特許 7560931 半導体パッケージ及び半導体電子装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-25

(45)【発行日】2024-10-03

(54)【発明の名称】半導体パッケージ及び半導体電子装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/04 20060101AFI20240926BHJP

   H01L 23/02 20060101ALI20240926BHJP

【ＦＩ】

H01L23/04 D

H01L23/02 F

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2022578499

(86)(22)【出願日】2022-01-28

(86)【国際出願番号】 JP2022003198

(87)【国際公開番号】W WO2022163788

(87)【国際公開日】2022-08-04

【審査請求日】2023-07-26

(31)【優先権主張番号】P 2021012716

(32)【優先日】2021-01-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100090033

【弁理士】

【氏名又は名称】荒船 博司

(74)【代理人】

【識別番号】100093045

【弁理士】

【氏名又は名称】荒船 良男

(72)【発明者】

【氏名】佐竹 猛夫

【審査官】井上 和俊

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２０／０９０８８２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１９－１４５７６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－１０９４３０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２３／０４

Ｈ０１Ｌ ２３／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

上面を有する基板と、
貫通孔を有するプレートと、
前記プレートとともに枠状筐体をなす壁体と、
枠体と、
を備え、
前記枠状筐体は、前記基板の上に位置し、
前記枠体は、前記枠状筐体の上に位置し、
前記基板の上であり、かつ前記枠状筐体に囲まれた空間が電子部品の実装領域であり、
前記プレートは、前記枠体との対向面に凹部を有し、少なくとも前記対向面において前記壁体と接しない第１突出部を前記空間の側に有し、
前記第１突出部は、前記対向面から前記上面まで延在し、
前記貫通孔は、前記第１突出部の内部を前記上面の面方向に貫通する、
半導体パッケージ。

【請求項2】

前記プレートは、前記対向面に位置する前記凹部が、平面透視における前記貫通孔を挟んで同数かつ同形状で位置する、請求項１記載の半導体パッケージ。

【請求項3】

前記プレートは、前記第１突出部における前記上面と対向する面とは反対側の面に位置する凹部を有する、請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。

【請求項4】

前記プレートは、前記上面に向かう平面視において、両端が前記壁体に向かって延びるＵ字形状であり、
前記プレートと前記壁体との対向部において前記枠状筐体の内面が窪んでいる、
請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。

【請求項5】

前記プレートと前記壁体との対向部において、前記壁体が前記空間の側にはみ出している、
請求項４記載の半導体パッケージ。

【請求項6】

前記上面に向かう平面視において、前記第１突出部の前記空間の側への長さと前記プレートの前記Ｕ字型形状の前記壁体に向かって延びる両端の長さとが等しい、請求項４又は５記載の半導体パッケージ。

【請求項7】

前記プレートは、前記第１突出部が位置する面とは反対の面に、前記貫通孔を内部に含む第２突出部を有し、
前記第２突出部は、前記対向面に及ぶ平面部分を有する、
請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。

【請求項8】

前記枠体は、前記プレートに対向する部分の厚さが前記壁体に対向する部分の厚さよりも薄く、かつ、少なくとも前記プレートに対向する部分が、前記プレートと同一の材料からなる、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。

【請求項9】

請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体パッケージと、
前記空間に位置する電子部品と、
を備える、半導体電子装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体パッケージ及び半導体電子装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体素子などの電子部品などを利用可能に収納する半導体パッケージがある。国際公開第２０１７／０３８５８２号に記載の半導体パッケージは、製造時や試験時などの加熱などに応じた反りや変形などの問題を考慮して、これらの反りや変形などを抑える構造を有する。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0003】

本開示の一の態様は、
上面を有する基板と、
貫通孔を有するプレートと、
前記プレートとともに枠状筐体をなす壁体と、
枠体と、
を備え、
前記枠状筐体は、前記基板の上に位置し、
前記枠体は、前記枠状筐体の上に位置し、
前記基板の上であり、かつ前記枠状筐体に囲まれた空間が電子部品の実装領域であり、
前記プレートは、前記枠体との対向面に凹部を有し、少なくとも前記対向面において前記壁体と接しない第１突出部を前記空間の側に有し、
前記第１突出部は、前記対向面から前記上面まで延在し、
前記貫通孔は、前記第１突出部の内部を前記上面の面方向に貫通する、
半導体パッケージである。

【図面の簡単な説明】

【0004】

【図1】半導体パッケージの全体形状を示す斜視図である。

【図2】半導体パッケージの各構成を分解して示した斜視図である。

【図3】プレートを内面側から見た図である。

【図4】プレート付近の一部を上方から拡大して見た平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0005】

以下、実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、半導体電子装置１の全体形状を示す斜視図である。

【0006】

半導体電子装置１は、半導体パッケージ１００と、電子部品２００とを備える。
半導体パッケージ１００は、基板１１と、プレート１２と、壁体１３と、枠体１４と、リード１５などを備える。

【0007】

基板１１は、半導体パッケージ１００の平板状の底板であり、上面１１１を有する。本開示において、上下は、基準となる半導体パッケージ１００の体勢で重力方向を基準として定められる。これにより、基板１１が下側、枠体１４が上側となる。基板１１は、例えば、上面１１１に垂直な方向から見た平面視で長方形である。あるいは、基板１１の形状は、平面視で正方形でもよいし、矩形以外であってもよい。例えば、基板１１は、楕円形などの角を有さない形状などでもよい。基板１１の表面には、ニッケル又は金などの金属層を有していてもよい。これにより、基板１１の酸化腐食が抑えられる。金属層は、例えば、電気めっき法又は無電解めっき法などにより形成され得る。

【0008】

プレート１２及び壁体１３は、基板１１の上面１１１上に位置し、上面１１１の電子部品２００の載置範囲を含む全体を上面１１１に垂直な方向から見た平面視で矩形状に囲う枠状筐体をなす。すなわち、半導体パッケージ１００は、基板１１、プレート１２及び壁体１３で囲われた空間１０（キャビティ）を有する箱型形状である。この空間１０は、電子部品２００の実装領域であり、その底面となる上面１１１に電子部品２００が位置している。

【0009】

プレート１２は、空間１０を囲う１つの面（側面）をなす。プレート１２は、空間１０に面する内面１２１と、内面１２１とは反対側の外面１２２と、基板１１に接合されている下端面１２３と、下端面１２３とは反対の上端面１２４（枠体１４との対向面）と、壁体１３と対向してこれに接合されている両側端面１２５とを有する。プレート１２は、内面１２１と外面１２２との間を上面１１１に沿った方向（面方向）に貫く貫通孔１２６を有する。プレート１２は、外面１２２に突出部１２７（第２突出部）を有する。外面１２２に垂直な方向から見て突出部１２７の略中央に貫通孔１２６が位置しており、突出部１２７は、外縁（突出部１２７の縁）と内縁（貫通孔１２６の縁）とがそれぞれ略環状のパイプ形状（円筒形状）をなす。貫通孔１２６は、電子部品２００に対して／電子部品２００から光信号などを入出力する場合の光ファイバー、光導波路又は光信号自体を通過させる。光ファイバー及び／又は光導波路は、複数本がチューブ内などに束ねられていてもよい。貫通孔１２６のサイズ及び形状は、上記チューブ及びその固定端子のサイズ及び形状などに合わせて変更されてよい。すなわち、貫通孔１２６の縁は、固定端子の当接面であり、その固定位置を明確に定めるものであってよい。また、突出部１２７の外縁も上記の固定端子を接着部材により接着する被着面とされ得る。

【0010】

壁体１３は、空間１０を囲う３つの面（側面）をなす。壁体１３の外面には、複数のリード１５が互いに絶縁分離されて固定されている。複数のリード１５とそれぞれ電気的につながっている接続端子１３１が壁体１３の内面側階段状部分に互いに絶縁分離されて並んでいる。これら接続端子１３１がそれぞれ電子部品２００の端子と図示略のボンディングワイヤなどを介して電気的に接続され、信号などが伝送される。

【0011】

リード１５は、電子部品２００と外部の電子機器などとを電気的に接続するための部材である。リード１５の各部分の長さは、適宜定められていてよい。リード１５が上面１１１に平行な面内に伸びることで、外部の電子部品との間での信号線の接続がより確実に行われやすくなる。

【0012】

リード１５と接続端子１３１とをつなぐ信号線は、絶縁性の壁体１３の内部を貫通している。この信号線を含む部分は、壁体１３の他の部分とは別個の配線基板として、導電性又は絶縁性の壁体１３の開口又は切り欠き部分を貫通して挿入されてもよい。リード１５、接続端子１３１及び信号線の幅及び間隔は、伝送される信号の周波数などに応じて定められていてもよい。また、信号線は、例えば、マイクロストリップライン構造又はコプレーナ構造を有していてもよく、このための導電性の接地面が信号線を絶縁する絶縁部材を隔てて位置していてよい。信号線、接続端子１３１及び接地面は、例えば、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムなどの金属材料である。

【0013】

壁体１３は、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、又はムライトなどのセラミックス材料である。

【0014】

なお、プレート１２及び壁体１３は、基板１１の上面１１１の全面を囲っているものではなくてもよい。すなわち、プレート１２及び壁体１３は、上面１１１の周縁に接していなくてもよい。電子部品２００の載置範囲が囲まれていれば、プレート１２及び壁体１３は、上面１１１の一部を囲うように位置していてもよい。

【0015】

枠体１４は、プレート１２の上端面１２４及び壁体１３の基板１１とは反対側の面（すなわち、枠状筐体）の上に位置し、これらに接合されている環状の部材である。枠体１４の上面は平坦であり、図示略の蓋体と容易かつ均等に接合可能である。必要がなければ、半導体電子装置１が蓋体を有していなくてもよい。

【0016】

基板１１、プレート１２、枠体１４及びリード１５は、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケル、コバルトなどの金属材料若しくはこれらの金属材料を複数種類含有する合金材料、又は金属材料及び合金材料を組み合わせた複合材料である。壁体１３の一部が導体である場合には、この一部も上記の金属材料、合金材料又は複合材料であってよい。これらは、同一の材料、例えば、ＦｅＮｉＣｏ合金（コバール）であってもよい。同一の材料であることで、接合がより確実に行われやすい。また、これらは、熱伝導率が高く、例えば、１５～４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）などであってもよい。これにより、電子部品２００の動作に伴って発する熱が効率よく外部へ放出される。また、これらのヤング率は、例えば、１００～５００ＧＰａであってもよく、熱膨張係数は、例えば、５×１０^－６～２５×１０^－６／℃などであってもよい。

【0017】

半導体パッケージ１００は、基板１１、プレート１２、壁体１３、枠体１４及びリード１５がろう材といった接合材により接合されている。ろう材は、例えば、銀、銅、金、アルミニウム又はマグネシウムなどを主に含む。また、ろう材には、ニッケル、カドミウム又は燐などが添加物として含有されていてもよい。接合時には、加熱により溶融したろう材を接合面に流し込んで接合対象の部材同士を加圧固定し、その後ろう材が冷えて固化することで当該接合対象の部材同士が接合される。

【0018】

電子部品２００は、例えば、上記のように光を出射又は検出する半導体素子であり、すなわち、レーザーダイオード、フォトダイオード、フォトカプラーなどである。電子部品２００は、接続端子１３１及び貫通孔１２６に対して適切な位置関係及び向きで基板１１の上面１１１に固定されている。なお、電子部品２００は、基板１１に対して絶縁されていてもよく、この場合、直接基板１１上に位置するのではなく、絶縁膜又は基板１１の上面に位置する絶縁部材の台座の上にあってもよい。また、電子部品２００は、一つに限られない。複数個の電子部品２００が空間１０内に位置していてもよい。複数個の電子部品２００は、互いに異なる種類のものであってもよい。例えば、一方は、ＩＣ又はＬＳＩなどの半導体素子であってもよい。

【0019】

図２は、半導体パッケージ１００の各構成を分解して示した斜視図である。この分解斜視図では、リード１５の表示を省略している。また、図３は、プレート１２を内面１２１の側から見た図である。

【0020】

プレート１２は、空間１０に面する内面１２１に位置し、壁体１３と接しない突出部１２８（第１突出部）を有する。突出部１２８は、例えば、上下方向について上端面１２４側の端部から基板１１側の端部に至るまで存在している直方体形状であり、内部に貫通孔１２６を含む。突出部１２８の略中央に貫通孔１２６の一端が位置している。

【0021】

また、プレート１２の両端部分は、内面１２１の側に折れ曲がって壁体１３に向かって延びる屈曲部１２ａとなっている。すなわち、プレート１２は、Ｕ字状の形状を有する。したがって、壁体１３と接合されている両側端面１２５は、内面１２１と平行である。これにより、両側端面１２５は、壁体１３の接合面と対向している。突出部１２８と両端の屈曲部１２ａとの間の部分は、相対的に凹状となっている。この凹状の部分には、プレート１２に壁体１３及び枠体１４が接合される場合に接合材が接合面からはみ出してもよい。

【0022】

また、プレート１２の上面には、円形の凹部１２９が位置している。凹部１２９の数は特に限られないが、例えば、貫通孔１２６を挟んで両側に同数、ここでは、平面視で貫通孔１２６の中心位置に対して対称に、突出部１２８に２個、両端の折れ曲がり部分に２個がそれぞれ位置している。複数の凹部１２９は、同一の形状であってもよい。プレート１２の高さに比して深さは小さくてよい。この凹部１２９には、プレート１２に枠体１４を接合する際に接合材が流入することで、接合材がプレート１２の内面１２１及び外面１２２に沿って、特に貫通孔１２６に流下するのを抑え、平坦かつ安定に枠体１４を固定する。

【0023】

パイプ形状の突出部１２７は、プレート１２の外面１２２において中央よりも上側に偏って位置しており、外縁が上端面１２４にかかっている。これに伴って、突出部１２７の外縁上部１２７ａは、上端面１２４に及ぶ一つながりの平面部分となっている。これにより、プレート１２が枠体１４をより安定して支持し、固定することができる。

【0024】

枠体１４のプレート１２及び壁体１３と接する下面は、プレート１２及び壁体１３の上面１１１からの高さに応じた形状になっている。ここでは、プレート１２が壁体１３よりも高いので、プレート１２に対向する部分の枠体１４の厚さ（枠体１４を含む面に垂直な方向についての幅）は、壁体１３に対向する部分の枠体１４の厚さよりも小さい（薄い）。上述のように、枠体１４及びプレート１２が同一の材料、特に、ＦｅＮｉＣｏ合金などの金属を含む材料であることで、セラミック材とは異なり、枠体１４のプレート１２との接合部分が薄くても、接合時にクラックなどが生じるおそれが低減される。また、これにより、半導体パッケージ１００の高さを小さくすることができる。

【0025】

図４は、半導体パッケージ１００のプレート１２付近の一部を上方から拡大して見た平面図である。
上述のように、プレート１２は、突出部１２７、１２８により中央付近で当該プレート１２に垂直な方向について部分的に厚くなっており、この部分の内部に貫通孔１２６が位置している。

【0026】

内面１２１と平行な両側端面１２５は、壁体１３の端面と接合されている。このとき、接合される壁体１３の端面は、両側端面１２５よりも幅ｄｗだけ空間１０の側に広くなっている。これにより、両側端面１２５と壁体１３との接合において、プレート１２の両端の折れ曲がり部分と突出部１２８の間にろう材フィレットを形成することができるので、壁体１３とプレート１２の接合強度を向上させることができる。特に、はみ出たろう材が導体金属であるプレート１２の側に多く被着されやすいので、より安定して壁体１３とプレート１２との間での接合強度を向上させることができる。
なお、ろう材フィレットをなす窪みは、接合箇所より壁体１３の側に位置していてもよい。すなわち、壁体１３の端面が部分的に両側端面１２５よりも幅ｄｗだけ狭くなった先細形状であってもよい。

【0027】

プレート１２は、特には限られないが、例えば、立体形状を定める型枠などを用いて成形、作製されてもよい。あるいは、プレート１２は、打ち抜き加工又は切削加工などによって作製されてもよい。凹部１２９は、型枠に含まれていてもよいし、凹部を含まない型枠により作製された後に押圧形成されてもよい。また、凹部１２９は、型枠から取り出すときの押圧などによって付加されるものであってもよい。例えば、ＭＩＭ（Metal Injection Molding）のように、加圧混錬されて得られた上記導体金属の粉末とバインダとを含むペレットを、加熱して型枠に押し込み、射出成形するものであってもよい。

【0028】

基板１１及び枠体１４についても、プレート１２と同じように型枠などを用いて、又は打ち抜き加工若しくは切削加工などにより作製されてもよい。

【0029】

信号線及び接地面を含む壁体１３の絶縁層（配線基板）の製造では、例えば、まず、上記した導体金属、バインダ及び有機溶剤を混合して金属ペーストを作製する。次いで、材料物質の粉末（例えば、酸化アルミニウム及び酸化ケイ素など）に有機バインダ及び溶剤を混合して作製したスラリーをシート状に成形した複数の絶縁シート（セラミックグリーンシート）を積層する。このときに、接地面又は信号線を有する層の上下いずれかとなる絶縁シートに対し、金属ペーストをスクリーン印刷などにより塗布する。そして、積層された絶縁シート（塗布された金属ペーストを含む）が圧着、焼成（例えば、還元雰囲気中において約１６００℃で加熱）されて作製される。配線基板以外の部分が絶縁部材の場合には、上記の製造方法において、金属ペーストを塗布する工程が不要である。

【0030】

このようにして得られた基板１１、プレート１２、壁体１３及び枠体１４、並びにリード１５から半導体パッケージ１００を得るには、まず壁体１３にリード１５をろう付けする。その後、基板１１、プレート１２、壁体１３を互いにろう付けし、更に枠体１４をプレート１２及び壁体１３にろう付けする。

【0031】

以上のように、本実施形態の半導体パッケージ１００は、上面１１１を有する基板１１と、貫通孔１２６を有するプレート１２と、プレート１２とともに枠状筐体をなす壁体１３と、枠体１４と、を備える。枠状筐体は、基板１１の上に位置し、枠体１４は枠状筐体の上に位置する。基板１１の上の枠状筐体に囲まれた空間１０が電子部品２００の実装領域である。プレート１２は、貫通孔１２６が上面１１１の面方向に貫通しており、枠体１４と対向する上端面１２４に凹部１２９を有する。
このように、プレート１２の上端面１２４の枠体１４との接合面に凹部１２９を有することにより、これらを接合するろう材などの接合材がこの凹部１２９に溜まる。これにより、半導体パッケージ１００では、圧着時に接合面からはみ出して不都合及び不具合が生じるのを低減させる。よって、半導体パッケージ１００は、より適切に部材間を接合することができる。

【0032】

また、プレート１２は、上端面１２４に位置する複数の凹部１２９が、平面透視における貫通孔１２６を挟んで同数かつ同形状で位置する。左右で均等な量の凹部１２９を上端面１２４に有することで、ろう材の溜まる量が均一になりやすくなり、バランスよく枠体１４をプレート１２に接合させることができる。

【0033】

また、プレート１２は、上面１１１に向かう平面視において、両端部分が壁体１３に向かって延びるＵ字形状である。プレート１２と壁体１３の対向部において、枠状筐体の内面が窪んでいる。これにより、接合面からはみ出したろう材が窪み内に留まることで、半導体パッケージ１００に不都合及び不具合が生じるのを低減させることができる。

【0034】

また、両側端面１２５と壁体１３との対向部（接合面）において、壁体１３が空間１０の側にはみ出している。これにより、上記の窪み部分が更に壁体１３のはみ出している部分で囲まれることになるので、プレート１２と壁体１３との間の接合面からはみ出した接合材が上面１１１へ広がるのを抑えることができる。また、壁体１３の接合面を含む面を広く取ることで、ろう材フィレットを形成することができるので、より安定して接合がしやすくなり、プレート１２と壁体１３との接合強度を向上させることができる。

【0035】

また、プレート１２は、少なくとも上端面１２４において壁体１３と接しない突出部１２８を空間１０の側に有する。すなわち、半導体パッケージ１００は、壁体１３と貫通孔１２６との間に窪みを有するので、プレート１２と壁体１３との接合時に接合面からはみ出した接合材がこの窪み部分に誘導されやすくなる。したがって、接合材が上面１１１へ広く流下するのを低減させ、これにより、不都合及び不具合の発生が低減される。また、プレート１２の平面視で中央部分が厚くなるので、枠体１４との接合に係る強度を向上させることができる。

【0036】

また、プレート１２は、内面１２１とは反対の外面１２２と、外面１２２に位置して貫通孔１２６を内部に含む突出部１２７と、を有する。貫通孔１２６の縁は、貫通孔１２６に挿入されるケーブルなどの固定端子の当接面であり、突出部１２７の外縁は、上記の固定端子を接着部材により接着する被着面とされ得る。したがって、半導体パッケージ１００では、ケーブルなどを安定して支持、固定することができる。

【0037】

また、突出部１２７は、上端面１２４に含まれる平面部分となっている外縁上部１２７ａを有する。パイプ形状の突出部１２７の環状の外形全体を有さないことで、半導体パッケージ１００の高さを低減させることができる。貫通孔１２６は、内部の電子部品２００との兼ね合いなどによりプレート１２の高さ方向中央に位置しない（特に上寄り）ことも多いので、突出部１２７の上端側をカットして上端面１２４と同一平面とすることで、枠体１４との接合をより安定かつ確実な状態とすることができる。

【0038】

また、枠体１４は、枠体１４を含む面に垂直な方向について、プレート１２と接する部分の厚さがプレート１２と接しない他の部分の厚さよりも薄い。すなわち、プレート１２が壁体１３よりも高い分が、枠体１４の厚さの差異で調節されている。これにより、半導体パッケージ１００の高さを小さくすることができる。特に、プレート１２がＦｅＮｉＣｏ合金などである場合には、接合時に加圧などでクラックが生じにくいので、枠体１４を薄くすることができる。また、プレート１２が、突出部１２７、１２８を有することにより、より安定して枠体１４を支持することができるので、枠体１４が薄くてもよい。

【0039】

また、本実施形態の半導体電子装置１は、上記の半導体パッケージ１００と、上記空間１０に位置する電子部品２００と、を備える。この半導体電子装置１によれば、より安定して部材間で接合された半導体パッケージ１００により、より確実に電子部品２００が収納される。よって、不良品の発生などを低減することができる。

【0040】

なお、上記実施の形態は例示であって、様々な変更が可能である。
例えば、上記実施の形態では、プレート１２が内面１２１の側に突出部１２８を有するものとして説明したが、突出部１２８を有していなくてもよい。また、プレート１２が突出部１２８を有している場合に、当該突出部１２８が少なくとも一方の壁体１３に接していてもよい。また、突出部１２８の上面側が上端面１２４と同一面内になくてもよいし、下面側が基板１１に接していなくてもよい。

【0041】

また、上記実施の形態では、プレート１２の両側端面１２５よりも当該両側端面１２５との接合面を含む壁体１３の面の方が広く、所定の範囲の側にはみ出しているものとして説明したが、これに限られない。壁体１３が両側端面１２５と接合する面は、当該両側端面１２５と同一の幅（高さ方向に垂直な長さ）であってもよい。

【0042】

また、上記実施の形態では、プレート１２の両端部分が内面１２１の側に曲がってプレート１２がＵ字形状になっているものとして説明したが、これに限られない。内面１２１に垂直な両側端面１２５が壁体１３の内面側端部に接合していてもよいし、壁体１３の側面がプレート１２の内面１２１の両端部分に接合していてもよい。

【0043】

また、プレート１２と壁体１３との接合面は、単純な平面同士でなくてもよい。例えば、互いに凹凸部分を有し、嵌合していてもよい。

【0044】

また、上記実施の形態では、突出部１２７が上端面１２４の側に当該上端面１２４と同一平面内の外縁上部１２７ａを有するものとして説明したが、外面１２２に垂直な方向から見た正面視で突出部１２７に環状の突出部１２７が外面１２２に全て収まる場合などには、外縁上部１２７ａがなくてもよい。

【0045】

また、上記実施の形態では、プレート１２と壁体１３の高さの違いに合わせて枠体１４の厚さが非一様であるものとして説明したが、これに限られない。壁体１３の高さをプレート１２の高さに合わせることとして、枠体１４の厚さを一様なものとしてもよい。
その他、上記実施の形態で示した構成、構造及び製造方法などの具体的な細部は、本開示の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。本発明の範囲は、特許請求の範囲に記載した発明の範囲とその均等の範囲を含む。

【産業上の利用可能性】

【0046】

この発明は、半導体パッケージ及び半導体電子装置に利用することができる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】