(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-15
(45)【発行日】2024-10-23
(54)【発明の名称】電子装置
(51)【国際特許分類】
G06F 3/041 20060101AFI20241016BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20241016BHJP
G06F 3/046 20060101ALI20241016BHJP
G02F 1/1333 20060101ALI20241016BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20241016BHJP
【ＦＩ】
G06F3/041 495
G06F3/044 120
G06F3/046 P
G02F1/1333
G09F9/00 366A
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2020130141
(22)【出願日】2020-07-31
(65)【公開番号】P2021026775
(43)【公開日】2021-02-22
【審査請求日】2023-05-10
(31)【優先権主張番号】10-2019-0094449
(32)【優先日】2019-08-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2019-0170341
(32)【優先日】2019-12-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】岸本 広次
(72)【発明者】
【氏名】黄 鉉 彬
(72)【発明者】
【氏名】崔 哲 浩
【審査官】宮本 昭彦
(56)【参考文献】
【文献】特開平０１－２６３８１４（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１０／０１７１８９１（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１８－０９７２９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－２２３５４２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－００６７４９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０６Ｆ ３／０３ － ３／０４７
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子装置であって、ウィンドウと、
前記ウィンドウの下側に配置される表示パネルと、
前記表示パネルの下側に配置されるデジタイザと、を有し、
前記デジタイザは、第１面と、前記第１面に対向する第２面とを含む感光性樹脂層と、
前記感光性樹脂層の内側に配置される感知コイルと、を含み、
前記第１面は、前記第２面に比べ相対的に平坦であることを特徴とする電子装置。
【請求項2】
前記第１面は、前記第２面に比べ前記表示パネルに隣接して配置され、前記第１面の表面粗さは、前記第２面の表面粗さよりも小さく、
前記第１面の表面粗さは、１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項3】
前記第２面の表面粗さは、５μｍ以上１５μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【請求項4】
前記デジタイザは、前記第２面に配置される遮蔽層と、前記第２面と前記遮蔽層とを接合する接着層と、を更に含み、前記遮蔽層は、磁性金属粉末（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｍｅｔａｌ ｐｏｗｄｅｒ：ＭＭＰ）を含むことを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【請求項5】
前記第２面は、前記第１面に比べ前記表示パネルに隣接して配置され、前記第２面の表面粗さは、前記第１面の表面粗さより大きく、
前記第２面の表面粗さは、１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項6】
前記第１面の表面粗さは、１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【請求項7】
前記デジタイザは、前記第１面と接触する遮蔽層を更に含み、前記遮蔽層は、パーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ）、インバー（ｉｎｖａｒ）、及びステンレススチールの内のいずれか一つを含むことを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【請求項8】
前記感知コイルは、第１方向に延長される第１感知コイルと、前記第１方向と交差する第２方向に延長され、前記感光性樹脂層の厚さ方向で前記第１感知コイルと離隔される第２感知コイルと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項9】
前記感光性樹脂層は、前記第１感知コイルが配置され、前記第１面を提供する第１感光性樹脂層と、前記第１感知コイルをカバーし、前記第２感知コイルが配置される第２感光性樹脂層と、
前記第２感知コイルをカバーし、前記第２面を提供する第３感光性樹脂層と、を含むことを特徴とする請求項８に記載の電子装置。
【請求項10】
前記表示パネルの下側に配置される下部フィルム及びクッション層の内の少なくとも一つを更に有することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項11】
前記デジタイザは、前記表示パネルと前記下部フィルム及び前記クッション層との内の最も下部に配置される構成の下部、前記表示パネルと前記下部フィルムとの間、前記下部フィルムと前記クッション層との間、前記表示パネルと前記クッション層との間、の内のいずれか一つに配置されることを特徴とする請求項１０に記載の電子装置。
【請求項12】
前記表示パネルの上に配置され、自己静電容量式（Ｓｅｌｆ－ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ ｔｙｐｅ）及び相互静電容量式（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ ｔｙｐｅ）の内のいずれか一つの方式によって外部入力を感知する感知センサと、前記ウィンドウと前記表示パネルとの間に配置される光学部材と、を更に有することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項13】
前記電子装置は、一方向に延長される仮想のフォールディング軸を基準にフォールディングされるフォールディング領域と、前記フォールディング領域の一側に延長される第１非フォールディング領域と、
前記フォールディング領域の他側に延長される第２非フォールディング領域と、を有することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項14】
前記感光性樹脂層は、感光性ポリイミド（Ｐｈｏｔｏｓｅｓｉｔｉｖｅ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子装置に関し、詳しくは、視認性が改善され、信頼性が向上された電子装置に関する。
【背景技術】
【0002】
情報化社会において、電子（表示）装置は、ビジュアル情報の伝達媒体としてその重要性が台頭している。
現在知られている電子装置に含まれる表示装置は、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、有機電界発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ）、電界効果表示装置（ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ：ＥＰＤ）などがある。
現在知られている電子装置に含まれる表示装置は、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、有機電界発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ）、電界効果表示装置（ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ：ＥＰＤ）などがある。
【0003】
電子装置は、電気的信号が印加されて活性化される。
電子装置は、映像を表示する表示パネルに対し、外部から印加される入力を感知する感知センサを含む。
電子装置は、電気的信号によって活性化されるように多様な電極パターンを含む。
電極パターンが活性化された領域は、情報が表示されるか、外部から印加される信号に反応する。
電子装置は、映像を表示する表示パネルに対し、外部から印加される入力を感知する感知センサを含む。
電子装置は、電気的信号によって活性化されるように多様な電極パターンを含む。
電極パターンが活性化された領域は、情報が表示されるか、外部から印加される信号に反応する。
【0004】
感知センサ含む装置（例えば、デジタイザ）が表示パネルと隣接して配置されることで表示パネルを透過した光によって不均一な面がユーザに視認される問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２００４－２３６８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、上記従来の電子（表示）装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、視認性が改善され、信頼性が向上された電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するためになされた本発明による電子装置は、ウィンドウと、前記ウィンドウの下側に配置される表示パネルと、前記表示パネルの下側に配置されるデジタイザと、を有し、前記デジタイザは、第１面と、前記第１面に対向する第２面とを含む感光性樹脂層と、前記感光性樹脂層の内側に配置される感知コイルと、を含み、前記第１面は、前記第２面に比べ相対的に平坦であることを特徴とする。
【0008】
前記第１面は、前記第２面に比べ前記表示パネルに隣接して配置され、前記第１面の表面粗さは、前記第２面の表面粗さよりも小さく、前記第１面の表面粗さは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
前記第２面の表面粗さは、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
前記デジタイザは、前記第２面に配置される遮蔽層と、前記第２面と前記遮蔽層とを接合する接着層と、を更に含み、前記遮蔽層は、磁性金属粉末（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｍｅｔａｌ ｐｏｗｄｅｒ：ＭＭＰ）を含むことが好ましい。
前記第２面は、前記第１面に比べ前記表示パネルに隣接して配置され、前記第２面の表面粗さは、前記第１面の表面粗さより大きく、前記第２面の表面粗さは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
前記第１面の表面粗さは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
前記デジタイザは、前記第１面と接触する遮蔽層を更に含み、前記遮蔽層は、パーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ）、インバー（ｉｎｖａｒ）、及びステンレススチールの内のいずれか一つを含むことが好ましい。
前記第２面の表面粗さは、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
前記デジタイザは、前記第２面に配置される遮蔽層と、前記第２面と前記遮蔽層とを接合する接着層と、を更に含み、前記遮蔽層は、磁性金属粉末（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｍｅｔａｌ ｐｏｗｄｅｒ：ＭＭＰ）を含むことが好ましい。
前記第２面は、前記第１面に比べ前記表示パネルに隣接して配置され、前記第２面の表面粗さは、前記第１面の表面粗さより大きく、前記第２面の表面粗さは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
前記第１面の表面粗さは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
前記デジタイザは、前記第１面と接触する遮蔽層を更に含み、前記遮蔽層は、パーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ）、インバー（ｉｎｖａｒ）、及びステンレススチールの内のいずれか一つを含むことが好ましい。
【0009】
前記感知コイルは、第１方向に延長される第１感知コイルと、前記第１方向と交差する第２方向に延長され、前記感光性樹脂層の厚さ方向で前記第１感知コイルと離隔される第２感知コイルと、を含むことが好ましい。
前記感光性樹脂層は、前記第１感知コイルが配置され、前記第２面を提供する第１感光性樹脂層と、前記第１感知コイルをカバーし、前記第２感知コイルが配置される第２感光性樹脂層と、前記第２感知コイルをカバーし、前記第１面を提供する第３感光性樹脂層と、を含むことが好ましい。
前記表示パネルの下側に配置される下部フィルム及びクッション層の内の少なくとも一つを更に有することが好ましい。
前記デジタイザは、前記表示パネルと前記下部フィルム及び前記クッション層との内の最も下部に配置される構成の下部、前記表示パネルと前記下部フィルムとの間、前記下部フィルムと前記クッション層との間、前記表示パネルと前記クッション層との間、の内のいずれか一つに配置されることが好ましい。
前記表示パネルの上に配置され、自己静電容量式（Ｓｅｌｆ－ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ ｔｙｐｅ）及び相互静電容量式（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ ｔｙｐｅ）の内のいずれか一つの方式によって外部入力を感知する感知センサと、前記ウィンドウと前記表示パネルとの間に配置される光学部材と、を更に有することが好ましい。
前記電子装置は、一方向に延長される仮想のフォールディング軸を基準にフォールディングされるフォールディング領域と、前記フォールディング領域の一側に延長される第１非フォールディング領域と、前記フォールディング領域の他側に延長される第２非フォールディング領域と、を有することが好ましい。
前記感光性樹脂層は、感光性ポリイミド（Ｐｈｏｔｏｓｅｓｉｔｉｖｅ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）を含むことが好ましい。
前記感光性樹脂層は、前記第１感知コイルが配置され、前記第２面を提供する第１感光性樹脂層と、前記第１感知コイルをカバーし、前記第２感知コイルが配置される第２感光性樹脂層と、前記第２感知コイルをカバーし、前記第１面を提供する第３感光性樹脂層と、を含むことが好ましい。
前記表示パネルの下側に配置される下部フィルム及びクッション層の内の少なくとも一つを更に有することが好ましい。
前記デジタイザは、前記表示パネルと前記下部フィルム及び前記クッション層との内の最も下部に配置される構成の下部、前記表示パネルと前記下部フィルムとの間、前記下部フィルムと前記クッション層との間、前記表示パネルと前記クッション層との間、の内のいずれか一つに配置されることが好ましい。
前記表示パネルの上に配置され、自己静電容量式（Ｓｅｌｆ－ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ ｔｙｐｅ）及び相互静電容量式（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ ｔｙｐｅ）の内のいずれか一つの方式によって外部入力を感知する感知センサと、前記ウィンドウと前記表示パネルとの間に配置される光学部材と、を更に有することが好ましい。
前記電子装置は、一方向に延長される仮想のフォールディング軸を基準にフォールディングされるフォールディング領域と、前記フォールディング領域の一側に延長される第１非フォールディング領域と、前記フォールディング領域の他側に延長される第２非フォールディング領域と、を有することが好ましい。
前記感光性樹脂層は、感光性ポリイミド（Ｐｈｏｔｏｓｅｓｉｔｉｖｅ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【0010】
本発明に係る電子装置によれば、デジタイザの互いに対向する面のうち相対的に平坦な面が表示モジュールと隣接して配置されることで、表示モジュールを透過した光によって不均一な面がユーザに視認される問題を改善することができる。
それによって、視認性が改善された電子装置を提供することができる。
それによって、視認性が改善された電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1A】本発明の一実施形態による電子装置の広げられた状態の斜視図である。
【図1B】本発明の一実施形態による電子装置の内側に曲がった状態の斜視図である。
【図1C】本発明の一実施形態による電子装置のフォールディングされた（折り畳まれた）状態の平面図である。
【図1D】本発明の一実施形態による電子装置の外側に曲がった状態の斜視図である。
【図2A】本発明の一実施形態による電子装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図2B】本発明の一実施形態による電子装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図2C】本発明の一実施形態による電子装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図3A】本発明の一実施形態による表示パネルの平面図である。
【図3B】本発明の一実施形態による画素の等価回路図である。
【図4】本発明の一実施形態による感知センサの平面図である。
【図5】本発明の一実施形態によるデジタイザの部分的構成を示す平面図である。
【図6A】本発明の一実施形態による電子装置の一部分の概略的な構成を示す断面図である。
【図6B】本発明の一実施形態によるデジタイザの部分的構成を示す断面図である。
【図7】本発明の一実施形態によるデジタイザの部分的構成を示す断面図である。
【図8】本発明の他の実施形態によるデジタイザの部分的構成を示す断面図である。
【図9】本発明のまた他の実施形態によるデジタイザの部分的構成を示す断面図である。
【図10A】本発明の一実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
【図10B】本発明の一実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
【図10C】本発明の一実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
【図10D】本発明の一実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
【図10E】本発明の一実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
【図10F】本発明の一実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
【図10G】本発明の一実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
【図11A】本発明の他の実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
【図11B】本発明の他の実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
【図11C】本発明の他の実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
次に、本発明に係る電子装置を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【0013】
本明細書において、ある構成要素（または領域、層、部分など）が他の構成要素の「上にある」、「結合される」、または「結合される」と言及されれば、それは他の構成要素の上に直接配置・接続・結合され得るか、またはそれらの間に第３の構成要素が配置され得ることを意味する。
同じ図面符号は同じ構成要素を指す。
また、図面において、構成要素の厚さ、割合、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。
「及び／または」は、関連する構成が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。
第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用するが、前記構成要素は前記用語に限らない。前記用語は一つの構造要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用する。
例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないながらも第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、類似して第２構成要素も第１構成要素と命名されてもよい。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
同じ図面符号は同じ構成要素を指す。
また、図面において、構成要素の厚さ、割合、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。
「及び／または」は、関連する構成が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。
第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用するが、前記構成要素は前記用語に限らない。前記用語は一つの構造要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用する。
例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないながらも第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、類似して第２構成要素も第１構成要素と命名されてもよい。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【0014】
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成の連関関係を説明するために使用される。前記用語は相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明される。
異なるように定義されない限り、本明細書で使用された全ての用語（技術的及び科学的用語を含む）は、本発明の属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるようなものと同じ意味を有する。
また、一般的に使用される辞書に定義されている用語のような用語は、関連技術の脈絡での意味と一致する意味を有すると解釈すべきであり、理想的な、または過度に形式的な意味に解釈されない限り、明示的にここで定義される。
「含む」または「有する」などの用語は明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。
異なるように定義されない限り、本明細書で使用された全ての用語（技術的及び科学的用語を含む）は、本発明の属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるようなものと同じ意味を有する。
また、一般的に使用される辞書に定義されている用語のような用語は、関連技術の脈絡での意味と一致する意味を有すると解釈すべきであり、理想的な、または過度に形式的な意味に解釈されない限り、明示的にここで定義される。
「含む」または「有する」などの用語は明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。
【0015】
以下、図面を参照して本発明による電子装置の実施形態を説明する。
図１Ａは、本発明の一実施形態による電子装置の広げられた状態の斜視図であり、図１Ｂは、本発明の一実施形態による電子装置の内側に曲がった状態の斜視図であり、図１Ｃは、本発明の一実施形態による電子装置のフォールディングされた（折り畳まれた）状態の平面図であり、図１Ｄは、本発明の一実施形態による電子装置の外側に曲がった状態の斜視図である。
図１Ａは、本発明の一実施形態による電子装置の広げられた状態の斜視図であり、図１Ｂは、本発明の一実施形態による電子装置の内側に曲がった状態の斜視図であり、図１Ｃは、本発明の一実施形態による電子装置のフォールディングされた（折り畳まれた）状態の平面図であり、図１Ｄは、本発明の一実施形態による電子装置の外側に曲がった状態の斜視図である。
【0016】
図１Ａを参照すると、電子装置ＥＡは、電気的信号によって活性化される装置である。
電子装置ＥＡは、多様な実施形態を含む。
例えば、電子装置ＥＡは、タブレット、ノートブック、コンピュータ、スマートテレビなどを含む。
本実施形態において、電子装置ＥＡは、スマートフォンとして例示的に示す。
電子装置ＥＡは、第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２それぞれに平行する第１表示面ＦＳに第３方向ＤＲ３に向かって映像ＩＭを表示する。
映像ＩＭが表示される第１表示面ＦＳは、電子装置ＥＡの前面（ｆｒｏｎｔ ｓｕｒｆａｃｅ）に対応する。
映像ＩＭは、動的な映像はもちろん、静止映像も含む。
図１Ａにおいて、映像ＩＭの一例としてインターネット検索ウィンドウを示す。
電子装置ＥＡは、多様な実施形態を含む。
例えば、電子装置ＥＡは、タブレット、ノートブック、コンピュータ、スマートテレビなどを含む。
本実施形態において、電子装置ＥＡは、スマートフォンとして例示的に示す。
電子装置ＥＡは、第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２それぞれに平行する第１表示面ＦＳに第３方向ＤＲ３に向かって映像ＩＭを表示する。
映像ＩＭが表示される第１表示面ＦＳは、電子装置ＥＡの前面（ｆｒｏｎｔ ｓｕｒｆａｃｅ）に対応する。
映像ＩＭは、動的な映像はもちろん、静止映像も含む。
図１Ａにおいて、映像ＩＭの一例としてインターネット検索ウィンドウを示す。
【0017】
本実施形態では映像ＩＭが表示される方向を基準に各部材の前面（または上面）と背面（または下面）が定義される。
前面と背面は、第３方向ＤＲ３で互いに対向（ｏｐｐｏｓｉｎｇ）し、前面と背面それぞれの法線方向は第３方向ＤＲ３と平行する。
第３方向ＤＲ３における前面と背面との離隔距離は、電子装置ＥＡの第３方向ＤＲ３における厚さ／高さに対応する。
一方、第１～第３方向（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）が指示する方向は、相対的な概念であって、他の方向に変換されてもよい。
以下、第１～第３方向は、第１～第３方向（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）がそれぞれ指示する方向に同じ図面符号を参照する。
前面と背面は、第３方向ＤＲ３で互いに対向（ｏｐｐｏｓｉｎｇ）し、前面と背面それぞれの法線方向は第３方向ＤＲ３と平行する。
第３方向ＤＲ３における前面と背面との離隔距離は、電子装置ＥＡの第３方向ＤＲ３における厚さ／高さに対応する。
一方、第１～第３方向（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）が指示する方向は、相対的な概念であって、他の方向に変換されてもよい。
以下、第１～第３方向は、第１～第３方向（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）がそれぞれ指示する方向に同じ図面符号を参照する。
【0018】
電子装置ＥＡは、外部から印加される外部入力を感知する。
外部入力は、電子装置ＥＡの外部から提供される多様な形態の入力を含む。
例えば、外部入力は、ユーザの手などの身体の一部による接触はもちろん、電子装置ＥＡと近接するか、所定の長さで隣接して印加される外部入力（例えば、ホバリング）などを含む。
また、力、圧力、温度、光など多様な形態を有する。
外部入力は、電子装置ＥＡの外部から提供される多様な形態の入力を含む。
例えば、外部入力は、ユーザの手などの身体の一部による接触はもちろん、電子装置ＥＡと近接するか、所定の長さで隣接して印加される外部入力（例えば、ホバリング）などを含む。
また、力、圧力、温度、光など多様な形態を有する。
【0019】
図１Ａは、ユーザの手による入力と、ペンＳＰによる外部入力を例示的に示す。
図に示していないが、ペンＳＰは、電子装置ＥＡから取り外し可能であり、電子装置ＥＡは、ペンＳＰの取り外しに対応する信号を提供し受信される。
本実施形態による電子装置ＥＡは、第１表示面ＦＳ及び第２表示面ＲＳを含む。
第１表示面ＦＳは、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）、第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）、及び電子モジュール領域ＥＭＡを含む。第２表示面ＲＳは、第１表示面ＦＳに対向する面と定義される。
図に示していないが、ペンＳＰは、電子装置ＥＡから取り外し可能であり、電子装置ＥＡは、ペンＳＰの取り外しに対応する信号を提供し受信される。
本実施形態による電子装置ＥＡは、第１表示面ＦＳ及び第２表示面ＲＳを含む。
第１表示面ＦＳは、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）、第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）、及び電子モジュール領域ＥＭＡを含む。第２表示面ＲＳは、第１表示面ＦＳに対向する面と定義される。
【0020】
第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）は、電気的信号によって活性化される領域である。
第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）は、映像が表示され、多様な形態の外部入力を感知する領域である。
第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）は、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）に隣接する。
第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）は、所定のカラーを有する。
第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）は、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）を取り囲む。
それによって、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）の形状は、実質的に第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）によって定義される。
但し、これは例示的な図示であって、第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）は、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）の一側にのみ隣接して配置されてもよく、省略されてもよい。
本発明の実施形態による電子装置は、多様な実施形態を含み、いずれか一つの実施形態に限らない。
第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）は、映像が表示され、多様な形態の外部入力を感知する領域である。
第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）は、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）に隣接する。
第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）は、所定のカラーを有する。
第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）は、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）を取り囲む。
それによって、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）の形状は、実質的に第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）によって定義される。
但し、これは例示的な図示であって、第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）は、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）の一側にのみ隣接して配置されてもよく、省略されてもよい。
本発明の実施形態による電子装置は、多様な実施形態を含み、いずれか一つの実施形態に限らない。
【0021】
電子モジュール領域ＥＭＡには、多様な電子モジュールが配置される。
例えば、電子モジュールは、カメラ、スピーカ、光感知センサ、及び熱感知センサの内の少なくともいずれか一つを含む。
電子モジュール領域ＥＭＡは、表示面（ＦＳ、ＲＳ）を介して受信される外部被写体を感知するか、表示面（ＦＳ、ＲＳ）を介して音声などの音信号を外部に提供する。
電子モジュールは、複数の構成を含んでもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
電子モジュール領域ＥＭＡは、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）と、第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）との内のいずれか一つに取り囲まれる。
但し、これに限らず、電子モジュール領域ＥＭＡは、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）内に配置されてもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
例えば、電子モジュールは、カメラ、スピーカ、光感知センサ、及び熱感知センサの内の少なくともいずれか一つを含む。
電子モジュール領域ＥＭＡは、表示面（ＦＳ、ＲＳ）を介して受信される外部被写体を感知するか、表示面（ＦＳ、ＲＳ）を介して音声などの音信号を外部に提供する。
電子モジュールは、複数の構成を含んでもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
電子モジュール領域ＥＭＡは、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）と、第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）との内のいずれか一つに取り囲まれる。
但し、これに限らず、電子モジュール領域ＥＭＡは、第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）内に配置されてもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
【0022】
本実施形態による電子装置ＥＡは、少なくとも一つのフォールディング（ｆｏｌｄｉｎｇ）領域ＦＡと、フォールディング領域ＦＡから延長される複数の非フォールディング（ｎｏｎ－ｆｏｌｄｉｎｇ）領域（ＮＦＡ１、ＮＦＡ２）とを含む。
図１Ｂを参照すると、一実施形態による電子装置ＥＡは、第２方向ＤＲ２に延長される仮想の第１フォールディング軸ＡＸ１を含む。
第１フォールディング軸ＡＸ１は、第１表示面ＦＳの上で第２方向ＤＲ２に沿って延長される。
本実施形態において、非フォールディング領域（ＮＦＡ１、ＮＦＡ２）は、フォールディング領域ＦＡを間に挟んでフォールディング領域ＦＡから延長される。
例えば、第１非フォールディング領域ＮＦＡ１は、第１方向ＤＲ１に沿ってフォールディング領域ＦＡの一側に延長され、第２非フォールディング領域ＮＦＡ２は、第１方向ＤＲ１に沿ってフォールディング領域ＦＡの他側に延長される。
電子装置ＥＡは、第１フォールディング軸ＡＸ１を基準にフォールディングされ、第１表示面ＦＳの内、第１非フォールディング領域ＮＦＡ１と重畳する一領域、及び第２非フォールディング領域ＮＦＡ２と重畳する他領域が向かい合うイン・フォールディング（ｉｎ－ｆｏｌｄｉｎｇ）状態（内側に曲がった状態）に変形される。
図１Ｂを参照すると、一実施形態による電子装置ＥＡは、第２方向ＤＲ２に延長される仮想の第１フォールディング軸ＡＸ１を含む。
第１フォールディング軸ＡＸ１は、第１表示面ＦＳの上で第２方向ＤＲ２に沿って延長される。
本実施形態において、非フォールディング領域（ＮＦＡ１、ＮＦＡ２）は、フォールディング領域ＦＡを間に挟んでフォールディング領域ＦＡから延長される。
例えば、第１非フォールディング領域ＮＦＡ１は、第１方向ＤＲ１に沿ってフォールディング領域ＦＡの一側に延長され、第２非フォールディング領域ＮＦＡ２は、第１方向ＤＲ１に沿ってフォールディング領域ＦＡの他側に延長される。
電子装置ＥＡは、第１フォールディング軸ＡＸ１を基準にフォールディングされ、第１表示面ＦＳの内、第１非フォールディング領域ＮＦＡ１と重畳する一領域、及び第２非フォールディング領域ＮＦＡ２と重畳する他領域が向かい合うイン・フォールディング（ｉｎ－ｆｏｌｄｉｎｇ）状態（内側に曲がった状態）に変形される。
【0023】
図１Ｃを参照すると、本発明の一実施形態による電子装置ＥＡは、イン・フォールディングされた状態で第２表示面ＲＳがユーザに視認される。
この際、第２表示面ＲＳは、映像を表示する第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）を含む。
第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）は、電気的信号によって活性化される領域である。
第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）は、映像が表示され、多様な形態の外部入力を感知する領域である。
第２周辺領域（Ｒ－ＮＡＡ）は、第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）に隣接する。
第２周辺領域（Ｒ－ＮＡＡ）は、所定のカラーを有する。
第２周辺領域（Ｒ－ＮＡＡ）は、第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）を取り囲む。
一方、図に示していないが、第２表示面ＲＳにも多様な構成を含む電子モジュールが配置される電子モジュール領域を更に含んでもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
この際、第２表示面ＲＳは、映像を表示する第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）を含む。
第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）は、電気的信号によって活性化される領域である。
第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）は、映像が表示され、多様な形態の外部入力を感知する領域である。
第２周辺領域（Ｒ－ＮＡＡ）は、第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）に隣接する。
第２周辺領域（Ｒ－ＮＡＡ）は、所定のカラーを有する。
第２周辺領域（Ｒ－ＮＡＡ）は、第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）を取り囲む。
一方、図に示していないが、第２表示面ＲＳにも多様な構成を含む電子モジュールが配置される電子モジュール領域を更に含んでもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
【0024】
図１Ｄを参照すると、本発明の一実施形態による電子装置ＥＡは、第２方向ＤＲ２に延長される仮想の第２フォールディング軸ＡＸ２を含む。
第２フォールディング軸ＡＸ２は、第２表示面ＲＳの上で第２方向ＤＲ２に沿って延長される。
電子装置ＥＡは、第２フォールディング軸ＡＸ２を基準にフォールディングされ、第２表示面ＲＳの内、第１非フォールディング領域ＮＦＡ１と重畳する一領域、及び第２非フォールディング領域ＮＦＡ２と重畳する他領域が向かい合うアウト・フォールディング（ｏμｔ－ｆｏｌｄｉｎｇ）状態（外側に曲がった状態）に変形される。
但し、これに限らず、複数個のフォールディング軸を基準にフォールディングされて第１表示面ＦＳ及び第２表示面ＲＳそれぞれの一部が向かい合うようにフォールディングされてもよく、フォールディング軸の個数及びそれによる非フォールディング領域の個数はいずれか一つに限らない。
第２フォールディング軸ＡＸ２は、第２表示面ＲＳの上で第２方向ＤＲ２に沿って延長される。
電子装置ＥＡは、第２フォールディング軸ＡＸ２を基準にフォールディングされ、第２表示面ＲＳの内、第１非フォールディング領域ＮＦＡ１と重畳する一領域、及び第２非フォールディング領域ＮＦＡ２と重畳する他領域が向かい合うアウト・フォールディング（ｏμｔ－ｆｏｌｄｉｎｇ）状態（外側に曲がった状態）に変形される。
但し、これに限らず、複数個のフォールディング軸を基準にフォールディングされて第１表示面ＦＳ及び第２表示面ＲＳそれぞれの一部が向かい合うようにフォールディングされてもよく、フォールディング軸の個数及びそれによる非フォールディング領域の個数はいずれか一つに限らない。
【0025】
図２Ａ～図２Ｃは、本発明の一実施形態による電子装置の概略的な構成を示す断面図であり、図３Ａは、本発明の一実施形態による表示パネルの平面図であり、図３Ｂは、本発明の一実施形態による画素の等価回路図であり、図４は、本発明の一実施形態による感知センサの平面図である。
図１Ａ～図１Ｄと同じ構成に対して同じ参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
図２Ａ～図２Ｃは、本発明の実施形態による表示装置の断面を簡略に示す断面図である。
図１Ａ～図１Ｄと同じ構成に対して同じ参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
図２Ａ～図２Ｃは、本発明の実施形態による表示装置の断面を簡略に示す断面図である。
【0026】
図２Ａを参照すると、本実施形態による電子装置ＥＡは、ウィンドウＷＭ、光学部材ＯＭ、表示モジュールＤＭ、下部フィルムＦＭ、保護部材ＰＭ、及びデジタイザＺＭを含む。
ウィンドウＷＭは、表示モジュールＤＭの上に配置される。
ウィンドウＷＭは、電子装置ＥＡの表示面（ＦＳ、ＲＳ）を提供し、表示モジュールＤＭを保護する。
ウィンドウＷＭは、光透過率が高い物質を含む。
例えば、ウィンドウＷＭは、ガラス基板、サファイア基板、またはプラスチックフィルムを含んでもよい。
ウィンドウＷＭは、多層または単層構造を有する。
ウィンドウＷＭは、表示モジュールＤＭの上に配置される。
ウィンドウＷＭは、電子装置ＥＡの表示面（ＦＳ、ＲＳ）を提供し、表示モジュールＤＭを保護する。
ウィンドウＷＭは、光透過率が高い物質を含む。
例えば、ウィンドウＷＭは、ガラス基板、サファイア基板、またはプラスチックフィルムを含んでもよい。
ウィンドウＷＭは、多層または単層構造を有する。
【0027】
例えば、ウィンドウＷＭは、接着剤で結合された複数個のプラスチックフィルムの積層構造を有するか、接着剤で結合されたガラス基板とプラスチックフィルムの積層構造を有してもよい。
ウィンドウＷＭの内、表示モジュールＤＭから生成された光が透過する一領域は、第１表示面ＦＳの第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）と定義され、ウィンドウＷＭのベゼル領域は、第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）と定義される。
また、ウィンドウＷＭの内、表示モジュールＤＭから生成された光が透過する他領域は、第２表示面ＲＳの第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）と定義され、ウィンドウＷＭのベゼル領域は、第２周辺領域（Ｒ－ＮＡＡ）と定義される。
ウィンドウＷＭの内、表示モジュールＤＭから生成された光が透過する一領域は、第１表示面ＦＳの第１アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）と定義され、ウィンドウＷＭのベゼル領域は、第１周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ）と定義される。
また、ウィンドウＷＭの内、表示モジュールＤＭから生成された光が透過する他領域は、第２表示面ＲＳの第２アクティブ領域（Ｒ－ＡＡ）と定義され、ウィンドウＷＭのベゼル領域は、第２周辺領域（Ｒ－ＮＡＡ）と定義される。
【0028】
光学部材ＯＭは、ウィンドウＷＭの下部に配置される。
光学部材ＯＭは、表示モジュールＤＭに入射する光に対する表示モジュールＤＭの外光反射率を減少させる。
例えば、光学部材ＯＭは、反射防止フィルム、偏光フィルム、カラーフィルタ、及びグレーフィルタの内の少なくともいずれか一つを含む。
表示モジュールＤＭは、出力装置の機能をする。
例えば、表示モジュールＤＭは、アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ、Ｒ－ＡＡ）に映像（ｉｍａｇｅ）を表示し、ユーザは映像を介して情報を取得する。
また、表示モジュールＤＭは、アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ、Ｒ－ＡＡ）に印加される外部入力を感知する入力装置として機能する。
本実施形態による表示モジュールＤＭは、表示パネルＤＰ及び感知センサＩＳＬを含む。
光学部材ＯＭは、表示モジュールＤＭに入射する光に対する表示モジュールＤＭの外光反射率を減少させる。
例えば、光学部材ＯＭは、反射防止フィルム、偏光フィルム、カラーフィルタ、及びグレーフィルタの内の少なくともいずれか一つを含む。
表示モジュールＤＭは、出力装置の機能をする。
例えば、表示モジュールＤＭは、アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ、Ｒ－ＡＡ）に映像（ｉｍａｇｅ）を表示し、ユーザは映像を介して情報を取得する。
また、表示モジュールＤＭは、アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ、Ｒ－ＡＡ）に印加される外部入力を感知する入力装置として機能する。
本実施形態による表示モジュールＤＭは、表示パネルＤＰ及び感知センサＩＳＬを含む。
【0029】
図３Ａを参照すると、表示パネルＤＰは、複数の画素ＰＸ、複数の信号ライン（ＧＬ、ＤＬ、ＰＬ、ＥＣＬ）、及び複数の表示パッドＰＤＤを含む。
表示パネルＤＰの表示領域ＤＡは、映像が表示される領域であり、非表示領域ＮＤＡは、駆動回路や駆動ラインなどが配置される領域である。
表示領域ＤＡは、電子装置ＥＡのアクティブ領域（Ｆ－ＡＡ、Ｒ－ＡＡ）の少なくとも一部と重畳する。
また、非表示領域ＤＡは、電子装置ＥＡの周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ、Ｒ－ＮＡＡ）と重畳する。
表示パネルＤＰの表示領域ＤＡは、映像が表示される領域であり、非表示領域ＮＤＡは、駆動回路や駆動ラインなどが配置される領域である。
表示領域ＤＡは、電子装置ＥＡのアクティブ領域（Ｆ－ＡＡ、Ｒ－ＡＡ）の少なくとも一部と重畳する。
また、非表示領域ＤＡは、電子装置ＥＡの周辺領域（Ｆ－ＮＡＡ、Ｒ－ＮＡＡ）と重畳する。
【0030】
複数の信号ライン（ＧＬ、ＤＬ、ＰＬ、ＥＣＬ）は、画素ＰＸに接続されて画素ＰＸに電気的な信号を伝達する。
表示パネルＤＰに含まれる信号ラインの内、スキャンラインＧＬ、データラインＤＬ、電源ラインＰＬ、及び発光制御ラインＥＣＬを例示的に示す。
但し、これは例示的な図示であって、信号ライン（ＧＬ、ＤＬ、ＰＬ、ＥＣＬ）は初期化電圧ラインを更に含んでもよく、いずれか一つに限らない。
画素ＰＸは、第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２に沿って互いに離隔されて配列されて平面上でマトリックス（ｍａｔｒｉｘ）形状を有する。
表示パネルＤＰに含まれる信号ラインの内、スキャンラインＧＬ、データラインＤＬ、電源ラインＰＬ、及び発光制御ラインＥＣＬを例示的に示す。
但し、これは例示的な図示であって、信号ライン（ＧＬ、ＤＬ、ＰＬ、ＥＣＬ）は初期化電圧ラインを更に含んでもよく、いずれか一つに限らない。
画素ＰＸは、第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２に沿って互いに離隔されて配列されて平面上でマトリックス（ｍａｔｒｉｘ）形状を有する。
【0031】
図３Ｂを参照すると、複数の画素の内、一つの画素ＰＸの信号回路図を拡大して例示的に示す。
図３Ｂには、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉ及びｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに接続される画素ＰＸを例示的に示す。
画素ＰＸは、発光素子ＥＥ及び画素回路ＣＣを含む。
画素回路ＣＣは、複数のトランジスタ（Ｔ１～Ｔ７）及びキャパシタＣＰを含む。
複数のトランジスタ（Ｔ１～Ｔ７）は、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ）工程、またはＬＴＰＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ）工程を介して形成される。
図３Ｂには、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉ及びｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに接続される画素ＰＸを例示的に示す。
画素ＰＸは、発光素子ＥＥ及び画素回路ＣＣを含む。
画素回路ＣＣは、複数のトランジスタ（Ｔ１～Ｔ７）及びキャパシタＣＰを含む。
複数のトランジスタ（Ｔ１～Ｔ７）は、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ）工程、またはＬＴＰＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ）工程を介して形成される。
【0032】
画素回路ＣＣは、データ信号に対応して発光素子ＥＥに流れる電流量を制御する。
発光素子ＥＥは、画素回路ＣＣから提供される電流量に対応して所定の輝度で発光する。
そのために、第１電源ＥＬＶＤＤのレベルは、第２電源ＥＬＶＳＳのレベルより高く設定される。
発光素子ＥＥは、有機発光素子または量子点発光素子を含む。
複数のトランジスタ（Ｔ１～Ｔ７）それぞれは、入力電極（または、ソース電力）、出力電力（または、ドレイン電極）、及び制御電極（または、ゲート電極）を含む。
本明細書内において、便宜上、入力電極及び出力電力の内のいずれか一つは第１電極と称され、他の一つは第２電極と称される。
発光素子ＥＥは、画素回路ＣＣから提供される電流量に対応して所定の輝度で発光する。
そのために、第１電源ＥＬＶＤＤのレベルは、第２電源ＥＬＶＳＳのレベルより高く設定される。
発光素子ＥＥは、有機発光素子または量子点発光素子を含む。
複数のトランジスタ（Ｔ１～Ｔ７）それぞれは、入力電極（または、ソース電力）、出力電力（または、ドレイン電極）、及び制御電極（または、ゲート電極）を含む。
本明細書内において、便宜上、入力電極及び出力電力の内のいずれか一つは第１電極と称され、他の一つは第２電極と称される。
【0033】
第１トランジスタＴ１の第１電極は、第５トランジスタＴ５を経由して第１電源ＥＬＶＤＤに接続され、第１トランジスタのＴ１の第２電極は第６トランジスタＴ６を経由して発光素子ＥＥのアノード電極に接続される。
第１トランジスタＴ１は、本明細書内で駆動トランジスタと称される。
第１トランジスタＴ１は、第１トランジスタＴ１の制御電極に印加される電圧に対応して発光素子ＥＥに流れる電流量を制御する。
第１トランジスタＴ１は、本明細書内で駆動トランジスタと称される。
第１トランジスタＴ１は、第１トランジスタＴ１の制御電極に印加される電圧に対応して発光素子ＥＥに流れる電流量を制御する。
【0034】
第２トランジスタＴ２は、データラインＤＬと第１トランジスタＴ１の第１電極との間に接続される。
そして、第２トランジスタＴ２の制御電極は、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉに接続される。
第２トランジスタＴ２は、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉにｉ番目のスキャン信号が提供されるとターンオンされて、データラインＤＬと第１トランジスタＴ１の第１電極を電気的に接続させる。
そして、第２トランジスタＴ２の制御電極は、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉに接続される。
第２トランジスタＴ２は、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉにｉ番目のスキャン信号が提供されるとターンオンされて、データラインＤＬと第１トランジスタＴ１の第１電極を電気的に接続させる。
【0035】
第３トランジスタＴ３は、第１トランジスタＴ１の第２電極と第１トランジスタＴ１の制御電極との間に接続される。
第３トランジスタＴ３の制御電極は、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉに接続される。
第３トランジスタＴ３は、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉにｉ番目のスキャン信号が提供されるとターンオンされて、第１トランジスタＴ１の第２電極と第１トランジスタＴ１の制御電極を電気的に接続させる。
よって、第３トランジスタＴ３がターンオンされると、第１トランジスタＴ１はダイオードの形態に接続される。
第３トランジスタＴ３の制御電極は、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉに接続される。
第３トランジスタＴ３は、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉにｉ番目のスキャン信号が提供されるとターンオンされて、第１トランジスタＴ１の第２電極と第１トランジスタＴ１の制御電極を電気的に接続させる。
よって、第３トランジスタＴ３がターンオンされると、第１トランジスタＴ１はダイオードの形態に接続される。
【0036】
第４トランジスタＴ４は、ノードＮＤと初期化電源生成部（図示せず）との間に接続される。
そして、第４トランジスタＴ４の制御電極は、（ｉ－１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ－１）に接続される。
第４トランジスタＴ４は、（ｉ－１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ－１）に（ｉ－１）番目のスキャン信号が提供されるとターンオンされて、ノードＮＤに初期化電圧Ｖｉｎｔを提供する。
そして、第４トランジスタＴ４の制御電極は、（ｉ－１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ－１）に接続される。
第４トランジスタＴ４は、（ｉ－１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ－１）に（ｉ－１）番目のスキャン信号が提供されるとターンオンされて、ノードＮＤに初期化電圧Ｖｉｎｔを提供する。
【0037】
第５トランジスタＴ５は、電源ラインＰＬと第１トランジスタＴ１の第１電極との間に接続される。
第５トランジスタＴ５の制御電極は、ｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに接続される。
第６トランジスタＴ６は、第１トランジスタＴ１の第２電極と発光素子ＥＥのアノード電極との間に接続される。
そして、第６トランジスタＴ６の制御電極は、ｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに接続される。
第５トランジスタＴ５の制御電極は、ｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに接続される。
第６トランジスタＴ６は、第１トランジスタＴ１の第２電極と発光素子ＥＥのアノード電極との間に接続される。
そして、第６トランジスタＴ６の制御電極は、ｉ番目の発光制御ラインＥＣＬｉに接続される。
【0038】
第７トランジスタＴ７は、初期化電源生成部（図示せず）と発光素子ＥＥのアノード電極との間に接続される。
そして、第７トランジスタＴ７の制御電極は、（ｉ＋１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ＋１）に接続される。
このような第７トランジスタＴ７は、（ｉ＋１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ＋１）に（ｉ＋１）番目のスキャン信号が提供されるとターンオンされて、初期化電圧Ｖｉｎｔを発光素子ＥＥのアノード電極に提供する。
そして、第７トランジスタＴ７の制御電極は、（ｉ＋１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ＋１）に接続される。
このような第７トランジスタＴ７は、（ｉ＋１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ＋１）に（ｉ＋１）番目のスキャン信号が提供されるとターンオンされて、初期化電圧Ｖｉｎｔを発光素子ＥＥのアノード電極に提供する。
【0039】
第７トランジスタＴ７は、画素ＰＸのブラック表現能力を向上させる。
詳しくは、第７トランジスタＴ７がターンオンされると、発光素子ＥＥの寄生キャパシタ（図示せず）が放電する。
すると、ブラック輝度を具現する際に第１トランジスタＴ１からの漏洩電流によって発光素子ＥＥが発光しなくなり、それによってブラック表現能力が向上する。
加えて、図３Ｂでは第７トランジスタＴ７の制御電極が（ｉ＋１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ＋１）に接続されると示しているが、本発明はこれに限らない。
本発明の他の実施形態において、第７トランジスタＴ７の制御電極は、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉ、または（ｉ－１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ－１）に接続されてもよい。
詳しくは、第７トランジスタＴ７がターンオンされると、発光素子ＥＥの寄生キャパシタ（図示せず）が放電する。
すると、ブラック輝度を具現する際に第１トランジスタＴ１からの漏洩電流によって発光素子ＥＥが発光しなくなり、それによってブラック表現能力が向上する。
加えて、図３Ｂでは第７トランジスタＴ７の制御電極が（ｉ＋１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ＋１）に接続されると示しているが、本発明はこれに限らない。
本発明の他の実施形態において、第７トランジスタＴ７の制御電極は、ｉ番目のスキャンラインＧＬｉ、または（ｉ－１）番目のスキャンラインＧＬ（ｉ－１）に接続されてもよい。
【0040】
キャパシタＣＰは、電源ラインＰＬとノードＮＤとの間に配置される。
キャパシタＣＰは、データ信号に対応する電圧を貯蔵する。
キャパシタＣＰに貯蔵された電圧に応じて、第５トランジスタＴ５及び第６トランジスタＴ６がターンオンされる際に第１トランジスタＴ１に流れる電流量が決定される。
キャパシタＣＰは、データ信号に対応する電圧を貯蔵する。
キャパシタＣＰに貯蔵された電圧に応じて、第５トランジスタＴ５及び第６トランジスタＴ６がターンオンされる際に第１トランジスタＴ１に流れる電流量が決定される。
【0041】
本発明において、画素ＰＸの等価回路は、図３Ｂに示した等価回路に限らない。
本発明の他の実施形態において、画素ＰＸは発光素子ＥＥを発光するための多様な形態に具現され得る。
図３ＢではＰＭＯＳを基準に示しているが、これに限らない。
本発明の他の実施形態において、画素回路ＣＣは、ＮＭＯＳで構成される。
本発明のまた他の実施形態において、画素回路ＣＣは、ＮＭＯＳとＰＭＯＳの組み合わせによって構成される。
本発明の他の実施形態において、画素ＰＸは発光素子ＥＥを発光するための多様な形態に具現され得る。
図３ＢではＰＭＯＳを基準に示しているが、これに限らない。
本発明の他の実施形態において、画素回路ＣＣは、ＮＭＯＳで構成される。
本発明のまた他の実施形態において、画素回路ＣＣは、ＮＭＯＳとＰＭＯＳの組み合わせによって構成される。
【0042】
更に図３Ａを参照すると、電源パターンＶＤＤは、非表示領域ＮＤＡに配置される。
本実施形態において、電源パターンＶＤＤは、複数の電源ラインＰＬと接続する。
それによって、表示パネルＤＰは、電源パターンＶＤＤを含むことで、複数の画素ＰＸに同じ第１電源信号を提供する。
表示パッドＰＤＤは、第１パッドＤ１及び第２パッドＤ２を含む。
第１パッド部Ｄ１は複数で備えられ、データラインＤＬにそれぞれに接続される。
第２パッドＤ２は電源パターンＶＤＤに接続され、電源ラインＰＬと電気的に接続される。
表示パネルＤＰは、表示パッドＰＤＤを介して外部から提供される電気的信号を画素ＰＸに提供する。
一方、表示パッドＰＤＤは、第１パッドＤ１及び第２パッドＤ２以外に他の電気的信号を受信するためのパッドを更に含んでもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
本実施形態において、電源パターンＶＤＤは、複数の電源ラインＰＬと接続する。
それによって、表示パネルＤＰは、電源パターンＶＤＤを含むことで、複数の画素ＰＸに同じ第１電源信号を提供する。
表示パッドＰＤＤは、第１パッドＤ１及び第２パッドＤ２を含む。
第１パッド部Ｄ１は複数で備えられ、データラインＤＬにそれぞれに接続される。
第２パッドＤ２は電源パターンＶＤＤに接続され、電源ラインＰＬと電気的に接続される。
表示パネルＤＰは、表示パッドＰＤＤを介して外部から提供される電気的信号を画素ＰＸに提供する。
一方、表示パッドＰＤＤは、第１パッドＤ１及び第２パッドＤ２以外に他の電気的信号を受信するためのパッドを更に含んでもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
【0043】
図４を参照すると、感知センサＩＳＬは、表示パネルＤＰの上に配置される。
感知センサＩＳＬは、別途の接着層を介して表示パネルＤＰと結合される。
また、感知センサＩＳＬは、連続工程によって表示パネルＤＰの上に直接形成されてもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
感知センサＩＳＬは、第１感知電極ＴＥ１、第２感知電極ＴＥ２、複数の感知ライン（ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３）、及び複数の感知パッド（ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３）を含む。
感知センサＩＳＬは、別途の接着層を介して表示パネルＤＰと結合される。
また、感知センサＩＳＬは、連続工程によって表示パネルＤＰの上に直接形成されてもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
感知センサＩＳＬは、第１感知電極ＴＥ１、第２感知電極ＴＥ２、複数の感知ライン（ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３）、及び複数の感知パッド（ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３）を含む。
【0044】
感知センサＩＳＬは、感知領域ＳＡ及び非感知領域ＮＳＡが定義される。
非感知領域ＮＳＡは、感知領域ＳＡを取り囲む。
感知領域ＳＡは、外部から印加される入力を感知するセンサイング領域（ｓｅｎｓｉｎｇ ａｒｅａ）である。
感知領域ＳＡは、表示パネルＤＰの表示領域ＤＡと重畳する。
感知センサＩＳＬは、自己静電容量式及び相互静電容量式の内のいずれか一つの方式によって外部入力を感知する。
第１感知電極ＴＥ１、第２感知電極ＴＥ２は、方式に対応して多様に変形されて配置及び接続される。
非感知領域ＮＳＡは、感知領域ＳＡを取り囲む。
感知領域ＳＡは、外部から印加される入力を感知するセンサイング領域（ｓｅｎｓｉｎｇ ａｒｅａ）である。
感知領域ＳＡは、表示パネルＤＰの表示領域ＤＡと重畳する。
感知センサＩＳＬは、自己静電容量式及び相互静電容量式の内のいずれか一つの方式によって外部入力を感知する。
第１感知電極ＴＥ１、第２感知電極ＴＥ２は、方式に対応して多様に変形されて配置及び接続される。
【0045】
第１感知電極ＴＥ１は、第１感知パターンＳＰ１及び第１接続パターンＢＰ１を含む。
第１感知電極ＴＥ１は、第１方向ＤＲ１に沿って延長され、第２方向ＤＲ２に沿って配列される。
第１感知パターンＳＰ１は、第１方向ＤＲ１に沿って離隔されて配列される。
少なくとも一つの第１接続パターンＢＰ１は、互いに隣接した２つの第１感知パターンＳＰ１に接続される。
第２感知電極ＴＥ２は、第２感知パターンＳＰ２及び第２接続パターンＢＰ２を含む。
第２感知電極ＴＥ２は、第２方向ＤＲ２に沿って延長され、第１方向ＤＲ１に沿って配列される。
第２感知パターンＳＰ２は、第２方向ＤＲ２に沿って離隔されて配列される。
少なくとも一つの第２接続パターンＢＰ２は、互いに隣接した２つの第２感知パターンＳＰ２に接続される。
第１感知電極ＴＥ１は、第１方向ＤＲ１に沿って延長され、第２方向ＤＲ２に沿って配列される。
第１感知パターンＳＰ１は、第１方向ＤＲ１に沿って離隔されて配列される。
少なくとも一つの第１接続パターンＢＰ１は、互いに隣接した２つの第１感知パターンＳＰ１に接続される。
第２感知電極ＴＥ２は、第２感知パターンＳＰ２及び第２接続パターンＢＰ２を含む。
第２感知電極ＴＥ２は、第２方向ＤＲ２に沿って延長され、第１方向ＤＲ１に沿って配列される。
第２感知パターンＳＰ２は、第２方向ＤＲ２に沿って離隔されて配列される。
少なくとも一つの第２接続パターンＢＰ２は、互いに隣接した２つの第２感知パターンＳＰ２に接続される。
【0046】
感知ライン（ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３）は、非感知領域ＮＳＡに配置される。
感知ライン（ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３）は、第１感知ラインＴＬ１、第２感知ラインＴＬ２、及び第３感知ラインＴＬ３を含む。
第１感知ラインＴＬ１は、第１感知電極ＴＥ１に接続される。
第２感知ラインＴＬ２は、第２感知電極ＴＥ２の一端に接続される。
第３感知ラインＴＬ３は、第２感知電極ＴＥ２の他端にそれぞれ接続される。
第２感知電極ＴＥ２の他端は、第２感知電極ＴＥ２の一端に対向する部分である。
本実施形態によると、第２感知電極ＴＥ２は、第２感知ラインＴＬ２及び第３感知ラインＴＬ３に接続される。
それによって、第１感知電極ＴＥ１に比べ相対的に長い長さを有する第２感知電極ＴＥ２に対して領域による感度を均一に維持することができる。
一方、これは例示的な図示であって、第３感知ラインＴＬ３は省略されてもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
感知ライン（ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３）は、第１感知ラインＴＬ１、第２感知ラインＴＬ２、及び第３感知ラインＴＬ３を含む。
第１感知ラインＴＬ１は、第１感知電極ＴＥ１に接続される。
第２感知ラインＴＬ２は、第２感知電極ＴＥ２の一端に接続される。
第３感知ラインＴＬ３は、第２感知電極ＴＥ２の他端にそれぞれ接続される。
第２感知電極ＴＥ２の他端は、第２感知電極ＴＥ２の一端に対向する部分である。
本実施形態によると、第２感知電極ＴＥ２は、第２感知ラインＴＬ２及び第３感知ラインＴＬ３に接続される。
それによって、第１感知電極ＴＥ１に比べ相対的に長い長さを有する第２感知電極ＴＥ２に対して領域による感度を均一に維持することができる。
一方、これは例示的な図示であって、第３感知ラインＴＬ３は省略されてもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
【0047】
感知パッド（ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３）は、非感知領域ＮＳＡに配置される。
感知パッド（ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３）は、第１感知パッドＴＰ１、第２感知パッドＴＰ２、及び第３感知パッドＴＰ３を含む。
第１感知パッドＴＰ１は、第１感知ラインＴＬ１に接続され、第１感知電極ＴＥ１と電気的に接続される。
第２感知パッドＴＰ２は、第２感知ラインＴＬ２に接続され、第３感知パッドＴＰ３は第３感知ラインＴＬ３に接続される。
よって、第２感知パッドＴＰ２及び第３感知パッドＴＰ３は、第２感知電極ＴＥ２と電気的に接続される。
感知パッド（ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３）は、第１感知パッドＴＰ１、第２感知パッドＴＰ２、及び第３感知パッドＴＰ３を含む。
第１感知パッドＴＰ１は、第１感知ラインＴＬ１に接続され、第１感知電極ＴＥ１と電気的に接続される。
第２感知パッドＴＰ２は、第２感知ラインＴＬ２に接続され、第３感知パッドＴＰ３は第３感知ラインＴＬ３に接続される。
よって、第２感知パッドＴＰ２及び第３感知パッドＴＰ３は、第２感知電極ＴＥ２と電気的に接続される。
【0048】
更に、図２Ａを参照すると、下部フィルムＦＭは、表示モジュールＤＭの下部に配置される。
下部フィルムＦＭは、電子装置ＥＡがフォールディングされる際に表示モジュールＤＭに加えられるストレスを低減する。
また、下部フィルムＦＭは、外部の湿気が表示モジュールＤＭに浸透することを防止し、外部衝撃を吸収する。
下部フィルムＦＭは、プラスチックフィルムを基底層として含む。
下部フィルムＦＭは、電子装置ＥＡがフォールディングされる際に表示モジュールＤＭに加えられるストレスを低減する。
また、下部フィルムＦＭは、外部の湿気が表示モジュールＤＭに浸透することを防止し、外部衝撃を吸収する。
下部フィルムＦＭは、プラスチックフィルムを基底層として含む。
【0049】
下部フィルムＦＭは、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアーリレート、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアリレンエーテルスルホン、及びこれらの組み合わせからなるグループから選択されるいずれか一つを含むプラスチックフィルムを含む。
下部フィルムＦＭを構成する物質は、プラスチック樹脂に限らず、有機／無機複合材料を含んでもよい。
下部フィルムＦＭは、多孔性有機層及び有機層の気孔に充電された無機物を含む。
下部フィルムＦＭを構成する物質は、プラスチック樹脂に限らず、有機／無機複合材料を含んでもよい。
下部フィルムＦＭは、多孔性有機層及び有機層の気孔に充電された無機物を含む。
【0050】
下部フィルムＦＭは、プラスチックフィルムに形成される機能層を更に含む。
機能層は樹脂層を含む。
機能層はコーティング方式によって形成される。
保護部材ＰＭは下部フィルムＦＭの下部に配置される。
保護部材ＰＭは、表示モジュールＤＭを保護する少なくとも一つの機能層を含む。
例えば、保護部材ＰＭは、遮光層、放熱層、クッション層、及び複数の接着層を含む。
機能層は樹脂層を含む。
機能層はコーティング方式によって形成される。
保護部材ＰＭは下部フィルムＦＭの下部に配置される。
保護部材ＰＭは、表示モジュールＤＭを保護する少なくとも一つの機能層を含む。
例えば、保護部材ＰＭは、遮光層、放熱層、クッション層、及び複数の接着層を含む。
【0051】
遮光層は、アクティブ領域（Ｆ－ＡＡ）、（Ｒ－ＡＡ）を介して表示モジュールＤＭに配置される構成がウィンドウＷＭに映る問題を改善する役割をする。
図に示していないが、遮光層は、バインダ及びそれに分散された複数の顔料粒子を含む。
顔料粒子は、カーボンブラックなどを含む。
本発明の一実施形態による電子装置ＥＡは、遮光層を含む保護部材ＲＭを含むことで、光遮蔽性を向上させる効果を有する。
図に示していないが、遮光層は、バインダ及びそれに分散された複数の顔料粒子を含む。
顔料粒子は、カーボンブラックなどを含む。
本発明の一実施形態による電子装置ＥＡは、遮光層を含む保護部材ＲＭを含むことで、光遮蔽性を向上させる効果を有する。
【0052】
放熱層は、表示モジュールＤＭから発生する熱を効率的に放熱する。
放熱層は、放熱特性がよい黒鉛（ｇｒａｐｈｉｔｅ）、銅（Ｃｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の内の少なくともいずれか一つを含んでもよく、これに限らない。
放熱層は、放熱特性を向上させるだけでなく、電磁波遮蔽または電磁波吸収特性を有する。
放熱層は、放熱特性がよい黒鉛（ｇｒａｐｈｉｔｅ）、銅（Ｃｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の内の少なくともいずれか一つを含んでもよく、これに限らない。
放熱層は、放熱特性を向上させるだけでなく、電磁波遮蔽または電磁波吸収特性を有する。
【0053】
クッション層は、合成樹脂発砲フォーム（ｆｏｒｍ）である。
クッション層は、マトリックス及び複数の空隙を含む。
クッション層は、弾性を有し、多孔性構造を有する。
マトリックスは、柔軟な物質を含む。
マトリックスは、合成樹脂を含む。
例えば、マトリックスは、アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合体（ＡＢＳ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリエチレン（ＰＥ）、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、及びポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）の内の少なくともいずれか一つを含む。
複数の空隙は、クッション層に印加される衝撃を容易に吸収する。
複数の空隙は、クッション層が多孔性構造を有することで定義される。
但し、これに限らず、遮光層、放熱層、及びクッション層の内の少なくともいずれか一つは省略されてもよく、複数の層が単一の層で提供されてもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
クッション層は、マトリックス及び複数の空隙を含む。
クッション層は、弾性を有し、多孔性構造を有する。
マトリックスは、柔軟な物質を含む。
マトリックスは、合成樹脂を含む。
例えば、マトリックスは、アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合体（ＡＢＳ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリエチレン（ＰＥ）、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、及びポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）の内の少なくともいずれか一つを含む。
複数の空隙は、クッション層に印加される衝撃を容易に吸収する。
複数の空隙は、クッション層が多孔性構造を有することで定義される。
但し、これに限らず、遮光層、放熱層、及びクッション層の内の少なくともいずれか一つは省略されてもよく、複数の層が単一の層で提供されてもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
【0054】
デジタイザＺＭは、表示モジュールＤＭの下部に配置される。
デジタイザＺＭは、外部入力の内、ペンＳＰ（図１ａ参照）によって伝達される信号を感知する。
デジタイザＺＭは、電磁気共鳴（ＥｌｅｃｔｒｏＭａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＥＭＲ）方式で外部入力を感知する。
電磁気共鳴（ＥＭＲ）方式は、ペンＳＰの内部に構成される共振回路から磁界を発生し、振動する磁界はデジタイザＺＭに含まれる複数のコイルに信号を誘導し、コイルに誘導される信号を介してペンＳＰの位置を検出する。
デジタイザＺＭに関する説明は、後述する。
デジタイザＺＭは、外部入力の内、ペンＳＰ（図１ａ参照）によって伝達される信号を感知する。
デジタイザＺＭは、電磁気共鳴（ＥｌｅｃｔｒｏＭａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＥＭＲ）方式で外部入力を感知する。
電磁気共鳴（ＥＭＲ）方式は、ペンＳＰの内部に構成される共振回路から磁界を発生し、振動する磁界はデジタイザＺＭに含まれる複数のコイルに信号を誘導し、コイルに誘導される信号を介してペンＳＰの位置を検出する。
デジタイザＺＭに関する説明は、後述する。
【0055】
本実施形態において、電子装置ＥＡは、デジタイザＺＭ、保護部材ＰＭ、下部フィルムＦＭ、表示モジュールＤＭ、及び光学部材ＯＭは、第３方向ＤＲ３に沿って順次に配置される。
よって、本実施形態において、デジタイザＺＭは、表示モジュールＤＭ、下部フィルムＦＭ、保護部材ＰＭの内の最も下部に配置される保護部材ＰＭの下部に配置される。
図に示していないが、図２Ａ～図２Ｃに示した構成間の結合は、構成間に配置される接着層によって結合される。
以下、本発明で説明する接着層は、光学透明接着フィルム（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ ｆｉｌｍ：ＯＣＡ）、光学透明接着樹脂（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｌｅａｒ Ｒｅｓｉｎ：ＯＣＲ）、または感圧接着フィルム（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ａｄｈｅｓｉｖｅ ｆｉｌｍ：ＰＳＡ）である。
また、接着層は、光硬化接着物質または熱硬化接着物質を含み、その材料は特に制限されない。
よって、本実施形態において、デジタイザＺＭは、表示モジュールＤＭ、下部フィルムＦＭ、保護部材ＰＭの内の最も下部に配置される保護部材ＰＭの下部に配置される。
図に示していないが、図２Ａ～図２Ｃに示した構成間の結合は、構成間に配置される接着層によって結合される。
以下、本発明で説明する接着層は、光学透明接着フィルム（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ ｆｉｌｍ：ＯＣＡ）、光学透明接着樹脂（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｌｅａｒ Ｒｅｓｉｎ：ＯＣＲ）、または感圧接着フィルム（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ａｄｈｅｓｉｖｅ ｆｉｌｍ：ＰＳＡ）である。
また、接着層は、光硬化接着物質または熱硬化接着物質を含み、その材料は特に制限されない。
【0056】
図２Ｂを参照すると、本実施形態による電子装置（ＥＡ－１）は、ウィンドウ（ＷＭ－１）、光学部材（ＯＭ－１）、表示モジュール（ＤＭ－１）、下部フィルム（ＦＭ－１）、保護部材（ＰＭ－１）、及びデジタイザ（ＺＭ－１）を含む。
本実施形態において、電子装置（ＥＡ－１）は、保護部材（ＰＭ－１）、デジタイザ（ＺＭ－１）、下部フィルム（ＦＭ－１）、表示モジュール（ＤＭ－１）、及び光学部材（ＯＭ－１）は、第３方向ＤＲ３に沿って順次に配置される。
よって、本実施形態において、デジタイザ（ＺＭ－１）は、下部フィルム（ＦＭ－１）と保護部材（ＰＭ－１）との間に配置される。
本実施形態において、電子装置（ＥＡ－１）は、保護部材（ＰＭ－１）、デジタイザ（ＺＭ－１）、下部フィルム（ＦＭ－１）、表示モジュール（ＤＭ－１）、及び光学部材（ＯＭ－１）は、第３方向ＤＲ３に沿って順次に配置される。
よって、本実施形態において、デジタイザ（ＺＭ－１）は、下部フィルム（ＦＭ－１）と保護部材（ＰＭ－１）との間に配置される。
【0057】
図２Ｃを参照すると、本実施形態による電子装置（ＥＡ－２）は、ウィンドウ（ＷＭ－２）、光学部材（ＯＭ－２）、表示モジュール（ＤＭ－２）、下部フィルム（ＦＭ－２）、保護部材（ＰＭ－２）、及びデジタイザ（ＺＭ－２）を含む。
本実施形態において、電子装置（ＥＡ－２）は、保護部材（ＰＭ－２）、下部フィルム（ＦＭ－２）、デジタイザ（ＺＭ－２）、表示モジュール（ＤＭ－２）、及び光学部材（ＯＭ－２）は、第３方向ＤＲ３に沿って順次に配置される。
よって、本実施形態において、デジタイザ（ＺＭ－２）は、表示モジュール（ＤＭ－２）と下部フィルム（ＦＭ－２）との間に配置される。
図に示していないが、電子装置は、第３方向に沿って順次に積層される下部フィルム、保護部材、デジタイザ、表示モジュール、及び光学部材を含むが、この際、デジタイザは表示モジュールと保護部材との間に配置される。
また、デジタイザは、表示モジュールの上に配置されてもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
本実施形態において、電子装置（ＥＡ－２）は、保護部材（ＰＭ－２）、下部フィルム（ＦＭ－２）、デジタイザ（ＺＭ－２）、表示モジュール（ＤＭ－２）、及び光学部材（ＯＭ－２）は、第３方向ＤＲ３に沿って順次に配置される。
よって、本実施形態において、デジタイザ（ＺＭ－２）は、表示モジュール（ＤＭ－２）と下部フィルム（ＦＭ－２）との間に配置される。
図に示していないが、電子装置は、第３方向に沿って順次に積層される下部フィルム、保護部材、デジタイザ、表示モジュール、及び光学部材を含むが、この際、デジタイザは表示モジュールと保護部材との間に配置される。
また、デジタイザは、表示モジュールの上に配置されてもよく、いずれか一つの実施形態に限らない。
【0058】
図５は、本発明の一実施形態によるデジタイザの部分的構成を示す平面図であり、図６Ａは、本発明の一実施形態による電子装置の一部分の概略的な構成を示す断面図であり、図６Ｂは、本発明の一実施形態によるデジタイザの部分的構成を示す断面図である。
図１Ａ～図４と同じ構成に対して同じ参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
図１Ａ～図４と同じ構成に対して同じ参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
【0059】
本発明の実施形態によるデジタイザＺＭは、電磁気共鳴（ＥＭＲ）方式で外部入力を感知する。
デジタイザＺＭは、感光性樹脂層ＰＩ、デジタイザセンサ（ＲＦ１、ＲＦ２、ＣＦ１、ＣＦ２）、及び複数のデジタイザパッド（ＴＣ１、ＴＣ２）を含む。
また、デジタイザＺＭは、第１面（ＺＭ－Ｕ）及び第１面（ＺＭ－Ｕ）に対向する第２面（ＺＭ－Ｂ）を含む。
デジタイザＺＭは、感光性樹脂層ＰＩ、デジタイザセンサ（ＲＦ１、ＲＦ２、ＣＦ１、ＣＦ２）、及び複数のデジタイザパッド（ＴＣ１、ＴＣ２）を含む。
また、デジタイザＺＭは、第１面（ＺＭ－Ｕ）及び第１面（ＺＭ－Ｕ）に対向する第２面（ＺＭ－Ｂ）を含む。
【0060】
感光性樹脂層ＰＩは、デジタイザセンサ（ＲＦ１、ＲＦ２、ＣＦ１、ＣＦ２）が配置される基底層である。
感光性樹脂層ＰＩは有機物を含む。
例えば、感光性樹脂層ＰＩは、感光性ポリイミドを含む。
感光性樹脂層ＰＩの内側には、複数のデジタイザセンサ（ＲＦ１、ＲＦ２、ＣＦ１、ＣＦ２）が配置される。
本発明において、「内側に配置される」という表現は「含侵された（ｅｍｂｅｄｅｄ）」と表現される。
よって、デジタイザセンサ（ＲＦ１、ＲＦ２、ＣＦ１、ＣＦ２）は、感光性樹脂層ＰＩに含侵される。
感光性樹脂層ＰＩは有機物を含む。
例えば、感光性樹脂層ＰＩは、感光性ポリイミドを含む。
感光性樹脂層ＰＩの内側には、複数のデジタイザセンサ（ＲＦ１、ＲＦ２、ＣＦ１、ＣＦ２）が配置される。
本発明において、「内側に配置される」という表現は「含侵された（ｅｍｂｅｄｅｄ）」と表現される。
よって、デジタイザセンサ（ＲＦ１、ＲＦ２、ＣＦ１、ＣＦ２）は、感光性樹脂層ＰＩに含侵される。
【0061】
第１デジタイザセンサ（ＲＦ１、ＲＦ２）それぞれは、複数の第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）を含み、第２デジタイザ（ＣＦ１、ＣＦ２）それぞれは、複数の第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－２、ＣＦ２－３）を含む。
第１デジタイザ（ＲＦ１、ＲＦ２）は、電磁気共鳴方式のデジタイザＺＭの入力コイルに対応し、第２デジタイザセンサ（ＣＦ１、ＣＦ２）は、電磁気共鳴方式のデジタイザＺＭの出力コイルに対応する。
第１デジタイザ（ＲＦ１、ＲＦ２）は、電磁気共鳴方式のデジタイザＺＭの入力コイルに対応し、第２デジタイザセンサ（ＣＦ１、ＣＦ２）は、電磁気共鳴方式のデジタイザＺＭの出力コイルに対応する。
【0062】
第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）、及び第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－２、ＣＦ２－３）は、感光性樹脂層ＰＩ内で互いに絶縁されて配置される。
第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）それぞれは対応する第１デジタイザパッドＴＣ１に接続され、第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－２、ＣＦ２－３）それぞれは、対応する第２デジタイザパッドＴＣに接続される。
第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）それぞれは対応する第１デジタイザパッドＴＣ１に接続され、第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－２、ＣＦ２－３）それぞれは、対応する第２デジタイザパッドＴＣに接続される。
【0063】
第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）それぞれは、互いに異なる区間で活性化されるスキャン信号を受信する。
第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）それぞれは、対応するスキャン信号に応答して磁場を発生させる。
ペンＳＰ（図１ａ参照）が第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）に近接すると、第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）から誘導される磁場がペンＳＰの共振回路と共振する。
ペンＳＰは、共振周波数を発生する。
ここで、ペンＳＰは、インダクタとキャパシタを含むＬＣ共振回路を備えるペンＳＰである。
第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）それぞれは、対応するスキャン信号に応答して磁場を発生させる。
ペンＳＰ（図１ａ参照）が第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）に近接すると、第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）から誘導される磁場がペンＳＰの共振回路と共振する。
ペンＳＰは、共振周波数を発生する。
ここで、ペンＳＰは、インダクタとキャパシタを含むＬＣ共振回路を備えるペンＳＰである。
【0064】
第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－２、ＣＦ２－３）は、入力手段の共振周波数による感知信号を第２デジタイザパッドＴＣ２に出力する。
第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）の内の第２コイル（ＲＦ２－２）と、第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－２、ＣＦ２－３）の内の第２コイル（ＣＦ２－２）が交差する領域のうち中心部を入力地点ＰＰと仮定する。
第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）の内の第２コイル（ＲＦ２－２）と、第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－２、ＣＦ２－３）の内の第２コイル（ＣＦ２－２）が交差する領域のうち中心部を入力地点ＰＰと仮定する。
【0065】
第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－２、ＲＦ２－３）の内の第２コイル（ＲＦ２－２）から出力された感知信号は、残りの第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＲＦ２－１、ＲＦ２－３）から出力された感知信号より高いレベルを有する。
第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－２、ＣＦ２－３）の内の第２コイル（ＣＦ２－２）から出力された感知信号は、残りの第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－３）から出力された感知信号より高いレベルを有する。
第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－２、ＣＦ２－３）の内の第２コイル（ＣＦ２－２）から出力された感知信号は、残りの第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－３）から出力された感知信号より高いレベルを有する。
【0066】
第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－２、ＣＦ２－３）の内の第１コイル（ＣＦ２－１）及び第３コイル（ＣＦ２－３）から出力された感知信号は、第２コイル（ＣＦ－２）から出力された感知信号より低く、第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－２、ＣＦ２－３）の内の第１コイル（ＣＦ２－１）及び第３コイル（ＣＦ２－３）から出力された感知信号は、残りの第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３）から出力された感知信号より高いレベルを有する。
レベルが高い第２コイル（ＣＦ２－２）から出力された感知信号が検出された時間及び第２コイル（ＣＦ２－２）の第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－３）に対する相対的な位置に基づいて、ペンＳＰによる入力地点ＰＰの２次元座標を算出する。
レベルが高い第２コイル（ＣＦ２－２）から出力された感知信号が検出された時間及び第２コイル（ＣＦ２－２）の第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３、ＣＦ２－１、ＣＦ２－３）に対する相対的な位置に基づいて、ペンＳＰによる入力地点ＰＰの２次元座標を算出する。
【0067】
図６Ａ及び図６Ｂを参照すると、本実施形態によるデジタイザＺＭは、第１面（ＺＭ－Ｕ）（前面）及び第２面（ＺＭ－Ｂ）（背面）を含む。
第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ相対的に表示モジュールＤＭと近接して配置される。
本実施形態において、第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ相対的に平坦である。
第１面（ＺＭ－Ｕ）と第２面（ＺＭ－Ｂ）は、互いに異なる表面粗さを有する。
第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ相対的に表示モジュールＤＭと近接して配置される。
本実施形態において、第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ相対的に平坦である。
第１面（ＺＭ－Ｕ）と第２面（ＺＭ－Ｂ）は、互いに異なる表面粗さを有する。
【0068】
図６Ｂは、デジタイザＺＭの一領域を拡大して簡略に示している。
本実施形態において、デジタイザＺＭを形成する際、第１面（ＺＭ－Ｕ）は工程が行われるベース基板（図示せず）の上に配置される面と定義される。
また、第２面（ＺＭ－Ｂ）は、感光性樹脂層ＰＩ内に感知コイル（ＲＦ１、ＲＦ２）が形成された後、感光性樹脂層ＰＩが硬化されて形成された面と定義される。
例えば、感光性樹脂層ＰＩは、第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３）を形成した後、第１次硬化が行われる。
第１次硬化された感光性樹脂層ＰＩの上に第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３）を形成した後、第２次硬化を行う。
本実施形態において、デジタイザＺＭを形成する際、第１面（ＺＭ－Ｕ）は工程が行われるベース基板（図示せず）の上に配置される面と定義される。
また、第２面（ＺＭ－Ｂ）は、感光性樹脂層ＰＩ内に感知コイル（ＲＦ１、ＲＦ２）が形成された後、感光性樹脂層ＰＩが硬化されて形成された面と定義される。
例えば、感光性樹脂層ＰＩは、第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３）を形成した後、第１次硬化が行われる。
第１次硬化された感光性樹脂層ＰＩの上に第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３）を形成した後、第２次硬化を行う。
【0069】
この際、感光性樹脂層ＰＩ内に配置される感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３、ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３）の厚さによって、感光性樹脂層ＰＩの第２面（ＺＭ－Ｂ）は、第１面（ＺＭ－Ｕ）に比べ不均一な面を有するようになる。
よって、第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ相対的に平坦である。
それによって、第１面（ＺＭ－Ｕ）は、複数の感知コイル（ＲＦ１、ＲＦ２）が形成されてから硬化されて形成される第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ、相対的に感知コイル（ＲＦ１、ＲＦ２）による干渉が少ない。
本実施形態において、第１面（ＺＭ－Ｕ）の表面粗さは、第２面（ＺＭ－Ｂ）より小さい。
例えば、第１面（ＺＭ－Ｕ）の表面粗さは、１μｍ以上１０μｍ以下であり、第２面（ＺＭ－Ｂ）の表面粗さは、５μｍ以上１５μｍ以下である。
よって、第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ相対的に平坦である。
それによって、第１面（ＺＭ－Ｕ）は、複数の感知コイル（ＲＦ１、ＲＦ２）が形成されてから硬化されて形成される第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ、相対的に感知コイル（ＲＦ１、ＲＦ２）による干渉が少ない。
本実施形態において、第１面（ＺＭ－Ｕ）の表面粗さは、第２面（ＺＭ－Ｂ）より小さい。
例えば、第１面（ＺＭ－Ｕ）の表面粗さは、１μｍ以上１０μｍ以下であり、第２面（ＺＭ－Ｂ）の表面粗さは、５μｍ以上１５μｍ以下である。
【0070】
このような粗さ（以下、説明される表面粗さを含む）は、所定の装置を介して測定される。例えば、本明細書で限定した粗さの範囲は「Ｋｅｙｅｎｃｅ社」の「ＶＫ－Ｘ２００ Ｌａｓｅｒ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ」装置を介して測定した値である。
デジタイザＺＭの第１面（ＺＭ－Ｕ）は、接着層ＡＬを介して保護部材ＰＭの下部に結合する。
本明細書では、第２面（ＺＭ－Ｂ）より相対的に平坦な面を有する第１面（ＺＭ－Ｕ）が、表示モジュールＤＭと近接して配置されることで、表示モジュールＤＭを透過した光によって不均一な面がユーザに視認される問題を改善する。
よって、視認性が改善された電子装置を提供することができる。
デジタイザＺＭの第１面（ＺＭ－Ｕ）は、接着層ＡＬを介して保護部材ＰＭの下部に結合する。
本明細書では、第２面（ＺＭ－Ｂ）より相対的に平坦な面を有する第１面（ＺＭ－Ｕ）が、表示モジュールＤＭと近接して配置されることで、表示モジュールＤＭを透過した光によって不均一な面がユーザに視認される問題を改善する。
よって、視認性が改善された電子装置を提供することができる。
【0071】
図７は、本発明の一実施形態によるデジタイザの部分的構成を示す断面図であり、図８は、本発明の他の実施形態によるデジタイザの部分的構成を示す断面図であり、図９は、本発明のまた他の実施形態によるデジタイザの部分的構成を示す断面図である。
図１Ａ～図７と同じであるか類似した構成に対して同じであるか類似の参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
図１Ａ～図７と同じであるか類似した構成に対して同じであるか類似の参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
【0072】
図７を参照すると、デジタイザ（ＺＭ－Ａ）は、感光性樹脂層（ＰＩ－Ａ）及び複数の感知コイル（ＲＦ１、ＣＦ１）を含む。
本実施形態のデジタイザ（ＺＭ－Ａ）の感光性樹脂層（ＰＩ－Ａ）は、複数の樹脂層（ＰＳ１、ＰＳ２、ＰＳ３）を含む。
第１樹脂層ＰＳ１は、デジタイザＺＭに第１面（ＺＭ－Ｕ）を提供する。
第１樹脂層ＰＳ１の上に第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３）が配置される。
第２樹脂層ＰＳ２は、第１樹脂層ＰＳ１の上に配置され、第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３）をカバーする。
第２樹脂層ＰＳ２の上に第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３）が配置される。
第３樹脂層ＰＳ３は、デジタイザ（ＺＭ－Ａ）の第２面（ＺＭ－Ｂ）を提供する。
第３樹脂層ＰＳ３は、第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３）をカバーする。
本実施形態のデジタイザ（ＺＭ－Ａ）の感光性樹脂層（ＰＩ－Ａ）は、複数の樹脂層（ＰＳ１、ＰＳ２、ＰＳ３）を含む。
第１樹脂層ＰＳ１は、デジタイザＺＭに第１面（ＺＭ－Ｕ）を提供する。
第１樹脂層ＰＳ１の上に第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３）が配置される。
第２樹脂層ＰＳ２は、第１樹脂層ＰＳ１の上に配置され、第１感知コイル（ＲＦ１－１、ＲＦ１－２、ＲＦ１－３）をカバーする。
第２樹脂層ＰＳ２の上に第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３）が配置される。
第３樹脂層ＰＳ３は、デジタイザ（ＺＭ－Ａ）の第２面（ＺＭ－Ｂ）を提供する。
第３樹脂層ＰＳ３は、第２感知コイル（ＣＦ１－１、ＣＦ１－２、ＣＦ１－３）をカバーする。
【0073】
感光性樹脂層（ＰＩ－Ａ）は、感光性ポリイミドを含む。
図６ＢのデジタイザＺＭの感光性樹脂層ＰＩは、複数回硬化する際にも層の区分なしに一体形状の感光性樹脂層ＰＩが形成される一方、本実施形態によれば、感光性ポリイミドに含まれた物性によって、複数回硬化するたびに層の間が区分される。
デジタイザ（ＺＭ－Ａ）の第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ相対的に平坦である。
よって、第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ表示モジュールＤＭ（図６ａ参照）に隣接（近接）して配置される。
図６ＢのデジタイザＺＭの感光性樹脂層ＰＩは、複数回硬化する際にも層の区分なしに一体形状の感光性樹脂層ＰＩが形成される一方、本実施形態によれば、感光性ポリイミドに含まれた物性によって、複数回硬化するたびに層の間が区分される。
デジタイザ（ＺＭ－Ａ）の第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ相対的に平坦である。
よって、第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ表示モジュールＤＭ（図６ａ参照）に隣接（近接）して配置される。
【0074】
図８を参照すると、本実施形態によるデジタイザ（ＺＭ－ＢＡ）は、感光性樹脂層（ＰＩ－Ｂ）、複数の感知コイル（ＲＦ１、ＣＦ１）、及び遮蔽層ＭＰを含む。
感光性樹脂層（ＰＩ－Ｂ）と遮蔽層ＭＰは、接着層ＡＬによって接合される。
遮蔽層ＭＰは、デジタイザ（ＺＭ－ＢＡ）の面の内、相対的に不均一な面の上に配置される。
例えば、遮蔽層ＭＰは、第２面（ＺＭ－Ｂ）の上に配置される。
第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ相対的に表示モジュールＤＭ（図６ａ参照）と隣接（近接）して配置される。
感光性樹脂層（ＰＩ－Ｂ）と遮蔽層ＭＰは、接着層ＡＬによって接合される。
遮蔽層ＭＰは、デジタイザ（ＺＭ－ＢＡ）の面の内、相対的に不均一な面の上に配置される。
例えば、遮蔽層ＭＰは、第２面（ＺＭ－Ｂ）の上に配置される。
第１面（ＺＭ－Ｕ）は、第２面（ＺＭ－Ｂ）に比べ相対的に表示モジュールＤＭ（図６ａ参照）と隣接（近接）して配置される。
【0075】
本実施形態において、遮蔽層ＭＰは金属を含む。
例えば、遮蔽板ＭＰは、磁性金属粉末（ＭＭＰ）を含む。
本実施形態において、第１面（ＺＭ－Ｕ）の表面粗さは、１μｍ以上１０μｍ以下であり、第２面（ＺＭ－Ｂ）の表面粗さは、５μｍ以上１５μｍ以下である。
本実施形態によれば、遮蔽層ＭＰは、デジタイザ（ＺＭ－ＢＡ）の下部に配置される構成でデジタイザ（ＺＭ－ＢＡ）との間の電気的干渉を防止する。
それによって、信頼性が向上された電子装置を提供することができる。
例えば、遮蔽板ＭＰは、磁性金属粉末（ＭＭＰ）を含む。
本実施形態において、第１面（ＺＭ－Ｕ）の表面粗さは、１μｍ以上１０μｍ以下であり、第２面（ＺＭ－Ｂ）の表面粗さは、５μｍ以上１５μｍ以下である。
本実施形態によれば、遮蔽層ＭＰは、デジタイザ（ＺＭ－ＢＡ）の下部に配置される構成でデジタイザ（ＺＭ－ＢＡ）との間の電気的干渉を防止する。
それによって、信頼性が向上された電子装置を提供することができる。
【0076】
図９を参照すると、本実施形態によるデジタイザ（ＺＭ－Ｃ）は、感光性樹脂層（ＰＩ－Ｃ）、複数の感知コイル（ＲＦ１、ＣＦ１）、及び遮蔽層ＺＢＳを含む。
デジタイザ（ＺＭ－Ｃ）は、表示モジュールＤＭと隣接（近接）して配置される第２面（ＺＭ－Ｆ）及び第２面（ＺＭ－Ｆ）に対向する第１面（ＺＭ－Ｒ）を含む。
遮蔽層ＺＢＳは、第１面ＺＭ－Ｒと直接接触する。
本実施形態において、第２面（ＺＭ－Ｆ）は、第１面（ＺＭ－Ｒ）に比べ相対的に表示モジュールＤＭ（図６ａ参照）に隣接（近接）して配置される。
遮蔽層ＺＢＳは、デジタイザ（ＺＭ－Ｃ）を形成する工程の際にベース基板として使用される基底層の一部である。
よって、図８のように別途の接着層ＡＬがなくても遮蔽層ＺＢＳが感光性樹脂層（ＰＩ－Ｃ）と結合される。
デジタイザ（ＺＭ－Ｃ）は、表示モジュールＤＭと隣接（近接）して配置される第２面（ＺＭ－Ｆ）及び第２面（ＺＭ－Ｆ）に対向する第１面（ＺＭ－Ｒ）を含む。
遮蔽層ＺＢＳは、第１面ＺＭ－Ｒと直接接触する。
本実施形態において、第２面（ＺＭ－Ｆ）は、第１面（ＺＭ－Ｒ）に比べ相対的に表示モジュールＤＭ（図６ａ参照）に隣接（近接）して配置される。
遮蔽層ＺＢＳは、デジタイザ（ＺＭ－Ｃ）を形成する工程の際にベース基板として使用される基底層の一部である。
よって、図８のように別途の接着層ＡＬがなくても遮蔽層ＺＢＳが感光性樹脂層（ＰＩ－Ｃ）と結合される。
【0077】
本実施形態において、遮蔽層ＺＢＳは金属を含む。
例えば、遮蔽層ＺＢＳは、ニッケル（Ｎｉ）と鉄（Ｆｅ）の合金であるパーマロイ、インバー、及びステンレススチールの内のいずれか一つを含む。
本実施形態において、第２面（ＺＭ－Ｆ）の表面粗さは、１μｍ以上１０μｍ以下であり、第１面（ＺＭ－Ｂ）の表面粗さは、１μｍ以上３μｍ以下である。
本実施形態によれば、遮蔽層ＺＢＳは、別途の接着層がなくても感光性樹脂層（ＰＩ－Ｃ）と結合されるため、スリームなデジタイザ（ＺＭ－Ｃ）を提供することができる。
例えば、遮蔽層ＺＢＳは、ニッケル（Ｎｉ）と鉄（Ｆｅ）の合金であるパーマロイ、インバー、及びステンレススチールの内のいずれか一つを含む。
本実施形態において、第２面（ＺＭ－Ｆ）の表面粗さは、１μｍ以上１０μｍ以下であり、第１面（ＺＭ－Ｂ）の表面粗さは、１μｍ以上３μｍ以下である。
本実施形態によれば、遮蔽層ＺＢＳは、別途の接着層がなくても感光性樹脂層（ＰＩ－Ｃ）と結合されるため、スリームなデジタイザ（ＺＭ－Ｃ）を提供することができる。
【0078】
図１０Ａ～図１０Ｇは、本発明の一実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
図１Ａ～図７と同じであるか類似した構成に対しては、同じであるか類似した参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
以下、図１０Ａ～図１０Ｇを参照して、本発明の一実施形態による電子装置の製造方法を説明する。
図１Ａ～図７と同じであるか類似した構成に対しては、同じであるか類似した参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
以下、図１０Ａ～図１０Ｇを参照して、本発明の一実施形態による電子装置の製造方法を説明する。
【0079】
図１０Ａを参照すると、工程が行われるベース基板ＢＳＬ、及びベース基板ＢＳＬの上に第１感光性樹脂層ＰＩＡを形成する。
第１感光性樹脂層ＰＩＡは、感光性ポリイミドを含む。
次に、図１０Ｂを参照すると、第１感知コイルＲＦ１を第１感光性樹脂層ＰＩＡの上に形成する。
第１感知コイルＲＦ１は、導電物質を第１感光性樹脂層ＰＩＡの上に塗布した後、パターニングして形成する。
第１感光性樹脂層ＰＩＡは、感光性ポリイミドを含む。
次に、図１０Ｂを参照すると、第１感知コイルＲＦ１を第１感光性樹脂層ＰＩＡの上に形成する。
第１感知コイルＲＦ１は、導電物質を第１感光性樹脂層ＰＩＡの上に塗布した後、パターニングして形成する。
【0080】
次に、図１０Ｃを参照すると、第１感光性樹脂層ＰＩＡの上に第２感光性樹脂層ＰＩＢを形成する。
第２感光性樹脂層ＰＩＢが塗布された領域のうち、第１感知コイルＲＦ１と重畳する第２感光性樹脂層ＰＩＢは、第１感知コイルＲＦ１の厚さによって隣接した領域と凹凸を有する。
第２感光性樹脂層ＰＩＢを塗布した後、第１次硬化ＵＶ１を行う。
第１感光性樹脂層ＰＩＡと同じ物質を含む第２感光性樹脂層ＰＩＢは、第１次硬化ＵＶ１の際、第１感光性樹脂層ＰＩＡとの境界が視認されない可能性がある。
図１０Ｃには、説明の便宜上、第１感光性樹脂層ＰＩＡと第２感光性樹脂層ＰＩＢの境界を点線で示している。
第２感光性樹脂層ＰＩＢが塗布された領域のうち、第１感知コイルＲＦ１と重畳する第２感光性樹脂層ＰＩＢは、第１感知コイルＲＦ１の厚さによって隣接した領域と凹凸を有する。
第２感光性樹脂層ＰＩＢを塗布した後、第１次硬化ＵＶ１を行う。
第１感光性樹脂層ＰＩＡと同じ物質を含む第２感光性樹脂層ＰＩＢは、第１次硬化ＵＶ１の際、第１感光性樹脂層ＰＩＡとの境界が視認されない可能性がある。
図１０Ｃには、説明の便宜上、第１感光性樹脂層ＰＩＡと第２感光性樹脂層ＰＩＢの境界を点線で示している。
【0081】
次に、図１０Ｄを参照すると、第２感知コイルＣＦ１を第２感光性樹脂層ＰＩＢの上に形成する。
第２感知コイルＣＦ１は、第１感知コイルＲＦ１と離隔されて形成される。
第２感知コイルＣＦ１は、導電物質を第２感光性樹脂層ＰＩＢの上に塗布した後、パターニングして形成する。
第２感知コイルＣＦ１は、第１感知コイルＲＦ１と離隔されて形成される。
第２感知コイルＣＦ１は、導電物質を第２感光性樹脂層ＰＩＢの上に塗布した後、パターニングして形成する。
【0082】
次に、図１０Ｅを参照すると、第２感光性樹脂層ＰＩＢの上に第３感光性樹脂層ＰＩＣを形成する。
第３感光性樹脂層ＰＩＣが塗布された領域のうち、第１感知コイルＲＦ１及び第２感知コイルＣＦ１と重畳する第３感光性樹脂層ＰＩＣは、感知コイル（ＲＦ１、ＣＦ１）それぞれの厚さによって隣接した領域と凹凸を有する。
第３感光性樹脂層ＰＩＣを塗布した後、第２次硬化ＵＶ２を行う。
第１感光性樹脂層ＰＩＡと同じ物質を含む第３感光性樹脂層ＰＩＣは、第２次硬化ＵＶ２の際、第２感光性樹脂層ＰＩＢとの境界が視認されない可能性がある。
図１０Ｅには、説明の便宜上、第１感光性樹脂層ＰＩＡ、第２感光性樹脂層ＰＩＢ、及び第３感光性樹脂層ＰＩＣの間のそれぞれの境界を点線で示している。
第３感光性樹脂層ＰＩＣが塗布された領域のうち、第１感知コイルＲＦ１及び第２感知コイルＣＦ１と重畳する第３感光性樹脂層ＰＩＣは、感知コイル（ＲＦ１、ＣＦ１）それぞれの厚さによって隣接した領域と凹凸を有する。
第３感光性樹脂層ＰＩＣを塗布した後、第２次硬化ＵＶ２を行う。
第１感光性樹脂層ＰＩＡと同じ物質を含む第３感光性樹脂層ＰＩＣは、第２次硬化ＵＶ２の際、第２感光性樹脂層ＰＩＢとの境界が視認されない可能性がある。
図１０Ｅには、説明の便宜上、第１感光性樹脂層ＰＩＡ、第２感光性樹脂層ＰＩＢ、及び第３感光性樹脂層ＰＩＣの間のそれぞれの境界を点線で示している。
【0083】
次に、図１０Ｆを参照すると、第２硬化の後、ベース基板ＢＬＳを第１エッチングＥＣ１してベース基板ＢＬＳを全部除去する。
それによって、デジタイザＺＭは、ベース基板ＢＳＬが全部除去されて露出された第１面（ＺＭ－Ｕ）、及び第１面（ＺＭ－Ｕ）に対向し、第１面（ＺＭ－Ｕ）より不均一な第２面（ＺＭ－Ｂ）が形成される。
本発明によれば、ベース基板ＢＳＬは、金属及びガラスの内、いずれか一つを含む。
ベース基板ＢＳＬが金属を含む場合、第１感光性樹脂層ＰＩＡからのベース基板ＢＳＬの除去は化学的方法を介して行われる。
例えば、ベース基板ＢＬＳに酸性を含む溶液を塗布し、ベース基板ＢＬＳを第１感光性樹脂層ＰＩＡから除去してもよい。
ベース基板ＢＳＬがガラスを含む場合、第１感光性樹脂層ＰＩＡからのベース基板ＢＬＳの除去は物理的方法を介して行われる。
例えば、ベース基板ＢＬＳにレーザを照射し、ベース基板ＢＬＳを第１感光性樹脂層ＰＩＡから除去してもよい。
それによって、デジタイザＺＭは、ベース基板ＢＳＬが全部除去されて露出された第１面（ＺＭ－Ｕ）、及び第１面（ＺＭ－Ｕ）に対向し、第１面（ＺＭ－Ｕ）より不均一な第２面（ＺＭ－Ｂ）が形成される。
本発明によれば、ベース基板ＢＳＬは、金属及びガラスの内、いずれか一つを含む。
ベース基板ＢＳＬが金属を含む場合、第１感光性樹脂層ＰＩＡからのベース基板ＢＳＬの除去は化学的方法を介して行われる。
例えば、ベース基板ＢＬＳに酸性を含む溶液を塗布し、ベース基板ＢＬＳを第１感光性樹脂層ＰＩＡから除去してもよい。
ベース基板ＢＳＬがガラスを含む場合、第１感光性樹脂層ＰＩＡからのベース基板ＢＬＳの除去は物理的方法を介して行われる。
例えば、ベース基板ＢＬＳにレーザを照射し、ベース基板ＢＬＳを第１感光性樹脂層ＰＩＡから除去してもよい。
【0084】
この際、ベース基板ＢＳＬの除去に使用されるレーザ照射装置は、「Ｘｅ Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ」及び「Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｌａｓｅｒ」の内のいずれか一つを利用する。
レーザ照射装置を介して３００μｍ～４００μｍの紫外線を照射して第１感光性樹脂層ＰＩＡとベース基板ＢＳＬの接着力を弱化させ、次に、ベース基板ＢＬＳを第１感光性樹脂層ＰＩＡから除去する。
本発明によれば、ベース基板ＢＳＬを化学的方法で除去するより、物理的方法で除去する場合の方がベース基板ＢＬＳを第１感光性樹脂層ＰＩＡから除去する時間を減らすことができる。
レーザ照射装置を介して３００μｍ～４００μｍの紫外線を照射して第１感光性樹脂層ＰＩＡとベース基板ＢＳＬの接着力を弱化させ、次に、ベース基板ＢＬＳを第１感光性樹脂層ＰＩＡから除去する。
本発明によれば、ベース基板ＢＳＬを化学的方法で除去するより、物理的方法で除去する場合の方がベース基板ＢＬＳを第１感光性樹脂層ＰＩＡから除去する時間を減らすことができる。
【0085】
次に、図１０Ｇを参照すると、デジタイザＺＭと表示モジュールＤＭを結合する。
デジタイザＺＭと表示モジュールＤＭは、接着層ＡＬを介して結合する。
本実施形態によると、第２面（ＺＭ－Ｂ）より相対的に平坦な第１面（ＺＭ－Ｕ）が表示モジュールＤＭと隣接して配置されることで、第２面（ＺＭ－Ｂ）が有する凹凸がユーザに視認されなくなる。
それによって、視認性が改善された電子装置を提供することができる。
デジタイザＺＭと表示モジュールＤＭは、接着層ＡＬを介して結合する。
本実施形態によると、第２面（ＺＭ－Ｂ）より相対的に平坦な第１面（ＺＭ－Ｕ）が表示モジュールＤＭと隣接して配置されることで、第２面（ＺＭ－Ｂ）が有する凹凸がユーザに視認されなくなる。
それによって、視認性が改善された電子装置を提供することができる。
【0086】
図１１Ａ～図１１Ｃは、本発明の他の実施形態による電子装置の製造方法を説明するための簡略的な断面図である。
図１Ａ～１０Ｇと同じであるか類似した構成に対して同じであるか類似した参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
以下、図１１Ａ～図１１Ｃを参照して、本発明の他の実施形態による電子装置の製造方法を説明する。
図１Ａ～１０Ｇと同じであるか類似した構成に対して同じであるか類似した参照符号を使用し、重複する説明は省略する。
以下、図１１Ａ～図１１Ｃを参照して、本発明の他の実施形態による電子装置の製造方法を説明する。
【0087】
図１１Ａは、図１０Ｅの電子装置の製造方法のステップのうち、第３感光性樹脂層ＰＩＣを第２次硬化した後の状態と同じである。
本実施形態によれば、ベース基板ＢＳＬは金属を含む。
例えば、ベース基板ＢＳＬは、パーマロイ、インバー、及びステンレススチールの内のいずれか一つを含む。
本実施形態によれば、ベース基板ＢＳＬは金属を含む。
例えば、ベース基板ＢＳＬは、パーマロイ、インバー、及びステンレススチールの内のいずれか一つを含む。
【0088】
次に、図１１Ｂを参照すると、ベース基板ＢＳＬの一部を除去する第２エッチングＥＣ２を行う。
ベース基板ＢＳＬの一部除去は、ベース基板ＢＳＬの厚さ方向に沿って行われる。
ベース基板ＢＳＬの一部が除去された後、残存するベース基板は、遮蔽層ＺＢＳの機能をする。
本実施形態によれば、感光性樹脂層ＰＩの内、遮蔽層ＺＢＳと接触する面を第１面（ＺＭ－Ｒ）と定義し、第１面（ＺＭ－Ｒ）に対向する面を第２面（ＺＭ－Ｆ）と定義する。
本実施形態において、遮蔽層ＺＢＳは、第１面（ＺＭ－Ｒ）と接触されて形成される。
ベース基板ＢＳＬの一部除去は、ベース基板ＢＳＬの厚さ方向に沿って行われる。
ベース基板ＢＳＬの一部が除去された後、残存するベース基板は、遮蔽層ＺＢＳの機能をする。
本実施形態によれば、感光性樹脂層ＰＩの内、遮蔽層ＺＢＳと接触する面を第１面（ＺＭ－Ｒ）と定義し、第１面（ＺＭ－Ｒ）に対向する面を第２面（ＺＭ－Ｆ）と定義する。
本実施形態において、遮蔽層ＺＢＳは、第１面（ＺＭ－Ｒ）と接触されて形成される。
【0089】
次に、図１１Ｃを参照すると、デジタイザ（ＺＭ－Ｄ）と表示モジュールＤＭを結合する。
デジタイザ（ＺＭ－Ｄ）と表示モジュールＤＭは、接着層ＡＬを介して結合する。
本実施形態によれば、作業基板として使用されるベース基板ＢＳＬの一部を除去し、遮蔽層ＺＢＳとして利用することで、別途の遮蔽層及び接着層を必要とせずに、遮蔽層が含まれた一体のデジタイザ（ＺＭ－Ｄ）を形成することができる。
それによって、コストの節減及びスリームなデジタイザ（ＺＭ－Ｄ）を提供することができる。
デジタイザ（ＺＭ－Ｄ）と表示モジュールＤＭは、接着層ＡＬを介して結合する。
本実施形態によれば、作業基板として使用されるベース基板ＢＳＬの一部を除去し、遮蔽層ＺＢＳとして利用することで、別途の遮蔽層及び接着層を必要とせずに、遮蔽層が含まれた一体のデジタイザ（ＺＭ－Ｄ）を形成することができる。
それによって、コストの節減及びスリームなデジタイザ（ＺＭ－Ｄ）を提供することができる。
【0090】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0091】
ＡＬ 接着層
ＣＦ１、ＣＦ２ 第２デジタイザセンサ
ＤＭ 表示モジュール
ＤＰ 表示パネル
ＥＡ 電子装置
ＦＡ フォールディング領域
ＦＭ 下部フィルム
ＩＳＬ 感知センサ
ＭＰ 遮蔽層
ＮＦＡ１、ＮＦＡ２ 非フォールディング領域
ＯＭ 光学部材
ＰＩ 感光性樹脂層
ＰＭ 保護部材
ＰＸ 画素
ＲＦ１、ＲＦ２ 第１デジタイザセンサ
ＳＰ ペン
ＴＥ１、ＴＥ２ （第１、第２）感知電極
ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３ 感知ライン
ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３ 感知パッド
ＷＭ ウィンドウ
ＺＢＳ 遮蔽層
ＺＭ デジタイザ
ＺＭ－Ｕ 第１面
ＺＭ－Ｂ 第２面
ＣＦ１、ＣＦ２ 第２デジタイザセンサ
ＤＭ 表示モジュール
ＤＰ 表示パネル
ＥＡ 電子装置
ＦＡ フォールディング領域
ＦＭ 下部フィルム
ＩＳＬ 感知センサ
ＭＰ 遮蔽層
ＮＦＡ１、ＮＦＡ２ 非フォールディング領域
ＯＭ 光学部材
ＰＩ 感光性樹脂層
ＰＭ 保護部材
ＰＸ 画素
ＲＦ１、ＲＦ２ 第１デジタイザセンサ
ＳＰ ペン
ＴＥ１、ＴＥ２ （第１、第２）感知電極
ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３ 感知ライン
ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３ 感知パッド
ＷＭ ウィンドウ
ＺＢＳ 遮蔽層
ＺＭ デジタイザ
ＺＭ－Ｕ 第１面
ＺＭ－Ｂ 第２面
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図10D】
【図10E】
【図10F】
【図10G】
【図11A】
【図11B】
【図11C】