特許7563391 | 知財ポータル「IP Force」

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

青山学院大学 (神奈川県相模原市中央区淵野辺)

▶ ソニー株式会社の特許一覧

特許7563391電子機器

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

目に優しい文字サイズ小中大 PDF Top

< >

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-30

(45)【発行日】2024-10-08

(54)【発明の名称】電子機器

(51)【国際特許分類】

H05K 7/20 20060101AFI20241001BHJP

G06K 7/00 20060101ALI20241001BHJP

G03B 17/55 20210101ALI20241001BHJP

G03B 17/02 20210101ALI20241001BHJP

【ＦＩ】

H05K7/20 S

G06K7/00 073

G03B17/55

G03B17/02

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2021570666

(86)(22)【出願日】2020-11-24

(86)【国際出願番号】 JP2020043648

(87)【国際公開番号】W WO2021145072

(87)【国際公開日】2021-07-22

【審査請求日】2023-09-04

(31)【優先権主張番号】P 2020005042

(32)【優先日】2020-01-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000002185

【氏名又は名称】ソニーグループ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003410

【氏名又は名称】弁理士法人テクノピア国際特許事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100116942

【弁理士】

【氏名又は名称】岩田雅信

(74)【代理人】

【識別番号】100167704

【弁理士】

【氏名又は名称】中川裕人

(72)【発明者】

【氏名】山田一成

【審査官】中島亮

(56)【参考文献】

【文献】特開２００９－２７１６４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１２５３０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－２９０３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１９１４８７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ７／２０

Ｇ０６Ｋ７／００

Ｇ０３Ｂ１７／５５

Ｇ０３Ｂ１７／０２

Ｈ０４Ｎ５／２２５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

記憶媒体がそれぞれ装着される複数のメディアスロットと、
前記複数のメディアスロットがそれぞれ実装されたプリント配線基板と、
前記プリント配線基板が取り付けられた基板取付ベースと、
前記記憶媒体で発生する熱を伝導し伝熱方向の切替が可能な伝熱方向切替部とを備え、
前記複数のメディアスロットにそれぞれ装着された前記記憶媒体に対するアクセス状態に応じて前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
電子機器。

【請求項2】

前記記憶媒体はアクセス時に駆動状態にされ非アクセス時に非駆動状態にされ、
前記記憶媒体のうち少なくとも一つずつがそれぞれ駆動状態と非駆動状態にされたときに、
駆動状態にある前記記憶媒体に発生する熱が非駆動状態にある前記記憶媒体が装着された前記メディアスロットへ向けて伝導されるように前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
請求項１に記載の電子機器。

【請求項3】

前記記憶媒体はアクセス時に駆動状態にされ非アクセス時に非駆動状態にされ、
前記記憶媒体のうち少なくとも一つずつがそれぞれ駆動状態と非駆動状態にされたときに、
駆動状態にある前記記憶媒体に発生する熱が前記記憶媒体が装着されていない前記メディアスロットへ向けて伝導されるように前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
請求項１に記載の電子機器。

【請求項4】

熱を放出する放熱体が設けられ、
前記記憶媒体はアクセス時に駆動状態にされ非アクセス時に非駆動状態にされ、
全ての前記メディアスロットにそれぞれ前記記憶媒体が装着され全ての前記記憶媒体が駆動状態にされたときに、
全ての前記記憶媒体から前記放熱体へ向けて伝熱されるように前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
請求項１に記載の電子機器。

【請求項5】

前記伝熱方向切替部として、供給される電流の向きに応じて伝熱方向が変換されるペルチェ素子が用いられた
請求項１に記載の電子機器。

【請求項6】

前記記憶媒体に発生する熱が前記基板取付ベースを伝導される
請求項１に記載の電子機器。

【請求項7】

前記伝熱方向切替部が前記基板取付ベースに接した状態で配置された
請求項６に記載の電子機器。

【請求項8】

前記プリント配線基板に銅ブロックが取り付けられ、
前記銅ブロックが前記基板取付ベースに接し前記メディアスロットの少なくとも一つに対向した状態で位置された
請求項１に記載の電子機器。

【請求項9】

前記複数のメディアスロットが前記プリント配線基板における同一の面に実装された
請求項１に記載の電子機器。

【請求項10】

前記記憶媒体に対するアクセス状態を検出するアクセス状態検出部が設けられ、
前記アクセス状態検出部の検出結果に応じて前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
請求項１に記載の電子機器。

【請求項11】

前記複数のメディアスロットにそれぞれ装着された前記記憶媒体に対するアクセス状態を変更する変更操作部が設けられ、
前記変更操作部の操作に応じて前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
請求項１に記載の電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本技術は記憶媒体がそれぞれ装着される複数のメディアスロットを有する電子機器についての技術分野に関する。

【背景技術】

【0002】

携帯電話に代表される携帯端末や撮像装置として機能するカメラ等の各種の電子機器には、筐体の内部に配置されたプリント配線基板を有し、プリント配線基板に複数のメディアスロットが実装されたものがある（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。メディアスロットに対しては、例えば、筐体に開閉可能に支持された蓋体が開放されることによりメモリーカード等の記憶媒体の装着及び取出が可能にされ、メディアスロットに装着された記憶媒体に対してアクセスされることによりデータの書き込み又は読み出しが行われる。

【0003】

このような複数のメディアスロットを有する電子機器においては、記憶媒体に対するアクセスが行われ記憶媒体が駆動状態にされているときに、記憶媒体において熱が生じる。特に、近年、データ量の増加により、記憶媒体に記憶されるデータの大容量化が進展されていると共にデータの書込や読出を行うときのアクセス速度の高速化も図られ、記憶媒体からの発熱量も大きくなる傾向にある。

【0004】

記憶媒体の発熱量が増加すると、発生した熱により筐体の内部の温度分布が不均一になり、周囲の電子部品等に熱の影響が及んで電子機器の動作に支障が生じたり記憶媒体の寿命の低下や動作不良を生じるおそれがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１３－１０１４７８号公報

【文献】特開２０１２－１３４８１４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上記したように、近年、記憶媒体からの発熱量が大きくなる傾向にあり、特に、複数のメディアスロットを有する電子機器においては、記憶媒体の駆動時における発熱量が大きくなり易い。

【0007】

従って、複数のメディアスロットを有する電子機器においては、記憶媒体に発生した熱が効率的に放出されることが望ましいが、各メディアスロットに装着された各記憶媒体においては電子機器の動作状態に応じて熱の発生量が異なる場合もあり、放熱経路によっては効率的な放熱状態を確保し難くなるおそれがある。

【0008】

そこで、本技術電子機器は、各記憶媒体に対するアクセス状態に拘わらず放熱効率の向上を図ることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

第１に、本技術に係る電子機器は、記憶媒体がそれぞれ装着される複数のメディアスロットと、前記複数のメディアスロットがそれぞれ実装されたプリント配線基板と、前記プリント配線基板が取り付けられた基板取付ベースと、前記記憶媒体で発生する熱を伝導し伝熱方向の切替が可能な伝熱方向切替部とを備え、前記複数のメディアスロットにそれぞれ装着された前記記憶媒体に対するアクセス状態に応じて前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられるものである。

【0010】

これにより、複数のメディアスロットにそれぞれ装着された記憶媒体に対するアクセス状態に応じて切り替えられた伝熱方向へ記憶媒体に発生する熱が伝導される。

【0011】

第２に、上記した本技術に係る電子機器においては、前記記憶媒体はアクセス時に駆動状態にされ非アクセス時に非駆動状態にされ、前記記憶媒体のうち少なくとも一つずつがそれぞれ駆動状態と非駆動状態にされたときに、駆動状態にある前記記憶媒体に発生する熱が非駆動状態にある前記記憶媒体が装着された前記メディアスロットへ向けて伝導されるように前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられることが望ましい。

【0012】

これにより、伝熱方向が切り替えられた伝熱方向切替部によって駆動状態にある記憶媒体から非駆動状態にある記憶媒体が装着されたメディアスロットへ向けて熱が伝導される。

【0013】

第３に、上記した本技術に係る電子機器においては、前記記憶媒体はアクセス時に駆動状態にされ非アクセス時に非駆動状態にされ、前記記憶媒体のうち少なくとも一つずつがそれぞれ駆動状態と非駆動状態にされたときに、駆動状態にある前記記憶媒体に発生する熱が前記記憶媒体が装着されていない前記メディアスロットへ向けて伝導されるように前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられることが望ましい。

【0014】

これにより、伝熱方向が切り替えられた伝熱方向切替部によって駆動状態にある記憶媒体から記憶媒体が装着されていないメディアスロットへ向けて熱が伝導される。

【0015】

第４に、上記した本技術に係る電子機器においては、熱を放出する放熱体が設けられ、前記記憶媒体はアクセス時に駆動状態にされ非アクセス時に非駆動状態にされ、全ての前記メディアスロットにそれぞれ前記記憶媒体が装着され全ての前記記憶媒体が駆動状態にされたときに、全ての前記記憶媒体から前記放熱体へ向けて伝熱されるように前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられることが望ましい。

【0016】

これにより、伝熱方向が切り替えられた伝熱方向切替部によって駆動状態にある全ての記憶媒体から放熱体へ向けて熱が伝導される。

【0017】

第５に、上記した本技術に係る電子機器においては、前記伝熱方向切替部として、供給される電流の向きに応じて伝熱方向が変換されるペルチェ素子が用いられることが望ましい。

【0018】

これにより、供給される電流の向きに応じて伝熱方向切替部として機能するペルチェ素子の伝熱方向が変換される。

【0019】

第６に、上記した本技術に係る電子機器においては、前記記憶媒体に発生する熱が前記基板取付ベースを伝導されることが望ましい。

【0020】

これにより、記憶媒体に発生する熱を伝導するための専用の部材を必要としない。

【0021】

第７に、上記した本技術に係る電子機器においては、前記伝熱方向切替部が前記基板取付ベースに接した状態で配置されることが望ましい。

【0022】

これにより、記憶媒体に発生した熱が基板取付ベースと伝熱方向切替部の間で伝導され易くなる。

【0023】

第８に、上記した本技術に係る電子機器においては、前記プリント配線基板に銅ブロックが取り付けられ、前記銅ブロックが前記基板取付ベースに接し前記メディアスロットの少なくとも一つに対向した状態で位置されることが望ましい。

【0024】

これにより、記憶媒体に発生した熱がメディアスロットに対向して位置された銅ブロックを介して基板取付ベース又はメディアスロットに伝達される。

【0025】

第９に、上記した本技術に係る電子機器においては、前記複数のメディアスロットが前記プリント配線基板における同一の面に実装されることが望ましい。

【0026】

これにより、複数のメディアスロットがプリント配線基板の一方の面側に位置される。

【0027】

第１０に、上記した本技術に係る電子機器においては、前記記憶媒体に対するアクセス状態を検出するアクセス状態検出部が設けられ、前記アクセス状態検出部の検出結果に応じて前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられることが望ましい。

【0028】

これにより、アクセス状態検出部の検出結果に応じた伝熱方向切替部の伝熱方向の切替により記憶媒体に発生する熱が伝達される。

【0029】

第１１に、上記した本技術に係る電子機器においては、前記複数のメディアスロットにそれぞれ装着された前記記憶媒体に対するアクセス状態を変更する変更操作部が設けられ、前記変更操作部の操作に応じて前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられることが望ましい。

【0030】

これにより、メディアスロットに装着された記憶媒体に対するアクセス状態を変更する変更操作部の操作に応じた伝熱方向切替部の伝熱方向の切替により記憶媒体に発生する熱が伝達される。

【図面の簡単な説明】

【0031】

【図1】図２乃至図２８と共に本技術の実施の形態を示すものであり、本図は、電子機器の斜視図である。

【図2】図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。

【図3】プリント配線基板等の内部構造を示す電子機器の断面図である。

【図4】プリント配線基板の背面図である。

【図5】プリント配線基板等の斜視図である。

【図6】電子機器の内部構造の一部を示す拡大断面図である。

【図7】図８及び図９と共に熱の伝導経路を示すものであり、本図は、第１の記憶媒体が駆動状態にあり第２の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図8】第２の記憶媒体が駆動状態にあり第１の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図9】第１の記憶媒体と第２の記憶媒体が何れも駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図10】図１１と共に伝熱方向切替部として熱伝導部材が設けられた例を示すものであり、本図は、第１の記憶媒体が駆動状態にあり第２の記憶媒体が非駆動状態にある場合の熱の伝導経路を示す概略断面図である。

【図11】第１の記憶媒体と第２の記憶媒体が何れも駆動状態にある場合の熱の伝導経路を示す概略断面図である。

【図12】図１３と共に第１のメディアスロットと第２のメディアスロットが基板取付ベースの反対側に配置された例を示すものであり、本図は、第１の記憶媒体が駆動状態にあり第２の記憶媒体が非駆動状態にある場合の熱の伝導経路を示す概略断面図である。

【図13】第１の記憶媒体と第２の記憶媒体が何れも駆動状態にある場合の熱の伝導経路を示す概略断面図である。

【図14】三つのメディアスロットが設けられた例を示す斜視図である。

【図15】図１６乃至図１８と共に三つのメディアスロットが設けられた例における熱の伝導経路を示すものであり、本図は、第１の記憶媒体が駆動状態にあり第２の記憶媒体と第３の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図16】第１の記憶媒体と第２の記憶媒体が駆動状態にあり第３の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図17】第１の記憶媒体と第３の記憶媒体が駆動状態にあり第２の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図18】第１の記憶媒体と第２の記憶媒体と第３の記憶媒体が何れも駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図19】四つのメディアスロットが設けられた例を示す斜視図である。

【図20】図２１乃至図２７と共に四つのメディアスロットが設けられた例における熱の伝導経路を示すものであり、本図は、第１の記憶媒体が駆動状態にあり第２の記憶媒体と第３の記憶媒体と第４の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図21】第１の記憶媒体と第２の記憶媒体が駆動状態にあり第３の記憶媒体と第４の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図22】第１の記憶媒体と第３の記憶媒体が駆動状態にあり第２の記憶媒体と第４の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図23】第１の記憶媒体と第４の記憶媒体が駆動状態にあり第２の記憶媒体と第３の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図24】第１の記憶媒体と第２の記憶媒体と第３の記憶媒体が駆動状態にあり第４の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図25】第１の記憶媒体と第３の記憶媒体と第４の記憶媒体が駆動状態にあり第２の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図26】第１の記憶媒体と第２の記憶媒体と第４の記憶媒体が駆動状態にあり第３の記憶媒体が非駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図27】第１の記憶媒体と第２の記憶媒体と第３の記憶媒体と第４の記憶媒体が駆動状態にある場合の例を示す概略断面図である。

【図28】電子機器（撮像装置）のブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0032】

以下に、本技術電子機器を実施するための形態を添付図面を参照して説明する。

【0033】

以下に示した実施の形態は、本技術電子機器をカメラ等の撮像装置のうちスチルカメラである一眼レフカメラに適用したものである。但し、本技術の適用範囲は一眼レフカメラに限られることはない。本技術は、例えば、一眼レフカメラ以外のスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置、携帯電話に代表される携帯端末、テレビジョン等の表示装置、ヘッドホンやイヤホンやスピーカー等の音響出力装置、コンピューター等の情報処理装置等の筐体の内部にプリント配線基板が配置された各種の電子機器に広く適用することができる。

【0034】

以下の説明にあっては、スチルカメラの撮影時において撮影者から被写体を見た方向で前後上下左右の方向を示すものとする。従って、スチルカメラの有するレンズ又はマウント部の中心を通る光軸を基準に表現すれば、光軸上の物体側（被写体）が前方となり、光軸上の像面側が後方となる。尚、以下に示す前後上下左右の方向は説明の便宜上のものであり、本技術の実施に関しては、これらの方向に限定されることはない。

【0035】

<電子機器の構成>
電子機器（一眼レフカメラ）１は装置本体２と交換レンズ３によって構成されている（図１及び図２参照）。但し、交換レンズ３が装着されない撮像装置においては、電子機器１が装置本体２のみによって構成されていてもよい。

【0036】

装置本体２は筐体４の内外に所要の各部が配置されて成る。筐体４には、例えば、上面や後面等に各種の操作部５、５、・・・が配置されている。操作部５としては、例えば、電源釦、シャッター釦、ズーム摘子、モード切替摘子等が設けられている。

【0037】

筐体４の後面にはディスプレイ６が配置されている。筐体４の前面には円形状の図示しない開口が形成され、開口の周囲の部分に交換レンズ３を装着するための図示しない円環状のマウント部が設けられている。

【0038】

筐体４の内部にはＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）等の図示しない撮像素子が配置され、撮像素子は開口の後方に位置されている。

【0039】

筐体４には、一方の側面部に第１の開口部４ａが形成され下面部に第２の開口部４ｂが形成されている。筐体４の上端部にはファインダー部７が設けられている。電子機器１の使用者はディスプレイ６又はファインダー部７により被写体の像を視認することが可能であり、ディスプレイ６により撮影した画像や映像を視認することも可能である。

【0040】

筐体４の一部、例えば、シャッター釦が設けられた部分である右端部は、グリップ部４ｃとして設けられている。グリップ部４ｃは前側の部分が他の部分より前側に膨らむように突出され、電子機器１の撮影時等に使用者の手で把持される部分である。

【0041】

前側の部分が他の部分より前側に膨らむように突出されたグリップ部４ｃが撮影時に手で把持されることにより、電子機器１の安定した把持状態が確保される。また、シャッター釦が設けられた部分がグリップ部４ｃとして設けられることにより、使用者がグリップ部４ｃを把持した手と同じ手でシャッター釦を操作することが可能になり、撮影を容易かつ速やかに行うことが可能になり、撮影を容易に行うことができると共に撮影機会の損失を低減することができる。

【0042】

筐体４には第１の開口部４ａを開閉する第１の蓋体８が支持されている。第１の蓋体８によって第１の開口部４ａが開閉されることにより、筐体４の内部において第１の開口部４ａの内側に配置された内壁部９と内壁部９が開放され又は閉塞される。内壁部９には下側と上側に第１の挿通孔９ａと第２の挿通孔９ｂが離隔して形成されている。尚、内壁部９は筐体４の一部として筐体４に一体に形成されていてもよい。

【0043】

筐体４には第２の開口部４ｂを開閉する第２の蓋体１０が支持されている。筐体４の内部にはバッテリーケース１１が配置されている。バッテリーケース１１は、例えば、放熱性の高い金属材料によって下方に開口された箱状に形成され、第２の蓋体１０の上方に位置されている。

【0044】

第２の蓋体１０によって第２の開口部４ｂが開閉されることにより、バッテリーケース１１が開放され又は閉塞される。バッテリーケース１１の内部には図示しない端子部が設けられている。

【0045】

バッテリーケース１１にはバッテリー４０が挿入されて装着される。バッテリーケース１１にバッテリー４０が装着され第２の蓋体１０が閉塞された状態においては、バッテリーケース１１の内部に設けられた端子部がバッテリー４０に設けられた図示しないコネクター部に接続される。

【0046】

交換レンズ３は装置本体２に着脱可能にされ、外筒１２の内外に所要の各部が配置されて成る。

【0047】

外筒１２の外周面には複数の調整用リング１３が回転可能に支持されている。調整用リング１３は、例えば、フォーカシング調整やズーミング調整や絞りの光量調整等を行う機能を有している。

【0048】

外筒１２の内部には図示しない複数のレンズ群が光軸方向（前後方向）に離隔して配置されている。外筒１２の後端部には図示しないレンズマウントが取り付けられている。レンズマウントがマウント部に結合されることにより、交換レンズ３が装置本体２に装着される。

【0049】

筐体４の内部には基板取付ベース１４が配置されている（図２参照）。基板取付ベース１４は、例えば、熱伝導性の高い金属材料によって形成されたシャーシであり、横長の略矩形状に形成されている。基板取付ベース１４の前面１４ａにおける左右一方の側部にはバッテリーケース１１の後面部１１ａが取り付けられている。

【0050】

筐体４の内部にはプリント配線基板１５が配置されている（図２乃至図５参照）。プリント配線基板１５は、例えば、横長の形状に形成され、例えば、両面にそれぞれ図示しない電子部品等が実装された両面基板として用いられている。尚、プリント配線基板１５は厚み方向における一方の面のみに電子部品等が実装された片面基板であってもよい。

【0051】

プリント配線基板１５は前面１５ａが基板取付ベース１４の後面１４ｂに接した状態で取り付けられている（図６参照）。プリント配線基板１５は左右一方の側部１６が基板取付ベース１４を挟んでバッテリーケース１１の真後ろに位置されている。

【0052】

側部１６にはペルチェ素子１７と銅ブロック１８が上下に離隔した状態で取り付けられている（図４乃至図６参照）。ペルチェ素子１７と銅ブロック１８は、例えば、矩形の板状に形成されている。

【0053】

ペルチェ素子１７は、例えば、一対の第１のセラミック基板１７ａと第２のセラミック基板１７ｂの間に半導体素子を有する導電層１７ｃが設けられた構造にされている（図６参照）。ペルチェ素子１７は厚み方向において熱を伝導する機能を有し、導電層１７ｃに供給される電流の向きに応じて伝熱方向の切替が可能にされている。

【0054】

従って、ペルチェ素子１７において、導電層１７ｃに一方の向きで電流が供給されると、第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向けて熱が伝導され、導電層１７ｃに他方の向きで電流が供給されると、第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向けて熱が伝導される。このようにペルチェ素子１７は伝熱方向の切替が可能にされており、伝熱方向切替部として機能する。

【0055】

ペルチェ素子１７は、例えば、第１のセラミック基板１７ａの前面がプリント配線基板１５の前面１５ａと同一平面上に位置されて基板取付ベース１４の後面１４ｂに面接触され、第２のセラミック基板１７ｂの後面がプリント配線基板１５の後面１５ｂと同一平面上に位置されている。

【0056】

銅ブロック１８は、例えば、前面１８ａがプリント配線基板１５の前面１５ａと同一平面上に位置されて基板取付ベース１４の後面１４ｂに面接触され、後面１８ｂがプリント配線基板１５の後面１５ｂと同一平面上に位置されている。

【0057】

側部１６の後面には下側と上側にそれぞれ第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０が離隔した状態で取り付けられている（図３及び図５参照）。

【0058】

第１のメディアスロット１９は熱伝導性の高い金属材料によって形成された第１のケース体２１と側部１６に取り付けられた第１のコネクター２２とを有している。第１のケース体２１は前方及び側方における一方に開口され、銅ブロック１８を後方から覆う状態でプリント配線基板１５の後面１５ｂに取り付けられている。従って、第１のケース体２１の後面部は銅ブロック１８と対向した状態にされている。第１のケース体２１の側方における一方の端部は第１の挿通孔９ａの近傍において内壁部９に取り付けられ、第１のケース体２１の側方における他方の端部には第１のコネクター２２が位置されている。

【0059】

第１のメディアスロット１９には第１の記憶媒体５０が挿入されて装着される。第１の記憶媒体５０は第１の蓋体８が開放された状態において、内壁部９の第１の挿通孔９ａに挿通され第１のケース体２１に挿入されて第１のメディアスロット１９に装着される。第１の記憶媒体５０が第１のメディアスロット１９に装着された状態においては、第１の記憶媒体５０に形成された図示しない端子部が第１のコネクター２２に接続される。

【0060】

第１のメディアスロット１９に装着された第１の記憶媒体５０には、プリント配線基板１５及び第１のコネクター２２を介して中央演算処理装置等の図示しない制御部によりアクセスが行われて信号の入出力が行われ、データの書込又は書き込まれたデータの読取が行われる。第１の記憶媒体５０に対するデータの書込又は読取が行われている状態は第１の記憶媒体５０の駆動状態であり、第１の記憶媒体５０に対するデータの書込も読取も行われていない状態は第１の記憶媒体５０の非駆動状態である。

【0061】

第２のメディアスロット２０は熱伝導性の高い金属材料によって形成された第２のケース体２３と側部１６に取り付けられた第２のコネクター２４とを有している。第２のケース体２３は前方及び側方における一方に開口され、ペルチェ素子１７を後方から覆う状態でプリント配線基板１５の後面１５ｂに取り付けられている。従って、第２のケース体２３の後面部はペルチェ素子１７と対向した状態にされている。第２のケース体２３の側方における一方の端部は第２の挿通孔９ｂの近傍において内壁部９に取り付けられ、第２のケース体２３の側方における他方の端部には第２のコネクター２４が位置されている。

【0062】

第２のメディアスロット２０には第２の記憶媒体６０が挿入されて装着される。第２の記憶媒体６０は第１の蓋体８が開放された状態において、内壁部９の第２の挿通孔９ｂに挿通され第２のケース体２３に挿入されて第２のメディアスロット２０に装着される。第２の記憶媒体６０が第２のメディアスロット２０に装着された状態においては、第２の記憶媒体６０に形成された図示しない端子部が第２のコネクター２４に接続される。

【0063】

第２のメディアスロット２０に装着された第２の記憶媒体６０には、プリント配線基板１５及び第２のコネクター２４を介して制御部によりアクセスが行われて信号の入出力が行われ、データの書込又は書き込まれたデータの読取が行われる。第２の記憶媒体６０に対するデータの書込又は読取が行われている状態は第２の記憶媒体６０の駆動状態であり、第２の記憶媒体６０に対するデータの書込も読取も行われていない状態は第２の記憶媒体６０の非駆動状態である。

【0064】

尚、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に関し、第１のメディアスロット１９又は第２のメディアスロット２０に装着された状態でデータの書込又は読取が行われている場合は駆動状態であり、第１のメディアスロット１９又は第２のメディアスロット２０に装着された状態においてもデータの書込又は読取が行われていない場合は非駆動状態である。

【0065】

第１のコネクター２２と第２のコネクター２４はそれぞれ銅ブロック１８とペルチェ素子１７の近傍に位置されている。

【0066】

上記のように、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０は駆動状態又は非駆動状態の何れかの状態にされるが、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０が駆動状態にあるときには第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０がそれぞれ発熱する。

【0067】

電子機器１には第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に対するアクセス状態をそれぞれ検出するアクセス状態検出部が設けられ、例えば、上記した中央演算処理装置等の制御部がアクセス状態検出部として機能する。従って、アクセス状態検出部によって第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に対するアクセス状態が検出され、アクセス状態検出部の検出結果によって第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０がそれぞれ駆動状態であるか非駆動状態であるかが判別される。

【0068】

<熱の伝導経路>
以下に、上記した電子機器１において第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に発生する熱の伝導経路について説明する（図７乃至図９参照）。

【0069】

尚、図７乃至図９においては、理解を容易にするために、各部の構成及び位置関係を簡略化して示すと共に伝熱方向の切替が可能にされた伝熱方向切替部として機能するペルチェ素子１７をクロスした斜線を付して示す。また、以下には、説明を簡単にするために、第１のメディアスロット１９又は第２のメディアスロット２０に装着された第１の記憶媒体５０又は第２の記憶媒体６０は何れも駆動状態にあり、装着された状態において非駆動状態にはされていないこととして説明を行う。

【0070】

尚、以下には、各記憶媒体に発生する熱が伝熱される主とした伝熱経路のみについて説明する（メディアスロットが三つ又は四つ設けられた例（図１４乃至図２７）においても同じ。）。従って、例えば、第１の記憶媒体５０が第１のメディアスロット１９に装着された状態においては第１の記憶媒体５０に発生した熱が第１のメディアスロット１９やプリント配線基板１５等からも放出され、第２の記憶媒体６０が第２のメディアスロット２０に装着された状態においては第２の記憶媒体６０に発生した熱が第２のメディアスロット２０やプリント配線基板１５等からも放出されるが、これらの熱の放出量は少なく、以下には、これらの熱の伝導経路についての説明は省略する。

【0071】

また、以下においては、記憶媒体がメディアスロットに装着されていない場合にも、この記憶媒体が非駆動状態にあるとして説明する（メディアスロットが三つ又は四つ設けられた例（図１４乃至図２７）においても同じ。）。

【0072】

第１の記憶媒体５０が駆動状態にされ第２の記憶媒体６０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図７参照）。

【0073】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からバッテリーケース１１に伝導されると共に基板取付ベース１４からペルチェ素子１７に伝導される。

【0074】

バッテリーケース１１に伝導された熱はバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。従って、バッテリーケース１１とバッテリー４０は熱を放出する放熱体として機能する。

【0075】

一方、ペルチェ素子１７に伝導された熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板１７ｂから第２のメディアスロット２０に伝導され、第２のメディアスロット２０から放出される。

【0076】

従って、第１の記憶媒体５０に発生した熱はバッテリーケース１１、バッテリー４０又は第２のメディアスロット２０から放出される。また、バッテリーケース１１、バッテリー４０又は第２のメディアスロット２０から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0077】

逆に、第１の記憶媒体５０が非駆動状態にされ第２の記憶媒体６０が駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図８参照）。

【0078】

このとき第２の記憶媒体６０に発生した熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板１７ａから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からバッテリーケース１１に伝導されると共に基板取付ベース１４から銅ブロック１８に伝導される。

【0079】

バッテリーケース１１に伝導された熱はバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0080】

一方、銅ブロック１８に伝導された熱は、銅ブロック１８から第１のメディアスロット１９に伝導され、第１のメディアスロット１９から放出される。

【0081】

従って、第２の記憶媒体６０に発生した熱はバッテリーケース１１、バッテリー４０又は第１のメディアスロット１９から放出される。また、バッテリーケース１１、バッテリー４０又は第１のメディアスロット１９から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0082】

また、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０が何れも駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図９参照）。このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からバッテリーケース１１に伝導される。第２の記憶媒体６０に発生した熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板１７ａから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からバッテリーケース１１に伝導される。

【0083】

バッテリーケース１１に伝導された熱はバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0084】

従って、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に発生した熱は何れもバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。また、バッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0085】

上記したように、電子機器１にあっては、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に発生する熱がプリント配線基板１５の取付部材として機能する基板取付ベース１４を伝導される。

【0086】

従って、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に発生する熱を伝導するための専用の部材を必要とせず、部品点数の削減を図った上で伝熱効率の向上を図ることができる。

【0087】

また、伝熱方向切替部として機能するペルチェ素子１７が基板取付ベース１４に接した状態で配置されている。

【0088】

従って、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に発生した熱が基板取付ベース１４とペルチェ素子１７の間で伝導され易くなるため、ペルチェ素子１７による伝熱方向の切替によって伝熱効率の向上を図った上で放熱効率の向上を図ることができる。

【0089】

さらに、プリント配線基板１５に銅ブロック１８が取り付けられ、銅ブロック１８が基板取付ベース１４に接し第１のメディアスロット１９に対向した状態で位置されている。

【0090】

従って、第１の記憶媒体５０又は第２の記憶媒体６０に発生した熱が第１のメディアスロット１９に対向して位置された銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４又は第１のメディアスロット１９に伝達されるため、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０から基板取付ベース１４又は第１のメディアスロット１９への伝熱効率の向上による放熱効率の向上を図ることができる。

【0091】

尚、上記には、プリント配線基板１５に取り付けられた銅ブロック１８によって伝熱が行われる例を示したが、銅ブロック１８に代えて、例えば、スルーホールが形成され、スルーホールによって伝熱が行われる構成にされていてもよい。

【0092】

さらにまた、全てのメディアスロットである第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０にそれぞれ装着された第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０が何れも駆動状態にされたときに、全ての記憶媒体である第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０から放熱体として機能するバッテリーケース１１とバッテリー４０へ向けて伝熱されるように伝熱方向切替部として機能するペルチェ素子１７の伝熱方向が切り替えられる。

【0093】

従って、伝熱方向が切り替えられたペルチェ素子１７によって駆動状態にある全ての記憶媒体から放熱体へ向けて熱が伝導されるため、伝熱効率及び放熱効率の向上を図ることができる。

【0094】

さらにまた、第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０がプリント配線基板１５における同一の面に実装されているため、第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０がプリント配線基板１５の一方の面側に位置され、電子機器１の薄型化を確保した上で第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に発生する熱の放熱効率の向上を図ることができる。

【0095】

上記したペルチェ素子１７の伝熱方向の切替は、例えば、アクセス状態検出部の検出結果に応じて行われる。

【0096】

即ち、アクセス状態検出部の検出結果によって第１の記憶媒体５０が駆動状態であり第２の記憶媒体６０が非駆動状態であることが検出されると、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられる。また、アクセス状態検出部の検出結果によって第１の記憶媒体５０が非駆動状態であり第２の記憶媒体６０が駆動状態であることが検出されると、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向になる状態に切り替えられる。さらに、アクセス状態検出部の検出結果によって第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０の何れもが駆動状態であることが検出されると、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向になる状態に切り替えられる。

【0097】

従って、アクセス状態検出部の検出結果に応じたペルチェ素子１７の伝熱方向の切替により第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に発生する熱が伝達されるため、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に発生する熱を状況に応じた方向へ伝導して放熱効率の向上を図ることができる。

【0098】

尚、アクセス状態検出部の検出結果によって第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０の何れもが非駆動状態であることが検出された場合には、例えば、ペルチェ素子１７に電流が供給されないように設定されている。

【0099】

<異なる伝熱方向切替部の例>
上記には、伝熱方向の切替が可能にされた伝熱方向切替部としてペルチェ素子１７が設けられた例を示したが、伝熱方向切替部はペルチェ素子１７以外であってもよく、例えば、以下のような熱伝導部材が伝熱方向切替部として設けられていてもよい（図１０及び図１１参照）。

【0100】

尚、以下の例においては、説明を簡単にするために、第１の記憶媒体５０が第２の記憶媒体６０に対して優先的に使用され、第１のメディアスロット１９に装着された第１の記憶媒体５０は第２の記憶媒体６０が駆動状態か非駆動状態にされているか否かに拘わらず駆動状態にされることとして説明を行う（以下の図１２乃至図２７に示す構成の説明についても同じ。）。

【0101】

熱伝導部材２５は基板取付ベース１４とプリント配線基板１５の内部において、例えば、上下方向へ図示しないアクチュエーター等を有する移動機構によって移動可能にされている。熱伝導部材２５は、例えば、熱伝導性の高い金属材料によって形成されている。

【0102】

第１の記憶媒体５０が駆動状態にされ第２の記憶媒体６０が非駆動状態にされている場合に、熱伝導部材２５は下方の移動端に移動される（図１０参照）。このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からバッテリーケース１１に伝導されると共に基板取付ベース１４から熱伝導部材２５に伝導される。

【0103】

バッテリーケース１１に伝導された熱はバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0104】

一方、熱伝導部材２５に伝導された熱は、熱伝導部材２５から第２のメディアスロット２０に伝導され、第２のメディアスロット２０から放出される。

【0105】

【0106】

また、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０が何れも駆動状態にされている場合に、熱伝導部材２５は上方の移動端に移動される（図１１参照）。このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からバッテリーケース１１に伝導される。第２の記憶媒体６０に発生した熱は熱伝導部材２５に伝達され、熱伝導部材２５からバッテリーケース１１に伝導される。

【0107】

バッテリーケース１１に伝導された熱はバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0108】

【0109】

上記したように、第１の記憶媒体５０が駆動状態にされ第２の記憶媒体６０が非駆動状態にされている場合には、熱伝導部材２５が下方の移動端に移動されて第１の記憶媒体５０に発生した熱が基板取付ベース１４から熱伝導部材２５を介して第２のメディアスロット２０に伝導され、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０が何れも駆動状態にされている場合には、熱伝導部材２５が上方の移動端に移動されて第２の記憶媒体６０に発生した熱が熱伝導部材２５を介してバッテリーケース１１に伝導される。

【0110】

従って、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に対するアクセス状態に応じて熱伝導部材２５の伝熱方向が切り替えられることになる。

【0111】

<メディアスロットの配置位置が異なる例>
上記には、第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０が基板取付ベース１４の後面１４ｂ側に配置された例を示したが、第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０は基板取付ベース１４の前面１４ａ側と後面１４ｂ側に配置されていてもよい（図１２及び図１３参照）。例えば、第１のメディアスロット１９が基板取付ベース１４の後面１４ｂ側に配置され、第２のメディアスロット２０が基板取付ベース１４の前面１４ａ側に配置される。

【0112】

この場合には、例えば、基板取付ベース１４の前面１４ａにプリント配線基板１５とは別のプリント配線基板２６が取り付けられ、プリント配線基板２６の前面に第２のメディアスロット２０が取り付けられ、プリント配線基板１５の第１のメディアスロット１９に対向する位置に銅ブロック１８が取り付けられ、プリント配線基板２６の第２のメディアスロット２０に対向する位置にペルチェ素子１７が取り付けられる。

【0113】

第１の記憶媒体５０が駆動状態にされ第２の記憶媒体６０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図１２参照）。このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子１７に伝導される。

【0114】

ペルチェ素子１７に伝導された熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板１７ａから第２のメディアスロット２０に伝導され、第２のメディアスロット２０から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0115】

【0116】

また、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０が何れも駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図１３参照）。このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４の主に外周面から放出される。第２の記憶媒体６０に発生した熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板１７ｂから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４の主に外周面から放出される。

【0117】

従って、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に発生した熱は何れも基板取付ベース１４から放出される。また、基板取付ベース１４から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0118】

<三つのメディアスロットが設けられた構成>
上記には、第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０の二つのメディアスロットが設けられた構成の例について説明したが、電子機器１には第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０に加えて第３のメディアスロット２７の三つのメディアスロットが設けられていてもよい（図１４参照）。

【0119】

第３のメディアスロット２７は第３のケース体２８と図示しない第３のコネクターとを有し、プリント配線基板２６に取り付けられ、基板取付ベース１４を挟んで第１のメディアスロット１９の前側に位置されている。プリント配線基板２６には第３のケース体２８の前面部に対向する位置にペルチェ素子２９が取り付けられ、ペルチェ素子２９はペルチェ素子１７と同様に、供給される電流の向きに応じて伝熱方向の切替が可能な伝熱方向切替部として機能する。ペルチェ素子２９は一対の第１のセラミック基板２９ａと第２のセラミック基板２９ｂを有し、第１のセラミック基板２９ａが第２のセラミック基板２９ｂの前側に位置されている。

【0120】

以下に、第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０と第３のメディアスロット２７が設けられた場合における熱の伝導経路について説明する（図１５乃至図１８参照）。

【0121】

尚、図１５乃至図１８においては、理解を容易にするために、各部の構成及び位置関係を簡略化して示すと共にペルチェ素子１７、２９をクロスした斜線を付して示す。また、以下には、説明を簡単にするために、第１のメディアスロット１９、第２のメディアスロット２０又は第３のメディアスロット２７に装着された第１の記憶媒体５０、第２の記憶媒体６０又は第３の記憶媒体７０は何れも駆動状態にあり、装着された状態において非駆動状態にはされていないこととして説明を行う。

【0122】

第１の記憶媒体５０が駆動状態にされ第２の記憶媒体６０と第３の記憶媒体７０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図１５参照）。

【0123】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達される。基板取付ベース１４に伝達された熱は基板取付ベース１４からペルチェ素子２９に伝導されると共にペルチェ素子１７にも伝導される。ペルチェ素子２９に伝導された熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板２９ａから第３のメディアスロット２７に伝導され、第３のメディアスロット２７から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0124】

【0125】

従って、第１の記憶媒体５０に発生した熱は第３のメディアスロット２７、バッテリーケース１１、バッテリー４０又は第２のメディアスロット２０から放出される。また、第３のメディアスロット２７、バッテリーケース１１、バッテリー４０又は第２のメディアスロット２０から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0126】

第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０が駆動状態にされ第３の記憶媒体７０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図１６参照）。

【0127】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子２９に伝導される。ペルチェ素子２９に伝導された熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板２９ａから第３のメディアスロット２７に伝導され、第３のメディアスロット２７から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0128】

一方、第２の記憶媒体６０に発生した熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板１７ａから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子２９に伝導される。

【0129】

ペルチェ素子２９に伝導された熱は、第１のセラミック基板２９ａから第３のメディアスロット２７に伝導され、第３のメディアスロット２７から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0130】

従って、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に発生した熱はバッテリーケース１１、バッテリー４０又は第３のメディアスロット２７から放出される。また、バッテリーケース１１、バッテリー４０又は第３のメディアスロット２７から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0131】

第１の記憶媒体５０と第３の記憶媒体７０が駆動状態にされ第２の記憶媒体６０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図１７参照）。

【0132】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子１７に伝導される。ペルチェ素子１７に伝導された熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板１７ｂから第２のメディアスロット２０に伝導され、第２のメディアスロット２０から放出される。

【0133】

一方、第３の記憶媒体７０に発生した熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板２９ｂから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子１７に伝導される。ペルチェ素子１７に伝導された熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板１７ｂから第２のメディアスロット２０に伝導され、第２のメディアスロット２０から放出される。

【0134】

従って、第１の記憶媒体５０と第３の記憶媒体７０に発生した熱は第２のメディアスロット２０から放出される。また、第２のメディアスロット２０から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0135】

第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０と第３の記憶媒体７０が何れも駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図１８参照）。

【0136】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４の主に外周面から放出される。

【0137】

第２の記憶媒体６０に発生した熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板１７ａから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４の主に外周面から放出される。

【0138】

第３の記憶媒体７０に発生した熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板２９ｂから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４の主に外周面から放出される。

【0139】

従って、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０と第３の記憶媒体７０に発生した熱は基板取付ベース１４から放出される。また、基板取付ベース１４から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0140】

<四つのメディアスロットが設けられた構成>
上記には、二つのメディアスロット又は三つのメディアスロットが設けられた構成の例について説明したが、電子機器１には第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０に加えて第３のメディアスロット２７と第４のメディアスロット３０の四つのメディアスロットが設けられていてもよい（図１９参照）。

【0141】

第４のメディアスロット３０は第４のケース体３１と図示しない第４のコネクターとを有し、プリント配線基板２６に取り付けられ、基板取付ベース１４を挟んで第２のメディアスロット２０の前側に位置されている。プリント配線基板２６には第４のケース体３１の前面部に対向する位置にペルチェ素子３２が取り付けられ、ペルチェ素子３２はペルチェ素子１７及びペルチェ素子２９と同様に、供給される電流の向きに応じて伝熱方向の切替が可能な伝熱方向切替部として機能する。ペルチェ素子３２は一対の第１のセラミック基板３２ａと第２のセラミック基板３２ｂを有し、第１のセラミック基板３２ａが第２のセラミック基板３２ｂの前側に位置されている。

【0142】

以下に、第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０と第３のメディアスロット２７と第４のメディアスロット３０が設けられた場合における熱の伝導経路について説明する（図２０乃至図２７参照）。

【0143】

尚、図２０乃至図２７においては、理解を容易にするために、各部の構成及び位置関係を簡略化して示すと共にペルチェ素子１７、２９、３２をクロスした斜線を付して示す。また、以下には、説明を簡単にするために、第１のメディアスロット１９、第２のメディアスロット２０、第３のメディアスロット２７又は第４のメディアスロット３０に装着された第１の記憶媒体５０、第２の記憶媒体６０、第３の記憶媒体７０又は第４の記憶媒体８０は何れも駆動状態にあり、装着された状態において非駆動状態にはされていないこととして説明を行う。

【0144】

第１の記憶媒体５０が駆動状態にされ第２の記憶媒体６０と第３の記憶媒体７０と第４の記憶媒体８０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子３２は伝熱方向が第２のセラミック基板３２ｂから第１のセラミック基板３２ａへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図２０参照）。

【0145】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達される。基板取付ベース１４に伝達された熱は基板取付ベース１４からペルチェ素子２９に伝導されると共にペルチェ素子１７とペルチェ素子３２にも伝導される。

【0146】

ペルチェ素子２９に伝導された熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板２９ａから第３のメディアスロット２７に伝導され、第３のメディアスロット２７から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。ペルチェ素子１７に伝導された熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板１７ｂから第２のメディアスロット２０に伝導され、第２のメディアスロット２０から放出される。ペルチェ素子３２に伝導された熱は、ペルチェ素子３２の伝熱方向が第２のセラミック基板３２ｂから第１のセラミック基板３２ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板３２ａから第４のメディアスロット３０に伝導され、第４のメディアスロット３０から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0147】

従って、第１の記憶媒体５０に発生した熱は第３のメディアスロット２７、バッテリーケース１１、バッテリー４０、第２のメディアスロット２０又は第４のメディアスロット３０から放出される。また、第３のメディアスロット２７、バッテリーケース１１、バッテリー４０、第２のメディアスロット２０又は第４のメディアスロット３０から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0148】

第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０が駆動状態にされ第３の記憶媒体７０と第４の記憶媒体８０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子３２は伝熱方向が第２のセラミック基板３２ｂから第１のセラミック基板３２ａへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図２１参照）。

【0149】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子２９に伝導されると共にペルチェ素子３２にも伝導される。

【0150】

ペルチェ素子２９に伝導された熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板２９ａから第３のメディアスロット２７に伝導され、第３のメディアスロット２７から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。ペルチェ素子３２に伝導された熱は、ペルチェ素子３２の伝熱方向が第２のセラミック基板３２ｂから第１のセラミック基板３２ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板３２ａから第４のメディアスロット３０に伝導され、第４のメディアスロット３０から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0151】

一方、第２の記憶媒体６０に発生した熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向に切り替えられているため、基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子３２に伝導されると共にペルチェ素子２９にも伝導される。

【0152】

ペルチェ素子３２に伝導された熱は、ペルチェ素子３２の伝熱方向が第２のセラミック基板３２ｂから第１のセラミック基板３２ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板３２ａから第４のメディアスロット３０に伝導され、第４のメディアスロット３０から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。ペルチェ素子２９に伝導された熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板２９ａから第３のメディアスロット２７に伝導され、第３のメディアスロット２７から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0153】

従って、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０に発生した熱はバッテリーケース１１、バッテリー４０、第３のメディアスロット２７又は第４のメディアスロット３０から放出される。また、バッテリーケース１１、バッテリー４０、第３のメディアスロット２７又は第４のメディアスロット３０から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0154】

第１の記憶媒体５０と第３の記憶媒体７０が駆動状態にされ第２の記憶媒体６０と第４の記憶媒体８０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子３２は伝熱方向が第２のセラミック基板３２ｂから第１のセラミック基板３２ａへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図２２参照）。

【0155】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子１７に伝導されると共にペルチェ素子３２にも伝導される。

【0156】

ペルチェ素子１７に伝導された熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板１７ｂから第２のメディアスロット２０に伝導され、第２のメディアスロット２０から放出される。ペルチェ素子３２に伝導された熱は、ペルチェ素子３２の伝熱方向が第２のセラミック基板３２ｂから第１のセラミック基板３２ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板３２ａから第４のメディアスロット３０に伝導され、第４のメディアスロット３０から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0157】

一方、第３の記憶媒体７０に発生した熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板２９ｂから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子１７に伝導されると共にペルチェ素子３２にも伝導される。

【0158】

【0159】

従って、第１の記憶媒体５０と第３の記憶媒体７０に発生した熱はバッテリーケース１１、バッテリー４０、第２のメディアスロット２０又は第４のメディアスロット３０から放出される。また、バッテリーケース１１、バッテリー４０、第２のメディアスロット２０又は第４のメディアスロット３０から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0160】

第１の記憶媒体５０と第４の記憶媒体８０が駆動状態にされ第２の記憶媒体６０と第３の記憶媒体７０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子３２は伝熱方向が第１のセラミック基板３２ａから第２のセラミック基板３２ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図２３参照）。

【0161】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子２９に伝導されると共にペルチェ素子１７にも伝導される。

【0162】

【0163】

一方、第４の記憶媒体８０に発生した熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板２９ｂから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子１７に伝導されると共にペルチェ素子２９にも伝導される。

【0164】

ペルチェ素子１７に伝導された熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板１７ｂから第２のメディアスロット２０に伝導され、第２のメディアスロット２０から放出される。ペルチェ素子２９に伝導された熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板２９ａから第３のメディアスロット２７に伝導され、第３のメディアスロット２７から放出されると共にバッテリーケース１１に伝導されてバッテリーケース１１又はバッテリー４０から放出される。

【0165】

従って、第１の記憶媒体５０と第４の記憶媒体８０に発生した熱はバッテリーケース１１、バッテリー４０、第２のメディアスロット２０又は第３のメディアスロット２７から放出される。また、バッテリーケース１１、バッテリー４０、第２のメディアスロット２０又は第３のメディアスロット２７から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0166】

第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０と第３の記憶媒体７０が駆動状態にされ第４の記憶媒体８０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子３２は伝熱方向が第２のセラミック基板３２ｂから第１のセラミック基板３２ａへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図２４参照）。

【0167】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子３２に伝導される。

【0168】

【0169】

第２の記憶媒体６０に発生した熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板１７ａから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子３２に伝導される。

【0170】

【0171】

第３の記憶媒体７０に発生した熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板２９ｂから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子３２に伝導される。

【0172】

【0173】

従って、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０と第３の記憶媒体７０に発生した熱はバッテリーケース１１、バッテリー４０又は第４のメディアスロット３０から放出される。また、バッテリーケース１１、バッテリー４０又は第４のメディアスロット３０から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0174】

第１の記憶媒体５０と第３の記憶媒体７０と第４の記憶媒体８０が駆動状態にされ第２の記憶媒体６０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子３２は伝熱方向が第１のセラミック基板３２ａから第２のセラミック基板３２ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図２５参照）。

【0175】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子１７に伝導される。

【0176】

ペルチェ素子１７に伝導された熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第１のセラミック基板１７ａから第２のセラミック基板１７ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板１７ｂから第２のメディアスロット２０に伝導され、第２のメディアスロット２０から放出される。

【0177】

第３の記憶媒体７０に発生した熱は、ペルチェ素子２９の伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板２９ｂから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子１７に伝導される。

【0178】

【0179】

第４の記憶媒体８０に発生した熱は、ペルチェ素子３２の伝熱方向が第１のセラミック基板３２ａから第２のセラミック基板３２ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板３２ｂから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子１７に伝導される。

【0180】

【0181】

従って、第１の記憶媒体５０と第３の記憶媒体７０と第４の記憶媒体８０に発生した熱は第２のメディアスロット２０から放出される。また、第２のメディアスロット２０から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0182】

第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０と第４の記憶媒体８０が駆動状態にされ第３の記憶媒体７０が非駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第２のセラミック基板２９ｂから第１のセラミック基板２９ａへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子３２は伝熱方向が第１のセラミック基板３２ａから第２のセラミック基板３２ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図２６参照）。

【0183】

このとき第１の記憶媒体５０に発生した熱は銅ブロック１８を介して基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子２９に伝導される。

【0184】

【0185】

第２の記憶媒体６０に発生した熱は、ペルチェ素子１７の伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向に切り替えられているため、第１のセラミック基板１７ａから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子２９に伝導される。

【0186】

【0187】

第４の記憶媒体８０に発生した熱は、ペルチェ素子３２の伝熱方向が第１のセラミック基板３２ａから第２のセラミック基板３２ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板３２ｂから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４からペルチェ素子２９に伝導される。

【0188】

【0189】

従って、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０と第４の記憶媒体８０に発生した熱は第３のメディアスロット２７から放出される。また、第３のメディアスロット２７から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0190】

第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０と第３の記憶媒体７０と第４の記憶媒体８０が何れも駆動状態にされている場合に、ペルチェ素子１７は伝熱方向が第２のセラミック基板１７ｂから第１のセラミック基板１７ａへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子２９は伝熱方向が第１のセラミック基板２９ａから第２のセラミック基板２９ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられ、ペルチェ素子３２は伝熱方向が第１のセラミック基板３２ａから第２のセラミック基板３２ｂへ向かう方向になる状態に切り替えられる（図２７参照）。

【0191】

【0192】

【0193】

【0194】

第４の記憶媒体８０に発生した熱は、ペルチェ素子３２の伝熱方向が第１のセラミック基板３２ａから第２のセラミック基板３２ｂへ向かう方向に切り替えられているため、第２のセラミック基板３２ｂから基板取付ベース１４に伝達され、基板取付ベース１４の主に外周面から放出される。

【0195】

従って、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０と第３の記憶媒体７０と第４の記憶媒体８０に発生した熱は基板取付ベース１４から放出される。また、基板取付ベース１４から放出された熱の少なくとも一部は筐体４に伝導され、筐体４から大気中に放出される。

【0196】

<まとめ>
以上に記載した通り、電子機器１にあっては、熱を伝導し伝熱方向の切替が可能にされた伝熱方向切替部（ペルチェ素子１７、２９、３２又は熱伝導部材２５、以下同じ。）を備え、複数のメディアスロット（第１のメディアスロット１９、第２のメディアスロット２０、第３のメディアスロット２７又は第４のメディアスロット３０、以下同じ。）にそれぞれ装着された記憶媒体（第１の記憶媒体５０、第２の記憶媒体６０、第３の記憶媒体７０又は第４の記憶媒体８０、以下同じ。）に対するアクセス状態に応じて伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる。

【0197】

従って、複数のメディアスロットにそれぞれ装着された記憶媒体に対するアクセス状態に応じて切り替えられた伝熱方向へ記憶媒体に発生した熱が伝導されるため、記憶媒体に対するアクセス状態に拘わらず放熱効率の向上を図ることができる。

【0198】

特に、各メディアスロットに装着された各記憶媒体においては電子機器１の動作状態に応じて熱の発生量が異なる場合があり、記憶媒体に対するアクセス状態に応じて伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられることにより、各記憶媒体の駆動状態や熱の発生量に応じた放熱経路を設定して効率的な放熱状態を確保することができる。

【0199】

また、記憶媒体のうち少なくとも一つずつが駆動状態と非駆動状態にされたときに、駆動状態にある記憶媒体に発生する熱が非駆動状態にある記憶媒体が装着されたメディアスロット又は記憶媒体が装着されていないメディアスロットへ向けて伝導されるように伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる。

【0200】

従って、伝熱方向が切り替えられた伝熱方向切替部によって駆動状態にある記憶媒体から非駆動状態にある記憶媒体が装着されたメディアスロット又は記憶媒体が装着されていないメディアスロットへ向けて熱が伝導されるため、伝熱効率及び放熱効率の向上を図ることができる。

【0201】

さらに、伝熱方向切替部として、供給される電流の向きに応じて伝熱方向が変換されるペルチェ素子１７、２９、３２が用いられることにより、供給される電流の向きに応じて伝熱方向切替部として機能するペルチェ素子１７、２９、３２の伝熱方向が変換されるため、伝熱方向の制御を容易かつ確実に行うことができる。

【0202】

尚、電子機器１は、複数のメディアスロットにそれぞれ装着された各記憶媒体に対するアクセス状態を変更する変更操作部を有し、変更操作部の操作に応じて伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる構成にされてもよい。変更操作部として、例えば、操作部５、５、・・・のうちの何れかの操作部５を用いることが可能である。

【0203】

このような変更操作部が設けられることにより、メディアスロットにそれぞれ装着された各記憶媒体に対するアクセス状態を変更する変更操作部の操作に応じた伝熱方向切替部の伝熱方向の切替により各記憶媒体に発生する熱が伝達されるため、各記憶媒体に発生する熱を状況に応じた方向へ伝導して放熱効率の向上を図ることができる。

【0204】

<その他>
電子機器１においては、少なくとも二つのメディアスロットが設けられているが、複数のメディアスロットのうち一つのメディアスロットに装着される記憶媒体がメインの記憶媒体として用いられる構成にされていてもよい。

【0205】

例えば、第１のメディアスロット１９と第２のメディアスロット２０が設けられている場合に、第１のメディアスロット１９に装着される第１の記憶媒体５０がメインの記憶媒体として用いられ、第２のメディアスロット２０に装着される第２の記憶媒体６０が補助的な記憶媒体として用いられ、第１の記憶媒体５０が有する記憶容量の全てが使用された場合に、自動的に第２の記憶媒体６０に対してデータが記憶される構成にされていてもよい。

【0206】

このような場合に、第１の記憶媒体５０が非駆動状態にされ第２の記憶媒体６０が駆動状態にされたことがアクセス状態検出部によって検出されることにより、検出結果に応じて伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられるようにすることが可能である。

【0207】

また、第１の記憶媒体５０と第２の記憶媒体６０の駆動状態と非駆動状態が使用者の操作によりの切替可能にされ、使用者の切替操作に応じて伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる構成にすることも可能である。

【0208】

さらに、メディアスロットの数は五つ以上設けられていてもよく、これらのメディアスロットに対向して位置される銅ブロック、ペルチェ素子及び熱伝達部材の数及び配置態様は少なくとも一つのペルチェ素子又は熱伝達部材が設けられていれば任意である。

【0209】

<電子機器の一実施形態>
以下に、本技術電子機器（撮像装置）の一実施形態の構成例について説明する（図２８参照）。

【0210】

電子機器（撮像装置）１には、例えば、撮像機能を担うカメラブロック９０を有する交換レンズが装着される。尚、電子機器１がレンズ鏡筒を有する場合には、電子機器１にカメラブロック９０が設けられる。

【0211】

電子機器１は、撮影された画像信号のアナログ－デジタル変換等の信号処理を行うカメラ信号処理部９１と、画像信号の記録再生処理を行う画像処理部９２とを有している。また、電子機器１は、撮影された画像等を表示する表示部９３と、メモリー９９への画像信号の書込及び読出を行うＲ／Ｗ（リーダ／ライタ）９４と、電子機器１の全体を制御するＣＰＵ（Central Processing Unit）９５と、カメラブロック９０に配置されたレンズの駆動を制御するレンズ駆動制御部９６と、ユーザーによって所要の操作が行われる各種のスイッチ等の操作部９７（操作部５）とを有している。

【0212】

電子機器１には、カメラブロック９０によって取り込まれた光学像を電気的信号に変換するＣＣＤやＣＭＯＳ等の撮像素子９８が設けられている。

【0213】

カメラ信号処理部９１は、撮像素子９８からの出力信号に対するデジタル信号への変換、ノイズ除去、画質補正、輝度・色差信号への変換等の各種の信号処理を行う。

【0214】

画像処理部９２は、所定の画像データフォーマットに基づく画像信号の圧縮符号化・伸張復号化処理や解像度等のデータ仕様の変換処理等を行う。

【0215】

表示部９３はユーザーの操作部９７に対する操作状態や撮影した画像等の各種のデータを表示する機能を有している。尚、電子機器１においては、表示部９３が設けられていなくてもよく、撮影された画像データが他の表示装置に送出されて画像が表示されるように構成されていてもよい。

【0216】

Ｒ／Ｗ９４は、画像処理部９２によって符号化された画像データのメモリー９９への書込及びメモリー９９に記録された画像データの読出を行う。

【0217】

ＣＰＵ９５は、電子機器１に設けられた各回路ブロックを制御する制御処理部として機能し、操作部９７からの指示入力信号等に基づいて各回路ブロックを制御する。

【0218】

レンズ駆動制御部９６は、ＣＰＵ９５からの制御信号に基づいてレンズを移動させる駆動源を制御する。

【0219】

操作部９７はユーザーによる操作に応じた指示入力信号をＣＰＵ９５に対して出力する。

【0220】

メモリー９９は、例えば、Ｒ／Ｗ９４に接続されたスロットに対して着脱可能な半導体メモリー又は電子機器１の内部に予め組み込まれている半導体メモリーである。

【0221】

以下に、電子機器１における動作を説明する。

【0222】

撮影の待機状態では、ＣＰＵ９５による制御の下で、撮影された画像信号がカメラ信号処理部９１を介して表示部９３に出力され、カメラスルー画像として表示される。また、操作部９７からの指示入力信号が入力されると、ＣＰＵ９５がレンズ駆動制御部９６に制御信号を出力し、レンズ駆動制御部９６の制御に基づいてレンズが移動される。

【0223】

操作部９７からの指示入力信号により撮影動作が行われると、撮影された画像信号がカメラ信号処理部９１から画像処理部９２に出力されて圧縮符号化処理され、所定のデータフォーマットのデジタルデータに変換される。変換されたデータはＲ／Ｗ９４に出力され、メモリー９９に書き込まれる。

【0224】

メモリー９９に記録された画像データを再生する場合には、操作部９７に対する操作に応じて、Ｒ／Ｗ９４によってメモリー９９から所定の画像データが読み出され、画像処理部９２によって伸張復号化処理が行われた後に、再生画像信号が表示部９３に出力されて再生画像が表示される。

【0225】

尚、本技術において、「撮像」とは、撮像素子９８による取り込まれた光を電気信号に変換する光電変換処理から、カメラ信号処理部９１による撮像素子９８からの出力信号に対するデジタル信号への変換、ノイズ除去、画質補正、輝度・色差信号への変換等の処理、画像処理部９２による所定の画像データフォーマットに基づく画像信号の圧縮符号化・伸張復号化処理や解像度等のデータ仕様の変換処理、Ｒ／Ｗ９４によるメモリー９９への画像信号の書込処理までの一連の処理の一部のみ、または全てを含む処理のことを言う。

【0226】

即ち、「撮像」とは、撮像素子９８による取り込まれた光を電気信号に変換する光電変換処理のみを指してもよく、撮像素子９８による取り込まれた光を電気信号に変換する光電変換処理からカメラ信号処理部９１による撮像素子９８からの出力信号に対するデジタル信号への変換、ノイズ除去、画質補正、輝度・色差信号への変換等の処理までを指してもよく、撮像素子９８による取り込まれた光を電気信号に変換する光電変換処理からカメラ信号処理部９１による撮像素子９８からの出力信号に対するデジタル信号への変換、ノイズ除去、画質補正、輝度・色差信号への変換等の処理を経て、画像処理部９２による所定の画像データフォーマットに基づく画像信号の圧縮符号化・伸張復号化処理や解像度等のデータ仕様の変換処理までを指してもよく、撮像素子９８による取り込まれた光を電気信号に変換する光電変換処理からカメラ信号処理部９１による撮像素子９８からの出力信号に対するデジタル信号への変換、ノイズ除去、画質補正、輝度・色差信号への変換等の処理、及び画像処理部９２による所定の画像データフォーマットに基づく画像信号の圧縮符号化・伸張復号化処理や解像度等のデータ仕様の変換処理までを指してもよく、Ｒ／Ｗ９４によるメモリー９９への画像信号の書込処理までを指してもよい。

【0227】

上記の処理において各処理の順番は適宜入れ替わってもよい。

【0228】

また、本技術において、カメラブロック９０及び電子機器１は、上記の処理を行う撮像素子９８、カメラ信号処理部９１、画像処理部９２、Ｒ／Ｗ９４の一部のみまたは全てを含むように構成されていてもよい。

【0229】

さらに、カメラブロック９０が撮像素子９８、カメラ信号処理部９１、画像処理部９２、Ｒ／Ｗ９４のうち一部を含んで構成されていてもよい。

【0230】

<本技術>
本技術は、以下のような構成にすることもできる。

【0231】

（１）
記憶媒体がそれぞれ装着される複数のメディアスロットと、
前記複数のメディアスロットがそれぞれ実装されたプリント配線基板と、
前記プリント配線基板が取り付けられた基板取付ベースと、
前記記憶媒体で発生する熱を伝導し伝熱方向の切替が可能な伝熱方向切替部とを備え、
前記複数のメディアスロットにそれぞれ装着された前記記憶媒体に対するアクセス状態に応じて前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
電子機器。

【0232】

（２）
前記記憶媒体はアクセス時に駆動状態にされ非アクセス時に非駆動状態にされ、
前記記憶媒体のうち少なくとも一つずつがそれぞれ駆動状態と非駆動状態にされたときに、
駆動状態にある前記記憶媒体に発生する熱が非駆動状態にある前記記憶媒体が装着された前記メディアスロットへ向けて伝導されるように前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
前記（１）に記載の電子機器。

【0233】

（３）
前記記憶媒体はアクセス時に駆動状態にされ非アクセス時に非駆動状態にされ、
前記記憶媒体のうち少なくとも一つずつがそれぞれ駆動状態と非駆動状態にされたときに、
駆動状態にある前記記憶媒体に発生する熱が前記記憶媒体が装着されていない前記メディアスロットへ向けて伝導されるように前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
前記（１）に記載の電子機器。

【0234】

（４）
熱を放出する放熱体が設けられ、
前記記憶媒体はアクセス時に駆動状態にされ非アクセス時に非駆動状態にされ、
全ての前記メディアスロットにそれぞれ前記記憶媒体が装着され全ての前記記憶媒体が駆動状態にされたときに、
全ての前記記憶媒体から前記放熱体へ向けて伝熱されるように前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
前記（１）に記載の電子機器。

【0235】

（５）
前記伝熱方向切替部として、供給される電流の向きに応じて伝熱方向が変換されるペルチェ素子が用いられた
前記（１）から前記（４）の何れかに記載の電子機器。

【0236】

（６）
前記記憶媒体に発生する熱が前記基板取付ベースを伝導される
前記（１）から前記（５）の何れかに記載の電子機器。

【0237】

（７）
前記伝熱方向切替部が前記基板取付ベースに接した状態で配置された
前記（６）に記載の電子機器。

【0238】

（８）
前記プリント配線基板に銅ブロックが取り付けられ、
前記銅ブロックが前記基板取付ベースに接し前記メディアスロットの少なくとも一つに対向した状態で位置された
前記（１）から前記（７）の何れかに記載の電子機器。

【0239】

（９）
前記複数のメディアスロットが前記プリント配線基板における同一の面に実装された
前記（１）から前記（８）の何れかに記載の電子機器。

【0240】

（１０）
前記記憶媒体に対するアクセス状態を検出するアクセス状態検出部が設けられ、
前記アクセス状態検出部の検出結果に応じて前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
前記（１）から前記（９）の何れかに記載の電子機器。

【0241】

（１１）
前記複数のメディアスロットにそれぞれ装着された前記記憶媒体に対するアクセス状態を変更する変更操作部が設けられ、
前記変更操作部の操作に応じて前記伝熱方向切替部の伝熱方向が切り替えられる
前記（１）から前記（９）の何れかに記載の電子機器。

【符号の説明】

【0242】

１電子機器
１１バッテリーケース（放熱体）
１４基板取付ベース
１５プリント配線基板
１７ペルチェ素子（伝熱方向切替部）
１８銅ブロック
１９第１のメディアスロット
２０第２のメディアスロット
２５熱伝導部材（伝熱方向切替部）
２６プリント配線基板
２７第３のメディアスロット
２９ペルチェ素子（伝熱方向切替部）
３０第４のメディアスロット
３２ペルチェ素子（伝熱方向切替部）
４０バッテリー（放熱体）
５０第１の記憶媒体
６０第２の記憶媒体
７０第３の記憶媒体
８０第４の記憶媒体

【図1】