特許 7564684 有機発光表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-01

(45)【発行日】2024-10-09

(54)【発明の名称】有機発光表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/122 20230101AFI20241002BHJP

   H10K 59/121 20230101ALI20241002BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241002BHJP

   G09F 9/302 20060101ALI20241002BHJP

   H10K 59/124 20230101ALI20241002BHJP

   H10K 59/35 20230101ALI20241002BHJP

【ＦＩ】

H10K59/122

H10K59/121

G09F9/30 365

G09F9/302 C

H10K59/124

H10K59/35

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2020180936

(22)【出願日】2020-10-28

(65)【公開番号】P2021072285

(43)【公開日】2021-05-06

【審査請求日】2023-09-25

(31)【優先権主張番号】10-2019-0135756

(32)【優先日】2019-10-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110002619

【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ

(72)【発明者】

【氏名】クウォン ウォンジュ

(72)【発明者】

【氏名】ソン ヒャンギ

(72)【発明者】

【氏名】ジョン ヒソン

(72)【発明者】

【氏名】ホン サンミン

【審査官】高田 亜希

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２９２６２２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０９０３７２７７（ＣＮ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１３／１２４９１６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００７６２７０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０２５２４７０（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｋ ５０／００－９９／００

Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｇ０９Ｆ ９／３０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

赤色画素、緑色画素及び青色画素を含む有機発光表示装置において、各画素は、
基板上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置された連結電極と、
前記第１絶縁層上において、前記連結電極を覆うように配置された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置され、画素電極、有機発光層を含む中間層、及び対向電極を含む有機発光ダイオードと、
前記画素電極のエッジを覆い、前記画素電極の中央部を露出させる開口部によって発光領域を定義する画素定義膜と、
前記画素電極が前記連結電極と接続されるように、前記第２絶縁層に設けられたビアホールと、を含み、
前記発光領域の終端と前記ビアホールの終端との間の最短距離である隔離距離は、前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素によって異なり、
前記第２絶縁層の上面は、互いに異なる方向に傾斜を有する第１傾斜部及び第２傾斜部を有し、
前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素のうち少なくとも一つは、前記発光領域が前記第１傾斜部及び前記第２傾斜部と重畳する、有機発光表示装置。

【請求項2】

前記赤色画素及び前記青色画素において、
前記隔離距離ｄ（Ｒ，Ｂ）は、０≦ｄ（Ｒ，Ｂ）≦１．２μｍまたはｄ（Ｒ，Ｂ）≧５μｍを満足する、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項3】

前記緑色画素において、
前記隔離距離ｄ（Ｇ）は、０≦ｄ（Ｇ）≦２．８μｍまたはｄ（Ｇ）≧５μｍを満足する、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項4】

前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素のうち少なくとも一つは、
前記発光領域内部に配置された第２絶縁層の上面が、前記基板の上面と平行に設けられた、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項5】

前記連結電極と同一層に配置され、前記緑色画素の発光領域と隣接するように配置された第１配線を含み、
前記緑色画素の発光領域の終端と前記第１配線の終端との間の最短距離である隔離距離は、１．２μｍ以上である、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項6】

前記連結電極と同一層に配置され、前記発光領域を挟んで配置された第１配線及び第２配線をさらに含み、
前記第１配線の終端が前記発光領域の終端と離隔された最短距離は、前記第２配線の終端が前記発光領域の終端と離隔された最短距離と同一である、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項7】

前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離は、１．２μｍ以下である、請求項６に記載の有機発光表示装置。

【請求項8】

前記連結電極と同一層に配置され、前記発光領域を挟んで配置された第１配線及び第２配線をさらに含み、前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離は、前記第２配線が前記発光領域と離隔された距離と異なり、
前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離、及び前記第２配線が前記発光領域と離隔された距離は、１．２μｍより長い、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項9】

前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素は、ペンタイルマトリックス構造に配置され、
前記緑色画素の発光領域は、前記赤色画素及び前記青色画素の発光領域に比べて狭い、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項10】

基板上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置された連結電極と、
前記第１絶縁層上において、前記連結電極を覆うように配置された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置され、画素電極、有機発光層を含む中間層、及び対向電極を含む有機発光ダイオードと、
前記画素電極のエッジを覆い、前記画素電極の中央部を露出させる開口部によって発光領域を定義する画素定義膜と、
前記画素電極が前記連結電極と接続されるように、前記第２絶縁層に設けられたビアホールと、を含み、
前記第２絶縁層の上面は、前記基板の上面に対して平行な平坦部、前記基板の上面に対し、第１傾斜角度を有する第１傾斜部、及び前記第１傾斜角度より大きい第２傾斜角度を有する第２傾斜部を含み、
前記第２傾斜部は、前記第１傾斜部より前記ビアホールに隣接するように配置され、
前記発光領域は、前記第１傾斜部及び前記第２傾斜部と重畳する、有機発光表示装置。

【請求項11】

前記第１傾斜部が前記発光領域と重畳された領域は、前記第２傾斜部が前記発光領域と重畳された領域より広い、請求項１０に記載の有機発光表示装置。

【請求項12】

前記連結電極と同一層に配置され、前記発光領域を挟んで配置された第１配線及び第２配線をさらに含み、前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離は、前記第２配線が前記発光領域と離隔された距離と同一である、請求項１０に記載の有機発光表示装置。

【請求項13】

前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離は、１．２μｍ以下である、請求項１２に記載の有機発光表示装置。

【請求項14】

前記第１絶縁層は、前記第１配線及び前記第２配線の形状によって湾曲するように設けられた、請求項１２に記載の有機発光表示装置。

【請求項15】

前記連結電極と同一層に配置され、前記発光領域を挟んで配置された第１配線及び第２配線をさらに含み、前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離は、前記第２配線が前記発光領域と離隔された距離と異なり、
前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離、及び前記第２配線が前記発光領域と離隔された距離は、１．２μｍより長い、請求項１０に記載の有機発光表示装置。

【請求項16】

前記有機発光表示装置は、赤色画素、緑色画素、青色画素を含み、
前記発光領域と前記ビアホールとの隔離距離は、前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素によって異なる、請求項１０に記載の有機発光表示装置。

【請求項17】

前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素は、ペンタイルマトリックス構造に配置され、
前記緑色画素の発光領域は、前記赤色画素及び前記青色画素の発光領域に比べて狭い、請求項１６に記載の有機発光表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、有機発光表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

有機発光表示装置は、２つの電極と、その間に位置する有機発光層とを含み、１つの電極であるカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と、他の電極であるアノード（ａｎｏｄｅ）から注入された正孔（ｈｏｌｅ）とが有機発光層で結合し、励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。

【0003】

該有機発光表示装置は、カソード、アノード及び有機発光層からなる有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を含む複数の画素を含み、各画素には、有機発光ダイオードを駆動するための複数のトランジスタ及びキャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）が形成されている。複数のトランジスタは、基本的にスイッチングトランジスタ及び駆動トランジスタを含む。そのような有機発光表示装置は、高速な応答速度を有すると共に、低い消費電力によって駆動される長所がある。

【0004】

高解像度になるほど、有機発光ダイオード、有機発光ダイオードを駆動する複数のトランジスタ、複数のキャパシタ、及びそれらに信号を伝達する配線が重畳配置されるように複数の絶縁層が使用されており、それにより、多様な問題が発生しうる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の実施形態は、画素間の特性差を最小化させながら、側面カラーシフト現象を減らし、優れた視認性を確保することができる有機発光表示装置を提供するものである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一実施形態は、赤色画素、緑色画素及び青色画素を含む有機発光表示装置において、各画素は、基板上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置された連結電極と、前記第１絶縁層上において、前記連結電極を覆うように配置された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に配置され、画素電極、有機発光層を含む中間層、及び対向電極を含む有機発光ダイオードと、前記画素電極のエッジを覆い、前記画素電極の中央部を露出させる開口部によって発光領域を定義する画素定義膜と、前記画素電極が前記連結電極と接続されるように、前記第２絶縁層に設けられたビアホールと、を含み、前記発光領域と前記ビアホールとの隔離距離は、前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素によって異なる有機発光表示装置を提供する。

【0007】

一実施形態において、前記赤色画素及び前記青色画素において、前記隔離距離ｄ（Ｒ，Ｂ）は、０≦ｄ（Ｒ，Ｂ）≦１．２μｍまたはｄ（Ｒ，Ｂ）≧５μｍを満足することができる。

【0008】

一実施形態において、前記緑色画素において、前記隔離距離ｄ（Ｇ）は、０≦ｄ（Ｇ）≦２．８μｍまたはｄ（Ｇ）≧５μｍを満足することができる。

【0009】

一実施形態において、前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素のうち少なくとも一つは、前記発光領域内部に配置された第２絶縁層の上面が、互いに異なる方向に傾斜を有する第１傾斜部及び第２傾斜部を有することができる。

【0010】

一実施形態において、前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素のうち少なくとも一つは、前記発光領域内部に配置された第２絶縁層の上面が、前記基板の上面と平行に設けられてもよい。

【0011】

一実施形態において、前記連結電極と同一層に配置され、前記緑色画素の発光領域と隣接するように配置された第１配線を含み、前記緑色画素の発光領域と前記第１配線との隔離距離は、１．２μｍ以上であってもよい。

【0012】

一実施形態において、前記連結電極と同一層に配置され、前記発光領域を挟んで配置された第１配線及び第２配線をさらに含み、前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離は、前記第２配線が前記発光領域と離隔された距離と同一であってもよい。

【0013】

一実施形態において、前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離は、１．２μｍ以下であってもよい。

【0014】

一実施形態において、前記連結電極と同一層に配置され、前記発光領域を挟んで配置された第１配線及び第２配線をさらに含み、前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離は、前記第２配線が前記発光領域と離隔された距離と異なり、前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離、及び前記第２配線が前記発光領域と離隔された距離は、１．２μｍよりも長くてもよい。

【0015】

一実施形態において、前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素は、ペンタイルマトリックス構造に配置され、前記緑色画素の発光領域は、前記赤色画素及び前記青色画素の発光領域に比べて狭くてもよい。

【0016】

本発明の他の実施形態は、基板上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置された連結電極と、前記第１絶縁層上において、前記連結電極を覆うように配置された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に配置され、画素電極、有機発光層を含む中間層、及び対向電極を含む有機発光ダイオードと、前記画素電極のエッジを覆い、前記画素電極の中央部を露出させる開口部によって発光領域を定義する画素定義膜と、前記画素電極が前記連結電極と接続されるように、前記第２絶縁層に設けられたビアホールと、を含み、前記第２絶縁層の上面は、前記基板の上面に対して平行な平坦部、前記基板の上面に対し、第１傾斜角度を有する第１傾斜部、及び前記第１傾斜角度より大きい第２傾斜角度を有する第２傾斜部を含み、前記第２傾斜部は、前記第１傾斜部より前記ビアホールに隣接するようにも配置される。

【0017】

一実施形態において、前記発光領域は、前記第１傾斜部及び前記第２傾斜部と重畳されるように配置されてもよい。

【0018】

一実施形態において、前記第１傾斜部が前記発光領域と重畳された領域は、前記第２傾斜部が前記発光領域と重畳された領域よりも広くてもよい。

【0019】

一実施形態において、前記発光領域は、前記平坦部と重畳されるように配置され、前記第２傾斜部とは重畳されなくてもよい。

【0020】

一実施形態において、前記連結電極と同一層に配置され、前記発光領域を挟んで配置された第１配線及び第２配線をさらに含み、前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離は、前記第２配線が前記発光領域と離隔された距離と同一であってもよい。

【0021】

一実施形態において、前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離は、１．２μｍ以下であってもよい。

【0022】

一実施形態において、前記第１絶縁層は、前記第１配線及び前記第２配線の形状によって湾曲するように形成されてもよい。

【0023】

一実施形態において、前記連結電極と同一層に配置され、前記発光領域を挟んで配置された第１配線及び第２配線をさらに含み、前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離は、前記第２配線が前記発光領域と離隔された距離と異なり、前記第１配線が前記発光領域と離隔された距離、及び前記第２配線が前記発光領域と離隔された距離は、１．２μｍより長くてもよい。

【0024】

一実施形態において、前記有機発光表示装置は、赤色画素、緑色画素、青色画素を含み、前記発光領域と前記ビアホールとの隔離距離は、前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素によって異なってもよい。

【0025】

一実施形態において、前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素は、ペンタイルマトリックス構造に配置され、前記緑色画素の発光領域は、前記赤色画素及び前記青色画素の発光領域に比べて狭くてもよい。

【発明の効果】

【0026】

本発明の多様な実施形態によれば、画素間の均一な特性を維持しながら、有機発光表示装置の側面カラーシフト現象が最小化され、上下左右のＷＡＤ（Ｗｈｉｔｅ Ａｎｇｌｅ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ）の均一性を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した平面図である。

【図2A】本発明の一実施形態による表示装置のいずれか一つの画素の等価回路図である。

【図2B】本発明の一実施形態による表示装置のいずれか一つの画素の等価回路図である。

【図3】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の複数画素の発光領域を示した概略的な配置図である。

【図4A】本発明の一実施形態による１つの画素の発光領域、画素電極、及び画素電極の一側に配置されたビアホールの関係を示した概略的な配置図である。

【図4B】図４ＡのＩ－Ｉ’線による概略的な断面図である。

【図5A】本発明の他の実施形態による１つの画素の発光領域、画素電極、及び画素電極の一側に配置されたビアホールの関係を示した概略的な配置図である。

【図5B】図５ＡのＩＩ－ＩＩ’線による概略的な断面図である。

【図6A】本発明のさらに他の実施形態による１つの画素の発光領域、画素電極、及び画素電極の下部に配置された配線の関係を示した概略的な配置図である。

【図6B】図６ＡのＩＩＩ－ＩＩＩ’線による概略的な断面図である。

【図7A】本発明のさらに他の実施形態による１つの画素の発光領域、画素電極、及び画素電極の下部に配置された配線の関係を示した概略的な配置図である。

【図7B】図７ＡのＩＶ－ＩＶ’線による概略的な断面図である。

【図8】本発明の実施形態によって設計された複数画素の発光領域、画素電極、及び画素電極の下部に配置された配線の関係を示した概略的な配置図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態によっても具現される。

【0029】

以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用される。

【0030】

以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。

【0031】

以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。

【0032】

以下の実施形態において、膜、領域、構成要素のような部分が、他の部分の上または上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。

【0033】

図面においては、説明の便宜のために、構成要素がその大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。

【0034】

以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが連結されているとするとき、膜、領域、構成要素が直接連結された場合だけではなく、膜、領域、構成要素の中間に、他の膜、領域、構成要素が介在されて間接的に連結された場合も含む。

【0035】

以下の実施形態において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の三軸に限定されるものではなく、それらを含む広い意味にも解釈される。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交する場合もあるが、互いに直交せずに、互いに異なる方向を指す場合もある。

【0036】

図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した平面図である。
図１を参照すれば、有機発光表示装置は、表示領域ＤＡ、及び非表示領域である周辺領域ＰＡを含む。表示領域ＤＡには、ディスプレイ素子を具備した画素ＰＸが配置され、所定イメージを提供する。

【0037】

各画素ＰＸは、例えば、赤色、緑色、青色または白色の光を放出し、一例として、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を含んでもよい。また、各画素ＰＸは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、キャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）のような素子がさらに含まれてもよい。

【0038】

本明細書における画素ＰＸとは、前述のように、赤色、緑色、青色または白色のうちいずれか１つの色相の光を放出する副画素を示す。

【0039】

周辺領域ＰＡは、イメージを提供しない領域であり、表示領域ＤＡの画素ＰＸに印加する電気的信号を提供するスキャン駆動部やデータ駆動部、また駆動電圧や共通電圧のような電源を提供する電源線を含む。

【0040】

図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の一実施形態による表示装置のいずれか１つの画素の等価回路図である。

【0041】

図２Ａを参照すれば、各画素ＰＸは、スキャン線ＳＬ及びデータ線ＤＬに連結された画素回路ＰＣ、並びに画素回路ＰＣに連結された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。

【0042】

画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャン線ＳＬ及びデータ線ＤＬに連結され、スキャン線ＳＬを介して入力されるスキャン信号Ｓｎにより、データ線ＤＬを介して入力されたデータ信号Ｄｍを駆動薄膜トランジスタＴ１に伝達する。

【0043】

ストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及び駆動電圧線ＰＬに連結され、スイッチング薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と、駆動電圧線ＰＬに供給される第１電源電圧（または、駆動電圧）ＥＬＶＤＤとの差に相当する電圧を保存する。

【0044】

駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動電圧線ＰＬとストレージキャパシタＣｓｔとに連結され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応し、駆動電圧線ＰＬから有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御することができる。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動電流により、所定輝度を有する光を放出することができる。

【0045】

図２Ａにおいては、画素回路ＰＣが、２個の薄膜トランジスタ、及び１個のストレージキャパシタを含む場合について説明したが、本発明は、それに限定されるものではない。

【0046】

図２Ｂを参照すれば、画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタＴ１及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、動作制御薄膜トランジスタＴ５、発光制御薄膜トランジスタＴ６及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７を含んでもよい。

【0047】

図２Ｂとしては、画素ＰＸごとに、信号線ＳＬｎ，ＳＬｎ－１，ＥＬ，ＤＬ、初期化電圧線ＶＬ及び駆動電圧線ＰＬが具備された場合を図示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。他の実施形態として、信号線ＳＬｎ，ＳＬｎ－１，ＥＬ，ＤＬのうち少なくともいずれか１本、または／及び初期化電圧線ＶＬは、隣接する画素においても共有される。

【0048】

駆動薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極は、発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由し、有機発光ダイオードＯＬＥＤとも電気的に連結される。駆動薄膜トランジスタＴ１は、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチング動作により、データ信号Ｄｍを伝達され、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流を供給する。

【0049】

スイッチング薄膜トランジスタＴ２のゲート電極は、スキャン線ＳＬと連結され、ソース電極は、データ線ＤＬと連結される。スイッチング薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のソース電極と連結されているが、動作制御薄膜トランジスタＴ５を経由し、駆動電圧線ＰＬとも連結される。

【0050】

スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャン線ＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、データ線ＤＬに伝達されたデータ信号Ｄｍを、駆動薄膜トランジスタＴ１のソース電極に伝達するスイッチング動作を遂行する。

【0051】

補償薄膜トランジスタＴ３のゲート電極は、スキャン線ＳＬｎにも連結される。補償薄膜トランジスタＴ３のソース電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極と連結されているが、発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由し、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極とも連結される。補償薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極は、ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極、第１初期化薄膜トランジスタＴ４のソース電極、及び駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極と共にも連結される。補償薄膜トランジスタＴ３は、スキャン線ＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極とドレイン電極とを互いに連結し、駆動薄膜トランジスタＴ１をダイオード連結（ｄｉｏｄｅ－ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）させる。

【0052】

第１初期化薄膜トランジスタＴ４のゲート電極は、以前スキャン線ＳＬｎ－１とも連結されることができる。第１初期化薄膜トランジスタＴ４のドレイン電極は、初期化電圧線ＶＬとも連結される。第１初期化薄膜トランジスタＴ４のソース電極は、ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極、補償薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極、及び駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極とも共に連結される。第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、前のスキャン線ＳＬｎ－１を介して伝達された前のスキャン信号Ｓｎ－１によってターンオンされ、初期化電圧ＶＩＮＴを駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極に伝達し、駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極の電圧を初期化させる初期化動作を遂行することができる。

【0053】

動作制御薄膜トランジスタＴ５のゲート電極は、発光制御線ＥＬとも連結される。動作制御薄膜トランジスタＴ５のソース電極は、駆動電圧線ＰＬとも連結される。動作制御薄膜トランジスタＴ５のドレイン電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のソース電極、及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極と連結されている。

【0054】

発光制御薄膜トランジスタＴ６のゲート電極は、発光制御線ＥＬとも連結される。発光制御薄膜トランジスタＴ６のソース電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極、及び補償薄膜トランジスタＴ３のソース電極とも連結される。発光制御薄膜トランジスタＴ６のドレイン電極は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極とも電気的に連結される。動作制御薄膜トランジスタＴ５及び発光制御薄膜トランジスタＴ６は、発光制御線ＥＬを介して伝達された発光制御信号Ｅｎによって同時にターンオンされ、第１電源電圧ＥＬＶＤＤが有機発光ダイオードＯＬＥＤに伝達され、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流が流れることになる。

【0055】

第２初期化薄膜トランジスタＴ７のゲート電極は、前のスキャン線ＳＬｎ－１にも連結される。第２初期化薄膜トランジスタＴ７のソース電極は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極とも連結される。第２初期化薄膜トランジスタＴ７のドレイン電極は、初期化電圧線ＶＬとも連結される。第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、前のスキャン線ＳＬｎ－１を介して伝達された前のスキャン信号Ｓｎ－１によってターンオンされ、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極を初期化させることができる。

【0056】

図２Ｂにおいては、第１初期化薄膜トランジスタＴ４と第２初期化薄膜トランジスタＴ７とが前のスキャン線ＳＬｎ－１に連結された場合を図示したが、本発明は、それに限定されるものではない。他の実施形態として、第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、前のスキャン線ＳＬｎ－１に連結され、前のスキャン信号Ｓｎ－１によって駆動し、第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、別途の信号線（例えば、後のスキャン線）に連結され、当該スキャン線に伝達される信号によっても駆動される。

【0057】

ストレージキャパシタＣｓｔの他の１つの電極は、駆動電圧線ＰＬとも連結される。ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極、補償薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極、及び第１初期化薄膜トランジスタＴ４のソース電極にも共に連結される。

【0058】

有機発光ダイオードＯＬＥＤの対向電極（例えば、カソード）は、第２電源電圧（または、共通電源電圧）ＥＬＶＳＳを提供される。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＴ１から駆動電流を伝達されて発光する。

【0059】

画素回路ＰＣは、図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明した薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタの個数及び回路デザインに限定されるものではなく、その個数及び回路デザインは、多様に変更可能である。

【0060】

図３は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の複数画素Ｒ，Ｇ，Ｂの発光領域を示した概略的な配置図である。このとき、画素の発光領域は、画素定義膜の開口部によっても定義されるが、それについては、後述する。

【0061】

図３に図示されているように、第１行１Ｎには、複数の緑色画素Ｇが所定間隔離隔されて配置されており、隣接した第２行２Ｎには、複数の赤色画素Ｒと、複数の青色画素Ｂとが相互に配置されており、隣接した第３行３Ｎには、複数の緑色画素Ｇが所定間隔離隔されて配置されており、隣接した第４行４Ｎには、青色画素Ｂと赤色画素Ｒとが相互に配置されており、そのような画素の配置が第Ｎ行まで反復されている。このとき、青色画素Ｂ及び赤色画素Ｒは、緑色画素Ｇより大きく形成されている。

【0062】

このとき、第１行１Ｎに配置された複数の緑色画素Ｇと、第２行２Ｎに配置された複数の赤色画素Ｒ及び青色画素Ｇは、互い違いに配置されている。従って、第１列１Ｍには、赤色画素Ｒ及び青色画素Ｂが相互に配置されており、隣接した第２列２Ｍには、複数の緑色画素Ｇが所定間隔離隔されて配置されており、隣接した第３列３Ｍには、青色画素Ｂ及び赤色画素Ｒが相互に配置されており、隣接した第４列４Ｍには、複数の緑色画素Ｇが所定間隔離隔されて配置されており、そのような画素の配置が第Ｍ列まで反復されている。

【0063】

そのような画素配置構造を異なって表現すれば、緑色画素Ｇの中心点を四角形の中心点にする仮想の四角形ＶＳの頂点中、互いに対向する第１頂点、第３頂点には、赤色画素Ｒが配置され、残り頂点である第２頂点、第４頂点には、青色画素Ｂが配置されていると表現することができる。このとき、仮想の四角形ＶＳは、長方形、菱形、正方形のように、多様にも変形される。

【0064】

本発明の画素配置構造は、それに限定されるものではない。例えば、図３において、仮想四角形ＶＳの中心点に、緑色画素Ｇの代わりに、青色画素Ｂが配置され、仮想の四角形ＶＳの頂点中、互いに対向する第１頂点、第３頂点には、赤色画素Ｒが配置され、残り頂点である第２頂点、第４頂点には、緑色画素Ｇが配置されてもよい。

【0065】

そのような画素配置構造を、ペンタイルマトリックス（ｐｅｎｔｉｌｅ ｍａｔｒｉｘ）と言い、隣接した画素を共有して色相を表現するレンダリング（ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ）駆動を適用することにより、少数の画素で高解像度を具現することができる。

【0066】

一方、本発明の画素配置構造は、前記ペンタイルマトリックス構造に限定されるものではない。例えば、本発明は、ストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）配列、モザイク（ｍｏｓａｉｃ）配列、デルタ（ｄｅｌｔａ）配列を有する画素配置構造にも適用される。また、本発明は、白色光を出すホワイト画素をさらに含む画素配置構造にも適用される。

【0067】

図４Ａは、本発明の一実施形態による、１つの画素の発光領域、画素電極、及び画素電極の一側に配置されたビアホールの関係を示した概略的な配置図である。図４Ｂは、図４ＡのＩ－Ｉ’線による概略的な断面図である。

【0068】

図４Ａ及び図４Ｂを参照すれば、画素ＰＸに含まれた画素電極２１０は、光を放出する発光領域ＥＡ、及びビアホールＶＨと重畳された領域を含む。前記発光領域ＥＡは、画素電極２２１の中央部を露出させる画素定義膜１１９の開口部ＯＰによっても定義される。ビアホールＶＨは、画素電極２１０と連結電極ＣＭとが接続するために、第２絶縁層１１８に設けられたものであり、ビアホールＶＨ内部に、画素電極２１０が挿入されることにより、画素電極２１０と連結電極ＣＭとが接続されうる。

【0069】

その場合、本実施形態の画素ＰＸにおいて、開口部ＯＰとビアホールＶＨとの隔離距離ｄは、所定範囲を満足するようにも設計される。前記隔離距離ｄは、開口部ＯＰの終端と、ビアホールＶＨの終端との最短距離ｄであってもよい。または、前記隔離距離ｄは、第２方向に沿い、開口部ＯＰの終端と、ビアホールＶＨの終端が離隔された距離であってもよい。

【0070】

一実施形態において、前記隔離距離ｄは、０≦ｄ≦ｄ１を満足することができる。このとき、ｄ１は、赤色画素、緑色画素及び青色画素ごとに異なる値を有することができる。赤色画素及び青色画素の場合、ｄ１（Ｒ，Ｂ）＝１．２μｍであってもよい。緑色画素の場合、ｄ１（Ｇ）＝２．８μｍであってもよい。そのような数値は、上下（第２方向）による視野角を均一にさせるために導入したものでもある。

【0071】

以下、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の積層構造について説明する。
基板１１０は、ガラス材、金属材またはプラスチック材のような多様な材料によって形成されたものでもある。一実施形態によれば、基板１１０は、フレキシブル基板でもあるが、例えば、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）またはセルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）のような高分子樹脂を含んでもよい。

【0072】

バッファ層１１１は、基板１１０上に位置し、基板１１０の下部から、異物、湿気または外気の浸透を減らしたり遮断したりすることができ、基板１１０上に平坦面を提供することができる。バッファ層１１１は、酸化物または窒化物のような無機物、または有機物、または有機無機複合物を含んでもよく、無機物と有機物との単層構造または多層構造を有してもよい。基板１１０とバッファ層１１１との間には、外気の浸透を遮断するバリア層（図示せず）がさらに含まれてもよい。

【0073】

第１薄膜トランジスタＴＦＴ１は、半導体層Ａ１、ゲート電極Ｇ１、ソース電極Ｓ１、ドレイン電極Ｄ１を含み、第２薄膜トランジスタＴＦＴ２は、半導体層Ａ２、ゲート電極Ｇ２、ソース電極Ｓ２、ドレイン電極Ｄ２を含む。第１薄膜トランジスタＴＦＴ１は、有機発光ダイオードＯＬＥＤとも連結される。第２薄膜トランジスタＴＦＴ２は、スイッチング薄膜トランジスタとして機能することができる。図面においては、薄膜トランジスタとして二つを図示しているが、それに限定されるものではない。薄膜トランジスタの個数は、２～７個のように多様にも変形される。

【0074】

半導体層Ａ１，Ａ２は、非晶質シリコンを含むか、あるいは多結晶シリコンを含んでもよい。他の実施形態として、半導体層Ａ１，Ａ２は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カドミウム（Ｃｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む群のうちから選択された少なくとも１以上の物質の酸化物を含んでもよい。半導体層Ａ１，Ａ２は、チャネル領域、並びに不純物がドーピングされた、ソース領域及びドレイン領域を含んでもよい。

【0075】

半導体層Ａ１，Ａ２上には、第１ゲート絶縁層１１２を挟み、ゲート電極Ｇ１，Ｇ２が配置される。ゲート電極Ｇ１，Ｇ２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、単層または多層で構成することができる。一例として、ゲート電極Ｇ１，Ｇ２は、Ｍｏの単層であってもよい。

【0076】

第１ゲート絶縁層１１２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ_２）などを含んでもよい。

【0077】

ゲート電極Ｇ１，Ｇ２を覆うように、第２ゲート絶縁層１１３が具備されてもよい。第２ゲート絶縁層１１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ_２）などを含んでもよい。

【0078】

ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極ＣＥ１は、第１薄膜トランジスタＴＦＴ１と重畳することができる。例えば、第１薄膜トランジスタＴＦＴ１のゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極ＣＥ１における機能を遂行することができる。

【0079】

ストレージキャパシタＣｓｔの第２電極ＣＥ２は、第２ゲート絶縁層１１３を挟み、第１電極ＣＥ１と重畳する。その場合、第２ゲート絶縁層１１３は、ストレージキャパシタＣｓｔの誘電体層として機能することができる。第２電極ＣＥ２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含んでもよく、前記の材料を含む多層または単層によって形成されてもよい。一例として、第２電極ＣＥ２は、Ｍｏの単層であってもよく、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの多層であってもよい。

【0080】

第２電極ＣＥ２を覆うように、層間絶縁層１１５が配置されてもよい。層間絶縁層１１５は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ_２）などを含んでもよい。

【0081】

ソース電極Ｓ１，Ｓ２及びドレイン電極Ｄ１，Ｄ２は、層間絶縁層１１５上に配置される。ソース電極Ｓ１，Ｓ２及びドレイン電極Ｄ１，Ｄ２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含んでもよく、前記の材料を含む多層または単層で形成されてもよい。一例として、ソース電極Ｓ１，Ｓ２とドレイン電極Ｄ１，Ｄ２は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層構造で構成されてもよい。

【0082】

ソース電極Ｓ１，Ｓ２とドレイン電極Ｄ１，Ｄ２との上には、第１絶縁層１１７が位置し、第１絶縁層１１７上には、電極または配線に活用されうる導電層ＣＬと連結電極ＣＭとが配置されてもよい。

【0083】

第１絶縁層１１７上部には、前記導電層ＣＬ及び連結電極ＣＭを覆うように、第２絶縁層１１８が配置されうる。そのように、第１絶縁層１１７及び第２絶縁層１１８を具備することにより、薄膜トランジスタと多様な配線が重畳されるようにも配置されるが、高集積化が可能である。

【0084】

なお、第１絶縁層１１７下部には、多様な部材が配置されうるが、第１絶縁層１１７の上面は、前記部材によって湾曲面が形成されうる。本実施形態においては、第２絶縁層１１８が追加に具備されることにより、前記湾曲面が発光領域に及ぼす影響を最小化させることができる。

【0085】

第１絶縁層１１７及び第２絶縁層１１８は、有機物質からなる膜が、単層または多層で形成されてもよい。そのような、第１絶縁層１１７は、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリイミド、ＨＭＤＳＯ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリスチレン（ＰＳ）のような一般汎用高分子、フェノール系基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ－キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらの混合物などを含んでもよい。

【0086】

第１絶縁層１１７上に配置された導電層ＣＬは、駆動電圧を伝達する駆動電圧線、またはデータ信号を伝達するデータ線として機能することができる。導電層ＣＬは、第１絶縁層１１７に設けられたコンタクトホール（図示せず）を介し、他層に配置された部材とも連結される。また、第１絶縁層１１７上に配置された連結電極ＣＭを介し、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極２１０と第１薄膜トランジスタＴＦＴ１とが連結されうる。導電層ＣＬ及び連結電極ＣＭは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、多層または単層で形成されてもよい。

【0087】

第２絶縁層１１８上には、有機発光ダイオードＯＬＥＤが配置される。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素電極２１０、有機発光層を含む中間層２２０、及び対向電極２３０を含む。

【0088】

画素電極２１０は、透光性電極または反射電極であってもよい。一部実施形態において、画素電極２１０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの化合物などによって形成された反射漠と、該反射漠上に形成された透明または半透明の電極層とを具備することができる。透明または半透明の電極層は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ－ｚｉｎｃ－ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＧＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）及びＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）を含む群れのうちから選択された少なくとも１以上を具備することができる。

【0089】

第２絶縁層１１８上には、画素定義膜１１９が配置されうる。画素定義膜１１９は、各副画素に対応する開口部ＯＰ、すなわち、少なくとも画素電極２１０の中央部を露出させる開口部ＯＰを有することにより、画素の発光領域を定義する役割を行うことができる。また、画素定義膜１１９は、画素電極２１０のエッジと、画素電極２１０上部の対向電極２３０との距離を延長させることにより、画素電極２１０のエッジにおいて、アークなどが発生することを防止する役割を行うことができる。画素定義膜１１９は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群のうちから選択される１以上の有機絶縁物質であり、スピンコーティングなどの方法によっても形成される。

【0090】

有機発光ダイオードＯＬＥＤの中間層２２０は、有機発光層を含んでもよい。該有機発光層は、赤色、緑色、青色または白色の光を放出する蛍光物質またはリン光物質を含む有機物を含んでもよい。該有機発光層は、低分子有機物または高分子有機物でもあり、該有機発光層の上下には、ホール輸送層（ＨＴＬ）、ホール注入層（ＨＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）のような機能層が選択的にさらに配置されうる。中間層２２０は、複数の画素電極２１０それぞれに対応しても配置される。しかし、それに限定されるものではない。中間層２２０は、複数の画素電極２１０にわたって一体である層を含んでもよく、多様な変形が可能である。

【0091】

対向電極２３０は、透光性電極または反射電極であってもよい。一部実施形態において、対向電極２３０は、透明または半透明の電極であってもよく、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びそれらの化合物を含む仕事関数が小さい金属薄膜によって形成されてもよい。また、金属薄膜の上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３のようなＴＣＯ（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ）膜がさらに配置されうる。対向電極２３０は、複数の有機発光ダイオードＯＬＥＤにおいて一体に形成され、複数の画素電極２１０に対応してもよい。

【0092】

画素電極２１０は、第２絶縁層１１８に設けられたビアホールＶＨを介し、前記連結電極ＣＭと接続されてもよい。前記ビアホールＶＨは、第２絶縁層１１８を形成する物質を塗布した後、マスク工程を利用し、露光、現像及び硬化を施す過程を経て形成されてもよい。このとき、第２絶縁層１１８は、ビアホールＶＨを中心に傾斜が形成されうる。すなわち、一部領域において、第２絶縁層１１８の上面は、基板１１０の上面と平行ではない。

【0093】

例えば、図４Ｂに図示されているように、ビアホールＶＨ周辺において、第２絶縁層１１８は、最も厚い第１厚ｈ１を有し、ビアホールＶＨから遠く離れた領域において、第２絶縁層１１８は、第１厚ｈ１より薄い第２厚ｈ２を有することができる。一方、第２絶縁層１１８の上面は、ビアホールＶＨと隣接した領域であるほど、傾斜が急に形成され、ビアホールＶＨと遠く離れた領域であるほど、傾斜が緩慢であるか、あるいは基板１１０の上面と平行に形成されてもよい。

【0094】

第２絶縁層１１８の上面は、前記基板１１０の上面と平行に具備された平坦部ＦＰ、緩慢な第１傾斜角度θ１を有する第１傾斜部ＳＰ１、急峻な第２傾斜角度θ２を有する第２傾斜部ＳＰ２を含んでもよい。前記第１傾斜部ＳＰ１は、前記第２傾斜部ＳＰ２と反対方向の傾斜を有し、前記第１傾斜角度θ１は、前記第２傾斜角度θ２よりも小さく設けられる。前記第１傾斜部ＳＰ１と前記第２傾斜部ＳＰ２は、前記第２絶縁層１１８が最も厚い第１厚ｈ１を有した地点を境界に形成されてもよい。

【0095】

本実施形態において、ｄ１の値は、発光領域ＥＡに、第１傾斜部ＳＰ１及び第２傾斜部ＳＰ２がいずれも配置されうるように設定された値であってもよい。すなわち、発光領域ＥＡは、第１傾斜部ＳＰ１及び第２傾斜部ＳＰ２と重畳されるように配置されてもよい。

【0096】

もし発光領域ＥＡに第１傾斜部ＳＰ１だけ配置されるならば、第１傾斜部ＳＰ１に配置された発光領域ＥＡにおける光は、第１光路ＬＰ１に沿って進むことになり、一方向への光が集中される。それにより、方向による輝度が不均一に示される場合もある。

【0097】

本実施形態においては、第１傾斜部ＳＰ１と、反対方向の傾斜を有する第２傾斜部ＳＰ２とが発光領域ＥＡに配置されるようにし、光が第１光路ＬＰ１と異なる方向である第２光路ＬＰ２にも進むことにより、輝度の不均一を補償することができる。

【0098】

第１傾斜部ＳＰ１は、第２傾斜部ＳＰ２より緩慢な傾斜を有するので、方向に沿って均一な輝度を有させるために、発光領域ＥＡが第１傾斜部ＳＰ１と重畳される領域は、発光領域ＥＡが第２傾斜部ＳＰ２と重畳される領域より広く設けられるように配置されてもよい。すなわち、第１傾斜部ＳＰ１が発光領域ＥＡで占める領域が、第２傾斜部ＳＰ２よりも広く設けられてもよい。

【0099】

一方、画素ごとに、発光領域ＥＡの大きさが異なりうるが、第１傾斜部ＳＰ１と第２傾斜部ＳＰ２とが発光領域ＥＡ内部で占める大きさが異なってもよい。それにより、開口部ＯＰとビアホールＶＨとの隔離距離ｄは、画素によって異なるように設けられてもよい。

【0100】

一実施形態において、赤色画素及び青色画素の発光領域ＥＡは、緑色画素の発光領域ＥＡに比べ、大きく設けられてもよい。その場合、該赤色画素及び該青色画素において、前記隔離距離ｄ（Ｒ，Ｂ）は、０≦ｄ（Ｒ）≦１．２μｍを満足することができる。該緑色画素において、隔離距離ｄ（Ｇ）は、０≦ｄ（Ｇ）≦２．８μｍを満足することができる。

【0101】

図５Ａは、本発明の一実施形態による１つの画素の発光領域、画素電極、及び画素電極の一側に配置されたビアホールの関係を示した概略的な配置図である。図５Ｂは、図５ＡのＩＩ－ＩＩ’線による概略的な断面図である。図５Ａ及び図５Ｂにおいて、図４Ａ及び図４Ｂと同一参照符号は、同一部材を指すが、重複された説明は、省略する。

【0102】

図５Ａ及び図５Ｂを参照すれば、画素ＰＸに含まれた画素電極２１０は、光を放出する発光領域ＥＡ、及びビアホールＶＨと重畳された領域を含む。前記発光領域ＥＡは、画素電極２１０の中央部を露出させる画素定義膜１１９の開口部ＯＰによっても定義される。ビアホールＶＨは、画素電極２１０と連結電極ＣＭとが接続するために、第２絶縁層１１８に設けられたものであり、ビアホールＶＨ内部に画素電極２１０が挿入されることにより、画素電極２１０と連結電極ＣＭとが接続されうる。

【0103】

その場合、本実施形態の画素ＰＸにおいて、開口部ＯＰとビアホールＶＨとの隔離距離ｄは、所定範囲を満足するように設計されてもよい。前記隔離距離ｄは、開口部ＯＰの終端と、ビアホールＶＨの終端の最短距離ｄであってもよい。または、前記隔離距離ｄは、第２方向に沿い、開口部ＯＰの終端と、ビアホールＶＨの終端とが離隔された距離であってもよい。

【0104】

一方、本実施形態において、画素電極２１０が配置された第２絶縁層１１８は、平坦部ＦＰ、緩慢な傾斜を有する第１傾斜部ＳＰ１、及び急峻な傾斜を有する第２傾斜部ＳＰ２を含んでもよい。

【0105】

一実施形態において、前記隔離距離ｄは、ｄ≧ｄ２、ｄ２＞５μｍを満足することができる。このとき、ｄは、赤色画素、緑色画素及び青色画素ごとに異なる値を有することができる。そのような数値は、上下による視野角を均一にさせるために導入されたものでもある。

【0106】

図５Ｂを参照すれば、本実施形態において、発光領域ＥＡは、第２絶縁層１１８の平坦部ＦＰと重畳されるようにも配置される。すなわち、発光領域ＥＡには、第２傾斜部ＳＰ２が配置されない。または、発光領域ＥＡには、第１傾斜部ＳＰ１及び第２傾斜部ＳＰ２が配置されない。すなわち、開口部ＯＰは、ビアホールＶＨと所定距離以上離隔されて配置され、発光領域ＥＡ内部に配置される第２絶縁層１１８の上面は、基板１１０の上面と平行であってもよい。

【0107】

第１傾斜部ＳＰ１及び第２傾斜部ＳＰ２は、ビアホールＶＨと隣接した領域に設けられてもよいが、ビアホールＶＨと所定距離以上離隔された領域について、第２絶縁層１１８の上面は、平坦に設けられてもよい。

【0108】

発光領域ＥＡ内部において、第２絶縁層１１８の上面は、基板１１０の上面と平行をなす場合、視野角は、上下左右に対して均一であってもよい。

【0109】

一方、画素ごとに、発光領域ＥＡの大きさが異なりうるが、開口部ＯＰとビアホールＶＨとの隔離距離ｄは、画素によって異なるように設けられてもよい。

【0110】

一実施形態において、赤色画素及び青色画素の発光領域ＥＡは、緑色画素の発光領域ＥＡに比べて大きく設けられてもよい。その場合、該赤色画素及び該青色画素において、前記隔離距離ｄ（Ｒ，Ｂ）は、ｄ（Ｒ，Ｂ）≧５μｍを満足することができる。該緑色画素において、隔離距離ｄ（Ｇ）は、ｄ（Ｇ）≧６μｍを満足することができる。

【0111】

図４Ａないし図５Ｂを総合すれば、画素の発光領域ＥＡである開口部ＯＰと、ビアホールＶＨとの隔離距離ｄは、０≦ｄ≦ｄ１またはｄ≧ｄ２の関係式を満足することができ、ｄ１とｄ２は、画素によって異なるように設定されてもよい。

【0112】

一部実施形態において、赤色画素及び青色画素において、前記隔離距離ｄ（Ｒ，Ｂ）は、０≦ｄ（Ｒ，Ｂ）≦１．２μｍまたはｄ（Ｒ，Ｂ）≧５μｍを満足することができる。

【0113】

一部実施形態において、緑色画素において、前記隔離距離ｄ（Ｇ）は、０≦ｄ（Ｇ）≦２．８μｍまたはｄ（Ｇ）≧５μｍを満足することができる。

【0114】

図６Ａは、本発明の一実施形態による１つの画素の発光領域、画素電極、及び画素電極の下部に配置された配線の関係を示した概略的な配置図である。図６Ｂは、図６ＡのＩＩＩ－ＩＩＩ’線による概略的な断面図である。図６Ａ及び図６Ｂにおいて、図４Ａ及び図４Ｂと同一参照符号は、同一部材を指すが、重複された説明は、省略する。

【0115】

図６Ａ及び図６Ｂを参照すれば、画素ＰＸに含まれた画素電極２１０は、光を放出する発光領域ＥＡ、及びビアホールＶＨと重畳された領域を含む。前記発光領域ＥＡは、画素電極２１０の中央部を露出させる画素定義膜１１９の開口部ＯＰによっても定義される。ビアホールＶＨは、画素電極２１０と連結電極ＣＭとが接続するために、第２絶縁層１１８に設けられたものであり、ビアホールＶＨ内部に画素電極２１０が挿入されることにより、画素電極２１０と連結電極ＣＭとが接続されうる。

【0116】

本実施形態において、画素電極２１０の下部には、第２方向に延長される第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２が配置されうる。前記第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２は、第１絶縁層１１７上部に配置されてもよい。前記第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２は、連結電極ＣＭと同一層に配置されてもよい。

【0117】

第２絶縁層１１８は、第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２を覆うように具備されるが、第２絶縁層１１８の上面は、第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２の形状により、湾曲するように形成される場合がある。

【0118】

従って、第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２が、発光領域ＥＡの近くに配置される場合、発光領域ＥＡに配置される第２絶縁層１１８の上面の形状に影響を与えることになり、左右（第１方向）視野角による輝度差を発生させうる。

【0119】

そのように、第１配線ＷＬ１と、画素定義膜１１９の開口部ＯＰの終端との第１隔離距離Ｌａが、所定距離Ｌ１より短く形成され、視野角に影響を与える場合、第２配線ＷＬ２は、発光領域ＥＡの中心点を基準に、対称に配置されるようにも設計される。すなわち、第２配線ＷＬ２と、画素定義膜１１９の開口部ＯＰの終端と間の第２隔離距離Ｌｂは、前記第１隔離距離Ｌａと同一に設けられてもよい。

【0120】

ここで、第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２によって影響を最も多く受ける画素は、大きさが最も小さい緑色画素であってもよく、該緑色画素の場合、Ｌ１は、１．２μｍであってもよい。すなわち、該緑色画素の場合、第１配線ＷＬ１が発光領域ＥＡから１．２μｍ以内に配置される場合、第２配線ＷＬ２は、発光領域ＥＡを中心に、第１配線ＷＬ１と対称に配置されるように設計することが望ましい。

【0121】

ここで、第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２は、データ線または駆動電圧線であってもよい。または、第１配線ＷＬ１は、データ線であり、第２配線ＷＬ２は、駆動電圧線であってもよい。

【0122】

図７Ａは、本発明の一実施形態による１つの画素の発光領域、画素電極、及び画素電極の下部に配置された配線の関係を示した概略的な配置図である。図７Ｂは、図７ＡのＩＶ－ＩＶ’線による概略的な断面図である。図７Ａ及び図７Ｂにおいて、図４Ａ及び図４Ｂと同一参照符号は、同一部材を指すが、重複された説明は、省略する。

【0123】

図７Ａ及び図７Ｂを参照すれば、画素ＰＸに含まれた画素電極２１０は、光を放出する発光領域ＥＡ、及びビアホールＶＨと重畳された領域を含む。前記発光領域ＥＡは、画素電極２１０の中央部を露出させる画素定義膜１１９の開口部ＯＰによっても定義される。ビアホールＶＨは、画素電極２１０と連結電極ＣＭとが接続するために、第２絶縁層１１８に設けられたものであり、ビアホールＶＨ内部に、画素電極２１０が挿入されることにより、画素電極２１０と連結電極ＣＭとが接続されうる。

【0124】

本実施形態において、画素電極２１０の下部には、第２方向に延長される第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２が配置されうる。前記第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２は、第１絶縁層１１７上部に配置されてもよい。前記第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２は、連結電極ＣＭと同一層に配置されてもよい。

【0125】

第１配線ＷＬ１が発光領域ＥＡからＬ１以上離れて配置される場合、発光領域ＥＡに影響を与えない。その場合、第１配線ＷＬ１と第２配線ＷＬ２は、発光領域ＥＡを基準に、対称に配置されない。すなわち、Ｌａ，Ｌｂ＞Ｌ１である場合、Ｌａ≠Ｌｂに配置されてもよい。一部実施形態において、Ｌ１は、１．２μｍであってもよい。

【0126】

図８は、本発明の実施形態によって設計された複数画素の発光領域、画素電極、及び画素電極の下部に配置された配線の関係を示した概略的な配置図である。

【0127】

図８を参照すれば、複数画素は、赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ及び青色画素Ｂを含み、前記赤色画素Ｒ、前記緑色画素Ｇ及び前記青色画素Ｂの発光領域ＥＡと、ビアホールＶＨとのそれぞれの隔離距離ｄ（Ｒ），ｄ（Ｇ），ｄ（Ｂ）は、互いに異なるように設けられる。

【0128】

赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ、青色画素Ｂの発光領域ＥＡは、ペンタイルマトリックス構造によって配置されているが、前記隔離距離ｄ（Ｒ），ｄ（Ｇ），ｄ（Ｂ）は、それぞれの画素に含まれたビアホールＶＨの位置を調節することにより、異なるように設定することができる。

【0129】

それにより、赤色画素ＲのビアホールＶＨの中心点、緑色画素ＧのビアホールＶＨの中心点、青色画素ＢのビアホールＶＨの中心点は、第１方向に沿った一直線上に配置されず、ジグザグに配置されてもよい。

【0130】

一部実施形態において、ｄ（Ｒ）＞ｄ（Ｂ）≧５μｍであり、ｄ（Ｇ）＞６μｍであってもよい。

【0131】

なお、本実施形態において、緑色画素Ｇの場合、左右視野角に敏感であり、緑色画素Ｇの両側に配置された第１配線ＷＬ１及び第２配線ＷＬ２は、緑色画素Ｇの発光領域ＥＡから１．２μｍ以上離隔されて配置されてもよい。それにより、第１配線ＷＬ１と緑色画素Ｇの発光領域との間の距離と、第２配線ＷＬ２と緑色画素Ｇの発光領域との間の距離は、互いに異なっていてもよい。

【0132】

一方、左右視野角が敏感ではない赤色画素Ｒ及び青色画素Ｂの場合、発光領域ＥＡと配線ＷＬは、一部重畳されうる。

【0133】

本実施形態において、発光領域ＥＡとビアホールＶＨとの隔離距離を、赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ、青色画素Ｂで異なるように設け、有機発光表示装置の上側ＷＡＤ及び下側ＷＡＤの差を最小化させることができる。

【0134】

以上のように、本発明は図面に図示された一実施形態を参照にして説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該分野で通常の知識を有した者であるならば、それらから多様な変形、及び実施形態の変形が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるものである。

【符号の説明】

【0135】

１１０ 基板
１１１ バッファ層
１１２ 第１ゲート絶縁層
１１３ 第２ゲート絶縁層
１１５ 層間絶縁層
１１７ 第１絶縁層
１１８ 第２絶縁層
１１９ 画素定義膜
２１０ 画素電極
２２０ 中間層
２３０ 対向電極

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図7A】

【図7B】

【図8】