(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-09
(45)【発行日】2024-10-18
(54)【発明の名称】配線基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20241010BHJP
H05K 3/38 20060101ALI20241010BHJP
C23C 18/38 20060101ALI20241010BHJP
C23C 18/32 20060101ALN20241010BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 N
H05K3/46 B
H05K3/38 B
C23C18/38
C23C18/32
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2021070663
(22)【出願日】2021-04-19
(65)【公開番号】P2022165329
(43)【公開日】2022-10-31
【審査請求日】2024-01-18
(73)【特許権者】
【識別番号】000000158
【氏名又は名称】イビデン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001896
【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】池田 大介
【審査官】沼生 泰伸
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－０２９６９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１７／０９４４７０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１４－０６７９４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－２７７９０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－０１５２８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－６７８８７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ ３／４６
Ｈ０５Ｋ ３／１０－ ３／２６
Ｈ０５Ｋ ３／３８
Ｈ０５Ｋ １／１１
Ｈ０５Ｋ ３／４０－ ３／４２
Ｃ２３Ｃ １８／００－２０／０８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
コア基板と、前記コア基板上に積層され、交互に積層されている絶縁層および導体層、ならびに前記絶縁層を貫通する接続導体を含む積層体と
を含む配線基板であって、
前記積層体は、前記接続導体と前記導体層に含まれる導体パッドとが交互に積層されて構成されるスタックビア導体を含み、
前記スタックビア導体が、
粗化されている表面を有する少なくとも一つの第１導体パッドと、
前記絶縁層と前記導体層との密着性を向上させる被覆膜に覆われていて粗化されている表面を有する少なくとも一つの第２導体パッドと
を含み、
前記第１導体パッドが、前記第２導体パッドよりも前記コア基板側に積層されている。
【請求項2】
請求項１記載の配線基板であって、前記積層体が、
前記第１導体パッドを含む第１導体層と、前記第１導体層を覆う第２絶縁層と、
前記第２導体パッドを含む第２導体層と、前記第２導体層を覆う第３絶縁層と、
を含み、
前記第１導体パッドの前記粗化されている表面は、第１面粗度を有しており、かつ、前記第２絶縁層と前記被覆膜を介さずに直接接するように向かい合っている。
【請求項3】
請求項２記載の配線基板であって、前記被覆膜は、前記第２導体パッドと前記第３絶縁層との間に介在している。
【請求項4】
請求項３記載の配線基板であって、前記第２導体パッドにおける前記第３絶縁層と向かい合う前記表面は、前記第１面粗度と略等しい面粗度を有するように粗化されている。
【請求項5】
請求項３記載の配線基板であって、前記第３絶縁層は、前記第３絶縁層および前記被覆膜を貫通して前記第２導体パッドに接する前記接続導体を含んでいる。
【請求項6】
請求項２記載の配線基板であって、前記第１導体層は、前記第２絶縁層に覆われている第１配線パターンをさらに含み、
前記第１配線パターンにおける前記第２絶縁層と向かい合う表面は、前記第１面粗度と略等しい面粗度を有するように粗化されており、かつ、前記被覆膜を介さずに前記第２絶縁層と直接接している。
【請求項7】
請求項４記載の配線基板であって、前記第２導体層は、前記第３絶縁層に覆われている第２配線パターンをさらに含み、
前記第２配線パターンと前記第３絶縁層との間に前記被覆膜が介在している。
【請求項8】
請求項７記載の配線基板であって、前記第２配線パターンにおける前記第３絶縁層と向かい合う表面は、前記第１面粗度よりも低い第２面粗度を有している。
【請求項9】
請求項８記載の配線基板であって、前記第１導体パッドにおける前記接続導体に覆われている表面および前記第２導体パッドにおける前記接続導体に覆われている表面は、前記第１面粗度よりも低くかつ前記第２面粗度よりも高い第３面粗度を有している。
【請求項10】
請求項１記載の配線基板であって、前記接続導体を構成する金属と前記接続導体の底面に対向している前記導体パッドを構成する金属とが、前記接続導体と前記導体パッドとの界面において被覆膜を介さずに直接接している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、プリント配線板に関し、低粗化または無粗化の金属配線層の表面に化成皮膜が形成され、この化成皮膜を介して金属配線層上に絶縁樹脂層が形成されることが、開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１８－１７２７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に開示の方法では、金属配線層の表面上に形成された化成皮膜が、後工程における各種の処理によって溶解することがある。そのため、特許文献１の方法で製造されたプリント配線板に化成皮膜の溶解液による意図せぬ不具合がもたらされ、プリント配線板の品質劣化を招くことがある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の配線基板は、コア基板と、前記コア基板上に積層され、交互に積層されている絶縁層および導体層、ならびに前記絶縁層を貫通する接続導体を含む積層体と、を備えている。そして、前記積層体は、前記接続導体と前記導体層に含まれる導体パッドとが交互に積層されて構成されるスタックビア導体を含み、前記スタックビア導体が、粗化されている表面を有する少なくとも一つの第１導体パッドと、前記絶縁層と前記導体層との密着性を向上させる被覆膜に覆われていて粗化されている表面を有する少なくとも一つの第２導体パッドとを含み、前記第１導体パッドが、前記第２導体パッドよりも前記コア基板側に積層されている。
【0006】
本発明の実施形態によれば、導体層同士を接続する接続導体と接続導体に接する導体パッドとの剥離などの不具合が生じ難いと考えられる、高い品質の配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図3A】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。
【図3B】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。
【図3C】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図3D】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図3E】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図3F】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図3G】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図3H】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図3I】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図3J】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【図3K】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図である。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、ならびに、導体層および絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、ならびに配線基板１００に含まれる導体層および絶縁層それぞれの数に限定されない。
【0009】
図１に示されるように、配線基板１００は、コア基板３と、コア基板３におけるその厚さ方向において対向する２つの主面（第１面３ａおよび第２面３ｂ）それぞれの上に交互に積層されている絶縁層および導体層を含む積層体を含んでいる。コア基板３は、絶縁層３２と、絶縁層３２の両面それぞれの上に形成されている導体層３１とを含んでいる。
【0010】
なお、実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３２から遠い側は「上側」、「上方」、もしくは「外側」、または単に「上」もしくは「外」とも称され、絶縁層３２に近い側は「下側」、「下方」、もしくは「内側」、または単に「下」もしくは「内」とも称される。さらに、各導体層および各絶縁層において、絶縁層３２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３２側を向く表面は「下面」とも称される。
【0011】
配線基板１００は、コア基板３の第１面３ａの上に、第１面３ａ側から順に積層されている、第１絶縁層２１、第１導体層１１、第２絶縁層２２、第２導体層１２、第３絶縁層２３、第３導体層１３、第４絶縁層２４、および第４導体層１４を備えている。第１絶縁層２１はコア基板３の第１面３ａを覆っており、第２絶縁層２２は、第１導体層１１、および、第１導体層１１に覆われずに露出する第１絶縁層２１を覆っている。配線基板１００は、さらに、コア基板３の第２面３ｂの上に交互に積層されている４つの絶縁層２５および４つの導体層１５を備えている。
【0012】
各絶縁層には、各絶縁層を貫通し、各絶縁層を介して隣接する導体層同士を接続する接続導体が形成されている。第１絶縁層２１、第２絶縁層２２、第３絶縁層２３、第４絶縁層２４、および４つの絶縁層２５は、それぞれ、接続導体４を含んでいる。コア基板３の絶縁層３２は接続導体３３を含んでいる。接続導体３３は、コア基板３の両面それぞれの導体層３１同士を接続する、所謂スルーホール導体である。
【0013】
接続導体４は、順次ビルドアップされる各絶縁層内に形成される所謂ビア導体である。第１絶縁層２１に含まれる接続導体４は、導体層３１と第１導体層１１とを接続している。第２絶縁層２２に含まれる接続導体４は、第１導体層１１と第２導体層１２とを接続している。第３絶縁層２３に含まれる接続導体４は、第２導体層１２と第３導体層１３とを、および、第４絶縁層２４に含まれる接続導体４は、第３導体層１３と第４導体層１４とを接続している。４つの絶縁層２５それぞれに含まれる接続導体４は、導体層３１と導体層１５とを接続するか、導体層１５同士を接続している。
【0014】
第１～第４の絶縁層２１、２２、２３、２４、絶縁層２５、および絶縁層３２は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）またはフェノール樹脂などが例示される。図１の例では、絶縁層３２は、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材（補強材）３２ａを含んでいる。図１には示されていないが、絶縁層３２以外の各絶縁層も、ガラス繊維などからなる芯材を含み得る。各絶縁層は、さらに、シリカ（ＳｉＯ2）、アルミナ、またはムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）を含み得る。
【0015】
第１～第４の導体層１１、１２、１３、１４、導体層１５、および導体層３１、ならびに、接続導体４および接続導体３３は、銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。図１の例において、導体層３１は、金属箔３１ａ、金属膜３１ｂ、およびめっき膜３１ｃを含んでいる。接続導体３３は導体層３１と一体的に形成されており、金属膜３１ｂおよびめっき膜３１ｃによって構成されている。
【0016】
一方、第１～第４の導体層１１、１２、１３、１４、および導体層１５、ならびに接続導体４は、それぞれ、金属膜１０ｂおよびめっき膜１０ｃによって構成されている。各接続導体４は、第１～第４の導体層１１、１２、１３、１４、または導体層１５と一体的に形成されている。めっき膜３１ｃ、１０ｃは、例えば電解めっき膜である。金属膜３１ｂおよび金属膜１０ｂは、例えば無電解めっき膜またはスパッタリング膜であり、それぞれ、めっき膜３１ｃおよびめっき膜１０ｃが電解めっきで形成される際の給電層として機能する。
【0017】
第４絶縁層２４および第４導体層１４の上には、ソルダーレジスト６が形成されている。コア基板３の第２面３ｂ側の表層の絶縁層２５および導体層１５の上にもソルダーレジスト６が形成されている。ソルダーレジスト６には、第４導体層１４または導体層１５の一部を露出させる開口６ａが設けられている。ソルダーレジスト６は、例えば、感光性のエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などで形成される。
【0018】
第１～第４の導体層１１、１２、１３、１４、４つの導体層１５、および２つの導体層３１は、それぞれ、所定の導体パターンを含んでいる。第１導体層１１は、第１導体パッド１１ａと、第１配線パターン１１ｂと、を含んでいる。第２導体層１２は、第２導体パッド１２ａと、第２配線パターン１２ｂと、を含んでいる。
【0019】
第１導体パッド１１ａは、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４と接している。すなわち、第１導体パッド１１ａは、その上に接続導体４が形成される導体パッドであり、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４に対する、所謂受けパッドである。そのため、第１導体パッド１１ａの第２絶縁層２２側の表面の一部は、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４に覆われている。換言すると、第１導体パッド１１ａの第２絶縁層２２側の表面の一部は、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４の底面に対向している。そして、第２導体パッド１２ａは、第３絶縁層２３を貫通する接続導体４に対する受けパッドであり、第２導体パッド１２ａの第３絶縁層２３側の表面の一部は、第３絶縁層２３を貫通する接続導体４の底面に対向している。
【0020】
図１の例では、第１絶縁層２１を貫通する接続導体４と、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４と、第３絶縁層２３を貫通する接続導体４と、第４絶縁層２４を貫通する接続導体４とが積み重なるように形成されており、所謂スタックビア導体が形成されている。従って第１導体パッド１１ａは、第１絶縁層２１を貫通する接続導体４（ビア導体）の所謂ビアパッドとして設けられている。そして、第２導体パッド１２ａは、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４（ビア導体）のビアパッドとして設けられている。
【0021】
第１配線パターン１１ｂおよび第２配線パターン１２ｂは、任意の電気信号の伝送や電力の供給に用いられる導電路として機能する導体パターンである。第１配線パターン１１ｂは、第１絶縁層２１を向く表面以外の表面を第２絶縁層２２に覆われている。第２配線パターン１２ｂは、第２絶縁層２２を向く表面以外の表面を第３絶縁層２３に覆われている。第１配線パターン１１ｂおよび第２配線パターン１２ｂは、例えば数ＧＨｚを超えるような高周波信号の伝送路であってもよいが、これに限定される訳ではない。
【0022】
図２には、図１のII部の拡大図が示されている。これまで参照された図１では省略されているが、図２に示されるように、第２導体層１２における第３絶縁層２３と向かい合う表面に被覆膜５が形成されている。すなわち、配線基板１００は、さらに、第２導体層１２と第３絶縁層２３との間に介在する被覆膜５を備えている。なお「第２導体層１２における第３絶縁層２３と向かい合う表面」は、第２導体層１２の表面のうちの第３絶縁層２３と向かい合っている領域を意味している。同様に、後述する第２導体パッド１２ａおよび第２配線パターン１２ｂそれぞれにおける「第３絶縁層２３と向かい合う表面」は、第２導体パッド１２ａおよび第２配線パターン１２ｂの表面それぞれのうちの第３絶縁層２３と向かい合っている領域を意味している。
【0023】
図２に示される例では、第２導体層１２における第３絶縁層２３と向かい合う表面の全部に被覆膜５が形成されている。しかし、被覆膜５は、第２導体層１２における第３絶縁層２３と向かい合う表面の一部だけに形成されていてもよい。被覆膜５は、第２導体パッド１２ａにおける第３絶縁層２３と向かい合う表面の少なくとも一部に形成されていればよい。なお、「第２導体層１２における第３絶縁層２３と向かい合う表面」には、第２導体パッド１２ａの表面のうちで第３絶縁層２３を貫通する接続導体４に覆われている部分は含まれない。
【0024】
被覆膜５は、第２導体層１２と第３絶縁層２３との密着性を向上させる。被覆膜５は、例えば、第３絶縁層２３を構成する樹脂などの有機材料、および第２導体層１２を構成する金属などの無機材料の両方と結合し得る材料によって形成される。被覆膜５は、例えば、有機材料と化学結合し得る反応基および無機材料と化学結合し得る反応基の両方を含む材料によって形成される。そのため、被覆膜５に覆われている第２導体層１２の各導体パターンと第３絶縁層２３とが十分な強度で密着する。被覆膜５の材料としては、トリアゾール化合物などのアゾールシラン化合物を含むシランカップリング剤が例示される。なお、被覆膜５の材料は、第２導体層１２の上に第３絶縁層２３が直接形成される場合と比べて、第２導体層１２と第３絶縁層２３との密着強度を高め得るものであればよく、シランカップリング剤に限定されない。
【0025】
図２に示されるように、本実施形態では、第２導体層１２の第２配線パターン１２ｂにおける第３絶縁層２３と向かい合う表面１２１は、被覆膜５に覆われている。すなわち、被覆膜５がない場合と比べて第２配線パターン１２ｂと第３絶縁層２３との密着性が高められている。従って、第２配線パターン１２ｂからの第３絶縁層２３の浮きや剥離が生じ難いと考えられる。
【0026】
本実施形態では、第２導体パッド１２ａにおける第３絶縁層２３と向かい合う表面１２０は、被覆膜５に覆われている。すなわち、被覆膜５がない場合と比べて第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との密着性も高められている。従って、第２導体パッド１２ａからの第３絶縁層２３の浮きや剥離が生じ難いと考えられる。
【0027】
先に参照された図１では省略されているが、図２に示されるように、第２導体層１２の各導体パターン（第２導体パッド１２ａ、第２配線パターン１２ｂなど）は、第２絶縁層２２と接していない表面に、互いに程度の異なる凹凸を有している。換言すると、第２導体層１２は、第３絶縁層２３と向かい合う表面（表面１２０および表面１２１）および接続導体４に覆われる表面１２４において互いに面粗度の異なる複数の領域を有している。図２の例において表面１２０および表面１２１の凹凸の凹部は、被覆膜５で充填されている。
【0028】
図２に示される第２導体層１２では、第２導体パッド１２ａにおける第３絶縁層２３と向かい合う表面１２０上の凹凸の高低差は、第２配線パターン１２ｂにおける第３絶縁層２３と向かい合う表面１２１上の凹凸の高低差よりも大きい。第２導体パッド１２ａの表面１２０は、第２配線パターン１２ｂの表面１２１が有する面粗度（第２面粗度）よりも高い面粗度（第１面粗度）を有している。第２導体パッド１２ａの表面１２０は、第２面粗度よりも高い第１面粗度を有するように粗化されている。後述されるように第２導体パッド１２ａの表面１２０は、例えばマイクロエッチングなどによって粗化されている。
【0029】
一方、第２配線パターン１２ｂの表面１２１は、表面１２１の粗化のために積極的に設けられた工程で粗化されていなくてもよい。表面１２１の凹凸は、めっき膜１０ｃの粒界やめっき膜１０ｃの形成時のめっきレジストの表面の凹凸によって生じていてもよい。
【0030】
本実施形態の配線基板１００では、第２導体パッド１２ａの表面１２０は、比較的高い面粗度（第１面粗度）を有するように粗化されている。そのため、第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との剥離が抑制されることがある。具体的には、第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との界面への意図せぬ液体の浸入が、比較的高い第１面粗度を有する第２導体パッド１２ａの表面１２０の凹凸によって防がれる。その結果、そのような液体の浸入によって引き起こされ得る第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との剥離が抑制されることがある。
【0031】
詳述すると、配線基板１００の製造工程では、接続導体４の形成のために第３絶縁層２３に設けられた貫通孔４ａの内壁が、各種の処理溶液やめっき液になどに晒されることがある。そしてそれらの液体が、貫通孔４ａの内壁から第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との界面に侵入し、第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との剥離を引き起こすことがある。しかし、本実施形態では、そのような剥離を引き起こし得る意図せぬ液体の浸入が、比較的高い第１面粗度を有する第２導体パッド１２ａの表面１２０の凹凸によって防がれる。
【0032】
図２に示されている例では、第２配線パターン１２ｂの表面１２１は、第２導体パッド１２ａの表面１２０が有する第１面粗度よりも低い面粗度（第２面粗度）を有している。例えば配線パターンが、高度に粗化された表面を有する場合、高周波信号の伝送において、表皮効果の影響を受けて実質的なインピーダンスが増加して伝送特性が低下することが考えられる。また、例えば１０μｍ／１０μｍ（配線幅／配線間隔）程度以下のファインな配線パターンでは、その表面が高度に粗化されると、設計上の配線幅や厚さに対して粗化後に所望の形状が得られないことがある。本実施形態のように、第２配線パターン１２ｂの表面１２１が、比較的低い面粗度、少なくとも第１面粗度よりも低い第２面粗度を有していると、高い面粗度に起因する高周波伝送特性の低下などの問題が生じ難いと考えられる。
【0033】
図２に示されている例では、第２配線パターン１２ｂの表面１２１も、第２配線パターン１２ｂと第３絶縁層２３との密着性を向上させる被覆膜５に覆われている。一般に、比較的低い面粗度の表面を有する導体層とその表面上に形成される絶縁層との間には、所謂アンカー効果の作用が十分に得られず、その結果、導体層と絶縁層との剥離が生じることがある。しかし本実施形態の第２配線パターン１２ｂの表面１２１は被覆膜５に覆われているので、第２配線パターン１２ｂと第３絶縁層２３との間の剥離が生じ難いと考えらえられる。
【0034】
さらに本実施形態では、第２導体パッド１２ａの表面１２０上に形成された被覆膜５の溶解による品質の劣化が、第２導体パッド１２ａの表面１２０の凹凸によって防がれることがある。前述したように、配線基板１００の製造工程では、第３絶縁層２３に設けられた貫通孔４ａの内壁は各種の液体に晒され得る。その液体が第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との界面に浸入すると、浸入した液体が第２導体パッド１２ａの表面１２０上に形成されている被覆膜５を溶解させることがある。その場合、被覆膜５が貫通孔４ａ内に溶出して接続導体４と第２導体パッド１２ａとの接続不良を引き起こしたり、被覆膜５の溶解箇所において第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との剥離が発生したりすることがある。しかし本実施形態では、そのような被覆膜５の溶解をもたらし得る意図せぬ液体の浸入が、比較的高い第１面粗度を有する第２導体パッド１２ａの表面１２０の凹凸によって防がれる。
【0035】
図２に示されるように、本実施形態では、第２導体層１２より内層に積層されている第１導体層１１における第２絶縁層２２と向かい合う表面には被覆膜５が形成されていない。ここで、「第１導体層１１における第２絶縁層２２と向かい合う表面」は、第１導体層１１の表面のうちの第２絶縁層２２と向かい合っている領域を意味している。すなわち、第１導体層１１に含まれる第１導体パッド１１ａおよび第１配線パターン１１ｂそれぞれにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面は、被覆膜５に覆われていない。ただし、第１導体層１１における第２絶縁層２２と向かい合う表面の一部に被覆膜５が形成されていてもよい。例えば、第１導体層１１は、被覆膜５に覆われていない第１配線パターン１１ｂに加えて、第２絶縁層２２と向かい合う表面が被覆膜５に覆われている任意の導体パターンを含んでいてもよい。
【0036】
換言すると、図２に示される例では、第１導体パッド１１ａの表面１１０と第２絶縁層２２とが被覆膜５を介さずに直接接している。また、第１配線パターン１１ｂの表面１１１と第２絶縁層２２とが被覆膜５を介さずに直接接している。一方、第１導体パッド１１ａの表面１１０および第１配線パターン１１ｂの表面１１１のいずれも、第２導体層１２に含まれる第２導体パッド１２ａの表面１２０が有する面粗度（第１面粗度）と略同等な面粗度を有している。すなわち、第１導体層１１においては、第１導体パッド１１ａの表面１１０および第１配線パターン１１ｂの表面１１１が例えばマイクロエッチングなどによって粗化されている。
【0037】
スタックビア導体が形成されている配線基板においては、熱応力などによって、スタックビア導体へのストレスが生じたり、スタックビア導体の歪みが発生することがある。これらのストレスはビア底部に集中し、スタックビア導体のビア接続部においてクラックが発生したり、クラックにより絶縁層との界面において剥離が引き起こされる虞がある。しかし、本実施形態では、より応力が集中しがちな内層の第１導体層１１が高い面粗度を有するように形成されているため、第１導体パッド１１ａと第２絶縁層２２とのあいだにおいて、剥離の発生が抑制され得る十分なアンカー効果が得られると考えられる。同様に、第１配線パターン１１ｂと第２絶縁層２２とのあいだにおいても十分なアンカー効果が得られ得る。第１面粗度をもつ表面によりもたらされるアンカー効果は、被覆膜５によって提供され得る向上された導体層と絶縁層とのあいだの密着性より大きいと考えられる。クラックや界面剥離が生じ難い信頼性の高い配線基板１００が提供され得る。
【0038】
配線基板１００が、図１に示されるように、コア基板３などのコア基板を有している場合、コア基板３に近い内層側の絶縁層や導体層では、コア基板３から遠い外層側と比べて、変位や変形に関してより低い自由度を有すると考えられる。このため、内層側において応力が緩和され難く、かつ、外層側からのストレスも加わり易いと考えられる。しかし、コア基板３の導体層３１と、絶縁層２１を貫通する接続導体４との界面では、コア基板３自体の剛性が高いため、界面剥離やクラックなどの実質的な不具合が生じ難いと推察される。そのため、スタックビア導体を構成している複数の接続導体４のうち、絶縁層２１を貫通する接続導体４に次いで２番目にコア基板３に近接する、絶縁層２２を貫通する接続導体４において、集中する応力による実質的な不具合が最も生じ易いことがある。したがって、図１の配線基板１００のように、２番目にコア基板３に近接する、絶縁層２２を貫通する接続導体４が第１導体パッド１１ａに接続されていることが好ましいことがある。第１導体パッド１１ａの表面１１０は前述したように、高い面粗度を有し、第２絶縁層２２とのあいだでアンカー効果の作用が十分に得られているため、接続導体４と接続導体４が接続される第１導体層１１との間の界面剥離や、界面付近でのクラックが良好に防止されると考えられる。
【0039】
このように、配線基板１００では、スタックビア導体の接続導体４と接する第１導体パッド１１ａと第２絶縁層２２との剥離、および、第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との剥離などによる品質劣化が抑制され得、しかも、第２配線パターン１２ｂにおいて良好な伝送特性および第３絶縁層２３との十分な密着性が得られると考えられる。
【0040】
例えば、第１導体パッド１１ａの表面１１０、第２導体パッド１２ａの表面１２０、および第１配線パターン１１ｂの表面１１１が有する面粗度（第１面粗度）は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３μｍ以上、０．６μｍ以下であってよい。この程度の面粗度であれば、第１導体パッド１１ａと第２絶縁層２２とのあいだにおける剥離の発生を抑制することのできる良好なアンカー効果が得られ得る。
【0041】
図２に示されるように、第２導体パッド１２ａの表面１２０を覆う被覆膜５における第３絶縁層２３と向かい合う表面は、表面１２０の凹凸に基づく起伏を有している。第２導体パッド１２ａの表面１２０が上述の程度の面粗度を有している場合、被覆膜５と第３絶縁層２３との接触面積が、被覆膜５の表面が平坦な場合と比べて増大し、被覆膜５による密着性向上作用に加えて、接触面積の増大による密着性向上作用が得られることがある。
【0042】
例えば、第１導体パッド１１ａの表面１１０、第２導体パッド１２ａの表面１２０、および第１配線パターン１１ｂの表面１１１の第１面粗度は、第２配線パターン１２ｂの表面１２１の面粗度（第２面粗度）よりも１００％以上高い。例えば、第１面粗度は、第２面粗度の２００％以上、１２００％以下であり得る。第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との界面への液体の浸入を略確実に防ぎながら、必要に応じて、第２配線パターン１２ｂにおいて数ＧＨｚオーダーの高周波信号に対する良好な伝送特性も得られると考えられる。第２配線パターン１２ｂの表面１２１の面粗度が小さいため、第２配線パターン１２ｂの表面１２１において得られるアンカー効果は小さいと推察されるが、第２配線パターン１２ｂの表面１２１は、前述したように被覆膜５に覆われている。被覆膜５によって密着性を高められている第２配線パターン１２ｂと第３絶縁層２３との間の界面剥離は生じ難いと考えられる。
【0043】
図２に示されているように、第２導体パッド１２ａにおける接続導体４に覆われている表面１２４と接続導体４との間には被覆膜５は介在していない。すなわち、第２導体パッド１２ａと接続導体４とは直接、接している。例えばシランカップリング剤のような有機材料を介さずに、第２導体パッド１２ａを構成する銅などの金属と接続導体４を構成する銅などの金属とが第２導体パッド１２ａと接続導体４との界面において直接、接している。従って、第２導体パッド１２ａと接続導体４との界面において金属同士による機械的に強固で電気的抵抗の小さい接合が得られていると考えられる。
【0044】
第２導体パッド１２ａの表面のうち、接続導体４に覆われている領域１２４は、第２導体パッド１２ａの第３絶縁層２３と向かい合う表面１２０が有する第１面粗度よりも低い面粗度（第３面粗度）を有していてもよい。第３面粗度は、第２配線パターン１２ｂの表面１２１が有する第２面粗度よりは高い。第３面粗度は、第１面粗度と第２面粗度との間の任意の大きさの面粗度であってよい。上述のように、第２導体パッド１２ａと接続導体４とは金属同士により強固に接合されているため、第１面粗度よりも低い第３面粗度であっても、第２導体パッド１２ａと接続導体４との間において、界面剥離などは生じ難いと考えられる。同様に、第１導体パッド１１ａの表面のうち、接続導体４に覆われている表面１１４が、第２絶縁層２２と向かい合う表面１１０が有する第１面粗度よりも低い面粗度（第３面粗度）を有していてもよい。
【0045】
これまで図１を参照して、スタックビア導体として、コア基板３の第１面３ａ側において接続導体４が積み重なって形成されているスタックビア導体を例に説明されてきたが、スタックビア導体としては、この例に限定される訳ではない。図２に示されているような、粗化された表面を有するより内層のビアパッドと被覆膜に覆われている粗化された表面を有するより外層のビアパッドとを含む構造をもつスタックビア導体は、コア基板３の第２面３ｂ側にも形成されてよい。換言すると、実施形態の構造をもつスタックビア導体は、配線基板１００の部品実装面側に形成されていてもよいし、部品実装面の反対面側に形成されていてもよい。また、図１において参照されたスタックビア導体は、コア基板３の第２面３ｂ側において接続導体４が積み重なって形成されているスタックビア導体と、平面視において重なる位置に形成されている。ここで「平面視」とは、配線基板１００をその厚さ方向に沿った視線で見ることを意味している。しかし、コア基板３の第１面３ａ側に形成されるそれぞれのスタックビア導体と第２面３ｂ側とに形成されるスタックビア導体とは平面視において異なる位置に、また、スルーホール導体（接続導体３３）と平面視において重なる位置にあるいは異なる位置に、それぞれ形成されてよい。そして、任意のスタックビア導体が、図２に示される実施形態の構造をもつスタックビア導体として形成され得る。
【0046】
図１に示されている例では、第１導体層１１が、被覆膜５に覆われていない高い第１面粗度を有する導体パッドを含む導体層であって、その直上の第２導体層１２が、被覆膜５に覆われている高い第１面粗度を有する導体パッドを含む導体層である。しかし、本実施形態のスタックビア導体は、被覆膜５に覆われていない高い第１面粗度を有する少なくとも一つの導体パッドを内層に含み、被覆膜５に覆われている高い第１面粗度を有する少なくとも一つの導体パッドを外層に含んでいればよい。内層側に集中しがちな応力による絶縁層と導体パッドとの界面におけるクラックや絶縁層の剥離が、被覆膜５に覆われずに露出する第１面粗度の大きな凹凸による良好なアンカー効果によって抑制されると考えられる。例えば、スタックビア導体を形成する、被覆膜５に覆われていない高い第１面粗度を有する導体パッドが第１導体層１１に含まれ、スタックビア導体を形成する、被覆膜５に覆われている高い第１面粗度を有する導体パッドが第３導体層１３やさらに外層の導体層に含まれていても良い。また、スタックビア導体は、被覆膜５に覆われていない高い第１面粗度を有する導体パッドおよび／または被覆膜５に覆われている高い第１面粗度を有する導体パッドをそれぞれ複数含んでいてもよい。
【0047】
【0048】
図３Ａに示されるように、コア基板３の絶縁層３２となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔３１ａを含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意され、コア基板３の導体層３１および接続導体３３が形成される。例えばドリル加工または炭酸ガスレーザー光の照射によって接続導体３３の形成位置に貫通孔が形成され、その貫通孔内および金属箔３１ａ上に無電解めっきまたはスパッタリングなどによって金属膜３１ｂが形成される。そして金属膜３１ｂを給電層として用いる電解めっきによってめっき膜３１ｃが形成される。その結果、３層構造の導体層３１、および２層構造の接続導体３３が形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層３１をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板３が得られる。
【0049】
そして図３Ａに示されるように、第１絶縁層２１および絶縁層２５が、コア基板３の第１面３ａ上および第２面３ｂ上にそれぞれ形成される。第１絶縁層２１および絶縁層２５それぞれの形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板３の上に積層され、加熱および加圧される。その結果、第１絶縁層２１および絶縁層２５が、それぞれ形成される。第１絶縁層２１および絶縁層２５は、フィルム状のエポキシ樹脂に限らず、ＢＴ樹脂、またはフェノール樹脂などの任意の樹脂によって形成され得る。第１絶縁層２１および絶縁層２５には、接続導体４を形成するための貫通孔４ａが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。
【0050】
第１導体パッド１１ａおよび第１配線パターン１１ｂを有する第１導体層１１が形成される。コア基板３の第２面３ｂ側には導体層１５が形成される。第１絶縁層２１および絶縁層２５それぞれには接続導体４が形成される。第１導体層１１、導体層１５、および接続導体４は、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。すなわち、貫通孔４ａ内、ならびに、第１絶縁層２１および絶縁層２５の表面上に、例えば無電解めっきまたはスパッタリングによって金属膜１０ｂが形成される。
【0051】
金属膜１０ｂの上に、第１導体パッド１１ａおよび第１配線パターン１１ｂに対応する開口、または、導体層１５に含まれるべき導体パターンに対応する開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられる。そして、金属膜１０ｂを給電層として用いる電解めっきによって、めっきレジストの開口内にめっき膜１０ｃが形成される。その結果、金属膜１０ｂおよびめっき膜層１０ｃからなる第１導体層１１および導体層１５それぞれが形成される。貫通孔４ａ内には、金属膜１０ｂおよびめっき膜層１０ｃからなる接続導体４が形成される。その後、めっきレジストが、例えば水酸化ナトリウムなどのアルカリ性剥離剤を用いて除去され、その後、金属膜１０ｂにおいてめっき膜１０ｃに覆われずに露出している部分がエッチングなどによって除去される。
【0052】
次いで、図３Ｂに示されるように、第１導体層１１の表面のうちの第１絶縁層２１と接していない領域である第１導体層１１の露出面が粗化される。図３Ｂは、図３ＡのIIIＢ部における第１導体層１１の露出面の粗化処理後の拡大図である。
【0053】
第１導体層１１の露出面の粗化は任意の方法で行われ得る。例えば、黒化処理またはブラウン処理と呼ばれる表面酸化処理や、酸性の溶剤を用いたマイクロエッチング処理が用いられ得る。
【0054】
粗化処理により、第１導体層１１の第１導体パッド１１ａの露出面および第１配線パターン１１ｂの露出面が粗化される。第１導体パッド１１ａの露出面および第１配線パターン１１ｂの露出面は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で、０．３μｍ以上、０．６μｍ以下の面粗度を有するように粗化される。
【0055】
次に、図３Ｃに示されるように、第１導体層１１を覆う第２絶縁層２２が形成される。コア基板３の第２面３ｂ側には、階数が２の絶縁層２５がさらに形成される。なお「階数」は、第１面３ａ側および第２面３ｂ側のそれぞれに積層される複数の絶縁層または導体層に、コア基板３側から１ずつ増加する数を１から順に付与したときに各絶縁層または導体層に付与される数である。第２絶縁層２２および階数が２の絶縁層２５は、第１絶縁層２１および階数が１の絶縁層２５と同様に、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂の積層、ならびに加熱および加圧によって形成される。
【0056】
第２絶縁層２２および階数が２の絶縁層２５には、接続導体４を形成するための貫通孔４ａが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。例えば、前述した第１導体層１１および階数が１の導体層１５の形成と同様の方法で、第２導体層１２および階数が２の導体層１５が形成され得る。貫通孔４ａ内には、例えば、前述した第１導体層１１および第１絶縁層２１を貫通する接続導体４の形成方法と同様の方法で、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４が形成される。
【0057】
図３Ｄおよび図３Ｅに示されるように、第２導体層１２の表面のうちの第２絶縁層２２と接していない領域である露出面が粗化される。但し、第２配線パターン１２ｂの露出面は粗化されない。一方、第２導体パッド１２ａの露出面は粗化される。そのため、図３Ｄおよび図３Ｅに示されるように、第２導体パッド１２ａを露出させる開口Ｒ１ａを有するレジスト膜Ｒ１が、第２絶縁層２２および第２導体層１２の上に設けられる。
【0058】
第２導体層１２の露出面の粗化は任意の方法で行われ得る。第２導体層１２の露出面は、例えば第１導体層１１における露出面の粗化と同様の処理によって行われてよい。処理により、第２導体層１２の露出面のうちのレジスト膜Ｒ１に覆われていない部分、すなわち第２導体パッド１２ａの露出面が粗化される。
【0059】
レジスト膜Ｒ１は、例えば感光性樹脂を含むフィルムの積層によって形成される。レジスト膜Ｒ１には、露光および現像などのフォトリソグラフィ技術を用いて、第２導体パッド１２ａを露出させる開口Ｒ１ａが設けられる。レジスト膜Ｒ１は、前述した第１導体層１１の形成に用いられるめっきレジスト（図示せず）と同様の材料で形成されてもよい。
【0060】
図３Ｅには、図３ＤのIIIＥ部における第２導体層１２の露出面の粗化処理後の拡大図が示されている。第２導体パッド１２ａの露出面は、少なくとも、第２配線パターン１２ｂの粗化されない表面１２１が有する面粗度（第２面粗度）よりも高い面粗度を有するように粗化される。第２導体パッド１２ａの露出面は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で、０．３μｍ以上、０．６μｍ以下の面粗度を有するように粗化される。
【0061】
【0062】
被覆膜５は、第２導体層１２と、後工程で形成される第３絶縁層２３（図３Ｇ参照）との密着性を向上させる。被覆膜５は、例えば、シランカップリング剤などの、有機材料および無機材料の両方と結合し得る材料を含む液体への第２導体層１２の浸漬や、そのような液体の噴霧（スプレーイング）によって形成される。しかし、被覆膜５の形成方法は任意であり、被覆膜５を構成する材料への浸漬や、そのような材料の噴霧に限定されない。
【0063】
図３Ｇおよび図３Ｈに示されるように、第２導体層１２を覆う第３絶縁層２３が形成される。コア基板３の第２面３ｂ側には、階数が３の絶縁層２５がさらに形成される。なお、図３Ｈには図３ＧにおけるIIIＨ部の拡大図が示されている。図３Ｈに示されるように、第３絶縁層２３は、被覆膜５も覆っている。第３絶縁層２３および階数が３の絶縁層２５は、第１および第２絶縁層２１、２２および階数が１、２の絶縁層２５と同様に、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂の積層、ならびに加熱および加圧によって形成される。
【0064】
第２絶縁層２２および第３絶縁層２３には、後工程で接続導体４（図３Ｉ参照）を形成するための貫通孔４ａが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。第３絶縁層２３における第２導体パッド１２ａ上の領域に貫通孔４ａが形成される。貫通孔４ａによって第２導体パッド１２ａの表面の一部（表面１２４）が露出する。
【0065】
図３Ｈの例では、貫通孔４ａの形成によって貫通孔４ａ内に露出する第２導体パッド１２ａの表面１２４上に形成されていた被覆膜５が除去されている。表面１２４上に形成されていた被覆膜５は、例えば、貫通孔４ａの形成時のレーザー光の照射を受けて、溶解および気化するか、または昇華する。その結果、表面１２４上に形成されていた被覆膜５が除去され得る。表面１２４から被覆膜５を除去することによって、後工程で導体パッド上に形成される接続導体４と第２導体パッド１２ａとを、金属同士で強固に、かつ小さな電気抵抗で接合させることができる。
【0066】
なお、被覆膜５の除去時の被覆膜５の溶解液による第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との界面への浸透が、前述したように比較的高い面粗度を有するように粗化されている第２導体パッド１２ａの表面１２０の凹凸によって妨げられる。第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との界面剥離が防止されることがある。
【0067】
貫通孔４ａの形成後、好ましくは、貫通孔４ａの形成によって生じた樹脂残渣（スミア）を除去するデスミア処理が行われる。例えばアルカリ性過マンガン酸溶液などの処理液に貫通孔４ａの内壁を晒すことによって貫通孔４ａ内のスミアが除去される。このデスミア処理のための処理液による、第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との界面への浸入が、第２導体パッド１２ａの粗化された表面１２０の凹凸によって妨げられる。処理液による表面１２０上の被覆膜５の溶解や、それに伴う界面剥離などの不具合が防止されると考えられる。
【0068】
好ましくは、後工程での第３導体層１３および接続導体４（図３Ｉ参照）の形成の前に、ソフトエッチング処理が行われる。ソフトエッチング処理によって、第３導体層１３および接続導体４が形成される表面（第２導体パッド１２ａの表面１２０の露出部分および第３絶縁層２３の表面）の酸化膜などが除去される。このソフトエッチング処理によって、第２導体パッド１２ａの表面１２０のうちの貫通孔４ａ内に露出している接続領域１２４の面粗度が、第３絶縁層２３と向かい合っている表面１２０の第１面粗度よりも低い面粗度（第３面粗度）に低下する。この例が、図３Ｈに示されている。
【0069】
なお、図３Ｃには示されていないが、第２導体層１２および接続導体４の形成の前にも、ソフトエッチング処理が行われ得る。このソフトエッチング処理によっても同様に、第１導体パッド１１ａの表面１１０のうちの貫通孔４ａ内に露出していて接続導体４に接続される領域である接続領域１１４の面粗度が、第２絶縁層２２と向かい合っている表面１１０の面粗度よりも低下され得る（図２および図３Ｈ参照）。
【0070】
図３Ｉおよび図３Ｊに示されるように、第３絶縁層２３の上に第３導体層１３が形成されると共に、第３絶縁層２３を貫通して第２導体パッド１２ａと第３導体層１３とを接続する接続導体４が形成される。コア基板３の第２面３ｂ側には、さらに、導体層１５および接続導体４が形成される。図３Ｊには、図３ＩのIIIＪ部の拡大図が示されている。
【0071】
第３導体層１３および第３絶縁層２３を貫通する接続導体４は、例えば、前述した第１導体層１１および第１絶縁層２１を貫通する接続導体４の形成方法と同様の方法で形成される。例えば、第３導体層１３および第３絶縁層２３を貫通する接続導体４、ならびにコア基板３の第２面３ｂ側にさらに形成される階層が３の導体層１５および接続導体４は、セミアディティブ法によって形成される。
【0072】
セミアディティブ法による第３絶縁層２３への接続導体４の形成では、図３Ｊに示されるように、貫通孔４ａ内に例えば無電解めっきによって金属膜１０ｂが形成され、さらに電解めっきによってめっき膜１０ｃが形成される。本実施形態の配線基板の製造方法では、金属膜１０ｂの形成時のめっき液による第２導体パッド１２ａと第３絶縁層２３との界面への浸入が、第２導体パッド１２ａの粗化された表面１２０の凹凸によって妨げられる。めっき液による、表面１２０上の被覆膜５の溶解や、それに伴う界面剥離などの不具合が防止されると考えられる。
【0073】
続いて、前述した第１導体層１１、導体層１５、および接続導体４の形成と同様に、例えばセミアディティブ法を用いて、第３導体層１３を覆う第４絶縁層２４および第４絶縁層２４の上に第４導体層１４が形成される。コア基板３の第２面３ｂ側には、階数が４の絶縁層２５がさらに形成され、階数が４の絶縁層２５の上に階数が４の導体層１５が形成される。第４絶縁層２４には、第４導体層１４と第３導体層１３を接続する接続導体４が形成されている。階数が４の絶縁層２５にも上下の導体層１５を接続する接続導体４が形成されている。コア基板３の第１面３ａ側および第２面３ｂ側の最外層に、ソルダーレジスト６が形成される。ソルダーレジスト６には第４導体層１４または階層が４の導体層１５の一部を露出させる開口６ａが設けられる。ソルダーレジスト６および開口６ａは、例えば感光性のエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光および現像とによって形成される。
【0074】
以上の工程を経る事によって、図１の例の配線基板１００が完成する。ソルダーレジスト６の開口６ａ内に露出する第４導体層１４または階層が４の導体層１５の一部の表面上には、無電解めっき、半田レベラ、またはスプレーコーティングなどによって表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。
【0075】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示される構造、形状、および材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層および絶縁層を含み得る。前述のように、第１導体層１１および第２導体層１２は、第１導体層１１が内層側に存在し、第２導体層１２が外層側に存在していれば、それぞれ、配線基板の積層構造上の任意の階層に存在し得る。第１導体層１１および第２導体層１２は、電解めっき膜からなるめっき膜１０ｃを含まなくてもよく、例えば無電解めっき膜からなる金属膜１０ｂだけを含んでいてもよい。
【0076】
実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば第１～第４の導体層１１、１２、１３、１４および導体層１５はフルアディティブ法によって形成されてもよい。また、第１～第４の絶縁層２１、２２、２３、２４および絶縁層２５は、フィルム状の樹脂に限らず、任意の形態の樹脂を用いて形成され得る。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。
【符号の説明】
【0077】
１００ 配線基板
１１ 第１導体層
１１ａ 第１導体パッド
１１０ 第２絶縁層と向かい合う表面
１１４ 接続導体に覆われている表面
１１ｂ 第１配線パターン
１１１ 第２絶縁層と向かい合う表面
１２ 第２導体層
１２ａ 第２導体パッド
１２０ 第３絶縁層と向かい合う表面
１２４ 接続導体に覆われている表面
１２ｂ 第２配線パターン
１２１ 第３絶縁層と向かい合う表面
１３ 第３導体層
１４ 第４導体層
１５ 導体層
２１ 第１絶縁層
２２ 第２絶縁層
２３ 第３絶縁層
２４ 第４絶縁層
２５ 絶縁層
４ 接続導体（ビア導体）
５ 被覆膜
Ｒ１ レジスト膜
１１ 第１導体層
１１ａ 第１導体パッド
１１０ 第２絶縁層と向かい合う表面
１１４ 接続導体に覆われている表面
１１ｂ 第１配線パターン
１１１ 第２絶縁層と向かい合う表面
１２ 第２導体層
１２ａ 第２導体パッド
１２０ 第３絶縁層と向かい合う表面
１２４ 接続導体に覆われている表面
１２ｂ 第２配線パターン
１２１ 第３絶縁層と向かい合う表面
１３ 第３導体層
１４ 第４導体層
１５ 導体層
２１ 第１絶縁層
２２ 第２絶縁層
２３ 第３絶縁層
２４ 第４絶縁層
２５ 絶縁層
４ 接続導体（ビア導体）
５ 被覆膜
Ｒ１ レジスト膜
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【図3H】
【図3I】
【図3J】
【図3K】