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特許 7561545出願番号 特願 2020-148458
エッチング組成物、これを用いた絶縁膜のエッチング方法及び半導体素子の製造方法
出願人 エスケー イノベーション カンパニー リミテッド（識別番号 308007044）
2026年 特許公開件数ランキング 506位 45件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 560位 29件（※）
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出願人 エスケー インコーポレイテッド（識別番号 515268869）
2026年 特許公開件数ランキング 25223位 0件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 20819位 0件（※）
公報発行日 2024年10月4
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7561545 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
エッチング組成物、特に酸化膜のエッチング率を最小限に抑えるとともに、窒化膜を選択的に除去することができる高選択比のエッチング組成物
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一目的は、酸化膜のエッチング率を最小限に抑えるとともに、窒化膜を選択的に除去することができ、素子特性に悪影響を及ぼすパーティクルの発生などの問題点を有しない高選択比のエッチング組成物を提供することである。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、エッチング組成物を提供しようとするものである。本発明の一実施例によると、リン酸、Ｓｉ原子を１つ以上含むシラン化合物、及び下記化学式１で表されるアンモニウム塩を含むエッチング組成物を提供する。
TIFF
00075615450000・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によるエッチング組成物は、酸化膜に対する窒化膜のエッチング選択比が高い。
また、本発明のエッチング組成物を用いると、窒化膜除去時に酸化膜の膜質の損傷や酸化膜のエッチングに起因する電気的特性の低下を防止するとともに、パーティクルの発生を防止して素子特性を向上させることができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本発明の実施例による絶縁膜のエッチング方法を例示した工程断面図である。
【図2】
本発明の実施例による絶縁膜のエッチング方法を例示した工程断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
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