特許7570351面発光レーザ、面発光レーザアレイ、電子機器及び面発光レーザの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-10
(45)【発行日】2024-10-21
(54)【発明の名称】面発光レーザ、面発光レーザアレイ、電子機器及び面発光レーザの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01S 5/183 20060101AFI20241011BHJP
H01S 5/42 20060101ALI20241011BHJP
【ＦＩ】
H01S5/183
H01S5/42
【請求項の数】
4
(21)【出願番号】P 2021563805
(86)(22)【出願日】2020-11-12
(86)【国際出願番号】 JP2020042261
(87)【国際公開番号】W WO2021117411
(87)【国際公開日】2021-06-17
【審査請求日】2023-09-21
(31)【優先権主張番号】P 2019223552
(32)【優先日】2019-12-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】316005926
【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100112874
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邊 薫
(72)【発明者】
【氏名】高橋 義彦
【審査官】吉岡 一也
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－２２５６３０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１７７０００（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／１０７２７３（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開平１０－２０９５６５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０５－１１０２０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１９／０３１９４２９（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｓ ５／００－５／５０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、前記積層体を少なくとも前記第１の多層膜反射鏡の側面の一部が露出するまでエッチングして第１のメサ構造を形成する工程と、
前記第１のメサ構造及び該第１のメサ構造に隣接する領域に絶縁膜を成膜する工程と、
前記隣接する領域に成膜された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記隣接する領域から、前記第１のメサ構造の、前記第１の多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部まで不純物を拡散させる工程と、
さらに前記積層体を少なくとも前記第１の多層膜反射鏡の側面の他部が露出するまでエッチングして前記第１のメサ構造に代わる第２のメサ構造を形成する工程と、
前記第２のメサ構造に隣接する領域上に電極を設ける工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法。
【請求項2】
前記積層体を生成する工程では、前記基板上に前記第１の多層膜反射鏡を積層する前に前記基板上にコンタクト層を積層し、前記第２のメサ構造を形成する工程では、前記第１のメサ構造が形成された前記積層体を少なくとも前記コンタクト層が露出するまでエッチングする、請求項１に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項3】
基板上に少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、前記積層体を少なくとも前記第１の多層膜反射鏡の側面の少なくとも一部が露出するまでエッチングしてメサ構造を形成する工程と、
前記メサ構造及び該メサ構造に隣接する領域に絶縁膜を成膜する工程と、
前記隣接する領域に成膜された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記隣接する領域から、前記メサ構造の、前記第１の多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部まで不純物を拡散させる工程と、
前記隣接する領域上に電極を設ける工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法。
【請求項4】
前記積層体を生成する工程では、前記基板上に前記第１の多層膜反射鏡を積層する前に前記基板上にコンタクト層を積層し、前記メサ構造を形成する工程では、前記積層体を少なくとも前記コンタクト層が露出するまでエッチングする、請求項３に記載の面発光レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、電子機器及び面発光レーザの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、基板と該基板上に形成されたメサ構造とを有する面発光レーザが知られている。
例えば特許文献１には、メサ構造に隣接する、電極と接触するコンタクト領域に不純物が高濃度にドーピングされた面発光レーザが開示されている。
例えば特許文献１には、メサ構造に隣接する、電極と接触するコンタクト領域に不純物が高濃度にドーピングされた面発光レーザが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開平１０－２２３９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に開示されている面発光レーザでは、コンタクト領域の上方の位置（コンタクト領域よりも基板から離れた位置）に積層される層の結晶性の悪化を抑制しつつ活性層に効率良く電流を注入することができなかった。
【0005】
そこで、本技術は、コンタクト領域の上方に積層される層の結晶性の悪化を抑制しつつ活性層に効率良く電流を注入することができる面発光レーザ、該面発光レーザが２次元配列された面発光レーザアレイ及び面発光レーザの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本技術は、基板と、
前記基板上に形成されたメサ構造と、
を備え、
前記メサ構造は、
前記基板上に積層された第１の多層膜反射鏡の少なくとも一部と、
前記第１の多層膜反射鏡上に積層された活性層と、
前記活性層上に積層された第２の多層膜反射鏡と、
を含み、
前記メサ構造に隣接する、電極と接触するコンタクト領域と、前記メサ構造の、前記第１の多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部と、に跨って不純物領域が設けられている、面発光レーザを提供する。
前記不純物領域は、前記コンタクト領域から前記側壁部にかけて連続していてもよい。
前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の全体を含み、前記コンタクト領域は、前記基板の一部を含んでいてもよい。
前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の底部以外の部分を含み、前記コンタクト領域は、前記第１の多層膜反射鏡の前記底部の一部を含んでいてもよい。
前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の全体を含み、前記基板と前記第１の多層膜反射鏡との間に配置されたコンタクト層を更に備え、前記コンタクト領域は、前記コンタクト層の一部を含んでいてもよい。
前記コンタクト領域は、前記基板の一部を含んでいてもよい。
前記コンタクト層の厚さが１μｍ以下であってもよい。
前記不純物領域の不純物濃度は、５ｘ１０１９ｃｍ－３未満であってもよい。
前記メサ構造の、前記コンタクト領域に対して前記電極が配置される側と同じ側の面に別の電極が接触してもよい。
前記基板は、半絶縁性基板又は低ドープ基板であってもよい。
前記面発光レーザは、前記基板の、前記メサ構造側とは反対側へ光を出射するものであってもよい。
前記面発光レーザは、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体又はＧａＮ系化合物半導体が用いられていてもよい。
前記面発光レーザは、前記第１の多層膜反射鏡と前記第２の多層膜反射鏡との間に配置された電流狭窄層を更に備えていてもよい。
前記第１及び第２の多層膜反射鏡の少なくとも一方は、半導体多層膜反射鏡であってもよい。
前記第１及び第２の多層膜反射鏡の少なくとも一方は、誘電体多層膜反射鏡であってもよい。
本技術は、前記面発光レーザが２次元配列されている面発光レーザアレイも提供する。
本技術は、前記面発光レーザアレイを備える電子機器も提供する。
本技術は、基板上に少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体を少なくとも前記第１多層膜反射鏡の側面の一部が露出するまでエッチングして第１のメサ構造を形成する工程と、
前記第１のメサ構造及び該第１のメサ構造に隣接する領域に絶縁膜を成膜する工程と、
前記隣接する領域に成膜された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記隣接する領域から、前記第１のメサ構造の、前記第１多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部まで不純物を拡散させる工程と、
さらに前記積層体を少なくとも 前記第１の多層膜反射鏡の側面の他部が露出するまでエッチングして前記第１のメサ構造に代わる第２のメサ構造を形成生成する工程と、
前記第２のメサ構造に隣接する領域上に電極を設ける工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法も提供する。
前記積層体を生成する工程では、前記基板上にと前記第１の多層膜反射鏡を積層する前に前記基板上にとの間にコンタクト層を積層し、前記第２のメサ構造を形成する工程では、前記第１のメサ構造が形成された前記積層体を少なくとも前記コンタクト層が露出するまでエッチングしてもよい。
本技術は、基板上に少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体を少なくとも前記第１多層膜反射鏡の側面の少なくとも一部が露出するまでエッチングしてメサ構造を形成する工程と、
前記メサ構造及び該メサ構造に隣接する領域に絶縁膜を成膜する工程と、
前記隣接する領域に成膜された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記隣接する領域から、前記メサ構造の、前記第１の多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部まで不純物を拡散させる工程と、
前記隣接する領域上に電極を設ける工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法も提供する。
前記積層体を生成する工程では、前記基板上にと前記第１の多層膜反射鏡を積層する前に前記基板上にとの間にコンタクト層を積層し、前記メサ構造を形成する工程では、前記積層体を少なくとも前記コンタクト層が露出するまでエッチングしてもよい。
前記基板上に形成されたメサ構造と、
を備え、
前記メサ構造は、
前記基板上に積層された第１の多層膜反射鏡の少なくとも一部と、
前記第１の多層膜反射鏡上に積層された活性層と、
前記活性層上に積層された第２の多層膜反射鏡と、
を含み、
前記メサ構造に隣接する、電極と接触するコンタクト領域と、前記メサ構造の、前記第１の多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部と、に跨って不純物領域が設けられている、面発光レーザを提供する。
前記不純物領域は、前記コンタクト領域から前記側壁部にかけて連続していてもよい。
前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の全体を含み、前記コンタクト領域は、前記基板の一部を含んでいてもよい。
前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の底部以外の部分を含み、前記コンタクト領域は、前記第１の多層膜反射鏡の前記底部の一部を含んでいてもよい。
前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の全体を含み、前記基板と前記第１の多層膜反射鏡との間に配置されたコンタクト層を更に備え、前記コンタクト領域は、前記コンタクト層の一部を含んでいてもよい。
前記コンタクト領域は、前記基板の一部を含んでいてもよい。
前記コンタクト層の厚さが１μｍ以下であってもよい。
前記不純物領域の不純物濃度は、５ｘ１０１９ｃｍ－３未満であってもよい。
前記メサ構造の、前記コンタクト領域に対して前記電極が配置される側と同じ側の面に別の電極が接触してもよい。
前記基板は、半絶縁性基板又は低ドープ基板であってもよい。
前記面発光レーザは、前記基板の、前記メサ構造側とは反対側へ光を出射するものであってもよい。
前記面発光レーザは、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体又はＧａＮ系化合物半導体が用いられていてもよい。
前記面発光レーザは、前記第１の多層膜反射鏡と前記第２の多層膜反射鏡との間に配置された電流狭窄層を更に備えていてもよい。
前記第１及び第２の多層膜反射鏡の少なくとも一方は、半導体多層膜反射鏡であってもよい。
前記第１及び第２の多層膜反射鏡の少なくとも一方は、誘電体多層膜反射鏡であってもよい。
本技術は、前記面発光レーザが２次元配列されている面発光レーザアレイも提供する。
本技術は、前記面発光レーザアレイを備える電子機器も提供する。
本技術は、基板上に少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体を少なくとも前記第１多層膜反射鏡の側面の一部が露出するまでエッチングして第１のメサ構造を形成する工程と、
前記第１のメサ構造及び該第１のメサ構造に隣接する領域に絶縁膜を成膜する工程と、
前記隣接する領域に成膜された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記隣接する領域から、前記第１のメサ構造の、前記第１多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部まで不純物を拡散させる工程と、
さらに前記積層体を少なくとも 前記第１の多層膜反射鏡の側面の他部が露出するまでエッチングして前記第１のメサ構造に代わる第２のメサ構造を形成生成する工程と、
前記第２のメサ構造に隣接する領域上に電極を設ける工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法も提供する。
前記積層体を生成する工程では、前記基板上にと前記第１の多層膜反射鏡を積層する前に前記基板上にとの間にコンタクト層を積層し、前記第２のメサ構造を形成する工程では、前記第１のメサ構造が形成された前記積層体を少なくとも前記コンタクト層が露出するまでエッチングしてもよい。
本技術は、基板上に少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体を少なくとも前記第１多層膜反射鏡の側面の少なくとも一部が露出するまでエッチングしてメサ構造を形成する工程と、
前記メサ構造及び該メサ構造に隣接する領域に絶縁膜を成膜する工程と、
前記隣接する領域に成膜された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記隣接する領域から、前記メサ構造の、前記第１の多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部まで不純物を拡散させる工程と、
前記隣接する領域上に電極を設ける工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法も提供する。
前記積層体を生成する工程では、前記基板上にと前記第１の多層膜反射鏡を積層する前に前記基板上にとの間にコンタクト層を積層し、前記メサ構造を形成する工程では、前記積層体を少なくとも前記コンタクト層が露出するまでエッチングしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの構成例を示す断面図である。
【図2】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例を説明するためのフローチャートの前半である。
【図3】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例を説明するためのフローチャートの後半である。
【図4】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その１）である。
【図5】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その２）である。
【図6】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その３）である。
【図7】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その４）である。
【図8】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その５）である。
【図9】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その６）である。
【図10】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その７）である。
【図11】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その８）である。
【図12】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その９）である。
【図13】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その１０）である。
【図14】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その１１）である。
【図15】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その１２）である。
【図16】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その１３）である。
【図17】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その１４）である。
【図18】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その１５）である。
【図19】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その１６）である。
【図20】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その１７）である。
【図21】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その１８）である。
【図22】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その１９）である。
【図23】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その２０）である。
【図24】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例の工程毎の断面図（その２１）である。
【図25】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例を説明するためのフローチャートの前半である。
【図26】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例を説明するためのフローチャートの後半である。
【図27】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その１）である。
【図28】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その２）である。
【図29】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その３）である。
【図30】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その４）である。
【図31】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その５）である。
【図32】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その６）である。
【図33】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その７）である。
【図34】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その８）である。
【図35】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その９）である。
【図36】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その１０）である。
【図37】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その１１）である。
【図38】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その１２）である。
【図39】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その１３）である。
【図40】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その１４）である。
【図41】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その１５）である。
【図42】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その１６）である。
【図43】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その１７）である。
【図44】本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例の工程毎の断面図（その１８）である。
【図45】本技術の第２の実施形態に係る面発光レーザの構成例を示す断面図である。
【図46】本技術の第３の実施形態に係る面発光レーザの構成例を示す断面図である。
【図47】本技術の第１実施形態の変形例１に係る面発光レーザの構成例を示す断面図である。
【図48】本技術の第１実施形態の変形例２に係る面発光レーザの構成例を示す断面図である。
【図49】本技術の第１実施形態の変形例３に係る面発光レーザの構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光レーザ、面発光レーザアレイ、電子機器及び面発光レーザの製造方法の各々が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光レーザ、面発光レーザアレイ、電子機器及び面発光レーザの製造方法の各々は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【0009】
また、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザ
（１）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの構成
（２）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例
（３）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例
（４）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの作用
（５）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの効果
２．本技術の第２の実施形態に係る面発光レーザ
３．本技術の第３の実施形態に係る面発光レーザ
４．本技術に係る面発光レーザの変形例
５．本技術を適用した面発光レーザの使用例
電子機器への応用例
１．本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザ
（１）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの構成
（２）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例
（３）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例
（４）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの作用
（５）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの効果
２．本技術の第２の実施形態に係る面発光レーザ
３．本技術の第３の実施形態に係る面発光レーザ
４．本技術に係る面発光レーザの変形例
５．本技術を適用した面発光レーザの使用例
電子機器への応用例
【0010】
１．＜本技術の第１実施形態に係る面発光レーザ＞
・ 面発光レーザの構成
図１は、本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザ１０の構成例を示す断面図である。以下では、便宜上、図１等の断面図における上方を上、下方を下として説明する。
面発光レーザ１０は、図１に示すように、基板１００と、該基板１００上に形成されたメサ構造２００と、を備えている。なお、図１上図は、面発光レーザ１０のメサ構造２００に対応する領域の平面図である。
・ 面発光レーザの構成
図１は、本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザ１０の構成例を示す断面図である。以下では、便宜上、図１等の断面図における上方を上、下方を下として説明する。
面発光レーザ１０は、図１に示すように、基板１００と、該基板１００上に形成されたメサ構造２００と、を備えている。なお、図１上図は、面発光レーザ１０のメサ構造２００に対応する領域の平面図である。
【0011】
以下では、複数の面発光レーザ１０が２次元配列された面発光レーザアレイを構成している場合を例にとって説明する。
この場合には、複数の面発光レーザ１０間で少なくとも基板１００を共有し、共通の基板１００上に複数のメサ構造２００が２次元配列された状態となっている。
この場合には、複数の面発光レーザ１０間で少なくとも基板１００を共有し、共通の基板１００上に複数のメサ構造２００が２次元配列された状態となっている。
【0012】
面発光レーザ１０は、一例として、基板１００の、メサ構造２００側とは反対側へ光を出射する。すなわち、面発光レーザ１０は、一例として、基板１００の裏面側（下面側）へレーザ光を出射する裏面出射型の面発光レーザである。
【0013】
基板１００は、一例として、第１導電型（例えばｐ型）のＧａＡｓ基板である。
ここで、基板１００は、後述するようにレーザ共振器を構成するメサ構造２００の出射側に位置するため、光吸収性の低い基板（光出力の低下を抑制できる基板）、例えば半絶縁性基板又は低ドープ基板（不純物濃度が低い基板）であることが好ましい。
半絶縁性基板とは、ヒ化ガリウムやリン化インジウム等の化合物半導体を材料とする、不純物を含まない（ドーピングされていない）基板であって、高抵抗（比抵抗：数ＭΩ/□）を示す基板をいう。半絶縁性基板は、高い電子移動度を持っているだけでなく、高抵抗を示すためリーク電流や対地容量を抑えることも可能である。
そこで、基板１００として、例えば第１導電型のＧａＡｓ基板の中でも、特に、半絶縁半絶縁性基板又は低ドープ基板を用いることが好ましい。
ここで、基板１００は、後述するようにレーザ共振器を構成するメサ構造２００の出射側に位置するため、光吸収性の低い基板（光出力の低下を抑制できる基板）、例えば半絶縁性基板又は低ドープ基板（不純物濃度が低い基板）であることが好ましい。
半絶縁性基板とは、ヒ化ガリウムやリン化インジウム等の化合物半導体を材料とする、不純物を含まない（ドーピングされていない）基板であって、高抵抗（比抵抗：数ＭΩ/□）を示す基板をいう。半絶縁性基板は、高い電子移動度を持っているだけでなく、高抵抗を示すためリーク電流や対地容量を抑えることも可能である。
そこで、基板１００として、例えば第１導電型のＧａＡｓ基板の中でも、特に、半絶縁半絶縁性基板又は低ドープ基板を用いることが好ましい。
【0014】
メサ構造２００は、基板１００上に積層された第１の多層膜反射鏡２００ａと、第１の多層膜反射鏡２００ａ上に積層された活性層２００ｂと、該活性層２００ｂ上に積層された第２の多層膜反射鏡２００ｃと、を含む。
第１の多層膜反射鏡２００ａと活性層２００ｂと第２の多層膜反射鏡２００ｃとを含んで、レーザ共振器が構成される。
メサ構造２００は、例えば略円柱形状であるが、例えば略楕円柱形状、多角柱形状等の他の柱形状であってもよい。
第１の多層膜反射鏡２００ａと活性層２００ｂと第２の多層膜反射鏡２００ｃとを含んで、レーザ共振器が構成される。
メサ構造２００は、例えば略円柱形状であるが、例えば略楕円柱形状、多角柱形状等の他の柱形状であってもよい。
【0015】
第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｃは、一例として、いずれも半導体多層反射鏡である。多層膜反射鏡は、分布型ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれる。多層膜反射鏡（分布ブラッグ反射鏡）の一種である半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、高反射率及び導電性を有する。
【0016】
第１の多層膜反射鏡２００ａは、一例として、第１導電型（例えばｐ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層が発振波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第１の多層膜反射鏡２００ａの各屈折率層は、第１導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
【0017】
活性層２００ｂは、例えばＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる障壁層及び量子井戸層を含む量子井戸構造を有する。この量子井戸構造は、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）であってもよいし、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）であってもよい。
【0018】
第２の多層膜反射鏡２００ｃは、一例として、第２導電型（例えばｎ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層が発振波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第２の多層膜反射鏡２００ｃの各屈折率層は、第２導電型（例えばｎ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。
【0019】
さらに、メサ構造２００は、第１の多層膜反射鏡２００ａと活性層２００ｂとの間に配置された電流狭窄層２００ｄを含む。
電流狭窄層２００ｄは、一例として、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＡｓからなる非酸化領域２００ｄ１と、その周囲を取り囲むＡｌＡｓの酸化物（例えばＡｌ２Ｏ３）からなる酸化領域２００ｄ２を有する。
電流狭窄層２００ｄは、一例として、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌＡｓからなる非酸化領域２００ｄ１と、その周囲を取り囲むＡｌＡｓの酸化物（例えばＡｌ２Ｏ３）からなる酸化領域２００ｄ２を有する。
【0020】
メサ構造２００及びメサ構造２００に隣接する領域（隣り合うメサ構造２００間の領域）は、一部を除いて一連の絶縁膜２５０で覆われている。絶縁膜２５０は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等からなる。
メサ構造２００の頂部（より詳細には第２の多層膜反射鏡２００ｃの上面）上の絶縁膜２５０には、コンタクトホールＣＨ２が形成されており、該コンタクトホールＣＨ２にカソード電極３００がメサ構造２００の頂部に接触するように設けられている。
メサ構造２００の頂部（より詳細には第２の多層膜反射鏡２００ｃの上面）上の絶縁膜２５０には、コンタクトホールＣＨ２が形成されており、該コンタクトホールＣＨ２にカソード電極３００がメサ構造２００の頂部に接触するように設けられている。
【0021】
カソード電極３００は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
カソード電極３００は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
カソード電極３００が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。
カソード電極３００は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
カソード電極３００が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。
【0022】
さらに、メサ構造２００は、一例として、基板１００と第１の多層膜反射鏡２００ａとの間に配置されたＧａＡｓ系の材料からなるコンタクト層４００を含む。コンタクト層４００は、複数の面発光レーザ１０間で共有されている。
コンタクト層４００は、レーザ共振器を構成するメサ構造２００の出射側に位置する。このため、コンタクト層４００の厚さは、１μｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがより好ましい。コンタクト層４００の厚さが１μｍ以下であることにより、コンタクト層４００での光吸収を低減でき、ひいては光出力の低下を抑制できる。
コンタクト層４００は、レーザ共振器を構成するメサ構造２００の出射側に位置する。このため、コンタクト層４００の厚さは、１μｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがより好ましい。コンタクト層４００の厚さが１μｍ以下であることにより、コンタクト層４００での光吸収を低減でき、ひいては光出力の低下を抑制できる。
【0023】
さらに、メサ構造２００は、一例として、コンタクト層４００と第１の多層膜反射鏡２００ａとの間に配置されたエッチング停止層５００を有する。エッチング停止層５００は、複数の面発光レーザ１０間で共有されている。
エッチング停止層５００の上部は、メサ構造２００の底部を構成する。
エッチング停止層５００の上部は、メサ構造２００の底部を構成する。
【0024】
基板１００上における隣り合うメサ構造２００間の領域（該メサ構造２００に隣接する部分）は、絶縁膜２５０で覆われていない領域であるコンタクトホールＣＨ１の底面を含んで構成され、アノード電極６００と接触するコンタクト領域ＣＡを含む。
コンタクト領域ＣＡは、基板１００の一部及びコンタクト層４００の一部を含む。
コンタクト領域ＣＡは、基板１００の一部及びコンタクト層４００の一部を含む。
【0025】
アノード電極６００は、例えばコンタクト領域ＣＡ上、すなわちコンタクトホールＣＨ１内にコンタクト層４００に接触するように設けられている。
アノード電極６００は、複数のメサ構造２００に沿ってパターンニングされた金属配線７００により、面発光レーザアレイの周辺に配置された電極パッド（不図示）と接続されている。
アノード電極６００は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
アノード電極６００は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
アノード電極６００が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。
アノード電極６００は、複数のメサ構造２００に沿ってパターンニングされた金属配線７００により、面発光レーザアレイの周辺に配置された電極パッド（不図示）と接続されている。
アノード電極６００は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
アノード電極６００は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種類の金属（合金を含む）によって構成されている。
アノード電極６００が積層構造である場合は、例えばＴｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ等の材料で構成される。
【0026】
メサ構造２００の、コンタクト領域ＣＡに対してアノード電極６００が配置される側と同じ側の面にカソード電極３００が接触している。
【0027】
コンタクト領域ＣＡと、メサ構造２００の、第１の多層膜反射鏡２００ａで構成される部分の側壁部２００ａ１と、に跨って不純物領域８００（図１における薄い黒塗りの部分）が設けられている。本明細書中、「不純物領域」は、他の領域（少なくとも周辺の領域）よりも不純物濃度が高い領域（高濃度不純物領域）を意味する。
詳述すると、不純物領域８００は、コンタクト領域ＣＡと、側壁部２００ａ１と、コンタクト領域ＣＡと側壁部２００ａ１との間の領域とを含む。
詳述すると、不純物領域８００は、コンタクト領域ＣＡと、側壁部２００ａ１と、コンタクト領域ＣＡと側壁部２００ａ１との間の領域とを含む。
【0028】
不純物領域８００は、コンタクト領域ＣＡから側壁部２００ａ１にかけて連続している。すなわち、不純物領域８００は、アノード電極６００から第１の多層膜反射鏡２００ａまでの電流経路を含む。
不純物領域８００は、一例としてメサ構造２００の周方向の全域に亘って連続して形成されている。なお、不純物領域８００は、メサ構造２００の周方向の一部に不連続部分（断続部分）を有していてもよい。
側壁部２００ａ１は、図１に示すように、メサ構造２００の、第１の多層膜反射鏡２００ａで構成される部分の光導波路を形成する領域（電流狭窄層２００ｄの非酸化領域２００ｄ１に対応する領域）の外側の部分であることが好ましい。
不純物領域８００は、一例としてメサ構造２００の周方向の全域に亘って連続して形成されている。なお、不純物領域８００は、メサ構造２００の周方向の一部に不連続部分（断続部分）を有していてもよい。
側壁部２００ａ１は、図１に示すように、メサ構造２００の、第１の多層膜反射鏡２００ａで構成される部分の光導波路を形成する領域（電流狭窄層２００ｄの非酸化領域２００ｄ１に対応する領域）の外側の部分であることが好ましい。
【0029】
不純物領域８００は、例えばＺｎ等の金属、ベリリウムイオン等のイオンを含んで構成されている。
不純物領域８００は、コンタクト領域ＣＡから側壁部２００ａ１にかけて連続している。なお、不純物領域８００は、コンタクト領域ＣＡと側壁部２００ａ１との間で不連続部分（断続部分）を有していてもよい。
不純物領域８００の不純物濃度は、５ｘ１０１９ｃｍ－３未満であることが好ましく、５ｘ１０１８ｃｍ－３未満であることがより好ましい。
不純物領域８００の不純物濃度は、不純物領域８００の全域に亘って、ほぼ均一であることが好ましいが、多少ばらつきがあってもよい。
不純物領域８００は、コンタクト領域ＣＡから側壁部２００ａ１にかけて連続している。なお、不純物領域８００は、コンタクト領域ＣＡと側壁部２００ａ１との間で不連続部分（断続部分）を有していてもよい。
不純物領域８００の不純物濃度は、５ｘ１０１９ｃｍ－３未満であることが好ましく、５ｘ１０１８ｃｍ－３未満であることがより好ましい。
不純物領域８００の不純物濃度は、不純物領域８００の全域に亘って、ほぼ均一であることが好ましいが、多少ばらつきがあってもよい。
【0030】
（２）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第１の例
以下、図２～図２４を参照して、面発光レーザ１０の製造方法の第１の例について説明する。図２及び図３は、面発光レーザ１０の製造方法の第１の例を説明するためのフローチャートである。図４～図２４は、面発光レーザ１０の製造方法の第１の例の工程毎の断面図（工程断面図）である。ここでは、一例として、半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザアレイを同時に生成する（この際、各面発光レーザアレイの複数の面発光レーザ１０も同時に生成される）。次いで、一連一体の複数の面発光レーザアレイを互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザアレイ（面発光レーザアレイチップ）を得る。
以下、図２～図２４を参照して、面発光レーザ１０の製造方法の第１の例について説明する。図２及び図３は、面発光レーザ１０の製造方法の第１の例を説明するためのフローチャートである。図４～図２４は、面発光レーザ１０の製造方法の第１の例の工程毎の断面図（工程断面図）である。ここでは、一例として、半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザアレイを同時に生成する（この際、各面発光レーザアレイの複数の面発光レーザ１０も同時に生成される）。次いで、一連一体の複数の面発光レーザアレイを互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザアレイ（面発光レーザアレイチップ）を得る。
【0031】
最初のステップＳ１では、積層体１０００を生成する。
具体的には、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法により、図４に示すように、基板１００上にコンタクト層４００、エッチング停止層５００、第１の多層膜反射鏡２００ａ、被選択酸化層２１０、活性層２００ｂ及び第２の多層膜反射鏡２００ｃをこの順に順次積層する。
具体的には、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法により、図４に示すように、基板１００上にコンタクト層４００、エッチング停止層５００、第１の多層膜反射鏡２００ａ、被選択酸化層２１０、活性層２００ｂ及び第２の多層膜反射鏡２００ｃをこの順に順次積層する。
【0032】
次のステップＳ２では、積層体１０００をエッチング（例えばウェットエッチング）して第１のメサ構造１５０を形成する。
具体的には、図５に示すように、成長室から取り出した積層体１０００上にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ１を形成する。次いで、図６に示すように、このレジストパターンＲ１をマスクとして、例えば硫酸系のエッチャントを用いて第２の多層膜反射鏡２００ｃ、活性層２００ｂ、被選択酸化層２１０及び第１の多層膜反射鏡２００ａの一部を選択的に除去する。これにより、第１のメサ構造１５０が形成される。ここでのエッチングは、エッチング底面が第１の多層膜反射鏡２００ａ内に位置するまで（エッチング停止層５００が露出しない深さまで）行った。その後、図７に示すように、レジストパターンＲ１を除去する。
具体的には、図５に示すように、成長室から取り出した積層体１０００上にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ１を形成する。次いで、図６に示すように、このレジストパターンＲ１をマスクとして、例えば硫酸系のエッチャントを用いて第２の多層膜反射鏡２００ｃ、活性層２００ｂ、被選択酸化層２１０及び第１の多層膜反射鏡２００ａの一部を選択的に除去する。これにより、第１のメサ構造１５０が形成される。ここでのエッチングは、エッチング底面が第１の多層膜反射鏡２００ａ内に位置するまで（エッチング停止層５００が露出しない深さまで）行った。その後、図７に示すように、レジストパターンＲ１を除去する。
【0033】
次のステップＳ３では、図８に示すように、第１のメサ構造１５０及びこれに隣接する領域３５０に、例えばＳｉＯ２からなる絶縁膜２４０を成膜する。
具体的には、第１のメサ構造１５０が形成された積層体１０００の略全域に絶縁膜２４０を成膜する。以下では、第１のメサ構造１５０に隣接する領域３５０を「隣接領域３５０」とも呼ぶ。ここでは、隣接領域３５０は、平面視において、隣り合う２つの第１のメサ構造１５０の間にある。
具体的には、第１のメサ構造１５０が形成された積層体１０００の略全域に絶縁膜２４０を成膜する。以下では、第１のメサ構造１５０に隣接する領域３５０を「隣接領域３５０」とも呼ぶ。ここでは、隣接領域３５０は、平面視において、隣り合う２つの第１のメサ構造１５０の間にある。
【0034】
次のステップＳ４では、隣接する領域３５０に成膜された絶縁膜２４０を除去する。
具体的には、図９に示すように、第１のメサ構造１５０に隣接する領域３５０以外の領域にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ２を形成する。次いで、このレジストパターンＲ２をマスクとして、図１０に示すように、隣接領域３５０に成膜された絶縁膜２４０を例えばフッ酸系のエッチャントを用いてエッチングにより除去する。その後、図１１に示すように、レジストパターンＲ２を除去する。
具体的には、図９に示すように、第１のメサ構造１５０に隣接する領域３５０以外の領域にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ２を形成する。次いで、このレジストパターンＲ２をマスクとして、図１０に示すように、隣接領域３５０に成膜された絶縁膜２４０を例えばフッ酸系のエッチャントを用いてエッチングにより除去する。その後、図１１に示すように、レジストパターンＲ２を除去する。
【0035】
次のステップＳ５では、図１２に示すように、第１のメサ構造１５０に隣接する領域３５０から不純物を拡散し、不純物領域８００を形成する。
具体的には、隣接領域３５０から例えばＺｎ等の不純物を注入し、拡散させる。例えば、不純物領域８００が、第１の多層膜反射鏡２００ａ、エッチング停止層５００、コンタクト層４００及び基板１００まで拡散するように不純物の注入速度及び注入時間を調整する。この際、絶縁膜２４０が不純物拡散時のマスクとなる。例えば絶縁膜２４０の材料にＳｉＯ２を用いると、拡散と減圧と加熱によってＳｉＯ２界面のＧａから空孔拡散が生じ、不純物が広範囲に拡散しやすくなる。
具体的には、隣接領域３５０から例えばＺｎ等の不純物を注入し、拡散させる。例えば、不純物領域８００が、第１の多層膜反射鏡２００ａ、エッチング停止層５００、コンタクト層４００及び基板１００まで拡散するように不純物の注入速度及び注入時間を調整する。この際、絶縁膜２４０が不純物拡散時のマスクとなる。例えば絶縁膜２４０の材料にＳｉＯ２を用いると、拡散と減圧と加熱によってＳｉＯ２界面のＧａから空孔拡散が生じ、不純物が広範囲に拡散しやすくなる。
【0036】
次のステップＳ６では、図１３に示すように、残りの絶縁膜２４０を除去する。
具体的には、隣接領域３５０以外の領域に形成された絶縁膜２４０を例えばフッ酸系のエチャントを用いて除去する。
具体的には、隣接領域３５０以外の領域に形成された絶縁膜２４０を例えばフッ酸系のエチャントを用いて除去する。
【0037】
次のステップＳ７では、さらに積層体１０００をエッチング（例えばウェットエッチング）して第１のメサ構造１５０に代わる第２のメサ構造であるメサ構造２００を形成する。
具体的には、図１４に示すように、隣接領域３５０以外の領域にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ３を形成する。次いで、このレジストパターンＲ３をマスクとして、図１５に示すように、例えば硫酸系のエッチャントを用いて隣接領域３５０の第１の多層膜反射鏡２００ａを選択的に除去する。これにより、メサ構造２００が形成される。その後、図１６に示すように、レジストパターンＲ３を除去する。ここでのエッチングは、エッチング停止層５００が除去され、コンタクト層４００が露出したところでエッチングを止めた。以下では、メサ構造２００を「第２のメサ構造２００」とも呼ぶ。
具体的には、図１４に示すように、隣接領域３５０以外の領域にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ３を形成する。次いで、このレジストパターンＲ３をマスクとして、図１５に示すように、例えば硫酸系のエッチャントを用いて隣接領域３５０の第１の多層膜反射鏡２００ａを選択的に除去する。これにより、メサ構造２００が形成される。その後、図１６に示すように、レジストパターンＲ３を除去する。ここでのエッチングは、エッチング停止層５００が除去され、コンタクト層４００が露出したところでエッチングを止めた。以下では、メサ構造２００を「第２のメサ構造２００」とも呼ぶ。
【0038】
次のステップＳ８では、図１７に示すように、被選択酸化層２１０（図１６参照）の周囲部を酸化して電流狭窄層２００ｄを生成する。
具体的には、第２のメサ構造２００を水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層２１０を側面から酸化（選択酸化）して、非酸化領域２００ｄ１の周りが酸化領域２００ｄ２で取り囲まれた電流狭窄層２００ｄを形成する。
具体的には、第２のメサ構造２００を水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層２１０を側面から酸化（選択酸化）して、非酸化領域２００ｄ１の周りが酸化領域２００ｄ２で取り囲まれた電流狭窄層２００ｄを形成する。
【0039】
次のステップＳ９では、図１８に示すように、第２のメサ構造２００上及びこれに隣接するコンタクト領域ＣＡ上に絶縁膜２５０を成膜する。
具体的には、積層体１０００の略全域に絶縁膜２５０を成膜する。ここでは、コンタクト領域ＣＡは、平面視において、隣り合う２つの第２のメサ構造２００の間にある。
具体的には、積層体１０００の略全域に絶縁膜２５０を成膜する。ここでは、コンタクト領域ＣＡは、平面視において、隣り合う２つの第２のメサ構造２００の間にある。
【0040】
次のステップＳ１０では、第２のメサ構造２００上及び第２のメサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡ上の絶縁膜２５０を除去してコンタクトホールを形成する。
具体的には、図１９に示すように、第２のメサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡ及び第２のメサ構造２００の頂部以外の領域にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ４を形成する。次いで、このレジストパターンＲ４をマスクとして、図２０に示すように、コンタクト領域ＣＡ上の絶縁膜２５０及び第２のメサ構造２００の頂部上の絶縁膜２５０をウェットエッチングにより除去して電極コンタクト用のコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を形成する。その後、図２１に示すように、レジストパターンＲ４を除去する。
具体的には、図１９に示すように、第２のメサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡ及び第２のメサ構造２００の頂部以外の領域にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ４を形成する。次いで、このレジストパターンＲ４をマスクとして、図２０に示すように、コンタクト領域ＣＡ上の絶縁膜２５０及び第２のメサ構造２００の頂部上の絶縁膜２５０をウェットエッチングにより除去して電極コンタクト用のコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を形成する。その後、図２１に示すように、レジストパターンＲ４を除去する。
【0041】
次のステップＳ１１では、図２２に示すように、第２のメサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡにアノード電極６００を設ける。
具体的には、例えば、ＥＢ蒸着法により、コンタクト領域ＣＡに例えばＡｕ／Ｔｉ膜を成膜し、レジスト及びレジスト上の例えばＡｕ／Ｔｉをリフトオフすることにより、コンタクトホールＣＨ１にアノード電極６００を形成する。
具体的には、例えば、ＥＢ蒸着法により、コンタクト領域ＣＡに例えばＡｕ／Ｔｉ膜を成膜し、レジスト及びレジスト上の例えばＡｕ／Ｔｉをリフトオフすることにより、コンタクトホールＣＨ１にアノード電極６００を形成する。
【0042】
次のステップＳ１２では、図２３に示すように、第２のメサ構造２００の頂部上にカソード電極３００を設ける。
具体的には、例えば、ＥＢ蒸着法により、第２のメサ構造２００の頂部上にＡｕ／Ｔｉ膜を成膜し、レジスト及びレジスト上のＡｕ／Ｔｉをリフトオフすることにより、第２のメサ構造２００の頂部上のコンタクトホールＣＨ２にカソード電極３００を形成する。
具体的には、例えば、ＥＢ蒸着法により、第２のメサ構造２００の頂部上にＡｕ／Ｔｉ膜を成膜し、レジスト及びレジスト上のＡｕ／Ｔｉをリフトオフすることにより、第２のメサ構造２００の頂部上のコンタクトホールＣＨ２にカソード電極３００を形成する。
【0043】
最後のステップＳ１３では、図２４に示すように、第２のメサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡに設けられたアノード電極６００と電極パッドとを接続する金属配線７００を形成する。その後、アニール、ウェハの裏面（第２のメサ構造２００側の面とは反対側の面）を研磨することによる薄膜化、ウェハの裏面に対する無反射コート等の処理がなされ、１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０が２次元配列された面発光レーザアレイが複数形成される。その後、ダイシングにより、複数の面発光レーザアレイチップに分離される。
【0044】
なお、上記ステップＳ１１、Ｓ１２の順序は、逆でもよい。
【0045】
（２）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの製造方法の第２の例
以下、図２５～図４４を参照して、面発光レーザ１０の製造方法の第２の例について説明する。図２５及び図２６は、面発光レーザ１０の製造方法の第２の例を説明するためのフローチャートである。図２７～図４４は、面発光レーザ１０の製造方法の第２の例の工程毎の断面図（工程断面図）である。ここでは、一例として、半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザアレイを同時に生成する（この際、各面発光レーザアレイの複数の面発光レーザ１０も同時に生成される）。次いで、複数の面発光レーザアレイを互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザアレイ（面発光レーザアレイチップ）を生成する。
以下、図２５～図４４を参照して、面発光レーザ１０の製造方法の第２の例について説明する。図２５及び図２６は、面発光レーザ１０の製造方法の第２の例を説明するためのフローチャートである。図２７～図４４は、面発光レーザ１０の製造方法の第２の例の工程毎の断面図（工程断面図）である。ここでは、一例として、半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ上に複数の面発光レーザアレイを同時に生成する（この際、各面発光レーザアレイの複数の面発光レーザ１０も同時に生成される）。次いで、複数の面発光レーザアレイを互いに分離して、チップ状の複数の面発光レーザアレイ（面発光レーザアレイチップ）を生成する。
【0046】
最初のステップＳ２１では、積層体１０００を生成する。
具体的には、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法により、図２７に示すように、基板１００上にコンタクト層４００、エッチング停止層５００、第１の多層膜反射鏡２００ａ、被選択酸化層２１０、活性層２００ｂ及び第２の多層膜反射鏡２００ｃをこの順に順次積層する。
具体的には、化学気層成長（ＣＶＤ）法、例えば有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法により、図２７に示すように、基板１００上にコンタクト層４００、エッチング停止層５００、第１の多層膜反射鏡２００ａ、被選択酸化層２１０、活性層２００ｂ及び第２の多層膜反射鏡２００ｃをこの順に順次積層する。
【0047】
次のステップＳ２２では、積層体１０００をエッチング（例えばウェットエッチング）してメサ構造２００を形成する。
具体的には、図２８に示すように、成長室から取り出した積層体１０００上にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ１´を形成する。次いで、図２９に示すように、このレジストパターンＲ１´をマスクとして、例えば硫酸系のエッチャントを用いて第２の多層膜反射鏡２００ｃ、活性層２００ｂ、被選択酸化層２１０及び第１の多層膜反射鏡２００ａを選択的に除去する。これにより、メサ構造２００が形成される。ここでのエッチングは、エッチング停止層５００が除去され、コンタクト層４００が露出したところでエッチングを止めた。その後、図３０に示すように、レジストパターンＲ１´を除去する。
具体的には、図２８に示すように、成長室から取り出した積層体１０００上にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ１´を形成する。次いで、図２９に示すように、このレジストパターンＲ１´をマスクとして、例えば硫酸系のエッチャントを用いて第２の多層膜反射鏡２００ｃ、活性層２００ｂ、被選択酸化層２１０及び第１の多層膜反射鏡２００ａを選択的に除去する。これにより、メサ構造２００が形成される。ここでのエッチングは、エッチング停止層５００が除去され、コンタクト層４００が露出したところでエッチングを止めた。その後、図３０に示すように、レジストパターンＲ１´を除去する。
【0048】
次のステップＳ２３では、図３１に示すように、メサ構造２００上及びこれに隣接するコンタクト領域ＣＡ上に、例えばＳｉＯ２からなる絶縁膜２４０を成膜する。具体的には、積層体１０００の略全域に絶縁膜２４０を成膜する。ここでは、コンタクト領域ＣＡは、平面視において、隣り合う２つのメサ構造２００の間にある。
【0049】
次のステップＳ２４では、コンタクト領域ＣＡ上に成膜された絶縁膜２４０を除去する。具体的には、図３２に示すように、メサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡ以外の領域にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ２´を形成する。次いで、図３３に示すように、このレジストパターンＲ２´をマスクとして、コンタクト領域ＣＡ上に成膜された絶縁膜２４０をウェットエッチングにより除去する。その後、図３４に示すように、レジストパターンＲ２´を除去する。
【0050】
次のステップＳ２５では、図３５に示すように、メサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡから不純物を拡散し、不純物領域８００を形成する。
具体的には、コンタクト領域ＣＡから例えばＺｎ等の不純物を注入し、拡散させる。例えば、不純物領域８００が、コンタクト層４００、基板１００、エッチング停止層５００及び第１の多層膜反射鏡２００ａの側壁部２００ａ１まで拡散するように不純物の注入速度及び注入時間を調整する。この際、絶縁膜２４０が不純物拡散時のマスクとなる。例えば絶縁膜２４０の材料にＳｉＯ２を用いると、拡散と減圧と加熱によってＳｉＯ２界面のＧａから空孔拡散が生じ、不純物が広範囲に拡散しやすくなる。
なお、上記第１の例では、１回目のエッチング後に第１のメサ構造１５０に隣接する領域３５０の第１の多層膜反射鏡２００ａから不純物を拡散しているため、不純物が被選択酸化層２１０にも拡散される可能性がある。
これに対し、第２の例では、コンタクト層４００が露出するまでエッチングし、第２のメサ構造２００を形成した後、コンタクト領域ＣＡから不純物を拡散させるため、不純物が被選択酸化層２１０まで拡散する可能は低い。
具体的には、コンタクト領域ＣＡから例えばＺｎ等の不純物を注入し、拡散させる。例えば、不純物領域８００が、コンタクト層４００、基板１００、エッチング停止層５００及び第１の多層膜反射鏡２００ａの側壁部２００ａ１まで拡散するように不純物の注入速度及び注入時間を調整する。この際、絶縁膜２４０が不純物拡散時のマスクとなる。例えば絶縁膜２４０の材料にＳｉＯ２を用いると、拡散と減圧と加熱によってＳｉＯ２界面のＧａから空孔拡散が生じ、不純物が広範囲に拡散しやすくなる。
なお、上記第１の例では、１回目のエッチング後に第１のメサ構造１５０に隣接する領域３５０の第１の多層膜反射鏡２００ａから不純物を拡散しているため、不純物が被選択酸化層２１０にも拡散される可能性がある。
これに対し、第２の例では、コンタクト層４００が露出するまでエッチングし、第２のメサ構造２００を形成した後、コンタクト領域ＣＡから不純物を拡散させるため、不純物が被選択酸化層２１０まで拡散する可能は低い。
【0051】
次のステップＳ２６では、図３６に示すように、残りの絶縁膜２４０を除去する。具体的には、コンタクト領域ＣＡ以外の領域に形成された絶縁膜２４０を除去する。
【0052】
次のステップＳ２７では、図３７に示すように、被選択酸化層２１０（図３６参照）の周囲部を酸化して電流狭窄層２００ｄを生成する。具体的には、メサ構造２００を水蒸気雰囲気中にさらし、被選択酸化層２１０を側面から酸化（選択酸化）して、非酸化領域２００ｄ１の周りが酸化領域２００ｄ２で取り囲まれた電流狭窄層２００ｄを形成する。
【0053】
次のステップＳ２８では、図３８に示すように、メサ構造２００上及びこれに隣接するコンタクト領域ＣＡ上に絶縁膜２５０を成膜する。具体的には、メサ構造２００が形成された積層体１０００の略全域に絶縁膜２５０を成膜する。ここでは、コンタクト領域ＣＡは、平面視において、隣り合う２つのメサ構造２００の間にある。
【0054】
次のステップＳ２９では、メサ構造２００上及びメサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡの絶縁膜２５０を除去してコンタクトホールを形成する。具体的には、図３９に示すように、メサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡ及びメサ構造２００の頂部以外の領域にフォトリソグラフィによりレジストパターンＲ３´を形成する。次いで、このレジストパターンＲ３´をマスクとして、図４０に示すように、コンタクト領域ＣＡ上の絶縁膜２５０及びメサ構造２００の頂部上の絶縁膜２５０をウェットエッチングにより除去して電極コンタクト用のコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を形成する。その後、図４１に示すように、レジストパターンＲ３´を除去する。
【0055】
次のステップＳ３０では、図４２に示すように、メサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡ上にアノード電極６００を設ける。具体的には、例えば、ＥＢ蒸着法により、コンタクト領域ＣＡにＡｕ／Ｔｉ膜を成膜し、レジスト及びレジスト上のＡｕ／Ｔｉをリフトオフすることにより、コンタクトホールＣＨ１にアノード電極６００を形成する。
【0056】
次のステップＳ３１では、図４３に示すように、メサ構造２００の頂部上にカソード電極３００を設ける。具体的には、例えば、ＥＢ蒸着法により、メサ構造２００の頂部上にＡｕ／Ｔｉ膜を成膜し、レジスト及びレジスト上のＡｕ／Ｔｉをリフトオフすることにより、メサ構造２００の頂部上のコンタクトホールＣＨ２にカソード電極３００を形成する。
【0057】
最後のステップＳ３２では、図４４に示すように、メサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡに設けられたアノード電極６００と電極パッドとを接続する金属配線７００を形成する。その後、アニール、基板１００の裏面（第２のメサ構造２００側の面とは反対側の面）を研磨することによる基板薄膜化、基板１００の裏面に対する無反射コート等の処理がなされ、１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０が２次元配列された面発光レーザアレイが複数形成される。その後、ダイシングにより、複数の面発光レーザアレイチップに分離される。
【0058】
なお、上記ステップＳ３０、Ｓ３１の順序は、逆でもよい。
【0059】
（３）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの作用
面発光レーザ１０では、面発光レーザアレイの周辺に配置された電極パッドから金属配線７００、アノード電極６００を介してコンタクト領域ＣＡに電流が注入される。コンタクト領域ＣＡに注入された電流は、低抵抗な不純物領域８００、第１の多層膜反射鏡２００ａを経て、活性層２００ｂに注入される。これにより、活性層２００ｂが発光し、その光が第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｃ間で繰り返し反射しながら増幅して発振条件を満たしたときに、基板１００側からレーザ光として射出される。
面発光レーザ１０では、面発光レーザアレイの周辺に配置された電極パッドから金属配線７００、アノード電極６００を介してコンタクト領域ＣＡに電流が注入される。コンタクト領域ＣＡに注入された電流は、低抵抗な不純物領域８００、第１の多層膜反射鏡２００ａを経て、活性層２００ｂに注入される。これにより、活性層２００ｂが発光し、その光が第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｃ間で繰り返し反射しながら増幅して発振条件を満たしたときに、基板１００側からレーザ光として射出される。
【0060】
（４）本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザの効果
本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザ１０は、基板１００と、基板１００上に形成されたメサ構造２００とを備える。メサ構造２００は、基板１００上に積層された第１の多層膜反射鏡２００ａと、第１の多層膜反射鏡２００ａ上に積層された活性層２００ｂと、活性層２００ｂ上に積層された第２の多層膜反射鏡２００ｃとを含む。メサ構造２００に隣接する、アノード電極６００と接触するコンタクト領域ＣＡと、メサ構造２００の、第１の多層膜反射鏡２００ａで構成される部分の側壁部２００ａ１と、に跨って不純物領域８００が設けられている。
これにより、コンタクト領域ＣＡから活性層２００ｂへ至る電流経路のうちコンタクト領域ＣＡから側壁部２００ａ１までの部分が低抵抗化されているので、活性層２００ｂに効率良く電流を注入することができる。
この場合には、不純物領域８００の不純物濃度を比較的低くしても、活性層２００ｂに効率良く電流を注入することができる。
結果として、面発光レーザ１０によれば、コンタクト領域ＣＡの上方に積層される層の結晶性の悪化を抑制しつつ活性層２００ｂに効率良く電流を注入することができる。
本技術の第１の実施形態に係る面発光レーザ１０は、基板１００と、基板１００上に形成されたメサ構造２００とを備える。メサ構造２００は、基板１００上に積層された第１の多層膜反射鏡２００ａと、第１の多層膜反射鏡２００ａ上に積層された活性層２００ｂと、活性層２００ｂ上に積層された第２の多層膜反射鏡２００ｃとを含む。メサ構造２００に隣接する、アノード電極６００と接触するコンタクト領域ＣＡと、メサ構造２００の、第１の多層膜反射鏡２００ａで構成される部分の側壁部２００ａ１と、に跨って不純物領域８００が設けられている。
これにより、コンタクト領域ＣＡから活性層２００ｂへ至る電流経路のうちコンタクト領域ＣＡから側壁部２００ａ１までの部分が低抵抗化されているので、活性層２００ｂに効率良く電流を注入することができる。
この場合には、不純物領域８００の不純物濃度を比較的低くしても、活性層２００ｂに効率良く電流を注入することができる。
結果として、面発光レーザ１０によれば、コンタクト領域ＣＡの上方に積層される層の結晶性の悪化を抑制しつつ活性層２００ｂに効率良く電流を注入することができる。
【0061】
一方、例えば特許文献１に開示されている面発光レーザでは、コンタクト領域に高濃度の不純物がドープされているため、コンタクト領域の上方に積層される層の結晶性が悪化していた。また、当該面発光レーザでは、コンタクト領域にのみ不純物がドープされているため、コンタクト領域から活性層へ至る電流経路上において低抵抗化されていない部分が多く、活性層に効率良く電流を注入することができなかった。
【0062】
不純物領域８００は、コンタクト領域ＣＡから側壁部２００ａ１にかけて連続している。これにより、コンタクト領域ＣＡと側壁部２００ａ１との間の全域で低抵抗化されているため、活性層２００ｂに電流を更に効率良く注入することができる。
【0063】
メサ構造２００は、第１の多層膜反射鏡２００ａの全体を含み、コンタクト領域ＣＡは、基板１００の一部を含む。
【0064】
メサ構造２００は、第１の多層膜反射鏡２００ａの全体を含み、面発光レーザ１０は、基板１００と第１の多層膜反射鏡２００ａとの間に配置されたコンタクト層４００を更に備え、コンタクト領域ＣＡは、コンタクト層４００の一部を含む。さらに、コンタクト領域は、基板１００の一部を含む。
【0065】
コンタクト層４００の厚さが１μｍ以下である。この場合、コンタクト層４００自体の抵抗は高くなるがコンタクト層４００による光吸収を抑えることができる。コンタクト層４００自体の抵抗が高くなっても、低抵抗な不純物領域８００がコンタクト層４００に及んでいるため、電流経路において実質的にコンタクト層４００の抵抗はあまり高くならない、もしくは低くなる。
【0066】
不純物領域８００の不純物濃度は、５ｘ１０１９ｃｍ－３未満である。これにより、コンタクト領域ＣＡの上方に積層される層（例えば第１の多層膜反射鏡２００ａ、活性層２００ｂ及び第２の多層膜反射鏡２００ｃ）の結晶性の悪化をより確実に抑制することができる。
【0067】
メサ構造２００の、コンタクト領域ＣＡに対してアノード電極６００が配置される側と同じ側の面に別のカソード電極３００が接触する。これにより、例えば両電極が反対側の面に配置される場合に比べて、面発光レーザ１０の大型化を抑制できる。
【0068】
基板１００は、半絶縁性基板又は低ドープ基板である。これにより、基板１００による光吸収を抑制することができる。
【0069】
面発光レーザ１０は、基板１００の、メサ構造２００側とは反対側へ光を出射する。これにより、例えばメサ構造の頂部から光を出射する面発光レーザに比べて、カソード電極３００を大きく配置することができ、メサ構造のより広範囲に電流を流すことができ、結果として光出力の増加を図ることができる。
【0070】
面発光レーザ１０には、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体が用いられている。
【0071】
面発光レーザ１０は、第１の多層膜反射鏡２００ａと第２の多層膜反射鏡２００ｃとの間に配置された電流狭窄層２００ｄを更に備える。電流狭窄層２００ｄは光及び電子を狭い領域に閉じ込める作用を有するため、面発光レーザ１０がレーザ発振の閾値電流の低減を図ることができる。
【0072】
第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｃは、いずれも半導体多層反射鏡である。これにより、少なくともコンタクト領域ＣＡから活性層２００ｂへ至る電流経路の導電性を向上することができる。
【0073】
面発光レーザ１０が２次元配列されている面発光レーザアレイによれば、高効率且つ低消費電力の面発光レーザアレイを実現できる。
【0074】
面発光レーザ１０の製造方法の第１の例は、基板１００上に少なくとも第１の多層膜反射鏡２００ａ、活性層２００ｂ及び第２の多層膜反射鏡２００ｃをこの順に積層して積層体１０００を生成する工程と、積層体１０００を少なくとも第１の多層膜反射鏡２００ａの側面の一部が露出するまでエッチングして第１のメサ構造１５０を形成する工程と、第１のメサ構造１５０及び該第１のメサ構造１５０に隣接する領域３５０に絶縁膜２４０を成膜する工程と、隣接する領域３５０に成膜された絶縁膜２４０を除去する工程と、隣接する領域から、第１のメサ構造１５０の、第１の多層膜反射鏡２００ａで構成される部分の側壁部２００ａ１まで不純物を拡散させる工程と、さらに積層体１０００を第１の多層膜反射鏡２００ａの側面の他部が露出するまでエッチングして第１のメサ構造１５０に代わる第２のメサ構造２００を生成する工程と、第２のメサ構造２００に隣接する領域上にアノード電極６００を設ける工程と、を含む。
【0075】
この場合、第１のメサ構造１５０に隣接する領域３５０の第１の多層膜反射鏡２００ａから不純物が注入されるので、第１の多層膜反射鏡２００ａの第１のメサ構造１５０を構成する部分の側壁部２００ａ１に不純物を十分に行き渡らせることができる。
【0076】
第１の例において、積層体１０００を生成する工程では、基板１００上に第１の多層膜反射鏡２００ａを積層する前に基板１００上にコンタクト層４００を積層し、第２のメサ構造２００を形成する工程では、積層体１０００を少なくともコンタクト層４００が露出するまでエッチングする。
これにより、コンタクト層４００上にアノード電極６００を設けることができる。
これにより、コンタクト層４００上にアノード電極６００を設けることができる。
【0077】
面発光レーザ１０の製造方法の第２の例は、基板１００上に少なくとも第１の多層膜反射鏡２００ａ、活性層２００ｂ及び第２の多層膜反射鏡２００ｃをこの順に積層して積層体１０００を生成する工程と、積層体１０００を少なくとも第１の多層膜反射鏡２００ａの側面の少なくとも一部が露出するまでエッチングしてメサ構造２００を形成する工程と、メサ構造２００及び該メサ構造２００に隣接する領域３５０に絶縁膜２４０を成膜する工程と、隣接する領域３５０に成膜された絶縁膜２４０を除去する工程と、隣接する領域３５０から、メサ構造２００の、第１の多層膜反射鏡２００ａで構成される部分の側壁部２００ａ１まで不純物を拡散させる工程と、隣接する領域３５０上にアノード電極６００を設ける工程と、を含む。
【0078】
この場合、メサ構造２００を１回のエッチングにより形成するので、工数を削減できる。
また、メサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡから不純物を注入するので、不純物が被選択酸化層２１０まで拡散するのを抑制することができる。
また、メサ構造２００に隣接するコンタクト領域ＣＡから不純物を注入するので、不純物が被選択酸化層２１０まで拡散するのを抑制することができる。
【0079】
第２の例において、積層体１０００を生成する工程では、基板１００上に第１の多層膜反射鏡２００ａを積層する前に基板１００上にコンタクト層４００を積層し、メサ構造２００を形成する工程では、積層体１０００をコンタクト層４００が露出するまでエッチングする。
これにより、コンタクト層４００上にアノード電極６００を設けることができる。
これにより、コンタクト層４００上にアノード電極６００を設けることができる。
【0080】
２．＜本技術の第２の実施形態に係る面発光レーザ＞
第２の実施形態に係る面発光レーザ２０は、図４５に示すように、コンタクト層４００を有していない点を除いて、第１の実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。
すなわち、面発光レーザ２０も、メサ構造２２０が第１の多層膜反射鏡２００ａの全体を含み、コンタクト領域ＣＡ１が基板１００の一部を含む。ここでは、コンタクト領域ＣＡ１は、エッチング停止層５００の一部も含む。
面発光レーザ２０では、メサ構造２２０に隣接するコンタクト領域ＣＡ１（ここでは、平面視において隣り合う２つのメサ構造２０間にある）の上面（コンタクトホールＣＨ１の底面）が基板１００内に位置している。
面発光レーザ２０では、不純物領域８２０が、基板１００の一部、エッチング停止層５００の一部及び第１の多層膜反射鏡２００ａの側壁部２００ａ１を含む。
面発光レーザ２０も、面発光レーザ１０の製造方法の第１及び第２の例に準じた製造方法（但し、コンタクト層４００を積層する工程を除く）で製造することができる。
第２の実施形態に係る面発光レーザ２０によれば、面発光レーザ１０と同様の効果を奏するとともに、コンタクト層４００を積層しない分、製造時の工数を減らすことができる。
３．＜本技術の第３の実施形態に係る面発光レーザ＞
第３の実施形態に係る面発光レーザ３０は、図４６に示すように、第１の実施形態に係る面発光レーザ１０と異なり、コンタクト層４００及びエッチング停止層５００を有していない。
さらに、面発光レーザ３０では、メサ構造２３０は、第１の多層膜反射鏡２００ａの底部（下部）以外の部分を含み（第１の多層膜反射鏡２００ａの上部を含み）、コンタクト領域ＣＡ２は、第１の多層膜反射鏡２００ａの底部の一部を含む。メサ構造２３０は、面発光レーザ１０の製造方法の第１の例で説明した第１のメサ構造１５０と実質的に同一である。
すなわち、面発光レーザ３０では、メサ構造２３０に隣接するコンタクト領域ＣＡ２（ここでは、平面視において隣り合う２つのメサ構造２３０の間にある）の上面（コンタクトホールＣＨ１の底面）が第１の多層膜反射鏡２００ａ内に位置している。ここでは、コンタクト領域ＣＡ２は、基板１００の一部及び第１の多層膜反射鏡２００ａの下部の一部を含む。なお、コンタクト領域ＣＡ２は、基板１００の一部を含まなくてもよい。
面発光レーザ２０によれば、面発光レーザ１０と同様の効果を奏するとともに、コンタクト層４００及びエッチング停止層５００を積層しない分、製造時の工数を上記第２の実施形態よりもさらに減らすことができる。
面発光レーザ３０では、不純物領域８３０が、第１の多層膜反射鏡２００ａの下部及び側壁部２００ａ１、基板１００の一部を含む。
面発光レーザ３０は、上述した面発光レーザ１０の製造方法の第１の例に準じた方法（但し、第１のメサ構造１５０に隣接する領域３５０がコンタクト領域ＣＡ２となる）により製造することができる。
第２の実施形態に係る面発光レーザ２０は、図４５に示すように、コンタクト層４００を有していない点を除いて、第１の実施形態に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。
すなわち、面発光レーザ２０も、メサ構造２２０が第１の多層膜反射鏡２００ａの全体を含み、コンタクト領域ＣＡ１が基板１００の一部を含む。ここでは、コンタクト領域ＣＡ１は、エッチング停止層５００の一部も含む。
面発光レーザ２０では、メサ構造２２０に隣接するコンタクト領域ＣＡ１（ここでは、平面視において隣り合う２つのメサ構造２０間にある）の上面（コンタクトホールＣＨ１の底面）が基板１００内に位置している。
面発光レーザ２０では、不純物領域８２０が、基板１００の一部、エッチング停止層５００の一部及び第１の多層膜反射鏡２００ａの側壁部２００ａ１を含む。
面発光レーザ２０も、面発光レーザ１０の製造方法の第１及び第２の例に準じた製造方法（但し、コンタクト層４００を積層する工程を除く）で製造することができる。
第２の実施形態に係る面発光レーザ２０によれば、面発光レーザ１０と同様の効果を奏するとともに、コンタクト層４００を積層しない分、製造時の工数を減らすことができる。
３．＜本技術の第３の実施形態に係る面発光レーザ＞
第３の実施形態に係る面発光レーザ３０は、図４６に示すように、第１の実施形態に係る面発光レーザ１０と異なり、コンタクト層４００及びエッチング停止層５００を有していない。
さらに、面発光レーザ３０では、メサ構造２３０は、第１の多層膜反射鏡２００ａの底部（下部）以外の部分を含み（第１の多層膜反射鏡２００ａの上部を含み）、コンタクト領域ＣＡ２は、第１の多層膜反射鏡２００ａの底部の一部を含む。メサ構造２３０は、面発光レーザ１０の製造方法の第１の例で説明した第１のメサ構造１５０と実質的に同一である。
すなわち、面発光レーザ３０では、メサ構造２３０に隣接するコンタクト領域ＣＡ２（ここでは、平面視において隣り合う２つのメサ構造２３０の間にある）の上面（コンタクトホールＣＨ１の底面）が第１の多層膜反射鏡２００ａ内に位置している。ここでは、コンタクト領域ＣＡ２は、基板１００の一部及び第１の多層膜反射鏡２００ａの下部の一部を含む。なお、コンタクト領域ＣＡ２は、基板１００の一部を含まなくてもよい。
面発光レーザ２０によれば、面発光レーザ１０と同様の効果を奏するとともに、コンタクト層４００及びエッチング停止層５００を積層しない分、製造時の工数を上記第２の実施形態よりもさらに減らすことができる。
面発光レーザ３０では、不純物領域８３０が、第１の多層膜反射鏡２００ａの下部及び側壁部２００ａ１、基板１００の一部を含む。
面発光レーザ３０は、上述した面発光レーザ１０の製造方法の第１の例に準じた方法（但し、第１のメサ構造１５０に隣接する領域３５０がコンタクト領域ＣＡ２となる）により製造することができる。
【0081】
４．＜本技術に係る面発光レーザの変形例＞
本技術は、上記各実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。
本技術は、上記各実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。
【0082】
例えば、図４７に示す第１実施形態の変形例１に係る面発光レーザ１０Ａでは、コンタクト領域ＣＡ３の上面であるコンタクトホールＣＨ１の底面（エッチング底面）がエッチング停止層５００内に位置している。
変形例１では、不純物領域８５０が、エッチング停止層５００の一部、コンタクト層４００の一部、基板１００の一部及び第１の多層膜反射鏡２００ａの側壁部２００ａ１を含む。
面発光レーザ１０Ａにおいても、不純物領域８５０により、コンタクト領域ＣＡ３から側壁部２００ａ１までの電流経路の低抵抗化が図られているので、アノード電極６００から活性層２００ｂへ電流を効率良く流すことができる。
変形例１では、不純物領域８５０が、エッチング停止層５００の一部、コンタクト層４００の一部、基板１００の一部及び第１の多層膜反射鏡２００ａの側壁部２００ａ１を含む。
面発光レーザ１０Ａにおいても、不純物領域８５０により、コンタクト領域ＣＡ３から側壁部２００ａ１までの電流経路の低抵抗化が図られているので、アノード電極６００から活性層２００ｂへ電流を効率良く流すことができる。
【0083】
例えば、図４８に示す第１実施形態の変形例２に係る面発光レーザ１０Ｂでは、コンタクト領域ＣＡ４の上面であるコンタクトホールＣＨ１の底面（エッチング底面）がコンタクト層４００内に位置している。
変形例２では、不純物領域８６０が、エッチング停止層５００の一部、コンタクト層４００の一部、基板１００の一部及び第１の多層膜反射鏡２００ａの側壁部２００ａ１を含む。
面発光レーザ１０Ｂにおいても、不純物領域８６０により、コンタクト領域ＣＡ４から側壁部２００ａ１までの電流経路の低抵抗化が図られているので、アノード電極６００から活性層２００ｂへ電流を効率良く流すことができる。
変形例２では、不純物領域８６０が、エッチング停止層５００の一部、コンタクト層４００の一部、基板１００の一部及び第１の多層膜反射鏡２００ａの側壁部２００ａ１を含む。
面発光レーザ１０Ｂにおいても、不純物領域８６０により、コンタクト領域ＣＡ４から側壁部２００ａ１までの電流経路の低抵抗化が図られているので、アノード電極６００から活性層２００ｂへ電流を効率良く流すことができる。
【0084】
例えば、図４９に示す第１実施形態の変形例３に係る面発光レーザ１０Ｃでは、コンタクト領域ＣＡ５の上面であるコンタクトホールＣＨ１の底面（エッチング底面）が基板１００内に位置している。
変形例３では、不純物領域８７０が、エッチング停止層５００の一部、コンタクト層４００の一部、基板１００の一部及び第１の多層膜反射鏡２００ａの側壁部２００ａ１を含む。
面発光レーザ１０Ｃにおいても、不純物領域８７０により、コンタクト領域ＣＡ５から側壁部２００ａ１までの電流経路の低抵抗化が図られているので、アノード電極６００から活性層２００ｂへ電流を効率良く流すことができる。
変形例３では、不純物領域８７０が、エッチング停止層５００の一部、コンタクト層４００の一部、基板１００の一部及び第１の多層膜反射鏡２００ａの側壁部２００ａ１を含む。
面発光レーザ１０Ｃにおいても、不純物領域８７０により、コンタクト領域ＣＡ５から側壁部２００ａ１までの電流経路の低抵抗化が図られているので、アノード電極６００から活性層２００ｂへ電流を効率良く流すことができる。
【0085】
上記各実施形態及び各変形例では、第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｃのいずれも半導体多層膜反射鏡であるが、これに限らない。
例えば、第１の多層膜反射鏡２００ａが半導体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡２００ｃが誘電体多層膜反射鏡であってもよい。誘電体多層膜反射鏡も、分布ブラッグ反射鏡の一種である。
例えば、第１の多層膜反射鏡２００ａが誘電体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡２００ｃが半導体多層膜反射鏡であってもよい。
例えば、第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｂのいずれも誘電体多層膜反射鏡であってもよい。
半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、且つ、導電性を有する。この観点からは、半導体多層膜反射鏡は、出射側（裏面側）にあり、且つ、アノード電極６００から活性層２００ｂまでの電流経路上にある第１の多層膜反射鏡２００ａに好適である。
一方、誘電体多層膜反射鏡は、光吸収が極めて少ない。この観点からは、誘電体多層膜反射鏡は、出射側（裏面側）にある第１の多層膜反射鏡２００に好適である。
例えば、第１の多層膜反射鏡２００ａが半導体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡２００ｃが誘電体多層膜反射鏡であってもよい。誘電体多層膜反射鏡も、分布ブラッグ反射鏡の一種である。
例えば、第１の多層膜反射鏡２００ａが誘電体多層膜反射鏡であり、且つ、第２の多層膜反射鏡２００ｃが半導体多層膜反射鏡であってもよい。
例えば、第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｂのいずれも誘電体多層膜反射鏡であってもよい。
半導体多層膜反射鏡は、光吸収が少なく、且つ、導電性を有する。この観点からは、半導体多層膜反射鏡は、出射側（裏面側）にあり、且つ、アノード電極６００から活性層２００ｂまでの電流経路上にある第１の多層膜反射鏡２００ａに好適である。
一方、誘電体多層膜反射鏡は、光吸収が極めて少ない。この観点からは、誘電体多層膜反射鏡は、出射側（裏面側）にある第１の多層膜反射鏡２００に好適である。
【0086】
上記各実施形態及び各変形例では、基板側からレーザ光を出射する裏面出射型の面発光レーザを例にとって説明したが、本技術は、メサ構造側からレーザ光を出射する表面出射型の面発光レーザにも適用可能である。
この場合には、例えばメサ構造の頂部上に設けられる電極を環状又は枠状とすることにより該電極の内側に出射口を形成するか、もしくはメサ構造の頂部上に設けられる電極を発振波長に対して透明な電極とすることが好ましい。
この場合には、例えばメサ構造の頂部上に設けられる電極を環状又は枠状とすることにより該電極の内側に出射口を形成するか、もしくはメサ構造の頂部上に設けられる電極を発振波長に対して透明な電極とすることが好ましい。
【0087】
上記各実施形態及び各変形例では、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体を用いた面発光レーザ１０を例にとって説明したが、本技術は、例えば、ＧａＮ系化合物半導体を用いた面発光レーザにも適用可能である。
具体的には、第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｂの少なくとも一方にＧａＮ系半導体多層膜反射鏡を用いてもよいし、第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｂの少なくとも一方にＧａＮ系誘電体多層膜反射鏡を用いてもよい。
第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｂの少なくとも一方に用いられるＧａＮ系化合物半導体としては、例えばＧａＮ／ＡｌＧａＮ等が挙げられる。
具体的には、第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｂの少なくとも一方にＧａＮ系半導体多層膜反射鏡を用いてもよいし、第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｂの少なくとも一方にＧａＮ系誘電体多層膜反射鏡を用いてもよい。
第１及び第２の多層膜反射鏡２００ａ、２００ｂの少なくとも一方に用いられるＧａＮ系化合物半導体としては、例えばＧａＮ／ＡｌＧａＮ等が挙げられる。
【0088】
上記各実施形態及び各変形例では、面発光レーザ１０が２次元配列された面発光レーザアレイを例にとって説明したが、これに限らない。本技術は、面発光レーザ１０が１次元配列された面発光レーザアレイ、単一の面発光レーザ１０等にも適用可能である。
【0089】
５．＜本技術を適用した面発光レーザの使用例＞
本技術の上記各実施形態及び上記各変形例に係る面発光レーザは、例えば、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ Ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ）センサなど、レーザ光を出射する電子機器へ適用することができる。ＴＯＦセンサへ適用する場合は、例えば、直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサ、間接ＴＯＦ計測法による距離画像センサへ適用することが可能である。直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサでは、フォトンの到来タイミングを各画素において直接時間領域で求めるため、短いパルス幅の光パルスを光源から送信し、受光素子で電気的パルスを生成する。その際の光源に本開示を適用することができる。また、間接ＴＯＦ法では、光で発生したキャリアーの検出と蓄積量が、光の到来タイミングに依存して変化する半導体素子構造を利用して光の飛行時間を計測する。本開示は、そのような間接ＴＦＯ法を用いる場合の光源としても適用することが可能である。
本技術の上記各実施形態及び上記各変形例に係る面発光レーザは、例えば、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ Ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ）センサなど、レーザ光を出射する電子機器へ適用することができる。ＴＯＦセンサへ適用する場合は、例えば、直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサ、間接ＴＯＦ計測法による距離画像センサへ適用することが可能である。直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサでは、フォトンの到来タイミングを各画素において直接時間領域で求めるため、短いパルス幅の光パルスを光源から送信し、受光素子で電気的パルスを生成する。その際の光源に本開示を適用することができる。また、間接ＴＯＦ法では、光で発生したキャリアーの検出と蓄積量が、光の到来タイミングに依存して変化する半導体素子構造を利用して光の飛行時間を計測する。本開示は、そのような間接ＴＦＯ法を用いる場合の光源としても適用することが可能である。
【0090】
本技術に係る面発光レーザは、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される上記ＴＯＦセンサの光源として実現されてもよい。
【0091】
本技術に係る面発光レーザは、レーザ光により画像を形成又は表示する機器（例えばレーザプリンタ、レーザ複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源として実現されてもよい。
【0092】
また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）本技術は、基板と、
前記基板上に形成されたメサ構造と、
を備え、
前記メサ構造は、
前記基板上に積層された第１の多層膜反射鏡の少なくとも一部と、
前記第１の多層膜反射鏡上に積層された活性層と、
前記活性層上に積層された第２の多層膜反射鏡と、
を含み、
前記メサ構造に隣接する、電極と接触するコンタクト領域と、前記メサ構造の、前記第１の多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部と、に跨って不純物領域が設けられている、面発光レーザ。
（２）前記不純物領域は、前記コンタクト領域から前記側壁部にかけて連続している、（１）に記載の面発光レーザ。
（３）前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の全体を含み、前記コンタクト領域は、前記基板の一部を含んでいる、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（４）前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の底部以外の部分を含み、前記コンタクト領域は、前記第１の多層膜反射鏡の前記底部の一部を含む、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（５）前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の全体を含み、前記基板と前記第１の多層膜反射鏡との間に配置されたコンタクト層を更に備え、前記コンタクト領域は、前記コンタクト層の一部を含む、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（６）前記コンタクト領域は、前記基板の一部を含んでいる、請求項（５）に記載の面発光レーザ。
（７）前記コンタクト層の厚さが１μｍ以下である、（５）又は（６）に記載の面発光レーザ。
（８）前記不純物領域の不純物濃度は、５ｘ１０１９ｃｍ－３未満である、（１）～（７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（９）前記メサ構造の、前記コンタクト領域に対して前記電極が配置される側と同じ側の面に別の電極が接触している、（１）～（８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１０）前記基板は、半絶縁性基板又は低ドープ基板である、（１）～（９）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１１）前記面発光レーザは、前記基板の、前記メサ構造側とは反対側へ光を出射する、（１）～（１０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１２）前記面発光レーザは、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体又はＧａＮ系化合物半導体が用いられている、（１）～（１１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１３）前記面発光レーザは、前記第１の多層膜反射鏡と前記第２の多層膜反射鏡との間に配置された電流狭窄層を更に備えている、（１）～（１２）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１４）前記第１及び第２の多層膜反射鏡の少なくとも一方は、半導体多層反射鏡である、（１）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１５）前記第１及び第２の多層膜反射鏡の少なくとも一方は、誘電体多層膜反射鏡である、（１）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１６）（１）～（１５）のいずれか１つに記載の面発光レーザが２次元配列されている面発光レーザアレイ。
（１７）（１６）に記載の面発光レーザアレイを備える電子機器。
（１８）基板上に少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体を少なくとも前記第１多層膜反射鏡の側面の一部が露出するまでエッチングして第１のメサ構造を形成する工程と、
前記第１のメサ構造及び該第１のメサ構造に隣接する領域に絶縁膜を成膜する工程と、
前記隣接する領域に成膜された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記隣接する領域から、前記第１のメサ構造の、前記第１多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部まで不純物を拡散させる工程と、
さらに前記積層体を少なくとも 前記第１の多層膜反射鏡の側面の他部が露出するまでエッチングして前記第１のメサ構造に代わる第２のメサ構造を形成生成する工程と、
前記第２のメサ構造に隣接する領域上に電極を設ける工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法。
（１９）前記積層体を生成する工程では、前記基板上にと前記第１の多層膜反射鏡を積層する前に前記基板上にとの間にコンタクト層を積層し、前記第２のメサ構造を形成する工程では、前記第１のメサ構造が形成された前記積層体を少なくとも前記コンタクト層が露出するまでエッチングする、（１８）に記載の面発光レーザの製造方法。
（２０）基板上に少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体を少なくとも前記第１多層膜反射鏡の側面の少なくとも一部が露出するまでエッチングしてメサ構造を形成する工程と、
前記メサ構造及び該メサ構造に隣接する領域に絶縁膜を成膜する工程と、
前記隣接する領域に成膜された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記隣接する領域から、前記メサ構造の、前記第１の多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部まで不純物を拡散させる工程と、
前記隣接する領域上に電極を設ける工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法。
（２１）前記積層体を生成する工程では、前記基板上にと前記第１の多層膜反射鏡を積層する前に前記基板上にとの間にコンタクト層を積層し、前記メサ構造を形成する工程では、前記積層体を少なくとも前記コンタクト層が露出するまでエッチングする、（２０）に記載の面発光レーザの製造方法。
（１）本技術は、基板と、
前記基板上に形成されたメサ構造と、
を備え、
前記メサ構造は、
前記基板上に積層された第１の多層膜反射鏡の少なくとも一部と、
前記第１の多層膜反射鏡上に積層された活性層と、
前記活性層上に積層された第２の多層膜反射鏡と、
を含み、
前記メサ構造に隣接する、電極と接触するコンタクト領域と、前記メサ構造の、前記第１の多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部と、に跨って不純物領域が設けられている、面発光レーザ。
（２）前記不純物領域は、前記コンタクト領域から前記側壁部にかけて連続している、（１）に記載の面発光レーザ。
（３）前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の全体を含み、前記コンタクト領域は、前記基板の一部を含んでいる、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（４）前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の底部以外の部分を含み、前記コンタクト領域は、前記第１の多層膜反射鏡の前記底部の一部を含む、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（５）前記メサ構造は、前記第１の多層膜反射鏡の全体を含み、前記基板と前記第１の多層膜反射鏡との間に配置されたコンタクト層を更に備え、前記コンタクト領域は、前記コンタクト層の一部を含む、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（６）前記コンタクト領域は、前記基板の一部を含んでいる、請求項（５）に記載の面発光レーザ。
（７）前記コンタクト層の厚さが１μｍ以下である、（５）又は（６）に記載の面発光レーザ。
（８）前記不純物領域の不純物濃度は、５ｘ１０１９ｃｍ－３未満である、（１）～（７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（９）前記メサ構造の、前記コンタクト領域に対して前記電極が配置される側と同じ側の面に別の電極が接触している、（１）～（８）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１０）前記基板は、半絶縁性基板又は低ドープ基板である、（１）～（９）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１１）前記面発光レーザは、前記基板の、前記メサ構造側とは反対側へ光を出射する、（１）～（１０）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１２）前記面発光レーザは、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体又はＧａＮ系化合物半導体が用いられている、（１）～（１１）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１３）前記面発光レーザは、前記第１の多層膜反射鏡と前記第２の多層膜反射鏡との間に配置された電流狭窄層を更に備えている、（１）～（１２）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１４）前記第１及び第２の多層膜反射鏡の少なくとも一方は、半導体多層反射鏡である、（１）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１５）前記第１及び第２の多層膜反射鏡の少なくとも一方は、誘電体多層膜反射鏡である、（１）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１６）（１）～（１５）のいずれか１つに記載の面発光レーザが２次元配列されている面発光レーザアレイ。
（１７）（１６）に記載の面発光レーザアレイを備える電子機器。
（１８）基板上に少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体を少なくとも前記第１多層膜反射鏡の側面の一部が露出するまでエッチングして第１のメサ構造を形成する工程と、
前記第１のメサ構造及び該第１のメサ構造に隣接する領域に絶縁膜を成膜する工程と、
前記隣接する領域に成膜された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記隣接する領域から、前記第１のメサ構造の、前記第１多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部まで不純物を拡散させる工程と、
さらに前記積層体を少なくとも 前記第１の多層膜反射鏡の側面の他部が露出するまでエッチングして前記第１のメサ構造に代わる第２のメサ構造を形成生成する工程と、
前記第２のメサ構造に隣接する領域上に電極を設ける工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法。
（１９）前記積層体を生成する工程では、前記基板上にと前記第１の多層膜反射鏡を積層する前に前記基板上にとの間にコンタクト層を積層し、前記第２のメサ構造を形成する工程では、前記第１のメサ構造が形成された前記積層体を少なくとも前記コンタクト層が露出するまでエッチングする、（１８）に記載の面発光レーザの製造方法。
（２０）基板上に少なくとも第１の多層膜反射鏡、活性層及び第２の多層膜反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
前記積層体を少なくとも前記第１多層膜反射鏡の側面の少なくとも一部が露出するまでエッチングしてメサ構造を形成する工程と、
前記メサ構造及び該メサ構造に隣接する領域に絶縁膜を成膜する工程と、
前記隣接する領域に成膜された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記隣接する領域から、前記メサ構造の、前記第１の多層膜反射鏡で構成される部分の側壁部まで不純物を拡散させる工程と、
前記隣接する領域上に電極を設ける工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法。
（２１）前記積層体を生成する工程では、前記基板上にと前記第１の多層膜反射鏡を積層する前に前記基板上にとの間にコンタクト層を積層し、前記メサ構造を形成する工程では、前記積層体を少なくとも前記コンタクト層が露出するまでエッチングする、（２０）に記載の面発光レーザの製造方法。
【符号の説明】
【0093】
１０：面発光レーザ、１００：基板、１５０：第１のメサ構造、２００：第２のメサ構造（メサ構造）、２００ａ：第１の多層膜反射鏡、２００ｂ：活性層、２００ｃ：第２の多層膜反射鏡、２００ｄ：電流狭窄層、４００：コンタクト層、６００：アノード電極（電極）、８００：不純物領域、１０００：積層体、ＣＡ、ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４、ＣＡ５：コンタクト領域。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
