特許 7570969 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-11

(45)【発行日】2024-10-22

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1368 20060101AFI20241015BHJP

   G02F 1/1334 20060101ALI20241015BHJP

   G02F 1/13357 20060101ALI20241015BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1368

G02F1/1334

G02F1/13357

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2021072049

(22)【出願日】2021-04-21

(65)【公開番号】P2022166675

(43)【公開日】2022-11-02

【審査請求日】2024-03-05

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】花田 明紘

【審査官】植田 裕美子

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－１３４５８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１０１１１６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ １／１３６－１／１３６８

Ｇ０２Ｆ １／１３３４

Ｇ０２Ｆ １／１３３５７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１透明基板と、前記第１透明基板の上に配置された走査線と、前記走査線の上に配置された第１無機絶縁膜と、前記第１無機絶縁膜の上に配置され前記走査線と交差する信号線と、前記第１無機絶縁膜の上に配置された酸化物半導体を備え前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、第１遮光壁と、前記第１無機絶縁膜の上に配置された第２無機絶縁膜と、前記第２無機絶縁膜の上に配置された金属層と、上遮光壁と、を備えた第１基板と、
側面を有する第２透明基板と、前記画素電極に対向する共通電極と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、高分子分散型液晶を含む液晶層と、
前記側面に沿って配置された発光モジュールと、を備え、
前記第１無機絶縁膜は、平面視において、前記酸化物半導体と前記発光モジュールとの間に形成された第１溝を有し、
前記第１遮光壁は、前記第１溝に配置され、
前記第２無機絶縁膜は、前記第１溝に重畳する第１貫通孔を有し、
前記上遮光壁は、前記第１貫通孔に配置され、前記第１遮光壁に重畳し、
前記第１遮光壁は、前記信号線と同一材料によって形成され、
前記上遮光壁は、前記金属層と同一材料によって形成され、
前記金属層は、前記走査線と電気的に接続され、
前記第１遮光壁は、前記信号線と一体的に形成され、
前記上遮光壁は、前記金属層から離間している、表示装置。

【請求項2】

前記スイッチング素子は、第１方向に並んだソース電極及びドレイン電極を備え、
前記酸化物半導体は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にチャネルを有し、
前記第１溝は、前記第１方向に延出し、
前記第１溝の前記第１方向に沿った幅は、前記チャネルの前記第１方向に沿った幅より大きい、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１遮光壁は、前記信号線と一体的に形成されている、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第１基板は、さらに、第２遮光壁を備え、
前記第１無機絶縁膜は、第２溝を有し、
前記第２遮光壁は、前記第２溝に配置され、
前記酸化物半導体は、前記第１方向に交差する第２方向において、前記第１遮光壁と前記第２遮光壁との間に位置し、
前記第１遮光壁と前記第２遮光壁との前記第２方向に沿ったピッチは、前記第２方向に沿った画素ピッチより小さい、請求項２に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第１遮光壁及び前記第２遮光壁は、前記信号線と一体的に形成されている、請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第１基板は、さらに、下遮光壁と、を備え、
前記下遮光壁は、前記走査線と同一材料によって形成され、前記走査線から離間し、前記第１透明基板と前記第１無機絶縁膜との間に配置され、
前記第１遮光壁は、前記下遮光壁に重畳している、請求項１に記載の表示装置。

【請求項7】

第１透明基板と、前記第１透明基板の上に配置された走査線と、前記走査線の上に配置された第１無機絶縁膜と、前記第１無機絶縁膜の上に配置され前記走査線と交差する信号線と、前記第１無機絶縁膜の上に配置された酸化物半導体を備え前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、第１遮光壁と、前記第１無機絶縁膜の上に配置された第２無機絶縁膜と、前記第２無機絶縁膜の上に配置された金属層と、を備えた第１基板と、
側面を有する第２透明基板と、前記画素電極に対向する共通電極と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、高分子分散型液晶を含む液晶層と、
前記側面に沿って配置された発光モジュールと、を備え、
前記第１無機絶縁膜は、平面視において、前記酸化物半導体と前記発光モジュールとの間に形成された第１溝を有し、
前記第１遮光壁は、前記第１溝に配置され、
前記第２無機絶縁膜は、前記第１溝に重畳する第１貫通孔を有し、
前記第１遮光壁は、前記金属層と同一材料によって形成され、前記第１溝及び前記第１貫通孔に配置され、
前記金属層は、前記走査線と電気的に接続され、
前記第１遮光壁は、前記信号線から離間している、表示装置。

【請求項8】

第１透明基板と、前記第１透明基板の上に配置された走査線と、前記走査線の上に配置された第１無機絶縁膜と、前記第１無機絶縁膜の上に配置され前記走査線と交差する信号線と、前記第１無機絶縁膜の上に配置された酸化物半導体を備え前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、第１遮光壁と、前記第１無機絶縁膜の上に配置された第２無機絶縁膜と、前記第２無機絶縁膜の上に配置された金属層と、第２遮光壁と、を備えた第１基板と、
側面を有する第２透明基板と、前記画素電極に対向する共通電極と、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、高分子分散型液晶を含む液晶層と、
前記側面に沿って配置された発光モジュールと、を備え、
前記第１無機絶縁膜は、平面視において、前記酸化物半導体と前記発光モジュールとの間に形成された第１溝を有し、
前記第１遮光壁は、前記第１溝に配置され、
前記第１無機絶縁膜は、第２溝と、第３溝と、を有し、
前記第２無機絶縁膜は、前記第１溝に重畳する第１貫通孔と、前記第２溝に重畳する第２貫通孔と、前記第３溝に重畳する第３貫通孔と、を有し、
前記第１溝及び前記第２溝は、第１方向に延出し、
前記第３溝は、前記第１方向に交差する第２方向に延出し、
前記第１遮光壁及び前記第２遮光壁は、前記金属層と同一材料によって形成され、
前記第１遮光壁は、前記第１溝及び前記第１貫通孔に配置され、
前記第２遮光壁は、前記第２溝及び前記第２貫通孔に配置され、
前記金属層は、前記第３溝及び前記第３貫通孔に配置され、
前記酸化物半導体は、前記第２方向において前記第１溝と前記第２溝との間に位置し、且つ、前記第１方向において前記信号線と前記第３溝との間に位置している、表示装置。

【請求項9】

前記第２方向において、前記第１溝と前記第２溝とのピッチは、画素ピッチより小さい、請求項８に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第１基板は、さらに、前記第２無機絶縁膜の上に配置された補助金属層を備え、
前記第１無機絶縁膜は、第４溝を有し、
前記第２無機絶縁膜は、前記第４溝に重畳する第４貫通孔を有し、
前記第４溝は、前記第２方向に延出し、
前記補助金属層は、前記第４溝及び前記第４貫通孔に配置され、
前記酸化物半導体は、前記第１方向において前記第３溝と前記第４溝との間に位置している、請求項８に記載の表示装置。

【請求項11】

前記第２方向において、前記第１溝と前記第２溝とのピッチは、画素ピッチより小さく、
前記第１方向において、前記第３溝と前記第４溝とのピッチは、画素ピッチより小さい、請求項１０に記載の表示装置。

【請求項12】

平面視において、前記信号線は、蛇行し、前記第１遮光壁から離間している、請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項13】

前記酸化物半導体と前記第１溝との間隔は、１乃至２５μｍである、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、入射光を散乱する散乱状態と入射光を透過する透明状態とを切り替え可能な高分子分散型液晶を用いた装置が種々提案されている。一例では、第１透光性基板と、第２透光性基板と、第１透光性基板と第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、第１透光性基板及び第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部とを備える表示装置が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１８－０２１９７４号公報

【文献】特開２０２０－０９１４００号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本実施形態の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本実施形態の表示装置によれば、
第１透明基板と、前記第１透明基板の上に配置された走査線と、前記走査線の上に配置された第１無機絶縁膜と、前記第１無機絶縁膜の上に配置され前記走査線と交差する信号線と、前記第１無機絶縁膜の上に配置された酸化物半導体を備え前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、第１遮光壁と、を備えた第１基板と、側面を有する第２透明基板と、前記画素電極に対向する共通電極と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、高分子分散型液晶を含む液晶層と、前記側面に沿って配置された発光モジュールと、を備え、前記第１無機絶縁膜は、平面視において、前記酸化物半導体と前記発光モジュールとの間に形成された第１溝を有し、前記第１遮光壁は、前記第１溝に配置されている。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す平面図である。

【図2】図２は、発光モジュール１００の近傍の領域を示す平面図である。

【図3】図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの一構成例を示す断面図である。

【図4】図４は、スイッチング素子ＳＷを含む構成例１を説明するための図である。

【図5】図５は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。

【図6】図６は、図５に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ及び第１遮光壁５１を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【図7】図７は、図５に示したＢ－Ｂ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷを含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【図8】図８は、スイッチング素子ＳＷを含む構成例２を説明するための図である。

【図9】図９は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。

【図10】図１０は、図９に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ、第１遮光壁５１、及び、第２遮光壁５２を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【図11】図１１は、スイッチング素子ＳＷを含む構成例３を説明するための図である。

【図12】図１２は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。

【図13】図１３は、図１２に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ、第１遮光壁５１、及び、上遮光壁５１１を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【図14】図１４は、図１２に示したＢ－Ｂ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷを含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【図15】図１５は、スイッチング素子ＳＷを含む変形例を説明するための図である。

【図16】図１６は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。

【図17】図１７は、図１６に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ、第１遮光壁５１、上遮光壁５１１、及び、下遮光壁５１２を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【図18】図１８は、スイッチング素子ＳＷを含む構成例４を説明するための図である。

【図19】図１９は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。

【図20】図２０は、図１９に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ及び第１遮光壁５１を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【図21】図２１は、図１９に示したＢ－Ｂ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷを含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【図22】図２２は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。

【図23】図２３は、図２２に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ、第１遮光壁５１、及び、第２遮光壁５２を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【図24】図２４は、図２２に示したＢ－Ｂ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷを含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【図25】図２５は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。

【図26】図２６は、図２５に示したＢ－Ｂ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷを含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【図27】図２７は、表示装置ＤＳＰの断面図である。なお、表示パネルＰＮＬについては、主要部のみを簡略化して図示している。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0008】

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本実施形態においては、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面を見ることを平面視という。

【0009】

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板１と、ＩＣチップ２と、発光モジュール１００と、を備えている。

【0010】

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、高分子分散型液晶を含む液晶層ＬＣと、シールＳＬと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、Ｘ－Ｙ平面に沿った平板状に形成されている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、平面視において重畳している。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が重畳する領域は、画像を表示する表示領域ＤＡを含んでいる。

【0011】

第１基板ＳＵＢ１は第１透明基板１０を備え、第２基板ＳＵＢ２は第２透明基板２０を備えている。第１透明基板１０は、第１方向Ｘに沿った側面１０１及び１０２と、第２方向Ｙに沿った側面１０３及び１０４と、を有している。第２透明基板２０は、第１方向Ｘに沿った側面２０１及び２０２と、第２方向Ｙに沿った側面２０３及び２０４と、を有している。

【0012】

図１に示す例では、平面視において、側面１０２及び２０２、側面１０３及び２０３、及び、側面１０４及び２０４は、それぞれ重畳しているが、必ずしも重畳していなくてもよい。側面２０１は、側面１０１に重畳せず、側面１０１と表示領域ＤＡとの間に位置している。第１基板ＳＵＢ１は、側面１０１と側面２０１との間に延出部Ｅｘを有している。つまり、延出部Ｅｘは、第１基板ＳＵＢ１のうち、第２基板ＳＵＢ２と重畳する部分から第２方向Ｙに延出した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２には重畳していない。

【0013】

また、図１に示す例では、表示パネルＰＮＬは、第１方向Ｘに延びた長方形状に形成されている。つまり、側面１０１及び１０２、及び、側面２０１及び２０２は、表示パネルＰＮＬの長辺に沿った側面であり、側面１０３及び１０４、及び、側面２０３及び２０４は、表示パネルＰＮＬの短辺に沿った側面である。なお、表示パネルＰＮＬは、第２方向Ｙに延びた長方形状に形成されてもよいし、正方形状に形成されてもよいし、他の多角形状、あるいは、円形状、楕円形状などの他の形状に形成されてもよい。

【0014】

配線基板１及びＩＣチップ２は、延出部Ｅｘに実装されている。配線基板１は、例えば折り曲げ可能なフレキシブルプリント回路基板である。ＩＣチップ２は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバなどを内蔵している。なお、ＩＣチップ２は、配線基板１に実装されてもよい。図１に示す例では、表示パネルＰＮＬに対して、第１方向Ｘに並んだ複数の配線基板１が実装されているが、第１方向Ｘに延びた単一の配線基板１が実装されてもよい。また、表示パネルＰＮＬに対して、第１方向Ｘに並んだ複数のＩＣチップ２が実装されているが、第１方向Ｘに延びた単一のＩＣチップ２が実装されてもよい。

【0015】

発光モジュール１００の詳細については後述するが、発光モジュール１００は、平面視において、延出部Ｅｘに重畳し、第２透明基板２０の側面２０１に沿って配置されている。

【0016】

シールＳＬは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着している。また、シールＳＬは、矩形枠状に形成され、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間において液晶層ＬＣを囲んでいる。

【0017】

液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持されている。このような液晶層ＬＣは、平面視において、シールＳＬで囲まれた領域（表示領域ＤＡを含む）に亘って配置されている。

【0018】

図１において拡大して模式的に示すように、液晶層ＬＣは、ポリマー３１と、液晶分子３２と、を含んでいる。一例では、ポリマー３１は、液晶性ポリマーである。ポリマー３１は、第１方向Ｘに沿って延出した筋状に形成され、第２方向Ｙに並んでいる。液晶分子３２は、ポリマー３１の隙間に分散され、その長軸が第１方向Ｘに沿うように初期配向している。ポリマー３１及び液晶分子３２の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。

【0019】

一例では、ポリマー３１の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子３２の配向方向は、液晶層ＬＣにしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。液晶層ＬＣに電圧が印加されていない状態（初期配向状態）では、ポリマー３１及び液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いにほぼ平行であり、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣをほとんど透過する（透明状態）。液晶層ＬＣに電圧が印加された状態では、液晶分子３２の配向方向が変化し、ポリマー３１及び液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いに交差する。このため、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内で散乱される（散乱状態）。

【0020】

図２は、発光モジュール１００の近傍の領域を示す平面図である。発光モジュール１００は、複数の発光素子１１０と、導光体１２０と、を備えている。複数の発光素子１１０は、第１方向Ｘに沿って並んでいる。導光体１２０は、第１方向Ｘの延びた棒状に形成されている。導光体１２０は、シールＳＬと発光素子１１０との間に位置している。

【0021】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。これらの画素ＰＸは、図中に点線で示している。また、画素ＰＸの各々は、図中に実線の四角で示す画素電極ＰＥを備えている。

【0022】

図２において拡大して示すように、各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷを備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。

【0023】

共通電極ＣＥ及び給電線ＣＬは、表示領域ＤＡ及びその周辺領域に亘って配置されている。共通電極ＣＥには、所定の電圧Ｖｃｏｍが印加される。給電線ＣＬには、例えば共通電極ＣＥと同電位の電圧が印加される。

【0024】

画素電極ＰＥの各々は、第３方向Ｚにおいて共通電極ＣＥと対向している。表示領域ＤＡにおいては、液晶層ＬＣ（特に、液晶分子３２）は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって駆動される。容量ＣＳは、例えば、給電線ＣＬと画素電極ＰＥとの間に形成される。

【0025】

図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの一構成例を示す断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、第１透明基板１０と、絶縁膜１１及び１２と、容量電極１３と、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥと、配向膜ＡＬ１と、を備えている。第１透明基板１０は、主面（外面）１０Ａと、主面１０Ａの反対側の主面（内面）１０Ｂと、を有している。スイッチング素子ＳＷは、第１透明基板１０の主面１０Ｂの側に配置されている。絶縁膜１１は、第１透明基板１０及びスイッチング素子ＳＷの上に配置されている。なお、図２に示した走査線Ｇ及び信号線Ｓは、第１透明基板１０と絶縁膜１１との間に配置されているが、ここでは図示を省略している。

【0026】

容量電極１３は、図２に示した給電線ＣＬと電気的に接続され、絶縁膜１１及び１２の間に配置されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１２と配向膜ＡＬ１との間において、画素ＰＸ毎に配置されている。画素電極ＰＥは、容量電極１３の開口部ＯＰを介してスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１２を挟んで、容量電極１３と重畳し、画素ＰＸの容量ＣＳを形成している。配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥを覆っている。配向膜ＡＬ１は、液晶層ＬＣに接している。

【0027】

第２基板ＳＵＢ２は、第２透明基板２０と、共通電極ＣＥと、配向膜ＡＬ２と、を備えている。第２透明基板２０は、主面（内面）２０Ａと、主面２０Ａの反対側の主面（外面）２０Ｂと、を有している。第２透明基板２０の主面２０Ａは、第１透明基板１０の主面１０Ｂと向かい合っている。共通電極ＣＥは、主面２０Ａに配置されている。配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥを覆っている。配向膜ＡＬ２は、液晶層ＬＣに接している。

【0028】

なお、第２基板ＳＵＢ２において、スイッチング素子ＳＷ、走査線Ｇ、及び、信号線Ｓの直上にそれぞれ遮光層が設けられてもよい。また、第２透明基板２０と共通電極ＣＥとの間、あるいは、共通電極ＣＥと配向膜ＡＬ２との間に、透明な絶縁膜が設けられてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置され、第３方向Ｚにおいて、複数の画素電極ＰＥと対向している。また、共通電極ＣＥは、容量電極１３と電気的に接続されており、容量電極１３とは同電位である。
液晶層ＬＣは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に位置している。

【0029】

第１透明基板１０及び第２透明基板２０は、例えばガラス基板であるが、プラスチック基板などの絶縁基板であってもよい。絶縁膜１１は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの透明な無機絶縁膜、及び、アクリル樹脂などの透明な有機絶縁膜の少なくとも一方である。絶縁膜１２は、シリコン窒化物などの透明な無機絶縁膜である。容量電極１３、画素電極ＰＥ、及び、共通電極ＣＥは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、Ｘ－Ｙ平面に略平行な配向規制力を有する水平配向膜である。一例では、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、第１方向Ｘに沿って配向処理されている。なお、配向処理とは、ラビング処理であってもよいし、光配向処理であってもよい。

【0030】

《構成例１》
図４は、スイッチング素子ＳＷを含む構成例１を説明するための図である。

【0031】

スイッチング素子ＳＷは、酸化物半導体ＳＣと、ゲート電極ＧＥと、ソース電極ＳＥと、ドレイン電極ＤＥと、を備えている。ゲート電極ＧＥは、走査線Ｇと電気的に接続されている。酸化物半導体ＳＣは、ゲート電極ＧＥに重畳している。ソース電極ＳＥは、酸化物半導体ＳＣに接し、信号線Ｓと電気的に接続されている。ドレイン電極ＤＥは、酸化物半導体ＳＣに接し、画素電極ＰＥと電気的に接続されている。

【0032】

ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、第１方向Ｘにおいて間隔を置いて並んでいる。酸化物半導体ＳＣのうち、ソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとの間の領域は、チャネルＳＣＣに相当する。酸化物半導体ＳＣは、第１方向Ｘにおいて幅Ｗ１を有している。また、チャネルＳＣＣは、第１方向Ｘにおいて幅Ｗ１１を有している。幅Ｗ１１は、幅Ｗ１より小さい（Ｗ１１＜Ｗ１）。

【0033】

第１無機絶縁膜ＩＬ１は、ゲート電極ＧＥと酸化物半導体ＳＣとの間に介在している。第１無機絶縁膜ＩＬ１は、第１溝ＧＲ１を有している。第１溝ＧＲ１は、第１方向Ｘに延出している。第１溝ＧＲ１は、第２方向Ｙにおいて酸化物半導体ＳＣと発光モジュール１００（あるいは発光素子１１０）との間に位置し、酸化物半導体ＳＣに近接している。第１溝ＧＲ１は、第１方向Ｘにおいて幅Ｗ１２を有している。第１溝ＧＲ１の幅Ｗ１２は、チャネルＳＣＣの幅Ｗ１１より大きい（Ｗ１２＞Ｗ１１）。

【0034】

第１遮光壁５１は、第１溝ＧＲ１の全体に充填されるように配置されている。第１遮光壁５１は、第１方向Ｘに延出している。第１遮光壁５１は、第１方向Ｘにおいて幅Ｗ１３を有している。第１遮光壁５１の幅Ｗ１３は第１溝ＧＲ１の幅Ｗ１２より大きく（Ｗ１３＞Ｗ１２）、幅Ｗ１３は幅Ｗ１１より大きい（Ｗ１３＞Ｗ１１）。また、第１遮光壁５１の幅Ｗ１３は、第１溝ＧＲ１の幅Ｗ１２より小さくてもよい（Ｗ１２＞Ｗ１３）。ただし、第１遮光壁５１の幅Ｗ１３は幅Ｗ１１より大きい（Ｗ１３＞Ｗ１１）という関係は変わらない。

【0035】

第１方向Ｘに延出した第１溝ＧＲ１及び第１遮光壁５１のそれぞれの一端部は、第２方向Ｙにおいて、ソース電極ＳＥに対向している。また、第１溝ＧＲ１及び第１遮光壁５１のそれぞれの他端部は、第２方向Ｙにおいて、ドレイン電極ＤＥに対向している。図示した例では、第１遮光壁５１は、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥの双方から離間している。

【0036】

チャネルＳＣＣは、第２方向Ｙにおいて、第１溝ＧＲ１及び第１遮光壁５１に対向している。酸化物半導体ＳＣと第１溝ＧＲ１との第２方向Ｙに沿った間隔Ｄ１は、第２方向Ｙにおける画素ピッチあるいは走査線のピッチより小さく、例えば、１乃至２５μｍである。

【0037】

次に、実施例１について説明する。

【0038】

図５は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。ここでは、第１基板ＳＵＢ１に含まれる主要部のみを図示している。

【0039】

複数の走査線Ｇは、それぞれ第１方向Ｘに延出している。複数の信号線Ｓは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、複数の走査線Ｇと交差している。本明細書において、画素ＰＸとは、隣接する２本の走査線Ｇと、隣接する２本の信号線Ｓとで規定された領域に相当する。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ及び信号線Ｓの交差部に配置されている。

【0040】

スイッチング素子ＳＷにおいて、ゲート電極ＧＥは走査線Ｇと一体的に形成され、ソース電極ＳＥは信号線Ｓと一体的に形成されている。ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥ及び信号線Ｓと一括して形成される。また、第１遮光壁５１は、信号線Ｓと一体的に形成されている。なお、第１遮光壁５１は、信号線Ｓから離間していてもよい。ドレイン電極ＤＥは、コンタクトホールＣＨにおいて、画素電極ＰＥと接している。コンタクトホールＣＨは、図３に示した開口部ＯＰに重畳しており、絶縁膜１１の貫通孔に相当する。

【0041】

各画素ＰＸにおいて、第１遮光壁５１あるいは第１溝ＧＲ１は、隣接する２本の走査線Ｇの間に位置している。例えば、図示した２本の走査線Ｇを走査線ＧＡ及びＧＢとして区別すると、走査線ＧＡは、発光モジュール１００に近接する側に位置する走査線であって、走査線ＧＢと発光モジュール１００との間に位置している。走査線ＧＡと走査線ＧＢとの間に位置する第１遮光壁５１及び第１溝ＧＲ１に着目すると、これらの第１遮光壁５１及び第１溝ＧＲ１は、走査線ＧＢ（発光モジュール１００から遠い側の走査線）に近接している。つまり、第２方向Ｙにおいて、第１遮光壁５１と走査線ＧＢとの距離は、第１遮光壁５１と走査線ＧＡとの距離より小さい。あるいは、第２方向Ｙにおいて、第１溝ＧＲ１と走査線ＧＢとの距離は、第１溝ＧＲ１と走査線ＧＡとの距離より小さい。

【0042】

第２方向Ｙに並んだ第１遮光壁５１（あるいは第１溝ＧＲ１）のピッチは、第２方向Ｙに並んだ画素電極ＰＥのピッチ（以下、画素ピッチと称する）と同等であり、また、第２方向Ｙに並んだ走査線Ｇのピッチと同等である。酸化物半導体ＳＣと第１遮光壁５１（あるいは第１溝ＧＲ１）との間隔は、第２方向Ｙの画素ピッチより小さく、走査線Ｇのピッチより小さい。

【0043】

このようなレイアウトにおいて、発光モジュール１００から出射された照明光は、点線の矢印で示したように、第２方向Ｙに沿って進行し、スイッチング素子ＳＷの近傍において第１遮光壁５１によって遮られる。これにより、スイッチング素子ＳＷ、特に酸化物半導体ＳＣへの照明光の到達が抑制される。

【0044】

図６は、図５に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ及び第１遮光壁５１を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。図７は、図５に示したＢ－Ｂ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷを含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【0045】

走査線Ｇ及びゲート電極ＧＥは、第１透明基板１０の主面１０Ｂに配置されている。第１無機絶縁膜ＩＬ１は、主面１０Ｂに配置され、また、走査線Ｇ及びゲート電極ＧＥの上に配置されている。チャネルＳＣＣを含む酸化物半導体ＳＣは、第１無機絶縁膜ＩＬ１の上に配置されている。

【0046】

信号線Ｓ及びソース電極ＳＥは、第１無機絶縁膜ＩＬ１の上に配置され、走査線Ｇと交差している。ドレイン電極ＤＥは、第１無機絶縁膜ＩＬ１の上に配置されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、それぞれ酸化物半導体ＳＣに接している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、同一材料によって形成されている。酸化物半導体ＳＣにおいて、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと接する領域は、チャネルＳＣＣよりも低抵抗である。

【0047】

第１無機絶縁膜ＩＬ１において、第１溝ＧＲ１は、第１透明基板１０まで貫通している。第１遮光壁５１は、第１溝ＧＲ１に配置され、第１透明基板１０に接している。第１遮光壁５１のうち、第１溝ＧＲ１に充填された部分が第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光を遮る部分に相当する。第１遮光壁５１は、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと同一層に位置しており、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと同一材料によって形成されている。図示していないが、図１５乃至図１７にて後述するように、走査線Ｇと一体的に形成された下遮光壁を第１溝ＧＲ１の直下に配置してもよい。

【0048】

第２無機絶縁膜ＩＬ２は、第１無機絶縁膜ＩＬ１の上に配置されている。また、第２無機絶縁膜ＩＬ２は、信号線Ｓ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、酸化物半導体ＳＣのチャネルＳＣＣ、及び、第１遮光壁５１の上に配置されている。ここでは、第２無機絶縁膜ＩＬ２よりも上層の図示を省略するが、例えば、有機絶縁膜が第２無機絶縁膜ＩＬ２の上に配置され、これらの有機絶縁膜及び第２無機絶縁膜ＩＬ２が図３に示した絶縁膜１１に相当する。

【0049】

走査線Ｇ、ゲート電極ＧＥ、信号線Ｓ、ソース電極ＳＥ、及び、ドレイン電極ＤＥは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成される。

【0050】

第１遮光壁５１は、信号線Ｓなどと同一材料によって形成されており、例えば、チタン系材料／アルミニウム系材料／チタン系材料積層体によって構成されている。なお、第１遮光壁５１を形成する材料としては、上記の例に限らない。反射による迷光を抑制する観点では、第１遮光壁５１は、チタン、モリブデン、タングステンなどの低反射率の材料で形成されることが望ましい。

【0051】

第１無機絶縁膜ＩＬ１及び第２無機絶縁膜ＩＬ２の各々は、単層体であってもよいし積層体であってもよい。但し、第１無機絶縁膜ＩＬ１及び第２無機絶縁膜ＩＬ２は、酸化物半導体ＳＣに接する酸化物層を含んでいることが望ましい。このような酸化物層は、酸化物半導体ＳＣに対して酸素を供給し、酸化物半導体ＳＣの酸化あるいは高抵抗化を促進する。

【0052】

一例では、第１無機絶縁膜ＩＬ１は、下層（走査線Ｇに接する層）としてのシリコン窒化物層と、上層（酸化物半導体ＳＣに接する層）としてのシリコン酸化物層と、を有している。下層は上層よりも厚く、例えば、下層の厚さは約３００ｎｍであり、上層の厚さは約２００ｎｍであり、第１無機絶縁膜ＩＬ１の総厚は約５００ｎｍである。
第２無機絶縁膜ＩＬ２は、下層（チャネルＳＣＣに接する層）としてのシリコン酸化物層と、上層としてのシリコン窒化物層、とを有している。下層は上層よりも厚く、例えば、下層の厚さは約３００ｎｍであり、上層の厚さは約１００ｎｍであり、第１無機絶縁膜ＩＬ１の総厚は約４００ｎｍである。

【0053】

上述した例によれば、照明光のうち、第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光が第１遮光壁５１によって遮られる。このため、酸化物半導体ＳＣの照明光による劣化が抑制される。このため、スイッチング素子ＳＷにおけるしきい値電圧の不所望なシフトが抑制され、信頼性の低下を抑制することができる。

【0054】

なお、第１無機絶縁膜ＩＬ１の第１溝ＧＲ１は、表示領域ＤＡの外側で信号線Ｓと同一層の配線と走査線Ｇと同一層の配線とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する際に同時に形成される。また、第１遮光壁５１は、信号線Ｓなどと同一工程で形成される。このため、第１遮光壁５１を形成するための別途の工程が不要であり、製造工程数の増加が抑制される。

【0055】

次に、他の構成例について説明する。なお、同一構成については説明を省略する場合がある。

【0056】

《構成例２》
図８は、スイッチング素子ＳＷを含む構成例２を説明するための図である。
構成例２は、構成例１と比較して、さらに、第２遮光壁５２が配置された点で相違している。スイッチング素子ＳＷの構成は、図４を参照して説明した構成例１と同様である。

【0057】

第１無機絶縁膜ＩＬ１は、第２溝ＧＲ２を有している。第２溝ＧＲ２は、第１方向Ｘに延出し、第１溝ＧＲ１とほぼ平行である。酸化物半導体ＳＣは、第２方向Ｙにおいて、第１溝ＧＲ１と第２溝ＧＲ２との間に位置している。第２溝ＧＲ２は、第１溝ＧＲ１と同等の幅を有している。

【0058】

第２遮光壁５２は、第２溝ＧＲ２の全体に充填されるように配置されている。第２遮光壁５２は、第１方向Ｘに延出し、第１遮光壁５１とほぼ平行である。酸化物半導体ＳＣは、第２方向Ｙにおいて、第１遮光壁５１と第２遮光壁５２との間に位置している。第２遮光壁５２は、第１遮光壁５１と同等の幅を有している。

【0059】

第１方向Ｘに延出した第２溝ＧＲ２及び第２遮光壁５２のそれぞれの一端部は、第２方向Ｙにおいて、ソース電極ＳＥに対向している。また、第２溝ＧＲ２及び第２遮光壁５２のそれぞれの他端部は、第２方向Ｙにおいて、ドレイン電極ＤＥに対向している。図示した例では、第２遮光壁５２は、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥの双方から離間している。

【0060】

チャネルＳＣＣは、第２方向Ｙにおいて、第２溝ＧＲ２及び第２遮光壁５２に対向している。酸化物半導体ＳＣと第２溝ＧＲ２との第２方向Ｙに沿った間隔Ｄ２は、間隔Ｄ１と同等であり、例えば、１乃至２５μｍである。
また、第１遮光壁５１と第２遮光壁５２との第２方向Ｙに沿ったピッチＰ１は、第２方向Ｙにおける画素ピッチあるいは走査線のピッチより小さい。

【0061】

次に、実施例２について説明する。

【0062】

図９は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。ここでは、第１基板ＳＵＢ１に含まれる主要部のみを図示している。

【0063】

第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２は、信号線Ｓと一体的に形成されている。なお、第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２は、信号線Ｓから離間していてもよい。

【0064】

各画素ＰＸにおいて、第１遮光壁５１（あるいは第１溝ＧＲ１）、及び、第２遮光壁５２（あるいは第２溝ＧＲ２）は、隣接する２本の走査線Ｇの間に位置している。例えば、走査線ＧＡと走査線ＧＢとの間に位置する第２遮光壁５２及び第２溝ＧＲ２に着目すると、これらの第２遮光壁５２及び第２溝ＧＲ２は、走査線ＧＡ（発光モジュール１００に近い側の走査線）に近接している。つまり、第２方向Ｙにおいて、第２遮光壁５２と走査線ＧＢとの距離は、第２遮光壁５２と走査線ＧＡとの距離より大きい。あるいは、第２方向Ｙにおいて、第２溝ＧＲ２と走査線ＧＢとの距離は、第２溝ＧＲ２と走査線ＧＡとの距離より大きい。
また、第１遮光壁５１は第２方向Ｙにおいて第２遮光壁５２と走査線ＧＢとの間に位置し、第２遮光壁５２は第２方向Ｙにおいて走査線ＧＡと第１遮光壁５１との間に位置している。走査線ＧＡと走査線ＧＢとの間の第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２のピッチは、走査線ＧＡを挟む第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２のピッチより大きい。

【0065】

第２方向Ｙに並んだ第２遮光壁５２（あるいは第２溝ＧＲ２）のピッチは、第２方向Ｙの画素ピッチと同等であり、また、第２方向Ｙに並んだ走査線Ｇのピッチと同等である。酸化物半導体ＳＣと第２遮光壁５２（あるいは第２溝ＧＲ２）との間隔は、第２方向Ｙの画素ピッチより小さく、走査線Ｇのピッチより小さい。

【0066】

また、１つの酸化物半導体ＳＣを挟む第１遮光壁５１（あるいは第１溝ＧＲ１）と第２遮光壁５２（あるいは第２溝ＧＲ２）とのピッチは、第２方向Ｙの画素ピッチより小さく、走査線Ｇのピッチより小さい。

【0067】

このようなレイアウトにおいて、発光モジュール１００から出射された照明光は、点線の矢印で示したように、第２方向Ｙに沿って進行し、スイッチング素子ＳＷの近傍において第１遮光壁５１によって遮られる。また、たとえ第１遮光壁５１で照明光が反射されたとしても、その反射光は、スイッチング素子ＳＷの近傍において第２遮光壁５２によって遮られる。これにより、スイッチング素子ＳＷ、特に酸化物半導体ＳＣへの照明光の到達が抑制される。

【0068】

図１０は、図９に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ、第１遮光壁５１、及び、第２遮光壁５２を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。なお、図９に示したＢ－Ｂ’線に沿った断面は、図７に示した通りであり、図示を省略する。

【0069】

第１無機絶縁膜ＩＬ１において、第１溝ＧＲ１及び第２溝ＧＲ２の各々は、第１透明基板１０まで貫通している。第２遮光壁５２は、第２溝ＧＲ２に配置され、第１透明基板１０に接している。第２遮光壁５２のうち、第２溝ＧＲ２に充填された部分が第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光を遮る部分に相当する。第２遮光壁５２は、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと同一層に位置しており、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと同一材料によって形成されている。第２無機絶縁膜ＩＬ２は、第２遮光壁５２の上に配置されている。

【0070】

上述した例によれば、照明光のうち、第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光が第１遮光壁５１によって遮られる。また、隣接する第１遮光壁５１で反射された反射光のうち、第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光が第２遮光壁５２によって遮られる。このため、上記したのと同様の効果が得られる。

【0071】

《構成例３》
図１１は、スイッチング素子ＳＷを含む構成例３を説明するための図である。
構成例３は、構成例１と比較して、上遮光壁５１１及び金属層Ｍが配置された点で相違している。スイッチング素子ＳＷの構成は、図４を参照して説明した構成例１と同様である。金属層Ｍは、平面視において、酸化物半導体ＳＣのチャネルＳＣＣに重畳している。また、図示した例では、金属層Ｍは、ソース電極ＳＥの一部及びドレイン電極ＤＥの一部にそれぞれ重畳している。

【0072】

第２無機絶縁膜ＩＬ２は、第１溝ＧＲ１に重畳する第１貫通孔ＴＨ１を有している。第１貫通孔ＴＨ１は、第１方向Ｘに延出し、第１溝ＧＲ１と同等の幅を有している。
上遮光壁５１１は、第１貫通孔ＴＨ１の全体に充填されるように配置され、第１遮光壁５１に重畳している。上遮光壁５１１は、第１方向Ｘに延出し、第１遮光壁５１と同等の幅を有している。

【0073】

第１方向Ｘに延出した第１遮光壁５１及び上遮光壁５１１のそれぞれの一端部は、第２方向Ｙにおいて、ソース電極ＳＥに対向している。また、第１遮光壁５１及び上遮光壁５１１のそれぞれの他端部は、第２方向Ｙにおいて、ドレイン電極ＤＥに対向している。チャネルＳＣＣ及び金属層Ｍは、第２方向Ｙにおいて、第１遮光壁５１及び上遮光壁５１１に対向している。

【0074】

次に、実施例３について説明する。

【0075】

図１２は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。ここでは、第１基板ＳＵＢ１に含まれる主要部のみを図示している。

【0076】

接続電極ＣＮは、走査線Ｇに重畳している。接続電極ＣＮ及びドレイン電極ＤＥは、第１方向Ｘに並んでいる。金属層Ｍは、走査線Ｇに重畳し、第１方向Ｘに延出している。金属層Ｍは、さらに、信号線Ｓの一部、酸化物半導体ＳＣ、ドレイン電極ＤＥの一部、及び、接続電極ＣＮに重畳している。

【0077】

第１遮光壁５１は、信号線Ｓと一体的に形成されている。上遮光壁５１１は、第１遮光壁５１及び信号線Ｓに重畳している。上遮光壁５１１は、金属層Ｍから離間している。

【0078】

各画素ＰＸにおいて、上遮光壁５１１（あるいは第１貫通孔ＴＨ１）は、構成例１で説明した第１遮光壁５１と同様に、隣接する２本の走査線Ｇの間に位置している。例えば、走査線ＧＡと走査線ＧＢとの間に位置する第１遮光壁５１及び第１溝ＧＲ１に着目すると、これらの上遮光壁５１１及び第１貫通孔ＴＨ１は、走査線ＧＢに近接している。
第２方向Ｙに並んだ上遮光壁５１１（あるいは第１貫通孔ＴＨ１）のピッチは、第２方向Ｙの画素ピッチと同等であり、また、走査線Ｇのピッチと同等である。

【0079】

このようなレイアウトにおいて、発光モジュール１００から出射された照明光は、点線の矢印で示したように、第２方向Ｙに沿って進行し、スイッチング素子ＳＷの近傍において第１遮光壁５１及び上遮光壁５１１によって遮られる。これにより、スイッチング素子ＳＷ、特に酸化物半導体ＳＣへの照明光の到達が抑制される。

【0080】

図１３は、図１２に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ、第１遮光壁５１、及び、上遮光壁５１１を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。図１４は、図１２に示したＢ－Ｂ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷを含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【0081】

第２無機絶縁膜ＩＬ２において、第１貫通孔ＴＨ１は、第１溝ＧＲ１の直上に形成され、第１遮光壁５１まで貫通している。上遮光壁５１１は、第１貫通孔ＴＨ１に配置され、第１遮光壁５１に接している。上遮光壁５１１のうち、第１貫通孔ＴＨ１に充填された部分が第２無機絶縁膜ＩＬ２を伝播する光を遮る部分に相当する。

【0082】

接続電極ＣＮは、第１無機絶縁膜ＩＬ１を貫通するコンタクトホールＣＨ１に配置され、走査線Ｇに接している。接続電極ＣＮは、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと同一層に位置しており、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと同一材料によって形成されている。また、接続電極ＣＮは、第１遮光壁５１と同一材料によって形成されている。

【0083】

金属層Ｍは、第２無機絶縁膜ＩＬ２の上に配置され、チャネルＳＣＣの直上に位置している。また、金属層Ｍは、接続電極ＣＮの直上に延出し、第２無機絶縁膜ＩＬ２を貫通するコンタクトホールＣＨ２に配置され、接続電極ＣＮに接している。これにより、金属層Ｍは、走査線Ｇと電気的に接続される。金属層Ｍは、上遮光壁５１１と同一層に位置しており、上遮光壁５１１と同一材料によって形成されている。

【0084】

上遮光壁５１１及び金属層Ｍは、例えば、モリブデン系材料／アルミニウム系材料／モリブデン系材料積層体によって構成されている。なお、上遮光壁５１１を形成する材料としては、上記の例に限らない。反射による迷光を抑制する観点では、上遮光壁５１１は、チタン、モリブデン、タングステンなどの低反射率の材料で形成されることが望ましい。

【0085】

上遮光壁５１１は、信号線Ｓと一体の第１遮光壁５１に接しており、信号線Ｓと電気的に接続されている。このため、上遮光壁５１１は、走査線Ｇと電気的に接続された金属層Ｍから離間している。

【0086】

上述した例によれば、照明光のうち、第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光が第１遮光壁５１によって遮られる。また、第２無機絶縁膜ＩＬ２を伝播する光が上遮光壁５１１によって遮られる。このため、上記したのと同様の効果が得られる。

【0087】

ここで説明した構成例３の技術思想は、上記の構成例２に適用することができ、第２遮光壁５２に重畳する上遮光壁が追加されてもよい。

【0088】

《構成例３；変形例》
図１５は、スイッチング素子ＳＷを含む変形例を説明するための図である。
変形例は、構成例１と比較して、上遮光壁５１１及び金属層Ｍの他に、さらに、下遮光壁５１２が配置された点で相違している。スイッチング素子ＳＷの構成は、図４を参照して説明した構成例１と同様である。上遮光壁５１１及び金属層Ｍについては、上記の構成例３で説明した通りである。

【0089】

下遮光壁５１２は、第１遮光壁５１及び上遮光壁５１１に重畳している。下遮光壁５１２は、第１方向Ｘに延出している。また、下遮光壁５１２は、ゲート電極ＧＥから離間している。

【0090】

第１方向Ｘに延出した第１遮光壁５１、上遮光壁５１１、及び、下遮光壁５１２のそれぞれの一端部は、第２方向Ｙにおいて、ソース電極ＳＥに対向している。また、第１遮光壁５１、上遮光壁５１１、及び、下遮光壁５１２のそれぞれの他端部は、第２方向Ｙにおいて、ドレイン電極ＤＥに対向している。チャネルＳＣＣ及び金属層Ｍは、第２方向Ｙにおいて、第１遮光壁５１、上遮光壁５１１、及び、下遮光壁５１２に対向している。

【0091】

次に、変形例について説明する。

【0092】

図１６は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。ここでは、第１基板ＳＵＢ１に含まれる主要部のみを図示している。

【0093】

第１遮光壁５１は、信号線Ｓと一体的に形成されている。上遮光壁５１１及び下遮光壁５１２は、第１遮光壁５１及び信号線Ｓに重畳している。上遮光壁５１１は金属層Ｍから離間し、下遮光壁５１２は走査線Ｇから離間している。

【0094】

図１７は、図１６に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ、第１遮光壁５１、上遮光壁５１１、及び、下遮光壁５１２を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。なお、図１６に示したＢ－Ｂ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷを含む第１基板ＳＵＢ１の断面は、図１４に示した通りであり、図示を省略する。

【0095】

下遮光壁５１２は、走査線Ｇ及びゲート電極ＧＥから離間し、第１透明基板１０と第１無機絶縁膜ＩＬ１との間に配置されている。下遮光壁５１２は、走査線Ｇ及びゲート電極ＧＥと同一層に位置しており、走査線Ｇ及びゲート電極ＧＥと同一材料によって形成されている。

【0096】

第１無機絶縁膜ＩＬ１において、第１溝ＧＲ１は、下遮光壁５１２まで貫通している。第１遮光壁５１は、第１溝ＧＲ１に配置され、下遮光壁５１２に接している。
第２無機絶縁膜ＩＬ２において、第１貫通孔ＴＨ１は、第１溝ＧＲ１の直上に形成され、第１遮光壁５１まで貫通している。上遮光壁５１１は、第１貫通孔ＴＨ１に配置され、第１遮光壁５１に接している。このように、変形例では、下遮光壁５１２、第１遮光壁５１、及び、上遮光壁５１１の積層体が発光モジュールからの照明光を遮るように構成されている。

【0097】

このような変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。

【0098】

ここで説明した構成例３の変形例の技術思想は、上記の構成例２に適用することができ、第２遮光壁５２に重畳する上遮光壁及び下遮光壁が追加されてもよい。

【0099】

《構成例４》
図１８は、スイッチング素子ＳＷを含む構成例４を説明するための図である。
構成例３は、構成例１と比較して、金属層Ｍが配置され、第１遮光壁５１が第１溝ＧＲ１及び第１貫通孔ＴＨ１に配置された点で相違している。スイッチング素子ＳＷの構成は、図４を参照して説明した構成例１と同様である。金属層Ｍは、平面視において、酸化物半導体ＳＣのチャネルＳＣＣに重畳している。

【0100】

第２無機絶縁膜ＩＬ２は、第１溝ＧＲ１に重畳する第１貫通孔ＴＨ１を有している。第１貫通孔ＴＨ１は、第１方向Ｘに延出し、第１溝ＧＲ１と同等の幅を有している。
第１遮光壁５１は、第１溝ＧＲ１及び第１貫通孔ＴＨ１の全体に充填されるように配置されている。第１遮光壁５１は、第１方向Ｘに延出している。

【0101】

第１方向Ｘに延出した第１遮光壁５１の一端部は、第２方向Ｙにおいて、ソース電極ＳＥに対向している。また、第１遮光壁５１の他端部は、第２方向Ｙにおいて、ドレイン電極ＤＥに対向している。チャネルＳＣＣ及び金属層Ｍは、第２方向Ｙにおいて、第１遮光壁５１に対向している。

【0102】

次に、実施例４について説明する。

【0103】

図１９は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。ここでは、第１基板ＳＵＢ１に含まれる主要部のみを図示している。

【0104】

金属層Ｍは、走査線Ｇに重畳し、第１方向Ｘに延出している。金属層Ｍは、さらに、信号線Ｓの一部、酸化物半導体ＳＣ、及び、ドレイン電極ＤＥの一部に重畳している。
第１遮光壁５１は、信号線Ｓから離間している。信号線Ｓは、第１遮光壁５１を避けるように蛇行している。また、第１遮光壁５１は、金属層Ｍから離間している。

【0105】

各画素ＰＸにおいて、第１遮光壁５１は、構成例１で説明した第１遮光壁５１と同様に、隣接する２本の走査線Ｇの間に位置している。
第２方向Ｙに並んだ第１遮光壁５１のピッチは、第２方向Ｙの画素ピッチと同等であり、また、走査線Ｇのピッチと同等である。

【0106】

このようなレイアウトにおいて、発光モジュール１００から出射された照明光は、点線の矢印で示したように、第２方向Ｙに沿って進行し、スイッチング素子ＳＷの近傍において第１遮光壁５１によって遮られる。これにより、スイッチング素子ＳＷ、特に酸化物半導体ＳＣへの照明光の到達が抑制される。

【0107】

図２０は、図１９に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ及び第１遮光壁５１を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。図２１は、図１９に示したＢ－Ｂ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷを含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【0108】

第２無機絶縁膜ＩＬ２において、第１貫通孔ＴＨ１は、第１溝ＧＲ１の直上に形成されている。第１溝ＧＲ１及び第１貫通孔ＴＨ１は、第１透明基板１０まで貫通している。第１遮光壁５１は、第１溝ＧＲ１及び第１貫通孔ＴＨ１に配置され、第１透明基板１０に接している。第１遮光壁５１のうち、第１溝ＧＲ１に充填された部分が第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光を遮る部分に相当し、第１貫通孔ＴＨ１に充填された部分が第２無機絶縁膜ＩＬ２を伝播する光を遮る部分に相当する。尚、第１溝ＧＲ１を形成せず、第１貫通孔ＴＨ１形成時に第２無機絶縁膜ＩＬ２だけでなく第１無機絶縁膜ＩＬ１も連続的に貫通させ、第２無機絶縁膜ＩＬ２及び第１無機絶縁膜ＩＬ１を第１貫通孔ＴＨ１で一括開孔してもよい。

【0109】

金属層Ｍは、第２無機絶縁膜ＩＬ２の上に配置され、チャネルＳＣＣの直上に位置している。また、金属層Ｍは、走査線Ｇの直上に延出し、第１無機絶縁膜ＩＬ１を貫通するコンタクトホールＣＨ１及び第２無機絶縁膜ＩＬ２を貫通するコンタクトホールＣＨ２に配置され、走査線Ｇに接している。これにより、金属層Ｍは、走査線Ｇと電気的に接続される。金属層Ｍは、第１遮光壁５１と同一層に位置しており、第１遮光壁５１と同一材料によって形成されている。尚、コンタクトホールＣＨ１を形成せず、コンタクトホールＣＨ２形成時に第２無機絶縁膜ＩＬ２だけでなく第１無機絶縁膜ＩＬ１も連続的に貫通させ、第２無機絶縁膜ＩＬ２及び第１無機絶縁膜ＩＬ１をコンタクトホールＣＨ２で一括開孔してもよい。

【0110】

上記の通り、第１遮光壁５１は、信号線Ｓから離間している。このため、第１遮光壁５１は、走査線Ｇと電気的に接続された金属層Ｍと繋がっていてもよい。

【0111】

上述した例によれば、照明光のうち、第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光及び第２無機絶縁膜ＩＬ２を伝播する光が第１遮光壁５１によって遮られる。このため、上記したのと同様の効果が得られる。

【0112】

次に、実施例５について説明する。

【0113】

図２２は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。ここでは、第１基板ＳＵＢ１に含まれる主要部のみを図示している。

【0114】

第１基板ＳＵＢ１は、上記の第１遮光壁５１の他に、第２遮光壁５２と、金属層Ｍと、を備えている。

【0115】

平面視において、第１溝ＧＲ１及び第１貫通孔ＴＨ１は重畳し、第２溝ＧＲ２及び第２貫通孔ＴＨ２は重畳し、第３溝ＧＲ３及び第３貫通孔ＴＨ３は重畳している。第１溝ＧＲ１、第１貫通孔ＴＨ１、第２溝ＧＲ２、及び、第２貫通孔ＴＨ２は、それぞれ第１方向Ｘに延出している。第３溝ＧＲ３及び第３貫通孔ＴＨ３は、第２方向Ｙに延出している。

【0116】

酸化物半導体ＳＣは、第２方向Ｙにおいて、第１溝ＧＲ１（第１貫通孔ＴＨ１）と第２溝ＧＲ２（第２貫通孔ＴＨ２）との間に位置している。また、酸化物半導体ＳＣは、第１方向Ｘにおいて、信号線Ｓと第３溝ＧＲ３（第３貫通孔ＴＨ３）との間に位置している。

【0117】

第１遮光壁５１は第１溝ＧＲ１及び第１貫通孔ＴＨ１に配置され、第２遮光壁５２は第２溝ＧＲ２及び第２貫通孔ＴＨ２に配置されている。酸化物半導体ＳＣは、第２方向Ｙにおいて、第１遮光壁５１と第２遮光壁５２との間に位置している。第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２は、金属層Ｍから離間している。また、第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２は、信号線Ｓから離間している。信号線Ｓは、第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２を避けるように蛇行している。

【0118】

金属層Ｍは、走査線Ｇに重畳し、第１方向Ｘに延出している。金属層Ｍは、さらに、信号線Ｓの一部、酸化物半導体ＳＣ、及び、ドレイン電極ＤＥの一部に重畳している。金属層Ｍは、第３溝ＧＲ３及び第３貫通孔ＴＨ３に配置されている。

【0119】

１つの酸化物半導体ＳＣを挟む第１遮光壁５１（あるいは第１溝ＧＲ１）と第２遮光壁５２（あるいは第２溝ＧＲ２）とのピッチは、第２方向Ｙの画素ピッチより小さく、走査線Ｇのピッチより小さい。
１つの酸化物半導体ＳＣを挟む信号線Ｓと第３溝ＧＲ３とのピッチは、第１方向Ｘの画素ピッチより小さく、信号線Ｓのピッチより小さい。

【0120】

このようなレイアウトにおいて、発光モジュール１００から出射された照明光のうち、第２方向Ｙに沿って進行する光のみならず、散乱や反射によって第１方向Ｘに沿って進行する光についても、スイッチング素子ＳＷの近傍において遮られる。これにより、スイッチング素子ＳＷ、特に酸化物半導体ＳＣへの照明光の到達が抑制される。

【0121】

図２３は、図２２に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ、第１遮光壁５１、及び、第２遮光壁５２を含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。図２４は、図２２に示したＢ－Ｂ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷを含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。

【0122】

第１無機絶縁膜ＩＬ１において、第１溝ＧＲ１、第２溝ＧＲ２、及び、第３溝ＧＲ３は、第１透明基板１０まで貫通している。第２無機絶縁膜ＩＬ２において、第１貫通孔ＴＨ１は第１溝ＧＲ１の直上に形成され、第２貫通孔ＴＨ２は第２溝ＧＲ２の直上に形成され、第３貫通孔ＴＨ３は第３溝ＧＲ３の直上に形成されている。尚、第１溝ＧＲ１、第２溝ＧＲ２、及び、第３溝ＧＲ３を形成せず、第１貫通孔ＴＨ１、第２貫通孔ＴＨ２、及び、第３貫通孔ＴＨ３形成時に、第２無機絶縁膜ＩＬ２だけでなく第１無機絶縁膜ＩＬ１も連続的に貫通させ、第２無機絶縁膜ＩＬ２及び第１無機絶縁膜ＩＬ１を第１貫通孔ＴＨ１、第２貫通孔ＴＨ２、及び、第３貫通孔ＴＨ３でそれぞれ一括開孔してもよい。

【0123】

第１遮光壁５１は、第１溝ＧＲ１及び第１貫通孔ＴＨ１に配置され、第１透明基板１０に接している。第２遮光壁５２は、第２溝ＧＲ２及び第２貫通孔ＴＨ２に配置され、第１透明基板１０に接している。第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２は、金属層Ｍから離間している。

【0124】

金属層Ｍは、第３溝ＧＲ３及び第３貫通孔ＴＨ３に配置され、走査線Ｇに接している。これにより、金属層Ｍは、走査線Ｇと電気的に接続される。金属層Ｍは、第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２と同一層に位置しており、第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２と同一材料によって形成されている。

【0125】

第１遮光壁５１のうち、第１溝ＧＲ１に充填された部分が第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光を遮る部分に相当し、第１貫通孔ＴＨ１に充填された部分が第２無機絶縁膜ＩＬ２を伝播する光を遮る部分に相当する。第２遮光壁５２のうち、第２溝ＧＲ２に充填された部分が第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光を遮る部分に相当し、第２貫通孔ＴＨ２に充填された部分が第２無機絶縁膜ＩＬ２を伝播する光を遮る部分に相当する。金属層Ｍのうち、第３溝ＧＲ３に充填された部分が第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光を遮る部分に相当し、第３貫通孔ＴＨ３に充填された部分が第２無機絶縁膜ＩＬ２を伝播する光を遮る部分に相当する。

【0126】

上述した例によれば、照明光のうち、第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光及び第２無機絶縁膜ＩＬ２を伝播する光が第１遮光壁５１、第２遮光壁５２、及び、金属層Ｍによって遮られる。このため、上記したのと同様の効果が得られる。

【0127】

次に、実施例６について説明する。

【0128】

図２５は、表示領域ＤＡの一例を示す平面図である。ここでは、第１基板ＳＵＢ１に含まれる主要部のみを図示している。

【0129】

第１基板ＳＵＢ１は、上記の第１遮光壁５１、第２遮光壁５２、金属層Ｍの他に、補助金属層ＡＭを備えている。

【0130】

平面視において、第１溝ＧＲ１及び第１貫通孔ＴＨ１は重畳し、第２溝ＧＲ２及び第２貫通孔ＴＨ２は重畳し、第３溝ＧＲ３及び第３貫通孔ＴＨ３は重畳し、第４溝ＧＲ４及び第４貫通孔ＴＨ４は重畳している。第１溝ＧＲ１、第１貫通孔ＴＨ１、第２溝ＧＲ２、及び、第２貫通孔ＴＨ２は、それぞれ第１方向Ｘに延出している。第３溝ＧＲ３、第３貫通孔ＴＨ３、第４溝ＧＲ４、及び、第４貫通孔ＴＨ４は、第２方向Ｙに延出している。

【0131】

酸化物半導体ＳＣは、第２方向Ｙにおいて、第１溝ＧＲ１（第１貫通孔ＴＨ１）と第２溝ＧＲ２（第２貫通孔ＴＨ２）との間に位置している。また、酸化物半導体ＳＣは、第１方向Ｘにおいて、第３溝ＧＲ３（第３貫通孔ＴＨ３）と第４溝ＧＲ４（第４貫通孔ＴＨ４）との間に位置している。

【0132】

金属層Ｍ及び補助金属層ＡＭは、走査線Ｇに重畳している。金属層Ｍは、さらに、信号線Ｓの一部、酸化物半導体ＳＣ、及び、ドレイン電極ＤＥの一部に重畳している。金属層Ｍは、第３溝ＧＲ３及び第３貫通孔ＴＨ３に配置されている。補助金属層ＡＭは、金属層Ｍから離間している。なお、補助金属層ＡＭは、金属層Ｍに繋がっていてもよい。補助金属層ＡＭは、第４溝ＧＲ４及び第４貫通孔ＴＨ４に配置されている。

【0133】

１つの酸化物半導体ＳＣを挟む第１遮光壁５１（あるいは第１溝ＧＲ１）と第２遮光壁５２（あるいは第２溝ＧＲ２）とのピッチは、第２方向Ｙの画素ピッチより小さく、走査線Ｇのピッチより小さい。
１つの酸化物半導体ＳＣを挟む第３溝ＧＲ３と第４溝ＧＲ４とのピッチは、第１方向Ｘの画素ピッチより小さく、信号線Ｓのピッチより小さい。

【0134】

このようなレイアウトにおいて、発光モジュール１００から出射された照明光のうち、第２方向Ｙに沿って進行する光のみならず、散乱や反射によって第１方向Ｘに沿って進行する光についても、スイッチング素子ＳＷの近傍において遮られる。これにより、スイッチング素子ＳＷ、特に酸化物半導体ＳＣへの照明光の到達が抑制される。

【0135】

図２６は、図２５に示したＢ－Ｂ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷを含む第１基板ＳＵＢ１の断面図である。なお、図２５に示したＡ－Ａ’線に沿ったスイッチング素子ＳＷ、第１遮光壁５１、及び、第２遮光壁５２を含む第１基板ＳＵＢ１の断面は、図２３に示した通りであり、図示を省略する。

【0136】

第１無機絶縁膜ＩＬ１において、第３溝ＧＲ３及び第４溝ＧＲ４は、第１透明基板１０まで貫通している。第２無機絶縁膜ＩＬ２において、第３貫通孔ＴＨ３は第３溝ＧＲ３の直上に形成され、第４貫通孔ＴＨ４は第４溝ＧＲ４の直上に形成されている。尚、第３溝ＧＲ３、及び、第４溝ＧＲ４を形成せず、第３貫通孔ＴＨ３、及び、第４貫通孔ＴＨ４形成時に、第２無機絶縁膜ＩＬ２だけでなく第１無機絶縁膜ＩＬ１も連続的に貫通させ、第２無機絶縁膜ＩＬ２及び第１無機絶縁膜ＩＬ１を第３貫通孔ＴＨ３、及び、第４貫通孔ＴＨ４でそれぞれ一括開孔してもよい。

【0137】

金属層Ｍは、第３溝ＧＲ３及び第３貫通孔ＴＨ３に配置され、走査線Ｇに接している。補助金属層ＡＭは、第４溝ＧＲ４及び第４貫通孔ＴＨ４に配置され、走査線Ｇに接している。これにより、金属層Ｍ及び補助金属層ＡＭは、走査線Ｇと電気的に接続される。金属層Ｍ及び補助金属層ＡＭは、第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２と同一層に位置しており、第１遮光壁５１及び第２遮光壁５２と同一材料によって形成されている。

【0138】

金属層Ｍのうち、第３溝ＧＲ３に充填された部分が第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光を遮る部分に相当し、第３貫通孔ＴＨ３に充填された部分が第２無機絶縁膜ＩＬ２を伝播する光を遮る部分に相当する。補助金属層ＡＭのうち、第４溝ＧＲ４に充填された部分が第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光を遮る部分に相当し、第４貫通孔ＴＨ４に充填された部分が第２無機絶縁膜ＩＬ２を伝播する光を遮る部分に相当する。

【0139】

上述した例によれば、照明光のうち、第１無機絶縁膜ＩＬ１を伝播する光及び第２無機絶縁膜ＩＬ２を伝播する光が第１遮光壁５１、第２遮光壁５２、金属層Ｍ、及び、補助金属層ＡＭによって遮られる。このため、上記したのと同様の効果が得られる。

【0140】

《表示装置の実施例》
次に、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一例について説明する。

【0141】

図２７は、表示装置ＤＳＰの断面図である。なお、表示パネルＰＮＬについては、主要部のみを簡略化して図示している。

【0142】

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の他に、さらに、第３透明基板３０を備えている。第３透明基板３０の主面（内面）３０Ａは、第３方向Ｚにおいて、第２透明基板２０の主面２０Ｂと対向している。接着層ＡＤは、第２透明基板２０と第３透明基板３０とを接着している。第３透明基板３０は、例えばガラス基板であるが、プラスチック基板などの絶縁基板であってもよい。第３透明基板３０は、第１透明基板１０及び第２透明基板２０と同等の屈折率を有している。接着層ＡＤは、第２透明基板２０及び第３透明基板３０の各々と同等の屈折率を有している。

【0143】

第３透明基板３０の側面３０１は、第２透明基板２０の側面２０１の直上に位置している。発光モジュール１００の発光素子１１０は、配線基板Ｆと電気的に接続され、第３方向Ｚにおいて、第１基板ＳＵＢ１と配線基板Ｆとの間に配置されている。導光体１２０は、第２方向Ｙにおいて、発光素子１１０と側面２０１との間、及び、発光素子１１０と側面３０１との間に配置されている。導光体１２０は、接着層ＡＤ１により配線基板Ｆに接着されるとともに、接着層ＡＤ２により第１基板ＳＵＢ１に接着されている。

【0144】

次に、図２７を参照しながら、発光素子１１０から出射された光（上記の照明光）Ｌ１について説明する。
発光素子１１０は、導光体１２０に向かって光Ｌ１を出射する。発光素子１１０から出射された光Ｌ１は、第２方向Ｙを示す矢印の向きに沿って伝播し、導光体１２０を透過し、側面２０１から第２透明基板２０に入射するとともに、側面３０１から第３透明基板３０に入射する。第２透明基板２０及び第３透明基板３０に入射した光Ｌ１は、繰り返し反射されながら、表示パネルＰＮＬの内部を伝播する。電圧が印加されていない液晶層ＬＣに入射した光Ｌ１は、ほとんど散乱されることなく液晶層ＬＣを透過する。また、電圧が印加された液晶層ＬＣに入射した光Ｌ１は、液晶層ＬＣで散乱される。

【0145】

このような表示装置ＤＳＰは、第１透明基板１０の主面１０Ａ側から観察可能であるとともに、第３透明基板３０の主面３０Ｂ側からも観察可能である。また、表示装置ＤＳＰが主面１０Ａ側から観察された場合であっても、主面３０Ｂ側から観察された場合であっても、表示装置ＤＳＰを介して、表示装置ＤＳＰの背景を観察可能である。

【0146】

このような表示装置ＤＳＰにおいて、上記の通り、各画素ＰＸのスイッチング素子ＳＷは透明な酸化物半導体ＳＣを備えており、また、酸化物半導体ＳＣに重畳する遮光層を省略することで、透過率を向上することもできる。

【0147】

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。

【0148】

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0149】

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル ＤＡ…表示領域 ＰＸ…画素
ＳＵＢ１…第１基板 １０…第１透明基板 ＰＥ…画素電極 ＳＷ…スイッチング素子 ＳＣ…酸化物半導体 ＳＥ…ソース電極 ＤＥ…ドレイン電極 ＧＥ…ゲート電極 Ｇ…走査線 Ｓ…信号線 ＩＬ１…第１無機絶縁膜 ＩＬ２…第２無機絶縁膜
ＳＵＢ２…第２基板 ２０…第２透明基板 ＣＥ…共通電極
ＬＣ…液晶層 ３０…第３透明基板
１００…発光モジュール １１０…発光素子
５１…第１遮光壁 ５１１…上遮光壁 ５１２…下遮光壁 ５２…第２遮光壁
Ｍ…金属層 ＡＭ…補助金属層
ＧＲ１…第１溝 ＧＲ２…第２溝 ＧＲ３…第３溝 ＧＲ３…第３溝
ＴＨ１…第１貫通孔 ＴＨ２…第２貫通孔 ＴＨ３…第３貫通孔 ＴＨ４…第４貫通孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】