(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-21
(45)【発行日】2024-10-29
(54)【発明の名称】磁気センサ
(51)【国際特許分類】
G01R 33/02 20060101AFI20241022BHJP
H10N 50/80 20230101ALI20241022BHJP
【ＦＩ】
G01R33/02 A
G01R33/02 V
H10N50/80 Z
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2021043227
(22)【出願日】2021-03-17
(65)【公開番号】P2022142942
(43)【公開日】2022-10-03
【審査請求日】2023-11-14
(73)【特許権者】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100115738
【弁理士】
【氏名又は名称】鷲頭 光宏
(74)【代理人】
【識別番号】100121681
【弁理士】
【氏名又は名称】緒方 和文
(72)【発明者】
【氏名】小野寺 郁人
(72)【発明者】
【氏名】林 承彬
(72)【発明者】
【氏名】笠島 多聞
(72)【発明者】
【氏名】亀野 誠
(72)【発明者】
【氏名】原川 修
【審査官】青木 洋平
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２０－１８７０８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１８７０８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１３４４１９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０１Ｒ ３３／０２
Ｈ１０Ｎ ５０／８０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
感磁素子が形成された素子形成面を有するセンサチップと、検出対象となる磁束を前記感磁素子に集めるよう、前記素子形成面に対して垂直な第１の方向に延在し、前記第１の方向における一端が前記センサチップの前記素子形成面と向かい合う第１の外部磁性体と、
前記第１の方向に延在し、前記第１の方向における一端が磁気ギャップを介して前記第１の外部磁性体の前記第１の方向における他端と向かい合う第２の外部磁性体と、
前記磁気ギャップと重なる磁性体層と、駆動電圧に応じて前記磁性体層と前記磁気ギャップの距離を変化させる圧電構造体とを含む可変磁路構造体と、を備えることを特徴とする磁気センサ。
【請求項2】
前記第１の外部磁性体の前記第１の方向における前記他端と、前記第２の外部磁性体の前記第１の方向における前記一端が、非磁性樹脂によって接続されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項3】
前記可変磁路構造体は、ＭＥＭＳチップに集積されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ。
【請求項4】
前記ＭＥＭＳチップは、前記磁性体層及び前記圧電構造体と重なる位置において、ＭＥＭＳ基板が除去され、或いは、ＭＥＭＳ基板の厚みが選択的に低減された構造を有することを特徴とする請求項３に記載の磁気センサ。
【請求項5】
前記センサチップ、前記第１の外部磁性体、前記第２の外部磁性体及び前記ＭＥＭＳチップが搭載された回路基板をさらに備え、前記ＭＥＭＳチップは、前記駆動電圧が供給される端子電極をさらに含み、
前記第１及び第２の外部磁性体は、前記端子電極が露出するよう、前記端子電極と重なる位置に切り欠きが設けられていることを特徴とする請求項３又は４に記載の磁気センサ。
【請求項6】
前記磁気ギャップの延在方向における前記磁性体層の長さは、前記磁気ギャップの前記延在方向における長さよりも長く、これにより前記磁気ギャップの全体が前記磁性体層で覆われていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は磁気センサに関し、特に、磁路を機械的に変位させることによって１／ｆノイズを低減した磁気センサに関する。
【背景技術】
【0002】
現在、感磁素子を用いた磁気センサは様々な分野で利用されているが、極めて微弱な磁界を検出するためには、Ｓ／Ｎ比の高い磁気センサが必要となる。ここで、磁気センサのＳ／Ｎ比を低下させる要因として、１／ｆノイズが挙げられる。１／ｆノイズは、測定対象となる磁界の周波数成分が低いほど顕著となることから、例えば１ｋＨｚ以下といった低周波領域の磁界を高感度に検出するためには、１／ｆノイズを低減させることが重要となる。
【0003】
磁気センサにおいて１／ｆノイズを低減させる方法としては、特許文献１及び２に記載されているように、圧電体層を用いて磁路を機械的に変位させることによって、測定対象となる磁界を振幅変調する方法が提案されている。
【0004】
例えば、特許文献１に記載された磁気センサは、センサチップの素子形成面上に機械的駆動部が接着された構造を有している。機械的駆動部は、磁性体層と圧電体層が積層された構造を有しており、圧電体層に駆動電圧を印加することによって磁性体層からなる磁路を変位させている。また、特許文献２に記載された磁気センサは、磁束を集める外部磁性体に圧電体層を付加した構造を有しており、駆動電圧によって外部磁性体自体を変形させている。特許文献１及び２に記載された磁気センサによれば、圧電体層に周波数の高い駆動電圧を印加することによって、測定対象となる磁界が振幅変調されることから、１／ｆノイズを低減することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０２０－０６７３３１号公報
【文献】特開２０２０－１０６３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、特許文献１に記載された磁気センサは、センサチップの素子形成面上に機械的駆動部が接着されていることから、機械的駆動部の動作によってセンサチップにストレスが加わるおそれがあった。また、特許文献２に記載された磁気センサは、外部磁性体自体を変位させていることから、駆動周波数を高めることが容易ではなかった。
【0007】
したがって、本発明は、センサチップにストレスを与えることなく、高い周波数で磁路を機械的に変位させることにより１／ｆノイズを低減することが可能な磁気センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明による磁気センサは、感磁素子を有するセンサチップと、検出対象となる磁束を感磁素子に集める外部磁性体と、外部磁性体に設けられた磁気ギャップと重なる磁性体層及び駆動電圧に応じて磁性体層と磁気ギャップの距離を変化させる圧電構造体を含む可変磁路構造体とを備えることを特徴とする。
【0009】
本発明によれば、可変磁路構造体を外部磁性体に設けられた磁気ギャップと重なる位置に配置していることから、センサチップにストレスが加わることがない。しかも、外部磁性体自体を変位させる必要がないことから、高い周波数で磁路を機械的に変位させることが可能となる。
【0010】
本発明において、外部磁性体は、一端がセンサチップと向かい合う第１の外部磁性体と、一端が磁気ギャップを介して第１の外部磁性体の他端と向かい合う第２の外部磁性体とを有していても構わない。これによれば、第２の外部磁性体から第１の外部磁性体に流れる磁束を可変磁路構造体によって振幅変調することが可能となる。
【0011】
本発明において、可変磁路構造体はＭＥＭＳチップに集積されていても構わない。これによれば、部品点数を少なくすることが可能となる。この場合、ＭＥＭＳチップは、磁性体層及び圧電構造体と重なる位置において、ＭＥＭＳ基板が除去され、或いは、ＭＥＭＳ基板の厚みが選択的に低減された構造を有していても構わない。これによれば、磁性体層の変位量を大きくすることが可能となる。
【0012】
本発明による磁気センサは、センサチップ、外部磁性体及びＭＥＭＳチップが搭載された回路基板をさらに備え、ＭＥＭＳチップは駆動電圧が供給される端子電極をさらに含み、外部磁性体は、端子電極が露出するよう、端子電極と重なる位置に切り欠きが設けられていても構わない。これによれば、外部磁性体によって遮られることなく、ＭＥＭＳチップに駆動電圧を供給することが可能となる。
【0013】
本発明において、磁気ギャップの延在方向における磁性体層の長さは、磁気ギャップの延在方向における長さよりも長く、これにより磁気ギャップの全体が磁性体層で覆われていても構わない。これによれば、磁性体層を磁気ギャップに近づけた状態における磁気抵抗を小さくすることが可能となる。
【発明の効果】
【0014】
このように、本発明によれば、センサチップにストレスを与えることなく、高い周波数で磁路を機械的に変位させることにより１／ｆノイズを低減することが可能な磁気センサを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【0017】
【0018】
図１及び図２に示すように、本実施形態による磁気センサ１は、回路基板１０と、回路基板１０のｘｚ面を構成する表面１１に搭載されたセンサチップ２０、外部磁性体３１～３３及びＭＥＭＳチップ４０とを備えている。センサチップ２０は、ｘｙ面を構成する素子形成面２１及び裏面２２と、ｙｚ面を構成する側面２３，２４と、ｘｚ面を構成する側面２５，２６とを有しており、側面２６が回路基板１０の表面１１と向かい合うよう、回路基板１０に搭載されている。センサチップ２０の素子形成面２１上には、後述する感磁素子及び磁性体層Ｍ１～Ｍ３が形成されている。このように、本実施形態においては、回路基板１０の表面１１とセンサチップ２０の素子形成面２１が垂直である。但し、本発明おいて両者が完全に垂直であることは必須でなく、垂直に対して所定の傾きを有していても構わない。
【0019】
外部磁性体３１～３３は、センサチップ２０に磁束を集める役割を果たし、いずれもフェライトなどの高透磁率材料によって構成される。このうち、外部磁性体３１，３２はｚ方向を長手方向とする棒状体であり、磁気ギャップＧｚを介して一直線状に配置されている。磁気ギャップＧｚの幅方向はｚ方向であり、延在方向はｙ方向である。磁気ギャップＧｚは、幅方向及び延在方向に対して垂直なｘ方向からＭＥＭＳチップ４０で覆われている。ＭＥＭＳチップ４０の構造については後述する。磁気ギャップＧｚは空間であっても構わないし、樹脂などの非磁性部材で満たされていても構わない。つまり、外部磁性体３１の先端と外部磁性体３２の先端を非磁性樹脂によって接続した構造であっても構わない。これによれば、部品点数が削減されるとともに、磁気ギャップＧｚのギャップ幅を固定することができる。
【0020】
外部磁性体３１のｚ方向における一端は、磁性体層Ｍ１の一部を覆うよう、素子形成面２１のｘ方向における略中央部に位置決めされている。外部磁性体３１のｚ方向における他端は磁気ギャップＧｚを介して外部磁性体３２のｚ方向における一端と向かい合う。外部磁性体３２のｚ方向における他端は開放されており、この部分が磁界の検出ヘッドとして用いられる。外部磁性体３３は、ｚ方向を長手方向とする棒状形状を有しており、磁性体層Ｍ２，Ｍ３の一部を覆うとともに、センサチップ２０の裏面２２及び側面２３，２４を覆っている。かかる構成により、ｚ方向の磁界が選択的に集磁され、集磁された磁界がセンサチップ２０に印加されることになる。
【0021】
【0022】
図３及び図４に示すように、センサチップ２０の素子形成面２１には、４つの感磁素子Ｒ１～Ｒ４が形成されている。感磁素子Ｒ１～Ｒ４は、磁束の向きによって電気抵抗が変化する素子であれば特に限定されず、例えばＭＲ素子などを用いることができる。感磁素子Ｒ１～Ｒ４の固定磁化方向は、互いに同じ向き（例えばｘ方向におけるプラス側）に揃えられている。感磁素子Ｒ１～Ｒ４は絶縁層２７で覆われており、絶縁層２７の表面には、パーマロイなどからなる磁性体層Ｍ１～Ｍ３が形成されている。磁性体層Ｍ１～Ｍ３は絶縁層２８で覆われている。そして、磁性体層Ｍ１～Ｍ３のうち、ｙ方向における一方側（図３における上側）に位置する部分を磁性体層Ｍ１１，Ｍ２１，Ｍ３１と定義し、ｙ方向における他方側（図３における下側）に位置する部分を磁性体層Ｍ１２，Ｍ２２，Ｍ３２と定義した場合、平面視で（ｚ方向から見て）、感磁素子Ｒ１は磁性体層Ｍ１１と磁性体層Ｍ２１の間に位置し、感磁素子Ｒ２は磁性体層Ｍ１２と磁性体層Ｍ２２の間に位置し、感磁素子Ｒ３は磁性体層Ｍ１１と磁性体層Ｍ３１の間に位置し、感磁素子Ｒ４は磁性体層Ｍ１２と磁性体層Ｍ３２の間に位置している。これにより、磁気ギャップＧ１～Ｇ４を通過する磁界が感磁素子Ｒ１～Ｒ４に印加される。ここで、感磁素子Ｒ１，Ｒ２に印加される磁界の向きと、感磁素子Ｒ３，Ｒ４に印加される磁界の向きは、互いに１８０°異なることから、感磁素子Ｒ１～Ｒ４をブリッジ接続することにより、外部磁性体３１を介して印加される磁束の向き及び強度を検出することができる。
【0023】
但し、本発明において、各感磁素子Ｒ１～Ｒ４を２つの磁性体層間に配置することは必須でなく、２つの磁性体層からなる磁気ギャップＧ１～Ｇ４の近傍、つまり、磁気ギャップＧ１～Ｇ４によって形成される磁路上に各感磁素子Ｒ１～Ｒ４が配置されていれば足りる。また、磁気ギャップＧ１～Ｇ４の幅が感磁素子Ｒ１～Ｒ４の幅よりも広い必要はなく、磁気ギャップＧ１～Ｇ４の幅が感磁素子Ｒ１～Ｒ４よりも狭くても構わない。
【0024】
図３及び図４において、符号３１ａで示す領域は外部磁性体３１によって覆われる領域を示し、符号３３ａ，３３ｂで示す領域は外部磁性体３３によって覆われる領域を示している。図３及び図４に示すように、外部磁性体３１は磁性体層Ｍ１を覆い、外部磁性体３３は磁性体層Ｍ２，Ｍ３を覆う。
【0025】
図５は、ＭＥＭＳチップ４０を主面側から見た構造を示す略斜視図であり、図６は、ＭＥＭＳチップ４０を裏面側から見た構造を示す略斜視図である。また、図７は、ＭＥＭＳチップ４０に含まれる絶縁層４２を除去した状態を示す略斜視図である。
【0026】
図５～図７に示すように、ＭＥＭＳチップ４０は、シリコンなどからなるＭＥＭＳ基板４１を有する。ＭＥＭＳ基板４１は、ｙｚ面を構成する主面４１ａと、主面４１ａとは反対側に位置する裏面４１ｂと、裏面４１ｂから主面４１ａに貫通する貫通孔４１ｃを有している。貫通孔４１ｃを設ける代わりに、貫通孔４１ｃに対応する位置においてＭＥＭＳ基板４１の厚みを選択的に薄くしたメンブレン構造を採用しても構わない。
【0027】
ＭＥＭＳ基板４１の主面４１ａには、２つの圧電構造体４３ａ，４３ｂが設けられている。圧電構造体４３ａ，４３ｂの一部はＭＥＭＳ基板４１に支持されているものの、残りの部分は貫通孔４１ｃと重なる位置に配置されている。圧電構造体４３ａ，４３ｂは、ＰＺＴなどの圧電材料からなる圧電体層と、その両面に形成された電極層からなる。一方の電極層は、基板４１の主面４１ａに設けられた配線パターン４６を介して端子電極４８に接続され、他方の電極層は、基板４１の主面４１ａに設けられた配線パターン４７を介して端子電極４９に接続される。これにより、端子電極４８，４９間に駆動電圧を印加すると、圧電構造体４３ａ，４３ｂに含まれるＰＺＴなどの圧電材料が変形する。上述の通り、圧電構造体４３ａ，４３ｂの一部は貫通孔４１ｃ（或いはメンブレン部）と重なる位置に配置されていることから、駆動電圧によって圧電構造体４３ａ，４３ｂがｘ方向に変位する。
【0028】
ＭＥＭＳ基板４１の主面４１ａは、絶縁層４２によって覆われている。絶縁層４２には、複数のスリット４２ａ～４２ｄが設けられている。スリット４２ａ，４２ｂはｚ方向に延在し、スリット４２ｃ，４２ｄはｙ方向に延在する。そして、これらスリット４２ａ～４２ｄに囲まれ、ｘ方向から見て圧電構造体４３ａ，４３ｂに挟まれた領域には、磁性体層４４が配置されている。磁性体層４４は、パーマロイなどの高透磁率材料からなる金属箔であり、その表面は保護膜４５で覆われている。磁性体層４４は、複数のスリット４２ａ～４２ｄが設けられた絶縁層４２によって弾性支持される。かかる構成により、端子電極４８，４９間に駆動電圧を印加することによって圧電構造体４３ａ，４３ｂを変形させると、磁性体層４４のｘ方向における位置が変位する。
【0029】
ＭＥＭＳチップ４０は、半導体プロセスを用いてＭＥＭＳ基板４１の主面４１ａに圧電構造体４３ａ，４３ｂ、配線パターン４６，４７、絶縁層４２、磁性体層４４などを形成した後、裏面４１ｂ側から基板４１をエッチングして貫通孔４１ｃ（或いはメンブレン部）を形成することによって作製可能である。半導体プロセスにおいては、ＭＥＭＳチップ４０が高温に晒されることがあるが、ＭＥＭＳチップ４０はセンサチップ２０とは別チップであることから、感磁素子Ｒ１～Ｒ４が高温に晒されることはない。
【0030】
図８は、ＭＥＭＳチップ４０と外部磁性体３１，３２の位置関係を示す模式的な斜視図である。
【0031】
図８に示すように、ＭＥＭＳチップ４０は、磁性体層４４が磁気ギャップＧｚとｘ方向に重なるよう、回路基板１０の表面１１に搭載される。ここで、磁気ギャップＧｚのｙ方向における幅をＬ１とし、磁性体層４４のｙ方向における幅をＬ２とした場合、Ｌ１＜Ｌ２であり、且つ、磁気ギャップＧｚの全体が磁性体層４４で覆われていることが好ましい。これによれば、磁性体層４４を磁路とする磁気ギャップＧｚの磁気抵抗が小さくなる。
【0032】
また、外部磁性体３１，３２は、磁気ギャップＧｚが形成される部分においてｘ方向における厚みが薄くなるとともに、ｙ方向における幅が狭くなっている。これにより、磁気ギャップＧｚの断面積が小さくなることから、磁気ギャップＧｚを通過する磁束の磁束密度が高められる。特に、ｙ方向における幅を狭くするための切り欠き３１ｂ，３２ｂを回路基板１０側に設け、これによって端子電極４８，４９及びこれらに接続されたハンダ５０を露出させれば、外部磁性体３１，３２によって遮られることなく、ＭＥＭＳチップ４０に駆動電圧を供給することが可能となる。
【0033】
【0034】
図９及び図１０に示すように、ＭＥＭＳチップ４０は、外部磁性体３１，３２からなる磁気ギャップＧｚと磁性体層４４がｘ方向に重なるよう、回路基板１０に搭載される。具体的には、外部磁性体３１，３２の先端部分におけるｙｚ面と磁性体層４４が保護膜４５を介して接触、或いは、極めて近接するよう、回路基板１０にＭＥＭＳチップ４０が搭載される。そして、ＭＥＭＳチップ４０に駆動電圧が印加されていない状態においては、図９に示す初期状態が保たれることから、外部磁性体３１と外部磁性体３２が磁性体層４４を介して磁気的に結合する。これにより、磁気ギャップＧｚの磁気抵抗が小さくなることから、センサチップ２０に設けられた感磁素子Ｒ１～Ｒ４には、検出対象となる磁界が効率よく印加される。
【0035】
これに対し、ＭＥＭＳチップ４０に駆動電圧を印加すると、図１０に示すように、磁性体層４４が＋ｘ方向に変位する。これにより、磁気ギャップＧｚと磁性体層４４の間にはｘ方向の磁気ギャップＧｘが形成され、外部磁性体３１と外部磁性体３２の磁気的な結合度が大幅に低下する。つまり、磁気ギャップＧｚが大きな磁気抵抗として機能する。その結果、検出対象となる磁界に対するセンサチップ２０の感度は大幅に低下する。このように、ＭＥＭＳチップ４０は、駆動電圧に応じて磁性体層４４と磁気ギャップＧｚの距離Ｇｘを変化させる可変磁路構造体を構成する。
【0036】
したがって、端子電極４８，４９を介して圧電構造体４３ａ，４３ｂに所定の周波数を有する駆動電圧を印加すれば、駆動電圧の周波数をサンプリング周波数として、感磁素子Ｒ１～Ｒ４の出力信号が振幅変調される。そして、振幅変調された出力信号を復調すれば、１／ｆノイズが低減された測定結果を得ることが可能となる。一例として、測定対象となる磁界の周波数成分が０．１Ｈｚ～１ｋＨｚといった低周波帯である場合、１／ｆノイズによってＳ／Ｎ比が低下するため、測定対象となる磁界が特に微弱である場合には測定困難となる。しかしながら、本実施形態による磁気センサを用いれば、出力信号を任意のサンプリング周波数にて振幅変調できることから、例えばサンプリング周波数を数ｋＨｚに設定することにより、１／ｆノイズの影響をほとんど除去することが可能となる。
【0037】
以上説明したように、本実施形態による磁気センサは、外部磁性体３１，３２に流れる磁束を振幅変調するＭＥＭＳチップ４０を備えていることから、１／ｆノイズを低減することが可能となる。しかも、ＭＥＭＳチップ４０はセンサチップ２０とは別チップであることから、製造コストの増大や、高温プロセスによる感磁素子Ｒ１～Ｒ４の特性劣化を防止することができるだけでなく、ＭＥＭＳチップ４０の動作によってセンサチップ２０にストレスが加わることがない。また、外部磁性体３１，３２自体を変位させる必要がないことから、駆動周波数を容易に高めることが可能となる。
【0038】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【0039】
例えば、上記実施形態では、４つの感磁素子Ｒ１～Ｒ４をブリッジ接続しているが、センサチップ２０に形成する感磁素子の数や接続方法については特に限定されない。
【0040】
また、上記実施形態では、センサチップ２０に磁性体層Ｍ１～Ｍ３が設けられているが、本発明において磁性体層を用いることは必須でない。
【0041】
さらに、上記実施形態では、磁気ギャップＧｚがｙ方向に延在しているが、磁気ギャップＧｚがｘ方向に延在していても構わない。
【0042】
また、上記実施形態では、ＭＥＭＳチップ４０が可変磁路構造体を構成しているが、圧電構造体を用いて磁性体層４４と磁気ギャップＧｚの距離を変化させるものであれば、可変磁路構造体の構成は問わない。
【符号の説明】
【0043】
１ 磁気センサ
１０ 回路基板
１１ 回路基板の表面
２０ センサチップ
２１ 素子形成面
２２ センサチップの裏面
２３～２６ センサチップの側面
２７，２８ 絶縁層
３１～３３ 外部磁性体
３１ａ，３３ａ，３３ｂ 外部磁性体と重なる領域
３１ｂ，３２ｂ 切り欠き
４０ ＭＥＭＳチップ
４１ ＭＥＭＳ基板
４１ａ ＭＥＭＳ基板の主面
４１ｂ ＭＥＭＳ基板の裏面
４１ｃ 貫通孔
４２ 絶縁層
４２ａ～４２ｄ スリット
４３ａ，４３ｂ 圧電構造体
４４ 磁性体層
４５ 保護膜
４６，４７ 配線パターン
４８，４９ 端子電極
５０ ハンダ
Ｇ１～Ｇ４，Ｇｘ，Ｇｚ 磁気ギャップ
Ｍ１～Ｍ３，Ｍ１１，Ｍ２１，Ｍ３１，Ｍ１２，Ｍ２２，Ｍ３２ 磁性体層
Ｒ１～Ｒ４ 感磁素子
１０ 回路基板
１１ 回路基板の表面
２０ センサチップ
２１ 素子形成面
２２ センサチップの裏面
２３～２６ センサチップの側面
２７，２８ 絶縁層
３１～３３ 外部磁性体
３１ａ，３３ａ，３３ｂ 外部磁性体と重なる領域
３１ｂ，３２ｂ 切り欠き
４０ ＭＥＭＳチップ
４１ ＭＥＭＳ基板
４１ａ ＭＥＭＳ基板の主面
４１ｂ ＭＥＭＳ基板の裏面
４１ｃ 貫通孔
４２ 絶縁層
４２ａ～４２ｄ スリット
４３ａ，４３ｂ 圧電構造体
４４ 磁性体層
４５ 保護膜
４６，４７ 配線パターン
４８，４９ 端子電極
５０ ハンダ
Ｇ１～Ｇ４，Ｇｘ，Ｇｚ 磁気ギャップ
Ｍ１～Ｍ３，Ｍ１１，Ｍ２１，Ｍ３１，Ｍ１２，Ｍ２２，Ｍ３２ 磁性体層
Ｒ１～Ｒ４ 感磁素子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】