特許 7562800 エッチャーリング、およびエッチャーリングの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-27

(45)【発行日】2024-10-07

(54)【発明の名称】エッチャーリング、およびエッチャーリングの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20240930BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240930BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20240930BHJP

   C23C 16/42 20060101ALI20240930BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101G

H01L21/31 C

H01L21/68 N

C23C16/42

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2023178159

(22)【出願日】2023-10-16

【審査請求日】2024-03-14

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】591034280

【氏名又は名称】株式会社フェローテックマテリアルテクノロジーズ

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】川本 聡

【審査官】宇多川 勉

(56)【参考文献】

【文献】特表２０２２－５２９３１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０２８０７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２３－００５１７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０３１２６３５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００４－１９０１３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－２０２３３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－０７９９８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０１８８９４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｃ２３Ｃ １６／４２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

エッチングされるウエハを保持するエッチャーリングであって、
第１領域と前記第１領域の外周側に隣接する第２領域とを含み、前記第１領域の上方に前記ウエハの端部が保持される第１層と、
前記第１層の下方に積層された第２層とを備え、
前記第１層は、内周側から順に、前記第１領域と、前記第２領域と、第３領域と、第４領域とを含み、
前記第１領域は、前記ウエハの端部が保持する領域で、
前記第２領域は、前記第１領域の外周側にあって、前記第１層の厚みが前記第１領域と同じ領域で、
前記第４領域は、最も外周側にあって、前記第２層の厚みが前記第１層の厚みより厚い領域で、
前記第３領域の側面部は、前記第２領域の上面部と前記第４領域の上面部との間で傾斜している、エッチャーリング。

【請求項2】

前記第１層および前記第２層は、ＳｉＣにより構成される、請求項１に記載のエッチャーリング。

【請求項3】

前記第１層における前記第２領域は、前記第１領域の上方に端部が保持された前記ウエハが前記エッチングをされる場合に、前記第１層が前記第２領域の厚さ方向に損耗する領域である、請求項１または請求項２に記載のエッチャーリング。

【請求項4】

前記第３領域は、前記ウエハの端部が前記第１領域の上方に保持された場合に前記ウエハの端部に対向するように突出した形状を有する、請求項１または請求項２に記載のエッチャーリング。

【請求項5】

エッチングされるウエハを保持するエッチャーリングを製造する方法であって、
リング形状の基材の周囲に第１層および第２層を積層する工程と、
前記第１層および前記第２層の積層方向における両端面を平面に加工する工程と、
前記基材の内周および外周を露出させる工程と、
前記基材を除去する工程と、
前記第１層において前記ウエハの端部が保持される側の面を加工する工程とを含み、
前記第１層および前記第２層は、一方の層を前記基材の周りに形成した後、他方の層を前記一方の層の周りに形成することにより積層し、
前記第１層は、内周側から順に、第１領域と、第２領域と、第３領域と、第４領域とを含み、
前記ウエハの端部が保持する前記第１領域の外周側にあって、前記第１層の厚みが前記第１領域と同じ前記第２領域に加工し、
最も外周側にある前記第４領域を、前記第２層の厚みが前記第１層の厚みより厚く加工し、
前記第２領域の上面部と前記第４領域の上面部との間で傾斜している前記第３領域の側面部に加工する、エッチャーリングの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、エッチャーリング、およびエッチャーリングの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体のウエハをエッチングするプラズマエッチング装置においては、エッチングの対象となるウエハを保持するエッチャーリングが備えられる（特許文献１）。このようなエッチャーリングは、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により形成されるＣＶＤ－ＳｉＣ（Silicon Carbide）により形成される。

【0003】

エッチャーリングは、予め定められた厚みとするために、２層以上の複数層のＳｉＣを積層した構造よりなる場合がある。エッチングが行なわれる場合には、エッチャーリングにおいて、ウエハの端部が保持された領域の外周側に隣接する領域が、プラズマによる損耗量が最も多い。その理由は、そのような領域のプラズマの密度が最も高くなるからである。

【0004】

複数層のＳｉＣを積層した構造よりなるエッチャーリングにおいては、複数層のＳｉＣでの第１層が損耗して第２層が露出すると、第１層と第２層との間の界面から不純物が放出される等、何らかの不具合が生じるおそれがある。その理由は、エッチャーリングを複数層で構成する場合に、例えば、第１層を形成するタイミングと第２層を形成するタイミングとの間の期間が長くなる場合がある等の理由により、界面に不純物が混入するおそれが生じやすいからである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０２０－１９４７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１のような従来のエッチャーリングでは、複数層のＳｉＣにより構成されるリング形状の部材を形成した後、ウエハの端部を保持する領域を形成するために、第１層における内周側の厚さを減じる加工がされる。これにより、第１層においてウエハの端部を保持する領域の外周側に隣接する領域では、第１層の厚さが他の領域よりも薄いので、エッチングでの第１層の損耗により第２層が露出しやすい。

【0007】

しかし、従来のエッチャーリングでは、複数層のＳｉＣでの第１層が損耗して第２層が露出することを抑制する技術について考えられていないという問題があった。

【0008】

本開示は、上記の課題を解決するためになされたものであって、その目的は、第１層と第２層とを備えるエッチャーリングについて、第２層が露出することを抑制することができるようにすることである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本開示のある局面に係るエッチャーリングは、エッチングされるウエハを保持するエッチャーリングであって、第１領域と第１領域の外周側に隣接する第２領域とを含み、第１領域の上方にウエハの端部が保持される第１層と、第１層の下方に積層された第２層とを備え、第１層は、内周側から順に、第１領域と、第２領域と、第３領域と、第４領域とを含み、第１領域は、ウエハの端部が保持する領域で、第２領域は、第１領域の外周側にあって、第１層の厚みが第１領域と同じ領域で、第４領域は、最も外周側にあって、第２層の厚みが第１層の厚みより厚い領域で、第３領域の側面部は、第２領域の上面部と第４領域の上面部との間で傾斜している。

【0010】

本開示の他の局面に係るエッチャーリングの製造方法は、エッチングされるウエハを保持するエッチャーリングを製造する方法であって、リング形状の基材の周囲に第１層および第２層を積層する工程と、第１層および第２層の積層方向における両端面を平面に加工する工程と、基材の内周および外周を露出させる工程と、基材を除去する工程と、第１層においてウエハの端部が保持される側の面を加工する工程とを含む。第１層および第２層は、一方の層を基材の周りに形成した後、他方の層を一方の層の周りに形成することにより積層し、第１層は、内周側から順に、第１領域と、第２領域と、第３領域と、第４領域とを含み、ウエハの端部が保持する第１領域の外周側にあって、第１層の厚みが第１領域と同じ第２領域に加工し、最も外周側にある第４領域を、第２層の厚みが第１層の厚みより厚く加工し、第２領域の上面部と第４領域の上面部との間で傾斜している第３領域の側面部に加工する。

【発明の効果】

【0011】

本開示のある局面に係るエッチャーリングによれば、第１層は、第２領域における層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層が露出しない厚さとなるように形成されるので、第１層と第２層とを備えるエッチャーリングについて、第２層が露出することを抑制することができる。

【0012】

本開示の他の局面に係るエッチャーリングの製造方法によれば、第１層は、ウエハの端部が保持される第１領域と、第１領域の外周側に隣接する第２領域とを含むように加工し、第２領域における層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層が露出しない厚さとなるように加工するので、第１層と第２層とを備えるエッチャーリングについて、第２層が露出することを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】実施の形態１におけるエッチャーリング１の断面図である。

【図2】実施の形態１におけるエッチャーリング１の一部の断面図である。

【図3】実施の形態１におけるエッチャーリング１のエッチングでの第１層１１の損耗を説明する断面図である。

【図4】実施の形態１におけるエッチャーリング１のＣＶＤ成膜装置４の概略図である。

【図5】実施の形態１におけるエッチャーリング１の製造に用いる基材５の断面図である。

【図6】実施の形態１における基材５の周囲に第１層１１および第２層１２を積層させた積層体６の断面図である。

【図7】実施の形態１の積層体６を加工装置によって加工することにより得られるエッチャーリング１の部分を示す積層体６の断面図である。

【図8】実施の形態１のエッチャーリング１の製造工程を示すフローチャートである。

【図9】実施の形態２におけるエッチャーリング１の製造に用いる基材５ａの断面図である。

【図10】実施の形態１における基材５ａの周囲に第１層１１および第２層１２を積層させた積層体６ａの断面図である。

【図11】実施の形態２の積層体６ａを加工装置によって加工することにより得られるエッチャーリング１の部分を示す積層体６ａの断面図である。

【図12】実施の形態２のエッチャーリング１の製造工程を示すフローチャートである。

【図13】実施の形態３におけるエッチャーリング１ａの全体の断面図である。

【図14】実施の形態３におけるエッチャーリング１ａの実施の形態１におけるエッチャーリング１ａの一部の断面図である。

【図15】実施の形態３におけるエッチャーリング１ａのエッチングでの第１層１１の損耗を説明する断面図である。

【図16】実施の形態３の積層体６を加工装置によって加工することにより得られるエッチャーリング１ａの部分を示す積層体６の断面図である。

【図17】実施の形態３のエッチャーリング１ａの製造工程を示すフローチャートである。

【図18】実施の形態３の積層体６を加工装置によって加工することにより得られるエッチャーリング１ａの部分を示す積層体６の断面図である。

【図19】実施の形態４のエッチャーリング１ａの製造工程を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、複数の実施の形態について説明するが、各実施の形態で説明された構成を適宜組み合わせることは出願当初から予定されている。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。

【0015】

［実施の形態１］
（エッチャーリング１の全体構成）
図１は、実施の形態１におけるエッチャーリング１の全体の断面図である。図１においては、リング形状のエッチャーリング１の中心線に沿った断面が示されている。

【0016】

エッチャーリング１は、図示を省略するプラズマエッチング装置の内部に設けられる。エッチャーリング１は、第１層１１と第２層１２とが積層された円環状の部材である。第１層１１は、ＳｉＣ（Silicon Carbide）により構成される。第２層１２は、ＳｉＣにより構成される。エッチャーリング１では、第１層１１の下方に第２層１２が積層されている。エッチャーリング１は、円環状であるため、内周側に円形の空間部１３が形成されている。

【0017】

エッチャーリング１において、第１層１１の上面における内周側の部分には、エッチング対象のウエハ２を保持する保持部１４が設けられている。ウエハ２は、円盤形状である。保持部１４は、エッチャーリング１の他の部分と比べて厚さが１段階減少するように、段差が形成された部分である。

【0018】

ウエハ２は、プラズマエッチング装置に設けられたチャック装置によって固定される。これにより、ウエハ２は、端部がエッチャーリング１の保持部１４の空間内で保持される。この例では、ウエハ２の端部がエッチャーリング１に対して非接触状態で保持部１４の空間内で保持される。なお、ウエハ２は、端部がエッチャーリング１の保持部１４に接触した状態で保持部１４上に載置されてもよい。

【0019】

（エッチャーリング１の詳細な構成）
図２は、実施の形態１におけるエッチャーリング１の一部の断面図である。図２においては、図１においてエッチャーリング１の右側に示された断面が拡大されている。

【0020】

エッチャーリング１の第１層１１は、第１領域１１１と、第２領域１１２と、第３領域１１３と、第４領域１１４とを含む。第１領域１１１の上面と、第２領域１１２の上面と、第３領域１１３の側面とにより、保持部１４が構成される。

【0021】

第１領域１１１は、エッチャーリング１の内周側の端部を含む領域である。第２領域１１２は、第１領域１１１の外周側に隣接する領域である。第３領域１１３は、第２領域１１２の外周側に隣接する領域である。第４領域１１４は、第３領域１１３の外周側に隣接する領域である。第４領域１１４は、エッチャーリング１の内周側の端部を含む。

【0022】

第１領域１１１は、上方にウエハ２の端部が保持される領域である。第２領域１１２は、上方にウエハ２の端部が保持されない領域である。第３領域１１３は、ウエハ２の端部が第１領域１１１の上方に載せられた場合にウエハ２の端部に対向するように、第１領域１１１および第２領域１１２よりも上方に突出した形状を有する領域である。このような形状により、第３領域１１３は、ウエハ２の端部が第１領域１１１の上方に載せられた場合に、ウエハ２の全周の端部を外周側から囲む。

【0023】

第１領域１１１の上面部と、第２領域１１２の上面部とは、同じ高さの位置にある。第１領域１１１の上面部および第２領域１１２の上面部は、第４領域１１４の上面部よりも１段階低い位置にある。第３領域１１３の側面部は、第２領域１１２の上面部と第４領域１１４の上面部とを繋ぐ領域である。第３領域１１３の側面部は、第２領域１１２の上面部と第４領域１１４の上面部との間で傾斜している。なお、第３領域１１３の側面部は、図２のように傾斜したものに限られるものではなく、傾斜していなくてもよい。

【0024】

第１層１１において、第１領域１１１の上面部、第２領域１１２の上面部、第３領域１１３の側面部、および、第４領域１１４の上面部により構成される面は、第１面９１と呼ばれる。第１層１１において、第１面９１に対向する面は、第２面９２と呼ばれる。

【0025】

第２面９２の下方には、第２層１２が形成されている。第２層１２は、第１領域１２１と、第２領域１２２と、第３領域１２３とを含む。第２層１２の第１領域１２１は、第１層１１の第１領域１１１および第２領域１１２に対応する領域である。第２層１２の第２領域１２２は、第１層１１の第３領域１１３に対応する領域である。第２層１２の第３領域１２３は、第１層１１の第４領域１１４に対応する領域である。

【0026】

第２層１２において、第１層１１の第１領域１１１および第２領域１１２に対向する位置には、第２層１２の第１領域１２１が存在する。第２層１２において、第１層１１の第３領域１１３に対向する位置には、第２層１２の第２領域１２２が存在する。第２層１２において、第１層１１の第４領域１１４に対向する位置には、第２層１２の第３領域１２３が存在する。

【0027】

第２層１２において、第１領域１２１の上面部、第２領域１２２の側面部、および、第３領域１２３の上面部により構成される面は、第３面９３と呼ばれる。第２層１２において、第３面９３に対向する面は、第４面９４と呼ばれる。

【0028】

第１層１１は、第２領域１１２における層の厚さが、第２層１２の第１領域１２１における層の厚さよりも厚くなるように形成されている。このような構成とした理由は、エッチングでの第１層１１の損耗により第２層１２が露出しないようにするためである。

【0029】

このように、エッチャーリング１では、第２領域１１２における第１層１１の厚さが、第２層１２の第１領域１２１における層の厚さよりも厚くなるように形成されている。これにより、エッチャーリング１では、第１層１１と第２層１２との間の界面１５は、図２に示すように、第２層１２の底面からの位置が、第２層１２の第１領域１２１において、第２層１２の第２領域１２２の位置、および、第２層１２の第３領域１２３の位置よりも低い位置にある。

【0030】

（エッチングでの第１層１１の損耗による第２層１２の露出を防ぐ構成）
図３は、実施の形態１におけるエッチャーリング１のエッチングでの第１層１１の損耗を説明する断面図である。

【0031】

エッチング装置において、プラズマエッチングが実行される場合に、エッチャーリング１では、第１層１１の第２領域１１２がプラズマによる損耗量が最も多い。その理由は、第１層１１において、第２領域１１２は、ウエハ２の端部が上方に存在する第１領域１１１の外周側に隣接する領域であることにより、プラズマの密度が最も高いからである。

【0032】

ウエハ２をプラズマエッチングすると、図３に示されるように、第２領域１１２において、１第１層１１が損耗して穴３が生じ、第２領域１１２の厚さが減少する。このようなエッチングによる損耗によって第２層１２が露出しないようにするために、第１層１１は、第２領域１１２における層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層１２が露出しない厚さとなるように形成される。具体的に、第２領域１１２における第１層１１の層の厚さは、エッチャーリング１の保持部１４の下方における第１層１１および第２層１２の合計の厚さのうち、可能な限り大きい割合の厚さとされている。

【0033】

このように、実施の形態１のエッチャーリング１では、第２領域１１２における第１層１１の層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層１２が露出しない厚さとなるように形成されることにより、第１層１１と第２層１２とを備えるエッチャーリング１について、エッチングにおいて第２層１２が露出することを抑制することができる。

【0034】

（エッチャーリング１の製造装置）
図４は、実施の形態１におけるエッチャーリング１の製造装置に含まれるＣＶＤ成膜装置４の概略図である。

【0035】

ＣＶＤ成膜装置４は、チャンバ４１、高周波電源４２、真空ポンプ４３、原料ガス容器４４、第１弁４５１、および、第２弁４５２、および、制御装置４９を含む。

【0036】

制御装置４９は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）４９１と、メモリ（ＲＯＭ（Read Only Memory）およびＲＡＭ（Random Access Memory））４９２と、入出力バッファ（図示せず）と等を含んで構成される。ＣＰＵ４９１は、ＲＯＭに格納されているプログラムをＲＡＭ等に展開して実行する。ＲＯＭに格納されるプログラムは、制御装置４９が実行する制御の処理手順が記されたプログラムである。制御装置４９は、このようなプログラムにしたがって、ＣＶＤ成膜装置４における各種機器の制御をする。

【0037】

制御装置４９は、チャンバ４１内の機器、高周波電源４２、真空ポンプ４３、第１弁４５１、および、第２弁４５２等の各種機器を制御する。

【0038】

チャンバ４１の内部には、成膜台４６、ヒータ４７、および、シャワーヘッド４８が設けられている。ヒータ４７は、シャワーヘッド４８の内部に設けられる。成膜台４６の上方には、成膜対象のエッチャーリング１の基材５が保持される。基材５は、例えばグラファイトよりなる。基材５は、全周囲に成膜が行なわれるように保持される。なお、基材５は、グラファイト以外の素材よりなるものであってもよい。

【0039】

第１弁４５１は、真空ポンプ４３とチャンバ４１との間の気体の経路に設けられる。第２弁４５２は、原料ガス容器４４とチャンバ４１との間の気体の経路に設けられる。

【0040】

ＣＶＤ成膜装置４において基材５に成膜をする場合は、制御装置４９が、第２弁４５２を閉状態として、第１弁４５１を開状態にし、真空ポンプ４３を動作させる制御を行なう。これにより、チャンバ４１の内部が真空状態となる。

【0041】

その後、制御装置４９は、第１弁４５１を閉状態にしてチャンバ４１の内部を真空状態に保持した状態で、第２弁４５２を開状態にする制御を行なう。これにより、原料ガス容器４４からチャンバ４１内に原料ガスが供給される。チャンバ４１内に原料ガスが供給される場合に、制御装置４９は、高周波電源４２からシャワーヘッド４８の電極に高周波電力を供給させる制御を行なう。これにより、チャンバ４１内において、原料ガスがプラズマ化され、シャワーヘッド４８から放出される。

【0042】

ＣＶＤ成膜装置４において基材５に成膜をする場合、制御装置４９は、ヒータ４７に電力を供給し、ヒータを加熱させる制御を行なう。これにより、基材５のような成膜対象物が加熱されながら、原料ガスに含まれる物質の膜が成膜対象物に形成される。

【0043】

このようなＣＶＤ成膜装置４においては、基材５の周囲にＳｉＣの成膜をすることにより、図１～図３に示すようなエッチャーリング１を製造するための成膜が行なわれる。

【0044】

エッチャーリング１の製造装置としては、ＣＶＤ成膜装置４の他に、エッチャーリング１の切削等の加工をするための加工装置（図示省略）が含まれる。

【0045】

（エッチャーリング１の製造方法）
以下に説明する図５～図７には、２つのエッチャーリング１を同時に製造する例が示されている。図５～図７においては、１つのエッチャーリング１の製造範囲を明確化するために、２つのエッチャーリング１の製造範囲の境界が一点鎖線７０で示されている。

【0046】

図５は、実施の形態１におけるエッチャーリング１の製造に用いる基材５の断面図である。基材５は、外周側の第１領域５１の厚さが内周側の第２領域５２の厚さよりも薄いリング形状の部材である。基材５は、リング形状であるため、内周側に円形の空間部５３が形成されている。

【0047】

基材５の第１領域５１および第２領域５２は、積層される第１層と第２層との界面が図２等に示す界面１５のような断面形状となるように定められた形状とされている。

【0048】

図６は、実施の形態１における基材５の周囲に第１層６１および第２層６２を積層させた積層体６の断面図である。

【0049】

図６に示す積層体６を形成する場合には、まず、ＣＶＤ成膜装置４において、基材５の周囲に第１層６１を形成させる。第１層６１は、エッチャーリング１の第１層１１となる層である。第１層６１は、ＳｉＣの層である。

【0050】

その後、ＣＶＤ成膜装置４において、第１層６１の周囲に第２層６２を形成させる。第２層６２は、エッチャーリング１の第２層１２となる層である。第２層６２は、ＳｉＣの層である。積層体６は、基材５がリング状であるので、第１層６１および第２層６２を積層した後に、内周側に円形の空間部６３が形成されている。

【0051】

第１層６１が形成された後の積層体６は、一般的に、予め定められた期間に亘り、図４のチャンバ４１の外部で保管される。その後、第１層６１が形成された状態の積層体６が、チャンバ４１の内部に再度入れられる。そして、そのような積層体６において、第１層６１の周囲に第２層６２を形成させる。なお、第１層６１が形成された状態の積層体６は、チャンバ４１の内部で保管されてもよい。

【0052】

図６に示されるように、基材５の形状は、外周側の第１領域５１の厚さが内周側の第２領域５２の厚さよりも薄い形状である。これに応じて、積層体６の第１層６１の形状は、基材５の形状と同様に、外周側の領域の厚さが内周側の領域の厚さよりも薄い形状となる。このような第１層６１の形状に応じて、第２層６２の形状は、基材５の形状と同様に、外周側の領域の厚さが内周側の領域の厚さよりも薄い形状となる。

【0053】

図６に示された積層体６がＣＶＤ成膜装置４において形成された後は、加工装置において積層体６を加工することにより、図１～図３に示すような形状のエッチャーリング１を得ることができる。

【0054】

図７は、実施の形態１の積層体６を加工装置によって加工することにより得られるエッチャーリング１の部分を示す積層体６の断面図である。図７に示すように、積層体６においては、エッチャーリング１を２つ得ることができる。

【0055】

以下においては、図７に示された２つのエッチャーリング１を得る領域のうち、図中の下方に示されたエッチャーリング１を代表例として、エッチャーリング１を得るための加工部分について説明する。加工装置においては、積層体６が以下に示すように加工されることにより、図２に示すような構造のエッチャーリング１が得られる。

【0056】

積層体６において、図中の下方に示されたエッチャーリング１を得る場合は、加工装置において、まず、積層体６の下面側を例えば破線７１のような位置まで切削して平面化する加工と、積層体６の上面側を例えば破線７２のような位置まで切削して平面化する加工とが行なわれる。これにより、積層体６の積層方向の両端面が平面化される。

【0057】

次に、加工装置においては、積層体６の外周側を例えば破線７３のような位置まで切削して基材５の第１領域５１を露出させる加工と、積層体６の内周側を例えば破線７４のような位置まで切削して基材５の第２領域５２を露出させる加工とが行なわれる。

【0058】

基材５の第１領域５１を露出させる加工においては、基材５の円の中心の位置を基準位置として、破線７３で示すようなエッチャーリング１の予め定められた外周の寸法の位置と同じ位置まで、積層体６の外周側を切削する。基材５の第２領域５２を露出させる加工においては、リング状の基材５の円の中心の位置を基準位置として、破線７４で示すようなエッチャーリング１の予め定められた内周の寸法の位置と同じ位置まで、積層体６の内周側を切削する。

【0059】

なお、基材５の第１領域５１を露出させる加工においては、少なくとも基材５の外周部側の端部および内周部側の端部が露出するまで積層体６を切削すればよく、図７の破線７３で示される位置までの切削、および、図７の破線７４で示される位置までの切削は、基材５を除去した後に行なってもよい。

【0060】

次に、化学的処理により基材５を除去する処理が行なわれる。これにより、積層体６においては、図７の一点鎖線７０の上側に示されたエッチャーリング１を作成するための第１部材と、図７の一点鎖線７０の下側に示されたエッチャーリング１を作成するための第２部材とが分離する。

【0061】

以下においては、図７の下側に示されたエッチャーリング１を作成するための部材に関して、エッチャーリング１を作成するための加工方法を説明する。

【0062】

図７の下側に示されたエッチャーリング１を作成するための第２部材を、前述のように平面化した第２層６２の側を下方向に向けて加工装置の加工部において保持する。そして、加工装置においては、エッチャーリング１の径方向における第１層１１の厚さの分布が図２に示すような厚さの分布となるように、エッチャーリング１の上面側を切削する加工を行なう。

【0063】

具体的には、エッチャーリング１における第１層１１と第２層１２との界面１５が図２に示すような断面形状となるように、基材５の下端の位置を基準位置として、第２部材の上面側を切削する加工を行なう。例えば、図７の破線７５のような位置まで第２部材を切削したり、図７の破線７６のような位置まで第２部材を切削したりする。その場合において、第２部材の上面側を切削する各位置は、第１層１１および第２層１２の成膜開始からの成膜終了までの経過時間と、第１層１１および第２層１２の成膜速度とに基づいて予め推定する。

【0064】

また、図７に示すエッチャーリング１における第１層１１の第３領域１１３は、基材５の円の中心の位置を基準位置として、その基準位置から予め定められた位置まで第２部材を切削することにより形成される。

【0065】

また、加工装置においては、第２部材の下面側が、図２に示すような断面形状となるように、基材５の下端の位置を基準位置として、第２部材の下面側を切削する加工を行なう。例えば、図７の破線７７のように、図２に示す第１層１１の第１領域１１１、第２領域１１２、および、第３領域１１３の全部と、第４領域１１４ａの一部との下方において、第２層６２の厚さが図２に示すような厚さとなるような位置まで第２部材を切削する。その場合において、第２部材の下面側を切削する位置は、第１層１１および第２層１２の成膜開始からの成膜終了までの経過時間と、第１層１１および第２層１２の成膜速度とに基づいて予め推定する。

【0066】

これにより、エッチャーリング１における第１層１１の第１領域１１１、第２領域１１２、および、第３領域１１３の全部と、第４領域１１４ａの一部との下方は、図２に示すような厚さの第２層１２が存在する構成となる。

【0067】

第１部材については、前述した第２部材と同様の加工をすることにより、図２に示すような構造のエッチャーリング１を得ることができる。

【0068】

実施の形態１では、以上に説明したように、ＣＶＤ成膜装置４で図６のような積層体６を形成した後、加工装置で図７のように積層体６を加工することにより、積層体６から図１～図３に示すような構造のエッチャーリング１を得ることができる。

【0069】

（エッチャーリング１の製造工程）
図８は、実施の形態１のエッチャーリング１の製造工程を示すフローチャートである。図８を用いて、前述した図５～図７で説明したエッチャーリング１の製造方法を実現するための製造工程の流れをまとめて説明する。

【0070】

図８に示した製造工程については、前述したエッチャーリング１の製造方法を総括し、主として製造工程の流れを明確化するための説明をする。

【0071】

ステップＳ１の工程では、ＣＶＤ成膜装置４において、基材５の周囲にＳｉＣの第１層６１を形成する。ステップＳ１の工程では、具体的に、前述したように、基材５の周囲において、図６に示す断面形状となるように第１層６１を形成する。

【0072】

ステップＳ２の工程では、ＣＶＤ成膜装置４において、第１層６１の周囲に、ＳｉＣよりなる第２層６２を形成する。ステップＳ２の工程では、具体的に、前述したように、第１層６１の周囲において、図６に示す断面形状となるように第２層１２を形成する。ステップＳ１の工程およびステップＳ２の工程が実行されることにより、図６に示すような積層体６が形成される。

【0073】

ステップＳ３の工程では、加工装置において、積層体６の上面側を平面に加工するとともに、積層体６の下面側を平面に加工する。ステップＳ３の工程では、前述したように、積層体６の上面側および下面側を平面に加工する。

【0074】

ステップＳ４の工程では、加工装置において、基材５の内周側および外周側を露出させる。具体的に、ステップＳ４の工程では、前述したように、基材５の円の中心の位置を基準位置として予め定められた第１の位置まで積層体６の内周側を切削する。さらに、ステップＳ４の工程では、前述したように、基材５の円の中心の位置を基準位置として、予め定められた第２の位置まで積層体６の外周側を切削することにより、基材５の外周側を露出させる。

【0075】

ステップＳ５の工程では、加工装置において、基材５を除去する。具体的に、ステップＳ５の工程では、ステップＳ４で露出した基材５を化学的処理により除去する。これにより、前述のような第１部材および第２部材が得られる。

【0076】

ステップＳ６の工程では、加工装置において、第１部材または第２部材においてエッチャーリング１の上面側となる部分について、図２に示す第２領域１１２における第１層１１の層の厚さが、エッチングでの損耗により図２に示す第２層１２が露出しない厚さとなるような第１層１１および第２層１２を形成するための切削をする加工を行なう。

【0077】

具体的に、ステップＳ６の工程では、前述したように、基材５の下端の位置を基準位置として、予め定められた厚さに亘りエッチャーリング１の上面側となる部分を切削する加工を行なう等、第１層１１側の面を加工する。

【0078】

また、ステップＳ６の工程では、加工装置において、第１部材または第２部材においてエッチャーリング１の下面側となる部分が、図２に示すような断面形状となるように、基材５の下端の位置を基準位置として、第１部材または第２部材を切削する加工を行なう。これにより、ステップＳ６の工程では、第２層１２が、第１層１１における第２領域１１２の下方において第２層１２が存在するように加工される。

【0079】

以上に説明したように製造工程を実行することにより、図１および図２に示すような構造のエッチャーリング１を得ることができる。

【0080】

なお、実施の形態１のエッチャーリング１については、第１層１１と第２層１２とが同じＳｉＣで構成される例を示した。しかし、これに限らず、第１層１１と第２層１２とが異なる材料より構成されてもよい。例えば、第２層１２がＳｉＣ以外のシリコン素材で構成されてもよい。また、エッチャーリング１は、２層のＳｉＣが積層されたものに限らず、３層以上のＳｉＣが積層されたものであってもよい。例えば、エッチャーリング１については、エッチャーリング１の厚みを増加させるために、３層以上の複数層のＳｉＣを積層した構造よりなる場合がある。３層以上の複数層のＳｉＣを積層する場合の第３層目以上の層は、例えば、図１～図３における第２層１２の下面側に順次積層される層である。そのような３層以上の複数層のＳｉＣを積層した構造のエッチャーリングにおいて、第３層目以上のＳｉＣの層は、前述のように第１層１１が損耗しても、第２層１２のように界面が露出するおそれがない層である。このように、この実施の形態のエッチャーリング１に関する技術は、３層以上の複数層のＳｉＣを積層した構造よりなるエッチャーリングにも適用可能である。

【0081】

また、実施の形態１のエッチャーリング１については、第１層１１における第２領域１１２に加え、第１層１１における第１領域１１１についても、第１層１１の層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層１２が露出しない厚さとなるように形成されている例を示した。しかし、これに限らず、第１層１１の層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層１２が露出しない厚さとする領域は、少なくとも第１層１１における第２領域１１２であればよい。

【0082】

以上に説明した実施の形態１のエッチャーリング１においては、次のような技術的効果を得ることができる。

【0083】

（１）実施の形態１のエッチャーリング１においては、図２および図３に示すように、エッチングをされる場合に、第１層１１が厚さ方向に損耗する領域である第２領域１１２において、第１層１１の層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層１２が露出しない厚さとなるように形成される。これにより、第１層１１と第２層１２とを備えるエッチャーリング１においては、第１層１１の層の厚さにより、第２層１２が露出することを抑制することができる。

【0084】

（２）実施の形態１のエッチャーリング１においては、図１～図３に示すように、第１層１１が、第２領域１１２の厚さ方向において、第１層１１の方が第２層１２よりも厚くなるように形成される。これにより、第１層１１と第２層１２とを備えるエッチャーリング１においては、第１層１１の方が第２層１２よりも厚いことにより、エッチングにおいて第２層１２が露出することを抑制することができる。

【0085】

（３）実施の形態１のエッチャーリング１においては、図２および図３に示すように、第２層１２が、第１層１１における第２領域１１２の下方では第２層１２が存在するように、第１層１１の下方に積層される。これにより、第１層１１と第２層１２とを備えるエッチャーリング１においては、第１層１１の下方に存在する第２層１２に関して、第１層１１の厚さにより、エッチングにおいて第２層１２が露出することを抑制することができる。

【0086】

（４）実施の形態１のエッチャーリング１においては、第１層１１および第２層１２が、ＳｉＣにより構成される。これにより、第１層１１および第２層１２がＳｉＣにより構成されるエッチャーリング１において、エッチングの際に第２層１２が露出することを抑制することができる。

【0087】

（５）実施の形態１のエッチャーリング１においては、図３に示すように、第２領域１１２における第１層１１は、第１領域１１１の上方に端部が保持されたウエハ２がエッチングをされる場合に、第２領域１１２の厚さ方向に損耗する領域である、これにより、エッチャーリング１において、エッチングの際に損耗する領域において、エッチングの際に第２層１２が露出することを抑制することができる。

【0088】

（６）実施の形態１のエッチャーリング１においては、図２および図３に示すように、第１層１１が、第２領域１１２の外周側に隣接する第３領域１１３をさらに含み、第３領域１１３が、ウエハ２の端部が第１領域１１１の上方に保持された場合にウエハ２の端部に対向するように突出した形状を有する。これにより、エッチャーリング１において、ウエハ２が保持される場合に、第３領域１１３によりウエハ２の外周を囲むことができる。

【0089】

（７）実施の形態１のエッチャーリング１の製造方法においては、図５～図８に示すように、ウエハ２の端部が保持される第１領域１１１と、第１領域１１１の外周側に隣接する第２領域１１２とを含むように第１層１１が加工され、第２領域１１２における第１層１１の層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層１２が露出しない厚さとなるように加工される。これにより、第１層１１と第２層１２とを備えるエッチャーリング１においては、第２層１２が露出することを抑制することができる。

【0090】

（８）実施の形態１のエッチャーリング１の製造方法においては、図５～図８に示すように、第２領域１１２の厚さ方向において、第１層１１の方が第２層１２よりも厚くなるような加工をする。これにより、第１層１１と第２層１２とを備えるエッチャーリング１においては、第１層１１の方が第２層１２よりも厚いことにより、エッチングにおいて第２層１２が露出することを抑制することができる。

【0091】

（９）実施の形態１のエッチャーリング１においては、図５～図８に示すように、第２層１２が、第１層１１における第２領域１１２の下方では第２層１２が存在するような加工をする。これにより、第１層１１と第２層１２とを備えるエッチャーリング１においては、第１層１１の下方に存在する第２層１２に関して、第１層１１の厚さにより、エッチングにおいて第２層１２が露出することを抑制することができる。

【0092】

［実施の形態２］
次に、図９～図１２を用いて、実施の形態２を説明する。実施の形態２においては、図１～図３に示すエッチャーリング１のその他の製造方法を説明する。

【0093】

実施の形態２が実施の形態１と異なる点は、主に以下の点である。実施の形態２では、実施の形態１の基材５と形状が異なる基材５ａが用いられる（図９等参照）。実施の形態２では、実施の形態１の積層体６における第１層６１および第２層６２と異なる順番により、第１層６１および第２層６２が積層された積層体６ａが形成される（図１０～図１２等参照）。実施の形態２では、積層体６ａを、実施の形態１の積層体６とは異なる順番で切削する加工が行なわれる（図１１，図１２等参照）。

【0094】

（エッチャーリング１の製造方法）
以下に説明する図９～図１１には、実施の形態２において、２つのエッチャーリング１を同時に製造する例が示されている。図９～図１１においては、１つのエッチャーリング１の製造範囲を明確化するために、２つのエッチャーリング１の製造範囲の境界が一点鎖線７０で示されている。

【0095】

図９は、実施の形態２におけるエッチャーリング１の製造に用いる基材５ａの断面図である。基材５ａは、内周側の第１領域５１ａの厚さが外周側の第２領域５２ａの厚さよりも薄いリング形状の部材である。基材５ａは、リング形状であるため、内周側に円形の空間部５３ａが形成されている。

【0096】

基材５ａの第１領域５１ａおよび第２領域５２ａは、積層される第１層６１と第２層６２との界面が図２等に示す界面１５のような断面形状となるように定められた形状とされている。

【0097】

図１０は、実施の形態１における基材５ａの周囲に第１層６１および第２層６２を積層させた積層体６ａの断面図である。

【0098】

図１０に示す積層体６ａを形成する場合には、まず、ＣＶＤ成膜装置４において、基材５ａの周囲に第２層６２を形成させる。第２層６２は、エッチャーリング１の第２層１２となる層である。第２層６２は、ＳｉＣの層である。

【0099】

その後、ＣＶＤ成膜装置４において、第２層６２の周囲に第１層６１を形成させる。第１層６１は、エッチャーリング１の第１層１１となる層である。第１層６１は、ＳｉＣの層である。積層体６ａは、基材５ａがリング形状であるので、第１層６１および第２層６２を積層した後に、内周側に円形の空間部６３ａが形成されている。

【0100】

第２層６２が形成された後の積層体６ａは、一般的に、予め定められた期間に亘り、図４のチャンバ４１の外部で保管される。その後、第２層６２が形成された状態の積層体６ａが、チャンバ４１の内部に再度入れられる。そして、そのような積層体６ａにおいて、第２層６２の周囲に第１層６１を形成させる。なお、第２層６２が形成された状態の積層体６ａは、チャンバ４１の内部で保管されてもよい。

【0101】

図１０に示されるように、基材５ａの形状は、内周側の第１領域５１ａの厚さが外周側の第２領域５２ａの厚さよりも薄い形状である。これに応じて、積層体６ａの第２層６２の形状は、基材５ａの形状と同様に、内周側の領域の厚さが外周側の領域の厚さよりも薄い形状となる。このような第２層６２の形状に応じて、第１層６１の形状は、基材５ａの形状と同様に、内周側の領域の厚さが外周側の領域の厚さよりも薄い形状となる。

【0102】

図１０に示された積層体６ａが形成された後は、加工装置において、積層体６ａを加工することにより、図１～図３に示すような形状のエッチャーリング１を得ることができる。

【0103】

図１１は、実施の形態２の積層体６ａを加工装置によって加工することにより得られるエッチャーリング１の部分を示す積層体６ａの断面図である。図１１に示すように、積層体６ａにおいては、エッチャーリング１を２つ得ることができる。

【0104】

以下においては、図１１に示された２つのエッチャーリング１を得る領域のうち、図中の下方に示されたエッチャーリング１を代表例として、エッチャーリング１を得るための加工部分について説明する。加工装置においては、積層体６ａが以下に示すように加工されることにより、図２に示すような構造のエッチャーリング１が得られる。

【0105】

積層体６ａにおいて、図中の下方に示されたエッチャーリング１を得る場合は、加工装置において、まず、積層体６ａの下面側を例えば破線７１ａのような位置まで切削して平面化する加工と、積層体６ａの上面側を例えば破線７２ａのような位置まで切削して平面化する加工とが行なわれる。これにより、積層体６ａの積層方向の両端面が平面化される。

【0106】

次に、加工装置においては、積層体６ａの外周側を例えば破線７３ａのような位置まで切削して基材５ａの第２領域５２ａを露出させる加工と、積層体６ａの内周側を例えば破線７４ａのような位置まで切削して基材５ａの第１領域５１ａを露出させる加工とが行なわれる。

【0107】

基材５ａの第２領域５２ａを露出させる加工においては、基材５ａの円の中心の位置を基準位置として、破線７３ａで示すようなエッチャーリング１の予め定められた外周の寸法の位置と同じ位置まで、積層体６ａの外周側を切削する。基材５ａの第１領域５１ａを露出させる加工においては、基材５ａの円の中心の位置を基準位置として、破線７４ａで示すようなエッチャーリング１の予め定められた内周の寸法の位置と同じ位置まで、積層体６ａの内周側を切削する。

【0108】

なお、基材５ａの第１領域５１ａを露出させる加工においては、少なくとも基材５ａの外周部側の端部および内周部側の端部が露出するまで積層体６ａを切削すればよく、破線７３ａで示される位置までの切削、および、破線７４ａで示される位置までの切削は、基材５ａを除去した後に行なってもよい。

【0109】

次に、化学的処理により、基材５ａを除去する処理が行なわれる。これにより、積層体６ａにおいては、図１１の一点鎖線７０の上側に示されたエッチャーリング１を作成するための第１部材と、図１１の一点鎖線７０の下側に示されたエッチャーリング１を作成するための第２部材とが分離する。

【0110】

以下においては、図１１の下側に示されたエッチャーリング１を作成するための部材に関して、エッチャーリング１を作成するための加工方法を説明する。

【0111】

図１１の下側に示されたエッチャーリング１を作成するための第２部材を、前述のように平面化した第１層６１の側を上下方向に向けて加工装置の加工部において保持する。そして、加工装置においては、エッチャーリング１の径方向における第１層１１の厚さの分布が図２に示すような厚さの分布となるように、エッチャーリング１の上面側を切削する加工を行なう。

【0112】

具体的には、エッチャーリング１における第１層１１と第２層１２との界面１５が図２に示すような断面形状となるように、基材５ａの下端の位置を基準位置として、第２部材の下面側を切削する加工を行なう。例えば、図１１の破線７５ａのような位置まで第２部材を切削したり、図１１の破線７６ａのような位置まで第２部材を切削したりする。その場合において、第２部材の下面側を切削する各位置は、第１層１１および第２層１２の成膜開始からの成膜終了までの経過時間と、第１層１１および第２層１２の成膜速度とに基づいて予め推定する。

【0113】

また、図１１に示すエッチャーリング１における第１層１１の第３領域１１３は、基材５ａの円の中心の位置を基準位置として、その基準位置から予め定められた位置まで第２部材を切削することにより形成される。

【0114】

また加工装置においては、第２部材の上面側が、図２に示すような断面形状となるように、基材５ａの下端の位置を基準位置として、第２部材の上面側を切削する加工を行なう。例えば、図１１の破線７７ａのような位置まで第２部材を切削する。その場合において、第２部材の上面側を切削する位置は、第１層１１および第２層１２の成膜開始からの成膜終了までの経過時間と、第１層１１および第２層１２の成膜速度とに基づいて予め推定する。

【0115】

第１部材については、前述した第２部材と同様の加工をすることにより、図２に示すような構造のエッチャーリング１を得ることができる。

【0116】

実施の形態２では、以上に説明したように、ＣＶＤ成膜装置４で図１０のような積層体６ａを形成した後、加工装置で図１１のように積層体６ａを加工することにより、積層体６ａから図１～図３に示すような構造のエッチャーリング１を得ることができる。

【0117】

（エッチャーリング１の製造工程）
図１２は、実施の形態２のエッチャーリング１の製造工程を示すフローチャートである。図１２を用いて、前述した図９～図１１で説明したエッチャーリング１の製造方法を実現するための製造工程の流れをまとめて説明する。

【0118】

図１２に示した製造工程については、エッチャーリング１の製造方法を総括し、主として製造工程の流れを明確化するための説明をする。

【0119】

ステップＳ１１の工程では、ＣＶＤ成膜装置４において、基材５ａの周囲にＳｉＣの第２層６２を形成する。ステップＳ１の工程では、具体的に、前述したように、基材５ａの周囲において、図１０に示す断面形状となるように第２層６２を形成する。

【0120】

ステップＳ１２の工程では、ＣＶＤ成膜装置４において、第２層６２の周囲に、ＳｉＣよりなる第１層６１を形成する。ステップＳ１２の工程では、具体的に、前述したように、第２層６２の周囲において、図１０に示す断面形状となるように第１層６１を形成する。ステップＳ１１の工程およびステップＳ１２の工程が実行されることにより、図１０に示すような積層体６ａが形成される。

【0121】

ステップＳ１３の工程では、加工装置において、積層体６ａの上面側を平面に加工するとともに、積層体６ａの下面側を平面に加工する。ステップＳ１３の工程では、前述したように、積層体６ａの内周側および外周側を切削することにより、積層体６ａの上面側および下面側を平面に加工する。

【0122】

ステップＳ１４の工程では、加工装置において、基材５ａの内周側および外周側を露出させる。具体的に、ステップＳ１４の工程では、前述したように、基材５ａの円の中心の位置を基準位置として予め定められた第１の位置まで積層体６ａの内周側を切削する。さらに、ステップＳ１４の工程では、前述したように、基材５ａの円の中心の位置を基準位置として、予め定められた第２の位置まで積層体６ａの外周側を切削することにより、基材５ａの外周側を露出させる。

【0123】

ステップＳ１５の工程では、加工装置において、基材５ａを除去する。具体的に、ステップＳ１５の工程では、前述したように、化学的処理により、基材５ａを除去する。これにより、前述のような第１部材および第２部材が得られる。

【0124】

ステップＳ１６の工程では、加工装置において、第１部材または第２部材においてエッチャーリング１の上面側となる部分について、図２に示す第１層１１の第２領域１１２における層の厚さが、エッチングでの損耗により図２に示す第２層１２が露出しない厚さとなるような第１層１１および第２層１２を形成するための切削をする加工を行なう。

【0125】

具体的に、ステップＳ１６の工程では、加工装置において、第１部材または第２部材においてエッチャーリング１の下面側となる部分が、図２に示すような断面形状となるように、基材５ａの下端の位置を基準位置として、第１部材または第２部材を切削する加工を行なう。

【0126】

また、ステップＳ１６の工程では、加工装置において、第１部材または第２部材においてエッチャーリング１の下面側となる部分が、図２に示すような断面形状となるように、基材５ａの下端の位置を基準位置として、第１部材または第２部材を切削する加工を行なう。これにより、ステップＳ１６の工程では、第２層１２が、第１層１１における第２領域１１２の下方において存在するように加工される。

【0127】

実施の形態２では、以上に説明したように製造工程を実行することにより、図１および図２に示すような構造のエッチャーリング１を得ることができる。

【0128】

以上に説明した実施の形態２のエッチャーリング１においては、実施の形態１と共通する技術について同様の技術的効果が得られる。

【0129】

［実施の形態３］
次に、図１３～図１７を用いて、実施の形態３を説明する。実施の形態３においては、例えば図１～図３に示すような第１層１１の第２領域１１２において、第１層１１の層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層１２が露出しない厚さとなるように形成される構成について、その他の構成例を説明する。

【0130】

実施の形態３が実施の形態１および実施の形態２と異なる点は、主に以下の点である。実施の形態３では、第２層１２ａが、第１層１１ａにおける第２領域１１２ａの下方では第２層１２ａが存在しない態様で、第１層１１ａの下方に積層される。

【0131】

（エッチャーリング１ａの全体構成）
図１３は、実施の形態３におけるエッチャーリング１ａの全体の断面図である。図１３においては、リング形状のエッチャーリング１ａの中心線に沿った断面が示されている。図１４は、実施の形態３におけるエッチャーリング１ａの実施の形態１におけるエッチャーリング１ａの一部の断面図である。図１４においては、図１３においてエッチャーリング１ａの右側に示された断面が拡大されている。

【0132】

図１３および図１４に示されるように、エッチャーリング１ａは、第１層１１ａの下方において、第２層１２ａが形成されている。第１層１１ａは、前述した第１層１１と同様に、ＳｉＣにより構成される。第２層１２ａは、前述した第２層１２と同様に、ＳｉＣにより構成される。

【0133】

図１４の構成は、図２の構成と以下のような対応関係がある。第１領域１１１ａが図２等の第１領域１１１に対応する。第２領域１１２ａが図２等の第２領域１１２に対応する。第３領域１１３ａが図２等の第３領域１１３に対応する。第４領域１１４ａが図２等の第４領域１１４に対応する。

【0134】

第１面９１ａが図２等の第１面９１に対応する。第２面９２ａが図２等の第２面９２に対応する。第３面９３ａが図２等の第３面９３に対応する。第４面９４ａが図２等の第４面９４に対応する。第２層１２の第２領域１２２ａは、図２等の第２領域１２２に対応する。第２層１２の第３領域１２３ａは、図２等の第３領域１２３に対応する。界面１５ａが図２等の界面１５に対応する。

【0135】

図１３および図１４に示すエッチャーリング１ａが、図１のエッチャーリング１と異なるのは、図１４に具体的に示すように、第１層１１ａの第２領域１１２ａにおける下方に第２層１２ａが形成されていないことである。

【0136】

図１４に具体的に示されるように、第２層１２ａは、第１層１１ａの第２領域１１２ａにおける下方に存在しない態様で、第１層１１ａの下方に積層されている。例えば、第２層１２ａは、図１４に示されるように、第１層１１ａにおける第１領域１１１ａ、第２領域１１２ａ、および、第３領域１１３ａの下方に形成されておらず、第１層１１ａにおける第４領域１１４ａの下方に形成されている。しがって、実施の形態３におけるエッチャーリング１ａは、第２層１２ａが、図２等に示す第２層１２の第１領域１２１を含まない。

【0137】

（エッチングでの第１層１１の損耗による第２層１２の露出を防ぐ構成）
図１５は、実施の形態３におけるエッチャーリング１ａのエッチングでの第１層１１の損耗を説明する断面図である。

【0138】

エッチング装置において、ウエハ２をプラズマエッチングすると、図１５に示されるように、第２領域１１２ａにおいて、第１層１１ａが損耗して穴３が生じ、第１層１１ａの厚さが減少する。このようなエッチングによる損耗によって第２層１２ａが露出しないようにするために、第１層１１ａは、第２領域１１２ａにおける層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層１２ａが露出しない厚さとなるように形成される。そして、第１層１１の第２領域１１２ａの下方には、第２層１２ａが存在しない。

【0139】

このように、実施の形態あのエッチャーリング１では、第１層１１ａの第２領域１１２ａにおける層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層１２が露出しない厚さとなるように形成され、第１層１１の第２領域１１２ａの下方には第２層１２ａが存在しない。これにより、第１層１１と第２層１２とを備えるエッチャーリング１ａについて、エッチングにおいて第２層１２が露出することを抑制することができる。

【0140】

（エッチャーリング１ａの製造方法）
図１６は、実施の形態３の積層体６を加工装置によって加工することにより得られるエッチャーリング１ａの部分を示す積層体６の断面図である。図１６に示すように、積層体６においては、エッチャーリング１ａを２つ得ることができる。

【0141】

実施の形態３のエッチャーリング１ａの製造方法は、基材５の周囲に第１層６１および第２層６２を積層させた積層体６を形成するまでの方法が、実施の形態１で図５および図６を用いて説明した方法と同様である。

【0142】

以下においては、図１６に示された２つのエッチャーリング１ａを得る領域のうち、図中の下方に示されたエッチャーリング１ａを代表例として、エッチャーリング１ａを得るための加工部分について説明する。加工装置においては、積層体６が以下に示すように加工されることにより、図１３に示すような構造のエッチャーリング１ａが得られる。

【0143】

積層体６において、図中の下方に示されたエッチャーリング１ａを得る場合は、加工装置において、まず、積層体６の下面側を例えば破線７１ｂのような位置まで切削して平面化する加工と、積層体６の上面側を例えば破線７２ｂのような位置まで切削して平面化する加工とが行なわれる。これにより、積層体６の積層方向の両端面が平面化される。

【0144】

次に、加工装置においては、積層体６の外周側を例えば破線７３ｂのような位置まで切削して基材５の第１領域５１を露出させる加工と、積層体６の内周側を例えば破線７４ｂのような位置まで切削して基材５の第２領域５２を露出させる加工とが行なわれる。

【0145】

基材５の第１領域５１を露出させる加工においては、基材５の円の中心の位置を基準位置として、破線７３ｂで示すようなエッチャーリング１ａの予め定められた外周の寸法の位置と同じ位置まで、積層体６の外周側を切削する。基材５の第２領域５２を露出させる加工においては、基材５の円の中心の位置を基準位置として、破線７４ｂで示すようなエッチャーリング１ａの予め定められた内周の寸法の位置と同じ位置まで、積層体６の内周側を切削する。

【0146】

なお、基材５の第１領域５１を露出させる加工においては、少なくとも基材５の外周部側の端部および内周部側の端部が露出するまで積層体６を切削すればよく、図１６の破線７３ｂで示される位置までの切削、および、図１６の破線７４ｂで示される位置までの切削は、基材５を除去した後に行なってもよい。

【0147】

次に、化学的処理により、基材５を除去する処理が行なわれる。これにより、積層体６においては、図１６の下側に示されたエッチャーリング１ａを作成するための第１部材と、図１６の下側に示されたエッチャーリング１ａを作成するための第２部材とが分離する。

【0148】

以下においては、図１６の下側に示されたエッチャーリング１ａを作成するための部材に関して、エッチャーリング１ａを作成するための加工方法を説明する。

【0149】

図１６の下側に示されたエッチャーリング１ａを作成するための第２部材を、前述のように平面化した第２層６２の側を下方に向けて加工装置の加工部において保持する。そして、加工装置においては、エッチャーリング１ａの径方向における第１層１１ａの厚さの分布が図２に示すような厚さの分布となるように、エッチャーリング１ａの上面側を切削する加工を行なう。

【0150】

具体的には、エッチャーリング１における第１層１１ａと第２層１２ａとの界面１５ａが図２に示すような断面形状となるように、基材５の下端の位置を基準位置として、第２部材の上面側を切削する加工を行なう。例えば、図１６の破線７５ｂのような位置まで第２部材を切削したり、図１６の破線７６ｂのような位置まで第２部材を切削したりする。その場合において、第２部材の上面側を切削する各位置は、第１層１１ａおよび第２層１２ａの成膜開始からの成膜終了までの経過時間と、第１層１１ａおよび第２層１２ａの成膜速度とに基づいて予め推定する。

【0151】

また、図１４に示すエッチャーリング１ａにおける第１層１１ａの第３領域１１３ａは、基材５の円の中心の位置を基準位置として、その基準位置から予め定められた位置まで第２部材を切削することにより形成される。

【0152】

また、加工装置においては、第２部材の下面側が、図１４に示すような断面形状となるように、基材５の下端の位置を基準位置として、第２部材の下面側を切削する加工を行なう。例えば、図１６の破線７７ｂのように、図１４に示す第１層１１ａの第１領域１１１ａ、第２領域１１２ａ、および、第３領域１１３ａが、第２層６２ａの手前における第１層６１ａの位置となるまで第２部材を切削する。その場合において、第２部材の下面側を切削する位置は、第１層１１ａおよび第２層１２ａの成膜開始からの成膜終了までの経過時間と、第１層１１ａおよび第２層１２ａの成膜速度とに基づいて予め推定する。

【0153】

これにより、エッチャーリング１ａにおける第１層１１ａの第１領域１１１ａ、第２領域１１２ａ、および、第３領域１１３ａの下方は、図１４に示すように第２層１２ａが存在しない構成となる。

【0154】

第１部材については、前述した第２部材と同様の加工をすることにより、図１４に示すような構造のエッチャーリング１ａを得ることができる。

【0155】

実施の形態３では、以上に説明したように、ＣＶＤ成膜装置４で図６のような積層体６を形成した後、加工装置で図１６のように積層体６を加工することにより、積層体６から図１３～図１５に示すような構造のエッチャーリング１ａを得ることができる。

【0156】

（エッチャーリング１ａの製造工程）
図１７は、実施の形態３のエッチャーリング１ａの製造工程を示すフローチャートである。図１７を用いて、前述した図５、図６、および、図１６で説明したエッチャーリング１ａの製造方法を実現するための製造工程の流れをまとめて説明する。

【0157】

図１７に示した製造工程については、エッチャーリング１ａの製造方法を総括し、主として製造工程の流れを明確化するための説明をする。

【0158】

ステップＳ２１の工程では、ＣＶＤ成膜装置４において、基材５の周囲にＳｉＣの第１層６１を形成する。ステップＳ２１の工程は、実施の形態１のステップＳ１と同様の工程である。

【0159】

ステップＳ２２の工程では、ＣＶＤ成膜装置４において、第１層６１の周囲に、ＳｉＣよりなる第２層６２を形成する。ステップＳ２２の工程は、実施の形態１のステップＳ２と同様の工程である。

【0160】

ステップＳ２３の工程では、加工装置において、積層体６の上面側を平面に加工するとともに、積層体６の下面側を平面に加工する。ステップＳ２３の工程は、実施の形態１のステップＳ３と同様の工程である。

【0161】

ステップＳ２４の工程では、加工装置において、基材５の内周側および外周側を露出させる。ステップＳ２４の工程は、実施の形態１のステップＳ４と同様の工程である。

【0162】

ステップＳ２５の工程では、加工装置において、基材５を除去する。ステップＳ２５の工程は、実施の形態１のステップＳ２５と同様の工程である。

【0163】

ステップＳ２６の工程では、加工装置において、第１部材または第２部材について、図１４に示す第１層１１ａの第２領域１１２ａにおける層の厚さが、エッチングでの損耗により図１４に示す第２層１２ａが露出しない厚さとなるような第１層１１ａおよび第２層１２ａを形成するための切削をする加工を行なう。

【0164】

具体的に、ステップＳ２６の工程では、前述したように、基材５の下端の位置を基準位置として、予め定められた厚さに亘りエッチャーリング１の上面側となる部分を切削する加工を行なう等、第１層１１ａ側の面を加工する。

【0165】

また、ステップＳ２６の工程では、加工装置において、第１部材または第２部材において、エッチャーリング１ａの下面側となる部分が、図１４に示すような断面形状となるように、基材５の下端の位置を基準位置として、第１部材または第２部材を切削する加工を行なう。これにより、ステップＳ２６の工程では、第２層１２が、第１層１１における第２領域１１２の下方において存在しないように加工される。

【0166】

実施の形態３では、以上に説明したように製造工程を実行することにより、図１３および図１４に示すような構造のエッチャーリング１ａを得ることができる。

【0167】

以上に説明した実施の形態３のエッチャーリング１ａにおいては、実施の形態１と共通する技術について実施の形態１と同様の技術的効果が得られる。

【0168】

以上に説明した実施の形態３のエッチャーリング１ａにおいては、次のような特有の技術的効果を得ることができる。

【0169】

（１）実施の形態３のエッチャーリング１ａにおいては、図１４および図１５に示すように、第２層１２ａが、第１層１１ａにおける第２領域１１２ａの下方では第２層１２ａが存在しないように、第１層１１ａの下方に積層される。これにより、第１層１１ａと第２層１２ａとを備えるエッチャーリング１ａにおいては、第１層１１ａの下方に第２層１２ａが存在しないので、エッチングにおいて第２層１２ａが露出することを抑制することができる。

【0170】

（２）実施の形態３のエッチャーリング１においては、図１６および図１７に示すように、第２層１２ａが、第１層１１ａにおける第２領域１１２ａの下方では第２層１２が存在しないようにする加工をする。これにより、第１層１１ａと第２層１２ａとを備えるエッチャーリング１ａにおいては、第１層１１ａの下方に第２層１２ａが存在しないので、エッチングにおいて第２層１２ａが露出することを抑制することができる。

【0171】

［実施の形態４］
次に、図１８～図１９を用いて、実施の形態４を説明する。実施の形態４においては、図１３～図１５に示すエッチャーリング１ａのその他の製造方法を説明する。

【0172】

実施の形態４が実施の形態３と異なる点は、主に以下の点である。実施の形態４では、実施の形態３の基材５と異なる基材５ａが用いられる。実施の形態４では、実施の形態３の積層体６における第１層６１および第２層６２と異なる順番により、第１層６１ａおよび第２層６２ａが積層された積層体６ａが形成される。実施の形態４では、積層体６ａを、実施の形態３の積層体６とは異なる順番で切削する加工が行なわれる。

【0173】

（エッチャーリング１ａの製造方法）
図１８は、実施の形態４の積層体６ａを加工装置によって加工することにより得られるエッチャーリング１ａの部分を示す積層体６の断面図である。図１８に示すように、積層体６ａにおいては、エッチャーリング１ａを２つ得ることができる。図１８においては、１つのエッチャーリング１ａの製造範囲を明確化するために、２つのエッチャーリング１ａの製造範囲の境界が一点鎖線７０で示されている。

【0174】

実施の形態４においては、実施の形態２のように、図９に示す基材５ａの周囲に図１０に示す第２層６２が形成された後、その第２層６２の周囲に第１層６１が形成されることにより、積層体６ａが形成される。

【0175】

実施の形態４のエッチャーリング１ａの製造方法は、基材５の周囲に第２層６２および第１層６１を積層させた積層体６ａを形成するまでの方法が、実施の形態２で図９および図１０を用いて説明した方法と同様である。

【0176】

以下においては、図１８に示された２つのエッチャーリング１ａを得る領域のうち、図中の下方に示されたエッチャーリング１ａを代表例として、エッチャーリング１ａを得るための加工部分について説明する。加工装置においては、積層体６ａが以下に示すように加工されることにより、図１４に示すような構造のエッチャーリング１ａが得られる。

【0177】

積層体６ａにおいて、図中の下方に示されたエッチャーリング１ａを得る場合は、加工装置において、まず、積層体６ａの下面側を例えば破線７１ａのような位置まで切削して平面化する加工と、積層体６ａの上面側を例えば破線７２ａのような位置まで切削して平面化する加工とが行なわれる。これにより、積層体６ａの積層方向の両端面が平面化される。

【0178】

次に、加工装置においては、積層体６ａの外周側を例えば破線７３ａのような位置まで切削して基材５ａの第２領域５２ａを露出させる加工と、積層体６ａの内周側を例えば破線７４ａのような位置まで切削して基材５ａの第１領域５１ａを露出させる加工とが行なわれる。

【0179】

基材５ａの第２領域５２ａを露出させる加工においては、基材５ａの円の中心の位置を基準位置として、破線７３ａで示すようなエッチャーリング１ａの予め定められた外周の寸法の位置と同じ位置まで、積層体６ａの外周側を切削する。基材５ａの第１領域５１ａを露出させる加工においては、基材５ａの円の中心の位置を基準位置として、破線７４ａで示すようなエッチャーリング１ａの予め定められた内周の寸法の位置と同じ位置まで、積層体６ａの内周側を切削する。

【0180】

なお、基材５ａの第１領域５１ａを露出させる加工においては、少なくとも基材５ａの外周部側の端部および内周部側の端部が露出するまで積層体６ａを切削すればよく、破線７３ａで示される位置までの切削、および、図１１の破線７４ａで示される位置までの切削は、基材５ａを除去した後に行なってもよい。

【0181】

次に、化学的処理により、基材５ａを除去する処理が行なわれる。これにより、積層体６ａにおいては、図１８の下側に示されたエッチャーリング１ａを作成するための第１部材と、図１８の下側に示されたエッチャーリング１ａを作成するための第２部材とが分離する。

【0182】

以下においては、図１８の下側に示されたエッチャーリング１ａを作成するための部材に関して、エッチャーリング１ａを作成するための加工方法を説明する。

【0183】

図１８の下側に示されたエッチャーリング１ａを作成するための第２部材を、前述のように平面化した第１層６１の側を上下方向に向けて加工装置の加工部において保持する。そして、加工装置においては、エッチャーリング１ａの径方向における第１層１１の厚さの分布が図１４に示すような厚さの分布となるように、エッチャーリング１ａの上面側を切削する加工を行なう。

【0184】

具体的には、図１４に示すエッチャーリング１ａにおける第１層１１ａと第２層１２ａとの界面１５ａが図１４に示すような断面形状となるように、基材５ａの下端の位置を基準位置として、第２部材の下面側を切削する加工を行なう。例えば、図１８の破線７５ａのような位置まで第２部材を切削したり、図１８の破線７６ａのような位置まで第２部材を切削したりする。その場合において、第２部材の下面側を切削する各位置は、第１層１１ａおよび第２層１２ａの成膜開始からの成膜終了までの経過時間と、第１層１１ａおよび第２層１２ａの成膜速度とに基づいて予め推定する。

【0185】

また、図１４に示すエッチャーリング１ａにおける第１層１１ａの第３領域１１３ａは、基材５ａの円の中心の位置を基準位置として、その基準位置から予め定められた位置まで第２部材を切削することにより形成される。

【0186】

また加工装置においては、第２部材の上面側が、図１４に示すような断面形状となるように、基材５ａの下端の位置を基準位置として、第２部材の上面側を切削する加工を行なう。例えば、図１８の破線７７ａのような位置まで第２部材を切削する。その場合において、第２部材の上面側を切削する位置は、第１層１１ａおよび第２層１２ａの成膜開始からの成膜終了までの経過時間と、第１層１１ａおよび第２層１２ａの成膜速度とに基づいて予め推定する。

【0187】

これにより、エッチャーリング１ａにおける第１層１１ａの第１領域１１１ａ、第２領域１１２ａ、および、第３領域１１３ａの下方は、図１４に示すように第２層１２ａが存在しない構成となる。

【0188】

第１部材については、前述した第２部材と同様の加工をすることにより、図１４に示すような構造のエッチャーリング１ａを得ることができる。

【0189】

実施の形態４では、以上に説明したように、ＣＶＤ成膜装置４で図１０のような積層体６ａを形成した後、加工装置で図１８のように積層体６ａを加工することにより、積層体６ａから図１３～図１５に示すような構造のエッチャーリング１ａを得ることができる。

【0190】

（エッチャーリング１ａの製造工程）
図１９は、実施の形態４のエッチャーリング１ａの製造工程を示すフローチャートである。図１９を用いて、前述した図９，図１０、および、図１８で説明したエッチャーリング１ａの製造方法を実現するための製造工程の流れをまとめて説明する。

【0191】

図１９に示した製造工程については、エッチャーリング１ａの製造方法を総括し、主として製造工程の流れを明確化するための説明をする。

【0192】

ステップＳ３１の工程では、ＣＶＤ成膜装置４において、基材５ａの周囲にＳｉＣの第２層６２を形成する。ステップＳ３１の工程は、実施の形態２のステップＳ１１と同様の工程である。

【0193】

ステップＳ３２の工程では、ＣＶＤ成膜装置４において、第２層６２の周囲に、ＳｉＣよりなる第１層６１を形成する。ステップＳ３２の工程は、実施の形態２のステップＳ１２と同様の工程である。

【0194】

ステップＳ３３の工程では、加工装置において、積層体６ａの上面側を平面に加工するとともに、積層体６ａの下面側を平面に加工する。ステップＳ３３の工程は、実施の形態２のステップＳ１３と同様の工程である。

【0195】

ステップＳ３４の工程では、加工装置において、基材５ａの内周側および外周側を露出させる。ステップＳ３４の工程は、実施の形態２のステップＳ１４と同様の工程である。

【0196】

ステップＳ３５の工程では、加工装置において、基材５ａを除去する。ステップＳ４５の工程は、実施の形態２のステップＳ１５と同様の工程である。

【0197】

ステップＳ３６の工程では、加工装置において、第１部材または第２部材について、図１４に示す第１層１１ａの第２領域１１２ａにおける層の厚さが、エッチングでの損耗により図１４に示す第２層１２ａが露出しない厚さとなるように、第１層１１ａおよび第２層１２ａが形成されるように切削する加工を行なう。

【0198】

具体的に、ステップＳ３６の工程では、前述したように、基材５ａの下端の位置を基準位置として、予め定められた厚さに亘りエッチャーリング１ａの上面側となる部分を切削する加工を行なう等、第１層１１側の面を加工する。

【0199】

また、ステップＳ３６の工程では、加工装置において、第１部材または第２部材において、エッチャーリング１ａの下面側となる部分が、図１４に示すような断面形状となるように、基材５ａの下端の位置を基準位置として、第１部材または第２部材を切削する加工を行なう。これにより、ステップＳ３６の工程では、第２層１２が、第１層１１における第２領域１１２の下方において存在しないように加工される。

【0200】

実施の形態４では、以上に説明したように製造工程を実行することにより、図１３および図１４に示すような構造のエッチャーリング１ａを得ることができる。

【0201】

以上に説明した実施の形態４のエッチャーリング１ａにおいては、実施の形態１と共通する技術について実施の形態１と同様の技術的効果が得られ、実施の形態３と共通する技術について同様の技術的効果が得られる。

【0202】

［実施の形態のまとめ］
次に、本開示による実施の形態の特徴をまとめて説明する。

【0203】

（第１項）エッチングされるウエハ（ウエハ２）を保持するエッチャーリング（エッチャーリング１，１ａ）であって、第１領域（第１領域１１１，１１１ａ）と前記第１領域（第１領域１１１，１１１ａ）の外周側に隣接する第２領域（第２領域１１２，１１２ａ）とを含み、前記第１領域（第１領域１１１，１１１ａ）の上方に前記ウエハ（ウエハ２）の端部が保持される第１層（第１層１１，１１ａ）と、前記第１層（第１層１１，１１ａ）の下方に積層された第２層（第２層１２，１２ａ）とを備え、前記第１層（第１層１１，１１ａ）は、前記第２領域（第２領域１１２，１１２ａ）における層の厚さが、前記エッチングでの損耗により前記第２層（第２領域１１２，１１２ａ）が露出しない厚さ（図２の第１層１１の厚さ、図１４の第１層１１ａの厚さ）となるように形成される、エッチャーリング。

【0204】

このような構成によれば、エッチングをされる場合に、第１層が厚さ方向に損耗する領域である第２領域において、第１層の層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層が露出しない厚さとなるように形成される。これにより、第１層と第２層とを備えるエッチャーリングにおいては、第１層の層の厚さにより、第２層が露出することを抑制することができる。

【0205】

（第２項）前記第１層（第１層１１，１１ａ）は、前記第２領域（第２領域１１２，１１２ａ）の厚さ方向において、前記第１層（第１層１１，１１ａ）の方が、前記第２層（第２層１２，１２ａ）よりも厚くなるように形成される（図２、図１４）、第１項に記載のエッチャーリング。

【0206】

このような構成によれば、第１層が、第２領域の厚さ方向において、第１層の方が第２層よりも厚くなるように形成される。これにより、第１層と第２層とを備えるエッチャーリングにおいては、第１層の方が第２層よりも厚いことにより、エッチングにおいて第２層が露出することを抑制することができる。

【0207】

（第３項）前記第２層（第２層１２）は、前記第１層（第１層１１）における前記第２領域（第２領域１１２）の下方では前記第２層（第２層１２）が存在するように、前記第１層（第１層１１）の下方に積層される（図２）、第１項または第２項に記載のエッチャーリング。

【0208】

このような構成によれば、第２層が、第１層における第２領域の下方では第２層が存在するように、第１層の下方に積層される。これにより、第１層と第２層とを備えるエッチャーリングにおいては、第１層の下方に存在する第２層に関して、第１層の厚さにより、エッチングにおいて第２層が露出することを抑制することができる。

【0209】

（第４項）前記第２層（第２層１２ａ）は、前記第１層（第１層１１ａ）における前記第２領域（第２領域１１２ａ）の下方では前記第２層（第２層１２ａ）が存在しないように、前記第１層（第１層１１ａ）の下方に積層される（図１４）、第１項または第２項に記載のエッチャーリング。

【0210】

このような構成によれば、第２層が、第１層における第２領域の下方では第２層が存在しないように、第１層の下方に積層される。これにより、第１層と第２層とを備えるエッチャーリングにおいては、第１層の下方に第２層が存在しないので、エッチングにおいて第２層が露出することを抑制することができる。

【0211】

（第５項）前記第１層（第１層１１，１１ａ）および前記第２層（第２層１２，１２ａ）は、ＳｉＣにより構成される、第１項～第４項のいずれか１項に記載のエッチャーリング。

【0212】

このような構成によれば、第１層および第２層がＳｉＣにより構成されるエッチャーリングにおいて、エッチングの際に第２層が露出することを抑制することができる。

【0213】

（第６項）前記第１層（第１層１１，１１ａ）における前記第２領域（第２領域１１２，１１２ａ）は、第１領域（第１領域１１１，１１１ａ）の上方に端部が保持された前記ウエハ（ウエハ２）が前記エッチングをされる場合に、前記第１層（第１層１１，１１ａ）が前記第２領域（第２領域１１２，１１２ａ）の厚さ方向に損耗する領域である（図３，図１５）、第１項～第５項のいずれか１項に記載のエッチャーリング。

【0214】

このような構成によれば、エッチャーリングにおいて、エッチングの際に損耗する領域において、エッチングの際に第２層が露出することを抑制することができる。

【0215】

（第７項）前記第１層（第１層１１，１１ａ）は、前記第２領域（第２領域１１２，１１２ａ）の外周側に隣接する第３領域（第３領域１１３，１１３ａ）をさらに含み、前記第３領域（第３領域１１３，１１３ａ）は、前記ウエハ（ウエハ２）の端部が前記第１領域（第１層１１，１１ａ）の上方に保持された場合に前記ウエハ（ウエハ２）の端部に対向するように突出した形状を有する（図２、図１４）、第１項～第５項のいずれか１項に記載のエッチャーリング。

【0216】

このような構成によれば、エッチャーリングにおいて、ウエハが保持される場合に、第３領域によりウエハの外周を囲むことができる。

【0217】

（第８項）エッチングされるウエハ（ウエハ２）を保持するエッチャーリングを製造する方法であって、リング形状の基材（基材５，５ａ）の周囲に第１層（第１層６１，１１、第１層６１ａ，６１ａ）および第２層（第２層６２，１２、第２層６２ａ，１２ａ）を積層する工程（ステップＳ１，Ｓ２、ステップＳ１１，Ｓ１２、ステップＳ２１，Ｓ２２、ステップＳ３１，Ｓ３２）と、前記第１層（第１層６１，１１、第１層６１ａ，１１ａ）および前記第２層（第２層６２，１２、第２層６２ａ，１２ａ）の積層方向における両端面を平面に加工する工程（ステップＳ３，ステップＳ１３、ステップＳ２３、ステップＳ３３）と、前記基材（基材５，５ａ）の内周および外周を露出させる工程（ステップＳ４，ステップＳ１４、ステップＳ２４、ステップＳ３４）と、前記基材（基材５，５ａ）を除去する工程（ステップＳ５，ステップＳ１５、ステップＳ２５、ステップＳ３５）と、前記第１層（第１層６１，１１、第１層６１ａ，１１ａ）において前記ウエハ（ウエハ２）の端部が保持される側の面を加工する工程（ステップＳ６，ステップＳ１６、ステップＳ２６、ステップＳ３６）とを含み、前記第１層（第１層６１，１１、第１層６１ａ，１１ａ）および前記第２層（第２層６２，１２、第２層６２ａ，１２ａ）は、一方の層を前記基材の周りに形成した後、他方の層を前記一方の層の周りに形成することにより積層し（図６、図１０）、前記第１層（第１層６１，１１、第１層６１ａ，１１ａ）は、前記ウエハ（ウエハ２）の端部が保持される第１領域（第１領域１１１，１１１ａ）と、前記第１領域の外周側に隣接する第２領域（第２領域１１２，１１２ａ）とを含むように加工し、前記第２領域（第２層６２，１２、第２層６２ａ，１２ａ）における層の厚さが、前記エッチングでの損耗により前記第２層（第２層６２，１２、第２層６２ａ，１２ａ）が露出しない厚さとなるように加工する（ステップＳ６，ステップＳ１６、ステップＳ２６、ステップＳ３６）、エッチャーリングの製造方法。

【0218】

このような構成によれば、ウエハの端部が保持される第１領域と、第１領域の外周側に隣接する第２領域とを含むように第１層が加工され、第２領域における第１層の層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層が露出しない厚さとなるように加工される。これにより、第１層と第２層とを備えるエッチャーリングにおいては、第２層が露出することを抑制することができる。

【0219】

（第９項）前記第１層（第１層１１，１１ａ）は、前記第２領域（第２領域１１２，１１２ａ）の厚さ方向において、前記第１層（第１層１１，１１ａ）の方が、前記第２層（第２層１２，１２ａ）よりも厚くなるように加工する（ステップＳ６，ステップＳ１６、ステップＳ２６、ステップＳ３６）、第８項に記載のエッチャーリングの製造方法。

【0220】

このような構成によれば、第１層が、第２領域の厚さ方向において、第１層の方が第２層よりも厚くなるように加工される。これにより、第１層と第２層とを備えるエッチャーリングにおいては、第１層の方が第２層よりも厚いことにより、エッチングにおいて第２層が露出することを抑制することができる。

【0221】

（第１０項）前記第２層（第２層１２）は、前記第１層（第１層１１）における前記第２領域（第２領域１１２）の下方では前記第２層（第２層１２）が存在するように加工する（ステップＳ６，ステップＳ１６、ステップＳ２６、ステップＳ３６）、第８項または第９項に記載のエッチャーリングの製造方法。

【0222】

このような構成によれば、第２層は、第１層における第２領域の下方では第２層が存在するように、第１層の下方に積層される。これにより、第１層と第２層とを備えるエッチャーリングにおいては、第１層の下方に存在する第２層に関して、第１層の厚さにより、エッチングにおいて第２層が露出することを抑制することができる。

【0223】

（第１１項）前記第２層（第２層１２ａ）は、前記第１層（第１層１１ａ）における前記第２領域（第２領域１１２ａ）の下方では前記第２層（第２層１２ａ）が存在しないように加工する（ステップＳ６，ステップＳ１６、ステップＳ２６、ステップＳ３６）、第８項または第９項に記載のエッチャーリングの製造方法。

【0224】

このような構成によれば、第２層は、第１層における第２領域の下方では第２層が存在しないように加工する。これにより、第１層と第２層とを備えるエッチャーリングにおいては、第１層の下方に第２層が存在しないので、エッチングにおいて第２層が露出することを抑制することができる。

【0225】

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0226】

２ ウエハ、１，１ａ エッチャーリング、１１１，１１１ａ 第１領域、１１２，１１２ａ 第２領域、１１，１１ａ，６１，６１ａ 第１層、１２，１２ａ，６２，６２ａ 第２層、１１３，１１３ａ 第３領域、５，５ａ 基材。

【要約】

【課題】第１層と第２層とを備えるエッチャーリングについて、第２層が露出することを抑制することができるようにすることである。
【解決手段】エッチングされるウエハを保持するエッチャーリング（１）であって、第１領域（１１１）と、第１領域（１１１）の外周側に隣接する第２領域（１１２）とを含み、第１領域（１１１）の上方にウエハの端部が保持される第１層（１１）と、第１層（１１）の下方に積層された第２層（１２）とを備え、第１層（１１）は、第２領域（１１２）における層の厚さが、エッチングでの損耗により第２層が露出しない厚さとなるように形成される。
【選択図】図３

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】