特許 7566214 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-03

(45)【発行日】2024-10-11

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/18 20060101AFI20241004BHJP

【ＦＩ】

H05K3/18 H

H05K3/18 J

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2024528753

(86)(22)【出願日】2023-06-07

(86)【国際出願番号】 JP2023021104

(87)【国際公開番号】W WO2023243500

(87)【国際公開日】2023-12-21

【審査請求日】2024-03-18

(31)【優先権主張番号】P 2022095739

(32)【優先日】2022-06-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】500400216

【氏名又は名称】住友電工プリントサーキット株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】深谷 洋介

(72)【発明者】

【氏名】新田 耕司

(72)【発明者】

【氏名】酒井 将一郎

(72)【発明者】

【氏名】部谷 拓斗

(72)【発明者】

【氏名】山口 賀人

【審査官】沼生 泰伸

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－１９７８５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－７５４５６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／００－ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

主面を有するベースフィルムと、
前記主面上に配置されている導電パターンとを備え、
前記導電パターンは、前記主面上に直接的又は間接的に配置されている下地導電層と、前記下地導電層上に配置されている電解銅めっき層とを有し、
前記下地導電層と前記電解銅めっき層との界面において所定の観察長の範囲内にあるボイドの面積の合計を前記観察長で除した値であるボイド密度は、０．０１μｍ^２／μｍ超５．５μｍ^２／μｍ以下であり、
前記下地導電層の厚さをＴ（μｍ）、前記観察長をＬ（μｍ）、前記観察長の範囲内で前記界面に存在するボイドの長さの合計をＶＬ（μｍ）とした際、Ｔ×ＶＬ／Ｌの値は、前記観察長の範囲内で０．３９以下である、プリント配線板。

【請求項2】

前記導電パターンは、前記主面上に配置されているシード層をさらに有し、
前記下地導電層は、前記シード層上に配置されている下地層と、前記下地層上に配置されている無電解めっき層とを含む、請求項１に記載のプリント配線板。

【請求項3】

前記下地層及び前記無電解めっき層は、銅により形成されている、請求項２に記載のプリント配線板。

【請求項4】

前記導電パターンの厚さは、５μｍ以上１５０μｍ以下である、請求項１に記載のプリント配線板。

【請求項5】

前記界面におけるサイドエッチング量は、前記導電パターンの幅の０．３３倍以下である、請求項１に記載のプリント配線板。

【請求項6】

前記導電パターンは、互いに隣り合う複数の配線部を有し、
前記複数の配線部の間の隣り合う２つの間の距離は５μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプリント配線板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プリント配線板に関する。本出願は、２０２２年６月１４日に出願した日本特許出願である特願２０２２－０９５７３９号に基づく優先権を主張する。当該日本特許出願に記載された全ての記載内容は、参照によって本明細書に援用される。

【背景技術】

【0002】

特開２０１９－１９７８５１号公報（特許文献１）には、プリント配線板が記載されている。特許文献１に記載のプリント配線板は、ベースフィルムと、導電パターンとを有している。

【0003】

ベースフィルムは、主面を有している。導電パターンは、主面上に配置されている。導電パターンは、シード層と、無電解銅めっき層と、電解銅めっき層とを有している。シード層は、主面上に配置されている。無電解銅めっき層は、シード層上に配置されている。電解銅めっき層は、無電解銅めっき層上に配置されている。無電解銅めっき層及び電解銅めっき層は、銅により形成されている。すなわち、導電パターンは、セミアディティブ法を用いて形成されている。

【0004】

特許文献１のプリント配線板では、無電解銅めっき層と電解銅めっき層との界面におけるボイド密度が、０．０１μｍ^２／μｍ以下になっている。なお、無電解銅めっき層と電解銅めっき層との界面におけるボイド密度は、断面視において所定の観察長の範囲内で無電解銅めっき層と電解銅めっき層との界面に存在しているボイドの面積の合計を当該観察長で除した値である。

【0005】

特許文献１に記載のプリント配線板では、無電解銅めっき層と電解銅めっき層との界面におけるボイド密度を０．０１μｍ^２／μｍ以下にすることにより、導電パターンのベースフィルムからの剥離が抑制されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２０１９－１９７８５１号公報

【発明の概要】

【0007】

本開示のプリント配線板は、主面を有するベースフィルムと、主面上に配置されている導電パターンとを備えている。導電パターンは、主面上に直接的又は間接的に配置されている下地導電層と、下地導電層上に配置されている電解銅めっき層とを有している。下地導電層と電解銅めっき層との界面において所定の観察長の範囲内にあるボイドの面積の合計を観察長で除した値であるボイド密度は、０．０１μｍ^２／μｍ超５．５μｍ^２／μｍ以下である。下地導電層の厚さをＴ（μｍ）、観察長をＬ（μｍ）、観察長の範囲内で界面に存在するボイドの長さの合計をＶＬ（μｍ）とした際に、Ｔ×ＶＬ／Ｌの値は、観察長の範囲内で０．３９以下である。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、プリント配線板１００の平面図である。

【図2】図２は、プリント配線板１００の底面図である。

【図3】図３は、図１中のＩＩＩ－ＩＩＩにおける断面図である。

【図4】図４は、図３中のＩＶにおける拡大図である。

【図5】図５は、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面における模式的な拡大断面図である。

【図6】図６は、プリント配線板１００の製造工程図である。

【図7】図７は、準備工程Ｓ１を説明する断面図である。

【図8】図８は、無電解めっき工程Ｓ２を説明する断面図である。

【図9】図９は、レジストパターン形成工程Ｓ３を説明する断面図である。

【図10】図１０は、電解めっき工程Ｓ４を説明する断面図である。

【図11】図１１は、変形例に係るプリント配線板１００の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

［本開示が解決しようとする課題］
導電パターンをセミアディティブ法で形成しようとする際には、第１に、シード層上に無電解銅めっき層が形成される。第２に、無電解銅めっき層上にレジストパターンが形成される。第３に、レジストパターンの開口部から露出している無電解銅めっき層上に電解銅めっき層が形成される。第４に、レジストパターンが除去される。第５に、隣り合う電解銅めっき層の部分の間から露出している無電解銅めっき層及びシード層が、エッチングにより除去される。

【0010】

無電解銅めっき層と電解銅めっき層との界面におけるボイド密度が大きくなると、隣り合う電解銅めっき層の部分の間から露出している無電解銅めっき層及びシード層を除去するためのエッチングにより、無電解銅めっき層と電解銅めっき層との界面においてサイドエッチングが進行しやすくなる。このようなサイドエッチングが過度に進展すると、導電パターンの一部がベースフィルムから剥離する原因となる。

【0011】

例えばレジストパターンを形成する際にレジストパターンと無電解銅めっき層との密着性を確保するための密着助剤処理が行われたり、電解銅めっき層の厚さを確保するために厚さの大きいレジストパターンが用いられたりする場合には、無電解銅めっき層の表面に残存するコンタミネーションの影響により、無電解銅めっき層と電解銅めっき層との界面におけるボイド密度を０．０１μｍ^２／μｍ以下にすることが困難なことがある。

【0012】

［本開示の効果］
本開示のプリント配線板によると、下地導電層と電解銅めっき層との界面におけるボイド密度が大きくなる場合でも下地導電層と電解銅めっき層との界面におけるサイドエッチングに起因した導電パターンの一部のベースフィルムからの剥離を抑制可能である。

【0013】

本開示は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本発明者は、下地導電層と電解銅めっき層との界面において所定の観察長の範囲内にあるボイドの面積の合計を観察長で除した値であるボイド密度が０．０１μｍ^２／μｍ超５．５μｍ^２／μｍ以下である場合において、導電パターンの一部のベースフィルムからの剥離を抑制できることを見出した。さらに、本発明者は、導電パターンの剥離が下地導電層と電解銅めっき層との界面におけるサイドエッチングに起因して引き起こされること及び当該サイドエッチング量が無電解銅めっき層及び下地導電層の厚みと相関があることを見出した。本開示は、導電パターンの一部のベースフィルムからの剥離抑制が可能なプリント配線板を提供するものである。

【0014】

［本開示の実施形態の説明］
まず、本開示の実施態様を列記して説明する。

【0015】

（１）実施形態に係るプリント配線板は、主面を有するベースフィルムと、主面上に配置されている導電パターンとを備える。導電パターンは、主面上に直接的又は間接的に配置されている下地導電層と、下地導電層上に配置されている電解銅めっき層とを有する。下地導電層と電解銅めっき層との界面において所定の観察長の範囲内にあるボイドの面積の合計を観察長で除した値であるボイド密度は、０．０１μｍ^２／μｍ超５．５μｍ^２／μｍ以下である。下地導電層の厚さをＴ（μｍ）、観察長をＬ（μｍ）、観察長の範囲内で界面に存在するボイドの長さの合計をＶＬ（μｍ）とした際に、Ｔ×ＶＬ／Ｌの値は、観察長の範囲内で０．３９以下である。なお、下地導電層が主面上に直接的に配置されているとは主面と下地導電層とが接触していることであり、下地導電層が主面上に間接的に配置されているとは主面と下地導電層との間に少なくとも１つの層（例えば、後述するシード層）が配置されていることである。

【0016】

上記（１）のプリント配線板によると、下地導電層と電解銅めっき層との界面におけるボイド密度が大きくなる場合でも下地導電層と電解銅めっき層との界面におけるサイドエッチングに起因した導電パターンの一部のベースフィルムからの剥離を抑制可能である。

【0017】

（２）上記（１）のプリント配線板では、導電パターンが主面上に配置されているシード層をさらに有していてもよい。下地導電層は、シード層上に配置されている下地層と、下地層上に配置されている無電解めっき層とを含んでいてもよい。

【0018】

（３）上記（２）のプリント配線板では、下地層及び無電解めっき層が、銅により形成されていてもよい。

【0019】

（４）上記（１）から（３）のプリント配線板では、導電パターンの厚さが、５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。

【0020】

（５）上記（１）から（４）のプリント配線板では、界面におけるサイドエッチング量が、導電パターンの幅の０．３３倍以下であってもよい。

【0021】

（６）上記（１）から（５）のプリント配線板では、導電パターンが、互いに隣り合う複数の配線部を有していてもよい。複数の配線部の間の隣り合う２つの間の距離は、５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。

【0022】

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。実施形態に係るプリント配線板を、プリント配線板１００とする。

【0023】

（プリント配線板１００の構成）
以下に、プリント配線板１００の構成を説明する。

【0024】

図１は、プリント配線板１００の平面図である。図２は、プリント配線板１００の底面図である。なお、図２には、図１とは反対側から見た際のプリント配線板１００が示されている。図３は、図１中のＩＩＩ－ＩＩＩにおける断面図である。図４は、図３中のＩＶにおける拡大図である。図１から図４に示されるように、プリント配線板１００は、ベースフィルム１０と、導電パターン２１及び導電パターン２２とを有している。

【0025】

ベースフィルム１０は、主面１０ａと主面１０ｂとを有している。主面１０ａ及び主面１０ｂは、ベースフィルム１０の厚さ方向における端面である。主面１０ｂは、主面１０ａの反対面である。ベースフィルム１０は、可撓性のある電気絶縁性の材料により形成されている。ベースフィルム１０は、例えば、ポリイミド又は液晶ポリマーにより形成されている。

【0026】

導電パターン２１は、主面１０ａ上に配置されている。導電パターン２１は、平面視において、渦巻状に巻回されている。導電パターン２１は、互いに隣り合っている複数の配線部２１ａを有している。

【0027】

導電パターン２２は、主面１０ｂ上に配置されている。導電パターン２２は、平面視において、渦巻状に巻回されている。導電パターン２２は、互いに隣り合っている複数の配線部２２ａを有している。

【0028】

導電パターン２１は、一方端においてランド２１ｂを有しており、他方端においてランド２１ｃを有している。ランド２１ｂ及びランド２１ｃは、それぞれ、導電パターン２１の最外周及び最内周にある。導電パターン２２は、一方端においてランド２２ｂを有しており、他方端においてランド２２ｃを有している。ランド２２ｂ及びランド２２ｃは、それぞれ導電パターン２２の最内周及び最外周にある。ランド２１ｃ及びランド２２ｂは、平面視において、互いに重なっている。

【0029】

導電パターン２１の幅を幅Ｗ１とし、導電パターン２２の幅を幅Ｗ２とする。幅Ｗ１及び幅Ｗ２は、例えば５μｍ以上５０μｍ以下である。導電パターン２１の厚さを、厚さＴ１とする。導電パターン２２の厚さを、厚さＴ２とする。厚さＴ１は、例えば５μｍ以上１５０μｍ以下であり、８μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。厚さＴ２は、例えば５μｍ以上１５０μｍ以下であり、８μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。厚さＴ２は、３０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。隣り合う２つの配線部２１ａの間の距離を、距離ＤＩＳ１とする。隣り合う２つの配線部２２ａの間の距離を、距離ＤＩＳ２とする。距離ＤＩＳ１及び距離ＤＩＳ２は、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下である。距離ＤＩＳ１及び距離ＤＩＳ２は、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。

【0030】

厚さＴ１、厚さＴ２、距離ＤＩＳ１及び距離ＤＩＳ２の測定は、以下の方法により行われる。第１に、ベースフィルム１０の厚さ方向に沿い、かつ平面視における導電パターン２１（導電パターン２２）の長さ方向に直交する断面において、電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて断面画像が取得される。第２に、取得された断面画像において、導電パターン２１の厚さ、導電パターン２２の厚さ、隣り合う２つの配線部２１ａの間の距離及び隣り合う２つの配線部２２ａの間の距離が測定される。この測定は、断面画像上において導電パターン２１（導電パターン２２）の幅が最大となる位置で行われる。以上により、厚さＴ１、厚さＴ２、距離ＤＩＳ１及び距離ＤＩＳ２の値が得られる。

【0031】

導電パターン２１及び導電パターン２２の各々は、例えば、セミアディティブ法により形成されている。より具体的には、導電パターン２１及び導電パターン２２の各々は、シード層２３と、下地層２４と、無電解めっき層２５と、電解銅めっき層２６とを有している。下地層２４及び無電解めっき層２５は、あわせて下地導電層２７とすることがある。

【0032】

シード層２３は、ベースフィルム１０の主面（主面１０ａ、主面１０ｂ）上に配置されている。シード層２３は、例えばスパッタ層（スパッタリングにより形成されている層）である。シード層２３は、例えば、ニッケルクロム合金により形成されている。下地層２４は、シード層２３上に配置されている。すなわち、下地導電層２７は、シード層２３を介在させてベースフィルム１０の主面上に配置されている。下地層２４は、例えばスパッタ層である。下地層２４は、銅により形成されていてもよい。なお、導電パターン２１及び導電パターン２２の各々は、シード層２３を有していなくてもよい。この場合には、下地導電層２７がベースフィルム１０の主面上に直接的に配置される。

【0033】

無電解めっき層２５は、下地層２４上に配置されている。無電解めっき層２５は、無電解めっきにより形成されている層である。無電解めっき層２５は、銅により形成されていてもよい。電解銅めっき層２６は、無電解めっき層２５上に配置されている。電解銅めっき層２６は、電解めっきにより形成されている層である。電解銅めっき層２６は、銅により形成されている。

【0034】

図示されていないが、ベースフィルム１０には、貫通穴が形成されている。ベースフィルム１０の貫通穴は、ベースフィルム１０を厚さ方向に沿って貫通している。ベースフィルム１０の貫通穴は、平面視においてランド２１ｃ及びランド２２ｂに重なっている。

【0035】

無電解めっき層２５は、ベースフィルム１０の貫通穴の内壁面上にも配置されている。電解銅めっき層２６は、ベースフィルム１０の貫通穴内にも埋め込まれている。これにより、導電パターン２１及び導電パターン２２が、互いに電気的に接続されている。ランド２１ｂとランド２２ｃとの間に電圧が印加されることにより導電パターン２１及び導電パターン２２に渦巻状に電流が流れ、この電流により磁場が発生される。すなわち、プリント配線板１００は、コイル装置になっている。

【0036】

図５は、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面における模式的な拡大断面図である。図５に示されるように、下地層２４の厚さ及び無電解めっき層２５の厚さは、それぞれ厚さＴ３及び厚さＴ４とする。厚さＴ３及び厚さＴ４の合計を、Ｔ（μｍ）とする。すなわち、Ｔは、下地導電層２７の厚さである。厚さＴ３及び厚さＴ４は、厚さＴ１（厚さＴ２）と同様の方法により測定される。

【0037】

無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面、すなわち、下地導電層２７と電解銅めっき層２６との界面には、ボイドＶが存在している。無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面におけるボイド密度は、０．０１μｍ^２／μｍ超５．５μｍ^２／μｍ以下である。なお、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面におけるボイド密度は、断面視において所定の観察長の範囲内で無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面に存在しているボイドの面積の合計を当該観察長で除した値である。

【0038】

無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面におけるボイド密度の算出に際しては、第１に、ベースフィルム１０の主面に直交する断面において、ＳＥＭを用いて、断面画像が取得される。断面画像の倍率は、１００００倍以上５００００倍以下とされる。

【0039】

第２に、上記の断面画像中の無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面において、所定の観察長（以下においては、この観察長をＬ（μｍ）とすることがある）の範囲内にあるボイドＶの合計面積が測定される。観察長の方向は、ベースフィルム１０の主面に平行になっている。ボイドＶの面積は、ＧＮＵ Ｉｍａｇｅ Ｍａｎｉｐｕｌａｔｉｏｎ Ｐｒｏｇｒａｍ等の画像処理ソフトを用いてボイドＶが黒色となるように断面画像を２値化するとともに、当該画像処理ソフトを用いて得られた明度のヒストグラムから黒色部分の割合を算出することにより得られる。第３に、算出されたボイドＶの合計面積を上記の観察長で除することにより、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面におけるボイド密度が算出される。

【0040】

上記の断面画像中の無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面において、上記の観察長の範囲内にあるボイドＶの長さの合計を、ＶＬ（μｍ）とする。図５に示される例では、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面に３つのボイドＶが存在している。これら３つのボイドＶの長さをそれぞれＶＬ１、ＶＬ２及びＶＬ３とすると、ＶＬ１、ＶＬ２及びＶＬ３は、それぞれ無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面に沿う方向における３つのボイドＶの各々の長さである。ＶＬは、ＶＬ１、ＶＬ２及びＶＬ３の合計になる。Ｔ×ＶＬ／Ｌの値は、０．３９以下である。

【0041】

図４に示されるように、導電パターン２１（導電パターン２２）を形成するためのエッチングは、所定のサイドエッチング量を有している。サイドエッチング量とは、サイドエッチングにより無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面に形成される切り欠きの当該界面に沿う方向における深さである。言い換えると、サイドエッチング量とは、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面に沿う方向における切り欠きの頂点と下地導電層２７の最も離れた端との間の距離ＤＩＳ３である。距離ＤＩＳ３は、幅Ｗ１（幅Ｗ２）の０．３３倍以下であってもよく、０．１７倍以下であってもよい。距離ＤＩＳ３は、距離ＤＩＳ１（距離ＤＩＳ２）と同様の方法により測定される。

【0042】

（プリント配線板１００の製造方法）
以下に、プリント配線板１００の製造方法を説明する。

【0043】

図６は、プリント配線板１００の製造工程図である。図６に示されるように、プリント配線板１００の製造方法では、準備工程Ｓ１と、無電解めっき工程Ｓ２と、レジストパターン形成工程Ｓ３と、電解めっき工程Ｓ４と、エッチング工程Ｓ５とを有している。無電解めっき工程Ｓ２は、準備工程Ｓ１後に行われる。レジストパターン形成工程Ｓ３は、無電解めっき工程Ｓ２後に行われる。電解めっき工程Ｓ４は、レジストパターン形成工程Ｓ３後に行われる。エッチング工程Ｓ５は、電解めっき工程Ｓ４後に行われる。

【0044】

図７は、準備工程Ｓ１を説明する断面図である。図７に示されるように、準備工程Ｓ１では、ベースフィルム１０が準備される。なお、準備工程Ｓ１において準備されるベースフィルム１０では、主面１０ａ及び主面１０ｂ上にシード層２３が配置されており、シード層２３上に下地層２４が配置されている。

【0045】

図８は、無電解めっき工程Ｓ２を説明する断面図である。図８に示されるように、無電解めっき工程Ｓ２では、無電解めっきが行われることにより、下地層２４上に無電解めっき層２５が形成される。

【0046】

図示されていないが、上記の無電解めっきに先立って、ベースフィルム１０に対する穴開け加工が行われることにより、貫通穴が形成される。そのため、上記の無電解めっきにより、ベースフィルム１０の貫通穴の内壁面上にも無電解めっき層２５が形成されることになる。

【0047】

図９は、レジストパターン形成工程Ｓ３を説明する断面図である。図９に示されるように、レジストパターン形成工程Ｓ３では、無電解めっき層２５上に、レジストパターン３０が形成される。レジストパターン３０には、開口部３１が形成されている。開口部３１は、レジストパターン３０を厚さ方向に沿って貫通している。つまり、開口部３１から、無電解めっき層２５が露出している。

【0048】

レジストパターン形成工程Ｓ３では、第１に、ドライフィルムレジストが無電解めっき層２５上に貼付される。この際、ドライフィルムレジスト（レジストパターン３０）と無電解めっき層２５との密着性を確保するために、無電解めっき層２５の表面に密着助剤処理が行われてもよい。

【0049】

第２に、ドライフィルムレジストが露光及び現像されることにより、ドライフィルムレジストが部分的に除去されて開口部３１が形成される。以上により、レジストパターン３０が形成される。レジストパターン３０が形成された後、プラズマ等を用いて、開口部３１から露出している無電解めっき層２５の表面がクリーニングされてもよい。

【0050】

図１０は、電解めっき工程Ｓ４を説明する断面図である。図１０に示されるように、電解めっき工程Ｓ４では、電解めっきが行われることにより、開口部３１から露出している無電解めっき層２５上に電解銅めっき層２６が形成される。厚さＴ１（厚さＴ２）を大きくしようとする（電解銅めっき層２６の厚さを大きくしようとする）場合、それに応じてレジストパターン３０が厚く形成される。電解銅めっき層２６が形成された後、レジストパターン３０は除去される。

【0051】

エッチング工程Ｓ５では、隣り合う電解銅めっき層２６の間から露出している無電解めっき層２５、下地層２４及びシード層２３が、エッチングにより除去される。この際、電解銅めっき層２６とその下にある無電解めっき層２５との界面において、サイドエッチングが進行することがある。

【0052】

（プリント配線板１００の効果）
レジストパターン３０を形成する際に、レジストパターン３０と無電解めっき層２５との密着性を確保するための密着助剤処理が行われることがある。また、電解銅めっき層２６の厚さを確保するために厚さの大きいレジストパターン３０が用いられる場合、開口部３１の幅に対するレジストパターン３０の厚さの比率が大きくなることにより、レジストパターン形成工程Ｓ３において開口部３１への薬液浸透性の低下やレジスト成分除去性や無電解めっき層２５の表面における異物除去性の低下のために、無電解めっき層２５の表面にコンタミネーションが残存する。レジストパターン３０の厚さを開口部３１の幅で除した値が０．５を超える場合には、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面におけるボイド密度が大きく（より具体的には、０．０１μｍ^２／μｍ超５．５μｍ^２／μｍ以下）なることがある。

【0053】

厚さＴ３及び厚さＴ４が大きくなると、エッチング工程Ｓ５のエッチング量を増やす必要があり、サイドエッチングが進行しやすくなる。また、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面におけるボイド密度が大きくなると、エッチング工程Ｓ５のエッチングにより、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面においてサイドエッチングが進行しやすくなる。このサイドエッチングが過度に進行することは、導電パターン２１及び導電パターン２２の一部がベースフィルムから剥離する原因となる。しかしながら、以下の評価結果に示されるように、サイドエッチング量を評価する指標である厚さＴ３及び厚さＴ４の合計に所定の観察長の範囲内において無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面に存在するボイドの長さの合計を乗じた上で当該観察長により除した値、すなわち、Ｔ×ＶＬ／Ｌの値を０．３９以下にすることにより、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面におけるボイド密度が大きくなる場合でも導電パターン２１（導電パターン２２）の一部のベースフィルム１０からの剥離が、抑制されることになる。

【0054】

表１には、サンプル１からサンプル９の詳細が示されている。サンプル１からサンプル９は、準備工程Ｓ１からエッチング工程Ｓ５が行われることにより形成された。なお、サンプル１からサンプル９を形成する際には、レジストパターン形成工程Ｓ３では、無電解めっき層２５の表面に密着助剤処理が行われた上で、無電解めっき層２５上にレジストパターン３０が形成される。表１に示されているように、サンプル１からサンプル９では、下地層２４の厚さ及び無電解めっき層２５の厚さの合計（Ｔの値）、観察長（Ｌの値）、当該観察長の範囲内で無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面に存在しているボイドＶの長さの合計（ＶＬの値）を測定した。サンプル１からサンプル９では、レジストパターン３０の厚さを開口部３１の幅で除した値が０．５超であり、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面におけるボイド密度が０．０１μｍ^２／μｍ超５．５μｍ^２／μｍ以下の範囲内にあった。

【0055】

サンプル１からサンプル９では、導電パターン２１及び導電パターン２２の剥離の有無が、目視又は顕微鏡を用いて観察された。導電パターン２１及び導電パターン２２に剥離が生じていなかったサンプルは、表１中で「ＯＫ」とされている。他方で、導電パターン２１（導電パターン２２）の一部に剥離が生じていたサンプルは、表１中で「ＮＧ」とされている。

【0056】

【表1】

【0057】

サンプル１からサンプル６では、Ｔ×ＶＬ／Ｌの値が０．３９以下であり、導電パターン２１及び導電パターン２２に剥離が生じていなかった。他方で、サンプル７からサンプル９では、Ｔ×ＶＬ／Ｌの値が０．３９を超えており、導電パターン２１及び導電パターン２２の一部に剥離が生じていた。

【0058】

この比較から、無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面におけるボイド密度が大きい場合でも、Ｔ×ＶＬ／Ｌの値を０．３９以下にすることにより無電解めっき層２５と電解銅めっき層２６との界面におけるサイドエッチングが抑制され、導電パターン２１及び導電パターン２２の一部のベースフィルム１０からの剥離が抑制されることが明らかになった。

【0059】

（変形例）
図１１は、変形例に係るプリント配線板１００の断面図である。図１１には、図３に対応する位置における断面が示されている。上記においては、下地導電層２７が下地層２４と無電解めっき層２５の２層により構成されている場合の例を示したが、下地導電層２７は、図１１に示されるように、１層で構成されていてもよい。この場合、Ｔ×ＶＬ／Ｌの値を算出するに際して、Ｔの値は、下地導電層２７の厚さの値とされる。図１１に示される例では、下地導電層２７がベースフィルム１０の主面上に直接的に配置されている。

【0060】

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記の実施形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0061】

１００ プリント配線板、１０ ベースフィルム、１０ａ，１０ｂ 主面、２１ 導電パターン、２１ａ 配線部、２１ｂ，２１ｃ ランド、２２ 導電パターン、２２ａ 配線部、２２ｂ ランド、２２ｃ ランド、２３ シード層、２４ 下地層、２５ 無電解めっき層、２６ 電解銅めっき層、２７ 下地導電層、３０ レジストパターン、３１ 開口部、ＤＩＳ１，ＤＩＳ２，ＤＩＳ３ 距離、Ｓ１ 準備工程、Ｓ２ 無電解めっき工程、Ｓ３ レジストパターン形成工程、Ｓ４ 電解めっき工程、Ｓ５ エッチング工程、Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４ 厚さ、Ｖ ボイド、Ｗ１，Ｗ２ 幅。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】