(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-22
(45)【発行日】2024-10-30
(54)【発明の名称】化合物、有機薄膜、薄膜トランジスタ及び電子素子
(51)【国際特許分類】
C07D 517/22 20060101AFI20241023BHJP
H01L 29/786 20060101ALI20241023BHJP
H10K 10/40 20230101ALI20241023BHJP
H10K 85/60 20230101ALI20241023BHJP
【ＦＩ】
C07D517/22 CSP
H01L29/78 618B
H10K10/40
H10K85/60
【請求項の数】
29
(21)【出願番号】P 2019208794
(22)【出願日】2019-11-19
(65)【公開番号】P2020083890
(43)【公開日】2020-06-04
【審査請求日】2022-07-29
(31)【優先権主張番号】10-2018-0147721
(32)【優先日】2018-11-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】390019839
【氏名又は名称】三星電子株式会社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ－ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】李 恩 慶
(72)【発明者】
【氏名】李 敦 旭
(72)【発明者】
【氏名】朴 正 一
【審査官】薄井 慎矢
(56)【参考文献】
【文献】欧州特許出願公開第０３２２８６２２（ＥＰ，Ａ２）
【文献】国際公開第２０１６／００９８９０（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０７Ｄ
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記化学式１Ａ又は１Ｂで表されることを特徴とする化合物。【化1A-1B】
Ｘ１とＸ２とは、互いに異なり、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅから選択され、
Ａｒ１は、下記グループ１に列記された置換又は非置換の環のうちの１つであり、
Ｒ１とＲ２とは互いに異なるか、Ｒ３とＲ４とは互いに異なり、
Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、及びシアノ基の中から選択され、
ただし、Ｒ３とＲ４はハロゲンではなく、
ｎ１は、１であり、
［グループ１］
【化G1】
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅから選択され、
＊は、前記化学式１Ａ又は１Ｂにおいて隣接する６員環との連結地点である。
【請求項2】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項3】
Ａｒ１は、置換又は非置換のフラン、置換又は非置換のチオフェン、置換又は非置換のセレノフェン、及び置換又は非置換のテルロフェンのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項4】
前記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちの少なくとも１つは、前記グループ１のＹ１及びＹ２とそれぞれ異なることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項5】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ又はＳであることを特徴とする請求項４に記載の化合物。
【請求項6】
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、水素であり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、及びシアノ基の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項7】
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルキニル基、及び置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルコキシ基の中から選択され、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０の分枝鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０の分枝鎖アルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数４～３０の分枝鎖アルキニル基の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項8】
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、及び置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基の中から選択され、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、及び置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項9】
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基の中から選択され、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項10】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、水素であり、
Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、及びシアノ基の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項11】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルキニル基、及び置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基の中から選択され、
Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０の分枝鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０の分枝鎖アルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数４～３０の分枝鎖アルキニル基の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項12】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、及び置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基の中から選択され、
Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、及び置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項13】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基の中から選択され、
Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項14】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の化合物を含むことを特徴とする有機薄膜。
【請求項15】
ゲート電極と、前記ゲート電極に重畳する有機半導体と、
前記有機半導体に電気的に連結されるソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記有機半導体は、下記化学式１Ａ又は１Ｂで表される化合物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【化1A-1B】
Ｘ１とＸ２とは、互いに異なり、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅから選択され、
Ａｒ１は、下記グループ１に列記された置換又は非置換の環のうちの１つであり、
Ｒ１とＲ２とは互いに異なるか、Ｒ３とＲ４とは互いに異なり、
Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、及びシアノ基の中から選択され、
ただし、Ｒ３とＲ４はハロゲンではなく、
ｎ１は、１であり、
［グループ１］
【化G1】
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅから選択され、
＊は、前記化学式１Ａ又は１Ｂにおいて隣接する６員環との連結地点である。
【請求項16】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項17】
Ａｒ１は、置換又は非置換のフラン、置換又は非置換のチオフェン、置換又は非置換のセレノフェン、及び置換又は非置換のテルロフェンのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項18】
前記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちの少なくとも１つは、前記グループ１のＹ１及びＹ２とそれぞれ異なることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項19】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ又はＳであることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項20】
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、水素であり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、及びシアノ基の中から選択されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項21】
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルキニル基、及び置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルコキシ基の中から選択され、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０の分枝鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０の分枝鎖アルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数４～３０の分枝鎖アルキニル基の中から選択されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項22】
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、及び置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基の中から選択され、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、及び置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基の中から選択されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項23】
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基の中から選択され、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基の中から選択されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項24】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、水素であり、
Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、及びシアノ基の中から選択されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項25】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルキニル基、及び置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基の中から選択され、
Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０の分枝鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０の分枝鎖アルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数４～３０の分枝鎖アルキニル基の中から選択されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項26】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、及び置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基の中から選択され、
Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、及び置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基の中から選択されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項27】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基の中から選択され、
Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、及び置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基の中から選択されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項28】
請求項１４に記載の有機薄膜を含むことを特徴とする電子素子。
【請求項29】
請求項１５乃至２７のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、化合物、有機薄膜、薄膜トランジスタ及び電子素子に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置又は有機発光表示装置のような平板表示装置は、スイッチング素子として三端子素子である薄膜トランジスタを含む。このような薄膜トランジスタのうち、ケイ素（Ｓｉ）のような無機半導体の代わりに、低分子又は高分子のような有機半導体（ｏｒｇａｎｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を含む有機薄膜トランジスタ（ｏｒｇａｎｉｃ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＯＴＦＴ）に対する研究が活発に行われている。
【0003】
有機薄膜トランジスタは、有機物質の特性上、繊維（ｆｉｂｅｒ）又は薄膜（ｆｉｌｍ）のような形態で作られ、可撓性表示装置（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）の核心素子として注目されている。また、有機薄膜トランジスタは、インクジェット印刷のような溶液工程（ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）により製作することができるため、蒸着工程だけでは限界がある大面積の平板表示装置にも容易に適用することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１３－２５３０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、化合物、これを含む有機薄膜、薄膜トランジスタ、及びこれを含む電子素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による化合物は、下記化学式１Ａ又は１Ｂで表される。
前記化学式１Ａ又は１Ｂ中、
Ｘ１とＸ２とは、互いに異なり、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、又はＮＲａから選択され、
Ａｒ１は、少なくとも１つの置換又は非置換のベンゼン、少なくとも１つの置換又は非置換のフラン、少なくとも１つの置換又は非置換のチオフェン、少なくとも１つの置換又は非置換のセレノフェン、少なくとも１つの置換又は非置換のテルロフェン、又はそれらの中から選択される２つ以上が縮合した縮合環であり、
Ｒ１とＲ２とは互いに異なり、Ｒ３とＲ４とは互いに異なり、
Ｒ１～Ｒ４、及びＲａは、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであり、
ｎ１は、０又は１である。
【化1A-1B】
Ｘ１とＸ２とは、互いに異なり、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、又はＮＲａから選択され、
Ａｒ１は、少なくとも１つの置換又は非置換のベンゼン、少なくとも１つの置換又は非置換のフラン、少なくとも１つの置換又は非置換のチオフェン、少なくとも１つの置換又は非置換のセレノフェン、少なくとも１つの置換又は非置換のテルロフェン、又はそれらの中から選択される２つ以上が縮合した縮合環であり、
Ｒ１とＲ２とは互いに異なり、Ｒ３とＲ４とは互いに異なり、
Ｒ１～Ｒ４、及びＲａは、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであり、
ｎ１は、０又は１である。
【0007】
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり得る。
Ａｒ１は、置換又は非置換のフラン、置換又は非置換のチオフェン、置換又は非置換のセレノフェン、及び置換又は非置換のテルロフェンのうちの少なくとも１つを含み得る。
Ａｒ１は、下記グループ１に列記された置換又は非置換の環のうちの１つであり得る。
［グループ１］
前記グループ１中、
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅから選択され、
＊は、前記化学式１Ａ又は１Ｂとの連結地点である。
前記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちの少なくとも１つは、前記グループ１中のＹ１及びＹ２とそれぞれ異なり得る。
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ又はＳであり得る。
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、水素であり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の分枝鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルキニル基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、下記化学式２Ａ～２Ｃのうちのいずれか１つで表される基を含み得る。
前記化学式２Ａ、２Ｂ、又は２Ｃ中、
Ｚ１～Ｚ３は、それぞれＮ又はＣＲｂであり、
Ｚ１～Ｚ３のうちのいずれか１つは、Ｎであり、
Ｘ３は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＮＲｃ、ＣＲｄＲｅ、又はＳｉＲｆＲｇであり、
ｍ１は、０～５の整数であり、
ｍ２は、０～３の整数であり、
Ｒ５～Ｒ９、及びＲｂ～Ｒｇは、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであるか、前記化学式１Ａ又は１Ｂとの連結地点であり、
Ｒ５が２つ以上であるとき、各Ｒ５は互いに同一又は異なり、隣接する２つのＲ５は独立して存在するか、又は互いに結合して環を形成し、
Ｒ９が２つ以上であるとき、各Ｒ９は互いに同一又は異なり、隣接する２つのＲ９は独立して存在するか、又は互いに結合して環を形成する。
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、水素であり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の分枝鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルキニル基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ａｒ１は、置換又は非置換のフラン、置換又は非置換のチオフェン、置換又は非置換のセレノフェン、及び置換又は非置換のテルロフェンのうちの少なくとも１つを含み得る。
Ａｒ１は、下記グループ１に列記された置換又は非置換の環のうちの１つであり得る。
［グループ１］
【化G1】
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅから選択され、
＊は、前記化学式１Ａ又は１Ｂとの連結地点である。
前記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちの少なくとも１つは、前記グループ１中のＹ１及びＹ２とそれぞれ異なり得る。
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ又はＳであり得る。
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、水素であり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の分枝鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルキニル基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、下記化学式２Ａ～２Ｃのうちのいずれか１つで表される基を含み得る。
【化2A-2C】
Ｚ１～Ｚ３は、それぞれＮ又はＣＲｂであり、
Ｚ１～Ｚ３のうちのいずれか１つは、Ｎであり、
Ｘ３は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＮＲｃ、ＣＲｄＲｅ、又はＳｉＲｆＲｇであり、
ｍ１は、０～５の整数であり、
ｍ２は、０～３の整数であり、
Ｒ５～Ｒ９、及びＲｂ～Ｒｇは、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであるか、前記化学式１Ａ又は１Ｂとの連結地点であり、
Ｒ５が２つ以上であるとき、各Ｒ５は互いに同一又は異なり、隣接する２つのＲ５は独立して存在するか、又は互いに結合して環を形成し、
Ｒ９が２つ以上であるとき、各Ｒ９は互いに同一又は異なり、隣接する２つのＲ９は独立して存在するか、又は互いに結合して環を形成する。
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、水素であり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の分枝鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルキニル基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせであり得る。
Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせであり得る。
【0008】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による有機薄膜は、前記化合物を含む。
【0009】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極に重畳する有機半導体と、前記有機半導体に電気的に連結されるソース電極及びドレイン電極と、を備え、前記有機半導体は、上記化学式１Ａ又は１Ｂで表される化合物を含む。
【0010】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態による電子素子は、前記有機薄膜又は前記薄膜トランジスタを含む。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、化合物の電荷移動度を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図2】製造例１による有機薄膜のＸＲＤグラフである。
【図3】比較製造例１－１による有機薄膜のＸＲＤグラフである。
【図4】比較製造例１－２による有機薄膜のＸＲＤグラフである。
【図5】製造例２による有機薄膜のＸＲＤグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【0014】
図面において、複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。
【0015】
層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるという場合、これは他の部分の“直上”にある場合のみならず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“直上”にあるという場合には、中間に他の部分がないことを意味する。
【0016】
本明細書で別途の定義がない限り、‘薄膜’は、約１Å～１０００μｍ厚さの膜又は層を示す。
【0017】
本明細書で別途の定義がない限り、‘置換’とは、化合物中の水素原子がハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アジド基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、カルボニル基、カルバモイル基、チオール基、エステル基、カルボキシル基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸又はその塩、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、炭素数６～３０のアリール基、炭素数７～３０のアリールアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～２０のヘテロアルキル基、炭素数３～２０のヘテロアリールアルキル基、炭素数３～３０のシクロアルキル基、炭素数３～１５のシクロアルケニル基、炭素数６～１５のシクロアルキニル基、炭素数３～３０のヘテロアリール基、炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、及びこれらの組み合わせから選択される置換基で置換されたことを意味する。
【0018】
また、本明細書で別途の定義がない限り、‘ヘテロ’とは、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｉ、及びＰから選択されるヘテロ原子を１～４個含有したものを意味する。
【0019】
本明細書で別途の定義がない限り、‘アルキル基’は、直鎖又は分枝鎖、飽和、１価の炭化水素基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ｉｓｏ－アミル基、ヘキシル基など）を意味する。
【0020】
本明細書で別途の定義がない限り、‘アルケニル基’は、少なくとも１つの炭素－炭素二重結合を有する直鎖又は分枝鎖、飽和、１価の炭化水素基（例えばエテニル基）を意味する。
【0021】
本明細書で別途の定義がない限り、‘アルキニル基’は、少なくとも１つの炭素－炭素三重結合を有する直鎖又は分枝鎖、飽和、１価の炭化水素基（例えばエチニル基）を意味する。
【0022】
本明細書で別途の定義がない限り、‘アルコキシ基’は、酸素を通して連結されたアルキル基を意味し、例えばメトキシ、エトキシ、及びｓｅｃ－ブチルオキシ基を意味する。
【0023】
本明細書で別途の定義がない限り、‘アリール基’は、アレーン（ａｒｅｎｅ）の１つ以上の環に存在する水素原子の除去により形成される１価の官能基を意味し、例えばフェニル又はナフチルが挙げられる。アレーンは、芳香族環を有する炭化水素基であって、単一環及び複数環炭化水素基を含み、複数環炭化水素基の付加的な環は、芳香族環又は非芳香族環である。
【0024】
本明細書で別途の定義がない限り、‘ヘテロアリール基’は、ヘテロアレーンの１つ以上の環に存在する水素原子の除去により形成される１価の官能基を意味する。
【0025】
本明細書で別途の定義がない限り、‘アリールアルキル基’は、アルキル基で少なくとも１つの水素原子がアリール基で置換されたことを意味する。
【0026】
本明細書で別途の定義がない限り、‘アルキルアリール基’は、アリール基で少なくとも１つの水素原子がアルキル基で置換されたことを意味する。
【0027】
本明細書で別途の定義がない限り、‘アリールオキシ基’は、酸素を通して連結されたアリール基を意味し、アリール基は上述の通りである。
【0028】
本明細書で別途の定義がない限り、‘アリールアルキル基’は、アリール基で水素原子中の一部が低級アルキレン、例えば、メチレン、エチレン、プロピレンなどで置換されたことを意味する。例えば、ベンジル基、フェニルエチル基などがある。
【0029】
本明細書で別途の定義がない限り、‘シクロアルキル基’は、全てのメンバーが炭素である１つ以上の飽和環を有する１価の官能基（例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基‘）を意味する。
【0030】
本明細書で別途の定義がない限り、‘ヘテロアルキル基’は、上記で定義されたアルキル基のメチレン（－（ＣＨ）２－）が－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）２－、－Ｓｅ－、又は－ＮＲ－（ここでＲは、互いに独立して、水素又は炭素数１～１０のアルキル基である）で置換されたことを意味する。
【0031】
本明細書で別途の定義がない限り、‘アリールヘテロアルキル基’は、上記で定義されたヘテロアルキル基の水素原子のうちの少なくとも１つがアリール基で置換されたことを意味する。
【0032】
本明細書で別途の定義がない限り、‘ヘテロアリールアルキル基’は、上記で定義されたアルキル基の水素原子のうちの少なくとも１つがヘテロアリール基で置換されたことを意味する。
【0033】
本明細書で別途の定義がない限り、‘アルキルヘテロアリール基’は、上記で定義されたヘテロアリール基の水素原子のうちの少なくとも１つがアルキル基で置換されたことを意味する。
【0034】
本明細書で別途の定義がない限り、‘芳香族環’は、環形態の官能基の全ての元素がｐ－オービタルを有し、これらのｐ－オービタルが共役（ｃｏｎｊｕｇａｔｉｏｎ）を形成する官能基を意味する。例えば、芳香族環は、炭素数６～２０のアリール基である。
【0035】
以下、本発明の一実施形態による化合物を説明する。
【0036】
本発明の一実施形態による化合物は、下記化学式１Ａ又は１Ｂで表される。
【0037】
【化1A-1B】
【0038】
上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、
Ｘ１とＸ２とは、互いに異なり、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、又はＮＲａから選択され、
Ａｒ１は、少なくとも１つの置換又は非置換のベンゼン、少なくとも１つの置換又は非置換のフラン、少なくとも１つの置換又は非置換のチオフェン、少なくとも１つの置換又は非置換のセレノフェン、少なくとも１つの置換又は非置換のテルロフェン、又はそれらの中から選択される２つ以上が縮合した縮合環であり、
Ｒ１とＲ２とは互いに異なり、Ｒ３とＲ４とは互いに異なり、
Ｒ１～Ｒ４、及びＲａは、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであり、
ｎ１は、０又は１である。
Ｘ１とＸ２とは、互いに異なり、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、又はＮＲａから選択され、
Ａｒ１は、少なくとも１つの置換又は非置換のベンゼン、少なくとも１つの置換又は非置換のフラン、少なくとも１つの置換又は非置換のチオフェン、少なくとも１つの置換又は非置換のセレノフェン、少なくとも１つの置換又は非置換のテルロフェン、又はそれらの中から選択される２つ以上が縮合した縮合環であり、
Ｒ１とＲ２とは互いに異なり、Ｒ３とＲ４とは互いに異なり、
Ｒ１～Ｒ４、及びＲａは、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであり、
ｎ１は、０又は１である。
【0039】
上記化合物は、互いに異なるヘテロ元素を有する縮合多環芳香族環をコア構造として含む縮合多環芳香族化合物である。コア構造は、両末端に五員ヘテロ環とベンゼン縮合環のベンゾ－ヘテロ環をそれぞれ有し、このとき、五員ヘテロ環は互いに異なる。即ち、上記化合物は、両末端に互いに異なるヘテロ環を有する非対称コア構造を有する。このように非対称コア構造を有する縮合多環芳香族化合物は、対称コア構造を有する縮合多環芳香族化合物と比べて高い結晶性を有し、電荷移動度を改善することができる。
【0040】
一例として、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅである。
【0041】
一例として、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅであり、Ｘ１及びＸ２のうちの他の１つは、Ｏ、Ｓ、Ｔｅ、又はＮＲａである。一例として、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅであり、Ｘ１及びＸ２のうちの他の１つは、Ｓ又はＴｅである。
【0042】
一例として、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｔｅであり、Ｘ１及びＸ２のうちの他の１つは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、又はＮＲａである。一例として、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｔｅであり、Ｘ１及びＸ２のうちの他の１つは、Ｓ又はＳｅである。
【0043】
一例として、Ａｒ１は、置換又は非置換のベンゼン；置換又は非置換のフラン；置換又は非置換のチオフェン；置換又は非置換のセレノフェン；置換又は非置換のテルロフェン；置換又は非置換のナフタレン；置換又は非置換のアントラセン；置換又は非置換のテトラセン；少なくとも１つの置換又は非置換のベンゼンと少なくとも１つの置換又は非置換のフランの縮合環；少なくとも１つの置換又は非置換のベンゼンと少なくとも１つの置換又は非置換のチオフェンの縮合環；少なくとも１つの置換又は非置換のベンゼンと少なくとも１つの置換又は非置換のセレノフェンの縮合環；少なくとも１つの置換又は非置換のベンゼンと少なくとも１つの置換又は非置換のテルロフェンの縮合環；少なくとも２つの置換又は非置換のフランの縮合環；少なくとも２つの置換又は非置換のチオフェンの縮合環；少なくとも２つの置換又は非置換のセレノフェンの縮合環；少なくとも２つの置換又は非置換のテルロフェンの縮合環；少なくとも１つの置換又は非置換のフランと少なくとも１つの置換又は非置換のチオフェンの縮合環；少なくとも１つの置換又は非置換のフランと少なくとも１つの置換又は非置換のセレノフェンの縮合環；少なくとも１つの置換又は非置換のフランと少なくとも１つの置換又は非置換のテルロフェンの縮合環；少なくとも１つの置換又は非置換のチオフェンと少なくとも１つの置換又は非置換のセレノフェンの縮合環；少なくとも１つの置換又は非置換のチオフェンと少なくとも１つの置換又は非置換のテルロフェンの縮合環；少なくとも１つの置換又は非置換のセレノフェンと少なくとも１つの置換又は非置換のテルロフェンの縮合環であるが、これに限定されるものではない。
【0044】
一例として、ｎ１は０であり、これによって化合物は、４個の環が縮合した縮合多環芳香族環をコア構造として含む縮合多環芳香族化合物である。
【0045】
一例として、ｎ１は１であり、これによって化合物は、５個以上の環が縮合した縮合多環芳香族環をコア構造として含む縮合多環芳香族化合物である。例えば化合物は、５個～１２個の環が縮合した縮合多環芳香族環をコア構造として含む縮合多環芳香族化合物であり、このような範囲内で、例えば、６個～１０個の環が縮合した縮合多環芳香族環をコア構造として含む縮合多環芳香族化合物である。
【0046】
一例として、Ａｒ１は、１個～８個の環を含み、例えば１個～６個の環を含む。
【0047】
一例として、Ａｒ１は、下記グループ１に列記された置換又は非置換の環のうちの１つである。
【0048】
［グループ１］
【化G1】
【0049】
上記グループ１中、
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅから選択され、
＊は、上記化学式１Ａ又は１Ｂとの連結地点である。
Ｙ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅから選択され、
＊は、上記化学式１Ａ又は１Ｂとの連結地点である。
【0050】
一例として、上記グループ１の各環で、Ｙ１とＹ２とは互いに同一である。
【0051】
例えば、Ｙ１及びＹ２は、それぞれＯである。
【0052】
例えば、Ｙ１及びＹ２は、それぞれＳである。
【0053】
例えば、Ｙ１及びＹ２は、それぞれＳｅである。
【0054】
例えば、Ｙ１及びＹ２は、それぞれＴｅである。
【0055】
一例として、上記グループ１の環で、Ｙ１とＹ２とは、互いに異なる。
【0056】
例えば、Ｙ１及びＹ２のうちのいずれか１つは、Ｓであり、Ｙ１及びＹ２のうちの他の１つは、Ｏである。
【0057】
例えば、Ｙ１及びＹ２のうちのいずれか１つは、Ｏ又はＳであり、Ｙ１及びＹ２のうちの他の１つは、Ｓｅ又はＴｅである。
【0058】
例えば、Ｙ１及びＹ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅであり、Ｙ１及びＹ２のうちの他の１つは、Ｔｅである。
【0059】
一例として、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちの少なくとも１つは、上記グループ１のＹ１及びＹ２とそれぞれ異なる。
【0060】
一例として、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅ又はＴｅであり、上記グループ１のＹ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ又はＳである。
【0061】
一例として、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅであり、Ｘ１及びＸ２のうちの他の１つは、Ｏ、Ｓ、Ｔｅ、又はＮＲａであり、上記グループ１のＹ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ又はＳである。例えば、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅであり、Ｘ１及びＸ２のうちの他の１つは、Ｓ又はＴｅであり、上記グループ１のＹ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｓである。
【0062】
一例として、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｔｅであり、Ｘ１及びＸ２のうちの他の１つは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、又はＮＲａであり、上記グループ１のＹ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｏ又はＳである。例えば、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｔｅであり、Ｘ１及びＸ２のうちの他の１つは、Ｓ又はＳｅであり、上記グループ１のＹ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｓである。
【0063】
一例として、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｓｅであり、Ｘ１及びＸ２のうちの他の１つは、Ｏ、Ｓ、Ｔｅ、又はＮＲａであり、上記グループ１のＹ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｓｅ又はＴｅである。
【0064】
一例として、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｘ１及びＸ２のうちのいずれか１つは、Ｔｅであり、Ｘ１及びＸ２のうちの他の１つは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、又はＮＲａであり、上記グループ１のＹ１及びＹ２は、それぞれ独立して、Ｓｅ又はＴｅである。
【0065】
化合物は、上述した非対称コア構造に非対称に位置する置換基を有する縮合多環芳香族化合物であり得る。
【0066】
一例として、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｒ１とＲ２とは、互いに異なる。
【0067】
一例として、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｒ３とＲ４とは、互いに異なる。
【0068】
一例として、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｒ１とＲ２とは互いに異なり、Ｒ３とＲ４とは同一である。
【0069】
一例として、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｒ３とＲ４とは互いに異なり、Ｒ１とＲ２とは互いに同一である。
【0070】
一例として、上記化学式１Ａ又は１Ｂ中、Ｒ１とＲ２とは互いに異なり、Ｒ３とＲ４とは互いに異なる。
【0071】
このように非対称に位置する置換基を有する縮合多環芳香族化合物は、所定の温度区間で液晶性を示すため、熱処理時の分子の整列度を高めることができ、これによって化合物を含む有機薄膜の電荷移動度を改善することができる。ここで液晶性は、例えばスメクチック液晶性であり、例えばスメクチック液晶性及びネマチック液晶性である。このような液晶性は比較的低い温度区間で示すため、工程の温度を下げることができる。例えば、化合物が液晶性を示す温度は約４００度以下であり、例えば約１５０度～３５０度、例えば約１８０度～３００度、例えば約２００度～２８０度である。また、所定温度での追加のアニーリングを通じて分子の整列度を更に高めることができ、これによって化合物を含む有機薄膜の電荷移動度を更に改善することができる。
【0072】
一例として、化合物は、縮合多環芳香族環の一側にのみ置換基を有する。
【0073】
例えば、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは水素であり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせである。
【0074】
例えば、Ｒ３及びＲ４のうちのいずれか１つは水素であり、Ｒ３及びＲ４のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせである。
【0075】
一例として、化合物は、縮合多環芳香族環の一側に線状置換基を有し、他の一側に非線状置換基を有する。
【0076】
例えば、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の分枝鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルキニル基、又はこれらの組み合わせである。
【0077】
例えば、Ｒ３及びＲ４のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の直鎖アルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０の直鎖アルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ３及びＲ４のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０の分枝鎖アルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０の分枝鎖アルキニル基、又はこれらの組み合わせである。
【0078】
一例として、化合物は、縮合多環芳香族環の一側に非環状置換基を有し、他の一側に環状置換基を有する。
【0079】
例えば、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせである。
【0080】
例えば、Ｒ３及びＲ４のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ３及びＲ４のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせである。
【0081】
一例として、化合物は、縮合多環芳香族環の一側に環状置換基を有し、他の一側にヘテロ環状置換基を有する。
【0082】
例えば、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ１及びＲ２のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせである。
【0083】
例えば、Ｒ３及びＲ４のうちのいずれか１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、又はこれらの組み合わせであり、Ｒ３及びＲ４のうちの他の１つは、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、又はこれらの組み合わせである。
【0084】
一例として、Ｒ１及びＲ２のうちの少なくとも１つは、環状置換基又はヘテロ環状置換基を含み、例えばＲ１及びＲ２のうちのいずれか１つは、下記化学式２Ａ～２Ｃのうちのいずれか１つで表される基を含む。
【0085】
【化2A-2C】
【0086】
上記化学式２Ａ、２Ｂ、又は２Ｃ中、
Ｚ１～Ｚ３は、それぞれＮ又はＣＲｂであり、
Ｚ１～Ｚ３のうちのいずれか１つは、Ｎであり、
Ｘ３は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＮＲｃ、ＣＲｄＲｅ、又はＳｉＲｆＲｇであり、
ｍ１は、０～５の整数であり、
ｍ２は、０～３の整数であり、
Ｒ５～Ｒ９、及びＲｂ～Ｒｇは、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであるか、上記化学式１Ａ又は１Ｂとの連結地点であり、
Ｒ５が２つ以上であるとき、各Ｒ５は互いに同一又は異なり、隣接する２つのＲ５は独立して存在するか、又は互いに結合して環を形成し、
Ｒ９が２つ以上であるとき、各Ｒ９は互いに同一又は異なり、隣接する２つのＲ９は独立して存在するか、又は互いに結合して環を形成する。
Ｚ１～Ｚ３は、それぞれＮ又はＣＲｂであり、
Ｚ１～Ｚ３のうちのいずれか１つは、Ｎであり、
Ｘ３は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＮＲｃ、ＣＲｄＲｅ、又はＳｉＲｆＲｇであり、
ｍ１は、０～５の整数であり、
ｍ２は、０～３の整数であり、
Ｒ５～Ｒ９、及びＲｂ～Ｒｇは、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせであるか、上記化学式１Ａ又は１Ｂとの連結地点であり、
Ｒ５が２つ以上であるとき、各Ｒ５は互いに同一又は異なり、隣接する２つのＲ５は独立して存在するか、又は互いに結合して環を形成し、
Ｒ９が２つ以上であるとき、各Ｒ９は互いに同一又は異なり、隣接する２つのＲ９は独立して存在するか、又は互いに結合して環を形成する。
【0087】
一例として、上記化学式２Ａで表される基は、非置換のフェニル基又は炭素数１～３０のアルキル基で置換されたフェニル基である。
【0088】
一例として、上記化学式２Ｂで表される基は、置換又は非置換のピリジニル基、置換又は非置換のピリミジニル基、又は置換又は非置換のトリアジニル基である。
【0089】
一例として、上記化学式２Ｃで表される基は、置換又は非置換のフラニル基、置換又は非置換のチオフェニル基、置換又は非置換のセレノフェニル基、置換又は非置換のテルロフェニル基、置換又は非置換のピロリル基、置換又は非置換のシクロペンタジエニル基、置換又は非置換のシラシクロペンタジエニル基、又はこれらの組み合わせである。
【0090】
一例として、Ｒ３及びＲ４のうちの少なくとも１つは、環状置換基又はヘテロ環状置換基を含み、例えば、Ｒ３及びＲ４のうちのいずれか１つは、上記化学式２Ａ～２Ｃのうちのいずれか１つで表される基を含む。
【0091】
一例として、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ水素であり、化合物は、例えば下記化学式１Ａ－１又は１Ｂ－１で表される。
【0092】
【化(1A-1)-(1B-1)】
【0093】
上記化学式１Ａ－１又は１Ｂ－１中、
Ｘ１、Ｘ２、Ａｒ１及びｎ１は上述の通りであり、
Ｒ１とＲ２とは互いに異なり、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせである。
Ｘ１、Ｘ２、Ａｒ１及びｎ１は上述の通りであり、
Ｒ１とＲ２とは互いに異なり、それぞれ独立して、水素、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルキル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルケニル基、置換又は非置換の炭素数２～３０のアルキニル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数１～３０のアルコキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロシクロアルケニル基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリール基、置換又は非置換の炭素数６～３０のアリールオキシ基、置換又は非置換の炭素数３～３０のヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、又はこれらの組み合わせである。
【0094】
化合物は、例えば、下記グループ２に列記された化合物のうちの１つであるが、これに限定されるものではない。
【0095】
［グループ２］
【化G2-1】
【化G2-2】
【0096】
上記グループ２中、Ｒ１及びＲ２は上述の通りである。
【0097】
化合物は、例えば、下記グループ３に列記された化合物のうちの１つであるが、これに限定されるものではない。
【0098】
［グループ３］
【化G3-1】
【化G3-2】
【化G3-3】
【0099】
上述した化合物は有機薄膜で具現される。有機薄膜は、蒸着により形成された蒸着薄膜又は溶液工程により形成されたコーティング薄膜である。
【0100】
有機薄膜は、有機半導体を含む多様な素子に適用される。例えば、化合物は、薄膜トランジスタに適用され、太陽電池、有機発光表示装置、及び有機センサーのような電子素子で電荷輸送層及び／又は活性層として適用される。
【0101】
以下、上述した化合物を含む薄膜トランジスタの一例について、図面を参照して説明する。
【0102】
図面において複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体に亘って類似の部分については同一の参照符号を付与する。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるという場合、これは他の部分の“直上”にある場合のみならず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“直上”にあるという場合には、中間に他の部分がないことを意味する。
【0103】
図１は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタを示す断面図である。
【0104】
透明なガラス、シリコン、又はプラスチックなどで作られた基板１１０の上にゲート電極１２４が形成される。ゲート電極１２４は、ゲート信号を伝達するゲート線（図示せず）に連結される。ゲート電極１２４は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、これらの合金、又はこれらの組み合わせで作られる。
【0105】
ゲート電極１２４の上にはゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０は有機物質及び／又は無機物質で作られ、有機物質の例としては、ポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）系化合物、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系化合物、ポリアクリール（ｐｏｌｙａｃｒｙｌ）系化合物、ポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）系化合物、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）などの溶解性化合物が挙げられ、無機物質の例としては、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が挙げられる。
【0106】
ゲート絶縁膜１４０の上には有機半導体１５４が形成される。有機半導体１５４は、上述した化合物を含む。有機半導体１５４は、上述した化合物を溶液形態で準備して、例えばスピンコーティング、スリットコーティング、又はインクジェット印刷のような溶液工程で形成される。有機半導体１５４は、上述した化合物を真空蒸着又は熱蒸着して形成される。
【0107】
有機半導体１５４の上にはソース電極１７３及びドレイン電極１７５が形成される。ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、ゲート電極１２４を中心に対向する。ソース電極１７３は、データ信号を伝達するデータ線（図示せず）に連結される。ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、これらの合金、又はこれらの組み合わせで作られる。
【0108】
ここでは、薄膜トランジスタの一例としてボトムゲート構造の薄膜トランジスタを説明したが、薄膜トランジスタは、これに限定されず、トップゲート構造の薄膜トランジスタなど、全ての構造の薄膜トランジスタに同様に適用される。
【0109】
薄膜トランジスタは、多様な電子素子に、スイッチング素子及び／又は駆動素子として適用され、電子素子は、例えば液晶表示装置、有機発光表示装置、電気泳動表示装置、有機光電素子、及び有機センサーを含むが、これらに限定されるものではない。
【0110】
以下、実施例を通じて上述した本発明の実施形態をより詳細に説明する。但し、下記の実施例は、単に説明の目的のためのものであり、本発明の範囲を制限するものではない。
【0111】
≪化合物の合成≫
【0112】
［反応式１］
【化C1】
【0113】
［反応式２］
【化C2】
【0114】
＜合成例１＞
【0115】
［反応式３］
【化C3】
【0116】
＜化合物１ｂの合成＞
【0117】
２－（５－ブロモセレノフェン－２－イル）－５－ドデシルチオフェン（（２－（５－ｂｒｏｍｏｓｅｌｅｎｏｐｈｅｎ－２－ｙｌ）－５－ｄｏｄｅｃｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））（１５ｇ、３２．５８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５００ｍｌに溶かした後、－７８℃で冷却する。そこにリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ、２．０Ｍ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｉｎ ＴＨＦ）（２４．４３ｍｌ、４８．８７ｍｍｏｌ）を加えて、２時間攪拌する。次に、そこに化合物１ａ（６．５８ｇ、３９．１ｍｍｏｌ）を入れた後、常温まで徐々に引き上げて１２時間攪拌する。そこにアンモニウムクロリド（Ａｍｍｏｎｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）飽和溶液３０ｍＬを加えた後、酢酸エチル（ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）で抽出して水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウム（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）で乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１ｂを得た。収率は９５％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３５（ｄ、１Ｈ）、７．２８（ｓ、１Ｈ）、７．２１（ｓ、１Ｈ）、６．９１（ｄ、１Ｈ）、６．６６（ｄ、１Ｈ）、６．３４（ｄ、１Ｈ）、２．７３（ｔ、２Ｈ）、２．７５（ｓ、１Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２８（ｍ、１８Ｈ）、０．８８（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３５（ｄ、１Ｈ）、７．２８（ｓ、１Ｈ）、７．２１（ｓ、１Ｈ）、６．９１（ｄ、１Ｈ）、６．６６（ｄ、１Ｈ）、６．３４（ｄ、１Ｈ）、２．７３（ｔ、２Ｈ）、２．７５（ｓ、１Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２８（ｍ、１８Ｈ）、０．８８（ｔ、３Ｈ）
【0118】
＜化合物１ｃの合成＞
【0119】
化合物１ｂ（１９ｇ、３０．２３ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライドに溶かした後、０℃で冷却する。そこにヨウ化亜鉛（ＺｎＩ２、１５．４４ｇ、４８．３６ｍｍｏｌ）及びシアノ水素化ホウ素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ ｃｙａｎｏｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ、１３．３ｇ、２１１．５８ｍｍｏｌ）を入れて、常温まで徐々に引き上げた。次に、１２時間攪拌後、そこにアンモニウムクロリド（Ａｍｍｏｎｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）飽和溶液３０ｍＬを加え、メチレンジクロライドで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウム（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）で乾燥しろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１ｃを得た。収率は９９％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３２（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、１Ｈ）、７．１２（ｓ、１Ｈ）、７．０８（ｓ、１Ｈ）、６．８４（ｄ、１Ｈ）、６．６３（ｄ、１Ｈ）、４．３６（ｓ、２Ｈ）、２．７５（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、）、０．８８（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３２（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、１Ｈ）、７．１２（ｓ、１Ｈ）、７．０８（ｓ、１Ｈ）、６．８４（ｄ、１Ｈ）、６．６３（ｄ、１Ｈ）、４．３６（ｓ、２Ｈ）、２．７５（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、）、０．８８（ｔ、３Ｈ）
【0120】
＜化合物１ｄの合成＞
【0121】
１，２－ジメチルホルムアミド（１，２－ｄｉｃｈｌｏｒｏｅｔｈａｎｅ、７２．４ｍｌ、９３５．３４ｍｍｏｌ）を１Ｌフラスコに入れた後、０℃で冷却する。次に、そこに塩化ホスホリル（ｐｈｏｓｐｈｏｒｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅ、４３．７ｍｌ、３１．１８ｍｍｏｌ）を徐々に添加した後、２時間攪拌する。次に、そこに化合物１ｃを１，２－ジクロロエタン（１，２－ｄｉｃｈｌｏｒｏｅｔｈａｎｅ、１０００ｍｌ）に溶かして入れた後、１００℃で加熱する。次に、そこに２時間後、１Ｎ水酸化ナトリウム溶液（１Ｎ ＮａＯＨ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を入れて塩基化した後、クロロホルム（ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ）で抽出する。次に、硫酸マグネシウム（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）で乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１ｄを得た。収率は４２％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ９．９４（ｓ、１Ｈ）、７．８６（ｓ、１Ｈ）、７．１８（ｓ、１Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、６．８７（ｄ、１Ｈ）、６．６３（ｄ、１Ｈ）、４．４０（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．５５（ｔ、２Ｈ）、１．２６（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ９．９４（ｓ、１Ｈ）、７．８６（ｓ、１Ｈ）、７．１８（ｓ、１Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、６．８７（ｄ、１Ｈ）、６．６３（ｄ、１Ｈ）、４．４０（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．５５（ｔ、２Ｈ）、１．２６（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
【0122】
＜化合物１ｅの合成＞
【0123】
２，３－ジブロモチオフェン（２，３－ｄｉｂｒｏｍｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ、１．１７ｍｌ、１０．３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ、１００ｍｌ）に入れた後、－７８℃で冷却する。次に、そこにイソプロピルマグネシウムクロリド塩化リチウム錯体（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｌｉｔｈｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｃｏｍｐｌｅｘ、５．１５ｍｌ、１０．３ｍｍｏｌ）を入れて徐々に常温に上げた後、再び－７８℃で冷却する。そこに化合物１ｄ（３．３ｇ、５．１５ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ、２０ｍｌ）に溶かして入れた後、１時間攪拌する。そこにアンモニウムクロリド（Ａｍｍｏｎｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）飽和溶液３０ｍＬを加えた後、酢酸エチル（ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）で抽出し、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウム（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）で乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１ｅを得た。収率は９５％である。
【0124】
＜化合物１ｆの合成＞
【0125】
化合物１ｅ（４．４４ｇ、５．５２ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライドに溶かした後、０℃で冷却する。次に、そこにヨウ化亜鉛（ＺｎＩ２、２．８２ｇ、８．８４ｍｍｏｌ）及びシアノ水素化ホウ素ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ ｃｙａｎｏｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ、２．４３ｇ、２８．６７ｍｍｏｌ）を入れて、常温まで徐々に引き上げた。１２時間攪拌後、そこにアンモニウムクロリド（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）飽和溶液３０ｍＬを加え、メチレンジクロライドで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウム（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）で乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１ｆを得た。収率は８７％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．１８（ｄ、１Ｈ）、７．０６（ｓ、１Ｈ）、７．０３（ｓ、１Ｈ）、７．００（ｓ、１Ｈ）、６．９４（ｄ、１Ｈ）、６．８３（ｄ、１Ｈ）、６．６３（ｄ、１Ｈ）、４．３３（ｓ、２Ｈ）、４．３２（ｓ、２Ｈ）、２．７４（ｔ、２Ｈ）、１．６４（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．１８（ｄ、１Ｈ）、７．０６（ｓ、１Ｈ）、７．０３（ｓ、１Ｈ）、７．００（ｓ、１Ｈ）、６．９４（ｄ、１Ｈ）、６．８３（ｄ、１Ｈ）、６．６３（ｄ、１Ｈ）、４．３３（ｓ、２Ｈ）、４．３２（ｓ、２Ｈ）、２．７４（ｔ、２Ｈ）、１．６４（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
【0126】
＜化合物１ｇの合成＞
【0127】
化合物１ｆ（４．６ｇ、５．８ｍｍｏｌ）をＮ－メチルピロリドン（Ｎ－ｍｅｔｈｙｌ－２－ｐｙｒｒｏｌｉｄｉｎｏｎｅ、６９ｍｌ）に入れた後、シアン化銅（ＣｕＣＮ、２．１ｇ、２３．３６ｍｍｏｌ）を入れた。上記混合物をマイクロウェーブ装置に入れて、１８０℃で２時間反応させた。次に、反応溶液を１Ｎ塩酸溶液（１Ｎ ＨＣｌ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）に入れて３０分間攪拌した後、クロロホルム（ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ）で抽出する。次に、硫酸マグネシウム（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）で乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１ｇを得た。収率は６４％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．２４（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｓ、１Ｈ）、７．１６（ｄ、１Ｈ）、７．１０（ｓ、１Ｈ）、７．０８（ｓ、１Ｈ）、６．８７（ｄ、１Ｈ）、６．６５（ｄ、１Ｈ）、４．５５（ｓ、４Ｈ）、４．３２（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．５６（ｔ、２Ｈ）、１．２７（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．２４（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｓ、１Ｈ）、７．１６（ｄ、１Ｈ）、７．１０（ｓ、１Ｈ）、７．０８（ｓ、１Ｈ）、６．８７（ｄ、１Ｈ）、６．６５（ｄ、１Ｈ）、４．５５（ｓ、４Ｈ）、４．３２（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．５６（ｔ、２Ｈ）、１．２７（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
【0128】
＜化合物１ｈの合成＞
【0129】
化合物１ｇ（２．５２ｇ、３．７ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライド２００ｍｌに溶かした後、０℃で冷却する。次に、そこに水素化ジイソブチルアルミニウム（ｄｉｉｓｏｂｕｔｙｌａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｈｙｄｒｉｄｅ、１Ｍ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｉｎ ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ、８．９ｍｌ、８．８９ｍｍｏｌ）を加えた後、徐々に温度を引き上げた。３時間後、そこに５％クエン酸溶液（５％ ｃｉｔｒｉｃ ａｃｉｄ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を入れて反応を終了した後、クロロホルム（ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍ）で抽出する。次に、硫酸マグネシウム（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｓｕｌｆａｔｅ）で乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物１ｈを得た。収率は４２％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ１０．０８（ｓ、１Ｈ）、９．９９（ｓ、１Ｈ）、７．５３（ｓ、１Ｈ）、７．４２（ｄ、１Ｈ）、７．１７（ｄ、１Ｈ）、７．０７（ｓ、１Ｈ）、７．０３（ｓ、１Ｈ）、６．８５（ｄ、１Ｈ）、６．６５（ｄ、１Ｈ）、４．７８（ｓ、２Ｈ）、４．７６（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ１０．０８（ｓ、１Ｈ）、９．９９（ｓ、１Ｈ）、７．５３（ｓ、１Ｈ）、７．４２（ｄ、１Ｈ）、７．１７（ｄ、１Ｈ）、７．０７（ｓ、１Ｈ）、７．０３（ｓ、１Ｈ）、６．８５（ｄ、１Ｈ）、６．６５（ｄ、１Ｈ）、４．７８（ｓ、２Ｈ）、４．７６（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
【0130】
＜化合物１の合成＞
【0131】
化合物１ｈ １．０ｇをベンゼン５０ｍｌに入れた後、そこにアンバーリスト１５（Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ１５）４ｇを入れて、ｄｅａｎ－ｓｔａｒｋ装置を連結した後、２４時間還流する。生成された固体をろ過し、酢酸エチル及びメチレンジクロライドで洗浄した後、乾燥して、化合物１を得た。
ＭＳ（ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ、ｍ／ｚ）６５０．４００（Ｍ＋）
ＭＳ（ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ、ｍ／ｚ）６５０．４００（Ｍ＋）
【0132】
≪比較合成例１≫
【0133】
［反応式４］
【化C4】
【0134】
＜化合物Ｃ－２ｂの合成＞
【0135】
５－ブロモ－５’－ドデシル－２，２’－ビチオフェン（５－ｂｒｏｍｏ－５’－ｄｏｄｅｃｙｌ－２，２’－ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）（１０ｇ、２４．１８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５００ｍｌに溶かした後、－７８℃で冷却する。次に、そこにリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ、２．０Ｍ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｉｎ ＴＨＦ）（１６ｍｌ、３１ｍｍｏｌ）を加えて、２時間攪拌した後、化合物Ｃ－２ａ（４．０７ｇ、２４．１８ｍｍｏｌ）を入れて常温に徐々に上げ、１２時間攪拌する。そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加え、酢酸エチルで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－２ｂを得た。収率は９６％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３６（ｄ、１Ｈ）、７．２２（ｄ、１Ｈ）、６．９６（ｄ、１Ｈ）、６．９３（ｓ、１Ｈ）、６．６７（ｄ、１Ｈ）、６．３９（ｄ、１Ｈ）、２．７７（ｔ、２Ｈ）、１．６６（ｔ、２Ｈ）、１．２８（ｍ、１８Ｈ）、０．８８（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３６（ｄ、１Ｈ）、７．２２（ｄ、１Ｈ）、６．９６（ｄ、１Ｈ）、６．９３（ｓ、１Ｈ）、６．６７（ｄ、１Ｈ）、６．３９（ｄ、１Ｈ）、２．７７（ｔ、２Ｈ）、１．６６（ｔ、２Ｈ）、１．２８（ｍ、１８Ｈ）、０．８８（ｔ、３Ｈ）
【0136】
＜化合物Ｃ－２ｃの合成＞
【0137】
化合物Ｃ－２ｂ（１３．５ｇ、２３．２ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライドに溶かした後、０℃で冷却する。次に、ヨウ化亜鉛（ＺｎＩ２、１１．８ｇ、３７．１３ｍｍｏｌ）及びシアノ水素化ホウ素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ ｃｙａｎｏｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ、１０．２１ｇ、１６２．４ｍｍｏｌ）を入れて、常温まで徐々に引き上げた。１２時間攪拌後、そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加え、メチレンジクロライドで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－２ｃを得た。収率は９２％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３０（ｄ、１Ｈ）、７．１８（ｄ、１Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、６．９２（ｓ、１Ｈ）、６．９０（ｄ、１Ｈ）、６．６４（ｄ、１Ｈ）、４．３２（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、２．７０（ｓ、１Ｈ）、１．６４（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３０（ｄ、１Ｈ）、７．１８（ｄ、１Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、６．９２（ｓ、１Ｈ）、６．９０（ｄ、１Ｈ）、６．６４（ｄ、１Ｈ）、４．３２（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、２．７０（ｓ、１Ｈ）、１．６４（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
【0138】
＜化合物Ｃ－２ｄの合成＞
【0139】
化合物Ｃ－２ｃ（１２．１ｇ、２１．３９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ、５００ｍｌ）に入れた後、－７８℃で冷却する。そこにリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ、１６ｍｌ、３２．０８ｍｍｏｌ）を入れて、２時間攪拌する。次に、そこに３－ブロモチオフェン－２－カルバルデヒド（３－ｂｒｏｍｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ－２－ｃａｒｂａｌｄｅｈｙｄｅ）（４．９ｇ、２５．６７ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ、２０ｍｌ）に溶かして入れた後、１時間攪拌する。そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加えた後、酢酸エチルで抽出し、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－２ｄを得た。収率は６８％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３０（ｓ、１Ｈ）、７．１３（ｓ、１Ｈ）、７．０５（ｓ、１Ｈ）、６．９５（ｄ、１Ｈ）、６．９１（ｓ、１Ｈ）、６．９０（ｄ、１Ｈ）、６．６４（ｄ、１Ｈ）、６．３９（ｄ、１Ｈ）、４．３０（ｓ、２Ｈ）、２．７５（ｔ、２Ｈ）、２．６５（ｓ、１Ｈ）、１．６４（ｔ、２Ｈ）、１．２８（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３０（ｓ、１Ｈ）、７．１３（ｓ、１Ｈ）、７．０５（ｓ、１Ｈ）、６．９５（ｄ、１Ｈ）、６．９１（ｓ、１Ｈ）、６．９０（ｄ、１Ｈ）、６．６４（ｄ、１Ｈ）、６．３９（ｄ、１Ｈ）、４．３０（ｓ、２Ｈ）、２．７５（ｔ、２Ｈ）、２．６５（ｓ、１Ｈ）、１．６４（ｔ、２Ｈ）、１．２８（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
【0140】
＜化合物Ｃ－２ｅの合成＞
【0141】
化合物Ｃ－２ｄ（１１．０ｇ、１４．５４ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライドに溶かした後、０℃で冷却する。次に、そこにヨウ化亜鉛（ＺｎＩ２、７．４ｇ、２３．２６ｍｍｏｌ）及びシアノ水素化ホウ素ナトリウム（Ｓｏｄｉｕｍ ｃｙａｎｏｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ、６．４ｇ、１０１．７５ｍｍｏｌ）を入れて、常温まで徐々に引き上げた。１２時間攪拌後、そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加え、メチレンジクロライドで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－２ｅを得た。収率は７４％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．１７（ｓ、１Ｈ）、７．００（ｓ、１Ｈ）、６．９８（ｓ、１Ｈ）、６．９３（ｄ、１Ｈ）、６．９１（ｓ、１Ｈ）、６．８９（ｄ、１Ｈ）、６．６４（ｄ、１Ｈ）、４．３３（ｓ、２Ｈ）、４．２９（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．６４（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．１７（ｓ、１Ｈ）、７．００（ｓ、１Ｈ）、６．９８（ｓ、１Ｈ）、６．９３（ｄ、１Ｈ）、６．９１（ｓ、１Ｈ）、６．８９（ｄ、１Ｈ）、６．６４（ｄ、１Ｈ）、４．３３（ｓ、２Ｈ）、４．２９（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．６４（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
【0142】
＜化合物Ｃ－２ｆの合成＞
【0143】
化合物Ｃ－２ｅ（７．９５ｇ、１０．７３ｍｍｏｌ）をＮ－メチル－２－ピロリドン６９ｍｌに入れた後、そこにシアン化銅（ＣｕＣＮ、３．８４ｇ、４２．９３ｍｍｏｌ）を入れた。上記混合物をマイクロウェーブ装置に入れて、１８０℃で２時間反応させた。次に、反応溶液を１Ｎ塩酸溶液（１Ｎ ＨＣｌ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）に入れて３０分間攪拌した後、クロロホルムで抽出する。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－２ｆを得た。収率は７４％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．２３（ｄ、１Ｈ）、７．１５（ｄ、１Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、７．０８（ｓ、１Ｈ）、７．０５（ｓ、１Ｈ）、６．９３（ｄ、１Ｈ）、６．６６（ｄ、１Ｈ）、４．５５（ｓ、２Ｈ）、４．５０（ｓ、２Ｈ）、２．７７（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．２３（ｄ、１Ｈ）、７．１５（ｄ、１Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、７．０８（ｓ、１Ｈ）、７．０５（ｓ、１Ｈ）、６．９３（ｄ、１Ｈ）、６．６６（ｄ、１Ｈ）、４．５５（ｓ、２Ｈ）、４．５０（ｓ、２Ｈ）、２．７７（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
【0144】
＜化合物Ｃ－２ｇの合成＞
【0145】
化合物Ｃ－２ｆ（５．０ｇ、７．９ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライド５００ｍｌに溶かした後、０℃で冷却する。次に、そこに水素化ジイソブチルアルミニウム（ｄｉｉｓｏｂｕｔｙｌａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｈｙｄｒｉｄｅ、１Ｍ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｉｎ ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ、１９ｍｌ、１８．９６ｍｍｏｌ）を加えた後、徐々に温度を引き上げた。次に、３時間後、そこに５％クエン酸溶液（５％ ｃｉｔｒｉｃ ａｃｉｄ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を入れて反応を終了した後、クロロホルムで抽出する。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－２ｇを得た。収率は６７％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ１０．０８（ｓ、１Ｈ）、１０．０２（ｓ、１Ｈ）、７．４１（ｄ、１Ｈ）、７．３４（ｓ、１Ｈ）、７．１６（ｄ、１Ｈ）、７．０４（ｓ、１Ｈ）、７．０２（ｓ、１Ｈ）、６．９３（ｄ、１Ｈ）、６．６６（ｄ、１Ｈ）、４．７５（ｓ、２Ｈ）、４．７２（ｓ、２Ｈ）、２．７７（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ１０．０８（ｓ、１Ｈ）、１０．０２（ｓ、１Ｈ）、７．４１（ｄ、１Ｈ）、７．３４（ｓ、１Ｈ）、７．１６（ｄ、１Ｈ）、７．０４（ｓ、１Ｈ）、７．０２（ｓ、１Ｈ）、６．９３（ｄ、１Ｈ）、６．６６（ｄ、１Ｈ）、４．７５（ｓ、２Ｈ）、４．７２（ｓ、２Ｈ）、２．７７（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
【0146】
＜化合物Ｃ－２の合成＞
【0147】
化合物Ｃ－２ｇ ３．４ｇをベンゼン３００ｍｌに入れた後、そこにアンバーリスト１５（Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ １５）１２．８ｇを入れて、ｄｅａｎ－ｓｔａｒｋ装置を連結した後、２４時間還流する。生成された固体をろ過し、酢酸エチル及びメチレンジクロライドで洗浄した後、乾燥して、化合物Ｃ－２を得た。
ＭＳ（ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ、ｍ／ｚ）６０２．２８９（Ｍ＋）
ＭＳ（ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ、ｍ／ｚ）６０２．２８９（Ｍ＋）
【0148】
≪比較合成例２≫
【0149】
［反応式５］
【化C5】
【0150】
＜化合物Ｃ－３ｂの合成＞
【0151】
（５－ブロモセレノフェン－２－イル）（ｔ－ブチル）ジメチルシラン（（５－ｂｒｏｍｏｓｅｌｅｎｏｐｈｅｎ－２－ｙｌ）（ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）（５ｇ、１５．４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍｌに溶かした後、－７８℃で冷却する。そこにリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ、２．０Ｍ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｉｎ ＴＨＦ）（１１．５７ｍｌ、２３．１３ｍｍｏｌ）を加えて、２時間攪拌した後、化合物Ｃ－３ａ（２．１６ｇ、１２．８５ｍｍｏｌ）を入れた後、常温に徐々に上げ、１２時間攪拌する。そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加えた後、酢酸エチルで抽出し、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－３ｂを得た。収率は７１％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３５（ｄ、１Ｈ）、７．２６（ｄ、１Ｈ）、７．２２（ｄ、１Ｈ）、６．３６（ｓ、１Ｈ）、２．８（ｓ、１Ｈ）、０．９２（ｓ、９Ｈ）、０．２７（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３５（ｄ、１Ｈ）、７．２６（ｄ、１Ｈ）、７．２２（ｄ、１Ｈ）、６．３６（ｓ、１Ｈ）、２．８（ｓ、１Ｈ）、０．９２（ｓ、９Ｈ）、０．２７（ｓ、６Ｈ）
【0152】
＜化合物Ｃ－３ｃの合成＞
【0153】
化合物Ｃ－３ｂ（５．４ｇ、１０．９７ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライドに溶かした後、０℃で冷却する。そこにヨウ化亜鉛（ＺｎＩ２、５．６ｇ、１７．５５ｍｍｏｌ）及びシアノ水素化ホウ素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ ｃｙａｎｏｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ、４．８ｇ、７６．７６ｍｍｏｌ）を入れて、常温まで徐々に引き上げた。１２時間攪拌後、そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加え、メチレンジクロライドで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－３ｃを得た。収率は８２％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３３（ｓ、１Ｈ）、７．３１（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、１Ｈ）、７．１１（ｓ、１Ｈ）、４．３９（ｓ、２Ｈ）、０．９１（ｓ、９Ｈ）、０．２４（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３３（ｓ、１Ｈ）、７．３１（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、１Ｈ）、７．１１（ｓ、１Ｈ）、４．３９（ｓ、２Ｈ）、０．９１（ｓ、９Ｈ）、０．２４（ｓ、６Ｈ）
【0154】
＜化合物Ｃ－３ｄの合成＞
【0155】
１，２－ジメチルホルムアミド（１６．２５ｍｌ、２０９．９ｍｍｏｌ）を１Ｌフラスコに入れた後、０℃で冷却する。そこに塩化ホスホリル（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅ、９．８１ｍｌ、１０４．９４ｍｍｏｌ）を徐々に添加した後、２時間攪拌する。そこに化合物Ｃ－３ｃを１，２－ジクロロエタン（１，２－Ｄｉｃｈｌｏｒｏｅｔｈａｎｅ、２５０ｍｌ）に溶かして入れた後、１００℃で加熱する。２時間後、そこに１Ｎ水酸化ナトリウム溶液（１Ｎ ＮａＯＨ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を入れて塩基化した後、クロロホルムで抽出する。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－３ｄを得た。収率は４９％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ９．９３（ｓ、１Ｈ）、７．８６（ｓ、１Ｈ）、７．３６（ｓ、１Ｈ）、７．１６（ｓ、１Ｈ）、４．４４（ｓ、２Ｈ）、０．９１（ｓ、９Ｈ）、０．２５（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ９．９３（ｓ、１Ｈ）、７．８６（ｓ、１Ｈ）、７．３６（ｓ、１Ｈ）、７．１６（ｓ、１Ｈ）、４．４４（ｓ、２Ｈ）、０．９１（ｓ、９Ｈ）、０．２５（ｓ、６Ｈ）
【0156】
＜化合物Ｃ－３ｅの合成＞
【0157】
（２－（５－ブロモセレノフェン－２－イル）－５－ドデシルチオフェン（（２－（５－ｂｒｏｍｏｓｅｌｅｎｏｐｈｅｎ－２－ｙｌ）－５－ｄｏｄｅｃｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））（４．６５ｇ、０．４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３００ｍｌに溶かした後、－７８℃で冷却する。そこにリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ、２．０Ｍ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｉｎ ＴＨＦ）（７．６ｍｌ、１５．１５ｍｍｏｌ）を加え、２時間攪拌して化合物Ｃ－３ｄ（５．１ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を入れた後、常温まで徐々に引き上げて、１２時間攪拌する。そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加え、酢酸エチルで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－３ｅを得た。収率は７３％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３４（ｓ、１Ｈ）、７．２１（ｓ、１Ｈ）、７．０７（ｓ、１Ｈ）、７．０６（ｓ、１Ｈ）、６．９１（ｄ、１Ｈ）、６．６６（ｄ、１Ｈ）、６．３２（ｄ、１Ｈ）、４．３６（ｓ、２Ｈ）、２．７５（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２８（ｍ、１８Ｈ）、０．９０（ｍ、１２Ｈ）、０．２５（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３４（ｓ、１Ｈ）、７．２１（ｓ、１Ｈ）、７．０７（ｓ、１Ｈ）、７．０６（ｓ、１Ｈ）、６．９１（ｄ、１Ｈ）、６．６６（ｄ、１Ｈ）、６．３２（ｄ、１Ｈ）、４．３６（ｓ、２Ｈ）、２．７５（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２８（ｍ、１８Ｈ）、０．９０（ｍ、１２Ｈ）、０．２５（ｓ、６Ｈ）
【0158】
＜化合物Ｃ－３ｆの合成＞
【0159】
化合物Ｃ－３ｅ（７．１ｇ、７．３６ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライドに溶かした後、０℃で冷却する。そこにヨウ化亜鉛（ＺｎＩ２、３．７６ｇ、１１．７７ｍｍｏｌ）及びシアノ水素化ホウ素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ ｃｙａｎｏｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ、３．２４ｇ、５１．５１ｍｍｏｌ）を入れて、常温まで徐々に引き上げた。１２時間攪拌後、そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加え、メチレンジクロライドで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－３ｆを得た。収率は９７％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３４（ｓ、１Ｈ）、７．１５（ｓ、１Ｈ）、７．０７（ｓ、１Ｈ）、７．０４（ｓ、１Ｈ）、６．８４（ｄ、１Ｈ）、６．６２（ｄ、１Ｈ）、４．３６（ｓ、２Ｈ）、４．３３（ｓ、２Ｈ）、２．７５（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２８（ｍ、１８Ｈ）、０．８９（ｍ、１２Ｈ）、０．２５（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３４（ｓ、１Ｈ）、７．１５（ｓ、１Ｈ）、７．０７（ｓ、１Ｈ）、７．０４（ｓ、１Ｈ）、６．８４（ｄ、１Ｈ）、６．６２（ｄ、１Ｈ）、４．３６（ｓ、２Ｈ）、４．３３（ｓ、２Ｈ）、２．７５（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２８（ｍ、１８Ｈ）、０．８９（ｍ、１２Ｈ）、０．２５（ｓ、６Ｈ）
【0160】
＜化合物Ｃ－３ｇの合成＞
【0161】
化合物Ｃ－３ｆ（６．６５ｇ、６．９８ｍｍｏｌ）をＮ－メチル－２－ピロリドン６９ｍｌに入れた後、そこにシアン化銅（ＣｕＣＮ、２．５３ｇ、２８．０６ｍｍｏｌ）を入れた。次に、上記混合物をマイクロウェーブ装置に入れて、１８０℃で２時間反応させた。次に、反応溶液を１Ｎ塩酸溶液（１Ｎ ＨＣｌ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）に入れて３０分間攪拌した後、クロロホルムで抽出する。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－３ｇを得た。収率は４０％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．９１（ｄ、１Ｈ）、７．３７（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｓ、１Ｈ）、７．１１（ｓ、１Ｈ）、７．１０（ｓ、１Ｈ）、６．８７（ｄ、１Ｈ）、６．６５（ｄ、１Ｈ）、４．６０（ｓ、２Ｈ）、４．５６（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．９１（ｄ、１Ｈ）、７．３７（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｓ、１Ｈ）、７．１１（ｓ、１Ｈ）、７．１０（ｓ、１Ｈ）、６．８７（ｄ、１Ｈ）、６．６５（ｄ、１Ｈ）、４．６０（ｓ、２Ｈ）、４．５６（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
【0162】
＜化合物Ｃ－３ｈの合成＞
【0163】
化合物Ｃ－３ｇ（３．０ｇ、４．１ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライド５００ｍｌに溶かした後、０℃で冷却する。そこに水素化ジイソブチルアルミニウム（Ｄｉｉｓｏｂｕｔｙｌａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｈｙｄｒｉｄｅ、１Ｍ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｉｎ ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ、９．９ｍｌ、９．９ｍｍｏｌ）を加えた後、徐々に温度を引き上げた。３時間後、そこに５％クエン酸溶液（５％ ｃｉｔｒｉｃ ａｃｉｄ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を入れて反応を終了した後、クロロホルムで抽出する。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ｃ－３ｈを得た。収率は３３％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ１０．０４（ｓ、１Ｈ）、１０．００（ｓ、１Ｈ）、７．８３（ｄ、１Ｈ）、７．６８（ｄ、１Ｈ）、７．５３（ｓ、１Ｈ）、７．０６（ｄ、１Ｈ）、７．０２（ｓ、１Ｈ）、６．８５（ｄ、１Ｈ）、６．６６（ｄ、１Ｈ）、４．８３（ｓ、２Ｈ）、４．７９（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ１０．０４（ｓ、１Ｈ）、１０．００（ｓ、１Ｈ）、７．８３（ｄ、１Ｈ）、７．６８（ｄ、１Ｈ）、７．５３（ｓ、１Ｈ）、７．０６（ｄ、１Ｈ）、７．０２（ｓ、１Ｈ）、６．８５（ｄ、１Ｈ）、６．６６（ｄ、１Ｈ）、４．８３（ｓ、２Ｈ）、４．７９（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）
【0164】
＜化合物Ｃ－３の合成＞
【0165】
化合物Ｃ－３ｈ １．１ｇをベンゼン１００ｍｌに入れた後、アンバーリスト１５（Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ １５）４．４ｇを入れて、ｄｅａｎ－ｓｔａｒｋ装置を連結した後、２４時間還流する。生成された固体をろ過した後、酢酸エチル及びメチレンジクロライドで洗浄し、乾燥して、化合物Ｃ－３を得た。
ＭＳ（ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ、ｍ／ｚ）６９８．１９７（Ｍ＋）
ＭＳ（ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ、ｍ／ｚ）６９８．１９７（Ｍ＋）
【0166】
≪合成例２≫
【0167】
［反応式６］
【化C6】
【0168】
＜化合物５ｂの合成＞
【0169】
（５－ブロモセレノフェン－２－イル）（ｔ－ブチル）ジメチルシラン（５－ｂｒｏｍｏｓｅｌｅｎｏｐｈｅｎ－２－ｙｌ）（ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）（５ｇ、１５．４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍｌに溶かした後、－７８℃で冷却する。そこにリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ、２．０Ｍ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｉｎ ＴＨＦ）（１１．５７ｍｌ、２３．１３ｍｍｏｌ）を加えて、２時間攪拌した後、化合物５ａ（２．１６ｇ、１２．８５ｍｍｏｌ）を入れた後、常温まで徐々に引き上げて、１２時間攪拌する。そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加え、酢酸エチルで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物５ｂを得た。収率は７１％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３５（ｄ、１Ｈ）、７．２６（ｄ、１Ｈ）、７．２２（ｄ、１Ｈ）、６．３６（ｓ、１Ｈ）、２．８（ｓ、１Ｈ）、０．９２（ｓ、９Ｈ）、０．２３（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３５（ｄ、１Ｈ）、７．２６（ｄ、１Ｈ）、７．２２（ｄ、１Ｈ）、６．３６（ｓ、１Ｈ）、２．８（ｓ、１Ｈ）、０．９２（ｓ、９Ｈ）、０．２３（ｓ、６Ｈ）
【0170】
＜化合物５ｃの合成＞
【0171】
化合物５ｂ（５．４ｇ、１０．９７ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライドに溶かした後、０℃で冷却する。そこにヨウ化亜鉛（ＺｎＩ２、５．６ｇ、１７．５５ｍｍｏｌ）及びシアノ水素化ホウ素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ ｃｙａｎｏｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ、４．８ｇ、７６．７６ｍｍｏｌ）を入れて、常温まで徐々に引き上げた。次に、１２時間攪拌後、そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加え、メチレンジクロライドで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物５ｃを得た。収率は８２％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３３（ｓ、１Ｈ）、７．３１（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、１Ｈ）、７．１１（ｓ、１Ｈ）、４．３９（ｓ、２Ｈ）、０．９１（ｓ、９Ｈ）、）、０．２４（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．３３（ｓ、１Ｈ）、７．３１（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、１Ｈ）、７．１１（ｓ、１Ｈ）、４．３９（ｓ、２Ｈ）、０．９１（ｓ、９Ｈ）、）、０．２４（ｓ、６Ｈ）
【0172】
＜化合物５ｄの合成＞
【0173】
１，２－ジメチルホルムアミド（１６．２５ｍｌ、２０９．９ｍｍｏｌ）を１Ｌフラスコに入れた後、０℃で冷却する。そこに塩化ホスホリル（ｐｈｏｓｐｈｏｒｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅ、９．８１ｍｌ、１０４．９４ｍｍｏｌ）を徐々に添加した後、２時間攪拌する。そこに化合物５ｃを１，２－ジクロロエタン（１，２－ｄｉｃｈｌｏｒｏｅｔｈａｎｅ、２５０ｍｌ）に溶かして入れた後、１００℃で加熱する。２時間後、そこに１Ｎ水酸化ナトリウム溶液（１Ｎ ＮａＯＨ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を入れて塩基化した後、クロロホルムで抽出する。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物５ｄを得た。収率は４９％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ９．９３（ｓ、１Ｈ）、７．８６（ｓ、１Ｈ）、７．３６（ｓ、１Ｈ）、７．１６（ｓ、１Ｈ）、４．４４（ｓ、２Ｈ）、０．９１（ｓ、９Ｈ）、）、０．２５（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ９．９３（ｓ、１Ｈ）、７．８６（ｓ、１Ｈ）、７．３６（ｓ、１Ｈ）、７．１６（ｓ、１Ｈ）、４．４４（ｓ、２Ｈ）、０．９１（ｓ、９Ｈ）、）、０．２５（ｓ、６Ｈ）
【0174】
＜化合物５ｅの合成＞
【0175】
２－（５－ブロモチオフェン－２－イル）－５－ドデシルベンゼン（（２－（５－ｂｒｏｍｏｔｈｉｏｐｈｅｎ－２－ｙｌ）－５－ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅ））（５．２５ｇ、１２．９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）７００ｍｌに溶かした後、－７８℃で冷却する。そこにリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ、２．０Ｍ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｉｎ ＴＨＦ）（９．７ｍｌ、１９．３ｍｍｏｌ）を加え、２時間攪拌した後、化合物５ｄ（６．５ｇ、１２．９ｍｍｏｌ）を入れた後、常温まで徐々に引き上げて、１２時間攪拌する。そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加え、酢酸エチルで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物５ｅを得た。収率は３４％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．４５（ｄ、２Ｈ）、７．３４（ｓ、１Ｈ）、７．１９（ｓ、１Ｈ）、７．１７（ｄ、２Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、７．０７（ｓ、１Ｈ）、６．３９（ｓ、１Ｈ）、４．３７（ｓ、２Ｈ）、２．７５（ｔ、２Ｈ）、２．７３（ｓ、１Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２５（ｍ、１８Ｈ）、０．９０（ｓ、９Ｈ）、０．８８（ｔ、３Ｈ）、０．２３（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．４５（ｄ、２Ｈ）、７．３４（ｓ、１Ｈ）、７．１９（ｓ、１Ｈ）、７．１７（ｄ、２Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、７．０７（ｓ、１Ｈ）、６．３９（ｓ、１Ｈ）、４．３７（ｓ、２Ｈ）、２．７５（ｔ、２Ｈ）、２．７３（ｓ、１Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２５（ｍ、１８Ｈ）、０．９０（ｓ、９Ｈ）、０．８８（ｔ、３Ｈ）、０．２３（ｓ、６Ｈ）
【0176】
＜化合物５ｆの合成＞
【0177】
化合物５ｅ（４．０ｇ、４．４ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライドに溶かした後、０℃で冷却する。次に、ヨウ化亜鉛（ＺｎＩ２、２．２ｇ、７．０ｍｍｏｌ）及びシアノ水素化ホウ素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ ｃｙａｎｏｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ、１．９ｇ、３０．８ｍｍｏｌ）を入れて、常温まで徐々に引き上げた。１２時間攪拌後、そこにアンモニウムクロリド飽和溶液３０ｍＬを加え、メチレンジクロライドで抽出した後、水で数回洗浄した。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物５ｅを得た。収率は４３％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．４０（ｄ、２Ｈ）、７．３３（ｓ、１Ｈ）、７．１５（ｄ、２Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、７．０３（ｓ、１Ｈ）、７．０２（ｓ、１Ｈ）、４．３５（ｓ、２Ｈ）、４．３３（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．６４（ｔ、２Ｈ）、１．２５（ｍ、１８Ｈ）、０．９０（ｓ、９Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）、０．２３（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．４０（ｄ、２Ｈ）、７．３３（ｓ、１Ｈ）、７．１５（ｄ、２Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、７．０３（ｓ、１Ｈ）、７．０２（ｓ、１Ｈ）、４．３５（ｓ、２Ｈ）、４．３３（ｓ、２Ｈ）、２．７６（ｔ、２Ｈ）、１．６４（ｔ、２Ｈ）、１．２５（ｍ、１８Ｈ）、０．９０（ｓ、９Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）、０．２３（ｓ、６Ｈ）
【0178】
＜化合物５ｇの合成＞
【0179】
化合物５ｆ（１．７ｇ、１．９０ｍｍｏｌ）をＮ－メチル－２－ピロリドン３０ｍｌに入れた後、そこにシアン化銅（ＣｕＣＮ、０．６６ｇ、７．５９ｍｍｏｌ）を入れた。上記混合物をマイクロウェーブ装置に入れて、１８０℃で２時間反応させた。次に、反応溶液を１Ｎ塩酸溶液（１Ｎ ＨＣｌ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）に入れて、３０分間攪拌した後、クロロホルムで抽出する。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物５ｇを得た。収率は７４％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．５１（ｓ、１Ｈ）、７．３９（ｄ、２Ｈ）、７．２４（ｓ、１Ｈ）、７．１８（ｄ、２Ｈ）、７．１１（ｓ、１Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、４．５９（ｓ、２Ｈ）、４．５４（ｓ、２Ｈ）、２．７７（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．９０（ｓ、９Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）、０．２４（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ７．５１（ｓ、１Ｈ）、７．３９（ｄ、２Ｈ）、７．２４（ｓ、１Ｈ）、７．１８（ｄ、２Ｈ）、７．１１（ｓ、１Ｈ）、７．０９（ｓ、１Ｈ）、４．５９（ｓ、２Ｈ）、４．５４（ｓ、２Ｈ）、２．７７（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２９（ｍ、１８Ｈ）、０．９０（ｓ、９Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）、０．２４（ｓ、６Ｈ）
【0180】
＜化合物５ｈの合成＞
【0181】
化合物５ｇ（１．０ｇ、１．２ｍｍｏｌ）をメチレンジクロライド１５０ｍｌに溶かした後、０℃で冷却する。そこに水素化ジイソブチルアルミニウム（Ｄｉｉｓｏｂｕｔｙｌａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｈｙｄｒｉｄｅ、１Ｍ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｉｎ ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ、３．８ｍｌ、３．８ｍｍｏｌ）を加えた後、徐々に温度を引き上げた。３時間後、そこに５％クエン酸溶液（５％ ｃｉｔｒｉｃ ａｃｉｄ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を入れて反応を終了した後、クロロホルムで抽出する。次に、硫酸マグネシウムで乾燥してろ過した後、溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物５ｈを得た。収率は８０％である。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ１０．０８（ｓ、１Ｈ）、１０．０７（ｓ、１Ｈ）、７．８５（ｓ、１Ｈ）、７．５４（ｓ、１Ｈ）、７．４３（ｄ、２Ｈ）、７．１８（ｄ、２Ｈ）、７．０７（ｓ、１Ｈ）、７．０６（ｓ、１Ｈ）、４．８１（ｓ、２Ｈ）、４．７６（ｓ、２Ｈ）、２．７７（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２５（ｍ、１８Ｈ）、０．９０（ｓ、９Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）、０．２５（ｓ、６Ｈ）
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δｐｐｍ１０．０８（ｓ、１Ｈ）、１０．０７（ｓ、１Ｈ）、７．８５（ｓ、１Ｈ）、７．５４（ｓ、１Ｈ）、７．４３（ｄ、２Ｈ）、７．１８（ｄ、２Ｈ）、７．０７（ｓ、１Ｈ）、７．０６（ｓ、１Ｈ）、４．８１（ｓ、２Ｈ）、４．７６（ｓ、２Ｈ）、２．７７（ｔ、２Ｈ）、１．６５（ｔ、２Ｈ）、１．２５（ｍ、１８Ｈ）、０．９０（ｓ、９Ｈ）、０．８７（ｔ、３Ｈ）、０．２５（ｓ、６Ｈ）
【0182】
＜化合物５の合成＞
【0183】
化合物５ｈ ０．８６ｇをベンゼン６０ｍｌに入れた後、そこにアンバーリスト１５（Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ １５）１．８ｇを入れて、ｄｅａｎ－ｓｔａｒｋ装置を連結した後、２４時間還流する。生成された固体をろ過し、酢酸エチル及びメチレンジクロライドで洗浄した後、乾燥して、化合物５を得た。
ＭＳ（ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ、ｍ／ｚ）６４４．２５６（Ｍ＋）
ＭＳ（ＭＡＬＤＩ－ＴＯＦ－ＭＳ、ｍ／ｚ）６４４．２５６（Ｍ＋）
【0184】
≪有機薄膜の形成≫
【0185】
＜製造例１＞
【0186】
ＳｉＯ２が３０００Åで覆われたシリコンウェハの上に合成例１で得られた化合物を基板温度１７０℃で真空気相蒸着により５００Å厚さの有機薄膜を製造する。
【0187】
＜比較製造例１－１＞
【0188】
合成例１で得られた化合物の代わりに、比較合成例１で得られた化合物を使用して製造例１と同様の方法で、有機薄膜を製造する。
【0189】
＜比較製造例１－２＞
【0190】
合成例１で得られた化合物の代わりに、比較合成例２で得られた化合物を使用して製造例１と同様の方法で、有機薄膜を製造する。
【0191】
＜製造例２＞
【0192】
ＳｉＯ２が３０００Åで覆われたシリコンウェハの上に合成例２で得られた化合物を基板温度１３５℃で真空気相蒸着により５００Å厚さの有機薄膜を製造する。
【0193】
＜評価Ｉ＞
【0194】
製造例と比較製造例による有機薄膜の結晶性を確認する。
【0195】
有機薄膜の結晶性は、ＢＲＵＫＥＲ社製のＤ８ ＡＤＶＡＮＣＥ装置で測定して得られたＸＲＤスペクトルピークの半値幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ、ＦＷＨＭ）を比較することで確認する。
【0196】
図２は、製造例１による有機薄膜のＸＲＤグラフであり、図３は、比較製造例１－１による有機薄膜のＸＲＤグラフであり、図４は、比較製造例１－２による有機薄膜のＸＲＤグラフであり、図５は、製造例２による有機薄膜のＸＲＤグラフである。
【0197】
図２～図４を比べると、製造例１による有機薄膜は、比較製造例１－１、１－２による有機薄膜と比べて、結晶性が高いことを確認することができた。同様に、図５を参照すると、製造例２による有機薄膜は、高い結晶性を示すことを確認することができた。このことから、非対称コア構造を有する縮合多環芳香族化合物は、対称コア構造を有する縮合多環芳香族化合物と比べて結晶性が高いことを確認することができた。
【0198】
＜評価ＩＩ＞
【0199】
製造例１、２で得られた有機薄膜の熱特性を確認する。
【0200】
有機薄膜の熱特性は、ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｄｉｓｃｏｖｅｒｙ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ（Ｄｉｓｃｏｖｅｒｙ ＤＳＣ）で確認する。
【0201】
その結果は表１の通りである。
【0202】
【表1】
【0203】
表１を参照すると、製造例１、２で得られた有機薄膜は、所定温度で液晶相として存在する区間を確認することができ、このことから、熱処理によって液晶相区間で分子の配列性を向上させることができることを予測することができる。
【0204】
≪薄膜トランジスタの製造≫
【0205】
＜実施例１－１＞
【0206】
先ず、洗浄されたＳｉＯ２が３０００Åで覆われたシリコンウェハ基板をＯ２プラズマに露出させた後、ヘキサン４ｍＭ濃度に希釈させたオクタデシルトリクロロシラン溶液に浸して、表面を疎水性に変化させる。次に、合成例１で得られた化合物を基板温度１７０℃で真空気相蒸着により５００Å厚さに蒸着して、有機半導体を形成する。次に、有機半導体の上にシャドーマスクを使用して、金（Ａｕ）でソース及びドレイン電極を１０００Å厚さに蒸着して、薄膜トランジスタを製作する。
【0207】
＜実施例１－２＞
【0208】
有機半導体を形成する段階で蒸着された有機半導体を窒素グローブボックスの中のホットプレート上で、１２０℃で２時間追加アニーリングを行ったことを除いて、実施例１－１と同様の方法で、薄膜トランジスタを製造する。
【0209】
＜比較例１－１＞
【0210】
合成例１で得られた化合物の代わりに、比較合成例１で得られた化合物を使用したことを除いて、実施例１－１と同様の方法で、薄膜トランジスタを製造する。
【0211】
＜比較例１－２＞
【0212】
有機半導体を形成する段階で蒸着された有機半導体を窒素グローブボックスの中のホットプレート上で、１３５℃で２時間追加アニーリングを行ったことを除いて、比較例１－１と同様の方法で、薄膜トランジスタを製造する。
【0213】
＜比較例２－１＞
【0214】
合成例１で得られた化合物の代わりに、比較合成例２で得られた化合物を使用したことを除いて、実施例１－１と同様の方法で、薄膜トランジスタを製造する。
【0215】
＜実施例２－１＞
【0216】
合成例１で得られた化合物の代わりに、合成例２で得られた化合物を使用したことを除いて、実施例１－１と同様の方法で、薄膜トランジスタを製作する。
【0217】
＜実施例２－２＞
【0218】
有機半導体を形成する段階で蒸着された有機半導体を窒素グローブボックスの中のホットプレート上で、１２０℃で２時間追加アニーリングを行ったことを除いて、実施例２－１と同様の方法で、薄膜トランジスタを製造する。
【0219】
＜評価ＩＩＩ＞
【0220】
実施例及び比較例による薄膜トランジスタの電荷移動度を計算する。
【0221】
薄膜トランジスタの電荷移動度は、飽和領域（ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｒｅｇｉｏｎ）での電流式から（ＩＳＤ）１／２及びＶＧを変数としたグラフを得て、その傾きから求める。
【0222】
【数1】
【0223】
上記の式から、ＩＳＤはソース－ドレイン電流であり、μ又はμＦＥＴは電荷移動度であり、Ｃ０はゲート絶縁膜の静電容量であり、Ｗはチャンネル幅であり、Ｌはチャンネル長さであり、ＶＧはゲート電圧であり、ＶＴはしきい値電圧である。
【0224】
遮断漏れ電流（Ｉｏｆｆ）は、オフ状態のときに流れる電流であって、電流比からオフ状態で最小電流を求めた。電流点滅比（Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ）は、オン状態の最大電流値とオフ状態の最小電流値の比から求めた。
【0225】
その結果は表２及び表３の通りである。
【0226】
【表2】
【0227】
【表3】
【0228】
表２及び表３を参照すると、実施例による薄膜トランジスタは、良好な電荷移動度及び電流点滅比を示すことを確認することができた。また、実施例による薄膜トランジスタは、追加アニーリングによって電荷移動度が更に改善されることを確認することができた。このことから、非対称コア構造及び非対称置換基構造を有する縮合多環芳香族化合物は、良好な電気的特性を示すことを確認することができた。
【0229】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0230】
１１０ 基板
１２４ ゲート電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５４ 有機半導体
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
１２４ ゲート電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５４ 有機半導体
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】