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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-17
(45)【発行日】2024-10-25
(54)【発明の名称】Ａｕスパッタリングターゲット
(51)【国際特許分類】
C23C 14/34 20060101AFI20241018BHJP
【ＦＩ】
C23C14/34 A
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2024533934
(86)(22)【出願日】2023-09-19
(86)【国際出願番号】 JP2023033946
(87)【国際公開番号】W WO2024084878
(87)【国際公開日】2024-04-25
【審査請求日】2024-06-05
(31)【優先権主張番号】P 2022166509
(32)【優先日】2022-10-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】596133201
【氏名又は名称】松田産業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002860
【氏名又は名称】弁理士法人秀和特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 汰一
【審査官】神▲崎▼ 賢一
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０２２／０３８７９６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０２２－１２８４６３（ＪＰ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０４５６１６３９（ＣＮ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／１１１９４５（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００９－１９１３２３（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２３Ｃ １４／３４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ａｕスパッタリングターゲットであって、スパッタ面の表面粗さＲａの平均値が０．１μｍ以上、５０．０μｍ以下であり、最大値と最小値との差が１０．０μｍ以下であり、かつ、
スパッタ面の表面粗さＲｚの平均値が８０．０μｍ以下であり、最大値と最小値との差が１０．０μｍ以下であり、かつ、
スパッタ面におけるＸ線回折により測定される(２２０)結晶面の半値幅の平均値が１．０以下である、
Ａｕスパッタリングターゲット。
【請求項2】
前記表面粗さＲａの平均値が１．０μｍ超である、請求項１に記載のＡｕスパッタリングターゲット。
【請求項3】
前記表面粗さＲａの平均値が１０．０μｍ超である、請求項２に記載のＡｕスパッタリングターゲット。
【請求項4】
前記表面粗さＲｚの最大値と最小値との差が５．０μｍ以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載のＡｕスパッタリングターゲット
【請求項5】
前記表面粗さＲｚの最大値と最小値との差が３．０μｍ以下である、請求項４に記載のＡｕスパッタリングターゲット。
【請求項6】
スパッタ面におけるＸ線回折により測定される(２２０)結晶面の半値幅のばらつきが±０．１以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載のＡｕスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、Ａｕスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【0002】
スパッタリング法は、半導体分野における微細配線、ＭＥＭＳ、光デバイス、ＬＥＤ、又は有機ＥＬ等に用いられている。スパッタリングとは、真空中でＡｒガスなどを導入し、ターゲットと呼ばれる成膜材料に負の電圧を印加し、イオン化したＡｒガスを高速でターゲット表面（スパッタ面）に衝突させて、成膜材料の粒子（原子及び／又は分子）を激しく弾き出し、対向する基板表面に堆積させて薄膜を形成する技術である。スパッタリング法では、高融点の金属や合金など、真空蒸着法では困難な材料でも、成膜が可能で、広範囲な成膜材料に対応できる。
【0003】
スパッタリングターゲットの材料の開発は幅広く行われており、貴金属を用いた開発も行われている。貴金属のスパッタリングターゲットを用いて成膜された貴金属膜は、貴金属自体の優れた化学的安定性と電気特性のために様々な分野で用いられている。例えば、水晶振動子デバイスにおいては、水晶チップの両面に形成する励振電極等として貴金属膜が用いられている。水晶振動子デバイスでは、貴金属膜の膜厚により振動周波数を調整すること等から、スパッタリング時に均一な膜厚分布で貴金属膜を成膜することが可能な貴金属スパッタリングターゲットが求められている。
【0004】
スパッタリングターゲットは、様々な方法で製造されているが、その製造の最終工程では、一般的にターゲットの表面を研削及び／又は研磨する工程が設けられる。
例えば、特許文献１には、Ａｇを含む原料を溶解炉中で溶解させ、冷却固化して得られたＡｇ合金インゴットを冷間圧延し、熱処理した後、耐水紙での研磨、およびバフ研磨を行い、スパッタリングターゲットを得る技術が開示されている。
また、特許文献２には、金属のインゴットを用いて繰り返し圧延加工を行い、フライス盤による機械加工を行った後、バフ研磨を行い、スパッタリングターゲットを得る技術が開示されている。
例えば、特許文献１には、Ａｇを含む原料を溶解炉中で溶解させ、冷却固化して得られたＡｇ合金インゴットを冷間圧延し、熱処理した後、耐水紙での研磨、およびバフ研磨を行い、スパッタリングターゲットを得る技術が開示されている。
また、特許文献２には、金属のインゴットを用いて繰り返し圧延加工を行い、フライス盤による機械加工を行った後、バフ研磨を行い、スパッタリングターゲットを得る技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１７－０３１５０３号公報
【文献】特開２００２－１４６５２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上述したように、従来のスパッタリングターゲットの製造方法の最終段階では、様々な研磨等の操作が行われるが、最終的に得られるターゲットのスパッタ面の状態、特にＡｕスパッタリングターゲットのスパッタ面の状態の検討は十分なものとはいえず、改善の余地が残されていた。
【0007】
かかる問題に鑑み、本発明は、スパッタリング初期に成膜されるスパッタリング膜の膜厚分布の安定性に優れ、また、スパッタリング初期におけるデポレートの安定化を図ることができる、Ａｕスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明者は、鋭意検討の結果、スパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚを特定の数値範囲とし、かつ、表面粗さの面内ばらつきを小さくすることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明に到達した。
【0009】
［１］ Ａｕスパッタリングターゲットであって、
スパッタ面における表面粗さＲａの平均値が０．１μｍ以上、５０．０μｍ以下であり、最大値と最小値との差が１０．０μｍ以下であり、かつ、
スパッタ面における表面粗さＲｚの平均値が８０．０μｍ以下であり、最大値と最小値との差が１０．０μｍ以下である、
Ａｕスパッタリングターゲット。
［２］ 前記表面粗さＲａの平均値が１．０μｍ超である、［１］に記載のＡｕスパッタリングターゲット。
［３］ 前記表面粗さＲａの平均値が１０．０μｍ超である、［２］に記載のＡｕスパッタリングターゲット。
［４］ 前記表面粗さＲｚの最大値と最小値との差が５．０μｍ以下である、［１］～［３］のいずれかに記載のＡｕスパッタリングターゲット。
［５］ 前記表面粗さＲｚの最大値と最小値との差が３．０μｍ以下である、［４］に記載のＡｕスパッタリングターゲット。
［６］ スパッタ面におけるＸ線回折により測定される(２２０)結晶面の半値幅の平均値が１．０以下である、［１］～［５］のいずれかに記載のＡｕスパッタリングターゲット。
［７］ スパッタ面におけるＸ線回折により測定される(２２０)結晶面の半値幅のばらつきが±０．１以下である、［１］～［６］のいずれかに記載のＡｕスパッタリングターゲット。
スパッタ面における表面粗さＲａの平均値が０．１μｍ以上、５０．０μｍ以下であり、最大値と最小値との差が１０．０μｍ以下であり、かつ、
スパッタ面における表面粗さＲｚの平均値が８０．０μｍ以下であり、最大値と最小値との差が１０．０μｍ以下である、
Ａｕスパッタリングターゲット。
［２］ 前記表面粗さＲａの平均値が１．０μｍ超である、［１］に記載のＡｕスパッタリングターゲット。
［３］ 前記表面粗さＲａの平均値が１０．０μｍ超である、［２］に記載のＡｕスパッタリングターゲット。
［４］ 前記表面粗さＲｚの最大値と最小値との差が５．０μｍ以下である、［１］～［３］のいずれかに記載のＡｕスパッタリングターゲット。
［５］ 前記表面粗さＲｚの最大値と最小値との差が３．０μｍ以下である、［４］に記載のＡｕスパッタリングターゲット。
［６］ スパッタ面におけるＸ線回折により測定される(２２０)結晶面の半値幅の平均値が１．０以下である、［１］～［５］のいずれかに記載のＡｕスパッタリングターゲット。
［７］ スパッタ面におけるＸ線回折により測定される(２２０)結晶面の半値幅のばらつきが±０．１以下である、［１］～［６］のいずれかに記載のＡｕスパッタリングターゲット。
【発明の効果】
【0010】
本発明により、スパッタリング初期に成膜されるスパッタリング膜の膜厚分布の安定性に優れ、また、スパッタリング初期におけるデポレートの安定化を図ることができる、Ａｕスパッタリングターゲットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、これらの説明は本発明の実施形態の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限りこれらの内容に限定されない。
本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味し、「Ａ～Ｂ」は、Ａ以上Ｂ以下であることを意味する。
また、図面について、本実施形態に記載されている構成要素の寸法、形状、それらの相対的な配置等は一例である。
また、本明細書では複数の実施形態を説明するが、これらは可能な範囲で組み合わせることができる。
また、本明細書において「Ａ又はＢ」の表現は、「Ａ及びＢからなる群から選択される少なくとも１つ」と読み替えることができる。
本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味し、「Ａ～Ｂ」は、Ａ以上Ｂ以下であることを意味する。
また、図面について、本実施形態に記載されている構成要素の寸法、形状、それらの相対的な配置等は一例である。
また、本明細書では複数の実施形態を説明するが、これらは可能な範囲で組み合わせることができる。
また、本明細書において「Ａ又はＢ」の表現は、「Ａ及びＢからなる群から選択される少なくとも１つ」と読み替えることができる。
【0013】
＜Ａｕスパッタリングターゲット＞
本発明の実施形態に係るスパッタリングターゲット（以下、単に「ターゲット」とも称する。）は、
Ａｕスパッタリングターゲットであって、
前記ターゲットの表面で測定される表面粗さＲａについて、平均値が０．１μｍ以上、５０．０μｍ以下であり、最大値と最小値との差が１０．０μｍ以下であり、また、
前記ターゲットの表面で測定される表面粗さＲｚについて、平均値が８０．０μｍ以下であり、最大値と最小値との差が１０．０μｍ以下である、
Ａｕスパッタリングターゲットである。
本発明の実施形態に係るスパッタリングターゲット（以下、単に「ターゲット」とも称する。）は、
Ａｕスパッタリングターゲットであって、
前記ターゲットの表面で測定される表面粗さＲａについて、平均値が０．１μｍ以上、５０．０μｍ以下であり、最大値と最小値との差が１０．０μｍ以下であり、また、
前記ターゲットの表面で測定される表面粗さＲｚについて、平均値が８０．０μｍ以下であり、最大値と最小値との差が１０．０μｍ以下である、
Ａｕスパッタリングターゲットである。
【0014】
本開示の表面粗さＲａの平均値とは、下記の測定点Ａ～Ｅで示される５つの各測定点において測定されるターゲットの表面粗さＲａの平均値であり、本開示の表面粗さＲａの最大値と最小値との差とは、下記５つの各測定点において測定されるターゲットの表面粗さＲａのうち、最大値と最小値との差である。これは、Ｒｚについても同様である。
（測定点）
測定点Ａ：前記ターゲットのスパッタ面の中心点。
測定点Ｂ：前記測定点Ａと前記ターゲットのスパッタ面の縁上の任意の点ｂとを結ぶ第１の仮想的な線分を引いた場合において、前記点ｂから５ｍｍの長さに位置する前記第１の仮想的な線分上の点。
測定点Ｃ：前記測定点Ａと前記測定点Ｂとを結ぶ第２の仮想的な線分の中点。
測定点Ｄ：前記測定点Ａを通り、前記第１の仮想的な線分に直交する前記ターゲットのスパッタ面上に仮想的な直線Ｄを引き、前記直線Ｄと交わる前記ターゲットのスパッタ面の縁上の２点のうちの少なくとも一方の点を点ｄとし、前記測定点Ａと前記点ｄとを結ぶ第３の仮想的な線分を引いた場合において、前記点ｄから前記測定点Ａに向かって５ｍｍの長さに位置する前記第３の仮想的な線分上の点。
測定点Ｅ：前記測定点Ａと前記測定点Ｄとを結ぶ第４の仮想的な線分の中点。
（測定点）
測定点Ａ：前記ターゲットのスパッタ面の中心点。
測定点Ｂ：前記測定点Ａと前記ターゲットのスパッタ面の縁上の任意の点ｂとを結ぶ第１の仮想的な線分を引いた場合において、前記点ｂから５ｍｍの長さに位置する前記第１の仮想的な線分上の点。
測定点Ｃ：前記測定点Ａと前記測定点Ｂとを結ぶ第２の仮想的な線分の中点。
測定点Ｄ：前記測定点Ａを通り、前記第１の仮想的な線分に直交する前記ターゲットのスパッタ面上に仮想的な直線Ｄを引き、前記直線Ｄと交わる前記ターゲットのスパッタ面の縁上の２点のうちの少なくとも一方の点を点ｄとし、前記測定点Ａと前記点ｄとを結ぶ第３の仮想的な線分を引いた場合において、前記点ｄから前記測定点Ａに向かって５ｍｍの長さに位置する前記第３の仮想的な線分上の点。
測定点Ｅ：前記測定点Ａと前記測定点Ｄとを結ぶ第４の仮想的な線分の中点。
【0015】
上記の測定点Ａ～Ｅを説明するための図を図１に示す。図１（ａ）は、ターゲットの平面図であり、ターゲットのスパッタされる面（スパッタ面）の形状が丸形状である場合の測定点Ａ～Ｅを示し、図１（ｂ）は、ターゲットのスパッタ面の形状が四角形状である場合の測定点Ａ～Ｅを示す。なお、図１における測定点Ａ～Ｅの位置は一例であり、点Ｂを設定するためのターゲットのスパッタ面の縁上の任意の点Ｂの位置が変化すれば、点Ｃ～Ｅの位置も変化する。なお、図１では、上記の点ｂおよび点ｄの図示を省略している。
【0016】
表面粗さＲａ、及び後述するＲｚ、並びにそれらの各表面粗さの最大値と最小値との差を評価する測定点は、上記の測定点Ａ～Ｅで示される５つの各測定点であればよいが、前記ターゲットのスパッタ面の縁から５ｍｍの長さの位置までに含まれる領域以外の前記ターゲットのスパッタ面の領域（測定領域Ｉ）から任意に選択される５つの各測定であることが好ましい。この測定領域Ｉを説明するための図を図２に示す。図２中の斜線の領域が測定領域Ｉである。
なお、特定の測定点で測定を行う場合、測定箇所が点である測定であれば、対象の測定点で測定を行えばよく、測定箇所が一定の領域を占める測定であれば、対象の測定点がその領域に含まれるように測定を行えばよい。
なお、特定の測定点で測定を行う場合、測定箇所が点である測定であれば、対象の測定点で測定を行えばよく、測定箇所が一定の領域を占める測定であれば、対象の測定点がその領域に含まれるように測定を行えばよい。
【0017】
従来、Ａｕスパッタリングターゲットでは、製造工程の最終段階において、スパッタリングを実施する側のターゲットの表面（スパッタ面）を研磨する工程が設けられていた。従来のターゲットの製造における研磨の工程では、最終的に得られるターゲットのスパッタ面における表面粗さをできるだけ小さくする方向で研磨等の処理が行われてきた。
しかし、スパッタリングターゲットのスパッタ面の状態は、初期スパッタにより成膜される膜の膜厚分布や、初期のスパッタにおけるデポレートに影響を及ぼす要因であるが、これらの関係性についての検討は十分ではなかった。スパッタリング初期におけるスパッタ膜の特性や初期スパッタの特性が不安定な傾向にあると、この傾向はその後のスパッタリングに影響を及ぼすことなる。また、これらの特性が不安定であると、プレ・スパッタリング時間が長くなってしまう傾向にあった。
そこで、本発明者らは鋭意検討した結果、表面粗さの平均値を評価するＲａについて、ターゲット各所で測定されたＲａを０．１μｍ以上という比較的粗化した状態としつつ、表面粗さＲａの最大値と最小値の差を小さくする、すなわち、面内の分布（ばらつき）を小さくすることにより、スパッタリング初期に成膜されるスパッタリング膜の膜厚分布の安定性に優れ、また、スパッタリング初期におけるデポレート（堆積速度）の安定化を図ることができるＡｕスパッタリングターゲットを得ることができること見出した。
しかし、スパッタリングターゲットのスパッタ面の状態は、初期スパッタにより成膜される膜の膜厚分布や、初期のスパッタにおけるデポレートに影響を及ぼす要因であるが、これらの関係性についての検討は十分ではなかった。スパッタリング初期におけるスパッタ膜の特性や初期スパッタの特性が不安定な傾向にあると、この傾向はその後のスパッタリングに影響を及ぼすことなる。また、これらの特性が不安定であると、プレ・スパッタリング時間が長くなってしまう傾向にあった。
そこで、本発明者らは鋭意検討した結果、表面粗さの平均値を評価するＲａについて、ターゲット各所で測定されたＲａを０．１μｍ以上という比較的粗化した状態としつつ、表面粗さＲａの最大値と最小値の差を小さくする、すなわち、面内の分布（ばらつき）を小さくすることにより、スパッタリング初期に成膜されるスパッタリング膜の膜厚分布の安定性に優れ、また、スパッタリング初期におけるデポレート（堆積速度）の安定化を図ることができるＡｕスパッタリングターゲットを得ることができること見出した。
【0018】
一方で、表面粗さＲａは算術平均粗さであり、凹凸の平均を見ているため、１つの突出したキズの影響を受けにくい。Ｒａが小さいことは、表面粗さでの平均からの凸凹が小さいことを表す。本発明者らのさらなる鋭意検討により、これらの条件のみでは不十分であり、μｍレベルでの局所的な凸部を少なくし、さらに、ターゲット各所でのその局所的な凸部の少なさのばらつきを小さくすることにより、十分なデポレート及び膜厚分布の特性を確保できることが分かった。
そこで本発明者らは、ターゲット表面上の局所的な凸部の有無を評価するＲｚについて検討し、Ａｕスパッタリングターゲット各所で測定されたＲｚを特定値以下としつつ、これらのＲｚの平均値の差を小さくすることにより、スパッタリング初期のデポレート及び膜厚分布の特性に優れるターゲットを得ることができた。μｍレベルでの局所的な凸部が存在するターゲットを用いた場合、スパッタリング時において、ターゲット表面の電圧分布のばらつきが大きくなるために放電のばらつきが生じてスパッタリング初期のデポレート及び膜厚分布の特性が低下する、特に、ターゲット表面に突出した凸部があると最初に該凸部でのスパッタが進みスパッタリング初期のデポレート及び膜厚分布の特性が低下する、と本発明者らは推測している。
さらに、本発明者は、本願実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行った場合、成膜速度が速くなり生産性向上につながると本発明者は推測している。
そこで本発明者らは、ターゲット表面上の局所的な凸部の有無を評価するＲｚについて検討し、Ａｕスパッタリングターゲット各所で測定されたＲｚを特定値以下としつつ、これらのＲｚの平均値の差を小さくすることにより、スパッタリング初期のデポレート及び膜厚分布の特性に優れるターゲットを得ることができた。μｍレベルでの局所的な凸部が存在するターゲットを用いた場合、スパッタリング時において、ターゲット表面の電圧分布のばらつきが大きくなるために放電のばらつきが生じてスパッタリング初期のデポレート及び膜厚分布の特性が低下する、特に、ターゲット表面に突出した凸部があると最初に該凸部でのスパッタが進みスパッタリング初期のデポレート及び膜厚分布の特性が低下する、と本発明者らは推測している。
さらに、本発明者は、本願実施形態に係るスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行った場合、成膜速度が速くなり生産性向上につながると本発明者は推測している。
【0019】
本明細書において、「スパッタリング膜」とは、スパッタリングにより成膜される膜を意味する。
また、本明細書において、「スパッタリング膜の膜厚分布が安定化する」とは、スパッタリング膜の表面の複数点で膜厚を測定した場合に、得られた複数の膜厚から算出される標準偏差が小さいことを意味する。例えば、後述するスパッタリング膜の９つの測定点で得られる膜厚の標準偏差が１００Å以下であることが好ましい。
また、本明細書において、「スパッタリングにおけるデポレートが安定化する」とは、複数回スパッタリングを行った場合において、各スパッタリングにおけるスパッタリング膜の成膜速度のばらつきが小さいことを意味する。例えば、３０枚のスパッタリング膜を成膜した場合において、３０回のスパッタリングのデポレートの変動幅が５Å／秒以内であることが好ましく、２Å／秒以内であることがより好ましい。
以下、スパッタリング初期に成膜されたスパッタリング膜の膜厚分布が安定化すること、及び初期のスパッタリングにおけるデポレートが安定化することを、まとめて「スパッタリング初期特性が安定化する」と表現する。
また、本明細書において、「スパッタリング膜の膜厚分布が安定化する」とは、スパッタリング膜の表面の複数点で膜厚を測定した場合に、得られた複数の膜厚から算出される標準偏差が小さいことを意味する。例えば、後述するスパッタリング膜の９つの測定点で得られる膜厚の標準偏差が１００Å以下であることが好ましい。
また、本明細書において、「スパッタリングにおけるデポレートが安定化する」とは、複数回スパッタリングを行った場合において、各スパッタリングにおけるスパッタリング膜の成膜速度のばらつきが小さいことを意味する。例えば、３０枚のスパッタリング膜を成膜した場合において、３０回のスパッタリングのデポレートの変動幅が５Å／秒以内であることが好ましく、２Å／秒以内であることがより好ましい。
以下、スパッタリング初期に成膜されたスパッタリング膜の膜厚分布が安定化すること、及び初期のスパッタリングにおけるデポレートが安定化することを、まとめて「スパッタリング初期特性が安定化する」と表現する。
【0020】
スパッタリングターゲットの材質は、金（Ａｕ）であり、不可避不純物をその他の成分として含んでいてもよい。
スパッタリングターゲット中の不可避不純物の含有量は、１０００ｗｔｐｐｍ以下であることが好ましく、１００ｗｔｐｐｍ以下であることがより好ましく、２０ｗｔｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
スパッタリングターゲット中の不可避不純物の含有量は、１０００ｗｔｐｐｍ以下であることが好ましく、１００ｗｔｐｐｍ以下であることがより好ましく、２０ｗｔｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
【0021】
スパッタリングターゲットの形状は特段制限されず、板形状であってもよく、円筒形状であってもよい。なお、本明細書において、ターゲットのスパッタ面とは、スパッタを実施する面を意味する。
また、スパッタリングターゲットのスパッタ面の形状は特段制限されず、円形状であってもよく、四角形状、五角形状、又は六角形状等の多角形状であってもよいが、円形状又は四角形状であることが好ましい。
スパッタリングターゲットのスパッタ面の面積は特段制限されないが、現状多く使用されているターゲットの大きさから、装置の大きさにもよるが、１０ｃｍ２以上、５０００ｃｍ２以下であってよく、５０ｃｍ２以上、２０００ｃｍ２以下であってもよい。また、ターゲットが円盤状である場合、直径１００ｍｍ以上であってもよく、ターゲットが板形状である場合、短いほうの一辺が５ｃｍ以上であってもよく、ターゲットが円筒形状である場合、外径１０ｃｍ以上である。また、ターゲットがどの形状であっても、スパッタ面が、使用効率の観点から１ｃｍ超の長さの線分を取り得る形状であることが好ましい。
また、スパッタリングターゲットのスパッタ面の形状は特段制限されず、円形状であってもよく、四角形状、五角形状、又は六角形状等の多角形状であってもよいが、円形状又は四角形状であることが好ましい。
スパッタリングターゲットのスパッタ面の面積は特段制限されないが、現状多く使用されているターゲットの大きさから、装置の大きさにもよるが、１０ｃｍ２以上、５０００ｃｍ２以下であってよく、５０ｃｍ２以上、２０００ｃｍ２以下であってもよい。また、ターゲットが円盤状である場合、直径１００ｍｍ以上であってもよく、ターゲットが板形状である場合、短いほうの一辺が５ｃｍ以上であってもよく、ターゲットが円筒形状である場合、外径１０ｃｍ以上である。また、ターゲットがどの形状であっても、スパッタ面が、使用効率の観点から１ｃｍ超の長さの線分を取り得る形状であることが好ましい。
【0022】
（表面粗さＲａ）
表面粗さＲａについて、スパッタリングターゲット各所で測定されたＲａを０．１μｍ以上と粗化面としつつ、Ｒａの面内分布と均一にする（最大値と最小値の差を小さくする）ことにより、スパッタリング初期のデポレート及び膜厚分布の特性に優れるＡｕスパッタリングターゲットを得ることができる。
測定点Ａ～Ｅで示される５つの各測定点において測定される表面粗さＲａの平均値は、スパッタリング初期特性が安定化する観点から、０．１μｍ以上、５０．０μｍ以下であればよく、０．１μｍ超、５０．０μｍ以下であってもよく、１μｍ以上、５０．０μｍ以下であってもよく、１μｍ超、５０．０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上、５０．０μｍ以下であってもよく、５μｍ超、５０．０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上、５０．０μｍ以下であってもよく、１０μｍ超、５０．０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上、５０．０μｍ以下であってもよく、１５μｍ超、５０．０μｍ以下であってもよい。表面粗さが大きいと、表面積が大きくなりスパッタ面積が大きくなることから成膜速度が速くなる傾向がある。
表面粗さＲａについて、スパッタリングターゲット各所で測定されたＲａを０．１μｍ以上と粗化面としつつ、Ｒａの面内分布と均一にする（最大値と最小値の差を小さくする）ことにより、スパッタリング初期のデポレート及び膜厚分布の特性に優れるＡｕスパッタリングターゲットを得ることができる。
測定点Ａ～Ｅで示される５つの各測定点において測定される表面粗さＲａの平均値は、スパッタリング初期特性が安定化する観点から、０．１μｍ以上、５０．０μｍ以下であればよく、０．１μｍ超、５０．０μｍ以下であってもよく、１μｍ以上、５０．０μｍ以下であってもよく、１μｍ超、５０．０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上、５０．０μｍ以下であってもよく、５μｍ超、５０．０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上、５０．０μｍ以下であってもよく、１０μｍ超、５０．０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上、５０．０μｍ以下であってもよく、１５μｍ超、５０．０μｍ以下であってもよい。表面粗さが大きいと、表面積が大きくなりスパッタ面積が大きくなることから成膜速度が速くなる傾向がある。
【0023】
表面粗さＲａを上記の範囲とする方法は、どのような方法でもよく、例えば、研磨紙を用いる場合には、研磨紙の目の粗さを調整する方法が挙げられ、旋盤等の機械を用いた自動旋盤を行う場合には、研磨速度を調整したり、研磨対象の送り速度を調整したりする方法が挙げられる。旋盤等の機械を用いる場合、例えば、送り速度を大きくすることでＲａを増加させることができ、送り速度を小さくすることでＲａを減少させることができる。
また、ターゲットの研磨においては、１回の研磨で所望のＲａの平均値が得られない場合には、研磨後の表面粗さＲａの確認を行いつつ、複数回研磨を行い、所望の範囲にする必要がある。
また、ターゲットの研磨においては、１回の研磨で所望のＲａの平均値が得られない場合には、研磨後の表面粗さＲａの確認を行いつつ、複数回研磨を行い、所望の範囲にする必要がある。
【0024】
研磨の操作は、表面粗さＲａを所望の範囲に調整する操作だけでなく、後述するＲａのばらつきを減少させる操作、Ｒｚ（最大高さ）を所望の範囲に調整する操作、及びＲｚのばらつきを減少させる操作を考慮して、最終的に得られるターゲットが所望の表面の条件を満たすように研磨することが好ましい。
【0025】
表面粗さＲａ及び後述するＲｚの測定方法は特段制限されず、一般的な表面粗さ測定装置（例えば、Ｍｉｔｕｔｏｙｏ製の接触式表面粗さ測定器 小型表面粗さ測定器ＳＪ－２１０）を用いて測定することができる。
【0026】
測定点Ａ～Ｅで示される５つの各測定点において測定される表面粗さＲａの最大値と最小値との差（ばらつき）は、スパッタリング初期特性が安定化する観点から、１０．０μｍ以下であればよく、１０．０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であってもよく、３μｍ以下であってもよく、１μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以下であってもよく、下限については、０．０μｍ以上であってもよく、０．０１μｍ以上であってもよく、０．５μｍであってもよく、１．０μｍであってもよく、３μｍであってもよい。
【0027】
表面粗さＲａのばらつきを上記の範囲とする方法は、ばらつきを減少させることができる研磨が行われれば特段制限されず、例えば、所望の範囲までばらつきを減少させるよう繰り返し研磨を行うことで達成することができるが、製造効率の観点から、上記のＲａの平均値を所望の範囲と方法を考慮しつつ、旋盤等の自動回転する機械を用いて、研磨痕が同心円状を形成するように研磨する方法が好ましい。また、旋盤等の機械を用いる場合、例えば、送り速度を一定にして、かつ、送り速度を小さくすることでＲａのばらつきを小さくすることができる。
また、手作業による表面粗さのばらつきをできるだけ省き、自動研磨できる機械を用いることが好ましい。ただし、自動研磨を行った後、ターゲットのスパッタ面の一部で研磨が不足しているために所望のＲａのばらつきの条件が満たされない場合、該条件が満たされるように一部分だけ手作業又は機械作業で研磨を行ってもよい。
また、ターゲットの研磨においては、１回の研磨で所望のＲａのばらつきが得られない場合には、研磨後の表面粗さＲａの確認を行いつつ、複数回研磨を行い所望の範囲にすることができる。この場合、Ｒａの最大値が大きい箇所を部分的に研磨して、全体のばらつきが小さくするように研磨してもよい。
また、手作業による表面粗さのばらつきをできるだけ省き、自動研磨できる機械を用いることが好ましい。ただし、自動研磨を行った後、ターゲットのスパッタ面の一部で研磨が不足しているために所望のＲａのばらつきの条件が満たされない場合、該条件が満たされるように一部分だけ手作業又は機械作業で研磨を行ってもよい。
また、ターゲットの研磨においては、１回の研磨で所望のＲａのばらつきが得られない場合には、研磨後の表面粗さＲａの確認を行いつつ、複数回研磨を行い所望の範囲にすることができる。この場合、Ｒａの最大値が大きい箇所を部分的に研磨して、全体のばらつきが小さくするように研磨してもよい。
【0028】
（表面粗さＲｚ）
μｍレベルでの局所的な凸部を少なくする、つまり、上記５つの各測定点において測定されるＲｚの平均値を小さくし、さらに、ターゲット各所でのその局所的な凹凸の少なさのばらつきを小さくする、つまり上記５つの各測定点において測定される表面粗さＲｚの最大値と最小値との差を小さくすることにより、十分なスパッタリング初期のデポレート及び膜厚分布の特性を確保できるＡｕスパッタリングターゲットを得ることができる。
測定点Ａ～Ｅで示される５つの各測定点において測定される表面粗さＲｚの平均値は、スパッタリング初期特性が安定化する観点から、８０μｍ以下であればよく、該平均値は小さい方が好ましく、７０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよく、３０以下であってもよく、また、下限の設定は特段要しないが、０．１μｍ以上であればよく、０．１μｍ超であってもよく、１μｍ以上であってもよく、１μｍ超であってもよく、５μｍ以上であってもよく、５μｍ超であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１０μｍ超であってもよく、１５μｍ以上であってもよく、１５μｍ超であってもよい。
μｍレベルでの局所的な凸部を少なくする、つまり、上記５つの各測定点において測定されるＲｚの平均値を小さくし、さらに、ターゲット各所でのその局所的な凹凸の少なさのばらつきを小さくする、つまり上記５つの各測定点において測定される表面粗さＲｚの最大値と最小値との差を小さくすることにより、十分なスパッタリング初期のデポレート及び膜厚分布の特性を確保できるＡｕスパッタリングターゲットを得ることができる。
測定点Ａ～Ｅで示される５つの各測定点において測定される表面粗さＲｚの平均値は、スパッタリング初期特性が安定化する観点から、８０μｍ以下であればよく、該平均値は小さい方が好ましく、７０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよく、３０以下であってもよく、また、下限の設定は特段要しないが、０．１μｍ以上であればよく、０．１μｍ超であってもよく、１μｍ以上であってもよく、１μｍ超であってもよく、５μｍ以上であってもよく、５μｍ超であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１０μｍ超であってもよく、１５μｍ以上であってもよく、１５μｍ超であってもよい。
【0029】
表面粗さＲｚ（最大高さ）は算術平均粗さであり、粗さ計等で測定した粗さ曲線の一部を基準長さで抜き出し、もっとも高い部分ともっとも深い部分の和の値により求められ、突出したキズの有無を確認する場合などに用いられる。Ｒｚが大きいことは、部分的に悪い箇所があること、具体的にはターゲット表面の局所的なばらつきが大きいことを表す。
表面粗さＲｚの平均値を上記の範囲とする方法は、どのような方法でもよく、例えば、研磨紙を用いる場合には、研磨紙の目の粗さを調整する方法が挙げられ、旋盤等の機械を用いた自動旋盤を行う場合には、研磨速度を調整したり、研磨対象の送り速度を調整したりする方法が挙げられる。旋盤等の機械を用いる場合、例えば、旋盤の刃の切込み量を深くいれることでＲｚを増加させることができ、旋盤の刃の切込み量を少なくすることでＲｚを減少させることができる。
また、ターゲットの研磨においては、１回の研磨で所望のＲｚの平均値が得られない場合には、研磨後の表面粗さＲｚの確認を行いつつ、複数回研磨を行い所望の範囲にすることができる。この場合、まずは上述したＲａの条件を所望の範囲になるように先に調整し、その後、Ｒｚを小さくするように、つまり、局所的な凸部を小さくするように研磨を行うことが好ましい。
表面粗さＲｚの平均値を上記の範囲とする方法は、どのような方法でもよく、例えば、研磨紙を用いる場合には、研磨紙の目の粗さを調整する方法が挙げられ、旋盤等の機械を用いた自動旋盤を行う場合には、研磨速度を調整したり、研磨対象の送り速度を調整したりする方法が挙げられる。旋盤等の機械を用いる場合、例えば、旋盤の刃の切込み量を深くいれることでＲｚを増加させることができ、旋盤の刃の切込み量を少なくすることでＲｚを減少させることができる。
また、ターゲットの研磨においては、１回の研磨で所望のＲｚの平均値が得られない場合には、研磨後の表面粗さＲｚの確認を行いつつ、複数回研磨を行い所望の範囲にすることができる。この場合、まずは上述したＲａの条件を所望の範囲になるように先に調整し、その後、Ｒｚを小さくするように、つまり、局所的な凸部を小さくするように研磨を行うことが好ましい。
【0030】
測定点Ａ～Ｅで示される５つの各測定点において測定される表面粗さＲｚの最大値と最小値との差（ばらつき）は、スパッタリング初期特性が安定化する観点から、１０．０μｍ以下であればよく、５．０μｍ以下であることがより好ましく、３．０μｍ以下であることがより好ましく、１．０μｍ以下であることがさらに好ましく、０．５μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以下であってもよい。また、スパッタリング膜の膜厚分布の観点からは、表面粗さＲｚの最大値と最小値との差は小さければ小さいほど好ましく下限を設定することは要しないが、０．０μｍ以上であってもよく、０．０１μｍ以上であってもよい。
【0031】
表面粗さＲｚのばらつきを上記の範囲とする方法は、ばらつきを減少させることができる研磨が行われれば特段制限されず、例えば、所望の範囲までばらつきを減少させるよう繰り返し研磨を行うことで達成することができるが、製造効率の観点から、上記のＲｚの平均値を所望の範囲と方法を考慮しつつ、旋盤等の自動回転する機械を用いて、研磨痕が同心円状を形成するように研磨する方法が好ましい。また、旋盤等の機械を用いる場合、例えば、刃の切込み量を一定にし、かつ、送り速度を一定にして、かつ、送り速度を小さくすることでＲｚのばらつきを小さくすることができる。
また、手作業による表面粗さのばらつきをできるだけ省き、自動研磨できる機械を用いることが好ましい。ただし、自動研磨を行った後、ターゲットのスパッタ面の一部で研磨が不足しているために所望のＲａのばらつきの条件が満たされない場合、該条件が満たされるように一部分だけ手作業又は機械作業で研磨を行ってもよい。
また、ターゲットの研磨においては、１回の研磨で所望のＲｚのばらつきが得られない場合には、研磨後の表面粗さＲｚの確認を行いつつ、複数回研磨を行い所望の範囲にすることができる。この場合、まずは上述したＲａの条件を所望の範囲になるように先に調整し、その後、Ｒｚの最大値が大きい箇所、つまり、局所的な凸部を小さくするように部分的な研磨を行い、全体のばらつきが小さくするように研磨することが好ましい。
また、手作業による表面粗さのばらつきをできるだけ省き、自動研磨できる機械を用いることが好ましい。ただし、自動研磨を行った後、ターゲットのスパッタ面の一部で研磨が不足しているために所望のＲａのばらつきの条件が満たされない場合、該条件が満たされるように一部分だけ手作業又は機械作業で研磨を行ってもよい。
また、ターゲットの研磨においては、１回の研磨で所望のＲｚのばらつきが得られない場合には、研磨後の表面粗さＲｚの確認を行いつつ、複数回研磨を行い所望の範囲にすることができる。この場合、まずは上述したＲａの条件を所望の範囲になるように先に調整し、その後、Ｒｚの最大値が大きい箇所、つまり、局所的な凸部を小さくするように部分的な研磨を行い、全体のばらつきが小さくするように研磨することが好ましい。
【0032】
（半値幅）
ターゲットは、研磨等の加工により表面に歪（加工歪）が生じる。この加工歪の程度が大きいということは、残留応力が大きいことを意味し、スパッタリング初期のデポレートや膜厚分布の均一性も悪くなるというデメリットがある。よって、ターゲット表面の加工歪は小さいことが好ましい。加工歪は、研磨の際にターゲットにかかる負荷の程度に影響され、負荷の程度が小さいほど加工歪が小さくなる。よって、ターゲットを押し付けるように研磨を行うと加工歪が大きくなってしまうため、この押し付けを小さくするように研磨を行うことが好ましい。本実施形態では、上記の表面粗さを所望の範囲にすることが必要であるが、表面粗さの最大値と最小値との差を小さくするため、研磨の回数が多くなり加工歪が大きくなる傾向がある。表面粗さの条件を所望の範囲に維持しつつ加工歪を所望の範囲にするためには、例えば、できるだけ負荷をかけずに表面粗さを調整したり、研磨に用いる研磨紙の番手を調整したりすること等が挙げられる。加工歪が所望の範囲に含まれない場合には、所望の範囲に含まれるように繰り返し研磨を行ってもよい。
ターゲットは、研磨等の加工により表面に歪（加工歪）が生じる。この加工歪の程度が大きいということは、残留応力が大きいことを意味し、スパッタリング初期のデポレートや膜厚分布の均一性も悪くなるというデメリットがある。よって、ターゲット表面の加工歪は小さいことが好ましい。加工歪は、研磨の際にターゲットにかかる負荷の程度に影響され、負荷の程度が小さいほど加工歪が小さくなる。よって、ターゲットを押し付けるように研磨を行うと加工歪が大きくなってしまうため、この押し付けを小さくするように研磨を行うことが好ましい。本実施形態では、上記の表面粗さを所望の範囲にすることが必要であるが、表面粗さの最大値と最小値との差を小さくするため、研磨の回数が多くなり加工歪が大きくなる傾向がある。表面粗さの条件を所望の範囲に維持しつつ加工歪を所望の範囲にするためには、例えば、できるだけ負荷をかけずに表面粗さを調整したり、研磨に用いる研磨紙の番手を調整したりすること等が挙げられる。加工歪が所望の範囲に含まれない場合には、所望の範囲に含まれるように繰り返し研磨を行ってもよい。
【0033】
加工歪は、例えばＸ線回折により測定される結晶面の半値幅により評価することができ、半値幅が小さいほど加工歪が小さいことを表し、半値幅が小さいことが好ましい。具体的には、測定点Ａ～Ｅで示される５つの各測定点においてターゲットにおけるＸ線回折により測定される（２２０）結晶面の半値幅の平均値が、１．０以下であることが好ましく、０．６以下であることがより好まし好ましい。また、該半値幅の下限の設定は要しないが、０．０１以上であってもよく、０．０５以上であってもよい。
【0034】
また、測定点Ａ～Ｅで示される５つの各測定点においてターゲットにおけるＸ線回折により測定される（２２０）結晶面の半値幅のばらつきが、±０．１以下であることが好ましく、±０．０６以下であることがより好ましく、また、該半値幅のばらつきの下限の設定は要しないが、±０．００５以上であってもよく、±０．０１以上であってもよい。
本明細書において、半値幅のばらつきとは、半値幅の平均値からのずれの範囲を示す。具体的には、半値幅のばらつきが±０．１以下であるとは、５つの半値幅の測定値がいずれも、（平均値－０．１）～（平均値＋０．１）の範囲に含まれることを意味する。
本明細書において、半値幅のばらつきとは、半値幅の平均値からのずれの範囲を示す。具体的には、半値幅のばらつきが±０．１以下であるとは、５つの半値幅の測定値がいずれも、（平均値－０．１）～（平均値＋０．１）の範囲に含まれることを意味する。
【0035】
上記の半値幅は、Ｘ線回折装置（リガク製ＲＩＮＴＵＬＴＩＭＡ ＩＶ 等 管球Ｃｕ－Ｋα）で測定することができる。
【0036】
上記の２つの半値幅の評価パラメータについて、少なくとも１つの評価パラメータが好ましい範囲に入ることが好ましく、両方の評価パラメータが好ましい範囲に入ることがより好ましい。
【0037】
また、上記の２つの加工歪の評価パラメータは、上述した表面粗さと同様に、上述した５つの各測定点において測定し、その平均値として算出する。
【0038】
前記ターゲットを用いることにより、スパッタリング初期に成膜されるスパッタリング膜の膜厚の安定性に優れるスパッタリング膜を得ることができる。このスパッタ膜の評価方法は特段制限されないが、例えば、前記ターゲットのスパッタ面に対して、投入電力：ＤＣ １ｋＷ、スパッリングタ到達圧力：９．５×１０－５Ｐａ、及びスパッタリング時間：４２秒の条件でＡｕをスパッタリングしてスパッタリング膜を得るという操作を少なくとも３０回行い、得られた各スパッタリング膜の膜厚を測定することで評価することができる。
また、スパッタリング初期におけるデポレートは、上記のスパッタリングにおいて成膜されたスパッタリング膜の厚さをスパッタ時間（４２秒）で除することで評価することができる。
また、スパッタリング初期におけるデポレートは、上記のスパッタリングにおいて成膜されたスパッタリング膜の厚さをスパッタ時間（４２秒）で除することで評価することができる。
【0039】
上記のスパッタリング膜の膜厚のばらつき（膜厚分布）は特段制限されないが、下記の（測定点）に示す９つの測定点で膜厚を測定して得られる膜厚の標準偏差（標準偏差σ）が、１００Å以下であることが好ましく、５０Å以下であることがより好ましい。これは、上記の少なくとも３０回のスパッタリングにより得られた少なくとも３０枚のスパッタリング膜のそれぞれにおいて満たされることが好ましい。
膜厚の測定において、触針型の装置を用いる場合、各点における抵抗値の測定は、対象の点に抵抗を測定するための探針を当てて行う。
（測定点）
前記スパッタリング膜の表面において該表面の中心を通る任意の仮想的な直線と、前記スパッタリング膜の表面の縁との２つの交点で結ばれる仮想的な線分において、該線分を１０等分するように配置される該線分上の９つの点。
膜厚の測定において、触針型の装置を用いる場合、各点における抵抗値の測定は、対象の点に抵抗を測定するための探針を当てて行う。
（測定点）
前記スパッタリング膜の表面において該表面の中心を通る任意の仮想的な直線と、前記スパッタリング膜の表面の縁との２つの交点で結ばれる仮想的な線分において、該線分を１０等分するように配置される該線分上の９つの点。
【0040】
ターゲットのスパッタ面における平均結晶粒径は特段制限されず、例えば、１μｍ以上、５００μｍ以下であってよく、１０μｍ以上、２００μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上、１００μｍ以下であってもよい。平均結晶粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてターゲットのスパッタ面を観察することにより評価することができる。
【0041】
ターゲットのスパッタ面における結晶の結晶方位は特段制限されず、例えば、（１１１）、（１００）（（２００））、又は（１１０）（２２０）等であってもよい。結晶方位は、Ｘ線源としてＣｕを用いて、Ｘ線回折装置により評価することができる。
【0042】
ターゲットは、上述のＡｕ部材を支持するためのバッキングプレートを設けて用いてもよい。バッキングプレートの態様は特段制限されず、用途に応じて形状や材料を選定することができる。本明細書では、バッキングプレートを用いる場合、該バッキングプレートはターゲットを構成するものとして扱い、上述したＡｕ部材をターゲット部材とも称する。この場合、上述したターゲット部材の説明における「ターゲット」の文言を「ターゲット部材」に置換して読み替える。
バッキングプレートの形状は、例えば、表面の形状が、四角形、五角形、もしくは六角形等の多角形状、又は円形状の表面を有する板形状とすることができる。バッキングプレートの面積は特段制限されず、例えば、上記のターゲットの面積と同様の範囲を採用することができ、より具体的には、ターゲット部材とバッキングプレートとが接着される側のバッキングプレートの面の形状を、該接着側のバッキングプレートの面の形状と同様としてもよい。
バッキングプレートの形状は、例えば、表面の形状が、四角形、五角形、もしくは六角形等の多角形状、又は円形状の表面を有する板形状とすることができる。バッキングプレートの面積は特段制限されず、例えば、上記のターゲットの面積と同様の範囲を採用することができ、より具体的には、ターゲット部材とバッキングプレートとが接着される側のバッキングプレートの面の形状を、該接着側のバッキングプレートの面の形状と同様としてもよい。
【0043】
＜スパッタリングターゲットの製造方法＞
上記のスパッタリングターゲットの製造方法は特段制限されず、公知の方法により、また、公知の方法を組み合わせて製造することができる。例えば、貴を含む原料を鋳造してインゴットを得る鋳造工程、前記インゴットを加工して所望の形状を有する加工物を得る加工工程、前記加工物を熱処理して焼結体を得る加熱工程、及び前記焼結体を研磨する研磨工程を含む製造方法により、ターゲットを製造することができる。以下、各工程について説明する。
上記のスパッタリングターゲットの製造方法は特段制限されず、公知の方法により、また、公知の方法を組み合わせて製造することができる。例えば、貴を含む原料を鋳造してインゴットを得る鋳造工程、前記インゴットを加工して所望の形状を有する加工物を得る加工工程、前記加工物を熱処理して焼結体を得る加熱工程、及び前記焼結体を研磨する研磨工程を含む製造方法により、ターゲットを製造することができる。以下、各工程について説明する。
【0044】
［鋳造工程］
鋳造工程は特段制限されないが、例えば、Ａｕを含む原料を準備し、大気中、真空雰囲気または不活性雰囲気中にて黒鉛るつぼ又はセラミックスるつぼ等の容器内で溶解し、この溶解した原料を所望の形状を有する鋳型内に注湯した後に冷却固化して鋳造し、インゴットを得ることができる。溶融の条件は特段制限されず、原料が溶融する条件であればよい。
原料としては、金の純度が、好ましくは９９．９重量％以上、より好ましくは９９．９５重量％以上、さらに好ましくは９９．９９重量％以上の高純度のものを用いる。
鋳造工程は特段制限されないが、例えば、Ａｕを含む原料を準備し、大気中、真空雰囲気または不活性雰囲気中にて黒鉛るつぼ又はセラミックスるつぼ等の容器内で溶解し、この溶解した原料を所望の形状を有する鋳型内に注湯した後に冷却固化して鋳造し、インゴットを得ることができる。溶融の条件は特段制限されず、原料が溶融する条件であればよい。
原料としては、金の純度が、好ましくは９９．９重量％以上、より好ましくは９９．９５重量％以上、さらに好ましくは９９．９９重量％以上の高純度のものを用いる。
【0045】
［加工工程］
加工工程は特段制限されないが、例えば、上記の鋳造工程で得られたインゴットを所望の形状（板形状又は円筒形状等）に切削してビレットとした後に、鍛造して加工する。
板形状のターゲットを作製する場合には、例えば板形状に成形したインゴットの外周面の表面欠陥を研削除去することによって、所望の形状のビレットを作製する。円筒形状のターゲットを作製する場合には、円柱形状に成形したインゴットの外周面の表面欠陥を研削除去すると共に、内部をくり抜き加工することによって、円筒形状のビレットを作製する。
次いで、ビレットを所望の形状に鍛造する。鍛造の条件は特段制限されず、例えば、１００～８００℃の範囲の熱間で実施することが好ましい。また、鍛造に代えて、又は鍛造に加えて圧延により所望の形状に加工してもよい。鍛造や圧延は、複数回実施してもよい。
加工工程は特段制限されないが、例えば、上記の鋳造工程で得られたインゴットを所望の形状（板形状又は円筒形状等）に切削してビレットとした後に、鍛造して加工する。
板形状のターゲットを作製する場合には、例えば板形状に成形したインゴットの外周面の表面欠陥を研削除去することによって、所望の形状のビレットを作製する。円筒形状のターゲットを作製する場合には、円柱形状に成形したインゴットの外周面の表面欠陥を研削除去すると共に、内部をくり抜き加工することによって、円筒形状のビレットを作製する。
次いで、ビレットを所望の形状に鍛造する。鍛造の条件は特段制限されず、例えば、１００～８００℃の範囲の熱間で実施することが好ましい。また、鍛造に代えて、又は鍛造に加えて圧延により所望の形状に加工してもよい。鍛造や圧延は、複数回実施してもよい。
【0046】
［加熱工程］
加熱工程は特段制限されないが、例えば、電気炉等を用いて、加熱温度について、好ましくは１００～８００℃、より好ましくは３００～７００℃、また、加熱時間について、好ましくは１０～５００分、より好ましくは５０～２５０分の条件で加工物を加熱して一定の結晶組織を有するターゲット材を得ることができる。加熱処理を行うことにより、加工時に生じた内部歪を十分に除去することができる。また、加熱処理の回数は、１回でもよく、複数回であってもよい。
加熱工程は特段制限されないが、例えば、電気炉等を用いて、加熱温度について、好ましくは１００～８００℃、より好ましくは３００～７００℃、また、加熱時間について、好ましくは１０～５００分、より好ましくは５０～２５０分の条件で加工物を加熱して一定の結晶組織を有するターゲット材を得ることができる。加熱処理を行うことにより、加工時に生じた内部歪を十分に除去することができる。また、加熱処理の回数は、１回でもよく、複数回であってもよい。
【0047】
［研磨工程］
研磨工程は特段制限されないが、上述の表面粗さＲａ及びＲｚ、並びにこれらのばらつきの説明で述べた研磨の操作を行うことにより、上述した表面粗さＲａが所望の範囲となるように、好ましくは、Ｒａのばらつき、Ｒｚ、及びＲｚのばらつきが所望の範囲となるように研磨を行う。例えば、加熱工程により得られたターゲット材を自動研磨機、又は回転ろくろ等の自動回転体により表面研磨を行う。自動研磨機として旋盤での研磨を行う場合、研磨の態様は特段制限されないが、スパッタリング初期特性をより安定させる観点から、円状に研磨する際の中心位置を変えずに行うこと、つまり、研磨痕が同心円状を形成するように行うことが好ましい。
また、スパッタリング初期特性を安定させるため、できるだけ手作業による研磨は適用しないことが好ましい。さらに、ターゲットの表面上の異物混入を抑制するため、バフ研磨等の研磨剤を用いる研磨は適用しないことが好ましい。
なお、研磨工程において、上記の自動回転体等を用いた研磨等により表面研磨を用いた加工を行った後に化学的機械研磨（ＣＭＰ）を行うと、表面粗さＲａの平均値が所望の範囲より小さくなり得るため、自動回転体等を用いた研磨等にＣＭＰ研磨を行うことは好ましくない。
研磨工程は特段制限されないが、上述の表面粗さＲａ及びＲｚ、並びにこれらのばらつきの説明で述べた研磨の操作を行うことにより、上述した表面粗さＲａが所望の範囲となるように、好ましくは、Ｒａのばらつき、Ｒｚ、及びＲｚのばらつきが所望の範囲となるように研磨を行う。例えば、加熱工程により得られたターゲット材を自動研磨機、又は回転ろくろ等の自動回転体により表面研磨を行う。自動研磨機として旋盤での研磨を行う場合、研磨の態様は特段制限されないが、スパッタリング初期特性をより安定させる観点から、円状に研磨する際の中心位置を変えずに行うこと、つまり、研磨痕が同心円状を形成するように行うことが好ましい。
また、スパッタリング初期特性を安定させるため、できるだけ手作業による研磨は適用しないことが好ましい。さらに、ターゲットの表面上の異物混入を抑制するため、バフ研磨等の研磨剤を用いる研磨は適用しないことが好ましい。
なお、研磨工程において、上記の自動回転体等を用いた研磨等により表面研磨を用いた加工を行った後に化学的機械研磨（ＣＭＰ）を行うと、表面粗さＲａの平均値が所望の範囲より小さくなり得るため、自動回転体等を用いた研磨等にＣＭＰ研磨を行うことは好ましくない。
【0048】
また、バッキングプレートおよび／又はボンディング層を設ける場合、これらを設ける方法は特段制限されず、上記の方法で製造されたターゲット（ターゲット部材）に、バッキングプレートおよび／又はボンディング層を設けることができる。
【0049】
また、上述したように、研磨により生じるターゲットの表面の加工歪の深さ及び量を小さくする観点から、研磨の際はターゲットへの負荷を小さくするようにして行うことが好ましい。
【0050】
本明細書における各特性の測定では、特段言及されていない場合には、測定前に、測定する環境と同様の環境に測定サンプルを４８時間以上保持する。また、測定温度、測定湿度、及び測定圧力については、特段言及されていない場合には、常温（２０±１０℃）、常湿（４０±２０％ＲＨ）、及び常圧（大気圧）とする。
【実施例】
【0051】
以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定して解釈されるものではない。
【0052】
［ターゲットの特性の評価］
（表面粗さＲａ及びＲｚ）
ターゲットを用いて、図１に示すようにターゲットのスパッタ面において下記の測定点Ａ～Ｅを決定し、表面粗さ測定装置（Ｍｉｔｕｔｏｙｏ製の接触式表面粗さ測定器 小型表面粗さ測定器ＳＪ－２１０）を用いて表面粗さＲａ及びＲｚを測定した。測定点Ａ～Ｅにおける表面粗さＲａ及びＲｚのそれぞれの平均値、最大値、最小値、及び最大値と最小値との差を表１に示す。表１において、「大」が最大値、「小」が最小値、「差」が最大値と最小値との差を意味する。
（測定点）
測定点Ａ：前記ターゲットのスパッタ面の中心点。
測定点Ｂ：前記測定点Ａと前記ターゲットのスパッタ面の縁上の任意の点ｂとを結ぶ第１の仮想的な線分を引いた場合において、前記点ｂから５ｍｍの長さに位置する前記第１の仮想的な線分上の点。
測定点Ｃ：前記測定点Ａと前記測定点Ｂとを結ぶ第２の仮想的な線分の中点。
測定点Ｄ：前記測定点Ａを通り、前記第１の仮想的な線分に直交する前記ターゲットのスパッタ面上に仮想的な直線Ｄを引き、前記直線Ｄと交わる前記ターゲットのスパッタ面の縁上の２点のうちの少なくとも一方の点を点ｄとし、前記測定点Ａと前記点ｄとを結ぶ第３の仮想的な線分を引いた場合において、前記点ｄから前記測定点Ａに向かって５ｍｍの長さに位置する前記第３の仮想的な線分上の点。
測定点Ｅ：前記測定点Ａと前記測定点Ｄとを結ぶ第４の仮想的な線分の中点。
（表面粗さＲａ及びＲｚ）
ターゲットを用いて、図１に示すようにターゲットのスパッタ面において下記の測定点Ａ～Ｅを決定し、表面粗さ測定装置（Ｍｉｔｕｔｏｙｏ製の接触式表面粗さ測定器 小型表面粗さ測定器ＳＪ－２１０）を用いて表面粗さＲａ及びＲｚを測定した。測定点Ａ～Ｅにおける表面粗さＲａ及びＲｚのそれぞれの平均値、最大値、最小値、及び最大値と最小値との差を表１に示す。表１において、「大」が最大値、「小」が最小値、「差」が最大値と最小値との差を意味する。
（測定点）
測定点Ａ：前記ターゲットのスパッタ面の中心点。
測定点Ｂ：前記測定点Ａと前記ターゲットのスパッタ面の縁上の任意の点ｂとを結ぶ第１の仮想的な線分を引いた場合において、前記点ｂから５ｍｍの長さに位置する前記第１の仮想的な線分上の点。
測定点Ｃ：前記測定点Ａと前記測定点Ｂとを結ぶ第２の仮想的な線分の中点。
測定点Ｄ：前記測定点Ａを通り、前記第１の仮想的な線分に直交する前記ターゲットのスパッタ面上に仮想的な直線Ｄを引き、前記直線Ｄと交わる前記ターゲットのスパッタ面の縁上の２点のうちの少なくとも一方の点を点ｄとし、前記測定点Ａと前記点ｄとを結ぶ第３の仮想的な線分を引いた場合において、前記点ｄから前記測定点Ａに向かって５ｍｍの長さに位置する前記第３の仮想的な線分上の点。
測定点Ｅ：前記測定点Ａと前記測定点Ｄとを結ぶ第４の仮想的な線分の中点。
【0053】
（半値幅）
上記の測定点Ａ～Ｅの５つの測定点において、Ｘ線回折装置を用いて、ターゲット表面の（２２０）面の半値幅を測定した。その平均値及びばらつきを表１に示す。
上記の測定点Ａ～Ｅの５つの測定点において、Ｘ線回折装置を用いて、ターゲット表面の（２２０）面の半値幅を測定した。その平均値及びばらつきを表１に示す。
【0054】
［スパッタリング膜の特性の評価］
ターゲットをスパッタリング装置（神港精機製ＳＲＶ－４３２０）に取り付け、装置内を９．５×１０－５Ｐａ以下まで真空排気した後、投入電力：ＤＣ １ｋＷ、ターゲット－基板間距離：５０ｍｍ、スパッタ時間：４２秒の条件でスパッタを行い、６インチＳｉ基板（ウエハ）上にＡｕ膜を成膜し、スパッタリング膜（厚さ:約１１００Å）を作製した。同じターゲットを用いてこのスパッタリングを３０回繰り返し行い、３０枚のスパッタリング膜を得た。この３０枚のうち、１枚目、１５枚目、及び３０枚目に得られたスパッタリング膜を用いて、後述する方法で膜厚分布の評価を行った。また、３０回のスパッタリングのうち、１回目、１５回目、３０回目のスパッタリングにおいて、後述する方法でデポレートを評価した。
ターゲットをスパッタリング装置（神港精機製ＳＲＶ－４３２０）に取り付け、装置内を９．５×１０－５Ｐａ以下まで真空排気した後、投入電力：ＤＣ １ｋＷ、ターゲット－基板間距離：５０ｍｍ、スパッタ時間：４２秒の条件でスパッタを行い、６インチＳｉ基板（ウエハ）上にＡｕ膜を成膜し、スパッタリング膜（厚さ:約１１００Å）を作製した。同じターゲットを用いてこのスパッタリングを３０回繰り返し行い、３０枚のスパッタリング膜を得た。この３０枚のうち、１枚目、１５枚目、及び３０枚目に得られたスパッタリング膜を用いて、後述する方法で膜厚分布の評価を行った。また、３０回のスパッタリングのうち、１回目、１５回目、３０回目のスパッタリングにおいて、後述する方法でデポレートを評価した。
【0055】
（デポレート）
スパッタリングにおけるデポレートは、上記のスパッタリングにおいて成膜されたスパッタリング膜の厚さをスパッタ時間（４２秒）で除することで評価した。この評価結果を表２に示す。
スパッタリングにおけるデポレートは、上記のスパッタリングにおいて成膜されたスパッタリング膜の厚さをスパッタ時間（４２秒）で除することで評価した。この評価結果を表２に示す。
【0056】
（膜厚）
スパッタリング膜の表面において該表面の中心を通る任意の仮想的な線分（該中心を通る直線とスパッタリング膜の縁との２つの交点で結ばれる線分）について、該線分を１０等分するように該線分上に９つの点を打った場合に、これらの９つの各点において、株式会社Ｍｉｔｕｔｏｙｏ製の触針式表面形状測定機小型表面粗さ測定器 ＳＪ－２１０を用いて、スパッタリング膜の膜厚を測定し、これらの膜厚から、膜厚の平均値と、膜厚の標準偏差の平均値（標準偏差σ）を算出した。これらの算出した結果を表３に示す。各点における膜厚の測定は、対象の点に抵抗を測定するための探針を当てて行った。
スパッタリング膜の表面において該表面の中心を通る任意の仮想的な線分（該中心を通る直線とスパッタリング膜の縁との２つの交点で結ばれる線分）について、該線分を１０等分するように該線分上に９つの点を打った場合に、これらの９つの各点において、株式会社Ｍｉｔｕｔｏｙｏ製の触針式表面形状測定機小型表面粗さ測定器 ＳＪ－２１０を用いて、スパッタリング膜の膜厚を測定し、これらの膜厚から、膜厚の平均値と、膜厚の標準偏差の平均値（標準偏差σ）を算出した。これらの算出した結果を表３に示す。各点における膜厚の測定は、対象の点に抵抗を測定するための探針を当てて行った。
【0057】
［スパッタリングターゲットの製造］
（実施例１）
まず、Ａｕ塊（純度９９．９９重量％）を高周波溶解炉に入れて１２００℃の温度で溶解させてＡｕ溶湯を得た後、該Ａｕ溶湯を鋳型に注湯しＡｕインゴットを得た。次いで、Ａｕインゴットを切削してビレットを得た後、５００℃で熱間鍛造して、直径３００ｍｍ、高さ７ｍｍの円盤状の加工物を得た。次いで、表面の酸化物を取り除くため、フライス盤で表面切削しさらにロータリテーブルに取り付け回転させながら表面を研磨紙２０００番で表面を均一にヘアライン研磨した。研磨について、具体的には、まずは、研磨後の表面の表面粗さＲａの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲａが表１に示す数値に近づくように研磨紙２０００番で表面を研磨し、その後、研磨後の表面の表面粗さＲｚの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲｚが大きい部分を研磨し、最終的に、上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるように、スパッタリングターゲットを製造した。ロータリーテーブル（ターンテーブル）を用いた研磨の際、円状に研磨する際の中心位置を変えずに研磨を行った。
（実施例１）
まず、Ａｕ塊（純度９９．９９重量％）を高周波溶解炉に入れて１２００℃の温度で溶解させてＡｕ溶湯を得た後、該Ａｕ溶湯を鋳型に注湯しＡｕインゴットを得た。次いで、Ａｕインゴットを切削してビレットを得た後、５００℃で熱間鍛造して、直径３００ｍｍ、高さ７ｍｍの円盤状の加工物を得た。次いで、表面の酸化物を取り除くため、フライス盤で表面切削しさらにロータリテーブルに取り付け回転させながら表面を研磨紙２０００番で表面を均一にヘアライン研磨した。研磨について、具体的には、まずは、研磨後の表面の表面粗さＲａの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲａが表１に示す数値に近づくように研磨紙２０００番で表面を研磨し、その後、研磨後の表面の表面粗さＲｚの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲｚが大きい部分を研磨し、最終的に、上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるように、スパッタリングターゲットを製造した。ロータリーテーブル（ターンテーブル）を用いた研磨の際、円状に研磨する際の中心位置を変えずに研磨を行った。
【0058】
得られたターゲットの形状は、円盤状であり、直径２９０ｍｍ、高さ６ｍｍであった。また、ＩＣＰ－ＭＳ分析装置（島津製作所製の誘導結合プラズマ発光分析ＩＣＰＳ－８１００）を用いた元素分析を行った結果、ターゲットの組成比率は、Ａｕの純度が９９．９９重量％であった。Ｒａの平均値が約０．３μｍ、Ｒｚの平均値が約３．６μｍであり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが小さく、デポレートは２３Å／秒程度であり、膜厚分布は１０００Å程度で標準偏差が小さかった。
【0059】
（実施例２）
加工物を得た後、フライス盤をＮＣ自動旋盤に変更し、バイトによる１回の切込み深さを０．０５ｍｍ程度、回転数１００ｒｐｍ、送り量０．０１ｍｍ／ｒｅｖとし、研磨を行った。研磨について、具体的には、実施例１と同様に、まずは、研磨後の表面の表面粗さＲａの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲａが表１に示す数値に近づくようにＮＣ自動旋盤での研磨を行い、その後、研磨後の表面の表面粗さＲｚの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲｚが大きい部分を研磨し、最終的に上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が約３．０μｍ、Ｒｚの平均値が約１５μｍであり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが非常に小さく、デポレートは２９Å／秒程度であり、膜厚分布は１２００Å程度で標準偏差が小さかった。
加工物を得た後、フライス盤をＮＣ自動旋盤に変更し、バイトによる１回の切込み深さを０．０５ｍｍ程度、回転数１００ｒｐｍ、送り量０．０１ｍｍ／ｒｅｖとし、研磨を行った。研磨について、具体的には、実施例１と同様に、まずは、研磨後の表面の表面粗さＲａの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲａが表１に示す数値に近づくようにＮＣ自動旋盤での研磨を行い、その後、研磨後の表面の表面粗さＲｚの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲｚが大きい部分を研磨し、最終的に上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が約３．０μｍ、Ｒｚの平均値が約１５μｍであり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが非常に小さく、デポレートは２９Å／秒程度であり、膜厚分布は１２００Å程度で標準偏差が小さかった。
【0060】
（実施例３）
加工物を得た後、フライス盤をＮＣ自動旋盤に変更し、バイトによる１回の切込み深さを０．１ｍｍ程度、回転数２００ｒｐｍ、送り量０．１ｍｍ／ｒｅｖとし、研磨を行った。研磨について、具体的には、実施例１と同様に、まずは、研磨後の表面の表面粗さＲａの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲａが表１に示す数値に近づくようにＮＣ自動旋盤での研磨を行い、その後、研磨後の表面の表面粗さＲｚの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲｚが大きい部分を研磨し、最終的に上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が約１０μｍ、Ｒｚの平均値が約４５μｍであり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが小さく、デポレートは３０Å／秒程度であり、膜厚分布は１２５０Å程度で標準偏差が小さかった。
加工物を得た後、フライス盤をＮＣ自動旋盤に変更し、バイトによる１回の切込み深さを０．１ｍｍ程度、回転数２００ｒｐｍ、送り量０．１ｍｍ／ｒｅｖとし、研磨を行った。研磨について、具体的には、実施例１と同様に、まずは、研磨後の表面の表面粗さＲａの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲａが表１に示す数値に近づくようにＮＣ自動旋盤での研磨を行い、その後、研磨後の表面の表面粗さＲｚの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲｚが大きい部分を研磨し、最終的に上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が約１０μｍ、Ｒｚの平均値が約４５μｍであり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが小さく、デポレートは３０Å／秒程度であり、膜厚分布は１２５０Å程度で標準偏差が小さかった。
【0061】
（実施例４）
加工物を得た後、フライス盤をＮＣ自動旋盤に変更し、バイトによる１回の切込み深さを０．５ｍｍ程度、回転数５００ｒｐｍ／ｍｉｎ、送り量０．２ｍｍ／ｒｅｖとし、研磨を行った。研磨について、具体的には、実施例１と同様に、まずは、研磨後の表面の表面粗さＲａの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲａが表１に示す数値に近づくようにＮＣ自動旋盤での研磨を行い、その後、研磨後の表面の表面粗さＲｚの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲｚが大きい部分を研磨し、最終的に上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が約３５μｍ、Ｒｚの平均値が約７５μｍであり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが小さく、デポレートは３２Å／秒程度であり、膜厚分布は１３５０Å程度で標準偏差が小さかった。
加工物を得た後、フライス盤をＮＣ自動旋盤に変更し、バイトによる１回の切込み深さを０．５ｍｍ程度、回転数５００ｒｐｍ／ｍｉｎ、送り量０．２ｍｍ／ｒｅｖとし、研磨を行った。研磨について、具体的には、実施例１と同様に、まずは、研磨後の表面の表面粗さＲａの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲａが表１に示す数値に近づくようにＮＣ自動旋盤での研磨を行い、その後、研磨後の表面の表面粗さＲｚの確認を繰り返すことにより、表面粗さＲｚが大きい部分を研磨し、最終的に上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が約３５μｍ、Ｒｚの平均値が約７５μｍであり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが小さく、デポレートは３２Å／秒程度であり、膜厚分布は１３５０Å程度で標準偏差が小さかった。
【0062】
（実施例５）
上述した実施例１における研磨において、ターゲットへの研磨紙の押し付けの程度を小さくすることにより、最終的に上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしつつ、さらに、表１に記載の半値幅となるように研磨を行ったこと以外は、実施例１と同様の方法で実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が約０．７１μｍ、Ｒｚの平均値が約３．３μｍであり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが小さく、デポレートは２５Å／秒程度であり、膜厚分布は１２００Å程度で標準偏差が小さく、実施例１におけるターゲットよりも良好であった。
上述した実施例１における研磨において、ターゲットへの研磨紙の押し付けの程度を小さくすることにより、最終的に上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしつつ、さらに、表１に記載の半値幅となるように研磨を行ったこと以外は、実施例１と同様の方法で実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が約０．７１μｍ、Ｒｚの平均値が約３．３μｍであり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが小さく、デポレートは２５Å／秒程度であり、膜厚分布は１２００Å程度で標準偏差が小さく、実施例１におけるターゲットよりも良好であった。
【0063】
（比較例１）
加工物を得た後、自動立型フライス盤の正面フライス加工で、円筒形で複数の刃がついた切削工具を回転させて切削する方法に変更し、回転数３００ｒｐｍｍ、送り速度４５ｍｍ／ｍｉｎで研磨を行い上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。その結果、Ｒａの平均値が約５μｍ、Ｒｚの平均値が約２２．５μｍであったが、ばらつきが大きく、デポレートは２０～２３Å／秒程度であり、膜厚分布は８５０～９７０Åで標準偏差が非常に大きかった。
加工物を得た後、自動立型フライス盤の正面フライス加工で、円筒形で複数の刃がついた切削工具を回転させて切削する方法に変更し、回転数３００ｒｐｍｍ、送り速度４５ｍｍ／ｍｉｎで研磨を行い上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。その結果、Ｒａの平均値が約５μｍ、Ｒｚの平均値が約２２．５μｍであったが、ばらつきが大きく、デポレートは２０～２３Å／秒程度であり、膜厚分布は８５０～９７０Åで標準偏差が非常に大きかった。
【0064】
（比較例２）
加工物を得た後、比較例１で用いたフライス盤の条件で表面切削加工したのち、ＣＭＰにより表面研磨した。上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるように、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。その結果、Ｒａの平均値およびＲｚの平均値がともに０．１μｍ未満であり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが非常に小さく、膜厚分布は良好であったが、デポレートは非常に遅くそのばらつきが大きかった。
加工物を得た後、比較例１で用いたフライス盤の条件で表面切削加工したのち、ＣＭＰにより表面研磨した。上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるように、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。その結果、Ｒａの平均値およびＲｚの平均値がともに０．１μｍ未満であり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが非常に小さく、膜厚分布は良好であったが、デポレートは非常に遅くそのばらつきが大きかった。
【0065】
（比較例３）
加工物を得た後、手動での旋盤で、切削速度０．０５～０．５ｍ／ｍｉｎ、切込み量０．１ｍｍ、送り量０．１～１．０ｍｍ／ｒｅｖの範囲でばらつきながら切削に変更し、上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値およびＲｚの平均値が１２．５μｍ、３２．４μｍ程度であり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが非常に大きく、デポレートは２２Å／秒程度であり、膜厚分布も９１０～９６０Å程度で標準偏差が大きかった。
加工物を得た後、手動での旋盤で、切削速度０．０５～０．５ｍ／ｍｉｎ、切込み量０．１ｍｍ、送り量０．１～１．０ｍｍ／ｒｅｖの範囲でばらつきながら切削に変更し、上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値およびＲｚの平均値が１２．５μｍ、３２．４μｍ程度であり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが非常に大きく、デポレートは２２Å／秒程度であり、膜厚分布も９１０～９６０Å程度で標準偏差が大きかった。
【0066】
（比較例４）
加工物を得た後、ＮＣ自動旋盤に変更し、バイトによる１回の切込み深さを１．０ｍｍ程度、回転数６００ｒｐｍ／ｍｉｎ、送り量０．２ｍｍ／ｒｅｖに設定し、上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が６１μｍ程度およびＲｚの平均値が８３μｍ程度であり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが大きく、デポレートは１９．５Å／秒程度であり、膜厚分布は７９０～８５０Å程度で標準偏差が大きかった。
加工物を得た後、ＮＣ自動旋盤に変更し、バイトによる１回の切込み深さを１．０ｍｍ程度、回転数６００ｒｐｍ／ｍｉｎ、送り量０．２ｍｍ／ｒｅｖに設定し、上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が６１μｍ程度およびＲｚの平均値が８３μｍ程度であり、Ｒａ及びＲｚのばらつきが大きく、デポレートは１９．５Å／秒程度であり、膜厚分布は７９０～８５０Å程度で標準偏差が大きかった。
【0067】
（比較例５）
加工物を得た後、研磨紙８００番を用いて手動で表面を均一に研磨し、上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が１．５μｍ程度およびＲｚの平均値が１０．６μｍ程度であり、Ｒａのばらつきが小さい一方で、Ｒｚのばらつきが大きく、デポレートは１９～２２Å／秒程度であり、膜厚分布は７６０～８２０Å程度で標準偏差が大きかった。
加工物を得た後、研磨紙８００番を用いて手動で表面を均一に研磨し、上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が１．５μｍ程度およびＲｚの平均値が１０．６μｍ程度であり、Ｒａのばらつきが小さい一方で、Ｒｚのばらつきが大きく、デポレートは１９～２２Å／秒程度であり、膜厚分布は７６０～８２０Å程度で標準偏差が大きかった。
【0068】
（比較例６）
加工物を得た後、研磨紙１２０番を用いて手動で表面を均一に研磨し、上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が４２μｍ程度およびＲｚの平均値が８５．１μｍ程度であり、Ｒａのばらつきが小さい一方で、Ｒｚのばらつきが大きく、デポレートは１０～１６Å／秒程度であり、膜厚分布は３７０～６８０Å程度で標準偏差が大きかった。
加工物を得た後、研磨紙１２０番を用いて手動で表面を均一に研磨し、上記の５つの測定点において測定されるスパッタリングターゲットの表面粗さＲａ、Ｒｚが表１に示す数値となるようにしたこと以外は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲットを製造した。最終的に得られたターゲットのサイズ及びＡｕの純度も実施例１と同様であった。Ｒａの平均値が４２μｍ程度およびＲｚの平均値が８５．１μｍ程度であり、Ｒａのばらつきが小さい一方で、Ｒｚのばらつきが大きく、デポレートは１０～１６Å／秒程度であり、膜厚分布は３７０～６８０Å程度で標準偏差が大きかった。
【0069】
【表1】
【0070】
【表2】
【0071】
【表3】
【0072】
表１から、上記の測定により得られたターゲットのスパッタ面の表面粗さＲａの平均値を０．１μｍ以上、５０μｍ以下とし、Ｒａのばらつきを１０μｍ以下とし、Ｒｚの平均値を８０μｍ以下とし、かつ、表面粗さＲｚのばらつきを１０μｍ以下とすることにより、スパッタリング初期に成膜されるスパッタリング膜が膜厚分布の安定性に優れ、かつ、スパッタリング初期におけるデポレートの安定化を図ることができることが分かった。Ｒａの平均値が小さすぎる比較例２では、凹凸の平均が小さすぎるためにスパッタリング初期におけるデポレートが小さくなったと推測される。また、Ｒｚが大きい、又はＲｚのばらつきが大きい比較例１、３～６では、局所的な凸部が存在する、又はターゲット表面でその局所的な凸部の高さの程度のばらつきが存在する、等の理由によりスパッタリング膜の膜厚分布のばらつきが大きくなったと推測される。
【産業上の利用可能性】
【0073】
本発明によれば、スパッタリング初期に成膜されるスパッタリング膜が膜厚分布の安定性に優れ、また、スパッタリング初期におけるデポレートの安定化を図ることができるＡｕスパッタリングターゲットを提供することができる。本発明の実施形態に係るスパッタリングターゲットは、スパッタ法を用いた、電子部品、半導体デバイス、光学薄膜、磁気デバイス、ＬＥＤ、有機ＥＬ、又はＬＣＤ等における素子の形成に広く利用することができる。
【図1】
【図2】