(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-08
(45)【発行日】2024-10-17
(54)【発明の名称】セラミック電子部品およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20241009BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201K
H01G4/30 201F
H01G4/30 311Z
H01G4/30 512
H01G4/30 513
H01G4/30 517
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2021016082
(22)【出願日】2021-02-03
(65)【公開番号】P2022119088
(43)【公開日】2022-08-16
【審査請求日】2024-01-16
(73)【特許権者】
【識別番号】000204284
【氏名又は名称】太陽誘電株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004370
【氏名又は名称】弁理士法人片山特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】田原 幹夫
【審査官】相澤 祐介
(56)【参考文献】
【文献】特開２０００－１１４０９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１０２７６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－２１０５４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－３１０７００（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｇ ４／３０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
内部電極層と誘電体層とが交互に積層された積層構造と、前記積層構造の積層方向端の上面に設けられセラミックを主成分とする第１カバー層および前記積層構造の積層方向端の下面に設けられたセラミックを主成分とする第２カバー層とを備え、略直方体形状を有し、積層された複数の前記内部電極層が、対向する第１端面および第２端面に交互に露出するように形成された積層チップと、前記第１端面に形成された第１外部電極および前記第２端面に形成された第２外部電極と、を備え、
前記第１端面と前記第２端面とが対向する方向をＸ軸とし、前記積層方向をＺ軸とし、前記Ｘ軸および前記Ｚ軸と直交する方向をＹ軸とし、前記積層チップの前記Ｙ軸の中央を通るＸＺ平面の断面において、曲率半径Ｒ１を前記第１カバー層の前記第１外部電極側における角部の形状と同じ大きさの曲率半径とし、前記第１外部電極に接続されていない各内部電極層の前記第１外部電極側の端を結んで得られる直線を直線Ｌとし、前記直線Ｌと、前記第１カバー層に最も近い内部電極層との交点を交点Ｎ１とし、直線Ｍを前記積層チップの上面に接するように前記Ｘ軸方向に引いた直線とし、直線Ｎを前記第１端面に接するようにＺ軸方向に引いた直線とし、直線Ｍと直線Ｎとの交点を交点Ｏとし、交点Ｎ１と直線Ｍとの最短距離を距離Ｃ１とし、交点Ｎ１と交点Ｏとの最短距離を距離Ｐ１とした場合に、０．２０≦Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）≦０．８０の関係が成立することを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項2】
前記第１外部電極の表面は、変曲点を有しておらず、前記第１外部電極の前記表面にめっき層を備えることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項3】
前記曲率半径Ｒ１は、前記積層チップの長手方向の寸法の１％以上、１５％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項4】
前記距離Ｃ１は、前記積層チップの高さ方向の寸法の３％以上、３５％以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項5】
前記距離Ｐ１は、前記積層チップの高さ方向の寸法の１０％以上、４５％以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項6】
セラミック含有の誘電体グリーンシート上に内部電極形成用導電ペーストを印刷して得られるパターン形成シートを複数積層し、積層方向端の上面にセラミック含有の第１カバーシートを積層し、前記積層方向端の下面にセラミック含有の第２カバーシートを積層し、積層された複数の内部電極形成用導電ペーストを、対向する第１端面および第２端面に交互に露出させることによって、略直方体形状のセラミック積層体を形成する工程と、前記セラミック積層体の角部を研磨する工程と、
前記第１端面に第１外部電極形成用導電ペーストを塗布し、前記第２端面に第２外部電極形成用導電ペーストを塗布する工程と、
前記セラミック積層体と前記第１外部電極形成用導電ペーストおよび前記第２外部電極形成用導電ペーストと、を焼成することで、前記誘電体グリーンシートを誘電体層とし、前記内部電極形成用導電ペーストを内部電極層とし、前記第１カバーシートを第１カバー層とし、前記第２カバーシートを第２カバー層とし、前記第１外部電極形成用導電ペーストを第１外部電極とし、前記第２外部電極形成用導電ペーストを第２外部電極とする工程と、を含み、
前記第１端面と前記第２端面とが対向する方向をＸ軸とし、前記積層方向をＺ軸とし、前記Ｘ軸および前記Ｚ軸と直交する方向をＹ軸とし、前記セラミック積層体の焼成によって得られる積層チップの前記Ｙ軸の中央を通るＸＺ平面の断面において、曲率半径Ｒ１を前記第１カバー層の前記第１外部電極側における角部の形状と同じ大きさの曲率半径とし、前記第１外部電極に接続されていない各内部電極層の前記第１外部電極側の端を結んで得られる直線を直線Ｌとし、前記直線Ｌと、前記第１カバー層に最も近い内部電極層との交点を交点Ｎ１とし、直線Ｍを前記積層チップの上面に接するように前記Ｘ軸方向に引いた直線とし、直線Ｎを前記第１端面に接するようにＺ軸方向に引いた直線とし、直線Ｍと直線Ｎとの交点を交点Ｏとし、交点Ｎ１と直線Ｍとの最短距離を距離Ｃ１とし、交点Ｎ１と交点Ｏとの最短距離を距離Ｐ１とした場合に、０．２０≦Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）≦０．８０の関係が成立するように、前記セラミック積層体の角部を研磨することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、セラミック電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層とを交互に積層して構成された積層チップを備えている。積層チップの端面に内部電極層が引き出され、その表面を覆うように外部電極が形成されている（例えば、特許文献１～３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１９－１０２７６６号公報
【文献】特開２００１－２１０５４５号公報
【文献】特開２００６－３１０７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
積層チップの角部では、外部電極とセラミック部分との間の熱膨張係数差に起因する応力が集中しやすくなっている。それにより、積層チップの角部にクラックが発生するおそれがある。そこで、応力を緩和しようとすると、信頼性が低下するおそれがある。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、信頼性を維持しつつクラックを抑制することができるセラミック電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係るセラミック電子部品は、内部電極層と誘電体層とが交互に積層された積層構造と、前記積層構造の積層方向端の上面に設けられたセラミックを主成分とする第１カバー層および前記積層構造の積層方向端の下面に設けられセラミックを主成分とする第２カバー層とを備え、略直方体形状を有し、積層された複数の前記内部電極層が、対向する第１端面および第２端面に交互に露出するように形成された積層チップと、前記第１端面に形成された第１外部電極および前記第２端面に形成された第２外部電極と、を備え、前記第１端面と前記第２端面とが対向する方向をＸ軸とし、前記積層方向をＺ軸とし、前記Ｘ軸および前記Ｚ軸と直交する方向をＹ軸とし、前記積層チップの前記Ｙ軸の中央を通るＸＺ平面の断面において、曲率半径Ｒ１を前記第１カバー層の前記第１外部電極側における角部の形状と同じ大きさの曲率半径とし、前記第１外部電極に接続されていない各内部電極層の前記第１外部電極側の端を結んで得られる直線を直線Ｌとし、前記直線Ｌと、前記第１カバー層に最も近い内部電極層との交点を交点Ｎ１とし、直線Ｍを前記積層チップの上面に接するように前記Ｘ軸方向に引いた直線とし、直線Ｎを前記第１端面に接するようにＺ軸方向に引いた直線とし、直線Ｍと直線Ｎとの交点を交点Ｏとし、交点Ｎ１と直線Ｍとの最短距離を距離Ｃ１とし、交点Ｎ１と交点Ｏとの最短距離を距離Ｐ１とした場合に、０．２０≦Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）≦０．８０の関係が成立することを特徴とする。
【0007】
上記セラミック電子部品において、前記第１外部電極の表面は、変曲点を有しておらず、前記第１外部電極の前記表面にめっき層を備えていてもよい。
【0008】
上記セラミック電子部品において、前記曲率半径Ｒ１は、前記積層チップの長手方向の寸法の１％以上、１５％以下であってもよい。
【0009】
上記セラミック電子部品において、前記距離Ｃ１は、前記積層チップの高さ方向の寸法の３％以上、３５％以下であってもよい。
【0010】
上記セラミック電子部品において、前記距離Ｐ１は、前記積層チップの高さ方向の寸法の１０％以上、４５％以下であってもよい。
【0011】
本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、セラミック含有の誘電体グリーンシート上に内部電極形成用導電ペーストを印刷して得られるパターン形成シートを複数積層し、積層方向端の上面にセラミック含有の第１カバーシートを積層し、前記積層方向端の下面にセラミック含有の第２カバーシートを積層し、積層された複数の内部電極形成用導電ペーストを、対向する第１端面および第２端面に交互に露出させることによって、略直方体形状のセラミック積層体を形成する工程と、前記セラミック積層体の角部を研磨する工程と、前記第１端面に第１外部電極形成用導電ペーストを塗布し、前記第２端面に第２外部電極形成用導電ペーストを塗布する工程と、前記セラミック積層体と前記第１外部電極形成用導電ペーストおよび前記第２外部電極形成用導電ペーストと、を焼成することで、前記誘電体グリーンシートを誘電体層とし、前記内部電極形成用導電ペーストを内部電極層とし、前記第１カバーシートを第１カバー層とし、前記第２カバーシートを第２カバー層とし、前記第１外部電極形成用導電ペーストを第１外部電極とし、前記第２外部電極形成用導電ペーストを第２外部電極とする工程と、を含み、前記第１端面と前記第２端面とが対向する方向をＸ軸とし、前記積層方向をＺ軸とし、前記Ｘ軸および前記Ｚ軸と直交する方向をＹ軸とし、前記セラミック積層体の焼成によって得られる積層チップの前記Ｙ軸の中央を通るＸＺ平面の断面において、曲率半径Ｒ１を前記第１カバー層の前記第１外部電極側における角部の形状と同じ大きさの曲率半径とし、前記第１外部電極に接続されていない各内部電極層の前記第１外部電極側の端を結んで得られる直線を直線Ｌとし、前記直線Ｌと、前記第１カバー層に最も近い内部電極層との交点を交点Ｎ１とし、直線Ｍを前記積層チップの上面に接するように前記Ｘ軸方向に引いた直線とし、直線Ｎを前記第１端面に接するようにＺ軸方向に引いた直線とし、直線Ｍと直線Ｎとの交点を交点Ｏとし、交点Ｎ１と直線Ｍとの最短距離を距離Ｃ１とし、交点Ｎ１と交点Ｏとの最短距離を距離Ｐ１とした場合に、０．２０≦Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）≦０．８０の関係が成立するように、前記セラミック積層体の角部を研磨することを特徴とする。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、信頼性を維持しつつクラックを抑制することができるセラミック電子部品およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】積層セラミックコンデンサの部分断面斜視図である。
【図3】（ａ）は曲率半径を例示する図であり、（ｂ）は断面の位置を例示する図である。
【図4】（ａ）および（ｂ）は曲率半径を例示する図である。
【図5】積層セラミックコンデンサの各部の位置および距離について説明するための図である。
【図6】直線Ｌを例示する図である。
【図7】外部電極の変曲点（段差）を例示する図である。
【図8】めっき層を例示する図である。
【図9】積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。
【図10】（ａ）および（ｂ）は積層工程を例示する図である。
【図11】積層工程を例示する図である。
【図12】積層工程を例示する図である。
【図13】実施例および比較例の結果をプロットした図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。
【0015】
（第１実施形態）
図１は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図１で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、略直方体形状を有する積層チップ１０と、積層チップ１０の対向する２端面に設けられた外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。なお、積層チップ１０の当該２端面以外の４面のうち、積層方向の上面および下面以外の２面を側面と称する。外部電極２０ａ，２０ｂは、積層チップ１０の積層方向の上面、下面および２側面に延在している。ただし、外部電極２０ａ（第１外部電極）と外部電極２０ｂ（第２外部電極）とは、互いに離間している。
図１は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図１で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、略直方体形状を有する積層チップ１０と、積層チップ１０の対向する２端面に設けられた外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。なお、積層チップ１０の当該２端面以外の４面のうち、積層方向の上面および下面以外の２面を側面と称する。外部電極２０ａ，２０ｂは、積層チップ１０の積層方向の上面、下面および２側面に延在している。ただし、外部電極２０ａ（第１外部電極）と外部電極２０ｂ（第２外部電極）とは、互いに離間している。
【0016】
なお、図１において、Ｘ軸方向は、積層チップ１０の長さ方向であって、積層チップ１０の２端面が対向する方向であり、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとが対向する方向である。Ｙ軸方向（第２方向）は、内部電極層の幅方向であり、積層チップ１０の２側面が対向する方向である。Ｚ軸方向は、積層方向であり、積層チップ１０の上面と下面とが対向する方向である。Ｘ軸方向と、Ｙ軸方向と、Ｚ軸方向とは、互いに直交している。
【0017】
積層チップ１０は、誘電体として機能するセラミック材料を含む誘電体層１１と、卑金属材料を含む内部電極層とが、交互に積層された構成を有する。各内部電極層の端縁は、積層チップ１０の外部電極２０ａが設けられた第１端面と、外部電極２０ｂが設けられた第２端面とに、交互に露出している。それにより、各内部電極層は、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとに、交互に導通している。その結果、積層セラミックコンデンサ１００は、複数の誘電体層１１が内部電極層を介して積層された構成を有する。誘電体層１１と内部電極層との積層構造において、積層方向の最外層には内部電極層が配置され、当該積層体の積層方向端の上面は、カバー層１３（第１カバー層）によって覆われている。当該積層体の積層方向端の下面は、カバー層１３（第２カバー層）によって覆われている。カバー層１３は、セラミック材料を主成分とする。例えば、カバー層１３の材料は、誘電体層１１とセラミック材料の主成分が同じである。
【0018】
積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、例えば、長さ０．２５ｍｍ、幅０．１２５ｍｍ、高さ０．１２５ｍｍであり、または長さ０．４ｍｍ、幅０．２ｍｍ、高さ０．２ｍｍであり、または長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍであり、または長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍであり、または長さ１．６ｍｍ、幅０．８ｍｍ、高さ０．８ｍｍであり、または長さ２．０ｍｍ、幅１．２５ｍｍ、高さ１．２５ｍｍであり、または長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍであり、または長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．５ｍｍであるが、これらのサイズに限定されるものではない。
【0019】
内部電極層１２は、Ｎｉ（ニッケル），Ｃｕ（銅），Ｓｎ（スズ）等の卑金属を主成分とする。内部電極層１２として、Ｐｔ（白金），Ｐｄ（パラジウム），Ａｇ（銀），Ａｕ（金）などの貴金属やこれらを含む合金を用いてもよい。内部電極層１２の平均厚みは、例えば、１μｍ以下である。誘電体層１１は、例えば、一般式ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主成分とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ３－αを含む。例えば、当該セラミック材料として、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム），ＣａＺｒＯ３（ジルコン酸カルシウム），ＣａＴｉＯ３（チタン酸カルシウム），ＳｒＴｉＯ３（チタン酸ストロンチウム），ペロブスカイト構造を形成するＢａ１-ｘ－ｙＣａｘＳｒｙＴｉ１－ｚＺｒｚＯ３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等を用いることができる。誘電体層１１の平均厚みは、例えば、１μｍ以下である。なお、内部電極層の積層数は、例えば、１００から８００である。
【0020】
図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図２においては、ハッチを省略している。外部電極２０ａ，２０ｂと、外部電極２０ａ，２０ｂが接するセラミック部分との間には、熱膨張係数に差が生じる。図２で例示するように、外部電極２０ａ，２０ｂは、角部（コバ部と称することもある）Ｂにおいて、大矢印の方向に収縮する。この場合、カバー層１３の角部Ｂには、小矢印の方向に応力が集中する。この応力によって、図２の点線で例示するようなクラックが発生するおそれがある。クラックが発生すると、積層セラミックコンデンサ１００の外観不良や信頼性悪化の懸念がある。
【0021】
そこで、角部Ｂにかかる応力を緩和することで、クラックの発生を抑制させることが考えられる。例えば、角部Ｂにおける外部電極を薄く形成することが考えられる。しかしながら、この場合、耐湿性低下に伴って絶縁性が低下するなど、積層セラミックコンデンサ１００の信頼性が低下するおそれがある。
【0022】
そこで、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００は、信頼性を維持しつつクラックを抑制することができる構成を有している。
【0023】
なお、本実施形態における角部とは、積層チップ１０の角（カバー層１３の角）において曲率を有する領域のことである。図３（ａ）で例示するように、積層チップ１０の２側面のいずれか一方を上にして横埋めにて中央まで研磨することで得られる断面の角部の形状と同じ大きさの曲率半径を、曲率半径Ｒ１と定義する。図３（ｂ）で例示するように、当該断面は、積層チップ１０において、Ｙ軸方向の中央におけるＸＺ平面（一転鎖線部分）の断面のことである。なお、図３（ａ）では、ハッチを省略している。なお、角部Ｂは、図４（ａ）または図４（ｂ）のように、必ずしも真円の円弧にならない場合がある。この場合においては、角部ＢのＸ軸方向の長さｒ１と、Ｚ軸方向の長さｒ２との平均値＝（ｒ１＋ｒ２）／２を曲率半径Ｒ１と定義することができる。
【0024】
本実施形態においては、内部電極層１２と角部Ｂとの距離に着目し、角部Ｂの形状を規定する。
【0025】
まず、図５において、積層セラミックコンデンサ１００の各部の位置および距離について説明する。図５は、積層チップ１０において、外部電極２０ａ付近かつ上面付近の断面図である。図５の断面は、図３（ｂ）の断面と同様に、Ｙ軸方向の中央におけるＸＺ平面の断面のことである。図５においては、ハッチは省略している。
【0026】
図５の断面において、曲率半径Ｒ１は、積層チップ１０の上面側のカバー層１３の外部電極２０ａ側における角部の形状と同じ大きさの曲率半径である。外部電極２０ａに接続されていない各内部電極層１２の外部電極２０ａ側の端を結んで得られる直線を直線Ｌと定義する。直線Ｌと、積層チップ１０の上面側の最外層の内部電極層１２との交点を、交点Ｎ１と定義する。図５の断面において、積層チップ１０の外形に沿って、直線Ｍおよび直線Ｎを引く。直線Ｍは、積層チップ１０の上面に接するようにＸ軸方向に引いた直線である。直線Ｎは、積層チップ１０の外部電極２０ａ側の端面に接するようにＺ軸方向に引いた直線である。直線Ｍと直線Ｎとの交点を、交点Ｏと定義する。交点Ｎ１と直線Ｍとの最短距離を、距離Ｃ１と定義する。交点Ｎ１と交点Ｏとの最短距離を、距離Ｐ１と定義する。
【0027】
外部電極２０ａに接続されていない各内部電極層１２の外部電極２０ａ側の端がＸ軸方向において一致している場合には、直線Ｌは、Ｚ軸方向に平行になる。外部電極２０ａに接続されていない各内部電極層１２の外部電極２０ａ側の端がＸ軸方向において一致していない場合には、図６で例示するように、露出しない端面からの距離が最大の内部電極層１２の端位置と、最小の内部電極層１２の端位置との中間地点を通ってＺ軸に平行な直線を、直線Ｌと定義することができる。
【0028】
交点Ｎ１は、外部電極２０ａに接続された各内部電極層１２と、外部電極２０ｂに接続された各内部電極層１２とが交差する内部電極交差部（容量部）の角に相当する。内部電極交差部では、他の領域と比較して、金属を主成分とする内部電極層の密度が高い領域となる。したがって、内部電極交差部と外部電極との熱膨張係数差は比較的小さくなる。曲率半径Ｒ１が小さくなると、角部Ｂと交点Ｎ１との距離が長くなり、外部電極２０ａと内部電極交差部との距離が長くなる。この場合、焼成の際に、角部において外部電極２０ａと外部電極２０ａが接するセラミック部分との間の熱膨張差に起因する応力によってクラックが発生するおそれがある。一方、曲率半径Ｒ１が大きくなると、角部Ｂと交点Ｎ１との距離が短くなる。この場合、焼成の際に、角部において外部電極２０ａと外部電極２０ａが接するセラミック部分との間の熱膨張差が小さくなり、クラックの発生が抑制される。その一方で、角部Ｂと交点Ｎ１との距離が短くなると、内部電極交差部を保護するセラミック部分が少なくなり、耐湿性低下に伴う絶縁性低下によって、信頼性の問題が生じるおそれがある。
【0029】
そこで、本発明者が行なった鋭意研究の結果、曲率半径Ｒ１と、距離Ｃ１と、距離Ｐ１との関係を適正化し、０．２０≦Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）≦０．８０とすることによって、信頼性を維持しつつクラックの発生を抑制できることがわかった。
【0030】
角部Ｂと交点Ｎ１との距離を短くしてクラック発生を抑制する観点から、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は、０．２０以上であることが好ましく、０．２５以上であることがより好ましい。一方、角部Ｂと交点Ｎ１との距離を長くして信頼性を向上させる観点から、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は、０．８０以下であることが好ましく、０．７５以下であることがより好ましい。
【0031】
角部の外部電極における不連続部分の発生を抑制する観点から、曲率半径Ｒ１は、積層チップ１０の長手方向（図１ではＸ軸方向）の寸法の１％以上であることが好ましく、３％以上であることがより好ましく、５％以上であることがさらに好ましい。基板実装時のチップ立ち防止の観点から、曲率半径Ｒ１は、積層チップ１０の長手方向の寸法の２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。
【0032】
距離Ｃ１が長すぎると、クラック発生のおそれがある。そこで、距離Ｃ１に上限を設けることが好ましい。例えば、距離Ｃ１は、積層チップ１０の高さ方向（図１ではＺ軸方向）の寸法の３５％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２５％以下であることがさらに好ましい。
【0033】
一方、距離Ｃ１が短すぎると、信頼性不足のおそれがある。そこで、距離Ｃ１に下限を設けることが好ましい。例えば、距離Ｃ１は、積層チップ１０の高さ方向の寸法の３％以上であることが好ましく、５％以上であることがより好ましく、１０％以上であることがさらに好ましい。
【0034】
距離Ｐ１が長すぎると、クラック発生のおそれがある。そこで、距離Ｐ１に上限を設けることが好ましい。例えば、距離Ｐ１は、積層チップ１０の高さ方向の寸法の４５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３５％以下であることがさらに好ましい。
【0035】
一方、距離Ｐ１が短すぎると、信頼性不足のおそれがある。そこで、距離Ｐ１に下限を設けることが好ましい。例えば、距離Ｐ１は、積層チップ１０の高さ方向の寸法の１０％以上であることが好ましく、１５％以上であることがより好ましく、２０％以上であることがさらに好ましい。
【0036】
本実施形態に係る構成によれば、角部における外部電極２０ａを薄くしなくてもよいため、外部電極２０ａ上に、めっき層を均一に形成できるようになる。特に、図７で例示するような段差（変曲点）を外部電極に設けなくすることで、めっき層を均一に形成できるようになる。
【0037】
例えば、積層チップ１０の角部Ｂにおいて、外部電極２０ａの最小厚みを１μｍ以上とすることが好ましく、２μｍ以上とすることがより好ましく、３μｍ以上とすることがさらに好ましい。ただし、外部電極２０ａが全体的に厚くなると、積層チップ１０が大型化してしまうため、外部電極２０ａの局所的な最大厚みは、１０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることがさらに好ましい。
【0038】
積層チップ１０において、内部電極層１２の積層数は、例えば、積層チップ１０の高さ方向の寸法に対する積層数が５００層／ｍｍ以上１５００層／ｍｍ以下であり、８００層／ｍｍ以上１０００層／ｍｍ以下である。内部電極層１２の厚みは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。誘電体層１１の厚みは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。
【0039】
図５では、外部電極２０ａ付近かつ積層チップ１０の上面付近の断面に着目したが、それに限られない。外部電極２０ａ付近かつ積層チップ１０の下面付近の断面に着目する場合には、図５と同じ断面において、曲率半径Ｒ１は、積層チップ１０の下面側のカバー層１３の外部電極２０ａ側における角部の形状と同じ大きさの曲率半径である。交点Ｎ１は、直線Ｌと、積層チップ１０の下面側の最外層の内部電極層１２との交点である。直線Ｍは、積層チップ１０の下面に接するようにＸ軸方向に引いた直線である。
【0040】
外部電極２０ｂ付近かつ上面付近の断面に着目する場合には、図５と同じ断面において、曲率半径Ｒ１は、積層チップ１０の上面側のカバー層１３の外部電極２０ｂ側における角部の形状と同じ大きさの曲率半径である。直線Ｌは、外部電極２０ｂに接続されていない各内部電極層１２の外部電極２０ｂ側の端を結んで得られる直線である。交点Ｎ１は、直線Ｌと、積層チップ１０の上面側の最外層の内部電極層１２との交点である。直線Ｎは、積層チップ１０の外部電極２０ｂ側の端面に接するようにＺ軸方向に引いた直線である。
【0041】
外部電極２０ｂ付近かつ積層チップ１０の下面付近の断面に着目する場合には、図５と同じ断面において、曲率半径Ｒ１は、積層チップ１０の下面側のカバー層１３の外部電極２０ｂ側における角部の形状と同じ大きさの曲率半径である。直線Ｌは、外部電極２０ｂに接続されていない各内部電極層１２の外部電極２０ｂ側の端を結んで得られる直線である。交点Ｎ１は、直線Ｌと、積層チップ１０の下面側の最外層の内部電極層１２との交点である。直線Ｍは、積層チップ１０の下面に接するようにＸ軸方向に引いた直線である。
【0042】
図８で例示するように、外部電極２０ａの表面には、めっき層２１が設けられていてもよい。図８では、ハッチを省略している。めっき層２１は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｓｎなどの金属またはこれらの２以上の合金を主成分とする。めっき層２１は、単一金属成分のめっき層でもよく、互いに異なる金属成分の複数のめっき層でもよい。例えば、めっき層２１は、外部電極２０ａ側から順に、第１めっき層２２、第２めっき層２３および第３めっき層２４が形成された構造を有する。第１めっき層２２は、例えば、Ｃｕめっき層である。第２めっき層２３は、例えば、Ｎｉめっき層である。第３めっき層２４は、例えば、Ｓｎめっき層である。なお、図８では、外部電極２０ａについて例示しているが、外部電極２０ｂも同様の構造を有する。
【0043】
続いて、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法について説明する。図９は、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法のフローを例示する図である。
【0044】
（原料粉末作製工程）
まず、誘電体層１１を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体材料は、誘電体層１１の主成分セラミックを含む。誘電体層１１に含まれるＡサイト元素およびＢサイト元素は、通常はＡＢＯ３の粒子の焼結体の形で誘電体層１１に含まれる。例えば、ＢａＴｉＯ３は、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このＢａＴｉＯ３は、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。誘電体層１１の主成分セラミックの合成方法としては、従来種々の方法が知られており、例えば固相法、ゾル－ゲル法、水熱法等が知られている。本実施形態においては、これらのいずれも採用することができる。
まず、誘電体層１１を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体材料は、誘電体層１１の主成分セラミックを含む。誘電体層１１に含まれるＡサイト元素およびＢサイト元素は、通常はＡＢＯ３の粒子の焼結体の形で誘電体層１１に含まれる。例えば、ＢａＴｉＯ３は、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このＢａＴｉＯ３は、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。誘電体層１１の主成分セラミックの合成方法としては、従来種々の方法が知られており、例えば固相法、ゾル－ゲル法、水熱法等が知られている。本実施形態においては、これらのいずれも採用することができる。
【0045】
得られたセラミック粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、希土類元素の酸化物、並びに、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ、Ｌｉ（リチウム）、Ｂ（ホウ素）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）およびＳｉ（ケイ素）の酸化物もしくはガラスが挙げられる。
【0046】
（積層工程）
次に、原料粉末作製工程で得られた誘電体材料に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に誘電体グリーンシート５１を塗工して乾燥させる。
次に、原料粉末作製工程で得られた誘電体材料に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に誘電体グリーンシート５１を塗工して乾燥させる。
【0047】
次に、図１０（ａ）で例示するように、誘電体グリーンシート５１の表面に、有機バインダを含む内部電極形成用の金属導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷等により印刷することで、内部電極層用の第１パターン５２を配置する。金属導電ペーストには、共材としてセラミック粒子を添加する。セラミック粒子の主成分は、特に限定するものではないが、誘電体層１１の主成分セラミックと同じであることが好ましい。
【0048】
次に、図１０（ａ）で例示するように、誘電体グリーンシート５１上において、第１パターン５２が印刷されていない周辺領域に逆パターンペーストを印刷することで第２パターン５３を配置し、第１パターン５２との段差を埋める。逆パターンペーストは、誘電体グリーンシート５１と同じ成分であってもよく、添加化合物が異なっていてもよい。
【0049】
その後、図１０（ｂ）で例示するように、内部電極層１２と誘電体層１１とが互い違いになるように、かつ内部電極層１２が誘電体層１１の長さ方向の両端面に端縁が交互に露出して極性の異なる一対の外部電極２０ａ，２０ｂに交互に引き出されるように、誘電体グリーンシート５１、第１パターン５２および第２パターン５３を積層していく。
【0050】
次に、図１１で例示するように、積層された誘電体グリーンシート５１の上にカバーシート５４（第１カバーシート）を所定数（例えば２～１０層）だけ積層し、積層された誘電体グリーンシート５１の下にカバーシート５４（第２カバーシート）を所定数（例えば２～１０層）だけ積層し、熱圧着させ、所定チップ寸法（例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）にカットする。カバーシート５４は、誘電体グリーンシート５１と同じ成分であってもよく、添加化合物が異なっていてもよい。その後に、外部電極２０ａ，２０ｂとなる金属導電ペーストを、カットした積層体の両側面にディップ法等で塗布して乾燥させる。これにより、セラミック積層体が得られる。なお、所定数のカバーシート５４を積層して圧着してから、積層された誘電体グリーンシート５１の上下に貼り付けてもよい。
【0051】
誘電体グリーンシート５１上において、逆パターンとしての第２パターン５３を形成しなくてもよい。
【0052】
第２パターン５３の積層部分は、積層後に貼り付けてもよい。具体的には、図１２で例示するように、誘電体グリーンシート５１と、当該誘電体グリーンシート５１と同じ幅の第１パターン５２とを交互に積層することで、積層部分を得る。次に、積層部分の側面に、サイドマージンシート５５を貼り付ける。サイドマージンシート５５は、誘電体グリーンシート５１と同じ成分であってもよく、添加化合物が異なっていてもよい。
【0053】
（角部調整工程）
このようにして得られたセラミック積層体に対してバレル研磨を行なうことによって、セラミック積層体の角部を丸め、曲率半径を形成する。このバレル研磨を行なう時間の長さを調整するなどして、所望の曲率半径Ｒ１を得るための曲率半径を形成することができる。
このようにして得られたセラミック積層体に対してバレル研磨を行なうことによって、セラミック積層体の角部を丸め、曲率半径を形成する。このバレル研磨を行なう時間の長さを調整するなどして、所望の曲率半径Ｒ１を得るための曲率半径を形成することができる。
【0054】
（焼成工程）
バレル研磨後のセラミック積層体を、Ｎ２雰囲気で脱バインダ処理した後に外部電極２０ａとなる第１外部電極形成用導電ペーストをディップ法で塗布し、外部電極２０ｂとなる第２外部電極形成用導電ペーストをディップ法で塗布し、酸素分圧１０－５～１０－８ａｔｍの還元雰囲気中で１１００～１３００℃で１０分～２時間焼成する。このようにして、積層セラミックコンデンサ１００が得られる。
バレル研磨後のセラミック積層体を、Ｎ２雰囲気で脱バインダ処理した後に外部電極２０ａとなる第１外部電極形成用導電ペーストをディップ法で塗布し、外部電極２０ｂとなる第２外部電極形成用導電ペーストをディップ法で塗布し、酸素分圧１０－５～１０－８ａｔｍの還元雰囲気中で１１００～１３００℃で１０分～２時間焼成する。このようにして、積層セラミックコンデンサ１００が得られる。
【0055】
（再酸化処理工程）
その後、Ｎ２ガス雰囲気中で６００℃～１０００℃で再酸化処理を行ってもよい。
その後、Ｎ２ガス雰囲気中で６００℃～１０００℃で再酸化処理を行ってもよい。
【0056】
（めっき処理工程）
その後、めっき処理により、外部電極２０ａ，２０ｂに、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ等の金属コーティングを行ってもよい。
その後、めっき処理により、外部電極２０ａ，２０ｂに、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ等の金属コーティングを行ってもよい。
【0057】
なお、上記各実施形態においては、セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、それに限られない。例えば、バリスタやサーミスタなどの、他の電子部品を用いてもよい。
【実施例】
【0058】
続いて、実施形態に係る積層セラミックコンデンサを作製し、特性について調べた。
【0059】
（実施例１～１６および比較例１～１６）
チタン酸バリウムを主成分とする耐還元性を有するセラミック粉末を有機バインダと混練してスラリーを形成し、ドクターブレード等でシート状に形成し、誘電体グリーンシートを作製した。この誘電体グリーンシートに、スクリーン印刷によって、Ｎｉを主成分金属とする金属導電ペースト所定のパターンで塗布することで、内部電極パターンを形成した。内部電極層１２と誘電体層１１とが互い違いになるように、かつ内部電極層１２が誘電体層１１の長さ方向の両端面に端縁が交互に露出して極性の異なる一対の外部電極２０ａ，２０ｂに交互に引き出されるように、誘電体グリーンシートを積層した。その後、積層された誘電体グリーンシートの上下にカバーシートを所定数だけ積層して熱圧着させ、所定チップ寸法にカットした。この場合において、焼成後の距離Ｐ１および距離Ｃ１が目標値となるように、誘電体グリーンシートの積層数、カバーシートの積層数などを調整した。その後、焼成後の曲率半径Ｒ１が目標値となるように、バレル研磨の時間を調整した。バレル研磨後、脱バインダ処理行なった後、内部電極露出面に、所定の寸法になるように、共材を含む導電ペーストを塗布した。なお、周面厚みは、導電ペーストを希釈することで調整した。その後、１２５０℃の窒素－水素雰囲気で焼成を行ない、所定の熱処理を行なった。その後、外部電極を下地層として、めっき処理を行なった。
チタン酸バリウムを主成分とする耐還元性を有するセラミック粉末を有機バインダと混練してスラリーを形成し、ドクターブレード等でシート状に形成し、誘電体グリーンシートを作製した。この誘電体グリーンシートに、スクリーン印刷によって、Ｎｉを主成分金属とする金属導電ペースト所定のパターンで塗布することで、内部電極パターンを形成した。内部電極層１２と誘電体層１１とが互い違いになるように、かつ内部電極層１２が誘電体層１１の長さ方向の両端面に端縁が交互に露出して極性の異なる一対の外部電極２０ａ，２０ｂに交互に引き出されるように、誘電体グリーンシートを積層した。その後、積層された誘電体グリーンシートの上下にカバーシートを所定数だけ積層して熱圧着させ、所定チップ寸法にカットした。この場合において、焼成後の距離Ｐ１および距離Ｃ１が目標値となるように、誘電体グリーンシートの積層数、カバーシートの積層数などを調整した。その後、焼成後の曲率半径Ｒ１が目標値となるように、バレル研磨の時間を調整した。バレル研磨後、脱バインダ処理行なった後、内部電極露出面に、所定の寸法になるように、共材を含む導電ペーストを塗布した。なお、周面厚みは、導電ペーストを希釈することで調整した。その後、１２５０℃の窒素－水素雰囲気で焼成を行ない、所定の熱処理を行なった。その後、外部電極を下地層として、めっき処理を行なった。
【0060】
実施例１～４および比較例１～４の形状は、１００５形状（長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍ）であった。実施例５～８および比較例５～８の形状は、１６０８形状（長さ１．６ｍｍ、幅０．８ｍｍ、高さ０．８ｍｍ）であった。実施例９～１２および比較例９～１２の形状は、２０１２形状（長さ２．０ｍｍ、幅１．２５ｍｍ、高さ１．２５ｍｍ）であった。実施例１３～１６および比較例１３～１６は、３２１６形状（長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍ）であった。
【0061】
実施例１～１６および比較例１～１６のそれぞれについて、距離Ｃ１、距離Ｐ１および曲率半径Ｒ１を測定した。各サンプルの２側面のいずれか一方を上にして横埋めにて中央まで研磨することで断面を取り出した。距離Ｃ１、距離Ｐ１および曲率半径Ｒ１については、１０サンプルずつの平均値とした。
【0062】
実施例１では、距離Ｃ１は２４．２μｍであり、距離Ｐ１は５５．１μｍであり、曲率半径Ｒ１は１１．８μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．２４であった。実施例２では、距離Ｃ１は２５．０μｍであり、距離Ｐ１は５６．１μｍであり、曲率半径Ｒ１は３７．８μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．７５であった。実施例３では、距離Ｃ１は１４８．０μｍであり、距離Ｐ１は２１１．０μｍであり、曲率半径Ｒ１は３４．２μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．２３であった。実施例４では、距離Ｃ１は１４９．２μｍであり、距離Ｐ１は２１２．５μｍであり、曲率半径Ｒ１は１１４．２μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．７６であった。実施例５では、距離Ｃ１は４０．５μｍであり、距離Ｐ１は１０８．０μｍであり、曲率半径Ｒ１は２４．０μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．２４であった。実施例６では、距離Ｃ１は３８．０μｍであり、距離Ｐ１は１０５．９μｍであり、曲率半径Ｒ１は７４．８μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．７６であった。実施例７では、距離Ｃ１は２４７．２μｍであり、距離Ｐ１は３４９．０μｍであり、曲率半径Ｒ１は５７．２μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．２３であった。実施例８では、距離Ｃ１は２４７．９μｍであり、距離Ｐ１は３４９．７μｍであり、曲率半径Ｒ１は１８５．０μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．７５であった。
【0063】
実施例９では、距離Ｃ１は７９．３μｍであり、距離Ｐ１は２６０．２μｍであり、曲率半径Ｒ１は６１．８μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．２５であった。実施例１０では、距離Ｃ１は７９．９μｍであり、距離Ｐ１は２６２．０μｍであり、曲率半径Ｒ１は１９０．０μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．７６であった。実施例１１では、距離Ｃ１は３９４．２μｍであり、距離Ｐ１は５５３．７μｍであり、曲率半径Ｒ１は９６．８μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．２５であった。実施例１２は、距離Ｃ１は３９８．５μｍであり、距離Ｐ１は５５７．０μｍであり、曲率半径Ｒ１は３０５．１μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．７８であった。実施例１３では、距離Ｃ１は９７．６μｍであり、距離Ｐ１は３１３．０μｍであり、曲率半径Ｒ１は７４．０μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．２５であった。実施例１４では、距離Ｃ１は９８．０μｍであり、距離Ｐ１は３１３．８μｍであり、曲率半径Ｒ１は２３４．３μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．７９であった。実施例１５では、距離Ｃ１は４８８．５μｍであり、距離Ｐ１は７００．０μｍであり、曲率半径Ｒ１は１２４．８μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．２５であった。実施例１６では、距離Ｃ１は４９１．１μｍであり、距離Ｐ１は７０５．４μｍであり、曲率半径Ｒ１は３９５．８μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．７８であった。
【0064】
比較例１では、距離Ｃ１は２６．３μｍであり、距離Ｐ１は５６．８μｍであり、曲率半径Ｒ１は８．１μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．１６であった。比較例２では、距離Ｃ１は２５．６μｍであり、距離Ｐ１は５６．４μｍであり、曲率半径Ｒ１は４４．３μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．８８であった。比較例３では、距離Ｃ１は１５０．３μｍであり、距離Ｐ１は２１３．４μｍであり、曲率半径Ｒ１は２０．４μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．１４であった。比較例４では、距離Ｃ１は１４８．７μｍであり、距離Ｐ１は２１１．３μｍであり、曲率半径Ｒ１は１２９．５μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．８６であった。比較例５では、距離Ｃ１は３９．４μｍであり、距離Ｐ１は１０６．５μｍであり、曲率半径Ｒ１は１５．３μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．１６であった。比較例６では、距離Ｃ１は３９．７μｍであり、距離Ｐ１は１０７．５μｍであり、曲率半径Ｒ１は８７．４μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．８８であった。比較例７では、距離Ｃ１は２５０．２μｍであり、距離Ｐ１は３５０．１μｍであり、曲率半径Ｒ１は３５．３μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．１４であった。比較例８では、距離Ｃ１は２４８．９μｍであり、距離Ｐ１は３４９．８μｍであり、曲率半径Ｒ１は２１１．４μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．８６であった。
【0065】
比較例９では、距離Ｃ１は７８．５μｍであり、距離Ｐ１は２５９．０μｍであり、曲率半径Ｒ１は３９．５μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．１６であった。比較例１０では、距離Ｃ１は７８．３μｍであり、距離Ｐ１は２５８．１μｍであり、曲率半径Ｒ１は２１３．４μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．８７であった。比較例１１では、距離Ｃ１は３９６．５μｍであり、距離Ｐ１は５５５．５μｍであり、曲率半径Ｒ１は６０．６μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．１６であった。比較例１２では、距離Ｃ１は３９６．９μｍであり、距離Ｐ１は５５６．６μｍであり、曲率半径Ｒ１は３３９．７μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．８７であった。比較例１３では、距離Ｃ１は９８．５μｍであり、距離Ｐ１は３１３．４μｍであり、曲率半径Ｒ１は５０．７μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．１７であった。比較例１４では、距離Ｃ１は９８．８μｍであり、距離Ｐ１は３１４．４μｍであり、曲率半径Ｒ１は２７０．３μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．９１であった。比較例１５では、距離Ｃ１は４８９．６μｍであり、距離Ｐ１は７０２．４μｍであり、曲率半径Ｒ１は７８．７μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．１６であった。比較例１６では、距離Ｃ１は４８９．２μｍであり、距離Ｐ１は７０３．４μｍであり、曲率半径Ｒ１は４６４．４μｍであり、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）は０．９２であった。
【0066】
（クラック判定）
実施例１～１６および比較例１～１６のそれぞれについて、１００サンプルにクラックが発生しているか否かを調べた。クラックが発生しているサンプル数を数えることで、クラック発生率を測定した。結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１～１６のいずれにおいても、クラック発生率は０／１００となった。一方、比較例１，３，５，７，９，１１，１３，１５では、クラックが発生しているサンプルが見られた。すなわち、クラック発生率が１／１００以上となった。これらの結果を図１３のようにプロットした。図１３のプロットの結果から、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）が０．２０以上であることで、クラック発生率が０／１００となったものと考えられる。これは、角部Ｂと交点Ｎ１との距離が短くなったからであると考えられる。一方、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）が０．２０未満となったことで、クラック発生率が１／１００以上となったものと考えられる。これは、角部Ｂと交点Ｎ１との距離が長くなったからであると考えられる。
実施例１～１６および比較例１～１６のそれぞれについて、１００サンプルにクラックが発生しているか否かを調べた。クラックが発生しているサンプル数を数えることで、クラック発生率を測定した。結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１～１６のいずれにおいても、クラック発生率は０／１００となった。一方、比較例１，３，５，７，９，１１，１３，１５では、クラックが発生しているサンプルが見られた。すなわち、クラック発生率が１／１００以上となった。これらの結果を図１３のようにプロットした。図１３のプロットの結果から、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）が０．２０以上であることで、クラック発生率が０／１００となったものと考えられる。これは、角部Ｂと交点Ｎ１との距離が短くなったからであると考えられる。一方、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）が０．２０未満となったことで、クラック発生率が１／１００以上となったものと考えられる。これは、角部Ｂと交点Ｎ１との距離が長くなったからであると考えられる。
【0067】
（信頼性判定）
実施例１～１６および比較例１～１６のそれぞれについて、２００サンプルの信頼性を調べた。具体的には、耐湿槽において、外部電極間に定格電圧を印加した状態で１０００ｈ維持し、ＩＲ値が規定値未満になっていれば信頼性不良と判定し、ＩＲが規定値以上になっていれば信頼性に不良が生じていないと判定した。信頼性不良が発生しているサンプル数を数えることで、信頼性不良率を測定した。結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１～１６のいずれにおいても、信頼性不良率が０／２００となった。一方、比較例２，４，６，８，１０，１２，１４，１６では、信頼性不良が生じているサンプルが見られた。すなわち、信頼性不良率が１／２００以上となった。これらの結果を図１３のようにプロットした。図１３のプロットの結果から、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）が０．８０以下であることで、信頼性不良率が０／２００となったものと考えられる。これは、角部Ｂと交点Ｎ１との距離が確保され、耐湿性が向上したからであると考えられる。一方、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）が０．８０を上回ったことで、信頼性不良率が１／２００以上となったものと考えられる。これは、角部Ｂと交点Ｎ１との距離が十分に確保されなかったからであると考えられる。
実施例１～１６および比較例１～１６のそれぞれについて、２００サンプルの信頼性を調べた。具体的には、耐湿槽において、外部電極間に定格電圧を印加した状態で１０００ｈ維持し、ＩＲ値が規定値未満になっていれば信頼性不良と判定し、ＩＲが規定値以上になっていれば信頼性に不良が生じていないと判定した。信頼性不良が発生しているサンプル数を数えることで、信頼性不良率を測定した。結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１～１６のいずれにおいても、信頼性不良率が０／２００となった。一方、比較例２，４，６，８，１０，１２，１４，１６では、信頼性不良が生じているサンプルが見られた。すなわち、信頼性不良率が１／２００以上となった。これらの結果を図１３のようにプロットした。図１３のプロットの結果から、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）が０．８０以下であることで、信頼性不良率が０／２００となったものと考えられる。これは、角部Ｂと交点Ｎ１との距離が確保され、耐湿性が向上したからであると考えられる。一方、Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）が０．８０を上回ったことで、信頼性不良率が１／２００以上となったものと考えられる。これは、角部Ｂと交点Ｎ１との距離が十分に確保されなかったからであると考えられる。
【0068】
（総合判定）
クラック不良率が０／１００かつ信頼性不良率が０／２００であれば総合判定を良とした。クラック不良率＝１／１００以上、信頼性不良率＝１／２００以上の少なくともいずれかになれば、総合判定不良とした。結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１～１６では、総合判定が良と判定された。これは、０．２０≦Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）≦０．８０の関係を満たしたからであると考えられる。比較例１～１６では、総合判定が不良と判定された。これは、０．２０≦Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）≦０．８０の関係を満たさなかったからであると考えられる。
クラック不良率が０／１００かつ信頼性不良率が０／２００であれば総合判定を良とした。クラック不良率＝１／１００以上、信頼性不良率＝１／２００以上の少なくともいずれかになれば、総合判定不良とした。結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１～１６では、総合判定が良と判定された。これは、０．２０≦Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）≦０．８０の関係を満たしたからであると考えられる。比較例１～１６では、総合判定が不良と判定された。これは、０．２０≦Ｒ１／√（Ｐ１２－Ｃ１２）≦０．８０の関係を満たさなかったからであると考えられる。
【0069】
（めっき性判定）
実施例１～１６および比較例１～１６について、めっき性を判定した。光学顕微鏡で１００倍の倍率で観察し、角部Ｂが欠落なくめっき層に覆われていれば、めっき性が良好であると判定し、角部Ｂにおけるめっき層に欠落した不連続な部分があればめっき性が不良であると判定した。結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１～１６および比較例１～１６のいずれにおいても、めっき性が良好であると判定された。これは、外部電極に変曲点（段差）などを設けず、角部における外部電極の厚みが十分に得られたからであると考えられる。
実施例１～１６および比較例１～１６について、めっき性を判定した。光学顕微鏡で１００倍の倍率で観察し、角部Ｂが欠落なくめっき層に覆われていれば、めっき性が良好であると判定し、角部Ｂにおけるめっき層に欠落した不連続な部分があればめっき性が不良であると判定した。結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１～１６および比較例１～１６のいずれにおいても、めっき性が良好であると判定された。これは、外部電極に変曲点（段差）などを設けず、角部における外部電極の厚みが十分に得られたからであると考えられる。
【表1】
【0070】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【0071】
１０ 積層チップ
１１ 誘電体層
１２ 内部電極層
１３ カバー層
２０ａ，２０ｂ 外部電極
５１ 誘電体グリーンシート
５２ 第１パターン
５３ 第２パターン
５４ カバーシート
５５ サイドマージンシート
１００ 積層セラミックコンデンサ
１１ 誘電体層
１２ 内部電極層
１３ カバー層
２０ａ，２０ｂ 外部電極
５１ 誘電体グリーンシート
５２ 第１パターン
５３ 第２パターン
５４ カバーシート
５５ サイドマージンシート
１００ 積層セラミックコンデンサ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】