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特許7571345レーザ加工装置、レーザ加工方法、レーザ加工プログラム、記録媒体、半導体チップ製造方法および半導体チップ

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-11

(45)【発行日】2024-10-22

(54)【発明の名称】レーザ加工装置、レーザ加工方法、レーザ加工プログラム、記録媒体、半導体チップ製造方法および半導体チップ

(51)【国際特許分類】

B23K 26/08 20140101AFI20241015BHJP

【ＦＩ】

B23K26/08 D

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2024515755

(86)(22)【出願日】2022-04-18

(86)【国際出願番号】 JP2022018063

(87)【国際公開番号】W WO2023203613

(87)【国際公開日】2023-10-26

【審査請求日】2024-05-22

(73)【特許権者】

【識別番号】000010076

【氏名又は名称】ヤマハ発動機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100105935

【弁理士】

【氏名又は名称】振角正一

(74)【代理人】

【識別番号】100136836

【弁理士】

【氏名又は名称】大西一正

(72)【発明者】

【氏名】鈴木芳邦

【審査官】山下浩平

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－４２０３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１５２４９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－１０６３４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－２５６７９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－１４６７２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１２３８７５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ２３Ｋ２６／００－２６／７０

Ｈ０１Ｌ２１／３０１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに平行な複数の加工ラインを有する加工対象物を、前記加工ラインが所定の加工方向に平行となるように支持する支持部材と、
レーザ光を発するレーザ光源を有し、前記レーザ光源からレーザ照射位置にレーザ光を照射する加工ヘッドと、
前記支持部材および前記加工ヘッドの少なくとも一方を前記加工方向に駆動することで、前記加工対象物に対して前記レーザ照射位置を前記加工方向に相対的に移動させる加工軸駆動部と、
前記加工方向において前記加工対象物の一方側の開始地点から前記加工対象物の前記一方側の逆の他方側の終了地点まで、前記加工対象物に対して前記レーザ照射位置を前記加工軸駆動部により移動させつつ、前記複数の加工ラインのうちの一の対象ラインに沿って移動する前記レーザ照射位置に前記加工ヘッドからレーザ光を照射することで前記一の対象ラインを加工する照射位置走査を実行する制御部と
を備え、
前記照射位置走査では、前記加工方向において前記対象ラインを含む等速度区間が前記開始地点と前記終了地点との間に設定され、前記開始地点から前記等速度区間の前記一方側の端まで前記レーザ照射位置が移動する第１期間において、前記加工対象物に対する前記レーザ照射位置の前記加工方向への速度がゼロから加工速度まで上昇し、前記等速度区間の前記一方側の端から前記他方側の端まで前記レーザ照射位置が移動する第２期間を通じて、前記レーザ照射位置は前記加工対象物に対して前記加工方向へ前記加工速度で等速移動し、前記レーザ照射位置が前記等速度区間の前記他方側の端に到達してから前記終了地点に到達するまでの第３期間において、前記加工対象物に対する前記レーザ照射位置の前記加工方向への速度は前記加工速度からゼロまで低下し、
前記制御部は、前記加工方向において前記等速度区間の長さを前記対象ラインの長さに応じて設定するとともに、前記等速度区間の長さに応じて前記照射位置走査における前記加工速度を調整する速度調整処理を実行するレーザ加工装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記複数の加工ラインの間で前記対象ラインを変更しつつ前記照射位置走査を繰り返すことで複数の照射位置走査を実行し、前記複数の照射位置走査のそれぞれに対して前記速度調整処理を実行する請求項１に記載のレーザ加工装置。

【請求項3】

前記制御部は、前記照射位置走査において前記対象ラインに沿って移動する前記レーザ照射位置に照射される前記レーザ光の周波数を、前記照射位置走査における前記加工速度に応じて調整する周波数調整処理を実行する請求項１または２に記載のレーザ加工装置。

【請求項4】

前記制御部は、前記複数の加工ラインの間で前記対象ラインを変更しつつ前記照射位置走査を繰り返すことで複数の照射位置走査を実行し、前記複数の照射位置走査のそれぞれに対して前記周波数調整処理を実行する請求項３に記載のレーザ加工装置。

【請求項5】

前記制御部は、前記複数の加工ラインの間で前記対象ラインを変更しつつ前記照射位置走査を繰り返すことで実行される複数の照射位置走査に対して共通する前記加工速度である共通加工速度を設定して、当該共通加工速度を前記加工速度として前記複数の照射位置走査のそれぞれを実行し、
前記速度調整処理では、前記複数の照射位置走査それぞれの前記等速度区間の長さに応じて、前記共通加工速度を調整する請求項１に記載のレーザ加工装置。

【請求項6】

前記制御部は、前記複数の照射位置走査に対して共通する共通周波数を前記共通加工速度に応じて求めて、前記複数の照射位置走査のそれぞれにおいて前記共通周波数の前記レーザ光を前記レーザ照射位置に照射する請求項５に記載のレーザ加工装置。

【請求項7】

前記加工対象物の複数のサイズのそれぞれについて、前記サイズ、前記共通加工速度および前記共通周波数の対応関係を示す対応関係情報を記憶する記憶部をさらに備え、
前記制御部は、前記照射位置走査の対象となる前記加工対象物の前記サイズと前記対応関係情報とに基づき、前記共通加工速度と前記共通周波数とを調整する請求項６に記載のレーザ加工装置。

【請求項8】

前記対応関係情報は、前記サイズとして前記加工対象物の直径を示し、２００ｍｍの直径および３００ｍｍの直径のそれぞれについて、前記サイズ、前記共通加工速度および前記共通周波数の対応関係を示す請求項７に記載のレーザ加工装置。

【請求項9】

前記加工方向において、前記等速度区間の両端は、前記対象ラインの両端と一致している請求項１ないし８のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。

【請求項10】

互いに平行な複数の加工ラインを有する加工対象物を、前記加工ラインが所定の加工方向に平行となるように支持部材により支持する工程と、
レーザ光を発するレーザ光源を有し、前記レーザ光源からレーザ照射位置にレーザ光を照射する加工ヘッドおよび前記支持部材の少なくとも一方を前記加工方向に駆動することで、前記加工対象物に対して前記レーザ照射位置を前記加工方向に相対的に移動させる加工軸駆動部によって、前記加工方向において前記加工対象物の一方側の開始地点から前記加工対象物の前記一方側の逆の他方側の終了地点まで、前記加工対象物に対して前記レーザ照射位置を移動させつつ、前記複数の加工ラインのうちの一の対象ラインに沿って移動する前記レーザ照射位置に前記加工ヘッドからレーザ光を照射することで前記一の対象ラインを加工する照射位置走査を実行する工程と
を備え、
前記照射位置走査では、前記加工方向において前記対象ラインを含む等速度区間が前記開始地点と前記終了地点との間に設定され、前記開始地点から前記等速度区間の前記一方側の端まで前記レーザ照射位置が移動する第１期間において、前記加工対象物に対する前記レーザ照射位置の前記加工方向への速度がゼロから加工速度まで上昇し、前記等速度区間の前記一方側の端から前記他方側の端まで前記レーザ照射位置が移動する第２期間を通じて、前記レーザ照射位置は前記加工対象物に対して前記加工方向へ前記加工速度で等速移動し、前記レーザ照射位置が前記等速度区間の前記他方側の端に到達してから前記終了地点に到達するまでの第３期間において、前記加工対象物に対する前記レーザ照射位置の前記加工方向への速度は前記加工速度からゼロまで低下し、
前記加工方向において前記等速度区間の長さが前記対象ラインの長さに応じて設定されるとともに、
前記等速度区間の長さに応じて前記照射位置走査における前記加工速度が調整されるレーザ加工方法。

【請求項11】

前記複数の加工ラインの間で前記対象ラインを変更しつつ前記照射位置走査を繰り返すことで実行される複数の照射位置走査に対して共通する前記加工速度である共通加工速度を設定する工程がさらに設けられ、
前記複数の照射位置走査のそれぞれは、前記共通加工速度を前記加工速度として前記複数の照射位置走査のそれぞれが実行され、
前記複数の照射位置走査それぞれの前記等速度区間の長さに応じて、前記共通加工速度が調整されている請求項１０に記載のレーザ加工方法。

【請求項12】

請求項１０または１１に記載のレーザ加工方法をコンピュータに実行させるレーザ加工プログラム。

【請求項13】

請求項１２に記載のレーザ加工プログラムを、コンピュータにより読み出し可能に記録する記録媒体。

【請求項14】

加工ラインによって区分けされた複数の半導体チップが配列された半導体基板を、請求項１０または１１に記載のレーザ加工方法によって加工する工程と、
前記レーザ加工方法によって加工された半導体基板を粘着力によって保持するテープを拡張することで前記複数の半導体チップのそれぞれを分離する工程と
を備えた半導体チップ製造方法。

【請求項15】

加工ラインによって区分けされた複数の半導体チップが配列された半導体基板を、請求項１０または１１に記載のレーザ加工方法によって加工する工程と、
前記レーザ加工方法によって加工された半導体基板を粘着力によって保持するテープを拡張することで前記複数の半導体チップのそれぞれを分離する工程と
によって製造された半導体チップ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、加工対象物に設けられた加工ラインにレーザ光を照射することで加工ラインを加工する技術に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１～３には、半導体基板に設けられた分割予定ラインにレーザ光を照射しつつ、半導体基板に対してレーザ光を相対的に移動させることで分割予定ラインを加工するレーザ加工技術が記載されている。例えば特許文献１に示されるように、このレーザ加工技術では、往路と復路でレーザ光を照射する分割予定ラインを変更しつつ、レーザ光を往復させることで、複数の分割予定ラインに対して順番に加工が実行される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特許第５８０４７１６号公報

【文献】特開第５５５４５９３号公報

【文献】特開第５０３７０８２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記の様なレーザ加工技術では、所定のレーザ照射位置にレーザ光を照射する加工ヘッドの当該レーザ照射位置を、加工対象物（半導体基板）に対して相対的に移動させつつレーザ照射位置にレーザ光を照射することで、加工ラインが加工される。つまり、加工対象物の一方側から他方側にレーザ光を移動させつつ、加工対象物の加工ライン（分割予定ライン）に沿って移動するレーザ照射位置にレーザ光が照射される。この際、加工ラインに対してレーザ光を一定の加工速度で移動させることが求められる。そのため、加工対象物の一方側から加工対象物に向けて移動を開始したレーザ照射位置が加工対象物に到達するまでに、レーザ照射位置の速度がゼロから加工速度まで加速される。また、加工対象物を他方側へ通過したレーザ照射位置の速度が加工速度からゼロまで減速される。

【0005】

ところで、加工ラインに沿ってレーザ光を移動させる加工を短時間で完了するには、加工速度が高いことが有利となる。しかしながら、加工速度が高いと、レーザ照射位置をゼロから加工速度まで加速するのに要する時間や、レーザ照射位置を加工速度からゼロまで減速するのに要する時間が長くなる。そのため、加工速度が不適切であるために、加工ラインの加工に時間を要してしまう場合があった。

【0006】

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、加工対象物の加工ラインに沿ってレーザ光を移動させることで加工ラインを加工するレーザ加工技術において、加工ラインの加工を効率的に実行することを可能とする技術の提供を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明に係るレーザ加工装置は、互いに平行な複数の加工ラインを有する加工対象物を、加工ラインが所定の加工方向に平行となるように支持する支持部材と、レーザ光を発するレーザ光源を有し、レーザ光源からレーザ照射位置にレーザ光を照射する加工ヘッドと、支持部材および加工ヘッドの少なくとも一方を加工方向に駆動することで、加工対象物に対してレーザ照射位置を加工方向に相対的に移動させる加工軸駆動部と、加工方向において加工対象物の一方側の開始地点から加工対象物の一方側の逆の他方側の終了地点まで、加工対象物に対してレーザ照射位置を加工軸駆動部により移動させつつ、複数の加工ラインのうちの一の対象ラインに沿って移動するレーザ照射位置に加工ヘッドからレーザ光を照射することで一の対象ラインを加工する照射位置走査を実行する制御部とを備え、照射位置走査では、加工方向において対象ラインを含む等速度区間が開始地点と終了地点との間に設定され、開始地点から等速度区間の一方側の端までレーザ照射位置が移動する第１期間において、加工対象物に対するレーザ照射位置の加工方向への速度がゼロから加工速度まで上昇し、等速度区間の一方側の端から他方側の端までレーザ照射位置が移動する第２期間を通じて、レーザ照射位置は加工対象物に対して加工方向へ加工速度で等速移動し、レーザ照射位置が等速度区間の他方側の端に到達してから終了地点に到達するまでの第３期間において、加工対象物に対するレーザ照射位置の加工方向への速度は加工速度からゼロまで低下し、制御部は、加工方向において等速度区間の長さを対象ラインの長さに応じて設定するとともに、等速度区間の長さに応じて照射位置走査における加工速度を調整する速度調整処理を実行する。

【0008】

本発明に係るレーザ加工方法は、互いに平行な複数の加工ラインを有する加工対象物を、加工ラインが所定の加工方向に平行となるように支持部材により支持する工程と、レーザ光を発するレーザ光源を有し、レーザ光源からレーザ照射位置にレーザ光を照射する加工ヘッドおよび支持部材の少なくとも一方を加工方向に駆動することで、加工対象物に対してレーザ照射位置を加工方向に相対的に移動させる加工軸駆動部によって、加工方向において加工対象物の一方側の開始地点から加工対象物の一方側の逆の他方側の終了地点まで、加工対象物に対してレーザ照射位置を移動させつつ、複数の加工ラインのうちの一の対象ラインに沿って移動するレーザ照射位置に加工ヘッドからレーザ光を照射することで一の対象ラインを加工する照射位置走査を実行する工程とを備え、照射位置走査では、加工方向において対象ラインを含む等速度区間が開始地点と終了地点との間に設定され、開始地点から等速度区間の一方側の端までレーザ照射位置が移動する第１期間において、加工対象物に対するレーザ照射位置の加工方向への速度がゼロから加工速度まで上昇し、等速度区間の一方側の端から他方側の端までレーザ照射位置が移動する第２期間を通じて、レーザ照射位置は加工対象物に対して加工方向へ加工速度で等速移動し、レーザ照射位置が等速度区間の他方側の端に到達してから終了地点に到達するまでの第３期間において、加工対象物に対するレーザ照射位置の加工方向への速度は加工速度からゼロまで低下し、加工方向において等速度区間の長さが対象ラインの長さに応じて設定されるとともに、等速度区間の長さに応じて照射位置走査における加工速度が調整される。

【0009】

このように構成された本発明（レーザ加工装置およびレーザ加工方法）は、加工方向において加工対象物の一方側の開始地点から他方側の終了地点まで、加工対象物に対してレーザ照射位置を移動させつつ、複数の加工ラインのうちの一の対象ラインに沿って移動するレーザ照射位置に加工ヘッドからレーザ光を照射することで一の対象ラインを加工する（照射位置走査）。この照射位置走査では、加工方向において対象ラインを含む等速度区間が開始地点と終了地点との間に設定される。そして、開始地点から等速度区間の一方側の端までレーザ照射位置が移動する第１期間において、加工対象物に対するレーザ照射位置の加工方向への速度がゼロから加工速度まで上昇する。また、等速度区間の一方側の端から他方側の端までレーザ照射位置が移動する第２期間を通じて、レーザ照射位置は加工対象物に対して加工方向へ加工速度で等速移動する。さらに、レーザ照射位置が等速度区間の他方側の端に到達してから終了地点に到達するまでの第３期間において、加工対象物に対するレーザ照射位置の加工方向への速度は加工速度からゼロまで低下する。この際、加工方向において、等速度区間の長さは対象ラインの長さに応じて設定され、等速度区間の長さに応じて照射位置走査における加工速度が調整されている（速度調整処理）。したがって、第１期間、第２期間および第３期間の合計期間を抑えることができる。こうして、加工対象物の加工ラインに沿ってレーザ光を移動させることで加工ラインを加工するレーザ加工技術において、加工ラインの加工を効率的に実行することが可能となっている。

【0010】

また、制御部は、複数の加工ラインの間で対象ラインを変更しつつ照射位置走査を繰り返すことで複数の照射位置走査を実行し、複数の照射位置走査のそれぞれに対して速度調整処理を実行するように、レーザ加工装置を構成してもよい。かかる構成では、複数の加工ラインのそれぞれの加工を効率的に実行でき、加工対象物に対する加工を速やかに完了することが可能となる。

【0011】

また、制御部は、照射位置走査において対象ラインに沿って移動するレーザ照射位置に照射されるレーザ光の周波数を、照射位置走査における加工速度に応じて調整する周波数調整処理を実行するように、レーザ加工装置を構成してもよい。かかる構成では、調整後の加工速度に応じた適切な周波数のレーザ光を加工ラインに照射して、加工ラインの加工を的確に行うことができる。

【0012】

また、制御部は、複数の加工ラインの間で対象ラインを変更しつつ照射位置走査を繰り返すことで複数の照射位置走査を実行し、複数の照射位置走査のそれぞれに対して周波数調整処理を実行するように、レーザ加工装置を構成してもよい。かかる構成では、複数の加工ラインのそれぞれの加工を的確に行うことができる。

【0013】

また、制御部は、複数の加工ラインの間で対象ラインを変更しつつ照射位置走査を繰り返すことで実行される複数の照射位置走査に対して共通する加工速度である共通加工速度を設定して、当該共通加工速度を加工速度として複数の照射位置走査のそれぞれを実行し、速度調整処理では、複数の照射位置走査それぞれの等速度区間の長さに応じて、共通加工速度を調整するように、レーザ加工装置を構成してもよい。あるいは、複数の加工ラインの間で対象ラインを変更しつつ照射位置走査を繰り返すことで実行される複数の照射位置走査に対して共通する加工速度である共通加工速度を設定する工程がさらに設けられ、複数の照射位置走査のそれぞれは、共通加工速度を加工速度として複数の照射位置走査のそれぞれが実行され、複数の照射位置走査それぞれの等速度区間の長さに応じて、共通加工速度が調整されているように、レーザ加工方法を構成してもよい。かかる構成では、複数の加工ラインの間で加工速度を切り換えることなく、当該複数の加工ラインへの加工を効率的に実行でき、加工対象物に対する加工を速やかに完了することが可能となる。

【0014】

また、制御部は、複数の照射位置走査に対して共通する共通周波数を共通加工速度に応じて求めて、複数の照射位置走査のそれぞれにおいて共通周波数のレーザ光をレーザ照射位置に照射するように、レーザ加工装置を構成してもよい。かかる構成では、複数の加工ラインの間でレーザ光の周波数を切り換える必要がなく、周波数の切り換えに要する時間が加工対象物に対する加工の完了に与える影響を排除できる。

【0015】

また、加工対象物の複数のサイズのそれぞれについて、サイズ、共通加工速度および共通周波数の対応関係を示す対応関係情報を記憶する記憶部をさらに備え、制御部は、照射位置走査の対象となる加工対象物のサイズと対応関係情報とに基づき、共通加工速度と共通周波数とを調整するように、レーザ加工装置を構成してもよい。かかる構成では、対応関係情報を参照することで、共通加工速度および共通周波数を簡便に調整できる。

【0016】

具体的には、対応関係情報は、サイズとして加工対象物の直径を示し、２００ｍｍの直径および３００ｍｍの直径のそれぞれについて、サイズ、共通加工速度および共通周波数の対応関係を示すように、レーザ加工装置を構成してもよい。

【0017】

また、対象ラインに対する等速度区間の設定態様は種々想定される。要するに、加工方向において等速度区間が対象ラインを含んでいればよい。したがって、加工方向において、等速度区間の両端は対象ラインの両端と一致していてもよい。

【0018】

本発明に係るレーザ加工プログラムは、上記のレーザ加工方法をコンピュータに実行させる。

【0019】

本発明に係る記録媒体は、上記のレーザ加工プログラムを、コンピュータにより読み出し可能に記録する。

【0020】

本発明に係る半導体チップ製造方法は、加工ラインによって区分けされた複数の半導体チップが配列された半導体基板を、上記のレーザ加工方法によって加工する工程と、レーザ加工方法によって加工された半導体基板を粘着力によって保持するテープを拡張することで複数の半導体チップのそれぞれを分離する工程とを備える。

【0021】

本発明に係る半導体チップは、加工ラインによって区分けされた複数の半導体チップが配列された半導体基板を、上記のレーザ加工方法によって加工する工程と、レーザ加工方法によって加工された半導体基板を粘着力によって保持するテープを拡張することで複数の半導体チップのそれぞれを分離する工程とによって製造される。

【発明の効果】

【0022】

本発明によれば、加工対象物の加工ラインに沿ってレーザ光を移動させることで加工ラインを加工するレーザ加工技術において、加工ラインの加工を効率的に実行することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本発明に係るレーザ加工装置の一例を模式的に示す正面図。

【図2】図１のレーザ加工装置を模式的に示す平面図。

【図3】図１のレーザ加工装置が備える電気的構成を示すブロック図。

【図4】レーザ加工が実行済みのレーザ加工基板を生産する方法の一例を示すフローチャート。

【図5】リングフレームの取り出しの一例を示すフローチャート。

【図6】リングフレームの移載の一例を示すフローチャート。

【図7A】図５および図６のフローチャートに従って実行される動作の一例を模式的に示す平面図。

【図7B】図５および図６のフローチャートに従って実行される動作の一例を模式的に示す平面図。

【図7C】図５および図６のフローチャートに従って実行される動作の一例を模式的に示す平面図。

【図7D】図５および図６のフローチャートに従って実行される動作の一例を模式的に示す平面図。

【図7E】図５および図６のフローチャートに従って実行される動作の一例を模式的に示す平面図。

【図8】リングフレームの収納の一例を示すフローチャート。

【図9】リングフレームアライメントの一例を示すフローチャートであり、

【図10】リングフレームアライメントで実行される動作の一例を模式的に示す平面図。

【図11】基板加工の一例を示すフローチャート。

【図12】図１１のフローチャートに従って実行される動作の一例を模式的に示す平面図。

【図13A】キャリブレーションの一例を示すフローチャート。

【図13B】図１３Ａのキャリブレーションで実行されるステージ平面特定の一例を示すフローチャート。

【図13C】図１３Ａのキャリブレーションで実行される基板平面特定の一例を示すフローチャート。

【図14】各分割予定ラインへのライン加工処理の基本工程を示すフローチャート。

【図15A】図１４のフローチャートに従って実行される動作の第１例を模式的に示す図。

【図15B】図１４のフローチャートに従って実行される動作の第２例を模式的に示す図。

【図15C】図１４のフローチャートに従って実行される動作の第３例を模式的に示す図。

【図15D】図１４のフローチャートに従って実行される動作の第４例を模式的に示す図。

【図15E】図１４のフローチャートに従って実行される動作の第５例を模式的に示す図。

【図15F】図１４のフローチャートに従って実行される動作の第６例を模式的に示す図。

【図15G】図１４のフローチャートに従って実行される動作の第７例を模式的に示す図。

【図16】各分割予定ラインへのライン加工処理の第１応用例を示すフローチャート。

【図17】図１６のフローチャートに従って実行される動作の一例を模式的に示す図。

【図18】各分割予定ラインへのライン加工処理の第２応用例を示すフローチャート。

【図19A】図１８のフローチャートに従って実行される動作の第１例を模式的に示す図。

【図19B】図１８のフローチャートに従って実行される動作の第２例を模式的に示す図。

【図20】図１６のステップＳ１００８あるいは図１８のステップＳ１１０４で取得される半導体基板の画像の一例を模式的に示す図。

【図21】ライン加工処理でのレーザ加工条件の決定方法の一例を示すフローチャート。

【図22A】レーザ加工条件の決定に関わるパラメータを示す図。

【図22B】レーザ加工条件の時間的影響を示す図。

【図22C】図２１のレーザ加工条件の決定で参照するテーブルの一例を示す図。

【図23】半導体基板単位でのレーザ加工条件の決定方法の一例を示すフローチャート。

【図24】図２３のレーザ加工条件の決定で参照するテーブルの一例を示す図。

【図25】図２３のレーザ加工条件方法によって予め求められた加工条件を基板サイズに応じて設定するレーザ加工条件設定の一例を示すフローチャート。

【図26】図２５のフローチャートで使用される対応関係テーブルを模式的に示す図。

【発明を実施するための形態】

【0024】

図１は本発明に係るレーザ加工装置の一例を模式的に示す正面図であり、図２は図１のレーザ加工装置を模式的に示す平面図である。両図および以下の図では、水平方向であるＸ方向と、Ｘ方向に直交する水平方向であるＹ方向と、鉛直方向であるＺ方向とを適宜示す。さらに、Ｘ方向の（＋Ｘ）側（図２紙面の右側）と、Ｘ方向の（＋Ｘ）側と逆の（－Ｘ）側（図２紙面の左側）とを適宜示すとともに、Ｙ方向の（＋Ｙ）側（図２紙面の上側）と、Ｙ方向の（＋Ｙ）側と逆の（－Ｙ）側（図２紙面の下側）とを適宜示す。

【0025】

レーザ加工装置１は半導体基板Ｗ（加工対象物）にレーザ光を照射することで、半導体基板Ｗを加工する。この半導体基板Ｗは、テープＥを介してリングフレームＦｒによって保持される。テープＥは、ダイシングテープあるいはボンディングテープであり、テープＥの表面（上面）は粘着性を有する。リングフレームＦｒは、正八角形の一部を切り欠いてスリットＦｓを設けた外形を有し、リングフレームＦｒの中央には円形の開口Ｆｏが設けられている。テープＥの表面は、開口Ｆｏの全体に重複するようにリングフレームＦｒに下側から対向し、テープＥの表面の周縁がリングフレームＦｒの底面に粘着力により貼り付けられている。また、半導体基板ＷがテープＥの表面に粘着力により貼り付けられている。こうして、半導体基板ＷはテープＥを介してリングフレームＦｒによって保持された状態で、レーザ加工装置１内で運搬される。なお、半導体基板Ｗは表面と当該表面と逆の裏面を有し、半導体基板Ｗの表面に電子回路が形成される一方、半導体基板Ｗの裏面は平坦である。そして、半導体基板Ｗの表面が下側を向いて、テープＥの表面に貼り付けられている。つまり、半導体基板Ｗの裏面が上側を向いた状態で、半導体基板Ｗは保持される。

【0026】

レーザ加工装置１は、半導体基板Ｗを収容する基板収容部２と、基板収容部２から取り出された半導体基板Ｗを保持するチャックステージ３（支持部材）とを備える。レーザ加工装置１は、平板形状のベースプレート１１を備え、基板収容部２およびチャックステージ３は、ベースプレート１１によって支持される。Ｘ方向において、チャックステージ３は基板収容部２の（＋Ｘ）側に配置され、Ｙ方向においてチャックステージ３は基板収容部２の（－Ｙ）側に配置される。そして、Ｘ方向においてチャックステージ３の（－Ｘ）側であって、Ｙ方向において基板収容部２の（－Ｙ）側のスペースが基板受渡領域Ａｗとなる。

【0027】

基板収容部２は、基板収容カセット２１を有する。基板収容カセット２１は、Ｘ方向の両側に設けられた一対の側壁２２と、側壁２２の間に設けられた開口２３とを有し、開口２３は（－Ｙ）側（すなわち、基板受渡領域Ａｗ側）を向く。一対の側壁２２は、Ｘ方向に対して垂直に設けられた平板であり、Ｘ方向に互いに対向する。また、一対の側壁２２それぞれの内側には支持突起２４が設けられる。こうして、Ｘ方向に対向する一対の支持突起２４が互いに同一の高さに設けられる。そして、開口２３を介して（－Ｙ）側から一対の支持突起２４の上側に対して、半導体基板Ｗを保持するリングフレームＦｒを差し込むことができる。こうして差し込まれたリングフレームＦｒのＸ方向の両端が、一対の支持突起２４によって下側から支持される。つまり、一対の支持突起２４の上側が、リングフレームＦｒを収容するスロット２５として機能し、開口２３を介して（－Ｙ）側からスロット２５に挿入されたリングフレームＦｒは、当該スロット２５に対応する一対の支持突起２４によって支持される。したがって、基板収容カセット２１のスロット２５にリングフレームＦｒを挿入することで、リングフレームＦｒに支持される半導体基板Ｗを基板収容カセット２１に収容でき、基板収容カセット２１のスロット２５からリングフレームＦｒを引き出すことで、基板収容カセット２１から半導体基板Ｗを取り出すことができる。

【0028】

また、基板収容部２は、基板収容カセット２１を支持するＺ軸スライダ２６と、Ｚ軸スライダ２６をＺ方向に駆動するＺ軸駆動機構２７を有する。Ｚ軸駆動機構２７はベースプレート１１に取り付けられた単軸ロボットであり、Ｚ軸スライダ２６をＺ方向に移動可能に支持するＺ軸駆動伝達部２７１と、Ｚ軸駆動伝達部２７１に支持されるＺ軸スライダ２６をＺ方向に駆動するＺ軸カセットモータ２７２とを有する。Ｚ軸駆動伝達部２７１は、Ｚ軸カセットモータ２７２によって駆動されるボールネジを有し、当該ボールネジのナットにＺ軸スライダ２６が取り付けられている。ただし、Ｚ軸駆動機構２７の具体的構成はこの例に限られず、例えばリニアモータでもよい。かかるＺ軸駆動機構２７は、Ｚ軸駆動伝達部２７１に支持されるＺ軸スライダ２６をＺ軸カセットモータ２７２によって駆動することで、Ｚ軸スライダ２６に支持される基板収容カセット２１をＺ方向に移動させる。

【0029】

基板収容カセット２１に対しては、基板挿入高さ２１１が設けられており、基板挿入高さ２１１に位置するスロット２５に対して、半導体基板Ｗの挿入および引き出しを実行することができる。したがって、Ｚ軸駆動機構２７によって基板収容カセット２１をＺ方向に移動させて、複数のスロット２５のうち基板挿入高さ２１１に位置するスロット２５を変更することで、半導体基板Ｗの挿入および引き出しを実行するスロット２５を変更できる。

【0030】

これに対して、レーザ加工装置１は、基板挿入高さ２１１のスロット２５と基板受渡領域Ａｗとの間でＹ方向にリングフレームＦｒを運搬するＹ軸運搬機構４を備える。Ｙ軸運搬機構４は、リフトハンド４１と、リフトハンド４１を支持するＹ軸スライダ４３と、Ｙ軸スライダ４３をＹ方向に駆動するＹ軸駆動機構４５とを有する。Ｙ軸駆動機構４５は、付図示のフレームによってベースプレート１１に取り付けられた単軸ロボットであり、Ｙ軸スライダ４３をＹ方向に移動可能に支持するＹ軸駆動伝達部４５１と、Ｙ軸駆動伝達部４５１に支持されるＹ軸スライダ４３をＹ方向に駆動するＹ軸リフトハンドモータ４５２とを有する。Ｙ軸駆動伝達部４５１は、Ｙ軸リフトハンドモータ４５２によって駆動されるボールネジを有し、当該ボールネジのナットにＹ軸スライダ４３が取り付けられている。ただし、Ｙ軸駆動機構４５の具体的構成はこの例に限られず、例えばリニアモータでもよい。かかるＹ軸駆動機構４５は、Ｙ軸駆動伝達部４５１により支持されるＹ軸スライダ４３をＹ軸リフトハンドモータ４５２により駆動することで、Ｙ軸スライダ４３に支持されるリフトハンド４１をＹ方向に移動させる。

【0031】

リフトハンド４１は、Ｙ軸スライダ４３に支持されるベース部４１１と、ベース部４１１から（＋Ｙ）側に突出するフォーク４１２とを有する。フォーク４１２は、基板挿入高さ２１１に位置し、リングフレームＦｒを下側から保持することができる。Ｙ軸運搬機構４は、後述するように、Ｙ軸駆動機構４５によってリフトハンド４１をＹ方向に駆動することで、リフトハンド４１のフォーク４１２に保持されるリングフレームＦｒを、基板収容カセット２１と基板受渡領域Ａｗとの間で移動させる。

【0032】

また、レーザ加工装置１は、基板受渡領域Ａｗに位置するリフトハンド４１と、チャックステージ３との間でＸ方向にリングフレームＦｒを運搬するＸＺ軸運搬機構５を備える。ＸＺ軸運搬機構５は、吸着ハンド５１と、吸着ハンド５１を支持するＸ軸スライダ５３と、Ｘ軸スライダ５３をＸ方向に駆動するＸ軸駆動部５５とを有する。Ｘ軸駆動部５５は、付図示のフレームによってベースプレート１１に取り付けられた単軸ロボットであり、Ｘ軸スライダ５３をＸ方向に移動可能に支持するＸ軸駆動伝達部５５１と、Ｘ軸駆動伝達部５５１に支持されるＸ軸スライダ５３をＸ方向に駆動するＸ軸吸着ハンドモータ５５２とを有する。Ｘ軸駆動伝達部５５１は、Ｘ軸吸着ハンドモータ５５２によって駆動されるボールネジを有し、当該ボールネジのナットにＸ軸スライダ５３が取り付けられている。ただし、Ｘ軸駆動部５５の具体的構成はこの例に限られず、例えばリニアモータでもよい。かかるＸ軸駆動部５５は、Ｘ軸駆動伝達部５５１に支持されるＸ軸スライダ５３をＸ軸吸着ハンドモータ５５２によって駆動することで、Ｘ軸スライダ５３に支持される吸着ハンド５１をＸ方向に移動させる。

【0033】

また、ＸＺ軸運搬機構５は、吸着ハンド５１に取り付けられたＺ軸スライダ５６と、Ｚ軸スライダ５６をＸ軸スライダ５３に対してＺ方向に駆動するＺ軸駆動部５８とを有する。つまり、吸着ハンド５１は、Ｚ軸スライダ５６およびＺ軸駆動部５８を介してＸ軸スライダ５３によって支持される。Ｚ軸駆動部５８は、Ｘ軸スライダ５３に取り付けられた単軸ロボットであり、Ｚ軸スライダ５６をＺ方向に移動可能に支持するＺ軸駆動伝達部５８１と、Ｚ軸駆動伝達部５８１に支持されるＺ軸スライダ５６をＺ方向に駆動するＺ軸吸着ハンドモータ５８２とを有する。Ｚ軸駆動伝達部５８１は、Ｚ軸吸着ハンドモータ５８２により駆動されるボールネジを有し、当該ボールネジのナットにＺ軸スライダ５６が取り付けられている。ただし、Ｚ軸駆動部５８の具体的構成はこの例に限られず、例えばリニアモータでも良い。Ｚ軸スライダ５６は、Ｚ軸駆動部５８からＸ軸駆動伝達部５５１の下側まで延設されて、Ｚ軸スライダ５６の下端に吸着ハンド５１が取り付けられている。かかるＺ軸駆動部５８は、Ｚ軸駆動伝達部５８１に支持されるＺ軸スライダ５６をＺ軸吸着ハンドモータ５８２によって駆動することで、Ｚ軸スライダ５６に支持される吸着ハンド５１をＺ方向に移動させる。

【0034】

吸着ハンド５１は、Ｚ軸スライダ５６に支持されるベース部５１１と、ベース部５１１から（＋Ｙ）側に突出した環状吸着部材５１２とを有する。環状吸着部材５１２は、円環形状を有して、環状吸着部材５１２の底面５１３には、複数の吸着孔が開口している。この環状吸着部材５１２の底面５１３をリングフレームＦｒに上側から当接しつつ当該底面５１３の各吸着孔に発生させた負圧によりリングフレームＦｒを吸引することで、吸着ハンド５１によってリングフレームＦｒを上側から保持することができる。ＸＺ軸運搬機構５は、後述するように、Ｘ軸駆動部５５によって吸着ハンド５１をＸ方向に駆動するとともにＺ軸駆動部５８によって吸着ハンド５１をＺ方向に駆動することで、吸着ハンド５１の環状吸着部材５１２に保持されるリングフレームＦｒを基板受渡領域Ａｗとチャックステージ３との間で移動させる。

【0035】

チャックステージ３は、テープＥを介して半導体基板Ｗを支持するリングフレームＦｒが載置される吸着プレート３１を有する。吸着プレート３１は円形を有し、吸着プレート３１の上面３１１には複数の吸着孔が開口する。そして、吸着プレート３１の上面３１１の各吸着孔に発生させた負圧によって当該上面３１１に接触するテープＥを吸引することで、吸着プレート３１にテープＥを固定することができる。さらに、チャックステージ３は、吸着プレート３１の周縁に設けられた複数のクランパ３２を有する。このチャックステージ３は、吸着プレート３１に載置されたリングフレームＦｒに対してクランパ３２を上側から対向させて、クランパ３２と吸着プレート３１との間にリングフレームＦｒを挟み込むことで、リングフレームＦｒを吸着プレート３１に固定する。また、チャックステージ３は、リングフレームＦｒからクランパ３２を側方に退避させることで、リングフレームＦｒの吸着プレート３１への固定を解除する。

【0036】

このように、チャックステージ３は、吸着プレート３１によるテープＥの吸引と、クランパ３２によるリングフレームＦｒの固定とによって、テープＥを介してリングフレームＦｒに支持された半導体基板Ｗを保持する。このようにクランパ３２を併用することで、吸着プレート３１によるテープＥの吸引のみによって半導体基板Ｗを保持する場合と比べて、吸着プレート３１へのテープＥの吸引を弱い吸引力で実行することができ、テープＥの吸引が半導体基板Ｗに与える影響を緩和できる。

【0037】

また、レーザ加工装置１は、チャックステージ３を支持するＸＹθ駆動テーブル６を備える。ＸＹθ駆動テーブル６は、ベースプレート１１上に配置されて、ベースプレート１１に対してチャックステージ３をＸ方向、Ｙ方向およびθ方向に駆動する。ここで、θ方向は、Ｚ方向に平行な回転軸を中心とする回転方向である。つまり、ＸＹθ駆動テーブル６は、Ｙ方向に平行にベースプレート１１に取り付けられたＹ軸ガイド６１と、Ｙ軸ガイド６１によってＹ方向に移動可能に支持されるＹ軸スライダ６２と、Ｙ軸スライダ６２をＹ方向に駆動するＹ軸駆動部６３とを有する。Ｙ軸駆動部６３は、ベースプレート１１に取り付けられた単軸ロボットであり、Ｙ軸スライダ６２をＹ方向に移動可能に支持するＹ軸駆動伝達部６３１と、Ｙ軸駆動伝達部６３１に支持されるＹ軸スライダ６２をＹ方向に駆動するＹ軸テーブルモータ６３２とを有する。Ｙ軸駆動伝達部６３１は、Ｙ軸テーブルモータ６３２によって駆動されるボールネジを有し、当該ボールネジのナットにＹ軸スライダ６２が取り付けられている。ただし、Ｙ軸駆動部６３の具体的構成はこの例に限られず、例えばリニアモータでも良い。

【0038】

また、ＸＹθ駆動テーブル６は、Ｘ軸スライダ６４と、Ｘ軸スライダ６４をＹ軸スライダ６２に対してＸ方向に駆動するＸ軸駆動部６５とを有する。Ｘ軸駆動部６５は、Ｙ軸スライダ６２に取り付けられた単軸ロボットであり、Ｘ軸スライダ６４をＸ方向に移動可能に支持するＸ軸駆動伝達部６５１と、Ｘ軸駆動伝達部６５１に支持されるＸ軸スライダ６４をＸ方向に駆動するＸ軸テーブルモータ６５２とを有する。Ｘ軸駆動伝達部６５１は、Ｘ軸テーブルモータ６５２によって駆動されるボールネジを有し、当該ボールネジのナットにＸ軸スライダ６４が取り付けられている。ただし、Ｘ軸駆動部６５の具体的構成はこの例に限られず、例えばリニアモータでも良い。

【0039】

さらに、ＸＹθ駆動テーブル６は、Ｘ軸スライダ６４に取り付けられたθ軸テーブルモータ６６を有する。このθ軸テーブルモータ６６は、Ｘ軸スライダ６４に対してチャックステージ３をθ方向に駆動する。

【0040】

このようなＸＹθ駆動テーブル６は、Ｙ軸テーブルモータ６３２によってチャックステージ３をＹ方向に駆動し、Ｘ軸テーブルモータ６５２によってチャックステージ３をＸ方向に駆動し、θ軸テーブルモータ６６によってチャックステージ３をθ方向に駆動することができる。

【0041】

また、レーザ加工装置１は、チャックステージ３に保持される半導体基板Ｗに対してレーザ加工を実行するレーザ加工部７を備える。レーザ加工部７は、チャックステージ３に保持される半導体基板Ｗに上側から対向する加工ヘッド７１を有する。加工ヘッド７１は所定の振動数のレーザ光Ｂを発生するレーザ光源７２と、レーザ光源７２から射出されたレーザ光Ｂを半導体基板Ｗに照射する光学系７３（レンズおよび絞り等）とを有する。この加工ヘッド７１は、所定のレーザ照射位置Ｌｂを有して、当該レーザ照射位置ＬｂにＺ方向の上側から対向する。そして、加工ヘッド７１は、レーザ光源７２から射出されたレーザ光Ｂを光学系７３によってレーザ照射位置Ｌｂに集光することで、半導体基板Ｗのうちレーザ照射位置Ｌｂに重複する部分に改質層を形成する。

【0042】

また、レーザ加工部７は、加工ヘッド７１を支持するＺ軸スライダ７８と、Ｚ軸スライダ７８をＺ方向に駆動するＺ軸駆動部７９とを有する。Ｚ軸駆動部７９はベースプレートに取り付けられた単軸ロボットであり、Ｚ軸スライダ７８をＺ方向に移動可能に支持するＺ軸駆動伝達部７９１と、Ｚ軸駆動伝達部７９１に支持されるＺ軸スライダ７８をＺ方向に駆動するＺ軸ヘッドモータ７９２とを有する。Ｚ軸駆動伝達部７９１は、Ｚ軸ヘッドモータ７９２によって駆動されるボールネジを有し、当該ボールネジのナットにＺ軸スライダ７８が取り付けられている。ただし、Ｚ軸駆動部７９の具体的構成はこの例に限られず、例えばリニアモータでも良い。かかるＺ軸駆動部７９は、Ｚ軸駆動伝達部７９１に支持されるＺ軸スライダ７８をＺ軸ヘッドモータ７９２によって駆動することで、Ｚ軸スライダ７８に支持される加工ヘッド７１をＺ方向に移動させて、赤外線カメラ８１のレーザ照射位置ＬｂをＺ方向に移動させる。

【0043】

また、レーザ加工装置１は、チャックステージ３に保持される半導体基板Ｗを撮像する撮像部８を備える。特に、Ｘ方向においてレーザ加工部７を挟むように配置された２台の撮像部８が設けられている。これら２台の撮像部８を区別する際には、レーザ加工部７の（＋Ｘ）側の撮像部８を撮像部８Ａと称し、レーザ加工部７の（－Ｘ）側の撮像部８を撮像部８Ｂと称することとする。このように撮像部８Ａ、レーザ加工部７および撮像部８ＢがＸ方向に配列されている。なお、撮像部８Ａおよび撮像部８Ｂそれぞれの基本的な構成は共通する。したがって、撮像部８Ａ、８Ｂで共通する構成はこれらを区別せずに説明を行うこととする。

【0044】

撮像部８は、チャックステージ３に保持される半導体基板Ｗに上側から対向する赤外線カメラ８１を有する。この赤外線カメラ８１は、所定の撮像範囲Ｒｉ（換言すれば、視野）を有して、当該撮像範囲Ｒｉに対してＺ方向の上側から対向する。そして、赤外線カメラ８１は、撮像範囲Ｒｉから射出される赤外線を検出することで、撮像範囲Ｒｉを撮像して、撮像範囲Ｒｉの画像を取得する。

【0045】

また、撮像部８は、赤外線カメラ８１を支持するＺ軸スライダ８８と、Ｚ軸スライダ８８をＺ方向に駆動するＺ軸駆動部８９とを有する。Ｚ軸駆動部８９はベースプレートに取り付けられた単軸ロボットであり、Ｚ軸スライダ８８をＺ方向に移動可能に支持するＺ軸駆動伝達部８９１と、Ｚ軸駆動伝達部８９１に支持されるＺ軸スライダ８８をＺ方向に駆動するＺ軸カメラモータ８９２とを有する。Ｚ軸駆動伝達部８９１は、Ｚ軸カメラモータ８９２によって駆動されるボールネジを有し、当該ボールネジのナットにＺ軸スライダ８８が取り付けられている。ただし、Ｚ軸駆動部８９の具体的構成はこの例に限られず、例えばリニアモータでも良い。かかるＺ軸駆動部８９は、Ｚ軸駆動伝達部８９１に支持されるＺ軸スライダ８８をＺ軸カメラモータ８９２によって駆動することで、Ｚ軸スライダ８８に支持される赤外線カメラ８１をＺ方向に移動させて、赤外線カメラ８１の撮像範囲ＲｉをＺ方向に移動させる。

【0046】

なお、撮像部８Ａの赤外線カメラ８１と、撮像部８Ｂの赤外線カメラ８１とは互いに異なる解像度を有する。具体的には、撮像部８Ａの赤外線カメラ８１は、撮像部８Ｂの赤外線カメラ８１よりも高い解像度を有し、換言すれば狭い視野を有する。ただし、撮像部８Ａと撮像部８Ｂとで赤外線カメラ８１の解像度が異なる必要はなく、これらの赤外線カメラ８１が同一の解像度を有していてもよい。また、ここの例では、撮像部８Ａの撮像範囲Ｒｉ、加工ヘッド７１のレーザ照射位置Ｌｂおよび撮像部８Ｂの撮像範囲Ｒｉそれぞれの中心がＸ方向に平行に並ぶ。ただし、これらがＸ方向に平行である必要は必ずしもなく、加工ヘッド７１のレーザ照射位置Ｌｂに対して、撮像部８Ａの撮像範囲Ｒｉが（＋Ｘ）側に位置し、撮像部８Ｂの撮像範囲Ｒｉが（－Ｘ）側に位置していればよい。

【0047】

図３は図１のレーザ加工装置が備える電気的構成を示すブロック図である。図３に示すように、レーザ加工装置１は、図１および図２に示した構成を制御する制御部１００を備える。制御部１００は、レーザ加工装置１内で、半導体基板Ｗの運搬に関わる基板運搬系（基板収容部２、Ｙ軸運搬機構４およびＸＺ軸運搬機構５）の制御を担当するハンドリング制御演算部１１０と、半導体基板Ｗへのレーザ加工に関わるレーザ加工系（チャックステージ３、ＸＹθ駆動テーブル６、レーザ加工部７および撮像部８）の制御を担当するレーザ加工制御演算部１２０とを有する。

【0048】

また、制御部１００は、ハンドリング制御演算部１１０からの指令に応じて、基板収容カセット２１に対する半導体基板Ｗの挿脱動作を制御するカセット制御部１１１を有する。このカセット制御部１１１は、Ｚ軸カセットモータ２７２を制御することで基板収容カセット２１のＺ方向の位置を調整し、Ｙ軸リフトハンドモータ４５２を制御することでリフトハンド４１のＹ方向の位置を調整する。

【0049】

さらに、制御部１００は、ハンドリング制御演算部１１０からの指令に応じて、吸着ハンド５１による半導体基板Ｗの運搬動作を制御するハンド制御部１１２を有する。ハンド制御部１１２は、Ｘ軸吸着ハンドモータ５５２を制御することで吸着ハンド５１のＸ方向の位置を調整し、ハンド制御部１１２は、Ｚ軸吸着ハンドモータ５８２を制御することで吸着ハンド５１のＺ方向の位置を調整する。さらに、ハンド制御部１１２は、吸着ハンド５１の環状吸着部材５１２の底面５１３に開口する吸着孔を吸引する吸引ポンプ５９１を制御する。つまり、ハンド制御部１１２は、吸引ポンプ５９１によって吸着孔へ負圧を供給することで吸着ハンド５１によってリングフレームＦｒを吸着し、吸引ポンプ５９１による吸着孔への負圧の供給を停止することで吸着ハンド５１からリングフレームＦｒを離す。

【0050】

また、制御部１００は、レーザ加工制御演算部１２０からの指令に応じて、チャックステージ３による基板固定動作やチャックステージ３の駆動を制御するステージ制御部１２１を有する。ステージ制御部１２１は、Ｘ軸テーブルモータ６５２、Ｙ軸テーブルモータ６３２およびθ軸テーブルモータ６６をそれぞれ制御することで、チャックステージ３のＸ方向、Ｙ方向およびθ方向への位置を調整する。さらに、ステージ制御部１２１は、クランパ３２を駆動するクランパ駆動部６９１を制御することで、クランパ駆動部６９１による吸着プレート３１へのリングフレームＦｒの固定や、当該固定の解除を実行する。さらに、ステージ制御部１２１は、吸着プレート３１の上面３１１に開口する吸着孔を吸引する吸引ポンプ６９２を制御する。つまり、ステージ制御部１２１は、吸引ポンプ６９２によって吸着孔へ負圧を供給することで吸着プレート３１によってテープＥを吸着し、吸引ポンプ６９２による吸着孔への負圧の供給を停止することで吸着プレート３１によるテープＥの吸着を解除する。

【0051】

また、制御部１００は、撮像部８Ａを制御するカメラ制御部１２２Ａと、撮像部８Ｂを制御するカメラ制御部１２２Ｂとを有する。これらハンド制御部１１２Ａ、１１２Ｂは、それぞれの対象である撮像部８Ａ、８Ｂの赤外線カメラ８１およびＺ軸カメラモータ８９２に対して次の制御を実行する。つまり、カメラ制御部１２２Ａ、１２２Ｂのそれぞれは、赤外線カメラ８１に半導体基板Ｗを撮像させて半導体基板Ｗの画像を取得し、Ｚ軸カメラモータ８９２によって赤外線カメラ８１をＺ方向に駆動することで赤外線カメラ８１から半導体基板Ｗまでの距離をＺ方向に調整する。

【0052】

さらに、制御部１００は、レーザ加工部７を制御する加工ヘッド制御部１２３を有する。加工ヘッド制御部１２３は、レーザ光源７２を駆動して、レーザ光源７２からレーザ光Ｂを射出させ、Ｚ軸ヘッドモータ７９２によって加工ヘッド７１をＺ方向に駆動することで、加工ヘッド７１から半導体基板Ｗまでの距離をＺ方向に調整する。また、加工ヘッド７１は、半導体基板Ｗからの高さ（Ｚ方向への距離）を検出する高さ検出部７４を有する。この高さ検出部７４は、いわゆる距離センサである。さらに、加工ヘッド７１の光学系７３はフォーカス調整機構７５を有する。フォーカス調整機構７５は、光学系７３の焦点をＺ方向に変位させることで、レーザ光Ｂを集光する位置を調整する。特に、加工ヘッド制御部１２３は、高さ検出部７４が検出した半導体基板Ｗから加工ヘッド７１までの高さに基づきフォーカス調整機構７５を制御することで、半導体基板Ｗの内部の所定位置にレーザ光Ｂを集光する。

【0053】

なお、上述した制御部１００の各機能は、ＣＰＵ(Central Processing Unit)といったプロセッサやＦＰＧＡ(Field
Programable Gate Array)等によって実現することができる。

【0054】

さらに、制御部１００は、ＨＤＤ(Hard Disk Drive)あるいはＳＤＤ(Solid State Drive)といった記憶装置である記憶部１９０を有する。この記憶部１９０には、半導体基板Ｗのレーザ加工のためにレーザ加工装置１で実行される後述の動作を規定するレーザ加工プログラム１９１が保存されている。つまり、制御部１００は、レーザ加工プログラム１９１を実行することで、図４～図２２Ｃを用いて後述する各制御を実行する。なお、レーザ加工プログラム１９１は、レーザ加工装置１の外部の記録媒体１９２によって提供され、制御部１００（コンピュータ）は、記録媒体１９２に記録されたレーザ加工プログラム１９１を読み出して記憶部１９０に保存する。かかる記録媒体１９２としては、例えばＵＳＢ(Universal Serial Bus)メモリや、外部のコンピュータの記憶装置等が挙げられる。

【0055】

図４はレーザ加工が実行済みのレーザ加工基板を生産する方法の一例を示すフローチャートである。図４のフローチャートは、レーザ加工プログラム１９１に基づく制御部１００の制御に従って実行される。ステップＳ１０１では、リフトハンド４１がリングフレームＦｒを基板収容カセット２１から基板受渡領域Ａｗに取り出し、ステップＳ１０２では、基板受渡領域Ａｗの吸着ハンド５１がリフトハンド４１からチャックステージ３にリングフレームＦｒを移載する。これによって、リングフレームＦｒに保持される半導体基板Ｗが、基板収容カセット２１から基板受渡領域Ａｗに取り出されてから、基板受渡領域Ａｗからチャックステージ３に移載される。具体的には、ステップＳ１０１では、図５のリングフレームの取り出しが実行され、ステップＳ１０２では、図６のリングフレームの移載が実行される。

【0056】

図５はリングフレームの取り出しの一例を示すフローチャートであり、図６はリングフレームの移載の一例を示すフローチャートであり、図７Ａ～図７Ｅは図５および図６のフローチャートに従って実行される動作の一例を模式的に示す平面図である。

【0057】

図５のステップＳ２０１では、制御部１００は、リフトハンド４１が空であるか、すなわちリフトハンド４１にリングフレームＦｒが載置されていないかを確認する。リフトハンド４１が空であるかの確認は、例えばリフトハンド４１に実行させた動作の履歴等に基づき実行することができる。リフトハンド４１が空でない場合（ステップＳ２０１で「ＮＯ」の場合）には、図５のフローチャートを終了する一方、リフトハンド４１が空である場合（ステップＳ２０１で「ＹＥＳ」の場合）には、ステップＳ２０１に進む。

【0058】

ステップＳ２０２では、制御部１００は、リフトハンド４１の少なくとも一部が基板収容カセット２１内に位置するか、換言すれば基板収容カセット２１の開口２３よりも基板収容カセット２１の内側（すなわち、（＋Ｙ）側）に位置するかを確認する。リフトハンド４１の一部が基板収容カセット２１内に位置するかの確認は、例えばリフトハンド４１をＹ方向に駆動するＹ軸リフトハンドモータ４５２のエンコーダの出力が示すリフトハンド４１の位置に基づき実行することができる。リフトハンド４１が基板収容カセット２１から（－Ｙ）側に退避している場合（ステップＳ２０２で「ＮＯ」の場合）には、ステップＳ２０３を実行せずにステップＳ２０４に進む一方、リフトハンド４１の一部が基板収容カセット２１内に位置する場合（ステップＳ２０２で「ＹＥＳ」の場合）には、ステップＳ２０３に進む。ステップＳ２０３では、制御部１００は、Ｙ軸リフトハンドモータ４５２によってリフトハンド４１を（－Ｙ）側に駆動することで、リフトハンド４１を基板収容カセット２１から（－Ｙ）側に引き出して、基板収容カセット２１の（－Ｙ）側に退避させる。

【0059】

ステップＳ２０４では、制御部１００はＺ軸カセットモータ２７２によって基板収容カセット２１をＺ方向に駆動することで、取り出し対象となるリングフレームＦｒを収容するスロット２５を、基板挿入高さ２１１から所定高さだけ高い位置に位置決めする。この所定高さは、Ｚ方向において隣接するスロット２５の間隔より短い。これによって、取り出し対象となるリングフレームＦｒの底面が、リフトハンド４１から所定高さだけ高い位置に調整される。

【0060】

ステップＳ２０５では、図７Ａに示すように、制御部１００は、Ｙ軸リフトハンドモータ４５２によってリフトハンド４１を（＋Ｙ）側に駆動することで、リフトハンド４１を基板収容カセット２１の内側に挿入する。これによって、リフトハンド４１は、取り出し対象となるリングフレームＦｒに下側から隙間を空けて対向する。

【0061】

ステップＳ２０６では、制御部１００は、Ｚ軸カセットモータ２７２によって基板収容カセット２１をＺ方向に下降させる。これによって、取り出し対象となるリングフレームＦｒが、リフトハンド４１の上に載置されるとともに、スロット２５（すなわち、スロット２５を規定する一対の支持突起２４）に対して上昇する。

【0062】

ステップＳ２０７では、制御部１００は、Ｙ軸リフトハンドモータ４５２によってリフトハンド４１を（－Ｙ）側に駆動することで、リフトハンド４１を基板収容カセット２１の外側に設けられた基板受渡領域Ａｗまで引き出す。これによって、図７Ｂに示すように、リフトハンド４１に載置されたリングフレームＦｒが基板受渡領域Ａｗに位置する。

【0063】

図６のステップＳ３０１では、制御部１００は、図７Ｃに示すように、Ｘ軸吸着ハンドモータ５５２によって吸着ハンド５１のＸ方向の位置を調整することで、基板受渡領域Ａｗでリフトハンド４１に支持されるリングフレームＦｒに対して、吸着ハンド５１を上側から対向させる。この際、制御部１００は、Ｚ軸吸着ハンドモータ５８２によって吸着ハンド５１の高さを調整することで、リングフレームＦｒより高い位置に吸着ハンド５１を調整する。したがって、吸着ハンド５１は、リングフレームＦｒに対して間隔を空けて対向する。

【0064】

ステップＳ３０２では、制御部１００は、リングフレームＦｒに対向する吸着ハンド５１をＺ軸駆動伝達部５８１によって下降させて、吸着ハンド５１の底面５１３をリングフレームＦｒの上面に当接させる。ステップＳ３０３では、制御部１００は、吸着ハンド５１の底面５１３に設けられた吸着孔に吸引ポンプ５９１によって負圧を発生させ、吸着ハンド５１は、この負圧によってリングフレームＦｒを吸着する。こうして、吸着ハンド５１によってリングフレームＦｒが保持される。ステップＳ３０４では、制御部１００は、Ｚ軸吸着ハンドモータ５８２によって吸着ハンド５１を上昇させる。これによって、吸着ハンド５１がリフトハンド４１からリングフレームＦｒを持ち上げる。

【0065】

ステップＳ３０５では、制御部１００は、図７Ｄに示すように、Ｘ軸吸着ハンドモータ５５２によって吸着ハンド５１を（＋Ｘ）側に駆動することで、リングフレームＦｒの移載先であるチャックステージ３に対して、吸着ハンド５１を上側から対向させる。この際、制御部１００は、Ｚ軸吸着ハンドモータ５８２によって吸着ハンド５１の高さを調整することで、吸着ハンド５１に保持されるリングフレームＦｒをチャックステージ３より高い位置に調整する。したがって、吸着ハンド５１に保持されるリングフレームＦｒは、チャックステージ３に対して間隔を空けて対向する。

【0066】

ステップＳ３０６では、制御部１００は、Ｚ軸吸着ハンドモータ５８２によって吸着ハンド５１を下降させることで、吸着ハンド５１により保持されるリングフレームＦｒ（およびテープＥ）をチャックステージ３の吸着プレート３１に載置する。ステップＳ３０７では、制御部１００は、吸引ポンプ５９１を停止させて、吸着ハンド５１によるリングフレームＦｒの吸着を解除する。

【0067】

ステップＳ３０８では、制御部１００は、リングフレームＦｒの移載先がチャックステージ３であるか否かを確認する。例えば後述するステップＳ１０４のようにリングフレームＦｒの移載先がリフトハンド４１である場合には、ステップＳ３０８で「ＮＯ」と判断されて、図６のフローチャートが終了する。ここでは、リングフレームＦｒの移載先はチャックステージ３であるため、ステップＳ３０８で「ＹＥＳ」と判断されて、ステップＳ３０９に進む。

【0068】

ステップＳ３０９では、制御部１００は、クランパ駆動部６９１によってクランパ３２を駆動することで、チャックステージ３の吸着プレート３１に載置されたリングフレームＦｒを、クランパ３２と吸着プレート３１との間に挟み込んで、リングフレームＦｒをクランプする。また、ステップＳ３１０では、制御部１００は、吸着プレート３１の上面３１１に設けられた吸着孔に吸引ポンプ６９２によって負圧を発生させ、吸着プレート３１は、リングフレームＦｒに張り付けられたテープＥをこの負圧によって吸着する。こうして、チャックステージ３によってリングフレームＦｒが保持される。ステップＳ３１１では、制御部１００は、Ｚ軸吸着ハンドモータ５８２によって吸着ハンド５１を上昇させる。これによって、吸着ハンド５１がチャックステージ３に保持されたリングフレームＦｒから上方に退避する。こうして、図７Ｅに示すように、基板収容カセット２１からチャックステージ３へのリングフレームＦｒの移載が完了する（図４のステップＳ１０１、Ｓ１０２）。

【0069】

図４のステップＳ１０３では、チャックステージ３に保持される半導体基板Ｗをレーザ光Ｂによって加工する基板加工が実行されて、半導体基板Ｗに設けられた複数の分割予定ラインにレーザ光Ｂが照射される。この基板加工の詳細は後述する。

【0070】

基板加工が完了すると、ステップＳ１０４、Ｓ１０５が実行される。ステップＳ１０４では、吸着ハンド５１がチャックステージ３から基板受渡領域Ａｗのリフトハンド４１にリングフレームＦｒを移載し、ステップＳ１０５では、リフトハンド４１が基板受渡領域Ａｗから基板収容カセット２１にリングフレームＦｒを収納する。これによって、リングフレームＦｒに保持される半導体基板Ｗが、チャックステージ３から基板受渡領域Ａｗに移載されてから、基板受渡領域Ａｗから基板収容カセット２１に収納される。具体的には、ステップＳ１０４では、図６のリングフレームの移載が実行され、ステップＳ１０５では、図８のリングフレームの収納が実行されて、上述の図７Ａ～図７Ｅと逆の動作が実行される。ここで、図８はリングフレームの収納の一例を示すフローチャートである。

【0071】

ステップＳ１０４で実行される図６の動作は、ステップＳ１０２で実行される図６の上述の動作と同様であるので、ここでは、上述の動作との差を中心に説明し、共通する動作については適宜説明を省略する。図６のステップＳ３０１では、制御部１００は、Ｘ軸吸着ハンドモータ５５２によって吸着ハンド５１のＸ方向の位置を調整することで、チャックステージ３に載置されるリングフレームＦｒに対して、吸着ハンド５１を上側から対向させる。そして、制御部１００は、吸着ハンド５１をリングフレームＦｒまで下降させて（ステップＳ３０２）、吸着ハンド５１にリングフレームＦｒを吸着させる（ステップＳ３０３）。続いて、制御部１００は吸着ハンド５１を上昇させる（ステップＳ３０４）。これによって、吸着ハンド５１がチャックステージ３からリングフレームＦｒを持ち上げる。

【0072】

ステップＳ３０５では、制御部１００は、Ｘ軸吸着ハンドモータ５５２によって吸着ハンド５１を（－Ｘ）側に駆動する。この際、リフトハンド４１は、基板受渡領域Ａｗで待機している、これによって、リングフレームＦｒの移載先である基板受渡領域Ａｗのリフトハンド４１に対して、吸着ハンド５１が上側から対向する。そして、制御部１００は、Ｚ軸吸着ハンドモータ５８２によって吸着ハンド５１を下降させることで、吸着ハンド５１により保持されるリングフレームＦｒをリフトハンド４１に載置する（ステップＳ３０６）。そして、制御部１００は、吸引ポンプ５９１を停止させて、吸着ハンド５１によるリングフレームＦｒの吸着を解除する（ステップＳ３０７）。ステップＳ３０８では、制御部１００は、リングフレームＦｒの移載先がチャックステージ３であるか否かを確認する。ここでは、リングフレームＦｒの移載先がリフトハンド４１であってチャックステージ３ではないので、ステップＳ３０８で「ＮＯ」と判断されて、図６のフローチャートが終了する。

【0073】

図８のステップ４０１では、制御部１００は、リングフレームＦｒがリフトハンド４１に載置されたかを確認する。リフトハンド４１へのリングフレームＦｒの載置の確認は、例えばリングフレームＦｒの載置を実行する吸着ハンド５１の動作履歴に基づき実行できる。リフトハンド４１へのリングフレームＦｒの載置が確認されると（ステップＳ４０１で「ＹＥＳ」）、制御部１００は、上述のステップＳ２０２と同様にして、リフトハンド４１の少なくとも一部が基板収容カセット２１内に位置するかを確認する（ステップＳ４０２）。リフトハンド４１が基板収容カセット２１から（－Ｙ）側に退避している場合（ステップＳ４０２で「ＮＯ」の場合）には、ステップＳ４０３を実行せずにステップＳ４０４に進む一方、リフトハンド４１の一部が基板収容カセット２１内に位置する場合（ステップＳ４０２で「ＹＥＳ」の場合）には、ステップＳ４０３に進む。ステップＳ４０３では、制御部１００は、Ｙ軸リフトハンドモータ４５２によってリフトハンド４１を（－Ｙ）側に駆動することで、リフトハンド４１を基板収容カセット２１から（－Ｙ）側に引き出して、基板収容カセット２１の（－Ｙ）側に退避させる。

【0074】

ステップＳ４０４では、制御部１００はＺ軸カセットモータ２７２によって基板収容カセット２１をＺ方向に駆動することで、リングフレームＦｒの収納対象となるスロット２５（換言すれば、スロット２５を規定する一対の支持突起２４）を、基板挿入高さ２１１から所定高さだけ低い位置に位置決めする。これによって、収納対象となるスロット２５が、リフトハンド４１に支持されるリングフレームＦｒの底面より所定高さだけ低い位置に調整される。

【0075】

ステップＳ４０５では、制御部１００は、Ｙ軸リフトハンドモータ４５２によってリフトハンド４１を（＋Ｙ）側に駆動することで、リフトハンド４１を基板収容カセット２１の内側に挿入する。これによって、収納対象となるスロット２５を規定する一対の支持突起２４は、リフトハンド４１に支持されるリングフレームＦｒに下側から隙間を空けて対向する。

【0076】

ステップＳ４０６では、制御部１００は、Ｚ軸カセットモータ２７２によって基板収容カセット２１をＺ方向に上昇させる。これによって、リングフレームＦｒが収納対象となるスロット２５を規定する一対の支持突起２４の上に載置されるとともに、リフトハンド４１に対して上昇する。ステップＳ４０７では、制御部１００は、Ｙ軸リフトハンドモータ４５２によってリフトハンド４１を（－Ｙ）側に駆動することで、リフトハンド４１を基板収容カセット２１の外側に引き出す。

【0077】

なお、基板収容カセット２１に対するリングフレームＦｒの取り出しあるいは収納を実行する際には、リフトハンド４１に対してリングフレームＦｒを位置合わせするリングフレームアライメントを適宜実行できる。図９はリングフレームアライメントの一例を示すフローチャートであり、図１０はリングフレームアライメントで実行される動作の一例を模式的に示す平面図である。なお、図９のフローチャートは、制御部１００の制御によって実行される。

【0078】

図１０では、吸着ハンド５１を透かして吸着ハンド５１の下側の部材（アライメント突起４１３等）を示している。つまり、ここの例では、リフトハンド４１は、ベース部４１１から上方に突出する複数のアライメント突起４１３を有する。これら複数のアライメント突起４１３は、リングフレームＦｒの複数のスリットＦｓに対応する。そして、アライメント突起４１３とスリットＦｓとを用いて、リングフレームアライメントが実行される。

【0079】

このリングフレームアライメントでは、リフトハンド４１上のリングフレームＦｒを吸着ハンド５１が吸着する（ステップＳ５０１）。そして、リングフレームＦｒを保持する吸着ハンド５１が上昇して、リングフレームＦｒをリフトハンド４１から上側に離間させる（ステップＳ５０２）。この際、Ｚ方向においてアライメント突起４１３の下端と上端との間の高さにリングフレームＦｒが位置するように、リングフレームＦｒがリフトハンド４１から離間する高さは調整されている。

【0080】

ステップＳ５０３では、Ｚ軸スライダ５６に内蔵されているＸＹθフローティング機構５６１がオンにされる。このＸＹθフローティング機構５６１は、吸着ハンド５１をフローティング支持するフローティング状態と、吸着ハンド５１を固定支持するロック状態とを選択的にとる。ここで、フローティング支持とは、吸着ハンド５１がＸＹθフローティング機構５６１に対してＸ方向、Ｙ方向およびθ方向に移動可能な状態で吸着ハンド５１を支持すること意味し、固定支持とは、吸着ハンド５１がＸＹθフローティング機構５６１に対して固定された状態で吸着ハンド５１を支持することを意味する。ステップＳ５０３でＸＹθフローティング機構５６１がオンとなると、ＸＹθフローティング機構５６１は吸着ハンド５１をフローティング支持し、吸着ハンド５１はＸＹθフローティング機構５６１に対してＸ方向、Ｙ方向およびθ方向に移動可能となる。

【0081】

ステップＳ５０４では、リフトハンド４１がＹ方向に移動して、吸着ハンド５１に保持されるリングフレームＦｒの周縁にリフトハンド４１のアライメント突起４１３を当接させる。この際、アライメント突起４１３がリングフレームＦｒの周縁に追従するように吸着ハンド５１がＸＹθフローティング機構５６１に対して移動する。その結果、図１０のステップＳ５０４の欄に示すように、リフトハンド４１の各アライメント突起４１３がリングフレームＦｒの各スリットＦｓに係合して、リフトハンド４１に対してリングフレームＦｒが位置決めされる。

【0082】

ステップＳ５０５では、ＸＹθフローティング機構５６１がロックされる。これによって、吸着ハンド５１がＸＹθフローティング機構５６１に固定支持される。そして、ステップＳ５０６では、吸着ハンド５１によるリングフレームＦｒの吸着が解除されて、リングフレームＦｒがリフトハンド４１上に載置される。ステップＳ５０７では、ＸＹθフローティング機構５６１がオフにされて、吸着ハンド５１はＺ軸スライダ５６に固定された状態で、Ｚ軸スライダ５６により支持される。こうして、リフトハンド４１に対してリングフレームＦｒを位置決めすることができる（リングフレームアライメント）。

【0083】

続いては、基板加工の詳細について説明する。図１１は基板加工の一例を示すフローチャートであり、図１２は図１１のフローチャートに従って実行される動作の一例を模式的に示す平面図である。図１１のフローチャートは、制御部１００の制御によって実行される。

【0084】

図１１の基板加工のステップＳ６０１では、加工対象である半導体基板Ｗの上面（裏面）が有する平面を求めるキャリブレーションが実行される。図１３Ａはキャリブレーションの一例を示すフローチャートであり、図１３Ｂは図１３Ａのキャリブレーションで実行されるステージ平面特定の一例を示すフローチャートであり、図１３Ｃは図１３Ａのキャリブレーションで実行される基板平面特定の一例を示すフローチャートである。なお、図１３Ａのキャリブレーションでは、吸着プレート３１あるいは半導体基板Ｗの撮像が適宜行われる。ここの説明では、撮像部８Ｂによって撮像が実行されるものとする。ただし、撮像部８Ａによって撮像を行っても、以下の動作を同様に実行できる。

【0085】

図１３ＡのキャリブレーションのステップＳ７０１では、ステージ平面特定（図１３Ｂ）が実行される。図１３Ｂに示すように、ステージ平面特定では、チャックステージ３の吸着プレート３１の上面３１１に設けられた複数（３個）の撮像点Ｐｓ（Ｉ）を識別するためのカウント値Ｉがゼロにリセットされて（ステップＳ８０１）、カウント値Ｉが１だけインクリメントされる（ステップＳ８０２）。撮像点Ｐｓ（Ｉ）は、例えば所定パターンを有するマークである。

【0086】

ステップＳ８０３では、制御部１００は、ＸＹθ駆動テーブル６によってチャックステージ３の位置を調整することで、撮像点Ｐｓ（Ｉ）を赤外線カメラ８１に対して下側から対向させる。これによって、撮像点Ｐｓ（Ｉ）が赤外線カメラ８１の視野に収まる。ステップＳ８０３では、赤外線カメラ８１は、この撮像点Ｐｓ（Ｉ）を撮像して、撮像点Ｐｓ（Ｉ）を示す画像を取得する。ステップＳ８０４では、制御部１００は、撮像点Ｐｓ（Ｉ）が有する所定パターンが当該画像から検知できるかを、パターンマッチング等の画像処理によって確認する。

【0087】

赤外線カメラ８１のピントが撮像点Ｐｓ（Ｉ）からずれており、画像から所定パターンを検知できない場合（ステップＳ８０４で「ＮＯ」の場合）には、制御部１００は、Ｚ軸カメラモータ８９２によって赤外線カメラ８１をＺ方向に駆動することで、撮像点Ｐｓ（Ｉ）に対する赤外線カメラ８１のＺ方向への距離を変更する（ステップＳ８０５）。これによって、赤外線カメラ８１のピントがＺ方向に変更される。赤外線カメラ８１のピントが撮像点Ｐｓ（Ｉ）に合って、所定パターンが検知されるまで（ステップＳ８０４で「ＹＥＳ」）、ステップＳ８０３～Ｓ８０５が繰り返される。

【0088】

ステップＳ８０６では、制御部１００は、撮像点Ｐｓ（Ｉ）を撮像することで取得した画像から検知された所定パターンに基づき、撮像点Ｐｓ（Ｉ）の位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を算出する。撮像点Ｐｓ（Ｉ）のＸ座標およびＹ座標は、画像に含まれる所定パターンの位置に基づき算出される。撮像点Ｐｓ（Ｉ）のＺ座標は、所定パターンが検知できた画像を撮像した際の赤外線カメラ８１のＺ方向への位置に基づき算出される。

【0089】

ステップＳ８０７では、カウント値Ｉが２に到達したか、すなわち２個の撮像点Ｐｓ（１）、Ｐｓ（２）の位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を取得したかが確認される。カウント値Ｉが２未満である場合（ステップＳ８０７で「ＮＯ」の場合）には、ステップＳ８０２に戻って、ステップＳ８０２～Ｓ８０６が実行される。カウント値Ｉが２である場合（ステップＳ８０７で「ＹＥＳ」の場合）には、ステップＳ８０８に進む。

【0090】

ステップＳ８０８では、２点の撮像点Ｐｓ（１）、Ｐｓ（２）を通る直線が水平となるように、θ方向にチャックステージ３を回転させるための回転角θａが算出される。そして、現在の吸着プレート３１の回転角（実回転角と回転角θａ）との差がゼロでない場合（ステップＳ８０９で「ＮＯ」の場合）には、チャックステージ３が回転角θａだけ回転されて（ステップＳ８１０）、ステップＳ８０１に戻る。こうして、ステップＳ８０１～Ｓ８０９が実行される。

【0091】

現在の吸着プレート３１の回転角（実回転角と回転角θａ）との差がゼロである場合（ステップＳ８０９で「ＹＥＳ」の場合）には、ステップＳ８１１に進む。ステップＳ８１１では、制御部１００は、ステップＳ８０３と同じ要領で、赤外線カメラ８１によって撮像点Ｐｓ（３）を撮像して、撮像点Ｐｓ（３）を示す画像を取得する。そして、ステップＳ８１２では、制御部１００は、撮像点Ｐｓ（３）が有する所定パターンが当該画像から検知できるかを、パターンマッチング等の画像処理によって確認する。

【0092】

画像から所定パターンを検知できない場合（ステップＳ８１２で「ＮＯ」の場合）には、制御部１００は、Ｚ軸カメラモータ８９２によって赤外線カメラ８１をＺ方向に駆動することで、撮像点Ｐｓ（３）に対する赤外線カメラ８１のＺ方向への距離を変更する（ステップＳ８１３）。そして、所定パターンが検知されるまで（ステップＳ８１２で「ＹＥＳ」）、ステップＳ８１１～Ｓ８１３が繰り返される。

【0093】

ステップＳ８１２で所定パターンを検知できると（ＹＥＳ）、制御部１００は、撮像点Ｐｓ（３）を撮像することで取得した画像から検知された所定パターンに基づき、撮像点Ｐｓ（３）の位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を算出する（ステップＳ８１４）。これによって、３個の撮像点Ｐｓ（１）、Ｐｓ（２）、Ｐｓ（３）それぞれの位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）が取得される。ステップＳ８１５では、これら３個の位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を通る平面が、チャックステージ３の平面、具体的には、吸着プレート３１の上面３１１を表す平面として特定される。

【0094】

図１３ＡのキャリブレーションのステップＳ７０２では、基板平面特定（図１３Ｃ）が実行される。図１３Ｃに示すように、基板平面特定では、半導体基板Ｗが有する複数（３個）の撮像点Ｐｗ（Ｉ）を識別するためのカウント値Ｉがゼロにリセットされて（ステップＳ９０１）、カウント値Ｉが１だけインクリメントされる（ステップＳ９０２）。撮像点Ｐｗ（Ｉ）は、例えば所定パターンを有する領域である。

【0095】

具体的には、図１２に示すように、半導体基板Ｗは互いに直交する分割予定ラインＳ（Ｓａ、Ｓｂ）によって格子状に区分けされている。つまり、半導体基板Ｗには、互いに平行な複数の分割予定ラインＳａと、互いに平行な複数の分割予定ラインＳｂとが設けられており、分割予定ラインＳａと分割予定ラインＳｂとは互いに直交する。こうして、分割予定ラインＳａ、Ｓｂを挟んで複数の半導体チップＣが格子状に配列されている。これに対して、分割予定ラインＳａと分割予定ラインＳｂとの交差点（換言すれば、四隅に配置された半導体チップＣで囲まれた点）を含む領域が撮像点Ｐｗ（Ｉ）に設定される。なお、上述の通り、半導体基板Ｗの裏面が上側を向いているため、赤外線カメラ８１は半導体基板Ｗの表面に形成された分割予定ラインＳａ、Ｓｂや半導体チップＣを、半導体基板Ｗの裏面を介して、赤外線によって撮像する。

【0096】

ステップＳ９０３では、制御部１００は、ＸＹθ駆動テーブル６によってチャックステージ３の位置を調整することで、撮像点Ｐｗ（Ｉ）を赤外線カメラ８１に対して下側から対向させる。これによって、撮像点Ｐｗ（Ｉ）が赤外線カメラ８１の視野に収まる。ステップＳ９０３では、赤外線カメラ８１は、この撮像点Ｐｗ（Ｉ）を撮像して、撮像点Ｐｗ（Ｉ）を示す画像を取得する。ステップＳ９０４では、制御部１００は、撮像点Ｐｗ（Ｉ）が有する所定パターン（例えば、分割予定ラインＳａと分割予定ラインＳｂとが交差するパターン）が当該画像から検知できるかを、パターンマッチング等の画像処理によって確認する。

【0097】

赤外線カメラ８１のピントが撮像点Ｐｗ（Ｉ）からずれており、画像から所定パターンを検知できない場合（ステップＳ９０４で「ＮＯ」の場合）には、制御部１００は、Ｚ軸カメラモータ８９２によって赤外線カメラ８１をＺ方向に駆動することで、撮像点Ｐｗ（Ｉ）に対する赤外線カメラ８１のＺ方向への距離を変更する（ステップＳ９０５）。これによって、赤外線カメラ８１のピントがＺ方向に変更される。赤外線カメラ８１のピントが撮像点Ｐｗ（Ｉ）に合って、所定パターンが検知されるまで（ステップＳ９０４で「ＹＥＳ」）、ステップＳ９０３～Ｓ９０５が繰り返される。

【0098】

なお、先に実行されたステージ平面特定（図１３Ｂ）によって、吸着プレート３１の上面３１１を表す平面（ステージ平面）は特定されている。したがって、吸着プレート３１に載置される半導体基板Ｗが有する撮像点Ｐｗ（Ｉ）が存在する高さの範囲は、このステージ平面に基づき推測できる。したがって、ステップＳ８０５では、ステージ平面から推測される撮像点Ｐｗ（Ｉ）の存在範囲に赤外線カメラ８１のピントが収まるように、赤外線カメラ８１の高さが変更される。

【0099】

ステップＳ９０６では、制御部１００は、撮像点Ｐｗ（Ｉ）を撮像することで取得した画像から検知された所定パターンに基づき、撮像点Ｐｗ（Ｉ）の位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を算出する。撮像点Ｐｗ（Ｉ）のＸ座標およびＹ座標は、画像に含まれる所定パターンの位置に基づき算出される。撮像点Ｐｗ（Ｉ）のＺ座標は、所定パターンが検知できた画像を撮像した際の赤外線カメラ８１のＺ方向への位置に基づき算出される。

【0100】

ステップＳ９０７では、カウント値Ｉが２に到達したか、すなわち２個の撮像点Ｐｗ（１）、Ｐｗ（２）の位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を取得したかが確認される。カウント値Ｉが２未満である場合（ステップＳ９０７で「ＮＯ」の場合）には、ステップＳ９０２に戻って、ステップＳ９０２～Ｓ９０６が実行される。カウント値Ｉが２である場合（ステップＳ９０７で「ＹＥＳ」の場合）には、ステップＳ９０８に進む。

【0101】

ステップＳ９０８では、分割予定ラインＳａがＸ方向（加工方向）に平行となるように、θ方向にチャックステージ３を回転させるための回転角θｂが、２点の撮像点Ｐｗ（１）、Ｐｗ（２）に基づき算出される。そして、現在の吸着プレート３１の回転角（実回転角と回転角θｂ）との差がゼロでない場合（ステップＳ９０９で「ＮＯ」の場合）には、チャックステージ３が回転角θｂだけ回転されて（ステップＳ９１０）、ステップＳ９０１に戻る。こうして、ステップＳ９０１～Ｓ９０９が実行される。

【0102】

現在の吸着プレート３１の回転角（実回転角と回転角θｂ）との差がゼロである場合（ステップＳ９０９で「ＹＥＳ」の場合）には、ステップＳ９１１に進む。ステップＳ９１１では、制御部１００は、ステップＳ９０３と同じ要領で、赤外線カメラ８１によって撮像点Ｐｗ（３）を撮像して、撮像点Ｐｗ（３）を示す画像を取得する。そして、ステップＳ９１２では、制御部１００は、撮像点Ｐｗ（３）が有する所定パターンが当該画像から検知できるかを、パターンマッチング等の画像処理によって確認する。

【0103】

画像から所定パターンを検知できない場合（ステップＳ９１２で「ＮＯ」の場合）には、制御部１００は、Ｚ軸カメラモータ８９２によって赤外線カメラ８１をＺ方向に駆動することで、撮像点Ｐｗ（３）に対する赤外線カメラ８１のＺ方向への距離を変更する（ステップＳ９１３）。そして、所定パターンが検知されるまで（ステップＳ９１２で「ＹＥＳ」）、ステップＳ９１１～Ｓ９１３が繰り返される。この際、赤外線カメラ８１の高さを変更する範囲は、上述と同様に、ステージ平面に基づき設定される。

【0104】

ステップＳ９１２で所定パターンを検知できると（ＹＥＳ）、制御部１００は、撮像点Ｐｗ（３）を撮像することで取得した画像から検知された所定パターンに基づき、撮像点Ｐｗ（３）の位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を算出する（ステップＳ９１４）。これによって、３個の撮像点Ｐｗ（１）、Ｐｗ（２）、Ｐｗ（３）それぞれの位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）が取得される。ステップＳ９１５では、これら３個の位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を通る平面が、半導体基板Ｗを表す平面として特定される。

【0105】

図１１に戻って説明を続ける。上記のキャリブレーションの実行により、分割予定ラインＳａがＸ方向に平行となるように半導体基板Ｗが位置決めされて、半導体基板Ｗを表す平面が特定されると（ステップＳ６０１）、各分割予定ラインＳａへのライン加工処理（ステップＳ６０２）が実行される。つまり、対象の分割予定ラインＳａに沿ってレーザ照射位置ＬｂをＸ方向に移動させつつレーザ照射位置Ｌｂにレーザ光Ｂを照射するライン加工処理を、複数の分割予定ラインＳａのうちで対象の分割予定ラインＳａを変更しつつ実行することで、複数の分割予定ラインＳａのそれぞれにレーザ光Ｂによる加工が実行される。特に図１２のステップＳ６０２の欄に示すように、Ｘ方向の（＋Ｘ）側にレーザ照射位置Ｌｂを移動させるライン加工処理と、Ｘ方向の（－Ｘ）側にレーザ照射位置Ｌｂを移動させるライン加工処理とが交互に実行される。

【0106】

この際、分割予定ラインＳａに対するレーザ光Ｂの（＋Ｘ）側への移動は、半導体基板Ｗを保持するチャックステージ３をＸ軸駆動部６５によって（－Ｘ）側に駆動することで実行され、分割予定ラインＳａに対するレーザ光Ｂの（－Ｘ）側への移動は、半導体基板Ｗを保持するチャックステージ３をＸ軸駆動部６５によって（＋Ｘ）側に駆動することで実行される。また、ライン加工処理の対象の分割予定ラインＳａの変更は、半導体基板Ｗを保持するチャックステージ３をＹ軸駆動部６３によってＹ方向に駆動することで実行される。また、ステップＳ６０１のキャリブレーションで特定された半導体基板Ｗを表す平面に基づき、Ｚ軸ヘッドモータ７９２によって加工ヘッド７１のＺ方向の位置を調整する制御が制御部１００によって実行される。これによって、レーザ光Ｂの集光位置が半導体基板Ｗの内部に調整されて、分割予定ラインＳａに沿って半導体基板Ｗの内部に改質層が形成される。

【0107】

こうして、複数の分割予定ラインＳａのそれぞれへのライン加工処理が完了すると（ステップＳ６０２）、半導体基板Ｗを保持するチャックステージ３がθ軸テーブルモータ６６によってθ方向に９０度だけ回転される。これによって、レーザ加工が実行された複数の分割予定ラインＳａがＸ方向に平行に位置決めされた状態（図１２の「Ｓ６０２＿ｅ」の欄）から、複数の分割予定ラインＳｂがＸ方向に平行に位置決めされた状態（図１２の「Ｓ６０３」の欄）へと切り換わる。

【0108】

ステップＳ６０４では、上記のステップＳ６０１と同様にして、キャリブレーションが実行される。また、ステップＳ６０５では、上記のステップＳ６０２と同様にして、複数の分割予定ラインＳｂのそれぞれに対してライン加工処理が実行される。

【0109】

図１４は各分割予定ラインへのライン加工処理の基本工程を示すフローチャートであり、図１５Ａは図１４のフローチャートに従って実行される動作の第１例を模式的に示す図である。図１５Ａでは、半導体基板Ｗに対して相対的に移動するレーザ照射位置Ｌｂの軌跡が点線で示されるとともに、分割予定ラインＳ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って分割予定ラインＳ１、Ｓ２、Ｓ３の両外側の間でＸ方向に平行に延設された仮想直線Ｓｖ１、Ｓｖ２、Ｓｖ３が一点鎖線で示される。なお、レーザ照射位置Ｌｂの軌跡と仮想直線Ｓｖ１、Ｓｖ２、Ｓｖ３とが重複する部分では、レーザ照射位置Ｌｂの軌跡を示す点線が優先して示される。

【0110】

図１５Ａに示す例では、Ｘ方向において半導体基板Ｗの（－Ｘ）側の位置Ｐｂ１にレーザ照射位置Ｌｂが停止している状態から、図１４のフローチャートが開始される。この位置Ｐｂ１は、分割予定ラインＳ１に沿った仮想直線Ｓｖ１上に設けられ、換言すれば、Ｘ方向から分割予定ラインＳ１に対向する位置である。ただし、図１４のフローチャートを開始する際のレーザ照射位置Ｌｂの位置は、ここの例に限られず、適宜変更できる。

【0111】

ステップＳ１００１では、位置Ｐｂ１に停止するレーザ照射位置Ｌｂが、Ｘ方向の（＋Ｘ）側に向けて加速を開始して、Ｘ方向に平行に移動する。これによって、レーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ１に沿って（＋Ｘ）側に移動する。そして、レーザ照射位置Ｌｂが（－Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するまでに、レーザ照射位置Ｌｂの速度Ｖｘが加工速度Ｖｘｄまで増加すると、レーザ照射位置Ｌｂは加工速度ＶｘｄでＸ方向の（＋Ｘ）側へ等速移動する（ステップＳ１００２）。

【0112】

さらに、レーザ照射位置Ｌｂが（－Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するタイミングに合わせて、レーザ光源７２が点灯して、加工ヘッド７１からレーザ照射位置Ｌｂへのレーザ光Ｂの照射が開始される（ステップＳ１００３）。また、レーザ照射位置Ｌｂが（＋Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するタイミングに合わせて、レーザ光源７２が消灯して、加工ヘッド７１からレーザ照射位置Ｌｂへのレーザ光Ｂの照射が終了する（ステップＳ１００４）。こうして、ステップＳ１００３～Ｓ１００４までの期間では、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ１に沿って（＋Ｘ）側に移動しつつ、レーザ照射位置Ｌｂにレーザ光Ｂが照射されて、分割予定ラインＳ１に対してレーザ加工が実行される（ライン加工処理）。

【0113】

レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ１を（＋Ｘ）側に通過すると、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（＋Ｘ）側に向けて減速を開始し（ステップＳ１００５）、Ｘ方向において半導体基板Ｗの（＋Ｘ）側の位置Ｐｂ２にレーザ照射位置Ｌｂが停止する（ステップＳ１００６）。この位置Ｐｂ２は、Ｙ方向において仮想直線Ｓｖ１に隣接する仮想直線Ｓｖ２上に設けられ、換言すれば、Ｘ方向から分割予定ラインＳ２に対向する位置である。つまり、ステップＳ１００５～Ｓ１００６では、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向への減速と並行して、仮想直線Ｓｖ１から仮想直線Ｓｖ２までＹ方向へ移動する。

【0114】

ところで、撮像部８Ａ、８Ｂの撮像範囲Ｒｉ（図１）と加工ヘッド７１のレーザ照射位置Ｌｂとの位置関係は固定されている。そのため、ステップＳ１００１～Ｓ１００６において、レーザ照射位置Ｌｂが半導体基板Ｗに対して相対的に移動するのに伴って、撮像範囲Ｒｉも半導体基板Ｗに対して相対的に移動する。そして、レーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に停止した状態では、撮像部８Ｂの撮像範囲Ｒｉが撮像点Ｐｗ（Ｓ２）を少なくとも含む位置で停止する。この撮像点Ｐｗ（Ｓ２）は、半導体基板Ｗにおいて分割予定ラインＳ２とこれに直交する分割予定ラインＳとが交差する交差点である。そこで、ステップＳ１００６では、制御部１００は、撮像部８Ｂに撮像範囲Ｒｉを撮像させて、撮像点Ｐｗ（Ｓ２）を含む画像を取得する。これによって、制御部１００は、未加工の分割予定ラインＳ２の位置を示す画像を取得できる。

【0115】

ステップＳ１００７では、Ｘ方向に平行な複数の分割予定ラインＳに対してレーザ加工を完了したか否かが確認される。これらの分割予定ラインＳのうち、未加工の分割予定ラインＳがある場合（ステップＳ１００７で「ＮＯ」の場合）には、ステップＳ１００１に戻る。

【0116】

図１５Ａの例では、ステップＳ１００１において、位置Ｐｂ２に停止するレーザ照射位置Ｌｂが、Ｘ方向の（－Ｘ）側に向けて加速を開始して、Ｘ方向に平行に移動する。これによって、レーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ２に沿って（－Ｘ）側に移動する。そして、レーザ照射位置Ｌｂが（＋Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するまでに、レーザ照射位置Ｌｂの速度Ｖｘが加工速度Ｖｘｄまで増加すると、レーザ照射位置Ｌｂは加工速度ＶｘｄでＸ方向の（－Ｘ）側へ等速移動する（ステップＳ１００２）。

【0117】

ここで、Ｘ方向において、分割予定ラインＳ１を（＋Ｘ）側に通過したレーザ照射位置Ｌｂが減速を開始する位置（換言すれば、（＋Ｘ）側への等速移動を終了するＸ座標）と、分割予定ラインＳに向かって（－Ｘ）側に加速するレーザ照射位置Ｌｂが加速を終了する位置（換言すれば、（－Ｘ）側への等速移動を開始するＸ座標）とは、一致する。つまり、ｎ番目にライン加工処理が実行される分割予定ラインＳｎを通過したレーザ照射位置Ｌｂが等速移動を終了するとともに減速を開始するＸ座標と、ｎ＋１番目にライン加工処理が実行される分割予定ラインＳｎ＋１に向かうレーザ照射位置Ｌｂが加速を終了して等速移動を開始するＸ方向とは一致する。

【0118】

さらに、レーザ照射位置Ｌｂが（＋Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するタイミングに合わせて、レーザ光源７２が点灯して、加工ヘッド７１からレーザ照射位置Ｌｂへのレーザ光Ｂの照射が開始される（ステップＳ１００３）。また、レーザ照射位置Ｌｂが（－Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するタイミングに合わせて、レーザ光源７２が消灯して、加工ヘッド７１からレーザ照射位置Ｌｂへのレーザ光Ｂの照射が終了する（ステップＳ１００４）。こうして、ステップＳ１００３～Ｓ１００４までの期間では、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ２に沿って（－Ｘ）側に移動しつつ、レーザ照射位置Ｌｂにレーザ光Ｂが照射されて、分割予定ラインＳ２に対してレーザ加工が実行される（ライン加工処理）。

【0119】

レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ２を（－Ｘ）側に通過すると、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（－Ｘ）側に向けて減速を開始し（ステップＳ１００５）、Ｘ方向において半導体基板Ｗの（－Ｘ）側の位置Ｐｂ３にレーザ照射位置Ｌｂが停止する（ステップＳ１００６）。この位置Ｐｂ３は、Ｙ方向において仮想直線Ｓｖ２に隣接する仮想直線Ｓｖ３上に設けられ、換言すれば、Ｘ方向から分割予定ラインＳ３に対向する位置である。つまり、ステップＳ１００５～Ｓ１００６では、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向への減速と並行して、仮想直線Ｓｖ２から仮想直線Ｓｖ３までＹ方向へ移動する。

【0120】

また、レーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ３に停止した状態では、撮像部８Ａの撮像範囲Ｒｉが撮像点Ｐｗ（Ｓ３）を少なくとも含む位置で停止する。この撮像点Ｐｗ（Ｓ３）は、半導体基板Ｗにおいて分割予定ラインＳ３とこれに直交する分割予定ラインＳとが交差する交差点である。そこで、ステップＳ１００６では、制御部１００は、撮像部８Ａに撮像範囲Ｒｉを撮像させて、撮像点Ｐｗ（Ｓ３）を含む画像を取得する。これによって、制御部１００は、未加工の分割予定ラインＳ３の位置を示す画像を取得できる。

【0121】

そして、Ｘ方向に平行な複数の分割予定ラインＳ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…）に対してレーザ加工を完了したと確認されるまで（ステップＳ１００７で「ＹＥＳ」）、ステップＳ１００１～Ｓ１００７が繰り返される。

【0122】

続いては、図１５Ａの「Ｘ方向への速度変化」および「Ｙ方向への速度変化」を参照しつつ、レーザ照射位置Ｌｂの速度変化について説明する。ここで、速度Ｖｘは、半導体基板Ｗに対してレーザ照射位置ＬｂがＸ方向に移動する速度を示し、速度Ｖｙは、半導体基板Ｗに対してレーザ照射位置ＬｂがＹ方向に移動する速度を示す。また、加工速度Ｖｘｄは、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳに沿ってＸ方向に等速移動する速度（すなわち、速度Ｖｘ）を示し、（＋Ｘ）側への移動あるいは（－Ｘ）側への移動によらずに絶対値で表される。

【0123】

分割予定ラインＳ１に沿ってレーザ光Ｂを（＋Ｘ）側に移動させるライン加工処理を実行するライン加工期間Ｔｓ１（ステップＳ１００２～Ｓ１００４）では、レーザ照射位置Ｌｂは、一定の加工速度ＶｘｄでＸ方向に移動しつつ、Ｙ方向には移動しない。また、分割予定ラインＳ２に沿ってレーザ光Ｂを（－Ｘ）側に移動させるライン加工処理を実行するライン加工期間Ｔｓ２（ステップＳ１００２～Ｓ１００４）では、レーザ照射位置Ｌｂは、一定の加工速度ＶｘｄでＸ方向に移動しつつ、Ｙ方向には移動しない。

【0124】

また、ライン加工期間Ｔｓ１からライン加工期間Ｔｓ２に切り換わる切換期間Ｔｃ（ステップＳ１００５、Ｓ１００６、Ｓ１００１）では、次の動作が実行される。つまり、Ｘ軸駆動部６５（加工軸駆動部）は、Ｘ方向（加工方向）において、分割予定ラインＳ１（第１の加工ライン）を（＋Ｘ）側（第１の側）に通過したレーザ照射位置Ｌｂを（＋Ｘ）側に向けて減速させて停止させてから（ステップＳ１００５）、（－Ｘ）側に向けて加速することで（ステップＳ１００１）、レーザ照射位置Ｌｂを分割予定ラインＳ２（第２の加工ライン）へ到達させる反転駆動を実行する。この反転駆動と並行して、Ｙ軸駆動部６３（送り軸駆動部）は、分割予定ラインＳ１に沿って分割予定ラインＳ１の外側までＸ方向に延設された仮想直線Ｓｖ１（第１の仮想直線）から、分割予定ラインＳ２（第２の加工ライン）に沿って分割予定ラインＳ２の外側までＸ方向に延設された仮想直線Ｓｖ２（第２の仮想直線）まで、レーザ照射位置ＬｂをＹ方向（送り方向）へ移動させる。

【0125】

特に、切換期間Ｔｃは、Ｘ方向にレーザ照射位置Ｌｂを減速させる減速期間Ｔｄ（ステップＳ１００５）と、Ｘ方向にレーザ照射位置Ｌｂを加速させる加速期間Ｔａ（ステップＳ１００１）とを含み、レーザ照射位置ＬｂのＹ方向への移動は、減速期間Ｔｄおよび加速期間Ｔａのうち、減速期間Ｔｄの間に実行される。具体的には、減速期間Ｔｄが開始した後にレーザ照射位置ＬｂのＹ方向への移動が開始し、減速期間Ｔｄが終了する前にレーザ照射位置ＬｂのＹ方向への移動が終了する。さらに言えば、加速期間Ｔａにおいてレーザ照射位置ＬｂはＹ方向に移動しない。

【0126】

ここで、減速期間Ｔｄの開始時点は、Ｘ方向へのレーザ照射位置Ｌｂの減速（換言すれば、速度Ｖｘの絶対値の加工速度Ｖｘｄからの減少）が開始した時点を示し、減速期間Ｔｄの終了時点は、Ｘ方向へのレーザ照射位置Ｌｂの速度（換言すれば、速度Ｖｘ）がゼロになった時点を示す。加速期間Ｔａの開始時点は、Ｘ方向へのレーザ照射位置Ｌｂの加速（換言すれば、速度Ｖｘの絶対値のゼロからの増加）が開始した時点を示し、加速期間Ｔａの終了時点は、Ｘ方向へのレーザ照射位置Ｌｂの加速が終了した時点（換言すれば、速度Ｖｘの絶対値が加工速度Ｖｘｄになった時点）を示す。

【0127】

また、加速期間Ｔａから減速期間Ｔｄへ移行する途中に設けられた停止期間Ｔｔでは、レーザ照射位置ＬｂのＸ方向への速度ＶｘおよびＹ方向への速度Ｖｙの両方がゼロとなり、レーザ照射位置Ｌｂは位置Ｐｂ２において半導体基板Ｗに対して停止している。この停止期間Ｔｔでは、撮像部８Ａ、８Ｂの撮像範囲Ｒｉも半導体基板Ｗに対して停止しており、特に撮像部８Ｂの撮像範囲Ｒｉは、半導体基板Ｗの（＋Ｘ）側に位置するレーザ照射位置Ｌｂの（－Ｘ）側に位置して、半導体基板Ｗに重複する。そこで、停止期間Ｔｔにおいては、撮像部８Ｂの赤外線カメラ８１が半導体基板Ｗのうち撮像範囲Ｒｉに重複する部分を撮像する（ステップＳ１００６）。

【0128】

図１５Ｂは図１４のフローチャートに従って実行される動作の第２例を模式的に示す図である。図１５Ｂでの表記は図１５Ａのそれと同様である。図１５Ｂにおいても、図１５Ａと同様に図１４のフローチャートに従って、分割予定ラインＳ１、Ｓ２、Ｓ３に対してレーザ加工処理が順番に実行される。ただし、レーザ加工処理の対象となる分割予定ラインＳを変更する切換期間Ｔｃでの動作が図１５Ｂと図１５Ａとで異なる。そこで、図１５Ａとの差を中心に説明し、共通する動作については相当符号を付して適宜説明を省略する。

【0129】

分割予定ラインＳ１へのレーザ加工の終了に伴って、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ１を（＋Ｘ）側に通過すると、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（＋Ｘ）側に向けて減速を開始し（ステップＳ１００５）、Ｘ方向において半導体基板Ｗの（＋Ｘ）側の位置Ｐｂ２にレーザ照射位置Ｌｂが停止する（ステップＳ１００６）。この位置Ｐｂ２は、仮想直線Ｓｖ１上に設けられる。また、レーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に停止した状態では、撮像部８Ｂの撮像範囲Ｒｉが撮像点Ｐｗ（Ｓ２）を少なくとも含む位置で停止する。そこで、ステップＳ１００６では、制御部１００は、撮像部８Ｂに撮像範囲Ｒｉを撮像させて、撮像点Ｐｗ（Ｓ２）を含む画像を取得する。これによって、制御部１００は、未加工の分割予定ラインＳ２の位置を示す画像を取得できる。

【0130】

続いて、位置Ｐｂ２に停止するレーザ照射位置Ｌｂが、Ｘ方向の（－Ｘ）側に向けて加速を開始する（ステップＳ１００１）。そして、レーザ照射位置Ｌｂが（＋Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するまでに、レーザ照射位置Ｌｂの速度Ｖｘが加工速度Ｖｘｄまで増加すると、レーザ照射位置Ｌｂは加工速度ＶｘｄでＸ方向の（－Ｘ）側へ等速移動する（ステップＳ１００２）。また、レーザ照射位置Ｌｂが加速を開始してから加工速度Ｖｘｄでの等速移動を開始するまでの期間において、レーザ照射位置Ｌｂは、仮想直線Ｓｖ１から仮想直線Ｓｖ２へＹ方向に移動する。つまり、ステップＳ１００１～Ｓ１００２では、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向への加速と並行して、仮想直線Ｓｖ１から仮想直線Ｓｖ２までＹ方向へ移動する。これによって、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ２に到達して、分割予定ラインＳ２へのライン加工を開始することができる。

【0131】

分割予定ラインＳ２へのレーザ加工の終了に伴って、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ２を（－Ｘ）側に通過すると、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（－Ｘ）側に向けて減速を開始し（ステップＳ１００５）、Ｘ方向において半導体基板Ｗの（－Ｘ）側の位置Ｐｂ３にレーザ照射位置Ｌｂが停止する（ステップＳ１００６）。この位置Ｐｂ３は、仮想直線Ｓｖ２上に設けられる。また、レーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ３に停止した状態では、撮像部８Ａの撮像範囲Ｒｉが撮像点Ｐｗ（Ｓ３）を少なくとも含む位置で停止する。そこで、ステップＳ１００６では、制御部１００は、撮像部８Ａに撮像範囲Ｒｉを撮像させて、撮像点Ｐｗ（Ｓ３）を含む画像を取得する。これによって、制御部１００は、未加工の分割予定ラインＳ３の位置を示す画像を取得できる。

【0132】

続いては、図１５Ｂの「Ｘ方向への速度変化」および「Ｙ方向への速度変化」を参照しつつ、レーザ照射位置Ｌｂの速度変化について説明する。分割予定ラインＳ１に沿ってレーザ光Ｂを（＋Ｘ）側に移動させるライン加工処理を実行するライン加工期間Ｔｓ１（ステップＳ１００２～Ｓ１００４）では、レーザ照射位置Ｌｂは、一定の加工速度ＶｘｄでＸ方向に移動しつつ、Ｙ方向には移動しない。また、分割予定ラインＳ２に沿ってレーザ光Ｂを（－Ｘ）側に移動させるライン加工処理を実行するライン加工期間Ｔｓ２（ステップＳ１００２～Ｓ１００４）では、レーザ照射位置Ｌｂは、一定の加工速度ＶｘｄでＸ方向に移動しつつ、Ｙ方向には移動しない。

【0133】

また、ライン加工期間Ｔｓ１からライン加工期間Ｔｓ２に切り換わる切換期間Ｔｃ（ステップＳ１００５、Ｓ１００６、Ｓ１００１）では、上述と同様にＸ方向において反転駆動を行うのと並行して、仮想直線Ｓｖ１から仮想直線Ｓｖ２までレーザ照射位置ＬｂをＹ方向（送り方向）へ移動させる。特に、切換期間Ｔｃに含まれる減速期間Ｔｄおよび加速期間Ｔａのうち、レーザ照射位置ＬｂのＹ方向への移動は、加速期間Ｔａの間に実行される。具体的には、加速期間Ｔａが開始した後にレーザ照射位置ＬｂのＹ方向への移動が開始し、加速期間Ｔａが終了する前にレーザ照射位置ＬｂのＹ方向への移動が終了する。さらに言えば、減速期間Ｔｄにおいてレーザ照射位置ＬｂはＹ方向に移動しない。

【0134】

【0135】

図１５Ｃは図１４のフローチャートに従って実行される動作の第３例を模式的に示す図である。図１５Ｃでの表記は図１５Ａのそれと同様である。図１５Ｃにおいても、図１５Ａと同様に図１４のフローチャートに従って、分割予定ラインＳ１、Ｓ２、Ｓ３に対してレーザ加工処理が順番に実行される。ただし、レーザ加工処理の対象となる分割予定ラインＳを変更する切換期間Ｔｃでの動作が図１５Ｃと図１５Ａとで異なる。そこで、図１５Ａとの差を中心に説明し、共通する動作については相当符号を付して適宜説明を省略する。

【0136】

分割予定ラインＳ１へのレーザ加工の終了に伴って、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ１を（＋Ｘ）側に通過すると、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（＋Ｘ）側に向けて減速を開始し（ステップＳ１００５）、Ｘ方向において半導体基板Ｗの（＋Ｘ）側の位置Ｐｂ２にレーザ照射位置Ｌｂが停止する（ステップＳ１００６）。この位置Ｐｂ２は、Ｙ方向において、仮想直線Ｓｖ１と仮想直線Ｓｖ２との間に設けられる。つまり、ステップＳ１００５～Ｓ１００６では、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向への減速と並行して、仮想直線Ｓｖ１から位置Ｐｂ２までＹ方向へ移動する。また、レーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に停止した状態では、撮像部８Ｂの撮像範囲Ｒｉが撮像点Ｐｗ（Ｓ２）を少なくとも含む位置で停止する。そこで、ステップＳ１００６では、制御部１００は、撮像部８Ｂに撮像範囲Ｒｉを撮像させて、撮像点Ｐｗ（Ｓ２）を含む画像を取得する。これによって、制御部１００は、未加工の分割予定ラインＳ２の位置を示す画像を取得できる。

【0137】

続いて、位置Ｐｂ２に停止するレーザ照射位置Ｌｂが、Ｘ方向の（－Ｘ）側に向けて加速を開始する（ステップＳ１００１）。そして、レーザ照射位置Ｌｂが（＋Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するまでに、レーザ照射位置Ｌｂの速度Ｖｘが加工速度Ｖｘｄまで増加すると、レーザ照射位置Ｌｂは加工速度ＶｘｄでＸ方向の（－Ｘ）側へ等速移動する（ステップＳ１００２）。また、レーザ照射位置Ｌｂが加速を開始してから加工速度Ｖｘｄでの等速移動を開始するまでの期間において、レーザ照射位置Ｌｂは、位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２へＹ方向に移動する。つまり、ステップＳ１００１～Ｓ１００２では、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向への加速と並行して、位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２までＹ方向へ移動する。これによって、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ２に到達して、分割予定ラインＳ２へのライン加工を開始することができる。

【0138】

分割予定ラインＳ２へのレーザ加工の終了に伴って、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ２を（－Ｘ）側に通過すると、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（－Ｘ）側に向けて減速を開始し（ステップＳ１００５）、Ｘ方向において半導体基板Ｗの（－Ｘ）側の位置Ｐｂ３にレーザ照射位置Ｌｂが停止する（ステップＳ１００６）。この位置Ｐｂ３は、Ｙ方向において仮想直線Ｓｖ２と仮想直線Ｓｖ３との間に設けられる。つまり、ステップＳ１００５～Ｓ１００６では、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向への減速と並行して、仮想直線Ｓｖ２から位置Ｐｂ３までＹ方向へ移動する。また、レーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ３に停止した状態では、撮像部８Ａの撮像範囲Ｒｉが撮像点Ｐｗ（Ｓ３）を少なくとも含む位置で停止する。そこで、ステップＳ１００６では、制御部１００は、撮像部８Ａに撮像範囲Ｒｉを撮像させて、撮像点Ｐｗ（Ｓ３）を含む画像を取得する。これによって、制御部１００は、未加工の分割予定ラインＳ３の位置を示す画像を取得できる。

【0139】

続いては、図１５Ｃの「Ｘ方向への速度変化」および「Ｙ方向への速度変化」を参照しつつ、レーザ照射位置Ｌｂの速度変化について説明する。分割予定ラインＳ１に沿ってレーザ光Ｂを（＋Ｘ）側に移動させるライン加工処理を実行するライン加工期間Ｔｓ１（ステップＳ１００２～Ｓ１００４）では、レーザ照射位置Ｌｂは、一定の加工速度ＶｘｄでＸ方向に移動しつつ、Ｙ方向には移動しない。また、分割予定ラインＳ２に沿ってレーザ光Ｂを（－Ｘ）側に移動させるライン加工処理を実行するライン加工期間Ｔｓ２（ステップＳ１００２～Ｓ１００４）では、レーザ照射位置Ｌｂは、一定の加工速度ＶｘｄでＸ方向に移動しつつ、Ｙ方向には移動しない。

【0140】

また、ライン加工期間Ｔｓ１からライン加工期間Ｔｓ２に切り換わる切換期間Ｔｃ（ステップＳ１００５、Ｓ１００６、Ｓ１００１）では、上述と同様にＸ方向において反転駆動を行うのと並行して、仮想直線Ｓｖ１から仮想直線Ｓｖ２までレーザ照射位置ＬｂをＹ方向（送り方向）へ移動させる。特に、このレーザ照射位置Ｌｂの移動は位置Ｐｂ２を経由して実行される。つまり、切換期間Ｔｃに含まれる減速期間Ｔｄおよび加速期間Ｔａのうち、減速期間Ｔｄにおいてレーザ照射位置Ｌｂは仮想直線Ｓｖ１から位置Ｐｂ２までＹ方向に移動し、加速期間Ｔａにおいてレーザ照射位置Ｌｂは位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２までＹ方向に移動する。具体的には、減速期間Ｔｄが開始するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ１から位置Ｐｂ２への移動を開始し、減速期間Ｔｄが終了するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に到達する。また、加速期間Ｔａが開始するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２への移動を開始し、加速期間Ｔａが終了するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ２に到達する。

【0141】

【0142】

なお、切換期間Ｔｃにおいて、仮想直線Ｓｖ１から位置Ｐｂ２までＹ方向に移動させてから、位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２までＹ方向に移動させる具体的な態様は、図１５Ｃの例に限られず、例えば図１５Ｄ、図１５Ｅおよび図１５Ｆに示す態様でこの移動を実行してもよい。

【0143】

図１５Ｄは図１４のフローチャートに従って実行される動作の第４例を模式的に示す図であり、図１５Ｅは図１４のフローチャートに従って実行される動作の第５例を模式的に示す図であり、図１５Ｆは図１４のフローチャートに従って実行される動作の第６例を模式的に示す図である。図１５Ｄ～図１５Ｆでの表記は図１５Ｃのそれと同様である。図１５Ｄ～図１５Ｆと図１５Ｃとの差は、切換期間Ｔｃにおけるレーザ照射位置Ｌｂの移動態様である。そこで、図１５Ｃとの差を中心に説明し、共通する動作については相当符号を付して適宜説明を省略する。

【0144】

図１５Ｄに示す第４例では、減速期間Ｔｄが開始するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ１から位置Ｐｂ２へのＹ方向への移動を開始し、減速期間Ｔｄが終了するより前に、Ｙ方向においてレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に到達して当該位置Ｐｂ２で停止する（すなわち、速度Ｖｙがゼロ）。ただし、Ｙ方向においてレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に到達した後、減速期間Ｔｄは継続しており、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向への移動を継続する。また、加速期間Ｔａが開始した後にレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２へのＹ方向への移動を開始し、加速期間Ｔａが終了するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ２に到達する。つまり、減速期間Ｔｄの途中から加速期間Ｔａの途中までの期間ΔＴｙにおいて、レーザ照射位置ＬｂはＹ方向において停止する（すなわち、速度Ｖｙがゼロ）。

【0145】

図１５Ｅに示す第５例では、減速期間Ｔｄが開始するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ１から位置Ｐｂ２へのＹ方向への移動を開始し、減速期間Ｔｄが終了するより前に、Ｙ方向においてレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に到達して当該位置Ｐｂ２で停止する（すなわち、速度Ｖｙがゼロ）。ただし、Ｙ方向においてレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に到達した後、減速期間Ｔｄは継続しており、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向への移動を継続する。また、加速期間Ｔａが開始するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２へのＹ方向への移動を開始し、加速期間Ｔａが終了するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ２に到達する。つまり、減速期間Ｔｄの途中から加速期間Ｔａの開始までの期間ΔＴｙにおいて、レーザ照射位置ＬｂはＹ方向において停止する（すなわち、速度Ｖｙがゼロ）。

【0146】

図１５Ｆに示す第５例では、減速期間Ｔｄが開始するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ１から位置Ｐｂ２へのＹ方向への移動を開始する。ただし、減速期間Ｔｄの終了時点では、Ｙ方向においてレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に到達しない。なお、減速期間Ｔｄの終了時点で、Ｘ方向においてはレーザ照射位置Ｌｂの位置（すなわち、Ｘ座標）と位置Ｐｂ２の位置（すなわち、Ｘ座標）とは一致している。したがって、レーザ照射位置Ｌｂは、減速期間Ｔｄの終了後も位置Ｐｂ２に向けてＹ方向へ移動を継続する。また、減速期間Ｔｄの終了からレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に向かってＹ方向に移動する間は、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向において停止している（すなわち、速度Ｖｘがゼロ）。そして、レーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に到達すると同時に、加速期間Ｔａが開始されるとともに、レーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２へのＹ方向への移動を開始する。また、加速期間Ｔａが終了すると同時にレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ２に到達する。

【0147】

図１５Ｇは図１４のフローチャートに従って実行される動作の第７例を模式的に示す図である。図１５Ｇでの表記は図１５Ａのそれと同様である。図１５Ｇにおいても、図１５Ａと同様に図１４のフローチャートに従って、分割予定ラインＳ１、Ｓ２、Ｓ３に対してレーザ加工処理が順番に実行される。ただし、レーザ加工処理の対象となる分割予定ラインＳを変更する切換期間Ｔｃでの動作が図１５Ｇと図１５Ａとで異なる。そこで、図１５Ａとの差を中心に説明し、共通する動作については相当符号を付して適宜説明を省略する。

【0148】

分割予定ラインＳ１へのレーザ加工の終了に伴って、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ１を（＋Ｘ）側に通過すると、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（＋Ｘ）側に向けて減速を開始し（ステップＳ１００５）、Ｘ方向において半導体基板Ｗの（＋Ｘ）側の位置Ｐｂ２にレーザ照射位置Ｌｂが停止する（ステップＳ１００６）。この位置Ｐｂ２は、Ｙ方向において、仮想直線Ｓｖ１と仮想直線Ｓｖ２との間の区間の外側（仮想直線Ｓｖ２に対して仮想直線Ｓｖ１の逆側）に設けられる。つまり、ステップＳ１００５～Ｓ１００６では、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向への減速と並行して、仮想直線Ｓｖ１から仮想直線Ｓｖ２を超えて位置Ｐｂ２までＹ方向へ移動する。また、レーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に停止した状態では、撮像部８Ｂの撮像範囲Ｒｉが撮像点Ｐｗ（Ｓ３）を少なくとも含む位置で停止する。そこで、ステップＳ１００６では、制御部１００は、撮像部８Ｂに撮像範囲Ｒｉを撮像させて、撮像点Ｐｗ（Ｓ３）を含む画像を取得する。これによって、制御部１００は、未加工の分割予定ラインＳ３の位置を示す画像を取得できる。

【0149】

続いて、位置Ｐｂ２に停止するレーザ照射位置Ｌｂが、Ｘ方向の（－Ｘ）側に向けて加速を開始する（ステップＳ１００１）。そして、レーザ照射位置Ｌｂが（＋Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するまでに、レーザ照射位置Ｌｂの速度Ｖｘが加工速度Ｖｘｄまで増加すると、レーザ照射位置Ｌｂは加工速度ＶｘｄでＸ方向の（－Ｘ）側へ等速移動する（ステップＳ１００２）。また、レーザ照射位置Ｌｂが加速を開始してから加工速度Ｖｘｄでの等速移動を開始するまでの期間において、レーザ照射位置Ｌｂは、位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２までＹ方向に移動する。つまり、ステップＳ１００１～Ｓ１００２では、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向への加速と並行して、位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２までＹ方向へ移動する。これによって、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ２に到達して、分割予定ラインＳ２へのライン加工を開始することができる。

【0150】

分割予定ラインＳ２へのレーザ加工の終了に伴って、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ２を（－Ｘ）側に通過すると、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（－Ｘ）側に向けて減速を開始し（ステップＳ１００５）、Ｘ方向において半導体基板Ｗの（－Ｘ）側の位置Ｐｂ３にレーザ照射位置Ｌｂが停止する（ステップＳ１００６）。この位置Ｐｂ３は、Ｙ方向において、仮想直線Ｓｖ２と仮想直線Ｓｖ３との間の区間の外側（仮想直線Ｓｖ３に対して仮想直線Ｓｖ２の逆側）に設けられる。つまり、ステップＳ１００５～Ｓ１００６では、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向への減速と並行して、仮想直線Ｓｖ２から仮想直線Ｓｖ３を超えて位置Ｐｂ２までＹ方向へ移動する。また、レーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ３に停止した状態では、撮像部８Ａの撮像範囲Ｒｉが撮像点Ｐｗ（Ｓ４）を少なくとも含む位置で停止する。そこで、ステップＳ１００６では、制御部１００は、撮像部８Ａに撮像範囲Ｒｉを撮像させて、撮像点Ｐｗ（Ｓ４）を含む画像を取得する。これによって、制御部１００は、未加工の分割予定ラインＳ４の位置を示す画像を取得できる。

【0151】

続いては、図１５Ｇの「Ｘ方向への速度変化」および「Ｙ方向への速度変化」を参照しつつ、レーザ照射位置Ｌｂの速度変化について説明する。分割予定ラインＳ１に沿ってレーザ光Ｂを（＋Ｘ）側に移動させるライン加工処理を実行するライン加工期間Ｔｓ１（ステップＳ１００２～Ｓ１００４）では、レーザ照射位置Ｌｂは、一定の加工速度ＶｘｄでＸ方向に移動しつつ、Ｙ方向には移動しない。また、分割予定ラインＳ２に沿ってレーザ光Ｂを（－Ｘ）側に移動させるライン加工処理を実行するライン加工期間Ｔｓ２（ステップＳ１００２～Ｓ１００４）では、レーザ照射位置Ｌｂは、一定の加工速度ＶｘｄでＸ方向に移動しつつ、Ｙ方向には移動しない。

【0152】

また、ライン加工期間Ｔｓ１からライン加工期間Ｔｓ２に切り換わる切換期間Ｔｃ（ステップＳ１００５、Ｓ１００６、Ｓ１００１）では、上述と同様にＸ方向において反転駆動を行うのと並行して、仮想直線Ｓｖ１から仮想直線Ｓｖ２までレーザ照射位置ＬｂをＹ方向（送り方向）へ移動させる。特に、このレーザ照射位置Ｌｂの移動は、Ｙ方向において仮想直線Ｓｖ１と仮想直線Ｓｖ２との間の区間の外側に設けられた位置Ｐｂ２を経由して実行される。つまり、切換期間Ｔｃに含まれる減速期間Ｔｄおよび加速期間Ｔａのうち、減速期間Ｔｄにおいてレーザ照射位置Ｌｂは仮想直線Ｓｖ１から仮想直線Ｓｖ２を超えて位置Ｐｂ２までＹ方向に移動し、加速期間Ｔａにおいてレーザ照射位置Ｌｂは位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２までＹ方向に移動する。具体的には、減速期間Ｔｄが開始するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ１から位置Ｐｂ２への移動を開始し、減速期間Ｔｄが終了するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２に到達する。また、加速期間Ｔａが開始するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ２への移動を開始し、加速期間Ｔａが終了するのと同時にレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ２に到達する。

【0153】

【0154】

ところで、上記の例では、位置Ｐｂ２は、Ｙ方向において仮想直線Ｓｖ２に対して仮想直線Ｓｖ１の逆側に設けられている。しかしながら、Ｙ方向において仮想直線Ｓｖ１に対して仮想直線Ｓｖ２の逆側に位置Ｐｂ２を設けてもよい。この場合、減速期間Ｔｄにおいて、レーザ照射位置Ｌｂは、仮想直線Ｓｖ１から位置Ｐｂ２にＹ方向へ移動し、加速期間Ｔａにおいて、レーザ照射位置Ｌｂは位置Ｐｂ２から仮想直線Ｓｖ１を超えて仮想直線Ｓｖ２にＹ方向へ移動する。位置Ｐｂ３に対しても同様の変更が可能である。

【0155】

図１６は各分割予定ラインへのライン加工処理の第１応用例を示すフローチャートであり、図１７は図１６のフローチャートに従って実行される動作の一例を模式的に示す図である。図１７での表記は図１５Ａ～図１５Ｇの表記と同様である。図１６の例と図１４の例とは、ライン加工処理の実行中に半導体基板Ｗを撮像するステップＳ１００８の有無において異なり、他のステップＳ１００１～Ｓ１００７において共通する。したがって、図１６の例においては、図１５Ａ～図１５Ｇに示す各動作（第１例～第７例）のいずれかが実行される。なお、図１７では、切換期間Ｔｃにおけるレーザ照射位置Ｌｂの軌跡を示していないが、図１５Ａ～図１５Ｇのいずれかに示す軌跡をレーザ照射位置Ｌｂが移動することができる。

【0156】

図１６のステップＳ１００８は次のように実行される。つまり、分割予定ラインＳ１に沿ったレーザ照射位置Ｌｂの移動中に半導体基板Ｗが撮像される（ステップＳ１００８）。具体的には、（＋Ｘ）側に移動するレーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側（すなわち、（＋Ｘ）側）に位置する撮像範囲Ｒｉ（すなわち、撮像部８Ａの撮像範囲Ｒｉ）が撮像される。これによって、レーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側の撮像点Ｐｗ（Ｓ１１）を含む画像が取得される。こうして、ライン加工処理を実行中の分割予定ラインＳ１のうち、未加工部分の位置を示す画像を取得できる。

【0157】

つまり、ステップＳ１００３、Ｓ１１０８、Ｓ１１０４の実行期間では、分割予定ラインＳ１に対してライン加工処理が実行されるのと並行して、当該ライン加工処理の対象である分割予定ラインＳ１のうちの未加工部分の画像が撮像される。

【0158】

また、分割予定ラインＳ２に沿ったレーザ照射位置Ｌｂの移動中に半導体基板Ｗが撮像される（ステップＳ１００８）。具体的には、（－Ｘ）側に移動するレーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側（すなわち、（－Ｘ）側）に位置する撮像範囲Ｒｉ（すなわち、撮像部８Ｂの撮像範囲Ｒｉ）が撮像される。これによって、レーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側の撮像点Ｐｗ（Ｓ２１）を含む画像が取得される。こうして、ライン加工処理を実行中の分割予定ラインＳ２のうち、未加工部分の位置を示す画像を取得できる。

【0159】

つまり、ステップＳ１００３、Ｓ１１０８、Ｓ１１０４の実行期間では、分割予定ラインＳ２に対してライン加工処理が実行されるのと並行して、当該ライン加工処理の対象である分割予定ラインＳ２のうちの未加工部分の画像が撮像される。

【0160】

さらに、分割予定ラインＳ３に沿ったレーザ照射位置Ｌｂの移動中に半導体基板Ｗが撮像される（ステップＳ１００８）。具体的には、（＋Ｘ）側に移動するレーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側（すなわち、（＋Ｘ）側）に位置する撮像範囲Ｒｉ（すなわち、撮像部８Ａの撮像範囲Ｒｉ）が撮像される。これによって、レーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側の撮像点Ｐｗ（Ｓ３１）を含む画像が取得される。こうして、ライン加工処理を実行中の分割予定ラインＳ３のうち、未加工部分の位置を示す画像を取得できる。

【0161】

つまり、ステップＳ１００３、Ｓ１１０８、Ｓ１１０４の実行期間では、分割予定ラインＳ３に対してライン加工処理が実行されるのと並行して、当該ライン加工処理の対象である分割予定ラインＳ３のうちの未加工部分の画像が撮像される。

【0162】

【0163】

図１８は各分割予定ラインへのライン加工処理の第２応用例を示すフローチャートであり、図１９Ａは図１８のフローチャートに従って実行される動作の第１例を模式的に示す図である。図１９Ａでは、半導体基板Ｗに対して相対的に移動するレーザ照射位置Ｌｂの軌跡が点線で示されるとともに、分割予定ラインＳ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って分割予定ラインＳ１、Ｓ２、Ｓ３の両外側の間でＸ方向に平行に延設された仮想直線Ｓｖ１、Ｓｖ２、Ｓｖ３が一点鎖線で示される。なお、レーザ照射位置Ｌｂの軌跡と仮想直線Ｓｖ１、Ｓｖ２、Ｓｖ３とが重複する部分では、レーザ照射位置Ｌｂの軌跡を示す点線が優先して示される。

【0164】

図１９Ａに示す例では、Ｘ方向において半導体基板Ｗの（－Ｘ）側の位置Ｐｂ１にレーザ照射位置Ｌｂが停止している状態から、図１８のフローチャートが開始される。この位置Ｐｂ１は、分割予定ラインＳ１に沿った仮想直線Ｓｖ１上に設けられ、換言すれば、Ｘ方向から分割予定ラインＳ１に対向する位置である。ただし、図１８のフローチャートを開始する際のレーザ照射位置Ｌｂの位置は、ここの例に限られず、適宜変更できる。

【0165】

ステップＳ１１０１では、位置Ｐｂ１に停止するレーザ照射位置Ｌｂが、Ｘ方向の（＋Ｘ）側に向けて加速を開始して、Ｘ方向に平行に移動する。これによって、レーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ１に沿って（＋Ｘ）側に移動する。そして、レーザ照射位置Ｌｂが（－Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するまでに、レーザ照射位置Ｌｂの速度Ｖｘが加工速度Ｖｘｄまで増加すると、レーザ照射位置Ｌｂは加工速度ＶｘｄでＸ方向の（＋Ｘ）側へ等速移動する（ステップＳ１１０２）。

【0166】

さらに、レーザ照射位置Ｌｂが（－Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するタイミングに合わせて、レーザ光源７２が点灯して、加工ヘッド７１からレーザ照射位置Ｌｂへのレーザ光Ｂの照射が開始される（ステップＳ１１０３）。これによって、分割予定ラインＳ１に沿ってＸ方向の（＋Ｘ）側に移動するレーザ照射位置Ｌｂに対してレーザ光Ｂが照射されて、分割予定ラインＳ１が加工される（ライン加工処理）。

【0167】

また、この例では、分割予定ラインＳ１に沿ったレーザ照射位置Ｌｂの移動中に半導体基板Ｗが撮像される（ステップＳ１１０４）。具体的には、（＋Ｘ）側に移動するレーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側（すなわち、（＋Ｘ）側）に位置する撮像範囲Ｒｉ（すなわち、撮像部８Ａの撮像範囲Ｒｉ）が撮像される。これによって、レーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側の撮像点Ｐｗ（Ｓ１１）を含む画像が取得される。こうして、ライン加工処理を実行中の分割予定ラインＳ１のうち、未加工部分の位置を示す画像を取得できる。

【0168】

そして、レーザ照射位置Ｌｂが（＋Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するタイミングに合わせて、レーザ光源７２が消灯して、加工ヘッド７１からレーザ照射位置Ｌｂへのレーザ光Ｂの照射が終了する（ステップＳ１１０５）。こうして、ステップＳ１１０３～Ｓ１１０５までの期間では、分割予定ラインＳ１に対してライン加工処理が実行されるのと並行して、当該ライン加工処理の対象である分割予定ラインＳ１のうちの未加工部分の画像が撮像される。

【0169】

レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ１を（＋Ｘ）側に通過すると、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（＋Ｘ）側に向けて減速を開始する（ステップＳ１１０６）。ステップＳ１１０７では、Ｘ方向に平行な複数の分割予定ラインＳに対してレーザ加工を完了したかが確認される。そして、これらの分割予定ラインＳのうち、未加工の分割予定ラインＳがある場合（ステップＳ１１０７で「ＮＯ」の場合）には、ステップＳ１１０１に戻る。

【0170】

その結果、Ｘ方向の（＋Ｘ）側に減速したレーザ照射位置ＬｂのＸ方向への速度Ｖｘがゼロになるのに続いて、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（－Ｘ）側に加速する（ステップＳ１１０１）。そして、レーザ照射位置Ｌｂが（＋Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するまでに、レーザ照射位置Ｌｂの速度Ｖｘが加工速度Ｖｘｄまで増加すると、レーザ照射位置Ｌｂは加工速度ＶｘｄでＸ方向の（－Ｘ）側へ等速移動する（ステップＳ１１０２）。

【0171】

このように、図１８および図１９Ａの例においても、上述と同様にＸ方向に反転駆動が実行される。また、この反転駆動と並行して、レーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ１から仮想直線Ｓｖ２までＹ方向に移動する。これによって、Ｘ方向においてレーザ照射位置Ｌｂの速度Ｖｘが加工速度Ｖｘｄに増加するまでに、Ｙ方向においてレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ２まで移動して、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ２に到達する。

【0172】

ただし、ここの例では、レーザ照射位置ＬｂのＹ方向への移動態様が上述と異なる。つまり、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向において減速、停止および加速を行う反転駆動と並行して、レーザ照射位置Ｌｂは、分割予定ラインＳｂ１から分割予定ラインＳｂ２へのＹ方向への移動を継続的に実行する（継続送り駆動）。特に、反転駆動によってＸ方向へのレーザ照射位置Ｌｂの速度Ｖｘがゼロになる時点の前後に渡って、レーザ照射位置ＬｂのＹ方向への継続送り駆動が実行される。したがって、レーザ照射位置ＬｂのＸ方向への速度ＶｘおよびＹ方向への速度Ｖｙの両方がゼロになるタイミングは、この例では存在しない。

【0173】

レーザ照射位置Ｌｂが（＋Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するタイミングに合わせて、レーザ光源７２が点灯して、加工ヘッド７１からレーザ照射位置Ｌｂへのレーザ光Ｂの照射が開始される（ステップＳ１１０３）。これによって、分割予定ラインＳ２に沿ってＸ方向の（－Ｘ）側に移動するレーザ照射位置Ｌｂに対してレーザ光Ｂが照射されて、分割予定ラインＳ２が加工される（ライン加工処理）。

【0174】

また、この例では、分割予定ラインＳ２に沿ったレーザ照射位置Ｌｂの移動中に半導体基板Ｗが撮像される（ステップＳ１１０４）。具体的には、（－Ｘ）側に移動するレーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側（すなわち、（－Ｘ）側）に位置する撮像範囲Ｒｉ（すなわち、撮像部８Ｂの撮像範囲Ｒｉ）が撮像される。これによって、レーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側の撮像点Ｐｗ（Ｓ２１）を含む画像が取得される。こうして、ライン加工処理を実行中の分割予定ラインＳ２のうち、未加工部分の位置を示す画像を取得できる。

【0175】

そして、レーザ照射位置Ｌｂが（－Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するタイミングに合わせて、レーザ光源７２が消灯して、加工ヘッド７１からレーザ照射位置Ｌｂへのレーザ光Ｂの照射が終了する（ステップＳ１１０５）。こうして、ステップＳ１１０３～Ｓ１１０５までの期間では、分割予定ラインＳ２に対してライン加工処理が実行されるのと並行して、当該ライン加工処理の対象である分割予定ラインＳ２のうちの未加工部分の画像が撮像される。

【0176】

レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ２を（－Ｘ）側に通過すると、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（－Ｘ）側に向けて減速を開始する（ステップＳ１１０６）。ステップＳ１１０７では、Ｘ方向に平行な複数の分割予定ラインＳに対してレーザ加工を完了したかが確認される。そして、これらの分割予定ラインＳのうち、未加工の分割予定ラインＳがある場合（ステップＳ１１０７で「ＮＯ」の場合）には、ステップＳ１１０１に戻る。

【0177】

その結果、Ｘ方向の（－Ｘ）側に減速したレーザ照射位置ＬｂのＸ方向への速度Ｖｘがゼロになるのに続いて、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向の（＋Ｘ）側に加速する（ステップＳ１１０１）。そして、レーザ照射位置Ｌｂが（－Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するまでに、レーザ照射位置Ｌｂの速度Ｖｘが加工速度Ｖｘｄまで増加すると、レーザ照射位置Ｌｂは加工速度ＶｘｄでＸ方向の（＋Ｘ）側へ等速移動する（ステップＳ１１０２）。

【0178】

この際、上述と同様に、Ｘ方向への反転駆動と並行してＹ方向の継続送り駆動がレーザ照射位置Ｌｂに対して実行される。これによって、Ｘ方向においてレーザ照射位置Ｌｂの速度Ｖｘが加工速度Ｖｘｄまで増加するまでに、Ｙ方向においてレーザ照射位置Ｌｂが仮想直線Ｓｖ３まで移動して、レーザ照射位置Ｌｂが分割予定ラインＳ３に到達する。

【0179】

レーザ照射位置Ｌｂが（－Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するタイミングに合わせて、レーザ光源７２が点灯して、加工ヘッド７１からレーザ照射位置Ｌｂへのレーザ光Ｂの照射が開始される（ステップＳ１１０３）。これによって、分割予定ラインＳ３に沿ってＸ方向の（＋Ｘ）側に移動するレーザ照射位置Ｌｂに対してレーザ光Ｂが照射されて、分割予定ラインＳ３が加工される（ライン加工処理）。

【0180】

また、この例では、分割予定ラインＳ３に沿ったレーザ照射位置Ｌｂの移動中に半導体基板Ｗが撮像される（ステップＳ１１０４）。具体的には、（＋Ｘ）側に移動するレーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側（すなわち、（＋Ｘ）側）に位置する撮像範囲Ｒｉ（すなわち、撮像部８Ａの撮像範囲Ｒｉ）が撮像される。これによって、レーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側の撮像点Ｐｗ（Ｓ３１）を含む画像が取得される。こうして、ライン加工処理を実行中の分割予定ラインＳ３のうち、未加工部分の位置を示す画像を取得できる。

【0181】

そして、レーザ照射位置Ｌｂが（＋Ｘ）側の半導体基板Ｗの端に到達するタイミングに合わせて、レーザ光源７２が消灯して、加工ヘッド７１からレーザ照射位置Ｌｂへのレーザ光Ｂの照射が終了する（ステップＳ１１０５）。こうして、ステップＳ１１０３～Ｓ１１０５までの期間では、分割予定ラインＳ３に対してライン加工処理が実行されるのと並行して、当該ライン加工処理の対象である分割予定ラインＳ３のうちの未加工部分の画像が撮像される。

【0182】

続いては、図１９Ａの「Ｘ方向への速度変化」および「Ｙ方向への速度変化」を参照しつつ、レーザ照射位置Ｌｂの速度変化について説明する。分割予定ラインＳ１に沿ってレーザ光Ｂを（＋Ｘ）側に移動させるライン加工処理を実行するライン加工期間Ｔｓ１（ステップＳ１１０３～Ｓ１１０５）では、レーザ照射位置Ｌｂは、一定の加工速度ＶｘｄでＸ方向に移動しつつ、Ｙ方向には移動しない。また、分割予定ラインＳ２に沿ってレーザ光Ｂを（－Ｘ）側に移動させるライン加工処理を実行するライン加工期間Ｔｓ２（ステップＳ１１０３～Ｓ１１０５）では、レーザ照射位置Ｌｂは、一定の加工速度ＶｘｄでＸ方向に移動しつつ、Ｙ方向には移動しない。

【0183】

また、ライン加工期間Ｔｓ１からライン加工期間Ｔｓ２に切り換わる切換期間Ｔｃ（ステップＳ１１０６、Ｓ１１０１）では、次の動作が実行される。つまり、Ｘ軸駆動部６５（加工軸駆動部）は、Ｘ方向（加工方向）において、分割予定ラインＳ１（第１の加工ライン）を（＋Ｘ）側（第１の側）に通過したレーザ照射位置Ｌｂを（＋Ｘ）側に向けて減速させて停止させてから（ステップＳ１１０６）、（－Ｘ）側に向けて加速することで（ステップＳ１１０１）、レーザ照射位置Ｌｂを分割予定ラインＳ２（第２の加工ライン）へ到達させる反転駆動を実行する。この反転駆動と並行して、Ｙ軸駆動部６３（送り軸駆動部）は、分割予定ラインＳ１に沿って分割予定ラインＳ１の外側までＸ方向に延設された仮想直線Ｓｖ１（第１の仮想直線）上から、分割予定ラインＳ２に沿って分割予定ラインＳ２の外側までＸ方向に延設された仮想直線Ｓｖ２（第２の仮想直線）上まで、レーザ照射位置ＬｂをＹ方向（送り方向）へ継続的に移動させる継続送り駆動を実行する。

【0184】

特に、制御部１００は、Ｘ軸駆動部６５が反転駆動でレーザ照射位置ＬｂをＸ方向に停止させるより前にＹ軸駆動部６３が継続送り駆動を開始し、Ｘ軸駆動部６５が反転駆動でレーザ照射位置ＬｂをＸ方向に停止させた後にＹ軸駆動部６３が継続送り駆動を終了するように、Ｘ軸駆動部６５およびＹ軸駆動部６３を制御する。このように、Ｘ軸駆動部６５が反転駆動でレーザ照射位置ＬｂをＸ方向において停止させる期間においてＹ軸駆動部６３がレーザ照射位置ＬｂをＹ方向に移動させる。

【0185】

換言すれば、切換期間Ｔｃは、Ｘ方向にレーザ照射位置Ｌｂを減速させる減速期間Ｔｄ（ステップＳ１００６）と、Ｘ方向にレーザ照射位置Ｌｂを加速させる加速期間Ｔａ（ステップＳ１００１）とを含む。これに対して、Ｙ軸駆動部６３は、レーザ照射位置ＬｂのＹ方向への移動を、減速期間Ｔｄから加速期間Ｔａへ移行する移行期間Ｔｘの前後に渡って継続的に実行する（すなわち、Ｙ方向においてレーザ照射位置Ｌｂを停止させることなく実行する）。なお、移行期間Ｔｘの間、Ｘ方向においてはレーザ照射位置Ｌｂが停止している（すなわち、速度Ｖｘがゼロ）。

【0186】

図１９Ｂは図１８のフローチャートに従って実行される動作の第２例を模式的に示す図である。図１９Ｂが図１９Ａと異なるのは、ライン加工処理と並行して半導体基板Ｗを撮像する回数である。つまり、図１９Ｂの例では、分割予定ラインＳ１へのライン加工処理の実行のために、（＋Ｘ）側に移動するレーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側（すなわち、（＋Ｘ）側）に位置する撮像範囲Ｒｉ（すなわち、撮像部８Ａの撮像範囲Ｒｉ）の撮像が複数回（ここの例では２回）実行される（ステップＳ１１０４）。これによって、レーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側の２個の撮像点Ｐｗ（Ｓ１１）、Ｐｗ（Ｓ１２）をそれぞれ含む２枚の画像が取得される。こうして、ライン加工処理を実行中の分割予定ラインＳ１のうち、未加工部分の位置を示す画像を取得できる。

【0187】

同様に、分割予定ラインＳ２へのライン加工処理の実行のために、（－Ｘ）側に移動するレーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側（すなわち、（－Ｘ）側）に位置する撮像範囲Ｒｉ（すなわち、撮像部８Ｂの撮像範囲Ｒｉ）の撮像が複数回（ここの例では２回）実行される（ステップＳ１１０４）。これによって、レーザ照射位置Ｌｂよりも当該レーザ照射位置Ｌｂの移動側の２個の撮像点Ｐｗ（Ｓ２１）、Ｐｗ（Ｓ２２）をそれぞれ含む２枚の画像が取得される。こうして、ライン加工処理を実行中の分割予定ラインＳ２のうち、未加工部分の位置を示す画像を取得できる。また、分割予定ラインＳ３へのライン加工処理においても、同様に複数回の撮像が実行される（ステップＳ１１０４）。

【0188】

図２０は図１６のステップＳ１００８あるいは図１８のステップＳ１１０４で取得される半導体基板の画像の一例を模式的に示す図である。上記の例では、互いに直交する２本の分割予定ラインＳの交差点を含む領域が撮像されて画像ＩＭが取得される。この際、撮像範囲Ｒｉが半導体基板Ｗに対してＸ方向に移動しつつ、画像ＩＭが取得されるため、画像ＩＭでは、輝度がＸ方向に平均化されて表れる。その結果、分割予定ラインＳに対応してＸ方向に平行に延びる高輝度な高輝度領域と、半導体チップＣに対応してＸ方向に平行に延びる高輝度領域より低輝度な低輝度領域とが表れる。特に、Ｙ方向において、２個の低輝度領域に高輝度領域が挟まれる。したがって、制御部１００は、分割予定ラインＳに対応する高輝度領域に基づき、分割予定ラインＳのＹ方向への位置を確認することができる。

【0189】

図２１はライン加工処理でのレーザ加工条件の決定方法の一例を示すフローチャートであり、図２２Ａはレーザ加工条件の決定に関わるパラメータを示す図であり、図２２Ｂはレーザ加工条件の時間的影響を示す図であり、図２２Ｃは図２１のレーザ加工条件の決定で参照するテーブルの一例を示す図である。このテーブルは記憶部１９０に予め記憶されている。

【0190】

図２２Ａでは、ライン加工処理において、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向に移動する速度Ｖｘと時間との関係を表す上のグラフと、レーザ照射位置ＬｂがＸ方向に移動する速度Ｖｘとレーザ照射位置ＬｂのＸ方向への位置（すなわち、Ｘ座標）との関係を表す下のグラフとが示されている。

【0191】

下のグラフに示されるように、分割予定ラインＳに対してライン加工処理を実行するためには、分割予定ラインＳの一方側の開始地点Ｘｓから他方側（一方側の逆）の終了地点Ｘｅまでレーザ照射位置ＬｂをＸ方向に移動させつつ、分割予定ラインＳに重複するレーザ照射位置Ｌｂにレーザ光Ｂを照射する照射位置走査が実行される。つまり、照射位置走査は、Ｘ軸駆動部６５によってレーザ照射位置Ｌｂを開始地点Ｘｓから終了地点ＸｅまでＸ方向に移動させつつ、分割予定ラインＳに重複するレーザ照射位置Ｌｂに加工ヘッド７１からレーザ光Ｂを照射する。こうして、上述のライン加工処理は、照射位置走査に伴って実行される。

【0192】

この照射位置走査では、分割予定ラインＳに対して等速度区間ＳＣが設定される。この等速度区間ＳＣは、Ｘ方向において、開始地点Ｘｓと終了地点Ｘｅとの間に位置して、分割予定ラインＳを含むように設定される。ここの例では、Ｘ方向において等速度区間ＳＣの両端が分割予定ラインＳの両端と一致しており、換言すれば、等速度区間ＳＣは分割予定ラインＳと一致する。ただし、等速度区間ＳＣの設定態様はここの例に限られず、分割予定ラインＳの両端から外側にオフセットを加えて等速度区間ＳＣを設定してもよい。この場合、等速度区間ＳＣは分割予定ラインＳより長くなる。オフセットの長さは、所定の一定値でもよいし、分割予定ラインＳの長さに所定の倍率（例えば１％）を乗じた値でもよい。かかる等速度区間ＳＣの長さは分割予定ラインＳの長さに応じて設定され、具体的には、分割予定ラインＳが長くなるほど等速度区間ＳＣが長くなる（換言すれば、分割予定ラインＳが短くなるほど等速度区間ＳＣが短くなる）。

【0193】

この照射位置走査では、Ｘ方向において、等速度区間ＳＣの一方側に設けられた開始地点Ｘｓから等速度区間ＳＣの他方側に設けられた終了地点Ｘｅまでレーザ照射位置Ｌｂが移動する。また、Ｘ方向において、レーザ照射位置Ｌｂが開始地点Ｘｓから等速度区間ＳＣの一方側の端Ｘｓｓに移動する加速期間Ｔａでは、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向において加速度Ａで加速して、レーザ照射位置ＬｂのＸ方向の速度Ｖｘはゼロから加工速度Ｖｘｄまで増加する。また、Ｘ方向において、レーザ照射位置Ｌｂが等速度区間ＳＣの一方側の端Ｘｓｓから他方側の端Ｘｓｅまで移動する等速度期間Ｔｓｃ（ここの例では、ライン加工期間Ｔｓに一致）では、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向に一定の加工速度Ｖｘｄで移動する。さらに、Ｘ方向において、レーザ照射位置Ｌｂが等速度区間ＳＣの他方側の端Ｘｓｅから終了地点Ｘｅまで移動する減速期間Ｔｄでは、レーザ照射位置ＬｂはＸ方向に加速度Ａで減速し、レーザ照射位置ＬｂのＸ方向の速度Ｖｘは加工速度Ｖｘｄからゼロまで減少する。

【0194】

この際、加速期間Ｔａは、速度Ｖｘが加速度Ａでゼロから加工速度Ｖｘｄまで増加するのに要する期間（Ｖｘｄ／Ａ）となり、等速度期間Ｔｓｃは、等速度区間ＳＣの長さである等速度距離Ｌｓｃを加工速度Ｖｘｄで移動するのに要する期間（Ｌｓｃ／Ｖｘｄ）となり、減速期間Ｔｄは、速度Ｖｘが加速度Ａで加工速度Ｖｘｄからゼロまで減少するのに要する期間（Ｖｘｄ／Ａ）となる。したがって、照射位置走査に要する走査時間ｔは、
ｔ＝２×Ｖｘｄ／Ａ＋Ｌｓｃ／Ｖｘｄ
となる。そのため、加工速度Ｖｘｄと走査時間ｔとの間には、図２２Ｂに示す関係が成立する。つまり、加工速度ＶｘｄがＶｘｄ＿ｍｉｎ（＝（Ｌｓｃ×Ａ／２）^１／２）のとき、走査時間ｔが最小値となる。したがって、等速度区間ＳＣの長さ（等速度距離Ｌｓｃ）に応じて加工速度Ｖｘｄを設定することで、ライン加工処理を効率的に実行できる。

【0195】

ただし、加工速度Ｖｘｄを変更した場合には、レーザ光源７２から射出するレーザ光Ｂの周波数を変更する必要がある。具体的には、加工速度Ｖｘｄを速くするほど、レーザ光Ｂの周波数を高くする必要がある。これに対して、レーザ光Ｂの周波数は、段階的に変えることしかできず、連続的には変えられない。そこで、図２２Ｃのテーブルが用いられる。このテーブルは、等速度距離Ｌｓｃ（ここの例では、分割予定ラインＳの長さ）と、加工速度Ｖｘｄと、レーザ光Ｂの周波数ｆｃとの関係を規定する。具体的には、等速度距離ＬｓｃがＬｓｃ（１）以下である場合には、加工速度ＶｘｄがＶｘｄ（１）に設定され、レーザ光Ｂの周波数がｆｃ（１）に設定され、等速度距離ＬｓｃがＬｓｃ（１）より大きくＬｓｃ（２）以下である場合には、加工速度ＶｘｄがＶｘｄ（２）に設定され、レーザ光Ｂの周波数がｆｃ（２）に設定されるといったレーザ加工条件がテーブルに規定される。

【0196】

つまり、図２１のレーザ加工条件決定では、ライン加工処理の対象となる分割予定ラインＳに対して設定される等速度区間ＳＣの長さ（等速度距離Ｌｓｃ）が取得される（ステップＳ１２０１）。そして、ステップＳ１２０１で取得された等速度距離Ｌｓｃと図２２Ｃのテーブルとに基づき、加工速度Ｖｘｄが決定されるとともに（ステップＳ１２０２）、レーザ光Ｂの周波数ｆｃが決定される（ステップＳ１２０３）。こうして図２１によって決定されたレーザ加工条件（加工速度Ｖｘｄおよび周波数ｆｃ）に従って、照射位置走査が実行される。

【0197】

ところで、照射位置走査は、Ｘ方向に平行な複数の分割予定ラインＳに対して順番に実行される。換言すれば、互いに異なる分割予定ラインＳを対象とする複数の照射位置走査が実行される。これに対して、図２１のレーザ加工条件決定は、複数の照射位置走査のそれぞれに対して実行され、各照射位置走査は、それを対象として決定されたレーザ加工条件に従ってレーザ照射位置Ｌｂの移動とレーザ光Ｂの照射とを実行する。

【0198】

特に、上記の例のようにＸ方向に平行な複数の分割予定ラインＳが形成された半導体基板Ｗが円形である場合には、円の中心からＹ方向に遠ざかるほど分割予定ラインＳが短くなり、当該分割予定ラインＳに設定される等速度距離Ｌｓｃも短くなる。つまり、照射位置走査で設定される等速度距離Ｌｓｃは、当該照射位置走査が対象とする分割予定ラインＳのＹ方向の位置に応じて異なる。そこで、複数の分割予定ラインＳに対して順番に実行される照射位置走査のそれぞれに対して、レーザ加工条件決定を実行することが適当となる。

【0199】

なお、レーザ加工条件決定は、当該レーザ加工条件決定が対象とする照射位置走査の開始前の任意のタイミングで実行できる。例えば、Ｘ方向に平行な複数の分割予定ラインＳにそれぞれ対応する複数の照射位置走査を開始する前に、当該複数の照射位置走査の全てに対してレーザ加工条件決定を実行してもよい。あるいは、一の照射位置走査を行うのに続いて次の照射位置走査を行う場合に、一の照射位置走査の実行中に、次の照射位置走査に対するレーザ加工条件決定を実行してもよい。

【0200】

以上に説明する実施形態では、Ｘ方向（加工方向）において半導体基板Ｗ（加工対象物）の一方側の開始地点Ｘｓから他方側の終了地点Ｘｅまで、半導体基板Ｗに対してレーザ照射位置Ｌｂを移動させつつ、複数の分割予定ラインＳ（加工ライン）のうち対象となる分割予定ラインＳ（一の対象ライン）に沿って移動するレーザ照射位置Ｌｂに加工ヘッド７１からレーザ光Ｂを照射することで分割予定ラインＳを加工する（照射位置走査）。この照射位置走査では、Ｘ方向において分割予定ラインＳ（対象ライン）を含む等速度区間ＳＣが開始地点Ｘｓと終了地点Ｘｅとの間に設定される。そして、開始地点Ｘｓから等速度区間ＳＣの一方側の端Ｘｓｓまでレーザ照射位置Ｌｂが移動する加速期間Ｔａ（第１期間）において、半導体基板Ｗに対するレーザ照射位置ＬｂのＸ方向への速度がゼロから加工速度Ｖｘｄまで上昇する。また、等速度区間ＳＣの一方側の端Ｘｓｓから他方側の端Ｘｓｅまでレーザ照射位置Ｌｂが移動する等速度期間Ｔｓｃ（第２期間）を通じて、レーザ照射位置Ｌｂは半導体基板Ｗに対してＸ方向へ加工速度Ｖｘｄで等速移動する。さらに、レーザ照射位置Ｌｂが等速度区間ＳＣの他方側の端Ｘｓｅに到達してから終了地点Ｘｅに到達するまでの減速期間Ｔｄ（第３期間）において、半導体基板Ｗに対するレーザ照射位置ＬｂのＸ方向への速度は加工速度Ｖｘｄからゼロまで低下する。この際、Ｘ方向において、等速度区間ＳＣの長さ（等速度距離Ｌｓｃ）は分割予定ラインＳの長さに応じて設定され、等速度区間ＳＣの長さ（等速度距離Ｌｓｃ）に応じて照射位置走査における加工速度Ｖｘｄが調整されている（速度調整処理、ステップＳ１２０２）。したがって、加速期間Ｔａ、等速度期間Ｔｓｃおよび減速期間Ｔｄの合計期間（走査時間ｔ）を抑えることができる。こうして、半導体基板Ｗの分割予定ラインＳに沿ってレーザ光Ｂを移動させることで分割予定ラインＳを加工するレーザ加工技術において、分割予定ラインＳの加工を効率的に実行することが可能となっている。

【0201】

また、制御部１００は、複数の分割予定ラインＳの間で対象となる分割予定ラインＳ（対象ライン）を変更しつつ照射位置走査を繰り返すことで複数の照射位置走査を実行する。そして、制御部１００は、複数の照射位置走査のそれぞれに対して速度調整処理（ステップＳ１２０２）を実行する。かかる構成では、複数の分割予定ラインＳのそれぞれの加工を効率的に実行でき、半導体基板Ｗに対する加工を速やかに完了することが可能となる。

【0202】

また、制御部１００は、照射位置走査において対象となる分割予定ラインＳ（対象ライン）に沿って移動するレーザ照射位置Ｌｂに照射されるレーザ光Ｂの周波数を、照射位置走査における加工速度Ｖｘｄに応じて調整する周波数調整処理（ステップＳ１２０３）を実行する。かかる構成では、調整後の加工速度Ｖｘｄに応じた適切な周波数のレーザ光Ｂを分割予定ラインＳに照射して、分割予定ラインＳの加工を的確に行うことができる。

【0203】

また、制御部１００は、複数の分割予定ラインＳの間で対象となる分割予定ラインＳ（対象ライン）を変更しつつ照射位置走査を繰り返すことで複数の照射位置走査を実行する。そして、制御部１００は、複数の照射位置走査のそれぞれに対して周波数調整処理（ステップＳ１２０３）を実行する。かかる構成では、複数の分割予定ラインＳのそれぞれの加工を的確に行うことができる。

【0204】

なお、図２２Ｃに示すように、加工速度Ｖｘｄの調整は、複数の離散的な加工速度Ｖｘｄ（１）、Ｖｘｄ（２）、Ｖｘｄ（３）、Ｖｘｄ（４）のうちから１つを選択することで実行され、発信周波数ｆｃの調整は、複数の離散的な発信周波数ｆｃ（１）、Ｖｘｄ（２）、Ｖｘｄ（３）、Ｖｘｄ（４）のうちから１つを選択することで実行される。つまり、レーザ加工条件決定では、等速度距離Ｌｓｃが図２２Ｃに示す複数（４個）の範囲のいずれに属するかに応じて、加工速度Ｖｘｄおよび発信周波数ｆｃが選択される。この際、複数の照射位置走査のそれぞれに対してレーザ加工条件決定を実行して加工速度Ｖｘｄおよび発信周波数ｆｃを調整した際に、連続して実行される２回のレーザ照射位置走査の間で等速度距離Ｌｓｃの属する範囲が同じ場合には、加工速度Ｖｘｄおよび発信周波数ｆｃは維持される。一方、連続して実行される２回のレーザ照射位置走査の間で等速度距離Ｌｓｃの属する範囲が異なる場合には、加工速度Ｖｘｄおよび発信周波数ｆｃとは変更される（換言すれば、切り換えられる）。つまり、加工速度Ｖｘｄの調整には、加工速度Ｖｘｄの維持と、加工速度Ｖｘｄの変更（切換）とが含まれ、発信周波数ｆｃの調整には、発信周波数ｆｃの維持と、発信周波数ｆｃの変更（切換）とが含まれる。

【0205】

ところで、上記の例では、１本の分割予定ラインＳに対して実行される照射位置走査毎に図２１のレーザ加工条件決定が実行される。しかしながら、レーザ加工条件（加工速度Ｖｘｄおよびレーザ光Ｂの周波数ｆｃ）を決定する単位は、１回の照射位置走査である必要は無く、１枚の半導体基板Ｗであってもよい。つまり、制御部１００は、図２１のフローチャートに代えて、次の図２３のフローチャートを実行してもよい。

【0206】

図２３は半導体基板単位でのレーザ加工条件の決定方法の一例を示すフローチャートであり、図２４は図２３のレーザ加工条件の決定で参照するテーブルの一例を示す図である。このテーブルは記憶部１９０に予め記憶されている。ここの例では、チャックステージ３に保持された半導体基板Ｗが有するＸ方向に平行な複数の分割予定ラインＳをカウントするカウント値ｎが付される。例えば、Ｘ方向に平行な２０本の分割予定ラインＳを半導体基板Ｗが有する場合には、カウント値ｎは１～２０の値を取る。

【0207】

ステップＳ１３０１では、カウント値ｎがゼロにリセットされ、ステップＳ１３０２では、カウント値ｎがインクリメントされる。ステップＳ１３０３では、ｎ番目の分割予定ラインＳに対して設定された等速度区間ＳＣの長さである等速度距離Ｌｓｃ（ｎ）が取得される。そして、ｎ番目の分割予定ラインＳに対する照射位置走査に要する走査時間ｔ（ｎ）が次式
ｔ（ｎ）＝２×Ｖｘｄ／Ａ＋Ｌｓｃ（ｎ）／Ｖｘｄ
に基づき算出される（ステップＳ１３０４）。

【0208】

ステップＳ１３０５では、カウント値ｎがその最大値ｎｘ（半導体基板Ｗが有するＸ方向に平行な分割予定ラインＳの本数に相当）に到達したか否かが判断される。カウント値ｎが最大値ｎｘに到達しない場合（ステップＳ１３０５で「ＮＯ」の場合）には、ステップＳ１３０２～Ｓ１３０４が繰り返される。こうして、カウント値ｎが最大値ｎｘに到達するまでステップＳ１３０２～Ｓ１３０４が繰り返されることで、半導体基板Ｗが有するＸ方向に平行な複数の分割予定ラインＳの全てについて、走査時間ｔ（ｎ）が算出される。

【0209】

カウント値ｎが最大値ｎｘに到達すると（ステップＳ１３０５で「ＹＥＳ」）、走査総時間Ｔｔｌが次式
Ｔｔｌ＝ｔ（１）＋ｔ（２）＋…ｔ（ｎｘ－１）＋ｔ（ｎｘ）
＝Σｔ（ｎ）
に基づき算出される（ステップＳ１３０６）。

【0210】

この走査総時間Ｔｔｌは、加工速度Ｖｘｄの関数となる。これに対して、ステップＳＳ１３０７では、走査総時間Ｔｔｌが最小となる加工速度Ｖｘｄが最適加工速度Ｖｘｇとして算出される。ステップＳ１３０８では、こうして算出された最適加工速度Ｖｘｇと図２４のテーブルとを用いて、加工条件（加工速度Ｖｘｄおよびレーザ光Ｂの周波数ｆｃ）が決定される。

【0211】

図２４のテーブルは、最適加工速度Ｖｘｇと、加工速度Ｖｘｄと、レーザ光Ｂの周波数ｆｃとの関係を規定する。具体的には、最適加工速度ＶｘｇがＶｘｇ（１）以下である場合には、加工速度ＶｘｄがＶｘｄ（１１）に設定され、レーザ光Ｂの周波数がｆｃ（１１）に設定され、最適加工速度ＶｘｇがＶｘｇ（１）より大きくＶｘｇ（２）以下である場合には、加工速度ＶｘｄがＶｘｄ（１２）に設定され、レーザ光Ｂの周波数がｆｃ（１２）に設定されるといったレーザ加工条件がテーブルに規定される。図２２Ｃのテーブルと同様に、図２４のテーブルに従うことで、加工速度Ｖｘｄが速くなるほど、レーザ光Ｂの周波数が高くなる。

【0212】

つまり、ここの例では、チャックステージ３に保持された１枚の半導体基板Ｗが有するＸ方向に平行な複数の分割予定ラインＳに照射位置走査を実行する期間を通じて、加工速度Ｖｘｄおよびレーザ光Ｂの周波数ｆｃを変更しない。これによって、レーザ光Ｂの周波数ｆｃの変更に要する時間が、半導体基板Ｗへの加工完了に及ぼす影響を排除できる。

【0213】

なお、最適加工速度Ｖｘｄは、ｎｘ本の分割予定ラインＳそれぞれに設定された等速度距離Ｌｓｃと相関を有する。このような最適加工速度Ｖｘｄに基づき加工速度Ｖｘｄを決定する上記制御は、ｎｘ本の分割予定ラインＳそれぞれに設定された等速度区間ＳＣの長さ（等速度距離Ｌｓｃ）に応じて照射位置走査における加工速度Ｖｘｄを調整する処理に相当する。また、このような最適加工速度Ｖｘｄに基づきレーザ光Ｂの周波数ｆｃを決定する上記制御は、レーザ照射位置Ｌｂに照射されるレーザ光Ｂの周波数ｆｃを、照射位置走査における加工速度Ｖｘｄに応じて調整する処理に相当する。

【0214】

このように、制御部１００は、複数の分割予定ラインＳの間で、を変更しつつ照射位置走査を繰り返すことで実行される複数の照射位置走査に対して共通する加工速度Ｖｘｄ（共通加工速度）を設定する（ステップＳ１３０８）。そして、複数の照射位置走査のそれぞれは、ステップＳ１３０８で設定された加工速度Ｖｘｄに基づき実行される。特に、ステップＳ１３０８（速度調整処理）では、複数の照射位置走査それぞれの等速度区間ＳＣの長さである等速度距離Ｌｓｃ（ｎ）を反映した走査総時間Ｔｔｌに応じて、加工速度Ｖｘｄが調整される。かかる構成では、複数の分割予定ラインＳの間で加工速度Ｖｘｄを切り換えることなく、当該複数の分割予定ラインＳへの加工を効率的に実行でき、半導体基板Ｗに対する加工を速やかに完了することが可能となる。

【0215】

また、制御部１００は、複数の分割予定ラインＳに共通に設定された加工速度Ｖｘｄに応じて、複数の照射位置走査に対して共通する周波数ｆｃを求める（ステップＳ１３０８）。そして、複数の照射位置走査のそれぞれにおいて、共通の周波数ｆｃのレーザ光Ｂをレーザ照射位置Ｌｂに照射する。かかる構成では、複数の分割予定ラインＳの間でレーザ光Ｂの周波数ｆｃを切り換える必要がなく、周波数ｆｃの切り換えに要する時間が半導体基板Ｗに対する加工の完了に与える影響を排除できる。

【0216】

なお、図２４に示すように、加工速度Ｖｘｄの調整は、複数の離散的な加工速度Ｖｘｄ（１）、Ｖｘｄ（２）、Ｖｘｄ（３）、Ｖｘｄ（４）のうちから１つを選択することで実行され、発信周波数ｆｃの調整は、複数の離散的な発信周波数ｆｃ（１）、Ｖｘｄ（２）、Ｖｘｄ（３）、Ｖｘｄ（４）のうちから１つを選択することで実行される。つまり、レーザ加工条件決定では、最適加工速度Ｖｘｄが図２４に示す複数（４個）の範囲のいずれに属するかに応じて、加工速度Ｖｘｄおよび発信周波数ｆｃが選択される。この際、複数の半導体基板Ｗのそれぞれに対してレーザ加工条件決定を実行して加工速度Ｖｘｄおよび発信周波数ｆｃを調整した際に、連続して加工される２枚の半導体基板Ｗの間で最適加工速度Ｖｘｄの属する範囲が同じ場合には、加工速度Ｖｘｄおよび発信周波数ｆｃは維持される。一方、連続して加工される２枚の半導体基板Ｗの間で最適加工速度Ｖｘｄの属する範囲が異なる場合には、加工速度Ｖｘｄおよび発信周波数ｆｃとは変更される（換言すれば、切り換えられる）。つまり、加工速度Ｖｘｄの調整には、加工速度Ｖｘｄの維持と、加工速度Ｖｘｄの変更（切換）とが含まれ、発信周波数ｆｃの調整には、発信周波数ｆｃの維持と、発信周波数ｆｃの変更（切換）とが含まれる。

【0217】

ところで、上で説明する例では、チャックステージ３に保持された１枚の半導体基板Ｗが有するＸ方向に平行な複数の分割予定ラインＳに照射位置走査を実行する期間を通じて、加工速度Ｖｘｄおよびレーザ光Ｂの周波数ｆｃを変更しない。換言すれば、分割予定ラインＳの単位ではなく、半導体基板Ｗの単位で、レーザ加工条件（加工速度Ｖｘｄおよびレーザ光Ｂの周波数）が調整される。この際、レーザ加工装置１で使用される半導体基板Ｗの直径が想定される場合がある。このような場合には、これら半導体基板Ｗの直径について、図２３のレーザ加工条件決定方法を予め実行することで、各直径に対応する加工条件（加工速度Ｖｘｄとレーザ光Ｂの周波数ｆｃ）を求めて記憶部１９０に保存しておいてもよい。

【0218】

図２５は図２３のレーザ加工条件方法によって予め求められた加工条件を基板の直径に応じて設定するレーザ加工条件設定の一例を示すフローチャートであり、図２６は図２５のフローチャートで使用される対応関係テーブルを模式的に示す図である。ここの例では、レーザ加工装置１で使用される直径２００ｍｍの半導体基板Ｗおよび直径３００ｍｍの半導体基板Ｗそれぞれに対して、図２３のレーザ加工条件決定が予め実行されて、加工速度Ｖｘｄおよびレーザ光Ｂの周波数ｆｃが求められている。こうして半導体基板Ｗの各直径について求められた加工速度Ｖｘｄおよびレーザ光Ｂの周波数ｆｃは、対応関係テーブルＴｓｖｆとして、記憶部１９０に保存されている。

【0219】

つまり、図２６の対応関係テーブルＴｓｖｆでは、直径２００ｍｍの半導体基板Ｗに対して加工速度Ｖｘｄ（＝Ｖ_200）およびレーザ光Ｂの周波数ｆｃ（=fc_200）が対応付けられ、直径３００ｍｍの半導体基板Ｗに対して加工速度Ｖｘｄ（＝Ｖ_300）およびレーザ光Ｂの周波数ｆｃ（=fc_300）が対応付けられている。

【0220】

ステップＳ１４０１では、レーザ加工制御演算部１２０は、照射位置走査の対象となる半導体基板Ｗのサイズ（直径）を取得する。そして、レーザ加工制御演算部１２０は、ステップＳ１４０１で取得した半導体基板Ｗのサイズに対応付けられた加工速度Ｖｘｄを対応関係テーブルＴｓｖｆから読み出して、読み出した加工速度Ｖｘｄを照射位置走査の実行時の加工速度Ｖｘｄに設定する（ステップＳ１４０２）。また、レーザ加工制御演算部１２０は、ステップＳ１４０１で取得した半導体基板Ｗのサイズに対応付けられたレーザ光Ｂの周波数ｆｃを対応関係テーブルＴｓｖｆから読み出して、読み出した周波数ｆｃを照射位置走査の実行時の周波数ｆｃに設定する（ステップＳ１４０３）。

【0221】

かかる構成では、例えば、２００ｍｍの半導体基板Ｗに照射位置走査を実行する場合には、チャックステージ３に保持された当該半導体基板Ｗが有するＸ方向に平行な複数の分割予定ラインＳそれぞれに対する照射位置走査が、加工速度Ｖｘｄが加工速度Ｖ_200で、レーザ光Ｂの周波数ｆｃがｆｃ_200のレーザ加工条件で実行される。

【0222】

上記の例では、半導体基板Ｗの複数の直径（サイズ）のそれぞれについて、直径、加工速度Ｖｘｄ（共通加工速度）および周波数ｆｃ（共通周波数）の対応関係を示す対応関係テーブルＴｓｖｆ（対応関係情報）が記憶部１９０に記憶されている。そして、レーザ加工制御演算部１２０（制御部）は、照射位置走査の対象となる半導体基板Ｗの直径と対応関係テーブルＴｓｖｆとに基づき、加工速度Ｖｘｄとレーザ光Ｂの周波数ｆｃとを調整する（ステップＳ１４０２、Ｓ１４０３）。かかる構成では、レーザ加工制御演算部１２０は、対応関係テーブルＴｓｖｆを参照することで、加工速度Ｖｘｄとレーザ光Ｂの周波数ｆｃとを簡便に調整できる。

【0223】

このように上記の実施形態では、レーザ加工装置１が本発明の「レーザ加工装置」の一例に相当し、チャックステージ３が本発明の「支持部材」の一例に相当し、Ｘ軸駆動部６５が本発明の「加工軸駆動部」の一例に相当し、加工ヘッド７１が本発明の「加工ヘッド」の一例に相当し、レーザ光源７２が本発明の「レーザ光源」の一例に相当し、制御部１００が本発明の「制御部」の一例に相当し、制御部１００が本発明の「コンピュータ」の一例に相当し、レーザ加工プログラム１９１が本発明の「レーザ加工プログラム」の一例に相当し、記録媒体１９２が本発明の「記録媒体」の一例に相当し、レーザ光Ｂが本発明の「レーザ光」の一例に相当し、レーザ照射位置Ｌｂが本発明の「レーザ照射位置」の一例に相当し、分割予定ラインＳが本発明の「加工ライン」の一例に相当し、等速度区間ＳＣが本発明の「等速度区間」の一例に相当し、加速期間Ｔａが本発明の「第１期間」の一例に相当し、減速期間Ｔｄが本発明の「第３期間」の一例に相当し、等速度期間Ｔｓｃが本発明の「第２期間」の一例に相当し、加工速度Ｖｘｄが本発明の「加工速度」の一例に相当し、半導体基板Ｗが本発明の「加工対象物」の一例に相当し、Ｘ方向が本発明の「加工方向」の一例に相当し、終了地点Ｘｅが本発明の「終了地点」の一例に相当し、開始地点Ｘｓが本発明の「開始地点」の一例に相当し、端Ｘｓｓが本発明の「一方側の端」の一例に相当し、端Ｘｓｅが本発明の「他方側の端」の一例に相当し、ステップＳ１２０２が本発明の「速度調整処理」の一例に相当し、ステップＳ１２０３が本発明の「周波数調整処理」の一例に相当する。

【0224】

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したものに対して種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記の実施例では、撮像した画像の用途は特に説明していない。ただし、かかる画像は種々の用途に用いることができる。例えば、分割予定ラインＳへのレーザ加工に伴って、未加工の分割予定ラインＳがＹ方向に変位する場合がある。そこで、制御部１００は、半導体基板Ｗを撮像した画像に基づき、未加工の分割予定ラインＳのＹ方向への変位量を算出して、ライン加工処理の対象となる分割予定ラインＳとレーザ照射位置Ｌｂとの位置合わせを、当該変位量に基づき行うことができる。

【0225】

また、上記の例では、撮像部８は互いに直交する２本の分割予定ラインＳの交差点を撮像するが、撮像部８の撮像対象はこれに限られず、例えば半導体チップＣに付されたアライメントマーク等でも良い。

【0226】

また、レーザ照射位置Ｌｂを半導体基板Ｗに対して相対的に移動させる具体的構成は、上記のＸＹθ駆動テーブル６に限られず、例えば加工ヘッド７１をＸ方向およびＹ方向に駆動する駆動機構でも構わない。

【0227】

また、撮像部８の台数は２台に限られず、例えば１台でも構わない。

【0228】

また、上記に示したレーザ加工方法（図１１の基板加工等）によって、個々に分離された半導体チップＣを製造してもよい（半導体チップ製造方法）。この半導体チップ製造方法では、上記のレーザ加工方法によって半導体基板Ｗの分割予定ラインＳに対してライン加工処理を行って、改質層が形成される（レーザ加工工程）。続いて、半導体基板Ｗを保持するテープＥを引き延ばして、当該テープＥを拡張することで、複数の半導体チップＣのそれぞれが分離される（エキスパンド工程）。

【符号の説明】

【0229】

１…レーザ加工装置
３…チャックステージ（支持部材）
６５…Ｘ軸駆動部（加工軸駆動部）
７１…加工ヘッド
７２…レーザ光源
１００…制御部（コンピュータ）
１９１…レーザ加工プログラム
１９２…記録媒体

【図1】