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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-07
(45)【発行日】2024-10-16
(54)【発明の名称】インダクタ部品
(51)【国際特許分類】
H01F 17/04 20060101AFI20241008BHJP
H01F 17/00 20060101ALI20241008BHJP
H01F 27/25 20060101ALI20241008BHJP
【ＦＩ】
H01F17/04 F
H01F17/04 A
H01F17/00 C
H01F27/25
【請求項の数】
11
(21)【出願番号】P 2023502202
(86)(22)【出願日】2022-01-27
(86)【国際出願番号】 JP2022003072
(87)【国際公開番号】W WO2022181186
(87)【国際公開日】2022-09-01
【審査請求日】2023-08-04
(31)【優先権主張番号】P 2021030988
(32)【優先日】2021-02-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100087985
【弁理士】
【氏名又は名称】福井 宏司
(72)【発明者】
【氏名】三宅 敢
(72)【発明者】
【氏名】辻 博美
(72)【発明者】
【氏名】小田原 充
【審査官】井上 健一
(56)【参考文献】
【文献】特開２００３－３４７１２４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１２２８３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６２－７６５０９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１２９２５３（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｆ １７／０４
Ｈ０１Ｆ １７／００
Ｈ０１Ｆ ２７／２５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
磁性材からなる平板状の複数の磁性薄帯を含んでいる素体と、前記素体の内部で、前記磁性薄帯の主面に沿って延びているインダクタ配線と、を備え、
前記インダクタ配線は、屈曲又は湾曲して延びる部分を少なくとも１箇所備え、
前記インダクタ配線の延びる軸を中心軸とし、前記中心軸に直交する断面視で前記主面に沿う軸を第１軸とし、前記断面視で前記主面に直交する軸を第２軸としたとき、
複数の前記磁性薄帯は、前記第２軸に直交する第３軸に沿って複数並んでいるとともに、前記第２軸に直交し且つ前記第３軸に交差する第４軸に沿って複数並んでおり、
前記素体は、前記第３軸に沿う方向に隣り合う前記磁性薄帯の隙間、及び前記第４軸に沿う方向に隣り合う前記磁性薄帯の隙間を埋めている、非磁性材からなる非磁性部を、さらに有し、
前記第２軸に沿う方向から視たとき、前記インダクタ配線の第１端から第２端までの全範囲で、前記インダクタ配線の前記第１軸に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、前記非磁性部が存在する
インダクタ部品。
【請求項2】
複数の前記磁性薄帯は、前記第２軸に沿って積層されている請求項１に記載のインダクタ部品。
【請求項3】
前記各磁性薄帯の前記第２軸に沿う方向の寸法は、複数の前記磁性薄帯の前記第２軸に沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下の寸法である請求項２に記載のインダクタ部品。
【請求項4】
前記素体は、前記第２軸に沿って隣り合う前記磁性薄帯の間に位置している、非磁性材からなる複数の非磁性層を、さらに有する請求項２又は請求項３に記載のインダクタ部品。
【請求項5】
前記各非磁性層の前記第２軸に沿う方向の寸法は、複数の前記非磁性層の前記第２軸に沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下の寸法である請求項４に記載のインダクタ部品。
【請求項6】
前記第２軸に直交する方向から視たときに、前記各磁性薄帯は、多角形状である請求項１～請求項５のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
【請求項7】
前記第２軸に直交する方向から視たときに、前記各磁性薄帯は、四角形状である請求項６に記載のインダクタ部品。
【請求項8】
前記インダクタ配線を第１インダクタ配線としたとき、前記第１インダクタ配線とは前記第２軸に沿う方向の位置が異なる第２インダクタ配線と、
前記第１インダクタ配線及び前記第２インダクタ配線を前記第２軸に沿う方向に接続するビアと、をさらに備える
請求項１～請求項７のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
【請求項9】
前記第１インダクタ配線及び前記第２インダクタ配線による合計ターン数は、１ターン以上である請求項８に記載のインダクタ部品。
【請求項10】
前記第３軸に沿って複数並んでいる前記磁性薄帯の列において、前記各磁性薄帯の前記第３軸に沿う方向の寸法は、当該列におけるすべての前記磁性薄帯の前記第３軸に沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下の寸法である請求項１～９のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
【請求項11】
前記第４軸に沿って複数並んでいる前記磁性薄帯の列において、前記各磁性薄帯の前記第４軸に沿う方向の寸法は、当該列におけるすべての前記磁性薄帯の前記第４軸に沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下の寸法である請求項１～１０のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、インダクタ部品に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に記載のインダクタ部品は、素体と、素体の内部で延びているインダクタ配線と、を備えている。素体は、無機フィラー及び樹脂からなっている。例えば、磁性コンポジット体については、無機フィラーの材質は、磁性材である。また、無機フィラーの平均粒径は、５μｍ以下である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１９－１９２９２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載のインダクタ部品は、素体における無機フィラーの充填率を高めることによって、インダクタ部品の各種特性の向上が図られる。しかしながら、特許文献１に記載のインダクタ部品は、素体中において無機フィラーの粒子がランダムに分散した構造を前提としており、素体における磁性材の他の構造については何ら検討されていない。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決するため、本発明は、磁性材からなる平板状の複数の磁性薄帯を含んでいる素体と、前記素体の内部で、前記磁性薄帯の主面に沿って延びているインダクタ配線と、を備え、前記インダクタ配線は、屈曲又は湾曲して延びる部分を少なくとも１箇所備え、前記インダクタ配線の延びる軸を中心軸とし、前記中心軸に直交する断面視で前記主面に沿う軸を第１軸とし、前記断面視で前記主面に直交する軸を第２軸としたとき、複数の前記磁性薄帯は、前記第２軸に直交する第３軸に沿って複数並んでいるとともに、前記第２軸に直交し且つ前記第３軸に交差する第４軸に沿って複数並んでおり、前記素体は、前記第３軸に沿う方向に隣り合う前記磁性薄帯の隙間、及び前記第４軸に沿う方向に隣り合う前記磁性薄帯の隙間を埋めている、非磁性材からなる非磁性部を、さらに有し、前記第２軸に沿う方向から視たとき、前記インダクタ配線の第１端から第２端までの全範囲で、前記インダクタ配線の前記第１軸に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、前記非磁性部が存在するインダクタ部品である。
【発明の効果】
【0006】
上記のような構造のインダクタ部品において、第２軸に沿う方向から視たとき、インダクタ配線の第１端から第２端までの全範囲で、インダクタ配線の第１軸に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部が存在している。これにより、インダクタ部品としての特性が向上する。
【0007】
なお、インダクタ配線の第１端、第２端とは、インダクタ配線の延びる方向の両端のことを指す。また、インダクタ配線の第１端から第２端までの全範囲とは、実質的に全範囲であればよく、第１端から第２端までの範囲のうち、わずかな範囲や特性にあまり寄与しない範囲、本質的でない範囲などで、インダクタ配線の第１軸に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部が存在しない部分があってもよい。
【0008】
さらに、「沿う」とは、直接接触しておらず、離れた位置にある場合も含む。例えば、「第１軸に沿う」とは、第１軸に直接接触して第１軸に沿うものだけでなく、第１軸に直接接触しておらず離れた位置で第１軸に沿うものも含む。また、「沿う」とは、実質的に平行関係にあればよく、製造誤差等によって、僅かに傾いているものも含む。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】第１実施形態のインダクタ部品の分解斜視図。
【図2】第１実施形態のインダクタ部品の第１部分の平面図。
【図4】シミュレーションの結果を示す表。
【図5】比較例１の平面図。
【図6】比較例３の平面図。
【図7】比較例３の透過側面図。
【図8】比較例５の平面図。
【図9】比較例５の平面図。
【図10】第２実施形態のインダクタ部品の断面図。
【図11】インダクタ部品の製造方法の説明図。
【図12】インダクタ部品の製造方法の説明図。
【図13】インダクタ部品の製造方法の説明図。
【図14】インダクタ部品の製造方法の説明図。
【図15】インダクタ部品の製造方法の説明図。
【図16】インダクタ部品の製造方法の説明図。
【図17】インダクタ部品の製造方法の説明図。
【図18】インダクタ部品の製造方法の説明図。
【図19】インダクタ部品の製造方法の説明図。
【図20】インダクタ部品の製造方法の説明図。
【図21】インダクタ部品の製造方法の説明図。
【図22】第３実施形態のインダクタ部品の平面図。
【図23】第３実施形態のインダクタ部品の透過側面図。
【図24】変更例のインダクタ部品の断面図。
【図25】変更例のインダクタ部品の平面図。
【図26】変更例のインダクタ部品の平面図。
【図27】変更例のインダクタ部品の平面図。
【発明を実施するための形態】
【0010】
＜第１実施形態＞
以下、インダクタ部品の第１実施形態について説明する。なお、図面は理解を容易にするため構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。さらに、複数の部材のうち、一部の部材のみに符号を付している場合がある。
以下、インダクタ部品の第１実施形態について説明する。なお、図面は理解を容易にするため構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。さらに、複数の部材のうち、一部の部材のみに符号を付している場合がある。
【0011】
（全体構成）
図１に示すように、インダクタ部品１０は、素体２０と、インダクタ配線３０と、を備えている。素体２０は、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０を有している。
図１に示すように、インダクタ部品１０は、素体２０と、インダクタ配線３０と、を備えている。素体２０は、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０を有している。
【0012】
磁性薄帯４０は、平板状である。複数の磁性薄帯４０は、磁性薄帯４０の主面ＭＦと直交する方向に積層されている。なお、平板状とは、主面ＭＦを有する薄い形状のことであるが、厚みの薄い直方体に限られず、稜線や角が曲面状であってもよく、主面ＭＦに微小な凹凸があったり、内部に空孔があったりしてもよい。
【0013】
インダクタ配線３０は、素体２０の内部で主面ＭＦに沿って直線状に延びている。なお、インダクタ配線３０の延びる軸を中心軸ＣＡとする。本実施形態では、中心軸ＣＡの延びる向きは、四角形状の主面ＭＦのいずれかの辺の延びる向きと一致する。
【0014】
図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面視で、主面ＭＦに沿う軸を第１軸ＡＸ１とし、主面ＭＦに直交する軸を第２軸ＡＸ２とする。さらに、第２軸ＡＸ２に直交する軸を第３軸ＡＸ３とし、第２軸ＡＸ２に直交し且つ第３軸ＡＸ３に交差する軸を第４軸ＡＸ４とする。ここで、第２軸ＡＸ２を座標軸Ｚとし、座標軸Ｚに直交する１つの軸を、座標軸Ｘとする。図３に示す断面では、座標軸Ｘは第１軸ＡＸ１と平行である。そして、座標軸Ｘに直交するとともに座標軸Ｚに直交する軸を、座標軸Ｙとする。図３に示す断面では、座標軸Ｙは中心軸ＣＡと平行である。また、本実施形態において、座標軸Ｘは、第３軸ＡＸ３と平行である。さらに、本実施形態において、座標軸Ｙは、第４軸ＡＸ４と平行である。
【0015】
さらに、座標軸Ｘに沿う方向の一方を第１正方向Ｘ１とし、座標軸Ｘに沿う方向の他方を第１負方向Ｘ２とする。また、座標軸Ｙに沿う方向の一方を第２正方向Ｙ１とし、座標軸Ｙに沿う方向の他方を第２負方向Ｙ２とする。さらに、座標軸Ｚに沿う方向の一方を第３正方向Ｚ１とし、座標軸Ｚに沿う方向の他方を第３負方向Ｚ２とする。
【0016】
図１に示すように、インダクタ部品１０は、座標軸Ｚに沿って順に積層された、第１部分Ｐ１と、第２部分Ｐ２と、第３部分Ｐ３と、で構成されている。３つの部分Ｐ１～Ｐ３のうち、座標軸Ｚに沿う第３負方向Ｚ２の端には、第１部分Ｐ１が位置している。
【0017】
図２に示すように、第１部分Ｐ１は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに正方形状である。座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１部分Ｐ１は、座標軸Ｘと平行に延びる辺及び座標軸Ｙと平行に延びる辺を有している。第１部分Ｐ１は、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、２つの非磁性膜７０と、を有する。
【0018】
図３に示すように、中心軸ＣＡに直交するとともに、座標軸Ｘに沿う方向の断面において、第１部分Ｐ１の各磁性薄帯４０は、座標軸Ｚに沿う方向に積層されている。図２に示すように、第１部分Ｐ１の各磁性薄帯４０は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、正方形状である。座標軸Ｚに沿う方向から視たときに各磁性薄帯４０の各辺は、座標軸Ｘ及び座標軸Ｙと平行である。また、複数の磁性薄帯４０の座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、すべて同一の寸法である。さらに、複数の磁性薄帯４０の座標軸Ｙに沿う方向の寸法は、すべて同一の寸法である。複数の磁性薄帯４０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、すべて同一の寸法である。
【0019】
磁性薄帯４０は、座標軸Ｚに沿う同一の位置において、座標軸Ｘに沿う方向に、間隔をあけて３個並んでいる。また、磁性薄帯４０は、座標軸Ｚに沿う同一の位置において、座標軸Ｙに沿う方向に、間隔をあけて３個並んでいる。
【0020】
磁性薄帯４０は、磁性材からなっている。磁性材は、例えば、Ｆｅ元素、Ｎｉ元素、Ｃｏ元素、Ｃｒ元素、Ｃｕ元素、Ａｌ元素、Ｓｉ元素、Ｂ元素、Ｐ元素等を含む金属磁性材である。本実施形態では、磁性材は、Ｆｅ元素及びＳｉ元素を含んでいる金属磁性材である。
【0021】
図３に示すように、非磁性層５０は、座標軸Ｚに沿う方向に隣り合っている磁性薄帯４０の間に位置している。非磁性層５０は、座標軸Ｚに沿う方向に隣り合っている磁性薄帯４０の隙間をすべて埋めている。非磁性層５０は、非磁性材からなっている。非磁性材は、例えば、アクリル樹脂や、エポキシ樹脂、シリコン樹脂である。なお、図３では、非磁性層５０を線で図示している。
【0022】
非磁性層５０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、すべて同一の寸法である。また、各非磁性層５０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、各磁性薄帯４０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法よりも小さい。
【0023】
図２に示すように、非磁性部６０は、座標軸Ｚに沿う同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の間に位置している。非磁性部６０は、座標軸Ｚに沿う方向の同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の隙間をすべて埋めている。すなわち、非磁性部６０は、第３軸ＡＸ３に沿う方向に隣り合う磁性薄帯４０の隙間、及び第４軸ＡＸ４に沿う方向に隣り合う磁性薄帯４０の隙間を埋めている。上述したとおり、座標軸Ｚに沿う同一の位置において、磁性薄帯４０は、座標軸Ｘに沿う方向に３つ、座標軸Ｙに沿う方向に３つ、合計９つ存在するので、非磁性部６０は、１２個存在している。非磁性部６０は、非磁性材からなっている。本実施形態では、非磁性部６０の材質は、非磁性層５０と同一の材質である。
【0024】
ここで、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１部分Ｐ１を構成する各磁性薄帯４０のうち、最も第１負方向Ｘ２且つ最も第２負方向Ｙ２に位置する磁性薄帯４０を、磁性薄帯４０Ａとする。そして、磁性薄帯４０Ａの第１正方向Ｘ１に隣り合う磁性薄帯４０を、磁性薄帯４０Ｂとする。さらに、磁性薄帯４０Ｂの第１正方向Ｘ１に隣り合う磁性薄帯４０を、磁性薄帯４０Ｃとする。
【0025】
また、磁性薄帯４０Ａの第２正方向Ｙ１に隣り合う磁性薄帯４０を、磁性薄帯４０Ｄとする。そして、磁性薄帯４０Ｄの第１正方向Ｘ１に隣り合う磁性薄帯４０を、磁性薄帯４０Ｅとする。さらに、磁性薄帯４０Ｅの第１正方向Ｘ１に隣り合う磁性薄帯４０を、磁性薄帯４０Ｆとする。
【0026】
また、磁性薄帯４０Ｄの第２正方向Ｙ１に隣り合う磁性薄帯４０を、磁性薄帯４０Ｇとする。そして、磁性薄帯４０Ｇの第１正方向Ｘ１に隣り合う磁性薄帯４０を、磁性薄帯４０Ｈとする。さらに、磁性薄帯４０Ｈの第１正方向Ｘ１に隣り合う磁性薄帯４０を、磁性薄帯４０Ｉとする。
【0027】
非磁性膜７０は、第１部分Ｐ１において、座標軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の端、及び第１正方向Ｘ１とは反対方向である第１負方向Ｘ２の端に位置している。非磁性膜７０は、磁性薄帯４０における座標軸Ｘに沿う方向の両端面の全域を覆っている。また、非磁性膜７０は、非磁性層５０における座標軸Ｘに沿う方向の両端面の全域を覆っている。さらに、非磁性膜７０は、非磁性部６０における座標軸Ｘに沿う方向の両端面の全域を覆っている。そのため、第１部分Ｐ１における座標軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の端面は、すべて非磁性膜７０で構成されている。同様に、第１部分Ｐ１における座標軸Ｘに沿う第１負方向Ｘ２の端面は、すべて非磁性膜７０で構成されている。非磁性膜７０は、非磁性材からなっている。本実施形態では、非磁性膜７０の材質は、非磁性層５０と同一の材質である。
【0028】
図１に示すように、第１部分Ｐ１から視て、座標軸Ｚに沿う第３負方向Ｚ２とは反対方向である第３正方向Ｚ１には、第２部分Ｐ２が位置している。第２部分Ｐ２は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１部分Ｐ１と同じ正方形状である。
【0029】
第２部分Ｐ２は、インダクタ配線３０と、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０と、で構成されている。
図２に示すように、インダクタ配線３０は、第１直線部３２と、第２直線部３３と、第３直線部３４と、を備えている。第１直線部３２は、座標軸Ｚに沿う方向から視て長方形状であり、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。なお、図２では、第１部分Ｐ１上でのインダクタ配線３０の位置を仮想的に点線で図示している。
図２に示すように、インダクタ配線３０は、第１直線部３２と、第２直線部３３と、第３直線部３４と、を備えている。第１直線部３２は、座標軸Ｚに沿う方向から視て長方形状であり、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。なお、図２では、第１部分Ｐ１上でのインダクタ配線３０の位置を仮想的に点線で図示している。
【0030】
第１直線部３２の第２負方向Ｙ２の端面は、第２部分Ｐ２の外面の一部を構成しており、素体２０から露出している。第１直線部３２の第１負方向Ｘ２の側面は、第１部分Ｐ１の磁性薄帯４０Ａの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に位置している。また、第１直線部３２の第１正方向Ｘ１の側面は、磁性薄帯４０Ｂの第１負方向Ｘ２の端と第１正方向Ｘ１の端との間に位置している。第１直線部３２は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０Ａと磁性薄帯４０Ｂとの隙間を埋める非磁性部６０及び磁性薄帯４０Ｄと磁性薄帯４０Ｅとの隙間を埋める非磁性部６０に沿って延びている。第１直線部３２の第２正方向Ｙ１の端面は、磁性薄帯４０Ｄの第２正方向Ｙ１の端と第２負方向Ｙ２の端との間に位置している。
【0031】
第２直線部３３は、第１直線部３２の第２正方向Ｙ１の端面に接続している。第２直線部３３は、座標軸Ｚに沿う方向から視て長方形状であり、座標軸Ｘに沿う方向に直線状に延びている。したがって、インダクタ配線３０は、第１直線部３２と第２直線部３３との境界部分において９０度屈曲している。
【0032】
第２直線部３３の第１負方向Ｘ２の端面は、第１直線部３２の第１負方向Ｘ２の側面と面一である。第２直線部３３の第２負方向Ｙ２の側面は、第１直線部３２の第２正方向Ｙ１の端面と面一である。すなわち、第２直線部３３の第２正方向Ｙ１の側面は、第１部分Ｐ１の磁性薄帯４０Ｈの第２負方向Ｙ２の端と第２正方向Ｙ１の端との間に位置している。第２直線部３３の第２負方向Ｙ２の側面は、磁性薄帯４０Ｅの第２負方向Ｙ２の端と第２正方向Ｙ１の端との間に位置している。第２直線部３３は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０Ｅと磁性薄帯４０Ｈとの隙間を埋める非磁性部６０に沿って延びている。第２直線部３３の第１正方向Ｘ１の端面は、磁性薄帯４０Ｆの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に位置している。
【0033】
第３直線部３４は、第２直線部３３の第２正方向Ｙ１の側面に接続している。第３直線部３４は、座標軸Ｚに沿う方向から視て長方形状であり、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。したがって、インダクタ配線３０は、第２直線部３３と第３直線部３４との境界部分において９０度屈曲している。
【0034】
第３直線部３４の第１正方向Ｘ１の側面は、第２直線部３３の第１正方向Ｘ１の端面と面一である。第３直線部３４の第１負方向Ｘ２の側面は、第１部分Ｐ１の磁性薄帯４０Ｈの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に位置している。第３直線部３４は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０Ｈと磁性薄帯４０Ｉとの隙間を埋める非磁性部６０に沿って延びている。第３直線部３４の第２正方向Ｙ１の端面は、第２部分Ｐ２の外面の一部を構成しており、素体２０の外部に露出している。
【0035】
上述のとおり、インダクタ配線３０は、全体として、一方に１回９０度屈曲しており、他方に１回９０度屈曲している。すなわち、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡは、座標軸Ｙに沿う方向に延びる部分を２箇所、座標軸Ｘに沿う方向に延びる部分を１箇所有している。
【0036】
インダクタ配線３０の材質は、導電性材料である。導電性材料は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、又はこれらの合金である。本実施形態では、インダクタ配線３０の材質は、Ｃｕである。
【0037】
第２部分Ｐ２において、インダクタ配線３０でない部分は、第１部分Ｐ１と同様に、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０と、で構成されている。
【0038】
図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面視で、第２部分Ｐ２の各磁性薄帯４０は、座標軸Ｚに沿う方向に積層されている。複数の磁性薄帯４０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、すべて同一の寸法である。第２部分Ｐ２の各磁性薄帯４０は、座標軸Ｘに沿って３つ並んでいる。また、第２部分Ｐ２の各磁性薄帯４０は、座標軸Ｘに沿って３つ並んでいる。第２部分Ｐ２の各磁性薄帯４０は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１部分Ｐ１と同様に並んだ各磁性薄帯４０のうち、インダクタ配線３０に相当する部分を切り取ったような形状になっている。
【0039】
上述した第１部分Ｐ１と同様に、第２部分Ｐ２の非磁性層５０は、座標軸Ｚに沿う方向に隣り合っている磁性薄帯４０の間に位置している。すなわち、図３に示すように、磁性薄帯４０及び非磁性層５０は、第１部分Ｐ１と同様に、座標軸Ｚに沿う方向に交互に積層されている。また、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、各非磁性層５０は、隣り合っている磁性薄帯４０の形状と同じ形状である。
【0040】
第２部分Ｐ２の非磁性部６０は、座標軸Ｚに沿う同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の間に位置している。非磁性部６０は、座標軸Ｚに沿う方向の同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の間の空間を全て埋めている。第２部分Ｐ２の非磁性部６０の位置は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１部分Ｐ１の非磁性部６０と連続している。なお、第２部分Ｐ２において、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０との間には非磁性部６０は存在していない。
【0041】
非磁性膜７０は、第２部分Ｐ２において、座標軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の端、及び第１負方向Ｘ２の端に位置している。第２部分Ｐ２の非磁性膜７０は、第１部分Ｐ１の非磁性膜７０と連続している。そして、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、インダクタ配線３０と、９つの磁性薄帯４０と、８つの非磁性部６０と、２つの非磁性膜７０と、によって、正方形状になっている。
【0042】
第２部分Ｐ２の第３正方向Ｚ１には、第３部分Ｐ３が位置している。第３部分Ｐ３は、座標軸Ｚから視たときに、第１部分Ｐ１と同じ正方形状である。第３部分Ｐ３は、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０とで構成されている。本実施形態では、第３部分Ｐ３は、第２部分Ｐ２を挟んで第１部分Ｐ１と対称的な構造であるため、詳細な説明は省略する。このようにして、素体２０は、複数の磁性薄帯４０と、複数の非磁性層５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０と、を含んでいる。
【0043】
（インダクタ配線と非磁性部との位置関係について）
図２に示すように、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う第１端は、第１直線部３２の第２負方向Ｙ２の端である。また、インダクタ配線３０の第１端とは反対側の第２端は、第３直線部３４の第２正方向Ｙ１の端である。そして、インダクタ配線３０の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ａと磁性薄帯４０Ｂとの間に位置する非磁性部６０と、磁性薄帯４０Ｄと磁性薄帯４０Ｅとの間に位置する非磁性部６０と、が存在している。また、インダクタ配線３０の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ｅと磁性薄帯４０Ｈとの間に位置する非磁性部６０と、磁性薄帯４０Ｆと磁性薄帯４０Ｉとの間に位置する非磁性部６０と、が存在している。さらに、インダクタ配線３０の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ｈと磁性薄帯４０Ｉとの間に位置する非磁性部６０が存在している。よって、第２軸ＡＸ２、すなわち座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、中心軸ＣＡに沿うインダクタ配線３０の第１端から第２端までの全範囲で、インダクタ配線３０の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部６０が存在する。換言すると、座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、インダクタ配線３０の第１端から第２端まで、途切れることなく非磁性部６０が延びている。
図２に示すように、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う第１端は、第１直線部３２の第２負方向Ｙ２の端である。また、インダクタ配線３０の第１端とは反対側の第２端は、第３直線部３４の第２正方向Ｙ１の端である。そして、インダクタ配線３０の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ａと磁性薄帯４０Ｂとの間に位置する非磁性部６０と、磁性薄帯４０Ｄと磁性薄帯４０Ｅとの間に位置する非磁性部６０と、が存在している。また、インダクタ配線３０の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ｅと磁性薄帯４０Ｈとの間に位置する非磁性部６０と、磁性薄帯４０Ｆと磁性薄帯４０Ｉとの間に位置する非磁性部６０と、が存在している。さらに、インダクタ配線３０の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ｈと磁性薄帯４０Ｉとの間に位置する非磁性部６０が存在している。よって、第２軸ＡＸ２、すなわち座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、中心軸ＣＡに沿うインダクタ配線３０の第１端から第２端までの全範囲で、インダクタ配線３０の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部６０が存在する。換言すると、座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、インダクタ配線３０の第１端から第２端まで、途切れることなく非磁性部６０が延びている。
【0044】
さらに、本実施形態においては、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡが、非磁性部６０上を通っている。つまり、中心軸ＣＡに直交する断面視で、第１軸ＡＸ１に沿う方向において、中心軸ＣＡの位置は、非磁性部６０の位置と同一である。
【0045】
（シミュレーション結果について）
次に、インダクタ部品１０について得られる特性を、比較例１及び参考例１～参考例６のインダクタ部品と比較したシミュレーション結果について説明する。シミュレーションには、ムラタソフトウェア株式会社のＦｅｍｔｅｔ（登録商標）を用いた。
次に、インダクタ部品１０について得られる特性を、比較例１及び参考例１～参考例６のインダクタ部品と比較したシミュレーション結果について説明する。シミュレーションには、ムラタソフトウェア株式会社のＦｅｍｔｅｔ（登録商標）を用いた。
【0046】
先ず、シミュレーションの条件について説明する。
使用したソフトは、ムラタソフトウェア製のＦｅｍｔｅｔ２０１９である。ソルバは、静磁場解析である。モデルは、３次元である。標準メッシュサイズは、０．２５ｍｍである。インダクタ配線３０の材質は、銅である。
使用したソフトは、ムラタソフトウェア製のＦｅｍｔｅｔ２０１９である。ソルバは、静磁場解析である。モデルは、３次元である。標準メッシュサイズは、０．２５ｍｍである。インダクタ配線３０の材質は、銅である。
【0047】
次に、シミュレーションに使用する実施例１のインダクタ部品１０のモデルの寸法や位置についての条件について説明する。なお、モデルの形状は、上述した第１実施形態におけるインダクタ部品１０を実施例１としている。
【0048】
インダクタ配線３０の第１軸ＡＸ１に沿う方向の寸法は、０．５ｍｍである。インダクタ配線３０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．１ｍｍである。インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、４．４２ｍｍである。
【0049】
磁性薄帯４０の座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、９９０μｍである。磁性薄帯４０の座標軸Ｙに沿う方向の寸法は、９９０μｍである。磁性薄帯４０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、２０μｍである。なお、インダクタ配線３０が配置される箇所については、インダクタ配線３０を優先とし、磁性薄帯４０の一部が欠けるように構成されている。
【0050】
非磁性層５０の座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、２０μｍである。非磁性層５０の座標軸Ｙに沿う方向の寸法は、２０μｍである。非磁性層５０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、２．０μｍである。なお、インダクタ配線３０が配置される箇所については、インダクタ配線３０を優先とし、非磁性層５０の一部が欠けるように構成されている。
【0051】
磁性薄帯４０の座標軸Ｚに沿う方向に積層する数は、４１個である。磁性薄帯４０の座標軸Ｘに沿う方向に並ぶ数は、３個である。磁性薄帯４０の座標軸Ｙに沿う方向に並ぶ数は、３個である。
【0052】
インダクタ部品１０の座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、３０３０μｍである。シミュレーションにおいては、素体２０は、非磁性膜７０と同じ非磁性材の膜を、中心軸ＣＡに沿う方向の両端に有している。当該膜の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、１０μｍである。そのため、素体２０の座標軸Ｙに沿う方向の寸法は、３０３０μｍである。インダクタ部品１０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、９０２μｍである。なお、このシミュレーションにおいては、素体２０の第２正方向Ｙ１の端面からインダクタ配線３０が１９０μｍだけ突出し、素体２０の第２負方向Ｙ２の端面からインダクタ配線３０が１９０μｍだけ突出した状態で、シミュレーションが行われる。
【0053】
シミュレーションにおいて、磁性薄帯４０の比透磁率μｒは、７０００とし、飽和磁束密度Ｂｓは、１．３Ｔである。非磁性層５０、非磁性部６０及び非磁性膜７０の非磁性材の比透磁率μｒは、１とした。
【0054】
配線抵抗Ｒｄｃの単位はｍΩであり、配線断面積に比例するとした。絶対値の基準は、別途電磁場解析シミュレーションにより求めた１．０ｍｍ×０．１ｍｍの配線断面において、０．４３Ωである。
【0055】
そして、実施例１では、磁性体は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素及びＢ元素からなるアモルファス金属磁性薄帯である。磁性体ＢＨ曲線は、Ｂ＝Ｂｓ×ｔａｎｈ（μ０×μｒ×Ｈ／Ｂｓ）を満たすものを使用した。なお、磁性体ＢＨ曲線は、真空の透磁率以下にならないように、比透磁率μｒが１以上の部分を使用し、さらにＦｅｍｔｅｔ２０１９の機能を使って、真空の透磁率へ外挿した。
【0056】
一方で、図５に示すように、比較例１のインダクタ部品６１０は、素体６２０が、磁性材と非磁性材とのコンポジット材である。シミュレーションには、素体６２０は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素及びＢ元素からなるアモルファス金属粒子と樹脂のメタルコンポジット材とした。素体６２０の比透磁率μｒは、２４であり、金属磁性体充填率は７０％、飽和磁束密度Ｂｓは、０．９１Ｔである。他の条件は、実施例１のインダクタ部品１０と同様である。
【0057】
次に、参考例１～参考例６について説明する。
図６に示すように、参考例１のインダクタ部品７１０は、実施例１のインダクタ部品１０と比べて、インダクタ配線３０の形状と、磁性薄帯４０の数とが、主に異なる。
図６に示すように、参考例１のインダクタ部品７１０は、実施例１のインダクタ部品１０と比べて、インダクタ配線３０の形状と、磁性薄帯４０の数とが、主に異なる。
【0058】
インダクタ部品７１０において、磁性薄帯７４０は、座標軸Ｘの延びる方向に２個並んでいる。また、磁性薄帯７４０は、座標軸Ｙの延びる方向に２個並んでいる。座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、最も第１負方向Ｘ２且つ最も第２負方向Ｙ２に位置する磁性薄帯７４０を、磁性薄帯７４０Ａとする。そして、磁性薄帯７４０Ａの第１正方向Ｘ１に隣り合う磁性薄帯７４０を、磁性薄帯７４０Ｂとする。また、磁性薄帯７４０Ａの第２正方向Ｙ１に隣り合う磁性薄帯７４０を、磁性薄帯７４０Ｄとする。そして、磁性薄帯７４０Ｄの第１正方向Ｘ１に隣り合う磁性薄帯７４０を、磁性薄帯７４０Ｅとする。そして、隣り合う磁性薄帯７４０の間を、非磁性部７６０が全て埋めている。
【0059】
インダクタ配線７３０は、第１直線部７３２と、曲線部７３３と、第２直線部７３４と、で構成されている。
第１直線部７３２は、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。第１直線部７３２の第１軸ＡＸ１、すなわち座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、０．５ｍｍであり、磁性薄帯４０の約半分である。第１直線部７３２の座標軸Ｙに沿う方向の寸法は、１．０ｍｍである。第１直線部７３２の中心軸ＣＡは、磁性薄帯７４０Ａの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に配置されている。
第１直線部７３２は、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。第１直線部７３２の第１軸ＡＸ１、すなわち座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、０．５ｍｍであり、磁性薄帯４０の約半分である。第１直線部７３２の座標軸Ｙに沿う方向の寸法は、１．０ｍｍである。第１直線部７３２の中心軸ＣＡは、磁性薄帯７４０Ａの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に配置されている。
【0060】
座標軸Ｚから視たときに、第１直線部７３２の第２負方向Ｙ２の端は、磁性薄帯７４０Ａの第２負方向Ｙ２の端と一致している。すなわち、第１直線部７３２の第２負方向Ｙ２の端は、素体７２０の外面に露出している。
【0061】
曲線部７３３の中心軸ＣＡに沿う方向の第１端は、第１直線部７３２の第２正方向Ｙ１の端に接続している。曲線部７３３は、螺旋状に、１ターン巻き回されている。すなわち、図７に示すように、曲線部７３３は、第３正方向Ｚ１に進みながら、座標軸Ｚから視たときに、１周巻き回されている。そのため、図６に示すように、座標軸Ｚから視たときに、曲線部７３３の中心軸ＣＡに沿う方向の第１端と第２端とは、位置が一致している。一方で、曲線部７３３の中心軸ＣＡに沿う方向の第１端と第２端とは、座標軸Ｚに沿う方向の位置が異なっている。
【0062】
第２直線部７３４は、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。第２直線部７３４の第２負方向Ｙ２の端は、曲線部７３３の中心軸ＣＡに沿う方向の第２端に接続している。第２直線部７３４の第２正方向Ｙ１の端は、磁性薄帯７４０Ｄの第２正方向Ｙ１の端と一致している。すなわち、第２直線部７３４の第２正方向Ｙ１の端は、素体７２０の外面に露出している。
【0063】
このように、インダクタ配線７３０は、中心軸ＣＡが、直線状に延びる部分と、螺旋状に延びる部分とを有している。しかしながら、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、中心軸ＣＡに沿うインダクタ配線７３０の第１端から第２端までのほとんどの範囲で、インダクタ配線７３０の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部７６０は存在していない。
【0064】
次に、参考例２のインダクタ部品について説明する。参考例２のインダクタ部品は、参考例１のインダクタ部品７１０と比べて、素体７２０が、すべて磁性材と非磁性材とのコンポジット材である点が異なる。
【0065】
次に、シミュレーションに使用する参考例１のインダクタ部品７１０のモデルの寸法や位置についての条件について説明する。
インダクタ配線７３０の第１軸ＡＸ１に沿う方向の寸法は、０．５ｍｍである。インダクタ配線７３０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．１ｍｍである。インダクタ配線７３０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、５．１６ｍｍである。
インダクタ配線７３０の第１軸ＡＸ１に沿う方向の寸法は、０．５ｍｍである。インダクタ配線７３０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．１ｍｍである。インダクタ配線７３０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、５．１６ｍｍである。
【0066】
磁性薄帯７４０の座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、９９０μｍである。磁性薄帯７４０の座標軸Ｙに沿う方向の寸法は、９９０μｍである。磁性薄帯７４０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、２０μｍである。
【0067】
非磁性層７５０の座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、２０μｍである。非磁性層７５０の座標軸Ｙに沿う方向の寸法は、２０μｍである。非磁性層７５０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、２．０μｍである。なお、インダクタ配線７３０が配置される箇所については、インダクタ配線７３０を優先とし、非磁性層７５０の一部が欠けるように構成されている。
【0068】
磁性薄帯７４０の座標軸Ｚに沿う方向に積層する数は、４１個である。磁性薄帯７４０の座標軸Ｘに沿う方向に並ぶ数は、２個である。磁性薄帯７４０の座標軸Ｙに沿う方向に並ぶ数は、２個である。
【0069】
インダクタ部品７１０の座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、２０２０μｍである。シミュレーションにおいては、素体２０は、非磁性膜７０と同じ非磁性材の膜を、中心軸ＣＡに沿う方向の両端に有している。当該膜の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、１０μｍである。そのため、素体７２０の座標軸Ｙに沿う方向の寸法は、２０２０μｍである。インダクタ部品７１０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、９０２μｍである。なお、このシミュレーションにおいては、素体２０の第２正方向Ｙ１の端面からインダクタ配線３０が１９０μｍだけ突出し、素体２０の第２負方向Ｙ２の端面からインダクタ配線３０が１９０μｍだけ突出した状態で、シミュレーションが行われる。
【0070】
シミュレーションにおいて、磁性薄帯７４０の比透磁率μｒは、７０００とし、飽和磁束密度Ｂｓは、１．３Ｔである。非磁性層７５０、非磁性部７６０及び非磁性膜７７０の非磁性材の比透磁率μｒは、１とした。
【0071】
配線抵抗Ｒｄｃの単位はｍΩであり、配線断面積に比例するとした。絶対値の基準は、別途電磁場解析シミュレーションにより求めた１．０ｍｍ×０．１ｍｍの配線断面において、０．４３Ωである。
【0072】
そして、参考例１では、磁性体は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素及びＢ元素からなるアモルファス金属磁性薄帯である。磁性体ＢＨ曲線は、Ｂ＝Ｂｓ×ｔａｎｈ（μ０×μｒ×Ｈ／Ｂｓ）を満たすものを使用した。なお、磁性体ＢＨ曲線は、真空の透磁率以下にならないように、比透磁率μｒが１以上の部分を使用し、さらにＦｅｍｔｅｔ２０１９の機能を使って、真空の透磁率へ外挿した。
【0073】
一方で、参考例２について、シミュレーションには、素体７２０は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素及びＢ元素からなるアモルファス金属粒子と樹脂のメタルコンポジット材とした。素体７２０の比透磁率μｒは、２４であり、金属磁性体充填率は７０％、飽和磁束密度Ｂｓは、０．９１Ｔである。他の条件は、参考例１のインダクタ部品７１０と同様である。
【0074】
次に、参考例３のインダクタ部品８１０について説明する。図８に示すように、参考例３のインダクタ部品８１０は、参考例１のインダクタ部品７１０と比べて、インダクタ配線７３０の形状が異なる。
【0075】
インダクタ部品８１０のインダクタ配線８３０は、第１直線部８３２と、曲線部８３３と、第２直線部８３４と、で構成されている。
第１直線部８３２は、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。第１直線部８３２の第１軸ＡＸ１、すなわち座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、０．５ｍｍであり、磁性薄帯７４０の約半分である。第１直線部８３２の座標軸Ｙに沿う方向の寸法は、１．０ｍｍである。第１直線部８３２の中心軸ＣＡは、磁性薄帯７４０Ａの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に配置されている。
第１直線部８３２は、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。第１直線部８３２の第１軸ＡＸ１、すなわち座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、０．５ｍｍであり、磁性薄帯７４０の約半分である。第１直線部８３２の座標軸Ｙに沿う方向の寸法は、１．０ｍｍである。第１直線部８３２の中心軸ＣＡは、磁性薄帯７４０Ａの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に配置されている。
【0076】
座標軸Ｚから視たときに、第１直線部８３２の中心軸ＣＡに沿う方向の第１端、すなわち第２負方向Ｙ２の端は、磁性薄帯７４０Ａの第２負方向Ｙ２の端と一致している。そのため、第１直線部８３２の第２負方向Ｙ２の端は、素体７２０の外面に露出している。
【0077】
曲線部８３３の中心軸ＣＡに沿う方向における第１端は、第１直線部８３２の中心軸ＣＡに沿う方向の第２端、すなわち第２正方向Ｙ１の端に接続している。曲線部８３３は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、１８０度巻き回されている。すなわち、曲線部８３３は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、第２正方向Ｙ１に凸のＣ字状である。また、曲線部８３３は、第１直線部８３２と座標軸Ｚに沿う方向における位置が同じ位置で、延びている。曲線部８３３の中心軸ＣＡに沿う方向における第２端は、インダクタ部品８１０において、座標軸Ｘに沿う方向の中央よりも第１正方向Ｘ１に位置している。
【0078】
第２直線部８３４は、座標軸Ｙに沿う方向に延びる直線状である。第２直線部８３４の中心軸ＣＡの第１端、すなわち第２正方向Ｙ１の端は、曲線部８３３の中心軸ＣＡに沿う方向の第２端に接続している。そして、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、第２直線部８３４の中心軸ＣＡに沿う方向の第２端、すなわち第２負方向Ｙ２の端は、磁性薄帯７４０Ｂの第２負方向Ｙ２の端と一致している。
【0079】
このように、インダクタ配線８３０は、中心軸ＣＡが、直線状に延びる部分と、曲線状に延びる部分とを有している。しかしながら、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、中心軸ＣＡに沿うインダクタ配線８３０の第１端から第２端までのほとんどの範囲で、インダクタ配線８３０の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部７６０は存在していない。
【0080】
次に、参考例４のインダクタ部品について説明する。参考例４のインダクタ部品は、参考例３のインダクタ部品８１０と比べて、素体７２０が、すべて磁性材と非磁性材のコンポジット材である点が異なる。
【0081】
次に、シミュレーションに使用する参考例３のインダクタ部品８１０のモデルの寸法や位置についての条件について説明する。
インダクタ配線８３０の第１軸ＡＸ１に沿う方向の寸法は、０．５ｍｍである。インダクタ配線８３０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．１ｍｍである。インダクタ配線８３０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、３．５９ｍｍである。
インダクタ配線８３０の第１軸ＡＸ１に沿う方向の寸法は、０．５ｍｍである。インダクタ配線８３０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．１ｍｍである。インダクタ配線８３０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、３．５９ｍｍである。
【0082】
他の寸法は、参考例１のインダクタ部品７１０と同様である。なお、このシミュレーションにおいては、素体２０の第２負方向Ｙ２の端面からインダクタ配線３０の両端部が１９０μｍずつ突出した状態で、シミュレーションが行われる。
【0083】
一方で、参考例４について、シミュレーションには、素体７２０は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素及びＢ元素からなるアモルファス金属粒子と樹脂のメタルコンポジット材とした。素体７２０の比透磁率μｒは、２４であり、金属磁性体充填率は７０％、飽和磁束密度Ｂｓは、０．９１Ｔである。他の条件は、参考例３のインダクタ部品８１０と同様である。
【0084】
次に、参考例５のインダクタ部品９１０について説明する。図９に示すように、参考例５のインダクタ部品９１０は、参考例１のインダクタ部品７１０と比べて、インダクタ配線７３０の形状が異なる。
【0085】
インダクタ部品９１０において、インダクタ配線９３０は、第１直線部９３２と、第２直線部９３３と、第３直線部９３４と、を有している。
第１直線部９３２は、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。第１直線部９３２の第１軸ＡＸ１、すなわち座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、０．５ｍｍであり、磁性薄帯７４０の約半分である。第１直線部９３２の中心軸ＣＡは、磁性薄帯７４０Ａの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に配置されている。
第１直線部９３２は、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。第１直線部９３２の第１軸ＡＸ１、すなわち座標軸Ｘに沿う方向の寸法は、０．５ｍｍであり、磁性薄帯７４０の約半分である。第１直線部９３２の中心軸ＣＡは、磁性薄帯７４０Ａの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に配置されている。
【0086】
第２直線部９３３及び第３直線部９３４は、実施例１のインダクタ部品１０における第２直線部３３及び第３直線部３４と同様に延びている。第３直線部９３４は、磁性薄帯７４０Ｅの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に位置している。
【0087】
このように、インダクタ配線９３０は、中心軸ＣＡが、直線状に延びる３つの部分を有している。しかしながら、中心軸ＣＡに沿う第１直線部９３２の第１端から第２端までの範囲で、第１直線部９３２の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部７６０は存在していない。また、中心軸ＣＡに沿う第３直線部９３４の第１端から第２端までの範囲で、第３直線部９３４の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部７６０は存在していない。そのため、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、中心軸ＣＡに沿うインダクタ配線９３０の第１端から第２端までの範囲の一部で、インダクタ配線９３０の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部７６０は存在していない。
【0088】
次に、参考例６のインダクタ部品について説明する。参考例６のインダクタ部品は、参考例５のインダクタ部品９１０と比べて、素体７２０が、すべて磁性材と非磁性材のコンポジット材である点が異なる。
【0089】
次に、シミュレーションに使用する参考例５のインダクタ部品９１０のモデルの寸法や位置についての条件について説明する。
インダクタ配線９３０の第１軸ＡＸ１に沿う方向の寸法は、０．５ｍｍである。インダクタ配線８３０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．１ｍｍである。インダクタ配線８３０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、３．０３ｍｍである。
インダクタ配線９３０の第１軸ＡＸ１に沿う方向の寸法は、０．５ｍｍである。インダクタ配線８３０の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．１ｍｍである。インダクタ配線８３０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、３．０３ｍｍである。
【0090】
他の寸法は、参考例１のインダクタ部品７１０と同様である。
一方で、参考例６について、シミュレーションには、素体７２０は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素及びＢ元素からなるアモルファス金属粒子と樹脂のメタルコンポジット材とした。素体７２０の比透磁率μｒは、２４であり、金属磁性体充填率は７０％、飽和磁束密度Ｂｓは、０．９１Ｔである。他の条件は、参考例１のインダクタ部品７１０と同様である。
一方で、参考例６について、シミュレーションには、素体７２０は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素及びＢ元素からなるアモルファス金属粒子と樹脂のメタルコンポジット材とした。素体７２０の比透磁率μｒは、２４であり、金属磁性体充填率は７０％、飽和磁束密度Ｂｓは、０．９１Ｔである。他の条件は、参考例１のインダクタ部品７１０と同様である。
【0091】
次に、シミュレーションによって算出する特性指標について説明する。
インダクタンスＬの単位はｎＨであり、直流重畳特性Ｉｓａｔの単位はＡである、直流重畳特性Ｉｓａｔは、電流値Ｉｄｃが０．００１ＡにおけるインダクタンスＬである初期インダクタンスＬｉｎに対してインダクタンスＬが２０％低下する時の電流値Ｉｄｃである。
インダクタンスＬの単位はｎＨであり、直流重畳特性Ｉｓａｔの単位はＡである、直流重畳特性Ｉｓａｔは、電流値Ｉｄｃが０．００１ＡにおけるインダクタンスＬである初期インダクタンスＬｉｎに対してインダクタンスＬが２０％低下する時の電流値Ｉｄｃである。
【0092】
図４に示すように、実施例１、比較例１及び参考例１～参考例６について、初期インダクタンスＬｉｎ及び直流重畳特性Ｉｓａｔが算出された。ここで、素体の構成のみが異なるモデルについて、特性指標を比べてみる。まず、実施例１と比較例１とを比べると、実施例１の初期インダクタンスＬｉｎは、比較例１の初期インダクタンスＬｉｎに対して、２０％以上大きい値である。また、実施例１の直流重畳特性Ｉｓａｔは、比較例１の直流重畳特性Ｉｓａｔに対して、２０％以上大きい値である。
【0093】
参考例１と参考例２とを比べると、参考例１の初期インダクタンスＬｉｎは、参考例２の初期インダクタンスＬｉｎに対して、２倍以上大きい値である。一方で、参考例１の直流重畳特性Ｉｓａｔは、参考例２の直流重畳特性Ｉｓａｔよりも小さい値である。
【0094】
参考例３と参考例４とを比べると、参考例３の初期インダクタンスＬｉｎは、参考例４の初期インダクタンスＬｉｎに対して、２倍以上大きい値である。一方で、参考例３の直流重畳特性Ｉｓａｔは、参考例４の直流重畳特性Ｉｓａｔよりも小さい値である。
【0095】
参考例５と参考例６とを比べると、参考例５の初期インダクタンスＬｉｎは、参考例６の初期インダクタンスＬｉｎに対して、２倍以上大きい値である。一方で、参考例５の直流重畳特性Ｉｓａｔは、参考例６の直流重畳特性Ｉｓａｔよりも小さい値である。
【0096】
参考例１～参考例６では、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、中心軸ＣＡに沿うインダクタ配線の第１端から第２端までの全範囲で、インダクタ配線の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部７６０が存在しているわけではない。これらの場合には、素体の構成を、メタルコンポジットではなく磁性薄帯７４０と非磁性層７５０との積層構造とすることで、初期インダクタンスＬｉｎを向上させることができる一方で、直流重畳特性Ｉｓａｔは低下してしまう。
【0097】
一方で、実施例１及び比較例１では、座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、中心軸ＣＡに沿うインダクタ配線３０の第１端から第２端までの全範囲で、インダクタ配線３０の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部６０が存在している。換言すると、非磁性部６０は、座標軸Ｚに沿う方向からの平面視で、中心軸ＣＡに沿うインダクタ配線３０の第１端から第２端まで、インダクタ配線３０の存在範囲から逸脱することなく連続して存在している。この場合、素体の構成を、比較例１のようにメタルコンポジットではなく、磁性薄帯４０と非磁性層５０との積層構造とすることで、初期インダクタンスＬｉｎ及び直流重畳特性Ｉｓａｔのいずれをも向上させることができる。
【0098】
（第１実施形態の効果について）
次に、上記第１実施形態の効果について説明する。
（１－１）上記第１実施形態のインダクタ部品１０によれば、素体２０は、座標軸Ｚに沿って積層された複数の磁性薄帯４０を含んでいる。また、インダクタ配線３０は、磁性薄帯４０の主面ＭＦに沿って延びている。インダクタ配線３０は、屈曲して延びる部分を２箇所備えている。複数の磁性薄帯４０は、座標軸Ｘ、すなわち第３軸ＡＸ３に沿って複数並んでいる。また、複数の磁性薄帯４０は、座標軸Ｙ、すなわち第４軸ＡＸ４に沿って複数並んでいる。非磁性材からなる非磁性部６０は、第３軸ＡＸ３に沿う方向に隣り合う磁性薄帯４０の隙間、及び第４軸ＡＸ４に沿う方向に隣り合う磁性薄帯４０の隙間を埋めている。
次に、上記第１実施形態の効果について説明する。
（１－１）上記第１実施形態のインダクタ部品１０によれば、素体２０は、座標軸Ｚに沿って積層された複数の磁性薄帯４０を含んでいる。また、インダクタ配線３０は、磁性薄帯４０の主面ＭＦに沿って延びている。インダクタ配線３０は、屈曲して延びる部分を２箇所備えている。複数の磁性薄帯４０は、座標軸Ｘ、すなわち第３軸ＡＸ３に沿って複数並んでいる。また、複数の磁性薄帯４０は、座標軸Ｙ、すなわち第４軸ＡＸ４に沿って複数並んでいる。非磁性材からなる非磁性部６０は、第３軸ＡＸ３に沿う方向に隣り合う磁性薄帯４０の隙間、及び第４軸ＡＸ４に沿う方向に隣り合う磁性薄帯４０の隙間を埋めている。
【0099】
ここで、インダクタ部品１０では、座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、中心軸ＣＡに沿うインダクタ配線３０の第１端から第２端までの全範囲で、インダクタ配線３０の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部６０が存在している。そのため、図４にシミュレーション結果として示したように、素体２０がすべてメタルコンポジット材である場合と比べて、初期インダクタンスＬｉｎ及び直流重畳特性Ｉｓａｔのいずれをも向上させることができる。
【0100】
（１－２）上記第１実施形態のインダクタ部品１０によれば、複数の磁性薄帯４０は、第２軸ＡＸ２に沿って積層されている。そのため、インダクタ部品１０は、座標軸Ｚに沿って積層されるという磁性薄帯４０の３次元に規則的な構造を有する。これにより、インダクタ部品１０の特性をさらに向上させることができる。
【0101】
（１－３）上記第１実施形態によれば、複数の磁性薄帯４０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、すべて等しい。そのため、各磁性薄帯４０内での磁束密度が均一化し、特定の箇所において磁束が集中して飽和しにくい。その結果、素体２０全体で見た場合の磁束密度が向上する。
【0102】
（１－４）上記第１実施形態によれば、非磁性材からなる非磁性層５０は、第２軸ＡＸ２に沿って隣り合う磁性薄帯４０の間に位置している。そのため、第２軸ＡＸ２に沿う方向に磁性薄帯４０と非磁性層５０との規則的な構造を実現しやすい。
【0103】
（１－５）上記第１実施形態によれば、複数の非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、すべて等しい。そのため、第２軸ＡＸ２に沿う方向に隣り合う磁性薄帯４０間で生じる磁束の乱れを均一化できる。
【0104】
（１－７）上記第１実施形態によれば、複数の磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法は、すべて等しい。そのため、複数の磁性薄帯４０を第３軸ＡＸ３に沿う方向に、規則的に並べやすい。
【0105】
（１－８）上記第１実施形態によれば、複数の磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法は、すべて等しい。そのため、複数の磁性薄帯４０を第４軸ＡＸ４に沿う方向に、規則的に並べやすい。
【0106】
（１－９）上記第１実施形態によれば、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０の形状は、長方形状、すなわち四角形状である。そのため、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０を規則的に並べやすい。その結果、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、非磁性部６０を線状とさせやすい。非磁性部６０が線状であると、インダクタ配線３０の配線箇所や寸法の設計自由度が高まる。
【0107】
＜第２実施形態について＞
（インダクタ部品）
第２実施形態におけるインダクタ部品１１０は、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と比べて、素体１２０における磁性薄帯４０、非磁性層５０、非磁性部６０及び非磁性膜７０が焼結体である点と、第２部分Ｐ２の構成とが主に異なる。以下では、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と比べて、主に異なる点を説明する。
（インダクタ部品）
第２実施形態におけるインダクタ部品１１０は、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と比べて、素体１２０における磁性薄帯４０、非磁性層５０、非磁性部６０及び非磁性膜７０が焼結体である点と、第２部分Ｐ２の構成とが主に異なる。以下では、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と比べて、主に異なる点を説明する。
【0108】
磁性薄帯４０は、焼結体の磁性材からなる平板状である。磁性薄帯４０は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｆｅ元素及びＳｉ元素を含む合金、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金、Ｆｅ元素及びＣｏ元素を含む合金のうち、少なくとも１種類を含んでいる。本実施形態では、磁性薄帯４０は、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金を含んでいる金属磁性材である。なお、Ｆｅは、金属鉄であり、Ｎｉは、金属ニッケルである。
【0109】
非磁性層５０は、焼結体の非磁性材からなっている。非磁性材は、例えば、アルミナ、シリカ、結晶化ガラス、非晶質ガラスである。また、非磁性部６０及び非磁性膜７０は、焼結体の非磁性材からなっている。
【0110】
図１０に示すように、第２部分Ｐ２は、インダクタ配線３０と、２つのコンポジット部８０で構成されている。コンポジット部８０は、磁性材からなる粉体状の磁性粒子８１と、非磁性材からなる非磁性母材８２と、からなる。磁性粒子８１は、例えば、Ｆｅ元素、Ｎｉ元素、Ｃｏ元素、Ｃｒ元素、Ｃｕ元素、Ａｌ元素、Ｓｉ元素、Ｂ元素、Ｐ元素等を含む金属磁性粒子である。本実施形態では、磁性粒子８１は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素及びＣｒ元素を含む合金の金属粒子である。非磁性母材８２は、例えば、ガラスやアルミナ等の向き焼結体である。
【0111】
コンポジット部８０は、第１実施形態のインダクタ部品１０における磁性薄帯４０、非磁性層５０及び非磁性部６０である部分を占めている。そのため、第２部分Ｐ２において、コンポジット部８０は、インダクタ配線３０を挟んで２つ配置されている。
【0112】
（インダクタ部品の製造方法）
次に、インダクタ部品１１０の製造方法を説明する。
図１１に示すように、インダクタ部品１１０の製造方法は、第１シート準備工程Ｓ１１と、第２シート準備工程Ｓ１２と、積層工程Ｓ１３と、圧着工程Ｓ１４と、個片化工程Ｓ１５と、焼結工程Ｓ１６と、被膜処理工程Ｓ１７と、を備えている。
次に、インダクタ部品１１０の製造方法を説明する。
図１１に示すように、インダクタ部品１１０の製造方法は、第１シート準備工程Ｓ１１と、第２シート準備工程Ｓ１２と、積層工程Ｓ１３と、圧着工程Ｓ１４と、個片化工程Ｓ１５と、焼結工程Ｓ１６と、被膜処理工程Ｓ１７と、を備えている。
【0113】
先ず、第１シート準備工程Ｓ１１を行う。第１シート２１０は、焼結前非磁性層２１１と、磁性材である金属磁性粉末２１２Ｍを含む磁性層２１２と、を有している。図１２に示すように、第１シート２１０を製造するにあたっては、先ず、第１基材９１としてＰＥＴからなるフィルムを準備する。第１基材９１は、ＰＥＴやアルミナ、フェライトの基板のように部品の完成時には除去されてしまうものであってもよいし、ガラスの焼結前非磁性層２１１のように残るものであってもよい。なお、以下の説明では、第１基材９１の２つの主面が座標軸Ｚに直交するように配置されているものとし、且つ中心軸ＣＡに直交する断面を示して説明する。また、図１２～図２０においては、理解しやすさのため、寸法の比率を、図１０とは、大きく変更して図示している。
【0114】
第１基材９１の座標軸Ｚに沿う第３正方向Ｚ１を向く主面に、非磁性且つ絶縁性の非磁性材からなる非磁性ペーストを塗布してシート状に成形する。これにより、焼結前非磁性層２１１を形成する。焼結前非磁性層２１１は、例えば、アルミナ、シリカ、結晶化ガラス、非晶質ガラス等を含んでいる非磁性材からなっている。
【0115】
次に、図１３に示すように、焼結前非磁性層２１１の座標軸Ｚに沿う第３正方向Ｚ１を向く面に、磁性材である金属磁性粉末２１２Ｍを含む金属磁性ペーストを塗布する。金属磁性粉末２１２Ｍは、本実施形態では、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含むＦｅＮｉ合金である。これにより、磁性層２１２を形成する。磁性層２１２は、樹脂９２に、金属磁性粉末２１２Ｍが含まれている金属磁性ペーストからなっている。
【0116】
次に、図１４に示すように、レーザ加工により、磁性層２１２に溝２１２Ｈを形成する。溝２１２Ｈは、磁性層２１２を貫通している。座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、溝２１２Ｈからは、焼結前非磁性層２１１の一部が、座標軸Ｚに沿う第３正方向Ｚ１に露出している。溝２１２Ｈは、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、第３軸ＡＸ３及び第４軸ＡＸ４に沿う方向に、磁性層２１２を分割している。
【0117】
次に、図１５に示すように、印刷等により、磁性層２１２に形成された溝２１２Ｈを、非磁性且つ絶縁性の材料からなる非磁性ペーストで充填する。これにより、溝内非磁性部２１３を形成する。また、これと同時に、磁性層２１２を第３軸ＡＸ３に沿う方向及び第４軸ＡＸ４に沿う方向に分割した複数の分割磁性層２１２Ｄを形成する。さらに、分割磁性層２１２Ｄをシート状に形成することにより、第１シート２１０が準備される。なお、第１シート２１０は、製造しようとするインダクタ部品１０の磁性薄帯４０の積層数と同数準備する。
【0118】
次に、第２シート準備工程Ｓ１２を行う。第２シート２２０は、配線パターン２２１と、ネガパターン２２２と、を有している。先ず、第２シート２２０を製造するにあたっては、図１６に示すように、第２基材９３を準備する。第２基材９３は、ＰＥＴやアルミナ、フェライトの基板のように部品の完成時には除去されてしまうものであってもよいし、ガラスの焼結前非磁性層２１１のように残るものであってもよい。なお、以下の説明では、第２基材９３の２つの主面が座標軸Ｚに直交するように配置されているものとする。
【0119】
第２基材９３の座標軸Ｚに沿う第３正方向Ｚ１を向く主面に、非磁性且つ絶縁性の非磁性材からなる非磁性ペーストを塗布してシート状に成形する。これにより、焼結前非磁性層２１１を形成する。
【0120】
次に、焼結前非磁性層２１１の座標軸Ｚに沿う第３正方向Ｚ１を向く主面に、印刷等により、部分的に導電ペーストを塗布する。これにより、配線パターン２２１を形成する。配線パターン２２１は、導電材料である。例えば、ＡｇやＣｕの導電ペーストからなっている。
【0121】
なお、配線パターン２２１を形成する方法は、スクリーン印刷法等の印刷以外にも、感光性材料を用いたフォトリソグラフィ法、セミアディティブ等のめっき系工法、別シートに形成された配線パターンを転写する転写法等であってもよい。また、めっき系工法や転写法の場合には、導電ペーストではなく、樹脂を含まない金属膜を配線パターン２２１の材料として用いればよい。
【0122】
次に、図１７に示すように、焼結前非磁性層２１１の座標軸Ｚに沿う第３正方向Ｚ１を向く主面のうち、配線パターン２２１が塗布されていない部分に、印刷等により、ネガペーストを充填塗布する。これにより、ネガパターン２２２を形成する。ネガパターン２２２は、図示は省略するが、磁性粒子８１と、非磁性母材８２の原料である非磁性粉末と、を含んでいる。これにより、第２シート２２０を準備する。本実施形態では、焼結前非磁性層２１１が、配線パターン２２１及びネガパターン２２２を形成するためのシート状の基材となっている。
【0123】
次に、準備した第１シート２１０及び第２シート２２０を積層する積層工程Ｓ１３を行う。図１８に示すように、先ず、第１シート２１０から、第１基材９１を剥離し、シートの上下方向はそのままに、図示を省略する所定の治具台に載置する。そして、第２シート２２０における配線パターン２２１及びネガパターン２２２の焼結前非磁性層２１１が塗布されている面とは反対方向を向く面に、第１シート２１０における焼結前非磁性層２１１の磁性層２１２が塗布されている面とは反対方向を向く面を向かい合わせて接着させる。これにより、第２シート２２０の座標軸Ｚに沿う第３正方向Ｚ１に、第１シート２１０が積層される。
【0124】
同様に、別の第１シート２１０から第１基材９１を剥離する。そして、第２シート２２０に積層された第１シート２１０の第２シート２２０と接着している面とは反対方向を向く面に、別の第１シート２１０における焼結前非磁性層２１１の磁性層２１２が塗布されている面とは反対方向を向く面を向かい合わせて接着させる。なお、図示は省略するが、インダクタ部品１０の第３部分Ｐ３に積層される磁性薄帯４０の枚数だけ、第１シート２１０を積層させる。
【0125】
次に、第２シート２２０から、第２基材９３を剥離する。そして、第２シート２２０における焼結前非磁性層２１１の配線パターン２２１が塗布されている面とは反対方向を向く面に、第１シート２１０における磁性層２１２の焼結前非磁性層２１１が塗布されている面とは反対方向を向く面を向かい合わせて接着させる。そして、第１シート２１０から、第１基材９１を剥離する。
【0126】
同様に、第２シート２２０に積層された第１シート２１０における焼結前非磁性層２１１の磁性層２１２が塗布されている面とは反対方向を向く面に、別の第１シート２１０における磁性層２１２の焼結前非磁性層２１１が塗布されている面とは反対方向を向く面を向かい合わせて接着させる。なお、図示は省略するが、インダクタ部品１０の第１部分Ｐ１に積層される磁性薄帯４０の枚数だけ、第１シート２１０を積層させる。このように、第２シート２２０の両主面に第１シート２１０を繰り返し積層させる。すなわち、積層体２００を形成する際に、分割磁性層２１２Ｄを複数積層させる。
【0127】
次に、圧着工程Ｓ１４を行う。上記の積層工程Ｓ１３によって積層された第１シート２１０及び第２シート２２０を、ＷＩＰ等のプレスを行い圧着する。これによって、積層体２００を形成する。
【0128】
次に、個片化工程Ｓ１５を行う。図１９に示すように、例えば、積層体２００を、所定の破断線ＤＬにてダイシングすることにより個片化する。これにより、積層体２００を個片化した個片部２０１を形成する。個片部２０１は、配線パターン２２１及び分割磁性層２１２Ｄによって構成されている。複数個の個片部２０１は、積層体２００において、第３軸ＡＸ３に沿う方向及び第４軸ＡＸ４に沿う方向に並ぶように、行列状に配置されている。なお、本実施形態では、個片部２０１は、１つの配線パターン２２１を有している。
【0129】
次に、焼結工程Ｓ１６を行う。図２０に示すように、個片化工程Ｓ１５において個片化された積層体２００の個片部２０１を、所定時間だけ焼成することにより、焼結させる。これにより、配線パターン２２１は、焼結体のインダクタ配線３０になる。ネガパターン２２２は、焼結体のコンポジット部８０になる。焼結前非磁性層２１１は、焼結体の非磁性層５０になる。溝内非磁性部２１３は、焼結体の非磁性部６０になる。そして、磁性層２１２の金属磁性粉末２１２Ｍは、磁性材からなる焼結体の金属磁性体になる。一方で、積層体２００の個片部２０１に含まれる樹脂は、加熱されることにより気化する。
【0130】
次に、被膜処理工程Ｓ１７を行う。個片化工程Ｓ１５においてダイシングした破断線ＤＬを含む面を、非磁性の絶縁体である非磁性膜７０で覆う。その結果、個片部２０１は、インダクタ部品１１０となる。なお、焼結工程Ｓ１６によって、インダクタ部品１１０の体積は、個片部２０１の体積と比べて、小さくなる。
【0131】
（第２実施形態の作用について）
上記第２実施形態のインダクタ部品１１０によれば、焼結工程Ｓ１６によって、磁性層２１２の金属磁性粉末２１２Ｍは、磁性材からなる焼結体になる。
上記第２実施形態のインダクタ部品１１０によれば、焼結工程Ｓ１６によって、磁性層２１２の金属磁性粉末２１２Ｍは、磁性材からなる焼結体になる。
【0132】
（第２実施形態の効果について）
上記第２実施形態では、上述した第１実施形態における第２部分Ｐ２のうちの磁性薄帯４０及び非磁性層５０の構成を、コンポジット部８０とした点で主に異なる。また、第１部分Ｐ１及び第３部分Ｐ３における素体１２０における各構成の材質が、焼結体の材料である点は異なるものの、磁性薄帯４０が磁性材であり、非磁性層５０、非磁性部６０及び非磁性膜７０が非磁性材である点については第１実施形態と同様である。そのため、第２実施形態におけるインダクタ部品１１０は、第１実施形態におけるインダクタ部品１０のシミュレーション結果と同様の傾向が得られる。そのため、第２実施形態によれば、上述した第１実施形態における（１－１）～（１－９）の効果を奏する。それに加えて、第２実施形態によれば、以下の効果を奏する。
上記第２実施形態では、上述した第１実施形態における第２部分Ｐ２のうちの磁性薄帯４０及び非磁性層５０の構成を、コンポジット部８０とした点で主に異なる。また、第１部分Ｐ１及び第３部分Ｐ３における素体１２０における各構成の材質が、焼結体の材料である点は異なるものの、磁性薄帯４０が磁性材であり、非磁性層５０、非磁性部６０及び非磁性膜７０が非磁性材である点については第１実施形態と同様である。そのため、第２実施形態におけるインダクタ部品１１０は、第１実施形態におけるインダクタ部品１０のシミュレーション結果と同様の傾向が得られる。そのため、第２実施形態によれば、上述した第１実施形態における（１－１）～（１－９）の効果を奏する。それに加えて、第２実施形態によれば、以下の効果を奏する。
【0133】
（２－１）第２実施形態によれば、磁性薄帯４０は、焼結体である。磁性薄帯４０として焼結体を採用することで、焼結の過程で磁性薄帯４０の歪みを緩和することができる。その結果、磁性薄帯４０の透磁率や保磁力といった磁気的な特性が、製造過程で低下することを抑制できる。
【0134】
そのため、磁歪定数が大きいが、飽和磁束密度Ｂｓの高い結晶性金属磁性粒子を採用でき、素体２０全体として、高い飽和磁束密度Ｂｓを得ることができる。その結果、特性指標である初期インダクタンスＬｉｎ及び直流重畳特性Ｉｓａｔのいずれも、素体２０全体が粉体状の金属磁性粒子と有機樹脂とのメタルコンポジット材である場合と比べて、大きくなる。したがって、第２実施形態によれば、インダクタ部品１０の特性向上を図ることができる。
【0135】
（２－２）上記第２実施形態によれば、焼結体である磁性薄帯４０は、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金を有している。Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金は、透磁率μを高く得ることができる。そのため、特性指標である初期インダクタンスＬｉｎ及び直流重畳特性Ｉｓａｔを大きく得ることができる。
【0136】
（２－３）上記第２実施形態では、磁性薄帯４０の磁性材は、Ｆｅ元素及びＣｏ元素からなるパーメンジュールである。このような結晶性金属磁性材は、金属磁性材の中で、飽和磁束密度Ｂｓが極めて大きい。そのため、直流重畳特性Ｉｓａｔの観点からは、高い電流値Ｉｄｃで使用されるパワーインダクタ等における素体２０の材料として好適である。
【0137】
しかしながら、Ｆｅ元素及びＣｏ元素からなるパーメンジュール等の結晶性金属磁性材料は、磁歪定数が非常に大きい。すなわち、結晶性金属磁性材料は、磁界が発生したときの寸法の変化量が大きい材料である。そして、素体２０を形成する際に、圧力を加えるなどした際に、応力により結晶性金属磁性材料の歪みが残存しやすい。このような加工時の歪みが残った状態であると、透磁率μが低下したり、磁化されていない状態に戻すための保磁力が大きく必要になったりする。
【0138】
ここで、上記第２実施形態では、焼結工程Ｓ１６において、加工により発生した残留歪みを緩和することができる。このように、歪みを緩和することによって回復する特性が大きくなり得るため、結晶性の金属磁性材は、焼結体を採用することによる効果が大きく発揮される。
【0139】
（２－４）上記第２実施形態によれば、第２部分Ｐ２におけるインダクタ配線３０ではない部分は、コンポジット部８０で構成されている。そして、コンポジット部８０では、磁性粒子８１がランダムに分散されている。そのため、第２軸ＡＸ２に沿う方向に発生する磁束が、第２部分Ｐ２の磁性材に侵入したときに、コンポジット部８０において発生する渦電流が小さくなる。
【0140】
（２－５）仮に、１つのインダクタ部品１０において、焼結後の磁性薄帯４０を１つずつ積層させるとすると、手間がかかる。上記第２実施形態によれば、個片部２０１を複数有する積層体２００を形成している。そして、積層体２００を個片化することで個片部２０１を形成している。その後、個片部２０１を焼結してインダクタ部品１０を製造している。そのため、複数の磁性薄帯４０を積層した個片部２０１を効率よく製造することができる。
【0141】
（２－６）上記第２実施形態によれば、分割磁性層２１２Ｄを、シート状に形成することにより第１シート２１０を準備している。また、シート状の基材として焼結前非磁性層２１１上に配線パターン２２１を形成することにより、第２シート２２０を準備している。そして、第１シート２１０及び第２シート２２０を圧着することにより積層体２００を形成している。そのため、積層体２００を形成するうえで、２種類のシートを準備する工程と、積層する工程と、圧着する工程と、で積層体２００を形成できる。
【0142】
（２－７）上記第２実施形態によれば、配線パターン２２１上に、分割磁性層２１２Ｄを形成することにより積層体２００を形成している。配線パターン２２１を基準として、分割磁性層２１２Ｄの位置を調整することができる。
【0143】
（２－８）上記第２実施形態によれば、第２シート２２０を準備するうえで、シート状の基材として焼結前非磁性層２１１上のうち、配線パターン２２１が形成されない部分に、ネガパターン２２２を形成する。そのため、インダクタ部品１１０におけるコンポジット部８０の位置を調整しやすい。
【0144】
（２－９）上記第２実施形態によれば、積層体２００を形成する際、分割磁性層２１２Ｄを複数積層する。そのため、インダクタ部品１１０における積層方向に積層される複数の磁性薄帯４０の数を調整しやすい。
【0145】
＜第３実施形態＞
第３実施形態におけるインダクタ部品３１０は、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と比べて、インダクタ配線３０の形状が異なる。以下では、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と比べて、異なる点を説明する。
第３実施形態におけるインダクタ部品３１０は、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と比べて、インダクタ配線３０の形状が異なる。以下では、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と比べて、異なる点を説明する。
【0146】
図２１に示すように、インダクタ部品３１０は、第１インダクタ配線３３１と、第２インダクタ配線３３２と、を備えている。第１インダクタ配線３３１は、座標軸Ｚに直交する平面上を延びている。また、第２インダクタ配線３３２は、座標軸Ｚに沿う方向において第１インダクタ配線３３１とは異なる位置で座標軸Ｚに直交する平面上を延びている。また、図２２に示すように、インダクタ部品３１０は、第１インダクタ配線３３１と第２インダクタ配線３３２とを接続するビア３３３を備えている。
【0147】
図２１に示すように、第１インダクタ配線３３１は、第１直線部３３１Ａと、第２直線部３３１Ｂと、第３直線部３３１Ｃと、で構成されている。第１直線部３３１Ａは、座標軸Ｚに沿う方向から視て長方形状であり、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。
【0148】
第１直線部３３１Ａの第２負方向Ｙ２の端面は、第２部分Ｐ２の外面の一部を構成しており、素体２０から露出している。第１直線部３３１Ａの第１負方向Ｘ２の側面は、磁性薄帯４０Ａの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に位置している。また、第１直線部３３１Ａの第１正方向Ｘ１の側面は、磁性薄帯４０Ｂの第１負方向Ｘ２の端と第１正方向Ｘ１の端との間に位置している。第１直線部３３１Ａは、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０Ａと磁性薄帯４０Ｂとの隙間を埋める非磁性部６０及び磁性薄帯４０Ｄと磁性薄帯４０Ｅとの隙間を埋める非磁性部６０に沿って延びている。第１直線部３３１Ａの第２正方向Ｙ１の端面は、磁性薄帯４０Ｄの第２正方向Ｙ１の端よりも第２負方向Ｙ２に位置している。
【0149】
第２直線部３３１Ｂは、第１直線部３３１Ａの第２正方向Ｙ１の端面に接続している。第２直線部３３１Ｂは、座標軸Ｚに沿う方向から視て長方形状であり、座標軸Ｘに沿う方向に直線状に延びている。
【0150】
第２直線部３３１Ｂの第１負方向Ｘ２の端面は、第１直線部３３１Ａの第１負方向Ｘ２の側面と面一である。第２直線部３３１Ｂの第２負方向Ｙ２の側面は、磁性薄帯４０Ｅの第２正方向Ｙ１の端と第２負方向Ｙ２の端との間に位置している。第２直線部３３１Ｂの第２正方向Ｙ１の側面は、磁性薄帯４０Ｈの第２負方向Ｙ２の端と第２正方向Ｙ１の端との間に位置している。第２直線部３３１Ｂは、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０Ｅと磁性薄帯４０Ｈとの隙間を埋める非磁性部６０に沿って延びている。第２直線部３３１Ｂの第１正方向Ｘ１の端面は、磁性薄帯４０Ｆの第２負方向Ｙ２の端と第２正方向Ｙ１の端との間に位置している。
【0151】
第３直線部３３１Ｃは、第２直線部３３１Ｂの第２負方向Ｙ２の側面に接続している。第３直線部３３１Ｃは、座標軸Ｚに沿う方向から視て長方形状であり、座標軸Ｙに沿う方向に直線状に延びている。
【0152】
第３直線部３３１Ｃの第１正方向Ｘ１の側面は、第２直線部３３１Ｂの第１正方向Ｘ１の端面と面一である。第３直線部３３１Ｃの第１負方向Ｘ２の側面は、磁性薄帯４０Ｅの第１正方向Ｘ１の端と第１負方向Ｘ２の端との間に位置している。第３直線部３４は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０Ｅと磁性薄帯４０Ｆとの隙間を埋める非磁性部６０に沿って延びている。第３直線部３４の第２負方向Ｙ２の端面は、磁性薄帯４０Ｂの第２負方向Ｙ２の端と第２正方向Ｙ１の端との間に位置している。すなわち、第３直線部３４の第２正方向Ｙ１の端面は、素体２０の外部に露出していない。
【0153】
図２２に示すように、ビア３３３は、第３直線部３３１Ｃの第２負方向Ｙ２の端部に接続している。ビア３３３は、第３直線部３３１Ｃの第３正方向Ｚ１に接続している。ビア３３３は、直方体状であり、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、正方形状である。座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、ビア３３３の第２負方向Ｙ２の端面は、第３直線部３３１Ｃの第２負方向Ｙ２の端面と一致している。座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、ビア３３３の第１正方向Ｘ１の端面は、第３直線部３３１Ｃの第１正方向Ｘ１の側面と一致している。
【0154】
第２インダクタ配線３３２は、第４直線部３３２Ａと、第５直線部３３２Ｂと、を有している。第４直線部３３２Ａは、ビア３３３の第３正方向Ｚ１の端面に接続している。第４直線部３３２Ａは、座標軸Ｚに沿う方向から視て長方形状であり、座標軸Ｘに沿う方向に直線状に延びている。座標軸Ｚに沿う方向から視て、第４直線部３３２Ａの第１正方向Ｘ１の端面は、ビア３３３の第１正方向Ｘ１の端面と一致している。第４直線部３３２Ａの第２負方向Ｙ２の側面は、ビア３３３の第２負方向Ｙ２の端面と一致している。第４直線部３３２Ａの第２正方向Ｙ１の側面は、ビア３３３の第２正方向Ｙ１の端面と一致している。座標軸Ｚに沿う方向から視て、第４直線部３３２Ａの第１負方向Ｘ２の端面は、第１直線部３３１Ａの第１負方向Ｘ２の側面と一致している。第４直線部３３２Ａと第１直線部３３１Ａとは、座標軸Ｚに沿う方向に離れており、接触していない。
【0155】
第５直線部３３２Ｂは、第４直線部３３２Ａの第２正方向Ｙ１の側面に接続している。第５直線部３３２Ｂは、座標軸Ｚに沿う方向から視て長方形状であり、座標軸Ｚに沿う方向に直線状に延びている。第５直線部３３２Ｂの第１負方向Ｘ２の側面は、第１直線部３３１Ａの第１負方向Ｘ２の側面と一致している。第５直線部３３２Ｂの第１正方向Ｘ１の側面は、第１直線部３３１Ａの第１正方向Ｘ１の側面と一致している。第５直線部３３２Ｂの第２正方向Ｙ１の端面は、素体２０の外部に露出している。
【0156】
ここで、図２２に示すように、第１インダクタ配線３３１の中心軸を第１中心軸ＣＡ１とし、第２インダクタ配線３３２の中心軸を第２中心軸ＣＡ２とする。図２１に示すように、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１インダクタ配線３３１の第１中心軸ＣＡ１と第２インダクタ配線３３２の第２中心軸ＣＡ２をつなげる軸を仮想中心軸ＣＡＶとする。この場合、仮想中心軸ＣＡＶは、１．０ターン巻き回されている。そのため、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１インダクタ配線３３１及び第２インダクタ配線３３２による合計ターン数は、１．０ターンである。
【0157】
ここで、第１インダクタ配線３３１及び第２インダクタ配線３３２による合計ターン数は、仮想ベクトルに基づいて定められる。仮想ベクトルの始点は、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、各インダクタ配線の中心軸上に配置されている。そして、仮想ベクトルは、座標軸Ｚから視たときに仮想中心軸ＣＡＶに接している。仮想ベクトルの始点を仮想中心軸ＣＡＶの一方の端に配置した状態から、始点を仮想中心軸ＣＡＶの他方の端まで移動させたときに、仮想ベクトルの向きが回転した角度が「３６０°」のときに、ターン数は「１．０ターン」として定められている。したがって、例えば「１８０°」巻回されると、ターン数は「０．５ターン」となる。
【0158】
（インダクタ配線と非磁性部との位置関係について）
図２１に示すように、第１インダクタ配線３３１の第１端は、第１直線部３３１Ａの座標軸Ｙに沿う第２負方向Ｙ２の端である。また、第２軸ＡＸ２、すなわち座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、第１中心軸ＣＡ１に沿う第１インダクタ配線３３１の第１端とは反対側の第２端は、第３直線部３３１Ｃの座標軸Ｙに沿う第２正方向Ｙ１の端である。そして、第１インダクタ配線３３１の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ａと磁性薄帯４０Ｂとの間に位置する非磁性部６０と、磁性薄帯４０Ｄと磁性薄帯４０Ｅとの間に位置する非磁性部６０と、が存在している。また、第１インダクタ配線３３１の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ｅと磁性薄帯４０Ｈとの間に位置する非磁性部６０と、磁性薄帯４０Ｆと磁性薄帯４０Ｉとの間に位置する非磁性部６０と、が存在している。さらに、第１インダクタ配線３３１の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ｄと磁性薄帯４０Ｅとの間に位置する非磁性部６０が存在している。よって、第２軸ＡＸ２、すなわち座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、第１中心軸ＣＡ１に沿う第１インダクタ配線３３１の第１端から第２端までの全範囲で、第１インダクタ配線３３１の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部６０が存在する。換言すると、座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、第１インダクタ配線３３１の第１端から第２端まで、途切れることなく非磁性部６０が延びている。
図２１に示すように、第１インダクタ配線３３１の第１端は、第１直線部３３１Ａの座標軸Ｙに沿う第２負方向Ｙ２の端である。また、第２軸ＡＸ２、すなわち座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、第１中心軸ＣＡ１に沿う第１インダクタ配線３３１の第１端とは反対側の第２端は、第３直線部３３１Ｃの座標軸Ｙに沿う第２正方向Ｙ１の端である。そして、第１インダクタ配線３３１の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ａと磁性薄帯４０Ｂとの間に位置する非磁性部６０と、磁性薄帯４０Ｄと磁性薄帯４０Ｅとの間に位置する非磁性部６０と、が存在している。また、第１インダクタ配線３３１の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ｅと磁性薄帯４０Ｈとの間に位置する非磁性部６０と、磁性薄帯４０Ｆと磁性薄帯４０Ｉとの間に位置する非磁性部６０と、が存在している。さらに、第１インダクタ配線３３１の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ｄと磁性薄帯４０Ｅとの間に位置する非磁性部６０が存在している。よって、第２軸ＡＸ２、すなわち座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、第１中心軸ＣＡ１に沿う第１インダクタ配線３３１の第１端から第２端までの全範囲で、第１インダクタ配線３３１の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部６０が存在する。換言すると、座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、第１インダクタ配線３３１の第１端から第２端まで、途切れることなく非磁性部６０が延びている。
【0159】
同様に、第２中心軸ＣＡ２に沿う第２インダクタ配線３３２の第１端は、第４直線部３３２Ａの第１正方向Ｘ１の端である。また、第２軸ＡＸ２、すなわち座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、第２中心軸ＣＡ２に沿う第２インダクタ配線３３２の第１端とは反対側の第２端は、第５直線部３３２Ｂの座標軸Ｙに沿う第２正方向Ｙ１の端である。そして、第２インダクタ配線３３２の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ｂと磁性薄帯４０Ｅとの間に位置する非磁性部６０が存在している。また、第２インダクタ配線３３２の第１端から第２端までの範囲内に、磁性薄帯４０Ｄと磁性薄帯４０Ｅとの間に位置する非磁性部６０と、磁性薄帯４０Ｇと磁性薄帯４０Ｈとの間に位置する非磁性部６０と、が存在している。よって、第２軸ＡＸ２、すなわち座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、第２中心軸ＣＡ２に沿う第２インダクタ配線３３２の第１端から第２端までの全範囲で、第２インダクタ配線３３２の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部６０が存在する。換言すると、座標軸Ｚに沿う方向から視たとき、第２インダクタ配線３３２の第１端から第２端まで、途切れることなく非磁性部６０が延びている。
【0160】
（シミュレーションについて）
上述した第１実施形態におけるシミュレーションと同様に、実施例２として第３実施形態におけるインダクタ部品３１０について、シミュレーションを行った。特に第３実施形態のインダクタ部品３１０において、異なる条件を説明する。
上述した第１実施形態におけるシミュレーションと同様に、実施例２として第３実施形態におけるインダクタ部品３１０について、シミュレーションを行った。特に第３実施形態のインダクタ部品３１０において、異なる条件を説明する。
【0161】
第１インダクタ配線３３１の第１中心軸ＣＡ１に沿う方向の寸法と、第２インダクタ配線３３２の第２中心軸ＣＡ２に沿う方向の寸法との合計値は、７．００ｍｍである。
第１インダクタ配線３３１の第１軸ＡＸ１に沿う方向の寸法は、０．５ｍｍである。第１インダクタ配線３３１の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．１ｍｍである。第２インダクタ配線３３２の第１軸ＡＸ１に沿う方向の寸法は、０．５ｍｍである。第２インダクタ配線３３２の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．１ｍｍである。ビア３３３の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．０３ｍｍである。
第１インダクタ配線３３１の第１軸ＡＸ１に沿う方向の寸法は、０．５ｍｍである。第１インダクタ配線３３１の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．１ｍｍである。第２インダクタ配線３３２の第１軸ＡＸ１に沿う方向の寸法は、０．５ｍｍである。第２インダクタ配線３３２の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．１ｍｍである。ビア３３３の座標軸Ｚに沿う方向の寸法は、０．０３ｍｍである。
【0162】
一方で、比較例２のインダクタ部品は、実施例２と比べて、素体３２０が、磁性材と非磁性材とのコンポジット材である。シミュレーションには、素体３２０は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素、Ｃｒ元素及びＢ元素からなるアモルファス金属粒子と樹脂のメタルコンポジット材とした。素体３２０の比透磁率μｒは、２４であり、金属磁性体充填率は７０％、飽和磁束密度Ｂｓは、０．９１Ｔである。他の条件は、実施例２のインダクタ部品３１０と同様である。
【0163】
図２３に示すように、実施例２及び比較例２について、初期インダクタンスＬｉｎ及び直流重畳特性Ｉｓａｔが算出された。実施例２と比較例２とを比べると、実施例２の初期インダクタンスＬｉｎは、比較例２の初期インダクタンスＬｉｎに対して、１０％以上大きい値である。また、実施例２の直流重畳特性Ｉｓａｔは、比較例２の直流重畳特性Ｉｓａｔに対して、１０％以上大きい値である。
【0164】
このように、第３実施形態におけるインダクタ部品３１０においても、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と同様に、比較例２と比べて、初期インダクタンスＬｉｎ及び直流重畳特性Ｉｓａｔのいずれも大きい。
【0165】
（第３実施形態の効果について）
第３実施形態によれば、上述した第１実施形態における（１－１）～（１－９）の効果に加えて、以下の効果を奏する。
第３実施形態によれば、上述した第１実施形態における（１－１）～（１－９）の効果に加えて、以下の効果を奏する。
【0166】
（３－１）上記第３実施形態によれば、第１インダクタ配線３３１と、第１インダクタ配線３３１とは第２軸ＡＸ２に沿う方向の位置が異なる第２インダクタ配線３３２と、ビア３３３と、を備えている。そのため、第２軸ＡＸ２に沿う方向の位置が異なる複数のインダクタ配線を備えているため、インダクタ配線の配線長を長くしやすい。
【0167】
（３－２）上記第３実施形態によれば、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１インダクタ配線３３１及び第２インダクタ配線３３２による合計ターン数は、１．０ターンである。そのため、初期インダクタンスＬｉｎを大きく得ることができる。
【0168】
＜その他の実施形態＞
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。
【0169】
・上記各実施形態において、素体２０の形状は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、第２軸ＡＸ２に沿う方向から視たときに、素体２０の形状は、長方形状であってもよいし、四角形以外の多角形であってもよい。さらに例えば、座標軸Ｚに沿う方向から視たときに、素体２０の形状は、楕円等の円状であってもよい。また、素体２０の形状は、座標軸Ｘと座標軸Ｙの寸法が異なる直方体や、立方体、多角柱、円柱等であってもよい。
【0170】
・上記第１実施形態において、インダクタ配線３０とは、電流が流れた場合に素体２０に磁束を発生させることによって、インダクタ部品１０にインダクタンスＬを付与できるものであれば、形状は適宜に変更できる。この点、他の実施形態においても同様である。
【0171】
また例えば、図２４に示す変更例のインダクタ部品４１０では、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線４３０は、楕円状である。そして、インダクタ配線４３０に外接するとともに、座標軸Ｘに沿う第１辺及び座標軸Ｚに沿う第２辺を有する面積が最小の仮想長方形ＶＲ２を描く。このとき、仮想長方形ＶＲ２の第１辺は、仮想長方形ＶＲ２の第２辺よりも長い。このように、仮想長方形ＶＲ２の長辺が座標軸Ｘと平行であると、磁束のより集中する配線断面の座標軸Ｘに沿う方向の端部には、磁性薄帯４０の反磁界の小さい領域が対応するため、より好ましい。
【0172】
また、上記第１実施形態において、中心軸ＣＡに直交する断面におけるインダクタ配線３０の形状は、座標軸Ｚに沿う第２辺が、座標軸Ｘに沿う第１辺よりも長くてもよい。この場合であっても、インダクタ配線３０の第１正方向Ｘ１の端には、磁束が集中する。そのため、このように、磁束のより集中する配線断面の端には、磁性薄帯４０の反磁界の小さい領域が対応するため、より好ましい。
【0173】
さらに、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０の形状は、１つ以上の突出部分を含む場合等、線対称や回転対称等の対称性を有しない形状であってもよい。このように、中心軸ＣＡに直交する断面において、対称性が崩れていると、磁束が他よりも集中する箇所が発生する。そして、突出部分等のように磁束が他よりも集中する箇所がインダクタ配線３０の第１正方向Ｘ１の端となるように、磁性薄帯４０の位置関係を定めることが好ましい。
【0174】
また、例えば、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０の形状は、正方形状であってもよいし、真円状であってもよい。この場合、中心軸ＣＡに直交する断面において描く仮想長方形ＶＲは正方形となり、仮想長方形ＶＲの第１辺は、仮想長方形ＶＲの第２辺より長くなくてもよい。
【0175】
・上記各実施形態において、インダクタ配線の形状は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、図２５に示す変更例のインダクタ部品５１０Ｘのように、全体として湾曲しているインダクタ配線５３０Ｘの形状であってもよい。また例えば、図２６に示す変更例のインダクタ部品５１０Ｙように、２回湾曲しているインダクタ配線５３０Ｙの形状であってもよい。また例えば、図２７に示す変更例のインダクタ部品５１０Ｚのように、ミアンダ形状のインダクタ配線５３０Ｚであってもよい。なお、ミアンダ形状は、湾曲している部分が連続するものに限られず、異なる方向を向く直線状部分が連続するものであってもよい。
【0176】
さらに、図２５～図２７に示す変更例のように、インダクタ配線は、直線状部分を有するものに限られない。インダクタ配線は、複数の直線部が接続されることによって、屈曲している箇所を備えない場合には、少なくとも、湾曲している箇所を備えていればよい。
【0177】
・上記各実施形態において、インダクタ配線の寸法は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、上述したシミュレーションのように、インダクタ配線の両端が素体から突出していてもよい。
【0178】
・上記各実施形態において、インダクタ配線の材質は、導電性材料であれば、上記各実施形態の例に限られない。例えば、インダクタ配線の材質は、導電性の樹脂であってもよい。
【0179】
・上記各実施形態において、第２軸ＡＸ２に沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０の形状は四角形状に限らない。例えば、磁性薄帯４０の形状は、四角形以外の多角形状であってもよいし、楕円形状であってもよい。
【0180】
・上記各実施形態において、座標軸Ｚから視たときに、素体２０の一辺と第３軸ＡＸ３とが一致していなくてもよい。また、座標軸Ｚから視たときに、素体２０の一辺と第４軸ＡＸ４とが一致していなくてもよい。さらに、第３軸ＡＸ３は、座標軸Ｘと平行でなくてもよい。また、第４軸ＡＸ４は、座標軸Ｙと平行でなくてもよい。例えば、第２軸ＡＸ２に沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０の形状が、六角形状であるとする。この場合、第２軸ＡＸ２に沿う方向から視たときに、磁性薄帯４０は、第２軸ＡＸ２に直交する第３軸ＡＸ３に沿う方向に並ぶとともに、第２軸ＡＸ２に直交するとともに、第３軸ＡＸ３に交差する第４軸ＡＸ４に沿う方向に並ぶ。この場合、第４軸ＡＸ４は、第３軸ＡＸ３に対して６０度傾いている。このように、第３軸ＡＸ３と第４軸ＡＸ４とは、第２軸ＡＸ２に直交するとともに、第４軸ＡＸ４は第３軸ＡＸ３に交差していればよい。
【0181】
・上記各実施形態において、インダクタ配線が素体２０から露出している部分には、外部電極が接続されていてもよい。例えば、第１実施形態において、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う方向の両端面、及び素体２０の中心軸ＣＡに沿う方向の両端面に、塗布、印刷、めっき等によって、外部電極を形成してもよい。
【0182】
・上記各実施形態において、磁性薄帯４０と非磁性層５０とが積層される方向は、製造上の誤差等により、中心軸ＣＡ及び第１軸ＡＸ１に対して直交しないこともある。上記実施形態において、磁性薄帯４０等が「第２軸ＡＸ２に沿う方向に積層されている」というのは、このような製造上の誤差などを許容するものである。
【0183】
・上記各実施形態において、複数の磁性薄帯４０は、第３軸ＡＸ３に沿う方向及び第４軸ＡＸ４に沿う方向に並んでいれば、第２軸ＡＸ２に沿う方向に積層されていなくてもよい。この場合、例えば、インダクタ配線３０の第２軸ＡＸ２に沿う方向を向く面の一方にのみ位置していればよい。また例えば、第２軸ＡＸ２に沿う方向に積層されている場合であっても、第１実施形態において、第３部分Ｐ３を省略し、インダクタ配線３０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の一方にのみ配置されていてもよい。
【0184】
・上記各実施形態において、磁性薄帯４０の材質は、磁性材であれば、上記実施形態の例に限られない。例えば、Ｆｅであってもよいし、Ｎｉであってもよい。また、Ｆｅ元素及びＣｏ元素を含む合金であってもよい。さらに、Ｆｅ元素、Ｎｉ元素、Ｃｏ元素、Ｃｒ元素、Ｃｕ元素、Ａｌ元素、Ｓｉ元素、Ｂ元素、Ｐ元素のうち、少なくとも２つ以上を含む合金であってもよい。さらに、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうち、少なくとも２つ以上を含む混合物であってもよい。透磁率μが大きい磁性材であると、インダクタ部品の初期インダクタンスＬｉｎの向上を図るうえで、好適である。
【0185】
・上記各実施形態において、非磁性層５０の材質は、非磁性材であれば、上記実施形態の例に限られない。非磁性層５０は、アクリル樹脂や、エポキシ樹脂、シリコン樹脂以外の樹脂であってもよいし、アルミナ、シリカ、ガラス等の非磁性セラミックスやこれらを含む非磁性無機物であってもよいし、空隙であってもよく、さらにこれらの混合物であってもよい。この点、非磁性部６０及び非磁性膜７０についても同様である。また、非磁性層５０、非磁性部６０及び非磁性膜７０の材質は、非磁性材であれば、互いに異なっていてもよいし、部分的に異なっていてもよい。これらの場合、焼結工程Ｓ１６の後に、個片部２０１の外面を樹脂でコーティングしたり、外側から空間を樹脂で充填したりすることで実現できる。なお、第２実施形態において説明した製造方法のように、非磁性層５０等を焼結体で形成する場合には、非磁性ペーストとしては、アルミナ、シリカ、結晶化ガラス、非晶質ガラス等、焼結させることのできる材料が好適である。
【0186】
・上記実施形態において、非磁性層５０、非磁性部６０、非磁性膜７０は一体化していてもよいし、別の部材であってもよい。例えば、非磁性層５０は、中空であってもよいし、磁性薄帯４０の表面が酸化した酸化膜が絶縁体となって構成されていてもよい。
【0187】
・上記実施形態において、非磁性層５０を省いてもよい。この場合、第２軸ＡＸ２に沿う方向に隣り合う磁性薄帯４０同士が直接接触していてもよい。
・上記実施形態において、非磁性部６０が、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０との間に存在していてもよい。この場合、非磁性部６０によって、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０との間の絶縁性を確保できる。
・上記実施形態において、非磁性部６０が、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０との間に存在していてもよい。この場合、非磁性部６０によって、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０との間の絶縁性を確保できる。
【0188】
なお、「複数の磁性薄帯４０が積層された」及び「複数の磁性薄帯４０が並ぶ」とは、具体的には、隣接する磁性薄帯４０同士が完全に又は部分的に絶縁されている場合や微視的に物理的な境界が存在する場合を指す。例えば、磁性薄帯４０同士が焼結されて完全に一体化されている状態等は含まない。
【0189】
・上記実施形態において、第１部分Ｐ１及び第３部分Ｐ３の少なくとも一方に磁性薄帯４０が存在するのであれば、磁性薄帯４０、非磁性層５０及び非磁性部６０の構成は、変更できる。例えば、第２部分Ｐ２のうちのインダクタ配線３０を除く部分全てを磁性薄帯４０で構成してもよいし非磁性層５０で構成してもよい。また、第２部分Ｐ２のうちのインダクタ配線３０を除く部分全てを磁性薄帯４０で構成する場合、その磁性薄帯４０は粉体状の磁性材と非磁性材とのコンポジット材であってもよい。このようなコンポジット材としては、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ及びＢからなるアモルファス金属粒子と樹脂とのメタルコンポジット材や、ガラスとフェライトとのコンポジット材等が挙げられる。
【0190】
・上記各実施形態において、複数の磁性薄帯４０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、異なっていてもよい。磁性薄帯４０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法が小さい場合、製造方法によっては２０％程度の製造誤差が生じることもあり得る。したがって、磁性薄帯４０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、複数の磁性薄帯４０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下であれば、ほぼ等しいとみなせる。なお、各磁性薄帯４０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて１０００倍から１００００倍までの間の倍率に拡大した１枚の画像のうち、第２軸ＡＸ２に沿う方向の最小の寸法とする。また、複数の磁性薄帯４０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて５つの磁性薄帯４０がおさまる１枚の画像で測定した１つの磁性薄帯４０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法の平均値である。
【0191】
・複数の磁性薄帯４０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、互いに同一でなくてもよいし、平均値に対して、２０％より大きくばらついていてもかまわない。
・上記各実施形態において、複数の非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、異なっていてもよい。非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法が小さい場合、製造方法によっては２０％程度の製造誤差が生じることもあり得る。したがって、非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、複数の非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下であれば、ほぼ等しいとみなせる。なお、各非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて１０００倍から１００００倍までの間の倍率に拡大した１枚の画像のうち、第２軸ＡＸ２に沿う方向の最小の寸法とする。また、複数の非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて５つの非磁性層５０がおさまる１枚の画像で測定した１つの非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法の平均値である。
・上記各実施形態において、複数の非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、異なっていてもよい。非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法が小さい場合、製造方法によっては２０％程度の製造誤差が生じることもあり得る。したがって、非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、複数の非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下であれば、ほぼ等しいとみなせる。なお、各非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて１０００倍から１００００倍までの間の倍率に拡大した１枚の画像のうち、第２軸ＡＸ２に沿う方向の最小の寸法とする。また、複数の非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて５つの非磁性層５０がおさまる１枚の画像で測定した１つの非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法の平均値である。
【0192】
・複数の非磁性層５０の第２軸ＡＸ２に沿う方向の寸法は、互いに同一でなくてもよいし、平均値に対して、２０％より大きくばらついていてもかまわない。
・上記各実施形態において、複数の磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法は、異なっていてもよい。磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法が小さい場合、製造方法によっては２０％程度の製造誤差が生じることもあり得る。したがって、第３軸ＡＸ３に沿って複数並んでいる磁性薄帯４０の列において、磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法は、当該列におけるすべての磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下であれば、ほぼ等しいとみなせる。なお、各磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて、電子顕微鏡にて１００倍から１００００倍までの間の倍率に拡大した１枚の画像のうち、第３軸ＡＸ３に沿う方向の最大の寸法とする。また、複数の磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて第３軸ＡＸ３に沿う方向に並んでいるすべての磁性薄帯４０がおさまる１枚の画像で測定した１つの磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法の平均値である。
・上記各実施形態において、複数の磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法は、異なっていてもよい。磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法が小さい場合、製造方法によっては２０％程度の製造誤差が生じることもあり得る。したがって、第３軸ＡＸ３に沿って複数並んでいる磁性薄帯４０の列において、磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法は、当該列におけるすべての磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下であれば、ほぼ等しいとみなせる。なお、各磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて、電子顕微鏡にて１００倍から１００００倍までの間の倍率に拡大した１枚の画像のうち、第３軸ＡＸ３に沿う方向の最大の寸法とする。また、複数の磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて第３軸ＡＸ３に沿う方向に並んでいるすべての磁性薄帯４０がおさまる１枚の画像で測定した１つの磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法の平均値である。
【0193】
・複数の磁性薄帯４０の第３軸ＡＸ３に沿う方向の寸法は、互いに同一でなくてもよいし、平均値に対して、２０％より大きくばらついていてもかまわない。
・上記各実施形態において、複数の磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法は、異なっていてもよい。磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法が小さい場合、製造方法によっては２０％程度の製造誤差が生じることもあり得る。したがって、第４軸ＡＸ４に沿って複数並んでいる磁性薄帯４０の列において、磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法は、当該列におけるすべての磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下であれば、ほぼ等しいとみなせる。なお、各磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて、電子顕微鏡にて１００倍から１００００倍までの間の倍率に拡大した１枚の画像のうち、第４軸ＡＸ４に沿う方向の最大の寸法とする。また、複数の磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて第４軸ＡＸ４に沿う方向に並んでいるすべての磁性薄帯４０がおさまる１枚の画像で測定した１つの磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法の平均値である。
・上記各実施形態において、複数の磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法は、異なっていてもよい。磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法が小さい場合、製造方法によっては２０％程度の製造誤差が生じることもあり得る。したがって、第４軸ＡＸ４に沿って複数並んでいる磁性薄帯４０の列において、磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法は、当該列におけるすべての磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下であれば、ほぼ等しいとみなせる。なお、各磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて、電子顕微鏡にて１００倍から１００００倍までの間の倍率に拡大した１枚の画像のうち、第４軸ＡＸ４に沿う方向の最大の寸法とする。また、複数の磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて第４軸ＡＸ４に沿う方向に並んでいるすべての磁性薄帯４０がおさまる１枚の画像で測定した１つの磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法の平均値である。
【0194】
・複数の磁性薄帯４０の第４軸ＡＸ４に沿う方向の寸法は、互いに同一でなくてもよいし、平均値に対して、２０％より大きくばらついていてもかまわない。
・上記各実施形態において、非磁性部６０の数や位置は、上記各実施形態の例に限られない。第１軸ＡＸ１に沿う方向や中心軸ＣＡに沿う方向における磁性薄帯４０の数や位置に併せて、非磁性部６０の数や位置を変更すればよい。また、非磁性部６０の大きさも、第２軸ＡＸ２に沿う方向における同一の位置における磁性薄帯４０の間隔に併せて、適宜変更すればよい。
・上記各実施形態において、非磁性部６０の数や位置は、上記各実施形態の例に限られない。第１軸ＡＸ１に沿う方向や中心軸ＣＡに沿う方向における磁性薄帯４０の数や位置に併せて、非磁性部６０の数や位置を変更すればよい。また、非磁性部６０の大きさも、第２軸ＡＸ２に沿う方向における同一の位置における磁性薄帯４０の間隔に併せて、適宜変更すればよい。
【0195】
・上記各実施形態において、非磁性部６０の数や位置は、上記各実施形態の例に限られない。第３軸ＡＸ３に沿う方向や第４軸ＡＸ４に沿う方向における磁性薄帯４０の数や位置に併せて、非磁性部６０の数や位置を変更すればよい。また、非磁性部６０の大きさも、第２軸ＡＸ２に沿う方向における同一の位置における磁性薄帯４０の間隔に併せて、適宜変更すればよい。少なくとも、第２軸ＡＸ２に沿う方向から視たとき、中心軸ＣＡに沿うインダクタ配線の第１端から第２端までの全範囲で、インダクタ配線の第１軸ＡＸ１に沿う正方向の端から負方向の端までの範囲内に、非磁性部６０が存在していればよい。
【0196】
・上記各実施形態において、非磁性膜７０は省略してもよい。非磁性膜７０を省略する場合には、第２実施形態におけるインダクタ部品１１０の製造方法において、被膜処理工程Ｓ１７を省けばよい。また、被膜処理工程Ｓ１７は、積層体２００の個片部２０１の外面全体に非磁性膜７０を塗布して、インダクタ配線３０を露出させるように部分的に削ることで、非磁性膜７０を形成してもよい。
【0197】
・上記第２実施形態において、コンポジット部８０の構成は、上記第２実施形態の例に限られない。例えば、非磁性母材８２は、アルミナや、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性の熱可塑性樹脂であってもよい。なお、コンポジット部８０は、第１部分Ｐ１及び第３部分Ｐ３の各磁性薄帯４０のような積層構造ではなく、一体的な成形体であってもよい。このようなコンポジット部８０を製造する上では、例えば、焼結工程Ｓ１６の後であって、被膜処理工程Ｓ１７の前に、コンポジット部８０を構成する範囲に樹脂を充填すればよい。
【0198】
・上記第２実施形態におけるインダクタ部品１１０の製造方法では、複数のシートをそれぞれ形成した後に、積層及び圧着するシート積層工法を例示したが、これに限られない。例えば、複数のシートを順次形成及び積層していく印刷積層工法であってもよい。この場合、配線パターン２２１上に、分割磁性層２１２Ｄを形成することにより、配線パターン２２１の上方に、分割磁性層２１２Ｄが配置される。
【0199】
・上記第２実施形態におけるインダクタ部品１１０の製造方法において、第２シート２２０は、ネガパターン２２２に代えて、磁性層２１２又は焼結前非磁性層２１１を備えていてもよいし、磁性層２１２及び焼結前非磁性層２１１を備えていてもよい。ネガパターン２２２に代えて、磁性層２１２、焼結前非磁性層２１１及び溝内非磁性部２１３を備えている場合、第１実施形態におけるインダクタ部品１０を製造できる。また、ネガパターン２２２は、磁性材又は非磁性材の少なくともいずれかを含んでいればよい。
【0200】
・上記第２実施形態におけるインダクタ部品１１０の製造方法において、個片化工程Ｓ１５は省いてもよい。個片部２０１を１つ分だけ第１シート２１０及び第２シート２２０を準備した場合には、個片化工程Ｓ１５を省けばよい。
【0201】
・上記第２実施形態において説明したインダクタ部品１１０の製造方法において、第１部分Ｐ１又は第３部分Ｐ３に相当する部分は、複数の磁性薄帯４０と、非磁性層５０とを有している。ここで、第２シート２２０を省くと、複数の第１シート２１０を積層した積層シートが構成される。この積層シートを焼結すると、磁性薄帯４０が焼結体である磁性シートを製造できる。この磁性シートにおいては、複数の磁性薄帯４０が、第２軸ＡＸ２に積層されている。また、磁性薄帯４０は、第２軸ＡＸ２に沿う同一の位置において、第３軸ＡＸ３に沿う方向に３個並んでいる。さらに、磁性薄帯４０は、第２軸ＡＸ２に沿う同一の位置において、第４軸ＡＸ４に沿う方向に３個並んでいる。
【0202】
・上記第３実施形態において、複数のインダクタ配線による合計ターン数は、１．０ターン未満であってもよいし、１．０ターンを超えていてもよい。例えば、座標軸Ｚに沿う方向において互いに異なる位置に３つ以上のインダクタ配線が存在していれば、複数のインダクタ配線による合計ターン数を２．０以上とすることも可能である。また、１つのインダクタ配線単独で、ターン数が１．０以上であってもよい。
【符号の説明】
【0203】
１０，１１０，３１０，４１０，５１０Ｘ，５１０Ｙ，５１０Ｚ，６１０，７１０，８１０，９１０…インダクタ部品
２０，１２０，３２０，６２０，７２０…素体
３０，４３０，５３０Ｘ，５３０Ｙ，５３０Ｚ，７３０，８３０，９３０…インダクタ配線
３３１…第１インダクタ配線
３３２…第２インダクタ配線
３３３…ビア
４０，７４０…磁性薄帯
５０，７５０…非磁性層
６０，７６０…非磁性部
７０，７７０…非磁性膜
ＡＸ１…第１軸
ＡＸ２…第２軸
ＡＸ３…第３軸
ＡＸ４…第４軸
ＣＡ…中心軸
ＣＡＶ…仮想中心軸
ＶＲ，ＶＲ２…仮想長方形
Ｘ…座標軸
Ｙ…座標軸
Ｚ…座標軸
２０，１２０，３２０，６２０，７２０…素体
３０，４３０，５３０Ｘ，５３０Ｙ，５３０Ｚ，７３０，８３０，９３０…インダクタ配線
３３１…第１インダクタ配線
３３２…第２インダクタ配線
３３３…ビア
４０，７４０…磁性薄帯
５０，７５０…非磁性層
６０，７６０…非磁性部
７０，７７０…非磁性膜
ＡＸ１…第１軸
ＡＸ２…第２軸
ＡＸ３…第３軸
ＡＸ４…第４軸
ＣＡ…中心軸
ＣＡＶ…仮想中心軸
ＶＲ，ＶＲ２…仮想長方形
Ｘ…座標軸
Ｙ…座標軸
Ｚ…座標軸
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】