特許 7574287 被検査デバイスを検査するためのプローブシステム及び方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-18

(45)【発行日】2024-10-28

(54)【発明の名称】被検査デバイスを検査するためのプローブシステム及び方法

(51)【国際特許分類】

   G01R 31/28 20060101AFI20241021BHJP

   G01R 31/26 20200101ALI20241021BHJP

   H01L 21/66 20060101ALI20241021BHJP

【ＦＩ】

G01R31/28 M

G01R31/28 H

G01R31/26 J

H01L21/66 B

【請求項の数】 22

(21)【出願番号】P 2022525935

(86)(22)【出願日】2020-11-05

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-01-18

(86)【国際出願番号】 US2020059046

(87)【国際公開番号】W WO2021092131

(87)【国際公開日】2021-05-14

【審査請求日】2022-05-20

(31)【優先権主張番号】62/930,959

(32)【優先日】2019-11-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】17/076,279

(32)【優先日】2020-10-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】505377474

【氏名又は名称】フォームファクター， インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100147485

【弁理士】

【氏名又は名称】杉村 憲司

(74)【代理人】

【識別番号】230118913

【弁護士】

【氏名又は名称】杉村 光嗣

(74)【代理人】

【識別番号】100147692

【弁理士】

【氏名又は名称】下地 健一

(72)【発明者】

【氏名】根岸 一樹

【審査官】小川 浩史

(56)【参考文献】

【文献】特開２００６－２５８４９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１７３３１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１３－５２０７７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平９－１７２１４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平３－２３４０６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／１８７０６８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００２－１６４３９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表平９－５０２８０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－１０９００９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２８２０５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－３０１１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第５８１８６７２（ＵＳ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｒ ３１／２６－３１／３１９３

Ｈ０１Ｌ ２１／６６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被検査デバイス（ＤＵＴ）を検査するためのプローブシステムであって、該プローブシステムは、
前記ＤＵＴを支持するように構成された支持面を画定するチャックと、
前記ＤＵＴにテスト信号を供給すること、及び前記ＤＵＴから結果信号を受信することのうちの少なくとも一方を行うように構成されたプローブアセンブリと、
前記チャックおよび前記プローブアセンブリの少なくとも何れかを含む構造体と、
非線形回路と、
を備え、
前記構造体と前記非線形回路とを含む導電性接地ループが形成され、前記構造体は前記導電性接地ループの少なくとも一部の領域を介して接地電位に電気的に接続され、前記非線形回路は前記導電性接地ループ内で前記構造体に電気的に直列に接続され、
前記非線形回路は、前記導電性接地ループ内で非線形抵抗器として機能し、
前記非線形回路が、
（ｉ）前記非線形回路にかかる電圧差が閾値電圧差より小さい場合、前記導電性接地ループ内での電流の流れに抵抗し、及び
（ｉｉ）前記非線形回路にかかる前記電圧差が前記閾値電圧差より大きい場合、前記導電性接地ループ内での電流の流れを許容する、
ように構成されている、プローブシステム。

【請求項2】

請求項１に記載のプローブシステムであって、前記非線形回路は、
（ｉ）前記非線形回路にかかる前記電圧差が前記閾値電圧差より小さい場合、閾値低電圧抵抗を画定し、及び
（ｉｉ）前記非線形回路にかかる前記電圧差が前記閾値電圧差より大きい場合、閾値高電圧抵抗を画定し、前記閾値低電圧抵抗は前記閾値高電圧抵抗より大きくなる、ように構成されている、プローブシステム。

【請求項3】

請求項２に記載のプローブシステムであって、前記閾値低電圧抵抗は、前記閾値高電圧抵抗の閾値抵抗倍数であり、前記閾値抵抗倍数は最小１００である、プローブシステム。

【請求項4】

請求項１～３のいずれかに記載のプローブシステムであって、
（ｉ）前記構造体は、第１構造体であり、及び第１構造体接地導体を介して前記接地電位に電気的に接続され、
（ｉｉ）前記プローブシステムは、第２構造体接地導体を介して前記接地電位に電気的に接続された第２構造体を更に含み、
（ｉｉｉ）前記プローブシステムが、前記第１構造体と前記第２構造体とを電気的に相互接続する中間接地導体を更に含み、及び
（ｉｖ）前記第１構造体、前記第１構造体接地導体、前記第２構造体、前記第２構造体接地導体、前記中間接地導体、及び前記非線形回路が、少なくとも部分的に前記導電性接地ループを形成する、
プローブシステム。

【請求項5】

請求項４に記載のプローブシステムであって、
（ｉ）前記第１構造体が、筐体を含み、前記筐体が、前記ＤＵＴおよび前記チャックを包含するように構成された密閉容積を画定し、及び
（ｉｉ）前記第２構造体が、前記テスト信号および前記結果信号の少なくとも何れかを伝達する信号導体で、前記プローブアセンブリと接続され、前記ＤＵＴを電気的に検査するように構成された検査機器を含む、
プローブシステム。

【請求項6】

請求項５に記載のプローブシステムであって、前記検査機器は、信号生成及び分析アセンブリを含む、プローブシステム。

【請求項7】

請求項１～６のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記非線形回路は、
（ｉ）ダイオードパックと、
（ｉｉ）過渡電圧サプレッサ（ＴＶＳ）
のうちの少なくとも１つを含む、プローブシステム。

【請求項8】

請求項１～６のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記非線形回路がダイオードパックを含み、該ダイオードパックは、
（ｉ）第１端子と、
（ｉｉ）第２端子と、
（ｉｉｉ）前記第１端子と前記第２端子とを第１ダイオード極性で電気的に相互接続する第１ダイオードと、
（ｉｖ）前記第１端子と前記第２端子とを前記第１ダイオード極性と反対の第２ダイオード極性で電気的に相互接続する第２ダイオードと、
を含む、プローブシステム。

【請求項9】

請求項２または３に記載のプローブシステムであって、前記非線形回路が第１端子及び第２端子を含み、並びに、さらに非線形回路が、
（ｉ）前記第１端子と前記第２端子との間の電圧差が前記閾値電圧差より小さい場合、前記導電性接地ループ内の電流の流れに抵抗し、並びに
（ｉｉ）前記第１端子と前記第２端子との間の前記電圧差が前記閾値電圧差より大きい場合、前記導電性接地ループ内の前記電流の流れを許容する、
ように構成されている、プローブシステム。

【請求項10】

請求項９に記載のプローブシステムであって、前記非線形回路は、前記電圧差が前記閾値電圧差より小さい場合、前記第１端子と前記第２端子との間に前記閾値低電圧抵抗を提供するように構成され、及びさらに前記閾値低電圧抵抗は最小５００オームである、プローブシステム。

【請求項11】

請求項９に記載のプローブシステムであって、前記非線形回路は、前記電圧差が前記閾値電圧差よりも大きい場合、前記第１端子と前記第２端子との間に前記閾値高電圧抵抗を提供するように構成され、及びさらに前記閾値高電圧抵抗は最大１０オームである、プローブシステム。

【請求項12】

請求項１～３のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記構造体は、
（ｉ）温度制御された前記チャックと、
（ｉｉ）前記プローブシステムの温度調節器と、
（ｉｉｉ）前記プローブシステムの冷却器と、
（ｉｖ）前記プローブシステムのマテリアルハンドリングロボットと、
（ｖ）ウェーハハンドラーと、
のうちの少なくとも１つを含む、プローブシステム。

【請求項13】

請求項１～１２のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記閾値電圧差は最小０．１ボルト（Ｖ）であり、及び最大５Ｖである、プローブシステム。

【請求項14】

請求項５または６に記載のプローブシステムを利用して被検査デバイス（ＤＵＴ）を検査する方法であって、該方法は、
前記ＤＵＴを前記プローブシステム内に配置するステップと、
前記非線形回路にかかる前記電圧差が前記閾値電圧差より小さい場合、前記非線形回路を用いて、前記導電性接地ループ内の電流の流れに抵抗するステップと、
前記非線形回路にかかる前記電圧差が閾値電圧差より大きい場合、前記導電性接地ループ内及び前記非線形回路を通る電流の流れを許容するステップと、
を備える、方法。

【請求項15】

被検査デバイス（ＤＵＴ）を検査する方法であって、該方法は、
ＤＵＴをプローブシステム内に配置するステップであって、前記プローブシステムが、前記ＤＵＴを支持するように構成された支持面を画定するチャックと、前記ＤＵＴにテスト信号を供給すること、及び前記ＤＵＴから結果信号を受信することのうちの少なくとも一方を行うように構成されたプローブアセンブリと、前記チャックおよび前記プローブアセンブリの少なくとも何れかを含む構造体と、非線形回路とを備え、前記構造体と前記非線形回路とを含む導電性接地ループが形成され、前記構造体は前記導電性接地ループの一部の領域を介して接地電位に電気的に接続され、前記非線形回路は前記導電性接地ループ内で前記構造体に電気的に直列に接続され、前記非線形回路は、前記導電性接地ループ内で非線形抵抗器として機能する、ステップと、
前記非線形回路にかかる電圧差が閾値電圧差より小さい場合、前記非線形回路を用いて、導電性接地ループ内の電流を抵抗するステップと、
前記非線形回路にかかる前記電圧差が前記閾値電圧差より大きい場合、前記導電性接地ループ内及び前記非線形回路を通る電流の流れを許容するステップと、
前記プローブシステムを用いて、前記被検査デバイス（ＤＵＴ）の動作を電気的に検査するステップと、を備える方法。

【請求項16】

請求項１５に記載の方法であって、前記抵抗するステップは、前記非線形回路を用いて、閾値低電圧抵抗を画定するステップを含む、方法。

【請求項17】

請求項１６に記載の方法であって、前記許容するステップは、前記非線形回路を用いて、閾値高電圧抵抗を画定するステップを含み、さらに前記閾値低電圧抵抗は前記閾値高電圧抵抗より大きい、方法。

【請求項18】

請求項１７に記載の方法であって、前記閾値低電圧抵抗は、前記閾値高電圧抵抗の少なくとも閾値抵抗倍数であり、さらに閾値抵抗倍数は最小１００である、方法。

【請求項19】

請求項１５～１８のいずれかに記載の方法であって、前記検査は、
（ｉ）前記プローブシステムの信号生成及び分析アセンブリを用いて、前記ＤＵＴにテスト信号を提供するステップと、
（ｉｉ）前記信号生成及び分析アセンブリを用いて、前記ＤＵＴから結果信号を受信するステップと、
のうちの少なくとも１つを含む、方法。

【請求項20】

請求項１５～１９の何れかに記載の方法であって、前記方法は、前記検査するステップ中に前記抵抗するステップを行うステップを含む、方法。

【請求項21】

請求項１５～２０のいずれかに記載の方法であって、前記方法は、前記検査するステップ中に前記許容するステップを行うステップを含む、方法。

【請求項22】

請求項１５～２１のいずれかに記載の方法であって、前記非線形回路は、前記導電性接地ループ内で非線形抵抗器として機能する、方法。

【発明の詳細な説明】

【関連出願の相互参照】

【0001】

本出願は、２０２０年１０月２１日に出願された米国特許出願シリアル番号１７／０７６，２７９、及び２０１９年１１月５日に出願された米国仮特許出願番号６２／９３０，９５９に対する優先権を主張し、その開示の全体が参照により本書に組み込まれる。

【技術分野】

【0002】

本開示は、一般に、被検査デバイスを検査するためのプローブシステム及び方法に関するものである。

【背景技術】

【0003】

プローブシステムは、被検査デバイス（ＤＵＴ）の動作を検査するために利用される場合がある。具体的な例では、ＤＵＴは半導体デバイスを含んでもよく、及びプローブシステムは、ＤＵＴにテスト信号を提供することによって、並びに／又はＤＵＴから結果信号を受信することなどによって、ＤＵＴの動作を電気的に検査するように構成されることができる。

【0004】

いくつかの構成では、１つ以上の接地ループがプローブシステムによって少なくとも部分的に画定される場合がある。１つ以上の接地ループは、プローブシステムの検査環境に電気ノイズをもたらす可能性があり、プローブシステムによって行われる検査の精度を低下させる可能性がある。したがって、被検査デバイスを検査するための改良されたプローブシステム及び方法に対する必要性が存在する。

【発明の概要】

【0005】

被検査デバイスを検査するためのプローブシステム及び方法が、本明細書に開示される。プローブシステムは、導電性接地ループと、導電性接地ループの少なくとも一領域を介して接地電位に電気的に接続される構造体と、を含む。プローブシステムはまた、非線形回路を含む。非線形回路は、非線形回路にかかる電圧差が閾値電圧差より小さい場合、接地ループ内の電流の流れに抵抗するように構成される。非線形回路はまた、非線形回路にかかる電圧差が閾値電圧差より大きい場合、接地ループ内の電流の流れを許容するように構成される。

【0006】

本方法は、導電性接地ループ及び非線形回路を含むプローブシステム内に被検査デバイス（ＤＵＴ）を配置するステップを含む。本方法はまた、非線形回路にかかる電圧差が閾値電圧差より小さい場合、非線形回路を用いて、接地ループ内の電流の流れに抵抗するステップを含む。本方法は、非線形回路にかかる電圧差が閾値電圧差より大きい場合、接地ループ内及び非線形回路を通る電流の流れを許容するステップを更に含む。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示によるプローブシステムの実施例の概略図である。

【図2】本開示によるプローブシステムの実施例の概略図である。

【図3】本開示による、プローブシステムにおいて利用され得るダイオードパックの形態における非線形回路の例を示す概略図である。

【図4】本開示によるプローブシステムの例の若干概略的でない説明図である。

【図5】本開示による、ダイオードパックの形態における非線形回路についての電圧の関数としての電流及び抵抗を示すプロットである。

【図6】本開示による、プローブシステムを利用する被検査デバイスを検査する方法の例を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

図１～図６は、本開示による、方法２００を行い得るプローブシステム１０の例を提供する。同様の、又は少なくとも実質的に同様の目的を果たす要素は、図１～６において同様の番号でラベル付けされ、及びこれらの要素は、図１～６の各々を参照しても本明細書において詳細に論じられない場合がある。同様に、全ての要素は、図１～６の各々においてラベル付けされない可能性があるが、それらに関連する参照番号は、一貫性のために本明細書において利用され得る。図１～６の１つ以上を参照して本明細書で論じられる要素、構成要素、及び／又は特徴は、本開示の範囲から逸脱することなく、図１～６のいずれにも含まれ、並びに／若しくは利用されてもよい。

【0009】

一般に、特定の実施形態に含まれる可能性が高い要素は実線で示され、随意である要素は破線で示される。しかしながら、実線で示される要素は必須でない場合があり、いくつかの実施形態では、本開示の範囲から逸脱することなく省略することができる。

【0010】

図１～２は、被検査デバイス（ＤＵＴ）を検査するために利用され得る、本開示によるプローブシステム１０の例の概略図である。図１～２に示されるように、プローブシステム１０は、第１構造体２１及び第２構造体２２を含む、複数の構造体２０を含む。第１構造体２１は、第１構造体接地導体３１の形態の構造体接地導体３０を介して接地電位に電気的に接続される。同様に、第２構造体２２は、第２構造体接地導体３２の形態で構造体接地導体３０を介して接地電位に電気的に接続されている。

【0011】

図１～２にも示されるように、プローブシステム１０は、第１構造体２１及び第２構造体２２を電気的に相互接続する中間接地導体４０を含む。中間接地導体４０は、第１構造体２１及び第１構造体接地導体３１を介して接地電位に電気的に接続されてもよい。中間地導体４０はまた、第２構造体２２及び第２構造体接地導体３２を介して接地電位に電気的に接続されてもよい。

【0012】

さらに図１～２に示されるように、プローブシステム１０はまた、本明細書において非線形インピーダンスデバイス５０とも呼ばれ得る非線形回路５０を含む。本明細書で使用される場合、「非線形回路」という語句は、集合的に非線形電流対電圧曲線を示す１つ以上の回路要素を示すために利用される。本明細書においてより詳細に論じられるように、非線形回路を通る電流の流れは、閾値電圧低下よりも小さい非線形回路にかかる電圧低下に対して、低い、又は無視できるものである。しかしながら、閾値電圧低下よりも大きい非線形回路にかかる電圧低下については、非線形回路を通る電流の流れは、実質的に増加する。非線形回路５０の例は、ダイオードパック６８を含み、その例は、本明細書に開示されている。非線形回路５０の追加の例は、含まれる電圧感受性デバイスを有するパワートランジスタ、含まれる電圧感受性デバイスを有するパワーＭＯＦＳＥＴ、及び／又は過渡電圧サプレッサ（ＴＶＳ）を含む。非線形電流対電圧曲線の例は、図５に示され、及び本明細書においてより詳細に論じられる。

【0013】

非線形回路５０は、第１構造体２１、第１構造体接地導体３１、第２構造体２２、第２構造体接地導体３２、中間接地導体４０、及び非線形回路５０が一緒に、並びに／又は少なくとも部分的に接地ループ１５０を画定するように、プローブシステム１０内に、配置されてもよい。接地ループ１５０はまた、本明細書において、導電性材料の連続ループ１５０として、及び／又は導電性接地ループ１５０として言及されることがある。

【0014】

接地ループ１５０の構成要素の各々は、金属などのような導電性材料によって画定されてもよい。しかしながら、接地ループ１５０は、完全な電気伝導体によって画定されなくてもよく、及びその代わりに、複数のインピーダンスを含んでもよく、又は本明細書において含むと言及されることがある。例として、第１構造体接地導体３１、第１構造体接地導体３１と第１構造体２１との間の接続、及び／又は第１構造体接地導体３１と接地電位との間の接続は各々、一般に小さいが有限の対応する電気インピーダンスを有する、並びに／若しくは、そのような電気インピーダンスを画定してもよい。追加的又は代替的に、第２構造体接地導体３２、第２構造体接地導体３２と第２構造体２２との間の接続、及び／又は第２構造体接地導体３２と接地電位との間の接続は各々、一般に小さいが有限の対応する電気インピーダンスを有する、並びに／若しくは、そのような電気インピーダンスを画定してもよい。追加的又は代替的に、中間接地導体４０、中間接地導体４０と第１構造体２１との間の接続、及び／又は中間接地導体４０と第２構造体２２との間の接続は各々、一般に小さいが有限の対応する電気インピーダンスを有する、並びに／若しくはそのような電気インピーダンスを画定してもよい。追加的又は代替的に、接地電位は、設備側接地導体１４０によって提供されてもよく、これは、一般に小さいが有限の対応する電気インピーダンスを有する、並びに／若しくは、そのような電気インピーダンスを画定してもよい。

【0015】

プローブシステム１０の動作中、プローブシステム及び／又はその接地ループ１５０は、磁場Ｍを含み得る環境内に配置されてもよい。磁場Ｍの存在は、接地ループ１５０内に電流８０の流れを誘発し得、及びこの電流の流れは、電気ノイズを生成並びに／若しくは生じさせ得る。電気ノイズは、プローブシステム１０によって行われる電気検査のノイズを増加させ、及び／又は精度を低下させる可能性がある。

【0016】

しかしながら、接地ループ１５０内に非線形回路５０を含む本開示によるプローブシステム１０は、接地ループ内を流れる電流８０の大きさを減少させ得る、又は著しく減少させ得る。電流の流れのこの減少は、電流の流れによって発生する電気ノイズを減少させ得るか、又は著しく減少させ、それによって、対応する接地ループを画定するが、対応する接地ループ内に非線形回路５０を含まない先行技術のプローブシステムと比較すると、本開示によるプローブシステム１０が、より高精度及び／若しくは低ノイズの検査を行うことが可能となる。

【0017】

図３は、本開示による、プローブシステム１０において利用され得る、ダイオードパック６８の形態における、非線形回路５０の一例の概略図である。図３のダイオードパック６８は、図１～２に図示され、及びそれを参照して本明細書で論じられる非線形回路５０並びに／又はダイオードパック６８のより詳細な例示を含んでもよく、並びに／若しくは、そのような詳細な例示であってもよい。このように、図３のダイオードパック６８の構造、機能、及び／又は特徴のいずれかが、本開示の範囲から逸脱することなく、図１～２の非線形回路５０並びに／若しくはダイオードパック６８に含まれ、並びに／若しくは利用されてもよい。同様に、図１～２のプローブシステム１０、非線形回路５０、及び／又はダイオードパック６８の構造、機能、並びに／若しくは特徴のいずれかが、本開示の範囲から逸脱することなく、図３の非線形回路５０並びに／若しくはダイオードパック６８に含まれてもよく並びに／若しくは利用されてもよい。

【0018】

ダイオードパック６８はまた、本明細書において、ダブルバックパワーダイオード６８として、及び／又はダブルバックパワーダイオードパック６８として言及されることがある。非線形回路５０及び／又はダイオードパック６８は、第１端子６１並びに第２端子６２を含んでもよい。ダイオードパック６８はまた、第１ダイオード７１及び第２ダイオード７２を含む複数のダイオード７０を含んでもよい。第１ダイオード７１は、第１端子６１と第２端子６２とを第１ダイオード極性で電気的に相互接続し、並びに第２ダイオード７２は、第１端子６１と第２端子６２とを第２ダイオード極性で電気的に相互接続する。第２ダイオード極性は、第１ダイオード極性と異なり、第１ダイオード極性と対立し、及び／又は、第１ダイオード極性と反対である。

【0019】

このように、第１ダイオード７１などのような１つのダイオード７０は、第１端子６１から第２端子６２への電流８０の流れを許容し、及び第２端子６２から第１端子６１への電流の流れに抵抗する。逆に、第２ダイオード７２などのような別のダイオード７０は、第２端子６２から第１端子６１への電流の流れを許容し、第１端子６１から第２端子６２への電流の流れに抵抗する。

【0020】

ダイオードパック６８がない場合に磁界Ｍによって接地ループ１５０内に生じる電流８０の大きさは、比較的低く、一般に数ミリアンペア（ｍＡ）のオーダーであることが予想される。同様に、磁界Ｍによって接地ループ１５０内に生じる電位差、すなわち電圧の大きさもまた、比較的低く、一般にミリボルト（ｍＶ）より小さいことが予想される。これらの電圧値は、シリコンベースのダイオード（公称０．７ボルト）又はゲルマニウムベースのダイオード（公称０．３ボルト）では、閾値電圧差、若しくは閾値「ターンオン」電圧を大幅に下回る。

【0021】

したがって、また図５に示されるように、ダイオードパック６８のダイオード７０は、抵抗器として、非線形抵抗器として、及び／又は可変抵抗器として機能し、ダイオードによって画定される抵抗値は、ダイオードにわたる電圧差、すなわち順方向極性電圧差によって画定される。一例として、順方向極性電圧差が０．３Ｖの場合、図５は、ダイオード電流が約２～３マイクロアンペアであり、及びダイオード抵抗が約８０～９０キロオームであることを示している。このように、磁界Ｍによって生じる低電圧では、接地ループ内の電流の流れは、ダイオードパック６８によってほぼ排除される。

【0022】

しかしながら、接地ループ１５０及び／又は接地ループ１５０を画定する様々な電気伝導体の重要な機能は、プローブシステム１０のユーザーを電気ショックから保護することであることは注目に値する。ダイオードパック６８もまた、この機能を容易にする。より具体的には、ダイオードパックにわたる順方向極性電圧差が閾値電圧差より大きいとき、ダイオード抵抗はかなり小さくなり、それによって潜在的に危険な電流の放散を可能にする。図５に戻ると、シリコンベースのダイオードの場合、約０．７Ｖ以上の順方向極性ダイオード電圧では、ダイオード抵抗は約２０オームである。このダイオード抵抗は、約２．０ボルト以上の順方向極性ダイオード電圧では、２オーム未満に減少する。

【0023】

図５は、非線形回路５０のダイオードパック６８内で利用され得るダイオード７０での電流及び抵抗対電圧の一例を示している。しかしながら、及び論じられたように、非線形回路５０は、図５に例示される非線形電流対電圧曲線などのような非線形電流対電圧曲線を示す任意の適切な構造、素子、及び／又は要素を含むことができる。このことを念頭に置いて、非線形回路５０は、閾値電圧差が任意の適切な値を有するように構成されてもよい。例として、閾値電圧差は、最小０．１ボルト（Ｖ）、最小０．２Ｖ、最小０．３Ｖ、最小０．４Ｖ、最小０．５Ｖ、最小０．６Ｖ、最小０．７Ｖ、最小０．８Ｖ、最小０．９Ｖ、及び／又は最小１Ｖであってもよい。追加的又は代替的に、閾値電圧差は、最大５Ｖ、最大４．５Ｖ、最大３．５Ｖ、最大３Ｖ、最大２．５Ｖ、最大２Ｖ、最大１．５Ｖ、最大１Ｖ、最大０．９Ｖ、最大０．８Ｖ、最大０．７Ｖ、最大０．６Ｖ、最大０．５Ｖ、及び／又は最大０．４Ｖであってもよい。

【0024】

非線形回路５０にわたる電圧差が閾値電圧差より小さい場合、非線形回路は、第１端子６１と第２端子６２との間及び／又はその間に閾値低電圧抵抗を提供するように構成されてもよい。閾値低電圧抵抗の例は、最小５０オーム、最小７５オーム、最小１００オーム、最小１２５オーム、最小１５０オーム、最小１７５オーム、最小２００オーム、最小２５０オーム、最小３００オーム、最小４００オーム、最小５００オーム、最小６００オーム、最小７００オーム、最小８００オーム、最小９００オーム、最小１０００オーム、最小１２５０オーム、最小１５００オーム、最小１７５０オーム、及び／又は最小２０００オームの抵抗値を含む。

【0025】

追加的又は代替的に、非線形回路５０にわたる電圧差が閾値電圧差よりも大きいとき、非線形回路は、第１端子６１と第２端子６２との間及び／又はその間に閾値高電圧抵抗を提供するように構成されてもよい。閾値高電圧抵抗の例は、最大１００オーム、最大５０オーム、最大２５オーム、最大２０オーム、最大１５オーム、最大１０オーム、最大５オーム、最大２．５オーム、最大１オーム、及び／又は最大０．５オームの抵抗値を含む。

【0026】

別の言い方をすれば、非線形回路５０は、非線形回路にかかる電圧差が閾値電圧差より小さいとき、少なくとも閾値低電圧抵抗を画定してもよく、非線形回路は、非線形回路にかかる電圧差が閾値電圧差より大きいとき、閾値高電圧抵抗を画定してもよい。閾値低電圧抵抗は、閾値高電圧抵抗より大きくてもよい。一例として、閾値低電圧抵抗は、閾値高電圧抵抗の閾値抵抗倍数であってもよい。閾値抵抗倍数の例としては、最小１００、最小５００、最小１０００、最小２５００、最小５０００、最小７５００、最小１０，０００、最小２５，０００、最小５０，０００、最小７５，０００、又は最小１００，０００を含む。

【0027】

図１に戻ると、プローブシステム１０は、少なくとも第１構造体２１及び第２構造体２２を含む任意の適切な数の構造体２０を含んでもよい。一例として、及び破線で示すように、プローブシステム１０は、更に第３構造体２３を含んでもよい。この例では、第３構造体２３は、第３構造体接地導体３３を介して接地電位に電気的に接続されてもよい。また、この例では、プローブシステム１０は、第１構造体２１と第２構造体２２とを電気的に相互接続する第１中間接地導体４１、及び第２構造体２２と第３構造体２３とを電気的に相互接続する第２中間接地導体４２を含んでもよい。

【0028】

このような構成において、プローブシステム１０は、複数の接地ループ１５０を画定してもよい。より具体的には、プローブシステム１０は、図１に実線で図示されるような第１接地ループ１５１、図１に破線で図示されるような第２接地ループ１５２、及び図１に鎖戦で図示されるような第３の接地ループ１５３を画定してもよい。

【0029】

第１接地ループ１５１は、第１構造体接地導体３１、第１構造体２１、第１中間接地導体４１、第２構造体２２、及び第２構造体接地導体３２によって少なくとも部分的に画定されてもよい。第２接地ループ１５２は、第２構造体接地導体３２、第２構造体２２、第２中間接地導体４２、第３構造体２３、及び第３構造体接地導体３３によって少なくとも部分的に画定されてもよい。第３接地ループ１５３は、第１構造体接地導体３１、第１構造体２１、第１中間接地導体４１、第２構造体２２、第２中間接地導体４２、第３構造体２３、及び第３構造体接地導体３３によって少なくとも部分的に画定されても良い。

【0030】

設備側接地導体１４０は、接地電位を供給してもよい。このような構成において、構造体接地導体３０は、設備側接地導体に電気的に接続されてもよく、及び／又は、設備側接地導体は、第１接地ループ１５１、第２接地ループ１５２、及び／又は第３接地ループ１５３の一部を画定してもよい。例として、設備側接地導体は、第１構造体接地導体３１と第２構造体接地導体３２との間、第２構造体接地導体３２と第３構造体接地導体３３との間、及び／又は第１構造体接地導体３１と第３構造体接地導体３３との間に延在するそれぞれの接地ループの一部を画定してもよい。

【0031】

プローブシステム１０によって画定される各接地ループ１５０が非線形回路５０を含んでもよいことは、本開示の範囲内である。非線形回路５０は、接地ループ内の任意の適切な、又は便利な位置に配置されてもよい。例として、また図１に示されるように、非線形回路５０は、５１で示されるように第１構造体接地導体３１と、５３で示されるように第２構造体接地導体３２と、及び／又は５５で示されるように第３構造体接地導体３３と、電気的に接続されてもよく、その一部を形成してもよく、並びに／若しくは関連付けられてもよい。

【0032】

第１構造体２１、第２構造体２２、及び／又は第３構造体２３を含む構造体２０は、存在する場合、プローブシステム１０の任意の適切な構成要素を含んでもよく、であってもよく、及び／又は少なくとも部分的に画定されてもよいことは、本開示の範囲内である。例として、構造体２０は、ＤＵＴを包含するように構成された密閉容積を画定する筐体、ＤＵＴを支持するように構成された支持面を画定するチャック、温度制御されたチャック、ＤＵＴと通信するように構成された少なくとも一つのプローブを含むプローブアセンブリ、検査機器、信号生成及び分析アセンブリ、プローブシステムの温度調節器、プローブシステムの冷却器、プローブシステムの材料処理ロボット、及び／又はウェーハハンドラーのうちの一つ以上を含んでもよい。

【0033】

プローブアセンブリは、存在する場合、ＤＵＴと電気的に通信するように構成された少なくとも１つの電気プローブを含む電気プローブアセンブリ及び／又はＤＵＴと光学的に通信するように構成された少なくとも１つの光プローブを含む光プローブアセンブリを含んでもよく、並びに／若しくは、そのような光プローブアセンブリであってもよい。信号生成及び分析アセンブリは、存在する場合、ＤＵＴにテスト信号を提供するように、及び／又はＤＵＴから結果信号を受信するように構成されてもよい。

【0034】

検査機器は、存在する場合、プローブシステム１０と共に、及び／又はプローブシステム１０の製造業者によって提供されてもよい。追加的又は代替的に、検査機器は、プローブシステム１０のユーザー、又はエンドユーザによって提供されてもよい。検査機器の例には、測定器及び／又は他の関連器材を含む。このことを念頭に置いて、本開示による非線形回路５０は、対応する接地ループ１５０を形成及び／又は画定する任意の適切な数の製造者並びに／若しくはユーザー提供の構造体２０を含むプローブシステムにおける接地ループ電流並びに／若しくは関連する電気ノイズを柔軟に並びに／若しくはモジュール式に低減するために利用され得る。

【0035】

具体的な例では、また図２に概略的に示され、及び図４には若干概略的ではなく示されているように、第１構造体２１は、基板９０上に形成され得るＤＵＴ９２を包含するように構成された密閉容積１０２を画定する筐体１００を含んでもよい。この例では、第２構造体２２は、ＤＵＴを電気的に検査するように構成された、信号生成及び分析アセンブリ１３２などのような検査機器１３０を含んでもよい。筐体１００は、第１構造体接地導体３１を介して、設備側接地導体１４０などのような接地電位に電気的に接続されてもよい。筐体１００はまた、中間接地導体４０を介して検査機器１３０に電気的に接続されてもよく、及び検査機器１３０は、第２構造体接地導体３２を介して接地電位に電気的に接続されてもよい。この例では、プローブシステム１０はまた、基板を支持するように構成された支持面１１２を画定するチャック１１０、及び／又はＤＵＴにテスト信号を提供し、並びに／若しくはＤＵＴから結果信号を受信するように構成された少なくとも１つのプローブ１２２を含むプローブアセンブリ１２０を含んでもよい。図４に示されるように、中間接地導体４０は、検査機器１３０とプローブ１２２との間でテスト信号及び／又は結果信号を伝達するように構成され得る信号導体１２４を遮蔽する、若しくは電気的に遮蔽するように構成されてもよい。

【0036】

このような構成において、接地ループ１５０は、少なくとも、第１構造体接地導体３１、筐体１００、中間接地導体４０、検査機器１３０、及び第２構造体接地導体３２によって形成されてもよい。また、そのような構成において、非線形回路５０は、接地ループ内に含まれてもよい。本明細書においてより詳細に論じられるように、接地ループ内に非線形回路５０を含めることは、磁場Ｍによって引き起こされ得るなどのような接地ループ内の電流の流れの大きさを減少させ得る。これは、密閉容積１０２内の電気ノイズ及び／又はＤＵＴ９２に近接する電気ノイズを減少させ、それによってプローブシステムによって行われ得る電気測定におけるノイズを減少させ得る。

【0037】

ＤＵＴ９２は、プローブシステム１０によって検査され得る、及び／又は基板９０によって画定され、基板９０上に画定され、基板９０内に画定され、並びに／若しくは基板９０によって支持され得る、任意の適切な構造を含んでもよい。ＤＵＴ９２の例は、固体デバイス、半導体デバイス、論理デバイス、トランジスタ、メモリデバイス、撮像デバイス、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）撮像デバイス、及び／又は電荷結合デバイス（ＣＣＤ）センサを含む。基板９０の例としては、半導体ウェーハ、シリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハ、及び／又はＩＩＩ－Ｖ族半導体ウェーハを含む。

【0038】

図６は、本開示による、プローブシステムを利用して被検査デバイスを検査する方法２００の例を示すフローチャートである。方法２００は、２１０で被検査デバイス（ＤＵＴ）を配置するステップ及び２２０で電流の流れに抵抗するステップを含む。方法２００は、２３０で接地ループを励起するステップを含んでもよい。方法２００は、２４０で接地ループ内の電流の流れを許容するステップを含む。方法２００は更に２５０でＤＵＴの動作を検査するステップを含んでもよい。

【0039】

２１０における被試験デバイス（ＤＵＴ）を配置するステップは、被検査デバイスをプローブシステムに及び／又はプローブシステム内に配置するステップを含んでもよい。プローブシステムは、導電性接地ループ、及び導電性接地ループに電気的に接続され得る非線形回路を含んでもよい。プローブシステムの例は、プローブシステム１０を参照して本明細書に開示される。導電性接地ループの例及び非線形回路の例は、それぞれ接地ループ１５０及び非線形回路５０を参照して本明細書に開示される。

【0040】

２２０における電流の流れに抵抗するステップは、接地ループ内及び／又は非線形回路で電流の流れに抵抗するステップを含んでもよい。２２０における抵抗するステップはまた、接地ループ内の非線形回路にかかる電圧差が、閾値電圧差より小さい場合、もし電圧差が、閾値電圧差より小さいなら、及び／又は電圧差が、閾値電圧差より小さいことに応答して、電流の流れに抵抗するステップを含んでもよい。追加的又は代替的に、２２０での抵抗するステップは、非線形回路内及び／又は非線形回路を介した接地ループ内で、少なくとも閾値低電圧抵抗を画定並びに／若しくは確立するステップを含んでもよい。閾値電圧差及び閾値低電圧抵抗の例は、本明細書に開示されている。

【0041】

２２０における抵抗するステップは、方法２００の間、任意の適切なタイミング及び／又は順序で行われてもよい。例として、２２０における抵抗するステップは、２４０における許容するステップの前、２４０での許容するステップの後、及び／又は２５０における検査するステップ中に行われてもよい。

【0042】

２３０における接地ループを励起するステップは、非線形回路にわたる電圧差が閾値電圧差よりも大きくなるように接地ループを励起するステップを含んでもよく、及び任意の適切なやり方で達成されてもよい。一例として、プローブシステムは、磁場を含む環境内に配置されてもよく、及び磁場は、接地ループ内の電流の流れを誘導してもよい。磁場は、プローブシステム１０の１つ以上の構成要素によって、及び／又はプローブシステム１０の外部並びに／若しくは環境内に存在し得る他の器材によって発せられてもよい。

【0043】

２４０において接地ループ内の電流の流れを許容するステップは、非線形回路を通る及び／又は非線形回路内の電流の流れを許容するステップを含んでもよい。これは、非線形回路にわたる電圧差が閾値電圧差よりも大きい場合、もし電圧差が閾値電圧差よりも大きいなら、及び／又は電圧差が閾値電圧差よりも大きいことに応答して、電流の流れを許容するステップを含んでもよい。追加的又は代替的に、２４０における許可するステップは、非線形回路内及び／又は非線形回路を介した接地ループ内で最大で閾値高電圧抵抗を画定及び／又は確立するステップを含んでもよい。閾値高電圧抵抗の例は、本明細書に開示されている。いくつかの例では、閾値低電圧抵抗は、閾値高電圧抵抗より大きくてもよく、及び／又は閾値高電圧抵抗の閾値倍数であってもよい。閾値倍数の例は、本明細書に開示されている。

【0044】

２４０における許可するステップは、方法２００の間、任意の適切なタイミング及び／又は順序で行われてもよい。例として、２４０での許可するステップは、２２０での抵抗するステップの後に、２２０における抵抗するステップの前に、２３０における励起するステップの後に、２３０における励起するステップに応答して、及び／又は２５０における検査するステップ中に行われてもよい。

【0045】

２５０におけるＤＵＴの動作を検査するステップは、任意の適切なやり方でＤＵＴの任意の適切な動作及び／又はパラメータを検査するステップを含んでもよい。一例として、２５０における検査するステップは、ＤＵＴにテスト信号を提供するステップを含んでもよい。別の例として、２５０における検査するステップは、ＤＵＴから結果信号を受信するステップを含んでもよい。本明細書においてより詳細に論じられるように、テスト信号は、任意の適切な電気的及び／又は光学的テスト信号を含んでもよく、並びに／若しくはであってよい。同様に、結果信号は、任意の適切な電気的及び／又は光学的な結果信号を含んでもよく、及び／又は、任意の適切な電気的及び／又は光学的な結果信号であってよい。

【0046】

いくつかの例では、プローブシステム１０は、ＤＵＴ９２を検査する方法、又は電気的に検査する方法において、及び／若しくはその一部として利用されるものとして本明細書で言及される場合がある。そのような方法は、図２の支持面１１２上などのような、プローブシステム内にＤＵＴを配置することを含んでもよい。そのような方法はまた、図１～２の接地ループ１５０などのような接地ループ内の電流の流れに抵抗することを含んでもよい。抵抗するステップは、図１～３の非線形回路５０などのような非線形回路で抵抗するステップを含んでもよい。方法は、ＤＵＴにテスト信号を提供すること及び／又はＤＵＴから結果信号を受信することなどにより、ＤＵＴの動作を検査するステップを更に含んでもよい。テスト信号は、図２の検査機器１３０などのような検査機器によって提供されてもよく、及び／又は結果信号は、検査機器によって受信されてもよい。

【0047】

本開示において、例示的で非排他的な例のいくつかは、方法が一連のブロック、又はステップとして示され、説明される流れ図、若しくはフローチャートの文脈で論じられ、及び／若しくは提示されてきた。添付の説明で具体的に記載されていない限り、ブロックの順序は、ブロック（又はステップ）の２つ以上が異なる順序で及び／又は同時に発生することを含め、フロー図に図示された順序と異なってもよいことは、本開示の範囲内である。ブロック、又はステップが、ロジックとして実装されてもよいことも、本開示の範囲内であり、ブロック、又はステップをロジックとして実装すると説明されることもある。いくつかのアプリケーションでは、ブロック、又はステップは、機能的に等価な回路若しくは他の論理デバイスによって行われる式及び／若しくはアクションを表す場合がある。図示されたブロックは、コンピュータ、プロセッサ、及び／又は他の論理デバイスに応答させる、アクションを行う、状態を変更する、出力若しくは表示を生成する、並びに／若しくは決定を行う実行可能命令を表すことができるが、必須ではない。

【0048】

本明細書で使用される場合、第１のエンティティと第２のエンティティの間に置かれる用語「及び／又は」は、（１）第１のエンティティ、（２）第２のエンティティ、及び（３）第１のエンティティと第２のエンティティのうちの１つを意味する。「及び／又は」で記載された複数のエンティティは、同じように解釈されるべきで、すなわち、そのように結合されたエンティティの「１つ以上」を意味する。他のエンティティは、「及び／又は」節によって具体的に特定されるエンティティ以外に、具体的に特定されるエンティティに関連するか否かを問わず、随意で存在することができる。したがって、非限定的な例として、「Ａ及び／又はＢ」という言及は、「備える」などのオープンエンドの言語と組み合わせて使用される場合、ある実施形態では、Ａのみ（任意にＢ以外のエンティティを含む）、別の実施形態では、Ｂのみ（随意でＡ以外のエンティティを含む）、さらに別の実施形態では、Ａ及びＢ両方（随意で他のエンティティを含む）、と言及してもよい。これらのエンティティは、要素、アクション、構造、ステップ、操作、値などを指す場合がある。

【0049】

本明細書で使用される場合、１つ以上のエンティティのリストを参照する語句「少なくとも１つ」は、エンティティのリスト内の任意の１つ以上のエンティティから選択される少なくとも１つのエンティティを意味すると理解すべきであるが、必ずしもエンティティのリスト内に具体的にリストされた各エンティティの少なくとも１つを含む必要はなく、エンティティのリスト内のエンティティの任意の組み合わせを除外するものでもない。また、この定義では、「少なくとも１つ」という文言が指すエンティティのリスト内で具体的に特定されたエンティティ以外に、具体的に特定されたエンティティに関連するかしないかにかかわらず、エンティティが随意で存在することができる。したがって、非限定的な例として、「Ａ及びＢの少なくとも１つ」（又は、等価的に「Ａ又はＢの少なくとも１つ」、又は、等価的に「Ａ及び／又はＢの少なくとも１つ」）は、一実施形態では、Ｂが存在しない（及び、随意でＢ以外のエンティティを含む）少なくとも１つの、随意で２つ以上の、Ａを指すことができ、別の実施形態では、Ａが存在しない（及び随意でＡ以外のエンティティを含む）少なくとも１つの、随意で２つ以上の、Ｂを指すことができ、さらに別の実施形態では、１つ以上のＡ、及びＢを含む（及び随意で他のエンティティを含む）少なくとも１つ、随意で２つ以上を指すことができる。言い換えれば、語句「少なくとも１つ」、「１つ以上」、及び「及び／又は」は、動作において接続的及び分離的であるオープンエンドな表現である。例えば、「Ａ、Ｂ、及びＣの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ、又はＣの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ、及びＣの１つ以上」、「Ａ、Ｂ、又はＣの１つ以上」、「Ａ、Ｂ、及び／又はＣ」という表現はそれぞれ、Ａ単独で、Ｂ単独で、Ｃ単独で、Ａ及びＢ一緒に、Ａ及びＣ一緒に、Ｂ及びＣ一緒に、Ａ、Ｂ及びＣ一緒に、随意で上記のいずれかと少なくとも一つの他のエンティティを組み合わせて意味し得る。

【0050】

特許、特許出願、又は他の文献が参照により本明細書に組み込まれ、本開示の非組み込み部分又は他の組み込まれた文献のいずれかと（１）矛盾するやり方で用語を定義した場合、及び／又は（２）他の矛盾する場合、本開示の非組み込み部分が支配し、並びにそこに組み込まれた用語若しくは開示は、その用語が定義されて並びに／若しくは組み込まれた開示がもともと存在していた文献に関してのみ支配するものとする。

【0051】

本明細書で使用される「適合される」及び「構成される」という用語は、要素、構成要素、又は他の主題が、所定の機能を行うように設計され、及び／又は意図されていることを意味する。したがって、用語「適合される」及び「構成される」の使用は、所定の要素、構成要素、又は他の主題が単に所定の機能を行う「ことができる」ことではなく、要素、構成要素、及び／又は他の主題が機能を行う目的で特に選択、作成、実装、利用、プログラム、並びに／若しくは設計されていることを意味すると解釈されるべきである。特定の機能を行うように適合されているとして記載されている要素、構成要素、並びに／若しくは他の記載されている主題は、追加的又は代替的に、その機能を行うように構成されていると記載されてもよく、その逆もまた、本開示の範囲内である。

【0052】

本明細書で使用される場合、「例えば」という語句、「例として」という語句、及び／又は単なる「例」という用語は、本開示による１つ以上の構成要素、特徴、詳細、構造、実施形態、及び／又は方法を参照して使用される場合、説明された構成要素、特徴、詳細、構造、実施形態、及び／又は方法が、本開示による構成要素、特徴、詳細、構造、実施形態、並びに／若しくは方法の例は例示的であり、非排他的であると伝えるよう意図されたものである。したがって、記載された構成要素、特徴、詳細、構造、実施形態、及び／又は方法は、限定的、必須、若しくは排他的／網羅的であることを意図しておらず、構造的並びに／若しくは機能的に類似並びに／若しくは同等の構成要素、特徴、詳細、構造、実施形態、並びに／若しくは方法を含む、他の構成要素、特徴、詳細、構造、並びに／若しくは方法もまた本開示の範囲内である。

【0053】

本明細書で使用される場合、程度又は関係を修正するときの「少なくとも実質的に」は、言及された「実質的な」程度又は関係だけでなく、言及された程度又は関係の全範囲を含んでもよい。言及された程度又は関係の実質的な量は、言及された程度又は関係の少なくとも７５％を含むことができる。例えば、材料から少なくとも実質的に形成されているオブジェクトは、オブジェクトの少なくとも７５％が材料から形成されているオブジェクトを含み、また、材料から完全に形成されているオブジェクトも含む。別の例として、第２の長さと少なくとも実質的に同じ長さである第１の長さは、第２の長さの７５％以内である第１の長さを含み、また、第２の長さと同じ長さである第１の長さを含む。

【0054】

本開示によるプローブシステム及び方法の例示的で非排他的な例が、以下の列挙された段落に提示されている。以下の列挙された段落を含む本明細書に記載された方法の個々のステップが、追加的又は代替的に、記載された動作を行う「ためのステップ」と呼ばれ得ることは、本開示の範囲内である。

【0055】

Ａ１．被検査デバイス（ＤＵＴ）を検査するためのプローブシステムであって、該プローブシステムは、
導電性接地ループと、
前記導電性接地ループの少なくとも一領域を介して接地電位に電気的に接続された構造体と、及び
導電性接地ループに電気的に接続された非線形回路と、
を備え、随意で前記非線形回路が
（ｉ）前記非線形回路にかかる電圧差が閾値電圧差より小さい場合、前記導電性接地ループ内の電流の流れに抵抗することと、
（ｉｉ）前記非線形回路にかかる前記電圧差が前記閾値電圧差より大きい場合、前記導電性接地ループ内の電流の流れを許容することと、
（ｉｉｉ）前記非線形回路にかかる前記電圧差が前記閾値電圧差より小さい場合、最小で閾値低電圧抵抗を画定することと、
（ｉｖ）前記非線形回路にかかる電圧差が閾値電圧差より大きい場合、最大で閾値高電圧抵抗を画定することと、
の少なくとも１つを行うように構成されている、プローブシステム

【0056】

Ａ２．Ａ１に記載のプローブシステムであって、前記閾値低電圧抵抗は前記閾値高電圧抵抗より大きい、プローブシステム。

【0057】

Ａ３．Ａ１～Ａ２のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記閾値低電圧抵抗が前記閾値高電圧抵抗の閾値抵抗倍数であり、前記閾値抵抗倍数が最小１００、最小５００、最小１０００、最小２５００、最小５０００、最小７５００、最小１０，０００、最小２５，０００、最小５０，０００、最小７５，０００、又は最小１００，０００である、プローブシステム。

【0058】

Ａ４．Ａ１～Ａ３のいずれかに記載のプローブシステムであって、
前記構造体は、第１構造体であり、及び第１構造体接地導体を介して前記接地電位に電気的に接続され、
前記プローブシステムは、第２構造体接地導体を介して前記接地電位に電気的に接続された第２構造体を更に含み、
前記プローブシステムは、前記第１構造体と前記第２構造体とを電気的に相互接続する中間接地導体を更に含み、及び
前記第１構造体、前記第１構造体接地導体、前記第２構造体、前記第２構造体接地導体、前記中間接地導体、及び前記非線形回路が、少なくとも部分的に前記導電性接地ループを画定する、
プローブシステム。

【0059】

Ａ５．Ａ１～Ａ４のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記非線形回路は、
（ｉ）ダイオードパックと、
（ｉｉ）ダブルバックパワーダイオードパックと、
（ｉｉｉ）電圧感受性デバイスを含むパワートランジスタと、
（ｉｖ）電圧感受性デバイスを含むパワーＭＯＦＳＥＴと、及び
（ｖ）過渡電圧サプレッサ（ＴＶＳ）と、
のうちの少なくとも１つを含む、プローブシステム。

【0060】

Ａ６．Ａ１～Ａ５のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記非線形回路は、
（ｉ）第１端子と、及び
（ｉｉ）第２端子と、
（ｉｉｉ）随意で、前記第１端子と前記第２端子とを第１ダイオード極性で電気的に相互接続する第１のダイオードと、並びに
（ｉｖ）随意で、前記第１端子と前記第２端子とを前記第１ダイオード極性と反対の前記第２ダイオード極性で電気的に相互接続する第２ダイオードと、
を含む、プローブシステム。

【0061】

Ａ７．Ａ６に記載のプローブシステムであって、前記非線形回路は、
（ｉ）前記第１端子と前記第２端子との間の電圧差が前記閾値電圧差より小さい場合、前記導電性接地ループ内の電流の流れに抵抗し、及び
（ｉｉ）前記第１端子と前記第２端子との間の前記電圧差が前記閾値電圧差より大きい場合、前記導電性接地ループ内での電流の流れを許容する、
ように構成されている、プローブシステム。

【0062】

Ａ８．Ａ１～Ａ７のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記閾値電圧差は、
（ｉ）最小０．１ボルト（Ｖ）、最小０．２Ｖ、最小０．３Ｖ、最小０．４Ｖ、最小０．５Ｖ、最小０．６Ｖ、最小０．７Ｖ、最小０．８Ｖ、最小０．９Ｖ、又は最小１Ｖ、及び
（ｉｉ）最大５Ｖ、最大４．５Ｖ、最大４Ｖ、最大３．５Ｖ、最大３Ｖ、最大２．５Ｖ、最大２Ｖ、最大１．５Ｖ、最大１Ｖ、最大０．９Ｖ、最大０．８Ｖ、最大０．７Ｖ、最大０．６Ｖ、最大０．５Ｖ、又は最大０．４Ｖ、
のうちの少なくとも１つである、プローブシステム。

【0063】

Ａ９．Ａ６～Ａ８のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記非線形回路は、前記電圧差が前記閾値電圧差より小さい場合、前記第１端子と前記第２端子との間に前記閾値低電圧抵抗を提供するように構成される、プローブシステム。

【0064】

Ａ１０．Ａ６～Ａ９のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記閾値低電圧抵抗は、最小５０オーム、最小７５オーム、最小１００オーム、最小１２５オーム、最小１５０オーム、最小１７５オーム、最小２００オーム、最小２５０オーム、最小３００オーム、最小４００オーム、最小５００オーム、最小６００オーム、最小７００オーム、最小８００オーム、最小９００オーム、最小１０００オーム、最小１２５０オーム、最小１５００オーム、最小１７５０オーム、又は最小２０００オームである、プローブシステム。

【0065】

Ａ１１．Ａ６～Ａ１０のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記非線形回路は、前記電圧差が前記閾値電圧差よりも大きい場合、前記第１端子と前記第２端子との間に前記閾値高電圧抵抗を提供するように構成される、プローブシステム。

【0066】

Ａ１２．Ａ１～Ａ１１のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記閾値高電圧抵抗は、最大１００オーム、最大５０オーム、最大２５オーム、最大２０オーム、最大１５オーム、最大１０オーム、最大５オーム、最大２．５オーム、最大１オーム、又は最大０．５オームである、プローブシステム。

【0067】

Ａ１３．Ａ１～Ａ１２のいずれかに記載のプローブシステムであって、（前記）第１構造体、及び（前記）第２構造体のうちの少なくとも１つが、
（ｉ）前記ＤＵＴを包含するように構成された密閉容積を画定する筐体と、
（ｉｉ）前記ＤＵＴを支持するように構成された支持面を画定するチャックと、
（ｉｉｉ）温度制御されたチャックと、
（ｉｖ）前記ＤＵＴと通信するように構成された少なくとも１つのプローブを含むプローブアセンブリと、
（ｖ）検査機器と、
（ｖｉ）前記ＤＵＴにテスト信号を提供し、前記ＤＵＴから結果信号を受信することの少なくとも一つを行うように構成された信号生成及び分析アセンブリと、
（ｖｉｉ）前記プローブシステムの温度調節器と、
（ｖｉｉｉ）前記プローブシステムの冷却器と、
（ｉｘ）前記プローブシステムのマテリアルハンドリングロボットと、並びに
（ｘ）ウェーハハンドラーと、
のうちの少なくとも１つを含む、プローブシステム。

【0068】

Ａ１４．Ａ１～Ａ１３のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記ＤＵＴが基板上に画定され、随意で、前記プローブシステムが前記基板を含む、プローブシステム。

【0069】

Ａ１５．Ａ１４に記載のプローブシステムであって、前記基板が、半導体ウェーハ、シリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハ、及びＩＩＩ－Ｖ族半導体ウェーハのうちの少なくとも１つを含む、プローブシステム。

【0070】

Ａ１６．Ａ１～Ａ１５のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記ＤＵＴは、
（ｉ）ソリッドステートデバイスと、
（ｉｉ）半導体デバイスと、
（ｉｉｉ）ロジックデバイスと、
（ｉｖ）トランジスタと、
（ｖ）メモリデバイスと、
（ｖｉ）撮像デバイスと、
（ｖｉｉ）相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）撮像デバイス、及び／又は
（ｖｉｉｉ）電荷結合デバイス（ＣＣＤ）センサと、
のうちの少なくとも１つを含む、プローブシステム。

【0071】

Ａ１７．Ａ１～Ａ１６のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記プローブシステムは、前記ＤＵＴを含む、プローブシステム。

【0072】

Ａ１８．Ａ１～Ａ１７のいずれかに記載のプローブシステムであって、Ａ４から従属する場合、前記第１構造体が、（前記）筐体を含み、前記筐体が、前記ＤＵＴを包含するように構成された（前記）密閉容積を画定する、プローブシステム。

【0073】

Ａ１９．Ａ１８に記載のプローブシステムであって、前記プローブシステムは、前記ＤＵＴを支持するように構成された（前記）支持面を画定する（前記）チャックを更に含む、プローブシステム。

【0074】

Ａ２０．Ａ１８～Ａ１９のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記第２構造体は、前記ＤＵＴを電気的に検査するように構成された検査機器を含む、プローブシステム。

【0075】

Ａ２１．Ａ２０に記載のプローブシステムであって、前記検査機器は、（前記）信号生成及び分析アセンブリを含む、プローブシステム。

【0076】

Ａ２２．Ａ１８～Ａ２１のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記プローブシステムが、前記ＤＵＴに（前記）テスト信号を提供すること、及び前記ＤＵＴから（前記）結果信号を受信することのうちの少なくとも１つを行うように構成された（前記）プローブアセンブリを更に含む、プローブシステム。

【0077】

Ａ２３．Ａ１～Ａ１２のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記接地電位は、設備側接地導体によって画定される、プローブシステム。

【0078】

Ａ２４．Ａ２３に記載のプローブシステムであって、Ａ４から従属する場合、
（ｉ）前記第１構造体接地導体は、前記設備側接地導体に電気的に接続されている、及び
（ｉｉ）前記第２構造体接地導体は、前記設備側接地導体に電気的に接続されている、
のうちの少なくとも１つである、プローブシステム。

【0079】

Ａ２５．Ａ２３～Ａ２４のいずれかに記載のプローブシステムであって、Ａ４から従属する場合、前記第１構造体、前記第１構造体接地導体、前記第２構造体、前記第２構造体接地導体、前記中間接地導体、前記設備側接地導体、及び前記非線形回路は、少なくとも部分的に前記導電性接地ループを画定する、プローブシステム。

【0080】

Ａ２６．Ａ１～Ａ２５のいずれかに記載のプローブシステムであって、前記プローブシステムは、
（ｉ）（前記）第１構造体接地導体と、
（ｉｉ）（前記）第２構造体接地導体と、及び
（ｉｉｉ）（前記）設備側接地導体と、
のうちの少なくとも１つを更に含む、プローブシステム。

【0081】

Ｂ１．被検査デバイス（ＤＵＴ）を検査する方法であって、該方法は、
ＤＵＴをプローブシステム内に配置するステップであって、前記プローブシステムが、導電性接地ループ、及び前記導電性接地ループに電気的に接続された非線形回路を含むステップと、
前記非線形回路にかかる電圧差が閾値電圧差より小さい場合、前記非線形回路を用いて、前記導電性接地ループ内の電流を抵抗するステップと、並びに
前記非線形回路にかかる前記電圧差が前記閾値電圧差より大きい場合、前記導電性接地ループ内及び前記非線形回路を通る電流の流れを許容するステップと、
を備える方法。

【0082】

Ｂ２．Ｂ１記載の方法であって、前記プローブシステムが、Ａ１～Ａ２６のいずれかに記載の前記プローブシステムのいずれかの適切な構造体を含む、方法。

【0083】

Ｂ３．Ｂ１～Ｂ２のいずれかに記載の方法であって、前記方法は、前記非線形回路にかかる前記電圧差が前記閾値電圧差より大きくなるように、前記導電性接地ループを励起するステップを更に含む、方法。

【0084】

Ｂ４．Ｂ１～Ｂ３のいずれかに記載の方法であって、前記方法は、
（ｉ）前記許容するステップに続いて前記抵抗するステップを行うステップと、及び
（ｉｉ）前記抵抗するステップに続いて前記許容するステップを行うステップと、
のうちの少なくとも１つを更に含む、方法。

【0085】

Ｂ５．Ｂ１～Ｂ４のいずれかに記載の方法であって前記抵抗するステップは、前記非線形回路を用いて、最小で閾値低電圧抵抗を画定するステップを含む、方法。

【0086】

Ｂ６．Ｂ１～Ｂ５のいずれかに記載の方法であって、前記許容するステップは、前記非線形回路を用いて、最大で閾値高電圧抵抗を画定するステップを含む、方法。

【0087】

Ｂ７．Ｂ６に記載の方法であって、Ｂ５から従属する場合、前記閾値低電圧抵抗は前記閾値高電圧抵抗より大きい、方法。

【0088】

Ｂ８．Ｂ６～Ｂ７のいずれかに記載の方法であって、Ｂ５から従属する場合、前記閾値低電圧抵抗は、前記閾値高電圧抵抗の少なくとも閾値抵抗倍数であり、前記閾値抵抗倍数は、最小１００、最小５００、最小１０００、最小２５００、最小５０００、最小７５００、最小１０，０００、最小２５，０００、最小５０，０００、最小７５，０００、又は最小１００，０００である、方法。

【0089】

Ｂ９．Ｂ１～Ｂ８のいずれかに記載の方法であって、前記方法は、前記ＤＵＴの動作を検査するステップを更に含む、方法。

【0090】

Ｂ１０．Ｂ９に記載の方法であって、前記検査は、
（ｉ）前記ＤＵＴにテスト信号を提供するステップと、及び
（ｉｉ）前記ＤＵＴから結果信号を受信するステップと、
のうちの少なくとも１つを含む、方法。

【0091】

Ｂ１１．Ｂ９～Ｂ１０のいずれかに記載の方法であって、前記方法は、前記検査するステップ中に前記抵抗するステップを行うステップを含む、方法。

【0092】

Ｂ１２．Ｂ９～Ｂ１１のいずれかに記載の方法であって、前記方法は、前記検査するステップ中に前記許容するステップを行うステップを含む、方法。

【0093】

Ｃ１．非線形回路の使用であって、プローブシステムの接地ループ内で、前記接地ループ内の電流の流れを選択的に許容及び抑制するための非線形回路の使用。

【産業上の利用可能性】

【0094】

本明細書に開示されたプローブシステム及び方法は、半導体検査業界に適用可能である。

【0095】

上記の開示は、独立した有用性を有する複数の異なる発明を包含していると考えられる。これらの発明の各々は、その好ましい形態で開示されているが、多数の変形が可能であるため、本明細書に開示及び図示されるその特定の実施形態は、限定的な意味で考慮されるべきものではない。本発明の主題は、本明細書に開示された様々な要素、特徴、機能及び／又は特性の全ての新規かつ非自明な組み合わせ並びに下位の組み合わせを含むものである。同様に、請求項が「ａ（一つの）」又は「ａ ｆｉｒｓｔ（第１の）」要素又はその同等物を記載している場合、そのような請求項は、１つ以上のそのような要素の組み込みを含むと理解されるべきであり、２つ以上のそのような要素を要求も排除もしない。

【0096】

以下の請求項は、開示された発明の１つに向けられ、新規かつ非自明である特定の組み合わせ及びサブ組み合わせを特に指摘するものであると考えられる。特徴、機能、要素、及び／又は特性の他の組み合わせ並びに下位組み合わせで具現化される発明は、本請求項の補正又は本出願若しくは関連出願における新しい請求項の提示によって請求され得る。このような補正された請求項又は新たな請求項は、それらが異なる発明を対象としているか、若しくは同じ発明を対象としているか、元の請求項と異なるか、広いか、狭いか、若しくは範囲が等しいかにかかわらず、本開示の発明の主題に含まれるとみなされる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】