特許7572735IP Force 特許公報全文掲載

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

本明細書に組み入れられて、その一部を構成する添付の図面は、本開示のいくつかの局面を図示し、かつ説明と共に本開示の本質を説明する役割を果たす。
【図1】 本開示の１つ又は複数の実施形態による例示的なデュオプラズマトロンイオン源の断面図である。
【図2】 図１のデュオプラズマトロンイオン源のＺ中間電極（Ｚ電極）の概略図であり、Ｚ電極によりもたらされる磁気収束機能を図示している。
【図3A】 図１で示したようなデュオプラズマトロンイオン源のための、部分的強磁性アノード挿入体の側方断面図である。
【図3B】 図３Ａの部分的強磁性アノード挿入体の底面図である。
【図4】 図３Ａから図３Ｂによる部分的強磁性アノード挿入体を備えるアノードに近接した配置されたＺ電極の断面概略図であって、磁場線が非強磁性材料を通って、イオン抽出開口の下流領域に侵入している図を含む。
【図5】 図１のデュオプラズマトロンイオン源を用いた、イオン顕微鏡での負の酸素（Ｏ－）イオンの一次ビームの径の測定を、グラフ表示（距離に対するＡｌ＋のカウント数をマイクロメートルで表示）したものである。
【図6A】 試験試料及び図１のデュオプラズマトロンイオン源を用いて得られた第１のイオンマイクロプローブ画像である。
【図6B】 図６Ａの画像を色反転させたものである。
【図6C】 試験試料及び図１のデュオプラズマトロンイオン源を用いて得られた第２のイオンマイクロプローブ画像である。
【図6D】 図６Ｃの画像を色反転させたものである。
【図7】 正のアルミニウム（Ａｌ＋）イオンの画像の強度を、図６Ａの試験試料の画像の尖端にわたってラインスキャンしたものをグラフ表示したものである。
【図8】 一実施形態による、デュオプラズマトロンイオン源のための部分的強磁性アノードを製造するための方法を示したフロー図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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