特許 7573138 ボンディングワイヤ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-16

(45)【発行日】2024-10-24

(54)【発明の名称】ボンディングワイヤ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20241017BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 301F

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2024523409

(86)(22)【出願日】2024-01-29

(86)【国際出願番号】 JP2024002559

【審査請求日】2024-04-18

(31)【優先権主張番号】P 2023013193

(32)【優先日】2023-01-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000108742

【氏名又は名称】タツタ電線株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003395

【氏名又は名称】弁理士法人蔦田特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】棚橋 央

(72)【発明者】

【氏名】滝川 圭美

(72)【発明者】

【氏名】長谷川 剛

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２１／０６５０３６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００１－１７６９１２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６０－Ｈ０１Ｌ ２１／６０７

Ｃ２２Ｃ ５／００－Ｃ２２Ｃ ３０／０６

Ｃ２２Ｃ ３５／００－Ｃ２２Ｃ ４５／１０

Ｃ２２Ｆ １／００－Ｃ２２Ｃ ３／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

Ａｇを主成分として含む芯材と、前記芯材の表面に設けられＡｕを主成分として含む被覆層と、を有するボンディングワイヤにおいて、
前記芯材は、Ａｕ、Ｐｄ及びＩｎからなる群から選択された１種又は２種以上を含有し、
前記芯材の直径に対する前記被覆層の膜厚の比率が０．００１４以上０．００４８以下、
前記被覆層の固有抵抗に対する前記芯材の固有抵抗の比率が８５％以上１１５％以下であり、
前記芯材はＡｕ及びＰｄを含有し、ＰｄよりＡｕの含有量が多い、ボンディングワイヤ。

【請求項2】

Ａｇを主成分として含む芯材と、前記芯材の表面に設けられＡｕを主成分として含む被覆層と、を有するボンディングワイヤにおいて、
前記芯材は、Ａｕ、Ｐｄ及びＩｎからなる群から選択された１種又は２種以上を含有し、
前記芯材の直径に対する前記被覆層の膜厚の比率が０．００１４以上０．００４８以下、
前記被覆層の固有抵抗に対する前記芯材の固有抵抗の比率が８５％以上１１５％以下であり、
前記芯材はＢｉを１質量ｐｐｍ以上５０質量ｐｐｍ以下含有する、ボンディングワイヤ。

【請求項3】

前記芯材はＡｕ及びＰｄの少なくとも一方を含有する、請求項２に記載のボンディングワイヤ。

【請求項4】

前記芯材はＡｕ及びＰｄを含有し、ＰｄよりＡｕの含有量が多い、請求項３に記載のボンディングワイヤ。

【請求項5】

前記芯材はＩｎを０．１質量％以上１．０質量％以下含有する、請求項１～４のいずれか１項に記載のボンディングワイヤ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、Ａｇ（銀）を主成分とするボンディングワイヤの表面を、Ａｕ（金）を主成分とする被覆層で被覆したボンディングワイヤに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体素子上の電極と基板の電極との結線等に用いられるボンディングワイヤは、一般に非常に細いため、導電性が良好で加工性に優れた金属材料により製造されている。特に、化学的な安定性や大気中での取り扱いやすさから、従来からＡｕを主成分とするボンディングワイヤが広く用いられている。

【0003】

しかし、Ａｕを主成分とするボンディングワイヤは質量の９９％以上がＡｕであり非常に高価である。そこで、Ａｕに換えてＡｇを主成分とするボンディングワイヤが提案されている（例えば、下記特許文献１～２）。

【0004】

ＡｇはＡｕと比べ安価ではあるが、Ａｇを主成分とするボンディングワイヤは、Ａｕを主成分とするボンディングワイヤに比べて、ワイヤ表面が硫化して電極に対する接合不良が発生しやすい。Ａｇの硫化による接合不良を抑えるため、Ａｇを主成分とする芯材の表面を、Ａｕを主成分とする被覆層で被覆したボンディングワイヤが提案されている（例えば、下記特許文献３～５）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特許第5616165号

【文献】特許第5529992号

【文献】特表2016-517623号

【文献】国際公開WO2013/129253

【文献】国際公開WO2021/205674

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

Ａｇを主成分とする芯材の表面にＡｕを主成分とする被覆層を設けると、電極に対してボールボンディングする際に真球度の高い良好な形状のフリーエアボール（以下、ＦＡＢと略記する）を安定的に形成するのが難しかったり、ＦＡＢを電極に接触させ潰した時に形成される１ｓｔ接合部の形状を良好な円形とすることが難しい。

【0007】

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、Ａｇを主成分とする芯材の表面にＡｕを主成分とする被覆層を設けたボンディングワイヤにおいて、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができるとともに、１ｓｔ接合部の形状を良好な円形とすることができるボンディングワイヤを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題を解決するため、本発明のボンディングワイヤは、Ａｇを主成分として含む芯材と、前記芯材の表面に設けられＡｕを主成分として含む被覆層と、を有するボンディングワイヤにおいて、前記芯材は、Ａｕ、Ｐｄ（パラジウム）、及びＩｎ（インジウム）から選択された１種又は２種以上を含有し、前記芯材の直径に対する前記被覆層の膜厚の比率が０．００１４以上０．００４８以下、前記被覆層の固有抵抗に対する前記芯材の固有抵抗の比率が８５％以上１１５％以下であるものであり、前記芯材はＡｕ及びＰｄを含有し、ＰｄよりＡｕの含有量が多いものである。
本発明の他のボンディングワイヤは、Ａｇを主成分として含む芯材と、前記芯材の表面に設けられＡｕを主成分として含む被覆層と、を有するボンディングワイヤにおいて、
前記芯材は、Ａｕ、Ｐｄ及びＩｎからなる群から選択された１種又は２種以上を含有し、前記芯材の直径に対する前記被覆層の膜厚の比率が０．００１４以上０．００４８以下、前記被覆層の固有抵抗に対する前記芯材の固有抵抗の比率が８５％以上１１５％以下であり、前記芯材はＢｉを１質量ｐｐｍ以上５０質量ｐｐｍ以下含有するものである。

【0009】

本発明の他のボンディングワイヤにおいて、芯材はＡｕ及びＰｄの少なくとも一方を含有してもよい。

【0010】

本発明の他のボンディングワイヤにおいて、芯材はＡｕ及びＰｄを含有し、ＰｄよりＡｕの含有量が多くてもよい。

【0012】

本発明に係るボンディングワイヤにおいて、芯材はＩｎを０．１質量％以上１．０質量％以下含有してもよい。

【発明の効果】

【0013】

本発明のボンディングワイヤでは、Ａｇを主成分とする芯材の表面にＡｕを主成分とする被覆層を設けたボンディングワイヤにおいて、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができるとともに、１ｓｔ接合部の形状を良好な円形とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の一実施形態に係るボンディングワイヤの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

（１）ボンディングワイヤＷの構成
以下、本発明の一実施形態に係るボンディングワイヤＷについて図面を参照して説明する。

【0016】

本実施形態のボンディングワイヤＷは、半導体装置（パワーＩＣ、ＬＳＩ、トランジスタ、ＢＧＡ（BallGrid Array package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non lead package）、ＬＥＤ（発光ダイオード）等）における半導体素子上の電極（例えば、Ａｌ合金電極、ニッケル・パラジウム・金被覆電極、Ａｕ被覆電極等）と、回路配線基板（リードフレーム、セラミック基板、プリント基板等）２の導体配線（電極）とをボールボンディング法によって接続するためのボンディングワイヤである。なお、本実施形態のボンディングワイヤＷは、半導体装置以外にも種々の態様のボンディングワイヤとして使用することができる。

【0017】

本実施形態に係るボンディングワイヤＷは、図１に示すように、Ａｇを主成分とする芯材１０と、Ａｕを主成分とする被覆層１２とを備え、露出部がないように芯材１０の外周面全体を被覆層１２が被覆している。

【0018】

具体的には、芯材１０は、Ａｇを９０質量％以上、好ましくは９５質量％以上含有している。芯材１０を構成するＡｇは、精製上不可避的に存在するＦｅ（鉄）等の不純物を含有してもよく、純度９９．９質量％以上のＡｇを用いてボンディングワイヤＷを構成するＡｇ合金を製作することが好ましい。

【0019】

芯材１０は、Ａｇ以外にＡｕ、Ｐｄ及びＩｎからなる群から選択された１種又は２種以上を含有し、芯材１０の固有抵抗ρ１が調整されている。つまり、被覆層１２の固有抵抗ρ２に対する芯材１０の固有抵抗ρ１の比率β（＝ρ１／ρ２）が８５％以上１１５％以下となるように、好ましくは９０％以上１１０％以下となるように、芯材１０におけるＡｕ、Ｐｄ及びＩｎの含有量が調整されている。

【0020】

芯材１０及び被覆層１２の固有抵抗の一例を挙げると、芯材１０の固有抵抗を１．９５μΩ・ｃｍ以上３．２６μΩ・ｃｍ以下、被覆層１２の固有抵抗を２．３０μΩ・ｃｍ以上２．８３μΩ・ｃｍ以下とすることができる。

【0021】

被覆層１２の固有抵抗が２．３μΩ・ｃｍの場合に、芯材１０がＡｕ、Ｐｄ及びＩｎからなる群から１種のみを含有して、被覆層１２の固有抵抗ρ２に対する芯材１０の固有抵抗ρ１の比率βを８５％以上１１５％以下とするには、Ａｕを１．３質量％以上４．０質量％以下含有することができ、Ｐｄを０．７質量％以上２．１質量％以下含有することができ、Ｉｎを０．２質量％以上０．６質量％以下含有することができる。

【0022】

また、ボンディングワイヤＷは、芯材１０の直径φに対する被覆層１２の膜厚ｔの比率α（＝ｔ／φ）が０．００１４以上０．００４８以下となるように芯材１０の直径φ及び被覆層１２の膜厚ｔが設定されている。芯材１０の直径はボンディングワイヤの用途に応じて種々の大きさとしてよい。例えば、芯材１０の直径（線径）φは１５μｍ以上１５０μｍ以下とすることができる。被覆層１２の膜厚ｔは０．１５μｍ以上であることが好ましく、０．５０μｍ以下であることが好ましい。

【0023】

なお、芯材１０の固有抵抗は、評価用試料を３つ作製し、４端子法を用いて室温で３つの評価用試料の固有抵抗をそれぞれ測定し、測定結果の平均値を芯材１０の固有抵抗とする。また、被覆層１２の固有抵抗は、被覆層１２と同じ合金組成で作製したボンディングワイヤから評価用試料を３つ作製し、芯材１０と同様、４端子法を用いて室温で３つの評価用試料の固有抵抗をそれぞれ測定し、測定結果の平均値を芯材１０の固有抵抗とする。

【0024】

また、芯材１０の直径φ及び被覆層１２の膜厚ｔは、蛍光Ｘ線膜厚計で、Ｘ線を照射し発生した蛍光Ｘ線の強度を被覆層の膜厚に換算して求めた。

【0025】

ボンディングワイヤＷは、芯材１０においてＡｕを含有することが好ましく、また、ＡｕとともにＰｄを含有することが好ましい。芯材１０がＡｕ及びＰｄの両元素を含有する場合、ＰｄよりＡｕの含有量が多いことが好ましい。芯材１０がＡｕ及びＰｄの両元素を含有する場合、Ａｕ及びＰｄの含有量の合計が０．６質量％以上３．０質量％以下であることが好ましい。

【0026】

芯材１０は、０．１質量％以上１．０質量％以下のＩｎを含有してもよい。芯材１０が０．１質量％以上のＩｎが含有していると、ＦＡＢを電極に押し当て潰した時に形成される１ｓｔ接合部の耐食性が向上し、長期信頼性を改善することができる。芯材１０におけるＩｎの含有量が１．０質量％以下であるとワイヤの固有抵抗が適切な範囲に維持される。

【0027】

また、芯材１０は、Ａｕ、Ｐｄ、及びＩｎからなる群から選択された１種又は２種以上に加え、１質量ｐｐｍ以上５０質量ｐｐｍ以下のＢｉを含有してもよい。

【0028】

なお、本発明では、上記したＡｕ、Ｐｄ、Ｂｉ及びＩｎに加え、更に、Ｃａ及びＣｕからから選択された１種又は２種の元素を追加的に含有してもよい。Ｃａ及びＣｕの含有量の合計が１００質量ｐｐｍ以下であれば、Ａｕ、Ｐｄ、Ｂｉ及びＩｎを添加したことによる上記した作用効果を損なうことがなく、ワイヤの強度を向上させることができる。ＣａやＣｕを添加する場合、Ｃａ及びＣｕの含有量の合計は、１質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５質量ｐｐｍ以上８５質量ｐｐｍ以下である。

【0029】

被覆層１２は、９５質量％以上、好ましくは９９質量％以上の金を含有し、主成分として金を含有している。被覆層１２は、純金（金の含有量９９．９％以上）で構成してもよく、また、金に添加元素を加えた金合金により構成してもよい。被覆層１２を構成する金合金は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｓｂ（アンチモン）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を含有してもよい。

【0030】

（２）ボンディングワイヤＷの製造方法
次に、上記構成のボンディングワイヤＷの製造方法の一例を説明する。

【0031】

まず、純度９９．９質量％以上のＡｇに、Ａｕ、Ｐｄ及びＩｎから選択された元素を添加し、必要に応じて、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｕを添加して９５質量％以上のＡｇを含有することで、被覆層１２の固有抵抗ρ２の８５％以上１１５％以下の固有抵抗のＡｇ合金を鋳造した後、連続鋳造法にて所定の径の棒状インゴットを作製する。

【0032】

次いで、棒状インゴットを伸線加工して、所定の直径の芯材１０になるまで縮径する。その後、芯材１０の外周全面に、Ａｕを含む被覆層１２を形成する。被覆層１２は、電気メッキ法、無電解メッキ法、蒸着法などの公知の手段によって形成することができる。

【0033】

そして、被覆層１２が形成された芯材１０を更に伸線加工して、所定の直径に達するまで縮径する。これにより、芯材１０の直径φに対する被覆層１２の厚みｔの比率αが０．００１４以上０．００４８以下、被覆層１２の固有抵抗ρ２に対する芯材１０の固有抵抗ρ１の比率βが８５％以上１１５％以下のボンディングワイヤＷを得ることができる。

【0034】

なお、必要に応じて伸線加工の途中や伸線加工の終了後にボンディングワイヤＷに熱処理を行ってもよい。熱処理の一例を挙げると、大気雰囲気、窒素ガス雰囲気、又は水素５％と窒素９５％の混合ガス雰囲気において３００～１０００℃で０．１～６０秒間連続焼鈍処理を施すことができる。

【0035】

（３）効果
本実施形態のボンディングワイヤＷでは、芯材１０の外周面に金を主成分とする被覆層１２が設けられているため、ボンディングワイヤＷの耐食性を向上させることができるとともに、Ａｌ（アルミニウム）やＡｕやＡｇやこれらの合金等の電極を構成する金属に対して良好な接合強度が得られる。

【0036】

ボンディングワイヤＷにおいて、被覆層１２の膜厚ｔを芯材１０の線径φの０．００１４倍以上とすることで、ボンディングワイヤＷの耐食性能が発揮され大気中においてボールボンディングが可能となるとともに、電極を構成する金属に対して良好な接合強度が得られる。また、被覆層１２の膜厚ｔを芯材１０の線径φの０．００４８倍以下とすることで、ＦＡＢ形成時に溶解したボンディングワイヤＷの表面張力のバランスを良好に保つことができ、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができる。

【0037】

ボンディングワイヤＷにおいて、被覆層１２の固有抵抗ρ２に対する芯材１０の固有抵抗ρ１の比率を８５％以上１１５％以下とすることで、ボンディングワイヤＷの先端を放電加熱した時に、放電した電気がボンディングワイヤＷの先端部を均一に流れ、ボンディングワイヤＷの先端部がどの方向からも溶解してＦＡＢが均一に成長する。そのため、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができるとともに、１ｓｔ接合部の形状を良好な円形とすることができる。

【0038】

ボンディングワイヤＷにおいて、芯材１０がＡｕを含有することにより、放電加熱等によりボンディングワイヤＷの先端にＦＡＢを形成した時に、被覆層１２のＡｕが芯材１０へ拡散しにくくなり、真球度の高い良好な形状のＦＡＢをより一層安定して形成することができる。

【0039】

ＰｄはＡｕより固有抵抗が大きいため、芯材１０がＡｕとともにＰｄを含有することにより、Ａｕ及びＰｄの合計含有量を抑えつつ、Ａｇを主成分とする芯材１０の固有抵抗をＡｕの固有抵抗に近づけることができる。また、芯材１０がＡｕ及びＰｄの両元素を含有する場合、ＰｄよりＡｕの含有量が多いことにより、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができるとともに、１ｓｔ接合部の形状を良好な円形とすることができる。

【0040】

ボンディングワイヤＷにおいて、芯材１０がＢｉを１質量ｐｐｍ以上５０質量ｐｐｍ以下含有していると、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを安定的に形成することができる。

【0041】

ボンディングワイヤＷにおいて、芯材１０が０．１質量％以上のＩｎが含有していると、ＦＡＢを電極に押し当て潰した時に形成される１ｓｔ接合部の耐食性が向上し、長期信頼性を改善することができる。芯材１０におけるＩｎの含有量が１．０質量％以下であるとワイヤの固有抵抗が適切な範囲に維持され、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができる。

【0042】

以上、本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図していない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

【実施例】

【0043】

以下、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

【0044】

純度９９．９質量％以上のＡｇ原料を用いて、下記表１に示すような組成のＡｇ合金を溶解し、連続鋳造法にて棒状インゴットを作製した。そして、棒状インゴットに伸線加工を施して直径が１０５μｍの芯材１０になるまで縮径した後、電気メッキ法によって芯材１０の外周面に下記表１に示すような組成のＡｕ合金からなる被覆層１２を形成した。その後、被覆層１２が形成された芯材１０を更に伸線加工して、線径φが２０μｍ、被覆層１２の膜厚ｔが約５７ｎｍに達するまで縮径した後、水素５％と窒素９５％の混合ガス雰囲気において４００～６００℃で０．４～０．５秒間、連続焼鈍処理（熱処理）を施し、実施例１～２１及び比較例１～７のボンディングワイヤを得た。

【0045】

また、芯材１０の外周面をＡｕによって被覆しない点以外は、上記と同様の方法によって、実施例１～２１及び比較例１～７のボンディングワイヤの芯材１０のみからなるワイヤと、実施例１～２１及び比較例１～７のボンディングワイヤの被覆層１２と同じ合金組成からなるワイヤとを作製した。

【0046】

そして、実施例１～２１及び比較例１～７のボンディングワイヤについて、上記した測定方法によって芯材１０の直径φと被覆層１２の膜厚ｔを測定し、これらの測定結果から芯材１０の直径φに対する被覆層１２の膜厚ｔの比率αを算出した。

【0047】

また、芯材１０のみからなるワイヤと被覆層１２と同じ合金組成のワイヤとを用いて、上記した測定方法によって芯材１０の固有抵抗ρ１、被覆層１２の固有抵抗ρ２を測定した。得られた芯材１０の固有抵抗ρ１、被覆層１２の固有抵抗ρ２から被覆層１２の固有抵抗ρ２に対する芯材１０の固有抵抗ρ１の比率βを算出した。

【0048】

実施例１～２１及び比較例１～７のボンディングワイヤにおける、芯材１０の直径φ、被覆層１２の膜厚ｔ、比率α、芯材１０の固有抵抗ρ１、被覆層１２の固有抵抗ρ２、及び比率βは下記表１に示すとおりである。

【0049】

得られた実施例１～２１及び比較例１～７のボンディングワイヤにつき、次の（１）～（４）の評価を行った。具体的な評価方法は以下のとおりである。
（１）ＦＡＢ真球性（形成性）
ワイヤボンダー（株式会社新川製、ＵＴＣ－５０００ＮｅｏＣｕ）にてワイヤ直径の１．９倍～２．１倍の大きさのＦＡＢを雰囲気で作製した。ＦＡＢ真球性（形成性）の評価としては、実施例及び比較例のボンディングワイヤ毎にＦＡＢを１００個ずつ作製した後、汎用型電子顕微鏡（日本電子（株）製、ＪＳＭ－６５１０ＬＡ）にて外観観察を行い、作製したＦＡＢのワイヤ平行方向と垂直方向の長さをそれぞれ測定した。ＦＡＢのワイヤ平行方向の長さＸと垂直方向の長さＹの比（Ｘ／Ｙ）の平均値が１００±５％の範囲内であれば「真球性あり」と判断し「Ａ」、上記の比（Ｘ／Ｙ）の平均値が９２％以上９５％未満もしくは１０５％より大きく１０８％以下であれば「Ｂ」、上記の比（Ｘ／Ｙ）の平均値が９０％以上９２％未満もしくは１０８％より大きく１１０％以下であれば「Ｃ」、目視して円形でなければ「Ｄ」とした。
（２）１ｓｔ接合部の形状安定性
上記（１）で用いたワイヤボンダーにて大気ガス雰囲気で作製した１００個のＦＡＢを電極に押し当てて１ｓｔ接合部の直径がＦＡＢの直径の１．４倍の大きさになるようにボンディングを行った。１ｓｔ接合部の中心と、ワイヤボンダーに設けられたキャピラリのチャンファー径との中心間距離を三次元顕微鏡（オリンパス製小型測定顕微鏡、ＳＴＭ６）にて測定した。１００個のＦＡＢ全てにおいて中心間距離が２．５μｍ以下であれば「Ａ」、２．５μｍを超えて５μｍ以下の１ｓｔ接合部の発生率が２０％未満であれば「Ｂ」、２．５μｍを超えて５μｍ以下の１ｓｔ接合部の発生率が２０％以上であれば「C」、５μｍを超える１ｓｔ接合部が１個でもあれば真円性が低くファインピッチ用途に不適と考えて「D」とした。
（３）高温放置試験（長期信頼性）
上記（１）で用いたワイヤボンダーにて大気雰囲気でボンディングを行った後、エポキシ樹脂封止をした半導体試料を作成した。市販の恒温槽を用いて作成した半導体試料を１５０℃で１０００時間保持した後、電気的測定を行い、導通評価をした。評価したワイヤ数は５００本であり、不良率が１％以下の場合は「Ａ」、１％を超え３％以下の場合は「B」、３％を超える場合は耐性が低いことから「Ｄ」とした。
（４）総合評価
上記の（１）～（３）の評価項目において、すべてＡ評価であれば「Ａ」、Ａ評価が１～２つであれば「Ｂ」、Ａ評価がなければ「Ｃ」、Ｄ評価がひとつでもあれば「Ｄ」とした。

【0050】

【表1】

結果は、表１に示すとおりであり、実施例１～２１では上記（１）～（４）の全ての評価において良好な結果が得られた。

【0051】

一方、芯材１０の直径φに対する被覆層１２の厚みｔの比率αが０．００１４以上０、００４８以下の範囲から外れる比較例１～３では、円形のＦＡＢが形成されず、ＦＡＢ真球性及び１ｓｔ接合部の形状が悪化した。また、被覆層１２の固有抵抗ρ２に対する芯材１０の固有抵抗ρ１の比率βが８５％以上１１５％以下の範囲から外れる比較例４～７では、１ｓｔ接合部の形状が悪化した。

【符号の説明】

【0052】

１０…芯材、１２…被覆層、Ｗ…ボンディングワイヤ

【要約】

Ａｇを主成分とする芯材の表面にＡｕを主成分とする被覆層を設けたボンディングワイヤにおいて、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができるボンディングワイヤを提供する。本発明のボンディングワイヤは、Ａｇを主成分として含む芯材１０と、芯材１０の表面に設けられＡｕを主成分として含む被覆層１２と、を有するボンディングワイヤＷにおいて、芯材１０は、Ａｕ、Ｐｄ、及びＩｎからなる群から選択された１種又は２種以上を含有し、芯材１０の直径に対する被覆層１２の膜厚の比率が０．００１４以上０．００４８以下、被覆層１２の固有抵抗に対する芯材１０の固有抵抗の比率が８５％以上１１５％以下のものである。

【図1】