特許 7574267 金属ベース回路基板、及び金属ベース回路基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-18

(45)【発行日】2024-10-28

(54)【発明の名称】金属ベース回路基板、及び金属ベース回路基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/05 20060101AFI20241021BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20241021BHJP

【ＦＩ】

H05K1/05 A

H05K1/03 610K

H05K1/03 610N

H05K1/03 610L

H05K1/03 610R

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2022201344

(22)【出願日】2022-12-16

(62)【分割の表示】P 2022561361の分割

【原出願日】2021-10-19

(65)【公開番号】P2023104887

(43)【公開日】2023-07-28

【審査請求日】2023-01-06

(31)【優先権主張番号】P 2020187555

(32)【優先日】2020-11-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000004640

【氏名又は名称】日本発條株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】矢野 晋也

(72)【発明者】

【氏名】植竹 操

【審査官】小南 奈都子

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２０／１９４９２０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０２０－０８８１５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１１７５１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－２６４３６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－１９３５９４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／０５

Ｈ０５Ｋ １／０３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属基板に積層した絶縁層の表面に回路導体でなる回路パターンを積層した金属ベース回路基板であって、
前記絶縁層は、樹脂と、無機充填材とを含み、
前記回路導体でなる回路パターンは、厚みが０．８ｍｍを上回り、
前記回路導体の断面において、前記絶縁層に接する下面の幅が層方向の中間部の幅より狭い、
金属ベース回路基板。

【請求項2】

金属基板に積層した絶縁層の表面に回路導体でなる回路パターンを積層した金属ベース回路基板であって、
前記絶縁層は、樹脂と、無機充填材とを含み、
前記回路導体でなる回路パターンは、厚みが０．８ｍｍを上回り、
前記回路導体の断面において、層方向の中間部が少なくとも前記絶縁層の表面上に位置する部分に対して層交差方向への膨出形状である、
金属ベース回路基板。

【請求項3】

前記回路導体の断面において、前記層方向の中間部が少なくとも前記絶縁層の表面上に位置する部分に対して層交差方向への膨出形状である、
請求項１に記載の金属ベース回路基板。

【請求項4】

前記絶縁層は、窒化ホウ素を含み、
前記絶縁層は、前記樹脂の全体積を基準として、前記窒化ホウ素を３０～８５体積％含む、
請求項１～３の何れか１項に記載の金属ベース回路基板。

【請求項5】

金属基板に積層した絶縁層の表面に回路導体でなる回路パターンを積層した金属ベース回路基板の製造方法であって、
前記絶縁層は、樹脂と、無機充填材とを含み、
前記回路パターンは、厚みが０．８ｍｍを上回り、
前記回路パターンの断面において前記絶縁層に接する下面の幅を層方向の中間部の幅より狭く形成する回路パターン形成工程と、
前記回路パターン形成工程後に前記回路パターンを前記金属基板上の絶縁層に接着する工程を含む、
金属ベース回路基板の製造方法。

【請求項6】

金属基板に積層した絶縁層の表面に回路導体でなる回路パターンを積層した金属ベース回路基板の製造方法であって、
前記絶縁層は、樹脂と、無機充填材とを含み、
前記回路パターンは、厚みが０．８ｍｍを上回り、
前記回路パターンの断面において層方向の断面の中間部を膨出形状に形成する工程と、
前記膨出形状に形成する工程後に前記回路パターンを前記金属基板上の絶縁層に接着する工程を含む、
金属ベース回路基板の製造方法。

【請求項7】

前記回路パターンを前記金属基板上の絶縁層に接着する工程は、真空加熱プレス工程を含む、
請求項５又は請求項６に記載の金属ベース回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路パターン、回路基板用半製品基材、金属回路基板、回路パターンの製造方法、及び回路パターンの製造装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、プリント配線板として図２０に示す断面を有するものがある。このプリント配線板１０１の回路パターン１０３は、絶縁基板１０５の表面のみから金属箔にエッチングを行う片面エッチングにより形成されている。

【0003】

かかる片面エッチングでは、完成した回路パターン１０３の個々の回路導体１０３ａの断面が台形形状となる。この回路パターン１０３を密な配置で形成すると、回路パターン１０３の上部で断線、底部で隣接回路導体１０３ａ相互間の短絡やイオンマイグレーションが発生し易いという問題があった。

【0004】

これに対し、特許文献１に記載のプリント配線基板では、片面エッチングの工程を工夫して形成されている。このプリント配線基板は、回路パターンを構成する回路導体の断面においてトップ部の幅をボトム部の幅以上として改善を図っている。

【0005】

しかし、特許文献１に記載のプリント配線基板においては、片面エッチングにより回路導体の断面形状を略逆台形、略すり鉢形、或いは略鼓形とするものであり、回路導体の断面積の増大が規制され、大電流への対応には限界があった。

【0006】

一方、特許文献２には、図２１に示すような断面のプリント配線板１０１が提案されている。

【0007】

このプリント配線板１０１の回路パターン１０３は、金属箔の表裏の双方でエッチングを行う両面エッチングにより形成されている。

【0008】

この両面エッチングでは、まず材料としての金属箔単体の一側面にフィルム状の保護材などが接着される。

【0009】

金属箔の他側面は、パターンレジストが形成され、第１面のエッチングが行なわれる。この第１面のエッチングにより金属箔の他側面に回路パターン１０３に応じた部分が層方向の中間部まで形成される。

【0010】

次に、金属箔の他側面は、回路パターン１０３に応じた部分の他側面が、絶縁基板１０５の表面に加圧と加熱とにより接着される。

【0011】

さらに、金属箔の一側面にパターンレジストが形成され、この一側面から第２面のエッチングが行なわれる。この第２面のエッチングにより金属箔の一側面に回路パターン１０３に応じた部分が層方向の中間部まで形成される。

【0012】

この結果、図２１に示すような断面の回路パターン１０３を絶縁基板１０５上に備えたプリント配線板１０１が完成する。

【0013】

かかるプリント配線板１０１では、両面エッチングにより金属箔の厚さを実際の厚さよりも薄くしたようにして回路パターン１０３を形成することができる。また、回路パターン１０３を構成する個々の回路導体１０３ａの断面が、層方向の中間部で層方向に対する交差方向（層交差方向）への膨出形状である。従って、回路導体１０３ａの断面積の増大を図ることができ、電流増大に対応し易くなっている。

【0014】

しかし、エッチングを金属箔の表裏両面から行う単純な両面エッチングである。このため、回路パターン１０３の個々の回路導体１０３ａの層方向の中間部１０３ａｂが絶縁基板１０５の表面に沿って尖った膨出形状となっている。

【0015】

このため、図２１の回路パターン１０３は、絶縁基板１０５の表面上で個々の回路導体１０３ａの断面が尖った中間部１３ａｂを底部とするほぼ台形形状となる。結果として図２０の回路パターン１０３と同様に隣接回路導体１０３ａ相互間の短絡や絶縁基板１０５上でのイオンマイグレーションが発生し易いという問題が残存する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0016】

【文献】特開２００５―２０９９２０号公報

【文献】特開平１０―１７８２５６号公報

【発明の開示】

【発明が解決しようとする課題】

【0017】

解決しようとする問題点は、層方向の中間部で層交差方向への膨出形状とする場合、絶縁基板の表面上では、個々の回路導体の断面が層交差方向へ尖った中間部を底部とするほぼ台形状となっており、隣接回路導体相互間の短絡やイオンマイグレーションが発生し易いという問題が残存し、回路パターンの密な配置に限界があった点である。

【課題を解決するための手段】

【0018】

本発明の回路パターンは、金属基板に絶縁層を介して積層するための回路導体でなる回路パターンであって、前記回路導体の断面において、層方向の中間部が前記層交差方向への膨出形状であり、前記膨出形状は、層方向になだらかな面で形成された。

【0019】

本発明の回路基板用半製品基材は、前記回路パターンが、保護シートに積層された。

【0020】

本発明の金属ベース回路基板は、金属基板に積層した絶縁層の表面に回路導体でなる回路パターンを積層した金属ベース回路基板であって、前記回路導体の断面において、層方向の中間部が少なくとも前記絶縁層の表面上に位置する部分に対して層交差方向への膨出形状である。

【0021】

本発明の回路パターンの製造方法は、材料板への両面エッチングにより回路パターンを構成する個々の回路導体に応じた部分が相対的に薄肉の結合部で結合された回路パターン半製品を形成するパターン形成工程と、前記回路パターン半製品の一側面から前記結合部に対し片面エッチングすることにより前記回路導体の層方向の断面の中間部を膨出形状に形成すると共に前記膨出形状を層方向になだらかな面で形成した回路パターンとする回路形成工程とを備えた。

【0022】

本発明の回路パターンの製造装置は、材料板への両面エッチングにより回路パターンを構成する個々の回路導体に応じた部分が相対的に薄肉の結合部で結合された回路パターン半製品を形成するパターン形成装置と、前記回路パターン半製品の一側面から前記結合部に対し片面エッチングすることにより前記回路導体の層方向の断面の中間部を膨出形状に形成すると共に前記膨出形状を層方向になだらかな面で形成した回路パターンとする回路形成装置とを備えた。

【発明の効果】

【0023】

本発明の回路パターンは、中間部の膨出形状により回路導体の断面積を増大することができ、電流増加に対応し易く、大電流化にも有利である。膨出形状は層方向になだらかな面で形成されているから、この部分での隣接回路導体との間の短絡を抑制することができる。従って、回路パターンの密な配置を可能とする。

【0024】

本発明の回路基板用半製品基材は、回路パターンを保護シートに積層することで、膨出形状を備えた回路パターンを在庫化することができる。

【0025】

本発明の金属ベース回路基板は、電流増加に対応し易く、大電流化にも有利である。また、隣接回路導体との間のイオンマイグレーションの発生の抑制により回路パターンの密な配置にすることができる。

【0026】

本発明の回路パターンの製造方法は、電流増加に対応し易く、大電流化にも有利な回路パターンを製造することができる。また、隣接回路導体との間の短絡の抑制、イオンマイグレーションの発生の抑制により密な配置の回路パターンを製造することができる。

【0027】

本発明の回路パターンの製造装置は、回路パターンの製造方法を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0028】

【図1】図１（Ａ）は、本発明の実施例に係る膨出形状が回路導体の層方向上下中央よりも下部側に位置する金属ベース回路基板の模式的な概略断面図、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に対し膨出形状が回路導体の層方向中央よりも上部側に位置する金属ベース回路基板の模式的な概略断面図である。

【図2】図２は、回路基板用半製品基材の斜視図である。

【図3】図３は、回路パターンの平面図である。

【図4】図４は、回路導体の要部拡大断面図である。

【図5】図５は、回路パターンの製造方法を示す工程図である。

【図6】図６は、回路パターンの製造方法の後工程として金属ベース回路基板の製造方法を示す工程図である。

【図7】図７は、パターン形成装置における第１ラミネート装置のラミネート状況を示す概略断面図である。

【図8】図８は、パターン形成装置における露光装置での露光状況を示す概略断面図である。

【図9】図９は、パターン形成装置における現像装置での現像状況を示す概略断面図である。

【図10】図１０は、パターン形成装置における両面エッチング装置でのエッチング状況を示す概略断面図である。

【図11】図１１は、パターン形成装置における剥離装置でのアルカリ剥離状況を示す概略断面図である。

【図12】図１２は、回路形成装置における第２ラミネート装置でのラミネート状況を示す概略断面図である。

【図13】図１３は、回路形成装置における片面エッチング装置での片面エッチング状況を示す概略断面図である。

【図14】図１４は、回路基板用半製品基材から回路パターンの切り取りイメージを示す斜視図である。

【図15】図１５は、クッション材への回路パターンの転写を示す概略断面図である。

【図16】図１６は、回路パターンを転写したクッション材の概略断面図である。

【図17】図１７は、金属基板上の絶縁層に回路パターンを転写する真空加熱プレスを示す概略断面図である。

【図18】図１８は、金属ベース回路基板の模式的な概略断面図である。

【図19】図１９（Ａ）は、回路基板用半製品基材から切り取った保護フィルム上の回路パターンを示す概略断面図である。図１９（Ｂ）は、クッション材に転写された回路パターンを示す概略断面図である。図１９（Ｃ）は、金属基板上の絶縁層に転写された回路パターンを示す概略断面図である。

【図20】図２０は、従来例に係る金属ベース回路基板の概略断面図である。

【図21】図２１は、他の従来例に係る金属ベース回路基板の概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0029】

本発明は、電流増加に対応し易く、隣接回路導体相互間の短絡或いはイオンマイグレーションが発生し難く、回路パターンの密な配置を可能にするという目的を以下のように実現した。

【0030】

本発明は、金属基板に絶縁層を介して積層するための回路導体でなる回路パターンであって、回路導体の断面において、層方向の中間部が層交差方向への膨出形状であり、膨出形状は、層方向になだらかな面で形成された。層方向とは、回路導体の積層方向又は板厚方向を意味し、層交差方向とは、層方向に対する交差方向である。

【0031】

回路導体の断面の層方向の中間部の膨出形状は、回路導体の周側面の周方向において周側面に周回状に全体的に形成されるが、部分的に形成してもよい。

【0032】

層方向の中間部とは、回路導体の層方向の上下面間での任意の位置を意味する。

【0033】

回路導体の層方向になだらかな面は、層交差方向に尖端を有しないことを意味し、例えば層交差方向への凸曲面である。ただし、このなだらかな面は、層交差方向に尖っていなければよく、必ずしも曲面である必要は無い。つまり、なだらかな面は、ダレた凸面、変形した凸面などにすることもできる。

【0034】

回路導体の断面の層方向の中間部の膨出形状は、ウェットエッチングによる両面エッチング及び片面エッチングを用いて形成できるが、同様の形状を形成できる限りにおいて加工方法は問わない。

【0035】

回路導体は、層方向の断面において絶縁層に接する下面の幅が上面の幅よりも広い又は層方向の断面において絶縁層に接する下面の幅が上面の幅よりも狭い。但し、回路導体は、上下面の幅が等しくても良い。

【0036】

回路基板用半製品基材の回路パターンは、保護シートに積層された構成であってもよい。保護シートは、エッチングに使用されたものをそのまま用いればよい。ただし、保護シートを、エッチングの保護シートとは別のものを用いることもできる。保護シートの大きさは、回路パターンに応じているのがよい。保護シートは、可撓性を有しているものが好ましいが、硬質のものであってもよい。

【0037】

回路基板用半製品板材の回路パターンは、厚みが０．８ｍｍを上回る。

【0038】

この回路パターンは、大電流化ニーズに応じた厚みのあるパターンとなる。但し、回路パターンの厚みは、電流仕様に応じて種々選択できる。つまり、回路パターンは、回路導体の断面に膨出形状が無い場合との比較において回路導体の断面の膨出形状により電流増加に対応し易くできればよい。回路パターンの厚みの上限、下限は、回路パターンとして技術常識の範囲内である。回路パターンは、銅箔、圧延銅板、アルミ板などで形成することができる。

【0039】

本発明の金属ベース回路基板は、金属基板に積層した絶縁層の表面に回路導体でなる回路パターンを積層した金属ベース回路基板であって、回路導体の断面において、層方向の中間部が少なくとも絶縁層の表面上に位置する部分に対して層交差方向への膨出形状である。

【0040】

絶縁層の表面に回路導体でなる回路パターンを積層したとは、回路導体の下面が絶縁層の表面に接するか僅かに埋没した状態である。この場合、膨出形状には、層交差方向に尖った形状を含む。膨出形状は、層方向になだらかな面で形成されてもよい。

【0041】

金属ベース回路基板の回路パターンは、絶縁層上で回路導体の周側面を樹脂モールドすることもできる。金属基板の厚み、平面形状は、金属ベース回路基板の仕様に応じて設定される。

【0042】

本発明の回路パターンの製造方法は、パターン形成工程と、回路形成工程とを備えた。パターン形成工程は、材料板への両面エッチングにより回路パターンを構成する個々の回路導体に応じた部分が相対的に薄肉の結合部で結合された回路パターン半製品を形成する。回路形成工程は、回路パターン半製品の一側面から結合部に対し片面エッチングすることにより回路導体の層方向の断面の中間部を膨出形状に形成すると共に膨出形状を層方向になだらかな面で形成した回路パターンとする。

【0043】

材料板の両面へのエッチングは、両面同時に行うこと又は片面ずつ両面を行うことの何れでもよい。

【0044】

回路導体に応じた部分とは、金属ベース回路基板の回路導体に対応した部分であり、相互に結合部で結合され、回路導体として半製品であることを意味する。

【0045】

薄肉の結合部は、回路導体の層方向の中間部において任意の位置に形成することができる。

【0046】

相対的に薄肉とは、結合部が回路導体に対して薄肉であることを意味する。

【0047】

回路パターン半製品は、材料板への両面エッチングにより回路パターンの輪郭が形成され、且つ回路パターンの回路導体に応じた部分が相互に結合部で結合され、回路パターンとしては半製品の状態である。つまり、回路パターン半製品とは、材料板への両面エッチングによる結果物である。

【0048】

回路パターン半製品の一側面は、回路パターン半製品の表裏何れでもよく、選択した面が一側面であり、この一側面に対する他方の面が他側面となる。

【0049】

回路パターンの製造方法は、パターン形成工程及び回路形成工程に加え、製造された回路パターンを金属基板に絶縁層を介して積層する工程を含むことができる。

【0050】

パターン形成工程は、回路パターン半製品の回路パターンに応じた部分の最外周に結合部に応じた形状の舌部を周回状に備えた回路パターン半製品を形成し、回路形成工程は、片面エッチングを結合部及び舌部に対して行い上記膨出形状とする。

【0051】

回路パターンに応じた部分とは、金属ベース回路基板の回路パターンに応じた部分であり、結合部で結合された個々の回路導体に応じた部分の組み合わせで構成される。

【0052】

結合部に応じた形状の舌部は、片面エッチングにより結合部と共に除去可能な形状を意味し、例えば厚み、幅寸法が結合部とほぼ同じであるものである。

【0053】

回路形成工程は、回路パターン半製品の一側面に結合部を露出させ又は結合部及び舌部を露出させたレジストパターンを形成すると共に回路パターン半製品の他側面に保護シートを積層するシート積層工程を含み、回路形成工程は、一側面からの片面エッチングをレジストパターンから行う。

【0054】

回路形成工程は、片面エッチングの後にレジストパターンを除去して保護シートに積層された回路パターンを有する回路基板用半製品基材を得る。

【0055】

本発明の回路パターンの製造装置は、パターン形成装置と、回路形成装置とを備えた。パターン形成装置は、材料板への両面エッチングにより回路パターンを構成する個々の回路導体に応じた部分が相対的に薄肉の結合部で結合された回路パターン半製品を形成する。回路形成装置は、回路パターン半製品の一側面から結合部に対し片面エッチングすることにより回路導体の層方向の断面の中間部を膨出形状に形成すると共に膨出形状を層方向になだらかな面で形成した回路パターンとする。

【0056】

回路パターンの製造装置は、回路パターン半製品の一側面にレジストパターンを形成すると共に回路パターン半製品の他側面に保護シートを積層する積層装置を備え、回路形成装置は、一側面からの片面エッチングをレジストパターンから行う。

【0057】

回路形成装置は、片面エッチングの後にレジストパターンを除去して保護シートに積層された回路パターンを有する回路基板用半製品基材を形成する。

【実施例】

【0058】

［金属ベース回路基板］
図１（Ａ）は、膨出形状が回路導体の層方向上下中央よりも下部側に位置する金属ベース回路基板の模式的な概略断面図、図１（Ｂ）は、膨出形状が回路導体の層方向上下中央よりも上部側に位置する金属ベース回路基板の模式的な概略断面図である。

【0059】

なお、以下の説明において、層方向とは、金属ベース回路基板の積層方向を意味する。層交差方向とは、金属ベース回路基板の面方向を意味する。上とは、金属ベース回路基板を水平に置いた時の重力方向の上を意味する。下とは、金属ベース回路基板を水平に置いた時の重力方向の下を意味する。

【0060】

図１の金属ベース回路基板１は、大電流化ニーズに応じた厚い回路パターン３を備えたものである。図１（Ａ）及び（Ｂ）の金属ベース回路基板１は、膨出形状が上下中央よりも下部側に位置するか上部側に位置するかで相違するが、基本的には同一構造である。従って、金属ベース回路基板１の構造は、主に図１（Ａ）を用いて説明し、図１（Ｂ）の金属ベース回路基板１及び図２の回路導体の断面は、必要に応じて参照する。

【0061】

図１（Ａ）のように、金属ベース回路基板１は、後述する回路基板用半製品基材を用いて製造されたものである。この金属ベース回路基板１は、金属基板５上に絶縁層７を介して回路パターン３を積層したものである。

【0062】

回路パターン３は、例えば銅で形成され、本実施例において厚みが０．８ｍｍを上回る３．０ｍｍの回路用銅材料で形成され、大電流に対応したものとしている。

【0063】

この回路パターン３は、電気的に独立した複数の回路導体３ａを備えている。複数の回路導体３ａの構成は、回路パターン３の要求特性に応じて形成される。

【0064】

回路導体３ａの層方向の厚みは、０．８～３．０ｍｍの範囲で選択している。但し、回路導体３ａの層方向の厚みは、金属ベース回路基板１の仕様により上記範囲外での選択も可能である。

【0065】

回路導体３ａの断面において、層方向の中間部が少なくとも絶縁層７上に位置する部分である下面３ｄに対して層交差方向への膨出形状である。本実施例では、層方向の中間部が上下面３ｃ及び３に対して層交差方向への膨出形状となる。この膨出形状は、層方向になだらかな面３ｂで形成されている。層方向になだらかな面３ｂは、凸曲面である。各回路導体３ａは、周方向に同様の断面が連続する形状となっている。

【0066】

回路導体３ａの層方向の中間部は、回路導体３ａの層方向の上下面３ｃ、３ｄ間の位置である。図１（Ａ）の膨出形状の面３ｂは、回路導体３ａの上下中央よりも若干下面３ｄ寄りとなっている。図１（Ｂ）の回路導体３ａの膨出形状の面３ｂは、回路導体３ａの上下中央よりも若干上面３ｃ寄りとなっている。

【0067】

層方向になだらかな面３ｂは、層交差方向の尖った部分（尖端）や角ばった部分が無く、層方向に連続している。面３ｂの凸曲面は、円弧状に漸次連続している。

【0068】

膨出形状の面３ｂに対して上下側の面３ｅ、３ｆはほぼ直状の傾斜面となって面３ｂに連続している。なお、面３ｅ、３ｆは、後述する図４のように凹曲面状に形成することもできる。

【0069】

図１（Ａ）に示す回路導体３ａの下面３ｄは、上面３ｃよりも幅が広くなっている。図１（Ｂ）に示す回路導体３ａでは、図１（Ａ）の回路導体３ａとは逆に上面３ｃの幅が下面３ｄの幅より広く形成されている。

【0070】

図１（Ａ）に示す回路導体３ａでは、回路導体３ａの膨出形状の面３ｂ間の間隔は、２ｍｍ程度に設定され、下面３ｄ間の間隔は、２．１ｍｍ程度となっている。図１（Ｂ）に示す回路導体３ａでは、回路導体３ａの膨出形状の面３ｂ間の間隔を、２ｍｍ程度に設定すると、下面３ｄ間の間隔は、２．２ｍｍ程度となっている。

【0071】

図２０、図２１の従来のプリント配線板１０１を比較して見ると、絶縁基板１０５の表面での回路導体１０３ａの間隔が２ｍｍとなり、図１（Ａ）及び（Ｂ）の金属ベース回路基板１に対して狭くなる。

【0072】

絶縁層７は、回路パターン３を金属基板５から電気的に絶縁する役割を果たしているのに加え、それらを互いに張り合わせる接着剤としての役割も果たしている。そのため、絶縁層７には一般に樹脂が使用される。

【0073】

絶縁層７の厚みは、６０～１５０μｍに設定されている。この絶縁層７は、回路パターン３に実装される素子の高い発熱性に対する高い耐熱性と、この発熱を金属基板５に伝達する高い熱伝達性とが必要とされる。このため、絶縁層７は無機充填材を更に含有することが好ましい。

【0074】

絶縁層７のマトリクス樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、トリアジン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ノボラック型シアネート樹脂等のシアネート樹脂等を単独又は２種以上を混合して用いることができる。また、エポキシ樹脂と合わせてアミン、フェノール樹脂などの硬化剤を使用する。硬化剤は例えば同じアミン化合物の中から２種以上混合する場合もある。さらに硬化のための触媒を加えることもある。

【0075】

絶縁層７が含有する無機充填材は、電気絶縁性に優れ且つ熱伝導率の高いものが好ましい。例えば、アルミナ、シリカ、窒化アルミ、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化マグネシウム等が挙げられ、これらの中から選ばれる１種又は２種以上を無機充填材として用いることが好ましい。

【0076】

絶縁層７における無機充填材の充填率は、無機充填剤の種類に応じて適宜設定することができる。例えば、無機充填材の充填率は、絶縁層７に含有されるマトリクス樹脂の全体積を基準として８５体積％以下であることが好ましく、３０～８５体積％がより好ましい。

【0077】

絶縁層７は、上述したマトリックス樹脂及び無機充填材以外に、例えば、カップリング剤、分散剤等を更に含有してもよい。

【0078】

なお、絶縁層７として半硬化状態の絶縁シートを用いることもできる。

【0079】

金属基板５は、例えば、単体金属又は合金からなる。金属基板５の材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、アルミニウム合金、又はステンレスを使用することができる。金属基板５は、炭素などの非金属を更に含んでいてもよい。例えば、金属基板５は、炭素と複合化したアルミニウムを含んでいてもよい。また、金属基板５は、単層構造、又は多層構造を有していてもよい。

【0080】

金属基板５は、高い熱伝導率を有している。例えば、銅材では、３７０～４００Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１、アルミ材では、１９０～２２０Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１、鉄材では、６０～８０Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１の熱伝導率を有している。

【0081】

金属基板５は、可撓性を有していてもよく、可撓性を有していなくてもよい。金属基板５の厚さは、例えば、１．０～３．０ｍｍの範囲内で設定されている。

【0082】

なお、金属ベース回路基板１は、ヒートシンク形状の金属基板を用いた金属ベース回路基板として構成することもできる。

【0083】

かかる金属ベース回路基板１は、上記のように回路導体３ａに層方向の中間部で層方向になだらかな層交差方向への凸曲面である面３ｂで膨出形状が形成されている。

【0084】

このため、回路導体３ａの中間部の膨出形状により回路導体３ａの断面積を増大することができる。従って、金属ベース回路基板１は、電流増加に対応し易く、大電流化にも有利である。

【0085】

回路導体３ａの膨出形状は層方向になだらかな面３ｂで形成されているから、この部分での隣接回路導体３ａとの間の短絡を抑制することができる。

【0086】

図１（Ａ）及び（Ｂ）に示す回路導体３ａは、絶縁層７に積層される回路導体３ａの下面３ｄの幅が中間部の面３ｂにおける幅よりも小さくなる。従って、回路導体３ａ間の絶縁層７上でのイオンマイグレーションの発生を抑制できる。

【0087】

隣接回路導体３ａ間の短絡を抑制し、イオンマイグレーションの発生を抑制できるから、金属ベース回路基板１では回路パターン３の密な配置を可能とする。特に図１（Ａ）に示す回路導体３ａは、下面３ｄの幅が上面３ｃ幅よりも広く、絶縁層７に対する接着力を図１（Ｂ）に示す回路導体３ａよりも大きくすることができる。

【0088】

［回路基板用半製品基材］
図２は、回路基板用半製品基材の斜視図である。図３は、回路パターンの平面図である。図４は、回路導体の要部拡大断面図である。

【0089】

図２のように本発明実施例の回路基板用半製品基材Ｗ１は、回路パターン３が、保護シート９に積層されて形成されている。回路基板用半製品基材Ｗ１は、後述のように両面エッチング及び片面エッチングを用いた回路パターンの製造方法により製造されている。

【0090】

保護シート９は、後述のように回路パターン半製品の一側面から行う片面エッチングに際して回路パターン半製品の他側面にラミネートされた裏面保護フィルムがそのまま用いられている。

【0091】

回路パターン３は、概ね前述の通りであるが、銅板材に対するウェットエッチングで両面エッチング及び片面エッチングにより製造した場合、代表的な断面形状は図４のようになる。両面エッチング及び片面エッチングによる製造方法については、後述する。

【0092】

図４において、円弧状の凸曲面である面３ｂは、回路導体３ａの上下面３ｃ、３ｄ間の中央又は中央よりも僅かに上面３ｃ寄り（ｔ１－ｔ２≦ｔ２）に形成されている。

【0093】

膨出形状の面３ｂに対して上下側の面３ｅ、３ｆは、凹曲面状に形成されている。面３ｂ及び面３ｅ、３ｆは、回路導体３ａの周側面で層方向に滑らかに連続している。面３ｂは、上下面３ｃ、３ｄよりも層交差方向へ突出している。

【0094】

従って、回路基板用半製品基材Ｗ１の回路パターン３を用いて金属ベース回路基板１を製造することができる。

【0095】

［回路パターンの製造方法、金属ベース回路基板の製造方法］
図５は、回路パターンの製造方法を示す工程図である。図６は、回路パターンの製造方法の後工程として金属ベース回路基板の製造方法を示す工程図である。実施例では、回路パターンの製造方法及び金属ベース回路基板の製造方法を連続ラインで実現しているが、これら製造方法を、別個のラインとして実現することもできる。

【0096】

図５のように、回路パターン製造方法は、パターン形成工程Ｓ１～Ｓ５と回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０とを備えている。また、回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０は、シート積層工程Ｓ６～Ｓ８を含んでいる。

【0097】

パターン形成工程Ｓ１～Ｓ５は、材料板としての銅箔又は銅板材への両面エッチングを行う。これにより回路パターン３を構成する個々の回路導体３ａに応じた部分が相対的に薄肉の結合部（後述）で結合された回路パターン半製品が形成される。

【0098】

回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０は、回路パターン半製品（後述）の一側面から結合部及び回路パターン最外周の舌部（後述）に対し片面エッチングを行う。これにより回路導体３ａの層方向の断面の中間部を膨出形状に形成すると共に膨出形状を層方向になだらかな面３ｂで形成した回路パターン３を得る。

【0099】

シート積層工程である第２フィルムラミネート工程Ｓ６は、回路パターン半製品の一側面に結合部及び舌部を露出させたレジストパターン（後述）を形成すると共に回路パターン半製品の他側面に保護シート（後述）を積層する。

【0100】

パターン形成工程Ｓ１～Ｓ５は、パターン形成装置（後述）によって行われる。回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０は、回路形成装置（後述）によって行われる。シート積層工程Ｓ６～Ｓ８は、積層装置（後述）によって行われる。

【0101】

回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０では、一側面からの片面エッチングをレジストパターンから行う。

【0102】

そして、回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０では、片面エッチングの後にレジストパターンを除去して保護シートに積層された回路パターン３を有する回路基板用半製品基材Ｗ１を得る。この回路基板用半製品基材Ｗ１は、基板積層工程Ｓ１１～Ｓ１４による金属ベース回路基板１の製造に用いられる。回路基板用半製品基材Ｗ１は、連続生産ラインから切り離してそのまま在庫化することもできる。

【0103】

図５のパターン形成工程Ｓ１～Ｓ５及び回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０を、図７～図１３を参照しつつさらに説明する。図７～図１１はパターン形成工程Ｓ１～Ｓ５を実現するパターン形成装置に係り、図１２～図１３は、回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０を実現する回路形成装置に係るものである。

【0104】

図７は、パターン形成装置における第１ラミネート装置のラミネート状況を示す概略断面図である。図８は、パターン形成装置における露光装置での露光状況を示す概略断面図である。図９は、パターン形成装置における現像装置での現像状況を示す概略断面図である。図１０は、パターン形成装置における両面エッチング装置での両面エッチング状況を示す概略断面図である。図１１は、パターン形成装置におけるアルカリ剥離装置でのアルカリ剥離状況を示す概略断面図である。

【0105】

図１２は、回路形成装置における第２ラミネート装置でのラミネート状況を示す概略断面図である。図１３は、回路形成装置における片面エッチング装置での片面エッチング状況を示す概略断面図である。

【0106】

また、図６の基板積層工程Ｓ１１～Ｓ１４を図１４～図１９を参照しつつさらに説明する。図１４は、回路基板用半製品基材からの回路パターンの切り取りイメージを示す斜視図である。図１５は、クッション材への回路パターンの転写を示す概略断面図である。図１６は、回路パターンを転写したクッション材の概略断面図である。図１７は、金属基板上の絶縁層に回路パターンを転写する真空加熱プレスを示す概略断面図である。図１８は、金属ベース回路基板の模式的な概略断面図である。図１９（Ａ）は、回路基板用半製品基材から切り取った保護フィルム上の回路パターンを示す概略断面図である。図１９（Ｂ）は、クッション材に転写された回路パターンを示す概略断面図である。図１９（Ｃ）は、金属基板上の絶縁層に転写された回路パターンを示す概略断面図である。

【0107】

図５において、ステップＳ１は、パターン形成工程の第１フィルムラミネート工程である。この工程は、パターン形成装置に含まれる図７の第１ラミネート装置１１でのフィルムラミネートによって実現される。

【0108】

すなわち、材料板である銅板材Ｗは、予め基板サイズに切断され、第１ラミネート装置１１のロール１１ａ、１１ｂ間にドライフィルム１３ａ、１３ｂと共に供給される。この工程によりドライフィルム１３ａ、１３ｂが、銅基板Ｗの表裏に貼り付けられる。ドライフィルム１３ａ、１３ｂとしては、厚み１００μｍ程度のものが用いられている。ただし、ドライフィルム１３ａ、１３ｂとして他の厚みを有するもの、例えば４０μｍ程度のものを用いることもある。

【0109】

ステップＳ２は、パターン形成工程の露光工程である。この工程は、パターン形成装置に含まれる図８の露光装置１５での露光によって実現される。この工程では、表裏にドライフィルム１３ａ、１３ｂが張り付けられた銅基板Ｗの表裏のドライフィルム１３ａ、１３ｂに露光フィルム１７ａ、１７ｂを配置し、露光する。

【0110】

ステップＳ３は、パターン形成工程の現像工程である。この工程は、図９のようにパターン形成装置に含まれる現像装置（図示せず。）での現像によって実現される。この工程では、ステップＳ２で露光された銅基板Ｗの表裏のドライフィルム１３ａ、１３ｂを現像し、露光で硬化していない部分を除去する。除去されて露出した銅基板Ｗにおける部分は、回路パターンとならない部分となる。つまり、現像後に残ったドライフィルム１３ａ、１３ｂは、回路パターン３に対応したレジストパターン１９となっている。

【0111】

ステップＳ４は、パターン形成工程の両面エッチング工程である。この工程は、パターン形成装置に含まれる図１０の両面エッチング装置２１での両面エッチングによって実現される。この工程では、両面エッチング装置２１により塩化第二鉄のエッチング液を銅基板Ｗの表裏から噴霧し、両面エッチングを行う。エッチング液としては、塩化第二銅、アルカリエッチング液を用いることもできる。なお、図１０において、両面エッチング装置２１は、概念的にのみ示している。この両面エッチング装置２１としては、適宜の周知の両面エッチング機を採用可能である。

【0112】

両面エッチングは、液温４５℃、スプレー圧０．４ＭＰａの噴霧でエッチング時間３０分程度行われる。但し、両面エッチングの液温等の条件は、結合部２３及び舌部２３ａの設定により種々変更することができる。

【0113】

この両面エッチングにより、回路パターン３を構成する個々の回路導体３ａに応じた部分３ａａが相対的に薄肉の結合部２３で結合された形状が形成される。回路導体３ａに応じた部分３ａａで構成される回路パターンに応じた部分３Ａの最外周には、結合部２３に対応した形状の舌部２３ａが形成されている。舌部２３ａは、回路パターンに応じた部分３Ａ全体を囲むように周回状に形成されている。舌部２３ａの厚み、突出寸法は、結合部２３の厚み及び回路導体３ａ間に渡る寸法と同程度に形成されている。

【0114】

ステップＳ５は、パターン形成工程のアルカリ剥離工程である。この工程は、図１１のようにパターン形成装置に含まれるアルカリ剥離装置（図示せず。）でのアルカリ剥離によって実現される。この工程では、現像後に回路パターン３に対応したレジストパターン１９がアルカリ液により除去され、回路パターン半製品２５が形成される。回路パターン半製品２５では、回路パターン３を構成する個々の回路導体３ａに応じた部分３ａａが相対的に薄肉の結合部２３で相互に結合されている。

【0115】

ステップＳ６は、回路形成工程の第２フィルムラミネート工程である。第２フィルムラミネート工程は、ステップＳ７の露光工程、ステップＳ８の現像工程と共にシート積層工程を構成し、後述のようにレジストパターン３１を形成する。この工程は、回路形成装置に含まれる図１２の第２ラミネート装置２７でのフィルムラミネートによって実現される。

【0116】

この工程では、回路パターン半製品２５が第２ラミネート装置２７のロール２７ａ、２７ｂ間にドライフィルム２９、保護シート９としての裏面保護フィルムと共に供給される。

【0117】

この工程によりドライフィルム２９が、回路パターン半製品２５の表面に貼り付けられ、保護シート９である裏面保護フィルムが同裏面に貼り付けられる。なお、回路パターン半製品２５の表裏は、任意に選択することができる。ドライフィルム２９としては、厚み１００μｍ程度のものが用いられている。但し、ドライフィルム２９として他の厚みを有するもの、例えば厚み４０μｍのものを用いることもある。

【0118】

ステップＳ７は、回路形成工程の露光工程、ステップＳ８は、回路形成工程の現像工程である。ステップＳ７、Ｓ８は、パターン形成工程のステップＳ２、Ｓ３と同様の工程が実施される。ステップＳ７、Ｓ８は、ステップＳ６と共に回路形成工程のシート積層工程を構成する。シート積層工程を実現する第２ラミネート装置２７、露光装置、現像装置が積層装置を構成する。

【0119】

ステップＳ８において現像後に残ったドライフィルム２９は、回路パターンに対応して回路パターン半製品２５の一側面である表面に結合部２３を露出させたレジストパターン３１を構成する。回路パターン半製品２５の他側面である裏面には、裏面保護フィルムである保護シート９が積層して貼り付けられる。

【0120】

ステップＳ９は、回路形成工程の片面エッチング工程である。この工程は、回路形成装置に含まれる図１３の片面エッチング装置３３での片面エッチングによって実現される。この工程では、片面エッチング装置３３により塩化第二鉄のエッチング液を一側面のレジストパターン３１から噴霧し、片面エッチングを行う。なお、図１３において、片面エッチング装置３３は、概念的にのみ示している。この片面エッチング装置３３としては、適宜の周知の片面エッチング機を採用可能である。

【0121】

エッチング液としては、上記同様、塩化第二銅、アルカリエッチング液を用いることもできる。この片面エッチングは、液温４５℃、スプレー圧０．４ＭＰａの噴霧でエッチング時間５分程度行われる。但し、両面エッチングの液温等の条件は、結合部２３及び舌部２３ａの厚み、層方向の位置により種々変更することができる。片面エッチングにより、結合部２３及び舌部２３ａがエッチングされて除去される。

【0122】

結合部２３及び舌部２３ａは完全に除去するのではなく、回路導体３ａの周側面が膨出形状となるように残す。この場合、エッチングの進行と共に膨出形状に対して層方向においても全体的にエッチング液が行き渡ることになる。

【0123】

このため、膨出形状の表面は、図４のように円弧状の凸曲面の面３ｂとして形成される。面３ｂの凸曲面の形態は、液温、スプレー圧、エッチング時間の設定により調節することができる。面３ｂの上下面３ｃ、３ｄ間での位置、膨出形状の大きさ、上下面３ｃ、３ｄの幅の設定は、結合部２３及び舌部２３ａの上下位置、厚み、片面エッチングの液温、スプレー圧、エッチング時間の設定により調節することができる。

【0124】

ステップＳ１０は、回路形成工程の完成工程に関する。この完成工程では、ステップＳ５のアルカリ剥離工程と同様の工程が行われる。つまり、ステップＳ９での片面エッチングの後に回路形成装置に含まれるアルカリ剥離装置でのアルカリ剥離によりレジストパターン３１を除去する。この結果、図２の回路基板用半製品基材Ｗ１を結果物として得る。回路基板用半製品基材Ｗ１は、保護シート９である裏面保護フィルムに回路パターン３が貼り付けられている。

【0125】

図２のように得られた回路基板用半製品基材Ｗ１を用い、図６の基板積層工程Ｓ１１～Ｓ１４により金属ベース回路基板１が完成する。

【0126】

つまり、図１４に示されるような回路基板用半製品基材Ｗ１から回路パターン３を１組ずつ切り取り、回路パターン３をむき出し面（表面）でクッション材３５へ転写させる。次いで裏面保護フィルムを剥がし、金属基板５上の絶縁層７に回路パターン３を裏面保護フィルムを剥がした側で貼り付ける。さらにクッション材３５を剥がし、回路パターン３を加圧加熱処理して金属ベース回路基板１が完成する。

【0127】

さらに述べると、図６においてステップＳ１１は、基板積層工程の切り取り工程である。この工程では、前記のようにして得られた回路基板用半製品基材Ｗ１から図１４のように一組の回路パターン３の切り取りが行われる。この切り取りでは、保護シート９がカットされ一組の回路パターン３が保護シート９と共に切り出される。

【0128】

ステップＳ１２は、転写工程である。この工程では、図１５のように回路パターン３の表面をクッション材３５の表面に向け、回路パターン３をクッション材３５にプレスにより転写する。この時、回路パターン３の個々の回路導体３ａの相互位置は保護シート９により正確に維持される。

【0129】

クッション材３５は、例えば厚さ３～５ｍｍのウレタン製である。クッション材３５の表面には、粘着層が備えられている。回路パターン３の表面は、クッション材３５の表面の粘着層に粘着により保持される。クッション材３５の粘着強度は、保護シート９による回路パターン３の保持力よりも高く設定されている。従って、プレス後に保護シート９を剥がすことで図１６のようにクッション材３５に回路パターン３が転写される。

【0130】

ステップＳ１３は、真空加熱プレス工程である。この工程では、図１７のようにクッション材３５に保持された回路パターン３を金属基板５上の絶縁層７に真空加熱プレスにより押圧する。

【0131】

このとき、クッション材３５は、各回路導体３ａの粘着部分が各回路導体３ａから反力を受けて撓み、各回路導体３ａの粘着部分以外の残りの部分が絶縁層７に届くように変形する。このクッション材３５の弾性により真空加熱プレス時に各回路導体３ａを未硬化の絶縁層７上に適正に押圧することができる。

【0132】

従って、クッション材３５の厚みは、プレスする回路導体３ａの厚みに応じて設定される。すなわち、クッション材３５は、厚い回路導体３ａの場合に厚く、薄い回路導体３ａの場合に薄くなる。これらの厚みの関係は、クッション材３５の弾性との関係で予めの実験により設定することができる。

【0133】

ステップＳ１４は、完成工程である。この工程では、絶縁層７が固化した後、クッション材３５を剥がす。これによって図１８の金属ベース回路基板１が完成する。

【0134】

ステップＳ１１～Ｓ１４の工程と膨出形状との関係は、図１９のようになる。

【0135】

ステップＳ１１の切り取り工程により回路パターン３の個々の回路導体３ａの下面３ｄが切り取られた保護シート９に保持され、個々の回路導体３ａの上面３ｃが露出している。個々の回路導体３ａの膨出形状の面３ｂは、保護シート９を下方に位置させた状態で回路導体３ａの上下中央位置よりも下側としている。

【0136】

ステップＳ１２の転写工程により回路パターン３の個々の回路導体３ａが反転し、個々の回路導体３ａの上面３ｃがクッション材３５に保持され、個々の回路導体３ａの下面３ｄが露出する。この状態で面３ｂは、クッション材３５を下方に位置させた状態で回路導体３ａの上下中央位置よりも上側となる。

【0137】

ステップＳ１３、Ｓ１４の真空加熱プレス工程及び完成工程では、個々の回路導体３ａが再反転し、下面３ｄが絶縁層７に固定される。絶縁層７が硬化した後クッション材３５が剥離ローラー（図示せず。）などを用いて剥がされることにより各回路導体３ａの上面３ｃが露出する。この完成した金属ベース回路基板１において個々の回路導体３ａの膨出形状の面３ｂは、絶縁層７を下方に位置させた状態で回路導体３ａの上下中央位置よりも下側となっている。

【0138】

なお、完成した金属ベース回路基板１において個々の回路導体３ａの膨出形状の面３ｂを、絶縁層７を下方に位置させた状態で回路導体３ａの上下中央位置よりも上側にすることもできる。

【0139】

この場合、ステップＳ１１の切り取り工程により個々の回路導体３ａの膨出形状の面３ｂは、保護シート９を下方に位置させた状態で回路導体３ａの上下中央位置よりも上側とする。

【0140】

ステップＳ１２の転写工程で面３ｂは、クッション材３５を下方に位置させた状態で回路導体３ａの上下中央位置よりも下側となる。

【0141】

ステップＳ１３、Ｓ１４の真空加熱プレス工程及び完成工程で面３ｂは、絶縁層７を下方に位置させた状態で回路導体３ａの上下中央位置よりも上側となる。

【0142】

なお、図６の基板積層工程では、クッション材３５を用いているが、これを省略してもよい。この場合、保護シート９をそのままクッション材として代用し、切り取り工程Ｓ１１の後に真空加熱プレス工程Ｓ１３を実行させることもできる。保護シート９は、エッチング液に対する耐薬液性を有してはいるが前記ステップＳ１３の真空加熱プレス工程でのクッション材３５と同等の厚み及び弾性を有する物性を備えることになる。

【0143】

［作用効果］
本発明実施例は、金属基板５に絶縁層７を介して積層するための回路導体３ａでなる回路パターン３であって、回路導体３ａの断面は、層方向の中間部が層交差方向への膨出形状であり、膨出形状は、層方向に連続した円弧状の凸曲面のなだらかな面３ｂで形成された。

【0144】

従って、面３ｂの膨出形状により回路導体３ａの体積を増加することができる。特に円弧状の凸曲面は、膨出形状が尖った形状にすることなく回路導体３ａの体積を確実に増大させることができる。この回路導体３ａの体積増大により膨出形状を電流増加に対応し易く、大電流化にも有利である。

【0145】

膨出形状は層方向になだらかな面３ｂで形成されているからこの面３ｂでの隣接回路導体３ａ間の短絡を抑制することができる。特に円弧状の凸曲面は、膨出形状での回路導体３ａ相互の短絡を確実に抑制することができる。

【0146】

中間部での膨出形状により回路導体３ａの体積を増大させながら絶縁層７に積層される回路導体３ａの下面３ｄの幅を中間部の面３ｂ相互間の幅よりも小さくすることができる。下面３ｄ部分で回路導体３ａの幅が小さくなることで隣接回路導体３ａ間の短絡を抑制し、且つイオンマイグレーションの発生を抑制できる。

【0147】

隣接回路導体３ａ間の短絡を抑制し、イオンマイグレーションの発生を抑制できるから回路パターン３の密な配置を可能とする。

【0148】

回路導体３ａは、層方向の断面において絶縁層７に接する下面３ｄの幅が上面３ｃの幅よりも狭い。この上下面３ｃ、３ｄの幅の設定により、下面３ｄにおいて隣接回路導体３ａ間の短絡を抑制し、且つイオンマイグレーションの発生を抑制できる。上面３ｃにおいては、断線を抑制できる。

【0149】

回路基板用半製品基材Ｗ１は、回路パターン３が、裏面保護フィルムの保護シート９に積層された。

【0150】

この保護シート９により、片面エッチング時は回路パターン３の裏面をエッチング液から保護することができる。また、保護シート９により、結果物を回路パターン３が保護シート９に積層された回路基板用半製品基材Ｗ１として取り扱うことを可能とし、在庫化を容易にすることができる。

【0151】

回路基板用半製品板材Ｗ１の回路パターン３は、厚みが０．８ｍｍを上回る３．０ｍｍの銅板材Ｗで形成した。この回路パターン３の厚みにより、大電流に対応できる。

【0152】

金属ベース回路基板１は、回路パターン３が、金属基板５に絶縁層７を介して積層された。この積層により、上記作用効果を備えた回路パターン３を有する金属ベース回路基板１を得ることができる。

【0153】

回路パターンの製造方法は、銅板材Ｗへの両面エッチングにより回路パターン３を構成する個々の回路導体３ａに応じた部分３ａａが相対的に薄肉の結合部２３で結合された回路パターン半製品２５を形成するパターン形成工程Ｓ１～Ｓ５と、回路パターン半製品２５の一側面から結合部２３に対し片面エッチングすることにより回路導体３ａの層方向の断面の中間部を膨出形状に形成すると共に膨出形状を層方向になだらかな面３ｂで形成した回路パターン３とする回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０とを備えた。

【0154】

この回路パターンの製造方法のパターン形成工程Ｓ１～Ｓ５では、両面エッチングにより回路パターン半製品２５を形成することができる。回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０では、回路パターン半製品２５を用いて回路パターン３を形成することができる。

【0155】

パターン形成工程Ｓ１～Ｓ５は、回路パターン半製品２５の回路パターン３に応じた部分３Ａの最外周に結合部２３と共に結合部２３に応じた形状の舌部２３ａを周回状に形成する。

【0156】

この舌部２３ａにより回路パターン３の最外周においても回路導体３ａの層方向の断面の中間部を膨出形状に形成すると共に膨出形状を層方向になだらかな面３ｂで形成することができる。

【0157】

回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０は、回路パターン半製品２５の一側面に結合部２３及び舌部２３ａを露出させたレジストパターン３１を形成すると共に回路パターン半製品２５の他側面に保護シート９を積層するシート積層工程Ｓ６～Ｓ８を含み、回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０は、一側面からの片面エッチングをレジストパターン３１から行う。

【0158】

この片面エッチングにより回路導体３ａの周側面になだらかな面３ｂの膨出形状を形成することができる。片面エッチングの液温、スプレー圧、エッチング時間の設定により面３ｂを円弧状の凸曲面にすることもできる。

【0159】

回路形成工程Ｓ６～Ｓ１０は、片面エッチングの後にレジストパターン３１を除去して保護シート９に積層された回路パターン３を有する回路基板用半製品基材Ｗ１とする。この回路基板用半製品基材Ｗ１は、取り扱い、在庫化を容易に行わせることができる。

【0160】

この回路基板用半製品基材Ｗ１を、金属ベース回路基板１の製造に用いることで上記作用効果を備えた回路パターン３を有する金属ベース回路基板１を得ることができる。

【0161】

回路パターンの製造装置は、銅板材Ｗへの両面エッチングにより回路パターン３を構成する個々の回路導体３ａに応じた部分３ａａが相対的に薄肉の結合部２３で結合された回路パターン半製品２５を形成するパターン形成装置と、回路パターン半製品２５の一側面から結合部２３に対し片面エッチングすることにより回路導体３ａの層方向の断面の中間部を膨出形状に形成すると共に膨出形状を層方向になだらかな面３ｂで形成した回路パターン３とする回路形成装置とを備えた。

【0162】

この回路パターンの製造装置により、回路パターンの製造方法を実現し、層方向になだらかな面３ｂで形成した膨出形状の回路パターン３を得ることができる。

【0163】

回路パターンの製造装置は、回路パターン半製品２５の一側面に結合部２３を露出させたレジストパターン３１を形成すると共に回路パターン半製品２５の他側面に保護シート９を積層する積層装置として第２ラミネート装置２７、露光装置、現像装置を備え、回路形成装置は、一側面からの片面エッチングをレジストパターン３１から行う。

【0164】

この回路パターンの製造装置により、回路パターンの製造方法を実現し、なだらかな面３ｂで形成した膨出形状の回路パターン３を得る回路形成装置は、片面エッチングの後にレジストパターン３１を除去して保護シート９に積層された回路パターン３を有する回路基板用半製品基材Ｗ１を形成する。

【0165】

この回路パターンの製造装置により、層方向になだらかな面３ｂで形成した膨出形状の回路パターン３の回路基板用半製品基材Ｗ１を得ることができる。

【0166】

（１）
金属基板に絶縁層を介して積層するための回路導体でなる回路パターンであって、
前記回路導体の断面において、層方向の中間部が層交差方向への膨出形状であり、
前記膨出形状は、層方向になだらかな面で形成された、
回路パターン。
（２）
上記（１）に記載の回路パターンであって、
前記層方向になだらかな面は、層交差方向への凸曲面である、
回路パターン。
（３）
上記（２）に記載の回路パターンであって、
前記回路導体は、層方向の断面において前記絶縁層に接する下面の幅が上面の幅よりも広い又は層方向の断面において前記絶縁層に接する下面の幅が上面の幅よりも狭い、
回路パターン。
（４）
上記（１）～（３）の何れか１つに記載の回路パターンであって、
前記回路パターンが、保護シートに積層された、
回路基板用半製品基材。
（５）
上記（４）に記載の回路基板用半製品基材であって、
前記回路パターンは、厚みが０．８ｍｍを上回る、
回路基板用半製品基材。
（６）
金属基板に積層した絶縁層の表面に回路導体でなる回路パターンを積層した金属ベース回路基板であって、
前記回路導体の断面において、層方向の中間部が少なくとも前記絶縁層の表面上に位置する部分に対して層交差方向への膨出形状である、
金属ベース回路基板。
（７）
上記（１）～（３）の何れか１つに記載の回路パターンを積層した金属ベース回路基板であって、
前記回路パターンが、前記金属基板に前記絶縁層を介して積層された、
金属ベース回路基板。
（８）
材料板への両面エッチングにより回路パターンを構成する個々の回路導体に応じた部分が相対的に薄肉の結合部で結合された回路パターン半製品を形成するパターン形成工程と、
前記回路パターン半製品の一側面から前記結合部に対し片面エッチングすることにより前記回路導体の層方向の断面の中間部を膨出形状に形成すると共に前記膨出形状を層方向になだらかな面で形成した回路パターンとする回路形成工程と、
を備えた回路パターンの製造方法。
（９）
上記（８）に記載の回路パターンの製造方法であって、
前記パターン形成工程は、前記回路パターン半製品の回路パターンに応じた部分の最外周に前記結合部に応じた形状の舌部を周回状に備えた回路パターン半製品を形成し、
前記回路形成工程は、前記片面エッチングを前記結合部及び舌部に対して行い前記膨出形状とする、
回路パターンの製造方法。
（１０）
上記（８）又は（９）に記載の回路パターンの製造方法であって、
前記回路形成工程は、前記回路パターン半製品の一側面に前記結合部を露出させたレジストパターンを形成すると共に前記回路パターン半製品の他側面に保護シートを積層するシート積層工程を含み、
前記回路形成工程は、前記一側面からの片面エッチングを前記レジストパターンから行う、
回路パターンの製造方法。
（１１）
上記（９）に記載の回路パターンの製造方法であって、
前記回路形成工程は、前記回路パターン半製品の一側面に前記結合部及び舌部を露出させたレジストパターンを形成すると共に前記回路パターン半製品の他側面に保護シートを積層するシート積層工程を含み、
前記回路形成工程は、前記一側面からの片面エッチングを前記レジストパターンから行う、
回路パターンの製造方法。
（１２）
上記（１０）又は（１１）に記載のパターン製造方法であって、
前記回路形成工程は、前記片面エッチングの後に前記レジストパターンを除去して前記保護シートに積層された回路パターンを有する回路基板用半製品基材とする、
回路パターンの製造方法。
（１３）
材料板への両面エッチングにより回路パターンを構成する個々の回路導体に応じた部分が相対的に薄肉の結合部で結合された回路パターン半製品を形成するパターン形成装置と、
前記回路パターン半製品の一側面から前記結合部に対し片面エッチングすることにより前記回路導体の層方向の断面の中間部を膨出形状に形成すると共に前記膨出形状を層方向になだらかな面で形成した回路パターンとする回路形成装置と、
を備えた回路パターンの製造装置。
（１４）
上記（１３）に記載の回路パターンの製造装置であって、
前記回路パターン半製品の一側面に前記結合部を露出させたレジストパターンを形成すると共に前記回路パターン半製品の他側面に保護シートを積層する積層装置を備え、
前記回路形成装置は、前記一側面からの片面エッチングを前記レジストパターンから行う、
回路パターンの製造装置。
（１５）
上記（１４）に記載の回路パターンの製造装置であって、
前記回路形成装置は、前記片面エッチングの後に前記レジストパターンを除去して前記保護シートに積層された回路パターンを有する回路基板用半製品基材を形成する、
回路パターンの製造装置。

【符号の説明】

【0167】

１ 金属ベース回路基板
３ 回路パターン
３ａ 回路導体
３ｂ 層交差方向に尖っていない面
５ 金属基板
７ 絶縁層
９ 保護シート
１１ 第１ラミネート装置（パターン形成装置）
１５ 露光装置
２１ 両面エッチング装置
２３ 結合部
２３ａ 舌部
２５ 回路パターン半製品
２７ 第２ラミネート装置
３１ レジストパターン
３３ 片面エッチング装置
Ｗ 銅板材（材料板）
Ｗ１ 回路基板用半製品基材
Ｓ１～Ｓ５ パターン形成工程
Ｓ６～Ｓ１０ 回路形成工程
Ｓ１ パターン形成工程の第１フィルムラミネート工程
Ｓ２ パターン形成工程の露光工程
Ｓ３ パターン形成工程の現像工程
Ｓ４ パターン形成工程の両面エッチング工程
Ｓ５ パターン形成工程のアルカリ剥離工程
Ｓ６ 回路形成工程の第２フィルムラミネート工程
Ｓ７ 回路形成工程の露光工程
Ｓ８ 回路形成工程の現像工程
Ｓ９ 回路形成工程の片面エッチング工程
Ｓ１０ 回路形成工程の完成工程

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】