特許 7568500 サーマルプリントヘッドとその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-07

(45)【発行日】2024-10-16

(54)【発明の名称】サーマルプリントヘッドとその製造方法

(51)【国際特許分類】

   B41J 2/335 20060101AFI20241008BHJP

【ＦＩ】

B41J2/335 101E

B41J2/335 101H

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2020214924

(22)【出願日】2020-12-24

(65)【公開番号】P2022100748

(43)【公開日】2022-07-06

【審査請求日】2023-11-17

(73)【特許権者】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100083806

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 秀和

(74)【代理人】

【識別番号】100133514

【弁理士】

【氏名又は名称】寺山 啓進

(72)【発明者】

【氏名】仲谷 吾郎

【審査官】牧島 元

(56)【参考文献】

【文献】特開昭５８－１５８９５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０３－２５８５５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－０７６１８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２６２４６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２９１４１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２４８４１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２０７４３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第０５７４５１４７（ＵＳ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ４１Ｊ ２／３３５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に配置された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に配置された発熱抵抗層と、
前記発熱抵抗層に電気的に接続され、第１の金属層と、前記第１の金属層上に配置された第２の金属層とを有する配線と、
を備え、
前記第２の金属層は、シード層上にめっき層が積層された構造を有し、
前記めっき層を用いたエッチング成形された前記シード層と前記第１の金属層が、前記シード層と前記めっき層の接触面における前記めっき層の外縁と、外縁を一致して配置されている、
サーマルプリントヘッド。

【請求項2】

前記第１の金属層は、
前記第１の絶縁層上に配置される、
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項3】

前記第１の金属層は、
前記発熱抵抗層上に配置される、
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項4】

前記基板は、
電気的に絶縁性を有するアルミナセラミックス、または半導体材料を備える、
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項5】

前記半導体材料は、
シリコン、シリコンカーバイト、ガリウムリン、ガリウムヒ素、インジウムリン、及びガリウムナイトライドからなる群から選ばれる少なくとも１つを備える、
請求項４に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項6】

前記第１の金属層は、
チタンまたは窒化チタンを備える、
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項7】

前記第２の金属層は、
銅、銀、パラジウム、イリジウム、白金、及び金からなる群から選ばれる少なくとも１つを備える、
請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項8】

絶縁基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上に発熱抵抗層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上に形成し、前記発熱抵抗層と電気的に接する第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層上に第２の金属層を形成する工程と、
を有し、
前記第２の金属層を形成する工程は、
シード層を形成する工程と、
前記シード層上にめっき層を形成する工程と、
を有し、
前記めっき層をエッチングマスクに用いて前記シード層と前記第１の金属層をエッチングにより除去する、
サーマルプリントヘッドの製造方法。

【請求項9】

前記第１の金属層を形成する工程は、
スパッタリング法を用いる、
請求項８に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

【請求項10】

前記シード層を形成する工程は、
スパッタリング法または無電解めっき法を用いる、
請求項８に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

【請求項11】

前記めっき層を形成する工程は、
電解めっき法を用いる、
請求項８に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

【請求項12】

前記電解めっき法は、
基板のフォトレジストが開口する被めっき面を下向きにし、前記被めっき面をめっき液に接触するめっき処理の工程を有する、
請求項１１に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

【請求項13】

前記第１の金属層及び前記第２の金属層を積層して配線を形成する工程を有する、
請求項８～１０のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

【請求項14】

前記発熱抵抗層を形成する工程は、
前記第２の金属層を形成する工程の後に行う、
請求項８～１３のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

【請求項15】

前記第２の金属層を形成する工程は、
前記発熱抵抗層を形成する工程の後に行う、
請求項８～１３のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本実施形態は、サーマルプリントヘッドとその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

サーマルプリントヘッドは、発熱抵抗体に接続される配線を導通することで熱を発生させる構成が知られている。また、この発熱抵抗体に接続される配線は、金属ペーストを用いて、基板上に厚膜印刷し、この塗布したペーストを焼成することにより形成されることが知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００８－２０７４３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、金属ペーストを印刷して形成された配線は、微細な配線幅、薄膜な膜厚を考慮した場合、配線幅や膜厚の寸法の誤差が大きい。

【0005】

本実施の形態は、配線の膜厚及び配線幅を精度よく制御し、かつコスト削減することのできるサーマルプリントヘッド及びその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本実施形態の一態様によれば、基板と、基板上に配置された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に配置された発熱抵抗層と、発熱抵抗層に電気的に接続され、第１の金属層と、第１の金属層上に配置された第２の金属層とを有する配線と、を備え、第２の金属層は、シード層上にめっき層が積層された構造を有し、めっき層を用いたエッチング成形されたシード層と第１の金属層が、シード層とめっき層の接触面におけるめっき層の外縁と、外縁を一致して配置されている、サーマルプリントヘッドが提供される。

【0007】

本実施形態の他の態様によれば、絶縁基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層上に発熱抵抗層を形成する工程と、第１の絶縁層上に形成し、発熱抵抗層と電気的に接する第１の金属層を形成する工程と、第１の金属層上に第２の金属層を形成する工程と、を有し、第２の金属層を形成する工程は、シード層を形成する工程と、シード層上にめっき層を形成する工程と、を有し、めっき層をエッチングマスクに用いてシード層と第１の金属層をエッチングにより除去する、サーマルプリントヘッドの製造方法が提供される。

【発明の効果】

【0008】

本実施形態によれば、配線の膜厚及び配線幅を精度よく制御し、かつコスト削減することのできるサーマルプリントヘッド及びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、本実施形態に係るサーマルプリントヘッドの概略的な平面図である。

【図2】図２は、図１に示す発熱抵抗層周辺Ａの拡大図である。

【図3】図３は、図２のＢ１－Ｂ１線に沿う模式的な断面構造を拡大した図である。

【図4】図４は、第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造における主要な工程フロー図である。

【図5A】図５Ａは、第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造工程の一工程を示す断面図である。

【図5B】図５Ｂは、図５Ａに続く一工程を示す断面図である。

【図5C】図５Ｃは、図５Ｂに続く一工程を示す断面図である。

【図5D】図５Ｄは、図５Ｃに続く一工程を示す断面図である。

【図5E】図５Ｅは、図５Ｄに続く一工程を示す断面図である。

【図5F】図５Ｆは、図５Ｅに続く一工程を示す断面図である。

【図5G】図５Ｇは、図５Ｆに続く一工程を示す断面図である。

【図5H】図５Ｈは、図５Ｇに続く一工程を示す断面図である。

【図5J】図５Ｊは、図５Ｈに続く一工程を示す断面図である。

【図6】図６は、図１に示す発熱抵抗層周辺Ａの拡大図である。

【図7】図７は、図６のＢ２－Ｂ２線に沿う模式的な断面構造を拡大した図である。

【図8】図８は、第２の実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造における主要な工程フロー図である。

【図9A】図９Ａは、第２の実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造工程の一工程を示す断面図である。

【図9B】図９Ｂは、図９Ａに続く一工程を示す断面図である。

【図9C】図９Ｃは、図９Ｂに続く一工程を示す断面図である。

【図9D】図９Ｄは、図９Ｃに続く一工程を示す断面図である。

【図9E】図９Ｅは、図９Ｄに続く一工程を示す断面図である。

【図9F】図９Ｆは、図９Ｅに続く一工程を示す断面図である。

【図9G】図９Ｇは、図９Ｆに続く一工程を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

次に、図面を参照して、本実施形態について説明する。以下に説明する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各構成部品の厚みと平面寸法との関係等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

【0011】

また、以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものではない。本実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

【0012】

（サーマルプリントヘッド）
第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０について図面を用いて説明する。ここで、図１は、第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０の概略的な平面図である。図２は、図１に示す発熱抵抗層周辺Ａの拡大図である。図３は、図２のＢ１－Ｂ１線に沿う模式的な断面構造を拡大した図である。なお、図１に示す平面図のデバイス面をＸ－Ｙ面とし、Ｘ－Ｙ面に垂直な方向をＺ軸として説明する。すなわち、基板１の短手方向をＸ軸方向、長手方向をＹ軸方向、厚さ方向をＺ軸方向である。図２のＢ１－Ｂ１線に沿う模式的な断面構造を拡大した図３は、Ｘ軸方向からみたＹ－Ｚ面である。

【0013】

第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０は、図１、２に示すように、基板１と、基板１上に配置された第１の絶縁層２と、第１の絶縁層２上に配置された共通電極３と、共通電極３と電気的に接続された配線５と、第１の絶縁層２上に配置され、配線５と電気的に接続する発熱抵抗層６と、配線５と電気的に接続され、発熱抵抗層６を通電し熱を発生させるための通電制御をする駆動回路４と、外部からの端子と共通電極３及び駆動回路４を電気的に接続されたコネクタ７と、第２の絶縁層８（図１及び２では省略）を備える。

【0014】

基板１は、図１に示すように、平面視して、長方形状の電気的に絶縁材料であり、例えば、アルミナセラミックス、又は、半導体材料からなる基板である。半導体材料は、例えば、シリコン、シリコンカーバイト、ガリウムリン、ガリウムヒ素、インジウムリン、及びガリウムナイトライドなどが挙げられる。

【0015】

基板１の大きさは、限定されないが、一例を挙げると、長手方向（Ｙ軸方向）の寸法は、例えば、５０ｍｍ～１５０ｍｍ程度、短手方向（Ｘ軸方向）の寸法は、例えば、２．０ｍｍ～１０．０ｍｍ程度、厚さ方向（Ｚ軸方向）の寸法は、例えば、５００μｍ～１ｍｍ程度であり、望ましくは７００μｍ～８００μｍ程度である。以下の説明において、基板１の短手方向をＸ軸方向、長手方向をＹ軸方向、厚さ方向をＺ軸方向という。

【0016】

第１の絶縁層２は、図２に示すように、熱伝導性の低い絶縁材料であり、基板１上に形成される。第１の絶縁層２は、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは、シリコン酸窒化膜などを用いてもよい。第１の絶縁層２は、発熱抵抗層６によって発生する熱の一部を一時的に蓄積する。

【0017】

図３に示す第１の絶縁層２のＺ軸方向の厚さは、特に限定されず、例えば、５μｍ～１５μｍ程度であり、好ましくは５μｍ～１０μｍ程度である。

【0018】

共通電極３は、図１に示すように、第１の絶縁層２上に配置され、コネクタ７及び配線５と電気的に接続する。共通電極３は、金属粒子を含み、銅、銀、パラジウム、イリジウム、白金、及び金などであり、金属のイオン化傾向の観点から、銅、銀、白金、及び金であることが好ましい。共通電極３のＺ軸方向の厚さは、特に限定されず、例えば、０．２μｍ～０．８μｍ程度である。

【0019】

駆動回路４は、図１に示すように、第１の絶縁層２上に配置され、配線５及びコネクタ７と電気的に接続する。また、駆動回路４は、図２に示すように、櫛歯状に配置された配線５の各配線と電気的に接続する。駆動回路４は、各配線を通電することで発熱抵抗層６に熱を発生させ制御する。

【0020】

配線５は、図１及び２に示すように、第１の絶縁層２上に配置され、共通電極３及び発熱抵抗層６と電気的に接続する。また、配線５は、発熱抵抗層６を介して駆動回路４と電気的に接続する。

【0021】

配線５は、図３に示すように、第１の金属層５１上に第２の金属層５２が積層された構造で構成される。第１の金属層５１と第２の金属層５２は、電気的に接続する。以下の説明において、第１の金属層５１上に第２の金属層５２が積層された構成を配線５という。また、第２の金属層５２は、図３に示すように、シード層５３上にめっき層５４が積層された構造で構成される。シード層５３とめっき層５４は、電気的に接続する。以下において、シード層５３上にめっき層５４が積層された構成を第２の金属層５２という。説明の例として、２層で説明するが、積層数は限定されるものではなく、２層以上積層してもよい。

【0022】

発熱抵抗層６は、図１及び２に示すように、Ｙ軸方向に延伸し、第１の絶縁層２上に配線５を覆うように配置され、共通電極３と電気的に接続された配線５と、駆動回路４と電気的に接続された配線５との間に電気的に接続する。

【0023】

コネクタ７は、図１に示すように、基板１に配置され、外部からの端子と駆動回路４及び共通電極３と電気的に接続する。

【0024】

第２の絶縁層８は、図３に示すように、配線５及び発熱抵抗層６を覆うように保護膜としてオーバーコート用のガラス層を形成する。

【0025】

次に、第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０の製造方法の一例について説明する。第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０を製造するには、半導体プロセスを用いる。

【0026】

図４は、第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０の製造における主要な工程フロー図である。図５Ａ～５Ｊは、図４に示す各工程における発熱抵抗層６周辺ＡのＢ１－Ｂ１線に沿う断面構造である。すなわち、図５Ａ～Ｊは、Ｘ軸方向からみたＹ－Ｚ面である。

【0027】

まず、図４に示すステップＳ１は、第１の絶縁層２の成膜工程である。図５Ａに示すように、基板１を用意する。第１の実施形態において基板１は、例えば、アルミナセラミックスである。

【0028】

次に、第１の絶縁層２は、図５Ｂに示すように、基板１上に例えば、酸化シリコンのガラスペーストをスクリーン印刷法などによって塗布し、ガラスペーストを例えば、１２００℃程度で焼成することで形成される。ここで、１２００℃程度とは、酸化シリコンのガラスペーストを用いた条件下では１１００℃～１３００℃までの範囲をいう。

【0029】

図４に示すステップＳ２は、スパッタリング法による配線５の構成の１部である第１の金属層５１の成膜工程である。図５Ｃに示すように、第１の絶縁層２上に第１の金属層５１を成膜する。第１の金属層５１の形成には、例えば、スパッタリング法を用いる。第１の金属層５１のＺ軸方向の厚さは、例えば、０．０５μｍ以下である。第１の金属層５１の金属は、例えば、チタン、または窒化チタンなどを用いてもよい。

【0030】

図４に示すステップＳ３は、スパッタリング法による第２の金属層５２の構成の１部であるシード層５３の成膜工程である。図５Ｄに示すように、第１の金属層５１上にシード層５３を成膜する。

【0031】

シード層５３の形成には、例えば、スパッタリング法を用いる。シード層５３のＺ軸方向の厚さは、例えば、０．３μｍ以下である。なお、シード層５３の形成には、例えば、無電解めっき法を用いてもよい。

【0032】

シード層５３の金属は、例えば、銅、銀、パラジウム、イリジウム、白金、及び金などを用いてもよい。本説明では、第２の金属層５２の構成であるシード層５３及びめっき層５４を銅で説明する。

【0033】

図４に示すステップＳ４は、電解めっき法による第２の金属層５２の構成の１部であるめっき層５４の成膜工程である。図５Ｅに示すように、シード層５３を形成した基板１の全面にフォトレジスト２１を用いて、フォトリソグラフィ法によりめっき前パターニング処理を実施する。第１の金属層５１と第２の金属層５２から構成される配線５のＹ軸方向の幅は、例えば、２０μｍ～３０μｍ程度である。また、配線５と配線５とのＹ軸方向の距離は、例えば、３０μｍ～４０μｍ程度である。

【0034】

次に、図５Ｆに示すのように、めっき前パターニング処理を実施された基板１の銅のシード層５３上に、電解めっきを実施して、銅からなるめっき層５４を形成する。また、電解めっきによって成膜されためっき層５４のＺ軸方向の厚さは、例えば、０．２μｍ～０．３μｍ程度である。

【0035】

電解めっき法は、例えば、基板１のフォトレジスト２１が開口する被めっき面を下向き（Ｆａｃｅ Ｄｏｗｎ方式）にしてこの被めっき面をめっき液に接触することでめっき処理を行ってもよい。また、電解めっき法は、電解めっき液に入れて、めっき処理を行ってもよい。

【0036】

図５Ｇに示すように、基板１のフォトレジスト２１を剥離する。

【0037】

次に、図５Ｈに示すように、基板１の表面上のスパッタリング法により成膜された第１の金属層５１及びシード層５３は、エッチングにより除去する。

【0038】

第１の金属層５１及びシード層５３のエッチングは、例えば、反応性イオンエッチングなどのドライエッチング技術を用いてもよい。また、第１の金属層５１及びシード層５３のエッチングは、酸などのウェットエッチング技術を用いてもよい。この結果、配線５以外の余分な第１の金属層５１及びシード層５３を除去することができる。

【0039】

図４に示すステップＳ５は、発熱抵抗層６の形成工程である。発熱抵抗層６は、図２及び図５Ｊに示すように、発熱抵抗層６のペーストを第１の絶縁層２上に配線５の一部を覆うように所定の位置に帯状に印刷する。発熱抵抗層６は、発熱抵抗層６のペーストを印刷した後、乾燥させ、８００℃～８５０℃程度で焼成して形成する。発熱抵抗層６のＺ軸方向の厚さは、例えば、０．０５μｍ～０．２μｍ程度である。

【0040】

発熱抵抗層６のペーストは、導電物質及びガラスを含有する。発熱抵抗層６の導電物質は、例えば、酸化ルテニウム、窒化タンタル、タンタル、及び銀パナジウムなどを用いてもよい。

【0041】

第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０の製造工程において、発熱抵抗層６形成の工程以降は、公知であるので、工程の説明を省略する。

【0042】

以上の工程によって、第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０が完成される。なお、第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０の製造工程のフローにおいて、図４に示すステップＳ２のスパッタリング法による第１の金属層５１を成膜し、ステップＳ３のスパッタリング法によるシード層５３を成膜し、ステップＳ４の電解めっき法によるめっき層５４を成膜後に、発熱抵抗層６を形成することを「配線先作りＣ１」という。

【0043】

第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０において、電解めっき法により、めっき層５４を成膜することで、第２の金属層５２の膜厚を精度よく制御することができる。

【0044】

第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０において、電解めっき法により、第２の金属層５２に銅を用いることで、抵抗値の低い第２の金属層５２を形成することができる。

【0045】

第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０において、スパッタリング法または無電解めっき法及び電解めっき法により、第１の金属層５１及び第２の金属層５２を成膜することで、工程削減ができるため、コスト低減することができる。

【0046】

第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０において、フォトリソグラフィ法により、配線５のパターニングをすることで、配線５の配線幅及び配線５と配線５の間隔などの寸法を精度よく、微細な加工をすることできる。

【0047】

［第２の実施形態］
第２の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０について図面を用いて説明する。ここで、図６は、図１に示す発熱抵抗層周辺Ａの拡大図Ａ１である。図７は、図６のＢ２－Ｂ２線に沿う模式的な断面構造を拡大した図である。図６のＢ２－Ｂ２線に沿う模式的な断面構造を拡大した図７は、Ｘ軸方向からみたＹ－Ｚ面である。

【0048】

第２の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０は、図６に示すように、発熱抵抗層６と配線５の構成が異なる。第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０は、配線５の上に発熱抵抗層６が形成されていたのに対し、第２の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０は、発熱抵抗層６の上に配線５が形成されている。

【0049】

次に、第２の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０の製造方法の一例について説明する。

【0050】

図８は、第２の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０の製造における主要な工程フロー図である。

【0051】

図９Ａ～９Ｇは、図８に示す各工程における発熱抵抗層６周辺Ａ１のＢ２－Ｂ２線に沿う断面構造である。すなわち、図９Ａ～Ｇは、Ｘ軸方向からみたＹ－Ｚ面である。以下の説明において、第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０の製造方法と重複する場合は、説明を省略する。

【0052】

まず、図８に示すステップＳ１１は、第１の絶縁層２の成膜工程である。

【0053】

次に、図８に示すステップＳ１２は、発熱抵抗層６の形成工程である。図６及び図９Ａに示すように、発熱抵抗層６は、第１の絶縁層２上に所定の位置に帯状に印刷する。

【0054】

図８に示すステップＳ１３は、スパッタリング法による配線５の構成の１部である第１の金属層５１の成膜工程である。図６及び図９Ｂに示すように、第１の絶縁層２及び発熱抵抗層６上に第１の金属層５１を成膜する。

【0055】

図８に示すステップＳ１４は、スパッタリング法による第２の金属層５２の構成の１部であるシード層５３の成膜工程である。図９Ｃに示すように、第１の金属層５１上にシード層５３を成膜する。なお、シード層５３の形成には、例えば、無電解めっき法を用いてもよい。

【0056】

図８に示すステップＳ１５は、電解めっき法による第２の金属層５２の構成の１部であるめっき層５４の成膜工程である。図９Ｄに示すように、シード層５３を形成した基板１の全面にフォトレジスト２１を用いて、フォトリソグラフィ法によりめっき前パターニング処理を実施する。

【0057】

次に、図９Ｅに示すのように、めっき前パターニング処理を実施された基板１の銅のシード層５３上に、電解めっきを実施して、銅からなるめっき層５４を形成する。

【0058】

図９Ｆに示すように、基板１のフォトレジスト２１を剥離する。

【0059】

次に、図９Ｇに示すように、基板１の表面上のスパッタリング法により成膜された第１の金属層５１及びシード層５３は、エッチングにより除去する。

【0060】

第２の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０の製造工程において、めっき層５４の成膜工程以降は、公知であるので、工程の説明を省略する。

【0061】

以上の工程によって、第２の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０が完成される。なお、第２の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０の製造工程のフローにおいて、図８に示すステップＳ１２の発熱抵抗層６を形成後に、ステップＳ１３のスパッタリング法による第１の金属層５１を成膜し、ステップＳ１４のスパッタリング法によるシード層５３を成膜し、ステップＳ１５の電解めっき法によるめっき層５４を成膜ることを「発熱抵抗層先作りＣ２」という。

【0062】

第２の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０の効果は、第１の実施形態に係るサーマルプリントヘッド１０と同様である。

【0063】

以上説明したように、本実施の形態によれば、配線５の膜厚及び配線幅を精度よく制御し、かつコスト削減することのできるサーマルプリントヘッド１０及びその製造方法を提供することができる。

【0064】

［その他の実施形態］
上述のように、いくつかの実施形態について記載したが、開示の一部をなす論述及び図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替の実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。このように、本実施形態は、ここでは記載していない様々な実施形態等を含む。

【符号の説明】

【0065】

１ 基板
２ 第１の絶縁層
５１ 第１の金属層
５２ 第２の金属層
５３ シード層
５４ めっき層
５ 配線
６ 発熱抵抗層
８ 第２の絶縁層
１０ サーマルプリントヘッド

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】

【図5J】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図9C】

【図9D】

【図9E】

【図9F】

【図9G】