特許 7562630 表示パネル及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-27

(45)【発行日】2024-10-07

(54)【発明の名称】表示パネル及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/844 20230101AFI20240930BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20240930BHJP

   H10K 59/35 20230101ALI20240930BHJP

   H10K 59/124 20230101ALI20240930BHJP

   H10K 50/17 20230101ALI20240930BHJP

   H10K 50/16 20230101ALI20240930BHJP

   H10K 71/20 20230101ALI20240930BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240930BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240930BHJP

【ＦＩ】

H10K50/844

H10K59/122

H10K59/35

H10K59/124

H10K50/17

H10K50/16

H10K71/20

G09F9/30 349Z

G09F9/30 338

G09F9/00 338

G09F9/30 365

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2022500693

(86)(22)【出願日】2021-12-30

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2024-01-29

(86)【国際出願番号】 CN2021143021

(87)【国際公開番号】W WO2023123197

(87)【国際公開日】2023-07-06

【審査請求日】2022-03-07

(31)【優先権主張番号】202111621633.0

(32)【優先日】2021-12-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】519182202

【氏名又は名称】深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】110002468

【氏名又は名称】弁理士法人後藤特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】曹 蔚然

(72)【発明者】

【氏名】李 雲霞

【審査官】桂城 厚

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０２１／００６６４１７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１７－０７９１６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１１０８６７４６５（ＣＮ，Ａ）

【文献】特開２００６－００４７８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２０／２０２２９３（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｋ ５０／００－９９／００

Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
第１貫通孔が貫通されるように前記基板に設けられる画素定義層と、
前記第１貫通孔に設けられる発光層と、を含み、
前記発光層と前記画素定義層との間には、仕切層が設けられ、
前記仕切層は、金属層を含み、
表示パネルは、表示領域と、前記表示領域を取り囲む非表示領域が設けられ、
前記仕切層は、前記金属層の前記表示領域から離れる端部に位置するように前記金属層の前記基板から離れる一面に設けられる絶縁の酸化層をさらに含み、
前記表示パネルは、上電極と、電子機能層と、をさらに含み、
前記電子機能層は、前記発光層及び前記金属層に設けられ、
前記上電極は、前記表示領域から離れる端部が前記酸化層に接続されるように前記電子機能層及び前記酸化層に設けられる、
表示パネル。

【請求項2】

前記酸化層の材料は、前記金属層の材料の金属酸化物であり、
前記金属層と前記酸化層とは、一体成形される、
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

前記仕切層は、前記画素定義層を被覆し、かつ前記第１貫通孔を充填する、
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項4】

前記仕切層には、隣接する前記発光層の間に位置し、前記仕切層を貫通する第１孔部が形成され、
前記第１孔部が、前記仕切層を貫通することによりパッシベーション層を露出させ、前記画素の１周にわたって前記仕切層を分断する、
請求項３に記載の表示パネル。

【請求項5】

前記基板に設けられるトランジスタ層と、前記トランジスタ層に設けられ、前記画素定義層が設けられる平坦層と、自己修復層と、をさらに含み、表示領域と、前記表示領域を取り囲む非表示領域が設けられ、
前記画素定義層には、前記表示領域及び前記非表示領域のうちの少なくとも１つに位置し、前記第１貫通孔と間隔を空けて形成され、前記第１孔部と連通し、前記画素定義層及び前記平坦層を貫通することにより、前記トランジスタ層を露出させる第２貫通孔がさらに設けられ、
前記仕切層は、前記第２貫通孔に延在して前記トランジスタ層と接触し、
前記自己修復層は、前記第２貫通孔に延在して前記トランジスタ層と接触するように前記仕切層に設けられ、
前記自己修復層が、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）自己修復剤系高分子材料を含む、
請求項４に記載の表示パネル。

【請求項6】

前記仕切層は、前記第１貫通孔の側壁を被覆する、
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項7】

前記基板に設けられ、前記画素定義層が設けられるトランジスタ層と、
前記トランジスタ層内又は前記仕切層に設けられる自己修復層と、をさらに含む、
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項8】

前記自己修復層は、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）自己修復剤系高分子材料を含む、
請求項７に記載の表示パネル。

【請求項9】

前記自己修復層は、脂肪族アミン、メルカプタン、三フッ化ホウ素、ポリチオール－ペンタエリスリトールテトラメルカプトプロピオネート、ベンジルジメチルアミン、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）及び金属ルテニウム基（Ｇｒｕｂｂｓ）のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む硬化剤をさらに含む、
請求項８に記載の表示パネル。

【請求項10】

前記自己修復層の前記基板から離れる表面は、疎水性表面である、
請求項８に記載の表示パネル。

【請求項11】

自己修復材料を１００質量部とした場合に、疎水性材料が１～５質量部である、
請求項１０に記載の表示パネル。

【請求項12】

トランジスタ層及び自己修復層をさらに含み、
前記トランジスタ層及び前記自己修復層は、順に前記基板に積層して設けられる、
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項13】

トランジスタ層及び自己修復層をさらに含み、
前記トランジスタ層、前記自己修復層及び前記画素定義層は、順に前記基板に積層して設けられる、
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項14】

基板を提供するステップと、
第１貫通孔が貫通されるように形成される画素定義層を前記基板に形成するステップと、
仕切層を前記第１貫通孔の側壁に位置させるように前記画素定義層に形成するステップと、
発光層を前記第１貫通孔に設け、仕切層を、前記発光層と前記画素定義層との間に位置させるステップと、を含み、
表示パネルは、表示領域と、前記表示領域を取り囲む非表示領域が設けられ、
前記仕切層を前記第１貫通孔の側壁に位置させるように前記画素定義層に形成するステップは、
前記画素定義層に金属を設け、前記金属に対してパターン化処理を行うことにより、前記第１貫通孔の側壁に位置する前記仕切層の金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記表示領域から離れる一側に位置する前記金属層の端部であって、前記基板から離れる前記金属層の端部の表面に対して、酸化処理を行うことにより、絶縁の酸化層を形成するステップと、を含み、
前記第１貫通孔内に前記発光層を設けるステップを実行した後、前記発光層及び前記画素定義層に電子機能層を設けるステップと、
上電極を、前記上電極の端部が前記上電極の前記表示領域から離れる一側に位置し、前記酸化層に接続されるように前記電子機能層及び前記酸化層に設けるステップと、を含む、
表示パネルの製造方法。

【請求項15】

前記酸化層の材料は、前記金属層の材料の金属酸化物である、
請求項１４に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項16】

前記仕切層を前記第１貫通孔の側壁に位置させるように前記画素定義層に形成するステップは、
前記画素定義層に金属を設け、前記金属に対してパターン化処理を行うことにより、前記第１貫通孔の側壁に位置する前記仕切層の金属層を形成するステップと、
絶縁の酸化層を前記金属層に設けるステップと、を含み、
前記金属層の材料は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、ニッケル、鉛、銀、銅及び鉄のうちの一つ又は複数の組み合わせを含み、
前記酸化層の材料は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、二酸化スズ、酸化鉛、酸化鉄、酸化銀及び酸化銅のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む、
請求項１４に記載の表示パネルの製造方法。

【請求項17】

前記仕切層を前記画素定義層に形成するステップを実行した後、
自己修復層を前記仕切層に形成するステップをさらに含む、
請求項１４に記載の表示パネルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、表示の技術分野に関し、具体的には、表示パネル及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

現在、画素定義層（Ｂａｎｋ）は、一般的に、一定の温度又は圧力などの環境要因の作用下で水及び酸素などのガスを放出する有機材料である。図１に示すように、従来の装置構造において、発光層は、一般的にｂａｎｋと直接的に接触し、ｂａｎｋから放出された水及び酸素などのガスは、発光層に直接的に入ることができ、発光材料と反応した後、発光層が故障になるという問題を招くので、画素の収縮を引き起こす。画素の収縮の主な表現は、画素の周辺が暗くなり、深刻な場合に、画面の色ずれ、暗点などの欠陥が発生することであり、製品の歩留まり及び耐用年数に影響を与える。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本願の実施例は、従来技術において画素定義層における水及び酸素などのガスが発光層に入るため、発光層が故障になるという問題を解決する表示パネル及びその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本願によれば、
基板と、
第１貫通孔が貫通されるように前記基板に設けられる画素定義層と、
前記第１貫通孔に設けられる発光層と、を含み、前記発光層と前記画素定義層との間に仕切層が設けられる表示パネルが提供される。

【0005】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記仕切層は、金属層を含む。

【0006】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記表示パネルは、表示領域と、前記表示領域を取り囲む非表示領域が設けられ、前記仕切層は、前記金属層の前記表示領域から離れる端部に位置するように前記金属層の前記基板から離れる一面に設けられる絶縁の酸化層をさらに含み、前記表示パネルは、上電極と、電子機能層と、をさらに含み、前記電子機能層は、前記発光層及び前記金属層に設けられ、前記上電極は、前記表示領域から離れる端部が前記酸化層に接続されるように前記電子機能層及び前記酸化層に設けられる。

【0007】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記酸化層の材料は、前記金属層の材料の金属酸化物であり、前記金属層と前記酸化層とは、一体成形される。

【0008】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記仕切層は、前記画素定義層を被覆し、かつ前記第１貫通孔を充填する。

【0009】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記仕切層には、隣接する前記発光層の間に位置し、前記仕切層を貫通する第１ビアホールが形成される。

【0010】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記基板に設けられるトランジスタ層と、前記トランジスタ層に設けられ、前記画素定義層が設けられる平坦層と、自己修復層と、をさらに含み、表示領域と、前記表示領域を取り囲む非表示領域が設けられ、前記画素定義層には、前記表示領域及び前記非表示領域のうちの少なくとも１つに位置し、前記第１貫通孔と間隔を空けて形成され、前記第１ビアホールと連通し、前記画素定義層及び前記平坦層を貫通することにより、前記トランジスタ層を露出させる第２貫通孔がさらに設けられ、前記仕切層は、前記第２貫通孔に延在して前記トランジスタ層と接触し、前記自己修復層は、前記第２貫通孔に延在して前記トランジスタ層と接触するように前記仕切層に設けられる。

【0011】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記仕切層は、前記第１貫通孔の側壁を被覆する。

【0012】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記基板に設けられ、前記画素定義層が設けられるトランジスタ層と、前記トランジスタ層内又は前記仕切層に設けられる自己修復層と、をさらに含む。

【0013】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記自己修復層は、マイクロカプセル自己修復高分子材料、中空繊維自己修復高分子材料、ナノ粒子自己修復高分子材料及びマイクロチューブ自己修復高分子材料のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む自己修復材料を含む。

【0014】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記自己修復層は、脂肪族アミン、メルカプタン、三フッ化ホウ素、ポリチオール－ペンタエリスリトールテトラメルカプトプロピオネート、ベンジルジメチルアミン、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）及び金属ルテニウム基（Ｇｒｕｂｂｓ）のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む硬化剤をさらに含む。

【0015】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記自己修復層の前記基板から離れる表面は、疎水性表面である。

【0016】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記疎水性表面の材料は、前記自己修復材料との質量比が１～５％：１である疎水性材料である。

【0017】

好ましくは、本願の他の実施例において、トランジスタ層及び自己修復層をさらに含み、前記トランジスタ層及び前記自己修復層は、順に前記基板に積層して設けられる。

【0018】

好ましくは、本願の他の実施例において、トランジスタ層及び自己修復層をさらに含み、前記トランジスタ層、前記自己修復層及び前記画素定義層は、順に前記基板に積層して設けられる。

【0019】

それに対応して、本願によれば、
基板を提供するステップと、
第１貫通孔が貫通されることにより前記基板を露出させるように形成される画素定義層を前記基板に形成するステップと、
仕切層を前記第１貫通孔の側壁に位置させるように前記画素定義層に形成するステップと、
発光層を前記第１貫通孔に設け、仕切層を、前記発光層と前記画素定義層との間に位置させるステップと、を含む、表示パネルの製造方法が提供される。

【0020】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記表示パネルは、表示領域と、前記表示領域を取り囲む非表示領域が設けられ、前記仕切層を前記画素定義層に形成するステップは、
前記画素定義層に金属を設け、前記金属に対してパターン化処理を行うことにより、前記第１貫通孔の側壁に位置する前記仕切層の金属層を形成するステップと、
前記金属層の前記表示領域から離れる一側に位置する前記金属層の端部であって、前記基板から離れる前記金属層の端部の表面に対して、酸化処理を行うことにより、絶縁の酸化層を形成し、前記金属層の端部の上表面に絶縁の酸化層を形成するステップと、を含み、
前記第１貫通孔に前記発光層を設けるステップを実行した後、
前記発光層及び前記画素定義層に電子機能層を設けるステップと、
上電極を、前記上電極の端部が前記上電極の前記表示領域から離れる一側に位置し、前記酸化層に接続されるように前記電子機能層及び前記酸化層に設けるステップと、を含む。

【0021】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記酸化層の材料は、前記金属層の材料の金属酸化物である。

【0022】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記仕切層を前記第１貫通孔の側壁に位置させるように前記画素定義層に形成するステップは、
前記画素定義層に金属を設け、前記金属に対してパターン化処理を行うことにより、前記第１貫通孔の側壁に位置する前記仕切層の金属層を形成するステップと、
絶縁の酸化層を前記金属層に設けるステップと、を含み、
前記金属層の材料は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、ニッケル、鉛、銀、銅及び鉄のうちの一つ又は複数の組み合わせを含み、前記酸化層の材料は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、二酸化スズ、酸化鉛、酸化鉄、酸化銀及び酸化銅のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。

【0023】

好ましくは、本願の他の実施例において、前記仕切層を前記画素定義層に形成するステップを実行した後、
自己修復層を前記仕切層に形成するステップをさらに含む。

【発明の効果】

【0024】

本願は、表示パネル及びその製造方法を開示し、表示パネルは、基板と、第１貫通孔が貫通されるように基板に設けられる画素定義層と、第１貫通孔に設けられる発光層と、を含み、発光層と画素定義層との間に仕切層が設けられる。本願によれば、発光層と画素定義層との間に仕切層が設けられ、画素定義層における水及び酸素が発光層に入ることを回避し、さらに発光層が故障になることを回避することにより、画素の周辺が暗くなるか又は画素が収縮するという問題を回避し、表示パネルの性能を向上させる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

本願の実施例の技術手段をより明確に説明するために、以下、実施例の説明に必要な図面を簡単に説明し、明らかに、以下に説明される図面は、本願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者であれば、創造的な労働をしない前提で、これらの図面に基づいて他の図面を得ることができる。

【0026】

【図1】従来技術に係る表示パネルにおける発光層の電子顕微鏡概略図である。

【図2】本願の実施例に係る表示パネルの平面概略図である。

【図3】図２に示される表示パネルのＡ－Ｂ線に沿った断面概略図である。

【図4】本願の実施例に係る自己修復層が膜層のクラックを修復する原理概略図である。

【図5】本願の実施例に係る表示パネルの製造方法のフローチャートである。

【図6】本願の実施例に係る表示パネルの製造方法のステップ概略図である。

【図7】本願の実施例に係る表示パネルの製造方法のステップ概略図である。

【図8】本願の実施例に係る表示パネルの製造方法のステップ概略図である。

【図9】本願の実施例に係る表示パネルの製造方法のステップ概略図である。

【図10】本願の実施例に係る表示パネルの製造方法のステップ概略図である。

【図11】本願の実施例に係る表示パネルの製造方法のステップ概略図である。

【図12】本願の実施例に係る表示パネルの製造方法のステップ概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

以下、本願の実施例における図面を参照しながら、本願の実施例における技術手段を明確かつ完全的に説明し、明らかに、説明される実施例は、本願の実施例の一部に過ぎず、全ての実施例ではない。本願における実施例に基づいて、当業者が創造的な労働をしない前提で得られる全ての他の実施例は、いずれも本願の保護範囲に属するものである。また、ここで記述される具体的な実施形態は、本願を説明して解釈するためのものに過ぎず、本願を限定するものではないことを理解されたい。本願において、逆に説明しない場合、使用される「上」、「下」などの方位詞は、一般的には、装置の実際使用又は動作状態での上と下を意味し、具体的には図面における図の方向であり、「内」及び「外」は、装置の輪郭に関するものである。本願において、「反応」は、化学反応であってもよいし、物理反応であってもよい。

【0028】

本願の実施例によれば、表示パネル及びその製造方法が提供される。表示パネルは、基板、画素定義層、発光層及び仕切層を含む。画素定義層は、第１貫通孔が貫通されるように前記基板に設けられ、発光層は、第１貫通孔に設けられ、発光層と画素定義層との間には、仕切層が設けられる。

【0029】

本願において、発光層と画素定義層との間に仕切層と設けることにより、画素定義層における水及び酸素などのガスが発光層に入ることを回避することができ、さらに発光層が水及び酸素の侵食により故障になることを防止することにより、画素が収縮するという問題の発生を回避し、表示パネルの性能を向上させる。

【0030】

以下、それぞれ詳細に説明する。

【0031】

図２及び図３に示すように、本願は、表示パネル１０を提供する。表示パネル１０は、順に積層して設けられる基板１００、トランジスタ層２００、平坦層３００、下電極４００、画素定義層５００、仕切層６００、発光層７００、自己修復層８００、電子機能層９００、上電極１０００及び封止層１１００を含む。表示パネル１０は、表示領域１１と、表示領域１１を取り囲む非表示領域１２が設けられる。

【0032】

トランジスタ層２００の数は複数である。各トランジスタ層２００は、基板１００に間隔を空けて設けられる。具体的には、各トランジスタ層２００は、いずれも遮光層２１０、緩衝層２２０、活性層２３０、絶縁層２４０、ゲート２５０、層間誘電体層２６０、接続部２７０、ソース２８０、ドレイン２９０及びパッシベーション層２９９を含む。遮光層２１０は、前記基板１００に設けられる。遮光層２１０は、間隔を空けて設けられる遮光部２１０ａと金属部２１０ｂを含む。遮光層２１０は、外部光線を遮断して、光線の活性層２３０への影響を回避し、さらにトランジスタの性能を向上させる。金属部２１０ｂは、コンデンサの第１極板の一部である。緩衝層２２０は、遮光層２１０及び基板１００を被覆する。活性層２３０は、緩衝層２２０に設けられる。活性層２３０は、互いに間隔を空けて設けられる活性部２３０ａと導通部２３０ｂを含む。活性部２３０ａは、遮光部２１０ａの上方に位置する。導通部２３０ｂは、金属部２１０ｂの上方に位置し、活性部２３０ａは、半導体部と、半導体部の両側に設けられる導体部と、を含む。導通部２３０ｂは、コンデンサの第２極板である。絶縁層２４０は、活性部２３０ａに設けられ、半導体部上に位置する。ゲート２５０は、絶縁層２４０に設けられる。層間誘電体層２６０は、活性層２３０、絶縁層２４０及びゲート２５０を被覆する。ソース２８０、ドレイン２９０及び接続部２７０は、同層かつ間隔を空けて層間誘電体層２６０に設けられ、接続部２７０は、導通部２３０ｂの上方に位置し、接続孔に延在して金属部２１０ｂに接続される。ソース２８０は、他の接続孔に延在して一方の導体部に接続される。ドレイン２９０は、さらに他の接続孔に延在して他方の導体部に接続される。接続部２７０は、蓄積コンデンサの第１極板の一部である。パッシベーション層２９９は、緩衝層２２０、接続部２７０、ソース２８０及びドレイン２９０を被覆する。

【0033】

本願において、金属部２１０ｂ及び接続部２７０は、コンデンサの第１極板を構成することにより、第１極板と第２極板との重なり面積を増大させ、蓄積コンデンサの容量値を向上させ、表示パネル１０の性能を向上させる。

【0034】

平坦層３００は、パッシベーション層２９９に設けられる。平坦層３００に接続孔が設けられ、平坦層３００の接続孔は、平坦層３００及びパッシベーション層２９９を貫通することにより、ドレイン２９０を露出させる。

【0035】

下電極４００は、平坦層３００に設けられ、平坦層３００の接続孔に延在してドレイン２９０に接続され、好ましくは、下電極４００は、陽極であってもよい。

【0036】

画素定義層５００は、下電極４００及び平坦層３００に設けられる。画素定義層５００に第１貫通孔５０１及び第２貫通孔５０２が設けられる。第１貫通孔５０１は、画素定義層５００を貫通することにより、下電極４００を露出させる。第２貫通孔５０２は、画素定義層５００及び平坦層３００を貫通することにより、パッシベーション層２９９を露出させる。

【0037】

本願において、画素定義層５００には、第２貫通孔５０２が設けられる。本願において、画素定義層５００に第２貫通孔５０２を設けることにより、使用過程又は製造過程において発生する応力を緩衝することができ、さらに表示パネル１０における膜層が破断するという問題を回避し、表示パネル１０の性能を向上させる。

【0038】

仕切層６００は、発光層７００と画素定義層５００との間に設けられる。具体的には、仕切層６００は、第１貫通孔５０１の側壁を被覆する。好ましくは、仕切層６００は、金属層６１０を含む。金属層６１０は、画素定義層５００と発光層７００との間に設けられる。好ましくは、仕切層６００は、他の材料、例えば、水及び酸素などのガスを遮断する能力を有する無機材料を用いてもよい。

【0039】

本願において、画素定義層５００と発光層７００との間に金属で仕切層６００の金属層６１０を形成することにより、仕切層６００は、画素定義層５００における水及び酸素などのガスが発光層７００に入ることを阻止することができる。また、仕切層６００の金属層６１０が金属で形成されるため、金属層６１０は、反射作用を有し、出射された光線が周囲に発散することを回避し、表示パネル１０の発光率を向上させ、さらに表示パネル１０の表示効果を向上させる。

【0040】

一実施例において、仕切層６００は、画素定義層５００を被覆し、第１貫通孔５０１を充填し、この場合に、後述の発光層７００は、金属層６１０に設けられ、すなわち、後述の発光層７００は、金属層６１０と直接的に接触する。

【0041】

一実施例において、仕切層６００が画素定義層５００を被覆し、第１貫通孔５０１を充填する場合、仕切層６００に第１ビアホール６０１が形成される。第１ビアホール６０１は、仕切層６００を貫通することによりパッシベーション層２９９を露出させ、第２貫通孔５０２と貫通する。

【0042】

本願において、仕切層６００が画素定義層５００を被覆し、第１貫通孔５０１を充填する場合、仕切層６００に第１ビアホール６０１を形成することにより、仕切層６００が切断され、間隔を空けて設けられる複数の間隔部が形成される。すなわち、間隔を空けて設けられる複数の金属部が形成されて、金属層６１０と下電極４００との接触による隣接する下電極４００の間の導通を回避することにより、短絡現象の発生を回避する。また、あるサブ画素が水及び酸素などのガスのため故障になった後、分離部が間隔を空けて設けられるため、水及び酸素などのガスが仕切層を通過して他のサブ画素に影響を与えることがなく、他のサブ画素が正常に動作することを保証し、表示パネル１０の性能を向上させる。

【0043】

一実施例において、仕切層６００が画素定義層５００を被覆し、第１貫通孔５０１を充填する場合、仕切層６００にさらに第２ビアホール６０２が形成され、第２ビアホール６０２は、仕切層６００を貫通することにより、下電極４００を露出させる。すなわち、第２ビアホール６０２は、金属層６１０を貫通し、第１貫通孔５０１と貫通する。

【0044】

本願において、仕切層６００が画素定義層５００を被覆し、第１貫通孔５０１を充填する場合、第１貫通孔５０１と貫通する第２ビアホール６０２をさらに仕切層６００に形成することにより、後述の発光層７００は、第１貫通孔５０１及び第２ビアホール６０２に設けられ、下電極４００と接続される。すなわち、発光層７００は下電極４００と直接的に接触することができることにより、後述の発光層７００及び下電極４００と金属層６１０との間のエネルギーレベルがマッチングし、正孔注入を行いやすく、表示パネル１０の発光効率を向上させるとともに、マイクロキャビティ効果の影響を回避する。

【0045】

一実施例において、金属層６１０の材料は、酸化しやすい金属である。

【0046】

説明すべきものとして、酸化しやすい金属は、空気中で酸化反応が発生しやすい金属を指す。

【0047】

一実施例において、金属層６１０の材料は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、ニッケル、鉛、銀、銅及び鉄のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。

【0048】

一実施例において、金属層６１０の厚さＨは、５０～８００ナノメートルである。

【0049】

酸化層６２０は、金属層６１０の基板１００から離れる一面に設けられ、金属層６１０の表示領域１１から離れる端部Ｃに位置し、金属層６１０の端部Ｃは、金属層６１０の発光層７００から離れる一側に位置する。

【0050】

本願において、金属層６１０の基板１００から離れる一面に酸化層６２０を設けて、後述の電子機能層９００が下電極４００を完全に被覆しない場合に、後述の上電極１０００と金属層６１０との接続を引き起こすことを回避することにより、短絡問題の発生を回避し、表示パネル１０の性能を保証する。また、酸化層６２０が金属層６１０の表示領域１１から離れる端部Ｃのみに設けられることにより、コストを低減することができる。

【0051】

一実施例において、金属層６１０の基板１００から離れる一面にいずれも酸化層６２０が設けられ、ここでの仕切層６００は、金属層６１０及び酸化層６２０を指す。第１ビアホール６０１は、酸化層６２０及び金属層６１０を貫通することによりパッシベーション層２９９を露出させ、第２貫通孔５０２と導通し、第２ビアホール６０２は、第１貫通孔５０１と貫通する。これにより、金属層６１０は、間隔を空けて設けられる複数の金属部を形成し、酸化層６２０は、間隔を空けて設けられる複数の酸化部を形成する。

【0052】

本願において、金属層６１０の基板１００から離れる一面にいずれも酸化層６２０を設け、すなわち金属層６１０の表面全体に酸化層６２０を設けて、表示パネル１０の製造プロセスを簡略化するとともに、金属層６１０と後述の上電極１０００との接触を回避することにより、表示パネル１０の性能を保証する。

【0053】

一実施例において、酸化層６２０の材料は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、二酸化スズ、酸化鉛、酸化鉄、酸化銀及び酸化銅のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。

【0054】

一実施例において、酸化層６２０の材料は、金属層６１０の材料の金属酸化物であり、酸化層６２０の材料は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、二酸化スズ、酸化鉛、酸化鉄、酸化銀及び酸化銅のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。例を挙げて説明すると、金属層の材料は、アルミニウムであり、酸化層の材料は、酸化アルミニウムであり、或いは、金属層の材料は、鉛であり、酸化層の材料は、酸化鉛であり、或いは、金属層の材料は、銀であり、酸化層の材料は、酸化銀である。

【0055】

本願において、酸化層６２０の材料が金属層６１０の材料の金属酸化物であるため、金属層６１０及び酸化層６２０を製造する場合、金属層６１０及び酸化層６２０を一体成形することができ、仕切層６００の製造プロセスを簡略化し、仕切層６００を迅速に製造することに役立つとともに、製造コストを低減する。

【0056】

一実施例において、酸化層６２０の厚さｈは、１０～２０ナノメートルである。

【0057】

発光層７００が第１貫通孔５０１及び第２ビアホール６０２に設けられて、下電極４００に接続され、すなわち発光層７００が下電極４００に直接的に接触することにより、発光層７００及び下電極４００と金属層６１０との間のエネルギー段差が低減されるため、発光層７００に正孔注入を行いやすく、表示パネル１０の発光効率を向上させるとともに、マイクロキャビティ効果の影響を回避する。

【0058】

自己修復層８００は、仕切層６００に設けられ、第２貫通孔５０２に延在してトランジスタ層２００と接触する。具体的には、金属層６１０の基板１００から離れる一面にいずれも酸化層６２０が設けられる場合、自己修復層８００は、酸化層６２０に設けられ、第１ビアホール６０１及び第２貫通孔５０２に延在してパッシベーション層２９９と接触し、第１貫通孔５０１を取り囲んで設けられて、間隔を空けて設けられる複数の自己修復部を形成する。

【0059】

本願において、自己修復層８００は、仕切層６００に設けられ、第１ビアホール６０１及び第２貫通孔５０２内に延在してパッシベーション層２９９と接触することにより、表示パネル１０の製造及び使用過程において発生したクラックを自動的に修復することができ、膜層が破断するという問題を回避する。また、第２貫通孔５０２及び第１ビアホール６０１を形成することにより、使用過程又は製造過程において発生した応力を緩衝することができ、表示パネル１０におけるフ膜層が破断するという問題を回避し、表示パネル１０の性能を向上させる。

【0060】

一実施例において、自己修復層８００は、修復剤を含む。修復剤は、自己修復材料である。修復剤は、外因性自己修復高分子材料及び内因性自己修復高分子材料のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。具体的には、外因性自己修復高分子材料は、マイクロカプセル自己修復高分子材料、中空繊維自己修復高分子材料、ナノ粒子自己修復高分子材料、マイクロチューブ自己修復高分子材料、カーボンナノチューブ自己修復高分子材料のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。マイクロカプセル自己修復高分子材料は、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）自己修復剤系高分子材料及びエポキシ樹脂自己修復剤系高分子材料のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。修復剤は、低粘度液体であり、破断面との優れた湿潤性を有するため、粒子に包まれ得る。

【0061】

一実施例において、自己修復層８００の材料は、硬化剤をさらに含む。硬化剤は、室温硬化剤である。硬化剤は、脂肪族アミン、メルカプタン、三フッ化ホウ素、ポリチオール－ペンタエリスリトールテトラメルカプトプロピオネート、ベンジルジメチルアミン、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）及び金属ルテニウム基（Ｇｒｕｂｂｓ）のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。硬化剤は、自己修復剤が入れられた粒子に包まれてもよく、又は自己修復剤が入れられた粒子に置かれなくてもよい。説明すべきものとして、硬化剤は、膜層と反応しない。

【0062】

図４に示すように、修復原理は以下のとおりである。膜層のクラックが拡張することにより、修復剤が入れられた粒子は破裂し、粒子中の修復剤は毛管作用でクラックに流れ、硬化剤の作用で修復剤は重合反応して、クラックを修復する。

【0063】

例を挙げて説明すると、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）自己修復剤系高分子材料は、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）及び金属ルテニウム基（Ｇｒｕｂｂｓ）触媒であり、ＤＣＰＤは、Ｇｒｕｂｂｓ触媒と開環メタセシス重合反応を発生させて、クラックを修復する作用を果たし、自己修復を実現することができる。

【0064】

一実施例において、自己修復層８００の基板１００から離れる表面は、疎水性表面である。疎水性表面の材料は、疎水性材料である。疎水性材料は、フッ素を含む化合物を含む。本願において、自己修復層８００に疎水性材料が添加され、表示パネル１０の使用又は製造過程において、疎水性材料が自己修復層８００の表面に浮上して疎水性表面を形成するため、自己修復層８００の表面に疎水性作用を有する疎水性表面が形成されることにより、発光層７００を製造する過程において、隣接する発光層７００の間に混色現象が発生することを回避することができ、表示パネル１０の性能を向上させる。

【0065】

一実施例において、疎水性材料と自己修復材料の質量比は、１～５％：１である。この範囲内に制御すると、自己修復層８００の疎水効果を向上させることができ、表示パネル１０の性能を向上させる。

【0066】

他の実施例において、自己修復層８００は、トランジスタ層２００内に、基板１００とトランジスタ層２００との間に、トランジスタ層２００と画素定義層５００との間に設けられる。

【0067】

他の実施例において、自己修復層８００は、さらに、トランジスタ層２００内に、基板１００とトランジスタ層２００との間に、トランジスタ層２００と画素定義層５００との間に、又は、画素定義層５００と仕切層６００との間に設けられる。

【0068】

本願において、自己修復層８００は、さらに、トランジスタ層２００内に、基板１００とトランジスタ層２００との間に、トランジスタ層２００と画素定義層５００との間に設けられることにより、自己修復層８００に隣接する膜層以外の膜層のクラックをさらに修復することができ、表示パネル１０の折り曲げ性能をさらに向上させる。

【0069】

電子機能層９００は、発光層７００及び金属層６１０に設けられ、上電極１０００は、電子機能層９００及び酸化層６２０に設けられ、上電極１０００の表示領域１１から離れる端部Ｃは、酸化層６２０に接続される。具体的には、電子機能層９００は、酸化層６２０、発光層７００及び自己修復層８００を被覆する電子輸送層と、電子輸送層に設けられる電子注入層と、を含み、上電極１０００は、電子注入層及び酸化層６２０に設けられる。上電極１０００は、陰極であってもよい。

【0070】

封止層１１００は、上電極１０００に設けられる。

【0071】

説明すべきものとして、必要に応じて、表示パネル１０における基板１００、トランジスタ層２００、平坦層３００、下電極４００、自己修復層８００、電子機能層９００、上電極１０００及び封止層１１００を除去してもよい。

【0072】

本願に係る表示パネル１０において、発光層７００と画素定義層５００との間に仕切層６００を設けることにより、画素定義層５００における水及び酸素などのガスが発光層７００に入ることを回避し、さらに発光層７００が故障になることを回避することにより、画素が収縮するという問題の発生を回避し、表示パネル１０の性能を向上させる。また、表示パネル１０に自己修復層８００を設けることにより、自己修復層８００は、表示パネル１０の使用又は製造過程において発生したクラックを修復することができ、表示パネル１０の折り曲げ性能を向上させ、表示パネル１０の性能を向上させる。

【0073】

本願に係る表示パネルの製造方法は、Ｂ１１～Ｂ１４を含む。

【0074】

Ｂ１１では、基板を提供する。

【0075】

Ｂ１２では、第１貫通孔が貫通されることにより基板を露出させるように形成される画素定義層を基板に形成する。

【0076】

Ｂ１３では、仕切層を第１貫通孔の側壁に位置させるように画素定義層に形成する。

【0077】

Ｂ１４では、発光層を第１貫通孔に設け、仕切層を発光層と画素定義層との間に位置させる。

【0078】

本願において、発光層と画素定義層との間に仕切層を設けることにより、画素定義層における水及び酸素などのガスが発光層に入ることを回避することができ、さらに発光層が故障になることを回避することにより、画素が収縮するという問題の発生を回避し、表示パネルの性能を向上させる。

【0079】

具体的に以下のとおり説明する。

【0080】

図５及び図６～図１２に示すように、本願は、表示パネルの製造方法をさらに提供する。

【0081】

Ｂ１１では、基板を提供する。

【0082】

一実施例において、Ｂ１１を実行した後に、さらに以下を含む。

【0083】

図６に示すように、基板１００に複数のトランジスタ層２００を形成し、各トランジスタ層２００をいずれも基板１００に離間させる。各トランジスタ層２００は、いずれも遮光層２１０、緩衝層２２０、活性層２３０、絶縁層２４０、ゲート２５０、層間誘電体層２６０、接続部２７０、ソース２８０、ドレイン２９０及びパッシベーション層２９９を含む。遮光層２１０は、前記基板１００に設けられる。遮光層２１０は、互いに間隔を空けて設けられる遮光部２１０ａと金属部２１０ｂを含む。遮光層２１０は、外部光線を遮断し、光線の活性層２３０への影響を回避し、さらにトランジスタの性能を向上させる。金属部２１０ｂは、コンデンサの第１極板の一部である。緩衝層２２０は、遮光層２１０及び基板１００を被覆する。活性層２３０は、緩衝層２２０に設けられる。活性層２３０は、互いに間隔を空けて設けられる活性部２３０ａと導通部２３０ｂを含む。活性部２３０ａは、遮光部２１０ａの上方に位置する。導通部２３０ｂは、金属部２１０ｂの上方に位置し、活性部２３０ａは、半導体部と、半導体部の両側に設けられる導体部と、を含む。導通部２３０ｂは、コンデンサの第２極板である。絶縁層２４０は、活性層２３０に設けられ、半導体部上に位置する。ゲート２５０は、絶縁層２４０に設けられる。層間誘電体層２６０は、活性層２３０、絶縁層２４０及びゲート２５０を被覆する。ソース２８０、ドレイン２９０及び接続部２７０は、同層かつ間隔を空けて層間誘電体層２６０に設けられ、接続部２７０は、導通部２３０ｂの上方に位置し、接続孔に延在して金属部２１０ｂに接続される。ソース２８０は、他の接続孔に延在して一方の導体部に接続される。ドレイン２９０は、さらに他の接続孔に延在して他方の導体部に接続される。接続部２７０は、蓄積コンデンサの第１極板の一部である。パッシベーション層２９９は、緩衝層２２０、接続部２７０、ソース２８０及びドレイン２９０を被覆する。

【0084】

一実施例において、基板１００にトランジスタ層２００を形成するステップを実行した後、
パッシベーション層２９９に平坦層３００を形成するステップをさらに含む。平坦層３００に接続孔が設けられ、接続孔は、平坦層３００及びパッシベーション層２９９を貫通することにより、ドレイン２９０を露出させる。

【0085】

一実施例において、パッシベーション層２９９に平坦層３００を形成するステップを実行した後、
下電極４００を平坦層３００に形成し、平坦層３００の接続孔に延在させてドレイン２９０に接続するステップをさらに含む。

【0086】

Ｂ１２では、第一貫通孔が貫通されるように形成される画素定義層を基板に形成する。

【0087】

また図６に示すように、具体的には、平坦層３００及び下電極４００に画素定義層５００を形成し、画素定義層５００に対してハーフエッチング処理を行うことにより、画素定義層５００にプレハブ孔２０３及び第２貫通孔５０２を形成する。プレハブ孔２０３は、画素定義層５００を貫通することにより下電極４００を露出させ、下電極４００上に位置し、下電極４００上に位置する画素定義層５００を残す。第２貫通孔５０２は、画素定義層５００及び平坦層３００を貫通することにより、パッシベーション層２９９を露出させる。

【0088】

本願において、下電極４００上に位置する画素定義層５００を残すことにより、その後にエッチングする場合に下電極４００を損傷することを回避して、表示パネル１０の性能を保証することができる。

【0089】

Ｂ１３では、仕切層を第１貫通孔の側壁に位置させるように画素定義層に形成する。

【0090】

図７及び図８に示すように、具体的には、下電極４００、パッシベーション層２９９及び画素定義層５００にマグネトロンスパッタリング又は蒸着の方式で一層の金属を堆積し、金属に対してパターン化処理を行って仕切層６００の金属層６１０を形成する。金属層６１０は、第２貫通孔５０２に延在してパッシベーション層２９９と接触する。

【0091】

次に、エッチングなどの方式で下電極４００上及び平坦層３００上に位置する仕切層６００の金属層６１０を除去し、プレハブ孔２０３から第１貫通孔５０１及び第２ビアホール６０２を形成し、下電極４００を露出させる。次に、金属層６１０の上表面にプラズマ方式で金属層６１０を処理し、金属層６１０の上表面にいずれも絶縁の酸化層６２０を形成し、すなわち金属層６１０の上表面に対していずれも酸化処理を行う。第１ビアホール６０１及び第２ビアホール６０２が仕切層６００に形成され、ここでの仕切層６００は、金属層６１０及び酸化層６２０を指す。第１ビアホール６０１は、酸化層６２０及び金属層６１０を貫通することによりパッシベーション層２９９を露出させ、第２貫通孔５０２と導通し、第２ビアホール６０２は、第１貫通孔５０１と貫通する。これにより、金属層６１０は、間隔を空けて設けられる複数の金属部を形成し、酸化層６２０は、間隔を空けて設けられる複数の酸化部を形成する。

【0092】

一実施例において、第１貫通孔５０１の側壁に位置する仕切層６００以外の仕切層６００を除去してもよく、すなわち第１貫通孔５０１の側壁に位置する仕切層６００のみを残し、仕切層６００の原料を節約することができる。

【0093】

一実施例において、金属層６１０の材料は、酸化しやすい金属である。

【0094】

一実施例において、金属層６１０の材料は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、ニッケル、鉛、銀、銅及び鉄のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。

【0095】

一実施例において、金属層６１０の厚さＨは、５０～８００ナノメートルである。

【0096】

一実施例において、酸化層６２０の材料は、金属層６１０の材料の金属酸化物であり、酸化層６２０の材料は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、二酸化スズ、酸化鉛、酸化鉄、酸化銀及び酸化銅のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。例を挙げて説明すると、金属層の材料は、アルミニウムであり、酸化層の材料は、酸化アルミニウムであり、或いは、金属層の材料は、鉛であり、酸化層の材料は、酸化鉛であり、或いは、金属層の材料は、銀であり、酸化層の材料は、酸化銀である。

【0097】

他の実施例において、酸化層６２０を形成する方式は、金属層６１０に一層の絶縁の酸化層６２０を直接的に設けることをさらに含み、すなわち酸化層６２０は、金属層６１０を酸化することにより形成されるものではない。例を挙げて説明すると、金属層の材料は、鉛であり、酸化層の材料は、酸化アルミニウムであり、或いは、金属層の材料は、アルミニウムであり、酸化層の材料は、酸化鉛であり、或いは、金属層の材料は鉄であり、酸化層の材料は酸化銀である。

【0098】

実施例において、Ｂ１３を実行した後に、さらに以下を含む。

【0099】

図９に示すように、自己修復層８００を酸化層６２０に形成し、第１ビアホール６０１及び第２貫通孔５０２に延在させてパッシベーション層２９９と接触させる。具体的には、自己修復層８００は、酸化層６２０に設けられ、第１ビアホール６０１及び第２貫通孔５０２に延在してパッシベーション層２９９と接触し、第１貫通孔５０１を取り囲んで設けられて、間隔を空けて設けられる複数の自己修復部を形成する。

【0100】

一実施例において、自己修復層８００の材料は、修復剤を含む。修復剤は、外因性自己修復高分子材料及び内因性自己修復高分子材料のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。具体的には、外因性自己修復高分子材料は、マイクロカプセル自己修復高分子材料、中空繊維自己修復高分子材料、ナノ粒子自己修復高分子材料、マイクロチューブ自己修復高分子材料、カーボンナノチューブ自己修復高分子材料のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。マイクロカプセル自己修復高分子材料は、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）自己修復剤系高分子材料及びエポキシ樹脂自己修復剤系高分子材料のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。修復剤は、低粘度液体であり、破断面との優れた湿潤性を有するため、粒子に包まれ得る。

【0101】

一実施例において、自己修復層８００の材料は、硬化剤をさらに含む。硬化剤は、室温硬化剤である。硬化剤は、脂肪族アミン、メルカプタン、三フッ化ホウ素、ポリチオール－ペンタエリスリトールテトラメルカプトプロピオネート、ベンジルジメチルアミン、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）及び金属ルテニウム基（Ｇｒｕｂｂｓ）のうちの一つ又は複数の組み合わせを含む。硬化剤は、自己修復剤が入れられた粒子に包まれてもよく、又は自己修復剤が入れられた粒子に置かれなくてもよい。説明すべきものとして、硬化剤は、膜層と反応しない。

【0102】

Ｂ１４では、第１貫通孔に発光層を設け、仕切層を発光層と画素定義層との間に位置させる。

【0103】

図１０に示すように、具体的には、発光層７００を下電極４００及び仕切層６００と接触させるように第１貫通孔５０１に設ける。

【0104】

一実施例において、Ｂ１４を実行した後に、さらに以下を含む。

【0105】

図１１及び図１２に示すように、酸化層６２０、発光層７００及び自己修復層８００に電子機能層９００の電子輸送層を形成し、次に、電子輸送層に電子機能層９００の電子注入層を形成し、その後に、電子注入層に上電極１０００を形成し、その後に、上電極１０００に封止層１１００を形成する。

【0106】

一実施例において、上電極１０００の発光層７００から離れる端部Ｃは、酸化層６２０に接続される。

【0107】

本願に係る表示パネル１０及びその製造方法において、発光層７００と画素定義層５００との間に仕切層６００を設けることにより、画素定義層５００における水及び酸素などのガスが発光層７００に入ることを回避し、さらに発光層７００が故障になることを回避することにより、画素の周辺が収縮するという問題を回避し、表示パネル１０の性能を向上させる。また、表示パネル１０に自己修復層８００を設けることにより、自己修復層８００は、表示パネル１０の使用又は製造過程において発生したクラックを修復することができ、表示パネル１０の折り曲げ性能を向上させ、表示パネル１０の性能を向上させる。

【0108】

以上、本願の実施例に係る表示パネル及びその製造方法について詳細に説明した。本明細書において具体例を用いて本願の原理及び実施形態を解説したが、以上の実施例の説明は、本願の方法及びその主旨の理解を容易にするためのものに過ぎず、当業者であれば、本願の思想をもとにして、具体的な実施形態及び応用の範囲に対して変更を加えることができるだろう。以上をまとめると、本明細書の内容は、本願を制限するものと理解されるべきでない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】