▶ 学校法人立教学院の特許一覧 ▶ 日本曹達株式会社の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-15
(45)【発行日】2024-10-23
(54)【発明の名称】金属有機構造体を含有する水素貯蔵材料
(51)【国際特許分類】
C01B 3/00 20060101AFI20241016BHJP
C07C 69/767 20060101ALI20241016BHJP
C07C 229/56 20060101ALI20241016BHJP
C07C 65/21 20060101ALI20241016BHJP
C07F 3/06 20060101ALI20241016BHJP
【ＦＩ】
C01B3/00 B
C07C69/767
C07C229/56
C07C65/21 D
C07F3/06
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2021527688
(86)(22)【出願日】2020-06-24
(86)【国際出願番号】 JP2020024773
(87)【国際公開番号】W WO2020262452
(87)【国際公開日】2020-12-30
【審査請求日】2023-03-10
(31)【優先権主張番号】P 2019117030
(32)【優先日】2019-06-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第２項適用 令和１年１１月１４日に日本吸着学会が発行した「第３３回日本吸着学会研究発表会講演要旨集」にて「２，５－ジアルキルテレフタル酸を配位子とする金属有機構造体の合成とガス吸着特性」について公開
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第２項適用 令和１年１１月１４日に「第３３回日本吸着学会研究発表会」においてポスター発表にて「２，５－ジアルキルテレフタル酸を配位子とする金属有機構造体の合成とガス吸着特性」について公開
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第２項適用 令和２年３月５日に「日本化学会第１００春季年会２０２０」のウェブサイトにて「テレフタル酸誘導体を用いた金属有機構造体のガス吸着特性評価」について公開
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第２項適用 令和２年３月５日に澤本光男が発行した「日本化学会第１００春季年会（２０２０）予稿集ＤＶＤ」にて「テレフタル酸誘導体を用いた金属有機構造体のガス吸着特性評価」について公開
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第２項適用 令和２年３月１２日に「日本化学会 第１００春季年会（２０２０）（ＣＳＪ１００ｔｈ）」の電子抄録Ｗｅｂサイト（Ｃｏｎｆｉｔ）、及び電子抄録アプリにて「テレフタル酸誘導体を用いた金属有機構造体のガス吸着特性評価」について公開
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第２項適用 令和２年３月５日に「日本化学会第１００春季年会２０２０」のウェブサイトにて「シリル置換テレフタル酸を用いた金属有機構造体の合成とガス吸着能」について公開
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第２項適用 令和２年３月５日に澤本光男が発行した「日本化学会第１００春季年会（２０２０）予稿集ＤＶＤ」にて「シリル置換テレフタル酸を用いた金属有機構造体の合成とガス吸着能」について公開
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第２項適用 令和２年３月１２日に「日本化学会 第１００春季年会（２０２０）（ＣＳＪ１００ｔｈ）」の電子抄録Ｗｅｂサイト（Ｃｏｎｆｉｔ）、及び電子抄録アプリにて「シリル置換テレフタル酸を用いた金属有機構造体の合成とガス吸着能」について公開
(73)【特許権者】
【識別番号】300071579
【氏名又は名称】学校法人立教学院
(73)【特許権者】
【識別番号】000004307
【氏名又は名称】日本曹達株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107984
【弁理士】
【氏名又は名称】廣田 雅紀
(74)【代理人】
【識別番号】100182305
【弁理士】
【氏名又は名称】廣田 鉄平
(74)【代理人】
【識別番号】100096482
【弁理士】
【氏名又は名称】東海 裕作
(74)【代理人】
【識別番号】100131093
【弁理士】
【氏名又は名称】堀内 真
(74)【代理人】
【識別番号】100150902
【弁理士】
【氏名又は名称】山内 正子
(74)【代理人】
【識別番号】100141391
【弁理士】
【氏名又は名称】園元 修一
(74)【代理人】
【識別番号】100221958
【弁理士】
【氏名又は名称】篠田 真希恵
(74)【代理人】
【識別番号】100192441
【弁理士】
【氏名又は名称】渡辺 仁
(72)【発明者】
【氏名】箕浦 真生
(72)【発明者】
【氏名】菅又 功
(72)【発明者】
【氏名】▲柳▼沢 大地
(72)【発明者】
【氏名】小林 翔
(72)【発明者】
【氏名】飯濱 照幸
【審査官】廣野 知子
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１３－０４０１１９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００９－５０４７９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】YANG Jie et al.，Chem.Commun.，2011年，Vol.47,No.18，p.5244-5246，DOI:10.1039/c1cc11054c
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０１Ｂ ３／００－６／３４
Ｃ０７Ｂ ３１／００－６１／００
Ｃ０７Ｂ ６３／００－６３／０４
Ｃ０７Ｃ １／００－４０９／４４
Ｂ０１Ｊ ２０／００－２０／２８
Ｂ０１Ｊ ２０／３０－２０／３４
Ｃ０７Ｆ ３／０６
ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＳＴＣｈｉｎａ／ＪＳＴ７５８０（ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオン及び多価金属イオンからなり、前記カルボン酸イオンと前記多価金属イオンが結合してなる金属有機構造体を含有する水素貯蔵材料。【化1】
（式（Ｉ）中、Ｘは、
無置換若しくは置換アルケニル基、
無置換若しくは置換アルキニル基、
無置換若しくは置換アルコキシ基、
無置換若しくは置換アルケニルオキシ基、
無置換若しくは置換アルキニルオキシ基、
ベンジルオキシ基、
無置換若しくは置換アルキルスルファニル基、
無置換若しくは置換アルケニルスルファニル基、
無置換若しくは置換アルキニルスルファニル基、
無置換若しくは置換アルキルアミノ基、
無置換若しくは置換ジアルキルアミノ基、
無置換若しくは置換アルケニルアミノ基、
無置換若しくは置換ジアルケニルアミノ基、
無置換若しくは置換アルキニルアミノ基、
無置換若しくは置換ジアルキニルアミノ基、
フェニル基、
スルファニル基、
又は
無置換若しくは置換アルコキシカルボニル基
を表す。）
【請求項2】
式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンと、多価金属イオンと、
２つ以上の窒素原子を含む有機配位子（ただし、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンは除く）又は窒素原子及びカルボキシイオン基を含む有機配位子（ただし、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンは除く）からなり、
前記式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオン及び前記有機配位子と、前記多価金属イオンが結合してなる金属有機構造体を含有する水素貯蔵材料。
【化2】
（式（Ｉ）中、Ｘは、
無置換若しくは置換Ｃ２～Ｃ２０アルキル基、
無置換若しくは置換アルケニル基、
無置換若しくは置換アルキニル基、
無置換若しくは置換アルコキシ基、
無置換若しくは置換アルケニルオキシ基、
無置換若しくは置換アルキニルオキシ基、
ベンジルオキシ基、
無置換若しくは置換アルキルスルファニル基、
無置換若しくは置換アルケニルスルファニル基、
無置換若しくは置換アルキニルスルファニル基、
無置換若しくは置換アルキルアミノ基、
無置換若しくは置換ジアルキルアミノ基、
無置換若しくは置換アルケニルアミノ基、
無置換若しくは置換ジアルケニルアミノ基、
無置換若しくは置換アルキニルアミノ基、
無置換若しくは置換ジアルキニルアミノ基、
フェニル基、
スルファニル基、
又は
無置換若しくは置換アルコキシカルボニル基
を表す。）
【請求項3】
多価金属イオンが、元素の周期表の第２族～第１３族の金属からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属のイオンである請求項１又は２に記載の水素貯蔵材料。
【請求項4】
多価金属イオンが、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｒ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種の金属のイオンである請求項１～３のいずれか１項に記載の水素貯蔵材料。
【請求項5】
水素含有ガスを請求項１～４のいずれか１項に記載の水素貯蔵材料に接触させ、水素ガスを前記水素貯蔵材料の内部に吸着させる工程を有する水素ガス貯蔵方法。
【請求項6】
請求項１～４のいずれか１項に記載の水素貯蔵材料が充填されている、又は請求項１～４のいずれか１項に記載の水素貯蔵材料を成型してなる水素貯蔵タンク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、金属有機構造体を含有する新規な水素貯蔵材料や、かかる水素貯蔵材料を用いた水素貯蔵方法及び水素貯蔵タンクに関する。
本願は２０１９年６月２５日に出願された日本国特許出願第２０１９－１１７０３０号に基づく優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は２０１９年６月２５日に出願された日本国特許出願第２０１９－１１７０３０号に基づく優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【0002】
金属有機構造体（以下「ＭＯＦ」ということがある。）は、金属イオンとそれらを連結する架橋性の有機配位子を組み合わせることで内部に空間（つまり細孔）を持つ高分子構造を有する固体状の物質であり、ガスの貯蔵や分離などの機能をもつ多孔性材料として、この十数年高い興味が持たれてきた。
架橋性の有機配位子としては、酸素ドナー配位子及び窒素ドナー配位子が多く用いられてきた。
架橋性の有機配位子としては、酸素ドナー配位子及び窒素ドナー配位子が多く用いられてきた。
【0003】
テレフタル酸を架橋性の有機配位子として用い、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド中でＺｎ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏを用いたソルボサーマル法で得られるＭＯＦ－５が、温度７７Ｋ、４ＭＰａの条件で、ＭＯＦ－５に対して７．１質量％の水素を貯蔵できることが知られている（非特許文献１～３参照）。
【0004】
また、テレフタル酸の２，５－位にｎ－プロポキシ基、ｎ－ペントキシ基を有するテレフタル酸誘導体を用いても、ＭＯＦ－５と同形のＩＲＭＯＦ（isoreticular Metal-Organic Framewark）が得られることも知られている（非特許文献２参照）。
【0005】
２，５－ジ置換テレフタル酸を用いたＭＯＦの例として、ω－（カルバゾール－９－イル）アルコキシ基（アルキレン鎖の炭素数が、３、６及び８－１２）（非特許文献４及び５参照）、アルコキシ基（炭素数が６－１４）（非特許文献６参照）、メチル基、メトキシ基、クロロ基、エチル基及びエトキシ基（特許文献１参照）、ヒドロキシ基及びアセトキシ基（非特許文献７参照）、イソプロポキシ基、アリルオキシ基及びプロパルギルオキシ基（非特許文献８参照）、ピラゾール－１－イル基（非特許文献９参照）、４－メチルベンゾイル基（非特許文献１０参照）、ベンゾイル基（非特許文献１１参照）、ベンジルオキシ基（非特許文献１２参照）、ブロモ基（非特許文献１３参照）及びフェニル基（非特許文献１４参照）を２、５位に有するテレフタル酸を有機配位子として用いたＭＯＦが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】米国特許公開公報２０１０－７５１２３号公報
【非特許文献】
【0007】
【文献】H. Li, M. Eddaudi, M. O'Keefe, O. M. Yaghi, Nature, 402, 276(1999)
【文献】M. Eddaudi, J. Kim, N. Rosi, D. Vodak, J. Wachter, M. O'Keefe, O. M. Yaghi, Science 2002, 295(5554), 469.
【文献】S. Kaye, A. Daily, O. M. Yaghi, J. Long, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129(46), 14176.
【文献】E. Y. Choi, S. H. Lee, O. P. Kwon, Bull. Korean Chem. Soc. 2012, 33(7), 2431.
【文献】E. Y. Choi, S. B. Lee, H. Yun, S. H. Lee, C. Gao, Y. Shin, O. P. Kwon, Bull. Korean Chem. Soc. 2013, 34(12), 3903.
【文献】E. Y. Choi, C. Gao, H. J. Lee, O. P. Kwon, S. H. Lee, Chem. Comunn. 2009, 7563.
【文献】T. Yamada, H. Kitagawa, Supramolecular Chemistry 2011, 23, 315.
【文献】A. Schneemann, E. D. Bloch, S. Henke, P. L. Llewellyn, J. R.Long, R. A. Fischer, Eur. Chem. J. 2015, 21, 18764.
【文献】E. Gao, J. Xing, Y. Qu, X, Qiu, M. Zhu, Appl. Organometal Chem. 2018, 32, e4469
【文献】X. Zheng, S. Q. Guo, X. Y. Yu, J. K. Hu, Y. H. Luo, H. Zhang, X. Chen, Inorganic Chemistry Communication2012, 18, 29.
【文献】F. Yue, B. Li, X. Zhu, Y. Luo, J. Hu, X. Wang, H. Zhang, Journal of Coordination Chemistry, 2013, 66(2), 243.
【文献】h. Deng, C. J. Doona, H. Furukawa, R. B. Ferreira, J. Towne, C. B. Knobler, B. Wang, O. M. Yaghi, Science 2010, 327, 846.
【文献】J. Gascon, M. D. Hernandez-Alonson, A. R. Almeida, G. P. M. van Klink, F. Kapteijin, G. Mui, ChemSusChem 2008, 1, 981.
【文献】E. R. Engel, A. Jouaiti, C. X. Bezuidenhout, M. W. Hosseini, L. J. Barbour, Angew. Chem. Int. Ed. 2017, 56, 8874.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
上記したように、種々のＭＯＦが知られているが、ガスの性質上、水素を有効に貯蔵できるＭＯＦは、あまり知られていない。
本発明は、水素を有効に貯蔵できるＭＯＦを含有する新規な水素貯蔵材料を提供することを目的とする。
本発明は、水素を有効に貯蔵できるＭＯＦを含有する新規な水素貯蔵材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、従来知られているＭＯＦであっても、２，５－位に置換基を有するテレフタル酸と種々の金属塩の組合せを用いることで得られるＭＯＦが、意外にも水素を貯蔵できる能力を有することを見いだし、本発明を完成するに至った。
【0010】
すなわち、本発明は、以下の事項により特定される次のとおりのものである。
［１］式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオン及び多価金属イオンからなり、前記カルボン酸イオンと前記多価金属イオンが結合してなる金属有機構造体を含有する水素貯蔵材料。
［１］式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオン及び多価金属イオンからなり、前記カルボン酸イオンと前記多価金属イオンが結合してなる金属有機構造体を含有する水素貯蔵材料。
【化1】
【0011】
（式（Ｉ）中、Ｘは、無置換若しくは置換Ｃ２～Ｃ２０アルキル基、無置換若しくは置換アルケニル基、無置換若しくは置換アルキニル基、無置換若しくは置換アルコキシ基、無置換若しくは置換アルケニルオキシ基、無置換若しくは置換アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、無置換若しくは置換アルキルスルファニル基、無置換若しくは置換アルケニルスルファニル基、無置換若しくは置換アルキニルスルファニル基、無置換若しくは置換アルキルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルキルアミノ基、無置換若しくは置換アルケニルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルケニルアミノ基、無置換若しくは置換アルキニルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルキニルアミノ基、フェニル基、スルファニル基又は無置換若しくは置換アルコキシカルボニル基を表す。）
［２］式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンと、多価金属イオンと、２つ以上の窒素原子を含む有機配位子（ただし、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンは除く）又は窒素原子及びカルボキシイオン基を含む有機配位子（ただし、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンは除く）からなり、前記式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオン及び前記有機配位子と、前記多価金属イオンが結合してなる金属有機構造体を含有する水素貯蔵材料。
［２］式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンと、多価金属イオンと、２つ以上の窒素原子を含む有機配位子（ただし、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンは除く）又は窒素原子及びカルボキシイオン基を含む有機配位子（ただし、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンは除く）からなり、前記式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオン及び前記有機配位子と、前記多価金属イオンが結合してなる金属有機構造体を含有する水素貯蔵材料。
【化2】
【0012】
（式（Ｉ）中、Ｘは、無置換若しくは置換Ｃ２～Ｃ２０アルキル基、無置換若しくは置換アルケニル基、無置換若しくは置換アルキニル基、無置換若しくは置換アルコキシ基、無置換若しくは置換アルケニルオキシ基、無置換若しくは置換アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、無置換若しくは置換アルキルスルファニル基、無置換若しくは置換アルケニルスルファニル基、無置換若しくは置換アルキニルスルファニル基、無置換若しくは置換アルキルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルキルアミノ基、無置換若しくは置換アルケニルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルケニルアミノ基、無置換若しくは置換アルキニルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルキニルアミノ基、フェニル基、スルファニル基又は無置換若しくは置換アルコキシカルボニル基を表す。）
［３］多価金属イオンが、元素の周期表の第２族～第１３族の金属からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属のイオンである［１］又は［２］に記載の水素貯蔵材料。
［４］多価金属イオンが、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｒ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種の金属のイオンである［１］～［３］のいずれか１つに記載の水素貯蔵材料。
［５］水素含有ガスを［１］～［４］のいずれか１つに記載の水素貯蔵材料に接触させ、水素ガスを前記水素貯蔵材料の内部に吸着させる工程を有する水素ガス貯蔵方法。
［６］［１］～［４］のいずれか１つに記載の水素貯蔵材料が充填されている、又は［１］～［４］のいずれか１つに記載の水素貯蔵材料を成型してなる水素貯蔵タンク。
［３］多価金属イオンが、元素の周期表の第２族～第１３族の金属からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属のイオンである［１］又は［２］に記載の水素貯蔵材料。
［４］多価金属イオンが、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｒ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種の金属のイオンである［１］～［３］のいずれか１つに記載の水素貯蔵材料。
［５］水素含有ガスを［１］～［４］のいずれか１つに記載の水素貯蔵材料に接触させ、水素ガスを前記水素貯蔵材料の内部に吸着させる工程を有する水素ガス貯蔵方法。
［６］［１］～［４］のいずれか１つに記載の水素貯蔵材料が充填されている、又は［１］～［４］のいずれか１つに記載の水素貯蔵材料を成型してなる水素貯蔵タンク。
【発明の効果】
【0013】
本発明の水素貯蔵材料は、水素貯蔵材料としては新規であり、この材料を用いることで、従来よりも有意に水素を貯蔵することができる。
【発明を実施するための形態】
【0014】
本発明の水素貯蔵材料は、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンと多価金属イオンが結合してなるＭＯＦを含有する、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオン及び２つ以上の窒素原子を含む有機配位子（ただし、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンは除く）と多価金属イオンが結合してなるＭＯＦを含有する又は式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンと窒素原子及びカルボキシイオン基を含む有機配位子（ただし、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンは除く）と多価金属イオンとが結合してなるＭＯＦを含有する。
【0015】
本発明に用いられる多価金属イオンは、２価以上の金属のイオンであれば、特に制限されないが、元素周期表の第２族～第１３族の金属からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属のイオンであるのが好ましく、さらに、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｒ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種の金属のイオンであるのが好ましく、さらにＣｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＺｎから選ばれる少なくとも１種の金属のイオンであるのが好ましく、これらは1種単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。
【0016】
これらの多価金属イオンは、種々の塩の形で供給され、具体的には、Ｚｎ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ、Ｚｎ（ＮＯ３）２・４Ｈ２Ｏ、Ｎｉ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ、Ｍｇ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ、Ｃｕ（ＮＯ３）２・ｘＨ２Ｏ、Ｃｕ（ＮＯ３）２・２．５Ｈ２Ｏ、Ｃｏ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ、Ａｌ（ＮＯ３）３・６Ｈ２Ｏ、ＺｒＯＣｌ２・８Ｈ２Ｏ、ＺｒＣｌ４等を例示することができる。さらに、塩の純度、金属イオンと有機配位子との結合のしやすさ等を考慮すると、硝酸塩が好ましい。
【0017】
本発明に使用されるＭＯＦには、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンを含む。
式（Ｉ）中、Ｘは、無置換若しくは置換Ｃ２～Ｃ２０アルキル基、無置換若しくは置換アルケニル基、無置換若しくは置換アルキニル基、無置換若しくは置換アルコキシ基、無置換若しくは置換アルケニルオキシ基、無置換若しくは置換アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、無置換若しくは置換アルキルスルファニル基、無置換若しくは置換アルケニルスルファニル基、無置換若しくは置換アルキニルスルファニル基、無置換若しくは置換アルキルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルキルアミノ基、無置換若しくは置換アルケニルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルケニルアミノ基、無置換若しくは置換アルキニルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルキニルアミノ基、フェニル基、スルファニル基又は無置換若しくは置換アルコキシカルボニル基を表す。
式（Ｉ）中、Ｘは、無置換若しくは置換Ｃ２～Ｃ２０アルキル基、無置換若しくは置換アルケニル基、無置換若しくは置換アルキニル基、無置換若しくは置換アルコキシ基、無置換若しくは置換アルケニルオキシ基、無置換若しくは置換アルキニルオキシ基、ベンジルオキシ基、無置換若しくは置換アルキルスルファニル基、無置換若しくは置換アルケニルスルファニル基、無置換若しくは置換アルキニルスルファニル基、無置換若しくは置換アルキルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルキルアミノ基、無置換若しくは置換アルケニルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルケニルアミノ基、無置換若しくは置換アルキニルアミノ基、無置換若しくは置換ジアルキニルアミノ基、フェニル基、スルファニル基又は無置換若しくは置換アルコキシカルボニル基を表す。
【0018】
ここで、本発明において、「無置換（unsubstituted）」の用語は、母核となる基のみであることを意味する。「置換」との記載がなく母核となる基の名称のみで記載しているときは、別段の断りがない限り「無置換」の意味である。
一方、「置換（substituted）」とは、母核となる基のいずれかの水素原子が、母核と同一又は異なる構造の官能基（置換基）で置換されていることを意味する。したがって、「置換基」は、母核となる官能基に結合した他の官能基である。置換基は１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。２つ以上の置換基は同一であってもよいし、異なるものであってもよい。
「Ｃ１～６」などの用語は、母核となる基（「Ｃ１～６」なる語句の次に位置する官能基）の炭素原子数が１～６個などであることを表している。この炭素原子数には、置換基の中にある炭素原子の数を含まない。例えば、置換基としてエトキシ基を有するブチル基は、Ｃ２アルコキシＣ４アルキル基に分類する。
一方、「置換（substituted）」とは、母核となる基のいずれかの水素原子が、母核と同一又は異なる構造の官能基（置換基）で置換されていることを意味する。したがって、「置換基」は、母核となる官能基に結合した他の官能基である。置換基は１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。２つ以上の置換基は同一であってもよいし、異なるものであってもよい。
「Ｃ１～６」などの用語は、母核となる基（「Ｃ１～６」なる語句の次に位置する官能基）の炭素原子数が１～６個などであることを表している。この炭素原子数には、置換基の中にある炭素原子の数を含まない。例えば、置換基としてエトキシ基を有するブチル基は、Ｃ２アルコキシＣ４アルキル基に分類する。
【0019】
「置換基」は化学的に許容され、本発明の効果を有する限りにおいて特に制限されない。以下に「置換基」となり得る基を例示する。
メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基等のＣ１～６アルキル基；
ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基（アリル基）、プロペン－２－イル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１－メチル－２－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基等のＣ２～６アルケニル基；
エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基（プロパルギル基）、１－ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、１－メチル－２－プロピニル基等のＣ２～６アルキニル基；
メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基等のＣ１～６アルキル基；
ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基（アリル基）、プロペン－２－イル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１－メチル－２－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基等のＣ２～６アルケニル基；
エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基（プロパルギル基）、１－ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、１－メチル－２－プロピニル基等のＣ２～６アルキニル基；
【0020】
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、キュバニル基等のＣ３～８シクロアルキル基；
フェニル基、ナフチル基等のＣ６～１０アリール基；
ベンジル基、フェネチル基等のＣ６～１０アリールＣ１～６アルキル基；
３～６員ヘテロシクリル基；
３～６員へテロシクリルＣ１～６アルキル基；
フェニル基、ナフチル基等のＣ６～１０アリール基；
ベンジル基、フェネチル基等のＣ６～１０アリールＣ１～６アルキル基；
３～６員ヘテロシクリル基；
３～６員へテロシクリルＣ１～６アルキル基；
【0021】
オキソ基；
水酸基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｉ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基等のＣ１～６アルコキシ基；
ビニルオキシ基、アリルオキシ基、１－プロペニルオキシ基、プロペン－２－イルオキシ基、３－ブテニルオキシ基、２－ブテニルオキシ基等のＣ２～６アルケニルオキシ基；
エチニルオキシ基、プロパルギルオキシ基等のＣ２～６アルキニルオキシ基；
フェノキシ基、ナフトキシ基等のＣ６～１０アリールオキシ基；
ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等のＣ６～１０アリールＣ１～６アルコキシ基；
チアゾリルオキシ基、ピリジルオキシ基等の５～６員ヘテロアリールオキシ基；
チアゾリルメチルオキシ基、ピリジルメチルオキシ基等の５～６員ヘテロアリールＣ１～６アルキルオキシ基；
水酸基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｉ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基等のＣ１～６アルコキシ基；
ビニルオキシ基、アリルオキシ基、１－プロペニルオキシ基、プロペン－２－イルオキシ基、３－ブテニルオキシ基、２－ブテニルオキシ基等のＣ２～６アルケニルオキシ基；
エチニルオキシ基、プロパルギルオキシ基等のＣ２～６アルキニルオキシ基；
フェノキシ基、ナフトキシ基等のＣ６～１０アリールオキシ基；
ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等のＣ６～１０アリールＣ１～６アルコキシ基；
チアゾリルオキシ基、ピリジルオキシ基等の５～６員ヘテロアリールオキシ基；
チアゾリルメチルオキシ基、ピリジルメチルオキシ基等の５～６員ヘテロアリールＣ１～６アルキルオキシ基；
【0022】
ホルミル基；
アセチル基、プロピオニル基等のＣ１～６アルキルカルボニル基；
ホルミルオキシ基；
アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等のＣ１～６アルキルカルボニルオキシ基；
ベンゾイル基等のＣ６～１０アリールカルボニル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ－プロポキシカルボニル基、ｉ－プロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、ｔ－ブトキシカルボニル基等のＣ１～６アルコキシカルボニル基；
メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ－プロポキシカルボニルオキシ基、ｉ－プロポキシカルボニルオキシ基、ｎ－ブトキシカルボニルオキシ基、ｔ－ブトキシカルボニルオキシ基等のＣ１～６アルコキシカルボニルオキシ基；
カルボキシ基；
アセチル基、プロピオニル基等のＣ１～６アルキルカルボニル基；
ホルミルオキシ基；
アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等のＣ１～６アルキルカルボニルオキシ基；
ベンゾイル基等のＣ６～１０アリールカルボニル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ－プロポキシカルボニル基、ｉ－プロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、ｔ－ブトキシカルボニル基等のＣ１～６アルコキシカルボニル基；
メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ－プロポキシカルボニルオキシ基、ｉ－プロポキシカルボニルオキシ基、ｎ－ブトキシカルボニルオキシ基、ｔ－ブトキシカルボニルオキシ基等のＣ１～６アルコキシカルボニルオキシ基；
カルボキシ基；
【0023】
フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、イオド基等のハロゲノ基；
フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基、パーフルオロプロピル基、２，２，２－トリフルオロ－１－トリフルオロメチルエチル基、パーフルオロイソプロピル基、４－フルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４－ヘプタフルオロブチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、１－クロロエチル基、２，２，２－トリクロロエチル基、４－クロロブチル基、パークロロヘキシル基、２，４，６－トリクロロヘキシル基等のＣ１～６ハロアルキル基；
２－クロロ－１－プロペニル基、２－フルオロ－１－ブテニル基等のＣ２～６ハロアルケニル基；
４，４－ジクロロ－１－ブチニル基、４－フルオロ－１－ペンチニル基、５－ブロモ－２－ペンチニル基等のＣ２～６ハロアルキニル基；
トリフルオロメトキシ基、２－クロロ－ｎ－プロポキシ基、２，３－ジクロロブトキシ基等のＣ１～６ハロアルコキシ基；
２－クロロプロペニルオキシ基、３－ブロモブテニルオキシ基等のＣ２～６ハロアルケニルオキシ基；
クロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、トリクロロアセチル基等のＣ１～６ハロアルキルカルボニル基；
フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基、パーフルオロプロピル基、２，２，２－トリフルオロ－１－トリフルオロメチルエチル基、パーフルオロイソプロピル基、４－フルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４－ヘプタフルオロブチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、１－クロロエチル基、２，２，２－トリクロロエチル基、４－クロロブチル基、パークロロヘキシル基、２，４，６－トリクロロヘキシル基等のＣ１～６ハロアルキル基；
２－クロロ－１－プロペニル基、２－フルオロ－１－ブテニル基等のＣ２～６ハロアルケニル基；
４，４－ジクロロ－１－ブチニル基、４－フルオロ－１－ペンチニル基、５－ブロモ－２－ペンチニル基等のＣ２～６ハロアルキニル基；
トリフルオロメトキシ基、２－クロロ－ｎ－プロポキシ基、２，３－ジクロロブトキシ基等のＣ１～６ハロアルコキシ基；
２－クロロプロペニルオキシ基、３－ブロモブテニルオキシ基等のＣ２～６ハロアルケニルオキシ基；
クロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、トリクロロアセチル基等のＣ１～６ハロアルキルカルボニル基；
【0024】
アミノ基；
メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のＣ１～６アルキル置換アミノ基；
アニリノ基、ナフチルアミノ基等のＣ６～１０アリールアミノ基；
ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基等のＣ６～１０アリールＣ１～６アルキルアミノ基；
ホルミルアミノ基；
アセチルアミノ基、プロパノイルアミノ基、ブチリルアミノ基、ｉ－プロピルカルボニルアミノ基等のＣ１～６アルキルカルボニルアミノ基；
メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｎ－プロポキシカルボニルアミノ基、ｉ－プロポキシカルボニルアミノ基等のＣ１～６アルコキシカルボニルアミノ基；
Ｓ，Ｓ－ジメチルスルホキシイミノ基等のＣ１～６アルキルスルホキシイミノ基；
アミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、Ｎ－フェニル－Ｎ－メチルアミノカルボニル基等の無置換もしくは置換基を有するアミノカルボニル基；
イミノメチル基、１－イミノエチル基、１－イミノ－ｎ－プロピル基等のイミノＣ１～６アルキル基；
Ｎ－ヒドロキシ－イミノメチル基、１－（Ｎ－ヒドロキシイミノ）エチル基、１－（Ｎ－ヒドロキシイミノ）プロピル基、Ｎ－メトキシイミノメチル基、１－（Ｎ－メトキシイミノ）エチル基等の置換若しくは無置換のＮ－ヒドロキシイミノＣ１～６アルキル基；
ヒドロキシイミノ基；
メトキシイミノ基、エトキシイミノ基、ｎ－プロポキシイミノ基、ｉ－プロポキシイミノ基、ｎ－ブトキシイミノ基等のＣ１～６アルコキシイミノ基；
アミノカルボニルオキシ基；
エチルアミノカルボニルオキシ基、ジメチルアミノカルボニルオキシ基等のＣ１～６アルキル置換アミノカルボニルオキシ基；
メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のＣ１～６アルキル置換アミノ基；
アニリノ基、ナフチルアミノ基等のＣ６～１０アリールアミノ基；
ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基等のＣ６～１０アリールＣ１～６アルキルアミノ基；
ホルミルアミノ基；
アセチルアミノ基、プロパノイルアミノ基、ブチリルアミノ基、ｉ－プロピルカルボニルアミノ基等のＣ１～６アルキルカルボニルアミノ基；
メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｎ－プロポキシカルボニルアミノ基、ｉ－プロポキシカルボニルアミノ基等のＣ１～６アルコキシカルボニルアミノ基；
Ｓ，Ｓ－ジメチルスルホキシイミノ基等のＣ１～６アルキルスルホキシイミノ基；
アミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、Ｎ－フェニル－Ｎ－メチルアミノカルボニル基等の無置換もしくは置換基を有するアミノカルボニル基；
イミノメチル基、１－イミノエチル基、１－イミノ－ｎ－プロピル基等のイミノＣ１～６アルキル基；
Ｎ－ヒドロキシ－イミノメチル基、１－（Ｎ－ヒドロキシイミノ）エチル基、１－（Ｎ－ヒドロキシイミノ）プロピル基、Ｎ－メトキシイミノメチル基、１－（Ｎ－メトキシイミノ）エチル基等の置換若しくは無置換のＮ－ヒドロキシイミノＣ１～６アルキル基；
ヒドロキシイミノ基；
メトキシイミノ基、エトキシイミノ基、ｎ－プロポキシイミノ基、ｉ－プロポキシイミノ基、ｎ－ブトキシイミノ基等のＣ１～６アルコキシイミノ基；
アミノカルボニルオキシ基；
エチルアミノカルボニルオキシ基、ジメチルアミノカルボニルオキシ基等のＣ１～６アルキル置換アミノカルボニルオキシ基；
【0025】
チオキソ基
スルファニル基；
メチルスルファニル基、エチルスルファニル基、ｎ－プロピルスルファニル基、ｉ－プロピルスルファニル基、ｎ－ブチルスルファニル基、ｉ－ブチルスルファニル基、ｓ－ブチルスルファニル基、ｔ－ブチルスルファニル基等のＣ１～６アルキルスルファニル基；
トリフルオロメチルスルファニル基、２，２，２－トリフルオロエチルスルファニル基等のＣ１～６ハロアルキルスルファニル基；
フェニルスルファニル基、ナフチルスルファニル基等のＣ６～１０アリールスルファニル基；
チアゾリルスルファニル基、ピリジルスルファニル基等の５～６員ヘテロアリールスルファニル基；
スルファニル基；
メチルスルファニル基、エチルスルファニル基、ｎ－プロピルスルファニル基、ｉ－プロピルスルファニル基、ｎ－ブチルスルファニル基、ｉ－ブチルスルファニル基、ｓ－ブチルスルファニル基、ｔ－ブチルスルファニル基等のＣ１～６アルキルスルファニル基；
トリフルオロメチルスルファニル基、２，２，２－トリフルオロエチルスルファニル基等のＣ１～６ハロアルキルスルファニル基；
フェニルスルファニル基、ナフチルスルファニル基等のＣ６～１０アリールスルファニル基；
チアゾリルスルファニル基、ピリジルスルファニル基等の５～６員ヘテロアリールスルファニル基；
【0026】
メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ｔ－ブチルスルフィニル基等のＣ１～６アルキルスルフィニル基；
トリフルオロメチルスルフィニル基、２，２，２－トリフルオロエチルスルフィニル基等のＣ１～６ハロアルキルスルフィニル基；
フェニルスルフィニル基等のＣ６～１０アリールスルフィニル基；
チアゾリルスルフィニル基、ピリジルスルフィニル基等の５～６員ヘテロアリールスルフィニル基；
トリフルオロメチルスルフィニル基、２，２，２－トリフルオロエチルスルフィニル基等のＣ１～６ハロアルキルスルフィニル基；
フェニルスルフィニル基等のＣ６～１０アリールスルフィニル基；
チアゾリルスルフィニル基、ピリジルスルフィニル基等の５～６員ヘテロアリールスルフィニル基；
【0027】
メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｔ－ブチルスルホニル基等のＣ１～６アルキルスルホニル基；
トリフルオロメチルスルホニル基、２，２，２－トリフルオロエチルスルホニル基等のＣ１～６ハロアルキルスルホニル基；
フェニルスルホニル基等のＣ６～１０アリールスルホニル基；
チアゾリルスルホニル基、ピリジルスルホニル基等の５～６員ヘテロアリールスルホニル基；
スルホ基；
メチルスルホニルオキシ基、エチルスルホニルオキシ基、ｔ－ブチルスルホニルオキシ基等のＣ１～６アルキルスルホニルオキシ基；
トリフルオロメチルスルホニルオキシ基、２，２，２－トリフルオロエチルスルホニルオキシ基等のＣ１～６ハロアルキルスルホニルオキシ基；
トリフルオロメチルスルホニル基、２，２，２－トリフルオロエチルスルホニル基等のＣ１～６ハロアルキルスルホニル基；
フェニルスルホニル基等のＣ６～１０アリールスルホニル基；
チアゾリルスルホニル基、ピリジルスルホニル基等の５～６員ヘテロアリールスルホニル基；
スルホ基；
メチルスルホニルオキシ基、エチルスルホニルオキシ基、ｔ－ブチルスルホニルオキシ基等のＣ１～６アルキルスルホニルオキシ基；
トリフルオロメチルスルホニルオキシ基、２，２，２－トリフルオロエチルスルホニルオキシ基等のＣ１～６ハロアルキルスルホニルオキシ基；
【0028】
トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ－ブチルジメチルシリル基等のトリＣ１～６アルキル置換シリル基；
トリフェニルシリル基等のトリＣ６～１０アリール置換シリル基；
アリルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基等のＣ２～Ｃ６アルケニルＣ１～Ｃ６ジアルキル置換シリル基；
ｔ-ブチルジフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基等のＣ１～Ｃ６アルキルジＣ６～Ｃ１０アリール置換シリル基；
ジメチルフェニルシリル基等のジＣ１～Ｃ６アルキルＣ６～Ｃ１０アリール置換シリル基；
ベンジルジメチルシリル基、３－フェニルプロピルジメチルシリル基等の（Ｃ６～Ｃ１０フェニルＣ１～Ｃ６アルキル）ジＣ１～Ｃ６アルキルシリル基；
メチルフェニルビニルシリル基等のＣ１～Ｃ６アルキルＣ６～Ｃ１０フェニルＣ２～Ｃ６アルケニルシリル基；
トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基等のトリＣ１～Ｃ６アルコキシ置換シリル基；
ジメチルシリル基、ジエチルシリル基等のジＣ１～Ｃ６アルキル置換シリル基；
ジメトキシシリル基、ジエトキシシリル基等のジＣ１～Ｃ６アルコキシ置換シリル基；
メトキシジメチルシリル基等のＣ１～Ｃ６アルコキシＣ１～Ｃ６アルキル置換シリル基；
ｔ－ブトキシジフェニルシリル基等のＣ１～Ｃ６アルコキシＣ６～Ｃ１０アリール置換シリル基；
メチルジメトキシシリル基等のＣ１～Ｃ６アルキルジＣ１～Ｃ６アルコキシ置換シリル基；
シアノ基；
ニトロ基。
トリフェニルシリル基等のトリＣ６～１０アリール置換シリル基；
アリルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基等のＣ２～Ｃ６アルケニルＣ１～Ｃ６ジアルキル置換シリル基；
ｔ-ブチルジフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基等のＣ１～Ｃ６アルキルジＣ６～Ｃ１０アリール置換シリル基；
ジメチルフェニルシリル基等のジＣ１～Ｃ６アルキルＣ６～Ｃ１０アリール置換シリル基；
ベンジルジメチルシリル基、３－フェニルプロピルジメチルシリル基等の（Ｃ６～Ｃ１０フェニルＣ１～Ｃ６アルキル）ジＣ１～Ｃ６アルキルシリル基；
メチルフェニルビニルシリル基等のＣ１～Ｃ６アルキルＣ６～Ｃ１０フェニルＣ２～Ｃ６アルケニルシリル基；
トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基等のトリＣ１～Ｃ６アルコキシ置換シリル基；
ジメチルシリル基、ジエチルシリル基等のジＣ１～Ｃ６アルキル置換シリル基；
ジメトキシシリル基、ジエトキシシリル基等のジＣ１～Ｃ６アルコキシ置換シリル基；
メトキシジメチルシリル基等のＣ１～Ｃ６アルコキシＣ１～Ｃ６アルキル置換シリル基；
ｔ－ブトキシジフェニルシリル基等のＣ１～Ｃ６アルコキシＣ６～Ｃ１０アリール置換シリル基；
メチルジメトキシシリル基等のＣ１～Ｃ６アルキルジＣ１～Ｃ６アルコキシ置換シリル基；
シアノ基；
ニトロ基。
【0029】
また、これらの「置換基」は、当該置換基中のいずれかの水素原子が、異なる構造の基で置換されていてもよい。その場合の「置換基」としては、Ｃ１～６アルキル基、Ｃ１～６ハロアルキル基、Ｃ１～６アルコキシ基、Ｃ１～６ハロアルコキシ基、ハロゲノ基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができる。
【0030】
また、上記の「３～６員ヘテロシクリル基」とは、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子からなる群から選ばれる１～４個のヘテロ原子を環の構成原子として含むものである。ヘテロシクリル基は、単環及び多環のいずれであってもよい。多環ヘテロシクリル基は、少なくとも一つの環がヘテロ環であれば、残りの環が飽和脂環、不飽和脂環又は芳香環のいずれであってもよい。「３～６員ヘテロシクリル基」としては、３～６員飽和ヘテロシクリル基、５～６員ヘテロアリール基、５～６員部分不飽和ヘテロシクリル基等を挙げることができる。
【0031】
３～６員飽和ヘテロシクリル基としては、アジリジニル基、エポキシ基、ピロリジニル基、テトラヒドロフラニル基、チアゾリジニル基、ピペリジル基、ピペラジニル基、モルホリニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等を挙げることができる。
【0032】
５員ヘテロアリール基としては、ピロリル基、フリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、トリアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、テトラゾリル基等を挙げることができる。
６員ヘテロアリール基としては、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基等を挙げることができる。
５～６員部分不飽和ヘテロシクリル基としては、イソオキサゾリニル基、ピラゾリニル基等を挙げることができる。
３～６員ヘテロシクリル１～６アルキル基としては、グリシジル基、２－テトラヒドロフラニルメチル基、２－ピロリルメチル基。２－イミダゾリルメチル基、３－イソオキサゾリルメチル基、５－イソオキサゾリルメチル基、２－ピリジルメチル基、４－ピリジルメチル基、３－イソオキサゾリニルメチル基等を挙げることができる。
６員ヘテロアリール基としては、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基等を挙げることができる。
５～６員部分不飽和ヘテロシクリル基としては、イソオキサゾリニル基、ピラゾリニル基等を挙げることができる。
３～６員ヘテロシクリル１～６アルキル基としては、グリシジル基、２－テトラヒドロフラニルメチル基、２－ピロリルメチル基。２－イミダゾリルメチル基、３－イソオキサゾリルメチル基、５－イソオキサゾリルメチル基、２－ピリジルメチル基、４－ピリジルメチル基、３－イソオキサゾリニルメチル基等を挙げることができる。
【0033】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換Ｃ２～Ｃ２０アルキル基」の「アルキル基」は、直鎖であってもよいし、分岐鎖であってもよく、エチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ブチル基、ｎ-ぺンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｉ－プロピル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｉ－ペンチル基、ネオペンチル基、２－メチルブチル基、ｉ－ヘキシル基、ステアリル基、パルミチル基等を挙げることができる。
【0034】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルケニル基」の「アルケニル基」としては、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基（アリル基）、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１－メチル－２－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基、ブタン－１，３－ジエン－1－イル、ブタン－１，３－ジエン－２－イル、１，２－プロパジエン－１－イル基、１，１－ジメチルアリル基、オレイル基、リノレル基、リノレニル基等を挙げることができる。
【0035】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルキニル基」の「アルキニル基」としては、エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基（プロパルギル基）、１－ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、１－メチル－２－プロピニル基、1，1－ジメチルプロパルギル基等を挙げることができる。
【0036】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルコキシ基」の「アルコキシ基」としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓ－ブトキシ基、ｉ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、ステアリルオキシ基、パルミチルオキシ基等を挙げることができる。
【0037】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルケニルオキシ基」の「アルケニルオキシ基」としては、ビニルオキシ基、アリルオキシ基、１－プロペニルオキシ基、プロペン－２－イルオキシ基、３－ブテニルオキシ基、２－ブテニルオキシ基、ブタン－１，３－ジエン－２－イルオキシ基、１，１－ジメチルアリルオキシ基、オレイルオキシ基、リノレルオキシ基、リノレニルオキシ基等を挙げることができる。
【0038】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルキニルオキシ基」の「アルキニルオキシ基」としては、エチニルオキシ基、プロパルギルオキシ基、１－プロピルオキシ基、３－ブチニルオキシ基、１，１－ジメチルプロパルギルオキシ基等を挙げることができる。
【0039】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルキルスルファニル基」の「アルキルスルファニル基」としては、メチルスルファニル基、エチルスルファニル基、ｎ－プロピルスルファニル基、ｉ－プロピルスルファニル基、ｎ－ブチルスルファニル基、ｉ－ブチルスルファニル基、ｓ－ブチルスルファニル基、ｔ－ブチルスルファニル基、ステアリルスルファニル基、パルミチルスルファニル基等を挙げることができる。
【0040】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルケニルスルファニル基」の「アルケニルスルファニル基」としては、ビニルスルファニル基、アリルスルファニル基、１－プロペニルスルファニル基、プロペン－２－イルスルファニル基、３－ブテニルスルファニル基、２－ブテニルスルファニル基、ブタン－１，３－ジエン－２－イルスルファニル基、１，１－ジメチルアリルスルファニル基、オレイルスルファニル基、リノレルスルファニル基、リノレニルスルファニル基等を挙げることができる。
【0041】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルキニルスルファニル基」の「アルキニルスルファニル基」としては、エチニルスルファニル基、プロパルギルスルファニル基、１－プロピルスルファニル基、３－ブチニルスルファニル基、１，１－ジメチルプロパルギルスルファニル基等を挙げることができる。
【0042】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルキルアミノ基」の「アルキルアミノ基」としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ－プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ－ブチルアミノ基、ｓ－ブチルアミノ基、ｔ－ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ステアリルアミノ基、パルミチルアミノ基等を挙げることができる。
【0043】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換ジアルキルアミノ基」の「ジアルキルアミノ基」としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ（ｎ－プロピル）アミノ基、ジ（イソプロピル）アミノ基、ジ（ｎ－ブチル）アミノ基、ジ（ｓ－ブチルアミノ）基、ジ（ｔ－ブチルアミノ）基、ジイソブチルアミノ基、ジステアリルアミノ基、ジパルミチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、エチルイソプロピルアミノ基等を挙げることができる。
【0044】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルケニルアミノ基」の「アルケニルアミノ基」としては、ビニルアミノ基、アリルアミノ基、１－プロぺニルアミノ基、１－ブテニルアミノ基、２－ブテニルアミノ基、３－ブテニルアミノ基、２－メチルアリルアミノ基、２－メチル－１－プロぺニルアミノ基、１，１－ジメチルアリルアミノ基、オレイルアミノ基、リノレルアミノ基、リノレニルアミノ基等を挙げることができる。
【0045】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換ジアルケニルアミノ基」の「ジアルケニルアミノ基」としては、ジビニルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジ（１－プロぺニル）アミノ基、ジ（１－ブテニル）アミノ基、ジ（２－ブテニル）アミノ基、ジ（３－ブテニル）アミノ基、ジ（２－メチルアリル）アミノ基、ビス（２－メチル－１－プロぺニル）アミノ基、ビス（１，１－ジメチルアリル）基、ジオレイルアミノ基、ジリノレルアミノ基、ジリノレニルアミノ基等を挙げることができる。
【0046】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルキニルアミノ基」の「アルキニルアミノ基」としては、エチニルアミノ基、プロパギルアミノ基、１－プロピニルアミノ基、１－ブチニルアミノ基、２－ブチニルアミノ基、３－ブチニルアミノ基、１，１－ジメチルプロパルギルアミノ基等を挙げることができる。
【0047】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換ジアルキニルアミノ基」の「ジアルキニルアミノ基」としては、ジエチニルアミノ基、ジプロパギルアミノ基、ジ（１－プロピニル）アミノ基、ジ（１－ブチニル）アミノ基、ジ（２－ブチニル）アミノ基、ジ（３－ブチニル）アミノ基、ビス（１，１－ジメチルプロパルギル）アミノ基等を挙げることができる。
【0048】
式（Ｉ）のＸ中、「無置換若しくは置換アルコキシカルボニル基」の「アルコキシカルボニル基」としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ－プロポキシカルボニル基、ｉ－プロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、ｓ－ブトキシカルボニル基、ｉ－ブトキシカルボニル基、ｔ－ブトキシカルボニル基、ｎ－オクチルオキシカルボニル基、ｎ－ステアリルオキシカルボニル基、パルミチルオキシカルボニル基等を挙げることができる。
【0049】
式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンとして、以下に示す化合物を挙げることができる。
【0050】
【化3】
【0051】
【化4】
【0052】
【化5】
【0053】
【化6】
【0054】
【化7】
【0055】
【化8】
【0056】
本発明の水素貯蔵材料は、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンと、多価金属イオンと、２つ以上の窒素原子を含む有機配位子（ただし、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンは除く）又は窒素原子及びカルボキシイオン基を含む有機配位子（ただし、式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオンは除く）からなり、前記式（Ｉ）で表されるカルボン酸イオン及び前記有機配位子と、前記多価金属イオンが結合してなる金属有機構造体を含有する。
【0057】
本発明の水素貯蔵材料に使用される２つ以上の窒素原子を含む有機配位子としては、ベンツイミダゾール、イミダゾール、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、ピラジン、４，４’－ジピリジル、１，２－ジ（４－ピリジル）エチレン、２，７－ジアザピレン、４，４’－アゾビスピリジン、ビス（３－（４－ピリジル）－２、４－ペンタンジオナト）銅等を挙げることができる。
また、窒素原子及びカルボキシイオン基を含む有機配位子としては、その前駆体であるカルボン酸として４－ピリジルカルボン酸、４－ピリダジンカルボン酸、４－ピリミジンカルボン酸等を挙げることができる。
また、窒素原子及びカルボキシイオン基を含む有機配位子としては、その前駆体であるカルボン酸として４－ピリジルカルボン酸、４－ピリダジンカルボン酸、４－ピリミジンカルボン酸等を挙げることができる。
【0058】
式（Ｉ）で表される有機配位子と、式（Ｉ）以外の有機配位子を混合して用いる場合の混合モル比は特に制限されないが、例えば、ピラー分子によって架橋して、ピラードレイヤー型のような３次元構造を構築する場合のピラー分子であれば、式（Ｉ）で表される有機配位子に対して、式（Ｉ）以外の有機配位子を過剰に用いるのが好ましい。
【0059】
本発明の金属有機構造体の製造方法として、特に制限されず、溶媒拡散法、溶媒撹拌法、水熱法等の溶液法、反応溶液にマイクロ波を照射して系全体を短時間に均一に加熱するマイクロ波法、反応容器に超音波を照射することにより、反応容器中で圧力の変化が繰り返し起こり、この圧力の変化により、溶媒が気泡を形成し崩壊するキャビテーションと呼ばれる現象がおき、その際に約５０００Ｋ、１００００ｂａｒもの高エネルギー場が局所的に形成される結晶の各生成の反応場となる超音波法、溶媒を用いずに、金属イオン発生源と有機配位子を混合する固相合成法、結晶水程度の水を添加して金属イオン発生源と有機配位子を混合するＬＡＧ（liquid assisted grinding）法等のいずれの方法も用いることができる。
【0060】
例えば、金属イオンの発生源となる金属化合物と溶媒とを含有する第一溶液、式（Ｉ）で表される有機配位子の前駆体であるカルボン酸と溶媒とを含有する第二溶液、及び、必要に応じて、他の多座配位子となる化合物と溶媒とを含有する第三溶液をそれぞれ調製する工程と、第一溶液と、第二溶液及び第三溶液を混合して反応液を調製し、この反応液を加熱することで、金属有機構造体を得る工程と、を備える。第一～第三溶液は別々に調製する必要はなく、例えば、上記金属化合物、式（Ｉ）で表される有機配位子の前駆体であるカルボン酸、他の多座配位子となる化合物、溶媒とを１度に混合して１つの溶液を調製してもよい。
【0061】
上記金属化合物と式（Ｉ）で表される有機配位子との混合モル比は、得られてくる金属有機構造体の細孔サイズ、表面特性に応じて任意に選択することができるが、式（Ｉ）で表される有機配位子１モルに対して金属化合物を１モル以上用いるのが好ましく、さらに１．１モル以上、さらに１．２モル以上、さらに１．５モル以上、さらに２モル以上、さらに３モル以上用いるのが好ましい。
また、反応液中の上記金属イオンの濃度は、２５～２００ｍｍｏｌ／Ｌの範囲が好ましい。
また、反応液中の上記金属イオンの濃度は、２５～２００ｍｍｏｌ／Ｌの範囲が好ましい。
【0062】
式（１）で表される有機配位子の反応液中の濃度は、１０～１００ｍｍｏｌ／Ｌの範囲が好ましい。
式（Ｉ）以外の有機配位子の反応液中の濃度は、２５～１００ｍｍｏｌ／Ｌであるのが好ましい。
式（Ｉ）以外の有機配位子の反応液中の濃度は、２５～１００ｍｍｏｌ／Ｌであるのが好ましい。
【0063】
用いられる溶媒としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（以下「ＤＭＦ」と記載することがある。）、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド（以下「ＤＥＦ」と記載することがある。）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド及び水からなる群より選ばれる１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド又はジメチルアセトアミドのいずれかを単独で用いるか、あるいはＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド／水混合溶媒、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド／水混合溶媒又はＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド／水混合溶媒を用いることが好ましい。
【0064】
反応液の加熱温度は、特に制限されないが、室温～１４０℃の範囲が好ましい。
【0065】
本発明の水素貯蔵材料を用いた水素の貯蔵方法は、特に制限されないが、本発明の水素貯蔵材料と水素ガスを接触させる方法が好ましく、接触させる方法は、特に制限されない。例えば、タンク中に、本発明の水素貯蔵材料を充填して水素貯蔵タンクとし、該タンク内に水素ガスを流入する方法、タンクの内壁を構成する表面に本発明の水素貯蔵材料を担持させて水素貯蔵タンクとし、該タンク内に水素ガスを流入する方法、タンクを本発明の水素貯蔵材料を含む材料で成型して水素貯蔵タンクとし、該タンク内に水素ガスを流入する方法などが挙げられる。
本発明の水素貯蔵タンクは、常圧又は高圧に耐えうる素材で内部に水素を貯蔵できる空間を有するように密封成型され、成型されたタンク内に、本発明の水素貯蔵材料を充填することにより構成することができる。
また、本発明の水素貯蔵タンクの別の態様として、本発明の水素貯蔵材料を必要に応じて他の成型可能な材料と混合して内部に水素を流入できる空間を有する形に密封成型して構成することができる。これらの態様は、単独で又は一緒になって、本発明の水素貯蔵タンクを構成してもよい。
本発明の水素貯蔵タンクは、常圧又は高圧に耐えうる素材で内部に水素を貯蔵できる空間を有するように密封成型され、成型されたタンク内に、本発明の水素貯蔵材料を充填することにより構成することができる。
また、本発明の水素貯蔵タンクの別の態様として、本発明の水素貯蔵材料を必要に応じて他の成型可能な材料と混合して内部に水素を流入できる空間を有する形に密封成型して構成することができる。これらの態様は、単独で又は一緒になって、本発明の水素貯蔵タンクを構成してもよい。
【実施例】
【0066】
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明は、実施例の範囲に限定されない。
【0067】
実施例で使用した式（Ｉ）で表される有機配位子１～１４の前駆体となるカルボン酸（以下、前駆体となるカルボン酸を含めて「有機配位子」と呼ぶ。）の構造を表１に示す。
なお、表１中の記号は以下の意味を表す。
n-Pr：ｎ－プロピル基、i-Pr：イソプロピル基、n-Bu：ｎ－ブチル基、Ph：フェニル基、Bn：ベンジル基、Me：メチル基、Et：エチル基、Ｏ：酸素原子、Ｎ：窒素原子、Ｈ：水素原子、Ｃ：炭素原子。
なお、表１中の記号は以下の意味を表す。
n-Pr：ｎ－プロピル基、i-Pr：イソプロピル基、n-Bu：ｎ－ブチル基、Ph：フェニル基、Bn：ベンジル基、Me：メチル基、Et：エチル基、Ｏ：酸素原子、Ｎ：窒素原子、Ｈ：水素原子、Ｃ：炭素原子。
【0068】
【表1】
【0069】
［製造例１］有機配位子３の合成
ｐ－ジ（ｎ－ブチル）ベンゼン（２６．３ｍｍｏｌ）にヨウ素（２．６ｍｍｏｌ）を加え、クロロホルムに溶解させた。そこへ臭素（５２．６ｍｍｏｌ）を滴下し、４８時間攪拌させた。２０％水酸化ナトリウムを加え、ジエチルエーテルで抽出した。抽出した溶液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過し、ろ液を減圧蒸留することで２，５－ジブロモ－１，４－ジ（ｎ－ブチル）ベンゼン（２２．８ｍｍｏｌ）を得た。得られた２，５－ジブロモ－１，４－ジ（ｎ－ブチル）ベンゼン（１０ｍｍｏｌ）にシアン化銅（３０ｍｍｏｌ）を加え、ジメチルホルムアミド（３０ｍＬ）中に溶解させた。終夜還流させ、室温に戻したのち、アンモニア水（１００ｍＬ）を加えた。析出した固体を濾別し、水で良く洗い、クロロホルムに溶解させた。硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過し、ろ液を減圧蒸留させた。得られた粗生成物をヘキサンで再結晶することで無色の固体として２，５－ジシアノ－１，４－ジ（ｎ－ブチル）ベンゼン（９．５ｍｍｏｌ）を得た。得られた２，５－ジシアノ－１，４－ジ（ｎ－ブチル）ベンゼン（５．０ｍｍｏｌ）に１０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（７５ｍｍｏｌ）を加え、エチレングリコール（５０ｍＬ）に溶解させたのち終夜還流した。室温に戻したのちに水（１００ｍＬ）を加え、塩酸を加えてｐＨ１に調整した。析出した固体を濾別し、よく乾燥させることで１．３ｇ（４．７ｍｍｏｌ）の有機配位子３を得た。
ｐ－ジ（ｎ－ブチル）ベンゼン（２６．３ｍｍｏｌ）にヨウ素（２．６ｍｍｏｌ）を加え、クロロホルムに溶解させた。そこへ臭素（５２．６ｍｍｏｌ）を滴下し、４８時間攪拌させた。２０％水酸化ナトリウムを加え、ジエチルエーテルで抽出した。抽出した溶液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過し、ろ液を減圧蒸留することで２，５－ジブロモ－１，４－ジ（ｎ－ブチル）ベンゼン（２２．８ｍｍｏｌ）を得た。得られた２，５－ジブロモ－１，４－ジ（ｎ－ブチル）ベンゼン（１０ｍｍｏｌ）にシアン化銅（３０ｍｍｏｌ）を加え、ジメチルホルムアミド（３０ｍＬ）中に溶解させた。終夜還流させ、室温に戻したのち、アンモニア水（１００ｍＬ）を加えた。析出した固体を濾別し、水で良く洗い、クロロホルムに溶解させた。硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過し、ろ液を減圧蒸留させた。得られた粗生成物をヘキサンで再結晶することで無色の固体として２，５－ジシアノ－１，４－ジ（ｎ－ブチル）ベンゼン（９．５ｍｍｏｌ）を得た。得られた２，５－ジシアノ－１，４－ジ（ｎ－ブチル）ベンゼン（５．０ｍｍｏｌ）に１０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液（７５ｍｍｏｌ）を加え、エチレングリコール（５０ｍＬ）に溶解させたのち終夜還流した。室温に戻したのちに水（１００ｍＬ）を加え、塩酸を加えてｐＨ１に調整した。析出した固体を濾別し、よく乾燥させることで１．３ｇ（４．７ｍｍｏｌ）の有機配位子３を得た。
【0070】
［製造例２］有機配位子１０の合成
２，５－ジメチルテレフタル酸ジエチル（４２．９ｍｍｏｌ）の四塩化炭素（２６０ｍＬ）溶液に対し、Ｎ－ブロモスクシンイミド（１０３ｍｍｏｌ）、アゾイソブチロニトリル（１．７２ｍｍｏｌ）を加え一時間加熱還流した。その後、熱時ろ過を行い、室温に戻したろ液を減圧蒸留させた。得られた固体をヘキサンで洗い、２，５－ジ（ブロモメチル）テレフタル酸ジエチル（３４．１ｍｍｏｌ）を粗生成物として得た。得られたブロモメチル体（２．４５ｍｍｏｌ）とジブチルアミン（４．９ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（４．９ｍｍｏｌ）をジクロロメタン中で攪拌することで、２，５－ビス（Ｎ，Ｎ－ジブチルアミノ）テレフタル酸ジエチル（２．４３ｍｍｏｌ）を得た。水酸化ナトリウム（９．８ｍｍｏｌ）を用いてエタノール中で加水分解し、塩酸で中和することで有機配位子１０を得た。
２，５－ジメチルテレフタル酸ジエチル（４２．９ｍｍｏｌ）の四塩化炭素（２６０ｍＬ）溶液に対し、Ｎ－ブロモスクシンイミド（１０３ｍｍｏｌ）、アゾイソブチロニトリル（１．７２ｍｍｏｌ）を加え一時間加熱還流した。その後、熱時ろ過を行い、室温に戻したろ液を減圧蒸留させた。得られた固体をヘキサンで洗い、２，５－ジ（ブロモメチル）テレフタル酸ジエチル（３４．１ｍｍｏｌ）を粗生成物として得た。得られたブロモメチル体（２．４５ｍｍｏｌ）とジブチルアミン（４．９ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（４．９ｍｍｏｌ）をジクロロメタン中で攪拌することで、２，５－ビス（Ｎ，Ｎ－ジブチルアミノ）テレフタル酸ジエチル（２．４３ｍｍｏｌ）を得た。水酸化ナトリウム（９．８ｍｍｏｌ）を用いてエタノール中で加水分解し、塩酸で中和することで有機配位子１０を得た。
【0071】
［比較例１］
テレフタル酸１６６．７ｍｇをＤＭＦ１３ｍＬに溶解させ、そこへトリエチルアミン０．２８ｍＬを加えた。そこへ酢酸亜鉛二水和物５５７．７ｍｇのＤＭＦ溶液１７ｍＬを滴下した。室温にて２．５時間攪拌し、得られた固体を遠心分離にて分離した。上澄みを除去し、固体をＤＭＦ（２０ｍＬ）に一晩浸漬した。その後遠心分離して上澄みを除去し、クロロホルムを用いて置換した。遠心分離した固体をクロロホルム（２０ｍＬ）に一晩浸漬し、再び遠心分離をする操作を３回繰り返した。その後、遠心分離した固体を１５０℃にて５時間真空乾燥することで金属有機構造体Ａを（白色粉末、１４２．９ｍｇ）得た。
テレフタル酸１６６．７ｍｇをＤＭＦ１３ｍＬに溶解させ、そこへトリエチルアミン０．２８ｍＬを加えた。そこへ酢酸亜鉛二水和物５５７．７ｍｇのＤＭＦ溶液１７ｍＬを滴下した。室温にて２．５時間攪拌し、得られた固体を遠心分離にて分離した。上澄みを除去し、固体をＤＭＦ（２０ｍＬ）に一晩浸漬した。その後遠心分離して上澄みを除去し、クロロホルムを用いて置換した。遠心分離した固体をクロロホルム（２０ｍＬ）に一晩浸漬し、再び遠心分離をする操作を３回繰り返した。その後、遠心分離した固体を１５０℃にて５時間真空乾燥することで金属有機構造体Ａを（白色粉末、１４２．９ｍｇ）得た。
【0072】
［比較例２］
２，５－ジメチルテレフタル酸０．４９２ｇ、硝酸亜鉛六水和物１．４９ｇに、ＤＭＦ（５０ｍＬ）を加え、オーブンにて（反応条件：１２０℃、２４時間）加熱した。室温に戻し、上澄みを除去した。ＤＭＦ（５０ｍＬ）を加え、上澄みを除去し、クロロホルムへと溶媒を交換した。クロロホルム（５０ｍＬ）を加え、終夜浸漬させた。固体を吸引ろ過し、得られた固体を１５０℃で真空乾燥を５時間行い、金属有機構造体Ｂ（０．７０９ｇ）を得た。
２，５－ジメチルテレフタル酸０．４９２ｇ、硝酸亜鉛六水和物１．４９ｇに、ＤＭＦ（５０ｍＬ）を加え、オーブンにて（反応条件：１２０℃、２４時間）加熱した。室温に戻し、上澄みを除去した。ＤＭＦ（５０ｍＬ）を加え、上澄みを除去し、クロロホルムへと溶媒を交換した。クロロホルム（５０ｍＬ）を加え、終夜浸漬させた。固体を吸引ろ過し、得られた固体を１５０℃で真空乾燥を５時間行い、金属有機構造体Ｂ（０．７０９ｇ）を得た。
【0073】
［製造例１－１］
有機配位子４（０．７５ｍｍｏｌ）と、硝酸亜鉛六水和物（０．７５ｍｍｏｌ）と、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（０．４０ｍｍｏｌ）と、ＤＭＦ（１５ｍＬ）を室温下、超音波をあてながら１５分間撹拌した。その後、遠心分離、ろか処理をしたろ液をオートクレーブに入れ、オーブンにて（反応条件：１２０℃、４８時間）加熱した。室温に戻し、上澄みを捨てた後、結晶をＤＭＦで洗った。その後、結晶をＤＭＦに一晩浸漬した。その後、上澄みを除き、クロロホルムに置換した後、一日浸漬した。遠心分離した後、上澄みを除去する工程を３回繰り返した。遠心分離、上澄みを除去することで得られた固体を１５０℃で真空乾燥することで目的物である金属有機構造体１－１を得た。
有機配位子４（０．７５ｍｍｏｌ）と、硝酸亜鉛六水和物（０．７５ｍｍｏｌ）と、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（０．４０ｍｍｏｌ）と、ＤＭＦ（１５ｍＬ）を室温下、超音波をあてながら１５分間撹拌した。その後、遠心分離、ろか処理をしたろ液をオートクレーブに入れ、オーブンにて（反応条件：１２０℃、４８時間）加熱した。室温に戻し、上澄みを捨てた後、結晶をＤＭＦで洗った。その後、結晶をＤＭＦに一晩浸漬した。その後、上澄みを除き、クロロホルムに置換した後、一日浸漬した。遠心分離した後、上澄みを除去する工程を３回繰り返した。遠心分離、上澄みを除去することで得られた固体を１５０℃で真空乾燥することで目的物である金属有機構造体１－１を得た。
【0074】
［製造例１－２］
有機配位子４の代わりに有機配位子２を使用したこと以外は、製造例１－１と同様の操作を行い、金属有機構造体１－２（白色固体）を得た。
有機配位子４の代わりに有機配位子２を使用したこと以外は、製造例１－１と同様の操作を行い、金属有機構造体１－２（白色固体）を得た。
【0075】
［製造例１－３］
有機配位子４の代わりに有機配位子７を使用したこと以外は、製造例１－１と同様の操作を行い、金属有機構造体１－３（白色固体）を得た。
有機配位子４の代わりに有機配位子７を使用したこと以外は、製造例１－１と同様の操作を行い、金属有機構造体１－３（白色固体）を得た。
【0076】
［製造例１－４］
有機配位子４の代わりに有機配位子１３を使用したこと以外は、製造例１－１と同様の操作を行い、金属有機構造体１－４（無色結晶）を得た。
有機配位子４の代わりに有機配位子１３を使用したこと以外は、製造例１－１と同様の操作を行い、金属有機構造体１－４（無色結晶）を得た。
【0077】
［製造例２－１］
有機配位子４（０．４８５ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（７ｍＬ）に溶解させた。そこへ、酢酸亜鉛二水和物（１．２９ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（９ｍＬ）溶液を滴下した。室温にて２．５時間攪拌し、得られた固体を遠心分離にて分離した。上澄みを除去し、固体をＤＭＦ（２０ｍＬ）に一晩浸漬した。その後遠心分離して上澄みを除去し、クロロホルムを用いて置換した。遠心分離した固体をクロロホルム（２０ｍＬ）に一晩浸漬し、再び遠心分離をする洗浄操作を３回繰り返した。その後、遠心分離した固体を１５０℃にて５時間真空乾燥することで金属有機構造体２－１を得た。
有機配位子４（０．４８５ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（７ｍＬ）に溶解させた。そこへ、酢酸亜鉛二水和物（１．２９ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（９ｍＬ）溶液を滴下した。室温にて２．５時間攪拌し、得られた固体を遠心分離にて分離した。上澄みを除去し、固体をＤＭＦ（２０ｍＬ）に一晩浸漬した。その後遠心分離して上澄みを除去し、クロロホルムを用いて置換した。遠心分離した固体をクロロホルム（２０ｍＬ）に一晩浸漬し、再び遠心分離をする洗浄操作を３回繰り返した。その後、遠心分離した固体を１５０℃にて５時間真空乾燥することで金属有機構造体２－１を得た。
【0078】
［製造例２－２］
有機配位子４の代わりに有機配位子７を使用したこと以外は、製造例２－１と同様の操作を行い、金属有機構造体２－２（白色粉末）を得た。
有機配位子４の代わりに有機配位子７を使用したこと以外は、製造例２－１と同様の操作を行い、金属有機構造体２－２（白色粉末）を得た。
【0079】
［製造例２－３］
有機配位子４の代わりに有機配位子２を使用したこと以外は、製造例２－１と同様の操作を行い、金属有機構造体２－３（白色粉末）を得た。
有機配位子４の代わりに有機配位子２を使用したこと以外は、製造例２－１と同様の操作を行い、金属有機構造体２－３（白色粉末）を得た。
【0080】
［製造例２－４］
有機配位子４の代わりに有機配位子１を使用したこと以外は、製造例２－１と同様の操作を行い、金属有機構造体２－４（薄紫粉末）を得た。
有機配位子４の代わりに有機配位子１を使用したこと以外は、製造例２－１と同様の操作を行い、金属有機構造体２－４（薄紫粉末）を得た。
【0081】
［製造例２－５］
有機配位子４の代わりに有機配位子１３を使用した以外は、製造例２－１と同様に操作して、金属有機構造体２－５（無色粉末）を得た。
有機配位子４の代わりに有機配位子１３を使用した以外は、製造例２－１と同様に操作して、金属有機構造体２－５（無色粉末）を得た。
【0082】
［製造例２－６］
有機配位子４の代わりに有機配位子１２を使用した以外は、製造例２－１と同様に操作して、金属有機構造体２－６（無色粉末）を得た。
有機配位子４の代わりに有機配位子１２を使用した以外は、製造例２－１と同様に操作して、金属有機構造体２－６（無色粉末）を得た。
【0083】
［製造例３－１］
有機配位子７（１．０ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（１３ｍＬ）に溶解させ、トリエチルアミン（０．２８ｍＬ）を添加した。そこへ、酢酸亜鉛二水和物（２．５ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（１７ｍＬ）溶液を滴下した。室温にて２．５時間攪拌し、得られた固体を遠心分離にて分離した。上澄みを除去し、固体をＤＭＦ（２０ｍＬ）に一晩浸漬した。その後遠心分離して上澄みを除去し、クロロホルムを用いて置換した。遠心分離した固体をクロロホルム（２０ｍＬ）に一晩浸漬し、再び遠心分離をする洗浄操作を３回繰り返した。その後、遠心分離した固体を１５０℃にて５時間真空乾燥することで金属有機構造体３－１（白色粉末）を得た。
有機配位子７（１．０ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（１３ｍＬ）に溶解させ、トリエチルアミン（０．２８ｍＬ）を添加した。そこへ、酢酸亜鉛二水和物（２．５ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（１７ｍＬ）溶液を滴下した。室温にて２．５時間攪拌し、得られた固体を遠心分離にて分離した。上澄みを除去し、固体をＤＭＦ（２０ｍＬ）に一晩浸漬した。その後遠心分離して上澄みを除去し、クロロホルムを用いて置換した。遠心分離した固体をクロロホルム（２０ｍＬ）に一晩浸漬し、再び遠心分離をする洗浄操作を３回繰り返した。その後、遠心分離した固体を１５０℃にて５時間真空乾燥することで金属有機構造体３－１（白色粉末）を得た。
【0084】
［製造例３－２］
有機配位子７の代わりに有機配位子２を使用したこと以外は、製造例３－１と同様の操作を行い、金属有機構造体３－２（白色粉末）を得た。
有機配位子７の代わりに有機配位子２を使用したこと以外は、製造例３－１と同様の操作を行い、金属有機構造体３－２（白色粉末）を得た。
【0085】
［製造例３－３］
有機配位子７の代わりに有機配位子１を使用したこと以外は、製造例３－１と同様の操作を行い、金属有機構造体３－３（薄紫粉末）を得た。
有機配位子７の代わりに有機配位子１を使用したこと以外は、製造例３－１と同様の操作を行い、金属有機構造体３－３（薄紫粉末）を得た。
【0086】
［製造例３－４］
有機配位子７の代わりに有機配位子１３を使用したこと以外は、製造例３－１と同様に操作して、金属有機構造体３－４（無色粉末）を得た。
有機配位子７の代わりに有機配位子１３を使用したこと以外は、製造例３－１と同様に操作して、金属有機構造体３－４（無色粉末）を得た。
【0087】
［製造例４－１］
有機配位子７（１．２ｍｍｏｌ）、硝酸亜鉛六水和物（１．６ｍｍｏｌ）にＤＭＦ（４０ｍＬ）を加え、５分間攪拌した。そこへトリエチルアミン（１４．４ｍｍｏｌ）を滴下し、室温にて１５分間攪拌した。２０分静置させたのちに遠心分離を１０分間行い、上澄みを除去した。残渣にＤＭＦ（１０ｍＬ）を加え、再び遠心分離を１０分間行い、上澄みを除去した。ＤＭＦに終夜浸漬した後に、遠心分離を１０分間行い、上澄みを除去後、クロロホルム（１０ｍＬ）を加えた。遠心分離した固体をクロロホルム（２０ｍＬ）に一晩浸漬し、再び遠心分離をする洗浄操作を３回繰り返した。その後、遠心分離した固体を１５０℃にて５時間真空乾燥することで金属有機構造体４－１を得た。
有機配位子７（１．２ｍｍｏｌ）、硝酸亜鉛六水和物（１．６ｍｍｏｌ）にＤＭＦ（４０ｍＬ）を加え、５分間攪拌した。そこへトリエチルアミン（１４．４ｍｍｏｌ）を滴下し、室温にて１５分間攪拌した。２０分静置させたのちに遠心分離を１０分間行い、上澄みを除去した。残渣にＤＭＦ（１０ｍＬ）を加え、再び遠心分離を１０分間行い、上澄みを除去した。ＤＭＦに終夜浸漬した後に、遠心分離を１０分間行い、上澄みを除去後、クロロホルム（１０ｍＬ）を加えた。遠心分離した固体をクロロホルム（２０ｍＬ）に一晩浸漬し、再び遠心分離をする洗浄操作を３回繰り返した。その後、遠心分離した固体を１５０℃にて５時間真空乾燥することで金属有機構造体４－１を得た。
【0088】
［製造例４－２］～［製造例４－９］
有機配位子７の代わりに表２に示す有機配位子を使用する以外は、製造例４－１と同様の操作を行い、金属有機構造体４－２～４－９を得た。
有機配位子７の代わりに表２に示す有機配位子を使用する以外は、製造例４－１と同様の操作を行い、金属有機構造体４－２～４－９を得た。
【0089】
【表2】
【0090】
［製造例５－１］
有機配位子７（０．１ｍｍｏｌ）、硝酸亜鉛六水和物（０．３ｍｍｏｌ）にＤＭＦ（２０ｍＬ）を加え、オーブン（反応条件：１２０℃、２４時間）にて加熱した。室温に戻し、遠心分離した後に上澄みを除去した。ＤＭＦ（１０ｍＬ）を加え、遠心分離したのちに溶媒を除去し、クロロホルムへと溶媒を交換した。クロロホルムを（１０ｍＬ）加え、終夜浸漬させた。クロロホルムを遠心分離により除去後、１５０℃で真空乾燥を５時間行い、金属有機構造体５－１を得た。
有機配位子７（０．１ｍｍｏｌ）、硝酸亜鉛六水和物（０．３ｍｍｏｌ）にＤＭＦ（２０ｍＬ）を加え、オーブン（反応条件：１２０℃、２４時間）にて加熱した。室温に戻し、遠心分離した後に上澄みを除去した。ＤＭＦ（１０ｍＬ）を加え、遠心分離したのちに溶媒を除去し、クロロホルムへと溶媒を交換した。クロロホルムを（１０ｍＬ）加え、終夜浸漬させた。クロロホルムを遠心分離により除去後、１５０℃で真空乾燥を５時間行い、金属有機構造体５－１を得た。
【0091】
［製造例５－２］～［製造例５－１５］
下記表３に示す有機配位子及び溶媒を用い、表３に示す反応条件で反応を行う以外は、製造例５－１と同様の操作を行い、金属有機構造体５－２～５－１５を得た。その結果を表３に示す。
下記表３に示す有機配位子及び溶媒を用い、表３に示す反応条件で反応を行う以外は、製造例５－１と同様の操作を行い、金属有機構造体５－２～５－１５を得た。その結果を表３に示す。
【0092】
【表3】
【0093】
［製造例６－１］
有機配位子１（２５０ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、硝酸アルミニウム九水和物（７５０ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ）、水（３ｍＬ）をオートクレーブに入れ、２００℃で１２時間加熱した。室温に戻し、遠心分離したのちに上澄みを除去した。ＤＭＦ（１０ｍＬ）を加え、遠心分離し、上澄み除去する操作を二回繰り返した。その後、水（１０ｍＬ）を加え、同様に遠心分離、上澄み除去する操作を二回繰り返した。１５０℃で真空乾燥を５時間行い、金属有機構造体６－１（茶色粉末、３０１ｍｇ）を得た。
有機配位子１（２５０ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、硝酸アルミニウム九水和物（７５０ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ）、水（３ｍＬ）をオートクレーブに入れ、２００℃で１２時間加熱した。室温に戻し、遠心分離したのちに上澄みを除去した。ＤＭＦ（１０ｍＬ）を加え、遠心分離し、上澄み除去する操作を二回繰り返した。その後、水（１０ｍＬ）を加え、同様に遠心分離、上澄み除去する操作を二回繰り返した。１５０℃で真空乾燥を５時間行い、金属有機構造体６－１（茶色粉末、３０１ｍｇ）を得た。
【0094】
［製造例７－１］
有機配位子１（６２．６ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）をエタノール（１５ｍＬ）に溶かしたものを硝酸銅２．５水和物（１１６ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）水溶液（１５ｍＬ）とともにオートクレーブに入れ、１４０℃で２４時間加熱した。室温に戻し、遠心分離したのちに上澄みを除去した。水（１０ｍＬ）を加え、遠心分離し、上澄み除去する操作を三回繰り返した。その後、エタノール（１０ｍＬ）を加え、同様に遠心分離、上澄み除去する操作を三回繰り返した。１５０℃で真空乾燥を５時間行い、金属有機構造体７－１（青色粉末、４７ｍｇ）を得た。
有機配位子１（６２．６ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）をエタノール（１５ｍＬ）に溶かしたものを硝酸銅２．５水和物（１１６ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）水溶液（１５ｍＬ）とともにオートクレーブに入れ、１４０℃で２４時間加熱した。室温に戻し、遠心分離したのちに上澄みを除去した。水（１０ｍＬ）を加え、遠心分離し、上澄み除去する操作を三回繰り返した。その後、エタノール（１０ｍＬ）を加え、同様に遠心分離、上澄み除去する操作を三回繰り返した。１５０℃で真空乾燥を５時間行い、金属有機構造体７－１（青色粉末、４７ｍｇ）を得た。
【0095】
［製造例８－１］
有機配位子４（６３．９ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、硝酸亜鉛六水和物（５９．８ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、４，４‘－ビピリジン（３１．７ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）にＤＭＦ（２０ｍＬ），エタノール（１０ｍＬ）を加え室温で１５分間攪拌した。懸濁液をセライトろ過し、得られた溶液をオートクレーブに入れ、８５℃で４８時間加熱した。室温に戻し、ＤＭＦを加え、終夜浸漬した後、上澄みを除き、クロロホルムに置換し、クロロホルム（１０ｍＬ）を加え一日浸漬した。遠心分離し、溶媒を除去、再度クロロホルムを加え一晩浸漬し、遠心分離後に上澄みを除去する工程を３回繰り返した。遠心分離、上澄みを除去することで得られた固体を１５０℃で真空乾燥することで目的物である金属有機構造体８－１（５１．５ｍｇ）を得た。
有機配位子４（６３．９ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、硝酸亜鉛六水和物（５９．８ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、４，４‘－ビピリジン（３１．７ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）にＤＭＦ（２０ｍＬ），エタノール（１０ｍＬ）を加え室温で１５分間攪拌した。懸濁液をセライトろ過し、得られた溶液をオートクレーブに入れ、８５℃で４８時間加熱した。室温に戻し、ＤＭＦを加え、終夜浸漬した後、上澄みを除き、クロロホルムに置換し、クロロホルム（１０ｍＬ）を加え一日浸漬した。遠心分離し、溶媒を除去、再度クロロホルムを加え一晩浸漬し、遠心分離後に上澄みを除去する工程を３回繰り返した。遠心分離、上澄みを除去することで得られた固体を１５０℃で真空乾燥することで目的物である金属有機構造体８－１（５１．５ｍｇ）を得た。
【0096】
［製造例９－１］
有機配位子１（６３．２ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、塩化酸化ジルコニウム八水和物（８３．６ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）にＤＭＦ（１０ｍＬ）、ギ酸（１．８ｍＬ）を加え１２０℃で２４時間加熱した。室温に戻し、ＤＭＦを加え、終夜浸漬した後、上澄みを除き、クロロホルムに置換し、クロロホルム（１０ｍＬ）を加え一日浸漬した。遠心分離し、溶媒を除去、再度クロロホルムを加え一晩浸漬し、遠心分離後に上澄みを除去する工程を３回繰り返した。遠心分離、上澄みを除去することで得られた固体を１５０℃で真空乾燥することで目的物である金属有機構造体９－１（４７．１ｍｇ）を得た。
有機配位子１（６３．２ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、塩化酸化ジルコニウム八水和物（８３．６ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）にＤＭＦ（１０ｍＬ）、ギ酸（１．８ｍＬ）を加え１２０℃で２４時間加熱した。室温に戻し、ＤＭＦを加え、終夜浸漬した後、上澄みを除き、クロロホルムに置換し、クロロホルム（１０ｍＬ）を加え一日浸漬した。遠心分離し、溶媒を除去、再度クロロホルムを加え一晩浸漬し、遠心分離後に上澄みを除去する工程を３回繰り返した。遠心分離、上澄みを除去することで得られた固体を１５０℃で真空乾燥することで目的物である金属有機構造体９－１（４７．１ｍｇ）を得た。
【0097】
［製造例１０－１］
有機配位子１３を０．１０２ｇ、硝酸ニッケル六水和物０．２３３ｇに、ＴＨＦ９ｍＬ、水１ｍＬを加え、オーブンにて（反応条件：１００℃、２４時間）加熱した。室温に戻し、遠心分離後、デカンテーションして固体を得た。その固体にＤＭＦを加え、遠心分離し、デカンテーションする操作を３回繰り返し、終夜浸漬させた。上澄みを除去し、その固体にクロロホルムを加え、遠心分離、デカンテーションする操作を３回繰り返し、クロロホルムへと溶媒を交換し、終夜浸漬させた。固体をデカンテーションして得られた固体を１５０℃で真空乾燥を５時間行い、０．０４７ｇの金属有機構造体１０－１を得た。
有機配位子１３を０．１０２ｇ、硝酸ニッケル六水和物０．２３３ｇに、ＴＨＦ９ｍＬ、水１ｍＬを加え、オーブンにて（反応条件：１００℃、２４時間）加熱した。室温に戻し、遠心分離後、デカンテーションして固体を得た。その固体にＤＭＦを加え、遠心分離し、デカンテーションする操作を３回繰り返し、終夜浸漬させた。上澄みを除去し、その固体にクロロホルムを加え、遠心分離、デカンテーションする操作を３回繰り返し、クロロホルムへと溶媒を交換し、終夜浸漬させた。固体をデカンテーションして得られた固体を１５０℃で真空乾燥を５時間行い、０．０４７ｇの金属有機構造体１０－１を得た。
【0098】
［製造例１０－２］～［製造例１０－５］
下記表４に示す有機配位子を用い、表４に示す反応条件以外は、製造例１０－１と同様に行い、金属有機構造体１０－２～１０－５を得た。その結果を表４に示す。
下記表４に示す有機配位子を用い、表４に示す反応条件以外は、製造例１０－１と同様に行い、金属有機構造体１０－２～１０－５を得た。その結果を表４に示す。
【0099】
【表4】
【0100】
［製造例１１－１］
有機配位子１３を０．０７７ｇと、塩化ジルコニウム０．０７１ｇと、水０．０６５ｇと、酢酸０．５４１ｇと、ＤＭＦ４ｍＬを室温下、超音波をあてながら５分間撹拌した。その後、オーブンにて（反応条件：１２０℃、２４時間）加熱した。室温に戻し、遠心分離後、デカンテーションして固体を得た。その固体にＤＭＦを加え、遠心分離し、デカンテーションする操作を３回繰り返した。上澄みを除去し、ＤＭＦを加え、終夜浸漬させた。遠心分離後、デカンテーションし、得られた固体にアセトンを加え、遠心分離し、デカンテーションする操作を３回繰り返した。上澄みを除去し、アセトンを加え、終夜浸漬させた。遠心分離、デカンテーションし、得られた固体を１５０℃で真空乾燥を５時間行い、０．０５３ｇの金属有機構造体１１－１を得た。
有機配位子１３を０．０７７ｇと、塩化ジルコニウム０．０７１ｇと、水０．０６５ｇと、酢酸０．５４１ｇと、ＤＭＦ４ｍＬを室温下、超音波をあてながら５分間撹拌した。その後、オーブンにて（反応条件：１２０℃、２４時間）加熱した。室温に戻し、遠心分離後、デカンテーションして固体を得た。その固体にＤＭＦを加え、遠心分離し、デカンテーションする操作を３回繰り返した。上澄みを除去し、ＤＭＦを加え、終夜浸漬させた。遠心分離後、デカンテーションし、得られた固体にアセトンを加え、遠心分離し、デカンテーションする操作を３回繰り返した。上澄みを除去し、アセトンを加え、終夜浸漬させた。遠心分離、デカンテーションし、得られた固体を１５０℃で真空乾燥を５時間行い、０．０５３ｇの金属有機構造体１１－１を得た。
【0101】
［製造例１１－２］～［製造例１１－５］
下記表５に示す有機配位子用いる以外は、実施例１１－１と同様に行い、金属有機構造体１１－２～１１－５を得た。その結果を表５に示す。
下記表５に示す有機配位子用いる以外は、実施例１１－１と同様に行い、金属有機構造体１１－２～１１－５を得た。その結果を表５に示す。
【0102】
【表5】
【0103】
［製造例１２－１］
有機配位子１３を０．０５１０ｇと、硝酸銅３水和物０．０４８９ｇと、ＤＭＦ４ｍＬを加え、攪拌後、ろ過した。その後、オーブンにて（反応条件：１２０℃、２４時間）加熱した。室温に戻し、遠心分離後、デカンテーションして固体を得た。その固体にＤＭＦを加え、遠心分離し、デカンテーションする操作を３回繰り返した。上澄みを除去し、クロロホルムへと溶媒を交換した。クロロホルムを加え、洗浄、加圧ろ過する操作を３回繰り返し、クロロホルムを加えて終夜浸漬させた。固体を加圧ろ過し、得られた固体を１５０℃で真空乾燥を５時間行い、０．０４８８ｇの金属有機構造体１２－１を得た。
有機配位子１３を０．０５１０ｇと、硝酸銅３水和物０．０４８９ｇと、ＤＭＦ４ｍＬを加え、攪拌後、ろ過した。その後、オーブンにて（反応条件：１２０℃、２４時間）加熱した。室温に戻し、遠心分離後、デカンテーションして固体を得た。その固体にＤＭＦを加え、遠心分離し、デカンテーションする操作を３回繰り返した。上澄みを除去し、クロロホルムへと溶媒を交換した。クロロホルムを加え、洗浄、加圧ろ過する操作を３回繰り返し、クロロホルムを加えて終夜浸漬させた。固体を加圧ろ過し、得られた固体を１５０℃で真空乾燥を５時間行い、０．０４８８ｇの金属有機構造体１２－１を得た。
【0104】
［製造例１２－２］～［製造例１２－１０］
下記表６に示す有機配位子用い、表６に示す反応条件を用いる以外は、実施例１２－１と同様に行い、金属有機構造体１２－２～１２－１０を得た。その結果を表６に示す。
下記表６に示す有機配位子用い、表６に示す反応条件を用いる以外は、実施例１２－１と同様に行い、金属有機構造体１２－２～１２－１０を得た。その結果を表６に示す。
【0105】
【表6】
【0106】
［実施例１］
（ＢＥＴ比表面積測定及び水素貯蔵量測定）
得られた金属有機構造体の一部について、ＢＥＴ比表面積及び７７Ｋ－大気圧における水素貯蔵量を測定した。
ＢＥＴ比表面積及び７７Ｋ－大気圧における水素貯蔵量の測定は、ガス吸着量測定装置Ｔｒｉｓｔａｒ－ＩＩ（Ｍｉｃｒｏｍｅｒｉｔｉｃｓ社製）を用いて行った。
（ＢＥＴ比表面積測定及び水素貯蔵量測定）
得られた金属有機構造体の一部について、ＢＥＴ比表面積及び７７Ｋ－大気圧における水素貯蔵量を測定した。
ＢＥＴ比表面積及び７７Ｋ－大気圧における水素貯蔵量の測定は、ガス吸着量測定装置Ｔｒｉｓｔａｒ－ＩＩ（Ｍｉｃｒｏｍｅｒｉｔｉｃｓ社製）を用いて行った。
【0107】
ＢＥＴ比表面積は次の方法で算出した。金属有機構造体の５０ｍｇ程度を、ガラスセルの内部に入れた。ガラスセルの内部は１３５℃の温度で真空まで減圧し、６時間乾燥させた。ガラスセルをガス吸着量測定装置に装着し、液体窒素入りの恒温槽に浸漬した。ガラスセルに含有される窒素の圧力を徐々に増加させた。ガラスセルの内部に導入された窒素の圧力が１．０×１０５Ｐａとなるまで測定を行った。
７７Ｋ常圧での水素貯蔵量は次の方法で算出した。窒素の測定後、水素へとガス種を変更し測定を行った。ガラスセルに含有される水素の圧力を徐々に増加させた。ガラスセルの内部に導入された水素の圧力が１．０×１０５Ｐａとなるまで測定を行った。
測定したＢＥＴ比表面積の結果を表７に示した。
測定した７７Ｋ－大気圧における水素貯蔵量を表８に示した。
７７Ｋ常圧での水素貯蔵量は次の方法で算出した。窒素の測定後、水素へとガス種を変更し測定を行った。ガラスセルに含有される水素の圧力を徐々に増加させた。ガラスセルの内部に導入された水素の圧力が１．０×１０５Ｐａとなるまで測定を行った。
測定したＢＥＴ比表面積の結果を表７に示した。
測定した７７Ｋ－大気圧における水素貯蔵量を表８に示した。
【0108】
【表7】
【0109】
【表8】
【産業上の利用可能性】
【0110】
本発明の水素貯蔵材料は、水素を実用的な水準で貯蔵できる。その結果、水素社会到来に向けて水素の利用がより容易になる。