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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-17
(45)【発行日】2024-10-25
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/677 20060101AFI20241018BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20241018BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 A
H01L21/304 651B
H01L21/304 651L
H01L21/304 644C
H01L21/304 643A
H01L21/304 644B
H01L21/304 648A
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2020169411
(22)【出願日】2020-10-06
(65)【公開番号】P2022061415
(43)【公開日】2022-04-18
【審査請求日】2023-06-20
(73)【特許権者】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100108523
【弁理士】
【氏名又は名称】中川 雅博
(74)【代理人】
【識別番号】100098305
【弁理士】
【氏名又は名称】福島 祥人
(74)【代理人】
【識別番号】100125704
【弁理士】
【氏名又は名称】坂根 剛
(74)【代理人】
【識別番号】100187931
【弁理士】
【氏名又は名称】澤村 英幸
(72)【発明者】
【氏名】岡田 吉文
【審査官】湯川 洋介
(56)【参考文献】
【文献】特開２００１－１６０５８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－２４７１９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１５２２７４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０５－１３６２４７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／６７７
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理前の基板が搬入される搬入位置と処理後の基板が搬出される搬出位置とを有し、前記処理前の基板を処理する処理ユニットと、前記処理前の基板および処理後の基板のいずれをも保持可能に構成された搬送保持部を有する基板搬送部とを備え、
前記搬送保持部は、前記処理前の基板を保持して前記処理ユニットに進入して前記処理前の基板を前記搬入位置に渡した後、前記搬出位置から前記処理後の基板を受け取り、前記処理後の基板の受け取り後に前記処理ユニットから退出する、基板処理装置。
【請求項2】
前記搬入位置と前記搬出位置とは、上下方向に並ぶように配置される、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記処理ユニットは複数設けられ、前記搬送保持部は、複数の処理ユニットにそれぞれ対応するように複数設けられ、
複数の基板搬送部の各々は、対応する処理ユニットに進入して前記処理前の基板を前記搬入位置に渡した後、前記搬出位置から前記処理後の基板を受け取り、前記処理後の基板の受け取り後に前記対応する処理ユニットから退出する、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記処理ユニットは、前記搬入位置に搬入された基板を保持する第１の基板保持部と、
前記第１の基板保持部により保持された基板に処理を行う第１の処理部と、
前記搬出位置から搬入される基板を保持する第２の基板保持部と、
前記第１の処理部により処理された基板を前記第１の基板保持部から前記第２の基板保持部に渡す受渡部と、
前記第２の基板保持部により保持された基板に処理を行う第２の処理部とを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは、基板に互いに異なる処理を行う、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記第１の処理部は、基板の下面中央領域の洗浄処理を行い、前記第２の処理部は、基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域の洗浄処理を行う、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項7】
基板搬送部の搬送保持部を処理ユニットに進入させるステップと、前記搬送保持部により保持された処理前の基板を前記処理ユニットの搬入位置に渡すステップと、
前記処理前の基板が前記搬入位置に渡された後、前記搬送保持部により前記処理ユニットの搬出位置から処理後の基板を受け取るステップと、
前記処理後の基板が前記搬出位置から受け取られた後、前記搬送保持部を前記処理ユニットから退出させるステップと、
前記処理ユニットにより前記処理前の基板に処理を行うステップとを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【0003】
例えば、特許文献１には、複数の処理ユニットと、第１および第２のハンドを用いて複数の処理ユニット間で基板を搬送する搬送機構とを含む基板処理装置が記載されている。複数の処理ユニットは、基板に熱処理、冷却処理および塗布処理をそれぞれ行う熱処理ユニット、冷却ユニットおよび塗布処理ユニット等を含む。搬送機構は、第１のハンドにより基板を保持しかつ第２のハンドにより基板を保持しない状態で複数の処理ユニット間を移動する。また、搬送機構は、搬送先の処理ユニットから処理後の基板を第２のハンドにより搬出するとともに、第１のハンドにより保持された処理前の基板を当該処理ユニットに搬入する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１３－７７６３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１に記載された基板処理装置においては、処理ユニットからの処理後の基板の搬出と、処理ユニットへの処理前の基板の搬入とが搬送機構の第１および第２のハンドにより連続的に行われる。そのため、スループットが向上すると考えられていた。しかしながら、搬送機構は、搬送先の処理ユニットから処理後の基板を搬出するために、いずれかのハンドに基板を保持しない状態で複数の処理ユニット間を移動する必要がある。この場合、ハンドの数よりも少ない枚数の基板しか一度に搬送できないため、スループットの向上には制限がある。
【0006】
本発明の目的は、スループットを向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、処理前の基板が搬入される搬入位置と処理後の基板が搬出される搬出位置とを有し、処理前の基板を処理する処理ユニットと、処理前の基板および処理後の基板のいずれをも保持可能に構成された搬送保持部を有する基板搬送部とを備え、搬送保持部は、処理前の基板を保持して処理ユニットに進入して処理前の基板を搬入位置に渡した後、搬出位置から処理後の基板を受け取り、処理後の基板の受け取り後に処理ユニットから退出する。
【0008】
この基板処理装置においては、基板搬送部の搬送保持部が処理ユニットに進入される。搬送保持部により保持された処理前の基板が処理ユニットの搬入位置に渡される。処理前の基板が搬入位置に渡された後、搬送保持部により処理ユニットの搬出位置から処理後の基板が受け取られる。処理後の基板が搬出位置から受け取られた後、搬送保持部が処理ユニットから退出される。処理ユニットにより処理前の基板に処理が行われる。
【0009】
この構成によれば、処理ユニットに処理後の基板が存在する場合でも、処理前の基板を処理ユニットに搬入することができる。そのため、処理ユニットに処理前の基板を渡した後に、当該搬送保持部により処理後の基板を受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板を受け取るために、基板を保持しない搬送保持部を設ける必要がない。これにより、搬送保持部の数当たりのスループットを向上させることができる。
【0010】
（２）搬入位置と搬出位置とは、上下方向に並ぶように配置されてもよい。この場合、処理ユニットの設置床面積（フットプリント）を低減することができる。
【0011】
（３）処理ユニットは複数設けられ、搬送保持部は、複数の処理ユニットにそれぞれ対応するように複数設けられ、複数の基板搬送部の各々は、対応する処理ユニットに進入して処理前の基板を搬入位置に渡した後、搬出位置から処理後の基板を受け取り、処理後の基板の受け取り後に対応する処理ユニットから退出してもよい。この場合、処理前の基板を渡すとともに、処理後の基板を受け取る動作を複数の処理ユニットに対して連続的に行うことが可能となる。これにより、スループットをより向上させることができる。
【0012】
（４）処理ユニットは、搬入位置に搬入された基板を保持する第１の基板保持部と、第１の基板保持部により保持された基板に処理を行う第１の処理部と、搬出位置から搬入される基板を保持する第２の基板保持部と、第１の処理部により処理された基板を第１の基板保持部から第２の基板保持部に渡す受渡部と、第２の基板保持部により保持された基板に処理を行う第２の処理部とを含んでもよい。この場合、搬入位置に搬入され、第１および第２の処理部により処理された基板を処理後の基板として搬出位置から搬出することができる。
【0013】
（５）第１の処理部と第２の処理部とは、基板に互いに異なる処理を行ってもよい。この場合、基板に異なる処理を効率よく行うことができる。
【0014】
（６）第１の処理部は、基板の下面中央領域の洗浄処理を行い、第２の処理部は、基板の下面中央領域を取り囲む下面外側領域の洗浄処理を行ってもよい。この場合、基板の下面全体の洗浄処理を効率よく行うことができる。
【0015】
（７）第２の発明に係る基板処理方法は、基板搬送部の搬送保持部を処理ユニットに進入させるステップと、搬送保持部により保持された処理前の基板を処理ユニットの搬入位置に渡すステップと、処理前の基板が搬入位置に渡された後、搬送保持部により処理ユニットの搬出位置から処理後の基板を受け取るステップと、処理後の基板が搬出位置から受け取られた後、搬送保持部を処理ユニットから退出させるステップと、処理ユニットにより処理前の基板に処理を行うステップとを含む。
【0016】
この基板処理方法によれば、処理ユニットに処理後の基板が存在する場合でも、処理前の基板を処理ユニットに搬入することができる。そのため、処理ユニットに処理前の基板を渡した後に、当該搬送保持部により処理後の基板を受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板を受け取るために、基板を保持しない搬送保持部を設ける必要がない。これにより、搬送保持部の数当たりのスループットを向上させることができる。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板（ウエハ）、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、本実施の形態では、基板の上面が回路形成面（表面）であり、基板の下面が回路形成面と反対側の面（裏面）である。また、本実施の形態では、基板は、ノッチを除いて円形状を有する。
【0020】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図２は、図１のＪ－Ｊ線における基板処理装置１００の模式的断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、インデクサブロック１１０および処理ブロック１２０を有する。インデクサブロック１１０および処理ブロック１２０は、互いに隣り合うように設けられている。
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図２は、図１のＪ－Ｊ線における基板処理装置１００の模式的断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、インデクサブロック１１０および処理ブロック１２０を有する。インデクサブロック１１０および処理ブロック１２０は、互いに隣り合うように設けられている。
【0021】
インデクサブロック１１０は、複数（本例では４つ）のキャリア載置台１４０および搬送部１５０を含む。複数のキャリア載置台１４０は、搬送部１５０に接続され、間隔をおいて一列に並ぶように配置されている。各キャリア載置台１４０上には、複数枚の基板Ｗを収納するキャリアＣが載置される。
【0022】
搬送部１５０には、インデクサロボット２００および制御装置１７０が設けられている。インデクサロボット２００は、複数（本例では４つ）のハンドＩａ，Ｉｂ，Ｉｃ，Ｉｄ、ハンド支持部材２１０および搬送駆動部２２０を含む。
【0023】
複数のハンドＩａ～Ｉｄは、複数の基板Ｗをそれぞれ保持可能に構成され、上下方向に一定間隔で並ぶ状態でハンド支持部材２１０上に設けられている。ハンド支持部材２１０は、一方向に延びるように形成され、その一方向に複数のハンドＩａ～Ｉｄを進退可能に支持する。搬送駆動部２２０は、水平方向（複数のキャリア載置台１４０が並ぶ方向）に移動可能に構成され、鉛直軸の周りで回転かつ昇降可能にハンド支持部材２１０を支持する。さらに、搬送駆動部２２０は、複数のモータおよびエアシリンダ等を含み、複数のハンドＩａ～Ｉｄにより複数の基板Ｗを搬送するために、ハンド支持部材２１０を水平方向に移動させ、ハンド支持部材２１０を鉛直軸の周りで回転させ、昇降させる。また、搬送駆動部２２０は、複数のハンドＩａ～Ｉｄを水平方向に進退させる。制御装置１７０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）およびＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含むコンピュータ等からなり、基板処理装置１００内の各構成部を制御する。
【0024】
処理ブロック１２０は、洗浄部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄部１６１、搬送部１６３および洗浄部１６２は、搬送部１５０に隣り合うとともにこの順で並ぶように配置されている。洗浄部１６１，１６２においては、複数（例えば４つ）の基板洗浄装置１が上下に積層配置されている。各基板洗浄装置１は、処理前の基板Ｗが搬入される搬入位置と、処理後の基板Ｗが搬出される搬出位置とを有する。基板洗浄装置１の構成および動作の詳細については後述する。
【0025】
搬送部１６３には、メインロボット３００が設けられている。メインロボット３００は、複数（本例では４つ）のハンドＭａ，Ｍｂ，Ｍｃ，Ｍｄ、ハンド支持部材３１０および搬送駆動部３２０を含む。複数のハンドＭａ～Ｍｄは、複数の基板Ｗをそれぞれ保持可能に構成され、上下方向に並ぶ状態でハンド支持部材３１０上に設けられている。
【0026】
ハンド支持部材３１０は、一方向に延びるように形成され、その一方向に複数のハンドＭａ～Ｍｄをそれぞれ独立して進退可能に支持する。搬送駆動部３２０は、鉛直軸の周りで回転かつ昇降可能にハンド支持部材３１０を支持する。さらに、搬送駆動部３２０は、複数のモータおよびエアシリンダ等を含み、複数のハンドＭａ～Ｍｄにより複数の基板Ｗを搬送するために、ハンド支持部材３１０を鉛直軸の周りで回転させ、昇降させる。また、搬送駆動部３２０は、複数のハンドＭａ～Ｍｄを水平方向に進退させる。
【0027】
インデクサブロック１１０と処理ブロック１２０との間には、インデクサロボット２００とメインロボット３００との間で基板Ｗの受け渡しを行うための複数（本例では４つ）の基板載置部ＰＡＳＳ１および複数の基板載置部ＰＡＳＳ２が上下に積層配置されている。複数の基板載置部ＰＡＳＳ１は複数（本例では４つ）の基板載置部ＰＡＳＳ２よりも上方に位置する。
【0028】
複数の基板載置部ＰＡＳＳ２は、インデクサロボット２００からメインロボット３００に基板Ｗを渡すために用いられる。複数の基板載置部ＰＡＳＳ１は、メインロボット３００からインデクサロボット２００に基板Ｗを渡すために用いられる。複数の基板載置部ＰＡＳＳ１間の間隔は、メインロボット３００の複数のハンドＭａ～Ｍｄの間の間隔と略等しくてもよい。同様に、複数の基板載置部ＰＡＳＳ２間の間隔は、メインロボット３００の複数のハンドＭａ～Ｍｄの間の間隔と略等しくてもよい。
【0029】
インデクサロボット２００は、複数のキャリア載置台１４０上に載置された複数のキャリアＣのいずれかのキャリアＣから処理前の基板Ｗを取り出す。また、インデクサロボット２００は、取り出した処理前の基板Ｗを複数の基板載置部ＰＡＳＳ２のいずれかに載置する。さらに、インデクサロボット２００は、複数の基板載置部ＰＡＳＳ１のいずれかに載置されている処理後の基板Ｗを受け取り、空のキャリアＣ内に収容する。
【0030】
メインロボット３００は、複数の基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されている複数の処理前の基板Ｗを複数のハンドＭａ～Ｍｄによりそれぞれ受け取る。このとき、メインロボット３００は、複数のハンドＭａ～Ｍｄにより複数の基板Ｗを順次受け取ってもよい。複数の基板載置部ＰＡＳＳ２間の間隔が複数のハンドＭａ～Ｍｄの間の間隔と略等しい場合には、メインロボット３００は、複数のハンドＭａ～Ｍｄにより複数の基板Ｗを同時に受け取ってもよい。
【0031】
次に、メインロボット３００は、基板載置部ＰＡＳＳ２から複数のハンドＭａ～Ｍｄにより受け取った複数の処理前の基板Ｗを洗浄部１６１または洗浄部１６２の複数の基板洗浄装置１における搬入位置にそれぞれ渡す。続いて、メインロボット３００は、複数の基板洗浄装置１における搬出位置に載置されている複数の処理後の基板Ｗを複数のハンドＭａ～Ｍｄによりそれぞれ受け取る。
【0032】
その後、メインロボット３００は、基板洗浄装置１から複数のハンドＭａ～Ｍｄにより受け取られた複数の処理後の基板Ｗを複数の基板載置部ＰＡＳＳ１にそれぞれ載置する。このとき、メインロボット３００は、複数の処理後の基板Ｗを複数の基板載置部ＰＡＳＳ１に順次載置してもよい。複数の基板載置部ＰＡＳＳ１間の間隔が複数のハンドＭａ～Ｍｄの間の間隔と略等しい場合には、メインロボット３００は、複数のハンドＭａ～Ｍｄにより複数の基板Ｗを複数の基板載置部ＰＡＳＳ１に同時に載置してもよい。
【0033】
（２）基板洗浄装置の構成
図３は、図１の基板洗浄装置１の模式的平面図である。図４は、図３の基板洗浄装置１の内部構成を示す外観斜視図である。基板洗浄装置１においては、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図３および図４以降の所定の図では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が適宜矢印で示される。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
図３は、図１の基板洗浄装置１の模式的平面図である。図４は、図３の基板洗浄装置１の内部構成を示す外観斜視図である。基板洗浄装置１においては、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図３および図４以降の所定の図では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が適宜矢印で示される。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【0034】
図３に示すように、基板洗浄装置１は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ、下側保持装置２０、台座装置３０、受渡装置４０、下面洗浄装置５０、カップ装置６０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０および開閉装置９０を備える。これらの構成要素は、ユニット筐体２内に設けられる。図３では、ユニット筐体２が点線で示される。
【0035】
ユニット筐体２は、矩形の底面部２ａと、底面部２ａの４辺から上方に延びる４つの側壁部２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅとを有する。側壁部２ｂ，２ｃが互いに対向し、側壁部２ｄ，２ｅが互いに対向する。側壁部２ｂの中央部には、矩形の開口が形成されている。この開口は、基板Ｗの搬入搬出口２ｘであり、ユニット筐体２に対する基板Ｗの搬入時および搬出時に用いられる。図４では、搬入搬出口２ｘが太い点線で示される。以下の説明においては、Ｙ方向のうちユニット筐体２の内部から搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２の外方に向く方向（側壁部２ｃから側壁部２ｂを向く方向）を前方と呼び、その逆の方向（側壁部２ｂから側壁部２ｃを向く方向）を後方と呼ぶ。
【0036】
側壁部２ｂにおける搬入搬出口２ｘの形成部分およびその近傍の領域には、開閉装置９０が設けられている。開閉装置９０は、搬入搬出口２ｘを開閉可能に構成されたシャッタ９１と、シャッタ９１を駆動するシャッタ駆動部９２とを含む。図４では、シャッタ９１が太い二点鎖線で示される。シャッタ駆動部９２は、基板洗浄装置１に対する基板Ｗの搬入時および搬出時に搬入搬出口２ｘを開放するようにシャッタ９１を駆動する。また、シャッタ駆動部９２は、基板洗浄装置１における基板Ｗの洗浄処理時に搬入搬出口２ｘを閉塞するようにシャッタ９１を駆動する。
【0037】
底面部２ａの中央部には、台座装置３０が設けられている。台座装置３０は、リニアガイド３１、可動台座３２および台座駆動部３３を含む。リニアガイド３１は、２本のレールを含み、平面視で側壁部２ｂの近傍から側壁部２ｃの近傍までＹ方向に延びるように設けられている。可動台座３２は、リニアガイド３１の２本のレール上でＹ方向に移動可能に設けられている。台座駆動部３３は、例えばパルスモータを含み、リニアガイド３１上で可動台座３２をＹ方向に移動させる。
【0038】
可動台座３２上には、下側保持装置２０および下面洗浄装置５０がＹ方向に並ぶように設けられている。下側保持装置２０は、吸着保持部２１および吸着保持駆動部２２を含む。吸着保持部２１は、いわゆるスピンチャックであり、基板Ｗの下面を吸着保持可能な円形の吸着面を有し、上下方向に延びる軸（Ｚ方向の軸）の周りで回転可能に構成される。図３では、下側保持装置２０により吸着保持された基板Ｗの外形が二点鎖線で示される。以下の説明では、吸着保持部２１により基板Ｗが吸着保持される際に、基板Ｗの下面のうち吸着保持部２１の吸着面が吸着すべき領域を下面中央領域と呼ぶ。一方、基板Ｗの下面のうち下面中央領域を取り囲む領域を下面外側領域と呼ぶ。
【0039】
吸着保持駆動部２２は、モータを含む。吸着保持駆動部２２のモータは、回転軸が上方に向かって突出するように可動台座３２上に設けられている。吸着保持部２１は、吸着保持駆動部２２の回転軸の上端部に取り付けられる。また、吸着保持駆動部２２の回転軸には、吸着保持部２１において基板Ｗを吸着保持するための吸引経路が形成されている。その吸引経路は、図示しない吸気装置に接続されている。吸着保持駆動部２２は、吸着保持部２１を上記の回転軸の周りで回転させる。
【0040】
可動台座３２上には、下側保持装置２０の近傍にさらに受渡装置４０が設けられている。受渡装置４０は、複数（本例では３本）の支持ピン４１、ピン連結部材４２およびピン昇降駆動部４３を含む。ピン連結部材４２は、平面視で吸着保持部２１を取り囲むように形成され、複数の支持ピン４１を連結する。複数の支持ピン４１は、ピン連結部材４２により互いに連結された状態で、ピン連結部材４２から一定長さ上方に延びる。ピン昇降駆動部４３は、可動台座３２上でピン連結部材４２を昇降させる。これにより、複数の支持ピン４１が吸着保持部２１に対して相対的に昇降する。
【0041】
下面洗浄装置５０は、下面ブラシ５１、２つの液ノズル５２、気体噴出部５３、昇降支持部５４、移動支持部５５、下面ブラシ回転駆動部５５ａ、下面ブラシ昇降駆動部５５ｂおよび下面ブラシ移動駆動部５５ｃを含む。移動支持部５５は、可動台座３２上の一定領域内で下側保持装置２０に対してＹ方向に移動可能に設けられている。図４に示すように、移動支持部５５上に、昇降支持部５４が昇降可能に設けられている。昇降支持部５４は、吸着保持部２１から遠ざかる方向（本例では後方）において斜め下方に傾斜する上面５４ｕを有する。
【0042】
図３に示すように、下面ブラシ５１は、例えばＰＶＡ（ポリビニールアルコール）スポンジまたは砥粒が分散されたＰＶＡスポンジにより形成され、基板Ｗの下面に接触可能な円形の洗浄面を有する。また、下面ブラシ５１は、洗浄面が上方を向くようにかつ洗浄面が当該洗浄面の中心を通って上下方向に延びる軸の周りで回転可能となるように、昇降支持部５４の上面５４ｕに取り付けられている。下面ブラシ５１の洗浄面の面積は、吸着保持部２１の吸着面の面積よりも大きい。
【0043】
２つの液ノズル５２の各々は、下面ブラシ５１の近傍に位置しかつ液体吐出口が上方を向くように、昇降支持部５４の上面５４ｕ上に取り付けられている。液ノズル５２には、下面洗浄液供給部５６（図５）が接続されている。下面洗浄液供給部５６は、液ノズル５２に洗浄液を供給する。液ノズル５２は、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時に、下面洗浄液供給部５６から供給される洗浄液を基板Ｗの下面に供給する。本実施の形態では、液ノズル５２に供給される洗浄液として純水（脱イオン水）が用いられる。なお、液ノズル５２に供給される洗浄液としては、純水に代えて、炭酸水、オゾン水、水素水、電解イオン水、ＳＣ１（アンモニアと過酸化水素水との混合溶液）またはＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等を用いることもできる。
【0044】
気体噴出部５３は、一方向に延びる気体噴出口を有するスリット状の気体噴射ノズルである。気体噴出部５３は、平面視で下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間に位置しかつ気体噴射口が上方を向くように、昇降支持部５４の上面５４ｕに取り付けられている。気体噴出部５３には、噴出気体供給部５７（図５）が接続されている。噴出気体供給部５７は、気体噴出部５３に気体を供給する。本実施の形態では、気体噴出部５３に供給される気体として窒素ガスが用いられる。気体噴出部５３は、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時および後述する基板Ｗの下面の乾燥時に、噴出気体供給部５７から供給される気体を基板Ｗの下面に噴射する。この場合、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間に、Ｘ方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。気体噴出部５３に供給される気体としては、窒素ガスに代えて、アルゴンガスまたはヘリウムガス等の不活性ガスを用いることもできる。
【0045】
下面ブラシ回転駆動部５５ａは、モータを含み、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時に下面ブラシ５１を回転させる。下面ブラシ昇降駆動部５５ｂは、ステッピングモータまたはエアシリンダを含み、移動支持部５５に対して昇降支持部５４を昇降させる。下面ブラシ移動駆動部５５ｃは、モータを含み、可動台座３２上で移動支持部５５をＹ方向に移動させる。ここで、可動台座３２における下側保持装置２０の位置は固定されている。そのため、下面ブラシ移動駆動部５５ｃによる移動支持部５５のＹ方向の移動時には、移動支持部５５が下側保持装置２０に対して相対的に移動する。以下の説明では、可動台座３２上で下側保持装置２０に最も近づくときの下面洗浄装置５０の位置を接近位置と呼び、可動台座３２上で下側保持装置２０から最も離れたときの下面洗浄装置５０の位置を離間位置と呼ぶ。
【0046】
底面部２ａの中央部には、さらにカップ装置６０が設けられている。カップ装置６０は、処理カップ６１およびカップ駆動部６２を含む。処理カップ６１は、平面視で下側保持装置２０および台座装置３０を取り囲むようにかつ昇降可能に設けられている。図４においては、処理カップ６１が点線で示される。カップ駆動部６２は、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面におけるどの部分を洗浄するのかに応じて処理カップ６１を下カップ位置と上カップ位置との間で移動させる。下カップ位置は処理カップ６１の上端部が吸着保持部２１により吸着保持される基板Ｗよりも下方に位置する高さ位置である。また、上カップ位置は処理カップ６１の上端部が吸着保持部２１よりも上方に位置する高さ位置である。
【0047】
処理カップ６１よりも上方の高さ位置には、平面視で台座装置３０を挟んで対向するように一対の上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが設けられている。上側保持装置１０Ａは、下チャック１１Ａ、上チャック１２Ａ、下チャック駆動部１３Ａおよび上チャック駆動部１４Ａを含む。上側保持装置１０Ｂは、下チャック１１Ｂ、上チャック１２Ｂ、下チャック駆動部１３Ｂおよび上チャック駆動部１４Ｂを含む。
【0048】
下チャック１１Ａ，１１Ｂは、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向（前後方向）に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。下チャック１１Ａ，１１Ｂの各々は、基板Ｗの下面周縁部を基板Ｗの下方から支持可能な２本の支持片を有する。下チャック駆動部１３Ａ，１３Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに近づくように、または下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに遠ざかるように、下チャック１１Ａ，１１Ｂを移動させる。
【0049】
上チャック１２Ａ，１２Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂと同様に、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向（前後方向）に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。上チャック１２Ａ，１２Ｂの各々は、基板Ｗの外周端部の２つの部分に当接して基板Ｗの外周端部を保持可能に構成された２本の保持片を有する。上チャック駆動部１４Ａ，１４Ｂは、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに近づくように、または上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに遠ざかるように、上チャック１２Ａ，１２Ｂを移動させる。
【0050】
図３に示すように、処理カップ６１の一側方においては、平面視で上側保持装置１０Ｂの近傍に位置するように、上面洗浄装置７０が設けられている。上面洗浄装置７０は、回転支持軸７１、アーム７２、スプレーノズル７３および上面洗浄駆動部７４を含む。
【0051】
回転支持軸７１は、底面部２ａ上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に上面洗浄駆動部７４により支持される。アーム７２は、図４に示すように、上側保持装置１０Ｂよりも上方の位置で、回転支持軸７１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム７２の先端部には、スプレーノズル７３が取り付けられている。
【0052】
スプレーノズル７３には、上面洗浄流体供給部７５（図５）が接続される。上面洗浄流体供給部７５は、スプレーノズル７３に洗浄液および気体を供給する。本実施の形態では、スプレーノズル７３に供給される洗浄液として純水が用いられ、スプレーノズル７３に供給される気体として窒素ガスが用いられる。スプレーノズル７３は、基板Ｗの上面の洗浄時に、上面洗浄流体供給部７５から供給される洗浄液と気体とを混合して混合流体を生成し、生成された混合流体を下方に噴射する。
【0053】
なお、スプレーノズル７３に供給される洗浄液としては、純水に代えて、炭酸水、オゾン水、水素水、電解イオン水、ＳＣ１（アンモニアと過酸化水素水との混合溶液）またはＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等を用いることもできる。また、スプレーノズル７３に供給される気体としては、窒素ガスに代えてアルゴンガスまたはヘリウムガス等の不活性ガスを用いることもできる。
【0054】
上面洗浄駆動部７４は、１または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸７１を昇降させるとともに、回転支持軸７１を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの上面上で、スプレーノズル７３を円弧状に移動させることにより、基板Ｗの上面全体を洗浄することができる。
【0055】
図３に示すように、処理カップ６１の他側方においては、平面視で上側保持装置１０Ａの近傍に位置するように、端部洗浄装置８０が設けられている。端部洗浄装置８０は、回転支持軸８１、アーム８２、ベベルブラシ８３およびベベルブラシ駆動部８４を含む。
【0056】
回転支持軸８１は、底面部２ａ上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能にベベルブラシ駆動部８４により支持される。アーム８２は、図４に示すように、上側保持装置１０Ａよりも上方の位置で、回転支持軸８１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム８２の先端部には、下方に向かって突出するようにかつ上下方向の軸の周りで回転可能となるようにベベルブラシ８３が設けられている。
【0057】
ベベルブラシ８３は、例えばＰＶＡスポンジまたは砥粒が分散されたＰＶＡスポンジにより形成され、上半部が逆円錐台形状を有するとともに下半部が円錐台形状を有する。このベベルブラシ８３によれば、外周面の上下方向における中央部分で基板Ｗの外周端部を洗浄することができる。
【0058】
ベベルブラシ駆動部８４は、１または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸８１を昇降させるとともに、回転支持軸８１を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの外周端部にベベルブラシ８３の外周面の中央部分を接触させることにより、基板Ｗの外周端部全体を洗浄することができる。
【0059】
ここで、ベベルブラシ駆動部８４は、さらにアーム８２に内蔵されるモータを含む。そのモータは、アーム８２の先端部に設けられるベベルブラシ８３を上下方向の軸の周りで回転させる。したがって、基板Ｗの外周端部の洗浄時に、ベベルブラシ８３が回転することにより、基板Ｗの外周端部におけるベベルブラシ８３の洗浄力が向上する。
【0060】
（３）基板処理装置の制御系
図５は、基板処理装置１００の制御系統の構成を示すブロック図である。上記のように、図１の制御装置１７０は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭおよび記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＲＯＭは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、基板処理プログラムを記憶する。
図５は、基板処理装置１００の制御系統の構成を示すブロック図である。上記のように、図１の制御装置１７０は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭおよび記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＲＯＭは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、基板処理プログラムを記憶する。
【0061】
図５に示すように、制御装置１７０は、機能部として、チャック制御部１７１、吸着制御部１７２、台座制御部１７３、受渡制御部１７４、下面洗浄制御部１７５、カップ制御部１７６、上面洗浄制御部１７７、ベベル洗浄制御部１７８、搬入搬出制御部１７９および搬送制御部１８０，１８１を含む。ＣＰＵが記憶装置に記憶された基板処理プログラムをＲＡＭ上で実行することにより制御装置１７０の機能部が実現される。制御装置１７０の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。
【0062】
チャック制御部１７１、吸着制御部１７２、台座制御部１７３、受渡制御部１７４、下面洗浄制御部１７５、カップ制御部１７６、上面洗浄制御部１７７、ベベル洗浄制御部１７８および搬入搬出制御部１７９は、各基板洗浄装置１の動作を制御する。具体的には、チャック制御部１７１は、各基板洗浄装置１に搬入される基板Ｗを受け取り、吸着保持部２１の上方の位置で保持するために、下チャック駆動部１３Ａ，１３Ｂおよび上チャック駆動部１４Ａ，１４Ｂを制御する。
【0063】
吸着制御部１７２は、吸着保持部２１により基板Ｗを吸着保持するとともに吸着保持された基板Ｗを回転させるために、吸着保持駆動部２２を制御する。台座制御部１７３は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗに対して可動台座３２を移動させるために、台座駆動部３３を制御する。受渡制御部１７４は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの高さ位置と、吸着保持部２１により保持される基板Ｗの高さ位置との間で基板Ｗを移動させるために、ピン昇降駆動部４３を制御する。
【0064】
下面洗浄制御部１７５は、基板Ｗの下面を洗浄するために、下面ブラシ回転駆動部５５ａ、下面ブラシ昇降駆動部５５ｂ、下面ブラシ移動駆動部５５ｃ、下面洗浄液供給部５６および噴出気体供給部５７を制御する。カップ制御部１７６は、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの洗浄時に基板Ｗから飛散する洗浄液を処理カップ６１で受け止めるために、カップ駆動部６２を制御する。
【0065】
上面洗浄制御部１７７は、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの上面を洗浄するために、上面洗浄駆動部７４および上面洗浄流体供給部７５を制御する。ベベル洗浄制御部１７８は、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの外周端部を洗浄するために、ベベルブラシ駆動部８４を制御する。搬入搬出制御部１７９は、各基板洗浄装置１における基板Ｗの搬入時および搬出時にユニット筐体２の搬入搬出口２ｘを開閉するために、シャッタ駆動部９２を制御する。
【0066】
搬送制御部１８０は、複数のキャリアＣと複数の基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２との間で基板Ｗを搬送するため、搬送駆動部２２０を制御する。搬送制御部１８１は、複数の基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と複数の基板洗浄装置１との間で基板Ｗを搬送するために、搬送駆動部３２０を制御する。
【0067】
なお、図５の例では、制御装置１７０は、インデクサロボット２００およびメインロボット３００の動作に加えて、複数の基板洗浄装置１の動作を制御するが、実施の形態はこれに限定されない。各基板洗浄装置１は、当該基板洗浄装置１の動作を制御するための制御装置を有してもよい。この場合、制御装置１７０はチャック制御部１７１、吸着制御部１７２、台座制御部１７３、受渡制御部１７４、下面洗浄制御部１７５、カップ制御部１７６、上面洗浄制御部１７７、ベベル洗浄制御部１７８および搬入搬出制御部１７９を含まなくてもよい。
【0068】
（４）基板洗浄装置の動作
複数の基板洗浄装置１において、図１のメインロボット３００のハンドＭａ～Ｍｄによりそれぞれ搬送された複数の基板Ｗについて洗浄処理が順次行われる。以下、ハンドＭａにより搬送された基板Ｗについての基板洗浄装置１の動作を説明するが、ハンドＭｂ～Ｍｄにより搬送された基板Ｗについての基板洗浄装置１の動作もハンドＭａにより搬送された基板Ｗについての基板洗浄装置１の動作と同様である。
複数の基板洗浄装置１において、図１のメインロボット３００のハンドＭａ～Ｍｄによりそれぞれ搬送された複数の基板Ｗについて洗浄処理が順次行われる。以下、ハンドＭａにより搬送された基板Ｗについての基板洗浄装置１の動作を説明するが、ハンドＭｂ～Ｍｄにより搬送された基板Ｗについての基板洗浄装置１の動作もハンドＭａにより搬送された基板Ｗについての基板洗浄装置１の動作と同様である。
【0069】
図６～図１７は、図３の基板洗浄装置１の動作の一例を説明するための模式図である。図６～図１７の各々においては、上段に基板洗浄装置１の平面図が示される。また、中段にＹ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示され、下段にＸ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示される。中段の側面図は図３のＡ－Ａ線側面図に対応し、下段の側面図は図３のＢ－Ｂ線側面図に対応する。なお、基板洗浄装置１における各構成要素の形状および動作状態の理解を容易にするために、上段の平面図と中段および下段の側面図との間では、一部の構成要素の拡縮率が異なる。また、図６～図１７では、処理カップ６１が二点鎖線で示されるとともに、基板Ｗの外形が太い一点鎖線で示される。
【0070】
基板洗浄装置１に基板Ｗが搬入される前の初期状態においては、開閉装置９０のシャッタ９１が搬入搬出口２ｘを閉塞している。また、図３に示されるように、下チャック１１Ａ，１１Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂ間の距離が基板Ｗの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。また、上チャック１２Ａ，１２Ｂも、上チャック１２Ａ，１２Ｂ間の距離が基板Ｗの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。また、台座装置３０の可動台座３２は、平面視で吸着保持部２１の中心が処理カップ６１の中心に位置するように配置されている。また、可動台座３２上で下面洗浄装置５０は、接近位置に配置されている。また、下面洗浄装置５０の昇降支持部５４は、下面ブラシ５１の洗浄面（上端部）が吸着保持部２１よりも下方に位置する状態にある。また、受渡装置４０は、複数の支持ピン４１が吸着保持部２１よりも下方に位置する状態にある。さらに、カップ装置６０においては、処理カップ６１は下カップ位置にある。以下の説明では、平面視における処理カップ６１の中心位置を平面基準位置ｒｐと呼ぶ。また、平面視で吸着保持部２１の中心が平面基準位置ｒｐにあるときの底面部２ａ上の可動台座３２の位置を第１の水平位置と呼ぶ。
【0071】
基板洗浄装置１のユニット筐体２内に処理前の基板Ｗが搬入される。具体的には、基板Ｗの搬入の直前にシャッタ９１が搬入搬出口２ｘを開放する。その後、図６に太い実線の矢印ａ１で示すように、図１のメインロボット３００のハンドＭａが搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２に進入し、ユニット筐体２内の略中央の位置に基板Ｗを渡す。このとき、ハンドＭａにより保持される基板Ｗは、図６に示すように、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとの間に位置する。
【0072】
次に、図７に太い実線の矢印ａ２で示すように、下チャック１１Ａ，１１Ｂの複数の支持片が基板Ｗの下面周縁部の下方に位置するように、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに近づく。この状態で、ハンドＭａが下降する。それにより、ハンドＭａに保持された基板Ｗの下面周縁部の複数の部分が、下チャック１１Ａ，１１Ｂの複数の支持片により支持される。このときの基板Ｗの位置が搬入位置である。この時点において、搬出位置には、ユニット筐体２に前回搬入されかつ処理が終了した基板Ｗが存在する。そこで、ハンドＭａは、上記のように搬入位置で下チャック１１Ａ，１１Ｂに基板Ｗを渡した後、搬出位置の処理後の基板Ｗを受け取り、ユニット筐体２から退出する。ハンドＭａの退出後、シャッタ９１は搬入搬出口２ｘを閉塞する。
【0073】
次に、図８に太い実線の矢印ａ３で示すように、上チャック１２Ａ，１２Ｂの複数の保持片が基板Ｗの外周端部に当接するように、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに近づく。上チャック１２Ａ，１２Ｂの複数の保持片が基板Ｗの外周端部の複数の部分に当接することにより、下チャック１１Ａ，１１Ｂにより支持された基板Ｗが上チャック１２Ａ，１２Ｂによりさらに保持される。このようにして、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの中心は、平面視で平面基準位置ｒｐに重なるかほぼ重なる。また、図８に太い実線の矢印ａ４で示すように、吸着保持部２１が平面基準位置ｒｐから所定距離ずれるとともに下面ブラシ５１の中心が平面基準位置ｒｐに位置するように、可動台座３２が第１の水平位置から前方に移動する。このとき、底面部２ａ上に位置する可動台座３２の位置を第２の水平位置と呼ぶ。
【0074】
次に、図９に太い実線の矢印ａ５で示すように、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗの下面中央領域に接触するように、昇降支持部５４が上昇する。また、図９に太い実線の矢印ａ６で示すように、下面ブラシ５１が上下方向の軸の周りで回転（自転）する。それにより、基板Ｗの下面中央領域に付着する汚染物質が下面ブラシ５１により物理的に剥離される。
【0075】
図９の下段には、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接触する部分の拡大側面図が吹き出し内に示される。その吹き出し内に示されるように、下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する状態で、液ノズル５２および気体噴出部５３は、基板Ｗの下面に近接する位置に保持される。このとき、液ノズル５２は、白抜きの矢印ａ５１で示すように、下面ブラシ５１の近傍の位置で基板Ｗの下面に向かって洗浄液を吐出する。これにより、液ノズル５２から基板Ｗの下面に供給された洗浄液が下面ブラシ５１と基板Ｗとの接触部に導かれることにより、下面ブラシ５１により基板Ｗの裏面から除去された汚染物質が洗浄液により洗い流される。このように、下面洗浄装置５０においては、液ノズル５２が下面ブラシ５１とともに昇降支持部５４に取り付けられている。それにより、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄部分に効率よく洗浄液を供給することができる。したがって、洗浄液の消費量が低減されるとともに洗浄液の過剰な飛散が抑制される。
【0076】
なお、基板Ｗの下面を洗浄する際の下面ブラシ５１の回転速度は、液ノズル５２から基板Ｗの下面に供給される洗浄液が下面ブラシ５１の側方に飛散しない程度の速度に維持される。
【0077】
ここで、昇降支持部５４の上面５４ｕは、吸着保持部２１から遠ざかる方向において斜め下方に傾斜している。この場合、基板Ｗの下面から汚染物質を含む洗浄液が昇降支持部５４上に落下する場合に、上面５４ｕによって受け止められた洗浄液が吸着保持部２１から遠ざかる方向に導かれる。
【0078】
また、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時には、気体噴出部５３が、図９の吹き出し内に白抜きの矢印ａ５２で示すように、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間の位置で基板Ｗの下面に向かって気体を噴射する。本実施の形態においては、気体噴出部５３は、気体噴射口がＸ方向に延びるように昇降支持部５４上に取り付けられている。この場合、気体噴出部５３から基板Ｗの下面に気体が噴射される際には、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間でＸ方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。それにより、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部２１に向かって飛散することが防止される。したがって、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部２１に付着することが防止され、吸着保持部２１の吸着面が清浄に保たれる。
【0079】
なお、図９の例においては、気体噴出部５３は、白抜きの矢印ａ５２で示すように、気体噴出部５３から下面ブラシ５１に向かって斜め上方に気体を噴射するが、実施の形態はこれに限定されない。気体噴出部５３は、気体噴出部５３から基板Ｗの下面に向かってＺ方向に沿うように気体を噴射してもよい。
【0080】
次に、図９の状態で、基板Ｗの下面中央領域の洗浄が完了すると、下面ブラシ５１の回転が停止され、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗから所定距離離間するように、昇降支持部５４が下降する。また、液ノズル５２から基板Ｗへの洗浄液の吐出が停止される。このとき、気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射は継続される。
【0081】
その後、図１０に太い実線の矢印ａ７で示すように、吸着保持部２１が平面基準位置ｒｐに位置するように、可動台座３２が後方に移動する。すなわち、可動台座３２は、第２の水平位置から第１の水平位置に移動する。このとき、気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射が継続されることにより、基板Ｗの下面中央領域が気体カーテンにより順次乾燥される。
【0082】
次に、図１１に太い実線の矢印ａ８で示すように、下面ブラシ５１の洗浄面が吸着保持部２１の吸着面（上端部）よりも下方に位置するように、昇降支持部５４が下降する。また、図１１に太い実線の矢印ａ９で示すように、上チャック１２Ａ，１２Ｂの複数の保持片が基板Ｗの外周端部から離間するように、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに遠ざかる。このとき、基板Ｗは、下チャック１１Ａ，１１Ｂにより支持された状態となる。
【0083】
その後、図１１に太い実線の矢印ａ１０で示すように、複数の支持ピン４１の上端部が下チャック１１Ａ，１１Ｂよりもわずかに上方に位置するように、ピン連結部材４２が上昇する。それにより、下チャック１１Ａ，１１Ｂにより支持された基板Ｗが、複数の支持ピン４１により受け取られる。
【0084】
次に、図１２に太い実線の矢印ａ１１で示すように、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに遠ざかる。このとき、下チャック１１Ａ，１１Ｂは、平面視で複数の支持ピン４１により支持される基板Ｗに重ならない位置まで移動する。それにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、ともに初期状態に戻る。
【0085】
次に、図１３に太い実線の矢印ａ１２で示すように、複数の支持ピン４１の上端部が吸着保持部２１よりも下方に位置するように、ピン連結部材４２が下降する。それにより、複数の支持ピン４１上に支持された基板Ｗが、吸着保持部２１により受け取られる。この状態で、吸着保持部２１は、基板Ｗの下面中央領域を吸着保持する。このようにして、下側保持装置２０により吸着保持される基板Ｗの中心は、平面視で平面基準位置ｒｐに重なるかほぼ重なる。このときの基板Ｗの位置が搬出位置である。したがって、本例では、搬出位置は、搬入位置の下方にある。ピン連結部材４２の下降と同時かまたはピン連結部材４２の下降完了後、図１３に太い実線の矢印ａ１３で示すように、処理カップ６１が下カップ位置から上カップ位置まで上昇する。それにより、搬出位置にある基板Ｗは、処理カップ６１の上端部よりも下方に位置する。
【0086】
次に、図１４に太い実線の矢印ａ１４で示すように、吸着保持部２１が上下方向の軸（吸着保持駆動部２２の回転軸の軸心）の周りで回転する。それにより、吸着保持部２１に吸着保持された基板Ｗが水平姿勢で回転する。
【0087】
次に、上面洗浄装置７０の回転支持軸７１が回転し、下降する。それにより、図１４に太い実線の矢印ａ１５で示すように、スプレーノズル７３が基板Ｗの上方の位置まで移動し、スプレーノズル７３と基板Ｗとの間の距離が予め定められた距離となるように下降する。この状態で、スプレーノズル７３は、基板Ｗの上面に洗浄液と気体との混合流体を噴射する。また、回転支持軸７１が回転する。それにより、図１４に太い実線の矢印ａ１６で示すように、スプレーノズル７３が回転する基板Ｗの上方の位置で移動する。基板Ｗの上面全体に混合流体が噴射されることにより、基板Ｗの上面全体が洗浄される。
【0088】
また、スプレーノズル７３による基板Ｗの上面の洗浄時には、端部洗浄装置８０の回転支持軸８１も回転し、下降する。それにより、図１４に太い実線の矢印ａ１７で示すように、ベベルブラシ８３が基板Ｗの外周端部の上方の位置まで移動する。また、ベベルブラシ８３の外周面の中央部分が基板Ｗの外周端部に接触するように下降する。この状態で、ベベルブラシ８３が上下方向の軸の周りで回転（自転）する。それにより、基板Ｗの外周端部に付着する汚染物質がベベルブラシ８３により物理的に剥離される。基板Ｗの外周端部から剥離された汚染物質は、スプレーノズル７３から基板Ｗに噴射される混合流体の洗浄液により洗い流される。
【0089】
さらに、スプレーノズル７３による基板Ｗの上面の洗浄時には、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗの下面外側領域に接触するように、昇降支持部５４が上昇する。また、図１４に太い実線の矢印ａ１８で示すように、下面ブラシ５１が上下方向の軸の周りで回転（自転）する。さらに、液ノズル５２は基板Ｗの下面に向かって洗浄液を吐出し、気体噴出部５３は基板Ｗの下面に向かって気体を噴射する。この状態で、さらに図１４に太い実線の矢印ａ１９で示すように、移動支持部５５が可動台座３２上で接近位置と離間位置との間を進退動作する。このように、移動支持部５５により下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接触する状態で水平方向に移動することにより、基板Ｗの下面における下面ブラシ５１による洗浄可能な範囲が拡大される。それにより、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの下面外側領域が全体に渡って下面ブラシ５１により洗浄される。
【0090】
次に、基板Ｗの上面、外周端部および下面外側領域の洗浄が完了すると、スプレーノズル７３から基板Ｗへの混合流体の噴射が停止される。また、図１５に太い実線の矢印ａ２０で示すように、スプレーノズル７３が処理カップ６１の一側方の位置（初期状態の位置）まで移動する。また、図１５に太い実線の矢印ａ２１で示すように、ベベルブラシ８３が処理カップ６１の他側方の位置（初期状態の位置）まで移動する。さらに、下面ブラシ５１の回転が停止され、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗから所定距離離間するように、昇降支持部５４が下降する。また、液ノズル５２から基板Ｗへの洗浄液の吐出、および気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射が停止される。この状態で、吸着保持部２１が高速で回転することにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗの全体が乾燥する。
【0091】
次に、図１６に太い実線の矢印ａ２２で示すように、処理カップ６１が上カップ位置から下カップ位置まで下降する。それにより、搬出位置にある基板Ｗは、処理カップ６１の上端部よりも上方に位置する。また、新たな基板Ｗがユニット筐体２内に搬入されることに備えて、図１６に太い実線の矢印ａ２３で示すように、新たな基板Ｗを支持可能な位置まで下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに近づく。
【0092】
最後に、基板洗浄装置１のユニット筐体２内から基板Ｗが搬出される。具体的には、基板Ｗの搬出の直前にシャッタ９１が搬入搬出口２ｘを開放する。この時点において、搬入位置には基板Ｗが存在しない。そこで、図１のメインロボット３００のハンドＭａは、次の処理前の基板Ｗを保持した状態で、搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２内に進入し、処理前の基板Ｗを搬入位置に渡す。その後、図１７に太い実線の矢印ａ２４で示すように、ハンドＭａは、搬出位置の処理後の基板Ｗを受け取り、ユニット筐体２から退出する。ハンドＭａの退出後、シャッタ９１は搬入搬出口２ｘを閉塞する。
【0093】
（５）基板処理
図１８および図１９は、図５の制御装置１７０による基板処理を示すフローチャートである。図１８および図１９の基板処理は、制御装置１７０のＣＰＵが記憶装置に記憶された基板処理プログラムをＲＡＭ上で実行することにより行われる。以下、図１８および図１９のフローチャートを用いて基板処理を説明する。
図１８および図１９は、図５の制御装置１７０による基板処理を示すフローチャートである。図１８および図１９の基板処理は、制御装置１７０のＣＰＵが記憶装置に記憶された基板処理プログラムをＲＡＭ上で実行することにより行われる。以下、図１８および図１９のフローチャートを用いて基板処理を説明する。
【0094】
なお、図１８および図１９のフローチャートでは、主としてメインロボット３００のハンドＭａの動作が記載されるが、ハンドＭｂ～Ｍｄの動作もハンドＭａの動作と同様である。また、図１８および図１９のフローチャートでは、インデクサロボット２００の動作の説明については省略する。
【0095】
まず、メインロボット３００は、処理前の基板Ｗを各ハンドＭａ～Ｍｄにより基板載置部ＰＡＳＳ２から搬出する（ステップＳ１）。次に、メインロボット３００は、ハンドＭａを対応する基板洗浄装置１のユニット筐体２に進入させる（ステップＳ２）。
【0096】
続いて、メインロボット３００は、ステップＳ１で基板載置部ＰＡＳＳ２から搬出された処理前の基板ＷをハンドＭａにより搬入位置に渡す（ステップＳ３）。このとき、搬出位置には基板Ｗが存在しない。そのため、メインロボット３００は、ハンドＭａを対応する基板洗浄装置１のユニット筐体２から退出させる（ステップＳ４）。また、メインロボット３００は、ハンドＭｂ～Ｍｃを用いて、対応する基板洗浄装置１に対してステップＳ２～Ｓ４と同様の処理を順次実行する。
【0097】
次に、各基板洗浄装置１は、図６～図１７の洗浄処理を実行する（ステップＳ５）。また、メインロボット３００は、処理前の基板Ｗを各ハンドＭａ～Ｍｄにより基板載置部ＰＡＳＳ２から搬出する（ステップＳ６）。ステップＳ５とステップＳ６とは、並列的に実行されてもよい。
【0098】
洗浄処理の終了後、メインロボット３００は、ハンドＭａを対応する基板洗浄装置１のユニット筐体２に進入させる（ステップＳ７）。その後、メインロボット３００は、ステップＳ６で基板載置部ＰＡＳＳ２から搬出された処理前の基板ＷをハンドＭａにより搬入位置に渡す（ステップＳ８）。このとき、搬出位置には、ステップＳ５または後述するステップＳ１１で洗浄処理された基板Ｗが存在する。
【0099】
そこで、メインロボット３００は、処理後の基板ＷをハンドＭａにより搬出位置から受け取る（ステップＳ９）。その後、メインロボット３００は、ハンドＭａを対応する基板洗浄装置１のユニット筐体２から退出させる（ステップＳ１０）。また、メインロボット３００は、ハンドＭｂ～Ｍｃを用いて、対応する基板洗浄装置１に対してステップＳ７～Ｓ１０と同様の処理を順次実行する。
【0100】
次に、各基板洗浄装置１は、図６～図１７の洗浄処理を実行する（ステップＳ１１）。また、メインロボット３００は、ステップＳ９で搬出位置から受け取られた処理後の各基板ＷをハンドＭａ～Ｍｄにより基板載置部ＰＡＳＳ１に搬入する（ステップＳ１２）。ステップＳ１１とステップＳ１２とは、並列的に実行されてもよい。
【0101】
続いて、制御装置１７０は、基板処理を終了するか否かを判定する（ステップＳ１３）。制御装置１７０は、使用者により終了指令が与えられた場合に、基板処理を終了すると判定してもよい。あるいは、制御装置１７０は、所定枚数の基板Ｗの洗浄処理を実行した場合に、基板処理を終了すると判定してもよい。基板処理を終了すると判定された場合、制御装置１７０は、ステップＳ６に戻る。この場合、基板処理を終了すると判定されるまで、ステップＳ６～Ｓ１３が繰り返される。
【0102】
基板処理を終了すると判定された場合、メインロボット３００は、ハンドＭａを対応する基板洗浄装置１のユニット筐体２に進入させる（ステップＳ１４）。このとき、搬出位置には、ステップＳ１１で洗浄処理された基板Ｗが存在する。そこで、メインロボット３００は、処理後の基板ＷをハンドＭａにより搬出位置から受け取る（ステップＳ１５）。その後、メインロボット３００は、ハンドＭａを対応する基板洗浄装置１のユニット筐体２から退出させる（ステップＳ１６）。また、メインロボット３００は、ハンドＭｂ～Ｍｃを用いて、対応する基板洗浄装置１に対してステップＳ１４～Ｓ１６と同様の処理を順次実行する。
【0103】
最後に、メインロボット３００は、ステップＳ１５で搬出位置から受け取られた処理後の各基板ＷをハンドＭａ～Ｍｄにより基板載置部ＰＡＳＳ１に搬入する（ステップＳ１７）。これにより、基板処理が終了する。
【0104】
（６）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、メインロボット３００のハンドＭａ～Ｍｄが対応する基板洗浄装置１に進入される。各ハンドＭａ～Ｍｄにより保持された処理前の基板Ｗが対応する基板洗浄装置１の搬入位置に渡される。処理前の基板Ｗが搬入位置に渡された後、各ハンドＭａ～Ｍｄにより対応する基板洗浄装置１の搬出位置から処理後の基板Ｗが受け取られる。処理後の基板Ｗが搬出位置から受け取られた後、各ハンドＭａ～Ｍｄが対応する基板洗浄装置１から退出される。各基板洗浄装置１により処理前の基板Ｗに処理が行われる。
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、メインロボット３００のハンドＭａ～Ｍｄが対応する基板洗浄装置１に進入される。各ハンドＭａ～Ｍｄにより保持された処理前の基板Ｗが対応する基板洗浄装置１の搬入位置に渡される。処理前の基板Ｗが搬入位置に渡された後、各ハンドＭａ～Ｍｄにより対応する基板洗浄装置１の搬出位置から処理後の基板Ｗが受け取られる。処理後の基板Ｗが搬出位置から受け取られた後、各ハンドＭａ～Ｍｄが対応する基板洗浄装置１から退出される。各基板洗浄装置１により処理前の基板Ｗに処理が行われる。
【0105】
この構成によれば、各基板洗浄装置１に処理後の基板Ｗが存在する場合でも、処理前の基板Ｗを基板洗浄装置１に搬入することができる。そのため、ハンドＭａ～Ｍｄにより対応する基板洗浄装置１に処理前の基板Ｗを渡した後に、同一のハンドＭａ～Ｍｄにより処理後の基板Ｗを受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板Ｗを受け取るために、基板Ｗを保持しないハンドを設ける必要がない。また、複数のハンドＭａ～Ｍｄにより、処理前の基板Ｗを渡すとともに、処理後の基板Ｗを受け取る動作を複数の基板洗浄装置１に対して連続的に行うことが可能となる。これにより、スループットをより向上させることができる。
【0106】
また、各基板洗浄装置１において、搬入位置に搬入された基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された状態で、下面洗浄装置５０により下面中央領域の洗浄処理が行われる。次に、受渡装置４０により基板Ｗは下側保持装置２０により渡される。続いて、基板Ｗが下側保持装置２０により保持された状態で、下面洗浄装置５０により下面外側領域の洗浄処理が行われる。これにより、基板Ｗの下面全体を効率よく洗浄しつつ、洗浄後の基板Ｗを搬出位置から搬出することができる。搬入位置と搬出位置とは、上下方向に並ぶように配置されるので、基板洗浄装置１の設置床面積（フットプリント）を低減することができる。
【0107】
また、上記のように、１つの基板洗浄装置１に対して１つのハンドにより基板の渡しおよび受け取りが行われるので、ハンドの不良により基板Ｗの割れ等の搬送不良が発生した場合に、問題が発生しているハンドを容易に特定することができる。さらに、スループットが向上されるので、メインロボット３００の搬送速度を大きくする必要がない。これにより、搬送の安定性を向上させることができる。
【0108】
（７）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、搬出位置は搬入位置の下方に設けられるが、実施の形態はこれに限定されない。搬出位置は、搬入位置の上方に設けられてもよい。例えば、下側保持装置２０の吸着保持部２１の中心に搬入位置が設けられ、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ間に搬出位置が設けられてもよい。
（ａ）上記実施の形態において、搬出位置は搬入位置の下方に設けられるが、実施の形態はこれに限定されない。搬出位置は、搬入位置の上方に設けられてもよい。例えば、下側保持装置２０の吸着保持部２１の中心に搬入位置が設けられ、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ間に搬出位置が設けられてもよい。
【0109】
この構成においては、基板Ｗは搬入位置に渡され、最初に下側保持装置２０により吸着保持された状態で、その下面中央領域、外周端部および上面が洗浄される。その後、下側保持装置２０により保持された基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより受け取られ、搬出位置で保持される。この状態で、基板Ｗの下面中央領域が洗浄される。洗浄後の基板Ｗは、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂからユニット筐体２の外部に搬出される。
【0110】
あるいは、搬入位置と搬出位置とは上下方向に並ぶように配置されなくてもよい。搬入位置と搬出位置とは、例えば水平方向に並ぶように配置されてもよい。
【0111】
（ｂ）上記実施の形態において、受渡装置４０が受渡部であり、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂと下側保持装置２０との間で基板Ｗを受け渡すが、実施の形態はこれに限定されない。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂおよび下側保持装置２０のうち少なくとも一方が昇降可能に構成される場合には、受渡装置４０は設けられなくてもよい。この場合、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂおよび下側保持装置２０のうち少なくとも一方が受渡部であり、当該受渡部が昇降することにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂと下側保持装置２０との間で基板Ｗが受け渡される。
【0112】
（ｃ）上記実施の形態において、メインロボット３００は４つのハンドＭａ～Ｍｄを有するが、実施の形態はこれに限定されない。メインロボット３００は、２つ、３つまたは５つ以上のハンドを有してもよい。また、基板処理装置１００には、メインロボット３００のハンドに対応するように基板洗浄装置１が設けられることが好ましい。あるいは、メインロボット３００は、１つのハンドを有してもよい。この場合でも、ハンドの数当たりのスループットを向上させることができる。
【0113】
（ｄ）上記実施の形態において、処理ユニットとして洗浄処理を行う基板洗浄装置１が設けられるが、実施の形態はこれに限定されない。処理ユニットとして熱処理を行う熱処理装置、現像処理を行う現像装置または塗布処理を行う塗布装置等が設けられてもよい。また、熱処理装置は、基板に互いに異なる処理として、加熱処理と冷却処理とを実行可能に構成されてもよい。現像装置は、基板に互いに異なる処理として、ポジティブ現像とネガティブ現像とを実行可能に構成されてもよい。
【0114】
（ｅ）上記実施の形態において、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗと、下側保持装置２０により保持された基板Ｗとに互いに異なる処理が行われるが、実施の形態はこれに限定されない。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗと、下側保持装置２０により保持された基板Ｗとに同じ処理が行われてもよい。あるいは、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗ、または下側保持装置２０により保持された基板Ｗには処理が行われなくてもよい。
【0115】
（ｆ）上記実施の形態において、基板処理装置１００は基板洗浄装置１およびメインロボット３００等を制御する制御装置１７０を含むが、実施の形態はこれに限定されない。基板洗浄装置１およびメインロボット３００が基板処理装置１００の外部の情報処理装置により制御可能に構成されている場合には、基板処理装置１００は制御装置１７０を含まなくてもよい。
【0116】
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【0117】
上記実施の形態においては、基板Ｗが基板の例であり、基板洗浄装置１が処理ユニットの例であり、ハンドＭａ～Ｍｄが搬送保持部の例であり、メインロボット３００が基板搬送部の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例である。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが第１の基板保持部の例であり、下面洗浄装置５０が第１および第２の処理部の例であり、下側保持装置２０が第２の基板保持部の例であり、受渡装置４０が受渡部の例である。
（９）参考形態
（９－１）第１の参考形態に係る基板処理装置は、処理前の基板が搬入される搬入位置と処理後の基板が搬出される搬出位置とを有し、処理前の基板を処理する処理ユニットと、処理前および処理後の基板を選択的に保持可能に構成された搬送保持部を有する基板搬送部とを備え、搬送保持部は、処理前の基板を保持して処理ユニットに進入して処理前の基板を搬入位置に渡した後、搬出位置から処理後の基板を受け取り、処理後の基板の受け取り後に処理ユニットから退出する。
この基板処理装置においては、基板搬送部の搬送保持部が処理ユニットに進入される。搬送保持部により保持された処理前の基板が処理ユニットの搬入位置に渡される。処理前の基板が搬入位置に渡された後、搬送保持部により処理ユニットの搬出位置から処理後の基板が受け取られる。処理後の基板が搬出位置から受け取られた後、搬送保持部が処理ユニットから退出される。処理ユニットにより処理前の基板に処理が行われる。
この構成によれば、処理ユニットに処理後の基板が存在する場合でも、処理前の基板を処理ユニットに搬入することができる。そのため、処理ユニットに処理前の基板を渡した後に、当該搬送保持部により処理後の基板を受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板を受け取るために、基板を保持しない搬送保持部を設ける必要がない。これにより、搬送保持部の数当たりのスループットを向上させることができる。
（９－２）搬入位置と搬出位置とは、上下方向に並ぶように配置されてもよい。この場合、処理ユニットの設置床面積（フットプリント）を低減することができる。
（９－３）処理ユニットは複数設けられ、搬送保持部は、複数の処理ユニットにそれぞれ対応するように複数設けられ、複数の基板搬送部の各々は、対応する処理ユニットに進入して処理前の基板を搬入位置に渡した後、搬出位置から処理後の基板を受け取り、処理後の基板の受け取り後に対応する処理ユニットから退出してもよい。この場合、処理前の基板を渡すとともに、処理後の基板を受け取る動作を複数の処理ユニットに対して連続的に行うことが可能となる。これにより、スループットをより向上させることができる。
（９－４）処理ユニットは、搬入位置に搬入された基板を保持する第１の基板保持部と、第１の基板保持部により保持された基板に処理を行う第１の処理部と、搬出位置から搬入される基板を保持する第２の基板保持部と、第１の処理部により処理された基板を第１の基板保持部から第２の基板保持部に渡す受渡部と、第２の基板保持部により保持された基板に処理を行う第２の処理部とを含んでもよい。この場合、搬入位置に搬入され、第１および第２の処理部により処理された基板を処理後の基板として搬出位置から搬出することができる。
（９－５）第１の処理部と第２の処理部とは、基板に互いに異なる処理を行ってもよい。この場合、基板に異なる処理を効率よく行うことができる。
（９－６）第１の処理部は、基板の下面中央領域の洗浄処理を行い、第２の処理部は、基板の下面中央領域を取り囲む下面外側領域の洗浄処理を行ってもよい。この場合、基板の下面全体の洗浄処理を効率よく行うことができる。
（９－７）第２の参考形態に係る基板処理方法は、基板搬送部の搬送保持部を処理ユニットに進入させるステップと、搬送保持部により保持された処理前の基板を処理ユニットの搬入位置に渡すステップと、処理前の基板が搬入位置に渡された後、搬送保持部により処理ユニットの搬出位置から処理後の基板を受け取るステップと、処理後の基板が搬出位置から受け取られた後、搬送保持部を処理ユニットから退出させるステップと、処理ユニットにより処理前の基板に処理を行うステップとを含む。
この基板処理方法によれば、処理ユニットに処理後の基板が存在する場合でも、処理前の基板を処理ユニットに搬入することができる。そのため、処理ユニットに処理前の基板を渡した後に、当該搬送保持部により処理後の基板を受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板を受け取るために、基板を保持しない搬送保持部を設ける必要がない。これにより、搬送保持部の数当たりのスループットを向上させることができる。
（９）参考形態
（９－１）第１の参考形態に係る基板処理装置は、処理前の基板が搬入される搬入位置と処理後の基板が搬出される搬出位置とを有し、処理前の基板を処理する処理ユニットと、処理前および処理後の基板を選択的に保持可能に構成された搬送保持部を有する基板搬送部とを備え、搬送保持部は、処理前の基板を保持して処理ユニットに進入して処理前の基板を搬入位置に渡した後、搬出位置から処理後の基板を受け取り、処理後の基板の受け取り後に処理ユニットから退出する。
この基板処理装置においては、基板搬送部の搬送保持部が処理ユニットに進入される。搬送保持部により保持された処理前の基板が処理ユニットの搬入位置に渡される。処理前の基板が搬入位置に渡された後、搬送保持部により処理ユニットの搬出位置から処理後の基板が受け取られる。処理後の基板が搬出位置から受け取られた後、搬送保持部が処理ユニットから退出される。処理ユニットにより処理前の基板に処理が行われる。
この構成によれば、処理ユニットに処理後の基板が存在する場合でも、処理前の基板を処理ユニットに搬入することができる。そのため、処理ユニットに処理前の基板を渡した後に、当該搬送保持部により処理後の基板を受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板を受け取るために、基板を保持しない搬送保持部を設ける必要がない。これにより、搬送保持部の数当たりのスループットを向上させることができる。
（９－２）搬入位置と搬出位置とは、上下方向に並ぶように配置されてもよい。この場合、処理ユニットの設置床面積（フットプリント）を低減することができる。
（９－３）処理ユニットは複数設けられ、搬送保持部は、複数の処理ユニットにそれぞれ対応するように複数設けられ、複数の基板搬送部の各々は、対応する処理ユニットに進入して処理前の基板を搬入位置に渡した後、搬出位置から処理後の基板を受け取り、処理後の基板の受け取り後に対応する処理ユニットから退出してもよい。この場合、処理前の基板を渡すとともに、処理後の基板を受け取る動作を複数の処理ユニットに対して連続的に行うことが可能となる。これにより、スループットをより向上させることができる。
（９－４）処理ユニットは、搬入位置に搬入された基板を保持する第１の基板保持部と、第１の基板保持部により保持された基板に処理を行う第１の処理部と、搬出位置から搬入される基板を保持する第２の基板保持部と、第１の処理部により処理された基板を第１の基板保持部から第２の基板保持部に渡す受渡部と、第２の基板保持部により保持された基板に処理を行う第２の処理部とを含んでもよい。この場合、搬入位置に搬入され、第１および第２の処理部により処理された基板を処理後の基板として搬出位置から搬出することができる。
（９－５）第１の処理部と第２の処理部とは、基板に互いに異なる処理を行ってもよい。この場合、基板に異なる処理を効率よく行うことができる。
（９－６）第１の処理部は、基板の下面中央領域の洗浄処理を行い、第２の処理部は、基板の下面中央領域を取り囲む下面外側領域の洗浄処理を行ってもよい。この場合、基板の下面全体の洗浄処理を効率よく行うことができる。
（９－７）第２の参考形態に係る基板処理方法は、基板搬送部の搬送保持部を処理ユニットに進入させるステップと、搬送保持部により保持された処理前の基板を処理ユニットの搬入位置に渡すステップと、処理前の基板が搬入位置に渡された後、搬送保持部により処理ユニットの搬出位置から処理後の基板を受け取るステップと、処理後の基板が搬出位置から受け取られた後、搬送保持部を処理ユニットから退出させるステップと、処理ユニットにより処理前の基板に処理を行うステップとを含む。
この基板処理方法によれば、処理ユニットに処理後の基板が存在する場合でも、処理前の基板を処理ユニットに搬入することができる。そのため、処理ユニットに処理前の基板を渡した後に、当該搬送保持部により処理後の基板を受け取ることが可能となる。したがって、処理後の基板を受け取るために、基板を保持しない搬送保持部を設ける必要がない。これにより、搬送保持部の数当たりのスループットを向上させることができる。
【符号の説明】
【0118】
１…基板洗浄装置，２…ユニット筐体，２ａ…底面部，２ｂ～２ｅ…側壁部，２ｘ…搬入搬出口，１０Ａ，１０Ｂ…上側保持装置，１１Ａ，１１Ｂ…下チャック，１２Ａ，１２Ｂ…上チャック，１３Ａ，１３Ｂ…下チャック駆動部，１４Ａ，１４Ｂ…上チャック駆動部，２０…下側保持装置，２１…吸着保持部，２２…吸着保持駆動部，３０…台座装置，３１…リニアガイド，３２…可動台座，３３…台座駆動部，４０…受渡装置，４１…支持ピン，４２…ピン連結部材，４３…ピン昇降駆動部，５０…下面洗浄装置，５１…下面ブラシ，５２…液ノズル，５３…気体噴出部，５４…昇降支持部，５４ｕ…上面，５５…移動支持部，５５ａ…下面ブラシ回転駆動部，５５ｂ…下面ブラシ昇降駆動部，５５ｃ…下面ブラシ移動駆動部，５６…下面洗浄液供給部，５７…噴出気体供給部，６０…カップ装置，６１…処理カップ，６２…カップ駆動部，７０…上面洗浄装置，７１，８１…回転支持軸，７２，８２…アーム，７３…スプレーノズル，７４…上面洗浄駆動部，７５…上面洗浄流体供給部，８０…端部洗浄装置，８３…ベベルブラシ，８４…ベベルブラシ駆動部，９０…開閉装置，９１…シャッタ，９２…シャッタ駆動部，１００…基板処理装置，１１０…インデクサブロック，１２０…処理ブロック，１４０…キャリア載置台，１５０，１６３…搬送部，１６１，１６２…洗浄部，１７０…制御装置，１７１…チャック制御部，１７２…吸着制御部，１７３…台座制御部，１７４…受渡制御部，１７５…下面洗浄制御部，１７６…カップ制御部，１７７…上面洗浄制御部，１７８…ベベル洗浄制御部，１７９…搬入搬出制御部，１８０，１８１…搬送制御部，２００…インデクサロボット，２１０，３１０…ハンド支持部材，２２０，３２０…搬送駆動部，３００…メインロボット，Ｃ…キャリア，Ｉａ～Ｉｄ，Ｍａ～Ｍｄ…ハンド，ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２…基板載置部，ｒｐ…平面基準位置，Ｗ…基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】