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特許 7567400出願番号 特願 2020-195824
振動デバイス
出願人 セイコーエプソン株式会社（識別番号 2369）
2026年 特許公開件数ランキング 7位 1,592件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 17位 849件（※）
公報発行日 2024年10月16
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7567400 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
振動デバイス等
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
発振回路の発振信号に基づくクロック信号を出力する出力バッファー回路は、他の回路ブロックに比べて消費電力が大きく発熱しやすい。そして上述の特許文献１では、増幅回路である出力バッファー回路と温度センサー回路が同一のＩＣチップに形成されているため、温度センサー回路は、出力バッファー回路における発熱の影響を受けやすい。一方、特許文献１では、出力バッファー回路と振動素子は、ＩＣチップ及び振動素子を収容しているパッケージの内部配線等を介して接続されている。従って、出力バッファー回路と振動素子の間では、出力バッファー回路と温度センサー回路との間と比較して、熱が伝わりにくい。このため、特許文献１のような構造を用いて温度補償型の発振器を構成すると、出力バッファー回路の発熱の影響により、温度センサー回路の検出温度と振動素子の実温度との間に誤差が生じてしまう。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示の一態様は、第１面と前記第１面と表裏関係にある第２面とを有する半導体基板と、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通電極を含むベースと、前記第１面に対して、導電性の接合部材を介して固定される振動素子と、を含み、前記第２面には、前記貫通電極を介して前記振動素子に電気的に接続され、前記振動素子を発振させて発振信号を生成する発振回路と、温度センサー回路と、前記温度センサー回路の出力に基づい・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本実施形態の振動デバイスの構成例を示す断面図。
【図2】
本実施形態の振動デバイスの具体的な構成例を示す断面図。
【図3】
振動デバイスの振動素子の一例を示す平面図。
【図4】
集積回路の構成例を示す図。
【図5】
発振回路の構成例を示す図。
【図6】
出力バッファー回路の構成例を示す図。
【図7】
振動デバイスの製造方法の一例を示す製造工程図。
【図8】
出力バッファー回路、温度センサー回路、貫通電極の配置関係を示す平面図。
【図9】
外部接続端子の配置例を示す平面図。
【図10】
出力バッファー回路、温度センサー回路、貫通電極の配置関係を示す平面図。
【図11】
貫通電極と集積回路の各回路の配置関係を示す平面図。
【図12】
貫通電極と集積回路の各回路の配置関係の別の例を示す平面図。
【図13】
貫通電極の他の例を示す断面図。
【図14】
出力バッファー回路の出力ドライバーの他の構成例を示す図。
【図15】
出力バッファー回路の出力ドライバーの他の構成例を示す図。
【図16】
外部接続端子の他の配置例を示す平面図。
代表図 図1本件の代表的な図
１…振動デバイス、２…ベース、５…振動素子、７…リッド、８…再配置配線層、１０…集積回路、１１…発振回路、１２…出力バッファー回路、１３…ロジック回路、１４…電源回路、１５…温度補償回路、１６…温度センサー回路、１７…メモリー、２０…半導体基板、２１…第１面、２２…第２面、２３、２４…トランジスター、２５…素子分離膜、３０…配線層、３１、３２…金属層、３３、３４、３５…絶縁層、３６、３７、３８、３９…コンタクトパッド、４０、４１…貫通電極、４４…絶縁層、４５…樹脂層、５０…振動基板、５２、５３…励振電極、５４、５５…配線、５６、５７…端子、６０、６１…接合部材、６２…バンプ、６４…端子、６８、６９…コンタクトパッド、７１、７２…接合部材、８０…絶縁層、８２…配線、９１、９１ａ、９１ｂ、９２、９３、９４、９５…外部接続端子、１０１…第１金属層、１０２…第２金属層、
ＣＫ、ＣＫＸ…クロック信号、ＣＬ…中心線、ＣＶ１、ＣＶ２…可変容量回路、ＤＶ１、ＤＶ２…インバーター回路、ＩＶ１、ＩＶ２、ＩＶ３…インバーター回路、ＬＡ、ＬＢ…配線、ＮＡ…ＮＡＮＤ回路、ＯＥ…出力イネーブル信号、ＯＳＣ…発振信号、ＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３、ＳＤ４…辺、ＳＰ…収容空間、ＴＣＫ、ＴＧＮＤ、ＴＯＥ、ＴＶＣ、ＴＶＤＤ、ＴＸＡ、ＴＸＢ…端子、ＶＬ…仮想線、Ｄｂｘ１、Ｄｂｘ２，Ｄｓｘ１、Ｄｓｘ２、Ｄｓｘ…距離
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