特許 7562310 液体吐出ヘッド基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-27

(45)【発行日】2024-10-07

(54)【発明の名称】液体吐出ヘッド基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   B41J 2/16 20060101AFI20240930BHJP

   B41J 2/045 20060101ALI20240930BHJP

   B41J 2/14 20060101ALI20240930BHJP

【ＦＩ】

B41J2/16 507

B41J2/045

B41J2/14 611

B41J2/14 613

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2020109837

(22)【出願日】2020-06-25

(65)【公開番号】P2022007107

(43)【公開日】2022-01-13

【審査請求日】2023-06-14

(73)【特許権者】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100126240

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 琢磨

(74)【代理人】

【識別番号】100223941

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 佳子

(74)【代理人】

【識別番号】100159695

【弁理士】

【氏名又は名称】中辻 七朗

(74)【代理人】

【識別番号】100172476

【弁理士】

【氏名又は名称】冨田 一史

(74)【代理人】

【識別番号】100126974

【弁理士】

【氏名又は名称】大朋 靖尚

(72)【発明者】

【氏名】加藤 雅隆

【審査官】加藤 昌伸

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－０１０７８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－００６５４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０１６３５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０９８５５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１３／０２２１１２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開昭６１－１５９７３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１９３４１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０３０２５８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ４１Ｊ ２／０１ － ２／２１５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

供給口を有する基板と、前記基板上に、圧力発生素子と、液体の流路を形成する流路形成部材と、を有する液体吐出ヘッド基板の製造方法であって、
基板の上に、Ａｌ、ＡｌＣｕ、ＴａＳｉＮの少なくともいずれかによって形成されている部材と、前記部材を覆い開口を有するエッチングマスクを設ける工程と、
前記部材を除去して部材が除去された空間を形成する工程と、
前記エッチングマスクの開口から前記基板を反応性イオンエッチングによってエッチングして、前記基板に供給口を形成する工程と、を有し、
前記空間は前記開口に露出しており、前記基板に供給口を形成する工程において、前記空間から前記基板がエッチングされ、前記空間の下方に前記基板がエッチングされた領域が形成されることを特徴とする液体吐出ヘッド基板の製造方法。

【請求項2】

供給口を有する基板と、前記基板上に、圧力発生素子と、液体の流路を形成する流路形成部材と、液体を吐出するための吐出口と、を有する液体吐出ヘッド基板の製造方法であって、
基板の上に、部材と、前記部材を覆い開口を有するエッチングマスクを設ける工程と、
前記部材を除去して部材が除去された空間を形成する工程と、
前記エッチングマスクの開口から前記基板を反応性イオンエッチングによってエッチングして、前記基板に供給口を形成する工程と、を有し、
前記基板は前記圧力発生素子に電気を供給する電気配線層を有し、前記部材と前記電気配線層は同じ材料で形成されており、
前記空間は前記開口に露出しており、前記基板に供給口を形成する工程において、前記空間から前記基板がエッチングされ、前記空間の下方に前記基板がエッチングされた領域が形成されることを特徴とする液体吐出ヘッド基板の製造方法。

【請求項3】

供給口を有する基板と、前記基板上に、圧力発生素子と、液体の流路を形成する流路形成部材と、液体を吐出するための吐出口と、を有する液体吐出ヘッド基板の製造方法であって、
基板の上に、部材と、前記部材を覆い開口を有するエッチングマスクを設ける工程と、
前記部材を除去して部材が除去された空間を形成する工程と、
前記エッチングマスクの開口から前記基板をボッシュプロセスによる反応性イオンエッチングによってエッチングして、前記基板に供給口を形成する工程と、を有し、
前記ボッシュプロセスにおいて、最初のエッチングステップの時間は他のエッチングステップの時間より１０％以上長く、
前記空間は前記開口に露出しており、前記基板に供給口を形成する工程において、前記空間から前記基板がエッチングされ、前記空間の下方に前記基板がエッチングされた領域が形成されることを特徴とする液体吐出ヘッド基板の製造方法。

【請求項4】

前記エッチングマスクは感光性樹脂で形成されている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド基板の製造方法。

【請求項5】

前記基板はシリコンの単結晶基板である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド基板の製造方法。

【請求項6】

前記エッチングマスクを現像液によって現像して前記開口を形成する工程を有し、前記現像液によって前記部材が除去されて、前記部材が除去された空間が形成される請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド基板の製造方法。

【請求項7】

前記基板は前記圧力発生素子に電気を供給する電気配線層を有し、前記基板の上に絶縁層が形成されており、前記電気配線層は多層であり、前記絶縁層の中に多層の前記電気配線層が埋め込まれている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド基板の製造方法。

【請求項8】

前記絶縁層の前記供給口の側の端部と、前記基板がエッチングされた領域の端部との間に、前記基板の表面が存在している請求項７に記載の液体吐出ヘッド基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、液体吐出ヘッド基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

インクジェットプリンタ等の液体吐出装置は、液体を吐出する部分である液体吐出ヘッドを有する。液体吐出ヘッドは、チップ等と呼称される液体吐出ヘッド基板を有する。液体吐出ヘッド基板として、供給口を有する基板と、基板上に流路を形成する流路形成部材とを有するものが知られている。流路形成部材が形成する流路には圧力室が含まれており、圧力室内の液体に圧力発生素子から圧力が付与されることによって、液体が吐出口から吐出する。

【0003】

このような液体吐出ヘッド基板において、液体を速い間隔で高速に吐出することが求められることがある。液体を高速に吐出することで、液体による文字や画像の高速記録が可能となる。液体を高速に吐出するには、液体吐出時に圧力室への液体の補充をより速く行う必要がある。

【0004】

基板の供給口から圧力室までの距離を短くすることで、流抵抗が低下し、圧力室への液体の補充速度が速くなる。特許文献１には、液体吐出ヘッド基板において、供給口の開口付近で基板の表面を掘り込み、供給口から圧力室までの距離を短くして流抵抗を低下させることが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開平１０－０９５１１９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１では、基板の表面を彫り込む方法として、ドリル等の機械的手段、レーザー等の光エネルギーの使用、化学的なエッチングが例示されているが、具体的な掘り込み方法については記載されていない。これらの方法で基板を掘り込むとなると、基板の表面を機械的手段やレーザーで直接加工するか、基板の表面にエッチングマスクを設けて化学的にエッチングを行うことが考えられる。しかしながら、これらの方法で基板を掘り込んだ場合、掘り込んだ部分の形状が安定でない場合がある。例えば、機械的手段等による直接加工では、掘り込む部分の横幅が安定化しにくい。また、エッチングマスクを設けたエッチングでは、エッチング液やエッチングガスが供給口側に回りこむなどし、供給口自体の形状が変形することで、掘り込んだ部分の形状に影響を与える場合がある。これらの結果、基板上の流路の形状が所望の形状とならず、流路内の液体の流れや液体の吐出に影響が出ることがある。

【0007】

従って、本発明では、基板表面の掘り込みを安定的に行うことができる、液体吐出ヘッド基板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題は、以下の本発明によって解決される。即ち本発明は、供給口を有する基板と、前記基板上に、圧力発生素子と、液体の流路を形成する流路形成部材と、を有する液体吐出ヘッド基板の製造方法であって、基板の上に、Ａｌ、ＡｌＣｕ、ＴａＳｉＮの少なくともいずれかによって形成されている部材と、前記部材を覆い開口を有するエッチングマスクを設ける工程と、前記部材を除去して部材が除去された空間を形成する工程と、前記エッチングマスクの開口から前記基板を反応性イオンエッチングによってエッチングして、前記基板に供給口を形成する工程と、を有し、前記空間は前記開口に露出しており、前記基板に供給口を形成する工程において、前記空間から前記基板がエッチングされ、前記空間の下方に前記基板がエッチングされた領域が形成されることを特徴とする液体吐出ヘッド基板の製造方法である。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、基板表面の掘り込みを安定的に行うことができる、液体吐出ヘッド基板の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】液体吐出ヘッド基板の製造過程を示す図。

【図2】液体吐出ヘッド基板の断面図。

【図3】液体吐出ヘッド基板の製造過程を示す図。

【図4】液体吐出ヘッド基板の上面図及び断面図。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、図面を参照しながら、本発明に係る液体吐出ヘッド基板の製造方法について説明する。なお、以下に述べる実施形態では、本発明を十分に説明するため具体的記述を行う場合もあるが、これらは技術的に好ましい一例を示しており、特に本発明の範囲を限定しているものではない。

【0012】

図１に、液体吐出ヘッド基板の製造方法を示す。図１（ｆ）が、完成した液体吐出ヘッド基板の一部における断面図であり、図１（ｆ´）は同液体吐出ヘッド基板の上面図である。図１では、各工程において、液体吐出ヘッド基板の断面図（（ａ）～（ｆ））と上面図（（ａ´）～（ｆ´））とを示している。液体吐出ヘッド基板は、供給口１０を有する基板５を有する。基板５上には、流路１２と液体を吐出するための吐出口１３を形成する流路形成部材１４が設けられている。基板５の表面（基板上）には圧力発生素子１が設けられており、流路１２のうち圧力発生素子１の上方の領域が圧力室となる。圧力室内の液体には、基板上の圧力発生素子１から圧力が与えられ、圧力を与えられた液体が吐出口１３から吐出する。尚、本明細書においては、液体が吐出される方向を下方から上方とする。

【0013】

このような液体吐出ヘッド基板を製造する方法を、順を追って説明する。まず、図１（ａ）に示すように、表面側に絶縁層２を有する基板５を用意する。図２は、図１（ａ）をより詳細に示した図である。基板５としてはシリコンの単結晶基板が挙げられる。絶縁層２としては、ＳｉＮやＳｉＣ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯ_２などが挙げられる。絶縁層２の中には多層の電気配線層３が埋め込まれており、絶縁層２の表面側に圧力発生素子１が設けられている。電気配線層３は、外部から供給される電気を圧力発生素子１に供給するものであり、供給された電気によって圧力発生素子１が駆動する。電気配線層３や圧力発生素子１は、ＡｌやＡｌＣｕ、ＴａＳｉＮ等の金属で形成する。尚、このとき、絶縁層２の中には、基板上に配置された部材４が埋め込まれている。部材４は基板５の表面を掘り込むために設けられるものであるが、その詳細については後で説明する。

【0014】

図２に示すように、多層の電気配線層２１の間には絶縁層（層間絶縁層２３）が挟まれており、電気配線層２１同士をタングステンプラグ２２によって電気的に接続している。部材４は基板５の表面上にあり、その高さ（上下方向の部材４の厚み）をＬ１とする。Ｌ１は、後で説明する掘り込み領域１１の大きさに影響する。この観点から、Ｌ１は０．２μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましく、０．４μｍ以上１．０μｍ以下とすることがより好ましい。尚、図１（ａ´）に示すように、基板５を上方（基板５の表面と対向する側）から見ると、２つの圧力発生素子１に対して１つの部材４が対応して設けられている。

【0015】

図１（ａ）のような基板５を用意した後、図１（ｂ）に示すように、絶縁層２上に第一のエッチングマスク６を設け、第一のエッチングマスク６を用いて絶縁層２のパターニングを行う。第一のエッチングマスク６は、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、感光性樹脂等で形成することが好ましい。例えば、絶縁層２を覆うように第一のエッチングマスクとなる層を塗布した後、この層をパターニングすることで開口６´を形成し、第一のエッチングマスクとする。そして第一のエッチングマスク６の開口６´から、絶縁層２をドライエッチング等でエッチングし、絶縁層２のパターニングを行う。このパターニングによって、絶縁層２に開口７が形成される。開口７は、開口６´と対応した形状になっている。このとき、開口７には部材４が露出しており、図１（ｂ´）に示すように、基板５を上方から見ると、開口７の中に部材４が配置された状態となる。

【0016】

次に、第一のエッチングマスク６を除去し、さらに第二のエッチングマスク８を設ける（図１（ｃ））。第二のエッチングマスク８は、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、感光性樹脂等で形成することが好ましい。例えば、絶縁層２部材４を覆うように第二のエッチングマスクとなる層を塗布した後、この層をパターニングすることで開口８´を形成し、第二のエッチングマスク８とする。ここで、基板５を上方からみたときに、第二のエッチングマスク８の開口８´が絶縁層２の開口７の内側に位置するように形成する。また、部材４は第二のエッチングマスク８に覆われているが、基板５の断面において、開口８´に部材４が露出するようにする。例えば第二のエッチングマスク８を感光性樹脂で形成した場合、第二のエッチングマスク８をフォトリソグラフィーによってパターニングして開口８´を形成する。このフォトリソグラフィーの現像工程において、第二のエッチングマスク８の現像と共に、部材４が除去され、部材４があった領域が空間９となる。即ち、開口８´が形成されると、開口８´に部材４が露出し、部材４の露出した部分から、現像液が部材４を溶解していき、最終的に空間９が形成される。このようにして空間９を形成する為に、第二のエッチングマスク８は感光性樹脂で形成することが好ましい。また、部材４は感光性樹脂の現像液で溶解して除去される材料で形成することが好ましい。このような材料としては、例えば金属が挙げられる。中でも電気配線層２１と同じ材料で形成しておけば、電気配線層２１と一括して形成することもできる。例えば、部材４及び電気配線層２１を形成する材料としては、Ａｌ、ＡｌＣｕ、ＴａＳｉＮが挙げられる。同じ材料とは、例えば両方ともＡｌと称されるものであれば同じ材料であることを意味し、厳密に化学構造が一致することまでは問わない。あとで除去することを考慮すると、部材４はＡｌまたはＡｌＣｕで形成することが好ましい。尚、開口８´を形成する過程で部材４を除去しなくてもよく、例えば開口８´を現像液によって形成した後、別の方法（例えば現像液と異なる材料の溶剤）によって除去してもよい。

【0017】

次に、図１（ｄ）に示すように、第二のエッチングマスク８の開口８´から基板５をエッチングしていく。このエッチングは、反応性イオンエッチングで行い、基板５に液体供給口１０を形成する。このとき、基板５と第二のエッチングマスク８との間の空間９は開口８´に露出していることから、空間９に基板５をエッチングするラジカル成分が入り込む。空間９に入り込んだラジカル成分によって、空間９の下方の基板５もエッチングされ、掘り込み領域１１が形成される。掘り込み領域１１は基板表面の掘り込み部分となっている。また、供給口１０に隣接しており、供給口の一部であるともいえる。

【0018】

基板５をエッチングして供給口１０及び掘り込み領域１１を形成する際の反応性イオンエッチングのプロセスとしては、ボッシュプロセスとノンボッシュプロセスとが挙げられる。ボッシュプロセスでは、基板のエッチングステップと、エッチングした領域のコーティングステップとが繰り返される。ノンボッシュプロセスでは、基板のエッチングと同時にエッチングした領域の側壁がコーティングで保護される。掘り込み領域１１の形状をより制御しやすいという点では、ボッシュプロセスによってエッチングを行う方が好ましい。ボッシュプロセスの方が、最初にエッチングステップの時間やパワー、ガス圧力を大きくすることで、第二のエッチングマスク８の下方の空間９にエッチングガスが優先的に入り、空間下の基板が優先的にエッチングされる。そしてその後、コーティングステップに切り替えることで、それ以上、空間下の基板がエッチングされなくなり、掘り込み領域１１の形状が安定化する。一方、供給口１０では、底部のコーティングを除去しやすく、掘り込み領域１１と異なり次のエッチングステップで垂直下方に向かって延在させていくことができる。ノンボッシュプロセスを用いた場合には、空間９の下方の基板５がなるべくエッチングされないように、部材４の形状等を制御する必要がある。

【0019】

供給口１０及び掘り込み領域１１を形成した後、第二のエッチングマスク８を除去し、図１（ｅ）に示す状態とする。続いて、図１（ｆ）に示すように、基板５の表面上に、流路１２や吐出口１３を形成する流路形成部材１４を設ける。流路形成部材１４の形成方法は特に限定されないが、例えば感光性樹脂からなるドライフィルムを複数用いて形成する。ドライフィルムとしては、ポリエチレンテレフタラート（以下ＰＥＴと称する）フィルムや、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム等が挙げられる。他にも、金属やシリコンによって、流路形成部材１４を形成することもできる。また、ここでは流路形成部材１４が流路１２と吐出口１３とを形成している例を示したが、流路１２を形成する部材と吐出口を形成する部材とが別の部材であってもよい。

【0020】

以上のようにして、液体吐出ヘッド基板を製造することができる。図１（ｆ）に示すように、液体吐出ヘッド基板は、供給口１０の開口付近で、掘り込み領域１１の分だけ基板の表面が掘り込まれている。上述の通り、掘り込み領域１１は、空間９からの反応性イオンエッチングで形成する。空間９は部材４の寸法によって制御することができる。部材４は、例えば部材４の材料を塗布した後に、その上にマスクを形成し、このマスクを用いてドライエッチングすることで形成する。即ち、部材４の寸法は、基板５を直接加工するような場合と比べて制御しやすく、この制御しやすい部材４によって掘り込み領域１１の形状を制御できる為、基板表面の掘り込みを安定的に行うことができる。

【0021】

液体吐出ヘッド基板は、図１（ｆ）や図２に示すように、多層の電気配線層の間に層間絶縁層が挟まれている形態であることが好ましい。このようにすることで、絶縁層全体の高さとしては、電気配線層が単層である場合と比較して高くなる。即ち、図１（ｆ）に示すように絶縁層の端部を供給口１０の開口から後退させたときに、基板の表面を多く掘り込んだ場合と同様に、流路における液体の流れの効率（リフィル効率）をより高めることができる。この観点から、絶縁層の厚みは、４μｍ以上であることが好ましく、６μｍ以上であることがより好ましい。絶縁層の厚みとは、絶縁層が複数の層で形成されている場合、合計の厚みである。また、絶縁層の間に電気配線層がある場合、電気配線層の分も含めた厚みとなる。絶縁層の厚みの上限は、液体吐出ヘッド基板の全体的な設計を考慮すると、２０μｍ以下であることが好ましい。

【実施例】

【0022】

以下、実施例を用い、本発明をより具体的に説明する。

【0023】

＜実施例１＞
液体吐出ヘッド基板の製造方法について、図３（ａ）から（ｈ）を用いて説明する。まず、図３（ａ）に示すように、表面側にＴａＳｉＮからなる圧力発生素子１と、ＳｉＯ_２からなる絶縁層２と、Ａｌからなる電気配線層（不図示）とを有する基板５を用意した。基板５はシリコンの単結晶基板である。絶縁層２は１０μｍの厚みとした。絶縁層２の内部には４層の電気配線層が設けられており、タングステンプラグ（不図示）で接続されている。また、絶縁層２と基板５の間に、後に形成される供給口の開口に対応する位置に、ＡｌＣｕからなる部材４を配置している。

【0024】

次に、図３（ｂ）に示すように、基板５の表面と反対側の面である裏面にエッチングマスク３１を設け、反応性イオンエッチングによって共通供給口３２を形成した。共通供給口３２は、後で形成する複数の供給口３５に共通して設けられる供給口である。エッチングマスク３１はノボラック系フォトレジストで形成した。共通供給口３２の深さは５００μｍとし、エッチングステップにＳＦ_６ガス、コーティングステップにＣ_４Ｆ_８ガスを使用し、ガス圧力１０Ｐａ、ガス流量を５００ｓｃｃｍとした。また、エッチング時間を２０秒、コーティング時間を５秒とし、エッチング時間のうち１０秒間をプラテンパワー１５０Ｗで印可した。その際のエッチング条件としては、エッチングステップにＳＦ_６ガス、コーティングステップにＣ_４Ｆ_８ガスを使用し、ガス圧力１０Ｐａ、ガス流量を５００ｓｃｃｍとした。さらに、エッチング時間を２０秒、コーティング時間を５秒とし、エッチング時間のうち１０秒間をプラテンパワー１５０Ｗで印可した。尚、これは、反応性イオンエッチングのうちボッシュプロセスとよばれるエッチング手法である。

【0025】

次に、エッチングマスク３１を除去し、図３（ｃ）に示すように、基板５の表面側に第一のエッチングマスク３３を設けた。第一のエッチングマスク３３は、ノボラック系のポジ型レジストを厚さ２０μｍで塗布し、１５０℃でプリベークした後で、露光及び現像することで形成した。

【0026】

次に、第一のエッチングマスク３３をマスクとして、図３（ｄ）に示すように、反応性イオンエッチングによって絶縁層２をエッチングし、絶縁層２に開口７を形成した。その後、第一のエッチングマスク３３を除去した。絶縁層２をエッチングする際の反応性イオンエッチングは、Ｃ_４Ｆ_８ガスとＣＦ_４ガスおよびＡｒガスの混合ガスを用いて、Ｃ_４Ｆ_８ガスの流量を１０ｓｃｃｍ、プラテンパワーを１００Ｗとして実施した。このエッチングでは、シリコンで形成された基板５をエッチングストップ層とした。即ち、絶縁層２のエッチングが進むと、エッチングガス（エッチング領域）が基板５に到達する。絶縁層２と基板５とのエッチングに対する選択比は１００程度である（基板５の方がエッチングされにくい）ため、エッチングガスが基板５に到達してからエッチングを停止する。このようにして、基板５をエッチングストップ層として用いた。尚、絶縁層を１０μｍエッチングした後、追加のエッチング（オーバーエッチング）を２０％実施した場合、基板５が約０．０２μｍ削れる計算となる。よって、絶縁層２の高さがほぼそのまま開口７の高さとなった。

【0027】

次に、図３（ｅ）に示すように、第二のエッチングマスク３４を形成した。第二のエッチングマスク３４は、ノボラック系のポジ型レジストを、２０μｍの膜厚で部材４及び絶縁層２を覆うように塗布し、１５０℃でプリベークした後で、露光及び現像することで形成した。第二のエッチングマスク３４は、開口３４´を有する。第二のエッチングマスクの現像液としてアルカリ系の現像液（ＮＭＤ３）を用いたことによって、絶縁層２と基板５の間に形成した部材４（ＡｌＣｕ）が開口３４´から進入した現像液によって除去された。部材４が除去された部分が空間９である。図３（ｅ）に示すように、空間９は、開口３４´に開口（露出）している。

【0028】

次に、図３（ｆ）に示すように、第二のエッチングマスク３４の開口３４´から基板５をエッチングし、供給口３５を形成した。エッチングには、反応性イオンエッチングを用いた。エッチングマスクと基板の間に空間９が存在する状態で反応性イオンエッチングを実施することで、供給口３５と、空間９の下方に位置する掘り込み領域１１とが一括して形成された。供給口３５のエッチングは、供給口３５が共通供給口３２と連通するまで実施した。その際のエッチング条件としては、エッチングステップとコーティングステップを用いるボッシュプロセスを用いた。詳細には、エッチングステップにＳＦ_６ガス、コーティングステップにＣ_４Ｆ_８ガスを使用し、ガス圧力１０Ｐａ、ガス流量を５００ｓｃｃｍとした。また、エッチング時間を２０秒、コーティング時間を５秒とし、エッチング時間のうち１０秒間をプラテンパワー１５０Ｗで印可した。

【0029】

その後、図３（ｇ）で示すように、第二のエッチングマスク３４を除去した。続いて、ネガ型感光性樹脂（エポキシ樹脂）で形成されたドライフィルムを基板５に貼り付け、フォトリソグラフィーを行うことで、流路１２および吐出口１３を形成する流路形成部材１４を形成した（図３（ｈ））。

【0030】

以上のようにして製造された液体吐出ヘッド基板を、図４に示す。図４（ａ）は液体吐出ヘッド基板の上面図、図４（ｂ）は液体吐出ヘッド基板の断面図である。図４（ｃ）は、図４（ｂ）の掘り込み領域１１の部分、即ち、基板５の表面を掘り込んだ部分を拡大して示した図である。本実施例の製造方法によれば、部材４の寸法によって掘り込み領域１１の形状を制御できる為、掘り込み領域１１の形状を安定化させやすい。また、絶縁層２の供給口３５側の端部と、基板５がエッチングされた領域１１の端部との間に、基板５の表面が存在している。この基板５の表面の長さをＤ１とする。Ｄ１は、基板５のエッチングによらず、部材４と絶縁層２との位置関係によって制御可能である。図４（ｃ）に示すように、スロープ状の掘り込み領域１１があり、平らな基板の表面があり、続いて傾斜した絶縁層２の端部が続くという構成にすることによって、流路内の液体の流れをより良好に制御することができる。

【0031】

＜実施例２＞
実施例１と異なる点を中心に、図３を用いて説明する。実施例１と同様に図３（ｅ）に示す工程まで進めた後、図３（ｆ）で示すエッチングの条件を変更した。具体的には、実施例１で述べたボッシュプロセスでエッチングステップとコーティングステップを交互に実施する手法を用いたが、最初のエッチングステップの条件だけ、エッチング時間を増やし、２０秒のところを２２秒とした（１０％長くした）。このように最初のエッチングステップを他のエッチングステップの時間より１０％以上長くすることで、エッチングマスクと基板の界面に存在する空間へエッチングガスがより入り込みやすくなり、掘り込み領域１１が大きくなった。実施例１と比較すると、掘り込み領域１１を大きく形成したことで、流路における液体の流れの効率をより高めることができることができる。尚、エッチングステップの時間だけでなく、最初のエッチングステップのガス圧力、ガス流量、コイルパワーを、他のエッチングステップのそれらよりも１０％以上大きくすることでも、同様の効果が見込まれる。

【符号の説明】

【0032】

１ 圧力発生素子
４ 部材
５ 基板
９ 部材が除去された空間
１１ 掘り込み領域
１３ 吐出口
１４ 流路形成部材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】