特許 7566379 スティッチング露光工程用マスク

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-04

(45)【発行日】2024-10-15

(54)【発明の名称】スティッチング露光工程用マスク

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/70 20120101AFI20241007BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20241007BHJP

【ＦＩ】

G03F1/70

G03F7/20 502

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2023549831

(86)(22)【出願日】2022-09-16

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-22

(86)【国際出願番号】 KR2022013889

(87)【国際公開番号】W WO2023058929

(87)【国際公開日】2023-04-13

【審査請求日】2023-08-17

(31)【優先権主張番号】10-2021-0133647

(32)【優先日】2021-10-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】515162224

【氏名又は名称】コリア アドバンスド インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー

【氏名又は名称原語表記】ＫＯＲＥＡ ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＩＮＳＴＩＴＵＴＥ ＯＦ ＳＣＩＥＮＣＥ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀 明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 香元

(72)【発明者】

【氏名】ソン，ジュンチョル

(72)【発明者】

【氏名】オ，ジェ－ソブ

(72)【発明者】

【氏名】パク，ミン ジュン

(72)【発明者】

【氏名】チョ，ヒ ジェ

(72)【発明者】

【氏名】キム，クァン ヒ

(72)【発明者】

【氏名】ハン，チャン ヒ

【審査官】田中 秀直

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１６－１３３６６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２３５９０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１０１１２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１５６８６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１９３２４３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０３Ｆ １／００－１／８６

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に第１方向と第２方向にマスクを露光してスティッチング工程を進行するライン及びスペースパターン形成方法であって、前記ライン及びスペースパターン形成方法は、
前記第１方向に前記マスクの第１ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第１露光工程を行う段階と、
前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）と前記第１方向のオフセットを有するように前記マスクの第２ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第２露光工程を行う段階であって、前記第２ショット（ｓｈｏｔｓ）が前記第２方向に前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）と接触する段階と、
を含み、
前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショット（ｓｈｏｔｓ）の各々は、
基準エネルギで露光される基準エネルギ領域と、
前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショットの干渉によって前記基準エネルギより高いエネルギを有する１回干渉領域と、
前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショットの干渉によって前記基準エネルギより高いエネルギを有する２回干渉領域と、
を含み、
前記１回干渉領域に対応する前記マスクの１回干渉マスク領域は、前記基準エネルギ領域に対応する前記マスクの基準エネルギマスク領域の基本マスク線幅より大きい第１マスク線幅を有し、
前記２回干渉領域に対応する前記マスクの２回干渉マスク領域は、前記基準エネルギ領域に対応する前記マスクの基準エネルギマスク領域のマスク線幅より大きい第２マスク線幅を有することを特徴とするライン及びスペースパターン形成方法。

【請求項2】

前記オフセットは、前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショット（ｓｈｏｔｓ）の干渉領域の幅より大きいことを特徴とする請求項１に記載のライン及びスペースパターン形成方法。

【請求項3】

前記ライン及びスペースパターンのピッチは、前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショット（ｓｈｏｔｓ）で同一であり、
前記ライン及びスペースパターンのフォトレジストのピッチは８０ｎｍないし１４０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のライン及びスペースパターン形成方法。

【請求項4】

前記基準エネルギ領域は四角形状のショット内に配置された四角形状であり、ショットの中心に配置され、
前記１回干渉領域は、前記基準エネルギ領域を囲むように辺に配置され、
前記２回干渉領域は、基準エネルギ領域の頂点及び前記第１方向の一対の頂点の間に局部的に配置されることを特徴とする請求項１に記載のライン及びスペースパターン形成方法。

【請求項5】

基板に第１方向と第２方向にマスクを露光してスティッチング工程を進行するライン及びスペースパターン形成方法であって、前記ライン及びスペースパターン形成方法は、
前記第１方向に前記マスクの第１ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第１露光工程を行う段階と、
前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）と前記第１方向のオフセットを有するように前記マスクの第２ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第２露光工程を行う段階であって、前記第２ショット（ｓｈｏｔｓ）が前記第２方向に前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）と接触する段階と、
を含み、
前記マスクは、
四角形の基準エネルギマスク領域と、
前記基準エネルギマスク領域の左側及び右側にそれぞれ配置された左側領域及び右側領域と、
前記基準エネルギマスク領域の左側上部及び右側上部にそれぞれ配置された左側上部頂点領域及び右側上部頂点領域と、
前記基準エネルギマスク領域の左側下部及び右側下部にそれぞれ配置された左側下部頂点領域及び右側下部頂点領域と、
前記基準エネルギマスク領域の上部に配置された上部領域と、
前記上部領域と前記左側上部頂点領域との間に配置された左側上部領域と、
前記上部領域と前記右側上部頂点領域との間に配置された右側上部領域と、
前記基準エネルギマスク領域の下部に配置された下部領域と、
前記下部領域と前記左側下部頂点領域との間に配置された左側下部領域と、
前記下部領域と前記右側下部頂点領域との間に配置された右側下部領域と、
を含み、
前記基準エネルギマスク領域の線幅は基本マスク線幅であり、
前記左側領域、右側領域、左側上部領域、右側上部領域、左側下部領域、及び右側下部領域の線幅は第１マスク線幅であり、
前記上部領域、前記下部領域、左側上部頂点領域、右側上部頂点領域、左側下部頂点領域、及び右側下部頂点領域の線幅は第２マスク線幅であり、
前記第２マスク線幅は前記第１マスク線幅より大きく、
前記第１マスク線幅は、前記基本マスク線幅より大きいことを特徴とするライン及びスペースパターン形成方法。

【請求項6】

前記基本マスク線幅は５０ｎｍであり、
前記第１マスク線幅は５６ｎｍであり、
前記第２マスク線幅は６０ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載のライン及びスペースパターン形成方法。

【請求項7】

基板に第１方向と第２方向にマスクを露光してスティッチング工程を進行するライン及びスペースパターン形成用マスクであって、前記ライン及びスペースパターン形成用マスクは、
マスク基板上に前記第１方向と前記第２方向に形成された四角形状の基準エネルギマスク領域と、
前記基準エネルギマスク領域を囲むように辺に配置された１回干渉マスク領域と、
前記基準エネルギマスク領域の頂点及び前記第１方向の一対の頂点の間に局部的に配置される２回干渉マスク領域と、
を含み、
前記基準エネルギマスク領域は基本マスク線幅を有し、
前記１回干渉マスク領域は第１マスク線幅を有し、
前記２回干渉マスク領域は第２マスク線幅を有し、
前記第２マスク線幅は前記基本マスク線幅より大きく、
前記第１マスク線幅は前記基本マスク線幅より大きいことを特徴とするライン及びスペースパターン形成用マスク。

【請求項8】

前記基本マスク線幅は５０ｎｍであり、
前記第１マスク線幅は５６ｎｍであり、
前記第２マスク線幅は６０ｎｍであることを特徴とする請求項７に記載のライン及びスペースパターン形成用マスク。

【請求項9】

基板に第１方向と第２方向にマスクを露光してスティッチング工程を進行するライン及びスペースパターン形成用マスクであって、前記ライン及びスペースパターン形成用マスクは、
四角形の基準エネルギマスク領域と、
前記基準エネルギマスク領域の左側及び右側にそれぞれ配置された左側領域及び右側領域と、
前記基準エネルギマスク領域の左側上部及び右側上部にそれぞれ配置された左側上部頂点領域及び右側上部頂点領域と、
前記基準エネルギマスク領域の左側下部及び右側下部にそれぞれ配置された左側下部頂点領域及び右側下部頂点領域と、
前記基準エネルギマスク領域の上部に配置された上部領域と、
前記上部領域と前記左側上部頂点領域との間に配置された左側上部領域と、
前記上部領域と前記右側上部頂点領域との間に配置された右側上部領域と、
前記基準エネルギマスク領域の下部に配置された下部領域と、
前記下部領域と前記左側下部頂点領域との間に配置された左側下部領域と、
前記下部領域と前記右側下部頂点領域との間に配置された右側下部領域と、
を含み、
前記基準エネルギマスク領域の線幅は基本マスク線幅であり、
前記左側領域、右側領域、左側上部領域、右側上部領域、左側下部領域、及び右側下部領域の線幅は第１マスク線幅であり、
前記上部領域、前記下部領域、左側上部頂点領域、右側上部頂点領域、左側下部頂点領域、及び右側下部頂点領域の線幅は第２マスク線幅であり、
前記第２マスク線幅は前記基本マスク線幅より大きく、
前記第１マスク線幅は前記基本マスク線幅より大きいことを特徴とするライン及びスペースパターン形成用マスク。

【請求項10】

前記基本マスク線幅は５０ｎｍであり、
前記第１マスク線幅は５６ｎｍであり、
前記第２マスク線幅は６０ｎｍであることを特徴とする請求項９に記載のライン及びスペースパターン形成用マスク。

【請求項11】

ライン及びスペースパターン形成用マスクの製造方法であって、
基板に第１方向と第２方向にライン及びスペースパターンを形成するための第１マスクを露光して第１スティッチング工程を進行する段階と、
前記第１スティッチング工程によってショット（ｓｈｏｔｓ）の１回干渉によって干渉のない基準エネルギより高いエネルギを有する１回干渉領域の露光エネルギ又は線幅を測定する段階と、
前記第１スティッチング工程によってショット（ｓｈｏｔｓ）の２回干渉によって基準エネルギより高いエネルギを有する２回干渉領域の露光エネルギ又は線幅を測定する段階と、
前記１回干渉領域の露光エネルギ又は線幅に基づいて、前記１回干渉領域に対応する前記第１マスクの１回干渉マスク領域に線幅を増加させるように第１光学的近接補正を行い、前記２回干渉領域の露光エネルギ又は線幅に基づいて、前記２回干渉領域に対応する前記第１マスクの２回干渉マスク領域に線幅を増加させるように第２光学的近接補正を行って第２マスクを形成する段階と、
を含むライン及びスペースパターン形成用マスクの製造方法。

【請求項12】

前記第１スティッチング工程は、
前記第１方向に前記第１マスクの第１ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第１露光工程を行う段階と、
前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）と前記第１方向のオフセットを有するように前記第１マスクの第２ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第２露光工程を行う段階であって、前記第２ショット（ｓｈｏｔｓ）が前記第２方向に前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）と接触する段階と、
を含む請求項１１に記載のライン及びスペースパターン形成用マスクの製造方法。

【請求項13】

前記第１光学的近接補正は同一のピッチを有し、ラインの線幅を第１変動量だけ増加させ、
前記第２光学的近接補正は同一のピッチを有し、ラインの線幅を第２変動量だけ増加させ、
前記第２変動量は前記第１変動量より大きく、
前記第１変動量は前記１回干渉領域の露光エネルギと干渉のない領域の基本露光エネルギとの差に比例することを特徴とする請求項１１に記載のライン及びスペースパターン形成用マスクの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、フォトマスクの近接補正（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）に関するものとして、より詳細には、スティッチング露光工程によるショットの干渉効果を除去する光学近接補正（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）のためのライン及びスペースパターンマスクに関する。

【背景技術】

【0002】

ワイヤグリッド偏光子は、ガラスのような基板の表面に配置された平行なワイヤアレイである。ワイヤグリッド偏光子は、ナノスケールのライン及びスペースパターンで形成される。通常、ワイヤグリッドの周期（又はピッチ）が光の波長より小さい場合、偏光子で動作する。

【0003】

偏光映像装置で使われる金属ワイヤグリッド偏光子の場合、反射されて出たＳ－波が映像装置内の周辺光学部及び機構部で再反射及び散乱され、偏光映像を阻害する要因になる。したがって、金属ワイヤグリッド基板偏光子のＳ－波反射を減少させ、共にｐ－波の透過度を向上させる方案が求められる。

【0004】

ワイヤグリッド偏光フィルタで、コントラスト比（Ｃ/Ｒ）はワイヤグリッドの線幅が減少するほど、ワイヤグリッドの高さが高いほど増加する。したがって、ワイヤグリッドのライン線幅が５０ｎｍ以下の工程が求められる。

【0005】

一方、ワイヤグリッド偏光フィルタは、カメラの大口径偏光フィルタ又はフレキシブルディスプレイとして使用するために広い面積を求める。しかし、広い面積のダイ（ｄｉｅ）を形成する方法としてスティッチング（ｓｔｉｔｃｈｉｎｇ）露光工程を使用する。スティッチング露光工程は、フォトマスクのサイズ（ｓｈｏｔ ｆｉｅｌｄ）より大きいダイ（Ｄｉｅ）又はチップを形成するために複数のショット（ｓｈｏｔｓ）を連続的に結合する技法である。

【0006】

通常、露光装備の露光領域（ｓｈｏｔ ｆｉｅｌｄ）の間隔が一定区間離れている。この区間はスクライブライン（Ｓｃｒｉｂｅ Ｌｉｎｅ）といい、チップを切り取るか、又は整列できるマーカ（Ｍａｒｋｅｒ）が埋め込まれている 。したがって、一般的にマスクの間隔が離れている。 マスクの間隔を“０”とするパターンを形成するスティッチング（Ｓｔｉｔｃｈｉｎｇ）露光工程が使用されない。スティッチング露光工程は、基板上に４つのショットが隣接して配置されるので、ショットは互いに干渉を提供する。

【0007】

特に、ラインの線幅が５０ｎｍ以下のライン及びスペースパターンの場合には、４つのショットが互いに隣接して配置される。したがって、１００ｎｍのピッチで、ショットは互いに３回干渉を提供してライン及びスペースパターンを形成することができない。

【0008】

したがって、フォトレジストのラインの線幅が５０ｎｍ水準であるライン及びスペースパターンの場合にもスティッチング工程を行うことができる新しい方法が求められる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

本発明は、ライン及びスペースパターンをスティッチング工程で行うことができる新しいスティッチング工程及びスティッチング工程用マスクを提供するものである。

【0010】

本発明は、スティッチング露光工程によって干渉によるフォトレジストの厚さ減少を最小化できる新しいスティッチング工程及びスティッチング工程用マスクを提供するものである。

【0011】

本発明は、スティッチング露光工程で均一なライン線幅を提供するように光学的近接補正を行う新しいスティッチング工程及びスティッチング工程用マスクを提供するものである。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明の一実施例によるライン及びスペースパターン形成方法は、基板に第１方向と第２方向にマスクを露光してスティッチング工程を進行する。前記ライン及びスペースパターン形成方法において、前記第１方向に前記マスクの第１ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第１露光工程を行う段階と、前記２方向に離隔して前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）と前記第１方向のオフセットを有するように前記マスクの第２ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第２露光工程を行う段階と、を含む。

【0013】

本発明の一実施例において、前記オフセットは、前記ショットの干渉領域の幅より大きい。

【0014】

本発明の一実施例において、前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショット（ｓｈｏｔｓ）の各々は、基準エネルギで露光される基準エネルギ領域と、前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショットの干渉によって前記基準エネルギより高いエネルギを有する１回干渉領域と、前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショットの干渉によって前記基準エネルギより高いエネルギを有する２回干渉領域と、を含む。

【0015】

本発明の一実施例において、前記１回干渉領域に対応する前記マスクの１回干渉マスク領域は、前記基準エネルギ領域に対応する前記マスクの基準エネルギマスク領域の基本マスク線幅より大きい第１マスク線幅を有する。前記２回干渉領域に対応する前記マスクの２回干渉マスク領域は、前記基準エネルギ領域に対応する前記マスクの基準エネルギマスク領域のマスク線幅より大きい第２マスク線幅を有する。

【0016】

本発明の一実施例において、前記ライン及びスペースパターンのピッチは、前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショット（ｓｈｏｔｓ）で同一であり、前記ライン及びスペースパターンのフォトレジストのピッチは８０ｎｍないし１４０ｎｍである。

【0017】

本発明の一実施例において、前記基準エネルギ領域は四角形状のショット内に配置された四角形状であり、ショットの中心に配置され、前記１回干渉領域は、前記基準エネルギ領域を囲むように辺に配置され、前記２回干渉領域は、基準エネルギ領域の頂点及び前記第１方向の一対の頂点の間に局部的に配置される。

【0018】

本発明の一実施例において、前記マスクは、四角形の基準エネルギマスク領域と、前記基準エネルギマスク領域の左側及び右側にそれぞれ配置された左側領域及び右側領域と、前記基準エネルギマスク領域の左側上部及び右側上部にそれぞれ配置された左側上部頂点領域及び右側上部頂点領域と、前記基準エネルギマスク領域の左側下部及び右側下部にそれぞれ配置された左側下部頂点領域及び右側下部頂点領域と、前記基準エネルギマスク領域の上部に配置された上部領域と、前記上部領域と前記左側上部頂点領域との間に配置された左側上部領域と、前記上部領域と前記右側上部頂点領域との間に配置された右側上部領域と、前記基準エネルギマスク領域の下部に配置された下部領域と、前記下部領域と前記左側下部頂点領域との間に配置された左側下部領域と、前記下部領域と前記右側下部頂点領域との間に配置された右側下部領域と、を含む。前記基準エネルギマスク領域の線幅は基本マスク線幅であり、前記左側領域、右側領域、左側上部領域、右側上部領域、左側下部領域、及び右側下部領域の線幅は第１マスク線幅であり、前記上部領域、前記下部領域、左側上部頂点領域、右側上部頂点領域、左側下部頂点領域、及び右側下部頂点領域の線幅は第２マスク線幅であり、前記第２マスク線幅は前記第１マスク線幅より大きく、前記第１マスク線幅は、前記基本マスク線幅より大きい。

【0019】

本発明の一実施例において、前記基本マスク線幅は５０ｎｍであり、前記第１マスク線幅は５６ｎｍであり、前記第２マスク線幅は６０ｎｍである。

【0020】

本発明の一実施例によるワイヤグリッド偏光子は、前記第１項のライン及びスペースパターン形成方法によって製造される。

【0021】

本発明の一実施例によるライン及びスペースパターン形成用マスクは、基板に第１方向と第２方向にマスクを露光してスティッチング工程を進行する。前記マスクは、マスク基板上に前記第１方向と前記第２方向に形成された四角形状の基準エネルギマスク領域と、前記基準エネルギマスク領域を囲むように辺に配置された１回干渉マスク領域と、前記基準エネルギマスク領域の頂点及び前記第１方向の一対の頂点の間に局部的に配置される２回干渉マスク領域と、を含む。前記基準エネルギマスク領域は基本マスク線幅を有し、前記１回干渉マスク領域は前記第１マスク線幅を有し、前記２回干渉マスク領域は前記第２マスク線幅を有し、前記第２マスク線幅は前記基本マスク線幅より大きく、前記第１マスク線幅は前記基本マスク線幅より大きい。

【0022】

本発明の一実施例において、前記基本マスク線幅は５０ｎｍであり、前記第１マスク線幅は５６ｎｍであり、前記第２マスク線幅は６０ｎｍである。

【0023】

本発明の一実施例によるイン及びスペースパターン形成用マスクは、基板に第１方向と第２方向にマスクを露光してスティッチング工程を進行する。前記マスクは、四角形の基準エネルギマスク領域と、前記基準エネルギマスク領域の左側及び右側にそれぞれ配置された左側領域及び右側領域と、前記基準エネルギマスク領域の左側上部及び右側上部にそれぞれ配置された左側上部頂点領域及び右側上部頂点領域と、前記基準エネルギマスク領域の左側下部及び右側下部にそれぞれ配置された左側下部頂点領域及び右側下部頂点領域と、前記基準エネルギマスク領域の上部に配置された上部領域と、前記上部領域と前記左側上部頂点領域との間に配置された左側上部領域と、前記上部領域と前記右側上部頂点領域との間に配置された右側上部領域と、前記基準エネルギマスク領域の下部に配置された下部領域と、前記下部領域と前記左側下部頂点領域との間に配置された左側下部領域と、前記下部領域と前記右側下部頂点領域との間に配置された右側下部領域と、を含む。前記基準エネルギマスク領域の線幅は基本マスク線幅であり、前記左側領域、右側領域、左側上部領域、右側上部領域、左側下部領域、及び右側下部領域の線幅は第１マスク線幅であり、前記上部領域、前記下部領域、左側上部頂点領域、右側上部頂点領域、左側下部頂点領域、及び右側下部頂点領域の線幅は第２マスク線幅であり、前記第２マスク線幅は前記基本マスク線幅より大きく、 前記第１マスク線幅は前記基本マスク線幅より大きい。

【0024】

本発明の一実施例において、前記基本マスク線幅は５０ｎｍであり、前記第１マスク線幅は５６ｎｍであり、前記第２マスク線幅は６０ｎｍである。

【0025】

本発明の一実施例によるライン及びスペースパターン形成用マスクの製造方法は、基板に第１方向と第２方向にライン及びスペースパターンを形成するための第１マスクを露光して第１スティッチング工程を進行する段階と、前記第１スティッチング工程によってショット（ｓｈｏｔｓ）の１回干渉によって干渉のない基準エネルギより高いエネルギを有する１回干渉領域の露光エネルギ又は線幅を測定する段階と、前記第１スティッチング工程によってショット（ｓｈｏｔｓ）の２回干渉によって基準エネルギより高いエネルギを有する２回干渉領域の露光エネルギ又は線幅を測定する段階と、前記１回干渉領域の露光エネルギ又は線幅に基づいて、前記１回干渉領域に対応する前記第１マスクの１回干渉マスク領域の線幅を増加させるように第１光学的近接補正を行い、前記２回干渉領域の露光エネルギ又は線幅に基づいて、前記２回干渉領域に対応する前記第１マスクの２回干渉マスク領域に線幅を増加させるように第２光学的近接補正を行って第２マスクを形成する段階と、を含む。

【0026】

本発明の一実施例において、前記第１スティッチング工程は、前記第１方向に前記第１マスクの第１ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第１露光工程を行う段階と、前記２方向に離隔して第１ショット（ｓｈｏｔｓ）とオフセットを有するように前記第１マスクの第２ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第２露光工程を行う段階と、を含む。

【0027】

本発明の一実施例において、前記第１光学的近接補正は同一のピッチを有し、ラインの線幅を第１変動量だけ増加させ、前記第２光学的近接補正は同一のピッチを有し、ラインの線幅を第２変動量だけ増加させ、前記第２変動量は前記第１変動量より大きく、前記第１変動量は前記１回干渉領域の露光エネルギと干渉のない領域の基本露光エネルギとの差に比例する。

【発明の効果】

【0028】

本発明の一実施例によるマスクは、ライン及びスペースパターンをステッチ工程を行って基板全体にワイヤグリッド偏光子を形成することができる。

【0029】

本発明の一実施例によるワイヤグリッド偏光子は、スティッチング工程によって形成されたライン及びスペースパターンを所定の規格に切断して形成することができる。

【発明を実施するための形態】

【0030】

ショットフィールド（ｓｈｏｔ ｆｉｅｌｄ）干渉によってショットフィールド（ｓｈｏｔ ｆｉｅｌｄ）領域外の１０ｕｍまでフレア干渉（ｆｌａｒｅ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）が発生する。これによって空間的に露光エネルギの均一度が変わり、基準露光エネルギを超過する干渉領域が発生する。

【0031】

ショットフィールド（ｓｈｏｔ ｆｉｅｌｄ）干渉又はショット干渉は、３回干渉領域を生成し、３回干渉領域はエネルギ過露出によってパターンが崩壊する。また、５０ｎｍの線幅条件で３回干渉領域は光学的近接補正（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ；ＯＰＣ）を通じて補正できない。一方、６０ｎｍの線幅条件で３回干渉領域は、光学的近接補正（ＯＰＣ）を通じて補正される可能性がある。しかし、３回干渉領域に光学的近接補正（ＯＰＣ）を行う場合、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）パターンの厚さが著しく減少する。これによって、フォトレジストパターンをエッチングマスクで下部の導電膜をエッチングする場合、エッチング深さの限界があり、エッチング選択比又はエッチング縦横比が著しく減少する。これによって、金属ワイヤグリッド偏光板の性能が低下する。

【0032】

本発明の一実施例によるスティッチング方法は、ショットのオフセットを使用して３回干渉領域を除去して、１回干渉領域と２回干渉領域のみを生成する。１回干渉領域と２回干渉領域はパターニング可能なピッチの範囲を増加させる。一方、１回干渉領域と第２干渉領域のフォトレジストのライン線幅は減少する。

【0033】

本発明の一実施例によれば、１回干渉領域及び/又は第２干渉領域のフォトレジストのライン線幅の減少は、マスクの光学的近接補正（ＯＰＣ）を通じて補正される。１回干渉領域と２回干渉領域は、マスクの光学的近接補正（ＯＰＣ）を通じて補正される。これによって、すべての領域で同一のラインの線幅が得られる。また、３回干渉領域を除去して、光学的近接補正（ＯＰＣ）を遂行する条件が拡大される。また、３回干渉領域を除去して、残存するフォトレジストの厚さ減少を抑制する。

【0034】

本発明の一実施例によれば、第２干渉領域でパターンが崩壊する場合にも、光学的近接補正（ＯＰＣ）を通じて第２干渉領域のパターン崩壊を抑制する。

【0035】

以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる形で具体化することもある。かえって、ここで紹介される実施例は、開示された内容が徹底かつ完全になるよう、また当業者に本発明の思想が十分に伝えるように提供されるものである。図面において、構成要素は明確性を期するために誇張されたものである。明細書全体に亘って、同一の構成要素は、同一の参照番号で表される。

【0036】

図１は、本発明の一実施例によるスティッチング工程によって基板全体を露光することを説明する概念図である。

【0037】

図２は、図１のスティッチング工程によるショットの干渉形態を示す拡大図である。

【0038】

図３は、図２のショットの干渉形態を示す電子顕微鏡写真である。

【0039】

図４は、マスクピッチ（Ｐ＝１００ｎｍ）とマスクライン線幅（ＬＷ＝５０ｎｍ）の条件で露光エネルギに応じるフォトレジストのライン線幅を示すグラフである。

【0040】

図１ないし図４に示すように、スティッチング工程は、第１方向（ｘ軸方向）に複数のショット１２を露光する。その次に、第２方向（ｙ軸方向）に所定の間隔で離隔した後、再び第１方向に複数のショット１２を露光する。これによって、ショット１２はマトリックス型で整列される。各ショット１２は、四角形状で露光される。それぞれのショットは、マスク１４を露光装置によって基板上のフォトレジストにパターンを形成するために露光した領域である。

【0041】

それぞれのショット１２は四角形状である。それぞれのショット１２は、干渉が形成されない中心の基準エネルギ領域２０、四角形の辺に１回干渉を有する１回干渉領域２２、及び四角形の頂点に３回ショット干渉を有する３回干渉領域２４を有する。１回干渉領域２２の幅Ｗは１０ｕｍ水準である。３回干渉領域２４の幅は１０ｕｍ水準である。干渉領域の幅Ｗは、ショットフィールド（ｓｈｏｔ ｆｉｅｌｄ）フレア干渉によって決定される。

【0042】

干渉領域の幅Ｗは、ローカルフレア効果（Ｌｏｃａｌ Ｆｌａｒｅ Ｅｆｆｅｃｔ）に依存する。ＤＵＶ（ｄｅｅｐ ｕｌｔｒａ ｖｉｏｌｅｔ）リソグラフィ（Ｌｉｔｈｏｇｒｐｈｙ）は、レチクル（Ｒｅｔｉｃｌｅ）又はマスク透過後、数十個の投影レンズ（Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｅｎｓ）を通過することで多くの寄生光（Ｓｔｒａｙ Ｌｉｇｈｔ）を発生させる。寄生光（Ｓｔｒａｙ Ｌｉｇｈｔ）は、フレア（Ｆｌａｒｅ）現象として現れる。ＤＵＶリソグラフィ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程において寄生光（Ｓｔｒａｙ ｌｉｇｈｔ）は、殆ど１０ｕｍ領域でフレア（Ｆｌａｒｅ）を発生させる。露光装置は、ＡｒＦ液浸スキャナ、又はＡｒＦステッパである。フォトレジストは、ポジティブフォトレジストである。

【0043】

ライン線幅が１００ｎｍ以上のライン及びスペースパターン（Ｌｉｎｅ ａｎｄ Ｓｐａｃｅ ｐａｔｔｅｒｎ）でスティッチング工程を進行する場合、ショット干渉の影響はライン線幅に比べて相対的に小さい。すなわち、１００ｎｍ以上ライン及びスペースパターン工程で、フォトレジスト反応の敏感度が低い。

【0044】

しかし、ラインの線幅が１００ｎｍ以下に減少するほど、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ）のエネルギ変化によるライン及びスペース（Ｌｉｎｅ ＆ Ｓｐａｃｅ）パターンが倒れずに立っている区間が減る。ラインの線幅が倒れずに残っている、すなわち有効な線幅になるためには適切なエネルギ範囲を露出させなければならない。露光エネルギの変化量に応じてＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）値が変動する。有効なエネルギ変動範囲は、エネルギラティテュード（Ｅｎｅｒｇｙ Ｌａｔｉｔｕｄｅ）となる。エネルギラチテュードが大きいほど安定的にスティッチング（Ｓｔｉｔｃｈｉｎｇ）パターン工程の形成が可能である。

【0045】

例えば、ＤＵＶリソグラフィ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）の場合、各ショット領域を越えて１０ｕｍまでローカルフレア効果（Ｌｏｃａｌ Ｆｌａｒｅ Ｅｆｆｅｃｔ）による干渉現象が生じる。

【0046】

１００ｎｍラインパターンの場合、線幅が１０～２０ｎｍ減る水準でラインパターンが形成される。しかし、５０ｎｍのラインパターンの場合、フレアの影響でフォトレジストはすべて消えてパターンが形成されない。

【0047】

本発明によると、基準エネルギ領域２０において、エネルギラチテュード（Ｅｎｅｒｇｙ Ｌａｔｉｔｕｄｅ）は約±９％であり、基準エネルギ領域２０は基準エネルギＢＥの露光エネルギを有する。１回干渉領域２２はショットの干渉が１回発生した領域であり、１回干渉でＢＥ＋Ａのエネルギ露出を有する。Ａは１回干渉によって追加された露光エネルギ（約６ｍＪ/ｃｍ＾２）である。３回干渉領域１２４はショットの干渉が３回発生した領域であり、３回干渉でＢＥ＋３Ａのエネルギ露出を有する。すなわち、ＢＥ＋Ａは基準エネルギＢＥに比べて１２５％であり、ＢＥ＋３Ａは基準エネルギＢＥに比べて＝１７５％である。

【0048】

１回干渉領域２２と３回干渉領域２４の干渉程度を確認した結果、１回干渉量ＡはＢＥの２０～３０％程度であり、約６ｍＪ/ｃｍ＾２である。例えば、基準エネルギＢＥは約２４ｍＪ/ｃｍ＾２であり、ＢＥ＋Ａは約３０ｍＪ/ｃｍ＾２である。ＢＥ＋３Ａは約４８ｍＪ/ｃｍ＾２である。すなわち、干渉回収に応じて、露光エネルギは基準エネルギＢＥに対比して比例して増加する。

【0049】

ＡｒＦ液浸リソグラフィ装備が提供できる最も小さいマスクのライン線幅は３８ｎｍである。より小さなマスクのラインパターンは、光が透過できなくなる。

【0050】

５０ｎｍのフォトレジストラインパターンをスティッチング工程を進行するためには、ポジティブフォトレジスト（ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ）である時、マスクの５０ｎｍライン（光がレチクルによって隠れる部分）とマスクの５０ｎｍスペース（光が透過する部分）で構成される。マスクのライン線幅とスペースの線幅の和はピッチ（Ｐｉｔｃｈ）である。

【0051】

干渉領域を含む基板の全面でフォトレジストのピッチは１００ｎｍであり、フォトレジストのライン線幅は５０ｎｍを有さなければならない。

【0052】

フォトレジストのライン及びスペースパターンで５０ｎｍのライン線幅を達成するための、露光エネルギの基準エネルギＢＥを１００％とした場合、干渉による超過エネルギ区間である３回干渉領域はＢＥ＋３Ａで、基準エネルギに比べて１７５％のエネルギをもらう。

【0053】

図４に示すように、３回干渉領域２４のエネルギは１７５％によって、フォトレジストのライン線幅は５０ｎｍではなく著しく減った線幅を有し、ＡｒＦ露光装置を用いた実験結果によれば、ラインパターンは崩壊される。

【0054】

一方、３回干渉領域２４のパターンを崩壊させないように、光学的近接補正（ＯＰＣ）が行う場合にも、１００ｎｍのマスクピッチで、マスク最小線幅はスペース幅３８ｎｍとライン６２ｎｍで構成（光透過部分を最小化する）される。マスク最小線幅であるスペース３８ｎｍは、露光装置の波長及びレンズの光学特性によって決まる。

【0055】

マスクのスペース幅３８ｎｍを適用する場合でも、フォトレジストの５０ｎｍライン線幅を具現するために、露光エネルギは約１６０％エネルギである。しかし、３回干渉領域には１７５％のエネルギが露出され、パターン形成が不可能である。

【0056】

結局、マスクに光学的近接補正（ＯＰＣ）によっても３８ｎｍ以下にこれ以上補正できない。したがって、３回干渉領域２４を有すると、フォトレジストのライン線幅５０ｎｍを有するスティッチングライン及びスペースパターンを形成することができない。

【0057】

図５は、本発明の一実施例によるマスクの線幅別に露光エネルギに応じるフォトレジストの線幅を示す実験結果である。

【0058】

図５に示すように、マスクピッチはマスクライン線幅の２倍である。マスクラインの線幅はそれぞれ４０ｎｍ（白丸）、４４ｎｍ（黒丸）、５０ｎｍ（灰丸）、６０ｎｍ（白四角）、７０ｎｍ（黒四角）、８０ｎｍ（灰四角）、９０ｎｍ（三角）である。したがって、マスクピッチはそれぞれ８０、８４、１００、１２０、１４０、１６０、１８０ｎｍである。

【0059】

５０ｎｍのマスクライン線幅に対して、ＡｒＦ露光装置の基準エネルギは２４ｍＪ/ｃｍ＾２である。露光エネルギが３６ｍＪ/ｃｍ＾２以上でフォトレジストパターンが形成されない。３回干渉領域は４２ｍＪ/ｃｍ＾２のエネルギを有するので、フォトレジストパターンが形成されない。

【0060】

６０ｎｍのマスクライン線幅に対して、基準エネルギは２３ｍＪ/ｃｍ＾２である。露光エネルギが４０ｍＪ/ｃｍ＾２以上でフォトレジストパターンが形成されない。３回干渉領域は４１ｍＪ/ｃｍ＾２（＝２３＋３ｘ６）のエネルギを有するので、フォトレジストパターンが形成されない。

【0061】

７０ｎｍのマスクライン線幅に対して、基準エネルギは２０ｍＪ/ｃｍ＾２である。露光エネルギが４６ｍＪ/ｃｍ＾２以上でフォトレジストパターンが形成されない。３回干渉領域は４２ｍＪ/ｃｍ＾２（＝２０＋３ｘ６）のエネルギを有するので、フォトレジストパターンの形成が可能である。しかし、３回干渉領域で、フォトレジストのライン線幅が著しく減少して、安定したワイヤグリッド偏光子特性を提供することができない。３回干渉領域で、フォトレジストの厚さが著しく減少して、後続エッチング工程が難しい。

【0062】

４０ｎｍ及び４４ｎｍのマスクライン線幅に対して、基準エネルギは約２３ｍＪ/ｃｍ＾２である。露光エネルギが約３４ｍＪ/ｃｍ＾２以上でフォトレジストパターンが形成されない。２回干渉領域は３５ｍＪ/ｃｍ＾２（２３＋２ｘ６）のエネルギを有するので、フォトレジストパターンが形成されない。

【0063】

本発明のスティッチング工程を使用すると、３回干渉領域を除去するので、５０ｎｍのマスクライン線幅（１００ｎｍピッチ）、及び６０ｎｍのマスクライン線幅（１２０ｎｍピッチ）でスティッチング工程が行われる。

【0064】

本発明のスティッチング工程を使用すると、４０ｎｍのマスクライン線幅（８０ｎｍピッチ）、及び４４ｎｍのマスクライン線幅（８８０ｎｍピッチ）で、３回干渉領域を除去し、後述した近接光学補正を通じてスティッチング工程が行われる。これによって、フォトレジストパターンが形成される。

【0065】

また、本発明のスティッチング工程を使用すると、７０ｎｍのマスクライン線幅（１４０ｎｍピッチ）又はそれ以上のピッチでスティッチング工程が行われる。本発明のスティッチング工程は、７０ｎｍのマスクライン線幅以上でも３回干渉領域を除去するので、安定したフォトレジストパターンを形成する。

【0066】

図６は、本発明の一実施例によるスティッチング工程を示す概念図である。

【0067】

図７は、図６のスティッチング工程を示す拡大図である。

【0068】

図８は、図６のショットを示す電子顕微鏡の写真である。

【0069】

図６ないし図８に示すように、ライン及びスペースパターン形成方法は、基板に第１方向（ｘ軸方向）と第２方向（ｙ軸方向）にマスクを露光してスティッチング工程を進行するライン及びスペースパターンを形成する。ライン及びスペースパターン形成方法は、前記第１方向に前記マスクの第１ショット１１２ａが互いに接触するように前記基板に第１露光工程を行う段階と、前記２方向に離隔して第１ショット（ｓｈｏｔｓ）とオフセットを有するように前記マスクの第２ショット１１２ｂが互いに接触するように前記基板に第２露光工程を行う段階と、を含む。

【0070】

第１ショット１１２ａ及び第２ショット１１２ｂは、基板１０を順次に露光する。露光装置はＡｒＦスキャナ、又はＡｒＦステッパである。

【0071】

基板１０は、半導体基板又はガラス基板である。基板１０上にコーティングされたフォトレジスト（図示せず）は、ポジティブフォトレジスト又はネガティブフォトレジストである。スティッチング露光工程後、ベーキング工程、現像工程を行う。フォトレジストのライン及びスペースパターンを形成した後、前記フォトレジストのライン及びスペースパターンをエッチングマスクで導電性膜をエッチングしてワイヤグリッドを形成する。前記基板１０は、ショットより大きいサイズに切断され、金属ワイヤグリッド偏光子３０を提供する。

【0072】

マスク（図示せず）は、すべての領域で同一のピッチと同一の線幅を有する。露光装置はマスク（図示せず）を１:１の倍率で露光する。

【0073】

第１ショット１１２ａと第２ショット１１２ｂとの間の前記オフセットは、干渉領域の幅Ｗより大きい。前記オフセットは、干渉領域の幅Ｗより大きい。前記干渉領域の幅Ｗは、約１０ｕｍである。好ましくは、第２ショット１１２ｂのオフセットは、前記第１ショットの第１方向大きさの半分（Ｄ/２）である。

【0074】

前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショット（ｓｈｏｔｓ）の各々は、基準エネルギで露光される基準エネルギ領域１２０と、前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショットの干渉によって前記基準エネルギＢＥより高いエネルギＢＥ＋Ａで露光される１回干渉領域１２２、１２３と、前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショットの干渉によって前記基準エネルギより高いエネルギＢＥ＋２Ａで露光される２回干渉領域１２４、１２６と、を含む。１回干渉領域１２２、１２３と２回干渉領域１２４、１２６の干渉程度を確認した結果、第１回干渉量ＡはＢＥの２０～３０％程度である。

【0075】

前記ライン及びスペースパターンにおいて、ラインの線幅は基準エネルギ領域１２０で５０ｎｍである。基準エネルギはマスクのライン線幅を希望するフォトレジストの希望する線幅にパターニングするために設定された露光エネルギである。前記基準エネルギはマスクのピッチによって決定される。

【0076】

図８に示すように、光学的近接補正が行われていないマスクが使用される。マスクのピッチは１００ｎｍで、マスクのライン線幅は５０ｎｍである。基準エネルギ領域１２０のフォトレジストのライン幅は約５０ｎｍである。１回干渉領域１２２、１２３のフォトレジストのライン幅は約４０ｎｍである。２回干渉領域１２４、１２６のラインの線幅は約３８ｎｍである。

【0077】

前記ライン及びスペースパターンのピッチは、前記第１ショット１１２ａ及び前記第２ショット１１２ｂで同一であり、前記ライン及びスペースパターンのライン線幅は干渉領域によって３８ｎｍないし５０ｎｍである。

【0078】

したがって、同一のピッチで干渉領域に応じてライン線幅が変更されることによって偏光子の特性が変更される。したがって、すべての干渉領域で実質的に同一のライン線幅を提供するようにマスクに光学的近接補正（ＯＰＣ）が求められる。

【0079】

１回干渉領域１２２、１２３に対する第１光学的近接補正は同一のピッチを有し、マスクのラインの線幅を第１変動量だけ増加させる。２回干渉領域１２４、１２６に対する第２光学的近接補正は同一のピッチを有し、ラインの線幅を第２変動量だけ増加させる。前記第２変動量は前記第１変動量より大きく、前記第１変動量は前記１回干渉領域の露光エネルギと干渉のない領域の基本露光エネルギの差Ａに比例する。前記１回干渉領域の露光エネルギと干渉のない領域の基本露光エネルギの差は１回干渉量Ａであり、ＢＥの２０～３０％程度である。

【0080】

図９は、本発明の一実施例による同一のピッチでマスクのライン線幅にしたがう露光エネルギに応じるフォトレジストのライン線幅を表示する実験結果である。

【0081】

図９に示すように、フォトレジストはポジティブフォトレジストである。マスクのピッチは１００ｎｍで、ラインの線幅はそれぞれ５０ｎｍ、５６ｎｍ、又は６０ｎｍである。露光工程はＡｒＦ液浸スキャナ工程を通じて１:１倍率で露光された。

【0082】

マスクのライン線幅が５０ｎｍの場合（四角）、露光及び現像工程の後、フォトレジストのライン線幅が露光エネルギに応じて表示される。

【0083】

マスクのライン線幅が５６ｎｍの場合（三角）、露光及び現像工程の後、フォトレジストのライン線幅が露光エネルギに応じて表示される。

【0084】

マスクのライン線幅が６０ｎｍの場合（円）、露光及び現像工程の後、フォトレジストのライン線幅が露光エネルギに応じて表示される。

【0085】

マスクのライン線幅が５０ｎｍの場合（四角）、５０ｎｍのフォトレジストのライン線幅を得るための基準露光エネルギＢＥは約２４ｍＪ/ｃｍ＾２である。

【0086】

１回干渉領域は、基準エネルギＢＥより高いエネルギＢＥ＋Ａで露光される。したがって、１回干渉領域の露光エネルギＢＥ＋Ａは３０ｍＪ/ｃｍ＾２であり、マスクのライン線幅が５６ｎｍの場合（三角）、フォトレジストのライン線幅が５０ｎｍである。

【0087】

２回干渉領域は、基準エネルギＢＥより高いエネルギＢＥ＋２Ａで露光される。したがって、２回干渉領域の露光エネルギＢＥ＋２Ａは３６ｍＪ/ｃｍ＾２であり、マスクのライン線幅が６０ｎｍの場合（円）、フォトレジストのライン線幅が５０ｎｍである。

【0088】

結論として、１回干渉領域のライン線幅が５０ｎｍを維持するように、マスクのライン線幅は５６ｎｍを有するように光学的近接補正が設定される。２回干渉領域のライン線幅が５０ｎｍを維持するように、マスクのライン線幅は６０ｎｍを有するように光学的近接補正が設定される。

【0089】

図５及び図９に戻ると、図５の４０ｎｍ及び４４ｎｍのマスクライン線幅に対して、基準エネルギは２３ｍＪ/ｃｍ＾２である。露光エネルギが約３４ｍＪ/ｃｍ＾２以上でフォトレジストパターンが形成されない。２回干渉領域は３５ｍＪ/ｃｍ＾２（２３＋２ｘ６）のエネルギを有するので、フォトレジストパターンが形成されない。

【0090】

しかし、図５及び図９に示すように、マスクの光学的近接補正を通じて、同一のピッチでマスクのライン線幅を増加させると、露光エネルギによるフォトレジストのライン線幅は右上部に移動される。例えば、４４ｎｍのマスクライン線幅（ピッチ８８ｎｍ）に対して、２回干渉領域に対してマスクの光学的近接補正を通じて５０ｎｍのマスクライン線幅（ピッチ８８ｎｍ）で光学的近接補正すれば、フォトレジストパターンが可能である。

【0091】

図５及び図９に示すように、例えば、４０ｎｍのマスクライン線幅（ピッチ８０ｎｍ）に対して、２回干渉領域に対してマスクの光学的近接補正を通じて４２ｎｍのマスクライン線幅（ピッチ８０ｎｍ）に補正すれば、フォトレジストパターンが遂行される。

【0092】

本発明の変形された実施例によれば、オフセットを有するスティッチング工程において、１回干渉領域及び２回干渉領域のうちいずれかの領域にのみ近接光学補正を行う。好ましくは、２回干渉領域にのみ近接光学補正を行う。

【0093】

図１０Ａは、本発明の一実施例によるＯＰＣのないマスクとレジストの領域別特性を示す概念図である。

【0094】

図１０Ｂは、本発明の一実施例によるＯＰＣを有するマスクとレジストの領域別特性を示す概念図である。

【0095】

図１０Ａに示すように、ＯＰＣのないマスクは１００ｎｍのピッチＰを有すると、マスクのライン線幅は５０ｎｍであり、マスクのスペース幅は５０ｎｍである。

【0096】

フォトレジストの基準エネルギ領域１２０は、ＢＥ（約２４ｍＪ/ｃｍ＾２）の露光エネルギを有する。フォトレジストの１回干渉領域１２２、１２３は、ＢＥ＋Ａ（約３０ｍＪ/ｃｍ＾２）の露光エネルギを有する。フォトレジストの２回干渉領域１２４、１２６は、ＢＥ＋２Ａ（約３６ｍＪ/ｃｍ＾２）の露光エネルギを有する。１回干渉領域１２２、１２３は、６ｍＪのフレア干渉によってフォトレジストの高さが減少する。フォトレジストの２回干渉領域１２４、１２６は、１２ｍＪのフレア干渉によってフォトレジストの高さが減少する。

【0097】

もし、３回干渉領域があると仮定すると、１８ｍＪのフレア干渉によってフォトレジストの高さがさらに減少する。これによって、３回干渉領域を有するスティッチング工程は、低いフォトレジストの厚さに起因し、制限的な下部エッチング工程を進行すない。

【0098】

しかし、本発明は３回干渉領域を除去する。本発明は、１回干渉領域と２回干渉領域のみを有する。本発明のスティッチング工程はフォトレジストの厚さ減少を抑制し、後続エッチング工程が安定的に進行される。

【0099】

図１０Ｂに示すように、ＯＰＣを有するマスクは１００ｎｍのピッチＰを有すると、マスクのライン線幅は干渉領域別に５０ｎｍ、５６ｎｍ、６０ｎｍであり、マスクのスペース幅は干渉領域別に５０ｎｍ、４４ｎｍ、４０ｎｍである。

【0100】

基準エネルギマスク領域３１１は、基本マスク線幅ＬＷを有する。前記１回干渉マスク領域３１２ａ、３１２ｂ、３１６ａ、３１６ｂ、３１７ａ、３１７ｂは、前記第１マスク線幅ＬＷ１を有する。前記２回干渉マスク領域３１３ａ、３１３ｂ、３１４ａ、３１４ｂ、３１５ａ、３１５ｂは、前記第２マスク線幅ＬＷ２を有する。前記第２マスク線幅ＬＷ２は前記第１マスク線幅ＬＷ１より大きく、前記第１マスク線幅ＬＷ１は前記基本マスク線幅ＬＷより大きい。前記１回干渉マスク領域３１２ａ、３１２ｂ、３１６ａ、３１６ｂ、３１７ａ、３１７ｂは、クロムパターンの線幅を増加させて露出エネルギプロファイルを減少させる。これによって、フォトレジストの線幅が増加する。

【0101】

すなわち、基準エネルギマスク領域３１１の基本マスクスペース幅ＳＷ＝Ｐ－ＬＷは５０ｎｍである。前記１回干渉マスク領域３１２ａ、３１２ｂ、３１６ａ、３１６ｂ、３１７ａ、３１７ｂの第１マスクスペース幅ＳＷ１＝Ｐ－ＬＷ１は４４ｎｍである。前記２回干渉マスク領域３１３ａ、３１３ｂ、３１４ａ、３１４ｂ、３１５ａ、３１５ｂの第２マスクスペース幅ＳＷ２＝Ｐ－ＬＷ２は４０ｎｍである。減少したスペース幅によってフォトレジストのスペース幅が５０ｎｍを維持するように減少する。すなわち、減少したスペース幅によってフォトレジストのライン線幅が５０ｎｍを維持するように増加する。

【0102】

フォトレジストの基準エネルギ領域２２０はＢＥ（約２４ｍＪ/ｃｍ＾２）の露光エネルギを有する。フォトレジストの１回干渉領域２２２、２２３は、ＢＥ＋Ａ（約３０ｍＪ/ｃｍ＾２）の露光エネルギを有するが、狭くなったエネルギプロファイルを有する。フォトレジストの２回干渉領域２２４、２２６はＢＥ＋２Ａ（約３６ｍＪ/ｃｍ＾２）の露光エネルギを有するが狭くなったエネルギプロファイルを有する。減少したエネルギプロファイルによって、フォトレジストのスペース幅が減少する。

【0103】

したがって、フォトレジストの１回干渉領域２２２、２２３及びフォトレジストの２回干渉領域２２４、２２６は、いずれも同一の５０ｎｍの線幅を有する。これによって、金属ワイヤグリッド偏光子は、安定した特性を提供する。
図１１Ａは、本発明の一実施例において、１００ｎｍのマスクピッチで露光エネルギの差によるマスクの光学的近接補正の変動量を示す。

【0104】

図１１Ａに示すように、すべての干渉領域で同一のフォトレジストのライン線幅である５０ｎｍを得るために、露光エネルギ差によるマスクの光学的近接補正の変動量が見られる。１回干渉による干渉量はＡであり、２回干渉による干渉量は２Ａ、３回干渉による干渉量は３Ａである。１回干渉による干渉量Ａを光学的近接補正するために、マスクのライン線幅は５０ｎｍから５６ｎｍに補正される。２回干渉による干渉量２Ａを光学的近接補正するために、マスクのライン線幅は５０ｎｍから６０ｎｍに補正される。

【0105】

一方、３回干渉による干渉量３Ａを光学的近接補正するために、マスクのライン線幅は５０ｎｍから約６５ｎｍに補正される。しかし、マスクのライン線幅が６５ｎｍの場合、スペースの線幅は３５ｎｍ（１００－６５ｎｍ）である。この場合、ＡｒＦ露光装置は装置の限界によってパターンを形成しない。したがって、このような条件は達成できない。マスクのライン線幅を６２ｎｍ補正（ＡｒＦ ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ装備の限界）後、３回干渉領域を露光実験したが、フォトレジストの高さが著しく低くなり、線幅もまた４０ｎｍも近接できず崩れる。

【0106】

図１１Ｂは、本発明の一実施例において、１２０ｎｍのマスクピッチで露光エネルギの差によるマスクの光学的近接補正の変動量を示す。

【0107】

図１１Ｂに示すように、すべての干渉領域で、同一のフォトレジストのライン線幅である６０ｎｍを得るために、露光エネルギ差によるマスクの光学的近接補正の変動量が見られる。１回干渉による干渉量はＡであり、２回干渉による干渉量は２Ａ、３回干渉による干渉量は３Ａである。１回干渉による干渉量Ａを光学的近接補正するために、マスクのライン線幅は６０ｎｍから６６ｎｍに補正される。２回干渉による干渉量２Ａを光学的近接補正するために、マスクのライン線幅は６０ｎｍから７０ｎｍに補正される。

【0108】

３回干渉による干渉量３Ａを光学的近接補正するために、マスクのライン線幅は６０ｎｍから７５ｎｍに補正される。しかし、マスクのライン線幅が７５ｎｍの場合、スペースの線幅は４５ｎｍ（１２０-７５ｎｍ）である。ＡｒＦ露光装置は７５ｎｍのマスクライン線幅でフォトレジストパターンを形成できるが、フォトレジストパターンの高さが著しく減少する。したがって、後続エッチング工程が進行しにくい。フォトレジストの高さの差は今後ワイヤグリッド偏光板の透過率性能低下の原因となる。

【0109】

図１２は、本発明の一実施例による光学的近接補正を行ったマスクを使用してフォトレジストのショットを示す電子顕微鏡写真である。

【0110】

図１２に示すように、光学的近接補正を行ったマスクを使用してオフセットを有するスティッチング工程を行う場合、第１ショット２１２ａ及び第２ショット２１２ｂそれぞれは基準エネルギ領域２２０はＢＥ（約２４ｍＪ/ｃｍ＾２）の露光エネルギを有する。１回干渉領域２２２、２２３はＢＥ＋Ａ（約３０ｍＪ/ｃｍ＾２）の露光エネルギを有する。２回干渉領域２２４、２２６はＢＥ＋２Ａ（約３６ｍＪ/ｃｍ＾２）の露光エネルギを有する。

【0111】

前記基準エネルギ領域２２０は、四角形状のショット内に配置された四角形状であり、ショットの中心に配置され、前記１回干渉領域２２２、２２３は前記基準エネルギ領域を囲むように辺に配置され、前記２回干渉領域２２４、２２６は基準エネルギ領域の頂点及び前記第１方向の一対の頂点の間に局部的に配置される。

【0112】

マスクとフォトレジストパターンの倍率が１の場合に対して説明する。前記１回干渉領域に対応する前記マスクの１回干渉マスク領域は、前記基準エネルギ領域に対応する前記マスクの基準エネルギマスク領域の基本マスク線幅より大きい第１マスク線幅を有する。

【0113】

前記２回干渉領域に対応する前記マスクの２回干渉マスク領域は、前記基準エネルギ領域に対応する前記マスクの基準エネルギマスク領域のマスク線幅より大きい第２マスク線幅を有する。

【0114】

したがって、１回干渉領域で、５０ｎｍのフォトレジストのライン線幅を得るために、対応するマスクのライン線幅は５６ｎｍに増加される。一方、２回干渉領域で、５０ｎｍのフォトレジストのライン線幅を得るために、対応するマスクのライン線幅は６０ｎｍに増加される。

【0115】

本発明の実験結果によれば、基準エネルギ領域２２０の線幅は５０ｎｍであり、１回干渉領域２２２、２２３でライン線幅は５０ｎｍであり、２回干渉領域２２４、２２６の線幅は４８ｎｍである。したがって、２回干渉領域２２４、２２６は目標値である５０ｎｍより２ｎｍの差があるが、誤差範囲内に入る。したがって、光学的近接補正はショットの干渉に依存しない均一なライン及びスペースパターンを形成する。

【0116】

本発明の変形された実施例によれば、前記ライン及びスペースパターンのピッチは、前記第１ショット２１２ａｓ及び前記第２ショット２１２ｂで同一であり、前記ライン及びスペースパターンのライン線幅は３８ｎｍないし５０ｎｍである。

【0117】

本発明の実験は、ＡｒＦ液浸露光装置を用いて行われたが、ＥＵＶ露光装置にも同様に適用される。

【0118】

図１３は、本発明の一実施例による光学的近接補正を行ったマスクを示す概念図である。

【0119】

図１３に示すように、光学的近接補正を行ったマスク３１４は、マスク基板３１０上に第１方向と第２方向に形成された四角形状の基準エネルギマスク領域３１１と、前記基準エネルギマスク領域３１１を囲むように辺に配置された１回干渉マスク領域３１２ａ、３１２ｂ、３１６ａ、３１６ｂ、３１７ａ、３１７ｂと、前記基準エネルギマスク領域の頂点及び前記第１方向の一対の頂点の間に局部的に配置される２回干渉マスク領域３１３ａ、３１３ｂ、３１４ａ、３１４ｂ、３１５ａ、３１５ｂと、を含む。１回干渉マスク領域３１２ａ、３１２ｂ、３１６ａ、３１６ｂ、３１７ａ、３１７ｂの幅Ｗ’は、ショットの干渉領域の幅Ｗに対応する。

【0120】

前記基準エネルギマスク領域３１１は、基本マスク線幅を有する。前記１回干渉マスク領域３１２ａ、３１２ｂ、３１６ａ、３１６ｂ、３１７ａ、３１７ｂは、前記第１マスク線幅を有する。前記２回干渉マスク領域３１３ａ、３１３ｂ、３１４ａ、３１４ｂ、３１５ａ、３１５ｂは、前記第２マスク線幅を有する。前記第２マスク線幅は前記第１マスク線幅より大きく、前記第１マスク線幅は前記基本マスク線幅より大きい。前記１回干渉マスク領域３１２ａ、３１２ｂ、３１６ａ、３１６ｂ、３１７ａ、３１７ｂは、クロムパターンの線幅を増加させて露出エネルギプロファイルを減少させる。これによって、フォトレジストの線幅が増加する。

【0121】

光学的近接補正を行ったマスク３１４は、四角形の基準エネルギマスク領域３１１と、前記基準エネルギマスク領域３１１の左側及び右側にそれぞれ配置された左側領域３１２ａ及び右側領域３１２ｂと、前記基準エネルギマスク領域３１１の左側上部及び右側上部にそれぞれ配置された左側上部頂点領域３１３ａ及び 右側上部頂点領域３１３ｂと、前記基準エネルギマスク領域３１１の左側下部及び右側下部にそれぞれ配置された左側下部頂点領域３１４ａ及び右側下部頂点領域３１４ｂと、前記基準エネルギマスク領域３１１の上部に配置された上部領域３１５ａと、前記上部領域３１５ａと前記左側上部頂点領域３１３ａとの間に配置された左側上部領域と、前記上部領域３１５ａと前記右側上部頂点領域３１３ｂとの間に配置された右側上部領域３１６ｂと、前記基準エネルギマスク領域３１１の下部に配置された下部領域３１５ｂと、前記下部領域３１５ｂと前記左側下部頂点領域３１４ａとの間に配置された左側下部領域３１７ａと、前記下部領域３１５ｂと前記右側下部頂点領域３１５ｂとの間に配置された右側下部頂点領域３１４ｂと、を含む。

【0122】

前記基準エネルギマスク領域３１１のライン線幅は、基本マスク線幅である。前記左側領域３１２ａ、右側領域３１２ｂ、左側上部領域３１６ａ、右側上部領域３１６ｂ、左側下部領域３１７ａ、及び右側下部領域３１７ｂのライン線幅は、第１マスク線幅である。前記上部領域３１５ａ、前記下部領域３１５ｂ、左側上部頂点領域３１３ａ、右側上部頂点領域３１３ｂ、左側下部頂点領域３１４ａ、及び右側下部頂点領域３１４ｂの線幅は、第２マスク線幅である。前記第２マスク線幅は前記第１マスク線幅より大きく、前記第１マスク線幅は前記基本マスク線幅より大きい。

【0123】

マスクパターンとフォトレジストパターンの倍率が１:１の場合、前記基本マスク線幅は５０ｎｍであり、前記第１マスク線幅は５６ｎｍであり、前記第２マスク線幅は６０ｎｍである。

【0124】

マスクパターンとフォトレジストパターンの倍率が４:１の場合、前記基本マスク線幅は５０ｘ４ｎｍであり、前記第１マスク線幅は５６ｘ４ｎｍであり、前記第２マスク線幅は６０ｘ４ｎｍである。

【0125】

図１４は、本発明の他の実施例によるスティッチング工程を示す拡大図である。

【0126】

図１５は、本発明の他の実施例にスティッチング工程を行うマスクを示す図面である。

【0127】

図１４及び図１５に示すように、光学的近接補正を行ったマスクを使用してスティッチング工程を行った結果である。ライン及びスペースパターン形成方法は、基板に第１方向と第２方向にマスク５００を露光してスティッチング工程を進行する。ライン及びスペースパターン形成方法は、前記第１方向に前記マスクの第１ショット４１２ａが互いに接触するように前記基板に第１露光工程を行う段階と、前記２方向に離隔して前記第１ショット４１２ａと前記第１方向のオフセットを有するように前記マスクの第２ショット４１２ｂが互いに接触するように前記基板に第２露光工程を行う段階と、を含む。前記オフセットは、前記ショットの干渉領域の幅Ｗより大きい。

【0128】

前記第１ショット４１２ａ及び前記第２ショット４１２ｂの各々は、基準エネルギで露光される基準エネルギ領域４２０と、前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショットの干渉によって前記基準エネルギより高いエネルギを有する１回干渉領域４２２、４２３と、前記第１ショット（ｓｈｏｔｓ）及び前記第２ショットの干渉によって前記基準エネルギより高いエネルギを有する２回干渉領域４２４、４２６と、を含む。

【0129】

前記１回干渉領域４２２、４２３に対応するマスク５００の１回干渉マスク領域５１２ａ、５１２ｂ、５１６ａ、５１６ｂ、５１７ａ、５１７ｂは、前記基準エネルギ領域４２０に対応する前記マスクの基準エネルギマスク領域５１１の基本マスク線幅より大きい第１マスク線幅を有する。

【0130】

前記２回干渉領域４２４、４２６に対応する前記マスク５００の２回干渉マスク領域５１３ａ、５１３ｂ、５１４ａ、５１４ｂ、５１５ａ、５１５ｂは、前記基準エネルギ領域に対応する前記マスクの基準エネルギマスク領域のマスク線幅より大きい第２マスク線幅を有する。

【0131】

前記ライン及びスペースパターンのピッチは、前記第１ショット４１２ａ及び前記第２ショット４１２ｂで同一であり、前記ライン及びスペースパターンのライン線幅は３８ｎｍないし５０ｎｍである。

【0132】

前記基準エネルギ領域４２０は、四角形状のショット内に配置された四角形状であり、ショットの中心に配置される。前記１回干渉領域４２２、４２３は、前記基準エネルギ領域を囲むように辺に配置される。

【0133】

前記２回干渉領域４２４、４２６は、基準エネルギ領域４２０の頂点及び前記第１方向の一対の頂点の間に局部的に配置される。

【0134】

前記マスク５００は、四角形の基準エネルギマスク領域５１１と、前記基準エネルギマスク領域の左側及び右側にそれぞれ配置された左側領域５１２ａ及び右側領域５１２ｂと、前記基準エネルギマスク領域５１１の左側上部及び右側上部にそれぞれ配置された左側上部頂点領域５１３ａ及び右側上部頂点領域５１３ｂと、前記基準エネルギマスク領域５１１の左側下部及び右側下部にそれぞれ配置された左側下部頂点領域５１４ａ及び右側下部頂点領域５１４ｂと、前記基準エネルギマスク領域５１１の上部に配置された上部領域５１５ａと、前記上部領域５１５ａと前記左側上部頂点領域５１３ａとの間に配置された左側上部領域５１６ａと、前記上部領域５１５ａと前記右側上部頂点領域５１３ｂとの間に配置された右側上部領域５１６ｂと、前記基準エネルギマスク領域５１１の下部に配置された下部領域５１５ｂと、前記下部領域５１５ｂと前記左側下部頂点領域５１４ａとの間に配置された左側下部領域５１７ａと、前記下部領域５１５ｂと前記右側下部頂点領域５１４ｂとの間に配置された右側下部領域５１７ａと、を含む。

【0135】

前記基準エネルギマスク領域５１１の線幅は基本マスク線幅である。前記左側領域５１２ａ、右側領域５１２ｂ、左側上部領域５１６ａ、右側上部領域５１６ｂ、左側下部領域５１７ａ、及び右側下部領域５１７ｂの線幅は第１マスク線幅である。前記上部領域５１５ａ、前記下部領域５１５ｂ、左側上部頂点領域５１３ａ、右側上部頂点領域５１３ｂ、左側下部頂点領域５１４ａ、及び右側下部頂点領域５１４ｂの線幅は第２マスク線幅である。前記第２マスク線幅は前記第１マスク線幅より大きく、前記第１マスク線幅は前記基本マスク線幅より大きい。

【0136】

マスクとフォトレジストパターンの倍率が１:１の場合、前記基本マスク線幅は５０ｎｍであり、前記第１マスク線幅は５６ｎｍであり、前記第２マスク線幅は６０ｎｍである。

【0137】

図１６は、本発明の他の実施例によるネガティヴフォトレジストの線幅を示す。

【0138】

図１６に示すように、フォトレジストはネガティブフォトレジストである。マスクのピッチは１００ｎｍで、ラインの線幅は５０ｎｍ、５６ｎｍ、又は６０ｎｍである。露光工程はＡｒＦ液浸スキャナ工程を通じて１:１倍率で露光された。

【0139】

マスクのライン線幅が５０ｎｍの場合（四角）、露光及び現像工程の後、フォトレジストのライン線幅が露光エネルギに応じて表示される。

【0140】

マスクのライン線幅が５６ｎｍの場合（三角）、露光及び現像工程の後、フォトレジストのライン線幅が露光エネルギに応じて表示される。

【0141】

マスクのライン線幅が６０ｎｍの場合（円）、露光及び現像工程の後、フォトレジストのライン線幅が露光エネルギに応じて表示される。

【0142】

マスクのライン線幅が５０ｎｍの場合（四角）、５０ｎｍのフォトレジストのライン線幅を得るための基準露光エネルギＢＥは約２０ｍＪ/ｃｍ＾２である。

【0143】

１回干渉領域は、基準エネルギＢＥより高いエネルギＢＥ＋Ａで露光される。したがって、１回干渉領域の露光エネルギＢＥ＋Ａは２４ｍＪ/ｃｍ＾２であり、マスクのライン線幅が５６ｎｍの場合（三角）、フォトレジストのライン線幅が５０ｎｍである。

【0144】

２回干渉領域は、基準エネルギＢＥより高いエネルギＢＥ＋２Ａで露光される。したがって、２回干渉領域の露光エネルギＢＥ＋２Ａは２８ｍＪ/ｃｍ＾２であり、マスクのライン線幅が６０ｎｍの場合（円）、フォトレジストのライン線幅が５０ｎｍである。

【0145】

結論として、１回干渉領域のライン線幅が５０ｎｍを維持するように、マスクのライン線幅は５６ｎｍを有するように光学的近接補正が設定される。２回干渉領域のライン線幅が５０ｎｍを維持するように、マスクのライン線幅は６０ｎｍを有するように光学的近接補正が設定される。

【0146】

図１７は、ライン及びスペースパターン形成用マスクの製造方法を説明する流れ図である。

【0147】

図１７に示すように、ライン及びスペースパターン形成用マスクの製造方法は、基板に第１方向と第２方向にライン及びスペースパターンを形成するための第１マスクを露光して第１スティッチング工程を進行する段階Ｓ１１０と、第１スティッチング工程によってショット（ｓｈｏｔｓ）の１回干渉によって干渉のない基準エネルギより高いエネルギを有する１回干渉領域の露光エネルギ又は線幅を測定する段階Ｓ１２０と、前記第１スティッチング工程によってショット（ｓｈｏｔｓ）の２回干渉によって基準エネルギより高いエネルギを有する２回干渉領域の露光エネルギ又は線幅を測定する段階Ｓ１３０と、前記１回干渉領域の露光エネルギ又は線幅に基づいて、前記１回干渉領域に対応する前記第１マスクの１回干渉マスク領域に線幅を増加させるように第１光学的近接補正を行い、前記２回干渉領域の露光エネルギ又は線幅に基づいて、前記２回干渉領域に対応する前記第１マスクの２回干渉マスク領域に線幅を増加させるように第２光学的近接補正を行い、第２マスクを形成する段階Ｓ１４０と、を含む。

【0148】

前記第１スティッチング工程Ｓ１１０は、前記第１方向に前記第１マスクの第１ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第１露光工程を行う段階と、前記２方向に離隔して第１ショット（ｓｈｏｔｓ）とオフセットを有するように前記第１マスクの第２ショット（ｓｈｏｔｓ）が互いに接触するように前記基板に第２露光工程を行う段階と、を含む。

【0149】

前記第１光学的近接補正は同一のピッチを有し、ラインの線幅を第１変動量だけ増加させる。前記第２光学的近接補正は同一のピッチを有し、ラインの線幅を第２変動量だけ増加させる。前記第２変動量は前記第１変動量より大きく、前記第１変動量は前記１回干渉領域の露光エネルギと干渉のない領域の基本露光エネルギとの差に比例する。

【0150】

その次に、第１光学的近接補正及び第２光学的近接補正が行われた第２マスクでスティッチング工程を進行する。

【0151】

本発明を特定の好ましい実施例に対して図示して説明したが、本発明はこのような実施例に限らず、当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が特許請求の範囲で請求する本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で実施できる多様な形態の実施例を全て含む。

【図面の簡単な説明】

【0152】

【図1】本発明の一実施例によるスティッチング工程によって基板全体を露光することを説明する概念図である。

【図2】図１のスティッチング工程によるショットの干渉形態を示す拡大図である。

【図3】図２のショットの干渉形態を示す電子顕微鏡写真である。

【図4】マスクピッチ（Ｐ＝１００ｎｍ）とマスクライン線幅（ＬＷ＝５０ｎｍ）の条件で露光エネルギに応じるフォトレジストのライン線幅を示すグラフである。

【図5】本発明の一実施例によるマスクの線幅別に露光エネルギに応じるフォトレジストの線幅を示す実験結果である。

【図6】本発明の一実施例によるスティッチング工程を示す概念図である。

【図7】図６のスティッチング工程を示す拡大図である。

【図8】図６のショットを示す電子顕微鏡の写真である。

【図9】本発明の一実施例による同一のピッチでマスクのライン線幅にしたがう露光エネルギに応じるフォトレジストのライン線幅を表示する実験結果である。

【図10A】本発明の一実施例によるＯＰＣのないマスクとレジストの領域別特性を示す概念図である。

【図10B】本発明の一実施例によるＯＰＣを有するマスクとレジストの領域別特性を示す概念図である。

【図11A】本発明の一実施例において、１００ｎｍのマスクピッチで露光エネルギの差に応じるマスクの光学的近接補正の変動量を示す。

【図11B】本発明の一実施例において、１２０ｎｍのマスクピッチで露光エネルギの差に応じるマスクの光学的近接補正の変動量を示す。

【図12】本発明の一実施例による光学的近接補正を行ったマスクを使用してフォトレジストのショットを示す電子顕微鏡写真である。

【図13】本発明の一実施例による光学的近接補正を行ったマスクを示す概念図である。

【図14】本発明の他の実施例によるスティッチング工程を示す拡大図である。

【図15】本発明の他の実施例にスティッチング工程を行うマスクを示す図面である。

【図16】本発明の他の実施例によるネガティヴフォトレジストの線幅を示す。

【図17】ライン及びスペースパターン形成用マスクの製造方法を説明する流れ図である。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10A】

【図10B】

【図11A】

【図11B】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】