特許 7568826 プローブカード

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-07

(45)【発行日】2024-10-16

(54)【発明の名称】プローブカード

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20241008BHJP

   G01R 31/26 20200101ALI20241008BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 B

G01R31/26 J

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2023506376

(86)(22)【出願日】2021-03-15

(86)【国際出願番号】 JP2021010294

(87)【国際公開番号】W WO2022195648

(87)【国際公開日】2022-09-22

【審査請求日】2023-04-13

(73)【特許権者】

【識別番号】000232405

【氏名又は名称】日本電子材料株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110004196

【氏名又は名称】弁理士法人ナビジョン国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】中村 祐樹

(72)【発明者】

【氏名】羽坂 雅敏

(72)【発明者】

【氏名】山中 寛士

【審査官】堀江 義隆

(56)【参考文献】

【文献】特開２０００－３４６８７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００２－５３２８２２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６６

Ｇ０１Ｒ ３１／２６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

多数のプローブを支持する配線基板と、
前記配線基板に形成された発熱被膜と、
前記発熱被膜に電流を供給する一対の電極端子と、を備え、
前記発熱被膜は、微細炭素粒子及びバインダーを含む発熱コーティング材を塗布することにより前記配線基板の表面上に形成され、
前記配線基板の側面に前記発熱被膜の少なくとも一部が形成されることを特徴とするプローブカード。

【請求項2】

前記一対の電極端子の一方が、前記配線基板の一方の主面に形成され、前記一対の電極端子の他方が、前記配線基板の他方の主面に形成されることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。

【請求項3】

前記一対の電極端子は、周方向において対向する前記発熱被膜の一対の端辺の近傍にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブカード。

【請求項4】

多数のプローブを支持する配線基板と、
前記配線基板に形成された発熱被膜と、
前記発熱被膜に電流を供給する一対の電極端子と、を備え、
前記配線基板は、主面と平行な面内において、回路パターンが形成される回路領域と、前記回路領域を取り囲み、前記配線基板の外周縁と隣接する領域であって、回路パターンが形成されていない、非回路領域とに区分され、
前記発熱被膜は、微細炭素粒子及びバインダーを含む発熱コーティング材を塗布することにより前記非回路領域の主面上の領域に形成されることを特徴とするプローブカード。

【請求項5】

前記配線基板の外周縁から離間した領域にヒーター回路を備えること特徴とする請求項４に記載のプローブカード。

【請求項6】

前記配線基板の前記回路領域内にヒーター回路を備えること特徴とする請求項４に記載のプローブカード。

【請求項7】

前記一対の電極端子は、前記回路領域に形成されることを特徴とする請求項４又は６に記載のプローブカード。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、プローブカードに係り、更に詳しくは、多数のプローブを支持する配線基板を備えたプローブカードの改良に関する。

【背景技術】

【0002】

プローブカードは、半導体ウエハ上に形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する際に使用される検査装置であり、半導体ウエハ上の電極パッドにそれぞれ接触させる多数のプローブが配線基板上に設けられている。

【0003】

半導体デバイスの検査は、プローブカードに半導体ウエハを近づけてプローブの先端を半導体ウエハ上の電極パッドに接触させ、プローブ及び配線基板を介して、テスター装置を半導体デバイスと導通させることにより行われる。このため、プローブの先端が電極パッドに接触するように、検査前に、プローブカードと半導体ウエハとの位置合わせ（アライメント）が行われる。

【0004】

高温試験は、半導体ウエハに熱ストレスを印加して電気的特性を測定する試験であり、半導体ウエハが載置されるステージに埋め込まれたヒーターを用いて、半導体ウエハが高温に維持されている。このような高温試験において、プローブカードと半導体ウエハの温度差が大きければ、半導体ウエハの熱がプローブカードに伝わり、検査中にプローブカードが熱膨張し、プローブと電極パッドの相対位置が変動するという問題があった。

【0005】

このような問題を解決するために、プローブカードの配線基板にヒーターを内蔵し、検査前及び検査中に配線基板を加熱する方法や、検査前にプローブカードを外部ヒーターと対向させて予め加熱する方法（プレヒーティング）が行われている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特許第５１９９８５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

内蔵ヒーターにより加熱する場合、配線基板にヒーター用の配線層を追加する必要があり、製造コストを増大させるという問題があった。また、線幅が狭い配線パターンに電流を流して発熱させることから、ヒーター用電熱線の配線パターンは断線しやすいという問題があった。特に、ヒーターを用いて広い領域を加熱しようとすれば、当該領域内を蛇行する長い配線パターンを形成する必要があり、さらに断線しやすくなり、プローブカードの信頼性を低下させるという問題があった。

【0008】

また、外部ヒーターによりプレヒーティングを行う場合、プレヒーティング後に行われる半導体ウエハのアライメント中にプローブの温度が低下するという問題があった。また、プローブカードは、中央部に比べて外周縁部の温度が低くなりやすく、主面上に温度勾配が生じやすいという問題があった。

【0009】

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、高温検査用のプローブカードを安価に提供することを目的とする。また、高温検査用のプローブカードの信頼性を向上させることを目的とする。さらに、高温検査用のプローブカードの主面上において温度勾配が生じるのを抑制することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

第１の本発明の実施態様によるプローブカードは、多数のプローブを支持する配線基板と、前記配線基板に形成された発熱被膜と、前記発熱被膜に電流を供給する一対の電極端子と、を備え、前記発熱被膜が、微細炭素粒子及びバインダーを含む発熱コーティング材を塗布することにより前記配線基板の表面上に形成される。

【0011】

このような構成を採用することにより、配線基板の表面の任意の領域に発熱被膜を形成し、配線基板を加熱することができる。このため、電熱線を形成して配線基板を加熱する従来の方法に比べて、プローブカードを効果的に加熱することができる。

【0012】

第２の本発明の実施態様によるプローブカードは、上記構成に加えて、前記発熱被膜が、前記配線基板の側面に少なくとも一部が形成されるように構成される。

【0013】

このような構成を採用することにより、配線基板を側面から加熱することができる。このため、主面上のスペースを占有することなく配線基板を加熱することができるため、主面上における回路パターン、プローブなどの配置を制約することなく、加熱することができる。また、従来の加熱方法では温まりにくい水平面上の外側から加熱することができるため、配線基板の主面上における温度勾配の発生を抑制することができる。

【0014】

第３の本発明の実施態様によるプローブカードは、上記構成に加えて、前記一対の電極端子の一方が、前記配線基板の一方の主面に形成され、前記一対の電極端子の他方が、前記配線基板の他方の主面に形成される。

【0015】

このような構成を採用することにより、発熱被膜のうち、より広い面積部分において発熱させることができ、効果的に発熱させることができる。

【0016】

第４の本発明の実施態様によるプローブカードは、上記構成に加えて、前記一対の電極端子が、周方向において対向する前記発熱被膜の一対の端辺の近傍にそれぞれ形成される。

【0017】

このような構成を採用することにより、発熱被膜のうち、より広い面積部分において発熱させることができ、効果的に発熱させることができる。

【0018】

第５の本発明の実施態様によるプローブカードは、上記構成に加えて、前記発熱被膜が、前記配線基板の側面と隣接する主面上の領域に形成される。

【0019】

このような構成を採用することにより、側面と隣接する主面上の領域に発熱被膜を形成することができ、主面上の外周縁部近傍の空きスペースを効率的に利用して、配線基板を加熱することができる。また、従来の加熱方法では温まりにくい水平面内における外側から加熱することができるため、配線基板の水平面内における温度勾配の発生を抑制することができる。

【0020】

第６の本発明の実施態様によるプローブカードは、上記構成に加えて、前記配線基板の側面から離間した主面上の領域にヒーター回路を備える。

【0021】

このような構成を採用することにより、配線基板の主面上において、より内側をヒーター回路により加熱し、より外側を発熱被膜により加熱することができる。このため、配線基板の水平面内における温度勾配の発生を抑制することができる。

【0022】

第７の本発明の実施態様によるプローブカードは、上記構成に加えて、前記配線基板が、主面と平行な面内において、回路パターンが形成される回路領域と、前記回路領域を取り囲む非回路領域とに区分され、前記発熱被膜が、前記非回路領域に少なくとも一部が形成される。

【0023】

このような構成を採用することにより、非回路領域を効率的に利用して、配線基板を加熱することができる。また、従来の加熱方法では温まりにくい水平面内における外側から加熱することができるため、配線基板の水平面内における温度勾配の発生を抑制することができる。

【0024】

第８の本発明の実施態様によるプローブカードは、上記構成に加えて、前記配線基板の前記回路領域内にヒーター回路を備える。

【0025】

このような構成を採用することにより、配線基板の主面上において、より内側をヒーター回路により加熱し、より外側を発熱被膜により加熱することができる。このため、配線基板の水平面内における温度勾配の発生を抑制することができる。

【0026】

第９の本発明の実施態様によるプローブカードは、上記構成に加えて、前記一対の電極端子が、前記回路領域に形成される。

【0027】

このような構成を採用することにより、回路領域の回路パターンを用いて、発熱被膜に電流を供給することができる。

【発明の効果】

【0028】

本発明によれば、配線基板に発熱被膜を形成することにより、高温検査用のプローブカードを安価に提供することができる。また、高温検査用のプローブカードの信頼性を向上させることができる。さらに、高温検査用のプローブカードの主面上において温度勾配が生じるのを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】本発明の実施の形態１によるプローブカード１０の概略構成の一例を示した図である。

【図2】本発明の実施の形態２によるプローブカード１０の要部を示した図であり、ＳＴ基板１３０の正面図及び底面図である。

【図3】図２に示したＳＴ基板１３０の平面図及びＡ－Ａ断面図である。

【図4】本発明の実施の形態３によるプローブカード１０の要部を示した図であり、ＳＴ基板１３０の正面図及び底面図である。

【図5】図４に示したＳＴ基板１３０の平面図及びＢ－Ｂ断面図である。

【図6】本発明の実施の形態４によるプローブカード１０の要部を示した図であり、ＳＴ基板１３０の正面図及び底面図である。

【図7】図６に示したＳＴ基板１３０の平面図及びＣ－Ｃ断面図である。

【図8】本発明の実施の形態５によるプローブカード１０の要部を示した図であり、ＳＴ基板１３０の正面図及び底面図である。

【図9】図８に示したＳＴ基板１３０の平面図及びＤ－Ｄ断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

実施の形態１．
（１）プローブカード１０
図１は、本発明の実施の形態１によるプローブカード１０の概略構成の一例を示した図である。プローブカード１０は、プローブ設置面を下に向けた状態でウエハプローバーに取り付けられ、ステージ２００上に載置された半導体ウエハ２０と対向し、ステージ２００を上下動することにより、プローブ１５を半導体ウエハ２０上の電極パッド２１に接触させることができる。

【0031】

プローブカード１０は、メイン基板１００、補強板１１０、インターポーザー１２０、ＳＴ（Space Transformer）基板１３０及び２以上のプローブ１５により構成される。

【0032】

メイン基板１００は、ウエハプローバーに着脱可能に取り付けられる配線基板であり、例えば、円板状のガラスエポキシ基板が用いられる。メイン基板１００は、下面の周縁部がウエハプローバーのカードホルダ２１０により支持され、略水平に配置される。メイン基板１００の上面の中央部には、メイン基板１００の歪みを抑制するための補強板１１０が取り付けられている。また、メイン基板１００の上面には、テスター装置（不図示）の信号端子が接続される２以上の外部端子１１が設けられている。

【0033】

インターポーザー１２０は、メイン基板１００及びＳＴ基板１３０間に配置され、メイン基板１００の配線及びＳＴ基板１３０の配線を導通させる基板間の接続手段であり、例えば、多数のポゴピン１２を備えている。

【0034】

ＳＴ基板１３０は、絶縁性の多層配線基板、例えば、２以上のセラミック板を貼り合わせた積層板であり、電極ピッチを変換するために使用される。ＳＴ基板１３０は、基板ホルダ１６によりメイン基板１００に取り付けられ、略水平に配置される。基板ホルダ１６は、一端がメイン基板１００の下面に固定され、他端がＳＴ基板１３０の下面の周縁部を支持する。

【0035】

ＳＴ基板１３０の下面には、プローブ１５を取り付けるための２以上のプローブ用電極１３が形成されている。また、ＳＴ基板１３０の上面には、インターポーザー１２０のポゴピン１２を当接させるための２以上のポゴピン用電極１４が形成されている。プローブ用電極１３は、ＳＴ基板１３０内の配線パターン及びスルーホールを介して、ポゴピン用電極１４と導通し、プローブ１５をメイン基板１００と導通させている。プローブ用電極１３及びポゴピン用電極１４は、電気めっき法又はエッチング法を用いたフォトリソグラフィ処理により形成される金属膜である。また、ＳＴ基板１３０の表面には、発熱被膜３が形成されている。

【0036】

プローブ１５は、弾性変形可能な導電性金属、例えば、ＮｉＣｏ（ニッケルコバルト合金）からなり、電極パッド２１に接触させるための先端を有する。

【0037】

ステージ２００は、半導体ウエハ２０の載置台であり、水平面内における移動及び回転、並びに、上下方向の移動が可能である。ヒーター２０１は、ステージ２００に内蔵された高温検査用のヒーターであり、半導体ウエハ２０を加熱することができる。

【0038】

（２）発熱被膜３
発熱被膜３は、微細炭素粒子をバインダーと混合させた組成を有し、通電することにより発熱する被膜である。発熱被膜３は、発熱コーティング材を塗布することにより、ＳＴ基板１３０の表面上に形成される。検査前又は検査中に発熱被膜３に通電することにより、高温検査時におけるＳＴ基板１３０の温度を所定の検査温度に維持することができる。

【0039】

発熱被膜３は、ＳＴ基板１３０の下面、上面又は側面に形成することができる。また、発熱被膜３は、プローブ用電極１３及びポゴピン用電極１４が形成されていない領域に形成される。例えば、ＳＴ基板１３０の下面に発熱被膜３を形成する場合であれば、プローブ用電極１３が形成されないＳＴ基板１３０の周縁部や、互いに隣接するプローブ用電極１３間に形成される。ＳＴ基板の上面に発熱被膜３を形成する場合であれば、ポゴピン用電極１４が形成されないＳＴ基板１３０の周縁部や、互いに隣接するポゴピン用電極１４間に形成される。

【0040】

発熱被膜３は、一対の被膜用電極（不図示）が接続され、発熱被膜３に流れる電流が供給される。発熱被膜３の全体に電流が流れるように一対の被膜用電極を配置することにより、発熱被膜３を効率的に発熱させることができる。例えば、発熱被膜３の形成領域が矩形であれば、対向する一対の頂点又はその近傍に接続電極をそれぞれ設け、あるいは、対向する一対の辺又はその近傍に接続電極をそれぞれ設けることが望ましい。

【0041】

発熱コーティング材は、バインダーを含む溶剤又は水を分散媒とし、微細炭素粒子を分散質とする懸濁液であり、ＳＴ基板１３０の表面に塗布される。バインダーには、ポリウレタン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、フッ素系ゴム、シリコンゴム、その他の合成樹脂を用いることができる。分散媒は、このような樹脂を溶剤に溶解又は分散させ、あるいは、水に乳化させた液体である。微細炭素粒子は、炭素を主成分とする粉末であり、例えば、グラファイト及びカーボンナノチューブの混合物を用いることができる。グラファイトは、粒径３０μｍ以下、カーボンナノチューブは、外径１μｍ以下、長さ５０μｍ以下であることが望ましい。

【0042】

例えば、フッ素系ゴムを溶解した溶剤にグラファイト及びカーボンナノチューブの混合物を分散させることにより、発熱コーティング材が得られる。このような発熱コーティング剤をＳＴ基板１３０の所定領域に塗布した後、溶剤又は水を蒸発させて除去すれば、発熱被膜３が形成される。

【0043】

発熱コーティング材は、スプレーコーティング、刷毛塗り、流動浸漬法、その他の任意の方法により、ＳＴ基板１３０の表面に塗布することができる。発熱コーティング材の塗布時には、発熱被膜３を形成しない領域をマスクしておくことが望ましい。例えば、発熱被膜３を形成しない領域にフォトレジストを予め形成し、発熱被膜３の形成後に除去することにより、任意の領域に発熱被膜３を形成することができる。また、導電性部材上に発熱被膜３を形成する場合には、絶縁性被膜を介在させて形成される。

【0044】

発熱被膜３は、発熱コーティング材を塗布することにより形成されるため、従来のヒーターを構成する電熱線を形成することができない領域にも容易に形成することができる。例えば、凹凸を有する表面、湾曲又は屈曲する表面、狭い領域などには電熱線のパターンを形成することができず、従来のヒーターを設けることができない。しかし、発熱被膜３は、塗布により形成されるため、このよう領域であっても発熱皮膜３を形成することができる。

【0045】

例えば、ＳＴ基板１３０の周縁部や側面には、電熱線を形成することができない。周縁部は、基板ホルダ１６により支持され、また、製造プロセス上の理由により、回路を形成することができない。また、ＳＴ基板１３０の側面も回路を形成することができない。しかし、発熱被膜３であれば、このような領域にも形成することができる。

【0046】

また、発熱被膜３は、広い領域及び狭い領域のいずれにも形成することができる。広い領域に形成した場合、従来のヒータ（抵抗線）と比べて、当該領域内を均一に加熱することができる。また、広い領域の一部に貫通孔を設けたとしても発熱体として使用することができる。このため、抵抗線を蛇行させて広い領域をカバーする従来のヒーターに比べて断線により故障する可能性が低く、信頼性を向上させることができる。

【0047】

また、プローブカード１０は、水平面内において中心部は温まりやすく、周縁部は温まりにくい。このため、ＳＴ基板１３０の上下面の周縁部又は側面に発熱被膜３を形成することにより、ＳＴ基板１３０の水平面内において温度勾配が生じるのを抑制することができる。

【0048】

本実施の形態では、ＳＴ基板１３０に発熱被膜３を形成する場合の例について説明したが、本発明は、このような場合のみに限定されない。例えば、ＳＴ基板１３０及び基板ホルダ１６を介してプローブ１５を支持するメイン基板１００に発熱被膜３を形成することもできる。また、補強板１１０に発熱被膜３を形成することもできる。

【0049】

実施の形態２．
本実施の形態では、発熱被膜３の具体的構成の一例について説明する。

【0050】

図２及び図３の（ａ）～（ｄ）は、本発明の実施の形態２によるプローブカード１０の要部を示した図であり、図１のＳＴ基板１３０の詳細構成の一例が示されている。図中の（ａ）～（ｃ）には、ＳＴ基板１３０の正面図、底面図及び平面図がそれぞれ示されている。また、図中の（ｄ）には、（ｃ）のＡ－Ａ切断線を通る鉛直面で切断したときの断面（Ａ－Ａ切断面）が示されている。

【0051】

ＳＴ基板１３０は、水平面内において、回路パターンが形成される回路領域１３１と、回路パターンが形成されない非回路領域１３２とに区分される。回路領域１３１は、ＳＴ基板１３０の中央部を含む領域であり、ＳＴ基板１３０の外周縁１３４から離間して形成される。非回路領域１３２は、外周縁１３４に隣接する領域であり、回路領域１３１を取り囲むように回路領域１３１よりも外側に形成された環状領域である。回路領域１３１及び非回路領域１３２の境界線１３３は、ＳＴ基板１３０の外周縁１３４に沿って延び、境界線１３３よりも内側が回路領域１３１であり、境界線１３３よりも外側が非回路領域１３２である。

【0052】

プローブ用電極１３、ポゴピン用電極１４、図示しないスルーホールや配線パターンなどの回路パターンは、いずれも回路領域１３１内に形成され、非回路領域１３２内には形成されない。図中のプローブ領域１５Ａは、１又は２以上のプローブ用電極１３が形成される領域であり、下面の回路領域１３１内には、多数のプローブ領域１５Ａが形成されている。また、図中のポゴピン領域１２Ａは、１又は２以上のポゴピン用電極１４が形成される領域であり、上面の回路領域１３１内には、多数のポゴピン領域１２Ａが形成されている。

【0053】

非回路領域１３２内には、４つの発熱被膜３が形成されている。各発熱被膜３は、非回路領域１３２を周方向に分割した領域にそれぞれ形成されている。つまり、２以上の発熱被膜３が周方向に隣接して配置され、各発熱被膜３は、外周縁１３４に沿って延びる細長い形状を有する。

【0054】

発熱被膜３は、発熱させるための本体被膜３０と、電流を供給するための一対のリード被膜３１とを備える。本体被膜３０は、発熱被膜３の大部分を占める広い面積を有し、非回路領域１３２内に形成される。一対のリード被膜３１は、本体被膜３０の周方向において対向する一対の辺又はその近傍にそれぞれ接続され、境界線１３３を横切って回路領域１３１へ延び、被膜用電極４に接続される。

【0055】

被膜用電極４は、発熱被膜３に電流を供給するための電極端子であり、回路領域１３１内に形成される。被膜用電極４は、インターポーザー１２０を介してメイン基板１００上の外部端子１１と導通している。

【0056】

ヒーター５は、周知の加熱手段であり、ＳＴ基板１３０の下面、上面又は内層の回路領域１３１内に形成された電熱線により構成される。ヒーター５を用いて回路領域１３１を加熱し、発熱被膜３を用いて非回路領域１３２を加熱することにより、ＳＴ基板１３０の水平面内において温度勾配が生じるのを抑制することができる。

【0057】

本実施の形態では、発熱被膜３が、ＳＴ基板１３０の上下の両面にそれぞれ形成される場合について説明したが、本発明は、このような場合のみに限定されない。例えば、下面のみ又は上面のみに形成することもできる。

【0058】

また、本実施の形態では、ＳＴ基板１３０がヒーター５を有する場合について説明したが、本発明は、このような場合のみに限定されず、ヒーター５を省略することもできる。ＳＴ基板１３０は、中央部に比べて周縁部の温度が低くなり易い。このため、外周縁１３４に隣接する非回路領域１３２に発熱被膜３を形成することにより、ＳＴ基板１３０の水平面内において温度勾配が生じるのを抑制することができる。

【0059】

また、本実施の形態では、外周縁１３４に沿って４つの発熱被膜３が形成される場合について説明したが、本発明は、このような場合のみに限定されない。例えば、外周縁１３４に沿って１又は２以上の発熱被膜３を形成することもできる。外周縁１３４に沿って１つの発熱被膜３のみが形成される場合、周方向の一部が分離されたＣ字形に形成される。

【0060】

また、本実施の形態では、発熱被膜３が、外周縁１３４に隣接する領域に形成される場合について説明したが、本発明は、このような場合のみに限定されない。例えば、非回路領域１３２内であって外周縁１３４から離間した領域に発熱被膜３を形成することもできる。

【0061】

実施の形態３．
実施の形態２では、ＳＴ基板１３０の非回路領域１３２に発熱被膜３を形成する場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、非回路領域１３２に加えて、回路領域１３１にも発熱被膜３を形成する場合について説明する。

【0062】

図４及び図５の（ａ）～（ｄ）は、本発明の実施の形態３によるプローブカード１０の要部を示した図であり、図１のＳＴ基板１３０の詳細構成の一例が示されている。図中の（ａ）～（ｃ）には、ＳＴ基板１３０の正面図、底面図及び平面図がそれぞれ示されている。また、図中の（ｄ）には、（ｃ）のＢ－Ｂ切断線を通る鉛直面で切断したときの断面（Ｂ－Ｂ切断面）が示されている。なお、図２及び図３に示された構成要素に対応する構成要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。

【0063】

図２及び図３のＳＴ基板１３０（実施の形態２）と比較すれば、本体被膜３０が、境界線１３３を跨いで形成され、非回路領域１３２だけでなく、回路領域１３１にも形成されている点で異なる。これに伴って、リード被膜３１を備えていない点でも異なる。また、外周縁１３４に沿って２つ発熱被膜３が形成されている点でも異なる。

【0064】

周方向に沿って延びる発熱被膜３が、ＳＴ基板１３０の非回路領域１３２だけでなく回路領域１３１にも形成されることにより、ＳＴ基板１３０の主面上の領域を効率的に利用することができる。このため、発熱被膜３をより広い領域に形成し、効果的に加熱することができる。

【0065】

実施の形態４．
実施の形態２及び３では、ＳＴ基板１３０の下面又は上面に発熱被膜３を形成する場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、ＳＴ基板１３０の側面に発熱被膜３を形成する場合について説明する。

【0066】

図６及び図７の（ａ）～（ｄ）は、本発明の実施の形態４によるプローブカード１０の要部を示した図であり、図１のＳＴ基板１３０の詳細構成の一例が示されている。図中の（ａ）～（ｃ）には、ＳＴ基板１３０の正面図、底面図及び平面図がそれぞれ示されている。また、図中の（ｄ）には、（ｃ）のＣ－Ｃ切断線を通る鉛直面で切断したときの断面（Ｃ－Ｃ切断面）が示されている。なお、図２～図５に示された構成要素に対応する構成要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。

【0067】

発熱被膜３は、発熱させるための本体被膜３０と、電流を供給するための一対のリード被膜３１とを備える。本体被膜３０は、発熱被膜３の大部分を占める広い面積を有し、ＳＴ基板１３０の側面に形成される。一対のリード被膜３１は、ＳＴ基板１３０の主面上に形成され、その一端は、本体被膜３０の周方向において対向する一対の辺又はその近傍にそれぞれ接続され、他端は、境界線１３３を横切って回路領域１３１へ延び、被膜用電極４に接続される。

【0068】

また、一対の被膜用電極４は、一方が下面に形成され、他方が上面に形成される。このため、一対のリード被膜３１も、一方が下面に形成され、他方が上面に形成される。このような構成を採用することにより、略矩形の形状からなる本体被膜３０の対角線方向において対向する一対の頂点又は近傍に一対のリード被膜３１をそれぞれ接続することができ、本体被膜３０のおおむね全体を利用して効果的に発熱させることができる。

【0069】

実施の形態５．
実施の形態４では、ＳＴ基板１３０の側面に発熱被膜３を形成する場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、ＳＴ基板１３０の側面に加えて、ＳＴ基板１３０の主面上の非回路領域１３２にも発熱被膜３を形成する場合について説明する。

【0070】

図８及び図９の（ａ）～（ｄ）は、本発明の実施の形態５によるプローブカード１０の要部を示した図であり、図１のＳＴ基板１３０の詳細構成の一例が示されている。図中の（ａ）～（ｃ）には、ＳＴ基板１３０の正面図、底面図及び平面図がそれぞれ示されている。また、図中の（ｄ）には、（ｃ）のＤ－Ｄ切断線を通る鉛直面で切断したときの断面（Ｄ－Ｄ切断面）が示されている。なお、図２～図７に示された構成要素に対応する構成要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。

【0071】

図６及び図７のＳＴ基板１３０（実施の形態４）と比較すれば、発熱被膜３が、下面の外周縁１３４及び上面の外周縁１３４を跨いで形成され、ＳＴ基板１３０の側面だけでなく、下面及び上面においても周方向に沿って延びるように形成されている点で異なる。さらに、上面及び下面に形成された発熱被膜３は、境界線１３３を跨いで形成され、非回路領域１３２だけでなく回路領域１３１においても周方向に延びるように形成されている。このため、発熱被膜３は、リード被膜３１を備えることなく、被膜用電極４に接続される点でも異なる。

【0072】

発熱被膜３をＳＴ基板１３０の側面だけでなく、主面上の非回路領域１３２にも形成し、側面及び非回路領域１３２をともに加熱することにより、ＳＴ基板１３０上の空きスペースを有効に活用して加熱することができる。また、非回路領域１３２だけでなく、回路領域１３１にも形成し、回路領域１３１も加熱することにより、ＳＴ基板１３０上の空きスペースをさらに有効に活用して加熱することができる。このため、発熱被膜３をより広い領域に形成し、ＳＴ基板１３０を効果的に加熱することができる。

【0073】

一対の被膜用電極４は、発熱被膜３の対角線方向に対向する頂点又はその近傍に配置されている。つまり、一方の被膜用電極４は、ＳＴ基板１３０の下面の回路領域１３１に形成され、他方の被膜用電極４は、ＳＴ基板１３０の上面の回路領域１３１に形成されている。また、これらの被膜用電極４は、発熱被膜３の周方向において対向する一対の辺の近傍に接続される。このため、発熱被膜３のおおむね全体を利用して効果的に発熱させることができる。

【符号の説明】

【0074】

３ 発熱被膜
４ 被膜用電極（電極端子）
５ ヒーター
１０ プローブカード
１１ 外部端子
１２ ポゴピン
１２Ａ ポゴピン領域
１３ プローブ用電極
１４ ポゴピン用電極
１５ プローブ
１５Ａ プローブ領域
１６ 基板ホルダ
２０ 半導体ウエハ
２１ 電極パッド
３０ 本体被膜
３１ リード被膜
１００ メイン基板
１１０ 補強板
１２０ インターポーザー
１３０ ＳＴ基板
１３１ 回路領域
１３２ 非回路領域
１３３ 境界線
１３４ 外周縁部
２００ ステージ
２０１ ヒーター
２１０ カードホルダ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】