した接続であってもよい。

【0013】

波形整形回路４０は、発振信号ＸＩの波形整形を行う回路であり、発振信号ＸＩが入力されて、クロック信号ＣＫを出力するバッファー回路である。例えば波形整形回路４０は、第１ノードＮ１に接続され、第１ノードＮ１から発振信号ＸＩが入力され、発振信号ＸＩを波形整形したクロック信号ＣＫを出力する。例えば波形整形回路４０は、正弦波の発振信号ＸＩを波形整形して、矩形波のクロック信号ＣＫを出力する。波形整形回路４０は、例えば複数のインバーター回路などにより構成できる。

【0014】

デューティー調整回路５０はクロック信号ＣＫのデューティー比を調整する回路である。デューティー調整回路５０は、バイアス電圧ＶＢＳを調整するバイアス電圧調整回路と言うこともできる。例えばデューティー調整回路５０は、調整データＡＤＪに基づき可変に調整したバイアス電圧ＶＢＳを第１ノードＮ１に供給することにより、クロック信号ＣＫのデューティー比を調整する。クロック信号ＣＫのデューティー比が調整されることで、後述の図２の回路装置２０の出力クロック信号ＣＫＱのデューティー比も調整されることになる。デューティー比はデューティーサイクルとも呼ばれる。なお本実施形態ではデューティー比を単にデューティーと記載する場合もある。デューティー調整回路５０は、例えば調整データＡＤＪが第１調整値である場合には、第１調整値に対応する第１電圧値のバイアス電圧ＶＢＳを生成し、調整データＡＤＪが第２調整値である場合には、第２調整値に対応する第２電圧値のバイアス電圧ＶＢＳを生成する。即ちデューティー調整回路５０は、調整データＡＤＪにより電圧値が可変に設定されるバイアス電圧ＶＢＳを、第１ノードＮ１に供給する。

【0015】

デューティー調整回路５０が、発振信号ＸＩの出力ノードである第１ノードＮ１にバイアス電圧ＶＢＳを供給することで、発振信号ＸＩは、バイアス電圧ＶＢＳを中心に変化する交流信号になる。例えば発振信号ＸＩは、不図示のキャパシターによりＤＣカットされた交流信号となっており、デューティー調整回路５０からのバイアス電圧ＶＢＳにより、この交流信号の中心電圧が設定される。そして、このようにバイアス電圧ＶＢＳが設定された発振信号ＸＩが、波形整形回路４０に入力されて、波形整形されることで、矩形波のクロック信号ＣＫが生成される。

【0016】

この場合に調整データＡＤＪは、クロック信号ＣＫのデューティー比が例えば５０％になるような調整値に設定されている。なおクロック信号ＣＫのデューティー比は出力クロック信号ＣＫＱのデューティー比でもある。例えば半導体の製造プロセスの変動がティピカルである場合には、バイアス電圧ＶＢＳが、波形整形回路４０の電源電圧の１／２程度の電圧に設定されるような調整値に調整データＡＤＪが設定される。また波形整形回路４０が有するインバーター回路を構成するＰ型トランジスターやＮ型トランジスターのプロセス変動がＦａｓｔやＳｌｏｗであっても、クロック信号ＣＫのデューティー比が５０％になるように、調整データＡＤＪの調整値が設定される。こうすることで、プロセス変動があった場合にも、デューティー比が５０％になるように調整されたクロック信号ＣＫを生成できるようになる。

【0017】

図２に本実施形態の回路装置２０の詳細な構成例を示す。図２に示すように回路装置２０は、図１の構成に加えて、処理回路６０、不揮発性メモリー６２、出力バッファー回路７０、電源回路９０、温度補償回路９２、温度センサー回路９４を含むことができる。

【0018】

処理回路６０は、種々の制御処理を行う制御回路であり、例えばロジック回路により実現される。例えば処理回路６０は、回路装置２０の全体の制御を行ったり、回路装置２０の動作シーケンスの制御を行う。また処理回路６０は、発振回路３０、出力バッファー回路７０、温度補償回路９２等の回路装置２０の各回路ブロックの制御を行う。また処理回路６０は、不揮発性メモリー６２の読み出し制御や書き込み制御を行う。処理回路６０は、例えばゲートアレイ等の自動配置配線によるＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）の回路により実現できる。

【0019】

不揮発性メモリー６２は、回路装置２０で用いられる各種の情報を記憶する。不揮発性メモリー６２は、例えばＦＡＭＯＳ（Floating gate Avalanche injection MOS）メモリー又はＭＯＮＯＳ（Metal-Oxide- Nitride-Oxide-Silicon）メモリー等のＥＥＰＲＯＭにより実現できるが、これに限らず、ＯＴＰ（One Time Programmable）メモリー又はヒューズ型ＲＯＭ等であってもよい。

【0020】

不揮発性メモリー６２は、図１の調整データＡＤＪを記憶する。そして不揮発性メモリー６２から処理回路６０を介して読み出された調整データＡＤＪが、デューティー調整回路５０に入力され、デューティー調整回路５０は、調整データＡＤＪに応じて可変に設定されるバイアス電圧ＶＢＳを生成して第１ノードＮ１に供給する。このように本実施形態の回路装置２０は、調整データＡＤＪを記憶する不揮発性メモリー６２を含み、デューティー調整回路５０は、不揮発性メモリー６２に記憶された調整データＡＤＪにより設定される電圧のバイアス電圧ＶＢＳを生成する。なお不揮発性メモリー６２は、後述するように温度補償用の情報についても記憶する。

【0021】

出力バッファー回路７０は、波形整形回路４０からのクロック信号ＣＫをバッファリングして出力クロック信号ＣＫＱとして出力する。即ち出力バッファー回路７０は、発振信号ＸＩに基づく出力クロック信号ＣＫＱをクロック端子ＴＣＫに出力する。そして、この出力クロック信号ＣＫＱがクロック端子ＴＣＫから発振器４の外部端子を介して外部に出力される。例えば出力バッファー回路７０は、シングルエンドのＣＭＯＳの信号形式で出力クロック信号ＣＫＱを出力する。例えば不図示の出力イネーブル端子を介して入力される出力イネーブル信号がアクティブである場合に、出力バッファー回路７０は出力クロック信号ＣＫＱを出力する。一方、出力バッファー回路７０は、出力イネーブル信号が非アクティブである場合には、出力クロック信号ＣＫＱを例えばローレベルなどの固定電圧レベルに設定する。これによりクロック端子ＴＣＫの電圧レベルが固定電圧レベルに設定される。なお信号がアクティブとは、例えば正論理の場合にはハイレベルであり、負論理の場合にはローレベルである。また信号が非アクティブとは、例えば正論理の場合にはローレベルであり、負論理の場合にはハイレベルである。また図２では出力バッファー回路７０は、１つの出力クロック信号ＣＫＱを出力しているが、クロック信号ＣＫをバッファリングすることで複数の出力クロック信号を出力するようにしてもよい。この場合に、複数の出力クロック信号の中には、例えば位相が異なるクロック信号、具体的には位相が１８０度異なるクロック信号が含まれていてもよい。また出力バッファー回路７０が、ＣＭＯＳ以外の信号形式で出力クロック信号ＣＫＱを出力するようにしてもよい。

【0022】

電源回路９０は、電源端子ＴＶＤＤからの電源電圧ＶＤＤが供給され、グランド端子ＴＧＮＤからグランド電圧であるＧＮＤが供給されて、回路装置２０の各回路ブロックに対して各回路ブロック用の電源電圧を供給する。例えば電源回路９０は、レギュレーターを有しており、レギュレーターは、電源電圧ＶＤＤに基づき生成したレギュレート電源電圧を回路装置２０の各回路ブロックに供給する。例えば電源回路９０は、発振回路３０に対して第１レギュレート電源電圧を供給し、波形整形回路４０や出力バッファー回路７０に第１レギュレート電源電圧とは異なる第２レギュレート電源電圧を供給する。また電源回路９０は、デューティー調整回路５０、処理回路６０、不揮発性メモリー６２、温度補償回路９２、温度センサー回路９４に対しても各種のレギュレート電源電圧を供給する。また電源回路９０は基準電圧生成回路や基準電流生成回路も有している。

【0023】

温度補償回路９２は、発振回路３０の発振周波数の温度補償を行う。発振周波数の温度補償は発振回路３０の発振信号ＸＩ、ＸＯの温度補償である。具体的には温度補償回路９２は、温度センサー回路９４からの温度検出情報に基づいて温度補償を行う。例えば温度補償回路９２は、温度センサー回路９４からの温度検出電圧に基づいて温度補償電圧を生成し、生成された温度補償電圧を発振回路３０に出力することで、発振回路３０の発振周波数の温度補償を行う。例えば温度補償回路９２は、発振回路３０が有する可変容量回路３２に対して、可変容量回路３２の容量制御電圧となる温度補償電圧を出力し、可変容量回路３２の容量を調整することで、温度補償を行う。この場合には発振回路３０の可変容量回路３２は、バラクター等の可変容量素子により実現される。温度補償は、温度変動による発振周波数の変動を抑制して補償する処理である。例えば温度補償回路９２は、多項式近似によるアナログ方式の温度補償を行う。例えば振動子１０の周波数温度特性を補償する温度補償電圧が多項式により近似される場合に、温度補償回路９２は、当該多項式の係数情報に基づいてアナログ方式の温度補償を行う。アナログ方式の温度補償は、例えばアナログ信号である電流信号や電圧信号の加算処理等により実現される温度補償である。具体的には不揮発性メモリー６２には、温度補償用の多項式の係数情報が記憶されており、処理回路６０が、この係数情報を不揮発性メモリー６２から読み出して、例えば温度補償回路９２のレジスターに設定する。そして温度補償回路９２は、レジスターに設定された係数情報に基づいてアナログ方式の温度補償を行う。なお温度補償回路９２がデジタル方式の温度補償を行うようにしてもよい。この場合には温度補償回路９２は、温度センサー回路９４の温度検出情報である温度検出データに基づいてデジタルの温度補償処理を行う。例えば温度補償回路９２は、温度検出データに基づいて周波数調整データを求める。そして、求められた周波数調整データに基づいて、発振回路３０の可変容量回路３２の容量値が調整されることで、発振回路３０の発振周波数の温度補償処理が実現される。この場合には発振回路３０の可変容量回路は、バイナリーに重み付けされた複数のキャパシターを有するキャパシターアレイと、スイッチアレイとにより実現される。また不揮発性メモリー６２は、温度検出データと周波数調整データの対応を表すルックアップテーブルを記憶しており、温度補償回路９２は、処理回路６０により不揮発性メモリー６２から読み出されたルックアップテーブルを用いて、温度データから周波数調整データを求める温度補償処理を行う。

【0024】

温度センサー回路９４は、温度を検出するセンサー回路である。具体的には温度センサー回路９４は、環境の温度に応じて変化する温度依存電圧を、温度検出電圧として出力する。例えば温度センサー回路９４は、温度依存性を有する回路素子を利用して温度検出電圧を生成する。具体的には温度センサー回路９４は、ＰＮ接合の順方向電圧が有する温度依存性を用いることで、温度に依存して電圧値が変化する温度検出電圧を出力する。ＰＮ接合の順方向電圧としては、例えばバイポーラートランジスターのベース・エミッター間電圧などを用いることができる。なおデジタル方式の温度補償処理を行う場合には、温度センサー回路９４は、環境温度などの温度を測定し、その結果を温度検出データとして出力する。温度検出データは、温度に対して例えば単調増加又は単調減少するデータである。

【0025】

またデューティー調整回路５０は分圧回路５２と選択回路５４を含む。分圧回路５２は、電源電圧とグランド電圧の電圧分圧を行うことで、複数の分圧電圧を出力する。例えば分圧回路５２は、電源ノードとグランドノードの間に直列接続された複数の抵抗を有し、複数の抵抗により分圧された複数の分圧電圧を出力する。即ち分圧回路５２は抵抗ラダー回路等により実現される。電源ノードは電源電圧が供給されるノードであり、グランドノードはグランドが供給されるノードである。そして選択回路５４は、複数の分圧電圧のいずれかである第１分圧電圧をバイアス電圧ＶＢＳとして選択する。即ち選択回路５４は、調整データＡＤＪに基づいて、複数の分圧電圧の第１分圧電圧をバイアス電圧ＶＢＳとして選択する。また選択回路５４は、複数の分圧電圧のいずれかである第２分圧電圧を後述する基準電圧ＶＲＥＦとして選択する。

【0026】

図３に回路装置２０の更に詳細な構成例を示す。図３では発振回路３０は、電流源ＩＳ、バイポーラートランジスターＴＲ、抵抗ＲＸ、キャパシターＣＸを含む。電流源ＩＳとバイポーラートランジスターＴＲはＶＲＥＧ１の電源ノードとグランドノードとの間に直列に設けられる。これらの電流源ＩＳ、バイポーラートランジスターＴＲにより発振回路３０の駆動回路が構成される。電流源ＩＳは例えばバイアス電圧がゲートに入力されるＣＭＯＳのトランジスターなどにより実現できる。抵抗ＲＸは、バイポーラートランジスターＴＲのコレクターノードとベースノードとの間に設けられる。キャパシターＣＸは、バイポーラートランジスターＴＲのベースノードと第１ノードＮ１との間に設けられる。

【0027】

また図３では、発振回路３０は、図２の可変容量回路３２として、バラクター等により実現される可変容量素子ＣＶ１、ＣＶ２と、容量値が固定である固定容量のキャパシターＣＦ１、ＣＦ２を含む。具体的には発振回路３０は、一端が第１ノードＮ１に接続される固定容量のキャパシターＣＦ１と、一端が固定容量のキャパシターＣＦ１の他端に接続され、容量値が可変である可変容量素子ＣＶ１を含む。また発振回路３０は、一端が第２ノードＮ２に接続される固定容量のキャパシターＣＦ２と、一端が固定容量のキャパシターＣＦ２の他端に接続され、容量値が可変である可変容量素子ＣＶ２を含む。可変容量素子ＣＶ１、ＣＶ２の他端とグランドノードとの間には、キャパシターＣＧが設けられる。そして図２の温度補償回路９２からの温度補償電圧ＶＣＭＰが抵抗ＲＣＰを介して、可変容量素子ＣＶ１、ＣＶ２の一端に供給される。また基準電圧ＶＲＥＦが抵抗ＲＲＦを介して、可変容量素子ＣＶ１、ＣＶ２の他端に供給される。このようにすることで、可変容量素子ＣＶ１、ＣＶ２に対して、温度補償電圧ＶＣＭＰと基準電圧ＶＲＥＦの電圧差に対応する電圧が印加される。これにより可変容量素子ＣＶ１、ＣＶ２が温度補償電圧ＶＣＭＰに応じた容量に設定されて、発振回路３０の発振周波数の温度補償が実現される。なお図３では、バイアス電圧ＶＢＳを供給するデューティー調整回路５０が、この基準電圧ＶＲＥＦも供給している。

【0028】

デューティー調整回路５０は、ＶＲＥＧ１の電源ノードとグランドノードとの間に設けられるラダー抵抗回路により実現され、ラダー抵抗回路による分圧電圧であるバイアス電圧ＶＢＳを出力する。またデューティー調整回路５０は、上述のように温度補償用の基準電圧ＶＲＥＦを出力する。そしてバイアス電圧ＶＢＳは、抵抗ＲＢＳを介して第１ノードＮ１に供給される。このバイアス電圧ＶＢＳにより、交流信号である発振信号ＸＩの中心電圧が設定され、バイアス電圧ＶＢＳを中心に変化する例えば正弦波の発振信号ＸＩが波形整形回路４０に入力されるようになる。

【0029】

波形整形回路４０は、バッファー回路となる複数のインバーター回路ＩＶＡ１、ＩＶＡ２を含む。インバーター回路ＩＶＡ１、ＩＶＡ２の各々は、ＶＲＥＧ２の電源ノードとグランドノードとの間に直列に設けられたＰ型トランジスター及びＮ型トランジスターにより構成される。そしてバイアス電圧ＶＢＳによりバイアス点が設定された発振信号ＸＩが、波形整形回路４０の初段のインバーター回路ＩＶＡ１に対して入力信号として入力される。即ち発振信号ＸＩが、インバーター回路ＩＶＡ１を構成するＰ型トランジスターのゲートとＮ型トランジスターのゲートに入力される。そしてインバーター回路ＩＶＡ１の出力信号が、次段のインバーター回路ＩＶＡ２に入力され、インバーター回路ＩＶＡ２がクロック信号ＣＫを出力する。これにより発振信号ＸＩを波形整形した矩形波のクロック信号ＣＫが波形整形回路４０から出力されるようになる。なお、一例としては、温度補償電圧ＶＣＭＰは例えば０．９Ｖの電圧を中心として、温度検出結果に応じて変化する電圧である。基準電圧ＶＲＥＦは例えば０．３Ｖ～０．４Ｖ程度の電圧である。ＶＲＥＧ１の電源電圧は例えば１．２Ｖであり、ＶＲＥＧ２の電源電圧は例えば１．０Ｖである。バイアス電圧ＶＢＳは、例えば波形整形回路４０のＶＲＥＧ２の電源電圧の１／２程度の電圧である０．５Ｖを中心に例えば±０．１Ｖの範囲で調整される電圧である。

【0030】

以上のように本実施形態の回路装置２０は、振動子１０に接続される第１ノードＮ１及び第２ノードＮ２に接続され、発振信号ＸＩ、ＸＯを生成する発振回路３０と、第１ノードＮ１から発振信号ＸＩが入力され、クロック信号ＣＫを出力する波形整形回路４０と、調整データＡＤＪに基づき可変に調整したバイアス電圧ＶＢＳを第１ノードＮ１に供給するデューティー調整回路５０を含む。そして、調整データＡＤＪにより可変に調整されるバイアス電圧ＶＢＳを中心に変化する発振信号ＸＩが、波形整形回路４０に入力されて波形整形されることで、クロック信号ＣＫのデューティー比が調整されるようになる。このようにすれば、波形整形回路４０を構成するＰ型トランジスターやＮ型トランジスターのしきい値電圧等のプロセス変動や、発振波形の歪み具合や、或いは後段の回路でデューティー比のズレを加味して、クロック信号ＣＫのデューティー比を調整できるようになり、回路装置２０からの出力クロック信号ＣＫＱのデューティー比も調整できるようになる。これによりデューティー比を例えば５０％に近づけることが可能になり、高精度なデューティー調整を実現できるようになる。

【0031】

例えば図４は調整データＡＤＪの調整値とデューティー比の関係を示すグラフである。図４では例えば５ビットの調整データＡＤＪにより５０％±８％を例えば３２段階で刻むようなデューティー調整が行われ、分解能が０．４％のデューティー調整が行われる。

【0032】

図５はデューティー調整回路５０によるデューティー調整を行わなかった場合のデューティー比のプロセス変動のコーナーシミュレーション結果を示すグラフである。ここでＴＹＰはティピカルケースである。ＳＦは、Ｎ型トランジスターがＳｌｏｗであり、Ｐ型トランジスターがＦａｓｔであるケースであり、ＦＳは、Ｎ型トランジスターがＦａｓｔであり、Ｐ型トランジスターがＳｌｏｗであるケースである。ＳＳは、Ｎ型トランジスター及びＰ型トランジスターが共にＳｌｏｗであるケースであり、ＦＦは、Ｎ型トランジスター及びＰ型トランジスターが共にＦａｓｔであるケースである。図５に示すように、半導体の製造プロセスの変動により、デューティー比は５０％±５％程度の範囲で変動する。

【0033】

一方、図６はデューティー調整回路５０によるデューティー調整を行った場合のデューティー比のプロセス変動のコーナーシミュレーション結果を示すグラフである。図６に示すように、デューティー調整回路５０が調整データＡＤＪに基づき可変に設定されるバイアス電圧ＶＢＳを供給することで、例えばデューティー比の変動が５０％±１％以内の範囲になるというような高精度なデューティー調整を実現できるようになる。

【0034】

図７に本実施形態の第１比較例の回路装置１２０を示す。第１比較例の回路装置１２０の発振回路１３０では、第１ノードＮ１とバイポーラートランジスターＴＲのベースノードとの間のキャパシターＣＸ１に加えて、第２ノードＮ２とバイポーラートランジスターＴＲのコレクターノードとの間にキャパシターＣＸ２が設けられている。また可変容量素子ＣＶ１は、一端が第１ノードＮ１に接続され、他端が温度補償電圧ＶＣＭＰの供給ノードに接続され、可変容量素子ＣＶ２は、一端が第２ノードＮ２に接続され、他端が温度補償電圧ＶＣＭＰの供給ノードに接続される。また発振信号ＸＩのノードである第１ノードＮ１に対して基準電圧ＶＲＥＦＢが供給され、発振信号ＸＯのノードである第２ノードＮ２に対して基準電圧ＶＲＥＦＣが供給される。これにより発振信号ＸＩは、基準電圧ＶＲＥＦＢを中心に変化する発振信号になり、発振信号ＸＯは、基準電圧ＶＲＥＦＣを中心に変化する発振信号になる。基準電圧ＶＲＥＦＢは例えば０．４Ｖであり、基準電圧ＶＲＥＦＣは例えば１．２Ｖである。

【0035】

そして図７の第１比較例では、第１ノードＮ１と波形整形回路１４０の入力ノードとの間にＤＣカット用のキャパシターＣＢが設けられている。これにより、発振信号ＸＩのＤＣ成分がカットされ、ＡＣ成分が波形整形回路１４０に入力されるようになる。そして波形整形回路１４０はインバーター回路ＩＶＢ１、ＩＶＢ２を含み、初段のインバーター回路ＩＶＢ１は、その出力ノードと入力ノードとの間に帰還抵抗ＲＢが設けられている。このような帰還抵抗ＲＢを設けることで、初段のインバーター回路ＩＶＢ１は、自己バイアスによりバイアス点が設定されるようになる。

【0036】

このように図７の第１比較例では、発振信号ＸＩのノードである第１ノードＮ１に対して、温度補償用の基準電圧ＶＲＥＦＢが印加されており、発振信号ＸＩは基準電圧ＶＲＥＦＢを中心として変化する発振信号になる。ここで、基準電圧ＶＲＥＦＢは例えば可変容量素子ＣＶ１の感度を最適にする電圧に調整されており、波形整形回路１４０の初段のインバーター回路ＩＶＢ１のしきい値電圧とは一致しない。一例としては第１比較例ではインバーター回路ＩＶＢ１に対してＶＲＥＧ＝１．５Ｖとなる電源電圧が供給されているため、インバーター回路ＩＶＢ１のしきい値電圧はＶＲＥＧ／２＝０．７５Ｖ程度になる。一方、基準電圧ＶＲＥＦＢは可変容量素子ＣＶ１の感度が最適になるように、例えばＶＲＥＦＢ＝０．４Ｖに調整されているため、インバーター回路ＩＶＢ１のしきい値電圧と、発振信号ＸＩの中心電圧となる基準電圧ＶＲＥＦＢが一致しない。また基準電圧ＶＲＥＦＢは、可変容量素子であるバラクターの製造バラツキ等に応じて調整されるものであり、インバーター回路ＩＶＢ１等を構成するＰ型トランジスター、Ｎ型トランジスターの製造バラツキに応じて調整されるものではない。

【0037】

このため図７の第１比較例では、インバーター回路ＩＶＢ１の入力ノードにＤＣカットの用のキャパシターＣＢを設けて、発振信号ＸＩのＤＣ成分をカットして、発振信号ＸＩのＡＣ成分のみをインバーター回路ＩＶＢ１に入力する必要があった。そして初段のインバーター回路ＩＶＢ１では、その出力ノードと入力ノードを帰還抵抗ＲＢを介して接続することで、自己バイアスによりバイアス点が調節される。しかしながら、このような自己バイアスによるバイアス点の調節では、発振信号ＸＩの波形に非線形の歪みが生じると、クロック信号ＣＫのデューティー比が変動してしまい、デューティー比の高精度化を実現できないという問題がある。例えば図７の第１比較例では、デューティー比のバラツキの実力値は５０％±４％程度であり、例えば５０％±１％以内というような高精度なデューティー比を実現することができない。例えばクロック信号ＣＫをバッファリングした出力クロック信号ＣＫＱに基づいて、外部の処理装置が処理を行う場合に、当該処理装置が、出力クロック信号ＣＫＱの立ち上がりエッジだけではなく、立ち下がりエッジも用いて処理を行うような用途がある。このような用途では、５０％±４％程度のデューティー比では適正な処理を実行できないため、５０％±１％以内というような高精度なデューティー比を要求される場合があるが、図７の第１比較例ではこのような要求に応えることができない。

【0038】

この点、図３の本実施形態の回路装置２０では、発振信号ＸＩの第１ノードＮ１と可変容量素子ＣＶ１との間に、ＤＣカット用のキャパシターＣＦ１が設けられる。また発振信号ＸＯの第２ノードＮ２と可変容量素子ＣＶ２との間にも、ＤＣカット用のキャパシターＣＦ２が設けられる。このようにすることで、温度補償用の基準電圧ＶＲＥＦの設定に依存しないバイアス電圧ＶＢＳの設定が可能になり、発振信号ＸＩをバイアス電圧ＶＢＳを中心として変化する発振信号にすることが可能になる。

【0039】

例えば基準電圧ＶＲＥＦを調整することで、可変容量素子ＣＶ１、ＣＶ２が最適な感度になるように調整できる。この場合に、第１ノードＮ１の容量は、可変容量素子ＣＶ１とキャパシターＣＦ１の直列容量になり、第２ノードＮ２の容量は、可変容量素子ＣＶ２とキャパシターＣＦ２の直列容量になる。しかしながら、キャパシターＣＦ１、ＣＦ２の容量を十分に大きくすることで、可変容量素子ＣＶ１、ＣＶ２を用いて第１ノードＮ１、第２ノードＮ２の容量を、環境温度に応じた適切な容量に調整することが可能になる。

【0040】

そして本実施形態では、バイアス電圧ＶＢＳについては、基準電圧ＶＲＥＦとは無関係に、調整データＡＤＪを用いてデューティー調整回路５０により、クロック信号ＣＫのデューティー比が５０％に近づくような適切な電圧に調整できる。

【0041】

例えばＰ型トランジスターやＮ型トランジスターのしきい値電圧等のプロセス変動により、図３の波形整形回路４０の初段のインバーター回路ＩＶＡ１のしきい値電圧が、電源電圧であるＶＲＥＧ２の２分の１の電圧よりも低い電圧になったとする。例えばＮ型トランジスターがＦａｓｔであり、Ｐ型トランジスターがＳｌｏｗになるようなプロセス変動があると、インバーター回路ＩＶＡ１のしきい値電圧が、ＶＲＥＧ２の２分の１の電圧よりも低い電圧になる。このときに、バイアス電圧ＶＢＳがＶＲＥＧ２の２分の１の電圧のままであると、クロック信号ＣＫのデューティー比が５０％よりも大きくなってしまう事態が発生する。この場合にも本実施形態では、デューティー調整回路５０が、調整データＡＤＪに基づいて、バイアス電圧ＶＢＳを、ＶＲＥＧ２の２分の１の電圧よりも低い電圧に設定する。このようにすれば、インバーター回路ＩＶＡ１のしきい値電圧がプロセス変動により低い電圧になった場合にも、それに応じて、発振信号ＸＩの中心電圧となるバイアス電圧ＶＢＳが低くなるため、クロック信号ＣＫのデューティー比を５０％に近づけることが可能になる。従って、デューティー比の変動が５０％±１％以内となるような高精度なデューティー調整を実現できる。

【0042】

一方、Ｐ型トランジスターやＮ型トランジスターのしきい値電圧等のプロセス変動により、波形整形回路４０の初段のインバーター回路ＩＶＡ１のしきい値電圧が、ＶＲＥＧ２の２分の１の電圧よりも高い電圧になったとする。例えばＰ型トランジスターがＦａｓｔであり、Ｎ型トランジスターがＳｌｏｗになるようなプロセス変動があると、インバーター回路ＩＶＡ１のしきい値電圧が、ＶＲＥＧ２の２分の１の電圧よりも高い電圧になる。このときに、バイアス電圧ＶＢＳがＶＲＥＧ２の２分の１の電圧のままであると、クロック信号ＣＫのデューティー比が５０％よりも小さくなってしまう事態が発生する。この場合にも本実施形態では、デューティー調整回路５０が、調整データＡＤＪに基づいてバイアス電圧ＶＢＳを、ＶＲＥＧ２の２分の１の電圧よりも高い電圧に設定する。このようにすれば、インバーター回路ＩＶＡ１のしきい値電圧がプロセス変動により高い電圧になった場合にも、それに応じて、発振信号ＸＩの中心電圧となるバイアス電圧ＶＢＳが高くなるため、クロック信号ＣＫのデューティー比を５０％に近づけることが可能になる。従って、デューティー比の変動が５０％±１％以内となるような高精度なデューティー調整を実現できる。

【0043】

また図３では、図７の第１比較例で設けられているＤＣカット用のキャパシターＣＢを設ける必要がないため、ＤＣカット用のキャパシターＣＢと入力容量の分圧による発振振幅の減衰も抑えられるため、低ノイズフロア化を実現できるようになる。また図７に示すような帰還抵抗ＲＢが不要になるため、帰還抵抗ＲＢを原因とする異常発振も防止できるようになる。

【0044】

図８に本実施形態の第２比較例の回路装置２２０を示す。この第２比較例は前述の特許文献１の回路に対応するものであり、発振回路２３０と波形整形回路２４０とバイアス回路２５０と定電流回路２６０が設けられる。この第２比較例ではバイアス回路２５０は波形整形回路２４０のレプリカの回路であり、バイアス回路２５０が出力するバイアス電圧は、供給される電源電圧ＶＤＤに依存する。例えばバイアス回路２５０はＶＤＤの２分の１程度のバイアス電圧を出力する。しかしながら、クロック信号ＣＫのデューティー比は、初段のインバーター回路のＰ型トランジスターやＮ型トランジスターのしきい値電圧についての例えば±０．１Ｖ程度のバラツキによる変動だけではなく、後段の回路によってもデューティー比は変動し、発振波形の歪みによってもデューティー比が変動してしまう。従って、図８の第２比較例では、このような種々の変動要因を加味した高精度のデューティー調整を実現できないという問題がある。また図８の第２比較例は、バイアス回路２５０がＶＤＤの２分の１程度のバイアス電圧を出力するだけであり、調整データに基づいてバイアス電圧を調整するような調整回路が存在しない。

【0045】

この点、本実施形態の回路装置２０では、調整データＡＤＪに基づいてバイアス電圧ＶＢＳを可変に調整できる。即ち、調整データＡＤＪに基づいてバイアス電圧ＶＢＳを調整する回路であるデューティー調整回路５０が設けられる。従って、例えば図３の初段のインバーター回路ＩＶＡ１でのＰ型トランジスターやＮ型トランジスターのしきい値電圧等のバラツキに加えて、後段の回路でのデューティー比のズレや、発振波形の歪み具合等を加味して、バイアス電圧ＶＢＳを調整して、クロック信号ＣＫのデューティー比を調整できるため、図８の第２比較例等に比べて、高精度のデューティー調整が可能になる。

【0046】

例えば本実施形態の回路装置２０は、調整データＡＤＪを記憶する不揮発性メモリー６２を含み、デューティー調整回路５０は、不揮発性メモリー６２に記憶された調整データＡＤＪにより設定される電圧のバイアス電圧ＶＢＳを生成する。例えばデューティー調整回路５０は、不揮発性メモリー６２に記憶された調整データＡＤＪが第１調整値である場合には、第１調整値に対応する第１電圧値のバイアス電圧ＶＢＳを生成し、調整データＡＤＪが第２調整値である場合には、第２調整値に対応する第２電圧値のバイアス電圧ＶＢＳを生成する。このようにすれば、最適なデューティー比を設定できる調整データＡＤＪを不揮発性メモリー６２に記憶しておき、回路装置２０の実動作時に、不揮発性メモリー６２から読み出された調整データＡＤＪに応じたバイアス電圧ＶＢＳをデューティー調整回路５０が供給することで、例えば５０％±１％というような高精度のデューティー調整を実現できるようになる。具体的には、回路装置２０の製造時等における検査工程において、出力クロック信号ＣＫＱのデューティー比を測定し、測定結果に基づいて調整データＡＤＪを決定して、不揮発性メモリー６２に書き込む。例えば調整データＡＤＪは、プロセス変動によるトランジスターのしきい値電圧等のバラツキのみならず、発振波形の非線形歪み等も考慮して決定される。そして回路装置２０の実動作時には、測定結果に基づき決定された調整データＡＤＪが不揮発性メモリー６２から読み出されて、調整データＡＤＪに応じたバイアス電圧ＶＢＳを、デューティー調整回路５０が供給することで、例えば５０％±１％以内となるような高精度のデューティー調整を実現できるようになる。

【0047】

また本実施形態では、図３に示す発振回路３０の電源電圧であるＶＲＥＧ１は、波形整形回路４０の電源電圧であるＶＲＥＧ２以上の電圧となっている。即ちＶＲＥＧ１≧ＶＲＥＧ２の関係が成り立つ。一例としてはＶＲＥＧ１は１．２Ｖであり、ＶＲＥＧ２は１Ｖである。

【0048】

一方、図８の第２比較例では、発振回路２３０の電源電圧であるＶＲＥＧは１．２Ｖであり、波形整形回路２４０やバイアス回路２５０の電源電圧であるＶＤＤは１．８～５Ｖであり、ＶＲＥＧ＜ＶＤＤの関係が成り立っている。このため波形整形回路２４０に入力される発振信号ＸＩの振幅電圧が、波形整形回路２４０の電源電圧ＶＤＤよりも小さくなり、波形整形回路２４０の初段のインバーター回路の出力信号の立ち上がり波形や立ち下がり波形が急峻にならず、鈍った波形になってしまう。そして初段のインバーター回路の出力信号が鈍った波形になると、次段のインバーター回路のＰ型トランジスターやＮ型トランジスターのしきい値電圧等のバラツキが原因で、デューティー比が変動してしまう。

【0049】

これに対して本実施形態では、発振回路３０の電源電圧であるＶＲＥＧ１は、波形整形回路４０の電源電圧であるＶＲＥＧ２以上の電圧となっている。従って、波形整形回路４０に入力される発振信号ＸＩの振幅を、波形整形回路４０の駆動電圧範囲内で可能な限り大きくすることが可能になる。即ちＶＲＥＧ２で設定される波形整形回路４０の駆動電圧範囲内において、フルスイングの振幅の発振信号ＸＩを、波形整形回路４０の初段のインバーター回路ＩＶＡ１に入力できるようになる。従って、初段のインバーター回路ＩＶＡ１のＰ型トランジスター及びＮ型トランジスターの両方がオンになる期間が殆ど無くなることにより、インバーター回路ＩＶＡ１の出力信号の立ち上がり波形や立ち下がり波形が急峻になる。この結果、次段のインバーター回路ＩＶＡ２のＰ型トランジスターやＮ型トランジスターのしきい値電圧等のバラツキを原因とするデューティー比のバラツキを低減できるようになる。また発振信号ＸＩの振幅の揺らぎによるＡＭノイズは、波形整形回路４０の波形整形により、位相ノイズであるＰＭノイズに変換される。この点、本実施形態のようにＶＲＥＧ１≧ＶＲＥＧ２として、発振信号ＸＩの振幅を、波形整形回路４０の駆動電圧範囲内で可能な限り大きくすれば、ＡＭノイズからＰＭノイズへの変換度合いを低減でき、クロック信号ＣＫの信号品質を向上できる。また波形整形回路４０と後段の出力バッファー回路７０は、同じＶＲＥＧ２の電源電圧で動作するが、ＶＲＥＧ２の電源電圧を、発振回路３０の電源電圧であるＶＲＥＧ１よりも低くすることで、出力バッファー回路７０での電力消費を低減できる。例えば出力バッファー回路７０は、外部の大きな負荷を駆動するため、他の回路ブロックに比べて消費電力が大きいが、ＶＲＥＧ２をＶＲＥＧ１よりも低い電圧とすることで、その分だけ消費電力を低減することも可能になる。

【0050】

また図３に示すように本実施形態では、発振回路３０は、一端が第１ノードＮ１に接続され、容量値が固定である固定容量のキャパシターＣＦ１と、一端が固定容量のキャパシターＣＦ１の他端に接続され、容量値が可変である可変容量素子ＣＶ１を含む。そして可変容量素子ＣＶ１の一端及び他端の一方に、温度補償電圧ＶＣＭＰが入力され、一端及び他端の他方に、基準電圧ＶＲＥＦが入力される。例えば図３では、可変容量素子ＣＶ１の一端に温度補償電圧ＶＣＭＰが入力され、可変容量素子ＣＶ１の他端に基準電圧ＶＲＥＦが入力されている。なおグランドノード側である可変容量素子ＣＶ１の他端に、温度補償電圧ＶＣＭＰを入力し、キャパシターＣＦ１側である可変容量素子ＣＶ１の一端に、基準電圧ＶＲＥＦを入力してもよい。また可変容量素子ＣＶ２についても可変容量素子ＣＶ１と同様の接続構成になっているが、ここでは詳細な説明を省略する。

【0051】

このような構成によれば、可変容量素子ＣＶ１に対して、温度補償電圧ＶＣＭＰと基準電圧ＶＲＥＦの電圧差に対応する電圧を印加できるようになり、基準電圧ＶＲＥＦを基準とした温度補償電圧ＶＣＭＰにより、可変容量素子ＣＶ１の容量値を変化させて、発振回路３０の発振周波数の温度補償を実現できるようになる。また固定容量のキャパシターＣＦ１を設けることで、バイアス電圧ＶＢＳと基準電圧ＶＲＥＦを独立に調整することが可能になる。即ちバイアス電圧ＶＢＳを変化させることによるデューティー調整と同時に、バラクター等の可変容量素子ＣＶ１の基準電圧ＶＲＥＦについても独立に調整できるようになる。例えばクロック信号ＣＫのデューティー比が５０％に近づくように、バイアス電圧ＶＢＳを変化させるデューティー調整を行いながら、基準電圧ＶＲＥＦについては、可変容量素子ＣＶ１の両端の電位差が０Ｖよりも大きくなり、且つ、感度が最適になるように調整することが可能になる。

【0052】

また本実施形態では、デューティー調整回路５０は、バイアス電圧を第１ノードＮ１に出力すると共に、基準電圧ＶＲＥＦを、可変容量素子ＣＶ１の一端及び他端の他方に出力する。例えば図３では、可変容量素子ＣＶ１の一端に温度補償電圧ＶＣＭＰが入力されており、デューティー調整回路５０は、可変容量素子ＣＶ１の他端に基準電圧ＶＲＥＦを出力している。なお可変容量素子ＣＶ１の他端に温度補償電圧ＶＣＭＰを入力し、デューティー調整回路５０が、可変容量素子ＣＶ１の一端に基準電圧ＶＲＥＦを出力してもよい。

【0053】

このような構成とすれば、１つのデューティー調整回路５０を用いて、バイアス電圧ＶＢＳを供給してクロック信号ＣＫのデューティー比を調整できると共に、温度補償用の基準電圧ＶＲＥＦも供給して発振周波数の温度補償を実現できるようになる。別の言い方をすれば、温度補償用の基準電圧ＶＲＥＦを供給するデューティー調整回路５０を有効利用して、バイアス電圧ＶＢＳについても供給してデューティー比を調整できるようになる。これにより、回路の共用化や回路装置２０の小規模化を実現したり、回路装置２０の低消費電力化を実現できるようになる。

【0054】

具体的には後述の図１２で詳細に説明するように、デューティー調整回路５０は、電源ノードとグランドノードの間に直列接続された複数の抵抗を有し、複数の抵抗により分圧された複数の分圧電圧を出力する分圧回路５２と、複数の分圧電圧のいずれかをバイアス電圧ＶＢＳとして選択する選択回路５４を含む。即ち、分圧回路５２はラダー抵抗回路により実現され、選択回路５４は、ラダー抵抗回路である分圧回路５２により生成された複数の分圧電圧の中から、入力された調整データＡＤＪに基づきバイアス電圧ＶＢＳを選択して、第１ノードＮ１に供給する。このような構成によれば、例えばＶＲＥＧ１の電源電圧とＧＮＤとの間の複数の分圧電圧を分圧回路５２により生成し、生成された複数の分圧電圧の中から調整データＡＤＪに応じた電圧を選択することで、発振信号ＸＩの中心電圧となるバイアス電圧ＶＢＳを生成できるようになる。

【0055】

そして本実施形態では選択回路５４は、分圧回路５２からの複数の分圧電圧のいずれかである第１分圧電圧をバイアス電圧ＶＢＳとして選択し、複数の分圧電圧のいずれかである第２分圧電圧を基準電圧ＶＲＥＦとして選択する。このようにすれば、複数の分圧電圧の中から選択回路５４により選択された第１分圧電圧を、バイアス電圧ＶＢＳとして第１ノードＮ１に供給することで、クロック信号ＣＫのデューティー比を調整できるようになる。そして複数の分圧電圧の中から選択回路５４により選択された第２分圧電圧を、基準電圧ＶＲＥＦとして供給することで、可変容量素子ＣＶ１を適切な感度範囲で動作させて、発振周波数の温度補償を実現できるようになる。またバイアス電圧ＶＢＳの生成と基準電圧ＶＲＥＦの生成のために、分圧回路５２として１つのラダー抵抗回路を設ければ済むため、バイアス電圧用の第１ラダー抵抗回路と基準電圧用の第２ラダー抵抗回路を設ける場合に比べて、回路装置２０の回路面積の小面積化を実現できるようになる。また第１ラダー抵抗回路と第２ラダー抵抗回路を設ける場合に比べて、電源ノードからグランドノードに流れる電流を例えば２分の１程度にすることが可能になるため、回路装置２０の低消費電力化も実現できる。

【0056】

２．変形例
本実施形態の回路装置２０は、以上に説明した構成例に限定されず、種々の変形実施が可能である。以下、本実施形態の種々の変形例について説明する。

【0057】

例えば図９の変形例では、発振回路３０の構成等が図３とは異なっている。例えば図９では、図３の固定容量のキャパシターＣＦ１、ＣＦ２は設けられていない。そして可変容量素子ＣＶ１の一端が第１ノードＮ１に接続され、可変容量素子ＣＶ１の他端に温度補償電圧ＶＣＭＰが供給される。また可変容量素子ＣＶ２の一端が第２ノードＮ２に接続され、可変容量素子ＣＶ２の他端に温度補償電圧ＶＣＭＰが供給される。そして第１ノードＮ１には、デューティー調整回路５０から抵抗ＲＲＦＢを介して基準電圧ＶＲＥＦＢが供給され、第２ノードＮ２には、デューティー調整回路５０から抵抗ＲＲＦＣを介して基準電圧ＶＲＥＦＣが供給される。これにより可変容量素子ＣＶ１の両端には、温度補償電圧ＶＣＭＰと基準電圧ＶＲＥＦＢの電圧差に対応する電圧が印加され、可変容量素子ＣＶ２の両端には、温度補償電圧ＶＣＭＰと基準電圧ＶＲＥＦＣの電圧差に対応する電圧が印加されるようになる。また発振信号ＸＩは基準電圧ＶＲＥＦＢを中心として変化する発振信号になり、発振信号ＸＯは基準電圧ＶＲＥＦＣを中心として変化する発振信号になる。また図９では、第１ノードＮ１と波形整形回路４０の入力ノードの間に、ＤＣカット用のキャパシターＣＸ２が設けられている。このようなキャパシターＣＸ２を設けることで、発振信号ＸＩのＤＣ成分がカットされて、ＡＣ成分だけが波形整形回路４０側に伝達されるようになる。そして発振信号ＸＩのＡＣ成分の信号に対して、デューティー調整回路５０によりバイアス点となるバイアス電圧ＶＢＳが設定され、バイアス電圧ＶＢＳを中心に変化する発振信号ＸＩを、波形整形回路４０に入力できるようになる。

【0058】

図１０、図１１では、回路装置２０は、クロック信号ＣＫをバッファリングして出力クロック信号ＣＫＱを外部に出力する出力バッファー回路７０を含む。出力バッファー回路７０は、例えば波形整形回路４０よりも駆動能力が高いバッファー回路を有しており、クロック信号ＣＫを、この高い駆動能力のバッファー回路によりバッファリングした信号が、出力クロック信号ＣＫＱとして回路装置２０の外部に出力される。このようにすれば、外部負荷が大きい場合にも、適正な駆動波形の出力クロック信号ＣＫＱを当該外部負荷に供給して駆動することが可能になる。

【0059】

また図１０では、デューティー調整回路５０は、温度補償電圧をＶＣＭＰとし、基準電圧をＶＲＥＦとしたときに、ＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが０Ｖよりも大きくなる基準電圧ＶＲＥＦを供給する。例えば可変容量素子ＣＶ１に０Ｖよりも大きな電圧が印加されるように基準電圧ＶＲＥＦを供給する。同様に、可変容量素子ＣＶ２に０Ｖよりも大きな電圧が印加されるように基準電圧ＶＲＥＦを供給する。

【0060】

図１０では、温度補償電圧ＶＣＭＰは、例えば０．９Ｖを中心として温度に応じて３次特性等で変化する電圧になっている。そしてデューティー調整回路５０は、ＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが０Ｖよりも大きくなるように、図１０では例えば０．３Ｖの基準電圧ＶＲＥＦを可変容量素子ＣＶ１に供給する。これにより可変容量素子ＣＶ１には、０Ｖよりも大きな電圧であるＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが印加されるようになる。従って、可変容量素子ＣＶ１の容量が、適切な感度範囲で温度補償電圧ＶＣＭＰに応じて可変に変化するようになる。同様に、可変容量素子ＣＶ２にも、０Ｖよりも大きな電圧であるＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが印加されるようになり、可変容量素子ＣＶ２の容量が、適切な感度範囲で温度補償電圧ＶＣＭＰに応じて可変に変化するようになる。これにより、回路装置２０を、ＴＣＸＯ用の回路装置として用いることが可能になり、ＴＣＸＯの発振器を実現できるようになる。

【0061】

一方、図１１では、デューティー調整回路５０は、ＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが０Ｖ以下になる基準電圧ＶＲＥＦを供給する。例えば可変容量素子ＣＶ１に０Ｖ以下の電圧が印加されるように基準電圧ＶＲＥＦを供給する。同様に、可変容量素子ＣＶ２に０Ｖ以下の電圧が印加されるように基準電圧ＶＲＥＦを供給する。図１１では、例えば０．６Ｖ程度の温度補償電圧ＶＣＭＰが供給される。このためデューティー調整回路５０は、ＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが０Ｖ以下になるように、図１１では例えば０．９Ｖの基準電圧ＶＲＥＦを可変容量素子ＣＶ１に供給する。これにより可変容量素子ＣＶ１には、０Ｖ以下の電圧であるＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが印加されるようになる。同様に、可変容量素子ＣＶ２にも０Ｖ以下のＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが印加されるようになる。これにより、回路装置２０を、ＳＰＸＯ用の回路装置として用いることが可能になり、ＳＰＸＯの発振器を実現できるようになる。

【0062】

例えばデューティー調整回路５０は、バイアス電圧ＶＢＳとして０．５Ｖ±０．１Ｖ程度の電圧を供給する。従って、ＴＣＸＯを実現する図１０では、分圧回路５２のラダー抵抗回路において基準電圧ＶＲＥＦが出力される電圧分割タップは、バイアス電圧ＶＢＳが出力される電圧分割タップよりも、グランドノード側のタップになる。一方、ＳＰＸＯを実現する図１１では、分圧回路５２のラダー抵抗回路において基準電圧ＶＲＥＦが出力される電圧分割タップは、バイアス電圧ＶＢＳが出力される電圧分割タップよりも、ＶＲＥＧ１の電源ノード側のタップになる。このように本実施形態によれば、分圧回路５２のラダー抵抗回路においてバイアス電圧ＶＢＳが出力される電圧分割タップの位置を切り替えるだけで、同じ回路装置２０を、図１０のようにＴＣＸＯ用の回路装置として使用したり、図１１のようにＳＰＸＯ用の回路装置として使用できるようになる。従って、回路装置２０をＴＣＸＯとＳＰＸＯで共用して使用することが可能になる。

【0063】

図１２にデューティー調整回路５０の構成例を示す。デューティー調整回路５０は、分圧回路５２と選択回路５４を含む。分圧回路５２は、ＶＲＥＧ１の電源ノードとグランドノードの間に直列接続された複数の抵抗Ｒ１～Ｒｍを有し、複数の抵抗Ｒ１～Ｒｍにより分圧された複数の分圧電圧ＶＲ１～ＶＲｍ－１を出力する。そして選択回路５４は、調整データＡＤＪに基づいて、複数の分圧電圧ＶＲ１～ＶＲｍ－１のいずれかをバイアス電圧ＶＢＳとして選択する。この選択回路５４は例えばトーナメント方式で電圧選択を行う複数のセレクター回路により実現できる。具体的には選択回路５４は、複数の分圧電圧ＶＲ１～ＶＲｍ－１のいずれかである第１分圧電圧をバイアス電圧ＶＢＳとして選択し、複数の分圧電圧ＶＲ１～ＶＲｍ－１のいずれかである第２分圧電圧を基準電圧ＶＲＥＦとして選択して出力する。これにより１つのデューティー調整回路５０を用いて、デューティー調整用のバイアス電圧ＶＢＳと温度補償用の基準電圧ＶＲＥＦの両方を供給できるようになり、回路の共用化を図れるようになる。

【0064】

３．発振器
図１３に本実施形態の発振器４の構造例を示す。発振器４は、振動子１０と、回路装置２０と、振動子１０及び回路装置２０を収容するパッケージ１５を有する。パッケージ１５は、例えばセラミック等により形成され、その内側に収容空間を有しており、この収容空間に振動子１０及び回路装置２０が収容されている。収容空間は気密封止されており、望ましくは真空に近い状態である減圧状態になっている。パッケージ１５により、振動子１０及び回路装置２０を衝撃、埃、熱、湿気等から好適に保護することができる。

【0065】

パッケージ１５はベース１６とリッド１７を有する。具体的にはパッケージ１５は、振動子１０及び回路装置２０を支持するベース１６と、ベース１６との間に収容空間を形成するようにベース１６の上面に接合されたリッド１７とにより構成されている。そして振動子１０は、ベース１６の内側に設けられた段差部に端子電極を介して支持されている。また回路装置２０は、ベース１６の内側底面に配置されている。具体的には回路装置２０は、能動面がベース１６の内側底面に向くように配置されている。能動面は回路装置２０の回路素子が形成される面である。また回路装置２０の端子にバンプＢＭＰが形成されている。そして回路装置２０は、導電性のバンプＢＭＰを介してベース１６の内側底面に支持される。導電性のバンプＢＭＰは例えば金属バンプであり、このバンプＢＭＰやパッケージ１５の内部配線や端子電極などを介して、振動子１０と回路装置２０が電気的に接続される。また回路装置２０は、バンプＢＭＰやパッケージ１５の内部配線を介して、発振器４の外部端子１８、１９に電気的に接続される。外部端子１８、１９は、パッケージ１５の外側底面に形成されている。外部端子１８、１９は、外部配線を介して外部デバイスに接続される。外部配線は、例えば外部デバイスが実装される回路基板に形成される配線などである。これにより外部デバイスに対してクロック信号などを出力できるようになる。

【0066】

なお図１３では、回路装置２０の能動面が下方に向くように回路装置２０がフリップ実装されているが、本実施形態はこのような実装には限定されない。例えば回路装置２０の能動面が上方に向くように回路装置２０を実装してもよい。即ち能動面が振動子１０に対向するように回路装置２０を実装する。或いは、発振器４は、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）の発振器であってもよい。この場合には発振器４は、半導体基板と、半導体基板の第１面と第２面との間を貫通する貫通電極とを有するベースと、半導体基板の第１面に対して、金属バンプ等の導電性の接合部材を介して固定される振動子１０と、半導体基板の第２面側に再配置配線層等の絶縁層を介して設けられる外部端子を含む。そして半導体基板の第１面又は第２面に、回路装置２０となる集積回路が形成される。この場合には、振動子１０及び集積回路が配置された複数のベースが形成された第１半導体ウェハーと、複数のリッドが形成された第２半導体ウェハーとを貼りつけることで、複数のベースと複数のリッドを接合し、その後にダイシングソー等によって発振器４の個片化を行う。このようにすれば、ウェハレベルパッケージの発振器４の実現が可能になり、高スループット、且つ、低コストでの発振器４の製造が可能になる。

【0067】

以上に説明したように本実施形態の回路装置は、振動子の一端に電気的に接続される第１ノードと、振動子の他端に電気的に接続される第２ノードとに電気的に接続され、振動子を発振させることで発振信号を生成する発振回路と、第１ノードに接続され、第１ノードから発振信号が入力され、発振信号を波形整形したクロック信号を出力する波形整形回路を含む。また回路装置は、調整データに基づき可変に調整したバイアス電圧を第１ノードに供給することにより、クロック信号のデューティー比を調整するデューティー調整回路を含む。

【0068】

本実施形態では、第１ノード及び第２ノードを介して電気的に接続される振動子を発振回路が発振させることで発振信号が生成され、第１ノードでの発振信号が波形整形回路に入力されて波形整形され、クロック信号が生成されるようになる。このとき、デューティー調整回路が、調整データに基づき可変に調整したバイアス電圧を第１ノードに供給する。これにより、第１ノードでの発振信号はバイアス電圧を中心に変化する発振信号になる。従って、クロック信号が最適なデューティー比になるように、調整データに基づき、発振信号のバイアス電圧を調整して、当該発振信号を波形整形回路に入力できるようになるため、デューティー比を高精度に調整できるようになる。

【0069】

また本実施形態では、調整データを記憶する不揮発性メモリーを含み、デューティー調整回路は、不揮発性メモリーに記憶された調整データにより設定される電圧のバイアス電圧を生成してもよい。

【0070】

このようにすれば、最適なデューティー比を調整できる調整データを不揮発性メモリーに記憶し、回路装置の実動作時に、不揮発性メモリーから当該調整データを読み出すことで、高精度のデューティー調整を実現できるようになる。

【0071】

また本実施形態では、発振回路の電源電圧は、波形整形回路の電源電圧以上の電圧であってもよい。

【0072】

このようにすれば、波形整形回路に入力される発振信号の振幅を、波形整形回路の駆動電圧範囲内で可能な限り大きくすることができ、波形整形後の信号の波形を急峻にすることができるため、デューティー比のバラツキを低減できるようになる。

【0073】

また本実施形態では、デューティー調整回路は、電源ノードとグランドノードの間に直列接続された複数の抵抗を有し、複数の抵抗により分圧された複数の分圧電圧を出力する分圧回路と、複数の分圧電圧のいずれかをバイアス電圧として選択する選択回路とを含んでもよい。

【0074】

このようにすれば、電源電圧とグランドとの間の複数の分圧電圧を分圧回路により生成し、生成された複数の分圧電圧の中から調整データに応じた電圧を選択することで、調整データに応じたバイアス電圧を生成できるようになる。

【0075】

また本実施形態では、発振回路は、一端が第１ノードに接続され、容量値が固定である固定容量キャパシターと、一端が固定容量キャパシターの他端に接続され、容量値が可変である可変容量素子と、を含み、可変容量素子の一端及び他端の一方に、温度補償電圧が入力され、他方に、基準電圧が入力されてもよい。

【0076】

このようにすれば、基準電圧を基準とした温度補償電圧により、可変容量素子の容量値を変化させて、発振回路の発振周波数の温度補償を実現できるようになる。また固定容量キャパシターを設けることで、基準電圧とバイアス電圧を独立に調整して、発振信号の温度補償とデューティー調整を実現できるようになる。

【0077】

また本実施形態では、デューティー調整回路は、バイアス電圧を第１ノードに出力すると共に、基準電圧を他方に出力してもよい。

【0078】

このような構成とすれば、１つのデューティー調整回路を用いて、バイアス電圧を供給してクロック信号のデューティー比を調整できると共に、温度補償用の基準電圧も供給して発振周波数の温度補償を実現できるようになる。

【0079】

また本実施形態では、デューティー調整回路は、電源ノードとグランドノードの間に直列接続された複数の抵抗を有し、複数の抵抗により分圧された複数の分圧電圧を出力する分圧回路と、複数の分圧電圧のいずれかである第１分圧電圧をバイアス電圧として選択し、複数の分圧電圧のいずれかである第２分圧電圧を基準電圧として選択する選択回路と、を含んでもよい。

【0080】

このようにすれば、複数の分圧電圧の中から選択された第１分圧電圧を、バイアス電圧として供給することで、クロック信号のデューティー比を調整できるようになると共に、複数の分圧電圧の中から選択された第２分圧電圧を、基準電圧として供給することで、発振周波数の温度補償を実現できるようになる。

【0081】

また本実施形態では、デューティー調整回路は、温度補償電圧をＶＣＭＰとし、基準電圧をＶＲＥＦとしたときに、ＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが０Ｖよりも大きくなる基準電圧を供給してもよい。

【0082】

このようにすれば、可変容量素子に対して、０Ｖよりも大きな電圧であるＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが印加され、可変容量素子の容量が温度補償電圧に応じて可変に変化するようになるため、温度補償機能を有する発振器等の実現が可能になる。

【0083】

また本実施形態では、デューティー調整回路は、温度補償電圧をＶＣＭＰとし、基準電圧をＶＲＥＦとしたときに、ＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが０Ｖ以下になる基準電圧を供給してもよい。

【0084】

このようにすれば、可変容量素子に対して、０Ｖ以下の電圧であるＶＣＭＰ－ＶＲＥＦが印加されるようになり、温度補償機能を有しない発振器等の実現が可能になる。

【0085】

また本実施形態では、クロック信号をバッファリングして出力クロック信号を外部に出力する出力バッファー回路を含んでもよい。

【0086】

このようにすれば、外部負荷が大きい場合にも、適正な駆動波形の出力クロック信号を当該外部負荷に供給して駆動できるようになる。

【0087】

また本実施形態は、上記の回路装置と、振動子とを含む発振器に関係する。

【0088】

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本開示の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本開示の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本開示の範囲に含まれる。また回路装置、発振器の構成・動作等も本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。

【符号の説明】

【0089】

４…発振器、１０…振動子、１５…パッケージ、１６…ベース、１７…リッド、１８…外部端子、１９…外部端子、２０…回路装置、３０…発振回路、３２…可変容量回路、４０…波形整形回路、５０…デューティー調整回路、５２…分圧回路、５４…選択回路、６０…処理回路、６２…不揮発性メモリー、７０…出力バッファー回路、９０…電源回路、９２…温度補償回路、９４…温度センサー回路、１２０…回路装置、１３０…発振回路、１４０…波形整形回路、２２０…回路装置、２３０…発振回路、２４０…波形整形回路、２５０…バイアス回路、２６０…定電流回路、
ＡＤＪ…調整データ、ＢＭＰ…バンプ、ＣＢ…ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＧ…キャパシター、ＣＫ…クロック信号、ＣＫＱ…出力クロック信号、ＣＶ１…可変容量素子、ＣＶ２…可変容量素子、ＣＸ、ＣＸ１、ＣＸ２…キャパシター、ＩＳ…電流源、ＩＶＡ１、ＩＶＡ２、ＩＶＢ１、ＩＶＢ２…インバーター回路、Ｎ１…第１ノード、Ｎ２…第２ノード、ＶＣＭＰ…温度補償電圧、Ｒ１～Ｒｍ－１…抵抗、ＲＢ…帰還抵抗、ＲＢＳ、ＲＣＰ、ＲＲＦ、ＲＲＦＢ、ＲＲＦＣ、ＲＸ…抵抗、ＴＣＫ…クロック端子、ＴＧＮＤ…グランド端子、ＴＲ…バイポーラートランジスター、ＴＶＤＤ…電源端子、ＴＸＩ、ＴＸＯ…端子、ＶＢＳ…バイアス電圧、ＶＤＤ…電源電圧、ＶＲ１～ＶＲｍ－１…分圧電圧、ＶＲＥＦ、ＶＲＥＦＢ、ＶＲＥＦＣ…基準電圧、ＸＩ、ＸＯ…発振信号

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】