特許 7563809 半導体製造装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-30

(45)【発行日】2024-10-08

(54)【発明の名称】半導体製造装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20241001BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20241001BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 C

H01L21/205

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2024030371

(22)【出願日】2024-02-29

【審査請求日】2024-02-29

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】510052285

【氏名又は名称】株式会社 天谷製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100104776

【弁理士】

【氏名又は名称】佐野 弘

(74)【代理人】

【識別番号】100119194

【弁理士】

【氏名又は名称】石井 明夫

(72)【発明者】

【氏名】関口 勝美

(72)【発明者】

【氏名】大野 俊典

(72)【発明者】

【氏名】齊藤 博文

(72)【発明者】

【氏名】杉山 晃

【審査官】杢 哲次

(56)【参考文献】

【文献】特許第７４１２８２４（ＪＰ，Ｂ１）

【文献】特開２００８－２１９４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１８１９６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１８１９６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２４４０９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平８－１５３６８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平７－２３８３８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平６－２４４２６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平５－１６６７３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－３１１８９４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６７７

Ｈ０１Ｌ ２１／２０５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

載置部に載置した板状の半導体ウエハと噴射吸着面とを相対的に接近させる接近手段と、
前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射する一方、前記接近手段により前記半導体ウエハと前記噴射吸着面とを相対的に接近させた前記噴射吸着面に前記半導体ウエハを吸着させる噴射吸着手段と、
前記半導体ウエハを上側から加熱する加熱部と、
前記半導体ウエハを前記噴射吸着面に吸着させた状態で加工する加工手段と、を備え、
前記噴射吸着手段が複数の噴射吸着孔を有し、これらの噴射吸着孔が中央部及び該中央部の周囲に配設され、
前記噴射吸着手段は、上側に配設された上板と、該上板の下側に配設された下板とを有し、該下板に前記複数の噴射吸着孔が形成され、前記上板と前記下板との間に、前記複数の噴射吸着孔に前記不活性ガスを案内する案内通路が設けられていることを特徴とする半導体製造装置。

【請求項2】

前記上板と前記下板の中央位置から前記案内通路に前記不活性ガスが供給され、この案内通路が前記不活性ガスを前記中央位置から周囲に案内するように放射状に複数形成された放射状溝と、これらの放射状溝と連通するように同心状に複数形成された同心状溝とを有し、前記複数の放射状溝及び前記複数の同心状溝に連通して前記噴射吸着孔がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。

【請求項3】

載置部に載置した板状の半導体ウエハと噴射吸着面とを相対的に接近させる接近手段と、
前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射する一方、前記接近手段により前記半導体ウエハと前記噴射吸着面とを相対的に接近させた前記噴射吸着面に前記半導体ウエハを吸着させる噴射吸着手段と、
前記半導体ウエハを上側から加熱する加熱部と、
前記半導体ウエハを前記噴射吸着面に吸着させた状態で加工する加工手段と、を備え、
前記噴射吸着手段が複数の噴射吸着孔を有し、これらの噴射吸着孔が中央部及び該中央部の周囲に配設され、
前記噴射吸着孔は、閉止部材が着脱自在に設けられ、該閉止部材が装着されることによって前記噴射吸着孔が閉止可能に構成されていることを特徴とする半導体製造装置。

【請求項4】

載置部に載置した板状の半導体ウエハと噴射吸着面とを相対的に接近させる接近手段と、
前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射する一方、前記接近手段により前記半導体ウエハと前記噴射吸着面とを相対的に接近させた前記噴射吸着面に前記半導体ウエハを吸着させる噴射吸着手段と、
前記半導体ウエハを上側から加熱する加熱部と、
前記半導体ウエハを前記噴射吸着面に吸着させた状態で加工する加工手段と、を備え、
前記噴射吸着手段が複数の噴射吸着孔を有し、これらの噴射吸着孔が中央部及び該中央部の周囲に配設され、
前記噴射吸着孔は、円筒パイプが着脱自在に設けられ、該円筒パイプが装着されることによって前記噴射吸着孔の孔径が変更可能に構成されていることを特徴とする半導体製造装置。

【請求項5】

前記半導体ウエハがＳｉＣであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体製造装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、板状の半導体ウエハを用いた半導体製造装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体製造装置には、例えば特許文献１に記載された技術がある。この半導体製造装置は、サファイア基板を大気中で昇温させるホットプレートと、ホットプレートと所定の間隔を隔てて設置された支持板と、サファイア基板をホットプレートと支持板との間に所定の間隔を隔てて支持すると共に、ホットプレートとサファイア基板の裏面とが対向するように支持する支持部を設けた支持台と、支持台を昇降させる昇降装置と、支持板上に、サファイア基板と所定の間隔を隔てると共に、サファイア基板のおもて面と対向するように配置され、ホットプレートからの輻射熱を吸収する輻射熱吸収プレートと、を備える。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００８－２１９４５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、特許文献１に記載された技術は、ホットプレートからサファイア基板を透過した輻射熱を輻射熱吸収プレートで吸収してサファイア基板の周囲の空気をサファイア基板の表裏の面から加熱するようにしている。すなわち、特許文献１に記載された技術は、空気を介した熱伝達によってサファイア基板を予熱してサファイア基板の反りを抑制するようにしているため、サファイア基板を平坦化するための作業時間が長くかかるとともに、サファイア基板の望ましい平坦度が得られないという問題がある。その結果、半導体ウエハを吸着面に吸着させにくい不具合がある。

【0005】

そこで、本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、半導体ウエハのあらゆる反り形状に対応可能であり、半導体ウエハの反りを平坦化するための作業時間を短縮し、噴射吸着面に半導体ウエハを吸着させ易くした半導体製造装置を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

かかる目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、載置部に載置した板状の半導体ウエハと噴射吸着面とを相対的に接近させる接近手段と、前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射する一方、前記接近手段により前記半導体ウエハと前記噴射吸着面とを相対的に接近させた前記噴射吸着面に前記半導体ウエハを吸着させる噴射吸着手段と、前記半導体ウエハを上側から加熱する加熱部と、前記半導体ウエハを前記噴射吸着面に吸着させた状態で加工する加工手段と、を備え、前記噴射吸着手段が複数の噴射吸着孔を有し、これらの噴射吸着孔が中央部及び該中央部の周囲に配設され、前記噴射吸着手段は、上側に配設された上板と、該上板の下側に配設された下板とを有し、該下板に前記複数の噴射吸着孔が形成され、前記上板と前記下板との間に、前記複数の噴射吸着孔に前記不活性ガスを案内する案内通路が設けられていることを特徴とする。

【0008】

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の構成に加え、前記上板と前記下板の中央位置から前記案内通路に前記不活性ガスが供給され、この案内通路が前記不活性ガスを前記中央位置から周囲に案内するように放射状に複数形成された放射状溝と、これらの放射状溝と連通するように同心状に複数形成された同心状溝とを有し、前記複数の放射状溝及び前記複数の同心状溝に連通して前記噴射吸着孔がそれぞれ設けられていることを特徴とする。

【0009】

また、請求項３に記載の発明は、載置部に載置した板状の半導体ウエハと噴射吸着面とを相対的に接近させる接近手段と、前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射する一方、前記接近手段により前記半導体ウエハと前記噴射吸着面とを相対的に接近させた前記噴射吸着面に前記半導体ウエハを吸着させる噴射吸着手段と、前記半導体ウエハを上側から加熱する加熱部と、前記半導体ウエハを前記噴射吸着面に吸着させた状態で加工する加工手段と、を備え、前記噴射吸着手段が複数の噴射吸着孔を有し、これらの噴射吸着孔が中央部及び該中央部の周囲に配設され、前記噴射吸着孔は、閉止部材が着脱自在に設けられ、該閉止部材が装着されることによって前記噴射吸着孔が閉止可能に構成されていることを特徴とする。

【0010】

また、請求項４に記載の発明は、前記半導体ウエハの上面に不活性ガスを噴射する一方、前記接近手段により前記半導体ウエハと前記噴射吸着面とを相対的に接近させた前記噴射吸着面に前記半導体ウエハを吸着させる噴射吸着手段と、前記半導体ウエハを上側から加熱する加熱部と、前記半導体ウエハを前記噴射吸着面に吸着させた状態で加工する加工手段と、を備え、前記噴射吸着手段が複数の噴射吸着孔を有し、これらの噴射吸着孔が中央部及び該中央部の周囲に配設され、前記噴射吸着孔は、円筒パイプが着脱自在に設けられ、該円筒パイプが装着されることによって前記噴射吸着孔の孔径を変更可能に構成されていることを特徴とする。

【0011】

また、請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の構成に加え、前記半導体ウエハがＳｉＣであることを特徴とする。

【発明の効果】

【0012】

請求項１に記載の発明によれば、噴射吸着手段が複数の噴射吸着孔を有し、これらの噴射吸着孔が中央部及び該中央部の周囲に配設されていることにより、半導体ウエハのあらゆる反り形状に対応可能となり、半導体ウエハの反りを平坦化するための作業時間を短縮し、噴射吸着面に半導体ウエハを吸着させ易くし、その結果、製品の歩留まりを向上させることができる。
また、請求項１に記載の発明によれば、噴射吸着手段は、上側に配設された上板と、この上板の下側に配設された下板とを有し、この下板に複数の噴射吸着孔が形成され、上板と下板との間に、複数の噴射吸着孔に不活性ガスを案内する案内通路が設けられていることにより、半導体ウエハのあらゆる反り形状に一段と対応可能となり、半導体ウエハの反りを一段と平坦化し易くなるとともに、半導体ウエハを高精度に平坦化することができる。

【0014】

また、請求項２に記載の発明によれば、案内通路が不活性ガスを中央位置から周囲に案内するように放射状に複数形成された放射状溝と、これらの放射状溝と連通するように同心状に複数形成された同心状溝とを有し、複数の放射状溝及び複数の同心状溝に連通して噴射吸着孔がそれぞれ設けられていることにより、半導体ウエハのあらゆる反り形状に一段と対応可能となり、半導体ウエハの反りを一段と平坦化し易くなるとともに、半導体ウエハを高精度に平坦化することができる。

【0015】

また、請求項３に記載の発明によれば、噴射吸着孔は、閉止部材が着脱自在に設けられ、該閉止部材が装着されることによって噴射吸着孔が閉止可能に構成されているので、噴射吸着孔を選択的に閉止することにより、半導体ウエハを極めて高精度に平坦化することができる。

【0016】

また、請求項４に記載の発明によれば、噴射吸着孔は、円筒パイプが着脱自在に設けられ、該円筒パイプが装着されることによって噴射吸着孔の孔径を変更可能に構成されているので、噴射吸着孔の孔径を選択的に変更することにより、半導体ウエハを極めて高精度に平坦化することができる。

【0017】

また、請求項５に記載の発明によれば、半導体ウエハがＳｉＣであることから、半導体ウエハに反りがあっても、その反りを軽減させるための材料として好適である。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の第１実施形態に係る半導体製造装置を示す概略平面図である。

【図2】同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内の構造を示す概略縦断面図である。

【図3】同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハが下側に凸形状に反った状態で載置された例を示す概略縦断面図である。

【図4】同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハが断面略Ｍ字状に反った状態で載置された例を示す概略縦断面図である。

【図5】同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハを噴射吸着面に真空吸着するときの状態を示す概略縦断面図である。

【図6】同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハに熱酸化で成膜するときの状態を示す概略縦断面図である。

【図7】同実施形態に係る半導体製造装置の噴射吸着部を示す断面図である。

【図8】同実施形態に係る半導体製造装置の噴射吸着部の上板を示す平面図である。

【図9】同実施形態に係る半導体製造装置の噴射吸着部の上板を示す底面図である。

【図10】図８のＡ－Ａ線による断面図である。

【図11】同実施形態に係る半導体製造装置の噴射吸着部の下板を示す平面図である。

【図12】同実施形態に係る半導体製造装置の噴射吸着部の下板を示す底面図である。

【図13】図１１のＢ－Ｂ線による断面図である。

【図14】図１１のＣ－Ｃ線による断面図である。

【図15】図１１のＤ－Ｄ線による断面図である。

【図16】図１４のＥ部拡大図である。

【図17】（ａ）は、図１６に閉止部材を設けた状態を示す拡大図、（ｂ）は、（ａ）の閉止部材を示す拡大斜視図である。

【図18】（ａ）は、図１６に円筒パイプを設けた状態を示す拡大図、（ｂ）は、（ａ）の円筒パイプを示す拡大斜視図である。

【図19】本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内の構造を示す概略縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
［第１実施形態］
図１～図６には、本発明の第１実施形態を示す。図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体製造装置を示す概略平面図である。図２は、同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内の構造を示す概略縦断面図である。図３は、同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハが下側に凸形状に反った状態で載置された例を示す概略縦断面図である。図４は、同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハが断面略Ｍ字状に反った状態で載置された例を示す概略縦断面図である。図５は、同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハをサセプタに真空吸着するときの状態を示す概略縦断面図である。図６は、同実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内で半導体ウエハに熱酸化で成膜するときの状態を示す概略縦断面図である。

【0020】

以下、本実施形態の半導体製造装置１０について説明する。

【0021】

本実施形態の半導体製造装置１０は、半導体ウエハ１を搬送装置３０で搬送して、チャンバ５０内で熱酸化処理を行って表面に熱酸化による成膜を施す装置である。なお、本実施形態の半導体ウエハ１は、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）からなるものを使用している。

【0022】

図１に示すように、本実施形態の半導体製造装置１０は、壁面１２で囲まれた内部にクリーンルーム１１を有しており、このクリーンルーム１１内には、ロードポート２０と、搬送装置３０と、チャンバ５０とが設置されている。

【0023】

本実施形態では、図１に示すように、ロードポート２０が１つの壁面に２箇所設けられている。これらのロードポート２０には、それぞれウエハカセット５が載置され、各ウエハカセット５に複数の半導体ウエハ１が収容されている。

【0024】

また、図１に示すように、搬送装置３０は、半導体製造装置１０の内部で半導体ウエハ１を搬送する装置であり、搬送ロボット３１と、ロードスライダ４１と、アンロードスライダ４５とを有している。

【0025】

このうち、搬送ロボット３１は、半導体ウエハ１を保持して移動させることが可能な搬送アーム３２を備えている。この搬送アーム３２は、半導体ウエハ１を、ロードポート２０のウエハカセット５と、センタリング部２５と、ロードスライダ４１の開始位置と、アンロードスライダ４５の終了位置との間において移動可能に構成されている。

【0026】

また、搬送アーム３２は、半導体ウエハ１の上下を反転させる機能を有している。そのため、搬送アーム３２は、ウエハカセット５に収納されていたときの半導体ウエハ１の上下方向を反転させた上でロードスライダ４１に載置することができる一方、アンロードスライダ４５に載置されていたときの半導体ウエハ１の上下方向を反転させた上でウエハカセット５に収納させることができる。

【0027】

センタリング部２５は、半導体ウエハ１の位置出しを行う部位であり、搬送ロボット３１の搬送アーム３２がここに半導体ウエハ１を一旦載置して、位置出しを行って再度取り出すことで、搬送ロボット３１の搬送アーム３２がロードスライダ４１の正確な位置に半導体ウエハ１を搬送可能となる。そして、本実施形態では、センタリング部２５に半導体ウエハ１を一旦載置するときに、搬送アーム３２が半導体ウエハ１の上下方向を反転させるように構成されている。

【0028】

ロードスライダ４１は、チャンバ５０の外部と内部の所定位置との間で半導体ウエハ１を載せて移動する装置である。このロードスライダ４１は、レール部材４９に対してスライド移動可能に構成されており、その先端に「載置部」としてのスライダ載置部４２が設けられている。そして、ロードスライダ４１は、スライダ載置部４２に半導体ウエハ１を載置した状態で、レール部材４９に沿って移動する。

【0029】

また、本実施形態では、半導体ウエハ１をチャンバ５０の外部から内部に移動させる際にロードスライダ４１を用い、このロードスライダ４１の下側に、半導体ウエハ１をチャンバ５０の内部から外部に移動させる際に使用するアンロードスライダ４５を有している。このアンロードスライダ４５もロードスライダ４１と同様の構成であり、レール部材４９に対してスライド移動可能に構成されており、その先端にスライダ載置部４６が設けられている。そして、アンロードスライダ４５は、スライダ載置部４６に半導体ウエハ１を載置した状態で、レール部材４９に沿って移動する。

【0030】

このように本実施形態では、チャンバ５０に対して外部から内部と、この内部から外部とで異なる搬送機構（ロードスライダ４１，アンロードスライダ４５）が設けられている。これにより、本実施形態によれば、チャンバ５０に対する半導体ウエハ１の出し入れの動作を同時に行うことができ、作業効率を向上させることができる。

【0031】

図２～図６に示すように、ロードスライダ４１のスライダ載置部４２の下方には、「下側加熱部」としてリングヒータ４３が設けられている。このリングヒータ４３を所定の温度、例えば２００～３００℃に制御して、半導体ウエハ１の下面２を加熱する。

【0032】

チャンバ５０は、その内部で半導体ウエハ１に対して成膜加工を行うものである。このチャンバ５０は、図２～図６に示すように、「噴射吸着手段」としての噴射吸着部６０と、「加工手段，成膜手段」としてのガス供給装置８０と、同じく「加工手段，成膜手段」としての半導体ウエハ回動装置９０と、を備えている。

【0033】

噴射吸着部６０は、上側加熱部５５と、上側に配設された上板６１と、この上板６１の下側に配設された下板７０と、噴射を行う噴射装置（図示省略）及び真空吸引を行う吸引装置（図示省略）の噴射吸引路６３とを有している。下板７０には、下側を向いた噴射吸着面６２が設けられており、この噴射吸着面６２に半導体ウエハ１を真空吸引によって吸着させる。噴射吸引路６３は、噴射吸着部６０の上側加熱部５５の中心部から上板６１底面における中心部まで延びている。

【0034】

本実施形態では、真空吸引を行う噴射吸引路６３が不活性ガス（本実施形態では窒素（Ｎ_２）ガス）を噴射する噴射装置（図示省略）の噴射路を兼ねている。この噴射吸引路６３は、半導体ウエハ１を噴射吸着部６０に吸着させる前の状態で不活性ガスを噴射することで、半導体ウエハ１の上面３を冷却する。なお、この不活性ガスは、図２に示すように、噴射吸着部６０の周囲に配設された排気口５１から排気される。

【0035】

チャンバ５０は、図２～図６に示すように、噴射吸着部６０が「接近手段」としての上下動機構９２によって上下方向に移動可能に構成されている。上下動機構９２によって噴射吸着部６０を下方に移動させてロードスライダ４１のスライダ載置部４２に載せられた半導体ウエハ１に密着させて、図示しない吸引装置の噴射吸引路６３により真空吸引することで、噴射吸着面６２に半導体ウエハ１を吸着する。

【0036】

また、「所定位置」としての噴射吸着面６２の下方位置に、ロードスライダ４１でチャンバ５０の外部から半導体ウエハ１を搬送するように構成されている。一方、アンロードスライダ４５で噴射吸着面６２の下方位置からチャンバ５０の外部まで半導体ウエハ１を搬送するように構成されている。

【0037】

本実施形態は、半導体ウエハ１がスライダ載置部４２に載せられた状態で、ロードスライダ４１によりチャンバ５０の内部の噴射吸着面６２の下方の所定位置まで移動されるときに、スライダ載置部４２のリングヒータ４３で半導体ウエハ１の下面２が加熱される。このとき、リングヒータ４３は例えば２００～３００℃程度に加熱される。

【0038】

図６に示すように、チャンバ５０には、ガス供給装置８０と、半導体ウエハ回動装置９０と、が設けられている。このうちガス供給装置８０は、ガス発生部８１から発生したガスを、ノズルプレート８２を通して半導体ウエハ１の下面２に供給する。具体的に、本実施形態では、中央の第１ガス発生部８３でＯ_２及びＳｉＨ_４を発生させ、第１ガス発生部８３の周囲の第２ガス発生部８４でＮ_２を発生させる。

【0039】

半導体ウエハ回動装置９０には、回動機構９１が設けられており、この回動機構９１が噴射吸着部６０と一体に固定され、成膜時に噴射吸着部６０を回動させるように構成されている。また、半導体ウエハ回動装置９０は、常に噴射吸着部６０の上部に固定されており、噴射吸着部６０、排気管８５及び半導体ウエハ回動装置９０は、固定状態のガス供給装置８０に対し上下動機構９２によって同時に上下動可能に構成されている。

【0040】

そして、本実施形態では、噴射吸着部６０に真空吸引で吸着された半導体ウエハ１に対して、上側加熱部５５で半導体ウエハ１を例えば４００℃程度に加熱し、半導体ウエハ回動装置９０の回動機構９１で噴射吸着部６０を回動させながら、ガス供給装置８０からＳｉＨ_４，Ｏ_２，Ｎ_２を供給することで、熱酸化処理により噴射吸着部６０に吸着された半導体ウエハ１の下面２に成膜処理を行う。

【0041】

なお、この成膜処理時には、噴射吸着部６０が回転するように構成されているため、半導体ウエハ１を回転させながらガスを供給することができる。これにより、半導体ウエハ１に均等に成膜を行うことができる。また、この成膜処理時のガスは、排気口５１を通して排気管８５より排出される。

【0042】

図３に示すように、スライダ載置部４２に半導体ウエハ１を載置して搬送装置３０により噴射吸着部６０の下方位置まで搬送するまでの間、リングヒータ４３によって半導体ウエハ１の下面２を例えば２００～３００℃に加熱して半導体ウエハ１を下方に湾曲させる。ここで、スライダ載置部４２に順次載置される半導体ウエハ１において、その反りは一様ではなく、互いに複雑な反りの形状に形成されている。

【0043】

そこで、本実施形態では、スライダ載置部４２に半導体ウエハ１を載置して噴射吸着部６０の下方位置まで搬送するまでの間、リングヒータ４３によって半導体ウエハ１の下面２を加熱することで、半導体ウエハ１を一様に下方に湾曲させる。

【0044】

また、本実施形態では、リングヒータ４３で半導体ウエハ１の下面２を約２００～３００℃に加熱し、上側加熱部５５で半導体ウエハ１の上面３を約４００℃に加熱するとともに、半導体ウエハ１を下方に湾曲した状態から上方に湾曲した状態になる。この場合、噴射吸引路６３が噴射吸着部６０の噴射吸着面６２における平面視略中心部だけに配設されていると、噴射吸着部６０で半導体ウエハ１の上面３に不活性ガス（窒素ガス）を噴射した場合、図４に二点鎖線で示すように、半導体ウエハ１が断面略Ｍ字状に湾曲することになる。すると、半導体ウエハ１に噴射吸着部６０を接近させて噴射吸着部６０に半導体ウエハ１を吸着させようとしても、吸着することができない。

【0045】

次に、半導体ウエハ１の上面３に不活性ガスを噴射して半導体ウエハ１を断面略Ｍ字状に湾曲した状態から平坦化するための噴射吸着部６０の上板６１、噴射吸着面６２、噴射吸引路６３、及び下板７０の構成について説明する。

【0046】

まず、図７～図１０に基づいて上板６１の構成を説明する。

【0047】

図７は、同実施形態に係る半導体製造装置の噴射吸着部を示す断面図である。図８は、同実施形態に係る半導体製造装置の噴射吸着部の上板を示す平面図である。図９は、同実施形態に係る半導体製造装置の噴射吸着部の上板を示す底面図である。図１０は、図８のＡ－Ａ線による断面図である。

【0048】

図７～図１０に示すように、上板６１は、モリブデン（Ｍｏ）によって円形の薄板状に形成され、その中央部まで噴射吸引路６３の先端部が延びている。上板６１の上面には、噴射吸引路６３の先端部から周方向に同一の角度で８本の放射溝６４が外周縁まで放射状に形成されている。これらの放射溝６４は、噴射吸引路６３から噴射された不活性ガスを下板７０の後述する外周側の噴射吸着孔に案内する。上板６１には、下板７０と図示しない締結部材によって連結するための連結孔６５が周方向に同一の角度で４つ形成されている。また、上板６１には、上側加熱部５５に図示しない固定部材によって固定するための固定孔６６が連結孔６５よりもやや内周側で連結孔６５と周方向に異なる角度で４つ形成されている。これらの連結孔６５及び固定孔６６は、図７及び図８に示すように、上板６１の上面から底面まで貫通するように形成されている。

【0049】

上板６１の下面には、図９及び図１０に示すように案内通路６７が形成され、この案内通路６７は、不活性ガスを中央位置の噴射吸引路６３から周囲に案内するように放射状に複数形成された放射状溝としての十字状溝６８と、これらの十字状溝６８とそれぞれ連通するように３本同心状に形成された同心状溝６９ａ，６９ｂ，６９ｃとを有している。これら３本の同心状溝６９ａ，６９ｂ，６９ｃは、例えば内周側から１００ｍｍ、１３０ｍｍ、１６９ｍｍの径を有している。

【0050】

次に、下板７０の構成を説明する。

【0051】

図１１は、同実施形態に係る半導体製造装置の噴射吸着部の下板を示す平面図である。図１２は、同実施形態に係る半導体製造装置の噴射吸着部の下板を示す底面図である。図１３は、図１１のＢ－Ｂ線による断面図である。図１４は、図１１のＣ－Ｃ線による断面図である。図１５は、図１１のＤ－Ｄ線による断面図である。図１６は、図１４のＥ部拡大図である。図１７（ａ）は、図１６に閉止部材を設けた状態を示す拡大図、（ｂ）は、（ａ）の閉止部材を示す拡大斜視図である。図１８（ａ）は、図１６に円筒パイプを設けた状態を示す拡大図、（ｂ）は、（ａ）の円筒パイプを示す拡大斜視図である。

【0052】

図７、図１０～図１５に示すように、下板７０は、上板６１と同様にモリブデン（Ｍｏ）によって円形の薄板状に形成され、その上面に上板６１が嵌め込まれるように収納される収納凹部７１が形成されている。下板７０の上面には、上板６１と同一の位置に上板６１と図示しない締結部材によって連結するための連結穴７２が上板６１の連結孔６５と周方向に同一の角度で４つ形成されている。

【0053】

下板７０には、上板６１の下面に形成された１００ｍｍ、１３０ｍｍ、１６９ｍｍの径の同心状溝６９ａ，６９ｂ，６９ｃとそれぞれ連通する噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃが図２～図５にも示すように周方向に一定間隔をおいて多数設けられている。これらの噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃは、下板７０のやや外周寄りに配置され、上面から下面に貫通するように形成されている。

【0054】

噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃは、それぞれ円孔に形成され、これらは例えば図１５に示す噴射吸着孔７３ｃのように下板７０の厚さ方向に対して上面側から半分以上にわたって大径孔７３１が形成され、その大径孔７３１に連続して下面側が小径孔７３２に形成されている。大径孔７３１と小径孔７３２とは、同心円状に形成されている。つまり、噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃには、オリフィスが形成されている。これにより、本実施形態では、不活性ガスを噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃから噴射する際に、大径孔７３１に供給された不活性ガスが小径孔７３２によって流路が縮径化され、流路を縮径しない場合と比較して噴射される不活性ガスの流速を速くすることができる。

【0055】

また、噴射吸着孔７３ｃの外周側には、上板６１の上面に形成された８本の放射溝６４の外周端と連通する図１１、図１２及び図１５に示す外周側の噴射吸着孔７４ａが周方向に一定間隔をおいて多数形成されている。これらの噴射吸着孔７４ａは、上側加熱部５５の底面外周部と下板７０の上面外周部との間の隙間Ｇ（図７に示す）を通して互いに連通状態となるように形成されている。これらの噴射吸着孔７４ａから不活性ガスを噴射することで、噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃと、後述する噴射吸着孔７４ｂから噴射した不活性ガスの周囲への回り込みを未然に防止している。

【0056】

さらに、下板７０の中央位置であって、噴射吸着孔７３ａの内周側には、図２～図５にも示すように上板６１の下面に形成された十字状溝６８の交差部近傍と連通するように４つの噴射吸着孔７４ｂが形成されている。これら４つの噴射吸着孔７４ｂもそれぞれ図示しないが噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃと同様に大径孔及び小径孔が上下方向に連続して形成されている。すなわち、４つの噴射吸着孔７４ｂもオリフィスに形成されている。

【0057】

噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ａ，７４ｂは、それぞれ吸引装置（図示省略）から真空吸引を行うとともに、噴射装置（図示省略）から供給された不活性ガスをそれぞれ噴射する。

【0058】

下板７０の下面には、上述した噴射吸着面６２が設けられている。下板７０の下面には、図１２に示すように、上板６１の下面と同様に案内通路７５が形成され、この案内通路７５は、下板７０の下面の中央位置から周囲に放射状に複数形成された放射状溝としての十字状溝７６と、これらの十字状溝７６とそれぞれ連通するように３本同心状に形成された同心状溝７７ａ，７７ｂ，７７ｃとを有している。

【0059】

十字状溝７６は、上板６１の十字状溝６８と同じ長さに形成されている。３本の同心状溝７７ａ，７７ｂ，７７ｃは、上板６１の３本の同心状溝６９ａ，６９ｂ，６９ｃと同じく内周側から１００ｍｍ、１３０ｍｍ、１６９ｍｍの径を有している。これらの同心状溝７７ａ，７７ｂ，７７ｃには、それぞれ上述した多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃが配設されている。

【0060】

多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂには、図１７（ａ），（ｂ）に示す閉止部材７８が着脱可能に設けられる。この閉止部材７８が多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂに装着されることによって噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂが閉止される。

【0061】

閉止部材７８は、円柱状に形成され、多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂから真空吸引を行わず、また不活性ガスをそれぞれ噴射させたくない部位の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂを閉止する。

【0062】

また、多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂには、図１８（ａ），（ｂ）に示すように円筒パイプ７９が着脱可能に設けられる。この円筒パイプ７９は、装着時と離脱時に多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂの径が異なるように構成されている。これにより、多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ａ，７４ｂのいずれかに円筒パイプ７９が装着されることによって多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂの孔径が変更可能となる。ここで、円筒パイプ７９は、孔径の異なるものを多数用意し、噴射及び吸着する部位の反りに応じて噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂの孔径を異なるようにしてもよい。

【0063】

次に、本実施形態の半導体製造装置１０の全体の動作について説明する。

【0064】

まず、図１に示すように、ロードポート２０に載置されたウエハカセット５から、搬送ロボット３１の搬送アーム３２が１枚の半導体ウエハ１を取り出す。そして、その半導体ウエハ１を反転させてセンタリング部２５に載置して位置出しを行う。

【0065】

次に、位置出しを行った半導体ウエハ１がロードスライダ４１の手前側の開始位置に位置するスライダ載置部４２に載置された場合、スライダ載置部４２の保持部（図示省略）で半導体ウエハ１が保持され、半導体ウエハ１の下面２をリングヒータ４３で加熱して図３に示すように半導体ウエハ１を下方に湾曲させるようにした状態で、ロードスライダ４１がチャンバ５０内にスライド移動して噴射吸着部６０の下方の所定位置、すなわち噴射吸着部６０の下方位置まで搬送される。

【0066】

このように本実施形態では、半導体ウエハ１を搬送している間に半導体ウエハ１の下面２をリングヒータ４３で約２００～３００℃に加熱することで、半導体ウエハ１の反りが様々に形成されていたとしても、半導体ウエハ１を一様に下方に湾曲させるようにしている。そして、半導体ウエハ１が噴射吸着部６０の下方位置まで到達すると、図６に示す上下動機構９２を駆動してその間隔が所定の間隔になるように噴射吸着部６０を下降させる。

【0067】

次いで、半導体ウエハ１と噴射吸着部６０との間隔が所定の間隔になったら、半導体ウエハ１の上面３を上側加熱部５５で約４００℃に加熱すると、半導体ウエハ１を下方に湾曲した状態から上方に湾曲した状態になる。この状態では、半導体ウエハ１の下面２はリングヒータ４３で上記温度に加熱されたままである。

【0068】

そして、従来のように噴射吸引路６３が噴射吸着部６０の噴射吸着面６２における平面視略中心部だけに配設されていると、噴射吸着部６０で半導体ウエハ１の上面３に冷却用に常温の不活性ガス（窒素ガス）を噴射した場合、図４に二点鎖線で示すように、半導体ウエハ１が断面略Ｍ字状に湾曲することになる。すると、半導体ウエハ１に噴射吸着部６０を接近させて噴射吸着部６０に半導体ウエハ１を吸着させようとしても、吸着することができない。

【0069】

そこで、本実施形態では、噴射吸引路６３に供給された不活性ガス（窒素ガス）を上板６１の放射溝６４を経て上板６１の外周端まで案内し、さらに下板７０の多数の噴射吸着孔７４ａを通して半導体ウエハ１の上面３の外周部に噴射する。

【0070】

同時に、不活性ガスは、噴射吸引路６３から上板６１の案内通路６７の十字状溝６８の中央位置から下板７０の４つの噴射吸着孔７４ｂに流入し、これらの噴射吸着孔７４ｂから噴射されるとともに、十字状溝６８から同心状溝６９ａ，６９ｂ，６９ｃを通り、多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃから噴射される。このように下板７０の中央位置から４つの噴射吸着孔７４ｂから不活性ガスが噴射されるとともに、これら４つの噴射吸着孔７４ｂの周囲に配設された多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃから不活性ガスが噴射されることにより、半導体ウエハ１が断面略Ｍ字状に湾曲していた場合は勿論のこと、半導体ウエハ１があらゆる形状に反っていたとしても対応可能であり、半導体ウエハ１の反りを平坦化することができる。

【0071】

次いで、上記の所定時間経過した後は、冷却用の不活性ガス（窒素ガス）の供給を停止すると同時に、上下動機構９２を駆動して半導体ウエハ１と噴射吸着部６０の噴射吸着面６２とが密着するまで噴射吸着部６０を下降させる。そして、半導体ウエハ１に噴射吸着部６０の噴射吸着面６２が密着すると、噴射吸引路６３を吸引路としての役割に切り替え、真空吸引を開始し、図５に示すように下側を向いた噴射吸着面６２に半導体ウエハ１を吸着させる。

【0072】

なお、図４に二点鎖線で示すようにＭ字状に反っている場合には、そのままでは噴射吸着部６０に接触する面積が小さいため、吸着できない場合が多いが、本実施形態のように４つの噴射吸着孔７４ｂと、これらの周囲に多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃが配設されていることにより、半導体ウエハのあらゆる反り形状に対応可能となり、半導体ウエハを平坦化するための作業時間を短縮し、噴射吸着面に半導体ウエハを吸着させ易くすることが可能となる。

【0073】

その後、ロードスライダ４１とスライダ載置部４２をチャンバ５０の外部に退避させ、図６に示すように、固定状態のガス供給装置８０に対して噴射吸着部６０と半導体ウエハ回動装置９０を近づけるように移動させ、これらの構成により、上側加熱部５５で半導体ウエハ１を加熱し、半導体ウエハ回動装置９０で噴射吸着部６０を回転させながら、半導体ウエハ１の下面２にＳｉＨ_４，Ｏ_２，Ｎ_２を吹き付け、熱酸化処理による成膜加工を行う。

【0074】

半導体ウエハ１の下面２への成膜が終了すると、上下動機構９２を駆動させ、噴射吸着部６０及び半導体ウエハ回動装置９０を成膜時の位置より上方に移動させ、チャンバ５０の外部からアンロードスライダ４５を噴射吸着部６０の下方に移動させ、成膜が終わった半導体ウエハ１をアンロードスライダ４５のスライダ載置部４６に載せてチャンバ５０から外部に搬送する。

【0075】

その後、所定時間の冷却を行った後、搬送ロボット３１の搬送アーム３２によって半導体ウエハ１の上下方向を反転させつつ、ロードポート２０のウエハカセット５に収納する。その後、ウエハカセット５のシャッタ（図示省略）を閉じて、次の工程を行う装置に搬送する。

【0076】

以上のように、本実施形態の半導体製造装置１０によれば、噴射吸着部６０が上側加熱部５５の下側に設けられるとともに、複数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂを有し、これらの噴射吸着孔が中央部及びこの中央部の周囲に配設されていることにより、断面略Ｍ字状に湾曲した半導体ウエハ１は勿論のこと、半導体ウエハ１のあらゆる反り形状に対応可能となり、半導体ウエハ１の反りを平坦化するための作業時間を短縮し、噴射吸着面６２に半導体ウエハ１を吸着させ易くし、その結果、製品の歩留まりを向上させることができる。

【0077】

また、本実施形態の半導体製造装置１０によれば、噴射吸着部６０は、上側に配設された上板６１と、この上板６１の下側に配設された下板７０とを有し、下板７０に複数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂが形成され、上板６１と下板７０との間に、複数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂに不活性ガスを案内する案内通路６７が設けられていることにより、半導体ウエハ１のあらゆる反り形状に一段と対応可能となり、半導体ウエハ１の反りを一段と平坦化し易くなるとともに、半導体ウエハ１を高精度に平坦化することができる。

【0078】

また、本実施形態の半導体製造装置１０によれば、案内通路６７が不活性ガスを中央位置から周囲に案内するように放射状に複数形成された放射状溝としての十字状溝６８と、この十字状溝６８と連通するように同心状に複数形成された同心状溝６９ａ，６９ｂ，６９ｃとを有し、十字状溝６８及び複数の同心状溝６９ａ，６９ｂ，６９ｃに連通して噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂがそれぞれ設けられていることにより、半導体ウエハ１のあらゆる反り形状に一段と対応可能となり、半導体ウエハ１の反りを一段と平坦化し易くなるとともに、半導体ウエハ１を高精度に平坦化することができる。

【0079】

また、本実施形態の半導体製造装置１０によれば、噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂは、閉止部材７８が着脱自在に設けられ、この閉止部材７８が装着されることによって噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂが閉止可能に構成されているので、噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂを選択的に閉止することにより、半導体ウエハ１を極めて高精度に平坦化することができる。

【0080】

また、本実施形態の半導体製造装置１０によれば、噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂは、円筒パイプ７９が着脱自在に設けられ、この円筒パイプ７９が装着されることによって噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂの孔径を変更可能に構成されているので、噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂの孔径を選択的に変更することにより、半導体ウエハ１を極めて高精度に平坦化することができる。

【0081】

また、本実施形態の半導体製造装置１０によれば、半導体ウエハ１がＳｉＣであることから、半導体ウエハ１に反りがあっても、その反りを軽減させるための材料として好適である。
［第２実施形態］
図１９には、本発明の第２実施形態を示す。図１９は、本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置のチャンバ内の構造を示す概略縦断面図である。なお、前記第１実施形態と同一又は対応する部分には、同一の符号を付して説明を省略する。

【0082】

図１９に示すように、噴射吸引路６３には、配管１０５を介して噴射用バルブ１０２及び噴射装置１０１と、吸引用バルブ１０４及び吸引装置１０３が並列に接続されている。そして、本実施形態では、噴射装置１０１と吸引装置１０３を隣接するように配置することで、配管１０５の長さを可及的に短くしている。

【0083】

次に、本実施形態の作用を説明する。

【0084】

噴射装置１０１から噴射用バルブ１０２、配管１０５、及び噴射吸引路６３を経て噴射吸着部６０の噴射吸着面６２から不活性ガスを噴射して半導体ウエハ１の反りを補正した後、半導体ウエハ１を吸着位置に移動させる。そして、噴射用バルブ１０２を閉じると同時に吸引用バルブ１０４を開にする。

【0085】

すると、半導体ウエハ１は噴射吸着部６０の噴射吸着面６２に吸着される。このとき、不活性ガスの噴射動作の終了時に対して半導体ウエハ１の吸着動作が遅れると、半導体ウエハ１の反り戻りが発生して噴射吸着面６２に半導体ウエハ１を吸着することができない場合がある。

【0086】

そこで、本実施形態では、上記のように配管１０５の長さを可及的に短くし、具体的には約５メートルから数十センチ程度に変更することによって、不活性ガスの噴射動作の終了時と半導体ウエハ１の吸着動作との切り替えの応答性を高めるようにしている。これにより、半導体ウエハ１の反り戻りを未然に防止することができる。その他の構成及び作用は、前記第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
［他の実施形態］
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。

【0087】

例えば、上記各実施形態では、ＳｉＣからなる半導体ウエハ１を用いた例について説明したが、これに限定するものではなく、反りが問題となるものであればシリコン等の適宜の材質のものも適用することができる。また、ワークとしては半導体ウエハに限らず、その他の基板等に適用してもよい。また、上記実施形態では、半導体ウエハ成膜装置に対して本発明の技術を用いるようになっていたが、これに限るものではなく、成膜装置以外の半導体製造装置であっても適用可能である。

【0088】

また、上記各実施形態では、接近手段としての上下動機構９２によって半導体ウエハ１に噴射吸着面６２を接近させるように構成したが、これに限らずロードスライダ４１とスライダ載置部４２との間に上下動機構を設置し、上記とは逆に噴射吸着面６２に半導体ウエハ１を接近させるように構成してもよい。加えて、半導体ウエハ１に噴射吸着面６２を接近させると同時に、噴射吸着面６２に半導体ウエハ１を接近させるようにしてもよい。つまり、半導体ウエハ１及び噴射吸着面６２の少なくとも一方を相対的に接近させるように構成すればよい。

【0089】

さらに、前記第１実施形態では、多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂを閉止するために円柱状に形成された閉止部材７８を装着する例について説明したが、これに限らず、例えば多数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃ及び噴射吸着孔７４ｂの領域を選択してその領域に対応した形状、例えば扇形、円弧状、又は円環状等に形成した薄板を上板６１と下板７０との間に配置してその領域内の噴射吸着孔を閉止するようにしてもよい。

【0090】

そして、前記第１実施形態では、上板６１の下面に放射状溝としての十字状溝６８を形成した例について説明したが、これに限らず例えば図７に示す上板６１の放射溝６４のように８本の放射状溝に形成するようにしてもよく、要するに放射状に形成されていればよい。

【符号の説明】

【0091】

１ 半導体ウエハ
２ 下面
３ 上面
１０ 半導体製造装置
２０ ロードポート
３０ 搬送装置
３１ 搬送ロボット（搬送装置）
４１ ロードスライダ（搬送装置）
４２ スライダ載置部（載置部）
４３ リングヒータ
４５ アンロードスライダ（搬送装置）
４６ スライダ載置部
５０ チャンバ
５５ 上側加熱部（加熱部）
６０ 噴射吸着部（噴射吸着手段）
６１ 上板
６２ 噴射吸着面
６３ 噴射吸引路
６４ 放射溝
６５ 連結孔
６６ 固定孔
６７ 案内通路
６８ 十字状溝（放射状溝）
６９ａ，６９ｂ，６９ｃ 同心状溝
７０ 下板
７１ 収納凹部
７２ 連結穴
７３ａ，７３ｂ，７３ｃ 噴射吸着孔
７４ａ，７４ｂ 噴射吸着孔
７５ 案内通路
７６ 十字状溝（放射状溝）
７７ａ，７７ｂ，７７ｃ 同心状溝
７８ 閉止部材
７９ 円筒パイプ
８０ ガス供給装置（成膜手段，加工手段）
９０ 半導体ウエハ回動装置（成膜手段，加工手段）
９１ 回動機構
９２ 上下動機構（接近手段）
１０１ 噴射装置
１０２ 噴射用バルブ
１０３ 吸引装置
１０４ 吸引用バルブ
１０５ 配管
７３１ 大径孔
７３２ 小径孔
Ｇ 隙間

【要約】

【課題】半導体ウエハのあらゆる反り形状に対応可能であり、半導体ウエハの反りを平坦化するための作業時間を短縮し、噴射吸着面に半導体ウエハを吸着させ易くした半導体製造装置を提供する。
【解決手段】スライダ載置部４２に載置した半導体ウエハ１と噴射吸着面６２とを相対的に接近させる接近手段と、半導体ウエハ１の上面に不活性ガスを噴射する一方、接近手段により半導体ウエハ１と噴射吸着面６２とを相対的に接近させた噴射吸着面６２に半導体ウエハ１を吸着させる噴射吸着部６０と、半導体ウエハ１を上側から加熱する上側加熱部５５と、半導体ウエハ１を噴射吸着面６２に吸着させた状態で加工する加工手段と、を備え、噴射吸着部６０が複数の噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃを有し、これらの噴射吸着孔７３ａ，７３ｂ，７３ｃが中央部及び該中央部の周囲に配設されている。
【選択図】図２

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】