(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-07
(45)【発行日】2024-10-16
(54)【発明の名称】チップ部品
(51)【国際特許分類】
H01C 1/016 20060101AFI20241008BHJP
H01C 7/00 20060101ALI20241008BHJP
【FI】
H01C1/016
H01C7/00 110
(21)【出願番号】P 2021013283
(22)【出願日】2021-01-29
【審査請求日】2023-11-08
(73)【特許権者】
【識別番号】000105350
【氏名又は名称】KOA株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000442
【氏名又は名称】弁理士法人武和国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】赤羽 泰
【審査官】田中 晃洋
(56)【参考文献】
【文献】特開2020-150273(JP,A)
【文献】特開2020-170747(JP,A)
【文献】特開平10-223404(JP,A)
【文献】実開昭59-061503(JP,U)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01C 1/016
H01C 7/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
直方体形状の絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に設けられた機能素子と、
前記絶縁基板の裏面における長手方向両端部に厚膜形成された導電性粒子を含有する合成樹脂からなる一対の裏面電極と、
前記絶縁基板の長手方向両端面に設けられて前記機能素子と前記裏面電極を電気的に接続する一対の端面電極と、
を備え、
前記裏面電極は、前記絶縁基板の端面から離れた内方側に位置する平面視矩形状の第1電極部と、前記絶縁基板の端面と前記第1電極部との間に存する切欠き部を挟んで前記絶縁基板の短手方向に分断配列された複数の第2電極部とで構成されており、
前記第1電極部の最大高さが前記第2電極部の最大高さよりも高く設定されていることを特徴とするチップ部品。
【請求項2】
前記第1電極部の前記絶縁基板の長手方向に沿った断面形状は、両端部に対して中央部が厚いアーチ形状である、ことを特徴とする請求項1に記載のチップ部品。
【請求項3】
前記裏面電極は、前記第1電極部と前記第2電極部を1回の印刷塗布で形成した単層構造である、ことを特徴とする請求項2に記載のチップ部品。
【請求項4】
前記裏面電極の平面形状は、前記第1電極部と2つの前記第2電極部が前記切欠き部を囲むように連続するチャンネル形状である、ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のチップ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、回路基板のランドに半田接合される面実装タイプのチップ部品に関する。
【背景技術】
【0002】
チップ部品の一例であるチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の主面(表面)に所定間隔を存して対向配置された一対の表面電極と、対をなす表面電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う保護層と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏面電極と、表面電極と裏面電極を橋絡するように絶縁基板の両端面に形成された一対の端面電極と、これら端面電極の外表面にめっき処理を施して形成された一対の外部電極等によって主に構成されている。
【0003】
このように構成されたチップ抵抗器は、回路基板に設けられたランド上に裏面電極を搭載して半田接合することで面実装されるが、実装後にチップ抵抗器への熱環境の変化が繰り返される(以後ヒートショックと呼ぶ)と、この半田接合部が熱応力で損傷してクラックを生じやすくなる。そして、半田接合部にヒートショックによるクラックが生じると、半田接合部はチップ抵抗器の裏面電極と回路基板のランドとを電気的かつ機械的に接続する箇所であるため、最悪の場合は導通不良に至ることもある。
【0004】
そこで従来より、特許文献1に記載されているように、裏面電極を焼成銀からなる第1電極層と、この第1電極層のエッジ部から外れた位置に積層された焼成銀からなる第2電極層とで構成し、このような裏面電極を覆う外部電極に対して半田接合を行うようにしたチップ抵抗器が提案されている。かかる従来のチップ抵抗器では、第2電極層の側面から第1電極層の表面に至る部分に段差が形成され、この段差に対応する段差部分が外部電極にも形成されるため、半田接合部の厚みを段差部分で増大させて熱応力を緩和するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献1に記載されたチップ抵抗器では、裏面電極の段差部分で半田の厚みを増大させることにより、半田の可撓性を利用してヒートショック時の熱応力を緩和するようにしている。ただし、半田の硬さ(ヤング率)は半田材料の組成によって様々であり、チップ抵抗器が高強度半田を用いて実装された場合、その材質によって剛直な半田接合となるため、ヒートショック時の熱応力が半田で吸収されずに裏面電極に伝わってしまい、裏面電極が絶縁基板から剥離するという問題が発生する。
【0007】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ヒートショック耐性の高いチップ部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記の目的を達成するために、本発明に係るチップ部品は、直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の表面に設けられた機能素子と、前記絶縁基板の裏面における長手方向両端部に厚膜形成された導電性粒子を含有する合成樹脂からなる一対の裏面電極と、前記絶縁基板の長手方向両端面に設けられて前記機能素子と前記裏面電極を電気的に接続する一対の端面電極と、を備え、前記裏面電極は、前記絶縁基板の端面から離れた内方側に位置する平面視矩形状の第1電極部と、前記絶縁基板の端面と前記第1電極部との間に存する切欠き部を挟んで前記絶縁基板の短手方向に分断配列された複数の第2電極部とで構成されており、前記第1電極部の最大高さが前記第2電極部の最大高さよりも高く設定されていることを特徴としている。
【0009】
このように構成されたチップ部品では、樹脂材料からなる裏面電極が、絶縁基板の端面から離れた内方側に位置する平面視矩形状の第1電極部と、絶縁基板の端面と第1電極部との間に存する切欠き部を挟んで絶縁基板の短手方向に分断配列された複数の第2電極部とを有し、第1電極部の最大高さが第2電極部の最大高さよりも高く設定されているため、ヒートショック時の熱応力が半田で吸収されずに裏面電極に伝わった場合でも、裏面電極内で厚みのある第1電極部の可撓性によって熱応力を緩和することができる。また、複数の第2電極部の間に絶縁基板の端面に繋がる切欠き部が存在するため、チップ部品が多数個取りされる大判基板を分割溝に沿って容易にブレイク(分割)することができる。
【0010】
上記の構成において、第1電極部の絶縁基板の長手方向に沿った断面形状は、両端部に対して中央部が厚いアーチ形状であることが好ましく、このようなアーチ形状の第1電極部は、裏面電極の材料である樹脂ペーストの表面張力を利用して容易に形成することができる。
【0011】
この場合において、樹脂ペーストを複数回に分けて印刷塗布することにより、裏面電極の第1電極部と第2電極部を形成するようにしても良いが、裏面電極が第1電極部と第2電極部を1回の印刷塗布で形成した単層構造であることが好ましい。
【0012】
また、上記の構成において、裏面電極の平面形状は、3つ以上の第2電極部間にそれぞれ切欠き部が介在する櫛歯状であっても良いが、第1電極部と2つの第2電極部が切欠き部を囲むように連続するチャンネル形状であることが好ましい。
【発明の効果】
【0013】
本発明によれば、ヒートショック耐性の高いチップ部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【
図1】本発明の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。
【
図3】
図1のIII-III線に沿う断面図である。
【
図4】該チップ抵抗器に備えられる裏面電極を示す説明図である。
【
図5】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【
図6】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【
図7】該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。
【
図8】該チップ抵抗器の実装状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明すると、
図1は本発明の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図、
図2は
図1のII-II線に沿う断面図、
図3は
図1のIII-III線に沿う断面図である。
【0016】
図1~
図3に示すように、チップ部品であるチップ抵抗器1は、直方体形状の絶縁基板2と、この絶縁基板2の裏面(
図1では下面)の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極3と、絶縁基板2の表面(
図1では上面)の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極4と、これら一対の表面電極4に両端部を重ね合わせて絶縁基板2の表面に設けられた抵抗体5と、裏面電極3と表面電極4を橋絡するように絶縁基板2の長手方向両端面に断面コの字状に設けられた一対の端面電極6と、抵抗体5を被覆する2層構造の保護層(アンダーコート層7およびオーバーコート層8)と、端面電極6と裏面電極3の外表面にめっき処理を施して形成された一対の2層構造の外部電極(Niめっき層およびSnめっき層)9とによって構成されている。
【0017】
絶縁基板2はアルミナを主成分とするセラミックス基板であり、後述する大判基板20A(
図5と
図6参照)を格子状に延びる分割溝に沿ってブレイク(分割)して多数個取りされたものである。
【0018】
一対の裏面電極3は、AgやNiやカーボン等の導電性粒子を含有する樹脂ペーストを大判基板の裏面にスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。詳細については後述するが、裏面電極3は、絶縁基板2の端面から離れた内方側に位置する平面視矩形状の第1電極部3aと、絶縁基板2の端面と第1電極部3aとの間に位置する第2電極部3bとを有しており、第1電極部3aの最大高さは第2電極部3bの最大高さに比べて高くなっている。
【0019】
一対の表面電極4は、Ag系ペーストを大判基板の表面にスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。
【0020】
機能素子である抵抗体5は、酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストを大判基板の表面にスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体5の長手方向の両端部は一対の表面電極4に重なっている。図示省略されているが、抵抗体5には抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されている。
【0021】
一対の端面電極6は、ニッケル(Ni)/クロム(Cr)等をスバッタリングすることによって形成されたものであり、これら端面電極96よって絶縁基板2の端面を介して離間する裏面電極3と表面電極4とが導通されている。なお、端面電極6は表面電極4とオーバーコート層8との境界位置を超えてオーバーコート層8の側端部まで延びており、オーバーコート層8の平坦状の上面は端面電極6に覆われずに露出している。
【0022】
アンダーコート層7とオーバーコート層8は2層構造の保護膜を構成するものである。アンダーコート層7はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、このアンダーコート層7はトリミング溝を形成する前に抵抗体5を覆うように形成されている。オーバーコート層8はエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化(焼付け)させたものであり、オーバーコート層8はトリミング溝を形成した後のアンダーコート層7を覆うように形成されている。
【0023】
一対の外部電極9は、バリヤー層と外部接続層の2層構造からなり、そのうちバリヤー層は電解めっきによって形成されたNiめっき層であり、外部接続層は電解めっきによって形成されたSnめっき層である。これら外部電極9は、端面電極6の表面全体と該端面電極6から露出する裏面電極3とを覆っている。
【0024】
図4は、絶縁基板2の裏面に形成された裏面電極3を示す説明図であり、裏面電極3の形状を分かりやすくするために端面電極6と外部電極9は省略されている。
図4に示すように、裏面電極3は、平面的に見るとチャンネル形状(コの字形状)に形成されており、絶縁基板2の端面から離れた内方側に位置する平面視矩形状の第1電極部3aと、絶縁基板2の端面と第1電極部3aとの間に存する切欠き部3cを挟んで絶縁基板2の短手方向に分断配列された2つの第2電極部3bとを有している。切欠き部3cは裏面電極3の樹脂材料が印刷形成されない非塗布部であり、この切欠き部3cを囲むように、第1電極部3aと2つの第2電極部3bとがコの字形状に連続している。
【0025】
ここで、第1電極部3aにおける点線Sで囲まれた部分の断面形状は、絶縁基板2の長手方向に沿った両端部から中央部にかけて高さが徐々に厚くなるアーチ形状(蒲鉾形)となっており、このアーチ形状によって第1電極部3aの最大高さが第2電極部3bの厚みに比べて十分に厚いものとなっている。なお、このようなアーチ形状の第1電極部3aは、裏面電極3の材料である樹脂ペーストを1回塗布することにより、樹脂ペーストの表面張力によって容易に形成することができる。
【0026】
次に、本実施形態に係るチップ抵抗器1の製造方法について、
図5~
図7を参照しながら説明する。ここで、
図5と
図6はチップ抵抗器1の製造工程を示す断面図、
図7はチップ抵抗器1の製造工程を示すフローチャートである。
【0027】
まず、
図7のステップS1に示すように、絶縁基板2が多数個取りされるシート状の大判基板20Aを準備する(大判基板の準備工程)。この大判基板20Aには格子状に延びる1次分割溝と2次分割溝(いずれも図示せず)が設けられており、これら両分割溝で区切られたマス目の1つ1つが1個分のチップ形成領域となる。なお、
図5と
図6には1個のチップ形成領域に対応する断面図が示されているが、実際は多数個分のチップ形成領域に相当する大判基板20Aに対して以下に説明する各工程が一括して行われる。
【0028】
すなわち、
図7のステップS2において、大判基板20Aの表面における2次分割溝で挟まれた領域内に、各1次分割溝を跨ぐようにAg系ペーストをスクリーン印刷し、これを乾燥・焼成することにより、
図5(a)に示すように、大判基板20Aの表面にチップ形成領域を挟んで対向する表面電極4を形成する(表面電極形成工程)。
【0029】
次に、
図7のステップS3において、大判基板10の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、
図5(b)に示すように、対をなす表面電極4間に跨る抵抗体5を形成する(抵抗体形成工程)。
【0030】
次に、
図7のステップS4において、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、
図5(c)に示すように、抵抗体5を覆うアンダーコート層7を形成する(アンダーコート層形成工程)。しかる後、このアンダーコート層7の上から抵抗体5に不図示のトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。
【0031】
次に、
図7のステップS5において、アンダーコート層7の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、
図5(d)に示すように、表面電極4の一部と抵抗体5の全体を覆うオーバーコート層8を形成する(オーバーコート層形成工程)。これらアンダーコート層7とオーバーコート層8により、抵抗体5を被覆する2層構造の保護層が形成される。
【0032】
次に、
図7のステップS6において、大判基板10の裏面における2次分割溝で挟まれた領域内に、各1次分割溝を跨ぐように導電性粒子(例えばAg)が含有された樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化することにより、
図5(e)に示すように、大判基板20Aの裏面における各チップ形成領域に1次分割溝を挟んで対向する裏面電極3を形成する(裏面電極形成工程)。
【0033】
この裏面電極3は、
図4に示すように、1次分割溝から離れたチップ形成領域の内方側に位置する第1電極部3aと、1次分割溝と第1電極部3aとの間に存する切欠き部3cを挟んで2次分割溝に沿って分断配列された2つの第2電極部3bとを有しており、各チップ形成領域の長手方向両端部にチャンネル形(コの字形状)の平面形状として形成される。すなわち、切欠き部3cは樹脂ペーストが印刷形成されない非塗布部であり、この切欠き部3cを囲むように、互いに平行に延びる2つの第2電極部3bと第1電極部3aとがコの字形状に連続している。そして、このような形状の裏面電極3は、樹脂ペーストを1回塗布しただけの単層構造であっても、樹脂ペーストの表面張力により第1電極部3aの最大高さが第2電極部3bの最大高さに比べて高くなる。
【0034】
これまでの工程は大判基板20Aに対する一括処理であるが、次に、大判基板20Aを1次分割溝に沿って1次ブレイク(1次分割)して短冊状基板20Bを得る。その際、裏面電極3の両第2電極部3b間に樹脂ペーストの非塗布部である切欠き部3cが形成されており、この切欠き部3cが1次分割溝上に位置しているため、大判基板20Aを1次ブレイクする際のブレイク性を高めることができる。
【0035】
しかる後、
図7のステップS7において、この短冊状基板20Bの分割面にNi-Crをスパッタリングすることにより、
図6(f)に示すように、短冊状基板20Bの両端面に表面電極4と裏面電極3間を導通する端面電極6を形成する(端面電極形成工程)。なお、この端面電極6により、切欠き部3cから露出する短冊状基板20Bの裏面と、裏面電極3の第1電極部3aを除く両第2電極部3bがそれぞれ被覆される。
【0036】
次に、短冊状基板20Bを2次分割溝に沿って2次ブレイク(2次分割)することにより、チップ抵抗器1と同等の大きさのチップ単体20Cを得る。
【0037】
最後に、
図7のステップS8において、個片化されたチップ単体20Cに対して電解めっきを施し、
図6(g)に示すように、端面電極6の表面全体と裏面電極3の第1電極部3aの表面にNiめっき層とSnめっき層からなる外部電極9を形成する(外部電極形成工程)。これにより、
図1~
図3に示すようなチップ抵抗器1が完成する。
【0038】
図8は、上記のごとく構成されたチップ抵抗器1の実装状態を示す断面図である。
図8に示すように、チップ抵抗器1は、回路基板30に設けられたランド31上に裏面電極3を下に向けた姿勢で搭載され、端面電極6と裏面電極3に被着された一対の外部電極9を対応するランド31にそれぞれ半田32を介して接合することによって面実装される。
【0039】
本実施形態に係る実装構造においては、絶縁基板2の裏面における一対の外部電極9の離間距離L1が一対のランド31の離間距離L2よりも短く設定されているため、裏面電極3の最大肉厚部である第1電極部3aの中央部が対応するランド31の内側端部のほぼ真上に位置し、第1電極部3aの最大肉厚部よりも内側部分が対応するランド31よりも内方側に突出するようになっている。これにより、チップ抵抗器1を回路基板30のランド31に半田接合する際に、溶融半田が第1電極部3aの肉厚部分によって受け止められ、ランド31の内側端部よりも内方に離れた位置にある裏面電極3の内側端部に溶融半田は這い上がらなくなる。このように、ヒートショック時の熱応力が集中するランド31の内側端部に第1電極部3aの肉厚部分を位置させ、樹脂材料からなる第1電極部3aの肉厚部分の可撓性を利用して熱応力を吸収するようにしたので、ヤング率が大きい高強度半田を用いて半田接合した場合でも、ヒートショック時の熱応力によって裏面電極が絶縁基板から剥離してしまうことを確実に防止することができる。
【0040】
以上説明したように、本実施形態に係るチップ抵抗器1では、導電性粒子を含有する樹脂材料からなる裏面電極3が、絶縁基板2の端面から離れた内方側に位置する平面視矩形状の第1電極部3aと、絶縁基板2の端面と第1電極部3aとの間に存する切欠き部3cを挟んで絶縁基板2の短手方向に分断配列された2つの第2電極部3bとを有し、全体的にチャンネル形状(コの字形状)に形成されていると共に、第1電極部3aの最大高さが第2電極部3bの最大高さよりも高く設定されているため、ヒートショック時の熱応力が半田32で吸収されずに裏面電極3に伝わった場合でも、裏面電極3内で厚みのある第1電極部3aの可撓性によって熱応力を緩和することができる。
【0041】
また、2つの第2電極部3bの間に絶縁基板2の端面に繋がる切欠き部3cが存在するため、大判基板20Aからチップ抵抗器1を多数個取りする製造工程において、大判基板20Aを1次分割溝に沿って短冊状基板20Bに1次ブレイクする際のブレイク性を高めることができる。
【0042】
また、本実施形態に係るチップ抵抗器1の実装構造では、上記構成のチップ抵抗器1が回路基板30に設けられた一対のランド31上に一対の裏面電極3を下に向けた姿勢で搭載されていると共に、端面電極6と裏面電極3に被着された一対の外部電極9が半田32を介して対応するランド31に接続されており、裏面電極3の第1電極部3aの一部が対応するランド31よりも内方側に突出しているため、溶融半田が第1電極部3aの肉厚部分によって受け止められて裏面電極3の内側端部に這い上がらなくなる。このように、ヒートショック時の熱応力が集中するランド31の内側端部の位置に第1電極部3aの肉厚部分を位置させることにより、樹脂材料からなる第1電極部3aの肉厚部分の可撓性を利用して熱応力を吸収するようにしたので、半田32として高強度半田を用いた場合でも、ヒートショック時の熱応力によって裏面電極3が絶縁基板2から剥離してしまうことを確実に防止することができる。
【0043】
なお、上記実施形態では、裏面電極3を第1電極部3aと2つの第2電極部3bが切欠き部3cを囲むように連続するチャンネル形状(コの字形状)とした場合について説明したが、裏面電極3の平面形状はこれに限定されず、3つ以上の第2電極部3b間にそれぞれ切欠き部3cが介在する櫛歯状であっても良い。
【0044】
また、上記実施形態では、機能素子として抵抗体を有するチップ抵抗器に本発明を適用したものについて説明したが、抵抗体以外の機能素子、例えばインダクタやコンデンサ等を有するチップ部品にも本発明は適用可能である。
【符号の説明】
【0045】
1 チップ抵抗器(チップ部品)
2 絶縁基板
3 裏面電極
3a 第1電極部
3b 第2電極部
3c 切欠き部
4 表面電極
5 抵抗体(機能素子)
6 端面電極
7 アンダーコート層
8 オーバーコート層
9 外部電極
20A 大判基板
20B 短冊状基板
20C チップ単体
30 回路基板
31 ランド
32 半田