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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-27
(45)【発行日】2024-10-07
(54)【発明の名称】ガスセンサ
(51)【国際特許分類】
G01N 27/16 20060101AFI20240930BHJP
【ＦＩ】
G01N27/16 B
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2021072955
(22)【出願日】2021-04-23
(65)【公開番号】P2022167262
(43)【公開日】2022-11-04
【審査請求日】2024-02-16
(73)【特許権者】
【識別番号】501418498
【氏名又は名称】矢崎エナジーシステム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100145908
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 信雄
(74)【代理人】
【識別番号】100136711
【弁理士】
【氏名又は名称】益頭 正一
(72)【発明者】
【氏名】釆女 泰久
(72)【発明者】
【氏名】小澤 尚史
(72)【発明者】
【氏名】笹原 隆彦
(72)【発明者】
【氏名】宮城 敦子
【審査官】村田 顕一郎
(56)【参考文献】
【文献】特開２００９－１６８４６３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０９－０７２８７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－０７６６９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０３１２９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０２０／０３９３４３２（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０１Ｎ ２７／００－２７／２４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
メタンガス又はイソブタンガスである第１ガスを検出するための第１センサ、及び、一酸化炭素ガス又は水素ガスである第２ガスを検出するための第２センサを有するセンサ素子と、前記センサ素子が搭載される基台と共に前記センサ素子の外周を覆い、一部に開口部が形成されたケーシングと、
前記ケーシングの前記開口部と前記センサ素子との間に設けられたフィルタと、を備え、
前記フィルタは、金ナノ粒子と、前記金ナノ粒子を担持した担体とを有し、
前記担体は、比表面積が１００ｍ２／ｇ以上であって、担持された金が第２ガスに対して活性を示さない物質で構成されている
ことを特徴とするガスセンサ。
【請求項2】
前記フィルタは、金ナノ粒子と前記金ナノ粒子を担持した前記担体とを備えた第１フィルタよりも前記開口部側に設けられ、活性炭、活性白土、メソ多孔シリカ、アルミナ及びゼオライトの少なくとも１つを含む第２フィルタを有することを特徴とする請求項１に記載のガスセンサ。
【請求項3】
前記センサ素子は、間欠的に加熱される際の加熱時間中における第１時刻の信号を第１ガスの濃度信号として出力し、前記加熱時間中における第２時刻の信号を第２ガスの濃度信号として出力することを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載のガスセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ガスセンサに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、検知対象ガスに対して感度を有するセンサ素子と、センサ素子の被毒物質を除去するフィルタとを備えたガスセンサが知られている。このようなガスセンサのフィルタには、シリコーンガスや硫黄系ガスを吸着する目的で活性炭材料が用いられている。また、活性炭材料は高温高湿条件において充分な吸着能力を有しないことから、これを補う目的で白金系触媒と活性炭とを併用したフィルタについても提案されている（例えば特許文献１参照）。
【0003】
しかし、白金触媒は雑ガスであるエタノールから酢酸を生成してセンサ素子に悪影響を及ぼすことから、酢酸を中和する目的で炭酸カルシウムを用いたフィルタについても提案されている（例えば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１５－１３５２７０号公報
【文献】特開２０２０－０７６６９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ここで、特許文献２に記載のフィルタは、メタンガス又はイソブタンを検出するセンサ素子に適用する場合にはこれらガスを通過させると共にシリコーンガスや硫黄系ガスを吸着することから、充分な性能を有する。しかし、特許文献２に記載のフィルタは白金が一酸化炭素や水素を強く吸着してしまう。このため、メタンガス等のみならず一酸化炭素又は水素についても検出したい場合には、充分な性能を有しているとは言い難い。
【0006】
さらに、特許文献２に記載のフィルタは白金を有することから、エタノールから生成される酢酸への対策として炭酸カルシウムを必要としてしまい、構成の複雑化を招いてしまう。
【0007】
本発明はこのような従来の課題を解決するためになされたものであり、その発明の目的とするところは、より簡素な構成で、メタンガス等のみならず一酸化炭素又は水素を検出するに好適なフィルタを有するガスセンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明に係るガスセンサは、メタンガス又はイソブタンガスである第１ガスを検出するための第１センサ、及び、一酸化炭素ガス又は水素ガスである第２ガスを検出するための第２センサを有するセンサ素子と、前記センサ素子が搭載される基台と共に前記センサ素子の外周を覆い、一部に開口部が形成されたケーシングと、前記ケーシングの前記開口部と前記センサ素子との間に設けられたフィルタと、を備え、前記フィルタは、金ナノ粒子と、前記金ナノ粒子を担持した担体とを有し、前記担体は、比表面積が１００ｍ２／ｇ以上であって、担持された金が第２ガスに対して活性を示さない物質で構成されている。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、フィルタは、金ナノ粒子を有するため、金ナノ粒子によって被毒物質であるシリコーンガスや硫黄系ガスを吸着することができる。さらに、担体については担持された金が一酸化炭素ガスや水素ガスに対して活性を示さない物質で構成されているため、金ナノ粒子が一酸化炭素ガスや水素ガスを吸着させることがなく通過させることとなり、これらをセンサ素子にて検出することができる。また、白金を用いる必要がないことから炭酸カルシウム等も必要が無く、構成の複雑化が抑制されている。従って、より簡素な構成で、メタンガス等のみならず一酸化炭素又は水素を検出するに好適なフィルタを有するガスセンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本実施形態に係るガスセンサを含むガス検出装置の概略構成を示す構成図である。
【図2】本実施形態に係るセンサ素子の出力の一例を示すグラフである。
【図5】本実施形態に係るガスセンサが二酸化硫黄ガス（硫黄系ガス）に曝されたときのメタンに対する感度と感度劣化率を示すグラフである。
【図6】本実施形態に係るガスセンサがシロキサン（シリコーンガス）に曝されたときのメタンに対する感度と感度劣化率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本発明を好適な実施形態に沿って説明する。なお、本発明は以下に示す実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す実施形態においては、一部構成の図示や説明を省略している箇所があるが、省略された技術の詳細については、以下に説明する内容と矛盾点が発生しない範囲内において、適宜公知又は周知の技術が適用されていることはいうまでもない。
【0012】
図１は、本実施形態に係るガスセンサ１０を含むガス検出装置１の概略構成を示す構成図である。図１に示すように、ガス検出装置１は、ガスセンサ１０と、ＭＣＵ（MicroControlUnit）２０とを備えている。
【0013】
ガスセンサ１０は、センサ素子１１を含むセンサ回路１２を備えている。センサ素子１１は、検出対象ガスが触媒にて燃焼することにより出力が変化するものである。燃焼量は検出対象ガスの濃度によって変化するため、センサ素子１１は検出対象ガスの濃度に応じた信号を出力するものとして機能する。本実施形態においてセンサ素子１１は、メタンガス又はイソブタンガスである第１ガスを検出するための第１センサ１１ａと、一酸化炭素ガス又は水素ガスである第２ガスを検出する第２センサ１１ｂとを備えている。
【0014】
第１センサ１１ａ及び第２センサ１１ｂは、ビーズ状の担体にコイルが埋め込まれ触媒が担体に担持されたビーズタイプのもの、基板上にヒーターがパターニングされ触媒が担持されたマイクロセンサタイプのもの等が該当する。以下、本実施形態ではマイクロセンサタイプのものを想定して説明するが、第１センサ１１ａ及び第２センサ１１ｂはマイクロセンサタイプのものに限られるわけではない。
【0015】
第１センサ１１ａは、第１のヒーター１１１ａと、第１の担体１１２ａと、第１の触媒１１３ａとを備えている。第１のヒーター１１１ａは基板上に形成された白金（Ｐｔ）等のパターンによって構成されている。第１の担体１１２ａは、第１のヒーター１１１ａを覆うものである。第１の担体１１２ａの材料としては、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等が挙げられる。
【0016】
第１の触媒１１３ａは、第１の担体１１２ａに担持された触媒であり、検出対象の第１ガスが化学吸着又は物理吸着する特性を示す触媒である。本実施形態において第１の触媒１１３ａは白金である。
【0017】
第２センサ１１ｂは、第２のヒーター１１１ｂと、第２の担体１１２ｂと、第２の触媒１１３ｂとを備えている。第２のヒーター１１１ｂは基板上に形成された白金等のパターンによって構成されている。第２の担体１１２ｂは、第２のヒーター１１１ｂを覆うものである。第２の担体１１２ｂの材料としては、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素等が挙げられる。
【0018】
第２の触媒１１３ｂは、第２の担体１１２ｂに担持された触媒であり、検出対象の第２ガスが接触燃焼特性を示す触媒である。本実施形態では、第２の触媒１１３ｂは、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、又は、金（Ａｕ）である。
【0019】
センサ回路１２は、第１センサ１１ａ、第２センサ１１ｂ及び２つの固定抵抗Ｒ１，Ｒ２を有してブリッジ回路を構成している。詳細に説明すると、第１センサ１１ａ（第１のヒーター１１１ａのコイル）の一端は接続点Ａにつながっている。接続点ＡはＶＨ端子に接続されている。ＶＨ端子は電源に接続されると共に、後述するヒーター駆動回路２１に接続され、ヒーター駆動回路２１によって電源と接続点Ａが導通されたり遮断されたりする。
【0020】
第１センサ１１ａの他端は第２センサ１１ｂ（第２のヒーター１１１ｂのコイル）の一端に接続されている。第２センサ１１ｂの他端は、接続点Ｂにつながっている。接続点Ｂはグランド接続されている。
【0021】
接続点Ａは、第１固定抵抗Ｒ１の一端に接続されている。第１固定抵抗Ｒ１の他端は第２固定抵抗Ｒ２の一端に接続され、第２固定抵抗Ｒ２の他端は接続点Ｂにつながっている。また、第１固定抵抗Ｒ１と第２固定抵抗Ｒ２との間には、可変抵抗Ｒ３が介装されている。
【0022】
ＭＣＵ２０は、ヒーター駆動回路２１と、出力検出部２２と、濃度判断部２３とを備えている。ヒーター駆動回路２１は、接続点Ａと電源とを導通させたり遮断させたりするものである。特に、ヒーター駆動回路２１は、接続点Ａと電源とについて導通状態と遮断状態とを繰り返すことにより、第１及び第２センサ１１ａ，１１ｂ（センサ素子１１）を間欠的に加熱（駆動）することとなる。
【0023】
出力検出部２２は、センサ素子１１の出力を検出するものである。出力検出部２２は、第１端子２２ａが第１センサ１１ａと第２センサ１１ｂとの間に接続され、第２端子２２ｂが可変抵抗Ｒ３に接続されている。出力検出部２２は、このように接続される端子２２ａ，２２ｂの電位差を出力として検出することとなる。
【0024】
図２は、本実施形態に係るセンサ素子１１の出力の一例を示すグラフである。なお、図２においては第１ガスがメタンガスであり、第２ガスが一酸化炭素ガスである例を説明する。また、図２においては、時刻０から時刻１００ｍｓｅｃにおいてセンサ素子１１が加熱されているものとし、時刻０より前、及び、時刻１００ｍｓｅｃよりも後の期間においてはセンサ素子１１が加熱されていないものとする。
【0025】
図２に示すように、第２ガスである一酸化炭素ガスはセンサ素子１１が加熱されると比較的直後に燃焼して時刻ｔ２（第２時刻）で高い感度を示す。ここで、第２センサ１１ｂは、ヒーター駆動回路２１により加熱されていない期間（時刻０より前）において一酸化炭素ガスを吸着する。このため、第２センサ１１ｂが加熱されると、吸着した一酸化炭素ガスが一気に燃焼することとなり、加熱開始直後の時刻ｔ２において高い感度を示す。センサ素子１１は、この時刻ｔ２の信号を第１ガスの濃度信号として出力することとなる。
【0026】
一方、第１センサ１１ａは、ヒーター駆動回路２１により加熱されていない期間においてメタンガスを吸着しない。このため、第１センサ１１ａは、ヒーター駆動回路２１による加熱開始直後において特段高い感度を示すわけではなく、例えば加熱さえてからある程度の時間が経過した時刻ｔ１（第１時刻）において高い感度を示す。センサ素子１１は、この時刻ｔ１の信号を第２ガスの濃度信号として出力することとなる。
【0027】
再度図１を参照する。濃度判断部２３は、センサ素子１１から濃度信号それぞれ、すなわち出力検出部２２により検出されたセンサ出力それぞれに基づいて、第１及び第２ガスの濃度を判断するものである。上記したようにセンサ素子１１から出力される濃度信号は、第１ガスの濃度及び第２ガスの濃度を反映したものとなる。よって、濃度判断部２３は、出力検出部２２により検出されたセンサ出力に基づいて、第１及び第２ガスの濃度を判断する。
【0028】
さらに、ＭＣＵ２０は、濃度判断部２３により判断された濃度が異常濃度であるかを判断する異常判断部や、異常判断部により異常濃度であると判断した場合に音声や表示により警報を行う警報部を備えていてもよい。
【0029】
【0030】
基台１３は、センサ素子１１を搭載する板状部材である。ケーシング１４は、基台１３と共にセンサ素子１１の外周を覆うものであって、基台１３と対向する天板（一部）１４ａに開口部１４ｂが形成されたものである。開口部１４ｂは、１又は複数の通気孔を有して構成されている。また、ケーシング１４は、開口部１４ｃが形成された指示板１４ｄを有しており、天板１４ａと指示板１４ｄとでフィルタ１５を挟み込んでフィルタ１５を保持する。
【0031】
フィルタ１５は、ケーシング１４の開口部１４ｂとセンサ素子１１との間に設けられ、センサ素子１１の被毒対象となるシリコーンガス及び硫黄系ガスの双方を吸着するものである。このフィルタ１５は、第１～第３フィルタ１５ａ～１５ｃを有している。
【0032】
図４は、図３に示した第１フィルタ１５ａの詳細を示す模式図である。第１フィルタ１５ａは、金ナノ粒子１５ａ１と、金ナノ粒子１５ａ１を担持した担体１５ａ２とを有して構成されている。さらに、担体１５ａ２は、比表面積が１００ｍ２／ｇ以上であって、担持された金が一酸化炭素ガスや水素ガスに対して活性を示さない物質（２０℃以上２５℃以下の常温で活性を示さない物質）によって構成されている。具体的に担体１５ａ２は、酸化アルミニウム、シリカ（ＳｉＯ２）、及び、カーボン（Ｃ）等によって構成されている。
【0033】
ここで、金は、シリコーンガス及び硫黄系ガスの双方を吸着する。しかも、担体１５ａ２は比表面積が１００ｍ２／ｇ以上であることから金ナノ粒子１５ａ１が担持される面積を広くすることとなる。よって、本実施形態に係る第１フィルタ１５ａは、シリコーンガス及び硫黄系ガスの双方を好適に吸着させることができる。
【0034】
また、担体１５ａ２は金が一酸化炭素ガスや水素ガスに対して活性を示さない物質によって構成されている。このため、第１フィルタ１５ａは、金ナノ粒子１５ａ１が第１ガスを吸着しないようにすることができ、第１ガスを通過させることができる。
【0035】
第２及び第３フィルタ１５ｂ，１５ｃは、第１フィルタ１５ａに積層されて設けられた活性炭のフィルタ部材である（図３参照）。これら第２及び第３フィルタ１５ｂ，１５ｃは、活性炭によって構成されている。このうち第２フィルタ１５ｂは、第１フィルタ１５ａよりも開口部１４ｂ側に設けられている。第３フィルタ１５ｃは、第１フィルタ１５ａよりもセンサ素子１１側に設けられている。
【0036】
ここで、第１フィルタ１５ａの金ナノ粒子１５ａについては、シリコーンガスや硫黄系ガスを吸着したまま保持し易い傾向にある。このため、第１フィルタ１５ａについては長期使用によって被毒物質の吸着機能の低下を招きやすくなってしまう。
【0037】
しかし、本実施形態においては第１フィルタ１５ａよりも開口部１４ｂ側に活性炭にて構成される第２フィルタ１５ｂが設けられていることから、（特に高温高湿でない環境下において）開口部１４ｂから侵入したシリコーンガスや硫黄系ガスを第２フィルタ１５ｂにより吸着させることができる。よって、第２フィルタ１５ｂによって第１フィルタ１５ａの吸着機能低下を抑制することができる。しかも、第２フィルタ１５ｂの素材である活性炭は、金に比べると一度吸着したシリコーンガスや硫黄系ガスを時間経過に伴い放出する傾向があり、吸着機能を回復するものとなっている。よって、第２フィルタ１５ｂが吸着したシリコーンガス等を時間経過に伴って再度開口部１４ｂから放出することから、抑制効果を長期に亘って発揮させることも可能である。
【0038】
なお、本実施形態に係るフィルタ１５は第３フィルタ１５ｃについても備えている。このため、第１フィルタ１５ａのシリコーンガス等の吸着機能が低下してしまい、且つ、第２フィルタ１５ｂについてもシリコーンガス等の吸着後に放出があまり行われていない段階においては、第３フィルタ１５ｃによってシリコーンガス等を吸着することができる。
【0039】
図５は、本実施形態に係るガスセンサ１０が二酸化硫黄ガス（硫黄系ガス）に曝されたときのメタンに対する感度と感度劣化率を示すグラフであり、図６は、本実施形態に係るガスセンサ１０がシロキサン（シリコーンガス）に曝されたときのメタンに対する感度と感度劣化率を示すグラフである。なお、図５及び図６においては双方共に高温高湿環境（４０℃，８５％ＲＨ）とし、担体１５ａ２であるシリカに対して１ｗｔ％の金ナノ粒子１５ａ１を担持したものを第１フィルタ１５ａとして用いた。さらに、図５及び図６においては、第１フィルタ１５ａに代えて比較対象のフィルタを用いたときの感度と感度変化率についても示した。比較対象のフィルタは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）に対して１５ｗｔ％の白金を担持したものとした。
【0040】
【0041】
図５に示すように、本実施形態に係るガスセンサ１０を１０００ｐｐｍの二酸化硫黄ガスに曝した場合、経過日数が０日から２２日迄の期間の全てにおいて３０００ｐｐｍのメタンガスに対して約６～７ｍＶの信号が出力されている。一方、比較対象のフィルタを備えるガスセンサに対して１０００ｐｐｍの二酸化硫黄ガスに曝した場合も同様に、経過日数が０日から２２日迄の期間の全てにおいて３０００ｐｐｍのメタンガスに対して６～７ｍＶの信号が出力されている。
【0042】
また、経過日数が０日から２２日迄の期間における感度の劣化率に関しても、本実施形態と比較対象のフィルタとの双方で－２０％を下回ることがなく、同様の劣化率を示している。
【0043】
よって、本実施形態に係るガスセンサ１０は、二酸化硫黄ガス（硫黄系ガス）に対して、比較対象のフィルタ（特許文献１，２と同様のフィルタ）と同等の吸着性能を示しているといえる。
【0044】
また、図６に示すように、本実施形態に係るガスセンサ１０をＤ４が６．５ｐｐｍでＤ５が１．３ｐｐｍのシロキサンガスに曝した場合、経過日数が０日から３９日迄の期間の全てにおいて３０００ｐｐｍのメタンガスに対して約６～７ｍＶの信号が出力されている。一方、比較対象のフィルタを備えるガスセンサに対してＤ４が６．５ｐｐｍでＤ５が１．３ｐｐｍのシロキサンガスに曝した場合、経過日数が０日から３９日迄の期間の全てにおいて３０００ｐｐｍのメタンガスに対して約６～８ｍＶの信号が出力されている。
【0045】
本実施形態と比較対象のフィルタとで経過日数が０日から３９日迄の期間における感度の劣化率を比較すると、本実施形態では－２０％を下回ることがないのに対して、比較対象のフィルタでは－２０％を下回る期間も存在している。
【0046】
よって、本実施形態に係るガスセンサ１０は、シロキサンガス（シリコーンガス）に対して、比較対象のフィルタ（特許文献１，２と同様のフィルタ）よりも優れた吸着性能を示しているといえる。
【0047】
よって、本実施形態に係るガスセンサ１０のフィルタ１５（特に第１フィルタ１５ａ）は比較対象のフィルタよりも優れた吸着性能を有し、且つ、上記したように一酸化炭素ガスや水素ガスである第２ガスを吸着しないことから、メタンやイソブタンである第１ガスのみならず第２ガスについても検出したい場合に有用であることがわかった。
【0048】
このようにして、本実施形態に係るガスセンサ１０によれば、第１フィルタ１５ａは、金ナノ粒子１５ａ１を有するため、金ナノ粒子１５ａ１によって被毒物質であるシリコーンガスや硫黄系ガスを吸着することができる。さらに、担体１５ａ２については担持された金が一酸化炭素ガスや水素ガスに対して活性を示さない物質で構成されているため、金ナノ粒子１５ａ１が一酸化炭素ガスや水素ガスを吸着させることがなく通過させることとなり、これらガスをセンサ素子１１にて検出することができる。また、白金を用いる必要がないことから炭酸カルシウム等も必要が無く、構成の複雑化が抑制されている。従って、より簡素な構成で、メタンガス等のみならず一酸化炭素又は水素を検出するに好適なフィルタ１５ａを有するガスセンサ１０を提供することができる。
【0049】
また、第１フィルタ１５ａよりも開口部１４ｂ側に設けられ活性炭を含む第２フィルタ１５ｂを有するため、シリコーンガスや硫黄系ガスについては、金ナノ粒子１５ａ１に吸着するのに先立って、まず活性炭に吸着する。特に、金ナノ粒子１５ａ１はシリコーンガスや硫黄系ガスを吸着したまま長時間捕捉状態となるが、活性炭については一度吸着したシリコーンガスや硫黄系ガスを時間経過に伴って放出していく傾向があり、開口部１４ｂを通じでシリコーンガスや硫黄系ガスを放出することができる。結果として、第１フィルタ１５ａの長寿命化に寄与することができる。
【0050】
また、センサ素子１１が加熱時間中の時刻ｔ１の信号を第１ガスの濃度信号として出力し、時刻ｔ２の信号を第２ガスの濃度信号として出力するものであるため、１つのセンサ素子１１によって２種類のガスに対して感度を有することとなり、ガスセンサ１０の小型化等に寄与することができる。
【0051】
以上、上記実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えてもよいし、適宜公知や周知の技術を組み合わせてもよい。
【0052】
上記実施形態においてフィルタ１５は第１～第３フィルタ１５ａ～１５ｃによって構成されているが、これに限らず、第１フィルタ１５ａのみによって構成されていてもよいし、第１ガス及び第２ガスを吸着しなければ他のフィルタが追加されていてもよい。
【0053】
さらに、本実施形態に係るセンサ素子１１は、第１センサ１１ａと第２センサ１１ｂとの双方を有したブリッジ回路を含んで単一のセンサとして構成されているが、特にこれに限らず、ブリッジ回路にて構成されていなくともよいし、更には第１センサ１１ａと参照素子とを含む第１ブリッジ回路と、第２センサ１１ｂと参照素子とを含む第２ブリッジ回路との２つのブリッジ回路を有していてもよい（第１センサ１１ａと第２センサ１１ｂとは別々のセンサであってもよい）。
【0054】
また、上記実施形態において第２及び第３フィルタ１５ｂ，１５ｃは活性炭のフィルタであるが、特にこれに限らず、活性白土、メソ多孔シリカ、アルミナ及びゼオライトの少なくとも１つによって構成されていてもよい。
【符号の説明】
【0055】
１ ：ガス検出装置
１０ ：ガスセンサ
１１ ：センサ素子
１１ａ ：第１センサ
１１ｂ ：第２センサ
１２ ：センサ回路
１３ ：基台
１４ ：ケーシング
１４ａ ：天板
１４ｂ ：開口部
１４ｃ ：開口部
１４ｄ ：指示板
１５ ：フィルタ
１５ａ ：第１フィルタ
１５ａ１ ：金ナノ粒子
１５ａ２ ：担体
１５ｂ ：第２フィルタ
１５ｃ ：第３フィルタ
２０ ：ＭＣＵ
２１ ：ヒーター駆動回路
２２ ：出力検出部
２２ａ ：第１端子
２２ｂ ：第２端子
２３ ：濃度判断部
１１１ａ ：第１のヒーター
１１１ｂ ：第２のヒーター
１１２ａ ：第１の担体
１１２ｂ ：第２の担体
１１３ａ ：第１の触媒
１１３ｂ ：第２の触媒
Ａ ：接続点
Ｂ ：接続点
Ｒ１ ：第１固定抵抗
Ｒ２ ：第２固定抵抗
Ｒ３ ：可変抵抗
ｔ１ ：時刻（第１時刻）
ｔ２ ：時刻（第２時刻）
１０ ：ガスセンサ
１１ ：センサ素子
１１ａ ：第１センサ
１１ｂ ：第２センサ
１２ ：センサ回路
１３ ：基台
１４ ：ケーシング
１４ａ ：天板
１４ｂ ：開口部
１４ｃ ：開口部
１４ｄ ：指示板
１５ ：フィルタ
１５ａ ：第１フィルタ
１５ａ１ ：金ナノ粒子
１５ａ２ ：担体
１５ｂ ：第２フィルタ
１５ｃ ：第３フィルタ
２０ ：ＭＣＵ
２１ ：ヒーター駆動回路
２２ ：出力検出部
２２ａ ：第１端子
２２ｂ ：第２端子
２３ ：濃度判断部
１１１ａ ：第１のヒーター
１１１ｂ ：第２のヒーター
１１２ａ ：第１の担体
１１２ｂ ：第２の担体
１１３ａ ：第１の触媒
１１３ｂ ：第２の触媒
Ａ ：接続点
Ｂ ：接続点
Ｒ１ ：第１固定抵抗
Ｒ２ ：第２固定抵抗
Ｒ３ ：可変抵抗
ｔ１ ：時刻（第１時刻）
ｔ２ ：時刻（第２時刻）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】