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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B1)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-15
(45)【発行日】2024-10-23
(54)【発明の名称】コンデンサ
(51)【国際特許分類】
H01G 4/33 20060101AFI20241016BHJP
H01G 4/30 20060101ALI20241016BHJP
H01G 4/38 20060101ALI20241016BHJP
【ＦＩ】
H01G4/33 102
H01G4/30 541
H01G4/38 B
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2024509095
(86)(22)【出願日】2023-10-05
(86)【国際出願番号】 JP2023036361
【審査請求日】2024-02-15
(31)【優先権主張番号】P 2023020174
(32)【優先日】2023-02-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110001195
【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】湯淺 大祐
【審査官】多田 幸司
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０２３／１４５１１０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１９／０２１８２７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０００－３１３８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０２１／１９３６１６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００４－１２８３３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－０３２９８１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－１３０７２２（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０２２／０５０１６７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０２０－１６７３６１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１０３４２４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｇ ４／３３
Ｈ０１Ｇ ４／３０
Ｈ０１Ｇ ４／３８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１主面および当該第１主面とは反対側に位置する第２主面を有する絶縁基板と、前記第１主面に対向するように設けられた容量形成部と、
前記容量形成部に接続された第１外部接続配線および第２外部接続配線と、
前記容量形成部が、前記第１外部接続配線側に位置する第１容量形成部と、当該第１容量形成部よりも前記第２外部接続配線側に位置する第２容量形成部とを含むこととなるように、前記容量形成部を区画する第１金属壁部とを備え、
前記第１容量形成部は、導電性の第１金属多孔体と、前記第１金属多孔体の表面を覆う第１誘電体膜と、前記第１誘電体膜を覆う第１導電膜とを含み、
前記第２容量形成部は、導電性の第２金属多孔体と、前記第２金属多孔体の表面を覆う第２誘電体膜と、前記第２誘電体膜を覆う第２導電膜とを含み、
前記第１金属壁部が前記第１導電膜と前記第２導電膜とに接合することで、前記第２容量形成部が前記第１容量形成部を介して前記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、前記第１容量形成部が前記第２容量形成部を介して前記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも前記第１容量形成部と前記第２容量形成部とが、前記第１外部接続配線と前記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、コンデンサ。
【請求項2】
前記第１金属壁部が、前記第１主面から立設されている、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項3】
前記第１金属壁部の厚みが、５μｍ以上である、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項4】
前記第１金属壁部の厚みが、７５μｍ以下である、請求項３に記載のコンデンサ。
【請求項5】
前記第１主面の法線方向と平行な方向における前記第１金属壁部の高さが、前記第１主面の法線方向と平行な方向における前記容量形成部の高さよりも大きい、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項6】
前記第１金属壁部の厚み方向および高さ方向の双方に交差する方向における前記第１金属壁部の幅が、前記第１金属壁部の厚み方向および高さ方向の双方に交差する方向における前記容量形成部の幅よりも大きい、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項7】
前記第１誘電体膜の厚みが、前記第２誘電体膜の厚みの２倍以上であるか、あるいは、前記第２誘電体膜の厚みが、前記第１誘電体膜の厚みの２倍以上である、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項8】
前記第１容量形成部の静電容量が、前記第２容量形成部の静電容量の５％以上５０％以下である、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項9】
前記第２導電膜が互いに不連続である第３導電膜および第４導電膜を含むことにより、前記第２容量形成部は、前記第３導電膜と、当該第３導電膜に対応する部分の前記第２誘電体膜である第３誘電体膜と、当該第３誘電体膜に対応する部分の前記第２金属多孔体である第３金属多孔体とによって規定される第３容量形成部、および、前記第４導電膜と、当該第４導電膜に対応する部分の前記第２誘電体膜である第４誘電体膜と、当該第４誘電体膜に対応する部分の前記第２金属多孔体である第４金属多孔体とによって規定される第４容量形成部を含み、前記第４容量形成部は、前記第３容量形成部から見て前記第１外部接続配線側とは反対側に位置し、
前記第４容量形成部が前記第３容量形成部を介して前記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、前記第３容量形成部が前記第４容量形成部を介して前記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも前記第３容量形成部と前記第４容量形成部とが、前記第１外部接続配線と前記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項10】
前記第２金属多孔体を前記第３金属多孔体と前記第４金属多孔体とに区画するとともに、前記第２誘電体膜を前記第３誘電体膜と前記第４誘電体膜とに区画し、さらに、前記第２導電膜を前記第３導電膜と前記第４導電膜とに区画する金属製の第１隔壁部をさらに備え、前記第１隔壁部が、前記第３金属多孔体および前記第４金属多孔体に接合しているとともに、前記第３導電膜および前記第４導電膜に接合していないことにより、少なくとも前記第３容量形成部と前記第４容量形成部とが、前記第１外部接続配線と前記第２外部接続配線との間において前記第１隔壁部を介して電気的に直列に接続されている、請求項９に記載のコンデンサ。
【請求項11】
前記第１外部接続配線が、前記第１主面から前記第２主面にまで達するように前記絶縁基板を貫通する第１ビア導体を有し、前記第２外部接続配線が、前記第１主面から前記第２主面にまで達するように前記絶縁基板を貫通する第２ビア導体を有し、
前記第１主面の法線方向に沿って見た場合に、前記第１ビア導体が、前記第１容量形成部が配置された領域内に設けられ、
前記第１主面の法線方向に沿って見た場合に、前記第２ビア導体が、前記第２容量形成部が配置された領域内に設けられている、請求項１０に記載のコンデンサ。
【請求項12】
前記第１金属壁部と前記第１ビア導体との間の距離が、前記第１金属壁部と前記第１隔壁部との間の距離よりも短い、請求項１１に記載のコンデンサ。
【請求項13】
前記第４容量形成部が、前記第１外部接続配線側に位置する第５容量形成部と、当該第５容量形成部よりも前記第２外部接続配線側に位置する第６容量形成部とを含むこととなるように、前記第４容量形成部を区画する第２金属壁部をさらに備え、前記第５容量形成部は、当該第５容量形成部を規定する部分の前記第４金属多孔体である第５金属多孔体と、当該第５金属多孔体に対応する部分の前記第４誘電体膜である第５誘電体膜と、当該第５誘電体膜に対応する部分の前記第４導電膜である第５導電膜とを含み、
前記第６容量形成部は、当該第６容量形成部を規定する部分の前記第４金属多孔体である第６金属多孔体と、当該第６金属多孔体に対応する部分の前記第４誘電体膜である第６誘電体膜と、当該第６誘電体膜に対応する部分の前記第４導電膜である第６導電膜とを含み、
前記第２金属壁部が、前記第５導電膜と前記第６導電膜とに接合することで、前記第６容量形成部が前記第５容量形成部を介して前記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、前記第５容量形成部が前記第６容量形成部を介して前記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも前記第５容量形成部と前記第６容量形成部とが、前記第１外部接続配線と前記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、請求項９に記載のコンデンサ。
【請求項14】
前記第６導電膜が互いに不連続である第７導電膜および第８導電膜を含むことにより、前記第６容量形成部は、前記第７導電膜と、当該第７導電膜に対応する部分の前記第６誘電体膜である第７誘電体膜と、当該第７誘電体膜に対応する部分の前記第６金属多孔体である第７金属多孔体とによって規定される第７容量形成部、および、前記第８導電膜と、当該第８導電膜に対応する部分の前記第６誘電体膜である第８誘電体膜と、当該第８誘電体膜に対応する部分の前記第６金属多孔体である第８金属多孔体とによって規定される第８容量形成部を含み、前記第８容量形成部は、前記第７容量形成部から見て前記第１外部接続配線側とは反対側に位置し、
前記第８容量形成部が前記第７容量形成部を介して前記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、前記第７容量形成部が前記第８容量形成部を介して前記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも前記第７容量形成部と前記第８容量形成部とが、前記第１外部接続配線と前記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、請求項１３に記載のコンデンサ。
【請求項15】
前記第６金属多孔体を前記第７金属多孔体と前記第８金属多孔体とに区画するとともに、前記第６誘電体膜を前記第７誘電体膜と前記第８誘電体膜とに区画し、さらに、前記第６導電膜を前記第７導電膜と前記第８導電膜とに区画する金属製の第２隔壁部をさらに備え、前記第２隔壁部が、前記第７金属多孔体および前記第８金属多孔体に接合しているとともに、前記第７導電膜および前記第８導電膜に接合していないことにより、少なくとも前記第７容量形成部と前記第８容量形成部とが、前記第１外部接続配線と前記第２外部接続配線との間において前記第２隔壁部を介して電気的に直列に接続されている、請求項１４に記載のコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、金属多孔体と誘電体膜と導電膜とからなる容量形成部を備えてなるコンデンサに関する。
【背景技術】
【0002】
たとえば、米国特許公開第２０１８／０２７７３０６号明細書（特許文献１）には、金属多孔体と、当該金属多孔体の表面を覆う誘電体膜と、当該誘電体膜を覆う導電膜とによって容量形成部が設けられてなるコンデンサが開示されている。当該コンデンサにあっては、金属多孔体が、金属粒子の焼結体にて構成されており、誘電体層および導電膜が、いずれも原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法によって形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】米国特許公開第２０１８／０２７７３０６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ここで、上記公報に開示のコンデンサは、単一の容量形成部からなるものであるため、この単一の容量形成部に電界集中が発生した場合には、これが短絡することで直ちにコンデンサとしての機能が損なわれてしまう問題がある。
【0005】
したがって、本発明は、上述した問題を解決すべくなされたものであり、金属多孔体と誘電体膜と導電膜とからなる容量形成部を備えてなるコンデンサにおいて、実装後の信頼性の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に基づくコンデンサは、絶縁基板と、容量形成部と、第１外部接続配線および第２外部接続配線と、第１金属壁部とを備えている。上記絶縁基板は、第１主面および当該第１主面とは反対側に位置する第２主面を有しており、上記容量形成部は、上記第１主面に対向するように設けられている。上記第１外部接続配線および第２外部接続配線は、上記容量形成部に接続されている。上記第１金属壁部は、上記容量形成部が、上記第１外部接続配線側に位置する第１容量形成部と、当該第１容量形成部よりも上記第２外部接続配線側に位置する第２容量形成部とを含むこととなるように、上記容量形成部を区画している。上記第１容量形成部は、導電性の第１金属多孔体と、上記第１金属多孔体の表面を覆う第１誘電体膜と、上記第１誘電体膜を覆う第１導電膜とを含んでおり、上記第２容量形成部は、導電性の第２金属多孔体と、上記第２金属多孔体の表面を覆う第２誘電体膜と、上記第２誘電体膜を覆う第２導電膜とを含んでいる。上記本発明に基づくコンデンサにあっては、上記第１金属壁部が上記第１導電膜と上記第２導電膜とに接合することで、上記第２容量形成部が上記第１容量形成部を介して上記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、上記第１容量形成部が上記第２容量形成部を介して上記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも上記第１容量形成部と上記第２容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、金属多孔体と誘電体膜と導電膜とからなる容量形成部を備えてなるコンデンサにおいて、実装後の信頼性の向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】実施の形態１に係るコンデンサの模式正面図および模式平面図である。
【図6】実施の形態１に係るコンデンサの製造方法を示すフロー図である。
【図24】実施の形態２に係るコンデンサの模式断面図である。
【図25】実施の形態３に係るコンデンサの模式断面図である。
【図26】検証試験１の結果を示すグラフである。
【図27】検証試験２の結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。また、以下に示す実施の形態においては、説明の便宜上、「陽極」および「陰極」の語が用いられるが、以下に示す実施の形態におけるコンデンサの電気極性は、これらの語によって一意に決定されるものではなく、その電気極性は、当該コンデンサの使用環境に合わせて適宜決定される。
【0010】
（実施の形態１）
図１（Ａ）は、実施の形態１に係るコンデンサの模式正面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中に示す矢印ＩＢ方向から見たコンデンサの模式平面図である。図２は、図１（Ｂ）中に示すＩＩ－ＩＩ線に沿ったコンデンサの模式断面図である。図３は、図２に示す絶縁基板の第１主面の近傍を拡大した模式断面図である。図４は、図２に示す領域ＩＩＩＩの要部拡大断面図である。図５は、図２に示す領域Ｖの要部拡大断面図である。まず、これら図１ないし図５を参照して、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａの構成について説明する。
図１（Ａ）は、実施の形態１に係るコンデンサの模式正面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中に示す矢印ＩＢ方向から見たコンデンサの模式平面図である。図２は、図１（Ｂ）中に示すＩＩ－ＩＩ線に沿ったコンデンサの模式断面図である。図３は、図２に示す絶縁基板の第１主面の近傍を拡大した模式断面図である。図４は、図２に示す領域ＩＩＩＩの要部拡大断面図である。図５は、図２に示す領域Ｖの要部拡大断面図である。まず、これら図１ないし図５を参照して、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａの構成について説明する。
【0011】
図１および図２に示すように、コンデンサ１Ａは、偏平な略直方体形状の外形を有しており、その底面が配線基板等に対する実装面として構成されたいわゆる表面実装型電子部品である。コンデンサ１Ａは、絶縁基板１０と、容量形成部２０と、封止部３０とを主として備えている。このうち、容量形成部２０は、絶縁基板１０に対向するように設けられている。容量形成部２０は、絶縁基板１０と当該絶縁基板１０上に設けられた封止部３０とによって封止されることでコンデンサ１Ａの内部に位置している。
【0012】
絶縁基板１０には、第１ビア導体１３および第２ビア導体１４と、複数の金属壁部１５と、第１バンプ１６および第２バンプ１７と、複数の隔壁部１８とが設けられている。第１ビア導体１３、第２ビア導体１４、第１バンプ１６および第２バンプ１７は、コンデンサ１Ａの内部に位置する容量形成部２０を外部の回路に電気的に接続するための引き出し配線としての一対の外部接続配線を構成している。一対の外部接続配線は、陽極としての第１外部接続配線と、陰極としての第２外部接続配線とを含んでいる。
【0013】
絶縁基板１０は、第１主面１０ａと、当該第１主面１０ａとは反対側に位置する第２主面１０ｂとを有する平板状の部材からなる。絶縁基板１０としては、電気的絶縁性を有する基板を用いることが好ましく、好適には無機材料を主成分とする基板が利用できる。より詳細には、絶縁基板１０としては、たとえばＳｉ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＭｇＯ、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３およびＣａＴｉＯ３のいずれかを主たる材料とした基板を用いることができる。
【0014】
絶縁基板１０の厚みおよび大きさは、特にこれが制限されるものではないが、たとえば厚みが５μｍ以上７５μｍ以下でありかつ一辺の長さが５００μｍ以上２０００μｍ以下の平面視矩形状のアルミナ基板が用いられることが好ましい。
【0015】
絶縁基板１０には、第１貫通孔１１が設けられており、第１貫通孔１１は、第１主面１０ａから第２主面１０ｂにまで達するように絶縁基板１０を貫通している。第１貫通孔１１は、第１ビア導体１３によって埋め込まれている。第１ビア導体１３の形状は、たとえば略円柱状である。
【0016】
絶縁基板１０には、第２貫通孔１２が設けられており、第２貫通孔１２は、第１主面１０ａから第２主面１０ｂにまで達するように絶縁基板１０を貫通している。第２貫通孔１２は、第２ビア導体１４によって埋め込まれている。第２ビア導体１４の形状は、たとえば略円柱状である。
【0017】
第１ビア導体１３は、上述した第１外部接続配線の一部を構成している。第２ビア導体１４は、上述した第２外部接続配線の一部を構成している。すなわち、第１ビア導体１３と第２ビア導体１４とは、異なる極性である第１外部接続配線および第２外部接続配線をそれぞれ構成している。
【0018】
第１ビア導体１３および第２ビア導体１４は、絶縁基板１０の第１主面１０ａの法線方向に沿って見た場合に、いずれも容量形成部２０が配置された領域内に設けられている。
【0019】
第１ビア導体１３および第２ビア導体１４としては、各種の配線材料にてこれを構成することができるが、特に電気伝導度が高い金属材料にてこれを構成することが好ましい。第１ビア導体１３および第２ビア導体１４の材質は、たとえばＮｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、ＭｏおよびＷのいずれかを主たる材料とした金属材料とすることができる。ここで、これら第１ビア導体１３および第２ビア導体１４の材質は、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａの実装環境に合わせて適宜変更可能であり、また、第１ビア導体１３の材質と第２ビア導体１４の材質とは、必ずしも同一である必要はない。本実施の形態においては、第１ビア導体１３および第２ビア導体１４としてＮｉからなるものが用いられている。
【0020】
第１ビア導体１３および第２ビア導体１４の軸方向長さおよび大きさは、特に制限されるものではなく、絶縁基板１０の厚みや大きさに応じて適宜設定される。ここで、第１ビア導体１３および第２ビア導体１４の軸方向長さは、たとえば５μｍ以上７５μｍ以下とされることが好ましく、これらの直径は、たとえば１５μｍ以上１５０μｍ以下とされることが好ましい。本実施の形態においては、第１ビア導体１３および第２ビア導体１４として、軸方向長さが７５μｍでありかつ直径が１５０μｍであるＮｉからなるものが用いられている。また、第１ビア導体１３と第２ビア導体１４との間の距離は、１５０μｍである。
【0021】
絶縁基板１０の第２主面１０ｂ上には、第１ビア導体１３を覆うように第１バンプ１６が設けられている。第１バンプ１６は、表面実装型電子部品としてのコンデンサ１Ａを配線基板等に実装するとともに、当該コンデンサ１Ａの容量形成部２０を外部の回路に電気的に接続するための接合材となるものであり、絶縁基板１０の第２主面１０ｂから突出するように設けられている。第１バンプ１６の形状は、略半円球状である。
【0022】
絶縁基板１０の第２主面１０ｂ上には、第２ビア導体１４を覆うように第２バンプ１７が設けられている。第２バンプ１７は、表面実装型電子部品としてのコンデンサ１Ａを配線基板等に実装するとともに、当該コンデンサ１Ａの容量形成部２０を外部の回路に電気的に接続するための接合材となるものであり、絶縁基板１０の第２主面１０ｂから突出するように設けられている。第２バンプ１７の形状は、略半円球状である。
【0023】
第１バンプ１６は、上述した第１外部接続配線の一部を構成している。第２バンプ１７は、上述した第２外部接続配線の一部を構成している。すなわち、第１バンプ１６と第２バンプ１７とは、異なる極性である第１外部接続配線および第２外部接続配線をそれぞれ構成している。
【0024】
第１バンプ１６および第２バンプ１７としては、各種の配線材料にてこれを構成することができるが、特に電気伝導度が高い金属材料にてこれを構成することが好ましい。第１バンプ１６の材質および第２バンプ１７の材質は、たとえばＮｉ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡｕおよびＳｎのいずれかを主たる材料とした金属材料とすることができる。本実施の形態においては、第１バンプ１６および第２バンプ１７として、Ａｕからなるものが用いられている。
【0025】
第１バンプ１６および第２バンプ１７の大きさは、特に制限されるものではなく、第１ビア導体１３および第２ビア導体１４の大きさに応じて適宜設定される。
【0026】
以上により、一対の外部接続配線のうちの陽極としての第１外部接続配線は、第１ビア導体１３および第１バンプ１６にて構成されており、一対の外部接続配線のうちの陰極としての第２外部接続配線は、第２ビア導体１４および第２バンプ１７にて構成されている。
【0027】
絶縁基板１０には、第１主面１０ａから容量形成部２０に向けて立設された複数の金属壁部１５が設けられている。第１主面１０ａの法線方向に沿って見た場合に、複数の金属壁部１５は、いずれも第１外部接続配線と第２外部接続配線との間に位置している。
【0028】
ここで、以下においては、図２中の左右方向を第１方向、図２中の上下方向を第２方向、これら第１方向および第２方向の双方に直交する、図２中の紙面と直交する方向を第３方向と称する。本実施の形態においては、第１方向は、第１外部接続配線と第２外部接続配線とを結ぶ方向に一致し、第２方向は、第１主面１０ａの法線方向と平行な方向に一致している。
【0029】
複数の金属壁部１５は、第２方向および第３方向の双方に沿って延在している。本実施の形態においては、２つの金属壁部１５が、第２方向および第３方向の双方に沿って直線状に延在している。
【0030】
このように構成された金属壁部１５によって容量形成部２０が区画されることにより、容量形成部２０が、第１外部接続配線側に位置する部位と、これよりも第２外部接続配線側に位置する部位とを含むこととなり、これによってコンデンサ１Ａの耐電圧の向上を図ることが可能になるが、その詳細については後述することとする。
【0031】
なお、金属壁部１５は、必ずしもこれが第２方向に沿って直線状に延在している必要はない。すなわち、金属壁部１５は、第２方向に対して相当程度に傾斜した方向に向けて第１主面１０ａから立設されていてもよい。また、金属壁部１５は、必ずしもこれが第３方向に沿って直線状に延在している必要はない。すなわち、容量形成部２０を第１外部接続配線側に位置する部位と、これよりも第２外部接続配線側に位置する部位とに区画できる限りにおいては、金属壁部１５は、たとえば屈曲状あるいは湾曲状等に延在していてもよい。
【0032】
金属壁部１５の第１方向における寸法（厚み）は、たとえば５μｍ以上１５０μｍ以下とされることが好ましく、より好適には、５μｍ以上７５μｍ以下とされる。これにより、後述する絶縁基板１０に生じ得る反りを効果的に抑制できることになる。
【0033】
また、金属壁部１５の第２方向における寸法（高さ）は、同方向における容量形成部２０の寸法（高さ）よりも大きいことが好ましく、金属壁部１５の第３方向における寸法（幅）は、同方向における容量形成部２０の寸法（幅）よりも大きいことが好ましい。これによっても、絶縁基板１０に生じ得る反りを効果的に抑制できることになる。
【0034】
金属壁部１５の材質は、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、ＴａおよびＮｂのいずれかを主たる材料とした金属材料とすることができる。また、これら金属材料のうちから選択される２種以上を主たる成分とした合金材料にて金属壁部１５を構成することとしてもよい。本実施の形態においては、金属壁部１５として、Ｃｕからなるものが用いられている。
【0035】
絶縁基板１０には、さらに、第１主面１０ａから容量形成部２０に向けて立設された複数の隔壁部１８が設けられている。第１主面１０ａの法線方向に沿って見た場合に、複数の隔壁部１８は、いずれも第１外部接続配線と第２外部接続配線との間に位置している。
【0036】
複数の隔壁部１８は、第２方向および第３方向の双方に沿って延在している。本実施の形態においては、２つの隔壁部１８が、第２方向および第３方向の双方に沿って直線状に延在している。
【0037】
なお、隔壁部１８は、必ずしもこれが第２方向に沿って直線状に延在している必要はない。すなわち、隔壁部１８は、第２方向に対して相当程度に傾斜した方向に向けて第１主面１０ａから立設されていてもよい。また、隔壁部１８は、必ずしもこれが第３方向に沿って直線状に延在している必要はない。すなわち、容量形成部２０を第１外部接続配線側に位置する部位と、これよりも第２外部接続配線側に位置する部位とに区画できる限りにおいては、隔壁部１８は、たとえば屈曲状あるいは湾曲状等に延在していてもよい。
【0038】
隔壁部１８の第１方向における寸法（厚み）は、たとえば５μｍ以上１５０μｍ以下とされることが好ましく、より好適には、５μｍ以上７５μｍ以下とされる。これにより、隔壁部１８によって区画される一対の容量形成部の各々の導電膜２３同士が意図せず連続的に形成されてしまうことを確実に防止できるだけでなく、絶縁基板１０に生じ得る反りを効果的に抑制できることになる。
【0039】
また、隔壁部１８の第２方向における寸法（高さ）は、同方向における容量形成部２０の寸法（高さ）よりも大きいことが好ましく、隔壁部１８の第３方向における寸法（幅）は、同方向における容量形成部２０の寸法（幅）よりも大きいことが好ましい。これによっても、隔壁部１８によって区画される一対の容量形成部の各々の導電膜２３同士が意図せず連続的に形成されてしまうことを確実に防止できるだけでなく、絶縁基板１０に生じ得る反りを効果的に抑制できることになる。
【0040】
隔壁部１８としては、後述する金属多孔体２１に含まれる材料のうちの少なくとも一部と同一の材料を含んで構成することが好ましい。隔壁部１８の材質は、たとえばＮｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、ＴａおよびＮｂのいずれかを主たる材料とした金属材料とすることができる。また、これら金属材料のうちから選択される２種以上を主たる成分とした合金材料にて隔壁部１８を構成することとしてもよい。本実施の形態においては、隔壁部１８として、Ｎｉからなるものが用いられている。
【0041】
ここで、上述したように、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａは、２つの金属壁部１５と２つの隔壁部１８とを備えている。以下においては、２つの金属壁部１５のうち、第１外部接続配線側に位置するものを金属壁部１５Ａと称し、当該金属壁部１５Ａよりも第２外部接続配線側に位置するものを金属壁部１５Ｂと称する。同様に、２つの隔壁部１８のうち、第１外部接続配線側に位置するものを隔壁部１８Ａと称し、当該隔壁部１８Ａよりも第２外部接続配線側に位置するものを隔壁部１８Ｂと称する。
【0042】
これら２つの金属壁部１５と２つの隔壁部１８とは、第１外部接続配線側から第２外部接続線側に向かって（すなわち、図２中の左側から右側に向かって）金属壁部１５Ａ、隔壁部１８Ａ、金属壁部１５Ｂおよび隔壁部１８Ｂの順に配置されている。このように構成することにより、容量形成部２０を複数の容量形成部に区画することが可能になるが、この点については後において詳述することとする。
【0043】
図２に示すように、容量形成部２０は、絶縁基板１０の第１主面１０ａに対向するように設けられており、内部に複数の微細な孔を有する導電性の金属多孔体２１と、当該金属多孔体２１の表面を覆う誘電体膜２２と、当該誘電体膜２２の表面をさらに覆う導電膜２３とを含んでいる。
【0044】
なお、容量形成部２０は、絶縁基板１０に対向するように設けられているものの、絶縁基板１０には実質的に直接的には接合されていないか、あるいは、直接的に接合されているとしてもわずかしか接合されていない。ここで、容量形成部２０が絶縁基板１０にわずかしか接合されていない状態とは、容量形成部２０の一部が所定の比率以下で絶縁基板１０に接合されている状態を意味している。すなわち、容量形成部２０が絶縁基板１０にわずかしか接合されていない状態とは、図３に示すように、絶縁基板１０の第１主面１０ａの延在方向と直交する断面において、絶縁基板１０の第１主面１０ａ上の任意の領域を見た場合に、当該任意の領域において、金属多孔体２１が絶縁基板１０に対して直接的に、あるいは誘電体膜２２もしくは導電膜２３を介して間接的に接合されている部分の第１主面１０ａに平行な線分長の合計（すなわち、図３に示す例においては線分長ｂ１＋ｂ２）が、第１主面１０ａの当該任意の領域における全線分長（すなわち、図３に示す例においては線分長ａ）の３０％以下であることを意味している。
【0045】
金属多孔体２１は、その内部に設けられた複数の微細な孔の少なくとも一部が、当該金属多孔体自体によって閉じられておらず、好適には、その内部に設けられた複数の微細な孔の大部分または全部が、当該金属多孔体自体によって閉じられていない。このような金属多孔体は、たとえば金属粒子の焼結体にて構成される。
【0046】
金属多孔体２１としては、各種の導電性金属材料にてこれを構成することができるが、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｐｔ、ＡｕおよびＡｇのいずれかを主たる材料とした金属材料にてこれを構成することが好ましい。また、これら金属材料のうちから選択される２種以上を主たる成分とした合金材料にて金属多孔体２１を構成することとしてもよい。本実施の形態においては、金属多孔体２１として、Ｎｉからなるものが用いられている。
【0047】
金属多孔体２１の厚みおよび大きさは、特にこれが制限されるものではなく、特にその大きさは、絶縁基板１０の大きさに応じて適宜設定される。本実施の形態においては、金属多孔体２１として、後述の如く容量形成部２０が区画される前の状態において１０００μｍ角で厚みが２００μｍのものが用いられている。
【0048】
ここで、上述したように、金属多孔体２１は、金属粒子の焼結体にて構成されていることが好ましい。その場合、金属粒子としては、球状、楕円球状、偏平状、板状、針状等、様々な形状のものが利用できる。また、金属粒子の粒径は、特に制限されるものではないが、その平均粒径が６００ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0049】
ここで、図２に示すように、金属多孔体２１は、その一部が第１ビア導体１３に接合している。そのため、上述した陽極としての第１外部接続配線は、第１ビア導体１３を介して容量形成部２０に接続されている。
【0050】
誘電体膜２２は、上述したように金属多孔体２１の表面を覆っている。より詳細には、誘電体膜２２は、容量形成部２０の最も外側に位置する部分の金属多孔体２１の表面を覆っているのみならず、容量形成部２０の内部に位置する部分の金属多孔体２１の表面のうち、当該金属多孔体自体によって閉じられていない上述した微細な孔によって規定された表面をも覆っている。また、誘電体膜２２は、金属多孔体２１に接合されていない部分の隔壁部１８の表面も覆っている。
【0051】
誘電体膜２２としては、各種の絶縁材料にてこれを構成することができるが、たとえば、ＡｌＯｘ、ＳｉＯｘ、ＨｆＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｒＯｘ、ＳｉＡｌＯｘ、ＨｆＡｌＯｘ、ＺｒＡｌＯｘ、ＡｌＴｉＯｘ、ＳｒＴｉＯｘ、ＨｆＳｉＯｘ、ＺｒＳｉＯｘ、ＴｉＺｒＯｘ、ＴｉＺｒＯｘ、ＴｉＺｒＷＯｘ、ＳｒＴｉＯｘ、ＢａＴｉＯｘ、ＰｂＴｉＯｘ、ＢａＳｒＴｉＯｘ、ＢａＣａＴｉＯｘ等の金属酸化物、ＡｌＮｘ、ＳｉＮｘ、ＡｌＳｃＮｘ等の金属窒化物、ＡｌＯｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、ＨｆＯｘＮｙ、ＳｉＣｘＯｙＮｚ等の金属酸窒化物にてこれを構成することができる。その中でも、ＡｌＯｘ（たとえばＡｌ２Ｏ３）、ＳｉＯｘ（たとえばＳｉＯ２）、ＨｆＯｘ、ＴｉＯｘ、ＳｉＡｌＯｘ、ＨｆＡｌＯｘ、ＺｒＡｌＯｘ、ＨｆＳｉＯｘおよびＺｒＳｉＯｘのいずれかにて誘電体膜２２を構成することが好ましい。なお、上記の化学式は、単に材料の構成を示すものであり、組成を限定するものではない。すなわち、ＯおよびＮに付されたｘ、ｙおよびｚは、０より大きい任意の値であってよく、金属元素を含む各元素の存在比率は任意である。また、誘電体膜２２は、材質の異なる複数の誘電体層からなる積層膜にて構成されていてもよい。本実施の形態においては、誘電体膜２２として、ＡｌＳｉＯからなるものが用いられている。
【0052】
誘電体膜２２は、好ましくは、気相法、たとえば真空蒸着法、化学蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、原子層堆積（ＡＬＤ）法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Pulsed Laser Deposition）法等、または、超臨界流体を用いる方法によって形成することができ、特に好適には、ＡＬＤ法によって形成される。
【0053】
誘電体膜２２の厚みは、特に制限されるものではないが、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、さらに好適には、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とされる。誘電体膜２２の厚みが３ｎｍ以上であることにより、コンデンサ１Ａの耐電圧を向上させることができる。
【0054】
導電膜２３は、上述したように誘電体膜２２の表面を覆っている。より詳細には、導電膜２３は、容量形成部２０の最も外側に位置する部分の誘電体膜２２の表面を覆っているのみならず、容量形成部２０の内部に位置する部分の誘電体膜２２の表面をも覆っている。
【0055】
ここで、導電膜２３は、隔壁部１８を覆う部分およびその近傍に位置する部分の誘電体膜２２の表面を覆っていない。これにより、隔壁部１８から見て第１外部接続配線側の部分の導電膜２３と、隔壁部１８から見て第２外部接続配線側の部分の導電膜２３とは、互いに不連続となるように構成されている。このように構成することにより、コンデンサ１Ａの耐電圧の向上を図ることが可能になるが、その詳細については後述することとする。
【0056】
導電膜２３としては、各種の導電材料にてこれを構成することができるが、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、ＴａおよびＮｂのいずれかを主たる材料とした金属材料、これら金属材料のうちから選択される２種以上を主たる成分とした合金材料、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＷＮ等の金属窒化物、ＴｉＯＮ、ＴｉＡｌＯＮ等の金属酸窒化物、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン））、ポリピロール、ポリアニン等の導電性高分子、ＲｕＯ２、ＺｎＯ、（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ、ＮｉＯ等の導電性酸化膜にてこれを構成することができる。その中でも、ＴｉＮあるいはＴｉＯＮもしくはＺｎＯ、ＲｕＯ等の酸化物半導体にて導電膜２３を構成することが好ましい。本実施の形態においては、導電膜２３として、ＴｉＮからなるものが用いられている。
【0057】
導電膜２３は、好ましくは、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、ＰＬＤ法、めっき法、バイアススパッタ法、ゾルゲル法、導電性高分子充填を用いる方法、または、超臨界流体を用いる方法によって形成することができ、特に好適には、ＡＬＤ法によって形成される。また、導電膜２３は、材質の異なる複数の導電層からなる積層膜にて構成されていてもよい。その場合には、ＡＬＤ法にて成膜を行なった後に他の方法にて成膜を行なうことができる。
【0058】
導電膜２３の厚みは、特に制限されるものではないが、３ｎｍ以上であることが好ましく、さらに好適には、１０ｎｍ以上とされる。
【0059】
ここで、上述した誘電体膜２２および導電膜２３は、金属多孔体２１の表面のみならず、絶縁基板１０の第１主面１０ａ側の所定の部分をも覆っている。さらに、図４に示すように、誘電体膜２２および導電膜２３は、絶縁基板１０に設けられた第２貫通孔１２を規定する部分の絶縁基板１０の表面をも覆っている。より詳細には、第２ビア導体１４と絶縁基板１０の基材との境界部においては、絶縁基板１０の基材が誘電体膜２２によって覆われているとともに、誘電体膜２２が導電膜２３によって覆われており、さらに導電膜２３が第２ビア導体１４によって覆われている。また、第２ビア導体１４の第１主面１０ａ側の端部は、容量形成部２０によって覆われている。
【0060】
これにより、導電膜２３は、第２ビア導体１４に接合している。そのため、上述した陰極としての第２外部接続配線は、第２ビア導体１４を介して容量形成部２０に接続されている。
【0061】
図２に示すように、封止部３０は、絶縁基板１０の第１主面１０ａ上に設けられており、当該絶縁基板１０と共に容量形成部２０を封止するとともに、容量形成部２０から見て絶縁基板１０側とは反対側に位置する外面３０ａを規定している。より詳細には、封止部３０は、絶縁基板１０の第１主面１０ａに対向するように設けられた容量形成部２０の上方、側方および下方を覆うように位置しており、さらには、容量形成部２０の内部に設けられた孔を埋め込むように位置している。
【0062】
封止部３０としては、各種の絶縁材料にてこれを構成することができるが、特に耐候性に優れた絶縁材料にてこれを構成することが好ましい。封止部３０の材質は、たとえばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、または、エポキシ樹脂等の樹脂材料とすることができる。また、当該樹脂材料には、各種の添加物を含めることができ、たとえば熱膨張係数を調整するために、ＳｉＯ２フィラーやＡｌ２Ｏ３フィラー等を含有させてもよい。本実施の形態においては、封止部３０として、エポキシ樹脂からなるものが用いられている。
【0063】
なお、封止部３０のみでは耐湿性の確保が困難な場合には、容量形成部２０と封止部３０との間に耐湿保護膜を形成してもよい。当該耐湿保護膜は、たとえば封止部３０を形成する前に、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２等からなる無機絶縁体をＣＶＤ法、ＡＬＤ法等によって容量形成部２０を覆うように設けたり、あるいは、フッ素系樹脂、シランカップリング剤樹脂等の撥水性を有する有機物絶縁体を、容量形成部２０を覆うように設けたりすることで形成することができる。ここで、当該耐湿保護膜は、必ずしも容量形成部２０の内部にまで形成されている必要はなく、外側表面のみを覆うように形成されていれば足りる。
【0064】
封止部３０は、各種の塗布方法によって成膜することができ、たとえば真空ラミネータを用いた方法や、エア式ディスペンサを用いた方法、ジェットディスペンサを用いた方法、スクリーン印刷法、真空印刷法、静電塗布法、インクジェット法、フォトリソグラフィー法等が利用できる。
【0065】
封止部３０の厚みおよび大きさは、特に制限されるものではなく、その大きさは、絶縁基板１０の大きさに応じて適宜設定される。ここで、封止部３０の厚みは、たとえば５μｍ以上５０μｍ以下とされることが好ましく、その大きさは、たとえば絶縁基板１０の第１主面１０ａの全面を覆う程度であることが好ましい。
【0066】
上述した封止部３０の厚みの測定は、たとえば、絶縁基板１０の第１主面１０ａの延在方向と直交する断面を光学顕微鏡を用いて観察することで行なわれる。
【0067】
詳細には、コンデンサ１Ａを平面視した場合の当該コンデンサ１Ａの長手方向をＬｘ、短手方向をＬｙとし、当該コンデンサ１Ａの厚み方向（すなわち、第１主面１０ａの法線方向）をＬｚとしたときに、まず、Ｌｙ方向における中央に位置する部分のコンデンサ１ＡのＬｘ－Ｌｚ断面が露出することとなるように、コンデンサ１Ａを研磨処理する。当該研磨処理は、露出する断面が、上記中央位置を基準としてＬｙ方向において±１００μｍの誤差範囲内に位置することとなるように行なわれる。
【0068】
次に、露出した断面のうちの外面３０ａ近傍の部分を、光学顕微鏡を用いて倍率１０００倍にて観察する。当該断面のＬｘ方向の観察範囲は、Ｌｘ方向における当該断面の中央位置を基準として±５０μｍの範囲であり、かつ金属壁部１５および隔壁部１８のいずれも設けられていない範囲である。
【0069】
次に、上記断面の観察範囲において、Ｌｘ方向に等間隔に１０箇所で封止部３０のＬｚ方向の厚みを測り、これらの平均値を算出する。このようにして算出された平均値が、封止部３０の厚みとなる。ここで、図５においては、これら１０箇所で測定される封止部３０のＬｚ方向の厚みのうちの３つを、線分長ｅ１，ｅ２，ｅ３として例示している。
【0070】
以上の構成を有することにより、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにあっては、金属多孔体２１、誘電体膜２２および導電膜２３からなる容量形成部２０が、絶縁基板１０と封止部３０とによって封止されることになるとともに、当該容量形成部２０の電気的な引き出しが、一対の外部接続配線によって実現されることになる。
【0071】
ここで、図２に示すように、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにおいては、容量形成部２０が、複数の金属壁部１５と複数の隔壁部１８とによって複数の容量形成部に区画されており、これら複数の容量形成部は、第１外部接続配線側から第２外部接続線側に向かって（すなわち、図２中の左側から右側に向かって）並んで配置されている。
【0072】
本実施の形態における容量形成部２０は５つに区画されており、説明の便宜上、これら５つの容量形成部を、第１外部接続配線に最も近いものから順に容量形成部２０Ａ、容量形成部２０Ｂ、容量形成部２０Ｃ、容量形成部２０Ｄおよび容量形成部２０Ｅと称することとする。
【0073】
また、本実施の形態においては、容量形成部２０Ａを規定する部分の金属多孔体２１、誘電体膜２２および導電膜２３を、それぞれ金属多孔体２１Ａ、誘電体膜２２Ａおよび導電膜２３Ａと称する。同様に、容量形成部２０Ｂを規定する部分の金属多孔体２１、誘電体膜２２および導電膜２３を、それぞれ金属多孔体２１Ｂ、誘電体膜２２Ｂおよび導電膜２３Ｂと称し、容量形成部２０Ｃを規定する部分の金属多孔体２１、誘電体膜２２および導電膜２３を、それぞれ金属多孔体２１Ｃ、誘電体膜２２Ｃおよび導電膜２３Ｃと称し、容量形成部２０Ｄを規定する部分の金属多孔体２１、誘電体膜２２および導電膜２３を、それぞれ金属多孔体２１Ｄ、誘電体膜２２Ｄおよび導電膜２３Ｄと称し、容量形成部２０Ｅを規定する部分の金属多孔体２１、誘電体膜２２および導電膜２３を、それぞれ金属多孔体２１Ｅ、誘電体膜２２Ｅおよび導電膜２３Ｅと称する。
【0074】
なお、本実施の形態においては、容量形成部２０Ａが第１容量形成部に対応し、容量形成部２０Ｂ～２０Ｅが第２容量形成部に対応している。そのため、金属多孔体２１Ａが第１金属多孔体に、誘電体膜２２Ａが第１誘電体膜に、導電膜２３Ａが第１導電膜に対応しており、金属多孔体２１Ｂ～２１Ｅが第２金属多孔体に、誘電体膜２２Ｂ～２２Ｅが第２誘電体膜に、導電膜２３Ｂ～２３Ｅが第２導電膜に対応している。
【0075】
また、本実施の形態においては、容量形成部２０Ｂが第３容量形成部に対応し、容量形成部２０Ｃ～２０Ｅが第４容量形成部に対応している。そのため、金属多孔体２１Ｂが第３金属多孔体に、誘電体膜２２Ｂが第３誘電体膜に、導電膜２３Ｂが第３導電膜に対応しており、金属多孔体２１Ｃ～２１Ｅが第４金属多孔体に、誘電体膜２２Ｃ～２２Ｅが第４誘電体膜に、導電膜２３Ｃ～２３Ｅが第４導電膜に対応している。
【0076】
さらに、本実施の形態においては、容量形成部２０Ｃが第５容量形成部に対応し、容量形成部２０Ｄ，２０Ｅが第６容量形成部に対応している。そのため、金属多孔体２１Ｃが第５金属多孔体に、誘電体膜２２Ｃが第５誘電体膜に、導電膜２３Ｃが第５導電膜に対応しており、金属多孔体２１Ｄ，２１Ｅが第６金属多孔体に、誘電体膜２２Ｄ，２２Ｅが第６誘電体膜に、導電膜２３Ｄ，２３Ｅが第６導電膜に対応している。
【0077】
また、本実施の形態においては、容量形成部２０Ｄが第７容量形成部に対応し、容量形成部２０Ｅが第８容量形成部に対応している。そのため、金属多孔体２１Ｄが第７金属多孔体に、誘電体膜２２Ｄが第７誘電体膜に、導電膜２３Ｄが第７導電膜に対応しており、金属多孔体２１Ｅが第８金属多孔体に、誘電体膜２２Ｅが第８誘電体膜に、導電膜２３Ｅが第８導電膜に対応している。
【0078】
さらに、本実施の形態においては、金属壁部１５Ａおよび金属壁部１５Ｂが、それぞれ第１金属壁部および第２金属壁部に対応しており、隔壁部１８Ａおよび隔壁部１８Ｂが、それぞれ第１隔壁部および第２隔壁部に対応している。
【0079】
以下においては、複数の容量形成部２０Ａ～２０Ｅの構成、および、複数の容量形成部２０Ａ～２０Ｅと金属壁部１５および隔壁部１８との関係について詳細に説明する。
【0080】
本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにあっては、金属壁部１５Ａが絶縁基板１０に設けられていることにより、容量形成部２０が、容量形成部２０Ａと、その余の部分である容量形成部２０Ｂ～２０Ｅとに区画されている。容量形成部２０Ａは、第１外部接続配線側に位置しており、容量形成部２０Ｂ～２０Ｅは、容量形成部２０Ａよりも第２外部接続配線側に位置している。
【0081】
容量形成部２０Ａの金属多孔体２１Ａは、第１ビア導体１３に接合されており、容量形成部２０Ｅの導電膜２３Ｅは、第２ビア導体１４に接合されている。
【0082】
ここで、コンデンサ１Ａにあっては、金属壁部１５Ａが、容量形成部２０Ａの導電膜２３Ａに接合している一方で、金属多孔体２１Ａと誘電体膜２２Ａとには接合していない。また、金属壁部１５Ａが、容量形成部２０Ｂ～２０Ｅのうちの金属壁部１５Ａに隣接する部分である容量形成部２０Ｂの導電膜２３Ｂに接合している一方で、金属多孔体２１Ｂと誘電体膜２２Ｂとには接合していない。
【0083】
このように構成することにより、容量形成部２０Ｂ～２０Ｅが容量形成部２０Ａを介して第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、容量形成部２０Ａが容量形成部２０Ｂ～２０Ｅを介して第２外部接続配線に電気的に接続される。その結果、容量形成部２０Ａと容量形成部２０Ｂ～２０Ｅとが、第１外部接続配線と第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されることになる。
【0084】
また、コンデンサ１Ａにあっては、図２および図５に示すように、容量形成部２０のうちの容量形成部２０Ｂ～２０Ｅに対応する部分の導電膜２３が、隔壁部１８Ａおよびその近傍を境界として不連続となるように構成されている。より詳細には、隔壁部１８Ａから見て第１外部接続配線側の部分である容量形成部２０Ｂの導電膜２３Ｂと、隔壁部１８Ａから見て第２外部接続配線側の部分でありかつ当該隔壁部１８Ａに隣接する部分である容量形成部２０Ｃの導電膜２３Ｃとが、互いに不連続となるように構成されている。換言すれば、導電膜２３が、互いに不連続である導電膜２３Ｂおよび導電膜２３Ｃを含むことにより、容量形成部２０は、導電膜２３Ｂと、当該導電膜２３Ｂに対応する部分の誘電体膜２２である誘電体膜２２Ｂと、当該誘電体膜２２Ｂに対応する部分の金属多孔体２１である金属多孔体２１Ｃとによって規定される容量形成部２０Ｂ、および、導電膜２３Ｃと、当該導電膜２３Ｃに対応する部分の誘電体膜２２である誘電体膜２２Ｃと、当該誘電体膜２２Ｃに対応する部分の金属多孔体２１である金属多孔体２１Ｃとによって規定される容量形成部２０Ｃを含むこととなる。
【0085】
隔壁部１８Ａは、金属多孔体２１Ｂ～２１Ｅを金属多孔体２１Ｂと金属多孔体２１Ｃ～２１Ｅとに区画するとともに、誘電体膜２２Ｂ～２２Ｅを誘電体膜２２Ｂと誘電体膜２２Ｃ～２２Ｅとに区画し、さらに、導電膜２３Ｂ～２３Ｅを導電膜２３Ｂと導電膜２３Ｃ～２３Ｅとに区画している。
【0086】
また、隔壁部１８Ａは、導電膜２３Ｂおよび導電膜２３Ｃには接合していない。一方で、隔壁部１８Ａは、第１外部接続配線側の側面において容量形成部２０Ｂの金属多孔体２１Ｂに接合しており、第２外部接続配線側の側面において容量形成部２０Ｃの金属多孔体２１Ｃに接合している。
【0087】
このように構成することにより、容量形成部２０Ｃ～２０Ｅが容量形成部２０Ｂを介して第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、容量形成部２０Ｂが容量形成部２０Ｃ～２０Ｅを介して第２外部接続配線に電気的に接続される。その結果、容量形成部２０Ｂと容量形成部２０Ｃ～２０Ｅとが、第１外部接続配線と第２外部接続配線との間において隔壁部１８Ａを介して電気的に直列に接続されることになる。
【0088】
さらに、コンデンサ１Ａにあっては、金属壁部１５Ｂが絶縁基板１０に設けられていることにより、容量形成部２０のうちの容量形成部２０Ｃ～２０Ｅが、容量形成部２０Ｃと、その余の部分である容量形成部２０Ｄ，２０Ｅとに区画されている。容量形成部２０Ｃは、第１外部接続配線側に位置しており、容量形成部２０Ｄ，２０Ｅは、容量形成部２０Ｃよりも第２外部接続配線側に位置している。
【0089】
ここで、コンデンサ１Ａにあっては、金属壁部１５Ｂが、容量形成部２０Ｃの導電膜２３Ｃに接合している一方で、金属多孔体２１Ｃと誘電体膜２２Ｃとには接合していない。また、金属壁部１５Ｂが、容量形成部２０Ｄ，２０Ｅのうちの金属壁部１５Ｂに隣接する部分である容量形成部２０Ｄの導電膜２３Ｄに接合している一方で、金属多孔体２１Ｄと誘電体膜２２Ｄとには接合していない。
【0090】
このように構成することにより、容量形成部２０Ｄ，２０Ｅが容量形成部２０Ｃを介して第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、容量形成部２０Ｃが容量形成部２０Ｄ，２０Ｅを介して第２外部接続配線に電気的に接続される。その結果、容量形成部２０Ｃと容量形成部２０Ｄ，２０Ｅとが、第１外部接続配線と第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されることになる。
【0091】
また、コンデンサ１Ａにあっては、容量形成部２０のうちの容量形成部２０Ｄ，２０Ｅに対応する部分の導電膜２３が、隔壁部１８Ｂおよびその近傍を境界として不連続となるように構成されている。より詳細には、隔壁部１８Ｂから見て第１外部接続配線側の部分である容量形成部２０Ｄの導電膜２３Ｄと、隔壁部１８Ｂから見て第２外部接続配線側の部分である容量形成部２０Ｅの導電膜２３Ｅとが、互いに不連続となるように構成されている。換言すれば、導電膜２３が、互いに不連続である導電膜２３Ｄおよび導電膜２３Ｅを含むことにより、容量形成部２０は、導電膜２３Ｄと、当該導電膜２３Ｄに対応する部分の誘電体膜２２である誘電体膜２２Ｄと、当該誘電体膜２２Ｄに対応する部分の金属多孔体２１である金属多孔体２１Ｄとによって規定される容量形成部２０Ｄ、および、導電膜２３Ｅと、当該導電膜２３Ｅに対応する部分の誘電体膜２２である誘電体膜２２Ｅと、当該誘電体膜２２Ｅに対応する部分の金属多孔体２１である金属多孔体２１Ｅとによって規定される容量形成部２０Ｅを含むこととなる。
【0092】
隔壁部１８Ｂは、金属多孔体２１Ｄ，２１Ｅを金属多孔体２１Ｄと金属多孔体２１Ｅとに区画するとともに、誘電体膜２２Ｄ，２２Ｅを誘電体膜２２Ｄと誘電体膜２２Ｅとに区画し、さらに、導電膜２３Ｄ，２３Ｅを導電膜２３Ｄと導電膜２３Ｅとに区画している。
【0093】
また、隔壁部１８Ｂは、導電膜２３Ｄおよび導電膜２３Ｅには接合していない。一方で、隔壁部１８Ｂは、第１外部接続配線側の側面において容量形成部２０Ｄの金属多孔体２１Ｄに接合しており、第２外部接続配線側の側面において容量形成部２０Ｅの金属多孔体２１Ｅに接合している。
【0094】
このように構成することにより、容量形成部２０Ｅが容量形成部２０Ｄを介して第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、容量形成部２０Ｄが容量形成部２０Ｅを介して第２外部接続配線に電気的に接続される。その結果、容量形成部２０Ｄと容量形成部２０Ｅとが、第１外部接続配線と第２外部接続配線との間において隔壁部１８Ｂを介して電気的に直列に接続されることになる。
【0095】
以上の構成を有することにより、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにあっては、容量形成部２０Ａ、容量形成部２０Ｂ、容量形成部２０Ｃ、容量形成部２０Ｄおよび容量形成部２０Ｅが、この順で第１外部接続配線と第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されることになる。
【0096】
なお、本実施の形態においては、上述したように、５つの容量形成部２０Ａ～２０Ｅが直列に接続される場合について例示したが、直列に接続される容量形成部の数（すなわち、容量形成部２０の区画数）は、複数であれば特にこれが５つに限定されるものではなく、２つ以上４つ以下であってもよいし、６つ以上であってもよい。直列に接続される容量形成部の数を変更する場合には、金属壁部１５が１つ設けられたコンデンサに付加する他の金属壁部１５の数と、上記導電膜２３が不連続に構成される部分の数とを、適宜変更すればよい。このとき、金属壁部１５と、導電膜２３が不連続に構成される部分とは、第１外部接続配線側から第２外部接続線側に向かって交互に配置される必要がある。
【0097】
また、上述した本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにおいては、導電膜２３Ｂと導電膜２３Ｃとを互いに不連続となるように形成し、かつ、容量形成部２０Ｂと容量形成部２０Ｃとの間に設けられた隔壁部１８Ａに金属多孔体２１Ｂおよび金属多孔体２１Ｃを接合させることにより、容量形成部２０Ｂと容量形成部２０Ｃとを相互に区画しかつこれらを電気的に直列に接続させることを実現しているが、コンデンサ１Ａにおいては、必ずしも隔壁部１８Ａが設けられる必要はない。すなわち、隔壁部１８Ａが設けられることなく金属多孔体２１Ｂと金属多孔体２１Ｃとが互いに接合されている場合においても、導電膜２３Ｂと導電膜２３Ｃとが互いに不連続となるように構成されていれば、上述の如く容量形成部２０Ｂと容量形成部２０Ｃとを相互に区画しかつこれらを電気的に直列に接続させることは実現可能である。この点は、隔壁部１８Ｂと、容量形成部２０Ｄおよび容量形成部２０Ｅとの関係についても同様である。
【0098】
図６は、本実施の形態に係るコンデンサの製造方法を示すフロー図である。図７ないし図２３は、それぞれ図６に示す製造フローの各ステップを説明するための模式断面図である。次に、これら図６ないし図２３を参照して、上述した本実施の形態に係るコンデンサ１Ａを製造するための具体的な製造方法の一例について説明する。
【0099】
以下に示すコンデンサ１Ａの製造方法は、製造工程の途中段階まで一括して加工処理を行なうことで仕掛り途中のコンデンサの集合体を製作し、その後に当該集合体を分断することで個片化し、個片化後の仕掛り品にさらに加工処理を施すことによって複数のコンデンサ１Ａを同時に大量に生産する方法である。
【0100】
まず、図６に示すように、ステップＳ１において、グリーンシートが製作される。詳細には、Ａｌ２Ｏ３粉末とガラス粉末とが秤量され、これらＡｌ２Ｏ３粉末およびガラス粉末と、トルエン、エタノール等の有機溶媒と、ポリビニルブチラール等のバインダーとが混合される。その後、この混合物がシート状に成形され、これによって絶縁基板のもととなるグリーンシートが製作される。なお、グリーンシートの製作後においては、これが裁断されることで複数のグリーンシートが準備される。
【0101】
次に、図６に示すように、ステップＳ２において、複数のグリーンシートのうちの一部に第１貫通孔および第２貫通孔が形成される。詳細には、グリーンシートの所定位置に、陽極の一部である第１ビア導体によって後において埋め込まれることになる第１貫通孔１１が設けられるとともに、陰極の一部である第２ビア導体によって後において埋め込まれることになる第２貫通孔１２が設けられる。
【0102】
ここで、第１貫通孔１１および第２貫通孔１２の形成方法は、特にこれが制限されるものではないが、たとえばグリーンシートにレーザー光を照射することでこれら第１貫通孔１１および第２貫通孔１２を形成することができる。また、この他にも、メカパンチャーを用いた加工やサンドブラスト加工にてこれら第１貫通孔１１および第２貫通孔１２を形成してもよい。
【0103】
次に、図６に示すように、ステップＳ３において、第１貫通孔および第２貫通孔が形成されたグリーンシートに第１ビア導体が形成される。詳細には、第１貫通孔１１を埋め込むように、導電性ペーストがグリーンシートに塗布される。なお、その際、第２貫通孔１２は、導電性ペーストによって埋め込まれないようにする。
【0104】
ここで、導電性ペーストの塗布方法は、特にこれが制限されるものではないが、たとえばスクリーン印刷法を利用することができる。
【0105】
次に、図６に示すように、ステップＳ４において、グリーンシートが焼成される。詳細には、ステップＳ３において導電性ペーストが塗布された後のグリーンシートに、第１貫通孔および第２貫通孔等が設けられていないグリーンシートが重ね合わされ、これら重ね合わされたグリーンシートが圧着される。そして、この圧着後のグリーンシートの積層体が脱脂処理され、さらにその後、脱脂処理後のグリーンシートの積層体が焼成される。
【0106】
ここで、グリーンシートを積層するに際しては、導電性ペーストが塗布されたグリーンシートの上記一方の主面と対向する他方の主面に、第１貫通孔１１および第２貫通孔１２等が設けられていないグリーンシートが積層される。また、グリーンシートを圧着するに際しては、たとえば一軸プレス機を用いることができる。さらに、グリーンシートの焼成は、たとえば大気雰囲気下において７００℃～１０００℃の温度条件にて行なわれる。
【0107】
以上において説明したステップＳ１～Ｓ４を経ることにより、図７に示す如くの絶縁基板が得られることになる。ここで、当該絶縁基板は、最終的に複数個のコンデンサの各々に含まれることとなる絶縁基板が行列状に連接されたいわゆる複数取り基板であるが、図７においては、そのうちの１つの絶縁基板１０にのみ着目することとし、その周囲部分は、これを破線にて省略して示している。
【0108】
また、上記においては、ステップＳ２において第１貫通孔および第２貫通孔が形成され、その後にステップＳ３において第１ビア導体が設けられる場合を例示したが、先に第１貫通孔のみが形成され、第１ビア導体が形成された後に第２貫通孔が形成されるようにしてもよい。
【0109】
また、上記においては、グリーンシートと導電性ペーストとが同時に焼成される場合を例示して説明を行なったが、貫通孔等が設けられていない絶縁基板が焼成された後に、第１ビア導体１３および第２貫通孔１２が設けられるようにしてもよい。その場合には、焼成後の絶縁基板に、たとえばサンドブラスト法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法等によって第１貫通孔１１および第２貫通孔１２が設けられ、さらにその後に、導電性ペーストが塗布されてこれが焼成されるようにすればよい。また、この他にも、スパッタリングや蒸着、めっき等によって第１ビア導体１３が形成されてもよい。
【0110】
次に、図６に示すように、ステップＳ５において、容量形成部２０を構成する金属多孔体２１を形成するための導電性ペーストが塗布される。
【0111】
より詳細には、図８に示すように、絶縁基板１０の第１主面１０ａ上に、後述する金属多孔体２１を形成するための導電性ペースト２１ｐが塗布される。導電性ペースト２１ｐは、導電性の金属粒子２１ａと、ターピネオール等の有機溶媒およびエチルセルロースのワニスからなるバインダー２１ｂとが秤量されて混合された後にロール機を用いることで作製されるものである。このようにして作製された導電性ペースト２１ｐが、全体として平面視矩形状のパターン形状を有するように絶縁基板１０の第１主面１０ａ上に塗布されて乾燥させられる。
【0112】
このとき、導電性ペースト２１ｐは、複数回に分けて重ね塗りされ、これによって所定の厚みを有する層状となるように第１主面１０ａ上に塗布される。この第１主面１０ａ上に塗布された導電性ペースト２１ｐが、後述する焼成工程を経ることによって上述した金属多孔体２１となる。本実施の形態においては、Ｎｉからなる金属粒子２１ａを含んだ導電性ペースト２１ｐが用いられる。
【0113】
ここで、導電性ペースト２１ｐの塗布に先立って、絶縁基板１０に設けられた第２貫通孔１２には、図示しないエポキシ樹脂等が塗布されることで当該第２貫通孔１２を閉塞する閉塞部が設けられていることが好ましい。これにより、導電性ペースト２１ｐが当該第２貫通孔１２の内部に侵入してしまうことを防止できることになる。
【0114】
次に、図６に示すように、ステップＳ６において、隔壁部用溝が形成される。より詳細には、図９に示すように、第１主面１０ａの法線方向に沿って見た場合の第１ビア導体１３および第２貫通孔１２の間に位置する部分の導電性ペースト２１ｐに、第１ビア導体１３と第２貫通孔１２とを結ぶ方向と交差する方向（すなわち、図９中の紙面と直交する方向）に沿って延在する複数の隔壁部用溝１８ｈが形成され、これによって導電性ペースト２１ｐが複数の部位に区画される。当該複数の隔壁部用溝１８ｈは、後述する隔壁部の形成工程において、隔壁部によって埋め込まれることになる。
【0115】
本実施の形態においては、２つの隔壁部用溝１８ｈが第１ビア導体１３側から第２貫通孔１２に向かって（すなわち、図９中の左側から右側に向かって）並んで位置するように形成される。これにより、導電性ペースト２１ｐは、上述した金属多孔体２１Ａおよび金属多孔体２１Ｂに対応する部位と、金属多孔体２１Ｃおよび金属多孔体２１Ｄに対応する部位と、金属多孔体２１Ｅに対応する部位とに区画されることになる。
【0116】
ここで、隔壁部用溝１８ｈの形成方法は、特にこれが制限されるものではないが、たとえば導電性ペースト２１ｐにレーザー光を照射することで当該隔壁部用溝１８ｈを形成することができる。また、この他にも、メカパンチャーを用いた加工やサンドブラスト加工にて隔壁部用溝１８ｈを形成してもよい。
【0117】
次に、図６に示すように、ステップＳ７において、隔壁部が形成される。より詳細には、図１０に示すように、複数の隔壁部用溝１８ｈを埋め込むように、導電性ペーストが当該隔壁部用溝１８ｈに充填される。このようにして形成された２つの隔壁部１８は、第１主面１０ａから導電性ペースト２１ｐに向けて立設されることになる。なお、これら２つの隔壁部１８のうち、第１外部接続配線側に位置するものが、上述した隔壁部１８Ａに対応し、当該隔壁部１８Ａよりも第２外部接続配線側に位置するものが、隔壁部１８Ｂに対応している。
【0118】
本実施の形態においては、隔壁部用溝１８ｈに埋め込まれる導電性ペーストとして、Ｎｉペーストが用いられる。このように構成した場合には、金属粒子２１ａに含まれる材料（すなわち、金属多孔体２１に含まれる材料）と同一の材料を含む金属壁部１５を形成することができ、これにより、後述する焼成工程を経て、隔壁部１８と金属多孔体２１とが強固に金属接合されることになる。
【0119】
ここで、隔壁部用溝１８ｈに埋め込まれる導電性ペーストの塗布方法は、特にこれが制限されるものではないが、たとえばインクジェット法を利用することができる。
【0120】
次に、図６に示すように、ステップＳ８において、金属壁部用溝が形成される。より詳細には、図１１に示すように、第１主面１０ａの法線方向に沿って見た場合の第１ビア導体１３および隔壁部１８Ａの間に位置する部分の導電性ペースト２１ｐ（すなわち、金属多孔体２１Ａおよび金属多孔体２１Ｂに対応する部分の導電性ペースト２１ｐ）に、第１ビア導体１３と第２貫通孔１２とを結ぶ方向と交差する方向に沿って延在する金属壁部用溝１５ｈが形成され、これによって上記部分の導電性ペースト２１ｐが、金属多孔体２１Ａに対応する部位と金属多孔体２１Ｂに対応する部位とに区画されることになる。同様に、第１主面１０ａの法線方向に沿って見た場合の隔壁部１８Ａおよび隔壁部１８Ｂの間に位置する部分の導電性ペースト２１ｐ（すなわち、金属多孔体２１Ｃおよび金属多孔体２１Ｄに対応する部分の導電性ペースト２１ｐ）に、第１ビア導体１３と第２貫通孔１２とを結ぶ方向と交差する方向に沿って延在する金属壁部用溝１５ｈが形成され、これによって上記部分の導電性ペースト２１ｐが、金属多孔体２１Ｃに対応する部位と金属多孔体２１Ｄに対応する部位とに区画されることになる。
【0121】
なお、これら２つの金属壁部用溝１５ｈは、後述する金属壁部の形成工程において、金属壁部によって埋め込まれることになる。
【0122】
ここで、金属壁部用溝１５ｈの形成方法は、特にこれが制限されるものではないが、たとえば導電性ペースト２１ｐにレーザー光を照射することで当該金属壁部用溝１５ｈを形成することができる。また、この他にも、メカパンチャーを用いた加工やサンドブラスト加工にて金属壁部用溝１５ｈを形成してもよい。
【0123】
次に、図６に示すように、ステップＳ９において、導電性ペーストおよび隔壁部が焼成される。より詳細には、図１２に示すように、導電性ペースト２１ｐおよび隔壁部１８が焼成され、これにより、導電性ペースト２１ｐ中に含まれた隣接する金属粒子２１ａ同士が焼結して金属接合されるとともに、隔壁部１８とこれに隣接する部分の金属粒子２１ａとが接合される。また、この焼成により、第１ビア導体１３とこれに隣接する部分の金属粒子２１ａとが接合される。
【0124】
この結果、本実施の形態においては、隔壁部１８Ａが、これに隣接する金属多孔体２１Ｂおよび金属多孔体２１Ｃに接合され、隔壁部１８Ｂが、これに隣接する金属多孔体２１Ｄおよび金属多孔体２１Ｅに接合されることになる。さらに、第１ビア導体１３が、これに隣接する金属多孔体２１Ａに接合されることになる。
【0125】
なお、上述した焼成の際に、第２貫通孔１２を閉塞していたエポキシ樹脂等からなる閉塞部もまた、その熱によって焼失することになる。
【0126】
上述した焼成を行なうに際しては、それに先立って絶縁基板１０の脱脂処理が行なわれ、その後、たとえば窒素と水素とを混合した還元雰囲気下において、４００℃～９００℃の温度条件にて上述した導電性ペースト２１ｐおよび隔壁部１８の焼成が行なわれる。
【0127】
なお、焼成の際の雰囲気は、上述したように還元雰囲気とすることが好ましいが、金属粒子２１ａの主たる成分として選択した金属の平衡酸素分圧以下の雰囲気に設定することができる。
【0128】
ここで、隔壁部１８は、上述したように、導電性ペースト２１ｐ中の金属粒子２１ａに含まれる材料と同一の材料であるＮｉを含んで構成されている。このように構成した場合には、上述した焼成によって金属粒子２１ａと隔壁部１８とが焼結することで金属接合することになり、これにより、当該金属粒子２１ａと隔壁部１８との接合部の機械的強度が向上することになる。
【0129】
次に、図６に示すように、ステップＳ１０において、誘電体膜が形成される。より詳細には、図１３に示すように、第１主面１０ａ、金属多孔体２１、および、金属多孔体２１に接合されていない部分の隔壁部１８の表面を覆うとともに、絶縁基板１０に設けられた第２貫通孔１２を規定する部分の絶縁基板１０の表面を覆うように、誘電体膜２２が形成される。
【0130】
ここで、誘電体膜２２の形成方法は、特にこれが制限されるものではないが、好ましくはＡＬＤ法が用いられる。ＡＬＤ法を用いれば、誘電体膜２２の原料をガスにて供給することができるため、材質の選択と、原子層レベルでの膜厚の調整とが可能になる。そのため、金属多孔体２１の内部に設けられた微細な孔が極端に小さい場合でも、均質で緻密な誘電体膜２２を形成することができる。また、当該ＡＬＤ法を用いれば、絶縁基板１０に設けられた第２貫通孔１２を規定する部分の絶縁基板１０の表面をも、容易に誘電体膜２２にて覆うことが可能になる。
【0131】
このＡＬＤ法を用いて誘電体膜２２を形成する場合には、金属多孔体２１の内部に設けられた微細な孔と、絶縁基板１０に設けられた第２貫通孔１２の内部とに、原料ガスが行き渡ることとなるように、原料ガスとして、蒸気圧が高くガス化が容易であることに加え、熱安定性が高く、さらには反応性の高い特徴をもったものが用いられることが好ましい。当該観点からは、たとえばＡｌＯｘ膜を形成する場合には、原料としてＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）が用いられることが好ましく、ＳｉＯｘ膜を形成する場合には、原料としてＴＤＭＡＳ（トリスジメチルアミノシラン）が用いられることが好ましい。本実施の形態においては、ＡＬＤ法を用いて誘電体膜２２が形成される。
【0132】
また、誘電体膜２２の形成は、成膜方法や成膜材料によって異なるものの、たとえば１５０℃以上４００℃以下の温度条件にて行なわれる。
【0133】
次に、図６に示すように、ステップＳ１１において、第１レジスト膜が形成される。より詳細には、図１４に示すように、ステップＳ１０において形成された誘電体膜２２のうちの、隔壁部１８の表面を覆う部分とその近傍部分とを覆うように、第１レジスト膜２４が形成される。
【0134】
ここで、第１レジスト膜２４の形成方法は、特にこれが制限されるものではない。本実施の形態においては、スピンコート法によって感光性液体レジストを誘電体膜２２の所定の表面に均一に塗布し、これをフォトマスクを用いて局所的に露光させる。次に、現像液に浸漬させることで不要な上記感光性液体レジストを除去し、残留した上記感光性液体レジストをオーブン等で乾燥させることにより、第１レジスト膜２４が形成される。
【0135】
次に、図６に示すように、ステップＳ１２において、導電膜が形成される。より詳細には、図１５に示すように、ステップＳ１０において形成された誘電体膜２２とステップＳ１１において形成された第１レジスト膜２４とを覆うように、導電膜２３が形成される。
【0136】
ここで、導電膜２３の形成方法は、前述のように特に制限されるものではないが、好ましくはＡＬＤ法が用いられる。ＡＬＤ法を用いれば、導電膜２３の原料をガスにて供給することができるため、材質の選択と、原子層レベルでの膜厚の調整とが可能になる。そのため、金属多孔体２１の内部に設けられた微細な孔が極端に小さい場合でも、均質で緻密な導電膜２３を形成することができる。また、当該ＡＬＤ法を用いれば、絶縁基板１０の第２貫通孔１２の内部に設けられた誘電体膜２２をも、容易に導電膜２３にて覆うことが可能になる。なお、導電膜２３の形成は、成膜方法や成膜材料によって異なるものの、たとえば２００℃以上６００以下の温度条件にて行なわれる。
【0137】
次に、図６に示すように、ステップＳ１３において、第１レジスト膜が剥離される。より詳細には、図１６に示すように、第１レジスト膜２４と、当該第１レジスト膜２４の表面に形成された部分の導電膜２３とが、剥離液等を用いることで剥離される。このようにして導電膜２３の一部が剥離されることにより、当該部分において導電膜２３に不連続部分が形成されることになる。
【0138】
次に、図６に示すように、ステップＳ１４において、第２レジスト膜が形成される。より詳細には、図１７に示すように、第１レジスト膜２４が剥離されることで外部に露出している部分の誘電体膜２２と、複数の金属壁部用溝１５ｈに対応する位置に形成された部分以外の部分の導電膜２３とを覆うように、第２レジスト膜２５が形成される。なお、第２レジスト膜２５の形成方法は、上述した第１レジスト膜２４の形成方法に準じる。
【0139】
このように第２レジスト膜２５を形成することにより、後述する金属壁部の形成工程において、金属壁部用溝１５ｈ以外の部分に意図せず金属壁部を構成する基材が形成されることを防止できる。
【0140】
次に、図６に示すように、ステップＳ１５において、金属壁部が形成される。より詳細には、図１８に示すように、２つの金属壁部用溝１５ｈを埋め込むように、２つの金属壁部１５が形成される。２つの金属壁部１５は、第１主面１０ａから容量形成部２０に向けて立設されることになる。なお、これら２つの金属壁部１５のうち、第１外部接続配線側に位置するものが、上述した金属壁部１５Ａに対応し、当該金属壁部１５Ａよりも第２外部接続配線側に位置するものが、金属壁部１５Ｂに対応している。
【0141】
このようにして形成された金属壁部１５は、金属壁部用溝１５ｈに対応する位置に形成された部分の導電膜２３に接合される。この結果、本実施の形態においては、金属壁部１５Ａが、これに隣接する導電膜２３Ａおよび導電膜２３Ｂに接合され、金属壁部１５Ｂが、これに隣接する導電膜２３Ｃおよび導電膜２３Ｄに接合されることになる。
【0142】
ここで、金属壁部１５は、たとえば電解めっきや、スクリーン印刷法等の厚膜形成方法によって形成されてよい。本実施の形態においては、電解めっきによって、Ｃｕからなる金属壁部１５が形成される。
【0143】
【0144】
次に、図６に示すように、ステップＳ１７において、封止部が形成される。より詳細には、図２０に示すように、容量形成部２０が設けられてなる絶縁基板１０の第１主面１０ａ上に、当該容量形成部２０を覆うように封止部３０が設けられる。
【0145】
封止部３０は、たとえば、いわゆるコンプレッション成形によって形成される。より詳細には、絶縁基板１０の第１主面１０ａ上に樹脂シートが被せ付けられ、この状態において真空ラミネータが用いられて真空引きが行なわれることで絶縁基板１０の第１主面１０ａに樹脂シートが密着させられる。そして、この状態において樹脂シートが５０℃～１００℃に加熱されることで容量形成部２０がラミネートされ、さらにその後、１００℃～２００℃にまで加熱されることで本硬化が行なわれ、これによって封止部３０が形成される。なお、封止部３０の形成方法は、上述したコンプレッション成形に限られず、いわゆるトランスファー成形によって行なわれてもよい。
【0146】
これにより、容量形成部２０が絶縁基板１０と封止部３０とによって封止されることになり、外部からの容量形成部２０への水分の侵入が防止でき、耐湿性を確保することが可能になる。また、容量形成部２０が封止部３０によって覆われることになり、容量形成部２０が物理的に当該封止部３０によって保護されることにもなる。なお、上記において示した硬化条件は、あくまでも一例に過ぎず、種々これを変更することができる。
【0147】
次に、図６に示すように、ステップＳ１８において、絶縁基板にグラインド加工が施される。より詳細には、図２１に示すように、容量形成部２０が設けられた側とは反対側に位置する絶縁基板１０の第２主面１０ｂ側の平面切削が行なわれる。
【0148】
ここで、グラインド加工が行なわれるに際しては、容量形成部２０側に図示しないグラインドテープが貼り付けられ、第１ビア導体１３および第２貫通孔１２を閉塞する部分の絶縁基板１０が平面切削されることでそれぞれ除去されることになる。これにより、第１ビア導体１３の端部が第２主面１０ｂ側において露出することになる。
【0149】
【0150】
ここで、個片化が行なわれるに際しては、絶縁基板１０および封止部３０の少なくとも一方に溝が形成され、当該溝を起点に折り曲げるように絶縁基板１０および封止部３０に力が加えられることで絶縁基板１０および封止部３０をブレイクさせる。なお、溝を形成する方法としては、ダイヤモンドスクライブ、レーザスクライブ、ダイシング等が利用できる。また、スクライブやダイシングによって直接的に絶縁基板１０および封止部３０を切断することで個片化が行なわれてもよい。
【0151】
次に、図６に示すように、ステップＳ２０において、絶縁基板に第２ビア導体が形成される。より詳細には、図２３に示すように、絶縁基板１０に設けられた第２貫通孔１２を埋め込むように、第２ビア導体１４が形成される。
【0152】
第２ビア導体１４は、たとえば電解めっきにてこれを形成することができる。その場合、第２貫通孔１２以外の部分を図示しないマスクとしての紫外線硬化性樹脂フィルムにて覆い、この状態において電解めっきを行なうことにより、第２貫通孔１２の内部のみをめっき膜によって覆うことが可能になる。なお、電解めっきが完了した後は、マスクとしての紫外線硬化性樹脂フィルムが除去される。
【0153】
このように形成された第２ビア導体１４は、その側面および当該第２ビア導体１４の容量形成部２０側の端面において、導電膜２３に接合されることになる（図４参照）。これにより、第２ビア導体１４は、それを覆う導電膜２３を介して容量形成部２０に接続されることになる。
【0154】
次に、図６に示すように、ステップＳ２１において、絶縁基板に第１バンプおよび第２バンプが形成される。より詳細には、図２に示すように、絶縁基板１０に設けられた第１ビア導体１３および第２ビア導体１４を覆うように、絶縁基板１０の第２主面１０ｂ上に第１バンプ１６および第２バンプ１７が形成される。
【0155】
第１バンプ１６および第２バンプ１７は、たとえば電解めっきにてこれらを同時に形成することができる。その場合、第１ビア導体１３および第２ビア導体１４が露出する部分近傍以外の部分を図示しないマスクとしての紫外線硬化性樹脂フィルムにて覆い、この状態において電解めっきを行なうことにより、第１バンプ１６および第２バンプ１７を第２主面１０ｂから突出して形成することが可能になる、なお、電解めっきが完了した後は、マスクとしての紫外線硬化性樹脂フィルムが除去される。
【0156】
なお、上述した第２ビア導体１４、第１バンプ１６および第２バンプ１７の形成方法は、上述した電解めっきを用いた方法のみならず、この他にも、導電性ペーストを用いたスクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンサ法等と焼成との組み合わせを利用することもできる。その場合、封止部３０を構成する樹脂への影響を及ぼさない温度条件で焼成が行なえるように、導電性ペーストには、低温で焼成可能な金属や焼結助剤が含まれていることが好ましい。
【0157】
以上において説明したステップＳ１～Ｓ２１の工程を経ることにより、上述した実施の形態１に係るコンデンサ１Ａ、すなわち、容量形成部２０Ａ、容量形成部２０Ｂ、容量形成部２０Ｃ、容量形成部２０Ｄおよび容量形成部２０Ｅが、この順で電気的に直列に接続されたコンデンサが製造されることになる。
【0158】
なお、上述した本実施の形態に係るコンデンサ１Ａの製造方法にあっては、封止部を形成した後にグラインド加工を行なうこととした場合を例示したが、グラインド加工を行なった後に封止部を形成することとしてもよい。また、グラインド加工は、個片化を行なった後に施されてもよい。
【0159】
ここで、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにあっては、上述したように、金属壁部１５Ａが絶縁基板１０に設けられていることにより、容量形成部２０が、容量形成部２０Ａと、その余の部分である容量形成部２０Ｂ～２０Ｅとに区画されている。また、金属壁部１５Ａは、容量形成部２０Ａの導電膜２３Ａと、容量形成部２０Ｂ～２０Ｅのうちの金属壁部１５Ａに隣接する部分である容量形成部２０Ｂの導電膜２３Ｂとに接合していることにより、容量形成部２０Ｂ～２０Ｅが容量形成部２０Ａを介して第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、容量形成部２０Ａが容量形成部２０Ｂ～２０Ｅを介して第２外部接続配線に電気的に接続され、結果として、容量形成部２０Ａと容量形成部２０Ｂ～２０Ｅとが、第１外部接続配線と第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている。
【0160】
このように、金属壁部１５Ａが設けられることで容量形成部２０が複数に区画されかつこれら区画された容量形成部同士が電気的に直列に接続されていることにより、コンデンサ１Ａの耐電圧の向上を図ることが可能になる。
【0161】
すなわち、単一の容量形成部を備えてなるコンデンサに電圧が印加されることで当該単一の容量形成部に電界集中が発生した場合には、これが短絡することで直ちにコンデンサとしての機能が損なわれてしまうことになる。
【0162】
この点、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにおいては、容量形成部２０が複数に区画され、かつ、これら区画された容量形成部同士が電気的に直列に接続されている。このように構成することにより、コンデンサ１Ａに電圧が印加された場合における電界集中を、区画された容量形成部の各々に分散させることが可能になるため、これによってコンデンサ１Ａの耐電圧の向上を図ることができる。そのため、コンデンサ１Ａの実装後の信頼性の向上を図ることが可能になる。
【0163】
また、上述の如く容量形成部２０が複数に区画されかつこれらが電気的に直列に接続されていることにより、区画された一部の容量形成部２０に電界集中が発生してこれが短絡した場合（すなわち、電圧損傷した場合）においても、その余の部分の容量形成部２０に対応する分の静電容量をコンデンサ１Ａの静電容量として確保できることになる。そのため、電圧損傷後においても一定の静電容量が確保された、実装後の信頼性の向上が図られたコンデンサ１Ａとすることができる。
【0164】
したがって、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａとすることにより、金属多孔体２１と誘電体膜２２と導電膜２３とからなる容量形成部２０を備えてなるコンデンサにおいて、実装後の信頼性の向上が図られることになる。
【0165】
なお、以上において説明したコンデンサ１Ａにおける耐電圧向上の効果は、後述する検証試験１によって確認されている。
【0166】
また、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにおいて、容量形成部２０Ａ～２０Ｅのうちのいずれか１つの容量形成部の金属多孔体の体積を、これに隣接する他の容量形成部の金属多孔体の体積よりも小さく構成し、かつ、当該容量形成部の誘電体膜の厚みを上記他の容量形成部の誘電体膜の厚みよりも薄く構成してもよい。この場合には、金属多孔体の体積を小さく構成することで静電容量が小さく構成された容量形成部において意図的に電界集中を発生し易くさせることができるため、電圧損傷後の状態におけるコンデンサ１Ａの静電容量を最大限に確保できることになる。
【0167】
なお、上記の如く複数ある容量形成部毎に誘電体膜２２の厚みが異なるコンデンサ１Ａを製造する場合には、上述したステップＳ１０（すなわち、誘電体膜の形成）とステップＳ１１（すうなわち、第１レジスト膜の形成）との間において、厚く形成する部分以外の部分の誘電体膜２２を覆うようにレジスト膜を形成し、この状態で再度誘電体膜２２の形成を行なった後に上記レジスト膜を剥離すればよい。
【0168】
さらに、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにあっては、上述したように、金属壁部１５が第１主面１０ａから容量形成部２０に向けて立設した状態で、容量形成部２０の導電膜２３の一部に接合されている。
【0169】
このように構成した場合には、コンデンサ１Ａの熱処理を伴う製造工程（すなわち、焼成工程、誘電体膜の形成工程および導電膜の形成工程等）において絶縁基板１０および容量形成部２０の熱膨張係数差に起因して発生する応力によって絶縁基板１０に反りが生じる場合において、金属壁部１５によって得られるいわゆるアンカー効果により、絶縁基板１０に生じる反りの抑制、ならびに、絶縁基板１０の反りに起因して生じる絶縁基板１０上からの誘電体膜２２および導電膜２３の剥離を効果的に抑制できることになる。そのため、コンデンサ１Ａの実装安定性および実装後の信頼性の向上を図ることが可能になる。
【0170】
また、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにあっては、上述した金属壁部１５が複数設けられている。これにより、上述した絶縁基板１０に生じる反りをさらに抑制することができる。なお、金属壁部１５が設けられることで絶縁基板１０に生じる反りが抑制される効果は、後述する検証試験２によって確認されている。
【0171】
さらに、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにあっては、上述したように、容量形成部２０が、絶縁基板１０には実質的に直接的には接合されていないか、あるいは、直接的に接合されているとしてもわずかしか接合されていない。これによっても、上述した絶縁基板１０に生じる反りを抑制することができる。
【0172】
また、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにあっては、上述したように、複数の隔壁部１８が第１主面１０ａから容量形成部２０に向けて立設した状態で、容量形成部２０の金属多孔体２１の一部に接合されている。これら複数の隔壁部１８によっても、金属壁部１５と同様にアンカー効果が得られることになるため、上述した絶縁基板１０に生じる反りを抑制できることになる。なお、隔壁部１８が設けられることで絶縁基板１０に生じる反りが抑制される効果は、後述する検証試験２によって確認されている。
【0173】
なお、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにおいて、金属壁部１５Ａと第１ビア導体１３との間の距離を、金属壁部１５Ａと隔壁部１８Ａとの間の距離よりも短く構成することによって金属壁部１５Ａと隔壁部１８Ａとを互いに相当程度に離隔して配置することにより、上述した絶縁基板１０に生じる反りをさらに抑制することができる。同様に、隔壁部１８Ｂと第２ビア導体１４との間の距離を、隔壁部１８Ｂと金属壁部１５Ｂとの間の距離よりも短く構成することによって隔壁部１８Ｂと金属壁部１５Ｂとを互いに相当程度に離隔して配置することによっても、上述した絶縁基板１０に生じる反りをさらに抑制することができる。
【0174】
さらに、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにあっては、上述したように、絶縁基板１０の第１主面１０ａの法線方向に沿って見た場合に、第１ビア導体１３および第２ビア導体１４が、いずれも容量形成部２０が配置された領域内に設けられている。
【0175】
このように構成した場合には、第１外部接続配線および第２外部接続配線のいずれもが容量形成部２０の側方の位置に配置されないことになるため、容量形成部２０の側方に位置する部分の封止部３０を最小化することができる。そのため、コンデンサ１Ａを従来に比して小型に構成することができるばかりでなく、コンデンサ１Ａにおける容量形成部２０以外の部分の占有体積が小さくなることで高容量化が図られることになる。
【0176】
また、上記のように構成した場合には、絶縁基板１０をその厚み方向において貫通するように第１ビア導体１３および第２ビア導体１４が位置することになるため、これら極性の異なるビア導体同士が互いの電流経路が逆方向を向いた状態で近接配置されることになる。そのため、電流が流れることによってこれらビア導体に発生する磁界が互いに打ち消し合うように作用することになるため、いわゆるＥＳＬ（等価直列インダクタンス）を小さくすることができる。
【0177】
さらに、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにあっては、上述したように、第２ビア導体１４と絶縁基板１０の基材との境界部において、絶縁基板１０の基材が誘電体膜２２によって覆われているとともに、誘電体膜２２が導電膜２３によって覆われており、さらに導電膜２３が第２ビア導体１４によって覆われている。
【0178】
このように構成することにより、絶縁基板１０の基材と第２ビア導体１４とが直接接合される場合に比べ、これら絶縁基板１０の基材と第２ビア導体１４との間の密着性が向上することになるため、当該部分を介しての水分の侵入の抑制が図られることになる。したがって、耐湿性に優れたコンデンサとすることができる。
【0179】
また、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａにあっては、上述したように、金属多孔体２１が金属粒子の焼結体にて構成されている。このように構成した場合には、金属粒子同士が金属接合することによって容量形成部２０の機械的強度が向上することになるとともに、金属粒子同士の接合面積も大きくなるため、いわゆる低ＥＳＲ（等価直列抵抗）化を図ることができる。さらには、開気孔を有する金属多孔体を比較的容易に形成することができる効果も得られる。
【0180】
ここで、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａは、容量形成部２０Ａ～２０Ｅのうちのいずれの容量形成部の静電容量をその余の容量形成部の静電容量と比較した場合においても、当該容量形成部の静電容量が当該その余の容量形成部の静電容量の５％以上５０％以下となるようにこれが構成されてもよい。すなわち、コンデンサ１Ａにあっては、これら５つの容量形成部２０Ａ～２０Ｅの静電容量が相当程度に均等となるように容量形成部２０が区画されてもよく、この場合には、いずれの容量形成部に短絡が発生した場合においても、短絡前後におけるコンデンサ１Ａの静電容量の変動を同等程度にすることができる。
【0181】
また、本実施の形態に係るコンデンサ１Ａは、容量形成部２０Ａ～２０Ｅのうちのいずれか１つの容量形成部の誘電体膜の厚みが、これに隣接する他の容量形成部の誘電体膜の厚みの２倍以上となるように構成されてもよい。このように構成した場合には、この誘電体膜の厚みが大きく構成された容量形成部において電界集中を発生させ難くすることができる。
【0182】
【0183】
図２４に示すように、本実施の形態に係るコンデンサ１Ｂは、上述した実施の形態１に係るコンデンサ１Ａと比較した場合に、隔壁部１８が単数であることに起因して容量形成部２０の区画数が相違している。
【0184】
より詳細には、本実施の形態に係るコンデンサ１Ｂにおいては、第１外部接続配線側から第２外部接続線側に向かって（すなわち、図２４中の左側から右側に向かって）金属壁部１５Ｃ、隔壁部１８Ｃおよび金属壁部１５Ｄの順に配置されている。
【0185】
これにより、本実施の形態においては、容量形成部２０が４つに区画されている。説明の便宜上、これら４つの容量形成部を、第１外部接続配線に最も近いものから順に容量形成部２０Ｆ、容量形成部２０Ｇ、容量形成部２０Ｈおよび容量形成部２０Ｉと称することとする。なお、本実施の形態においては、容量形成部２０Ｆが第１容量形成部に対応し、容量形成部２０Ｇ～２０Ｉが第２容量形成部に対応している。また、容量形成部２０Ｇが第３容量形成部に対応し、容量形成部２０Ｈ，２０Ｉが第４容量形成部に対応している。さらに、容量形成部２０Ｈが第５容量形成部に対応し、容量形成部２０Ｉが第６容量形成部に対応している。
【0186】
また、本実施の形態においては、金属壁部１５Ｃおよび金属壁部１５Ｄが、それぞれ第１金属壁部および第２金属壁部に対応しており、隔壁部１８Ｃが、第１隔壁部に対応している。
【0187】
ここで、金属壁部１５Ｃと、容量形成部２０Ｆおよび容量形成部２０Ｇとの関係性は、上述した実施の形態１における金属壁部１５Ａと容量形成部２０Ａおよび容量形成部２０Ｂとの関係性と同様である。また、隔壁部１８Ｃと、容量形成部２０Ｇおよび容量形成部２０Ｈとの関係性は、上述した実施の形態１における隔壁部１８Ａと容量形成部２０Ｂおよび容量形成部２０Ｃとの関係性と同様である。さらに、金属壁部１５Ｄと、容量形成部２０Ｈおよび容量形成部２０Ｉとの関係性は、上述した実施の形態１における金属壁部１５Ｂと容量形成部２０Ｃおよび容量形成部２０Ｄとの関係性と同様である。
【0188】
また、コンデンサ１Ｂにおいては、第２ビア導体１４が、容量形成部２０の金属多孔体２１に接合されている。より詳細には、第２ビア導体１４は、容量形成部２０Ｉの金属多孔体２１Ｉに接合されている。
【0189】
以上の構成を有することにより、本実施の形態に係るコンデンサ１Ｂにあっては、容量形成部２０Ｆ、容量形成部２０Ｇ、容量形成部２０Ｈおよび容量形成部２０Ｉが、この順で第１外部接続配線と第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されることになる。
【0190】
このように構成した場合にも、上述した実施の形態１において説明した効果と同様の効果が得られることになり、金属多孔体２１と誘電体膜２２と導電膜２３とからなる容量形成部２０を備えてなるコンデンサにおいて、実装後の信頼性の向上が図られることになる。
【0191】
なお、本実施の形態に係るコンデンサ１Ｂは、上述した実施の形態１に係るコンデンサ１Ａの製造方法に準じた方法によって製造可能である。
【0192】
【0193】
図２５に示すように、本実施の形態に係るコンデンサ１Ｃは、上述した実施の形態１に係るコンデンサ１Ａと比較した場合に、金属壁部１５が単数であることと、隔壁部１８が設けられていなこととに起因して、容量形成部２０の区画数が相違している。
【0194】
より詳細には、本実施の形態に係るコンデンサ１Ｃにおいては、第１主面１０ａの法線方向に沿って見た場合に、１つの金属壁部１５Ｅが、第１外部接続配線と第２外部接続配線との間に位置している。これにより、コンデンサ１Ｃにおいては、容量形成部２０が２つに区画されている。説明の便宜上、これら２つの容量形成部を、第１外部接続配線に最も近いものから順に容量形成部２０Ｊおよび容量形成部２０Ｋと称することとする。なお、本実施の形態においては、容量形成部２０Ｊが第１容量形成部に対応し、容量形成部２０Ｋが第２容量形成部に対応している。また、金属壁部１５Ｅが、第１金属壁部に対応している。
【0195】
ここで、金属壁部１５Ｅと、容量形成部２０Ｊおよび容量形成部２０Ｋとの関係性は、上述した実施の形態１における金属壁部１５Ａと容量形成部２０Ａおよび容量形成部２０Ｂとの関係性と同様である。
【0196】
また、コンデンサ１Ｃにおいては、第２ビア導体１４が、容量形成部２０の金属多孔体２１に接合されている。より詳細には、第２ビア導体１４は、容量形成部２０Ｋの金属多孔体２１Ｋに接合されている。
【0197】
以上の構成を有することにより、本実施の形態に係るコンデンサ１Ｃにあっては、容量形成部２０Ｊおよび容量形成部２０Ｋが、この順で第１外部接続配線と第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されることになる。
【0198】
このように構成した場合にも、上述した実施の形態１において説明した効果と同様の効果が得られることになり、金属多孔体２１と誘電体膜２２と導電膜２３とからなる容量形成部２０を備えてなるコンデンサにおいて、実装後の信頼性の向上が図られることになる。
【0199】
なお、本実施の形態に係るコンデンサ１Ｃは、上述した実施の形態１に係るコンデンサ１Ａの製造方法から隔壁部に関わるステップ（すなわち、図６中のステップＳ６，Ｓ７，Ｓ１１，Ｓ１３）を除いた製造方法によって製造可能である。
【0200】
（検証試験１）
検証試験１においては、金属壁部および隔壁部の数（すなわち、容量形成部の区画数）が異なるコンデンサを複数種類準備し、これらのコンデンサに電圧を印加した場合における耐電圧を測定することにより、容量形成部を区画しかつこれらを直列接続することがコンデンサの耐電圧に及ぼす影響を検証した。
検証試験１においては、金属壁部および隔壁部の数（すなわち、容量形成部の区画数）が異なるコンデンサを複数種類準備し、これらのコンデンサに電圧を印加した場合における耐電圧を測定することにより、容量形成部を区画しかつこれらを直列接続することがコンデンサの耐電圧に及ぼす影響を検証した。
【0201】
検証試験１においては、金属壁部が１つ設けられることで容量形成部が２つに区画されたコンデンサ（以降、説明の便宜上２連続タイプと称する）、２つの金属壁部と１つの隔壁部とが設けられることで容量形成部が４つに区画されたコンデンサ（４連続タイプ）、３つの金属壁部と２つの隔壁部とが設けられることで容量形成部が６つに区画されたコンデンサ（６連続タイプ）、および、４つの金属壁部と３つの隔壁部とが設けられることで容量形成部が８つに区画されたコンデンサ（８連続タイプ）の合計４種類のコンデンサと、比較例としての容量形成部が区画されていない（すなわち、金属壁部および隔壁部のいずれも設けられていない）コンデンサとを準備した。なお、上記２連続タイプのコンデンサは、上述した実施の形態３に係るコンデンサ１Ｃ（図２５参照）と同様の構成を有するものであり、上記４連続タイプのコンデンサは、上述した実施の形態２に係るコンデンサ１Ｂ（図２４参照）と同様の構成を有するものである。また、上記６連続タイプおよび８連続タイプのコンデンサにあっては、第１外部接続配線側から第２外部接続線側に向かって金属壁部と隔壁部とが交互に配置されている。
【0202】
検証試験１において準備したコンデンサの絶縁基板は、Ａｌ２Ｏ３からなり、１０００μｍ角で厚みが７５μｍの大きさのものである。第１ビア導体および第２ビア導体は、Ｎｉからなり、直径が１５０μｍで軸方向長さが７５μｍの大きさの円柱状のものである。第１ビア導体１３と第２ビア導体１４との間の距離は、１５０μｍである。第１バンプ１６および第２バンプ１７は、Ａｕからなるものである。金属多孔体は、Ｎｉからなり、容量形成部が区画される前の状態において１０００μｍ角で厚みが２００μｍの大きさのものである。誘電体膜は、ＡｌＳｉＯからなるものが用いられており、導電膜は、ＴｉＮからなるものが用いられている。
【0203】
また、検証試験１において準備した金属壁部は、Ｃｕからなり、高さ（図２中の上下方向の寸法）が２００μｍ、厚み（図２中の左右方向の寸法）が７０μｍ、幅（図２中の紙面と直交する方向の寸法）が１０００μｍのものである。隔壁部は、Ｎｉからなり、高さが２００μｍ、厚みが７０μｍ、幅が１０００μｍのものである。
【0204】
容量形成部を区画しかつこれらを直列接続することがコンデンサの耐電圧に及ぼす影響を検証は、耐電圧測定器（Ｂ１５００Ａ、ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製）を用いて、以下において説明する方法によって行なった。なお、当該検証における上記各種類のコンデンサのサンプル数は５つとした。
【0205】
まず、コンデンサの両端子を耐電圧測定器の各端子に接続した。次に、電流値０．０５Ａ、昇圧スピード０．６７ｍＶ／秒の条件下にてコンデンサに電圧を印加した。次に、電流値が０．０５Ａを下回ったときの電圧を耐電圧として測定した。
【0206】
図２６は、上述した方法にて行なった検証試験１の結果を示すグラフである。当該グラフにおいては、各種類のコンデンサの耐電圧を示している。検証試験１の結果、金属壁部を設けて容量形成部を区画しかつこれらを直列に接続させることにより、容量形成部が区画されていない単一の場合（すなわち、比較例の場合）に比べ、コンデンサの耐電圧が向上することがわかった。さらに、金属壁部および隔壁部の数を増加させることで電気的に直列に接続される容量形成部の数（すなわち、容量形成部の区画数）を増加させることにより、コンデンサの耐電圧が向上する効果がより顕著になっていくことがわかった。以上より、容量形成部を区画しかつこれらを直列接続することにより、コンデンサの耐電圧が向上することがわかった。
【0207】
（検証試験２）
検証試験２においては、金属壁部および隔壁部の数（すなわち、容量形成部の区画数）が異なるコンデンサを複数種類準備し、これらのコンデンサに荷重を印加した場合における絶縁基板のたわみ量を確認することにより、金属壁部および隔壁部がコンデンサの曲げ強度（機械的強度）に及ぼす影響を検証した。なお、検証試験２において準備したコンデンサの種類は、上述した検証試験１において準備したものと同様である。
検証試験２においては、金属壁部および隔壁部の数（すなわち、容量形成部の区画数）が異なるコンデンサを複数種類準備し、これらのコンデンサに荷重を印加した場合における絶縁基板のたわみ量を確認することにより、金属壁部および隔壁部がコンデンサの曲げ強度（機械的強度）に及ぼす影響を検証した。なお、検証試験２において準備したコンデンサの種類は、上述した検証試験１において準備したものと同様である。
【0208】
金属壁部および隔壁部がコンデンサの曲げ強度に及ぼす影響を検証は、たわみ試験装置（ＤＦＴ－３０、応用電機社製）を用いて、以下において説明する方法によって行なった。なお、当該検証における上記各種類のコンデンサのサンプル数は５つとした。
【0209】
まず、長辺の長さが１００ｍｍ、短辺の長さが４０ｍｍ、厚みが１．６ｍｍのガラエポ基板を準備した。次に、ガラエポ基板のランドに、メタルマスクを用いて厚み１０μｍのはんだペーストを印刷した。次に、はんだペーストが印刷されたランド上にコンデンサを実装し、これらに２５０℃で１５分間熱処理を行なった。
【0210】
次に、コンデンサが実装されたガラエポ基板をたわみ試験装置の載置台にセットした。次に、ガラエポ基板のランドに、コンデンサ容量を測定するための端子を接触させた。コンデンサ容量の測定周波数は、１ｋＨｚとした。次に、ガラエポ基板の一対の主面のうちのコンデンサが実装されていない側の主面に加圧治具を当ててガラエポ基板を加圧した。加圧条件は、加圧治具の昇降速度を０．１ｍｍ／秒とし、荷重を０．００３Ｎとした。
【0211】
次に、この加圧により、コンデンサ容量が加圧前の状態におけるコンデンサ容量の１０％以下になったとき（すなわち、コンデンサが短絡したとき）のコンデンサのたわみ量を測定した。たわみ量は、絶縁基板のうち、これを平面視した場合の中央に位置する部分における、当該絶縁基板の第１主面の法線方向に沿った初期位置からの変位量（すなわち、図２中の上下方向に沿った変位量）を意味している。
【0212】
図２７は、上述した方法にて行なった検証試験２の結果を示すグラフである。当該グラフにおいては、各種類のコンデンサのたわみ量を示している。検証試験２の結果、金属壁部が絶縁基板に設けられていることにより、これが設けられていない場合（すなわち、比較例の場合）に比べ絶縁基板のたわみ量が増加していることがわかった。さらに、金属壁部および隔壁部の数を増加させることにより、たわみ量が増加する効果がより顕著になっていくことがわかった。このように、コンデンサに外力が印加されることでこれが短絡するときのたわみ量が増加していることから、金属壁部および隔壁部を設けることにより、コンデンサの曲げ強度が向上することがわかった。
【0213】
（付記）
上述した実施の形態において開示したコンデンサの特徴的な構成を要約すると、以下のとおりとなる。
上述した実施の形態において開示したコンデンサの特徴的な構成を要約すると、以下のとおりとなる。
【0214】
［付記１］
第１主面および当該第１主面とは反対側に位置する第２主面を有する絶縁基板と、
上記第１主面に対向するように設けられた容量形成部と、
上記容量形成部に接続された第１外部接続配線および第２外部接続配線と、
上記容量形成部が、上記第１外部接続配線側に位置する第１容量形成部と、当該第１容量形成部よりも上記第２外部接続配線側に位置する第２容量形成部とを含むこととなるように、上記容量形成部を区画する第１金属壁部とを備え、
上記第１容量形成部は、導電性の第１金属多孔体と、上記第１金属多孔体の表面を覆う第１誘電体膜と、上記第１誘電体膜を覆う第１導電膜とを含み、
上記第２容量形成部は、導電性の第２金属多孔体と、上記第２金属多孔体の表面を覆う第２誘電体膜と、上記第２誘電体膜を覆う第２導電膜とを含み、
上記第１金属壁部が上記第１導電膜と上記第２導電膜とに接合することで、上記第２容量形成部が上記第１容量形成部を介して上記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、上記第１容量形成部が上記第２容量形成部を介して上記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも上記第１容量形成部と上記第２容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、コンデンサ。
第１主面および当該第１主面とは反対側に位置する第２主面を有する絶縁基板と、
上記第１主面に対向するように設けられた容量形成部と、
上記容量形成部に接続された第１外部接続配線および第２外部接続配線と、
上記容量形成部が、上記第１外部接続配線側に位置する第１容量形成部と、当該第１容量形成部よりも上記第２外部接続配線側に位置する第２容量形成部とを含むこととなるように、上記容量形成部を区画する第１金属壁部とを備え、
上記第１容量形成部は、導電性の第１金属多孔体と、上記第１金属多孔体の表面を覆う第１誘電体膜と、上記第１誘電体膜を覆う第１導電膜とを含み、
上記第２容量形成部は、導電性の第２金属多孔体と、上記第２金属多孔体の表面を覆う第２誘電体膜と、上記第２誘電体膜を覆う第２導電膜とを含み、
上記第１金属壁部が上記第１導電膜と上記第２導電膜とに接合することで、上記第２容量形成部が上記第１容量形成部を介して上記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、上記第１容量形成部が上記第２容量形成部を介して上記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも上記第１容量形成部と上記第２容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、コンデンサ。
【0215】
［付記２］
上記第１金属壁部が、上記第１主面から立設されている、付記１に記載のコンデンサ。
上記第１金属壁部が、上記第１主面から立設されている、付記１に記載のコンデンサ。
【0216】
［付記３］
上記第１金属壁部の厚みが、５μｍ以上である、付記１または２に記載のコンデンサ。
上記第１金属壁部の厚みが、５μｍ以上である、付記１または２に記載のコンデンサ。
【0217】
［付記４］
上記第１金属壁部の厚みが、７５μｍ以下である、付記３に記載のコンデンサ。
上記第１金属壁部の厚みが、７５μｍ以下である、付記３に記載のコンデンサ。
【0218】
［付記５］
上記第１主面の法線方向と平行な方向における上記第１金属壁部の高さが、上記第１主面の法線方向と平行な方向における上記容量形成部の高さよりも大きい、付記１から４のいずれかに記載のコンデンサ。
上記第１主面の法線方向と平行な方向における上記第１金属壁部の高さが、上記第１主面の法線方向と平行な方向における上記容量形成部の高さよりも大きい、付記１から４のいずれかに記載のコンデンサ。
【0219】
［付記６］
上記第１金属壁部の厚み方向および高さ方向の双方に交差する方向における上記第１金属壁部の幅が、上記第１金属壁部の厚み方向および高さ方向の双方に交差する方向における上記容量形成部の幅よりも大きい、付記１から５のいずれかに記載のコンデンサ。
上記第１金属壁部の厚み方向および高さ方向の双方に交差する方向における上記第１金属壁部の幅が、上記第１金属壁部の厚み方向および高さ方向の双方に交差する方向における上記容量形成部の幅よりも大きい、付記１から５のいずれかに記載のコンデンサ。
【0220】
［付記７］
上記第１誘電体膜の厚みが、上記第２誘電体膜の厚みの２倍以上であるか、あるいは、上記第２誘電体膜の厚みが、上記第１誘電体膜の厚みの２倍以上である、付記１から６のいずれかに記載のコンデンサ。
上記第１誘電体膜の厚みが、上記第２誘電体膜の厚みの２倍以上であるか、あるいは、上記第２誘電体膜の厚みが、上記第１誘電体膜の厚みの２倍以上である、付記１から６のいずれかに記載のコンデンサ。
【0221】
［付記８］
上記第１容量形成部の静電容量が、上記第２容量形成部の静電容量の５％以上５０％以下である、付記１から６のいずれかに記載のコンデンサ。
上記第１容量形成部の静電容量が、上記第２容量形成部の静電容量の５％以上５０％以下である、付記１から６のいずれかに記載のコンデンサ。
【0222】
［付記９］
上記第２導電膜が互いに不連続である第３導電膜および第４導電膜を含むことにより、上記第２容量形成部は、上記第３導電膜と、当該第３導電膜に対応する部分の上記第２誘電体膜である第３誘電体膜と、当該第３誘電体膜に対応する部分の上記第２金属多孔体である第３金属多孔体とによって規定される第３容量形成部、および、上記第４導電膜と、当該第４導電膜に対応する部分の上記第２誘電体膜である第４誘電体膜と、当該第４誘電体膜に対応する部分の上記第２金属多孔体である第４金属多孔体とによって規定される第４容量形成部を含み、
上記第４容量形成部は、上記第３容量形成部から見て上記第１外部接続配線側とは反対側に位置し、
上記第４容量形成部が上記第３容量形成部を介して上記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、上記第３容量形成部が上記第４容量形成部を介して上記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも上記第３容量形成部と上記第４容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、付記１から８のいずれかに記載のコンデンサ。
上記第２導電膜が互いに不連続である第３導電膜および第４導電膜を含むことにより、上記第２容量形成部は、上記第３導電膜と、当該第３導電膜に対応する部分の上記第２誘電体膜である第３誘電体膜と、当該第３誘電体膜に対応する部分の上記第２金属多孔体である第３金属多孔体とによって規定される第３容量形成部、および、上記第４導電膜と、当該第４導電膜に対応する部分の上記第２誘電体膜である第４誘電体膜と、当該第４誘電体膜に対応する部分の上記第２金属多孔体である第４金属多孔体とによって規定される第４容量形成部を含み、
上記第４容量形成部は、上記第３容量形成部から見て上記第１外部接続配線側とは反対側に位置し、
上記第４容量形成部が上記第３容量形成部を介して上記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、上記第３容量形成部が上記第４容量形成部を介して上記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも上記第３容量形成部と上記第４容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、付記１から８のいずれかに記載のコンデンサ。
【0223】
［付記１０］
上記第２金属多孔体を上記第３金属多孔体と上記第４金属多孔体とに区画するとともに、上記第２誘電体膜を上記第３誘電体膜と上記第４誘電体膜とに区画し、さらに、上記第２導電膜を上記第３導電膜と上記第４導電膜とに区画する金属製の第１隔壁部をさらに備え、
上記第１隔壁部が、上記第３金属多孔体および上記第４金属多孔体に接合しているとともに、上記第３導電膜および上記第４導電膜に接合していないことにより、少なくとも上記第３容量形成部と上記第４容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において上記第１隔壁部を介して電気的に直列に接続されている、付記９に記載のコンデンサ。
上記第２金属多孔体を上記第３金属多孔体と上記第４金属多孔体とに区画するとともに、上記第２誘電体膜を上記第３誘電体膜と上記第４誘電体膜とに区画し、さらに、上記第２導電膜を上記第３導電膜と上記第４導電膜とに区画する金属製の第１隔壁部をさらに備え、
上記第１隔壁部が、上記第３金属多孔体および上記第４金属多孔体に接合しているとともに、上記第３導電膜および上記第４導電膜に接合していないことにより、少なくとも上記第３容量形成部と上記第４容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において上記第１隔壁部を介して電気的に直列に接続されている、付記９に記載のコンデンサ。
【0224】
［付記１１］
上記第１外部接続配線が、上記第１主面から上記第２主面にまで達するように上記絶縁基板を貫通する第１ビア導体を有し、
上記第２外部接続配線が、上記第１主面から上記第２主面にまで達するように上記絶縁基板を貫通する第２ビア導体を有し、
上記第１主面の法線方向に沿って見た場合に、上記第１ビア導体が、上記第１容量形成部が配置された領域内に設けられ、
上記第１主面の法線方向に沿って見た場合に、上記第２ビア導体が、上記第２容量形成部が配置された領域内に設けられている、付記１０に記載のコンデンサ。
上記第１外部接続配線が、上記第１主面から上記第２主面にまで達するように上記絶縁基板を貫通する第１ビア導体を有し、
上記第２外部接続配線が、上記第１主面から上記第２主面にまで達するように上記絶縁基板を貫通する第２ビア導体を有し、
上記第１主面の法線方向に沿って見た場合に、上記第１ビア導体が、上記第１容量形成部が配置された領域内に設けられ、
上記第１主面の法線方向に沿って見た場合に、上記第２ビア導体が、上記第２容量形成部が配置された領域内に設けられている、付記１０に記載のコンデンサ。
【0225】
［付記１２］
上記第１金属壁部と上記第１ビア導体との間の距離が、上記第１金属壁部と上記第１隔壁部との間の距離よりも短い、付記１１に記載のコンデンサ。
上記第１金属壁部と上記第１ビア導体との間の距離が、上記第１金属壁部と上記第１隔壁部との間の距離よりも短い、付記１１に記載のコンデンサ。
【0226】
［付記１３］
上記第４容量形成部が、上記第１外部接続配線側に位置する第５容量形成部と、当該第５容量形成部よりも上記第２外部接続配線側に位置する第６容量形成部とを含むこととなるように、上記第４容量形成部を区画する第２金属壁部をさらに備え、
上記第５容量形成部は、当該第５容量形成部を規定する部分の上記第４金属多孔体である第５金属多孔体と、当該第５金属多孔体に対応する部分の上記第４誘電体膜である第５誘電体膜と、当該第５誘電体膜に対応する部分の上記第４導電膜である第５導電膜とを含み、
上記第６容量形成部は、当該第６容量形成部を規定する部分の上記第４金属多孔体である第６金属多孔体と、当該第６金属多孔体に対応する部分の上記第４誘電体膜である第６誘電体膜と、当該第６誘電体膜に対応する部分の上記第４導電膜である第６導電膜とを含み、
上記第２金属壁部が、上記第５導電膜と上記第６導電膜とに接合することで、上記第６容量形成部が上記第５容量形成部を介して上記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、上記第５容量形成部が上記第６容量形成部を介して上記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも上記第５容量形成部と上記第６容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、付記９から１２のいずれかに記載のコンデンサ。
上記第４容量形成部が、上記第１外部接続配線側に位置する第５容量形成部と、当該第５容量形成部よりも上記第２外部接続配線側に位置する第６容量形成部とを含むこととなるように、上記第４容量形成部を区画する第２金属壁部をさらに備え、
上記第５容量形成部は、当該第５容量形成部を規定する部分の上記第４金属多孔体である第５金属多孔体と、当該第５金属多孔体に対応する部分の上記第４誘電体膜である第５誘電体膜と、当該第５誘電体膜に対応する部分の上記第４導電膜である第５導電膜とを含み、
上記第６容量形成部は、当該第６容量形成部を規定する部分の上記第４金属多孔体である第６金属多孔体と、当該第６金属多孔体に対応する部分の上記第４誘電体膜である第６誘電体膜と、当該第６誘電体膜に対応する部分の上記第４導電膜である第６導電膜とを含み、
上記第２金属壁部が、上記第５導電膜と上記第６導電膜とに接合することで、上記第６容量形成部が上記第５容量形成部を介して上記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、上記第５容量形成部が上記第６容量形成部を介して上記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも上記第５容量形成部と上記第６容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、付記９から１２のいずれかに記載のコンデンサ。
【0227】
［付記１４］
上記第６導電膜が互いに不連続である第７導電膜および第８導電膜を含むことにより、上記第６容量形成部は、上記第７導電膜と、当該第７導電膜に対応する部分の上記第６誘電体膜である第７誘電体膜と、当該第７誘電体膜に対応する部分の上記第６金属多孔体である第７金属多孔体とによって規定される第７容量形成部、および、上記第８導電膜と、当該第８導電膜に対応する部分の上記第６誘電体膜である第８誘電体膜と、当該第８誘電体膜に対応する部分の上記第６金属多孔体である第８金属多孔体とによって規定される第８容量形成部を含み、
上記第８容量形成部は、上記第７容量形成部から見て上記第１外部接続配線側とは反対側に位置し、
上記第８容量形成部が上記第７容量形成部を介して上記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、上記第７容量形成部が上記第８容量形成部を介して上記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも上記第７容量形成部と上記第８容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、付記１３に記載のコンデンサ。
上記第６導電膜が互いに不連続である第７導電膜および第８導電膜を含むことにより、上記第６容量形成部は、上記第７導電膜と、当該第７導電膜に対応する部分の上記第６誘電体膜である第７誘電体膜と、当該第７誘電体膜に対応する部分の上記第６金属多孔体である第７金属多孔体とによって規定される第７容量形成部、および、上記第８導電膜と、当該第８導電膜に対応する部分の上記第６誘電体膜である第８誘電体膜と、当該第８誘電体膜に対応する部分の上記第６金属多孔体である第８金属多孔体とによって規定される第８容量形成部を含み、
上記第８容量形成部は、上記第７容量形成部から見て上記第１外部接続配線側とは反対側に位置し、
上記第８容量形成部が上記第７容量形成部を介して上記第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、上記第７容量形成部が上記第８容量形成部を介して上記第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも上記第７容量形成部と上記第８容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている、付記１３に記載のコンデンサ。
【0228】
［付記１５］
上記第６金属多孔体を上記第７金属多孔体と上記第８金属多孔体とに区画するとともに、上記第６誘電体膜を上記第７誘電体膜と上記第８誘電体膜とに区画し、さらに、上記第６導電膜を上記第７導電膜と上記第８導電膜とに区画する金属製の第２隔壁部をさらに備え、
上記第２隔壁部が、上記第７金属多孔体および上記第８金属多孔体に接合しているとともに、上記第７導電膜および上記第８導電膜に接合していないことにより、少なくとも上記第７容量形成部と上記第８容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において上記第２隔壁部を介して電気的に直列に接続されている、付記１４に記載のコンデンサ。
上記第６金属多孔体を上記第７金属多孔体と上記第８金属多孔体とに区画するとともに、上記第６誘電体膜を上記第７誘電体膜と上記第８誘電体膜とに区画し、さらに、上記第６導電膜を上記第７導電膜と上記第８導電膜とに区画する金属製の第２隔壁部をさらに備え、
上記第２隔壁部が、上記第７金属多孔体および上記第８金属多孔体に接合しているとともに、上記第７導電膜および上記第８導電膜に接合していないことにより、少なくとも上記第７容量形成部と上記第８容量形成部とが、上記第１外部接続配線と上記第２外部接続配線との間において上記第２隔壁部を介して電気的に直列に接続されている、付記１４に記載のコンデンサ。
【0229】
（その他の形態等）
上述した本発明の実施の形態において示した各部の形状や構成、大きさ、数、材質等は、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて種々変更が可能である。
上述した本発明の実施の形態において示した各部の形状や構成、大きさ、数、材質等は、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて種々変更が可能である。
【0230】
また、上述した本発明の実施の形態において示した特徴的な構成は、本発明の趣旨に照らして許容される範囲で当然に相互に組み合わせることが可能である。
【0231】
このように、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は請求の範囲によって画定され、また請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【0232】
１Ａ～１Ｃ コンデンサ、１０ 絶縁基板、１０ａ 第１主面、１０ｂ 第２主面、１１ 第１貫通孔、１２ 第２貫通孔、１３ 第１ビア導体、１４ 第２ビア導体、１５，１５Ａ～１５Ｅ 金属壁部、１５ｈ 金属壁部用溝、１６ 第１バンプ、１７ 第２バンプ、１８，１８Ａ～１８Ｃ 隔壁部、１８ｈ 隔壁部用溝、２０，２０Ａ～２０Ｋ 容量形成部、２１，２１Ａ～２１Ｋ 金属多孔体、２１ａ 金属粒子、２１ｂ バインダー、２１ｐ 導電性ペースト、２２，２２Ａ～２２Ｋ 誘電体膜、２３，２３Ａ～２３Ｋ 導電膜、２４ 第１レジスト膜、２５ 第２レジスト膜、３０ 封止部、３０ａ 外面。
【要約】
コンデンサ（１Ａ）は、絶縁基板（１０）と、容量形成部（２０）と、第１外部接続配線および第２外部接続配線と、第１金属壁部（１５Ａ）とを備えている。絶縁基板（１０）は、第１主面（１０ａ）および当該第１主面（１０ａ）とは反対側に位置する第２主面（１０ｂ）を有しており、容量形成部（２０）は、第１主面（１０ａ）に対向するように設けられている。第１外部接続配線および第２外部接続配線は、容量形成部（２０）に接続されている。第１金属壁部（１５Ａ）は、容量形成部（２０）が、第１外部接続配線側に位置する第１容量形成部（２０Ａ）と、当該第１容量形成部（２０Ａ）よりも第２外部接続配線側に位置する第２容量形成部（２０Ｂ）～（２０Ｅ）とを含むこととなるように、容量形成部（２０）を区画している。第１容量形成部（２０Ａ）は、導電性の第１金属多孔体（２１Ａ）と、第１金属多孔体（２１Ａ）の表面を覆う第１誘電体膜（２２Ａ）と、第１誘電体膜（２２Ａ）を覆う第１導電膜（２３Ａ）とを含んでおり、第２容量形成部（２０Ｂ）～（２０Ｅ）は、導電性の第２金属多孔体（２１Ｂ）～（２１Ｅ）と、第２金属多孔体（２１Ｂ）～（２１Ｅ）の表面を覆う第２誘電体膜（２２Ｂ）～（２２Ｅ）と、第２誘電体膜（２２Ｂ）～（２２Ｅ）を覆う第２導電膜（２３Ｂ）～（２３Ｅ）とを含んでいる。第１金属壁部（１５Ａ）が第１導電膜（２３Ａ）と第２導電膜（２３Ｂ）～（２３Ｅ）とに接合することで、第２容量形成部（２０Ｂ）～（２０Ｅ）が第１容量形成部（２０Ａ）を介して第１外部接続配線に電気的に接続されるとともに、第１容量形成部（２０Ａ）が第２容量形成部（２０Ｂ）～（２０Ｅ）を介して第２外部接続配線に電気的に接続されることにより、少なくとも第１容量形成部（２０Ａ）と第２容量形成部（２０Ｂ）～（２０Ｅ）とが、第１外部接続配線と第２外部接続配線との間において電気的に直列に接続されている。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】