特許 7565333 半導体レーザ駆動装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-02

(45)【発行日】2024-10-10

(54)【発明の名称】半導体レーザ駆動装置

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/0239 20210101AFI20241003BHJP

   H01S 5/024 20060101ALI20241003BHJP

   G01S 7/484 20060101ALN20241003BHJP

   G01S 17/894 20200101ALN20241003BHJP

【ＦＩ】

H01S5/0239

H01S5/024

G01S7/484

G01S17/894

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2022505798

(86)(22)【出願日】2021-01-14

(86)【国際出願番号】 JP2021000994

(87)【国際公開番号】W WO2021181862

(87)【国際公開日】2021-09-16

【審査請求日】2023-12-20

(31)【優先権主張番号】P 2020041528

(32)【優先日】2020-03-11

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】316005926

【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100112955

【弁理士】

【氏名又は名称】丸島 敏一

(72)【発明者】

【氏名】泉原 邦彦

【審査官】村井 友和

(56)【参考文献】

【文献】特開２００２－２３２０６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－１２１７３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０５－１４５１９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／２０２８７４（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｓ ５／０２２

Ｈ０１Ｓ ５／０４２

Ｇ０１Ｓ ７／４８４

Ｇ０１Ｓ １７／８９４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体レーザと、
前記半導体レーザに対して少なくとも一部が重ねて配置されるレーザドライバと
を具備し、
前記レーザドライバにおける特定の発熱部と前記半導体レーザとの間の距離が０乃至１ミリメートルの範囲内である半導体レーザ駆動装置。

【請求項2】

前記レーザドライバは、前記半導体レーザを搭載する基板に内蔵される
請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。

【請求項3】

前記発熱部は、前記半導体レーザを駆動する回路である
請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。

【請求項4】

前記半導体レーザは、複数のレーザダイオードを備え、
前記発熱部は、前記複数のレーザダイオードのうち対応するレーザダイオードを駆動する複数のトランジスタである
請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。

【請求項5】

前記発熱部は、前記レーザドライバの所定の１個所に配置される
請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。

【請求項6】

前記発熱部は、前記レーザドライバの所定の複数個所に分散配置される
請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。

【請求項7】

前記発熱部は、前記半導体レーザの周囲において所定の形状に配置される
請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本技術は、半導体レーザ駆動装置に関する。詳しくは、レーザドライバ内蔵基板と半導体レーザとを備える半導体レーザ駆動装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、測距機能を持つ電子装置において、ＴｏＦ（Time of Flight）と呼ばれる測距方式がよく用いられている。このＴｏＦは、発光部がサイン波や矩形波の照射光を物体に照射し、その物体からの反射光を受光部が受光して、測距演算部が照射光と反射光との位相差から距離を測定する方式である。そのような測距機能を実現するため、発光素子と、その発光素子を駆動する電子半導体チップとをケース内に収容して一体化した光モジュールが知られている。例えば、基板の電極パターン上に整列して実装されたレーザーダイオードアレイと、レーザーダイオードアレイに電気的に接続されたドライバＩＣとを備える光モジュールが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００９－１７０６７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述の従来技術では、電子素子を含む部品全体を覆うカバーを熱伝導材料で構成することにより、発熱を促す構造を採用している。しかしながら、この従来技術では、熱の分布に偏りがあった場合であっても、全体を均等に扱うため、発熱の効率が低下するという問題がある。

【0005】

本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、半導体レーザを駆動するレーザドライバの発熱分布を考慮して部品配置を行うことを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、半導体レーザと、上記半導体レーザに対して少なくとも一部が重ねて配置されるレーザドライバとを具備し、上記レーザドライバの発熱部と上記半導体レーザとが重なることなく配置された半導体レーザ駆動装置である。これにより、レーザドライバの発熱部から発生した熱が半導体レーザに与える影響を抑制するという作用をもたらす。

【0007】

また、この第１の側面において、上記レーザドライバの発熱部と上記半導体レーザとの距離が１ミリメートル以下であることが望ましい。これにより、寄生インダクタが光の波形に与える影響を抑制するという作用をもたらす。

【0008】

また、この第１の側面において、上記レーザドライバは、上記半導体レーザを搭載する基板に内蔵されてもよい。これにより、半導体レーザ駆動装置を低背化するという作用をもたらす。

【0009】

また、この第１の側面において、上記発熱部は、上記半導体レーザを駆動する回路であると想定してもよい。また、この第１の側面において、上記半導体レーザは、複数のレーザダイオードを備え、上記発熱部は、上記複数のレーザダイオードのうち対応するレーザダイオードを駆動する複数のトランジスタであってもよい。

【0010】

また、この第１の側面において、上記発熱部は、上記レーザドライバの所定の１個所に配置されてもよく、また、上記レーザドライバの所定の複数個所に分散配置されてもよい。また、上記発熱部は、上記半導体レーザの周囲において所定の形状に配置されてもよい。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本技術の実施の形態における半導体レーザ駆動装置１０の上面図の一例を示す図である。

【図2】本技術の実施の形態における半導体レーザ駆動装置１０の断面図の一例を示す図である。

【図3】本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００の回路構成の一例を示す図である。

【図4】本技術の実施の形態における駆動部２１０の回路構成の一例を示す図である。

【図5】本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００の配置の第１の例を示す図である。

【図6】本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００の配置の第２の例を示す図である。

【図7】本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００の配置の第３の例を示す図である。

【図8】本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００の配置の第４の例を示す図である。

【図9】本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００の配置の第５の例を示す図である。

【図10】本技術の実施の形態の適用例である電子機器８００のシステム構成例を示す図である。

【図11】本技術の実施の形態の適用例である電子機器８００の外観構成例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
１．実施の形態
２．適用例

【0013】

＜１．実施の形態＞
［半導体レーザ駆動装置］
図１は、本技術の実施の形態における半導体レーザ駆動装置１０の上面図の一例を示す図である。

【0014】

この半導体レーザ駆動装置１０は、ＴｏＦによる距離の測定を想定したものである。ＴｏＦは、ストラクチャードライトほどではないものの奥行き精度が高く、また、暗い環境下でも問題なく動作可能という特徴を有する。他にも、装置構成の単純さや、コストなどにおいて、ストラクチャードライトやステレオカメラなどの他の方式と比べてメリットが多いと考えられる。

【0015】

この半導体レーザ駆動装置１０では、レーザドライバ２００を内蔵する基板１００の表面に、半導体レーザ３００、フォトダイオード４００および受動部品５００がワイヤボンディングにより電気接続されて実装される。基板１００としては、プリント配線板が想定される。

【0016】

半導体レーザ３００は、化合物半導体のＰＮ接合に電流を流すことにより、レーザ光を放射する半導体デバイスである。この半導体レーザ３００は、複数のレーザダイオードにより構成される。ここで、利用される化合物半導体としては、例えば、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）、インジウムガリウム砒素リン（ＩｎＧａＡｓＰ）、アルミニウムガリウムインジウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）、ガリウムナイトライド（ＧａＮ）などが想定される。

【0017】

レーザドライバ２００は、半導体レーザ３００を駆動するためのドライバ集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）である。この例において、レーザドライバ２００は、フェイスアップ状態で基板１００に内蔵される。

【0018】

フォトダイオード４００は、光を検出するためのダイオードである。このフォトダイオード４００は、半導体レーザ３００の光強度を監視して、半導体レーザ３００の出力を一定に維持するための自動電源制御（ＡＰＣ：Automatic Power Control）に用いられる。

【0019】

受動部品５００は、コンデンサおよび抵抗などの能動素子以外の回路部品である。この受動部品５００には、半導体レーザ３００を駆動するためのデカップリングコンデンサが含まれる。

【0020】

図２は、本技術の実施の形態における半導体レーザ駆動装置１０の断面図の一例を示す図である。

【0021】

上述のように、この例における基板１００はレーザドライバ２００を内蔵し、その表面には半導体レーザ３００などが実装される。半導体レーザ３００とレーザドライバ２００は、少なくとも一部が重ねて配置され、両者の間の接続は、接続ビア１０１を介して行われる。この接続ビア１０１を用いることにより、配線長を短くすることが可能となる。

【0022】

また、基板１００は、放熱のためのサーマルビア１０２を備える。基板１００に実装された各部品は発熱源であり、サーマルビア１０２を用いることにより、各部品において発生した熱を基板１００の裏面から放熱することが可能となる。

【0023】

基板１００の表面に実装された半導体レーザ３００、フォトダイオード４００および受動部品５００は、側壁６００によって囲まれる。この側壁６００の材料としては、例えば、プラスティック材料、または、金属が想定される。

【0024】

側壁６００によって囲まれた上面は、拡散板７００によって覆われる。この拡散板７００は、半導体レーザ３００からのレーザ光を拡散させるための光学素子であり、ディフューザとも呼ばれる。

【0025】

［レーザドライバ］
図３は、本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００の回路構成の一例を示す図である。

【0026】

このレーザドライバ２００は、駆動部２１０と、パルスデータ受信部２２０と、動作モードレジスタ２３０と、温度センサ２４０と、異常検知部２５０と、スイッチ２６０と、ＡＤ変換器２７０と、電源制御部２８０と、定電流発生回路２９０とを備える。

【0027】

駆動部２１０は、半導体レーザ３００を駆動するための回路である。後述するように、この駆動部２１０は、半導体レーザ３００の複数のレーザダイオードの各々に接続し、対応するレーザダイオードを駆動するトランジスタを複数備える。半導体レーザ３００を明るく点灯させるために電流を増やせば、より発熱が大きくなる。そのため、この駆動部２１０がレーザドライバ２００における主要な発熱源となる。

【0028】

パルスデータ受信部２２０は、外部から供給されるパルスデータを受信するものである。このパルスデータは、駆動部２１０において半導体レーザ３００を発光させるためにオンおよびオフを繰り返す信号である。パルスデータ受信部２２０は、このパルスデータを、例えばＬＶＤＳ（Low Voltage Differential Signaling）規格の差動信号として受信し、非差動信号に変換して駆動部２１０に供給する。

【0029】

動作モードレジスタ２３０は、駆動部２１０の動作モードを設定するためのレジスタである。この動作モードレジスタ２３０は、例えばＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）規格等のインターフェースにより、外部から通信用クロック、通信用データおよびチップイネーブル信号を受けて、動作モードを保持する。

【0030】

温度センサ２４０は、レーザドライバ２００内部の温度を検知するセンサである。この温度センサ２４０により検知された温度が所定の温度を超えると、後述する制御により半導体レーザ３００の発光が停止される。

【0031】

異常検知部２５０は、フォトダイオード４００に接続し、半導体レーザ３００の光強度を監視して半導体レーザ３００の出力を一定に維持するとともに、異常の発生を検知するものである。例えば、拡散板７００が割れたことが検知されると、後述する制御により半導体レーザ３００の発光が停止される。

【0032】

スイッチ２６０は、温度センサ２４０やフォトダイオード４００からの信号を選択してＡＤ変換器２７０に切り替えるスイッチである。

【0033】

ＡＤ変換器（Analog-to-Digital Converter）２７０は、スイッチ２６０を介して供給された温度センサ２４０等からのアナログ信号を、デジタル信号に変換するものである。変換されたデジタル信号は、電源制御部２８０に供給される。

【0034】

電源制御部２８０は、半導体レーザ３００を駆動するための電源の自動電源制御を行うものである。この電源制御部２８０には、温度センサ２４０やフォトダイオード４００からの信号、および、異常検知部２５０からの異常検知信号が供給され、状況に応じた電源制御が行われる。

【0035】

定電流発生回路２９０は、電源制御部２８０により設定された電流を発生する回路である。この定電流発生回路２９０は、例えばＤＡ変換器（Digital-to-Analog Converter）により構成される。駆動部２１０は、この定電流発生回路２９０から供給された電流により動作する。

【0036】

図４は、本技術の実施の形態における駆動部２１０の回路構成の一例を示す図である。

【0037】

上述のように、半導体レーザ３００は複数のレーザダイオード３０１により構成され、駆動部２１０はレーザダイオードの各々に対応するトランジスタ２１１を備える。この例では、トランジスタ２１１としてｎＭＯＳトランジスタを想定する。

【0038】

レーザダイオード３０１には３乃至４Ｖの電圧が印加されており、トランジスタ２１１のゲート信号として定電流発生回路２９０からのパルス信号を入力して、オンオフ制御を行うことにより、レーザダイオード３０１の発光が行われる。

【0039】

このように、駆動部２１０はレーザダイオード３０１に対応するトランジスタ２１１から構成されるため、レーザドライバ２００において分散して配置することが可能である。ただし、配線距離によっては遅延調整を行う必要が生じ得る。

【0040】

［回路配置］
上述のように、レーザドライバ２００において駆動部２１０が主要な発熱源となる。以下では、この駆動部２１０を発熱部として着目し、発熱部と半導体レーザ３００との相対的な配置関係について説明する。

【0041】

発熱部に対する熱対策として、最低限、発熱部と半導体レーザ３００とが重ならない（オーバラップしない）ことが望ましい。すなわち、発熱部と半導体レーザ３００とが重ねて配置されると、発熱部からの熱が半導体レーザ３００に直接干渉することになり、半導体レーザ３００の発光効率が低下するおそれがある。そのため、レーザドライバ２００と半導体レーザ３００とが重ねて配置される際、発熱部が半導体レーザ３００に重ならないように配置することが望ましい。

【0042】

一方、駆動部２１０と半導体レーザ３００との距離が１ミリメートルよりも離れると、配線による寄生インダクタが大きくなり、その影響で光の波形が訛り、シャープな光の立上りおよび立下りが得られなくなるおそれがある。そのため、寄生インダクタの観点からは、発熱部と半導体レーザ３００との距離を１ミリメートルにすることが望ましい。

【0043】

したがって、発熱および寄生インダクタの両者を考慮すると、発熱部と半導体レーザ３００との距離は、０乃至１ミリメートルの範囲内であることが望ましい。

【0044】

図５は、本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００の配置の第１の例を示す図である。

【0045】

この第１の例では、レーザドライバ２００の１個所に駆動部２１０、すなわち発熱部２０１を配置している。その際、発熱部２０１と半導体レーザ３００との距離は、０乃至１ミリメートルの位置に配置される。これにより、発熱および寄生インダクタの条件を両立させることができる。

【0046】

図６は、本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００の配置の第２の例を示す図である。

【0047】

この第２の例では、レーザドライバ２００の２個所に駆動部２１０、すなわち発熱部２０２および２０３を両脇に分散して配置している。駆動部２１０は、上述のようにレーザダイオード３０１に対応するトランジスタ２１１から構成されるため、分散して配置することが可能である。その際、発熱部２０２および２０３と半導体レーザ３００との距離は、何れも０乃至１ミリメートルの位置に配置される。これにより、発熱および寄生インダクタの条件を両立させることができる。

【0048】

図７は、本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００の配置の第３の例を示す図である。

【0049】

この第３の例では、レーザドライバ２００の駆動部２１０、すなわち発熱部２０４を、半導体レーザ３００の周囲２辺において、Ｌの字型に配置している。駆動部２１０は、上述のようにレーザダイオード３０１に対応するトランジスタ２１１から構成されるため、任意の形状により配置することが可能である。その際、発熱部２０４と半導体レーザ３００との距離は、何れの辺も０乃至１ミリメートルの位置に配置される。これにより、発熱および寄生インダクタの条件を両立させることができる。

【0050】

図８は、本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００の配置の第４の例を示す図である。

【0051】

この第４の例では、レーザドライバ２００の駆動部２１０、すなわち発熱部２０５を、半導体レーザ３００の周囲３辺において、コの字型に配置している。駆動部２１０は、上述のようにレーザダイオード３０１に対応するトランジスタ２１１から構成されるため、任意の形状により配置することが可能である。その際、発熱部２０５と半導体レーザ３００との距離は、何れの辺も０乃至１ミリメートルの位置に配置される。これにより、発熱および寄生インダクタの条件を両立させることができる。

【0052】

図９は、本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００の配置の第５の例を示す図である。

【0053】

この第５の例では、レーザドライバ２００の駆動部２１０、すなわち発熱部２０６を、半導体レーザ３００の周囲４辺において、口の字型に配置している。駆動部２１０は、上述のようにレーザダイオード３０１に対応するトランジスタ２１１から構成されるため、任意の形状により配置することが可能である。その際、発熱部２０６と半導体レーザ３００との距離は、何れの辺も０乃至１ミリメートルの位置に配置される。これにより、発熱および寄生インダクタの条件を両立させることができる。

【0054】

このように、本技術の実施の形態によれば、レーザドライバ２００の駆動部２１０と半導体レーザ３００とが重ならないように配置することにより、駆動部２１０における発熱が半導体レーザ３００に与える影響を抑制することができる。また、レーザドライバ２００の駆動部２１０と半導体レーザ３００との距離を０乃至１ミリメートルに配置することにより、寄生インダクタが光の波形に与える影響を抑制することができる。

【0055】

＜２．適用例＞
［電子機器］
図１０は、本技術の実施の形態の適用例である電子機器８００のシステム構成例を示す図である。

【0056】

この電子機器８００は、上述の実施の形態による半導体レーザ駆動装置１０を搭載した携帯端末である。この電子機器８００は、撮像部８１０と、半導体レーザ駆動装置８２０と、シャッタボタン８３０と、電源ボタン８４０と、制御部８５０と、記憶部８６０と、無線通信部８７０と、表示部８８０と、バッテリ８９０とを備える。

【0057】

撮像部８１０は、被写体を撮像するイメージセンサである。半導体レーザ駆動装置８２０は、上述の実施の形態による半導体レーザ駆動装置１０である。

【0058】

シャッタボタン８３０は、撮像部８１０における撮像タイミングを電子機器８００の外部から指示するためのボタンである。電源ボタン８４０は、電子機器８００の電源のオンオフを電子機器８００の外部から指示するためのボタンである。

【0059】

制御部８５０は、電子機器８００の全体の制御を司る処理部である。記憶部８６０は、電子機器８００の動作に必要なデータやプログラムを記憶するメモリである。無線通信部８７０は、電子機器８００の外部との無線通信を行うものである。表示部８８０は、画像等を表示するディスプレイである。バッテリ８９０は、電子機器８００の各部に電源を供給する電源供給源である。

【0060】

撮像部８１０、半導体レーザ駆動装置８２０を制御する発光制御信号の特定の位相（例えば、立上りタイミング）を０度として、０度から１８０度までの受光量をＱ１として検出し、１８０度から３６０度までの受光量をＱ２として検出する。また、撮像部８１０は、９０度から２７０度までの受光量をＱ３として検出し、２７０度から９０度までの受光量をＱ４として検出する。制御部８５０は、これらの受光量Ｑ１乃至Ｑ４から、次式により物体との距離ｄを演算し、表示部８８０に表示する。

【0061】

ｄ＝（ｃ／４πｆ）×ａｒｃｔａｎ｛（Ｑ３－Ｑ４）／（Ｑ１－Ｑ２）｝

【0062】

上式において距離ｄの単位は、例えば、メートル（ｍ）である。ｃは光速であり、その単位は、例えば、メートル毎秒（ｍ／ｓ）である。ａｒｃｔａｎは、正接関数の逆関数である。「（Ｑ３－Ｑ４）／（Ｑ１－Ｑ２）」の値は、照射光と反射光との位相差を示す。πは、円周率を示す。また、ｆは照射光の周波数であり、その単位は、例えば、メガヘルツ（ＭＨｚ）である。

【0063】

図１１は、本技術の実施の形態の適用例である電子機器８００の外観構成例を示す図である。

【0064】

この電子機器８００は、筐体８０１に収められ、側面に電源ボタン８４０を備え、表面に表示部８８０およびシャッタボタン８３０を備える。また、裏面には撮像部８１０および半導体レーザ駆動装置８２０の光学領域が設けられる。

【0065】

これにより、表示部８８０には、通常の撮像画像８８１を表示するだけでなく、ＴｏＦを利用した測距結果に応じた奥行画像８８２を表示することができる。

【0066】

なお、この適用例では、電子機器８００として、スマートフォンのような携帯端末について例示したが、電子機器８００はこれに限定されるものではなく、例えばデジタルカメラやゲーム機やウェアラブル機器などであってもよい。

【0067】

なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。

【0068】

なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。

【0069】

なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）半導体レーザと、
前記半導体レーザに対して少なくとも一部が重ねて配置されるレーザドライバと
を具備し、
前記レーザドライバの発熱部と前記半導体レーザとが重なることなく配置された半導体レーザ駆動装置。
（２）前記レーザドライバの発熱部と前記半導体レーザとの距離が１ミリメートル以下である前記（１）に記載の半導体レーザ駆動装置。
（３）前記レーザドライバは、前記半導体レーザを搭載する基板に内蔵される
前記（１）または（２）に記載の半導体レーザ駆動装置。
（４）前記発熱部は、前記半導体レーザを駆動する回路である
前記（１）から（３）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
（５）前記半導体レーザは、複数のレーザダイオードを備え、
前記発熱部は、前記複数のレーザダイオードのうち対応するレーザダイオードを駆動する複数のトランジスタである
前記（１）から（４）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
（６）前記発熱部は、前記レーザドライバの所定の１個所に配置される
前記（１）から（５）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
（７）前記発熱部は、前記レーザドライバの所定の複数個所に分散配置される
前記（１）から（５）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
（８）前記発熱部は、前記半導体レーザの周囲において所定の形状に配置される
前記（１）から（７）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。

【符号の説明】

【0070】

１０ 半導体レーザ駆動装置
１００ 基板
１０１ 接続ビア
１０２ サーマルビア
２００ レーザドライバ
２０１～２０６ 発熱部
２１０ 駆動部
２１１ トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）
２２０ パルスデータ受信部
２３０ 動作モードレジスタ
２４０ 温度センサ
２５０ 異常検知部
２６０ スイッチ
２７０ ＡＤ変換器
２８０ 電源制御部
２９０ 定電流発生回路
３００ 半導体レーザ
３０１ レーザダイオード
４００ フォトダイオード
５００ 受動部品
６００ 側壁
７００ 拡散板
８００ 電子機器
８０１ 筐体
８１０ 撮像部
８２０ 半導体レーザ駆動装置
８３０ シャッタボタン
８４０ 電源ボタン
８５０ 制御部
８６０ 記憶部
８７０ 無線通信部
８８０ 表示部
８８１ 撮像画像
８８２ 奥行画像
８９０ バッテリ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】