特許 7564024 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-30

(45)【発行日】2024-10-08

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/05 20060101AFI20241001BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20241001BHJP

   H01L 23/14 20060101ALI20241001BHJP

   C25D 11/00 20060101ALI20241001BHJP

   C25D 11/18 20060101ALI20241001BHJP

   C25D 11/24 20060101ALI20241001BHJP

【ＦＩ】

H05K1/05 A

H05K1/05 B

H01L23/12 J

H01L23/14 M

C25D11/00 308

C25D11/18 311

C25D11/18 312

C25D11/24 302

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2021040128

(22)【出願日】2021-03-12

(65)【公開番号】P2022139647

(43)【公開日】2022-09-26

【審査請求日】2023-07-10

(73)【特許権者】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100160691

【弁理士】

【氏名又は名称】田邊 淳也

(74)【代理人】

【識別番号】100144510

【弁理士】

【氏名又は名称】本多 真由

(72)【発明者】

【氏名】斎藤 祐樹

(72)【発明者】

【氏名】牛田 貴久

(72)【発明者】

【氏名】鬼頭 直樹

【審査官】鹿野 博司

(56)【参考文献】

【文献】韓国公開特許第２００８－００６７８５３（ＫＲ，Ａ）

【文献】特開２００８－１８７１４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２２８９０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２５９７４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０２３１８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１３５０１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２４３１９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２７８３０９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／０５

Ｈ０５Ｋ ３／００

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

Ｈ０１Ｌ ２３／１４

Ｃ２５Ｄ １１／００

Ｃ２５Ｄ １１／１８

Ｃ２５Ｄ １１／２４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線基板であって、
アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属材料から成る基材と、
前記基材表面上に形成された前記金属材料の陽極酸化被膜であり、上面に、導電性の配線部が形成された、酸化被膜層と、
を備え、
複数の前記酸化被膜層が、平面視で、互いに離間して形成され、隣り合う前記酸化被膜層の間は、前記基材表面が露出しており、
前記平面視で、前記酸化被膜層は、角が丸面取りされた正方形または長方形であることを特徴とする、
配線基板。

【請求項2】

請求項１に記載の配線基板であって、
前記複数の酸化被膜層が形成された前記基材表面において、前記複数の酸化被膜層の合算面積は、前記基材が露出している露出部の合算面積より大きいことを特徴とする、
配線基板。

【請求項3】

請求項１または２に記載の配線基板であって、
前記酸化被膜層は３つ以上形成され、縦横に配列されていることを特徴とする、
配線基板。

【請求項4】

請求項１から３のいずれかに記載の配線基板であって、
平面視で、前記酸化被膜層の外周は、全周に亘って前記基材表面が露出していることを特徴とする、
配線基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、ＬＥＤ（発光ダイオード：ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）やパワー半導体などの熱を多く発生する素子が搭載される配線基板としては、高放熱性の配線基板が用いられている。高放熱性の配線基板として、アルミニウム基板にアルマイト被膜を施して電子基板（以下、アルマイト基板とも呼ぶ）として扱う技術が提案されている。アルマイト基板は、絶縁性を備えつつ、アルミニウム基板の熱伝導率、および熱拡散率を維持することができるため、高放熱化を図ることができる。

【0003】

ところで、配線基板としては、電子部品が搭載される配線基板領域が複数形成された、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作される場合がある。多数個取り配線基板の場合、１枚の多数個取り配線基板をダイシングして、複数の個片を得る。アルマイト被膜はクラックを生じやすいため、アルマイト基板を多数個取りの形態で製作した場合、切削時の衝撃で、アルマイト被膜にクラックが生じやすい。この課題に対し、例えば、特許文献１では、アルマイト被膜を形成する前に、隣り合う配線基板領域（個片）の境界をパンチングによって形成し、隣り合う配線基板領域を繋ぐタイバーを形成する領域を小さくすることにより、ダイシングの際に生じるクラックの発生を抑制する技術が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特許第６００８２０４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１に記載された技術では、タイバーの表面がアルマイト被膜に被覆されているため、特許文献１に記載の技術によってもなお、ダイシング時に、クラックが発生する虞がある。

【0006】

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、アルミニウムを主成分とする金属材料から成る基材と、基材表面上に形成された酸化被膜層を有する配線基板において、酸化被膜層のクラックの発生を抑制する他の技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

【0008】

（１）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属材料から成る基材と、前記基材表面上に形成された前記金属材料の陽極酸化被膜であり、上面に、導電性の配線部が形成された、酸化被膜層と、を備え、複数の前記酸化被膜層が、平面視で、互いに離間して形成され、隣り合う前記酸化被膜層の間は、前記基材表面が露出している。

【0009】

この形態の配線基板は、いわゆる、多数個取りの配線基板であり、１つの酸化被膜層が形成された領域が１つの個片に相当する。この構成によれば、複数の酸化被膜層が離間して形成され、かつ隣り合う酸化被膜層の間は、基材表面が露出している。そのため、多数個取りの配線基板を個片に切り分ける際は、金属材料から成る基材を切断し、酸化被膜層を切断しないため、酸化被膜層におけるクラックの発生を抑制することができる。

【0010】

（２）上記形態の配線基板であって、前記複数の酸化被膜層が形成された前記基材表面において、前記複数の酸化被膜層の合算面積は、前記基材が露出している露出部の合算面積より大きくてもよい。このようにすると、個片の取り数を多くすることができる。

【0011】

（３）上記形態の配線基板であって、前記酸化被膜層は３つ以上形成され、縦横に配列されていてもよい。このようにすると、配線基板をダイシングして個片を得る際に、容易にダイシングすることができる。

【0012】

（４）上記形態の配線基板であって、平面視で、前記酸化被膜層の外周は、全周に亘って前記基材表面が露出していてもよい。酸化被膜層は、基板の角などのような出っ張った箇所に形成されると、加熱や衝撃によってクラックの起点になる可能性が高くなる。この形態によれば、配線基板の周縁部に酸化被膜層が形成されないため、酸化被膜層のクラックを、さらに抑制することができる。また、配線基板がダイシングされた個片の状態においても、基材の縁や角に酸化被膜層が形成されていない状態になるため、個片におけるクラックの発生も抑制することができる。

【0013】

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、配線基板を含む製品、配線基板の製造方法、配線基板を含む製品の製造方法などの形態で実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】第１実施形態の配線基板の平面構成を概略的に示す説明図である。

【図2】第１実施形態の配線基板の断面構成を概略的に示す説明図である。

【図3】第１実施形態の配線基板から切り出される個片の説明図である。

【図4】第２実施形態の配線基板の平面構成を概略的に示す説明図である。

【図5】第３実施形態の配線基板の構成を概略的に示す説明図である。

【図6】第４実施形態の配線基板の構成を概略的に示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態の配線基板１００の平面構成を概略的に示す説明図であり、図２は、配線基板１００の断面構成を概略的に示す説明図である。図２では、図１におけるＡ－Ａ断面を示している。配線基板１００は、平面形状が略長方形状の平板状の基材１０と、基材１０の表面上に形成された酸化被膜層２０と、第１酸化被膜層２１と、を有する。酸化被膜層２０の上には配線部３０が形成されている。一方、第１酸化被膜層２１の上には配線部３０が形成されておらず、第１酸化被膜層２１は、基材１０の表面を露出させる給電部２３を有する。本実施形態の配線基板１００は、電子部品が搭載される配線基板領域としての酸化被膜層２０が複数形成された、いわゆる多数個取り配線基板である。

【0016】

基材１０は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属材料から成る。基材１０はアルミニウムを主成分とする金属材料から成るため、熱伝導率および熱拡散率が高い。本実施形態において、主成分とは、質量％が最も高い成分である。

【0017】

基材１０は、図２に示すように、第１主面１１と、第１主面１１の裏面である第２主面１２と、第１主面１１と第２主面１２とを繋ぐ側面１３と、を備える平板状である。本実施形態では、基材１０の第１主面１１に、酸化被膜層２０および第１酸化被膜層２１が形成されており、第２主面１２と側面１３には、酸化被膜層２０および第１酸化被膜層２１が形成されていない。

【0018】

酸化被膜層２０および第１酸化被膜層２１は、アルミニウムを主成分とする金属材料から成る平板（以下、「元板」とも呼ぶ）に陽極酸化処理をして表面を変質させて形成された陽極酸化被膜（アルマイト）である。すなわち、本実施形態において、元板に陽極酸化処理をして形成された陽極酸化被膜部分が酸化被膜層２０および第１酸化被膜層２１であり、変質していない素地の部分が基材１０である。酸化被膜層２０および第１酸化被膜層２１は、絶縁性を有する。

【0019】

酸化被膜層２０は、図１に示すように、平面形状が角丸正方形状、換言すると、角が丸面取りされた正方形状である。酸化被膜層２０の上には、配線部３０が形成されており、酸化被膜層２０は、電子部品が搭載される領域（以下、製品領域とも呼ぶ）である。

【0020】

配線部３０は、主成分が互いに異なる３種の金属薄膜が積層されて構成されている。具体的には、チタン（Ｔｉ）を主成分とする金属薄膜と、白金（Ｐｔ）を主成分とする金属薄膜と、金（Ａｕ）を主成分とする金属薄膜と、が酸化被膜層２０側から順に積層されている。チタンは、酸化被膜層２０との密着性が良好であり、白金は金との密着性がチタンよりも良好であり、金は高導電性、抗腐食性でありボンディング性が良好である。そのため、この構成によれば、配線部３０の剥離が抑制され、高導電性、抗腐食性でありボンディング性が良好な配線層を実現することができる。なお、図２では、各薄膜を区別して図示していない。配線部３０は、蒸着、スパッタリング等の公知の方法により形成することができる。

【0021】

第１酸化被膜層２１は、図１に示すように、平面形状が長方形状である。第１酸化被膜層２１の上には配線部３０が形成されておらず、電子部品が搭載される領域ではない。第１酸化被膜層２１は、上述の通り、基材１０の第１主面１１が露出した給電部２３を有する。給電部２３は、上述の陽極酸化処理を行う際の通電用治具との接点であり、陽極酸化が行われた後も基材１０の表面が露出している。給電部２３は、平面形状が真円状（図１）の貫通孔（図２）である。給電部２３の平面形状は、真円でなくてもよく、略楕円状、略多角形状等、種々の形状であってもよい。給電部は、通電するための電極痕、通電痕、治具痕とも呼ばれる。配線基板１００では、２つの第１酸化被膜層２１が、基材１０の第１主面１１の端部に形成されている。

【0022】

図１に示すように、配線基板１００は、複数の（本実施形態では、１６個の）酸化被膜層２０を有し、１６個の酸化被膜層２０は、縦横に（詳しくは、４行４列に）配列されている。換言すると、１６個の酸化被膜層２０は、碁盤目状に形成されている。図１、２に示すように、複数の酸化被膜層２０は、平面視で互いに離間して形成され、隣り合う酸化被膜層２０の間は、基材１０の第１主面１１が露出している。すなわち、複数の酸化被膜層２０は、互いに繋がっていない。また、酸化被膜層２０と第１酸化被膜層２１とも、互いに離間して形成され、酸化被膜層２０と第１酸化被膜層２１との間は、基材１０の第１主面１１が露出している。基材１０の第１主面１１が露出している部分を、以下、「露出部１５」とも呼ぶ。図１において、露出部１５に斜線ハッチングを付して示している。

【0023】

図３は、配線基板１００から切り出される個片１１０の説明図である。図３（Ａ）は配線基板１００を個片１１０に分割する際の切断線Ｌを示し、図３（Ｂ）は個片１１０の一例を示す。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）における紙面左上の個片を図示している。配線基板１００が、切断線Ｌ（図３（Ａ））で分割されると、基材１０の表面上に１つの酸化被膜層２０が形成されている個片１１０（図３（Ｂ））が、１６個得られる。１６個の個片１１０のそれぞれにおける露出部１５の大きさおよび配置は、異なっていてもよい。

【0024】

図示するように、切断線Ｌは露出部１５に配置されている。換言すると、切断線Ｌ上に酸化被膜層２０が形成されていない。そのため、配線基板１００を個片１１０に切り分ける際は、基材１０である金属板を切断し、酸化被膜層２０を切断しない。したがって、ダイシング時に酸化被膜層２０が傷ついてクラックを生じることを抑制することができる。その結果、各個片１１０におけるクラックの発生を抑制することができる。

【0025】

また、図示するように、配線基板１００の周縁部に酸化被膜層２０が形成されていない。すなわち、加熱や衝撃によってクラックの起点になる可能性が高い基材１０の端部（縁、角）から離して酸化被膜層２０が形成されており、配線基板１００の周縁部は基材１０が露出している。そのため、酸化被膜層２０のクラックを、抑制することができる。また、各酸化被膜層２０の外周は、全周に亘って基材１０の第１主面１１が露出しており、配線基板１００がダイシングされた個片１１０の状態においても、基材１０の端部（縁、角）から離して酸化被膜層２０が形成された状態になるため（図３（Ｂ））、個片１１０におけるクラックの発生も抑制することができる。

【0026】

上述の通り、第１酸化被膜層２１は給電部２３を有するため、給電部２３を起点としてクラックが生じやすい。本実施形態において、上述の通り、酸化被膜層２０と第１酸化被膜層２１とは離間して設けられており、酸化被膜層２０と第１酸化被膜層２１との間は、基材１０の第１主面１１が露出しているため、第１酸化被膜層２１にクラックが生じ、進展したとしても、露出部１５でクラックの進展が食い止められ、酸化被膜層２０まではクラックが進展しない。そのため、配線部３０が形成されており、製品領域となる酸化被膜層２０におけるクラックを抑制することができる。

【0027】

配線基板１００において、複数の酸化被膜層２０の合算面積は、露出部１５の合算面積より大きい。そのため、１枚の配線基板１００から多くの個片を得ることができる。

【0028】

配線基板１００では、複数の酸化被膜層２０が互いに離間して形成されると共に、酸化被膜層２０と第１酸化被膜層２１とが離間して形成されている。このように、基材１０の表面に部分的に酸化被膜を形成する方法としては、例えば、元板の表面全面にアルマイトを形成した後に、不要部（基材１０の表面を露出させる部分）を、湿式の化学処理、レーザー加工等により除去する方法(第１の方法)を用いることができる。また、例えば、元板の表面の不要部（基材１０の表面を露出させる部分）に、フォトリソグラフィでマスキングを施した後にアルマイトを形成する方法(第２の方法）を用いることもできる。

【0029】

第１の方法にて酸化被膜層２０および第１酸化被膜層２１を形成した場合、基材１０の厚さは略一様であり、元板の厚さより薄い。一方、第２の方法にて酸化被膜層２０および第１酸化被膜層２１を形成した場合、基材１０の第１主面１１が露出している露出部１５（図１において斜線ハッチングを付して表示している部分）の基材１０の厚さは、元板の厚さと略同じであり、酸化被膜層２０および第１酸化被膜層２１が形成されている部分は、露出部１５より厚さが薄くなっている。すなわち、第２の方法にて酸化被膜層２０および第１酸化被膜層２１を形成した場合は、基材１０の厚みが部分的に異なっている。

【0030】

以上説明したように、本実施形態の配線基板１００によれば、複数の酸化被膜層２０は、平面視で互いに離間して形成され、隣り合う酸化被膜層２０の間は、基材１０の第１主面１１が露出している露出部１５になっている。そのため、配線基板１００を個片１１０に分割する際に露出部１５で切断することにより、酸化被膜層２０を切断しないため、酸化被膜層２０のクラックの発生を抑制することができる。すなわち、個片１１０におけるクラックの発生を抑制することができる。また、本実施形態の配線基板１００によれば、個片化する際に、酸化被膜層２０を切断しないため、個片化する際に酸化被膜を切断する場合と比較して、酸化被膜層２０の端面の荒れを抑制することができる。

【0031】

また、配線基板１００において、酸化被膜層２０は第１酸化被膜層２１と離間して形成され、酸化被膜層２０と第１酸化被膜層２１との間は、基材１０の第１主面１１が露出している露出部１５になっている。すなわち、給電部２３を起点としてクラックが生じやすい第１酸化被膜層２１と、酸化被膜層２０とが分断されているため、第１酸化被膜層２１にクラックが生じ、進展したとしても、露出部１５でクラックの進展が食い止められ、酸化被膜層２０まではクラックが進展しない。そのため、酸化被膜層２０のクラックの発生を抑制することができる。

【0032】

また、上述の通り、基材１０の端部（縁、角）に酸化被膜層２０が形成されると、クラックが発生しやすい。これは、基材１０の端部に形成された酸化被膜層２０は厚さが不均一になること、基材１０の端部は応力が集中しやすいことによる。これに対し、本実施形態の配線基板１００によれば、基材１０の第１主面１１の周縁部には酸化被膜層２０が形成されていないため（換言すると、酸化被膜層２０は、基材１０の縁から離して形成されているため）、酸化被膜層２０におけるクラックの発生を抑制することができる。

【0033】

さらに、酸化被膜層２０の平面形状は、角丸長方形状であり、応力が集中する角が形成されていないため、クラックの発生を抑制することができる。

【0034】

本実施形態の配線基板１００によれば、個片化する際の酸化被膜層２０のクラックの発生を抑制することができるため、各個片は、酸化被膜層２０により絶縁性を担保しつつ、熱伝導率が高いアルミニウムを主成分とする基材１０により高放熱性を得ることができる。そのため、個片を、例えば、発熱量が大きい高輝度ＬＥＤを高密度化して搭載する配線基板として用いることができる。その他、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、パワーデバイス、太陽電池等の半導体や液晶等に適用することもできる。

【0035】

＜第２実施形態＞
図４は、第２実施形態の配線基板１００Ａの平面構成を概略的に示す説明図である。本実施形態の配線基板１００Ａが、第１実施形態の配線基板１００と異なる点は、第１酸化被膜層２１Ａの平面形状および配置と、酸化被膜層２０の個数と、基材１０Ａの平面形状である。以下に説明する実施形態において、第１実施形態の配線基板１００と同一の構成には同一の符号を付し、先行する説明を参照する。

【0036】

本実施形態の第１酸化被膜層２１Ａは、図示するように、平面形状が、酸化被膜層２０と略同一の角丸正方形状である。配線基板１００Ａは、１４個の酸化被膜層２０と２個の第１酸化被膜層２１とを備える。本実施形態において、１４個の酸化被膜層２０と、２個の第１酸化被膜層２１とを合わせた１６個が、４行４列に配列されている。図４に示す例において、１つめの第１酸化被膜層２１は２行めの３列めに配置されており、２つめの第１酸化被膜層２１は、３行めの１列めに配置されている。基材１０Ａは、第１実施形態の基材１０より第１主面１１の面積が小さく、平面形状が略正方形状である。

【0037】

このようにしても、配線基板１００Ａを個片に分割する際の酸化被膜層２０のクラックの発生を抑制することができる。

【0038】

＜第３実施形態＞
図５は、第３実施形態の配線基板１００Ｂの構成を概略的に示す説明図である。図５（Ｂ）は基材１０の第１主面１１を示し、図５（Ｂ）に示す平面図の紙面左側の側面１３Ｌを図５（Ａ）、紙面右側の側面１３Ｒを図５（Ｃ）に、それぞれ示す。図５（Ａ）、（Ｃ）において、酸化被膜層２０および配線部３０の図示を省略している。本実施形態の配線基板１００Ｂが、第１実施形態の配線基板１００と異なる点は、第１酸化被膜層２１Ｂの平面形状および配置と、基材１０Ｂの平面形状である。

【0039】

第１酸化被膜層２１Ｂの平面形状は、図５（Ａ）、（Ｃ）に示すように、長方形状であり、第１酸化被膜層２１Ｂは、基材１０の側面１３に配置されている。基材１０Ｂは、第１実施形態の基材１０より第１主面１１の面積が小さく、平面形状が略正方形状である。

【0040】

このようにしても、配線基板１００Ｂを個片に分割する際の酸化被膜層２０のクラックの発生を抑制することができる。

【0041】

さらに、本実施形態の配線基板１００Ｂによれば、第１酸化被膜層２１Ｂが側面１３に形成されており、酸化被膜層２０が形成されている第１主面１１と異なる面に形成されているため、基材１０Ｂの面積を第１実施形態の基材１０より小さくすることができる。すなわち、無駄な領域を小さくすることができる。

【0042】

＜第４実施形態＞
図６は、第４実施形態の配線基板１００Ｃの構成を概略的に示す説明図である。図６には、配線基板１００Ｃを個片に分割する際の切断線Ｌも図示されている。本実施形態の配線基板１００Ｃが、第１実施形態の配線基板１００と異なる点は、酸化被膜層２０Ｃの平面形状および配置と、基材１０Ｃの平面形状である。

【0043】

本実施形態の酸化被膜層２０Ｃの平面形状は正方形状である。平面視で、４行４列に配列された１６個の酸化被膜層２０Ｃのうち、１行めに配置された４個の酸化被膜層２０Ｃは、基材１０Ｃの紙面上側の縁（辺）に沿って形成されている。換言すると、平面視で、１行めに配置された４個の酸化被膜層２０Ｃは、自身の上辺（紙面上側の辺）が、基材１０Ｃの上辺（紙面上側の辺）と一致している。同様に、平面視で、４行めに配置された４個の酸化被膜層２０Ｃは、自身の下辺（紙面下側の辺）が、基材１０Ｃの下辺（紙面下側の辺）と一致している。

【0044】

本実施形態の基材１０Ｃの平面形状は、第１実施形態の基材１０より短辺の長さが短い長方形状である。すなわち、基材１０Ｃの第１主面１１の面積は、第１実施形態の基材１０より小さい。

【0045】

配線基板１００Ｃを、切断線Ｌにより切断し、個片に分割すると、２種類の個片が得られる。１種は、平面視で、酸化被膜層２０Ｃの全周に亘って基材１０Ｃの第１主面１１が露出しているものであり、他の１種は、平面視で、酸化被膜層２０Ｃの外周の一部は基材１０Ｃの第１主面１１が露出しているものである。

【0046】

このようにしても、配線基板１００Ｃを個片に分割する際の酸化被膜層２０Ｃのクラックの発生を抑制することができる。

【0047】

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

【0048】

・酸化被膜層２０の数は、上記実施形態に限定されず、２個以上であればよい。

【0049】

・上記実施形態において、複数の酸化被膜層２０が、縦横に配列されている例を示したが、これに限定されず、複数の酸化被膜層２０が無秩序に配置されてもよい。

【0050】

・上記実施形態において、同一の平面形状の酸化被膜層２０が複数形成される例を示したが、複数の酸化被膜層の平面形状は、互いに異なっていてもよい。

【0051】

・上記実施形態において、複数の酸化被膜層２０の合算面積が、露出部１５の合算面積より大きい例を示したが、複数の酸化被膜層２０の合算面積が、露出部１５の合算面積以下であってもよい。

【0052】

・配線部３０の主成分、および構成は、上記実施形態に限定されない。例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｇ等の金属又はこれらの合金の単層又は積層構造で形成することができる。また、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）等の導電性材料を用いてもよい。

【0053】

・上記実施形態において、基材１０の第２主面１２には酸化被膜層２０が形成されていない例を示したが、第２主面１２にも酸化被膜層２０が形成されていてもよい。このようにすると、基材１０の第２主面１２側にも電子部品を搭載することができる。

【0054】

・上記実施形態において、第１酸化被膜層２１が１つの給電部２３を備える例を示したが、第１酸化被膜層２１が給電部２３を備えなくてもよいし、２つ以上の給電部２３を備えてもよい。

【0055】

・第１酸化被膜層２１の平面形状および配置は、上記実施形態に限定されない。酸化被膜層２０が基材１０の第１主面１１に形成され、第１酸化被膜層２１が第２主面１２に形成されてもよい。また、酸化被膜層２０が基材１０の第１主面１１に形成され、第１酸化被膜層２１が第２主面１２および側面１３に形成されてもよい。さらに、第１酸化被膜層２１が形成されていなくてもよい。

【0056】

・酸化被膜層２０の平面形状は、上記実施形態に限定されない。例えば、酸化被膜層２０の平面形状は、三角形、五角形、六角形等の多角形状であってもよいし、円形状、楕円形状等の多角形以外の形状であってもよい。多角形状の場合には、角が面取りされていてもされていなくてもよい。

【0057】

以上、実施形態、変形例に基づき本発明について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

【符号の説明】

【0058】

１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ…基材
１１…第１主面
１２…第２主面
１３、１３Ｌ、１３Ｒ…側面
１５…露出部
２０、２０Ｃ…酸化被膜層
２１、２１Ａ、２１Ｂ…第１酸化被膜層
２３…給電部
３０…配線部
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ…配線基板
１１０…個片
Ｌ…切断線

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】