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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-30
(45)【発行日】2024-10-08
(54)【発明の名称】配線基板およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20241001BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 B
H05K3/46 N
【請求項の数】
4
(21)【出願番号】P 2020111616
(22)【出願日】2020-06-29
(65)【公開番号】P2022010853
(43)【公開日】2022-01-17
【審査請求日】2023-05-24
(73)【特許権者】
【識別番号】000003193
【氏名又は名称】ＴＯＰＰＡＮホールディングス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000062
【氏名又は名称】弁理士法人第一国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】浅生 英幸
【審査官】黒田 久美子
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１３－０２１３７４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－２８０７３９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ ３／４６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
配線層と絶縁層を有するコア基板と、前記コア基板の上に絶縁層と配線層が順次積層されてなるビルドアップ層と、前記ビルドアップ層を貫通するビア導体が重ねて接続してなるスタックビアを少なくとも複数有する配線基板であって、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層の配線層において、前記スタックビアが複数密接する領域（以後、スタックビア領域という）の周辺の配線層パターンとスタックビアのランドの端部との間隔（以後、ギャップという）が、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層により異なり、前記コア基板から上層に向かって、徐々に大きくなることを特徴とする配線基板。
【請求項2】
前記コア基板から上層に向かって、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層の前記ギャップは、等差的に大きくなることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項3】
配線層と絶縁層を有するコア基板と、前記コア基板の上に絶縁層と配線層が順次積層されてなるビルドアップ層と、前記ビルドアップ層を貫通するビア導体が重ねて接続してなるスタックビアを少なくとも複数有する配線基板での製造方法であって、コア基板の表面の配線層のパターン形成工程と、
前記コア基板の上層に、スタックビアを有する複数層のビルドアップ層の形成工程と、を有し、
前記コア基板と前記ビルドアップ層各層の配線層において、前記スタックビア領域の周辺の配線層パターンとスタックビアのランドの端部との間隔（ギャップ）が、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層により異なり、前記コア基板から上層に向かって、徐々に大きくなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項4】
前記コア基板から上層に向かって、前記コア基板と前記ビルドアップ各層の前記ギャップは、等差的に大きくなることを特徴とする請求項３記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
スタックビア構造を有する配線基板と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
電子機器の高機能化と小型、軽量化の要求に対応するため、スタックビア（スタックドビアとも呼ぶ）構造（特許文献１参照）を有するビルドアップ配線基板が実用化されている。
【0003】
従来のビルドアップ配線基板は、複数の配線層をスルーホールで導通させたプリント配線板をコア基板とし、このコア基板の両面または片面に、絶縁層と配線層からなるビルドアップ層を次々に積層し、さらにこの過程で異なるビルドアップ層の配線層間の層間導通を図るビア導体も形成し、多層のビルドアップ層を配置したものである。
【0004】
図４は従来の配線基板の模式的断面図であり、コア層４０の上にビルドアップ層３層５２、５３、５４が積層された場合を想定する。
【0005】
絶縁層１１と配線層２１を有するコア層４０の上に、絶縁樹脂層からなる絶縁層１２を熱プレスで形成し、その後、配線層２２と、ビア導体３０を形成し、ビルドアップ層５２を形成する。ビア導体３０は、スタックビアＳＶ１、ＳＶ２、ＳＶ３において、配線層２２におけるランド３５とコア層４０の配線層２１のランド３５の層間導通を図るものである。また、スタックビアＳＶ１の周辺の配線パターン形成位置範囲Ｈ１における配線層２１の配線パターンＰ２１がある。また、スタックビアＳＶ３の周辺の配線パターン部Ｈ２における配線層２１の配線パターンがある。
【0006】
同様に、絶縁層１２と配線層２２とビア導体３０を有するビルドアップ層５２の上に、絶縁樹脂層からなる絶縁層１３を熱プレスで形成し、その後、配線層２３と、ビア導体３０を形成する。ビア導体３０は、スタックビア部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３において、配線層２３におけるランド３５とビルドアップ層５２の配線層２２のランド３５の層間導通を取るものである。また、スタックビアＳＶ１の周辺の配線パターン部Ｈ１において配線層２２の配線パターンがある。また、スタックビア部ＳＶ３の周辺の配線パターン部Ｈ２において配線層２２の配線パターンがある。
【0007】
同様に、絶縁層１３と配線層２３とビア導体３０を有するビルドアップ層５３の上に、絶縁樹脂層からなる絶縁層１４を熱プレスで形成し、その後、配線層２４と、ビア導体３０を形成する。ビア導体３０は、スタックビアＳＶ１、ＳＶ２、ＳＶ３において、配線層２４におけるランド３５とビルドアップ層５３の配線層２３のランド３５の層間導通を図るものである。また、スタックビアＳＶ１の周辺の配線パターン形成位置範囲Ｈ１において配線層２３の配線パターンがある。また、スタックビア部ＳＶ３の周辺の配線パターン形成位置範囲Ｈ２において配線層２３の配線パターンがある。
【0008】
スタックビアＳＶ１、ＳＶ２、ＳＶ３において、表出した、配線層２４におけるランド３５は、半導体チップ６０の端子と接合する。
【0009】
上記のように、ビルドアップ層の形成は、まず絶縁層となる絶縁樹脂を熱プレスで積層し、その後、ビア導体や配線層を形成する。絶縁樹脂を積層する下地の部分には、絶縁樹脂層か、金属のパターンである配線層かのいずれかが存在する。下地が絶縁樹脂層の場合、絶縁樹脂の積層工程において熱プレス加工時の流動により絶縁樹脂の厚みが、金属パターンが下地にある場合に比べて薄くなっていた。
【0010】
また、スタックビア構造は、半導体チップの実装部の、基板への接続パターンに合わせて、平面視において、グリッド状に密集して配置されていることが多いのに対して、半導体チップの実装部の周辺部は、配線パターンを置かないことが多い。よって、半導体チップの実装部とその周辺部では、配線パターンの密集度が、極端に異なることから、ビルドアップ層が多層化されるようになると、半導体チップの実装部周辺に凹みが増長されることになる。すなわち、スタックビア構造を有するビルドアップ配線板ではスタックビアを配置したところの周辺部は、絶縁樹脂層の表面の凹み量が大きくなりやすい。図５に、図４に示した従来の配線基板の模式的断面図で、スタックビア周辺に凹みが生じたときの状態の説明図を示した。この図５の範囲箇所Ｋ１、Ｋ２の部分に示すように凹みが生じている。
【0011】
絶縁樹脂層の表面の凹み部分は、配線形成をセミアディティブ法（特許文献２参照）で行なう際に用いる無電解めっき層部分の導体の除去が完全にできず、不要な配線間の導通によるショート（短絡）や、配線層の配線幅の太りを生ずる不良となる惧れがあった。
【0012】
絶縁樹脂層の表面の凹み部分を有する層に、配線形成をセミアディティブ法（特許文献２参照）で行なう工程において、ドライフィルムレジストがパターン化され、ドライフィルムレジストがない配線層設置予定部にめっきをほどこし、配線層を形成するときに、配線層設置予定以外のところにあるドライフィルムレジスト下にある無電解めっき層部分にめっきが入り込んでしまうので、配線層形成したあとの、ドライフィルムレジストのエッチングにより、無電解めっき層部分にめっきが無電解めっき層と入り込んだめっきの除去が、完全に行なえず、不要な配線間の導通によるショート（短絡）を生ずる不良となる惧れがあった。
【0013】
【0014】
コア基板４０の上にビルドアップ層５２が積層され、断面においてスタックビアが２個所にあるものを想定する。スタックビアが形成される水平範囲は、スタックビア形成範囲Ｓ１、Ｓ２とする。
【0015】
コア基板４０上の絶縁層１１上に配線層２１のパターンを形成する。配線層２１において、配線パターン形成位置範囲Ｈ１，Ｈ２の配線パターンＰ２１と、ランド３５（Ｌ２１Ｓ１、Ｌ２１Ｓ２）が形成される（図６（ａ））。
【0016】
その上に、絶縁層１２として絶縁層材料シートを載せる。絶縁層材料シートとして例えばプリプレグを用いる（図６（ｂ））。
【0017】
オーブン等で、加温し、絶縁層材料シートを軟化させ、配線層２１のパターンに、絶縁層材料シートを接着し、積層し、硬化し、絶縁層１２を形成する（図６（ｃ））。配線層２１の配線パターンがないところは、絶縁層材料シートが、その流動性によって、下部の絶縁層１１（コア基板４０）に落ち込み、絶縁層１２の上部には、凹部が生じる。
【0018】
配線パターンＰ２１とランド３５（Ｌ２１Ｓ１）の配線間の上の絶縁層１２の凹部（範囲個所Ｋ１）と、ランド３５（Ｌ２１Ｓ２）と配線パターンＰ２１の配線間の上の絶縁層１２の凹部（範囲個所Ｋ２）の容積は比較的大きく、これに比べてランド３５（Ｌ２１Ｓ１）とランド３５（Ｌ２１Ｓ２）の間の絶縁層１２の凹部（範囲個所ｉ）の容積は小さい。
【0019】
配線層２１でランド３５（Ｌ２１Ｓ１、Ｌ２１Ｓ２）の上に、ビアホール３１を形成する。それはレーザ照射あるいはドリル等で行なわれる（図６（ｄ））。
【0020】
上記で製作されたものの表面に、無電解めっきを施し、上面に、電気的導通を図れる無電解めっき層８０を形成する。（図７（e））。
【0021】
上記で製作されたものの表面に、ドライフィルムレジスト８５を積層する。ドライフィルムレジスト下面には接着性があり、ドライフィルムレジスト８５と絶縁層１２（絶縁層材料シートからなる）との接着が図られるが、絶縁層１２上の細かな凹部はドライフィルムレジスト８５の追従がなされるが、絶縁層１２上の比較的大きな凹部はドライフィルムレジスト８５の追従が不十分で、空洞が生じる可能性がある（図７（ｆ））。
【0022】
配線パターンＰ２１とランド３５（Ｌ２１Ｓ１）の配線間の上の絶縁層１２の凹部（範囲個所Ｋ１）と、ランド３５（Ｌ２１Ｓ２）と配線パターンＰ２１の配線間の上の絶縁層１２の凹部（範囲個所Ｋ２）の容積は大きいので、ドライフィルムレジスト８５と絶縁層１２の間には、空洞が生じることを想定する。
【0023】
ランド３５（Ｌ２１Ｓ１）とランド３５（Ｌ２１Ｓ２）の間の絶縁層１２の凹部（範囲個所ｉ）の容積は小さいので、ドライフィルムレジスト６０と絶縁層１２の間には、空洞が生ぜず、密接している。
【0024】
上記で製作されたものに、ポジフィルム９０を載せ、上部からＵＶ光などの露光光Ｕを図のように照射し（図７（ｇ））、ポジフィルム９０の透明度の高いところは、露光光Ｕが透過し、ドライフィルムレジスト８５に照射し、ドライフィルムレジスト８５を硬化する。ポジフィルム９０の透明度がないところは、露光光Ｕが透過せず、ドライフィルムレジスト８５に照射されなく、ドライフィルムレジスト８５は硬化しない。
【0025】
上記で、露光光Ｕ照射が終わって、ポジフィルム９０を取ったものを、現像する。ドライフィルムレジスト８５にで光硬化されたところは残り、未硬化の部分は、溶融してなくなり、ドライフィルムレジスト８５が選択的に残ったものとなる（図８（ｈ））。範囲個所Ｋ１，Ｋ２において、絶縁層１２とドライフィルムレジスト８５の間の空洞は残ったままである。
【0026】
上記のものの表面に電気めっきをかける。ドライフィルムレジスト８５の合間で露出している無電解めっき層８０に、電気めっきされ配線層２２が形成される（図８（ｉ））。
【0027】
配線パターン形成位置範囲Ｈ１、Ｈ２には、配線パターンＰ２２が形成され、スタックビア形成範囲Ｓ１、Ｓ２には、ランド３５（Ｌ２２Ｓ１、Ｌ２２Ｓ２）が形成され、ビアホール１の内部全部にも電気めっきされ、ランド３５（Ｌ２２Ｓ１、Ｌ２２Ｓ２）は、配線層２１にあるランド３５（Ｌ２１Ｓ１、Ｌ２１Ｓ２）とビア３０（Ｖ５２Ｓ１、Ｖ５２Ｓ２）で電気的に接続する（図８（ｉ））。
【0028】
ランド３５（Ｌ２２Ｓ１）とビア３０（Ｖ５２Ｓ１）とランド３５（Ｌ２１Ｓ１）はスタックビアＳＶ１を形成し、ランド３５（Ｌ２２Ｓ２）とビア３０（Ｖ５２Ｓ２）とランド３５（Ｌ２１Ｓ２）はスタックビアＳＶ２を形成し、スタックビアＳＶ１と、スタックビアＳＶ２は密接しており、スタックビア領域を形成する。
【0029】
電気めっきの際に、範囲個所Ｋ１，Ｋ２において、絶縁層１２とドライフィルムレジスト８５の間の空洞にめっき液が浸潤し、空洞内の絶縁層１２上の無電解めっき層８０の上
に、電気めっき層が形成されてしまう可能性がある。ある程度の電気めっき層が、範囲個所Ｋ１，Ｋ２の空洞内に形成されることを想定する。
に、電気めっき層が形成されてしまう可能性がある。ある程度の電気めっき層が、範囲個所Ｋ１，Ｋ２の空洞内に形成されることを想定する。
【0030】
上記のものの表面を全体的にエッチングし、ドライフィルムレジスト８５を溶融し、さらに、配線パターンＰ２２とランド３５（Ｌ２２Ｓ１、Ｌ２２Ｓ２）上のめっき層表面も表面研磨する（図８（ｊ））。
【0031】
範囲個所Ｋ１，Ｋ２の空洞内に形成されためっき層が厚いと、エッチングで取り切れることができずに、残留し、配線パターンＰ２１とランド３５（Ｌ２２Ｓ１）間もしくは配線パターンランド３５（Ｌ２２Ｓ１）と配線パターンＰ２１間の電気的短絡（ショート）や、配線パターンＰ２２とランド３５（Ｌ２２Ｓ１、Ｌ２２Ｓ２）上の線幅の太りなどの不具合を起こす。
【0032】
コア基板にビルドアップ層１層の場合であったが、実際はさらに、ビルドアップ層がさらに積層されることもある。さらに、上層にビルドアップ層を積層した場合、積層されたビルドアップ層の配線層で同様の不具合を起こす可能性は存する。垂直にランドとビア導体を積層していった場合、スタックビア領域周辺の配線パターン形成位置範囲にある配線パターンとスタックビア領域周囲との間の樹脂積層部分の凹部の凹みは、ビルドアップ層を積層していく毎に累積される。
【0033】
スタックビア構造を有するビルドアップ配線基板で、スタックビアを配置したエリアの周辺部の絶縁樹脂層のみが積層された部分において、凹みの少ない配線基板であれば、配線パターンとランド間での電気的短絡（ショート）や、配線パターンＰ２２とランド３５（Ｌ２２Ｓ１、Ｌ２２Ｓ２）上の線幅の太りなどの不具合を起こさないことが望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0034】
【文献】特開２００８－１１２９８７号公報
【文献】特開２００１－２４３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0035】
スタックビア構造を有するビルドアップ配線基板で、スタックビア複数が密接した領域の周辺部の絶縁樹脂層のみが積層された部分において、凹みの少ない配線基板とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0036】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、本発明の請求項１に係る発明は、配線層と絶縁層を有するコア基板と、前記コア基板の上に絶縁層と配線層が順次積層されてなるビルドアップ層と、前記ビルドアップ層を貫通するビア導体が重ねて接続してなるスタックビアを少なくとも複数有する配線基板であって、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層の配線層において、前記スタックビアが複数密接する領域（以後、スタックビア領域という）の周辺の配線層パターンとスタックビアのランドの端部との間隔（以後、ギャップという）が、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層により異なることを特徴とする配線基板である。
【0037】
本発明の請求項２に係る発明は、前記コア基板から上層に向かって、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層の配線層の前記ギャップは、徐々に大きくなることを特徴とする請求項１記載の配線基板である。
【0038】
本発明の請求項３に係る発明は、前記コア基板から上層に向かって、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層の前記ギャップは、等差的に大きくなることを特徴とする請求項２記載の配線基板である。
【0039】
本発明の請求項４に係る発明は、配線層と絶縁層を有するコア基板と、前記コア基板の上に絶縁層と配線層が順次積層されてなるビルドアップ層と、前記ビルドアップ層を貫通するビア導体が重ねて接続してなるスタックビアを少なくとも複数有する配線基板での製造方法であって、コア基板の表面の配線層の形成工程と、前記コア基板の表面の上に、スタックビアを有する複数層のビルドアップ層の形成工程と、を有し、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層の配線層において、前記スタックビア領域の周辺の配線層パターンとスタックビアのランドの端部との間隔（ギャップ）が、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層により異なることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【0040】
本発明の請求項５に係る発明は、前記コア基板から上層に向かって、前記コア基板と前記ビルドアップ各層の前記ギャップは、徐々に大きくなることを特徴とする請求項４記載の配線基板の製造方法である。
【0041】
本発明の請求項６に係る発明は、前記コア基板から上層に向かって、前記コア基板と前記ビルドアップ各層の前記ギャップは、等差的に大きくなることを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【0042】
スタックビア構造を有するビルドアップ配線基板で、スタックビアを配置した部分の周辺部の絶縁樹脂層のみが積層された部分において、凹みの少ない配線基板とその製造方法を提供することが可能になり、スタックビアを配置した部分の周辺部の配線パターンとビアの電気的短絡（ショート）不良がない配線基板とその製造方法を提供でき、また、スタックビアが複数密接する領域の周囲にも配線を配置することが可能となるので、配線密度の高い配線基板とその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0043】
【図1】本発明の実施形態における配線基板の模式的断面図である。
【図2】本発明の実施形態における配線基板の模式的断面図で、ギャップの説明を入れた図である。
【図3】本発明の実施例を説明する配線基板の模式的断面図である。
【図4】従来の配線基板の模式的断面図である。
【図5】従来の配線基板の模式的断面図で、スタックビア周辺に凹みが生じたときの状態の説明図である。
【図6】従来の配線基板の製造工程を説明する模式的断面図である。
【図7】従来の配線基板の製造工程を説明する模式的断面図である。
【図8】従来の配線基板の製造工程を説明する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0044】
本発明の実施形態に係る配線基板は、配線層と絶縁層を有するコア基板と、前記コア基板の上に絶縁層と配線層が順次積層されてなるビルドアップ層と、前記ビルドアップ層を貫通するビア導体が重ねて接続してなるスタックビアを少なくとも複数有する配線基板であって、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層の配線層において、前記スタックビアが複数密接する領域（以後、スタックビア領域という）の周辺の配線層パターンとスタックビアのランドの端部との間隔（以後、ギャップという）が、前記コア基板と前記ビルドアップ層各層により異なる。
【0045】
本発明の配線基板の実施形態を添付図面を参照して説明する。図１は本発明の実施形態における配線基板の模式的断面図である。
【0046】
本発明の実施形態に係る配線基板１００は、表面に配線層２１、核に絶縁層１１を有するするコア基板４０と、コア基板４０の上に絶縁層と配線層が積層されてなるビルドアップ層５２、５３、５４の３層と、ビルドアップ層３層にスタックビアＳＶ１、ＳＶ２、ＳＶ３とを隣接して有し、スタックビア領域を形成する。
【0047】
コア基板４０とビルドアップ層各層５２、５３、５４の配線層において、スタックビアが複数密接する領域（以後、スタックビア領域という）の周辺の配線層パターンとスタックビアのランドの端部との間隔（以後、ギャップという）が、コア基板４０とビルドアップ層各層５２、５３、５４により異なることを特徴とする。
【0048】
図２は本発明の実施形態における配線基板の模式的断面図で、ギャップの説明を入れた図である。
【0049】
コア基板４０の配線層２１において、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１とスタックビアのランド３５の端部との間隔（ギャップ）の寸法が、ギャップＤ１である。
【0050】
ビルドアップ層５２の配線層２２において、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１とスタックビアのランド３５の端部との間隔（ギャップ）の寸法が、ギャップＤ２である。
【0051】
ビルドアップ層５３の配線層２３において、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１とスタックビアのランド３５の端部との間隔（ギャップ）の寸法が、ギャップＤ３である。
【0052】
ビルドアップ層５４の配線層２４において、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１とスタックビアのランド３５の端部との間隔（ギャップ）の寸法が、ギャップＤ４である。
【0053】
本発明の実施形態に係る配線基板１００は、ギャップＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４の大きさが異なる。
【0054】
コア基板４０から表面に向かって、コア基板４０とビルドアップ層各層５２、５３、５４の配線層におけるギャップＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、徐々に大きくなる、すなわち、
Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４
であることが望ましい。
Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４
であることが望ましい。
【0055】
また、コア基板４０から表面に向かって、コア基板４０とビルドアップ層各層の配線層におけるギャップＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、前記ギャップは、等差的に大きくなる、すなわち
Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４
であって、
Ｄ２－Ｄ１＝Ｄ３－Ｄ２＝Ｄ４－Ｄ３
が望ましい。
Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４
であって、
Ｄ２－Ｄ１＝Ｄ３－Ｄ２＝Ｄ４－Ｄ３
が望ましい。
【0056】
＜配線基板の製造方法＞
図２の例で、配線基板の製造方法を説明する。
図２の例で、配線基板の製造方法を説明する。
【0057】
配線層２１と絶縁層１１を有するコア基板４０と、コア基板４０の上に絶縁層１２、１３、１４と配線層２２、２３、２４が順次積層されてなるビルドアップ層５２、５３、５４と、ビルドアップ層５２、５３、５４を貫通するビア導体３０が重ねて接続してなるスタックビアを少なくとも複数有する配線基板での製造方法は、
コア基板４０の表面の配線層２１のパターン形成工程と、コア基板４０の表面の上に、スタックビアを有するビルドアップ層５２、５３、５４の形成工程と、を有し、
コア基板４０とビルドアップ層各層５２、５３、５４の配線層において、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１、Ｐ２２、Ｐ２３、Ｐ２４とスタックビアのランド３５の端部との間隔（ギャップ）が、コア基板４０とビルドアップ層各層５２、５３、５４により異なる。
コア基板４０の表面の配線層２１のパターン形成工程と、コア基板４０の表面の上に、スタックビアを有するビルドアップ層５２、５３、５４の形成工程と、を有し、
コア基板４０とビルドアップ層各層５２、５３、５４の配線層において、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１、Ｐ２２、Ｐ２３、Ｐ２４とスタックビアのランド３５の端部との間隔（ギャップ）が、コア基板４０とビルドアップ層各層５２、５３、５４により異なる。
【0058】
以下製造方法の詳細を説明する。
【0059】
（コア基板４０の表面の配線層２１の形成工程）
絶縁層１１と配線層２１からなるコア基板４０で、配線層２１のパターンを形成する。配線層２１は配線パターンＰ２１と、スタックビア形成範囲Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ のランド３５（Ｌ２１Ｓ１、Ｌ２１Ｓ２、Ｌ２１Ｓ３）から構成される。
絶縁層１１と配線層２１からなるコア基板４０で、配線層２１のパターンを形成する。配線層２１は配線パターンＰ２１と、スタックビア形成範囲Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ のランド３５（Ｌ２１Ｓ１、Ｌ２１Ｓ２、Ｌ２１Ｓ３）から構成される。
【0060】
また、スタックビア形成範囲Ｓ１の周辺の配線パターン部Ｈ１における配線層２１の配線パターンＰ２１がある。また、スタックビア形成範囲Ｓ３の周辺の配線パターン部Ｈ２における配線層２１の配線パターンＰ２１がある。
【0061】
コア基板４０の配線層２１において、スタック領域の外周にあるスタックビア形成範囲Ｓ１の周辺の配線層パターンＰ２１と、スタックビア形成範囲Ｓ１のランド３５（Ｌ２１Ｓ１）の端部との間隔の寸法がギャップＤ１である。
【0062】
（コア基板４０の表面の上に、スタックビアＳ１、Ｓ２、Ｓ３を有するビルドアップ層５２、５３、５４の形成工程）
コア基板４０の上に、順次積み上げでビルドアップ層各層５２、５３、５４が形成される。コア基板４０の上に、絶縁層１２と配線層２２からなるビルドアップ層５２を形成する工程は、ビルドアップ層５２の上に、絶縁層１３と配線層２３からなるビルドアップ層５３を形成する工程と同じ工程である。ビルドアップ層５３の上に、絶縁層１４と配線層２４からなるビルドアップ層５４を形成する工程と同じ工程である。
コア基板４０の上に、順次積み上げでビルドアップ層各層５２、５３、５４が形成される。コア基板４０の上に、絶縁層１２と配線層２２からなるビルドアップ層５２を形成する工程は、ビルドアップ層５２の上に、絶縁層１３と配線層２３からなるビルドアップ層５３を形成する工程と同じ工程である。ビルドアップ層５３の上に、絶縁層１４と配線層２４からなるビルドアップ層５４を形成する工程と同じ工程である。
【0063】
絶縁層１１と配線層２１を有するコア基板４０の上に、絶縁樹脂層からなる絶縁層１２を熱プレスで形成し、その後、配線層２２である配線パターンＰ２２とランド３５と、ビア導体３０を形成し、ビルドアップ層５２を形成する。絶縁層１２は絶縁材料として例えばプリプレグを、絶縁層１１と配線層２１を有するコア基板４０の上に、熱プレスにより積層し、硬化し、配線層２２を形成する。配線層２１でスタックビアＳ１のランド３５のパターンの上に、ビアホールを、レーザ照射あるいはドリル等で形成する。この表面に無電解めっきを施し、上面に電気的導通を図れる無電解めっき層を形成する。さらにこの表面に、ドライフィルムレジストを積層する。さらにこの表面に、明暗のパターンをもったポジフィルムを載せ、上からＵＶ光などの露光光を照射する。ドライフィルムレジストは、ポジフィルムの明部に対応したところは硬化し、ポジフィルムの暗部に対応したところは硬化する。これを現像後、銅等の導体の電気めっきを行なうと、ドライフィルムレジストが硬化したところ以外の無電解めっき層露出部分に、導体がめっきされ、配線パターンＰ２２とランド３５からなる配線層２２と、ビアホールの内部にビア導体３０が形成される。
【0064】
ビア導体３０（Ｖ５２Ｓ１、Ｖ５２Ｓ２、Ｖ５２Ｓ３）は、スタックビア形成範囲Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３において、配線層２２におけるランド３５（Ｌ２２Ｓ１、Ｌ２２Ｓ２、Ｌ２２Ｓ３）のそれぞれとコア層４０の配線層２１におけるランド３５（Ｌ２１Ｓ１、Ｌ２１Ｓ２、Ｌ２１Ｓ３）の層間導通を図るものである。
【0065】
また、スタックビア部Ｓ１の周辺の配線パターン部Ｈ１における配線層２２の配線パターンＰ２２がある。また、スタックビアＳ３の周辺の配線パターン形成位置範囲Ｈ２における配線層２２の配線パターンＰ２２がある。
【0066】
ビルドアップ層５２の配線層２２において、スタック領域の外周にあるスタックビアＳ１の周辺の配線層パターンＰ２２と、スタックビアＳ１のランド３５（Ｌ２２Ｓ１）の端部との間隔の寸法がギャップＤ２である。
【0067】
同様に、絶縁層１２と、配線層２２である配線層パターンＰ２２とランド３５と、ビア導体３０を有するビルドアップ層５２の上に、絶縁樹脂層からなる絶縁層１３を熱プレスで形成し、その後、ビア導体３０と、配線層２３である配線層パターンＰ２３とランド３５を形成する。
【0068】
ビア導体３０（Ｖ５３Ｓ１、Ｖ５３Ｓ２、Ｖ５３Ｓ３）は、スタックビア形成範囲Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３において、配線層２３におけるランド３５（Ｌ２３Ｓ１、Ｌ２３Ｓ２、Ｌ２３Ｓ３）のそれぞれとビルドアップ層５２の配線層２２のランド３５（Ｌ２２Ｓ１、Ｌ２２Ｓ２、Ｌ２２Ｓ３）の層間導通を図るものである。
【0069】
また、スタックビアＳ１の周辺の配線パターン形成位置範囲Ｈ１において配線層２３の配線パターンＰ２３がある。また、スタックビアＳ３の周辺の配線パターン形成位置範囲Ｈ２において配線層２３の配線パターンＰ２３がある。
【0070】
ビルドアップ層５３の配線層２３において、スタック領域の外周にあるスタックビア形成範囲Ｓ１の周辺の配線層パターンＰ２３と、スタックビアＳ１のランド３５（Ｌ２３Ｓ１）の端部との間隔の寸法がギャップＤ３である。
【0071】
同様に、絶縁層１３と、配線層２３である配線層パターンＰ２３とランド３５と、ビア導体３０を有するビルドアップ層５３の上に、絶縁樹脂層からなる絶縁層１４を熱プレスで形成し、その後、ビア導体３０と配線層２４である配線パターンＰ２４とランド３５を形成する
ビア導体３０（Ｖ５４Ｓ１、Ｖ５４Ｓ２、Ｖ５４Ｓ３）は、スタックビア形成範囲Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３において、配線層２４におけるランド３５（Ｌ２４Ｓ１、Ｌ２４Ｓ２、Ｌ２４Ｓ３）のそれぞれとビルドアップ層５３の配線層２３のランド３５（Ｌ２３Ｓ１、Ｌ２３Ｓ２、Ｌ２３Ｓ３）の層間導通を図るものである。
ビア導体３０（Ｖ５４Ｓ１、Ｖ５４Ｓ２、Ｖ５４Ｓ３）は、スタックビア形成範囲Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３において、配線層２４におけるランド３５（Ｌ２４Ｓ１、Ｌ２４Ｓ２、Ｌ２４Ｓ３）のそれぞれとビルドアップ層５３の配線層２３のランド３５（Ｌ２３Ｓ１、Ｌ２３Ｓ２、Ｌ２３Ｓ３）の層間導通を図るものである。
【0072】
また、スタックビア形成範囲Ｓ１の周辺の配線パターン形成位置範囲Ｈ１において配線層２４の配線パターンＰ２４がある。また、スタックビア部Ｓ３の周辺の配線パターン形成位置範囲Ｈ２において配線層２４の配線パターンＰ２４がある。
【0073】
ビルドアップ層５４の配線層２４において、スタック領域の外周にあるスタックビア部Ｓ１の周辺の配線層パターンＰ２４と、スタックビアＳ１のランド３５（Ｌ２４Ｓ１）の端部との間隔の寸法がギャップＤ４である
本発明の実施形態に係る配線基板１００は、ギャップＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４の大きさが異なる。
本発明の実施形態に係る配線基板１００は、ギャップＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４の大きさが異なる。
【0074】
コア基板４０から表面に向かって、コア基板４０とビルドアップ層各層５２、５３、５４の配線層におけるギャップＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、徐々に大きくなる、すなわち、
Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４
であることが望ましい。
Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４
であることが望ましい。
【0075】
また、コア基板４０から表面に向かって、コア基板４０とビルドアップ層各層の配線層におけるギャップＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、前記ギャップは、等差的に大きくなる、すなわち
Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４
であって、
Ｄ２－Ｄ１＝Ｄ３－Ｄ２＝Ｄ４－Ｄ３
が望ましい。
Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４
であって、
Ｄ２－Ｄ１＝Ｄ３－Ｄ２＝Ｄ４－Ｄ３
が望ましい。
【0076】
従来、図５で示されるように、コア基板とビルドアップ層各層における、スタック領域の外周にあるスタックビアの周辺の配線層パターンと、スタックビアのランド３５の端部との間隔の寸法（ギャップ）が同じでＤであった場合、絶縁層が重なった部分に生ずる絶縁樹脂層の表面の凹み部分の凹みの大きさが大きく、配線形成をセミアディティブ法で行なう際に用いる無電解めっき層部分の導体の除去が完全にできず、不要な配線間の導通による電気的短絡（ショート）を生ずる不良となる惧れがあった。
【0077】
本発明の実施形態により、コア基板とビルドアップ層各層における、スタック領域の外周にあるスタックビアの周辺の配線層パターンと、スタック領域周囲にあるスタックビアのランド３５の端部との間隔の寸法（ギャップ）が各層で異なり、Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４であることによって、絶縁層が重なった部分に生ずる絶縁樹脂層の表面の凹み部分の凹みの大きさが小さくなる。
【0078】
配線形成をセミアディティブ法で行なう工程において、ドライフィルムレジストがパターン化され、配線層設置予定部にめっきをほどこし、配線層を形成するときに、配線層設置予定以外のところにあるドライフィルムレジスト下にある無電解めっき層部分にめっきは入り込まないので、配線層形成したあとの、ドライフィルムレジストのエッチングにより、無電解めっき層の除去が、完全に行なえ、不要な配線間の導通による電気的短絡（ショート）を生ずる不良となる惧れがなくなった。
【0079】
また、スタックビアが複数密接する領域の周囲にも配線を配置することが可能となるので、配線密度の高い配線基板を提供することが可能となった。
【実施例】
【0080】
以下、実施例を用いて、本発明の効果を検証する。また、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【0081】
図３は本発明の実施例を説明する模式的断面図である。
【0082】
＜コア基板の形成＞
ＦＲ－４基板（ガラスエポキシ樹脂含浸銅張積層板、商品名：ＭＣＬ―Ｅ－６７（日立化成株式会社製）、大きさ：３４０×５１０×０．８ｍｍ、表面に３５μｍ厚銅箔）を用意し、その銅箔上に、ドライフィルムタイプの感光性の銅エッチング用のレジスト層を形成し、露光装置にて銅エッチング用のレジスト層に配線パターンを露光した。露光したレジスト層を現像した後、銅エッチング装置にて配線としない部分の銅を除去した。銅をエッチング後、残った銅エッチング用のレジストを剥離し、配線パターンＰ２１やランド３５が形成されたコア基板４０を製作した。ランド３５には後の工程においてスタックビアが形成され、スタックビアが隣接される領域をスタックビア領域と呼ぶことにする。コア基板におけるスタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１と、スタックビア領域周囲のランド３５の端部との間隔はＤ１とする。
ＦＲ－４基板（ガラスエポキシ樹脂含浸銅張積層板、商品名：ＭＣＬ―Ｅ－６７（日立化成株式会社製）、大きさ：３４０×５１０×０．８ｍｍ、表面に３５μｍ厚銅箔）を用意し、その銅箔上に、ドライフィルムタイプの感光性の銅エッチング用のレジスト層を形成し、露光装置にて銅エッチング用のレジスト層に配線パターンを露光した。露光したレジスト層を現像した後、銅エッチング装置にて配線としない部分の銅を除去した。銅をエッチング後、残った銅エッチング用のレジストを剥離し、配線パターンＰ２１やランド３５が形成されたコア基板４０を製作した。ランド３５には後の工程においてスタックビアが形成され、スタックビアが隣接される領域をスタックビア領域と呼ぶことにする。コア基板におけるスタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１と、スタックビア領域周囲のランド３５の端部との間隔はＤ１とする。
【0083】
＜ビルドアップ層の形成＞
上記にて得られた、配線層付きコア基板４０の、配線層（銅）の配線パターンＰ２１とランド３５上に絶縁層としての半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂フィルム（商品名：ＡＢＦ－ＧＸ１３、膜厚：３０μｍ、味の素ファインテクノ株式会社製）を積層した後、熱プレス装置にて加熱硬化させた。
上記にて得られた、配線層付きコア基板４０の、配線層（銅）の配線パターンＰ２１とランド３５上に絶縁層としての半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂フィルム（商品名：ＡＢＦ－ＧＸ１３、膜厚：３０μｍ、味の素ファインテクノ株式会社製）を積層した後、熱プレス装置にて加熱硬化させた。
【0084】
上記にて得られたものの表面の絶縁層に、ＵＶ－ＹＡＧレーザ加工装置にてビアホール３１用の穴開けを行い、デスミア処理後、表面全体に無電解めっき法により銅層を形成した。
【0085】
無電解めっき法にて形成した銅層上に感光性レジスト層を形成し、配線パターンを形成したフォトマスクを用いて露光し、露光後の基板から不要な感光性レジストを除去する現像処理を行った。この後、無電解めっき層に電流を流しながら、電気銅めっき浴にて銅めっきを行った。所定の時間電気めっき処理を行ったら、銅めっき浴から取り出し、レジスト層を剥離装置にて剥離し、配線部とならない部分の無電解めっきをエッチング処理にて除去して配線パターンＰ２２やランド３５やビア導体３０を形成した。
【0086】
上記の配線パターンやランドやビア導体の形成をビルドアップ層の層数分繰り返し、スタックビア領域を有する配線板１００を形成した。形成したビルドアップ層はビルドアップ層５２、５３、５４であり、総ビルドアップ層数は３層である。
【0087】
コア基板４０とその上にビルドアップ層５２、５３、５４が積層することにより、絶縁層１１と配線層２１をもつコア基板４０と、絶縁層１２と配線層２２をもつビルドアップ層５２と、絶縁層１３と配線層２３をもつビルドアップ層５３と、絶縁層１４と配線層２４をもつビルドアップ層５４とからなる配線板１００となる。
【0088】
＜スタックビア＞
ランド３５とビア導体３０を垂直に積み重ねたスタックビアが５個×５個のグリッド配列で配置し、これがスタックビア領域を形成する。図３の断面図においては、スタックビアＳＶ１、ＳＶ２、ＳＶ３、ＳＶ４、ＳＶ５の５個を有する。ビアホールの孔径は６０μｍφ。ランドのランド径１１０μｍφ、隣接したランド間の距離は３０μｍである。
ランド３５とビア導体３０を垂直に積み重ねたスタックビアが５個×５個のグリッド配列で配置し、これがスタックビア領域を形成する。図３の断面図においては、スタックビアＳＶ１、ＳＶ２、ＳＶ３、ＳＶ４、ＳＶ５の５個を有する。ビアホールの孔径は６０μｍφ。ランドのランド径１１０μｍφ、隣接したランド間の距離は３０μｍである。
【0089】
＜配線パターン＞
配線層（銅）厚みはビルドアップ層各層共通で１５μｍである。
配線層（銅）厚みはビルドアップ層各層共通で１５μｍである。
【0090】
スタックビア領域５個×５個グリッドの周囲のランドの外側に非配線部を設定し、その非配線部に隣接するように幅３００μｍの配線パターンを電気めっき法で形成した。
【0091】
ビルドアップ層各層における非配線部の幅をギャップと呼び、ビルドアップ層５２、５３、５４ごにおけるギャップの数値は、それぞれＤ２、Ｄ３、Ｄ４とする。
【0092】
ビルドアップ層各層における非配線部の領域をギャップ部と呼ぶ。
【0093】
ビルドアップ層各層で、スタックビア領域の周囲から非配線部の幅ギャップをおいて、配線パターンＰ２２、Ｐ２３、Ｐ２４を形成する。
【0094】
すなわち、スタックビア領域の周辺の配線層パターンとスタックビア領域周囲のランドの端部との間隔の寸法がギャップであり、ビルドアップ層各層５２、５３、５４で、それぞれのギャップ数値がＤ２、Ｄ３、Ｄ４である。
【0095】
＜絶縁評価用パターン＞
ビルドアップ層５４の配線層２４の形成工程において、配線パターンＰ２４、ランド３５、ビア導体を形成する際に、スタックビア領域周囲のランドとスタックビア領域の周囲の配線パターンＰ２４の間のギャップ部に、Ｌ／Ｓ＝３０／３０μｍの間隔で３本の平行配線７０を形成した。
ビルドアップ層５４の配線層２４の形成工程において、配線パターンＰ２４、ランド３５、ビア導体を形成する際に、スタックビア領域周囲のランドとスタックビア領域の周囲の配線パターンＰ２４の間のギャップ部に、Ｌ／Ｓ＝３０／３０μｍの間隔で３本の平行配線７０を形成した。
【0096】
ビルドアップ層５４の配線層２４において、スタックビア領域と、その周囲の配線パターンの間に、Ｌ／Ｓ＝３０／３０μｍの間隔で形成した３本の平行配線を配置して絶縁性を評価した。
【0097】
（実施例１）
コア基板とビルドアップ層各層における、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１と、スタックビア領域周囲のランド３５の端部との間隔はＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４の値は、
Ｄ１＝１００μｍ、Ｄ２＝１０００μｍ、Ｄ３＝１５００μｍ、Ｄ４＝２０００μｍとする。
コア基板とビルドアップ層各層における、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１と、スタックビア領域周囲のランド３５の端部との間隔はＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４の値は、
Ｄ１＝１００μｍ、Ｄ２＝１０００μｍ、Ｄ３＝１５００μｍ、Ｄ４＝２０００μｍとする。
【0098】
コア基板とビルドアップ層各層における、ギャップ値は異なり、しかもＤ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４となっている条件である。
【0099】
（実施例２）
コア基板とビルドアップ層各層における、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１と、スタックビア領域周囲のランド３５の端部との間隔はＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４の値は、
Ｄ１＝１００μｍ、Ｄ２＝６００μｍ、Ｄ３＝１３００μｍ、Ｄ４＝２０００μｍとする。
コア基板とビルドアップ層各層における、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１と、スタックビア領域周囲のランド３５の端部との間隔はＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４の値は、
Ｄ１＝１００μｍ、Ｄ２＝６００μｍ、Ｄ３＝１３００μｍ、Ｄ４＝２０００μｍとする。
【0100】
コア基板とビルドアップ層各層における、ギャップ値は異なり、Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４となっている条件であり、しかもＤ１からＤ４へ等差的に大きくなっている条件である。
【0101】
（比較例）
コア基板とビルドアップ層各層における、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１と、スタックビア領域周囲のランド３５の端部との間隔はＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４の値は、
Ｄ１＝２０００μｍ、Ｄ２＝２０００μｍ、Ｄ３＝２０００μｍ、Ｄ４＝２０００μｍとする。
コア基板とビルドアップ層各層における、スタックビア領域の周辺の配線層パターンＰ２１と、スタックビア領域周囲のランド３５の端部との間隔はＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４の値は、
Ｄ１＝２０００μｍ、Ｄ２＝２０００μｍ、Ｄ３＝２０００μｍ、Ｄ４＝２０００μｍとする。
【0102】
コア基板とビルドアップ層各層における、ギャップ値は等条件である。
【0103】
＜評価＞
実施例１と実施例２と比較例１で製作した、配線板の絶縁性を評価した。絶縁性評価結果を表１に記す。
実施例１と実施例２と比較例１で製作した、配線板の絶縁性を評価した。絶縁性評価結果を表１に記す。
【0104】
＜絶縁性評価＞
ビルドアップ層５４のギャップ部にＬ／Ｓ＝３０／３０μｍの間隔で形成した３本の平行配線を用いて絶縁性を試験した。三本の中の線と、外側の右の線との絶縁性、三本の中の線と外側の左の線との絶縁性を調べ、どちらも、電気的短絡（ショート）がなければ〇、どちらかにか両方ともに短絡があれば×とした。
ビルドアップ層５４のギャップ部にＬ／Ｓ＝３０／３０μｍの間隔で形成した３本の平行配線を用いて絶縁性を試験した。三本の中の線と、外側の右の線との絶縁性、三本の中の線と外側の左の線との絶縁性を調べ、どちらも、電気的短絡（ショート）がなければ〇、どちらかにか両方ともに短絡があれば×とした。
【0105】
〇：電気的短絡（ショート）がない。絶縁されている。
【0106】
×：電気的短絡（ショート）がある。配線間の導通あり
【0107】
【表1】
【0108】
表１に示す結果から、実施例１と２において、コア基板とビルドアップ層各層におけるスタックビア領域の周辺の配線層パターンと、スタックビア領域周囲のランドの端部との間隔の寸法（ギャップ）が、各層で異なり、
Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４
であるものは、電気的短絡（ショート）がなく、絶縁性があることが確かめられた。
Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４
であるものは、電気的短絡（ショート）がなく、絶縁性があることが確かめられた。
【0109】
一方、比較例のように、
Ｄ１＝Ｄ２＝Ｄ３＝Ｄ４
であるものは、電気的短絡（ショート）があり、配線間の導通があり、絶縁性がないことが確かめられた。
Ｄ１＝Ｄ２＝Ｄ３＝Ｄ４
であるものは、電気的短絡（ショート）があり、配線間の導通があり、絶縁性がないことが確かめられた。
【符号の説明】
【0110】
１１・・・絶縁層
１２・・・絶縁層
１３・・・絶縁層
１４・・・絶縁層
２１・・・配線層
２２・・・配線層
２３・・・配線層
２４・・・配線層
３０・・・ビア導体
３１・・・ビアホール
３５・・・ランド
４０・・・コア基板
５２・・・ビルドアップ層
５３・・・ビルドアップ層
５４・・・ビルドアップ層
６０・・・半導体チップ
７０・・・配線パターン（絶縁性テスト用）
８０・・・無電解めっき層
８５・・・ドライフィルムレジスト
９０・・・ポジフィルム
１００・・・配線基板
２００・・・配線基板
Ｄ１・・・ギャップ(配線層２１における）
Ｄ２・・・ギャップ(配線層２２における）
Ｄ３・・・ギャップ(配線層２３における）
Ｄ４・・・ギャップ(配線層２４における）
Ｄ・・・・ギャップ
Ｈ１、Ｈ２・・・配線パターン形成位置範囲
ｉ・・・範囲個所
Ｋ１、Ｋ２・・・範囲個所
Ｐ２１・・・配線層パターン（配線層２１における）
Ｐ２２・・・配線層パターン（配線層２２における）
Ｐ２３・・・配線層パターン（配線層２３における）
Ｐ２４・・・配線層パターン（配線層２４における）
Ｌ２１Ｓ１、Ｌ２１Ｓ２、Ｌ２１Ｓ３・・・ランド（配線層２１における）
Ｌ２２Ｓ１、Ｌ２２Ｓ２、Ｌ２２Ｓ３・・・ランド（配線層２２における）
Ｌ２３Ｓ１、Ｌ２３Ｓ２、Ｌ２３Ｓ３・・・ランド（配線層２３における）
Ｌ２４Ｓ１、Ｌ２４Ｓ２、Ｌ２４Ｓ３・・・ランド（配線層２４における）
ＳＶ１、ＳＶ２、ＳＶ３・・・スタックビア
ＳＶ４、ＳＶ５・・・スタックビア
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３・・・スタックビア形成範囲
Ｓ４、Ｓ５・・・スタックビア形成位置範囲
Ｖ５２Ｓ１、Ｖ５２Ｓ２、Ｖ５２Ｓ３・・・ビア導体（ビルドアップ層５２における）
Ｖ５３Ｓ１、Ｖ５３Ｓ２、Ｖ５３Ｓ３・・・ビア導体（ビルドアップ層５３における）
Ｖ５４Ｓ１、Ｖ５４Ｓ２、Ｖ５４Ｓ３・・・ビア導体（ビルドアップ層５４における）
１２・・・絶縁層
１３・・・絶縁層
１４・・・絶縁層
２１・・・配線層
２２・・・配線層
２３・・・配線層
２４・・・配線層
３０・・・ビア導体
３１・・・ビアホール
３５・・・ランド
４０・・・コア基板
５２・・・ビルドアップ層
５３・・・ビルドアップ層
５４・・・ビルドアップ層
６０・・・半導体チップ
７０・・・配線パターン（絶縁性テスト用）
８０・・・無電解めっき層
８５・・・ドライフィルムレジスト
９０・・・ポジフィルム
１００・・・配線基板
２００・・・配線基板
Ｄ１・・・ギャップ(配線層２１における）
Ｄ２・・・ギャップ(配線層２２における）
Ｄ３・・・ギャップ(配線層２３における）
Ｄ４・・・ギャップ(配線層２４における）
Ｄ・・・・ギャップ
Ｈ１、Ｈ２・・・配線パターン形成位置範囲
ｉ・・・範囲個所
Ｋ１、Ｋ２・・・範囲個所
Ｐ２１・・・配線層パターン（配線層２１における）
Ｐ２２・・・配線層パターン（配線層２２における）
Ｐ２３・・・配線層パターン（配線層２３における）
Ｐ２４・・・配線層パターン（配線層２４における）
Ｌ２１Ｓ１、Ｌ２１Ｓ２、Ｌ２１Ｓ３・・・ランド（配線層２１における）
Ｌ２２Ｓ１、Ｌ２２Ｓ２、Ｌ２２Ｓ３・・・ランド（配線層２２における）
Ｌ２３Ｓ１、Ｌ２３Ｓ２、Ｌ２３Ｓ３・・・ランド（配線層２３における）
Ｌ２４Ｓ１、Ｌ２４Ｓ２、Ｌ２４Ｓ３・・・ランド（配線層２４における）
ＳＶ１、ＳＶ２、ＳＶ３・・・スタックビア
ＳＶ４、ＳＶ５・・・スタックビア
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３・・・スタックビア形成範囲
Ｓ４、Ｓ５・・・スタックビア形成位置範囲
Ｖ５２Ｓ１、Ｖ５２Ｓ２、Ｖ５２Ｓ３・・・ビア導体（ビルドアップ層５２における）
Ｖ５３Ｓ１、Ｖ５３Ｓ２、Ｖ５３Ｓ３・・・ビア導体（ビルドアップ層５３における）
Ｖ５４Ｓ１、Ｖ５４Ｓ２、Ｖ５４Ｓ３・・・ビア導体（ビルドアップ層５４における）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】