特許 7576201 多層基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-22

(45)【発行日】2024-10-30

(54)【発明の名称】多層基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20241023BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 G

H05K3/46 N

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2024085026

(22)【出願日】2024-05-24

【審査請求日】2024-09-17

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】504112447

【氏名又は名称】ＦＩＣＴ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001726

【氏名又は名称】弁理士法人綿貫国際特許・商標事務所

(72)【発明者】

【氏名】尾崎 徳一

(72)【発明者】

【氏名】宮川 哲郎

(72)【発明者】

【氏名】中川 隆

(72)【発明者】

【氏名】坂井 直樹

【審査官】片岡 弘之

(56)【参考文献】

【文献】特開２００５－１２９８８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０５－１９８９４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－１８８４７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－２４４０６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－３４７７３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０６－２６８３４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２３－１３６２９８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

３層金属箔を構成する第１箔をエッチングして第１箔から構成されるパターン状の第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層上に、前記第１金属層を埋没させるように第１絶縁層を積層する工程と、
前記第１絶縁層上に、平板状の金属層を積層する工程と、
前記平板状の金属層及び前記第１絶縁層を貫通し、前記第１金属層まで達する第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔に対してフィルドめっきを施してめっきビアである第１ビアを形成する工程と、
前記平板状の金属層をエッチングしてパターン状の第２金属層を形成する工程と、
前記パターン状の第２金属層上に、前記パターン状の第２金属層を埋没させるように第２絶縁層を積層する工程と、
３層金属箔を構成する第２箔及び第３箔を除去する工程と、
前記第２絶縁層上に第３絶縁層及び樹脂フィルムを積層する工程と、
第３絶縁層、樹脂フィルム及び前記第２絶縁層を貫通し、前記第２金属層まで達する第２貫通孔を形成する工程と、
前記第２貫通孔に導電性ペーストを充填してペーストビアである第２ビアを形成する工程と、を有する積層体を製造する工程と、
複数の積層体における前記樹脂フィルムを剥離した後、一の積層体の前記第１絶縁層と、他の積層体の前記第２絶縁層とを互いに接合し、前記第３絶縁層を硬化することで、複数の積層体を積層して構成される多層基板を得る工程とを含むことを特徴とする多層基板の製造方法。

【請求項2】

前記第１ビアに対してフィルドめっきを施してめっきビアを形成する工程の後に、
前記第２金属層の厚さを薄くするハーフエッチングを行う工程を実行することを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。

【請求項3】

前記パターン状の第２金属層上に、前記パターン状の第２金属層を埋没させるように第２絶縁層を積層する工程の後に、
前記第２絶縁層上に金属箔を積層する工程と、前記半硬化の第２絶縁層を前記第２金属層及び前記第１絶縁層に圧着させる工程と、圧着後に前記金属箔を除去する工程とを実行することを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、多層基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

多層構造を有する回路基板（以下、「多層基板」と称する場合がある）が一般に広く知られている。

【0003】

例えば、特許文献１（特開２０２３－１３６２９８号公報）には、複数の絶縁層においてめっきビアによって層間接続されている層と、導電性ペーストが充填されたペーストビアによって層間接続されている層とを有している多層基板が開示されている。
この多層基板によれば、導電性ペーストによる層間接続だけでなくめっきビアによる層間接続を含むため層間の抵抗値を下げて許容電流値を向上させることができるとされている。

【0004】

また、特許文献１に記載の多層基板の製造方法によれば、支持体の両面に、３層の金属箔が積層された３層金属箔を接着し、支持体の両面の３層金属箔に対して基板を作り込んでいくことが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０２３－１３６２９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上述したように特許文献１に開示された製造方法においては、支持体の両面に接着した２つの３層金属箔に対して同時に基板を作り込んでいく工程を採用しているが、この方法では製造装置が大型化してしまうためコスト高になってしまう課題がある。
また、支持体と３層金属箔は真空中で保持している必要があるが、もし支持体と３層金属箔との間に隙間が生じてしまうと隙間に薬液等が侵入しやすく、割れが生じる懸念もあった。

【課題を解決するための手段】

【0007】

そこで、本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、製造過程においてコスト高にならず、且つ割れが生じることなく製造可能な多層基板の製造方法を提供することにある。

【0008】

すなわち、開示の多層基板の製造方法によれば、３層金属箔を構成する第１箔をエッチングして第１箔から構成されるパターン状の第１金属層を形成する工程と、前記第１金属層上に、前記第１金属層を埋没させるように第１絶縁層を積層する工程と、前記第１絶縁層上に、平板状の金属層を積層する工程と、前記平板状の金属層及び前記第１絶縁層を貫通し、前記第１金属層まで達する第１貫通孔を形成する工程と、前記第１貫通孔に対してフィルドめっきを施してめっきビアである第１ビアを形成する工程と、前記平板状の金属層をエッチングしてパターン状の第２金属層を形成する工程と、前記パターン状の第２金属層上に、前記パターン状の第２金属層を埋没させるように第２絶縁層を積層する工程と、３層金属箔を構成する第２箔及び第３箔を除去する工程と、前記第２絶縁層上に第３絶縁層及び樹脂フィルムを積層する工程と、前記第３絶縁層、前記樹脂フィルム及び前記第２絶縁層を貫通し、前記第２金属層まで達する第２貫通孔を形成する工程と、前記第２貫通孔に導電性ペーストを充填してペーストビアである第２ビアを形成する工程と、を有する積層体を製造する工程と、複数の積層体における前記樹脂フィルムを剥離した後、一の積層体の前記第１絶縁層と、他の積層体の前記第２絶縁層とを互いに接合し、前記第３絶縁層を硬化することで、複数の積層体を積層して構成される多層基板を得る工程とを含むことを特徴とする。
この方法によれば、従来の技術と比較して製造装置を大型化せずに製造可能であり、また製造過程における基板の割れを生じさせないようにできる。

【0009】

また、前記第１ビアに対してフィルドめっきを施してめっきビアを形成する工程の後に、前記第２金属層の厚さを薄くするハーフエッチングを行う工程を含む。
この方法によれば、フィルドめっき時に第２金属層が厚くなってしまうため、パターン状の第２金属層を形成する前に、第２金属層を適正な厚さにすることができる。

【0010】

また、前記パターン状の第２金属層上に、前記パターン状の第２金属層を埋没させるように第２絶縁層を積層する工程の後に、前記第２絶縁層上に金属箔を積層する工程と、前記半硬化の第２絶縁層を前記第２金属層及び前記第１絶縁層に圧着させる工程と、圧着後に前記金属箔を除去する工程とを実行する。
この方法によれば、第２絶縁層の表面を平坦化し、且つ確実にパターン状の第２金属層と第１絶縁層に接合させて積層体を得ることができる。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、製造装置を大型化しなくても製造可能であるためコスト高にならず、製造過程において割れを生じさせない多層基板の製造方法を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本実施形態における多層基板を製造する方法によって製造された多層基板の一例を示す概略断面図である。

【図2】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１）である。

【図3】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その２）である。

【図4】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その３）である。

【図5】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その４）である。

【図6】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その５）である。

【図7】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その６）である。

【図8】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その７）である。

【図9】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その８）である。

【図10】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その９）である。

【図11】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１０）である。

【図12】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１１）である。

【図13】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１２）である。

【図14】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１３）である。

【図15】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１４）である。

【図16】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１５）である。

【図17】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１６）である。

【図18】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１７）である。

【図19】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１８）である。

【図20】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その１９）である。

【図21】本実施形態における多層基板を製造する方法の一例を示す概略断面図（その２０）である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、図面を参照して、本実施形態における多層基板１００の製造方法について詳しく説明する。
図１には、本実施形態における製造方法によって製造された多層基板１００の概略断面図を示す。

【0014】

また、多層基板１００において、便宜上、図面における上下方向に基づいて「上面」又は「下面」と記載する場合があるが、多層基板１００における上面及び下面は、実際の上下の向きとは一致していない場合も含むものである。さらに、多層基板１００において、「側面」と記載する場合があるが、側面とは、上記した上面及び下面に対しての側面であることを意味する。

【0015】

（多層基板）
本実施形態における多層基板１００は、図１に示すように、積層体５６が複数積層された構成である。より具体的には、多層基板１００は、複数の積層体５６と、最上層に位置するパターン化した金属層７２と、最下層に位置する積層体６８とを備えている。

【0016】

各積層体５６は、第１絶縁層２６と、第１絶縁層２６の第１表面２６ａ側（図１では上面）に積層された第２絶縁層４２と、第２絶縁層４２の上面に積層された第３絶縁層４８とを有している。

【0017】

各積層体５６において、第１絶縁層２６の第１表面２６ａにパターン状の第２金属層４０が形成され、第２表面２６ｂにパターン状の第１金属層２２が形成されている。第２金属層４０は第１絶縁層２６の上面に位置する第２絶縁層４２に埋め込まれており、第１金属層２２は第１絶縁層２６に埋め込まれている。
第１絶縁層２６を貫通する第１ビア３４はめっきビアであって第２金属層４０と第１金属層２２を電気的に接続している。

【0018】

また、各積層体５６において、第３絶縁層４８と第２絶縁層４２を貫通する第２ビア５４は、導電性ペーストが充填されたペーストビアであって、第２金属層４０と他の積層体５６の第１金属層２２とを電気的に接続している。
第２絶縁層４２の上面に積層されている第３絶縁層４８は、他の積層体５６を積層させる際の接着層としての役割を有する。

【0019】

多層基板１００は、金属層が偶数層の場合、上述してきた積層体５６とは異なる積層体６８が最下層に積層されている。

【0020】

積層体６８は、一例として、下面にパターン状の下面金属層７４が形成された第４絶縁層６４と、第４絶縁層６４上に積層された第５絶縁層６６と、第４絶縁層６４及び第５絶縁層６６とを貫通して形成された第３ビア５８とを有している。また、下面金属層７４は、第３ビア５８を介して、直上の積層体５６の下面の第１金属層２２と電気的に接続されている。

【0021】

第５絶縁層６６は、直上の積層体５６を積層させる際の接着層としての役割を有する。
また、第３ビア５８は、上記した第２ビア５４と同様の導電性ペーストを充填したペーストビアとすることができる。
下面金属層７４は、第４絶縁層６４から露出していることが好ましい。

【0022】

多層基板１００は、金属層が奇数層の場合、上述した積層体６８が積層されておらず、最下層の積層体５６の構成が異なる（不図示）。すなわち、最下層の積層体５６の第１金属層２２は、第１絶縁層２６から露出していることが好ましい。

【0023】

（多層基板の製造方法）
以下、多層基板１００の製造方法について詳しく説明する。

【0024】

図２に示すように、先ず、３層金属箔１０を用意する。３層金属箔１０は、一例として、銅箔１２と、銅箔１２とは異なる金属箔１４と、金属製支持体（特に、銅製支持体）１６とがこの順で積層されている。金属箔１４は、銅箔１２、銅製支持体１６に対しては反応しない選択エッチング剤により選択エッチングが可能な金属であれば特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。なお特許請求の範囲でいう第１箔が銅箔１２、第２箔が金属箔１４、第３箔が金属製支持体１６に該当する。

【0025】

次いで、図３～図５に示すように、３層金属箔１０に対して、第１金属層２２を形成する。
具体的には、図３に示すように、銅箔１２の表面に対してフィルム状のドライフィルムレジスト１８を貼付けし、第１金属層２２のパターン状に対応する所定のパターンで感光させて不要部分を除去する。
次いで、図４に示すように、エッチング（ハーフエッチング）することにより、銅箔１２を所定のパターン状の第１金属層２２に形成する。
次いで、図５に示すように、第１金属層２２の表面からドライフィルムレジスト１８を除去する。

【0026】

なお、第１金属層２２としては、一例として、厚さ１０μｍ～６０μｍ程度に形成されているが、これに限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。
また、第１金属層２２に対して表面の粗面化処理を施して、下記の第１絶縁層２６の積層時に第１絶縁層２６との密着性を高めてもよい。

【0027】

次いで、図６に示すように、第１金属層２２上に当該第１金属層２２を埋没させるように第１絶縁層２６を積層する。次いで、平板状の金属層２８を第１絶縁層２６上に積層する。

【0028】

第１絶縁層２６は、通常、平板状である。第１絶縁層２６の平均厚みとしては、一例として、１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよいし、３０μｍ以上１００μｍ以下であってもよいが、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

【0029】

また、第１絶縁層２６は、多層基板で用いられる絶縁層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第１絶縁層２６は、一例として、ガラスクロス等を用いた無機織布、無機不織布等の無機基材、有機織布、有機不織布等の有機基材により硬度強化された基材等を採用することができる。

【0030】

また、第１絶縁層２６は、より具体的には、一例として、ガラスエポキシ基材（エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス不織布基材）、ビスマレイミドトリアジン樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたアラミド不織布基材、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を浸み込ませたガラス織布基材等を採用することができる。

【0031】

なお、第１絶縁層２６上に積層する平板状の金属層２８としては、例えば銅などを採用することができる。

【0032】

次いで、図７～図１１に示すように、第１絶縁層２６に対して第１ビア３４を形成する。
具体的には、先ず、図７に示すように、金属層２８の表面に対してフィルム状のドライフィルムレジスト３０を貼付けし、第１ビア３４の第１貫通孔３２の開口に対応する箇所を感光させて不要部分を除去する。
次いで、図８に示すように、エッチング（ハーフエッチング）することにより、金属層２８から第１貫通孔３２に対応する箇所を除去し、貫通孔３２に対応する箇所以外に金属層２８を形成する。
次いで、図９に示すように、金属層２８の表面からドライフィルムレジスト３０を除去する。

【0033】

次いで、図１０に示すように、第１絶縁層２６を貫通し、第１金属層２２を底部とする有底の第１貫通孔３２を穿孔する。第１貫通孔３２は、一例として、レーザ加工によって行うことができる。レーザ加工の種類としては、ＣＯ_２レーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられるが、これに限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。

【0034】

次いで、図１１に示すように、めっき処理により、第１貫通孔３２内及び金属層２８に対してフィルドめっきを施し、めっきビアである第１ビア３４を形成する。
なお、フィルドめっきによって金属層２８が厚くなり過ぎる場合があるため、図１２に示すように、ハーフエッチングを施し、金属層２８が所定の厚さとなるまで調整することが好ましい。

【0035】

次いで、図１３～図１４に示すように、第１絶縁層２６の第１表面２６ａ上に第２金属層４０を形成する。具体的には、図１３に示すように、ハーフエッチング後の金属層２８の表面に対してフィルム状のドライフィルムレジスト３８を貼付けし、第２金属層４０のパターン状に対応する所定のパターンで感光させて不要部分を除去する。
次いで、図１４に示すように、エッチング（ハーフエッチング）することにより、金属層２８を所定のパターン状の第２金属層４０に形成し、第２金属層４０の表面からドライフィルムレジスト１８を除去する。

【0036】

なお、第２金属層４０は、一例として、厚さ１０μｍ～６０μｍ程度に形成されているが、これに限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。
また、第２金属層４０に対して表面の粗面化処理を施して、下記の第２絶縁層４２の積層時に第２絶縁層４２との密着性を高めてもよい。

【0037】

次いで、図１５に示すように、第２金属層４０が埋没するように、第１絶縁層２６上に第２絶縁層４２を積層する。さらに、第２絶縁層４２上に、金属層４６を積層し、金属層４６が積層された状態で第１金属層２６と第２絶縁層４２を圧着する。これにより、第２絶縁層４２の平坦性が確保され、多層基板の信頼性を向上させることができる。

【0038】

第２絶縁層２４の平均厚みとしては、一例として、１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよいし、３０μｍ以上１００μｍ以下であってもよいが、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

【0039】

第２絶縁層４２は、多層基板で用いられる絶縁層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第２絶縁層４２は、一例として、ガラスクロス等を用いた無機織布、無機不織布等の無機基材、有機織布、有機不織布等の有機基材により硬度強化された基材等を採用することができる。

【0040】

また、第２絶縁層４２は、より具体的には、一例として、ガラスエポキシ基材（エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス不織布基材）、ビスマレイミドトリアジン樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたアラミド不織布基材、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を浸み込ませたガラス織布基材等を採用することができる。

【0041】

次いで、図１６に示すように、エッチングにより、金属層４６及び３層金属箔１０の下面に位置していた金属製支持体１６を除去し、その後、図１７に示すように、エッチングにより、３層金属箔１０の中間層に位置していた金属箔１４を除去する。

【0042】

なお、図１７の時点で、第１金属層２２は下方に露出しているため、ここで第１金属層２２の粗面化処理を行い、他の積層体５６との積層時における密着性を高めてもよい。

【0043】

次いで、図１８に示すように、第２絶縁層４２に対して第３絶縁層４８を積層する。より具体的には、第２絶縁層４２上に接着層の役割を有する第３絶縁層４８と、第３絶縁層４８の表面を保護する樹脂フィルム５０が積層される。また、第３絶縁層４８と樹脂フィルム５０は予め一体化されたシート状であってもよい。

【0044】

第３絶縁層４８としては、熱硬化性樹脂を採用することができ、一例としてガラスエポキシプリプレグを採用することができる。

【0045】

次いで、図１９～図２０に示すように、第２絶縁層４２、第３絶縁層４８及び樹脂フィルム５０に対して第２ビア５４を形成する。
具体的には、図１９に示すように、第２絶縁層４２、第３絶縁層４８及び樹脂フィルム５０を貫通し、第２金属層４０を底部とする有底の第２貫通孔５２を穿孔する。第２貫通孔５２は、一例として、レーザ加工によって行うことができる。レーザ加工の種類としては、ＣＯ_２レーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられるが、これに限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。
次いで、図２０に示すように、第２貫通孔５２に対して導電性ペーストを充填し、その後、樹脂フィルム５０を剥離する。
このため、第２ビア５４は、導電性ペースト５４によるペーストビアとして形成され、また樹脂フィルム５０を剥離することで樹脂フィルム５０の厚さ分だけ、導電性ペーストが第３絶縁層４８よりも上方に突出する。導電性ペーストが第３絶縁層４８から突出するため、導電性ペーストを他の積層体５６の第１金属層２２に確実に接合させることができる。
ここまでの工程により、積層体５６が完成する。

【0046】

次いで、図２１に示すように、複数の積層体５６を積層する。より具体的には、多層基板１００が偶数層（多層基板が含む金属層が偶数層）の場合には、金属層７０、複数の積層体５６、及び積層体６８をこの順で積層し熱圧着させる。熱圧着することで各第３絶縁層４８と、積層体６８の第５絶縁層６６が硬化し、各積層体５６の間と積層体５６と積層体６８とが積層される。
図２１に示す例は、多層基板１００が偶数層の場合である。

【0047】

なお、積層体６８の製造方法については図示しないが以下の通りの方法で製造される。
まず、金属層６０の上面に第４絶縁層６４、第５絶縁層６６を積層する。ただし第５絶縁層６６上には樹脂フィルム（不図示）を積層させておき、積層体５６との積層時に剥離するとよい。
第４絶縁層６４と第５絶縁層６６を貫通し、金属層６０を底部とする有底の貫通孔を穿孔したうえで、貫通孔に導電性ペーストを充填してペーストビアとしての第３ビア５８を形成する。

【0048】

貫通孔は、一例として、レーザ加工によって行うことができる。レーザ加工の種類としては、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられるが、これに限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。

【0049】

第４絶縁層６４としては、第１絶縁層２６や第２絶縁層４２と同様に多層基板で用いられる絶縁層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。一例として、ガラスクロス等を用いた無機織布、無機不織布等の無機基材、有機織布、有機不織布等の有機基材により硬度強化された基材等を採用することができる。

【0050】

また、第４絶縁層６４は、より具体的には、一例として、ガラスエポキシ基材（エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス不織布基材）、ビスマレイミドトリアジン樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたアラミド不織布基材、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を浸み込ませたガラス織布基材等を採用することができる。

【0051】

第５絶縁層６６としては、熱硬化性樹脂を採用することができ、一例としてガラスエポキシプリプレグを採用することができる。

【0052】

なお、多層基板１００が奇数層（多層基板が含む金属層が奇数層）の場合には、金属層７０、複数の積層体５６、及びエッチング前の第１金属層２２が第１絶縁層２６から露出した積層体（不図示）をこの順で積層し、熱圧着させる。上記いずれの場合であっても、一の積層体５６における第２ビア５４は、金属層７０又は他の積層体の５６における第１金属層２２に対して電気的に接続される。

【0053】

次いで、すでに図１で示したように、エッチングにより、積層後（熱圧着後）の多層基板１００の金属層７０及び金属層６０を所定のパターン状の上面金属層７２及び下面金属層７４に形成する。
これにより、多層基板１００が完成する。

【0054】

上述してきた多層基板１００は、マザーボード、インターポーザ、半導体素子を構成する回路基板としても使用可能である。

【0055】

なお、本発明は、以上説明した実施形態に限定されず、本発明を逸脱しない範囲において種々変更可能である。

【符号の説明】

【0056】

１０ ３層金属箔
１２ 銅箔
１４ 金属箔
１６ 金属製支持体
１８ ドライフィルムレジスト
２２ 第１金属層
２６ 第１絶縁層
２６ａ 第１表面
２６ｂ 第２表面
２８ 金属層
３０ ドライフィルムレジスト
３２ 第１貫通孔
３４ 第１ビア
３８ ドライフィルムレジスト
４０ 第２金属層
４２ 第２絶縁層
４６ 金属層
４８ 第３絶縁層
５０ 樹脂フィルム
５２ 第２貫通孔
５４ 第２ビア
５６ 積層体
５８ 第３ビア
６０ 金属層
６４ 第４絶縁層
６６ 第５絶縁層
６８ 積層体
７０ 金属層
７２ 上面金属層
７４ 下面金属層
１００ 多層基板

【要約】

【課題】製造過程においてコスト高にならず、且つ割れが生じることなく製造可能な多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】３層金属箔１０を構成する第１箔１２をエッチングしてパターン状の第１金属層２２を形成し、第１金属層２２を埋没させるように第１絶縁層２６を積層し、めっきビアである第１ビア３４を形成し、第１絶縁層２６上にパターン状の第２金属層４０を形成し、第２金属層４０を埋没させるように第２絶縁層４２を積層し、３層金属箔１０を構成する第２箔１４及び第３箔１６を除去し、第２絶縁層４２上に第３絶縁層４８及び樹脂フィルム５０を積層し、第２絶縁層４２にペーストビアである第２ビア５４を形成して積層体５６を製造し、複数の積層体を積層して多層基板１００を得る。
【選択図】図２１

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】