特許 7574863 回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-21

(45)【発行日】2024-10-29

(54)【発明の名称】回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20241022BHJP

   H05K 1/16 20060101ALI20241022BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 J

H05K1/02 C

H05K1/16 B

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2022568228

(86)(22)【出願日】2021-12-02

(86)【国際出願番号】 JP2021044203

(87)【国際公開番号】W WO2022124179

(87)【国際公開日】2022-06-16

【審査請求日】2023-05-18

(31)【優先権主張番号】P 2020202486

(32)【優先日】2020-12-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西尾 恒亮

【審査官】鹿野 博司

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１０－１８６９６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－３６８３４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－３２１１７６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０６８３１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１４０６５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－０８４８４２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ １／１６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

１以上の絶縁体層を含んでおり、かつ、上下方向に延びる法線を有する上主面及び下主面を有している基板本体と、
前記基板本体に設けられている複数の導体層と、
を備えており、
前記複数の導体層は、前記１以上の絶縁体層のうちの第１絶縁体層に設けられている第１導体層及び第２導体層の１以上の組を含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層の１以上の組それぞれは、前記第１導体層及び前記第２導体層が前記第１導体層の延伸方向と直交する直交方向に並ぶ第１近接区間を有しており、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第１絶縁体層の上主面に設けられており、
前記第１導体層は、前記直交方向に並ぶ第１側面及び第２側面を有しており、
前記第２導体層は、前記直交方向に並ぶ第３側面及び第４側面を有しており、
前記第１側面と前記第３側面とは向かい合っており、
前記第１側面と前記第１絶縁体層の上主面とが形成する第１鋭角の大きさは、前記第２側面と前記第１絶縁体層の上主面とが形成する第２鋭角の大きさより大きい、
回路基板。

【請求項2】

前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第１絶縁体層の上主面に設けられており、
上下方向に見て、前記第１絶縁体層において前記第１近接区間における前記第１導体層と前記第２導体層との間に位置する領域の少なくとも一部には、前記第１絶縁体層の上主面に第１溝が設けられている、
請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記第１側面と前記第１溝の内周面との間には前記第１絶縁体層の上主面が存在せず、
前記第３側面と前記第１溝の内周面との間には前記第１絶縁体層の上主面が存在しない、
請求項２に記載の回路基板。

【請求項4】

前記第１近接区間における前記第１導体層と前記第２導体層との近接距離を第１近接導体間距離と定義し、
前記第１溝の前記直交方向の幅の最大値は、前記第１近接導体間距離以上である、
請求項２に記載の回路基板。

【請求項5】

前記近接距離が最も小さくなる前記第１導体層及び前記第２導体層の組を最近接第１導体層及び最近接第２導体層の組と定義し、
前記最近接第１導体層及び前記最近接第２導体層は、前記第１絶縁体層の上主面に設けられている、
請求項４に記載の回路基板。

【請求項6】

前記第１溝の下端は、前記第１絶縁体層の下主面より上に位置している、
請求項２に記載の回路基板。

【請求項7】

前記第１導体層及び前記第２導体層は、接着層を介して前記第１絶縁体層の上主面に固定されており、
前記第１溝は、前記接着層を上下方向に貫通している、
請求項２に記載の回路基板。

【請求項8】

前記第１溝には、前記第１絶縁体層より低い誘電率を有する絶縁材料が充填されている、
請求項２に記載の回路基板。

【請求項9】

前記１以上の絶縁体層は、前記第１絶縁体層の上に位置する第２絶縁体層を更に含んでおり、
前記第２絶縁体層は、第２接着層を介して前記第１絶縁体層に固定されており、
前記第２接着層の誘電率は、前記第１絶縁体層の誘電率より低く、
前記第２接着層の一部は、前記第１溝内に位置している、
請求項２ないし請求項８のいずれかに記載の回路基板。

【請求項10】

前記第１導体層は、上下方向に見て、線形状を有する、
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の回路基板。

【請求項11】

前記第１導体層は、第１高周波信号を伝送する信号線である、
請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の回路基板。

【請求項12】

前記第２導体層は、第２高周波信号を伝送する信号線である、
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の回路基板。

【請求項13】

前記第１導体層及び前記第２導体層の組は、前記第１導体層及び前記第２導体層が前記直交方向に並ぶ最近接区間及び第２近接区間を有しており、
前記第１近接区間における近接第１導体層と近接第２導体層との最近接距離を第１最近接導体間距離と定義し、
前記第２近接区間における前記第１導体層と前記第２導体層との距離は、前記第１最近接導体間距離より大きく、
上下方向に見て、前記第１絶縁体層において前記第２近接区間における前記第１導体層と前記第２導体層との間に位置する領域には、前記第１絶縁体層の上主面に溝が設けられていない、
請求項５に記載の回路基板。

【請求項14】

前記基板本体に設けられており、前記第１導体層に電気的に接続されている第１外部電極と、
前記基板本体に設けられており、前記第２導体層に電気的に接続されている第２外部電極と、
を更に備えている、
請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の回路基板。

【請求項15】

前記第１絶縁体層の上主面に設けられている最近接第３導体層を、
更に備えており、
前記第１導体層及び前記第２導体層の組は、前記第１導体層及び前記第２導体層が前記直交方向に並ぶ近接区間を有しており、
前記第１導体層は、前記近接区間において、前記直交方向において前記第２導体層と前記最近接第３導体層との間に設けられており、
前記第２導体層及び前記最近接第３導体層は、グランド電位に接続され、
上下方向に見て、前記第１絶縁体層において前記近接区間における前記第１導体層と前記最近接第３導体層との間に位置する領域には、前記第１絶縁体層の上主面に第２溝が設けられている、
請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載の回路基板。

【請求項16】

前記第１絶縁体層の上主面に設けられ、かつ、前記第２側面及び前記第４側面を覆い、かつ、前記第１側面及び前記第３側面を覆わない保護層を、
更に備えている、
請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載の回路基板。

【請求項17】

１以上の絶縁体層を含んでおり、かつ、上下方向に延びる法線を有する上主面及び下主面を有している基板本体と、
前記基板本体に設けられている、それぞれ二つの側面を有する複数の導体層と、
を備えており、
前記複数の導体層は、前記１以上の絶縁体層のうちの、ある絶縁体層に並列されており、
前記複数の導体層の並列方向と直交する直交方向に並ぶ第１近接区間を有しており、
前記複数の導体層は、前記１以上の絶縁体層のうちの第１絶縁体層の上主面に並列されており、
前記複数の導体層のうち、隣接する導体層のうち互いに向かい合う側面と前記第１絶縁体層の上主面とが形成する鋭角の大きさは、前記並列された複数の導体層のうち外方にある、隣接する導体層の無い、導体層の側面と前記第１絶縁体層の上主面とが形成する第２鋭角の大きさより大きい、
回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、１以上の絶縁体層を含む回路基板本体を備える回路基板に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の回路基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の複合伝送線路が知られている。この複合伝送線路は、積層絶縁体と複数の導体パターンとを備えている。積層絶縁体は、複数の絶縁体層が積層された構造を有している。複数の導体パターンは、複数の絶縁体層に設けられている。複数の導体パターンは、電気回路を形成している。複数の導体パターンは、例えば、複数の絶縁体層に設けられた金属箔がフォトリソグラフィ工程により加工されることにより形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特許第６０４８６３３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、特許文献１に記載の複合伝送線路では、同じ絶縁体層に設けられた複数の導体パターン同士が近接する場合がある。このような場合、複数の導体パターンを精度よく形成する必要がある。しかしながら、フォトリソグラフィ工程による複数の導体パターンの形成では、複数の導体パターンの形成の精度に限界がある。

【0005】

そこで、本発明の目的は、互いに近接する第１導体と第２導体とを精度よく形成できる構造を有する回路基板を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一形態に係る回路基板は、
１以上の絶縁体層を含んでおり、かつ、上下方向に延びる法線を有する上主面及び下主面を有している基板本体と、
前記基板本体に設けられている複数の導体層と、
を備えており、
前記複数の導体層は、前記１以上の絶縁体層のうちの第１絶縁体層に設けられている第１導体層及び第２導体層の１以上の組を含んでおり、
前記第１導体層及び前記第２導体層の１以上の組それぞれは、前記第１導体層及び前記第２導体層が前記第１導体層の延伸方向と直交する直交方向に並ぶ第１近接区間を有しており、
前記第１導体層及び前記第２導体層は、前記第１絶縁体層の上主面に設けられており、
前記第１導体層は、前記直交方向に並ぶ第１側面及び第２側面を有しており、
前記第２導体層は、前記直交方向に並ぶ第３側面及び第４側面を有しており、
前記第１側面と前記第３側面とは向かい合っており、
前記第１側面と前記第１絶縁体層の上主面とが形成する第１鋭角の大きさは、前記第２側面と前記第１絶縁体層の上主面とが形成する第２鋭角の大きさより大きい。

【発明の効果】

【0010】

本発明に係る回路基板及び電子機器によれば、互いに近接する第１導体と第２導体とを精度よく形成できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、回路基板１０の分解斜視図である。

【図2】図２は、図１のＡ－Ａにおける回路基板１０の断面図である。

【図3】図３は、比較例の回路基板３００の断面図である。

【図4】図４は、回路基板１０ａの上面図である。

【図5】図５は、回路基板１０ａのＢ－Ｂにおける断面図である。

【図6】図６は、回路基板１０ａの製造時の上面図である。

【図7】図７は、回路基板１０ａの製造時の断面図である。

【図8】図８は、回路基板１０ａの製造時の上面図である。

【図9】図９は、回路基板１０ａの製造時の断面図である。

【図10】図１０は、回路基板１０ａの製造時の上面図である。

【図11】図１１は、回路基板１０ａの製造時の断面図である。

【図12】図１２は、回路基板１０ｂの上面図である。

【図13】図１３は、回路基板１０ｂのＢ－Ｂにおける断面図である。

【図14】図１４は、回路基板１０ｃの上面図である。

【図15】図１５は、回路基板１０ｃのＥ－Ｅにおける断面図である。

【図16】図１６は、回路基板１０ｄの分解斜視図である。

【図17】図１７は、回路基板１０ｄのＣ－Ｃにおける断面図である。

【図18】図１８は、回路基板１０ｅの断面図である。

【図19】図１９は、回路基板１０ｆの分解斜視図である。

【図20】図２０は、回路基板１０ｆのＣ－Ｃにおける断面図である。

【図21】図２１は、回路基板１０ｇの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

（実施形態）
［回路基板１０の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る回路基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、回路基板１０の分解斜視図である。

【0013】

回路基板１０は、例えば、第１高周波信号ないし第４高周波信号を伝送する伝送線路である。回路基板１０において、第１高周波信号ないし第４高周波信号の伝送方向を左右方向と定義する。換言すれば、導体層１８ａ～１８ｄの延伸方向を左右方向と定義する。また、回路基板１０の基板本体１２の上主面及び下主面の法線方向を上下方向と定義する。上下方向と左右方向とは、直交している。上下方向及び左右方向に直交する直交方向を前後方向と定義する。なお、回路基板１０の上下方向、左右方向及び前後方向は、回路基板１０の使用時の上下方向、左右方向及び前後方向と一致していなくてもよい。

【0014】

以下では、Ｘは、回路基板１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。

【0015】

回路基板１０は、基板本体１２、複数の導体層１８ａ～１８ｄ及び保護層２０ａ，２０ｂを備えている。基板本体１２は、板形状を有している。従って、基板本体１２は、上主面及び下主面を有している。基板本体１２の上主面及び下主面の法線方向は、上下方向に延びている。基板本体１２は、左右方向に延びている。基板本体１２は、可撓性を有している。そのため、基板本体１２は、折り曲げて使用される。

【0016】

また、基板本体１２は、１以上の絶縁体層１６ａ，１６ｂを含んでいる。基板本体１２は、絶縁体層１６ａ，１６ｂが上から下へとこの順に積層された構造を有している。絶縁体層１６ａ，１６ｂは、上下方向に見て、基板本体１２と同じ形状を有している。絶縁体層１６ａ，１６ｂの材料は、例えば、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマーやポリイミド等である。これにより、絶縁体層１６ａ，１６ｂは、可撓性を有している。

【0017】

導体層１８ａ～１８ｄは、基板本体１２に設けられている。より詳細には、導体層１８ａ及び導体層１８ｂは、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。従って、導体層１８ａ～１８ｄは、同じ絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）に設けられている導体層１８ａ（第１導体層）及び導体層１８ｂ（第２導体層）の組Ｐ１を含んでいる。導体層１８ａ及び導体層１８ｂは、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。そのため、導体層１８ａ（第１導体層）及び導体層１８ｂ（第２導体層）の組Ｐ１は、導体層１８ａ（第１導体層）及び導体層１８ｂ（第２導体層）が前後方向（第１導体層の延伸方向と直交する直交方向）に並ぶ第１近接区間Ａ１を有している。本実施形態では、導体層１８ｂは、導体層１８ａの前に位置している。以下では、第１近接区間Ａ１における導体層１８ａ（第１導体層）と導体層１８ｂ（第２導体層）との距離を近接距離Ｄ１と定義する。本明細書において、近接距離とは、近接区間における２つの導体層の距離の平均値である。導体層１８ａは、第１高周波信号を伝送する信号線である。導体層１８ｂは、第２高周波信号を伝送する信号線である。そのため、導体層１８ａ（第１導体層）と導体層１８ｂ（第２導体層）とは電気的に接続されていない。本明細書において、高周波信号とは、例えば、数ＧＨｚ以上の周波数を有する信号である。

【0018】

導体層１８ｃ及び導体層１８ｄは、絶縁体層１６ｂの下主面に設けられている。導体層１８ａ～１８ｄは、同じ絶縁体層１６ｂに設けられている導体層１８ｃ（第１導体層）及び導体層１８ｄ（第２導体層）の組Ｐ２を含んでいる。導体層１８ｃ及び導体層１８ｄは、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。導体層１８ｃ（第１導体層）及び導体層１８ｄ（第２導体層）の組Ｐ２は、導体層１８ｃ（第１導体層）及び導体層１８ｄ（第２導体層）が前後方向（第１導体層の延伸方向と直交する直交方向）に並ぶ第１近接区間Ａ２を有している。本実施形態では、導体層１８ｄは、導体層１８ｃの前に位置している。以下では、第１近接区間Ａ２における導体層１８ｃ（第１導体層）と導体層１８ｄ（第２導体層）との距離を近接距離Ｄ２と定義する。導体層１８ｃは、第３高周波信号を伝送する信号線である。導体層１８ｄは、第４高周波信号を伝送する信号線である。導体層１８ｃ（第１導体層）と導体層１８ｄ（第２導体層）とは電気的に接続されていない。

【0019】

近接距離Ｄ１は、近接距離Ｄ２より小さい。そこで、近接距離が最も小さくなる導体層１８ａ（第１導体層）及び導体層１８ｂ（第２導体層）の組Ｐ１を最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂの組Ｐ１１と定義する。最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂの組Ｐ１１は、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂが前後方向（直交方向）に並ぶ最近接区間Ａ１１を有している。また、最近接区間Ａ１１（第１近接区間Ａ１）における最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの近接距離Ｄ１を第１最近接導体間距離Ｄ１１と定義する。

【0020】

また、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂが設けられている絶縁体層１６ａを第１絶縁体層１１６ａと定義する。最近接第１導体層１１８ａ（第１導体層）及び最近接第２導体層１１８ｂ（第２導体層）は、第１絶縁体層１１６ａの上主面に設けられている。このように、絶縁体層１６ａ，１６ｂは、第１絶縁体層１１６ａを含んでいる。

【0021】

次に、回路基板１０の断面構造について図２を参照しながら説明する。図２は、図１のＡ－Ａにおける回路基板１０の断面図である。最近接第１導体層１１８ａは、前後方向（直交方向）に並ぶ第１側面Ｓ１及び第２側面Ｓ２を有している。第１側面Ｓ１は、最近接第１導体層１１８ａの前面である。第２側面Ｓ２は、最近接第１導体層１１８ａの後面である。最近接第２導体層１１８ｂは、前後方向（直交方向）に並ぶ第３側面Ｓ３及び第４側面Ｓ４を有している。第３側面Ｓ３は、最近接第２導体層１１８ｂの後面である。第４側面Ｓ４は、最近接第２導体層１１８ｂの前面である。従って、第１側面Ｓ１と第３側面Ｓ３とは向かい合っている。

【0022】

第１側面Ｓ１と第１絶縁体層１１６ａの上主面とが形成する第１鋭角θ１は、第２側面Ｓ２と第１絶縁体層１１６ａの上主面とが形成する第２鋭角θ２より大きい。また、第３側面Ｓ３と第１絶縁体層１１６ａの上主面とが形成する第３鋭角θ３は、第４側面Ｓ４と第１絶縁体層１１６ａの上主面とが形成する第４鋭角θ４より大きい。

【0023】

導体層１８ｃは、前後方向（直交方向）に並ぶ第５側面Ｓ５及び第６側面Ｓ６を有している。第５側面Ｓ５は、導体層１８ｃの前面である。第６側面Ｓ６は、導体層１８ｃの後面である。導体層１８ｄは、前後方向（直交方向）に並ぶ第７側面Ｓ７及び第８側面Ｓ８を有している。第７側面Ｓ７は、導体層１８ｄの後面である。第８側面Ｓ８は、導体層１８ｄの前面である。従って、第５側面Ｓ５と第７側面Ｓ７とは向かい合っている。

【0024】

第５側面Ｓ５と絶縁体層１６ｂの下主面とが形成する第５鋭角θ５は、第６側面Ｓ６と絶縁体層１６ｂの下主面とが形成する第６鋭角θ６と等しい。また、第７側面Ｓ７と絶縁体層１６ｂの下主面とが形成する第７鋭角θ７は、第８側面Ｓ８と絶縁体層１６ｂの下主面とが形成する第８鋭角θ８と等しい。

【0025】

また、図２に示すように、上下方向に見て、導体層１８ａ（第１導体層）と導体層１８ｂ（第２導体層）との間に位置する領域の少なくとも一部には、第１絶縁体層１１６ａの上主面に第１溝Ｈ１が設けられている。より詳細には、上下方向に見て、第１絶縁体層１１６ａにおいて最近接区間Ａ１１（第１近接区間Ａ１）における最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に位置する領域の少なくとも一部には、第１絶縁体層１１６ａの上主面に第１溝Ｈ１が設けられている。第１溝Ｈ１は、上下方向に見て、最近接区間Ａ１１の全長にわたって最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂに沿って延びている。従って、第１溝Ｈ１は、上下方向に見て、左右方向に延びる溝である。

【0026】

第１溝Ｈ１は、左右方向に見て、第１溝Ｈ１の底面から上方向に離れるにしたがって、前後方向の幅が大きくなるテーパ形状を有している。ただし、第１溝Ｈ１は、例えば、基板本体１２の熱圧着時に第１絶縁体層１１６ａが上下方向に波打つことにより形成される窪みとは異なる。そこで、第１溝Ｈ１は、以下に説明する構造を有する。

【0027】

上下方向に見て、第１溝Ｈ１の外縁は、最近接第１導体層１１８ａの外縁の一部分である第１重複部分Ｏ１、及び、最近接第２導体層１１８ｂの外縁の一部分である第２重複部分Ｏ２と重なっている。第１溝Ｈ１の外縁は、上下方向に見て、第１溝Ｈ１の後辺及び前辺である。第１溝Ｈ１の外縁は、第１溝Ｈ１の内周面ｓ０の一部分である。第１重複部分Ｏ１は、上下方向に見て、最近接第１導体層１１８ａの前辺である。第２重複部分Ｏ２は、上下方向に見て、最近接第２導体層１１８ｂの後辺である。第１溝Ｈ１の内周面ｓ０は、第１重複部分Ｏ１及び第２重複部分Ｏ２より下に位置している。内周面ｓ０は、内周面ｓ１，ｓ２を含んでいる。内周面ｓ１は、第１溝Ｈ１の内周面ｓ０の後部である。内周面ｓ２は、第１溝Ｈ１の内周面ｓ０の前部である。第１溝Ｈ１の内周面ｓ１の傾きは、第１重複部分Ｏ１において、第１絶縁体層１１６ａにおける最近接第１導体層１１８ａが接している面ｓ１１の傾きに対して不連続に下方向に変化している。そのため、内周面ｓ１は、第１重複部分Ｏ１において折れ曲がっている。そして、第１溝Ｈ１の内周面ｓ１は、第１重複部分Ｏ１から下方向に延びている。また、第１溝Ｈ１の内周面ｓ２の傾きは、第２重複部分Ｏ２において、第１絶縁体層１１６ａにおける最近接第２導体層１１８ｂが接している面ｓ１２の傾きに対して不連続に下方向に変化している。そのため、内周面ｓ２は、第２重複部分Ｏ２において折れ曲がっている。そして、第１溝Ｈ１の内周面ｓ２は、第２重複部分Ｏ２から下方向に延びている。なお、面の傾きとは、上下方向に対してなす角度である。

【0028】

ここで、本明細書における不連続の判定について説明する。まず、１００倍の倍率で図２の断面を観察する。このとき、第１絶縁体層１１６ａにおける最近接第１導体層１１８ａが接している面ｓ１１を延長した面と、内周面ｓ１を延長した面とが形成する角度を測定する。そして、この角度が３０度以下であれば、面ｓ１１の傾きと内周面ｓ１の傾きとが連続に変化している。この角度が３０度より大きければ、面ｓ１１の傾きと内周面ｓ１の傾きとが不連続に変化している。

【0029】

また、第１溝Ｈ１の内周面ｓ１の表面粗さは、第１絶縁体層１１６ａにおける最近接第１導体層１１８ａ（導体層１８ａ）が接している面ｓ１１の表面粗さと異なっている。同様に、第１溝Ｈ１の内周面ｓ２の表面粗さは、第１絶縁体層１１６ａにおける最近接第２導体層１１８ｂ（導体層１８ｂ）が接している面ｓ１２の表面粗さと異なっている。表面粗さの測定は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：１９９４に記載の通りである。そして、表面粗さは、最大高さＲｙである。基準長さの下限は、１０μｍである。本明細書において、第１面の表面粗さが第２面の表面粗さと異なるとは以下の通りである。第１面の最大表面粗さをＲｙ１とする。第２面の最大表面粗さＲｙ２とする。Ｒｙ１<Ｒｙ２である。このとき、Ｒｙ１×０．１≦Ｒｙ２―Ｒｙ１が成立していれば、第１面の表面粗さが第２面の表面粗さと異なる。

【0030】

第１溝Ｈ１の前後方向（直交方向）の幅の最大値Ｄ１００は、第１最近接導体間距離Ｄ１１以上である。第１溝Ｈ１の前後方向（直交方向）の幅は、第１溝Ｈ１の上端において最大値Ｄ１００を取る。本実施形態では、第１溝Ｈ１の前後方向の幅の最大値Ｄ１００は、第１最近接導体間距離Ｄ１１と等しい。従って、第１側面Ｓ１と第１溝Ｈ１の内周面とは連続して繋がっている。第３側面Ｓ３と第１溝Ｈ１の内周面ｓ０とは連続して繋がっている。すなわち、第１側面Ｓ１と第１溝Ｈ１の内周面ｓ０との間には第１絶縁体層１１６ａの上主面が存在しない。第３側面Ｓ３と第１溝Ｈ１の内周面ｓ０との間には第１絶縁体層１１６ａの上主面が存在しない。

【0031】

第１溝Ｈ１の下端は、第１絶縁体層１１６ａの下主面より上に位置している。従って、第１溝Ｈ１の深さは、第１絶縁体層１１６ａの厚さよりも小さい。

【0032】

ところで、保護層２０ａは、基板本体１２の上主面を覆っている。本実施形態では、保護層２０ａは、第１絶縁体層１１６ａの上主面を覆っている。保護層２０ａは、例えば、レジスト層又はカバーレイ層である。保護層２０ａの誘電率は、第１絶縁体層１１６ａの誘電率より低い。これにより、第１溝Ｈ１には、第１絶縁体層１１６ａより低い誘電率を有する絶縁材料が充填されている。

【0033】

保護層２０ｂは、基板本体１２の下主面を覆っている。本実施形態では、保護層２０ｂは、絶縁体層１６ｂの下主面を覆っている。保護層２０ｂは、例えば、レジスト層又はカバーレイ層である。

【0034】

以上のような導体層１８ａ～１８ｄは、絶縁体層１６ａの上主面又は絶縁体層１６ｂの下主面に貼り付けられた金属箔にパターニングが施されることにより形成されている。金属箔は、例えば、銅箔である。パターニングは、フォトリソグラフィ工程とレーザービーム照射工程との組み合わせである。具体的には、第２側面Ｓ２、第４側面Ｓ４、第５側面Ｓ５、第６側面Ｓ６、第７側面Ｓ７及び第８側面Ｓ８は、フォトリソグラフィ工程により形成される。第１側面Ｓ１及び第３側面Ｓ３は、レーザービーム照射工程により形成される。レーザービームの照射により、第１絶縁体層１１６ａ（絶縁体層１６ａ）の上主面には、第１溝Ｈ１が形成されている。更に、レーザービームの照射により、第１鋭角θ１及び第３鋭角θ３は、第２鋭角θ２、第４鋭角θ４、第５鋭角θ５、第６鋭角θ６、第７鋭角θ７及び第８鋭角θ８より大きい。

【0035】

［効果］
回路基板１０によれば、互いに近接する最近接第１導体層１１８ａ（導体層１８ａ）と最近接第２導体層１１８ｂ（導体層１８ｂ）とを精度よく形成できる。より詳細には、上下方向に見て、導体層１８ａと導体層１８ｂとの間に位置する領域の少なくとも一部には、第１絶縁体層１１６ａの上主面に第１溝Ｈ１が設けられている。すなわち、上下方向に見て、第１絶縁体層１１６ａにおいて最近接区間Ａ１１（第１近接区間Ａ１）における最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に位置する領域の少なくとも一部には、第１絶縁体層１１６ａの上主面に第１溝Ｈ１が設けられている。よって、回路基板１０では、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとを分離するために、レーザービーム照射工程が行われている。これにより、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとを近接させた状態で、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとを分離することが可能となる。以上より、回路基板１０によれば、互いに近接する最近接第１導体層１１８ａ（導体層１８ａ）と最近接第２導体層１１８ｂ（導体層１８ｂ）とを精度よく形成できる。

【0036】

なお、第１溝Ｈ１がレーザービーム照射により形成されていることは、例えば、第１溝Ｈ１の内周面ｓ０の表面粗さが、第１絶縁体層１１６ａにおける最近接第１導体層１１８ａが接している面ｓ１１の表面粗さと異なっていることにより確認することができる。

【0037】

回路基板１０によれば、導体層１８ａ～１８ｄの形成を短い時間で行うことができる。例えば、導体層１８ａ～１８ｄの形成において、フォトリソグラフィ工程を行わずに、レーザービーム照射工程を行うことが考えられる。しかしながら、この場合、導体層１８ａ～１８ｄの全ての側面をレーザービームの照射により形成する必要がある。そのため、導体層１８ａ～１８ｄの形成に必要な時間が長くなる。そこで、回路基板１０では、第１鋭角θ１及び第３鋭角θ３は、第２鋭角θ２、第４鋭角θ４、第５鋭角θ５、第６鋭角θ６、第７鋭角θ７及び第８鋭角θ８より大きい。すなわち、第２側面Ｓ２、第４側面Ｓ４、第５側面Ｓ５、第６側面Ｓ６、第７側面Ｓ７及び第８側面Ｓ８をフォトリソグラフィ工程により形成している。第１側面Ｓ１及び第３側面Ｓ３をレーザービーム照射工程により形成している。フォトリソグラフィ工程では、第２側面Ｓ２、第４側面Ｓ４、第５側面Ｓ５、第６側面Ｓ６、第７側面Ｓ７及び第８側面Ｓ８を短時間で同時に形成できる。従って、レーザービーム照射工程とフォトリソグラフィ工程とを組み合わせることにより、導体層１８ａ～１８ｄの形成を短い時間で行うことができる。

【0038】

回路基板１０によれば、絶縁体層１６ａ，１６ｂの強度の低下が抑制される。より詳細には、例えば、導体層１８ａ～１８ｄの形成において、フォトリソグラフィ工程を行わずに、レーザービーム照射工程を行うことが考えられる。しかしながら、この場合、導体層１８ａ～１８ｄの全ての側面をレーザービームの照射により形成する必要がある。そのため、絶縁体層１６ａの上主面及び絶縁体層１６ｂの下主面の導体層１８ａ～１８ｄの近傍に溝が形成される。このような溝が形成されると絶縁体層１６ａ，１６ｂの強度の低下につながる。そこで、回路基板１０では、第１鋭角θ１及び第３鋭角θ３は、第２鋭角θ２、第４鋭角θ４、第５鋭角θ５、第６鋭角θ６、第７鋭角θ７及び第８鋭角θ８より大きい。すなわち、第２側面Ｓ２、第４側面Ｓ４、第５側面Ｓ５、第６側面Ｓ６、第７側面Ｓ７及び第８側面Ｓ８をフォトリソグラフィ工程により形成している。第１側面Ｓ１及び第３側面Ｓ３をレーザービーム照射工程により形成している。フォトリソグラフィ工程では、絶縁体層１６ａの上主面及び絶縁体層１６ｂの下主面に溝が形成されない。従って、レーザービーム照射工程とフォトリソグラフィ工程とを組み合わせることにより、絶縁体層１６ａ，１６ｂの強度の低下が抑制される。

【0039】

図３は、比較例の回路基板３００の断面図である。回路基板３００は、第１鋭角θ１及び第３鋭角θ３は、第２鋭角θ２、第４鋭角θ４、第５鋭角θ５、第６鋭角θ６、第７鋭角θ７及び第８鋭角θ８と等しい点、及び、第１溝Ｈ１が設けられていない点において、回路基板１０と相違する。回路基板１０における第１鋭角θ１及び第３鋭角θ３は、回路基板３００における第１鋭角θ１及び第３鋭角θ３より大きい。そのため、回路基板１０では、導体層１８ａと導体層１８ｂとの間隔をより狭くすることができる。また、第１溝Ｈ１が空洞になっている場合や、第１溝Ｈ１が低誘電率材で満たされている場合には、導体層１８ａと導体層１８ｂとの間隔が狭くしたことによる容量値の上昇を抑制することができる。

【0040】

回路基板１０では、第１溝Ｈ１には、第１絶縁体層１１６ａより低い誘電率を有する絶縁材料が充填されている。これにより、導体層１８ａと導体層１８ｂとの間に形成される容量を低減できる。

【0041】

（第１変形例）
［回路基板１０ａの構造］
以下に、第１変形例に係る回路基板１０ａの構造について説明する。図４は、回路基板１０ａの上面図である。図５は、回路基板１０ａのＢ－Ｂにおける断面図である。また、図４では、保護層２０ａを省略した。

【0042】

回路基板１０ａは、以下の点において、回路基板１０と相違する。

【0043】

・回路基板１０ａが絶縁体層１６ｂ、導体層１８ｃ，１８ｄ及び保護層２０ｂを備えていない。
・保護層２０ａが導体層１８ａ，１８ｂの全体を覆っていない。

【0044】

より詳細には、基板本体１２は、１つの絶縁体層１６ａを含んでいる。基板本体１２は、例えば、液晶ポリマーなどの熱可塑性樹脂の積層基板である。また、基板本体１２は、ガラスクロスをエポキシ樹脂で固めたガラスエポキシ樹脂の積層基板であってもよい。また、複数の導体層１８ａ，１８ｂは、同じ絶縁体層１６ａの上主面に設けられている導体層１８ａ（第１導体層）及び導体層１８ｂ（第２導体層）の組Ｐ１を含んでいる。回路基板１０ａには、同じ絶縁体層に設けられている第１導体層及び第２導体層の組が１組しか存在しない。従って、近接距離が最も小さくなる第１導体層及び第２導体層の組は、導体層１８ａ（第１導体層）及び導体層１８ｂ（第２導体層）の組Ｐ１である。そこで、導体層１８ａ（第１導体層）及び導体層１８ｂ（第２導体層）の組Ｐ１を最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂの組Ｐ１１と定義する。

【0045】

最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂは、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。そこで、絶縁体層１６ａを第１絶縁体層１１６ａと定義する。上下方向に見て、第１絶縁体層１１６ａにおいて第１近接区間Ａ１における最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に位置する領域の少なくとも一部には、第１絶縁体層１１６ａの上主面に第１溝Ｈ１が設けられている。最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとは物理的に接続されていない。

【0046】

また、保護層２０ａは、第１絶縁体層１１６ａの上主面に設けられている。保護層２０ａは、第２側面Ｓ２及び第４側面Ｓ４を覆い、かつ、第１側面Ｓ１及び第３側面Ｓ３を覆っていない。これにより、第１溝Ｈ１には、絶縁材料が充填されていない。すなわち、第１溝Ｈ１内は空隙である。回路基板１０ａのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明を省略する。

【0047】

［回路基板１０ａの製造方法］
次に、回路基板１０ａの製造方法について図面を参照しながら説明する。図６、図８及び図１０は、回路基板１０ａの製造時の上面図である。図７、図９及び図１１は、回路基板１０ａの製造時の断面図である。なお、回路基板１０ａの実際の製造方法では、大判の第１絶縁体層１１６ａをカットすることにより複数の回路基板１０ａを同時にして作製する。ただし、以下では、１個の回路基板１０ａの製造方法について説明する。

【0048】

図６及び図７に示すように、上下方向に並ぶ上主面及び下主面を有する第１絶縁体層１１６ａの上主面に金属箔１１７が設けられた金属箔付き絶縁体層を準備する（準備工程）。金属箔１１７は、例えば、銅箔である。金属箔１１７は、第１絶縁体層１１６ａの上主面の全面を覆っている。

【0049】

準備工程後に、図８及び図９に示すように、金属箔１１７に対してフォトリソグラフィ工程を行うことにより、導体層１１９を形成する（パターン形成工程）。パターン形成工程では、第２側面Ｓ２及び第４側面Ｓ４に沿った外形を有するマスクを金属箔１１７に形成する。そして、マスクを介して金属箔１１７にエッチングを施す。エッチング液は、例えば、塩化鉄水溶液である。これにより、第２側面Ｓ２及び第４側面Ｓ４が形成される。ただし、パターン形成工程では、第１側面Ｓ１及び第３側面Ｓ３は形成されない。従って、導体層１１９は、導体層１８ａと導体層１８ｂとが一つに繋がった形状を有している。

【0050】

パターン形成工程後に、図１０及び図１１に示すように、導体層１１９に対してレーザービームを上下方向に見て線状に照射することにより、レーザービームの照射領域を挟む導体層１８ａ（第１導体層）と導体層１８ｂ（第２導体層）とに導体層１１９を分離する（ビーム照射工程）。レーザービームは、例えば、ＵＶレーザービームである。ビーム照射工程では、第１絶縁体層１１６ａの上主面に第１溝Ｈ１が形成される。第１溝Ｈ１の下端は、第１絶縁体層１１６ａの下主面に到達していない。第１溝Ｈ１の下端は、第１絶縁体層１１６ａの下主面より上に位置している。

【0051】

ビーム照射工程後に、図４及び図５に示すように、保護層２０ａを第１絶縁体層１１６ａの上主面に形成する。以上の工程を経て、回路基板１０ａが完成する。

【0052】

［効果］
回路基板１０ａによれば、回路基板１０と同じ理由により、互いに近接する最近接第１導体層１１８ａ（導体層１８ａ）と最近接第２導体層１１８ｂ（導体層１８ｂ）とを精度よく形成できる。回路基板１０ａによれば、回路基板１０と同じ理由により、導体層１８ａ，１８ｂの形成を短い時間で行うことができる。回路基板１０ａによれば、回路基板１０と同じ理由により、絶縁体層１６ａの強度の低下が抑制される。回路基板１０ａによれば、回路基板１０と同じ理由により、導体層１８ａと導体層１８ｂとの間に形成される容量を低減できる。

【0053】

また、回路基板１０ａでは、保護層２０ａは、第２側面Ｓ２及び第４側面Ｓ４を覆い、かつ、第１側面Ｓ１及び第３側面Ｓ３を覆っていない。これにより、第１溝Ｈ１には、絶縁材料が充填されていない。第１溝Ｈ１内は空隙である。従って、第１溝Ｈ１内の誘電率の上昇が抑制される。これにより、導体層１８ａと導体層１８ｂとの間に形成される容量を低減できる。

【0054】

回路基板１０ａの製造方法によれば、ビーム照射工程では、第１絶縁体層１１６ａに第１溝Ｈ１が形成される。第１溝Ｈ１の下端は、第１絶縁体層１１６ａの下主面に到達していない。これにより、導体層１８ａと導体層１８ｂとの位置関係にずれが生じることが抑制される。

【0055】

（第２変形例）
以下に、第２変形例に係る回路基板１０ｂの構造について説明する。図１２は、回路基板１０ｂの上面図である。図１３は、回路基板１０ｂのＢ－Ｂにおける断面図である。図１２では、保護層２０ａを省略した。

【0056】

回路基板１０ｂは、コプレナー構造を有している点において回路基板１０ａと相違する。より詳細には、回路基板１０ｂは、最近接第３導体層１１８ｃ（導体層１８ｃ）を更に備えている。最近接第３導体層１１８ｃは、第１絶縁体層１１６ａの上主面に設けられている。最近接第３導体層１１８ｃは、左右方向に延びる線形状を有している。

【0057】

最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂの組Ｐ１１は、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂが前後方向（直交方向）に並ぶ最近接区間Ａ１１を有している。最近接第１導体層１１８ａは、最近接区間Ａ１１において、前後方向（直交方向）において最近接第２導体層１１８ｂと最近接第３導体層１１８ｃとの間に設けられている。すなわち、最近接第２導体層１１８ｂは、最近接第１導体層１１８ａの前に位置している。最近接第３導体層１１８ｃは、最近接第１導体層１１８ａの後に位置している。

【0058】

最近接第２導体層１１８ｂ及び最近接第３導体層１１８ｃは、グランド電位に接続される。すなわち、最近接第２導体層１１８ｂ及び最近接第３導体層１１８ｃは、グランド導体層である。

【0059】

上下方向に見て、第１絶縁体層１１６ａにおいて最近接区間Ａ１１における最近接第１導体層１１８ａと最近接第３導体層１１８ｃとの間に位置する領域には、第１絶縁体層１１６ａの上主面に第２溝Ｈ２が設けられている。第２溝Ｈ２の形状は、第１溝Ｈ１の形状と同じであるので説明を省略する。

【0060】

また、保護層２０ａは、第１絶縁体層１１６ａの上主面に設けられている。保護層２０ａは、第４側面Ｓ４及び第６側面Ｓ６を覆い、かつ、第１側面Ｓ１、第２側面Ｓ２、第３側面Ｓ３及び第５側面Ｓ５を覆っていない。これにより、第１溝Ｈ１及び第２溝Ｈ２には、絶縁材料が充填されていない。すなわち、第１溝Ｈ１内及び第２溝Ｈ２内は空隙である。回路基板１０ｂのその他の構造は、回路基板１０ａと同じであるので説明を省略する。

【0061】

回路基板１０ｂによれば、回路基板１０ａと同じ理由により、互いに近接する最近接第１導体層１１８ａ（導体層１８ａ）と最近接第２導体層１１８ｂ（導体層１８ｂ）と最近接第３導体層１１８ｃ（導体層１８ｃ）とを精度よく形成できる。回路基板１０ｂによれば、回路基板１０ａと同じ理由により、最近接第１導体層１１８ａ、最近接第２導体層１１８ｂ及び最近接第３導体層１１８ｃの形成を短い時間で行うことができる。回路基板１０ｂによれば、回路基板１０ａと同じ理由により、絶縁体層１６ａの強度の低下が抑制される。回路基板１０ｂによれば、回路基板１０ａと同じ理由により、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間及び最近接第１導体層１１８ａと最近接第３導体層１１８ｃとの間に形成される容量を低減できる。

【0062】

（第３変形例）
以下に、第３変形例に係る回路基板１０ｃの構造について説明する。図１４は、回路基板１０ｃの上面図である。図１５は、回路基板１０ｃのＥ－Ｅにおける断面図である。図１４では、保護層２０ａを省略した。

【0063】

回路基板１０ｃは、導体層１８ａ～１８ｄがコイルＣを形成する点において、回路基板１０ａと相違する。より詳細には、回路基板１０ｃは、導体層１８ａ～１８ｄを備えている。導体層１８ａ～１８ｄは、第１絶縁体層１１６ａの上主面に設けられている。導体層１８ａ～１８ｄは、前後方向に延びる線形状を有している。導体層１８ｄ、導体層１８ｂ、導体層１８ａ及び導体層１８ｃは、左から右へとこの順に一列に並んでいる。導体層１８ａ～１８ｄは電気的に接続されている。具体的には、導体層１８ｄ、導体層１８ｂ、導体層１８ａ及び導体層１８ｃは、この順に電気的に直列接続されることにより、上下方向に見て、スパイラル形状を有するコイルＣを形成している。

【0064】

ここで、導体層１８ａは、最近接第１導体層１１８ａである。導体層１８ｂは、最近接第２導体層１１８ｂである。導体層１８ｃは、最近接第３導体層１１８ｃである。導体層１８ｄは、最近接第４導体層１１８ｄである。そして、上下方向に見て、第１絶縁体層１１６ａにおいて第１近接区間Ａ１における最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に位置する領域の少なくとも一部には、第１絶縁体層１１６ａの上主面に第１溝Ｈ１が設けられている。上下方向に見て、第１絶縁体層１１６ａにおいて第１近接区間Ａ２における最近接第１導体層１１８ａと最近接第３導体層１１８ｃとの間に位置する領域の少なくとも一部には、第１絶縁体層１１６ａの上主面に第１溝Ｈ１が設けられている。上下方向に見て、第１絶縁体層１１６ａにおいて第１近接区間Ａ３における最近接第２導体層１１８ｂと最近接第４導体層１１８ｄとの間に位置する領域の少なくとも一部には、第１絶縁体層１１６ａの上主面に第１溝Ｈ１が設けられている。更に、３本の前後方向に延びる第１溝Ｈ１は、左右方向に延びる２本の第１溝Ｈ１により接続されている。これにより、第１溝Ｈ１は、上下方向に見て、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂと最近接第３導体層１１８ｃと最近接第４導体層１１８ｄに沿ってスパイラル形状を有している。このように、回路基板１０ｃでは、スパイラル形状の第１溝Ｈ１が長方形状の導体層に形成されることにより、スパイラル形状のコイルＣが形成されている。回路基板１０ｃのその他の構造は、回路基板１０ａと同じであるので説明を省略する。

【0065】

回路基板１０ｃによれば、回路基板１０ａと同じ理由により、互いに近接する最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂと最近接第３導体層１１８ｃと最近接第４導体層１１８ｄとを精度よく形成できる。回路基板１０ｃによれば、回路基板１０ａと同じ理由により、最近接第１導体層１１８ａ、最近接第２導体層１１８ｂ、最近接第３導体層１１８ｃ及び最近接第４導体層１１８ｄの形成を短い時間で行うことができる。回路基板１０ｃによれば、回路基板１０ａと同じ理由により、絶縁体層１６ａの強度の低下が抑制される。回路基板１０ｃによれば、回路基板１０ａと同じ理由により、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間、最近接第１導体層１１８ａと最近接第３導体層１１８ｃとの間及び最近接第２導体層１１８ｂと最近接第４導体層１１８ｄとの間に形成される容量を低減できる。更に、回路基板１０ｃによれば、多いターン数を有するコイルＣを小さなスペースに形成することができる。これにより、高いＱ値を有するコイルＣを得ることができる。

【0066】

（第４変形例）
以下に、第４変形例に係る回路基板１０ｄの構造について説明する。図１６は、回路基板１０ｄの分解斜視図である。図１７は、回路基板１０ｄのＣ－Ｃにおける断面図である。

【0067】

回路基板１０ｄは、マイクロストリップライン構造を有している点において、回路基板１０と相違する。より詳細には、回路基板１０ｄは、導体層１８ｃ，１８ｄの代わりにグランド導体層５０を備えている。グランド導体層５０は、絶縁体層１６ｂの下主面の略全面を覆っている。これにより、上下方向に見て、導体層１８ａ，１８ｂは、グランド導体層５０と重なっている。すなわち、導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層５０は、マイクロストリップライン構造を形成している。

【0068】

また、導体層１８ａは、最近接第１導体層１１８ａである。導体層１８ｂは、最近接第２導体層１１８ｂである。最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂの組Ｐ１１は、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂが前後方向（直交方向）に並ぶ最近接区間Ａ１１及び第２近接区間Ａ２０を有している。第２近接区間Ａ２０は、最近接区間Ａ１１の左に位置している。第２近接区間Ａ２０における最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの距離Ｄ２００は、第１最近接導体間距離Ｄ１１より大きい。

【0069】

上下方向に見て、第１絶縁体層１１６ａにおいて第２近接区間Ａ２０における最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に位置する領域には、第１絶縁体層１１６ａの上主面に溝が設けられていない。

【0070】

また、回路基板１０ｄは、導体層３０ａ，３０ｂを備えている。導体層３０ａ，３０ｂは、第１絶縁体層１１６ａの上主面に設けられている。より詳細には、導体層３０ａは、最近接区間Ａ１１において最近接第１導体層１１８ａの後に位置している。導体層３０ｂは、最近接区間Ａ１１において最近接第２導体層１１８ｂの前に位置している。

【0071】

また、回路基板１０ｄは、第１外部電極６０ａ及び第２外部電極６０ｂを更に備えている。第１外部電極６０ａ及び第２外部電極６０ｂは、基板本体１２に設けられている。本変形例では、第１外部電極６０ａ及び第２外部電極６０ｂは、第１絶縁体層１１６ａの上主面に設けられている。第１外部電極６０ａは、最近接第１導体層１１８ａに電気的に接続されている。第１外部電極６０ａは、最近接第１導体層１１８ａの左端に接続されている。第２外部電極６０ｂは、最近接第２導体層１１８ｂに電気的に接続されている。第２外部電極６０ｂは、最近接第２導体層１１８ｂの左端に接続されている。

【0072】

保護層２０ａには、開口ｈ１，ｈ２が設けられている。第１外部電極６０ａ及び第２外部電極６０ｂはそれぞれ、開口ｈ１，ｈ２から回路基板１０ｄの外部に露出している。これにより、コネクタや電子部品を第１外部電極６０ａ及び第２外部電極６０ｂに実装することができる。回路基板１０ｄのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明を省略する。

【0073】

回路基板１０ｄによれば、回路基板１０と同じ理由により、互いに近接する最近接第１導体層１１８ａ（導体層１８ａ）と最近接第２導体層１１８ｂ（導体層１８ｂ）とを精度よく形成できる。回路基板１０ｄによれば、回路基板１０と同じ理由により、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂの形成を短い時間で行うことができる。回路基板１０ｄによれば、回路基板１０と同じ理由により、絶縁体層１６ａの強度の低下が抑制される。回路基板１０ｄによれば、回路基板１０と同じ理由により、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に形成される容量を低減できる。

【0074】

回路基板１０ｄのように、導体層３０ａ，３０ｂが存在すると、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの距離を小さくする必要がある。回路基板１０ｄでは、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの距離を小さくしても、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に形成される容量を低減できる。更に、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの距離を小さくしても、第１溝Ｈ１により最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとが電界結合することが抑制される。その結果、回路基板１０ｄの特性インピーダンスが所望の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）から変化しにくい。なお、上下方向に見て、第１絶縁体層１１６ａにおいて第２近接区間Ａ２０における最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に位置する領域には、第１絶縁体層１１６ａの上主面に溝が設けられていてもよい。なお、導体層３０ａ，３０ｂの代わりに電子部品が設けられていてもよい。

【0075】

（第５変形例）
以下に、第５変形例に係る回路基板１０ｅの構造について説明する。図１８は、回路基板１０ｅの断面図である。

【0076】

回路基板１０ｅは、接着層９０を更に備えている点において、回路基板１０ｄと相違する。最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂは、接着層９０を介して第１絶縁体層１１６ａの上主面に固定されている。第１溝Ｈ１は、接着層９０を上下方向に貫通している。接着層９０の誘電率は、第１絶縁体層１１６ａの誘電率より低い。これにより、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に形成される容量を低減できる。

【0077】

また、接着層９０の上に最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂが設けられ、接着層９０の下に第１絶縁体層１１６ａが設けられている。第１絶縁体層１１６ａの誘電率は、接着層９０の誘電率より高い。これにより、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂが発生した電界が回路基板１０ｅの周囲に広がることが抑制される。回路基板１０ｅのその他の構造は、回路基板１０ｄと同じであるので説明を省略する。

【0078】

回路基板１０ｅの製造方法では、ビーム照射工程において、第１絶縁体層１１６ａ及び接着層９０に第１溝Ｈ１が形成される。第１溝Ｈ１の下端は、第１絶縁体層１１６ａの下主面に到達していない。ビーム照射工程後に、第１絶縁体層１１６ａに絶縁体層１６ｂが積層される。これにより、導体層１８ａと導体層１８ｂとの位置関係にずれが生じることが抑制される。

【0079】

回路基板１０ｅによれば、回路基板１０ｄと同じ理由により、互いに近接する最近接第１導体層１１８ａ（導体層１８ａ）と最近接第２導体層１１８ｂ（導体層１８ｂ）とを精度よく形成できる。回路基板１０ｅによれば、回路基板１０ｄと同じ理由により、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂの形成を短い時間で行うことができる。回路基板１０ｅによれば、回路基板１０ｄと同じ理由により、絶縁体層１６ａの強度の低下が抑制される。回路基板１０ｅによれば、回路基板１０ｄと同じ理由により、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に形成される容量を低減できる。

【0080】

（第６変形例）
以下に、第６変形例に係る回路基板１０ｆの構造について説明する。図１９は、回路基板１０ｆの分解斜視図である。図２０は、回路基板１０ｆのＣ－Ｃにおける断面図である。

【0081】

回路基板１０ｆは、ストリップライン構造を有している点において、回路基板１０ｄと相違する。基板本体１２は、第２絶縁体層１１６ｂを更に含んでいる。第２絶縁体層１１６ｂは、第１絶縁体層１１６ａの上に位置している。第２絶縁体層１１６ｂは、第１絶縁体層１１６ａの上に積層されている。第１絶縁体層１１６ａの材料は、第２絶縁体層１１６ｂの材料と同じである。第２絶縁体層１１６ｂの一部は、第１絶縁体層１１６ａに形成されている第１溝Ｈ１内に位置している。ただし、第１溝Ｈ１は、レーザービーム照射工程により形成される。従って、第１溝Ｈ１の内周面の分子構造は、加熱により僅かに変化している。従って、ＳＥＭ等の電子顕微鏡により第１溝Ｈ１の内周面を確認することが可能である。

【0082】

回路基板１０ｆは、グランド導体層５２及び複数のビアホール導体ｖ１，ｖ２を更に備えている。グランド導体層５２は、第２絶縁体層１１６ｂの上主面の略全面を覆っている。これにより、グランド導体層５２は、上下方向に見て、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂと重なっている。

【0083】

グランド導体層５０は、第１絶縁体層１１６ａの下主面の略全面を覆っている。これにより、グランド導体層５０は、上下方向に見て、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂと重なっている。よって、最近接第１導体層１１８ａ、最近接第２導体層１１８ｂ及びグランド導体層５０，５２は、ストリップライン構造を形成している。

【0084】

複数のビアホール導体ｖ１，ｖ２は、グランド導体層５０とグランド導体層５２とを電気的に接続している。複数のビアホール導体ｖ１，ｖ２は、第１絶縁体層１１６ａ及び第２絶縁体層１１６ｂを上下方向に貫通している。複数のビアホール導体ｖ１は、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂの後において左右方向に一列に並んでいる。複数のビアホール導体ｖ２は、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂの前において左右方向に一列に並んでいる。

【0085】

第１外部電極６０ａ及び第２外部電極６０ｂは、第１絶縁体層１１６ａの上主面に設けられている。第１外部電極６０ａは、上下方向に見て、最近接第１導体層１１８ａの左端部と重なっている。第２外部電極６０ｂは、上下方向に見て、最近接第２導体層１１８ｂの左端部と重なっている。

【0086】

回路基板１０ｆは、ビアホール導体ｖ３，ｖ４を更に備えている。ビアホール導体ｖ３は、第１外部電極６０ａと最近接第１導体層１１８ａの左端部とを電気的に接続している。ビアホール導体ｖ４は、第２外部電極６０ｂと最近接第２導体層１１８ｂの左端部とを電気的に接続している。ビアホール導体ｖ３，ｖ４は、第２絶縁体層１１６ｂを上下方向に貫通している。

【0087】

保護層２０ａには、開口ｈ１～ｈ４が設けられている。第１外部電極６０ａ及び第２外部電極６０ｂはそれぞれ、開口ｈ１，ｈ２から回路基板１０ｆの外部に露出している。また、グランド導体層５２の一部は、開口ｈ３，ｈ４から回路基板１０ｆの外部に露出している。これにより、コネクタや電子部品を第１外部電極６０ａ、第２外部電極６０ｂ及びグランド導体層５２に実装することができる。回路基板１０ｆのその他の構造は、回路基板１０ｄと同じであるので説明を省略する。

【0088】

回路基板１０ｆによれば、回路基板１０ｄと同じ理由により、互いに近接する最近接第１導体層１１８ａ（導体層１８ａ）と最近接第２導体層１１８ｂ（導体層１８ｂ）とを精度よく形成できる。回路基板１０ｆによれば、回路基板１０ｄと同じ理由により、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂの形成を短い時間で行うことができる。回路基板１０ｆによれば、回路基板１０ｄと同じ理由により、絶縁体層１６ａの強度の低下が抑制される。回路基板１０ｆによれば、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に形成される容量を低減できる。

【0089】

（第７変形例）
以下に、第７変形例に係る回路基板１０ｇの構造について説明する。図２１は、回路基板１０ｇの断面図である。

【0090】

回路基板１０ｇは、第２接着層９２を更に備えている点において、回路基板１０ｆと相違する。第２絶縁体層１１６ｂは、第２接着層９２を介して第１絶縁体層１１６ａに固定されている。第２接着層９２の誘電率は、第１絶縁体層１１６ａの誘電率より低い。第２接着層９２の一部は、第１溝Ｈ１内に位置している。ただし、第２接着層９２の一部は、第１溝Ｈ１内に位置していなくてもよい。回路基板１０ｇのその他の構造は、回路基板１０ｆと同じであるので説明を省略する。なお、第１溝Ｈ１は、第２接着層９２により完全に満たされていなくてもよい。

【0091】

回路基板１０ｇによれば、回路基板１０ｆと同じ理由により、互いに近接する最近接第１導体層１１８ａ（導体層１８ａ）と最近接第２導体層１１８ｂ（導体層１８ｂ）とを精度よく形成できる。回路基板１０ｇによれば、回路基板１０ｆと同じ理由により、最近接第１導体層１１８ａ及び最近接第２導体層１１８ｂの形成を短い時間で行うことができる。回路基板１０ｇによれば、回路基板１０ｆと同じ理由により、絶縁体層１６ａの強度の低下が抑制される。回路基板１０ｇによれば、回路基板１０ｆと同じ理由により、最近接第１導体層１１８ａと最近接第２導体層１１８ｂとの間に形成される容量を低減できる。

【0092】

（その他の実施形態）
本発明に係る回路基板は、回路基板１０，１０ａ～１０ｇに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、回路基板１０，１０ａ～１０ｇの構造を任意に組み合わせてもよい。

【0093】

回路基板１０，１０ａ～１０ｇにおいて、最近接第２導体層１１８ｂは、信号線でなくてもよい。最近接第２導体層１１８ｂは、例えば、グランド導体層や電源線等であってもよい。

【0094】

回路基板１０，１０ａ～１０ｇにおいて、保護層２０ａ，２０ｂは、必須ではない。

【0095】

回路基板１０，１０ａ～１０ｇにおいて、第１溝Ｈ１の前後方向（直交方向）の幅の最大値Ｄ１００は、第１最近接導体間距離Ｄ１１より短くてもよい。この場合、第１側面Ｓ１と第１溝Ｈ１の内周面との間には第１絶縁体層１１６ａの上主面が存在する。第３側面Ｓ３と第１溝Ｈ１の内周面との間には第１絶縁体層１１６ａの上主面が存在する。

【0096】

回路基板１０，１０ａ～１０ｇにおいて、レーザービーム照射工程により第１溝Ｈ１が形成される際に、第１溝Ｈ１の内周面が大きく消失する場合がある。この場合、第１溝Ｈ１は、最近接第１導体層１１８ａの下及び最近接第２導体層１１８ｂの下にも位置していてもよい。

【0097】

回路基板１０，１０ｄ～１０ｆにおいて、第１溝Ｈ１の下端は、第１絶縁体層１１６ａの下主面より下に位置していてもよい。この場合、第１絶縁体層１１６ａと絶縁体層１６ｂの積層後に、レーザービーム照射工程を行う。

【0098】

なお、第１溝Ｈ１は、第１絶縁体層１１６ａの下端に到達していてもよい。

【0099】

なお、第１溝Ｈ１の内周面ｓ０の表面粗さは、第１絶縁体層１１６ａにおける最近接第１導体層１１８ａが接している面ｓ１１の表面粗さより大きくてもよいし、小さくてもよい。

【符号の説明】

【0100】

１０，１０ａ～１０ｇ：回路基板
１２：基板本体
１６ａ，１６ｂ：絶縁体層
１８ａ～１８ｄ，３０ａ，３０ｂ：導体層
２０ａ，２０ｂ：保護層
５０，５２：グランド導体層
６０ａ：第１外部電極
６０ｂ：第２外部電極
９０：接着層
９２：第２接着層
１１６ａ：第１絶縁体層
１１６ｂ：第２絶縁体層
１１７：金属箔
１１８ａ：最近接第１導体層
１１８ｂ：最近接第２導体層
１１８ｃ：最近接第３導体層
１１８ｄ：最近接第４導体層
１１９：導体層
３００：回路基板
Ａ１～Ａ３：第１近接区間
Ａ１１：最近接区間
Ａ２０：第２近接区間
Ｃ：コイル
Ｈ１：第１溝
Ｈ２：第２溝
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１：組
Ｓ１：第１側面
Ｓ２：第２側面
Ｓ３：第３側面
Ｓ４：第４側面
Ｓ５：第５側面
Ｓ６：第６側面
Ｓ７：第７側面
Ｓ８：第８側面
ｈ１～ｈ４：開口
ｖ１～ｖ４：ビアホール導体
θ１：第１鋭角
θ２：第２鋭角
θ３：第３鋭角
θ４：第４鋭角
θ５：第５鋭角
θ６：第６鋭角
θ７：第７鋭角
θ８：第８鋭角

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】