特許 7571687 収容排出機構、光源装置、及び収容排出方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-15

(45)【発行日】2024-10-23

(54)【発明の名称】収容排出機構、光源装置、及び収容排出方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20241016BHJP

   H05G 2/00 20060101ALI20241016BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 503

H05G2/00 K

G03F7/20 521

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2021131189

(22)【出願日】2021-08-11

(65)【公開番号】P2023025817

(43)【公開日】2023-02-24

【審査請求日】2023-09-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000102212

【氏名又は名称】ウシオ電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003339

【氏名又は名称】弁理士法人南青山国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】山谷 大樹

(72)【発明者】

【氏名】長野 晃尚

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 芙貴

(72)【発明者】

【氏名】宮川 展明

【審査官】植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－１３１４８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１６－５１２３８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／０４２９１５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０２０／０８６９０２（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｈ０５Ｇ ２／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

プラズマ原料である金属を含む収容物を液相状態となる温度で収容する収容容器と、
前記収容容器の内部に連通し前記収容物が流入する流入口と前記収容物を排出する排出口とを有する排出管と、前記排出管の温度を調整する温調素子とを有する排出部と、
前記排出管内の前記収容物が液相状態又は固相状態のいずれか一方の状態となるように、前記温調素子を制御して前記排出管の温度を切り替える温度制御部と、
前記排出管の前記排出口から排出される前記収容物を回収する回収容器と、
前記排出部側に設けられた第１のフランジ部と、前記回収容器側に設けられ前記第１のフランジ部と着脱可能な第２のフランジ部とを有し、前記第１のフランジ部及び前記第２のフランジ部を介して前記排出部と前記回収容器とを着脱可能に構成された着脱機構と
を具備する収容排出機構。

【請求項2】

請求項１に記載の収容排出機構であって、
前記排出部は、前記排出管の流路上に配置され、前記排出管の流路よりも断面積が小さい絞り流路を構成するアパーチャー部を有する
収容排出機構。

【請求項3】

プラズマ原料である金属を含む収容物を液相状態となる温度で収容する収容容器と、
前記収容容器の内部に連通し前記収容物が流入する流入口と前記収容物を排出する排出口とを有する排出管と、前記排出管の温度を調整する温調素子と、前記排出管の流路上に配置され前記排出管の流路よりも断面積が小さい絞り流路を構成するアパーチャー部とを有する排出部と、
前記排出管内の前記収容物が液相状態又は固相状態のいずれか一方の状態となるように、前記温調素子を制御して前記排出管の温度を切り替える温度制御部と
を具備する収容排出機構。

【請求項4】

請求項２又は３に記載の収容排出機構であって、
前記排出管は、前記排出管の流路内面の下端の少なくとも一部が前記流入口の上端よりも高い位置となるように、前記排出管を屈曲させた屈曲部を有する
収容排出機構。

【請求項5】

請求項４に記載の収容排出機構であって、
前記アパーチャー部は、前記流入口と前記屈曲部との間に配置される
収容排出機構。

【請求項6】

請求項１から５のうちいずれか１項に記載の収容排出機構であって、
前記排出管は、前記流入口の下端が前記収容容器の内部の底面から所定距離だけ高い位置となるように前記収容容器に接続される
収容排出機構。

【請求項7】

請求項１から６のうちいずれか１項に記載の収容排出機構であって、
前記温度制御部は、前記収容物を排出する排出動作を行う場合、前記収容物が液相状態となるように前記排出管の温度を制御し、前記収容物を排出せずに前記収容物を貯留する貯留動作を行う場合、前記収容物が固相状態となるように前記排出管の温度を制御する
収容排出機構。

【請求項8】

請求項１から７のうちいずれか１項に記載の収容排出機構であって、さらに、
前記収容容器内の前記収容物の収容量を検出する収容量センサを具備し、
前記温度制御部は、前記収容量センサの検出結果に基づいて、前記温調素子を制御する
収容排出機構。

【請求項9】

請求項１から８のうちいずれか１項に記載の収容排出機構であって、
前記収容物を排出する排出動作は、前記排出口側の圧力が前記収容容器の内部の圧力に略一致する状態、又は前記排出口側の圧力が前記収容容器の内部の圧力よりも小さい状態で実行される
収容排出機構。

【請求項10】

請求項９に記載の収容排出機構であって、
前記排出口側の圧力及び前記収容容器の内部の圧力は、大気圧以下である
収容排出機構。

【請求項11】

請求項３に記載の収容排出機構であって、さらに、
前記排出管の前記排出口から排出される前記収容物を回収する回収容器を具備する
収容排出機構。

【請求項12】

請求項１又は１１に記載の収容排出機構であって、
前記回収容器は、断熱容器として構成される
収容排出機構。

【請求項13】

請求項１又は１１に記載の収容排出機構であって、
前記回収容器は、容器内部を減圧する排気部に接続される
収容排出機構。

【請求項14】

請求項１又は１１に記載の収容排出機構であって、
前記排出部は、前記排出管と前記回収容器とを接続する回収管を有し、
前記温調素子は、前記回収管の温度を調整する
収容排出機構。

【請求項15】

金属を含むプラズマ原料から極端紫外光を放射するプラズマを発生させる光源部と、
前記プラズマから放散される金属を含むデブリを収容物として、前記収容物を液相状態となる温度で収容する収容容器と、
前記収容容器の内部に連通し前記収容物が流入する流入口と前記収容物を排出する排出口とを有する排出管と、前記排出管の温度を調整する温調素子とを有する排出部と、
前記排出管内の前記収容物が液相状態又は固相状態のいずれか一方の状態となるように、前記温調素子を制御して前記排出管の温度を切り替える温度制御部と、
前記排出管の前記排出口から排出される前記収容物を回収する回収容器と、
前記排出部側に設けられた第１のフランジ部と、前記回収容器側に設けられ前記第１のフランジ部と着脱可能な第２のフランジ部とを有し、前記第１のフランジ部及び前記第２のフランジ部を介して前記排出部と前記回収容器とを着脱可能に構成された着脱機構と
を具備する光源装置。

【請求項16】

プラズマ原料である金属を含む収容物が液相状態となるように収容容器の温度を調整し、
前記収容容器の内部に連通する排出管内の前記収容物が、液相状態又は固相状態のいずれか一方の状態となるように、前記排出管に設けられた温調素子を制御して前記排出管の温度を切り替え、
前記排出部側に設けられた第１のフランジ部と着脱可能な第２のフランジ部が設けられた回収容器により前記収容物を回収する
収容排出方法。

【請求項17】

金属を含むプラズマ原料から極端紫外光を放射するプラズマを発生させる光源部と、
前記プラズマから放散される金属を含むデブリを収容物として、前記収容物を液相状態となる温度で収容する収容容器と、
前記収容容器の内部に連通し前記収容物が流入する流入口と前記収容物を排出する排出口とを有する排出管と、前記排出管の温度を調整する温調素子と、前記排出管の流路上に配置され前記排出管の流路よりも断面積が小さい絞り流路を構成するアパーチャー部とを有する排出部と、
前記排出管内の前記収容物が液相状態又は固相状態のいずれか一方の状態となるように、前記温調素子を制御して前記排出管の温度を切り替える温度制御部と
を具備する光源装置。

【請求項18】

プラズマ原料である金属を含む収容物が液相状態となるように収容容器の温度を調整し、
前記収容容器の内部に連通し自身の流路上に当該流路よりも断面積が小さい絞り流路を構成するアパーチャー部が配置された排出管内の前記収容物が、液相状態又は固相状態のいずれか一方の状態となるように、前記排出管に設けられた温調素子を制御して前記排出管の温度を切り替える
収容排出方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、収容容器に収容されたプラズマ原料となる金属を含む収容物を回収するための収容排出機構、光源装置、及び収容排出方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められている。次世代の半導体露光用光源としては、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光とも言う）を放射する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置とも言う）の開発が進められている。

【0003】

ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光（ＥＵＶ放射）を発生させる方法はいくつか知られている。それらの方法のうちの一つに、極端紫外光放射種（以下、ＥＵＶ放射種とも言う）を加熱して励起することによりプラズマを発生させ、そのプラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：レーザ生成プラズマ）方式と、ＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：放電生成プラズマ）方式とに分けられる。

【0004】

ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種（気相のプラズマ原料）を含む放電ガスが供給された電極間の間隙に高電圧を印加して、放電により高密度プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用する。
ＤＰＰ方式としては、例えば、特許文献１に記載されているように、放電を発生させる電極表面に液体状のプラズマ原料（例えば、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ））を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該原料を気化し、その後、放電によってプラズマを生成する方法が提案されている。このような方式は、ＬＤＰ（Ｌａｓｅｒ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式と呼ばれることもある。
一方、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、レーザ光をターゲット材料に照射し、当該ターゲット材料を励起させてプラズマを生成する。

【0005】

ＥＵＶ光源装置は、半導体デバイス製造におけるリソグラフィ装置の光源装置として使用される。あるいは、ＥＵＶ光源装置は、リソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用される。すなわち、ＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光を利用する他の光学系装置（利用装置）の光源装置として使用される。
なおＥＵＶ光は大気中では著しく減衰するので、光源装置が発生したプラズマから利用装置までのＥＵＶ光が通過する空間領域は、ＥＵＶ光の減衰を抑制するために減圧雰囲気、つまり真空環境におかれている。

【0006】

このようにプラズマを発生させる装置では、プラズマからデブリが高速で放散される。デブリは、プラズマ原料の粒子（プラズマ原料がスズの場合は、スズ粒子）を含む。また、ＤＰＰ方式またはＬＤＰ方式でプラズマが生成される場合、デブリは、プラズマの発生に伴いスパッタリングされる放電電極の材料粒子を含むことがある。
プラズマから発生したデブリが、利用装置に到達すると、利用装置内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ、その性能を低下させることがある。

【0007】

そのため、例えば特許文献１には、デブリが利用装置に侵入しないように、放散されたデブリを捕捉するためのデブリ低減装置（ＤＭＴ（Ｄｅｂｒｉｓ Ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ Ｔｏｏｌ）とも言う）が提案されている。
デブリ低減装置により捕捉されたデブリの少なくとも一部は、ヒータの熱やプラズマからの放射熱で加熱され液相状態となる。このように溶融したデブリは、重力により装置の下方に集められ、廃原料として所定の収容容器に貯められる。

【0008】

また、デブリ低減装置とプラズマの間には、遮熱板が配置される。遮熱板はプラズマの放射熱により加熱されており、遮蔽板に堆積したデブリは、ある程度の量に達すると液滴となって装置の下方に集められ、収容容器に貯められる。
また、放電部（放電電極等）に供給されるプラズマ原料（スズ）の一部が漏出することがある。このような漏出原料は、プラズマ発生に寄与しないため、装置の下方を通ってデブリと同様に収容容器に溜められる。
なお、収容容器はプラズマ原料の融点以上に加熱される。このため、収容容器内のプラズマ原料は、直ちに溶融され、液化した状態で収容容器に溜められることになる。

【0009】

このように、収容容器には、溶融金属が徐々に溜まるため、その回収のタイミングを知る上でも、収容量をモニタリングする必要がある。
溶融金属が収容された容器の収容量をモニタリングする方法としては、例えば容器内の廃原料の液面レベルを検出する方法がある。例えば特許文献２には、容器内に設置した金属棒と、容器に貯められた溶融金属との間の通電を検出することで、液面レベルを検出するセンサについて記載されている。
この他にも、温度変化によってスズの液面レベルを検出する温度センサや、レーザ光の反射によってスズの液面レベルを検出するレーザ変位計を用いた方法が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【文献】特開２０１７－２１９６９８号公報

【文献】特許第６２４１４０７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

プラズマ原料の金属等が収容される収容容器からその収容物を回収するには、例えば光源装置本体から収容容器を取り外す必要があった。この場合、発光動作及び収容容器の加熱を停止し、収容容器の収容物を固化した上で、大気開放された装置本体から収容容器が取り外される。その後、空の収容容器と交換するか、取り外した収容容器から収容物を除去して再度装置に取り付けるといった作業が必要となる。

【0012】

また、上記したような金属棒を用いたレベルセンサ等を利用している場合には、収容物に金属棒が浸った状態で、収容物が固化される。このため、光源装置から収容容器を取り外す際に、センシング用の金属棒も光源装置から取り外す必要が生じる、同様に、収容容器を取り付ける際には、金属棒も再度取り付ける必要があり、作業時間が延びる可能性があった。

【0013】

このように、プラズマ原料の金属等が含まれる収容容器の中身を回収する際に、収容容器を装置本体から取り外す方法では、装置の再起動に時間がかかり、ダウンタイムが長くなる可能性がある。このため、収容容器を取り外すことなくその収容物の回収を可能にする技術が求められている。

【0014】

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、収容容器を取り外すことなくプラズマ原料である金属を含む収容物を回収することが可能な収容排出機構、光源装置、及び収容排出方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0015】

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る収容排出機構は、収容容器と、排出部と、温度制御部とを具備する。
前記収容容器は、プラズマ原料である金属を含む収容物を液相状態となる温度で収容する。
前記排出部は、前記収容容器の内部に連通し前記収容物が流入する流入口と前記収容物を排出する排出口とを有する排出管と、前記排出管の温度を調整する温調素子とを有する。
前記温度制御部は、前記排出管内の前記収容物が液相状態又は固相状態のいずれか一方の状態となるように、前記温調素子を制御して前記排出管の温度を切り替える。

【0016】

この収容排出機構では、プラズマ原料である金属を含む収容物を液相状態で収容する収容容器に連通して排出管が設けられる。排出管には温調素子が設けられ、排出管内の収容物が液相状態又は固相状態となるように排出管の温度が切り替えられる。これにより、収容容器を取り外すことなくプラズマ原料である金属を含む収容物を回収することが可能となる。

【0017】

前記排出部は、前記排出管の流路上に配置され、前記排出管の流路よりも断面積が小さい絞り流路を構成するアパーチャー部を有してもよい。

【0018】

前記排出管は、前記排出管の流路内面の下端の少なくとも一部が前記流入口の上端よりも高い位置となるように、前記排出管を屈曲させた屈曲部を有してもよい。

【0019】

前記アパーチャー部は、前記流入口と前記屈曲部との間に配置されてもよい。

【0020】

前記排出管は、前記流入口の下端が前記収容容器の内部の底面から所定距離だけ高い位置となるように前記収容容器に接続されてもよい。

【0021】

前記温度制御部は、前記収容物を排出する排出動作を行う場合、前記収容物が液相状態となるように前記排出管の温度を制御し、前記収容物を排出せずに前記収容物を貯留する貯留動作を行う場合、前記収容物が固相状態となるように前記排出管の温度を制御してもよい。

【0022】

前記収容排出機構は、さらに、前記収容容器内の前記収容物の収容量を検出する収容量センサを具備してもよい。この場合、前記温度制御部は、前記収容量センサの検出結果に基づいて、前記温調素子を制御してもよい。

【0023】

前記排出動作は、前記排出口側の圧力が前記収容容器の内部の圧力に略一致する状態、又は前記排出口側の圧力が前記収容容器の内部の圧力よりも小さい状態で実行されてもよい。

【0024】

前記排出口側の圧力及び前記収容容器の内部の圧力は、大気圧以下であってもよい。

【0025】

前記収容排出機構は、さらに、前記排出管の前記排出口から排出される前記収容物を回収する回収容器を具備してもよい。

【0026】

前記回収容器は、断熱容器として構成されてもよい。

【0027】

前記回収容器は、容器内部を減圧する排気部に接続されてもよい。

【0028】

前記排出部は、前記排出管と前記回収容器とを接続する回収管を有してもよい。この場合、前記温調素子は、前記回収管の温度を調整してもよい。

【0029】

前記回収管は、前記回収容器に着脱可能に接続されるフランジ部と、前記フランジ部から前記回収容器の内部に突出するノズル部とを有してもよい。

【0030】

本発明の一形態に係る光源装置は、光源部と、収容容器と、排出部と、温度制御部 とを有する。
前記光源部は、金属を含むプラズマ原料から極端紫外光を放射するプラズマを発生させる。
前記収容容器は、前記プラズマから放散される金属を含むデブリを収容物として、前記収容物を液相状態となる温度で収容する。
前記排出物は、前記収容容器の内部に連通し前記収容物が流入する流入口と前記収容物を排出する排出口とを有する排出管と、前記排出管の温度を調整する温調素子とを有する。
前記温度制御部は、前記排出管内の前記収容物が液相状態又は固相状態のいずれか一方の状態となるように、前記温調素子を制御して前記排出管の温度を切り替える。

【0031】

本発明の一形態に係る収容排出方法は、プラズマ原料である金属を含む収容物が液相状態となるように収容容器の温度を調整することを含む。
前記収容容器の内部に連通する排出管内の前記収容物が、液相状態又は固相状態のいずれか一方の状態となるように、前記排出管に設けられた温調素子を制御して前記排出管の温度が切り替えられる。

【発明の効果】

【0032】

本発明によれば、収容容器を取り外すことなくプラズマ原料である金属を含む収容物を回収することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0033】

【図1】本発明の一実施形態に係るホイルトラップを備えたＥＵＶ光源装置の構成を示す概略断面図である。

【図2】デブリ捕捉部の詳細を示す側断面図である。

【図3】デブリ収容排出部の構成例を示す模式的な断面図である。

【図4】温度制御系の一例を示すブロック図である。

【図5】排出管の役割について説明するための模式図である。

【図6】アパーチャー部の役割について説明するための模式図である。

【図7】比較例として挙げる排出管の構成例を示す模式図である。

【図8】デブリ収容排出部の基本的な動作例を示すフローチャートである。

【図9】デブリ収容排出部の基本的な動作の流れを示す模式図である。

【図10】デブリ収容排出部の基本的な動作の流れを示す模式図である。

【図11】デブリ収容排出部の基本的な動作の流れを示す模式図である。

【図12】デブリ収容排出部の基本的な動作の流れを示す模式図である。

【図13】デブリ収容排出部の基本的な動作の流れを示す模式図である。

【図14】デブリ回収容器を含むデブリ収容排出部の構成例を示す模式図である。

【図15】回収管の構成例を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0034】

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

【0035】

図１は、本発明の一実施形態に係るホイルトラップを備えたＥＵＶ光源装置１の構成を示す概略断面図である。本実施形態では、ＥＵＶ光源装置１として、検査装置用のＬＤＰ方式の極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）を例に挙げて説明する。

【0036】

なお図においてＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸は相互に直交する３軸方向を示しており、Ｚ軸は鉛直方向（重力方向）に相当する。したがって、図１は、ＥＵＶ光源装置１を水平方向に切断したときの断面図である。

【0037】

（全体構成）
図１において、ＥＵＶ光源装置１は、極端紫外光（ＥＵＶ光）を放出する。この極端紫外光の波長は、例えば、１３．５ｎｍである。
具体的には、ＥＵＶ光源装置１は、放電を発生させる一対の放電電極ＥＡ，ＥＢの表面にそれぞれ供給された液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢにレーザビームＬＢ等のエネルギービームを照射して当該プラズマ原料ＳＡ，ＳＢを気化させる。その後、放電電極ＥＡ，ＥＢ間の放電領域Ｄの放電によってプラズマＰを発生させる。プラズマＰからはＥＵＶ光が放出される。

【0038】

ＥＵＶ光源装置１は、例えば、リソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用可能である。この場合、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部が窓部２７（光取出し部）から取り出され、マスク検査装置に導光される。マスク検査装置は、ＥＵＶ光源装置１の窓部２７から放出されるＥＵＶ光を検査光として、マスクのブランクス検査またはパターン検査を行う。ここで、ＥＵＶ光を用いることにより、５ｎｍ～７ｎｍプロセスに対応することができる。

【0039】

ＥＵＶ光源装置１は、光源部２と、デブリ捕捉部３と、デブリ収容排出部４（図２参照）とを有する。図２は、デブリ捕捉部３の詳細を示す側断面図である。光源部２は、ＬＤＰ方式に基づいてＥＵＶ光を発生させる。デブリ捕捉部３は、光源部２から放射されるＥＵＶ光とともに飛散するデブリを捕捉するデブリ低減装置である。デブリ収容排出部４は、光源部２で発生したデブリおよびデブリ捕捉部３で捕捉されたデブリなどを収容する。

【0040】

（光源部の構成）
光源部２は、内部で生成されるプラズマＰを外部と隔離するチャンバ１１を備える。チャンバ１１は、プラズマＰを生成する光源部２を収容するプラズマ生成室を形成する。チャンバ１１は、剛体、例えば、金属製の真空筐体であり、その内部は、プラズマ原料ＳＡ，ＳＢを加熱励起するための放電を良好に発生させ、ＥＵＶ光の減衰を抑制するために、図示しない真空ポンプにより所定圧力以下の減圧雰囲気に維持される。

【0041】

光源部２は、一対の放電電極ＥＡ，ＥＢを備える。放電電極ＥＡ，ＥＢは、同形同大の円板状部材であり、例えば、放電電極ＥＡがカソードとして使用され、放電電極ＥＢがアノードとして使用される。放電電極ＥＡ，ＥＢは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）などの高融点金属から形成される。放電電極ＥＡ，ＥＢは、互いに離隔した位置に配置され、放電電極ＥＡ，ＥＢの周縁部が近接している。このとき、プラズマＰが生成される放電領域Ｄは、放電電極ＥＡ，ＥＢの周縁部が互いに最も接近した放電電極ＥＡ，ＥＢ間の間隙に位置する。

【0042】

チャンバ１１の内部には、液相のプラズマ原料ＳＡが貯留されるコンテナＣＡと、液相のプラズマ原料ＳＢが貯留されるコンテナＣＢとが配置される。各コンテナＣＡ，ＣＢには、加熱された液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢが供給される。液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢは、例えば、スズ（Ｓｎ）であるが、リチウム（Ｌｉ）であってもよい。

【0043】

コンテナＣＡは、放電電極ＥＡの下部が液相のプラズマ原料ＳＡに浸されるようにプラズマ原料ＳＡを収容する。コンテナＣＢは、放電電極ＥＢの下部が液相のプラズマ原料ＳＢに浸されるようにプラズマ原料ＳＢを収容する。従って、放電電極ＥＡ，ＥＢの下部には、液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢが付着する。放電電極ＥＡ，ＥＢの下部に付着した液相のプラズマ原料ＳＡ，ＳＢは、放電電極ＥＡ，ＥＢの回転に伴って、プラズマＰが生成される放電領域Ｄに輸送される。

【0044】

放電電極ＥＡは、モータＭＡの回転軸ＪＡに連結され、放電電極ＥＡの軸線周りに回転する。放電電極ＥＢは、モータＭＢの回転軸ＪＢに連結され、放電電極ＥＢの軸線周りに回転する。モータＭＡ，ＭＢは、チャンバ１１の外部に配置され、各モータＭＡ，ＭＢの回転軸ＪＡ，ＪＢは、チャンバ１１の外部から内部に延びる。回転軸ＪＡとチャンバ１１の壁の間の隙間は、シール部材ＰＡで封止され、回転軸ＪＢとチャンバ１１の壁の間の隙間は、シール部材ＰＢで封止される。シール部材ＰＡ，ＰＢは、例えば、メカニカルシールである。各シール部材ＰＡ，ＰＢは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸ＪＡ，ＪＢを回転自在に支持する。

【0045】

ＥＵＶ光源装置１は、制御部１２と、パルス電力供給部１３と、レーザ源（エネルギービーム照射装置）１４と、可動ミラー１６をさらに備える。制御部１２、パルス電力供給部１３、レーザ源１４および可動ミラー１６は、チャンバ１１の外部に設置される。制御部１２は、後述するように、ＥＵＶ光源装置１の各部の動作を制御する。例えば、制御部１２は、モータＭＡ，ＭＢの回転駆動を制御し、放電電極ＥＡ，ＥＢを所定の回転数で回転させる。また、制御部１２は、パルス電力供給部１３の動作、レーザ源１４からのレーザビームＬＢの照射タイミングなどを制御する。

【0046】

パルス電力供給部１３から延びる２つの給電線ＱＡ，ＱＢは、フィードスルーＦＡ，ＦＢを通過して、チャンバ１１の内部に配置されたコンテナＣＡ，ＣＢにそれぞれ接続される。フィードスルーＦＡ，ＦＢは、チャンバ１１の壁に埋設されてチャンバ１１内の減圧雰囲気を維持するシール部材である。コンテナＣＡ，ＣＢは、導電性材料から形成され、各コンテナＣＡ，ＣＢの内部に収容されるプラズマ原料ＳＡ，ＳＢもスズなどの導電性材料である。各コンテナＣＡ，ＣＢの内部に収容されているプラズマ原料ＳＡ，ＳＢには、放電電極ＥＡ，ＥＢの下部がそれぞれ浸されている。従って、パルス電力供給部１３からパルス電力がコンテナＣＡ，ＣＢに供給されると、そのパルス電力は、プラズマ原料ＳＡ，ＳＢをそれぞれ介して放電電極ＥＡ，ＥＢに供給される。

【0047】

パルス電力供給部１３は、放電電極ＥＡ，ＥＢへパルス電力を供給することにより、放電領域Ｄで放電を発生させる。そして、各放電電極ＥＡ，ＥＢの回転に基づいて放電領域Ｄに輸送されたプラズマ原料ＳＡ，ＳＢが放電時に放電電極ＥＡ，ＥＢ間に流れる電流により加熱励起されることで、ＥＵＶ光を放出するプラズマＰが生成される。

【0048】

レーザ源１４は、放電領域Ｄに輸送された放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＡにエネルギービームを照射して、当該プラズマ原料ＳＡを気化させる。レーザ源１４は、例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ_４（Neodymium-doped Yttrium Orthovanadate）レーザ装置である。このとき、レーザ源１４は、波長１０６４ｎｍの赤外領域のレーザビームＬＢを発する。ただし、エネルギービーム照射装置は、プラズマ原料ＳＡの気化が可能であれば、レーザビームＬＢ以外のエネルギービームを発する装置であってもよい。

【0049】

レーザ源１４から放出されたレーザビームＬＢは、例えば、集光レンズ１５を含む集光手段を介して可動ミラー１６に導かれる。集光手段は、放電電極ＥＡのレーザビーム照射位置におけるレーザビームＬＢのスポット径を調整する。集光レンズ１５および可動ミラー１６は、チャンバ１１の外部に配置される。

【0050】

集光レンズ１５で集光されたレーザビームＬＢは、可動ミラー１６により反射され、チャンバ１１の側壁１１ａに設けられた透明窓２０を通過して、放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部に照射される。可動ミラー１６の姿勢を調整することにより、放電電極ＥＡにおけるレーザビームＬＢの照射位置が調整される。なお、可動ミラー１６の姿勢の調整は、作業員が手動で実施してもよいし、後述する監視装置３６からのＥＵＶ光の強度情報に基づき、制御部１２が可動ミラー１６の姿勢制御を行ってもよい。この場合、可動ミラー１６は、図示を省略した可動ミラー駆動部により駆動される。

【0051】

放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢを照射するのを容易にするため、放電電極ＥＡ，ＥＢの軸線は平行ではない。回転軸ＪＡ，ＪＢの間隔は、モータＭＡ，ＭＢ側が狭く、放電電極ＥＡ，ＥＢ側が広くなっている。これにより、放電電極ＥＡ，ＥＢの対向面側を接近させつつ、放電電極ＥＡ，ＥＢの対向面側とは反対側をレーザビームＬＢの照射経路から退避させることができ、放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢを照射するのを容易にすることができる。

【0052】

放電電極ＥＢは、放電電極ＥＡと可動ミラー１６との間に配置される。可動ミラー１６で反射されたレーザビームＬＢは、放電電極ＥＢの外周面付近を通過した後、放電電極ＥＡの外周面に到達する。このとき、レーザビームＬＢが放電電極ＥＢで遮光されないように、放電電極ＥＢは、放電電極ＥＡよりも、モータＭＢ側の方向（図１の左側）に退避される。放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの外周面に付着された液相のプラズマ原料ＳＡは、レーザビームＬＢの照射により気化され、気相のプラズマ原料ＳＡとして放電領域Ｄに供給される。

【0053】

放電領域ＤでプラズマＰを発生させるため（気相のプラズマ原料ＳＡをプラズマ化するため）、パルス電力供給部１３は、放電電極ＥＡ，ＥＢに電力を供給する。そして、レーザビームＬＢの照射により放電領域Ｄに気相のプラズマ原料ＳＡが供給されると、放電領域Ｄにおける放電電極ＥＡ，ＥＢ間で放電が生じる。放電電極ＥＡ、ＥＢ間で放電が発生すると、放電領域Ｄにおける気相のプラズマ材料ＳＡが電流により加熱励起されて、プラズマＰが発生する。生成されたプラズマＰから放射されるＥＵＶ光は、チャンバ１１の側壁１１ｂに設けられた貫通孔である第１窓部１７を通ってデブリ捕捉部３へ入射する。

【0054】

（デブリ捕捉部）
デブリ捕捉部３は、チャンバ１１の側壁１１ｂに配置された接続チャンバ２１を有する。接続チャンバ２１は、剛体、例えば、金属製の真空筐体であり、その内部は、チャンバ１１と同様、ＥＵＶ光の減衰を抑制するために所定圧力以下の減圧雰囲気に維持される。接続チャンバ２１は、チャンバ１１と利用装置３５（図２参照）との間に接続される。

【0055】

接続チャンバ２１の内部空間は、第１窓部１７を介してチャンバ１１と連通する。接続チャンバ２１は、第１窓部１７から入射したＥＵＶ光を利用装置３５（例えばマスク検査装置）へ導入する光取出し部としての第２窓部２７を有する。第２窓部２７は、接続チャンバ２１の側壁２１ａに形成された所定形状の貫通孔である。

【0056】

一方、プラズマＰからはＥＵＶ光とともにデブリＤＢ（図２参照）が高速で様々な方向に放散される。デブリＤＢは、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢであるスズ粒子およびプラズマＰの発生に伴いスパッタリングされる放電電極ＥＡ、ＥＢの材料粒子を含む。これらのデブリＤＢは、プラズマＰの収縮および膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。すなわち、プラズマＰから発生するデブリＤＢは、高速で移動するイオン、中性粒子および電子を含む。このようなデブリＤＢは、利用装置３５に到達すると、利用装置３５内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ、性能を低下させることがある。

【0057】

そこで、デブリ捕捉部３は、デブリＤＢが利用装置３５に侵入しないようにするため、回転式ホイルトラップ２２（本実施形態のホイルトラップに相当）と、固定式ホイルトラップ２４とを有する。回転式ホイルトラップ２２および固定式ホイルトラップ２４は、接続チャンバ２１の内部に配置される。固定式ホイルトラップ２４は、接続チャンバ２１から利用装置３５へと進行するＥＵＶ光の光路上において、回転式ホイルトラップ２２と利用装置３５との間に設けられる。なお、一つのデブリ捕捉部３においては、回転式ホイルトラップ２２と固定式ホイルトラップ２４の双方を設けてもよいし、いずれか一方を設けてもよい。

【0058】

回転式ホイルトラップ２２は、ホイルを回転させてデブリに衝突させることでデブリを捕集するトラップである。回転式ホイルトラップ２２は、例えば接続チャンバ２１の外部に設けられモータＭＣにより駆動される。
固定式ホイルトラップ２４は、複数のホイルを固定して配置し、ホイルの周りにヘリウムやアルゴン等のガスを局在化させて圧力が比較的高い部分を形成する。この領域にデブリが侵入することで、速度が低下し進行方向が変わったデブリが捕集される。
各トラップで捕集されたデブリは、後述するデブリ収容容器４０に収容される。

【0059】

（デブリ収容排出部）
デブリ収容排出部４は、デブリＤＢを一時的に収容するデブリ収容容器４０、およびデブリ収容容器４０に収容されるデブリを外部に排出するデブリ排出部４１を備える。デブリ収容容器４０は、接続チャンバ２１の外部に配置され、接続チャンバ２１に取り付けられる。デブリ収容容器４０は、デブリＤＢおよび廃原料を含む収容物ＳＵを貯蔵する。

【0060】

接続チャンバ２１の底壁には、デブリ収容容器４０の内部空間と接続チャンバ２１の内部空間を連通させる貫通孔３０が形成されている。デブリ収容容器４０は、上部にフランジ部３１を備える。フランジ部３１で囲まれたデブリ収容容器４０の開口部は、接続チャンバ２１の貫通孔３０に重ねられる。そして、フランジ部３１が接続チャンバ２１の底壁に、例えば、ネジで固定されることで、デブリ収容容器４０が接続チャンバ２１に取り付けられる。フランジ部３１と接続チャンバ２１の底壁の間の間隙は、ガスケット３２により封止される。遮熱板２３は、直立した状態で貫通孔３０の上方に配置される。排出孔２６の排出口は、貫通孔３０の上方に配置される。このとき、遮熱板２３および排出孔２６からのデブリＤＢの落下位置にデブリ収容容器４０が配置される。

【0061】

排出孔２６を介してカバー部材２５の外に排出された廃原料は、重力方向に落下し、接続チャンバ２１の下方（図２の下側）に配置されているデブリ収容容器４０に溜められる。一方、プラズマＰから様々な方向に放散されるデブリＤＢの一部は、チャンバ１１の窓部１７を通じて接続チャンバ２１に侵入すると、遮熱板２３の窓部１７と対面する面に堆積する。遮熱板２３に堆積したデブリＤＢは、プラズマＰからの放射により溶融し、ある程度の量に達すると、液滴となって重力により遮熱板２３の下方に移動する。そして、遮熱板２３の下方に移動したデブリＤＢが遮熱板２３から離脱し、接続チャンバ２１の下方へ落下することで、デブリ収容容器４０に収容される。

【0062】

このように遮熱板２３は、プラズマＰから回転式ホイルトラップ２２へのＥＵＶ放射を制限して回転式ホイルトラップ２２の過熱を防止したり、開口部ＫＡによりプラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を取り出し可能とするのみならず、回転式ホイルトラップ２２に向けて進行するデブリＤＢをできるだけ少なくし、回転式ホイルトラップ２２の負荷を減少させる。

【0063】

また、ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置１においては、放電部（放電電極ＥＡ、ＥＢなど）に供給されるプラズマ原料（スズ）ＳＡ、ＳＢの一部が漏出することがある。例えば、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢの一部は、コンテナＣＡ、ＣＢから漏出する場合がある。漏出したプラズマ原料ＳＡ、ＳＢは、プラズマＰの発生に寄与しないため、廃原料となる。上記した放電部から漏出したプラズマ原料ＳＡ、ＳＢは、図示を省略した包囲部材により捕集される。

【0064】

包囲部材により廃原料として捕集されたプラズマ原料ＳＡ、ＳＢをデブリ収容容器４０に導くために、接続チャンバ２１内には受け板部材（ｓｈｏｖｅｌ）１８が設置される。受け板部材１８は、窓部１７から貫通孔３０にかけて掛け渡されるように傾斜姿勢で支持される。受け板部材１８は、廃原料として捕集されたプラズマ原料ＳＡ、ＳＢが受け板部材１８上で融点以上に維持されるように、図示を省略した加熱手段（ヒータ）で加熱される。そして、包囲部材により廃原料として捕集されたプラズマ原料ＳＡ、ＳＢおよび接続チャンバ２１に侵入したデブリＤＢの一部は、受け板部材１８に導かれてデブリ収容容器４０に落下する。

【0065】

ここで、デブリＤＢの大部分はスズであり、廃材料もスズであるので、デブリ収容容器４０は、スズ回収容器（Ｔｉｎ Ｄｕｍｐ）と呼ぶこともできる。またデブリ収容容器４０の周囲には、デブリ収容容器４０を加熱する収容容器ヒータ４５が設けられている。加熱手段は、デブリ収容容器４０本体に埋設されていてもよい。
ＥＵＶ光源装置１の稼働中では、収容容器ヒータ４５に給電することによって、デブリ収容容器の内部は、スズの融点以上に加熱され、デブリ収容容器４０内部に蓄積されたスズは液相にされる。

【0066】

デブリ収容容器４０の内部のスズを液相とする理由は、デブリ収容容器４０の内部に蓄積されるデブリＤＢが固化すると、デブリＤＢが落下しやすい地点での蓄積物が、あたかも鍾乳洞の石筍のように成長するからである。
デブリＤＢの蓄積物が石筍状に成長すると、例えば、カバー部材２５の排出孔２６がデブリＤＢにより封鎖されてカバー部材２５内にデブリＤＢが蓄積される。このとき、カバー部材２５内に蓄積されたデブリＤＢの少なくとも一部が回転式ホイルトラップ２２に接触し、回転式ホイルトラップ２２の回転を妨げたり、回転式ホイルトラップ２２を損傷したりすることがある。
あるいは、カバー部材２５に設けられている出射側開口部ＫＯＡ、ＫＯＢの一部がカバー部材２５内に蓄積されたデブリＤＢにより封鎖されて、出射側開口部ＫＯＡ、ＫＯＢを通過するＥＵＶ光の一部が遮られることもある。
よって、デブリ収容容器４０の内部の収容物であるスズを液相にすることで、デブリ収容容器４０内でスズを平坦化し、石筍のような成長を回避しながらデブリ収容容器４０内にスズを貯蔵することが可能となる。

【0067】

接続チャンバ２１の外部には、ＥＵＶ光を監視する監視装置３６が配置される。監視装置３６は、ＥＵＶ光を検出する検出器またはＥＵＶ光の強度を測定する測定器である。接続チャンバ２１の壁には、ＥＵＶ光が通過する貫通孔であるＥＵＶ光案内孔２８が形成され、ＥＵＶ光案内孔２８と監視装置３６と間には、ＥＵＶ光が接続チャンバ２１の外に漏れずに通過する案内管２９が設けられている。

【0068】

遮熱板２３には、開口部ＫＡとは別の位置に、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を取り出すための任意の形状（例えば、円形）の開口部ＫＢが設けられる。
プラズマＰと開口部ＫＢの中心部を結ぶ直線の延長線上には、監視装置３６、ＥＵＶ光案内孔２８および案内管２９が配置されている。従って、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部は、チャンバ１１の窓部１７、遮熱板２３の開口部ＫＢ、カバー部材２５の入射側開口部ＫＩ、回転式ホイルトラップ２２の複数のホイルの隙間、カバー部材２５の出射側開口部ＫＯＢ、接続チャンバ２１の壁のＥＵＶ光案内孔２８および案内管２９の内腔を順次通過して、監視装置３６に到達する。このようにして、ＥＵＶ光を監視装置３６によって監視することができる。

【0069】

（デブリ収容排出部の構成）
図３は、デブリ収容排出部の構成例を示す模式的な断面図である。デブリ収容排出部 は、デブリや廃材料等を一時的に収容するとともに、その収容物ＳＵをＥＵＶ光源装置１の外部に排出する機構である。本実施形態では、デブリ収容排出部は、収容排出機構に相当する。デブリ収容排出部４は、デブリ収容容器４０と、デブリ排出部４１と、レベルセンサ４２と、温度制御系４３とを有する。

【0070】

デブリ収容容器４０は、ＥＵＶ光源装置１の稼働中にデブリ等を含む収容物ＳＵを貯留するための容器である。デブリ収容排出部４には、さらに、収容容器ヒータ４５と、収容容器温度センサ４６とが設けられる。本実施形態では、収容容器ヒータ４５及び収容容器温度センサ４６を用いて、後述する温度制御系４３により、デブリ収容容器４０の温度が適宜制御される。

【0071】

デブリ収容容器４０は、収容物ＳＵを液相状態となる温度で収容する。本実施形態では、デブリ収容容器４０は、収容容器に相当する。
デブリ収容容器４０に収容される収容物ＳＵ（デブリおよび廃材料）は、少なくともＥＵＶ光源装置１が稼働中は液相状態に維持される。収容物の大部分はスズであるので、デブリ収容容器４０は、内部に収容する収容物ＳＵの温度がスズの融点（約２３２℃）以上となるように加熱される。このように収容物ＳＵには、プラズマ原料である金属が含まれ、液体金属として貯留される。
デブリ収容容器４０は、収容物ＳＵを液相状態となる温度で保持することが可能な材料で構成される。デブリ収容容器４０の材料としては、典型的にはステンレス鋼が用いられるが、これに限定されるわけではない。

【0072】

本実施形態では、デブリ収容容器４０は、凹状の容器であり、上記したフランジ部３１と、上側開口部４７と、接続開口部４８とを有する。上側開口部４７は、デブリ収容容器４０の上側に設けられた開口である。フランジ部３１は、上側開口部４７を囲うように配置され、デブリ収容容器４０の側面から外側に突出する。接続開口部４８は、デブリ収容容器４０の側面に設けられ、後述する排出管５０が接続される貫通孔である。

【0073】

デブリ収容容器４０は、上側開口部４７が接続チャンバ２１の底面部に設けられた貫通孔３０に重なるように位置決めされた状態で、例えば、ねじを用いてフランジ部３１を接続チャンバ２１の底壁に固定されることにより取り付けられる。
この時、フランジ部３１と接続チャンバ２１との間には、真空状態を維持するためのシール部材（ガスケット３２）が設けられる。これにより、デブリ収容容器４０の内部は、接続チャンバ２１と同じ圧力となる。

【0074】

デブリ収容容器４０は、例えば四角柱型の容器として構成される。この場合、図３に示すように、デブリ収容容器４０の壁部（ここでは側壁）には、収容容器ヒータ４５や収容容器温度センサ４６を埋設して取り付けるための孔状の取付部４９が設けられる。このように、収容容器ヒータ４５や収容容器温度センサ４６を容器の壁部に埋設することで、デブリ収容容器４０の温調制御を精度よく、効率的に行うことが可能となる。
この他、デブリ収容容器４０の形状や、取付部４９の構成等は限定されない。例えば円筒型の容器が用いられてもよい。この場合、容器の外周を囲むように収容容器ヒータ４５が設けられてもよい。

【0075】

収容容器ヒータ４５は、デブリ収容容器４０を加熱する素子であり、収容容器の加熱手段として機能する。上記したように、収容容器ヒータ４５は、収容物ＳＵが収容される容器内部を取り囲む壁部の一部に埋設される。
収容容器ヒータ４５としては、例えば、発熱体をシース（金属パイプ）で覆ったカートリッジヒータが使用される。カートリッジヒータのシースは、先端が封止された状態で取付部４９に挿入されデブリ収容容器４０に保持される。カートリッジヒータの発熱体としては、例えば、ニクロム線が用いられる。この場合、ニクロム線に電流を給電することによりデブリ収容容器４０を加熱することが可能となる。

【0076】

収容容器温度センサ４６は、デブリ収容容器４０の温度を測定するセンサである。
収容容器温度センサ４６としては、例えば、測温抵抗体（ＲＴＤ：Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）が用いられる。測温抵抗体は、金属または金属酸化物が温度変化によって電気抵抗値が変化する特性を利用し、その電気抵抗値を測定することで温度を測定する。測温抵抗体に使用される金属は種々存在するが、例えば、特性が安定し入手が容易な白金（Ｐｔ１００）が用いられる。
なお、収容容器温度センサ４６としては、測温抵抗体以外のセンサも使用可能であるが、測温抵抗体は、高精度な測定が可能であり、安定性および再現性に優れている。また、測温抵抗体は、電気的ノイズの影響も比較的受けにくいので、電気的ノイズを発生する放電部分を備えるＥＵＶ光源装置１の使用に好適である。

【0077】

本実施形態では、デブリ収容容器４０の壁部に収容容器温度センサ４６が埋設される。
収容容器温度センサ４６の埋設を容易化するために、例えば、シース型の測温抵抗体センサを使用することができる。シース型の測温抵抗体センサは、抵抗素子とそれに接続されている導線がシース（金属パイプ）に挿入されるとともに、シース内部に絶縁物（酸化マグネシウム）が充填され、これらが一体形成される。シース型の測温抵抗体センサは、シースの先端が封止された状態で、収容容器温度センサ４６用の取付部４９に挿入されデブリ収容容器４０に保持される。
この他、収容容器温度センサ４６の具体的な構成は限定されず、例えば収容物ＳＵが固相状態から液相状態となる温度範囲や、液相状態を維持する温度範囲で温度測定が可能な収容容器温度センサ４６が適宜用いられてよい。

【0078】

デブリ排出部４１は、デブリ等を含む収容物ＳＵを排出するブロックであり、排出管５０と、アパーチャー部５１と、排出管ヒータ５２とを有する。デブリ排出部４１では、排出管ヒータ５２を用いて、後述する温度制御系４３により、排出管５０の温度が適宜制御される。

【0079】

排出管５０は、デブリ収容容器４０の内部に連通する配管状の構造体であり、デブリ収容容器４０内の収容物ＳＵを排出する。排出管５０は、収容物ＳＵが流入する流入口５３と、収容物ＳＵを排出する排出口５４とを有する。また流入口５３から排出口５４までの管状の空間が収容物ＳＵが排出される流路となる。
排出管５０は、デブリ収容容器４０と同様に、収容物ＳＵを液相状態となる温度で保持することが可能な材料で構成される。排出管５０の材料としては、典型的にはステンレス鋼が用いられるが、これに限定されるわけではない。

【0080】

図３に示す例では、排出管５０は、全体としてデブリ収容容器４０の側方に突出して設けられる。具体的には、デブリ収容容器４０の側面に設けられた接続開口部４８に、排出管５０の流入口５３が接続される。
このように、排出管５０の流路は、デブリ収容容器４０の内部と空間的に接続される。このため、液相状態に維持されてデブリ収容容器４０に一時的に収容されている収容物ＳＵ（デブリおよび廃材料）は、流入口５３から排出管５０に侵入する。この流入口５３から侵入する収容物ＳＵを液相状態のまま排出口５４に導くことで、排出物ＳＷを外部に排出することが可能となる。
なお、排出管５０はデブリ収容容器４０内に流入口５３が突出するように設けられてもよい。

【0081】

排出管５０には、排出管５０本体を屈曲させた屈曲部５５が設けられる。具体的には、屈曲部５５は、排出管５０の流路内面の下端の少なくとも一部が流入口５３の上端よりも高い位置となるように、排出管５０を屈曲させた部分である。
ここで、流路内面の下端とは、排出管５０の内側に構成される流路上の各位置において最も低くなる部分である。排出管５０を液体が流れる場合には、その流量に関わらず、液体は流路内面の下端を通って流れることになる。また、流入口５３の上端は、流入口５３において最も高い部分である。なお、流入口５３において最も低い部分は、流入口５３の下端となる。以下では流入口５３の上端及び下端をそれぞれＰ１及びＰ２と記載する。

【0082】

図３では、排出管５０を直角に曲げる２つの屈曲部５５ａ及び５５ｂが設けられる。デブリ収容容器４０から水平方向に突出した排出管５０は、屈曲部５５ａで垂直方向上向きに屈曲され、屈曲部５５ｂで水平方向に屈曲される。この場合、流入口５３から見て屈曲部５５ｂを超えた位置にある流路内面の下端Ｐ３が、流入口５３の上端Ｐ１よりも高くなる。この結果、流入口５３から屈曲部５５ａを通って屈曲部５５ｂの下端Ｐ３までの流路は、常に収容物ＳＵで満たされた状態となる。

【0083】

また図３に示すように、排出管５０は、流入口５３の下端Ｐ２がデブリ収容容器４０の内部の底面３３から所定距離だけ高い位置となるようにデブリ収容容器４０に接続される。本実施形態では、流入口５３の位置は、デブリ収容容器４０の側面に設けられた接続開口部４８の位置と同じ位置に設けられる。この場合、接続開口部４８は、デブリ収容容器４０の底面３３から所定距離だけ高い位置に設けられるともいえる。これにより、排出管５０には、デブリ収容容器４０の底面３３よりも一定の距離だけ上側から収容物ＳＵが流入することになる。

【0084】

アパーチャー部５１は、排出管５０の流路上に配置され、排出管５０の流路よりも断面積が小さい絞り流路５６を構成する。すなわち、アパーチャー部５１は、排出管５０が構成する流路に絞り流路５６を導入して、流路の断面積を小さくする素子である。
アパーチャー部５１としては、例えば排出管５０の流路よりも断面積の小さい貫通孔を備える素子が用いられる。この貫通孔が、絞り流路５６となる。貫通孔の位置は、典型的には、排出管５０の流路の断面の中央に設定される。
またアパーチャー部５１は、排出管５０の流入口５３と屈曲部５５との間に配置される。従って、アパーチャー部５１の絞り流路は、常に収容物ＳＵで満たされた状態となる。アパーチャー部５１の機能については、図６等を参照して、後に詳しく説明する。

【0085】

排出管ヒータ５２は、排出管５０を加熱して排出管５０の温度を変化させる。
例えば排出管ヒータ５２を動作させると、例えば排出管５０の温度が室温よりも高くなる。また排出管ヒータ５２の出力を制御することで、排出管５０の温度を調整することが可能である。また排出管ヒータ５２の動作を停止すると、排出管５０の温度が下がり室温に戻る。このように、排出管ヒータ５２は、排出管５０の温度を調整する温調素子として機能する。

【0086】

例えば、デブリ収容容器４０内の収容物ＳＵを、排出管５０の流路を介して外部に排出するためには、排出管５０の流路を流れる収容物ＳＵの温度を、収容物ＳＵが液相状態となる温度（スズの融点以上の温度）まで上昇させる必要がある。そこで、本実施形態では、排出管ヒータ５２を用いて、排出管５０が加熱される。

【0087】

排出管ヒータ５２としては、例えば、細管ヒータが用いられる。細管ヒータは、発熱体である電熱線（典型的にはニクロム線）を曲げ可能に構成された外皮膜で包んだ細線状の素子である。細管ヒータは、例えば排出管５０の全体にわたって巻き回される。
この他、排出管ヒータ５２の具体的な構成は限定されず、排出管５０を適正に加熱可能な任意のヒータ素子が用いられてよい。
また排出管５０の温度を測定するために、排出管温度センサ等が設けられてもよい。

【0088】

レベルセンサ４２は、デブリ収容容器４０の内部に設けられ、デブリ収容容器４０に一時的に収容され液相状態で貯留される収容物ＳＵの液面レベルを検出する液面レベルセンサである。収容物ＳＵの液面レベルは、収容物ＳＵがどのくらい容器内に溜まっているかを示す指標であり、デブリ収容容器４０における収容物ＳＵの収容量を表す。従ってレベルセンサ４２は、デブリ収容容器４０内の収容物ＳＵの収容量を検出する収容量センサであるとも言える。

【0089】

レベルセンサ４２としては、例えば多点式熱電対が用いられる。図３には、上下方向に沿って複数の測定点３４が設けられた熱電対型のレベルセンサが模式的に図示されている。各測定点での温度の変化を測定することが可能である。従って、例えば測定点３４が液面に浸かった場合には、温度が上昇し、液面から出た場合には、温度が減少する。従って、温度が変化した測定点３４の位置が液面レベルとして検出される。

【0090】

レベルセンサ４２の具体的な構成は限定されない。例えば液体金属である収容物ＳＵとの通電を検出することで表面位置を検出するセンサ等が用いられてもよい。またレーザ光等を用いた測距センサが用いられてもよい。この他、収容物ＳＵの収容量を測定することが可能なセンサ等が用いられてもよい。

【0091】

図４は、温度制御系４３の一例を示すブロック図である。
温度制御系４３は、デブリ収容排出部４の各部の温度を制御する制御系である。温度制御系４３は、収容容器加熱用給電部６０と、排出管加熱用給電部６１と、温度検出部６２と、レベル検出部６３と、制御部６４とを有する。

【0092】

収容容器加熱用給電部６０は、デブリ収容容器４０に設けられた複数の収容容器ヒータ４５（カートリッジヒータ）の各々に、加熱用の電力を個別に供給する電力源である。収容容器加熱用給電部６０は、電力配線のペアを介して各収容容器ヒータ４５に接続される。
排出管加熱用給電部６１は、排出管５０に設けられた排出管ヒータ５２に、加熱用の電力を供給する電力源である。排出管加熱用給電部６１から延びる１対の電力配線が、排出管５０に巻き付けられた細管ヒータである排出管ヒータ５２の両端にそれぞれ接続される。

【0093】

温度検出部６２は、収容容器温度センサ４６（測温抵抗体）に給電し、当該センサから温度情報を検出（電気抵抗値の検出）する。また。温度検出部６２は、収容容器温度センサ４６からの温度情報を制御部６４に送信する。
レベル検出部６３は、レベルセンサ４２（多点式熱電対）に給電し、当該センサから収容物ＳＵの液面レベル（測定点３４の位置）を検出する。また。レベル検出部６３は、レベルセンサ４２からの液面レベルの情報を制御部６４に送信する。
温度検出部６２及びレベル検出部６３は、例えば制御部６４との通信を行う通信ユニットとして構成される。あるいは、各センサを駆動するための専用の装置として構成されてもよい。

【0094】

制御部６４は、収容容器ヒータ４５を動作させてデブリ収容容器４０の温度を制御し、排出管ヒータ５２を動作させて排出管５０の温度を制御する。制御部６４は、例えばＣＰＵやメモリ（ＲＡＭ、ＲＯＭ）等のコンピュータに必要なハードウェア構成を有する演算装置である。ＣＰＵが所定の制御プログラムをＲＡＭにロードして実行することにより、収容物の排出や貯留を切り替える処理等が実行される。

【0095】

まず、デブリ収容容器４０の温度制御について説明する。
制御部６４は、収容容器加熱用給電部６０を制御することにより、収容容器ヒータ４５への給電量や、給電のＯＮ／ＯＦＦを制御する。上記したように、例えばＥＵＶ光源装置１の稼働中は、収容容器ヒータ４５がＯＮに設定され、デブリ収容容器４０内の収容物ＳＵが液相状態となるように容器が加熱される。この時、収容容器温度センサ４６の測定した温度情報に基づいて、収容物ＳＵが液相状態となる温度を維持するように、収容容器ヒータへの給電量が制御される。これにより、収容物ＳＵを液相状態のまま安定して貯留することが可能となる。

【0096】

次に、排出管５０の温度制御について説明する。
制御部６４は、排出管加熱用給電部６１を制御することにより、排出管ヒータ５２（細管ヒータ）への給電量や、給電のＯＮ／ＯＦＦを制御する。具体的には、制御部６４は、排出管５０内の収容物ＳＵが液相状態又は固相状態のいずれか一方の状態となるように、排出管ヒータ５２を制御して排出管５０の温度を切り替える。このように温度を切り替える処理は、例えばＥＵＶ光源装置１の稼働中に適宜実行される。
本実施形態では、制御部６４及び排出管加熱用給電部６１が共働することで、温度制御部が実現される。

【0097】

例えば、収容物ＳＵが液相状態となる温度では、収容物ＳＵが流路内を流動するため、収容物ＳＵを排出する排出動作が可能となる。従って、制御部６４は、排出動作を行う場合、収容物ＳＵが液相状態となるように排出管５０の温度を制御する。
逆に、収容物ＳＵが固相状態となる温度では、収容物ＳＵが流路内で固化するため、収容物ＳＵを排出せずに収容物ＳＵを貯留する貯留動作が可能となる。従って、制御部６４は、貯留動作を行う場合、収容物ＳＵが固相状態となるように排出管５０の温度を制御する

【0098】

本実施形態では、制御部６４は、レベルセンサ４２の検出結果に基づいて、排出管ヒータ５２を制御する。すなわち、デブリ収容容器４０内に溜まった収容物ＳＵのレベルに応じて、排出動作及び貯留動作が切り替えて実行される。これにより、例えば収容物ＳＵが一定のレベルに達した場合に収容物ＳＵを排出して、デブリ収容容器４０が溢れないようにするといった制御が可能となる。制御部６４の具体的な動作については、後で詳しく説明する。

【0099】

（排出管及びアパーチャー部の役割）
図５は、排出管５０の役割について説明するための模式図である。ここでは、収容物ＳＵを排出する排出動作における排出管５０の役割について説明する。図５Ａは、排出動作時のデブリ収容容器４０及び排出管５０の状態を示す模式図であり、図５Ｂは、図５Ａに示す状態の後で収容物の排出が停止した状態を示す模式図である。
また図５以降の図では、収容容器ヒータ４５、収容容器温度センサ４６、収容容器加熱用給電部６０、及び温度制御系４３（制御部６４等）の図示を適宜省略する。

【0100】

図５Ａでは、デブリ収容容器４０の内部で収容物ＳＵは液体状態であり、その液面レベルは比較的高いレベルである。また排出管５０は加熱されており、排出管５０の流路上の収容物ＳＵも液体状態となっている。従ってデブリ収容排出部４は、収容物ＳＵを排出する排出動作が可能な状態となっている。

【0101】

排出動作は、例えば排出口５４側の圧力がデブリ収容容器４０の内部の圧力よりも小さい状態で実行される。この場合、液体状態の収容物ＳＵは排出口５４側に吸い出されるようにして排出される。例えば、排出口５４に接続されるデブリ回収容器７０（図１４参照）の圧力を減圧することで、排出口５４側の圧力を下げることが可能である。これにより、収容物ＳＵを確実に排出させることが可能となる。
また、排出動作は、例えば排出口５４側の圧力がデブリ収容容器４０の内部の圧力に略一致する状態で実行されてもよい。この場合、液体状態の収容物ＳＵは、自重によって排出口５４から排出される。
なお、排出口５４側の圧力は、収容物ＳＵが排出される圧力レベルに設定されればよい。
例えば収容物ＳＵが排出可能な圧力であれば、排出口５４側の圧力が、デブリ収容容器４０の内部の圧力より高く設定されてもよい。

【0102】

排出動作が開始されると、デブリ収容容器４０の液面レベルは徐々に低下する。
上記したように、排出管５０に屈曲部５５ａ及び５５ｂを設けることで、排出管５０の流路には段差が発生する。収容物ＳＵの液面レベルが低下を続けると、図５Ｂに示すように、ある時点で、液面レベルと排出口５４の下端（ここではＰ３）との高さ位置が一致するが、この状態では屈曲部５５ｂと排出口５４との間の収容物ＳＵが略排出される。なお流入口５３と屈曲部５５ａとの間の収容物ＳＵは、流路上の段差を超えられないため、排出口５４からの収容物ＳＵの排出は自動的に停止する。また流入口５３と屈曲部５５ａとの間には収容物ＳＵが充填された状態となっているため、真空がやぶれることはない。
このように、排出管５０に屈曲部５５を設けることで、収容物ＳＵの排出動作を安全に停止することが可能となる。

【0103】

なおデブリ収容容器４０が収容する収容物ＳＵ（デブリおよび廃材料）には、主たる成分であるプラズマ原料（スズ）の他に、不純物ＳＶが含まれる。図５では、収容物ＳＵに含まれる不純物ＳＶが黒色の領域により模式的に図示されている。
不純物ＳＶとしては、例えば物放電電極ＥＡが放電の際にスパッタされて生じるモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）の微粒子が考えられる。また例えば、デブリおよび廃材料を構成する主たる成分であるスズとデブリ収容容器４０を形成するステンレスとが反応してなる反応生成物等が不純物として混入することも考えられる。これらの不純物ＳＶは、図５に示すように、デブリ収容容器４０の底部に沈殿している。あるいは、貯留された収容物ＳＵの液面に不純物が浮いていることも考えられる。
このような不純物が排出管５０に進入すると、排出管５０の流路（特にアパーチャー部５１の絞り流路５６）が閉塞し、収容物ＳＵを外部に排出することが困難になる可能性がある。

【0104】

一方で、排出管５０の屈曲部５５は、流路内面の下端（例えばＰ３）が、流入口５３の上端Ｐ１よりも高く設定される。従って、収容物ＳＵの液面レベルは、最も低くなる場合であっても流入口５３の上端Ｐ１よりも高い位置で維持される。
これにより、収容物ＳＵの液面に浮遊する不純物ＳＶが、流入口５３に侵入するといった事態を回避することが可能となる。

【0105】

また、流入口５３の下端Ｐ２は、デブリ収容容器４０の内部の底面３３から所定距離だけ高い位置に設定される。このとき、所定距離は、排出管５０から収容物ＳＵが排出される際に、デブリ収容容器４０の底面３３に沈殿する不純物ＳＶが排出管５０に到達しない距離に設定される。
これにより、収容物ＳＵの底面に沈殿する不純物ＳＶが、流入口５３に侵入するといった事態を回避することが可能となる。
このように、本実施形態では、不純物ＳＶを巻き込まないように、排出管５０が構成される。これにより、排出管５０の流路が閉塞する事態を回避し、排出動作を安定して実行することが可能となる。

【0106】

図６は、アパーチャー部の役割について説明するための模式図である。
図６Ａは、例えば図５Ａのように、収容物ＳＵの排出が止まった後で、排出管５０の加熱を停止して収容物ＳＵが凝固（固化）した状態を示す模式図である。この場合、流入口５３と屈曲部５５ａとの間に残った収容物ＳＵが固相状態となる。以下では、固相状態となった収容物ＳＵが、液相状態の収容物ＳＵよりも濃いグレーの領域として模式的に図示されている。

【0107】

デブリや廃原料からなる収容物ＳＵは、その主成分が液体金属（スズ）である。このような収容物ＳＵが、液相状態から固相状態に相変化すると、体積が減少する。この結果、図６Ａのように、凝固した収容物ＳＵが存在する排出管５０の流路内には、実際には収容物ＳＵの体積の減少に伴う空間（隙間）が生じる。このように、収容物ＳＵが固相状態となった場合に生じる隙間は、ＥＵＶ光源装置１側（デブリ収容容器４０側）の減圧雰囲気を悪化させる原因となる場合があり得る。

【0108】

そこで、排出管５０の流路上には、流路の断面積を小さくするアパーチャー部５１が設けられている。アパーチャー部５１は、上記したように流入口５３と屈曲部５５ａとの間に設けられる。このため、収容物ＳＵが液相状態の場合には、アパーチャー部５１は収容物ＳＵに完全に浸かった状態となり、アパーチャー部５１が空隙に触れることはない。
このような状態で、収容物ＳＵが固相状態になったとする。収容物ＳＵには自重がかかるため排出管５０の内側では、主に流路内面の上端側に空隙ができると考えられる。これに対し、アパーチャー部５１の絞り流路は固相状態の収容物ＳＵでふさがれているため、真空シールバルブとして機能する。すなわちアパーチャー部５１は、液相状態ではバルブが開いた状態とり、固相状態ではバルブが閉じた状態となる。

【0109】

更にアパーチャー部５１が構成する絞り流路５６の断面積を適宜調整することで、排出管５０の流路内に残留する収容物ＳＵが凝固状態となったときの排出管５０からの真空リーク量を低減させることができる。
本発明者らの実験によれば、アパーチャー部５１の流路の断面積を適宜調整してヘリウムリークチェックによるリーク量を調査したこところ、ＥＵＶ光源装置１の内部の圧力をＥＵＶ光源装置１の稼働に影響を及ぼさない程度の減圧雰囲気に維持することが可能であることが分かった。

【0110】

図６Ｂは、排出口５４を下側に拡張した排出管５０での排出動作を示す模式図である。
例えば収容物ＳＵを所定の回収容器（図１４参照）に回収する場合を考える。
デブリ収容容器４０は、ＥＵＶ光源装置１の接続チャンバ２１（図２参照）に取り付けられるので、排出管５０から排出される収容物ＳＵを回収するデブリ回収容器（図１４等参照）は、デブリ収容容器４０の下方に配置される。この場合、図６Ａ等に示すように、排出口５４が横向きのままだと、収容物ＳＵの回収に不具合を生じる場合がある。このため、排出口５４を下側に向ける回収管８０が継手６５を介して設けられることがある。この回収管８０は、排出口５４と図示しないデブリ回収容器とをつなぐ配管となる。

【0111】

図７は、比較例として挙げる排出管５０の構成例を示す模式図である。図７に示す排出管Ｘは、図６に示す排出管５０からアパーチャー部５１を取り除いた構成となっている。このようにアパーチャー部５１が設けられていない場合に、下向きに設置された回収管８０を介して収容物ＳＵを排出することを考える。図７に示すように、回収管８０の出口が、排出管５０の流入口５３よりも下側に位置している場合、デブリ収容容器４０に収容されている収容物ＳＵは、その液面レベルが排出口の下端のレベルに到達した後も、サイフォンの原理により排出され続ける。この結果、収容物ＳＵの液面レベルが下がり、液面に浮いている不純物ＳＶが排出管５０に侵入するといった可能性が生じる。

【0112】

これに対し、本実施形態では図６ｂに示すように、排出管５０の流路の内部にアパーチャー部５１が設けられている。これにより、排出管５０を流れる収容物ＳＵの流量を絞ることが可能となり、サイフォン現象により液体が引っ張られる場合であって、排出口５４から排出される収容物ＳＵの量を抑えることが可能となる。

【0113】

またアパーチャー部５１の絞り流路５６の断面積を適宜調整したところ、上記したようなサイフォンの原理に基づく収容物の過剰排出を抑制することが可能となった。例えば図６Ａを参照して説明したように、排出物ＳＷが固相状態となったときの排出管５０からの真空リーク量を低減可能なように、絞り流路５６の断面積を調整したところ、収容物ＳＵの過剰排出を十分に抑制することが可能となった。

【0114】

このように、排出管５０の流路の内部にアパーチャー部５１を設け、アパーチャー部５１の流路の断面積を適宜調整することで、収容物ＳＵが排出管５０内で凝固状態となったときの排出口５４からの真空リーク量を低減することが可能となる。さらに、排出管５０の排出口５４から収容物ＳＵを外部に放出する場合に、サイフォンの原理に伴う収容物の過剰排出を抑制することが可能となる。これにより、排出管５０の流路が閉塞する事態を回避し、排出動作を安定して実行することが可能となる。

【0115】

図８は、デブリ収容排出部４の基本的な動作例を示すフローチャートである。図８に示す処理は、デブリ収容排出部４に排出動作及び貯留動作を切り替えて実行させる処理である。この処理は、基本的には、排出管５０の温度を制御する処理となっている。

【0116】

なお、図８に示す処理のバックグラウンドでは、デブリ収容容器４０内の収容物ＳＵが液相状態となるように、デブリ収容容器４０の温度制御が常時実行されているものとする。
具体的には、収容容器温度センサ４６が測定した温度データに基づいて、収容容器加熱用給電部６０から収容容器ヒータ４５への給電量が制御され、デブリ収容容器４０の温度が収容物ＳＵが液相状態となる温度（例えば２７０℃）に維持される。これにより、収容物ＳＵの排出動作をいつでも実行することが可能となる。

【0117】

まず、レベルセンサ４２を用いてデブリ収容容器４０内の収容物ＳＵの液面レベルが検出される（ステップ１０１）。検出されたデータは、一時的に保存され、以降の閾値判定に用いられる。
次に、排出管５０を加熱中であるか否かが判定される（ステップ１０２）。排出管５０を加熱している場合とは、排出動作を実行している場合である。また排出管５０を加熱していない場合とは、貯留動作を実行している場合である。すなわち、ステップ１０２では、排出動作及び貯留動作のどちらを実行しているかが判定されるとも言える。

【0118】

排出管５０が加熱中でなく貯留動作中である場合（ステップ１０２のＮｏ）、収容物ＳＵの液面レベルＬが、上限レベルＬ_max以上であるか否かが判定される（ステップ１０３）。ここで上限レベルＬ_maxは、例えば通常動作時にデブリ収容容器４０に収容される収容物ＳＵの最大の液面レベルＬであり、排出動作を開始する液面レベルである。本実施形態では、上限レベルＬ_maxは、第１のレベルに相当する。

【0119】

液面レベルＬが上限レベルＬ_max以上である場合（ステップ１０３のＹｅｓ）、排出管ヒータ５２の加熱がＯＮに切り替わり排出動作が開始される（ステップ１０４）。この場合、排出管５０は、収容物ＳＵが液相状態となる所定温度になるまで加熱され、加熱がＯＦＦに切り替えられるまでその温度を維持する。このように、貯留動作中にレベルセンサ４２の検出結果が上限レベルＬ_maxに達した場合、排出動作が開始される。これにより、収容物ＳＵの液面レベルが必要以上に高くなる前に、収容物ＳＵを排出することができる。

【0120】

また液面レベルＬが上限レベルＬ_max未満である場合（ステップ１０３のＮｏ）、液面レベルＬは、まだ低いとして排出管ヒータ５２の加熱がＯＦＦの状態が維持され（ステップ１０６）、貯留動作が継続される。

【0121】

またステップ１０２に戻り、排出管５０が加熱中であり排出動作中である場合（ステップ１０２のＹｅｓ）、収容物ＳＵの液面レベルＬが、下限レベルＬ_min以上であるか否かが判定される（ステップ１０５）。ここで下限レベルＬ_minは、例えば通常動作時にデブリ収容容器４０に収容される収容物ＳＵの最小の液面レベルＬであり、排出動作を停止して貯留動作を開始する液面レベルである。本実施形態では、下限レベルＬ_minは、第２のレベルに相当する。

【0122】

液面レベルＬが下限レベルＬ_min以下である場合（ステップ１０５のＹｅｓ）、排出管ヒータ５２の加熱がＯＦＦに切り替わり排出動作が停止されて貯留動作が開始される（ステップ１０６）。このように、排出動作中にレベルセンサ４２の検出結果が上限レベルＬ_maxよりも低い下限レベルＬ_minに達した場合、貯留動作が開始される。これにより、収容物ＳＵの液面レベルが必要以上に低くなる前に、収容物ＳＵの排出を停止することができる。

【0123】

また液面レベルＬが下限レベルＬ_minより大きい場合（ステップ１０５のＮｏ）、液面レベルＬは、まだ高いとして排出管ヒータ５２の加熱がＯＮの状態が維持され（ステップ１０４）、排出動作が継続される。

【0124】

ステップ１０４及びステップ１０６で、排出管ヒータ５２の加熱のＯＮ及びＯＦＦが制御された後、デブリ収容排出部４の温度制御を終了するか否かが判定される（ステップ１０７）。温度制御を終了せずに継続する場合（ステップ１０７のＮｏ）、ステップ１０１以降の処理が再度実行され、温度制御を終了する場合（ステップ１０７のＹｅｓ）、図８に示すループ処理が終了する。
以下、各ステップの動作について、より詳しく説明する。

【0125】

図９～図１３は、デブリ収容排出部４の基本的な動作の流れを示す模式図である。以下、図９～図１３を参照して、図８に示すデブリ収容排出部４の基本的な動作について説明する。

【0126】

ここでは、収容物ＳＵの排出動作は、大気圧以下の圧力環境で行われる。すなわち、排出動作を実行する時の、排出口５４側の圧力及びデブリ収容容器４０の内部の圧力は、大気圧以下に設定される。
具体的には、デブリ収容容器４０の内部の圧力は、ＥＵＶ光源装置１の動作時の圧力レベルに設定される。また排出口５４側の圧力は、例えばＥＵＶ光源装置１の動作時の圧力レベルと同程度かそれよりも低い圧力に設定される。

【0127】

これにより、収容物ＳＵを発生させるＥＵＶ光源装置１の動作中に、排出動作を実行することが可能となる。すなわち、ＥＵＶ光が発生させたまま収容物ＳＵを回収することが可能となる。この結果、例えば収容物ＳＵの回収に伴うＥＵＶ光源装置１のダウンタイムがなくなり、装置の稼働効率を大幅に向上することが可能となる。
以下では、図８に示す処理がＥＵＶ光源装置１の動作中に実行されるものとする。
なお、図８に示す処理は、ＥＵＶ光源装置１のメンテナンス時等に、チャンバが大気開放された状態で実行することも可能である。

【0128】

まず図９に示すように、デブリ収容容器４０には、各種の経路をたどったデブリＤＢや廃材料が収容物ＳＵとして一時的に収容される。
上記したように、収容物ＳＵには、図２に示すカバー部材２５の下部に設けられた排出孔２６から排出されるデブリＤＢ・廃材料や、遮熱板２３を自重により下方に移動して遮熱板２３から落下したデブリ・廃材料や、放電電極ＥＡ及びＥＢ等の放電部を包囲する包囲部材により捕集され受け板部材１８を介して収容されたデブリＤＢ・廃材料等が含まれる。

【0129】

以下では、デブリ収容容器４０から排出された収容物ＳＵ（デブリＤＢや廃材料）のことを、排出物ＳＷと記載する場合がある。例えば排出管５０の中にある収容物ＳＵは、排出物ＳＷとなる、また排出管５０の排出口５４から排出される収容物ＳＵも、排出物ＳＷとなる。

【0130】

例えば図９に示す状態では、収容物ＳＵの液面レベルＬは上限レベルＬ_maxには到達していない。また制御部６４は、排出管加熱用給電部６１より排出管５０を加熱する排出管ヒータ５２への給電を停止している（ステップ１０２のＮｏ）従って、排出管５０内の排出物ＳＷの液相状態は維持されず凝固状態（固相状態）となっている。よって、デブリ収容容器４０に収容される収容物ＳＵは、排出管５０からは排出されない。
一方、デブリＤＢや廃材料は常時発生するため、収容物ＳＵの液面は徐々に増加する。

【0131】

次に図１０に示すように、デブリ収容容器４０に収容される液相状態の収容物ＳＵが増加し、収容物ＳＵの液面レベルＬが上限レベルＬ_maxに到達したとする。この場合、制御部６４は、レベルセンサ４２からの上限レベル到達信号を受信した時点で、液面レベルＬが上限レベルＬ_max以上であると判定する（ステップ１０３のＹｅｓ）。そして排出管加熱用給電部６１を制御して排出管ヒータ５２への給電を開始する（ステップ１０４）。
これにより、排出管５０の流路内の排出物ＳＷは液相状態となり、デブリ収容容器４０内の収容物ＳＵは、流入口５３から排出管５０に侵入し、排出管５０の流路を介して排出口５４から外部に排出される。

【0132】

なお、デブリ収容容器４０に収容される収容物ＳＵが、図２に示す接続チャンバ２１の内部に溢れ出すと接続チャンバ２１内部が収容物ＳＵにより汚染されてしまい、好ましくない。
このため、本実施形態では、収容物ＳＵの液面レベルが接続チャンバ２１の底面を越えない位置に警告レベルＬ_warningが設定される。上記した上限レベルＬ_maxは、この警告レベルＬ_warningより低いレベルに設定される。すなわち、デブリ収容容器４０の底面からの高さが上限レベルＬ_maxの方が警告レベルＬ_warningよりも低く設定される。

【0133】

従って、収容物ＳＵの液面レベルＬが警告レベルＬ_warningに到達した場合、液面レベルＬは上限レベルＬ_maxを超えたことになる。すなわち、収容物ＳＵの液面レベルが上限レベルＬ_maxに到達した際、何等かのエラー（例えば、排出管ヒータ５２が作動しないエラー）が発生し、収容物ＳＵが排出管５０の排出口から外部へ排出されなかったことになる。

【0134】

制御部６４は、レベルセンサ４２により液面レベルＬが警告レベルＬ_warningに到達したことを検知した信号（警告レベル到達信号）を受信した場合、上記した何等かのエラーが発生したと判断し、エラー信号を外部に送出する。なお、制御部６４は、警告レベル到達信号を受信した場合、ＥＵＶ光源装置１の稼働を停止するようにしてもよい。

【0135】

なお図８では、警告レベルＬ_warningに関する判定処理が省略されている。警告レベルＬ_warningが検出される場合、例えば液面レベルＬは少なくとも上限レベルＬ_maxを超えている。このため、警告レベルＬ_warningに関する判定処理は、例えば液面レベルＬが上限レベルＬ_maxを超えていると判定されたあと（ステップ１０３のＹｅｓ）、ステップ１０４で排出管ヒータ５２がＯＮに設定される前に実行される。

【0136】

続いて図１１に示すように、デブリ収容容器４０の液面レベルが所定のレベル（下限レベルＬ_min）に到達するまで、排出管加熱用給電部６１より排出管ヒータ５２への給電が維持される。すなわち、排出管５０の流路内を流れる排出物ＳＷの液相状態は維持され、上記排出管５０からは排出物ＳＷが継続して排出される。

【0137】

また排出管５０には、屈曲部５５が設けられている。上記したように、排出管５０には、アパーチャー部５１と排出口５４との間で重力方向と反対側に屈曲した屈曲部５５ａと、更に重力方向と反対側に延びる排出管５０がデブリ収容容器から離れる方向に屈曲した屈曲部５５ｂとが設けられる。
従って排出管５０は、デブリ収容容器４０から離れる方向に延びた構造となり、排出管５０の排出口５４の高さが流入口５３の上端（デブリ収容容器４０との接続部分である接続開口部の上端）より高くなっている。この結果、図１２に示すように、デブリ収容容器４０の収容物ＳＵの液面レベルＬが排出口５４の下端のレベルと釣り合った時点で、排出口５４からの排出物ＳＷの排出が停止する（図５参照）。

【0138】

図１３では、図１２に示すように、液面レベルＬが排出口５４の下端のレベルと釣り合った状態で、排出管ヒータ５２による加熱がＯＦＦに切り替えられる。
ここでは、制御部６４は、排出口５４からの排出物ＳＷの停止を検知した時点で、排出管加熱用給電部６１から排出管ヒータ５２への給電が停止される。

【0139】

排出口５４からの排出物ＳＷの停止を検知する方法としては、図示を省略したカメラ等の画像取得手段を用いた方法が挙げられる。この場合、排出口５４や、排出管５０内を撮影した画像について画像認識処理を実行し、排出物ＳＷの排出が止まっているか否かが判定される。
また例えば、図８に示すように、排出口５４の下端レベルを排出物ＳＷの排出停止レベル（下限レベルＬ_min）として、レベルセンサ４２の検出結果を用いて判定してもよい。制御部６４はこのようなセンサ（カメラやレベルセンサ４２）からの検知情報により、排出口５４からの排出物ＳＷの停止を検知する。

【0140】

排出管ヒータ５２への給電が停止されると、排出管５０の中で、流入口５３から屈曲部５５ａを通り排出口５４の下端レベルに存在する排出物ＳＷは、液相状態から固相状態（凝固状態）へと切り替わる。すなわち、デブリ収容容器４０に収容される収容物ＳＵ（排出物ＳＷ）は、排出管５０からは排出されなくなる。

【0141】

例えば、ＥＵＶ光源装置１の稼働中は、接続チャンバ２１と空間的に接続されるデブリ収容容器４０側は、減圧雰囲気（真空状態）である。一方で、排出管５０の流路に存在する収容物ＳＵが凝固状態になった時点で、排出口５４側ではデブリ回収容器７０（図１４参照）が取り外され、排出口５４側が大気雰囲気となる場合がある。そのため、排出管５０は、収容物ＳＵの排出と排出停止を調整するためのバルブ機能のみならず、ＥＵＶ光源装置１側（デブリ収容容器４０側）の減圧雰囲気を維持する真空シール用バルブとしても機能しなければならない。

【0142】

このため、排出管５０には、排出口５４の下端が、アパーチャー部５１が位置する排出管５０の流路の上端（流入口５３の上端）より高くなるように屈曲部５５が設定される。これにより、排出管５０におけるアパーチャー部５１が位置する流路部分は常に収容物ＳＵ（デブリ、廃原料）によって満たされた状態となり、アパーチャー部５１が空隙と接触することがなくなる。この結果、排出管５０は、真空シールバルブとして機能する（図６参照）。

【0143】

このように、デブリ収容排出部４では、排出管ヒータ５２の給電のＯＮ／ＯＦＦを切り替えて排出管５０の温度を調整して、排出管５０の流路内の収容物ＳＵ（デブリ、廃材料）の状態を液相状態又は固相状態に切り替えられる。これにより、排出管５０自体を、デブリ収容容器４０に一時的に収容される収容物ＳＵの流れを制御するバルブとして機能させることが可能となる。

【0144】

（デブリ回収容器）
図１４は、デブリ回収容器７０を含むデブリ収容排出部４の構成例を示す模式図である。
図１４に示すデブリ収容排出部４は、図３を参照して説明した構成に加え、デブリ回収容器７０と、回収管８０とを有する。

【0145】

デブリ回収容器７０は、排出管５０の排出口５４から排出される収容物ＳＵ（排出物ＳＷ）を回収する容器である。本実施形態では、デブリ回収容器７０は、回収容器に相当する。
デブリ回収容器７０は、容器本体７１と、蓋部７２と、内部容器７３を有する。
容器本体７１は、デブリ回収容器７０の外壁部分を構成する凹型の容器である。容器本体７１の上側には、開口部分を囲むようにフランジ部７４が形成される。フランジ部７４には、例えば、ねじを用いて蓋部７２が取り付けられる。

【0146】

蓋部７２は、容器本体７１の開口部分を塞ぐことが可能なようにフランジ部７４の形状に合わせて構成される。蓋部７２には、回収口７５と、排気口７６とが設けられる。
回収口７５は、排出管５０から排出された排出物ＳＷ（収容物ＳＵ）を回収するための貫通孔であり、後述する回収管８０が接続される。また、回収口７５の上端には回収管８０を接続するためのフランジ部７７が設けられる（図１５参照）。
排気口７６は、デブリ回収容器７０内を排気するための貫通孔である。排気口７６には、図示しない真空ポンプ等の排気部に接続された排気管７８が接続される。このように、デブリ回収容器７０は、容器内部を減圧する排気部に接続される。
また排気管７８には、デブリ回収容器７０内の圧力を測定する圧力計７９が設けられる。

【0147】

容器本体７１及び蓋部７２は、例えばステンレス鋼を用いて形成される。また容器本体７１のフランジ部７４と蓋部７２との間は、ガスケットにより封止される。この状態で、排気部に接続された排気口７６から、デブリ回収容器７０内の空間が排気される。この結果、デブリ回収容器７０内は、減圧雰囲気となる。

【0148】

内部容器７３は、容器本体７１内に設けられ、回収管８０を介して排出される排出物ＳＷ（収容物ＳＵ）を回収する容器である。内部容器７３は、容器本体７１に対して熱的に独立するように構成される。すなわち容器本体７１との熱的な接触が最小限となるように、内部容器７３が構成される。また、デブリ回収容器７０は、減圧されているため、内部容器７３は、真空断熱される。このようにデブリ回収容器７０は、断熱容器として構成される。

【0149】

回収管８０は、排出管５０とデブリ回収容器７０とを接続する配管であり、流入口８１と排出口８２とを有する。回収管８０の流入口８１は、継手６５を介して排出管５０に接続される。また、回収管８０の排出口８２は、デブリ回収容器７０の内部に挿入される。
また、回収管８０には、回収管ヒータ８３が設けられる。回収管ヒータ８３は、回収管８０の温度を調整する素子である。回収管ヒータ８３は、例えば細管ヒータであり、回収管８０全体にまきつけて用いられる。なお、回収管ヒータ８３は、排出管ヒータ５２とは別に設けられてもよいし、排出管ヒータ５２を延長して回収管ヒータ８３として用いてもよい。

【0150】

図１５は、回収管の構成例を示す模式図である。図１５には、排出管５０とデブリ回収容器７０とをつなぐ回収管８０の断面構成の一例が模式的に図示されている。なお図１５では、排出管５０の排出口５４よりも上流側の構成と、細管型の回収管ヒータ８３の図示を省略している。またデブリ回収容器７０の構成が簡略化されている。回収管８０は、十字型の継手部８４と、接続管８６と、フランジ部８７と、先端部８８とを有する。

【0151】

継手部８４には水平方向の接続口８５ａ及び８５ｂと、上下方向の接続口８５ｃ及び８５ｄが設けられる。このうち、接続口８５ａには、排出管５０の排出口５４が接続される。接続口８５ｂには、例えば回収管８０の温度を測定する回収管温度センサ（図示省略）が接続される。この場合、シース型の測温抵抗体センサ等が、接続口８５に沿って挿入される。
また、下側の接続口８５ｃには、デブリ回収容器７０に挿入される接続管８６が接続される。また上側の接続口８５ｄには、回収管８０を加熱する回収管ヒータ８３として、カートリッジヒータ（図示省略）が挿入される。カートリッジヒータは、例えば接続管８６や先端部８８が構成する流路内に挿入され、内部から回収管８０全体を加熱する。

【0152】

接続管８６は、所定の内径を持った直線状の配管である。先端部８８は、接続管８６の先端に設けられ、接続管８６の内径よりも細い内径を持った配管である。接続管８６と先端部８８とは、例えば径の異なる配管をつなげる継手等を介して接続される。あるいは、ろう付けや溶接等により接続されてもよい。

【0153】

フランジ部８７は、接続管８６の途中に設けられ、デブリ回収容器７０に着脱可能に接続される。フランジ部８７は、デブリ回収容器７０の回収口７５に設けられたフランジ部７７と着脱可能なように接続される。フランジ部７７及び８７としては、着脱が容易なクイックカップリング等の真空継手が用いられる。この場合、フランジ部７７及び８７の間には、シール剤となるＯリングが設けられる。
このように、回収管８０では、接続管８６の一部と、その先端に設けられた先端部８８とにより、フランジ部８７からデブリ回収容器７０の内部に突出するノズル部が構成される。

【0154】

以下では、排出物ＳＷ（収容物ＳＵ）をデブリ回収容器７０に回収する回収処理を実行する際の、各部の動作について説明する。この回収処理は、排出動作と連動して実行される。またここでは、ＥＵＶ光源装置１の動作中に、回収処理が実行されるものとする。

【0155】

上記したように、ＥＵＶ光源装置１の稼働中は、光源部２（図１）、接続チャンバ２１（図２）の内部は、上記したように真空環境（減圧環境）にある。そのため、ＥＵＶ光源装置１の稼働中に排出管５０から排出物ＳＷを排出しようとする場合は、デブリ収容容器４０側は真空（減圧）状態である。

【0156】

ここで、本発明者は、デブリ収容容器４０側を真空（減圧）状態とし、排出管５０の排出口５４側を大気圧雰囲気として、排出動作が適正に行われるかを確認する実験を行った。その結果、排気管７８の排出口５４からは排出物ＳＷが排出されなかった。これは、デブリ収容容器４０側と排出管５０の排出口５４側との気圧差のためであると考えられる。
一方、デブリ収容容器４０側を真空（減圧）状態とし、排出口５４側も真空（減圧）状態としたときは、排出管５０内の収容物ＳＵが液化した状態（図１０や図１１と同様の状態）では、排出口５４から排出物ＳＷが排出された。よって、ＥＵＶ光源装置１の稼働中に排出管５０から排出物ＳＷを排出しようとする場合は、排出管５０の排出口５４側も真空（減圧）雰囲気とすることが好ましい。

【0157】

このような知見に基づき、本発明者は、ＥＵＶ光源装置１の稼働中にデブリ収容排出部４から排出物ＳＷ（デブリ、廃材料）を排出してデブリ回収容器７０に回収する場合に、デブリ回収容器７０内を真空（減圧）状態とする方法を見出した。
このような回収方法を実現するため、図１４に示すデブリ回収容器７０の蓋部７２には、デブリ回収容器の内部の空気を排気して、真空（減圧）状態にするための排気口７６と排気管７８とが設けられている。なお、デブリ回収容器７０内部の圧力は、排気管に設けた圧力計により測定される。
これにより、ＥＵＶ光源装置１が稼働中であっても、簡単に排出物ＳＷを回収することが可能となる。

【0158】

デブリ回収容器７０内では、先端部８８から滴下した排出物ＳＷが、内部容器７３に蓄えられる。この時、内部容器７３は、液相状態である排出物ＳＷの熱で温められる。また内部容器７３は真空断熱容器としても機能する。このため、内部容器７３に滴下した排出物ＳＷは、液相状態のまま貯留されることになる。この結果、内部容器７３内で凝固した排出物ＳＷが局所的に成長するといった事態を回避することが可能となる。

【0159】

排出管５０から排出物が排出されなくなると、デブリ回収容器７０による回収が完了する。この場合、排出管ヒータ５２がＯＦＦに切り替えられ、排出管５０内の排出物ＳＷが固化状態となる（図１３参照）。この状態で、デブリ回収容器７０が、回収管８０からとり外される。この時、デブリ回収容器７０の真空状態は大気開放される。従って、排出管５０の排出口５４側も回収管８０を介して大気圧となる。このような場合であっても、排出管５０及びアパーチャー部５１による真空シールが機能しているため、ＥＵＶ光源装置１（デブリ収容容器４０）側の真空が劣化することはない。これにより、ＥＵＶ光源装置１が稼働中であっても、排出物ＳＷの回収作業を滞りなく進めることが可能となる。

【0160】

次に回収管８０の各部の役割について説明する。
例えばフランジ部８７に対して接続管８６を貫通しないように設ける構成が考えられる。この場合、デブリ回収容器７０側に突出するノズル部は構成されない。このように、フランジ部８７の容器側がフラットとなる構成では、排出物ＳＷの熱がフランジ部８７に逃げてしまい、排出物ＳＷが滴下するまえに凝固してしまうといった場合がある。また、フランジ部８７を加熱することで、排出物ＳＷを溶融させる方法も考えられるが、加熱に時間がかかる。また真空継手に用いられるバイトンＯリングの耐熱温度を超えてしまう可能性がある。また、排出物ＳＷが溶融したとしても、フランジ部８７に沿って流れてしまい、意図しない位置で凝固する可能性がある。

【0161】

これに対し、本実施形態では、接続管８６及び先端部８８をフランジ部８７から容器内部に突出させたノズル状の構造が用いられる。この構造では、フランジ部８７に熱量を奪われることなく、排出物ＳＷを滴下位置まで導くことが可能である。また、フランジ部８７に排出物ＳＷが回り込むおそれもないため、排出物ＳＷを内部容器７３の中に確実に滴下させることが可能となる。さらに、十字型の継手部８４からカートリッジヒータを導入することで、回収管内部を効率的に温めることが可能となる。またカートリッジヒータは温度センサで制御することで、空焚き等を防止が可能である。

【0162】

また本実施形態では、接続管８６の先端に、流路を補足する先端部８８が設けられる。
例えば、先端部８８を設けずに、内径の太い接続管８６（例えば１／４インチ管）をそのまま使用したとする。この場合、大気中ではスムーズに滴下したものの、真空中では排出物ＳＷが配管の淵に回り込んで凝固する場合があった。これは、真空中では、排出物ＳＷに関する圧力、粘性、表面張力、濡れ性、熱伝導等の各種の挙動が大気中の挙動に対して変化するためであると考えられる。
そこで、本発明者は、内径の太い接続管８６に対して、内径の細い先端部８８（例えば１／８インチ管）を取り付けて真空中での滴下の状態を観察した。この結果、先端の直径をすぼめることで、排出物ＳＷの回り込みをなくすことが可能となった。これにより、排出物ＳＷが不用意に詰まるといった事態が回避され、安定した回収処理を実現することが可能となる。

【0163】

以上、本実施形態に係るデブリ収容排出部４では、プラズマ原料である金属を含む収容物ＳＵを液相状態で収容するデブリ収容容器４０に連通して排出管５０が設けられる。排出管５０には排出管ヒータ５２が設けられ、排出管５０内の収容物ＳＵが液相状態又は固相状態となるように排出管５０の温度が切り替えられる。これにより、デブリ収容容器４０を取り外すことなくプラズマ原料である金属を含む収容物ＳＵを回収することが可能となる。

【0164】

＜その他の実施形態＞
本発明は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。

【0165】

上記では、プラズマ原料となる液体金属を利用する装置の一実施形態として、ＥＵＶ光源装置を例に挙げた。そして、本発明に係るデブリ収容排出部がＥＵＶ光源装置内に構成される場合を説明した。
本発明の適用は、ＥＵＶ光源装置に限定されない。例えば、液体金属を用いてプラズマを発生させる任意の装置に本発明を適用することが可能である。またプラズマ原料となる金属を供給する装置に本技術が適用されてもよい。この場合、リザーバ等に収容された液体金属を適宜排出する方法として、本発明が用いられる。

【0166】

この他、液体金属を利用する任意の装置に本発明を適用してもよい。例えば、高性能回路、核反応炉、又はＸ線範囲の放射源の冷却などの様々な用途において、液体金属を冷媒として使用する様々な冷却システムに、本発明を適用することが可能である。
例えば、ナトリウム冷却高速炉等の高速増殖炉に対して、本発明を適用することも可能である。
また冷却システムとは異なる用途のシステムにおいても、液体金属を利用して動作する種々の装置に対して、本発明に係る収容排出機構を適用することが可能である。

【0167】

各図面を参照して説明したＥＵＶ光源装置、収容容器、排出管等の各構成はあくまで一実施形態であり、本技術の趣旨を逸脱しない範囲で、任意に変形可能である。すなわち本技術を実施するための他の任意の構成が採用されてよい。

【0168】

本開示において、説明の理解を容易とするために、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が適宜使用されている。一方で、これら「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言を使用する場合と使用しない場合とで、明確な差異が規定されるわけではない。
すなわち、本開示において、「中心」「中央」「均一」「等しい」「同じ」「直交」「平行」「対称」「延在」「軸方向」「円柱形状」「円筒形状」「リング形状」「円環形状」等の、形状、サイズ、位置関係、状態等を規定する概念は、「実質的に中心」「実質的に中央」「実質的に均一」「実質的に等しい」「実質的に同じ」「実質的に直交」「実質的に平行」「実質的に対称」「実質的に延在」「実質的に軸方向」「実質的に円柱形状」「実質的に円筒形状」「実質的にリング形状」「実質的に円環形状」等を含む概念とする。
例えば「完全に中心」「完全に中央」「完全に均一」「完全に等しい」「完全に同じ」「完全に直交」「完全に平行」「完全に対称」「完全に延在」「完全に軸方向」「完全に円柱形状」「完全に円筒形状」「完全にリング形状」「完全に円環形状」等を基準とした所定の範囲（例えば±１０％の範囲）に含まれる状態も含まれる。
従って、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が付加されていない場合でも、いわゆる「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現され得る概念が含まれ得る。反対に、「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現された状態について、完全な状態が必ず排除されるというわけではない。

【0169】

本開示において、「Ａより大きい」「Ａより小さい」といった「より」を使った表現は、Ａと同等である場合を含む概念と、Ａと同等である場合を含なまい概念の両方を包括的に含む表現である。例えば「Ａより大きい」は、Ａと同等は含まない場合に限定されず、「Ａ以上」も含む。また「Ａより小さい」は、「Ａ未満」に限定されず、「Ａ以下」も含む。
本技術を実施する際には、上記で説明した効果が発揮されるように、「Ａより大きい」及び「Ａより小さい」に含まれる概念から、具体的な設定等を適宜採用すればよい。

【0170】

以上説明した本技術に係る特徴部分のうち、少なくとも２つの特徴部分を組み合わせることも可能である。すなわち各実施形態で説明した種々の特徴部分は、各実施形態の区別なく、任意に組み合わされてもよい。また上記で記載した種々の効果は、あくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果が発揮されてもよい。

【符号の説明】

【0171】

ＤＢ…デブリ
ＳＵ…収容物
１Ｖ光源装置
２…光源部
３…デブリ捕捉部
４…デブリ収容排出部
４０…デブリ収容容器
４１…デブリ排出部
４２…レベルセンサ
５０…排出管
５１…アパーチャー部
５２…排出管ヒータ
５３…流入口
５４…排出口
５５、５５ａ、５５ｂ…屈曲部
６１…排出管加熱用給電部
６４…制御部
７０…デブリ回収容器
８０…回収管
８７…フランジ部
８８…先端部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】