特許 7576430 自発光パネル、表示装置、および、自発光パネルの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-23

(45)【発行日】2024-10-31

(54)【発明の名称】自発光パネル、表示装置、および、自発光パネルの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/122 20230101AFI20241024BHJP

   H05B 33/14 20060101ALI20241024BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20241024BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20241024BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20241024BHJP

   H05B 33/02 20060101ALI20241024BHJP

   H10K 50/115 20230101ALI20241024BHJP

   H10K 59/82 20230101ALI20241024BHJP

   H10K 71/12 20230101ALI20241024BHJP

   H10K 71/60 20230101ALI20241024BHJP

   H10K 71/70 20230101ALI20241024BHJP

   H10K 77/10 20230101ALI20241024BHJP

   H10K 59/124 20230101ALI20241024BHJP

   H10K 50/80 20230101ALI20241024BHJP

【ＦＩ】

H10K59/122

H05B33/14 Z

H05B33/10

G09F9/00 338

G09F9/30 365

G09F9/30 349Z

H05B33/02

H10K50/115

H10K59/82

H10K71/12

H10K71/60

H10K71/70

H10K77/10

H10K59/124

H10K50/80

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2020186615

(22)【出願日】2020-11-09

(65)【公開番号】P2022076272

(43)【公開日】2022-05-19

【審査請求日】2023-11-08

(73)【特許権者】

【識別番号】523290528

【氏名又は名称】ＪＤＩ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ 合同会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001900

【氏名又は名称】弁理士法人 ナカジマ知的財産綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】重松 沙樹

【審査官】藤岡 善行

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－０８９２９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２００８／１４６４７０（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｋ ５０／００ － ９９／００

Ｈ０５Ｂ ３３／００ － ３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上方に配され、第１方向に延伸する複数の隔壁と、
前記基板上方において、隣り合う２つの前記隔壁の間隙に前記第１方向に列設される、第１電極を含む複数の下地層と、
前記第１方向に隣り合った２つの前記下地層の間隙を被覆する画素間規制層と、
前記隔壁の間隙において前記下地層のそれぞれの上に配される、塗布膜である機能層と、
前記機能層の上方に配される第２電極とを備え、
前記下地層のそれぞれは、上面に窪みを有し、
前記複数の下地層は、上面の窪みの少なくとも一部が対応する前記画素間規制層に被覆されていない特定下地層を含み、対応画素間規制層の上面に前記特定下地層側の端から他の下地層まで連続する溝が設けられ、前記特定下地層の上面の窪みの内部に前記機能層と同一の材料からなる塗布層を有し、
前記基板は、前記下地層の下方に配線層を含み、前記下地層と前記配線層とを電気的に接続するコンタクトホールが開設されており、
前記下地層の上面の窪みは、前記コンタクトホールに対応する部分のみが窪んでなる
ことを特徴とする自発光パネル。

【請求項2】

前記基板の上面を基準としたとき、前記画素間規制層の上面の高さは、前記溝の内部において前記下地層の上面の高さより高い
ことを特徴とする請求項１に記載の自発光パネル。

【請求項3】

基板と、
前記基板上方に配され、第１方向に延伸する複数の隔壁と、
前記基板上方において、隣り合う２つの前記隔壁の間隙に前記第１方向に列設される、第１電極を含む複数の下地層と、
前記第１方向に隣り合った２つの前記下地層の間隙を被覆する画素間規制層と、
前記隔壁の間隙において前記下地層のそれぞれの上に配される、塗布膜である機能層と、
前記機能層の上方に配される第２電極とを備え、
前記下地層のそれぞれは、上面に窪みを有し、
前記複数の下地層は、上面の窪みの少なくとも一部が対応する前記画素間規制層に被覆されていない特定下地層を含み、対応画素間規制層の上面に前記特定下地層側の端から他の下地層まで連続する溝が設けられ、前記特定下地層の上面の窪みの内部に前記機能層と同一の材料からなる塗布層を有し、
前記画素間規制層において、前記溝の前記特定下地層側の端と前記特定下地層の窪みは平面視したときに、隣り合う２つの前記隔壁が並ぶ方向である第２方向に重なる位置にない
ことを特徴とする自発光パネル。

【請求項4】

前記基板は、前記下地層の下方に配線層を含み、前記下地層と前記配線層とを電気的に接続するコンタクトホールが開設されており、
前記下地層の上面の窪みは、前記コンタクトホールの一部である
ことを特徴とする請求項３に記載の自発光パネル。

【請求項5】

前記画素間規制層の溝の内部に、前記機能層と同一の材料からなる塗布膜を備える
請求項１から４のいずれか１項に記載の自発光パネル。

【請求項6】

前記下地層と前記第２電極と前記機能層とを含む有機ＥＬ素子が前記基板上に複数形成されている
請求項１から５のいずれか１項に記載の自発光パネル。

【請求項7】

前記機能層は、有機発光材料を含む
請求項６に記載の自発光パネル。

【請求項8】

前記画素間規制層において、前記溝の前記特定下地層側の端と前記特定下地層の窪みは平面視したときに重なる位置にない
請求項１に記載の自発光パネル。

【請求項9】

請求項１から８のいずれか１項に記載の自発光パネルを備える表示装置。

【請求項10】

基板を形成し、
前記基板上方に第１電極を含む下地層を複数形成し、
前記下地層を第１方向に区画する画素間規制層を形成し、
前記下地層を第２方向に区画する隔壁を形成し、
前記隔壁の間隙において前記下地層のそれぞれの上に機能層を塗布により形成し、
前記機能層の上方に第２電極を形成し、
前記下地層の形成において、前記下地層の上面に窪みが形成され、
前記画素間規制層の形成において、前記画素間規制層によって区画される２つの下地層の上方を連通するように溝を形成し、
前記基板は、前記下地層の下方に配線層を含み、前記下地層と前記配線層とを電気的に接続するコンタクトホールが開設されており、
前記下地層の上面の窪みは、前記コンタクトホールに対応する部分のみが窪んでなる
ことを特徴とする自発光パネルの製造方法。

【請求項11】

基板を形成し、
前記基板上方に第１電極を含む下地層を複数形成し、
前記下地層を第１方向に区画する画素間規制層を形成し、
前記下地層を第２方向に区画する隔壁を形成し、
前記隔壁の間隙において前記下地層のそれぞれの上に機能層を塗布により形成し、
前記機能層の上方に第２電極を形成し、
前記下地層の形成において、前記下地層の上面に窪みが形成され、
前記画素間規制層の形成において、前記画素間規制層によって区画される２つの下地層の上方を連通するように溝を形成し、
前記画素間規制層において、前記溝の前記２つの下地層側のそれぞれの端と前記２つの下地層のそれぞれの窪みは平面視したときに前記第２方向に重なる位置にない
ことを特徴とする自発光パネルの製造方法。

【請求項12】

基板を形成し、
前記基板上方に第１電極を含む下地層を複数形成し、
前記下地層を第１方向に区画する画素間規制層を形成し、
前記下地層を第２方向に区画する隔壁を形成し、
前記隔壁の間隙において前記下地層のそれぞれの上に機能層を塗布により形成し、
前記機能層の上方に第２電極を形成し、
前記下地層の形成において、前記下地層の上面に窪みが形成され、
前記画素間規制層の形成は、前記画素間規制層が前記下地層の窪みを完全に覆っているか否かの検査と、前記画素間規制層が前記下地層の窪みを完全に覆っていない場合に当該画素間規制層によって区画される２つの下地層の上方を連通する溝の形成とを含む
ことを特徴とする自発光パネルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、電界発光現象や量子ドット効果を利用した発光素子を用いた自発光パネル、および、その製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ素子、量子ドット効果を利用したＱＬＥＤなどの発光素子を用いた自発光パネルを有する表示装置が普及しつつある。

【0003】

発光素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層が挟まれた構造を有している。現在、発光層を含む機能層を効率よく形成する方法として、機能性材料を含むインクをウェットプロセスで塗布して形成することが行われている。ウェットプロセスでは、真空蒸着装置と比較して製造装置を小型化することができ、また、機能性材料を蒸着する際に使用するシャドウマスクを使用する必要がない。そのため、シャドウマスクの位置合わせ等の作業が必要なく、大型パネルの生成や量産性を考慮したパネルサイズを混合したような大型基板の製造も容易となり、効率の良いパネル生成に適した特徴がある。また蒸着法と異なり、ウェットプロセスでは、高価な発光材料等の機能性材料の使用効率が向上することより、パネル製造コストの低減が可能となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】国際公開第２０１５／１３３０８６号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ウェットプロセスにより製造される自発光パネルでは、撥液性で高さの高い隔壁を平行に設け、隔壁間隙に同一構成の発光素子を複数配置する、いわゆるラインバンクが一般的である。ラインバンク方式では、隔壁により、混色等の意図しないインクの混合を抑止する。その一方で、同一の隔壁間隙に配される発光素子は親液性で高さの低い画素間規制層で区切ることにより、電気的に発光素子間を絶縁しつつ、ウェットプロセスにおいて複数の発光素子の予定領域に機能性材料を含むインクが濡れ広がるようにして、膜厚の均一化を図っている。また、発光素子の基板側の電極である画素電極はコンタクトホールを通じて制御回路と接続されており、画素電極のコンタクトホールに対応する領域は平坦性が低いため、画素間規制層は、一般に、コンタクトホールに対応する領域を被覆する役割も担っている。

【0006】

しかしながら、画素間規制層は画素電極や画素電極上に蒸着やスパッタリングで構成される層（以下、「蒸着層」と呼ぶ。また、画素電極と画素電極上の蒸着層との積層構造を以下「下地層」と呼ぶ）のパターニングとは別工程でパターニングされるため、フォトマスクの位置ずれなどにより、下地層のコンタクトホールに対応する領域が画素間規制層に被覆されず、ウェットプロセスの実行時において露出している場合がある。このような場合にウェットプロセスで機能層を形成すると、コンタクトホールに対応する領域の凹凸によりインクの局在化が発生し、機能層の膜厚が不均一になる課題がある。

【0007】

本開示は、上記課題を鑑みてなされたものであり、機能層を下地層上にウェットプロセスで形成する自発光パネルにおいて、機能層の膜厚を均一化する構成、及び、その製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本開示の一態様に係る自発光パネルは、基板と、前記基板上方に配され、第１方向に延伸する複数の隔壁と、前記基板上方において、隣り合う２つの前記隔壁の間隙に前記第１方向に列設される、第１電極を含む複数の下地層と、前記第１方向に隣り合った２つの前記下地層の間隙を被覆する画素間規制層と、前記隔壁の間隙において前記下地層のそれぞれの上に配される、塗布膜である機能層と、前記機能層の上方に配される第２電極とを備え、前記下地層のそれぞれは、上面に窪みを有し、前記複数の下地層は、上面の窪みの少なくとも一部が対応する前記画素間規制層に被覆されていない特定下地層を含み、対応画素間規制層の上面に前記特定下地層側の端から他の下地層まで連続する溝が設けられ、前記特定下地層の上面の窪みの内部に前記機能層と同一の材料からなる塗布層を有していることを特徴とする。

【発明の効果】

【0009】

上記態様の自発光パネルによれば、上面の窪みの少なくとも一部が画素間規制層に被覆されていない下地層において、機能層の形成時に、下地層の上面の窪みの内部に材料が流れ込むことで失われる機能層の材料を画素間規制層の溝を通じて隣り合う下地層上方から補充することができ、機能層の膜厚を均一化することができる。したがって、上面の窪みの一部または全部が画素間規制層に被覆されていない発光素子の輝度ムラを抑止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。

【図2】実施の形態に係る自発光パネル１０の各副画素１００における回路構成を示す模式図である。

【図3】実施の形態に係る自発光パネル１０の模式平面図である。

【図4】図３におけるＡ０部の拡大平面図である。

【図5】図３におけるＡ１部の拡大平面図である。

【図6】隔壁と画素間規制層を形成した段階におけるＡ０部の一部分の斜視図である。

【図7】隔壁と画素間規制層を形成した段階におけるＡ１部の一部分の斜視図である。

【図8】（ａ）は図４におけるＡ１－Ａ１の模式断面図、（ｂ）は図４におけるＡ２－Ａ２の模式断面図、（ｃ）は図５におけるＡ３－Ａ３の模式断面図である。

【図9】凹部１５が露出していない場合における正孔輸送層の形成過程を示す模式断面図であって、（ａ）は材料インク塗布工程の状態、（ｂ）はインク塗布直後の状態、（ｃ）は成膜が完了した状態を示す。

【図10】凹部１５が露出しており画素間規制層１４Ｘに溝部１４Ｘｂがない場合における正孔輸送層の形成過程を示す模式断面図であって、（ａ）は材料インク塗布工程の状態、（ｂ）はインク塗布直後の状態、（ｃ）は成膜が完了した状態を示す。

【図11】凹部１５が露出しており画素間規制層１４Ｘａに溝部１４Ｘｂが存在する場合における正孔輸送層の形成過程を示す模式断面図であって、（ａ）は材料インク塗布工程の状態、（ｂ）はインク塗布直後の状態、（ｃ）は成膜が完了した状態を示す。

【図12】実施の形態２に係る自発光パネルの製造過程を示すフローチャートである。

【図13】実施の形態２に係る自発光パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、基材上にＴＦＴ層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、ＴＦＴ層上に層間絶縁層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、層間絶縁層上に画素電極材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、画素電極材料層上に正孔注入材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｅ）は、画素電極材料層と正孔注入材料層とがパターニングされて画素電極と正孔注入層の積層構造が形成された状態を示す部分断面図である。

【図14】実施の形態２に係る自発光パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、正孔注入層および層間絶縁層上に隔壁材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、隔壁が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、隔壁の開口部内に正孔輸送層の材料インクが塗布され正孔輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、隔壁の開口部内に発光層の材料インクが塗布され発光層が形成された状態を示す部分断面図である。

【図15】実施の形態２に係る自発光パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、隔壁上及び発光層上に電子輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、電子輸送層上に電子注入層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、電子注入層上に対向電極が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、対向電極上に封止層が形成された状態を示す部分断面図である。

【図16】実施の形態２に係る自発光パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、正孔注入層および層間絶縁層上に画素間規制材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、画素間規制材料層にフォトマスクを用いた露光が行われた状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、溝部以外の画素間規制層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、画素間規制材料層にフォトマスクを用いた露光が行われた状態を示す部分断面図である。（ｅ）は、画素間規制層の溝部周辺が形成された状態を示す部分断面図である。

【図17】実施の形態２に係る自発光パネルの製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、隔壁の開口部内に正孔輸送層の材料インクが塗布された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、隔壁の開口部内に正孔輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、隔壁の開口部内に正孔輸送層の材料インクが塗布された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、隔壁の開口部内に正孔輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。

【図18】変形例に係る画素間規制層の溝部の形状を示す模式平面図である。

【図19】変形例に係る画素間規制層の溝部の形状を示す模式平面図である。

【図20】実施の形態３に係る自発光パネルの製造過程を示すフローチャートである。

【図21】実施の形態３に係る自発光パネルの製造工程の一部を模式的に示す模式平面図である。（ａ）は、画素間規制層の検査工程における状態を示す模式平面図である。（ｂ）は、画素間規制層に溝部が形成された状態を示す模式平面図である。

【図22】変形例に係る溝部の形状を示す模式図であって、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は部分断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

≪本開示の一態様に至った経緯≫
ラインバンク方式では、機能層材料を含むインクを撥液性の隔壁の間隙に塗布し、乾燥させることにより機能層を形成する。以下、このようなウェットプロセスで形成された膜を塗布膜とも呼ぶ。塗布膜の膜厚の均一性を向上させるためには、インクの濡れ広がる範囲が広く流動性が確保されていることが好ましい。したがって、一般的に、同一の隔壁間隙に形成される複数の発光素子に跨るように塗布膜を形成する。その構成を実現するため、同一の隔壁間隙内の発光素子を電気的に絶縁し区画するための画素間規制層が、画素電極及び蒸着型の機能層（下地層）と隣り合う下地層とを区画し、かつ、下地層と連続して塗布膜である機能層の下地となるように設けられる。

【0012】

また、自発光パネルでは、一般に、基板の下層部にＴＦＴ（Thin Film Transistor）などを含む制御回路を設け、制御回路と、基板上の発光素子の２つの電極のうち基板側の電極（以下、「画素電極」と呼ぶ）とを電気的に接続することで制御を容易としている。制御回路と画素電極とは基板の厚み方向に層間絶縁層によって隔てられているため、一般に、画素電極の直下となる位置に制御回路の接続電極を設け、層間絶縁層の接続電極上領域に設けたコンタクトホールを通じて、接続電極と画素電極とを電気的に接続する。一方で、画素電極は層間絶縁層とコンタクトホール上とに跨って形成されるため、特に、コンタクトホール上では窪みが形成されるなど平坦性が低下する。したがって、コンタクトホール直上が発光領域とならないよう、画素電極の端部に対応する位置にコンタクトホールを設け、コンタクトホールに対応する領域が画素間規制層に被覆されるように画素間規制層を設ける設計が行われる。

【0013】

しかしながら、下地層の形成工程と画素間規制層の形成工程とのそれぞれにおいてパターニングが行われるため、フォトマスクのずれ等により、１以上の発光素子において、コンタクトホールに対応する領域が画素間規制層に被覆されず機能層の形成工程において露出したままとなる場合がある。このような場合、ウェット方式で機能層を形成すると、機能層形成工程における乾燥プロセス、特にインクの流動性が失われる乾燥末期において、コンタクトホールに対応する領域に機能層材料が流入しても他の下地層上部からインクが補充されず、当該下地層上に形成される機能層の膜厚が小さくなる。

【0014】

発明者は、上記課題を解決する表示パネルの構造について検討し、本開示に至ったものである。

【0015】

≪開示の態様≫
本開示の一態様に係る自発光パネルは、基板と、前記基板上方に配され、第１方向に延伸する複数の隔壁と、前記基板上方において、隣り合う２つの前記隔壁の間隙に前記第１方向に列設される、第１電極を含む複数の下地層と、前記第１方向に隣り合った２つの前記下地層の間隙を被覆する画素間規制層と、前記隔壁の間隙において前記下地層のそれぞれの上に配される、塗布膜である機能層と、前記機能層の上方に配される第２電極とを備え、前記下地層のそれぞれは、上面に窪みを有し、前記複数の下地層は、上面の窪みの少なくとも一部が対応する前記画素間規制層に被覆されていない特定下地層を含み、対応画素間規制層の上面に前記特定下地層側の端から他の下地層まで連続する溝が設けられ、前記特定下地層の上面の窪みの内部に前記機能層と同一の材料からなる塗布層を有していることを特徴とする。

【0016】

上記態様の自発光パネルによれば、上面の窪みの少なくとも一部が画素間規制層に被覆されていない下地層において、機能層の形成時に、下地層の上面の窪みの内部に材料が流れ込むことで失われる機能層の材料を画素間規制層の溝を通じて隣り合う下地層上方から補充することができ、機能層の膜厚を均一化することができる。したがって、上面の窪みの一部または全部が画素間規制層に被覆されていない発光素子の輝度ムラを抑止することができる。

【0017】

また、本開示の一態様に係る自発光パネルは、前記基板は、前記下地層の下方に配線層を含み、前記下地層と前記配線層とを電気的に接続するコンタクトホールが開設されており、前記下地層の上面の窪みは、前記コンタクトホールの一部である、としてもよい。

【0018】

上記構成により、コンタクトホールに起因する下地層の窪みに関して少なくとも一部が画素間規制層に被覆されていない場合において、窪みの内部に材料が流れ込むことによる機能層の膜厚ムラを抑止し、それによる発光素子の輝度ムラを抑止することができる。

【0019】

また、本開示の一態様に係る自発光パネルは、前記基板の上面を基準としたとき、前記画素間規制層の上面の高さは、前記溝の内部において前記下地層の上面の高さより高い、としてもよい。

【0020】

上記構成により、溝の存在によって第１方向に隣り合う発光素子の間の絶縁性が低下することを抑止し、リーク電流の発生や規制容量の発生等を抑止することができる。

【0021】

また、本開示の一態様に係る自発光パネルは、前記画素間規制層において、前記溝の前記特定下地層側の端と前記特定下地層の窪みは平面視したときに重なる位置にない、としてもよい。

【0022】

上記構成により、画素間規制層の溝を通じて隣り合う下地層上方から補充した機能層の材料が窪みに流れ落ちて失われる事態を抑止することができる。

【0023】

また、本開示の一態様に係る自発光パネルは、前記画素間規制層の溝の内部に、前記機能層と同一の材料からなる塗布膜を備える、としてもよい。

【0024】

上記構成により、機能層の材料の流動性を十分に向上し、機能層の膜厚の均一性を高めることができる。

【0025】

また、本開示の一態様に係る自発光パネルは、前記下地層と前記第２電極と前記機能層とを含む有機ＥＬ素子が前記基板上に複数形成されている、としてもよい。

【0026】

上記構成により、自発光パネルとして、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬパネルを実現できる。

【0027】

また、本開示の一態様に係る自発光パネルは、前記機能層は、有機発光材料を含む、としてもよい。

【0028】

上記構成により、発光層を塗布方式で形成する有機ＥＬパネルにおいて、本開示の一態様を適用できる。

【0029】

また、本開示の一態様に係る表示装置は、本開示のいずれかの態様に係る自発光パネルを備えることを特徴とする。

【0030】

また、本開示の一態様に係る自発光パネルの製造方法は、基板を形成し、前記基板上方に第１電極を含む下地層を複数形成し、前記下地層を第１方向に区画する画素間規制層を形成し、前記下地層を第２方向に区画する隔壁を形成し、前記隔壁の間隙において前記下地層のそれぞれの上に機能層を塗布により形成し、前記機能層の上方に第２電極を形成し、前記下地層の形成において、前記下地層の上面に窪みが形成され、前記画素間規制層の形成において、前記画素間規制層によって区画される２つの下地層の上方を連通するように溝を形成することを特徴とする。

【0031】

上記態様の自発光パネルの製造方法によれば、上面の窪みの少なくとも一部が画素間規制層に被覆されていない下地層において、機能層の形成時に、下地層の上面の窪みの内部に材料が流れ込むことで失われる機能層の材料を画素間規制層の溝を通じて隣り合う下地層上方から補充することができ、機能層の膜厚を均一化することができる。したがって、上面の窪みの一部または全部が画素間規制層に被覆されていない発光素子の輝度ムラを抑止した自発光パネルを製造することができる。さらに、上面の窪みの少なくとも一部が画素間規制層に被覆されていない下地層が発生したか否かに関わらず画素間規制層に溝を設けるため、下地層を検査する工程を必要とせず工程を単純化することができる。

【0032】

また、本開示の一態様に係る自発光パネルの製造方法は、基板を形成し、前記基板上方に第１電極を含む下地層を複数形成し、前記下地層を第１方向に区画する画素間規制層を形成し、前記下地層を第２方向に区画する隔壁を形成し、前記隔壁の間隙において前記下地層のそれぞれの上に機能層を塗布により形成し、前記機能層の上方に第２電極を形成し、前記下地層の形成において、前記下地層の上面に窪みが形成され、前記画素間規制層の形成は、前記画素間規制層が前記下地層の窪みを完全に覆っているか否かの検査と、前記画素間規制層が前記下地層の窪みを完全に覆っていない場合に当該画素間規制層によって区画される２つの下地層の上方を連通する溝の形成とを含む、としてもよい。

【0033】

上記態様の自発光パネルの製造方法によっても、上面の窪みの少なくとも一部が画素間規制層に被覆されていない下地層において、機能層の形成時に、下地層の上面の窪みの内部に材料が流れ込むことで失われる機能層の材料を画素間規制層の溝を通じて隣り合う下地層上方から補充することができ、機能層の膜厚を均一化することができる。したがって、上面の窪みの一部または全部が画素間規制層に被覆されていない発光素子の輝度ムラを抑止した自発光パネルを製造することができる。さらに、画素間規制層が下地層の上面の窪みを完全に被覆していない場合にのみ溝を設けるため、既存の製造工程に対して検査工程や溝開設工程を追加するだけでよく、既存の製造設備を最大限利用することができる。

【0034】

≪実施の形態１≫
１．表示装置の構成
以下、本開示に係る自発光パネルとして有機ＥＬ表示パネルを用いた表示装置（以下、単に「表示装置」と称する）の実施の形態について説明する。

【0035】

（１）表示装置１の回路構成
図１は、表示装置１の回路構成を示すブロック図である。

【0036】

図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以下、「自発光パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２００とを有して構成されている。

【0037】

自発光パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状（行列状）に配列され構成されている。

【0038】

駆動制御回路部２００は、４つの駆動回路２１０～２４０と制御回路２５０とにより構成されている。

【0039】

（２）自発光パネル１０の回路構成
自発光パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発光する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。

【0040】

図２は、表示装置１に用いる自発光パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。

【0041】

図２に示すように、本実施の形態に係る自発光パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ₁は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ₂は、スイッチングトランジスタである。

【0042】

スイッチングトランジスタＴｒ₂のゲートＧ₂は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ₂ は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ₂ のドレインＤ₂は、駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁に接続されている。

【0043】

駆動トランジスタＴｒ₁のドレインＤ₁は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ₁ は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極（対向電極：カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。

【0044】

なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ₂のドレインＤ₂及び駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。

【0045】

自発光パネル１０においては、隣り合う複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。

【0046】

そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ₂からゲートラインが各々引き出され、自発光パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ₂からソースラインが各々引き出され自発光パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。

【0047】

また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。

【0048】

なお、各有機ＥＬ素子の駆動回路は、上記のものに限られず、他の構成でも構わない。

【0049】

（３）自発光パネル１０の全体構成
（３－１）自発光パネル１０の概要
本実施の形態に係る自発光パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。

【0050】

図３は、自発光パネル１０の模式平面図である。自発光パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成された基板１１（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ自発光パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。

【0051】

図３に示すように、自発光パネル１０は、基板１１上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する隔壁１４Ｙと画素間規制層１４Ｘとが配された区画領域１０ａ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘａ、１０Ｙａ、区別を要しない場合は１０ａとする）と、区画領域１０ａの周囲に非区画領域１０ｂ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘｂ、１０Ｙｂ、区別を要しない場合は１０ｂとする）とから構成されている。区画領域１０ａの列方向の外周縁は隔壁１４Ｙの列方向の端部に相当する。非区画領域１０ｂには、区画領域１０ａを取り囲む矩形状の封止部材（不図示）が形成されている。区画領域１０ａにおいて、隔壁１４Ｙと画素間規制層１４Ｘによって区画される各領域のうち、外周部を含む非表示領域１０ｑは表示に寄与せず、非表示領域１０ｑの内側に設けられる表示領域１０ｐに有機ＥＬ素子１００が形成される。なお、非表示領域１０ｑには有機ＥＬ素子は形成されなくてもよいが、非表示領域１０ｑに有機ＥＬ素子が形成されるとしてもよい。

【0052】

（３－２）有機ＥＬ素子１００の概要
図４は、図３におけるＡ０部の拡大平面図である。

【0053】

自発光パネル１０の表示領域１０ｐには、複数の有機ＥＬ素子１００から構成される単位画素（画素領域）１００ｅが行列状に隙間なく配されている。各単位画素１００ｅには、赤色に発光する発光素子１００Ｒ、緑色に発光する発光素子１００Ｇ、青色に発光する発光素子１００Ｂの３種類の発光素子が副画素１００ｓｅとして含まれる。すなわち、行方向に並んだ発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成する。発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、それぞれ、赤色に発光する発光領域１００ａＲ、緑色に発光する発光領域１００ａＧ、青色に発光する発光領域１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「発光領域１００ａ」と略称する）と、非発光領域１００ｂとを含む。なお、図４においては、発光領域１００ａＲ、発光領域１００ａＧ、発光領域１００ａＢの行方向（Ｘ方向）の幅がそれぞれ違う例について示しているが、発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、発光領域１００ａＢの行方向（Ｘ方向）の幅は、すべて同一としてもよいし、２つが同一で１つのみ異なる、としてもよく、任意の設計であってよい。

【0054】

自発光パネル１０には、画素電極１３と正孔注入層１５との積層構造である下地層が、基板１１上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に複数配されている。３つの正孔注入層１５とその周辺まで領域が単位画素（画素領域）１００ｅに含まれ、画素単位１００ｅと画素単位１００ｅの境界は、列方向に隣り合う正孔注入層１５の間隙を列方向に二分する直線、および、行方向に隣り合う発光素子１００Ｂ、１００Ｒの画素電極１３の間隙を行方向に二分する直線となる。

【0055】

正孔注入層１５とこれに隣り合う正孔注入層１５とは、互いに絶縁されている。隣り合う正孔注入層１５間には、絶縁層形式のライン状に延伸する絶縁層が設けられている。

【0056】

１つの正孔注入層１５と、これに行方向に隣り合う正孔注入層１５との間に位置する基板１１上の領域上方には、各条が列方向に延伸する隔壁１４Ｙが複数列並設されている。そのため、発光領域１００ａの行方向外縁は、隔壁１４Ｙの行方向外縁により規定される。

【0057】

一方、１つの正孔注入層１５と、これに列方向に隣り合う正孔注入層１５との間に位置する基板１１上の領域上方には、画素間規制層１４Ｘがそれぞれ設けられている。画素間規制層１４Ｘが形成される領域は、正孔注入層１５上方の発光層１７において有機電界発光が生じないために非発光領域１００ｂとなる。そのため、発光領域１００ａの列方向における外縁は、画素間規制層１４Ｘの列方向外縁により規定される。

【0058】

なお、ここでは、画素電極１３および正孔注入層１５は全副画素に対して同一の形状であり、正孔注入層１５の一部が隔壁１４Ｙ、画素間規制層１４Ｘによって被覆される構成であるとした。しかしながら、隔壁１４Ｙ、画素間規制層１４Ｘによって被覆される個所は電極として機能しない部分であるから、隔壁１４Ｙによって被覆されるべき部分、および画素間規制層１４Ｘによって被覆されるべき部分のうち凹部１５ａとその近傍以外の部分については画素電極１３および正孔注入層１５を形成しない、としてもよい。

【0059】

隣り合う隔壁１４Ｙ間を間隙１４ａと定義したとき、間隙１４ａには、発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙１４ａＲ、発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙１４ａＧ、発光領域１００ａＢに対応する青色間隙１４ａＢ（以後、間隙１４ａＲ、間隙１４ａＧ、間隙１４ａＢを区別しない場合は、「間隙１４ａ」と称する）が存在し、自発光パネル１０は、隔壁１４Ｙと間隙１４ａとが交互に多数並んだ構成を採る。

【0060】

自発光パネル１０では、複数の画素領域１００ｅが、発光領域１００ａと非発光領域１００ｂとが交互に繰り返されるように、間隙１４ａＲ、間隙１４ａＧ、間隙１４ａＢに沿って列方向に並んで配されている。非発光領域１００ｂには、画素電極１３とＴＦＴのソースＳ₁ とを接続する接続凹部（コンタクトホール）があり、下地層の上面、すなわち、正孔注入層１５の上面には、コンタクトホール直上の一部または全部の領域に凹部１５ａが形成される。

【0061】

図６は、隔壁１４Ｙと画素間規制層１４Ｘの形成状態を説明するための、上記自発光パネル１０の一部の斜視図である。同図に示すように、画素間規制層１４Ｘの高さが隔壁１４Ｙの高さよりも十分低い構造となっている（ラインバンク方式）。

【0062】

上記構成により、間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢのそれぞれに吐出されたインクは、その液面が画素間規制層１４Ｘよりも高くなり、インクが列方向に流動するため、インクの液面が平坦化され膜厚の列方向における変動が少なくなる。

【0063】

また、図５は、図３におけるＡ１部の拡大平面図である。

【0064】

Ａ１部においては、Ａ０部とは異なり、正孔注入層１５の上面の凹部１５ａの一部が画素間規制層１４Ｘａに被覆されず、当該一部とその周辺部が発光領域１００ａ内に存在している。但し、画素間規制層１４Ｘａは、列方向に隣り合う２つの正孔注入層１５の上面に跨るように形成され、列方向に隣り合う２つの正孔注入層１５を電気的に絶縁している。

【0065】

一方、凹部１５ａの一部と接触している画素間規制層１４Ｘａの上面には、画素間規制層１４Ｘａより上面の低い溝部１４Ｘｂが設けられている。溝部１４Ｘｂは、画素間規制層１４Ｘａによって区画される２つの正孔注入層１５（下地層）に面するように設けられる。すなわち、溝部１４Ｘｂは、一端が発光領域１００ａに接し、もう一端が他の発光領域１００ａに接している。

【0066】

図７は、隔壁１４Ｙと画素間規制層１４Ｘａの形成状態を説明するための、上記自発光パネル１０の一部の斜視図である。同図に示すように、画素間規制層１４Ｘａの高さが隔壁１４Ｙの高さよりも十分低い構造となっており、溝部１４Ｘｂの内部の高さは画素間規制層１４Ｘａの上面高さよりさらに低い構造となっている。

【0067】

上記構成により、間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢのそれぞれに吐出されたインクは、その液面が画素間規制層１４Ｘａよりも低い状態となっても、溝部１４Ｘｂより高い状態であればインクが列方向に流動するため、インクの液面が平坦化され膜厚の列方向における変動が少なくなる。詳しくは後述する。

【0068】

（３－３）自発光パネル１０の各部構成
以下、自発光パネル１０の各部構成について説明する。図８（ａ）は、図４のＡ１－Ａ１断面に相当する断面模式図である。図８（ｂ）は、図４のＡ２－Ａ２断面に相当する断面模式図である。図８（ｃ）は、図５のＡ３－Ａ３断面に相当する断面模式図である。

【0069】

＜基板＞
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリサルホン（ＰＳｕ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリウレタン系、等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられる。これらよりプロセス温度に対して耐久性を有するように選択し、１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。

【0070】

＜層間絶縁層＞
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。また、図４および図５に示すように、層間絶縁層１２には、画素ごとにコンタクトホールが形成されている。

【0071】

＜画素電極＞
画素電極１３は層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。

【0072】

本実施形態においては、画素電極１３は、光反射性の陽極として機能する。

【0073】

光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。

【0074】

画素電極１３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。

【0075】

なお、画素電極１３は、光透過性の陽極として機能してもよい。このとき、画素電極１３は、金属材料で形成された金属層、金属酸化物で形成された金属酸化物層のうち少なくとも一方を含んでいる。金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。Ａｇ合金としては、マグネシウム－銀合金（ＭｇＡｇ）、インジウム－銀合金が挙げられる。Ａｇは、基本的に低抵抗率を有し、Ａｇ合金は、耐熱性、耐腐食性に優れ、長期にわたって良好な電気伝導性を維持できる点で好ましい。Ａｌ合金としては、マグネシウム－アルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウム－アルミニウム合金（ＬｉＡｌ）が挙げられる。その他の合金として、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金が挙げられる。透光性を確保するため、金属層の膜厚は１ｎｍ～５０ｎｍ程度である。金属酸化物層の材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）が挙げられる。この場合も、金属層単独、または、金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に金属酸化物層を積層した積層構造、あるいは金属酸化物層の上に金属層を積層した積層構造としてもよい。さらに、本構成の場合は、基板１１のうち少なくとも画素電極１３の下側に位置する部分が透光性を備える必要がある。

【0076】

なお、上述の通り、画素電極１３は、隔壁１４Ｙ、画素間規制層１４Ｘに被覆される領域の一部または全部に相当する場所が形成されない、としてもよい。但し、画素電極として機能するために、画素電極として機能する部分と、ＴＦＴとが電気的に接続されている必要がある。

【0077】

＜正孔注入層＞
正孔注入層１５は、画素電極１３から発光層１７への正孔（ホール）の注入を促進させる目的で、画素電極１３上に設けられている。正孔注入層１５の材料の具体例としては、例えば、遷移金属の酸化物であり、遷移金属の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などである。遷移金属は複数の酸化数を取るため、複数の準位を取ることができ、その結果、正孔注入が容易になり、駆動電圧の低減に寄与するからである。この場合、正孔注入層１５は、大きな仕事関数を有することが好ましい。正孔注入層１５が遷移金属の酸化物で形成される場合、正孔注入層１５は真空蒸着法、スパッタリングなどで形成することができる。後述する正孔輸送層１６が塗布膜として形成される場合、正孔注入層１５と画素電極１３との積層構造が下地層となる。

【0078】

なお、正孔注入層１５は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を用いて形成されてもよい。正孔注入層１５が塗布膜として形成される場合、正孔注入層１５は機能層となり、画素電極１３が下地層となる。または、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物上に導電性ポリマー材料を積層した積層構造であってもよい。この場合は、遷移金属の酸化物を真空蒸着法、スパッタリングなどで形成し、エッチングなどで成形した後、導電性ポリマー材料を塗布法で成膜することにより正孔注入層１５を形成することができる。このとき、正孔注入層１５のうち遷移金属の酸化物と、画素電極１３との積層構造が下地層となり、正孔注入層１５のうち、導電性ポリマー材料で形成された部分が機能層となる。

【0079】

＜隔壁１４Ｙ＞
隔壁１４Ｙは、下地層の上面である正孔注入層１５の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で正孔注入層１５上に形成されている。正孔注入層１５上面において隔壁１４Ｙで被覆されていない領域（以下、「開口部」という）は、サブピクセルに対応している。すなわち、隔壁１４Ｙは、サブピクセルごとに設けられた間隙１４ａを有する。

【0080】

隔壁１４Ｙは、正孔注入層１５が形成されていない部分では、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、正孔注入層１５が形成されていない部分では、隔壁１４Ｙの底面は層間絶縁層１２の上面と接している。

【0081】

隔壁１４Ｙは、正孔輸送層１６や発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクが隣り合うサブピクセルのインクと接触しないようにするための構造物として機能する。隔壁１４Ｙは、頂部とそれに続く側壁部の上部が撥液部分であり、側壁部のうち撥液部分を除く部分が親液部分である。隔壁１４Ｙは、絶縁性の樹脂材料からなる母材に、フッ素系化合物やシリコーン系化合物などの撥液性の界面活性剤が添加されてなる。絶縁性の樹脂材料である母材としては、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができ、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、母材はポジ型の感光性材料に限られず、例えば、ネガ型の感光材料を用いてもよいし、感光性でない材料を用いてもよい。

【0082】

隔壁１４Ｙは、それぞれ四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状もしくは上に凸のお椀状である。

【0083】

＜画素間規制層１４Ｘ＞
画素間規制層１４Ｘは、下地層の上面である正孔注入層１５の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で正孔注入層１５上に形成されている。画素間規制層１４Ｘは、隔壁１４Ｙの間隙１４ａを横断するように形成され、列方向に隣り合う正孔注入層１５を区画している。

【0084】

本実施の形態において、画素間規制層１４Ｘは、正孔注入層１５が形成されていない部分では、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、正孔注入層１５が形成されていない部分では、画素間規制層１４Ｘの底面は層間絶縁層１２の上面と接している。

【0085】

画素間規制層１４Ｘは、列方向に隣り合う正孔注入層１５間を電気的に絶縁するとともに、正孔輸送層１６や発光層１７を塗布法で形成する際、塗布されたインクの列方向への流動を制御するためのものである。画素間規制層１４Ｘの形状は、四角錐台状もしくはそれに類似した形状であり、断面は上方を先細りとする順テーパーの台形状もしくは上に凸のお椀状である。また、層間絶縁層１２からの画素間規制層１４Ｘの高さは、層間絶縁層１２からの隔壁１４Ｙの高さよりも低い。さらに、画素間規制層１４Ｘが正孔注入層１５の凹部１５ａを完全に被覆していない場合には、図５に示すように、画素間規制層１４Ｘａの上面に、画素間規制層１４Ｘａの列方向における２つの端部を連通する溝部１４Ｘｂを有している。図５、図７および図８（ｂ）、（ｃ）に示すように、溝部１４Ｘｂは、画素間規制層１４Ｘａの一方の列方向端部から他方の列方向端部まで延伸しており、その底面は、画素間規制層１４Ｘａの上面より低い。なお、溝部１４Ｘｂの延伸方向に直交する断面形状は、矩形状、Ｕ字溝、Ｖ字溝など、任意の形状であってよい。なお、画素間規制層１４Ｘａは、溝部１４Ｘｂを有する以外は画素間規制層１４Ｘと同じ形状である。画素間規制層１４Ｘは、樹脂材料からなり、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。このような感光性材料として、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。なお、樹脂材料はポジ型の感光性材料に限られず、例えば、ネガ型の感光材料を用いてもよいし、感光性でない材料を用いてもよい。

【0086】

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有し、正孔を正孔注入層１５から発光層１７へと効率よく輸送するため、正孔移動度の高い有機材料で形成されている。正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層１６を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。

【0087】

正孔輸送層１６の膜厚は、発光色に関わらず一定であるとしてもよいし、発光色ごとに異なるとしてもよい。例えば、発光素子１００の共振器構造による光学長の調整を正孔輸送層１６の膜厚で行ってもよく、発光色の波長が長い発光素子１００ほど正孔輸送層１６の膜厚が大きい、としてもよい。

【0088】

なお、下地層上面の凹部である凹部１５ａの一部または全部が画素間規制層１４Ｘによって被覆されていない場合、正孔輸送層１６をウェットプロセスで形成すると、凹部１５ａの内部にも、正孔輸送層１６と同一の材料からなる塗布膜が形成される。但し、凹部１５ａの内部では、凹部１５ａの外部と比較して機能層の膜厚が過剰に厚くなり、局所的に電気抵抗が高くなって電流がほとんど流れない。したがって、画素間規制層１４Ｘによって被覆されていない凹部１５ａの内部は非発光領域１００ｂとなり、凹部１５ａの内部の塗布膜は正孔輸送層１６としては機能しない。

【0089】

＜発光層＞
発光層１７は、間隙１４ａ内に形成されている。発光層１７は、正孔と電子の再結合によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。発光層１７の材料としては、公知の材料を利用することができる。

【0090】

発光素子１００が有機ＥＬ素子である場合、発光層１７に含まれる有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層１７は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは前記低分子化合物と前記高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。なお、発光素子１００は量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ；Quantum-dot Light Emitting Diode）であってもよく、発光層１７の材料として量子ドット効果を有する材料を使用することができる。

【0091】

なお、下地層上面の凹部である凹部１５ａの一部または全部が画素間規制層１４Ｘによって被覆されていない場合、発光層１７をウェットプロセスで形成すると、凹部１５ａの内部にも、発光層１７と同一の材料からなる塗布膜が形成される。但し、凹部１５ａの内部では、凹部１５ａの外部と比較して機能層の膜厚が過剰に厚くなり、局所的に電気抵抗が高くなって電流がほとんど流れない。したがって、画素間規制層１４Ｘによって被覆されていない凹部１５ａの内部は非発光領域１００ｂとなり、凹部１５ａの内部の塗布膜は発光層１７としては機能しない。

【0092】

＜電子輸送層＞
電子輸送層１８は、複数の画素に共通して発光層１７および隔壁１４Ｙ上に形成されており、対向電極２０から注入された電子を発光層１７へと輸送する機能を有する。電子輸送層１８は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。

【0093】

電子輸送層１８の形成は、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナンスロリン誘導体などの材料を蒸着法により複数の画素に共通して成膜することでなされる。なお、電子輸送層１８の形成は塗布法であってもよく、この場合、電子輸送層１８は、発光層１７等と同様、画素ごとに形成されてもよい。

【0094】

＜電子注入層＞
電子注入層１９は、電子輸送層１８上に複数の画素に共通して設けられており、対向電極２０から発光層１７への電子の注入を促進させる機能を有する。

【0095】

電子注入層１９は、例えば、電子輸送性を有する有機材料に、電子注入性を向上させる金属材料がドープされてなる。ここで、ドープとは、金属材料の金属原子または金属イオンを有機材料中に略均等に分散させることを指し、具体的には、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相を形成することを指す。なお、それ以外の相、特に、金属片や金属膜など、金属材料のみからなる相、または、金属材料を主成分とする相は、存在していないことが好ましい。また、有機材料と微量の金属材料を含む単一の相において、金属原子または金属イオンの濃度は均一であることが好ましく、金属原子または金属イオンは凝集していないことが好ましい。金属材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類から選択されることが好ましい。電子輸送性を有する有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。

【0096】

なお、電子注入層１９は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属から選択される金属のフッ化物層を発光層１７側に有していてもよい。

【0097】

電子注入層１９の形成は、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナンスロリン誘導体などの材料と、金属材料とを共蒸着法により複数の画素に共通して製膜することでなされる。なお、電子注入層１９の形成は塗布法であってもよく、この場合、電子注入層１９は、発光層１７等と同様、画素ごとに形成されてもよい。

【0098】

＜対向電極＞
対向電極２０は、複数の画素に共通して電子注入層１９上に形成されており、陰極として機能する。

【0099】

本実施の形態では、対向電極２０は、透光性と導電性とを兼ね備えており、金属材料で形成された金属層、金属酸化物で形成された金属酸化物層のうち少なくとも一方を含んでいる。透光性を確保するため、金属層の膜厚は１ｎｍ～５０ｎｍ程度である。金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。Ａｇ合金としては、マグネシウム－銀合金（ＭｇＡｇ）、インジウム－銀合金が挙げられる。Ａｌ合金としては、マグネシウム－アルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウム－アルミニウム合金（ＬｉＡｌ）が挙げられる。その他の合金として、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金が挙げられる。金属酸化物層の材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯが挙げられる。

【0100】

陰極は、金属層単独、または、金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に金属酸化物層を積層した積層構造、あるいは金属酸化物層の上に金属層を積層した積層構造としてもよい。

【0101】

なお、画素電極１３および画素電極１３下の層間絶縁層１２、基板１１が透光性を有する場合は、対向電極２０は光反射性の電極であるとしてもよい。この場合、対向電極２０の材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｍｏ、ＡＰＣ、ＡＲＡ、ＭｏＣｒ、ＭｏＷ、ＮｉＣｒを用いることができる。

【0102】

＜封止層＞
対向電極２０の上には、封止層２１が設けられている。封止層２１は、基板１１の反対側から不純物（水、酸素）が対向電極２０、電子注入層１９、電子輸送層１８、発光層１７等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。封止層２１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

【0103】

本実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネル１０がトップエミッション型であるため、封止層２１は光透過性の材料で形成されることが必要となる。

【0104】

＜その他＞
区画領域１０ａのうち非表示領域１０ｑについては、有機ＥＬ素子１００が形成されてもよく、有機ＥＬ素子１００を構成する一部の要素のみが形成されてもよいし、有機ＥＬ素子１００が形成されなくてもよい。非表示領域１０ｑの各領域について発光層１７、正孔輸送層１６等の塗布膜を形成してダミー画素としてもよく、ダミー画素に塗布膜を形成することにより、塗布膜の形成時（乾燥時）に溶媒の蒸気圧を均一化し表示領域１０ｐにおける塗布膜の膜厚ムラを抑止することができる。

【0105】

なお、非表示領域１０ｑについて、ＴＦＴは設けてもよいし、設けなくてもよい。

【0106】

２．実施の形態に係る溝部１４Ｘｂの効果
以下、模式断面図を用いて、実施の形態に係る溝部１４Ｘｂの効果について説明する。

【0107】

図９（ａ）～（ｃ）は、凹部１５ａが画素間規制層１４Ｘに完全に被覆されている場合の、正孔輸送層１６の材料インクの塗布直後から乾燥完了までの状態を示す、列方向の断面模式図である。正孔輸送層１６をウェットプロセスで成膜する場合、図９（ａ）に示すように、正孔輸送層１６の材料を含むインク滴１６０ａ、ｂ、ｃ、ｄを塗布する。インク滴１６０ａ、ｂ、ｃ、ｄは正孔注入層１５上（下地層上）または画素間規制層１４Ｘに触れると間隙１４ａ内に濡れ広がり、インク滴１６０同士が接触して、図９（ｂ）に示すように、インク１６１が列方向におよそ均一に濡れ広がる。最終的には図９（ｃ）に示すように、正孔注入層１５上（下地層上）および画素間規制層１４Ｘ上に、ほぼ均一の膜厚を有する塗布膜が形成され、塗布膜のうち、発光領域１００ａ内に存在する部分が正孔輸送層１６となる。

【0108】

一方、図１０（ａ）～（ｃ）は、凹部１５ａが画素間規制層１４Ｘに完全に被覆されておらず、溝部１４Ｘｂが存在しない場合における、正孔輸送層１６の材料インクの塗布直後から乾燥完了までの状態を示す、列方向の断面模式図である。図１０（ａ）に示すように、正孔輸送層１６の材料を含むインク滴１６０ａ、ｂ、ｃ、ｄを塗布する。インク滴１６０ａ、ｂ、ｃ、ｄは正孔注入層１５上（下地層上）または画素間規制層１４Ｘに触れると間隙１４ａ内を濡れ広がる。しかしながら、凹部１５ａが露出しているため、凹部１５ａ上またはその近傍において正孔注入層１５上（下地層上）または画素間規制層１４Ｘに触れたインク滴１６０は、その一部または全部が凹部１５ａ内部に流れ込んだり、凹部１５ａの近傍に滞留したりするため、列方向（Ｙ方向）に十分に濡れ拡がらない。したがって、正孔輸送層１６の材料を含むインク滴１６０の滴下される位置と、画素間規制層１４Ｘおよび露出した凹部１５ａとの位置関係によっては、図１０（ｂ）に示すように、インク１６１の厚さにおいて、列方向（Ｙ方向）にムラが生じることがある。したがって、最終的には図１０（ｃ）に示すように、インク１６１の列方向（Ｙ方向）における分布の偏りが正孔輸送層１６の膜厚に反映され、正孔輸送層１６の膜厚が列方向（Ｙ方向）に不均質となる。

【0109】

これに対し、図１１（ａ）～（ｃ）は、凹部１５ａが画素間規制層１４Ｘａに完全に被覆されていないが、溝部１４Ｘｂが存在する場合における、正孔輸送層１６の材料インクの塗布直後から乾燥完了までの状態を示す、列方向の断面模式図である。図１１（ａ）に示すように、正孔輸送層１６の材料を含むインク滴１６０ａ、ｂ、ｃ、ｄを塗布する。インク滴１６０ａ、ｂ、ｃ、ｄは正孔注入層１５上（下地層上）または画素間規制層１４Ｘに触れると間隙１４ａ内を濡れ広がり、インク滴１６０同士が接触して、図９（ｂ）に示すように、インク１６１が列方向におよそ均一に濡れ広がる。露出した凹部１５ａの近傍においては、上述したように、正孔注入層１５上（下地層上）または画素間規制層１４Ｘに触れたインク滴１６０は、その一部または全部が凹部１５ａ内部に流れ込んだり、凹部１５ａの近傍に滞留したりする。しかしながら、画素間規制層１４Ｘａには溝部１４Ｘｂが設けられているため、画素間規制層１４Ｘ上に滴下されたインク滴１６０、または、溝部１４Ｘｂに接触したインク滴１６０は、溝部１４Ｘｂ内を容易に流動する。したがって、凹部１５ａの近傍に滞留したインクは溝部１４Ｘｂを通じて画素間規制層１４Ｘを越えることができ、また、凹部１５ａ内部にインクが流れ込み凹部１５ａ近傍でインクが不足した場合には、溝部１４Ｘｂを通じて画素間規制層１４Ｘを超えた先の他の下地層上からインクが補充される。したがって、図１１（ｂ）に示すように、インク１６１の厚さにおいて、列方向（Ｙ方向）にムラの発生が抑制される。したがって、図１１（ｃ）に示すように、凹部１５ａの一部が画素間規制層１４Ｘから露出している正孔注入層１５上においても、正孔輸送層１６の膜厚のムラの発生を抑制することができる。

【0110】

なお、溝部１４Ｘｂは画素間規制層１４Ｘａを超えて隣り合う２つの下地層上を連通させインクの流路として機能する必要がある。したがって、溝部１４Ｘｂは、少なくとも、画素間規制層１４Ｘａの列方向の一端から多端まで連続していることが好ましい。また、上述したように、溝部１４Ｘｂは、凹部１５ａ内部への流入によって減少したインクを補充する役割を有するため、補充されたインクが凹部１５ａ内部へ流入することは好ましくない。したがって、溝部１４Ｘｂは、凹部１５ａが露出している側の画素間規制層１４Ｘａの列方向端部については凹部１５ａから離れていることが好ましく、少なくとも凹部１５ａ上に存在しないことが好ましい。

【0111】

さらに、画素間規制層１４Ｘａは溝部１４Ｘｂにおいても、画素間規制層１４Ｘａを超えて隣り合う２つの下地層上を電気的に絶縁する必要がある。したがって、溝部１４Ｘｂの底の高さは下地層の上面より高い。例えば、画素電極１３の膜厚を２００ｎｍ、正孔注入層１５の膜厚を９ｎｍとしたとき、層間絶縁層１２の上面から溝部１４Ｘｂの底までの膜厚方向の距離は、少なくとも２０９ｎｍより大きい。

【0112】

なお、層間絶縁層１２の上面を基準としたときの溝部１４Ｘｂの底の高さは、均一であってもよいし、または、凹部１５ａが露出している下地層側が低く、他方の下地層側が高い、としてもよい。露出した凹部１５ａ内部にインクが流れ込む現象を抑制したい場合、凹部１５ａが露出している下地層に向かって低くなる傾斜を設けることにより、凹部１５ａ内部に流れ落ちたインクの補充がより容易となる。または、凹部１５ａが露出している下地層側が高く、他方の下地層側が低い、としてもよい。露出した凹部１５ａの近傍にインクが滞留する現象を抑止したい場合は、凹部１５ａが露出している下地層に向かって高くなる傾斜を設けることにより、凹部１５ａ近傍に駐留したインクを画素間規制層１４Ｘａを超えた先の他の下地層上に排出することが容易となる。

【0113】

なお、上述した正孔輸送層１６の材料を含むインクの列方向（Ｙ方向）における濡れ拡がりの態様およびインクの偏在状態は一例であり、凹部１５ａの一部が画素間規制層１４Ｘから露出している場合において、上述の現象が起きない場合や、上述の現象以外の原因によって列方向（Ｙ方向）におけるインクの偏在が発生する場合がある。そのような場合であっても、実施の形態に係る画素間規制層の溝部は、凹部１５ａの一部が画素間規制層１４Ｘから露出していることに起因して列方向（Ｙ方向）におけるインクの偏在が発生しうる場合に、溝部を通じたインクの流動によって機能層の膜厚のばらつきを抑止することができるため有用である。

【0114】

＜小括＞
以上説明したように、実施の形態に係る画素間規制層の溝部は、下地層のコンタクトホールに対応する凹凸が被覆されていない場合においても、塗布層の膜厚を均一化させる構成として好適である。したがって、画素間規制層が、列方向に隣り合う発光素子を電気的に絶縁しているものの下地層のコンタクトホールに対応する凹凸を完全に被覆していない、という程度に位置ずれを起こしている場合においても、機能層の膜厚のばらつきを抑止することができるので、輝度ムラのない高品質な自発光パネルを製造することができ、歩留まり向上に奏功する。また、コンタクトホールと画素間規制層との相対位置のずれ許容量が小さい場合において、相対位置のずれがずれ許容量より大きくなっても機能層の膜厚のばらつきを抑止することができるので、例えば、開口率の向上などのための設計が容易となる。

【0115】

≪実施の形態２≫
１．有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法
実施の形態２では、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法の１つについて、図面を用い説明する。

【0116】

図１２は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示すフローチャートである。図１３から図１５は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図であり、図４のＡ１－Ａ１断面に相当する。図１６（ａ）～（ｃ）および図１７（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図１６（ｄ）～（ｅ）および図１７（ｃ）、（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す模式断面図であり、図５のＡ３－Ａ３断面に相当する。

【0117】

（１）基板１１の作成
まず、基材１１１を準備し（ステップＳ１０）、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１（ＴＦＴ基板）を作成する（ステップＳ１０、図１３（ａ））。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。

【0118】

（２）層間絶縁層１２の作成
次に、基板１１上に層間絶縁層１２を形成する（ステップＳ２０）。層間絶縁層１２は、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂を溶媒に溶解させた溶液を、スピンコート法などを用いて一様に塗布し、露光、現像することにより形成される（図１３（ｂ））。

【0119】

なお、図１３（ｂ）には図示していないが、露光時にコンタクトホールを開設し、その後、コンタクトホール内に接続電極を形成する。

【0120】

（３）画素電極１３および正孔注入層の形成
次に、図１３（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する（ステップＳ３１）。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。

【0121】

次に、図１３（ｄ）に示すように、画素電極材料層１３０上に正孔注入材料層１５０を形成する（ステップＳ３２）。正孔注入材料層１５０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。

【0122】

そして、図１３（ｅ）に示すように、画素電極材料層１３０および正孔注入材料層１５０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の、画素電極１３と正孔注入層１５からなる下地層を形成する（ステップＳ３３）。

【0123】

（４）画素間規制層１４Ｘａの形成
次に、正孔注入層１５および層間絶縁層１２上に、画素間規制層１４Ｘａの材料である画素間規制層用樹脂を塗布し、画素間規制材料層１４０Ｘを形成する（図１６（ａ））。行バンク用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるフェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂が用いられる。画素間規制材料層１４０Ｘは、例えば、フェノール樹脂など副壁用樹脂を溶媒に溶解させた溶液を正孔注入層１５上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。

【0124】

次に、フォトマスクを用いて画素間規制層１４Ｘａをパターン露光する（図１６（ｂ）、図１６（ｄ））。このとき、フォトマスク３０１の光透過部３０２Ａは、画素間規制層１４Ｘａが形成されない発光領域１００ａの予定領域に相当する。一方、画素間規制層１４Ｘａが形成されるべき領域のうち、溝部１４Ｘｂが形成されるべき領域についてはフォトマスク３０１のハーフトーン部３０２Ｈが、それ以外の領域についてはフォトマスク３０１の遮光部３０２Ｓが、それぞれ対応する。より具体的には、コンタクトホールの直上については遮光部３０２Ｓが対応し、フォトマスク３０１において遮光部３０２Ｓとハーフトーン部３０２Ｈとが行方向に隣接している。

【0125】

続けて、現像によって露光部分を取り除き焼成する。これにより、図１６（ｃ）に示すように、コンタクトホール直上を含む、溝部１４Ｘｂの予定領域以外の画素間規制層１４Ｘａ予定領域には、画素間規制層１４Ｘａが形成される。一方、図１６（ｅ）に示すように、コンタクトホール直上以外であって溝部１４Ｘｂの予定領域である画素間規制層１４Ｘａ予定領域には、画素間規制層１４Ｘａの上面より上面高さの低い溝部１４Ｘｂが形成される。これにより、画素間規制層１４Ｘａが完成する（ステップＳ４０）。

【0126】

なお、ここでは１つのフォトマスクを用いた１回の露光によって、溝部１４Ｘｂが形成された画素間規制層１４Ｘａを一度に形成するとしたが、画素間規制層１４Ｘａの予定領域以外を露光した後、溝部１４Ｘｂの予定領域をさらに露光してもよい。

【0127】

（５）隔壁１４Ｙの形成
次に、図１４（ａ）に示すように、正孔注入層１５、層間絶縁層１２、画素間規制層１４Ｘａ上に、隔壁１４Ｙの材料である隔壁用樹脂を塗布し、隔壁材料層１４０Ｙを形成する（ステップＳ５０）。隔壁用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂に、撥液性を有する界面活性剤であるフッ素化合物が添加されて用いられる。

【0128】

次に、フォトマスクを用いて隔壁材料層１４０Ｙをパターン露光する。続けて、現像によって露光部分を取り除き焼成することにより、図１４（ｂ）に示すように、隔壁１４Ｙを形成する。

【0129】

（６）正孔輸送層１６の成膜
次に、図１４（ｃ）および図１７（ａ）、（ｃ）に示すように、隔壁１４Ｙが規定する間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢのそれぞれに対し、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、塗布装置のノズル４０１０から吐出して間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢ内の正孔注入層１５上に塗布する。特に、図１７（ａ）、（ｃ）に示すように、塗布されたインクは画素間規制層１４Ｘａ上および溝部１４Ｘｂ内に存在する。そして、焼成（乾燥）を行って、図１４（ｃ）および図１５（ｂ）、（ｄ）に示すように正孔輸送層１６を形成する（ステップＳ６０）。なお、正孔輸送層１６は溝部１４Ｘｂ内および／または画素間規制層１４Ｘａ上に形成される同一成分の膜と繋がっていてもよいが、この膜は正孔輸送層１６としては機能せず、存在していてもよいし存在しなくてもよい。

【0130】

（７）発光層の成膜
次に、図１４（ｄ）に示すように、発光層１７Ｒ／Ｇ／Ｂの構成材料を含むインクをそれぞれ、塗布装置のノズル４０２０Ｒ／４０２０Ｇ／４０２０Ｂから吐出して、間隙１４ａＲ、１４ａＧ、１４ａＢそれぞれの正孔輸送層１６上に塗布する。そして、焼成（乾燥）を行って、図１４（ｄ）に示すように発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂを形成する（ステップＳ７０）。なお、同様に、発光層１７Ｒ／Ｇ／Ｂのそれぞれは、溝部１４Ｘｂ内および／または画素間規制層１４Ｘａ上に形成される同一成分の膜と繋がっていてもよいが、この膜は発光層１７としては機能せず、存在していてもよいし存在しなくてもよい。

【0131】

（８）電子輸送層の成膜
次に、図１５（ａ）に示すように、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ上および隔壁１４Ｙ上に、電子輸送層１８を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子輸送層１８を形成する（ステップＳ８０）。

【0132】

（９）電子注入層の成膜
次に、図１５（ｂ）に示すように、電子輸送層１８上に、電子注入層１９を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、電子注入層１９を形成する（ステップＳ９０）。

【0133】

（１０）対向電極の成膜
次に、図１５（ｃ）に示すように、電子注入層１９上に、対向電極２０を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、対向電極２０を形成する（ステップＳ１００）。

【0134】

（１１）封止層の成膜
最後に、図１５（ｄ）に示すように、対向電極２０上に、封止層を形成する材料をＣＶＤ法またはスパッタリング法により各サブピクセルに共通して成膜し、封止層２１を形成する（ステップＳ１１０）。

【0135】

以上の工程を経ることにより有機ＥＬ表示パネル１０が完成する。

【0136】

上記方法によれば、画素間規制層が列方向に隣り合う発光素子を電気的に絶縁していれば、画素間規制層が下地層のコンタクトホールに対応する凹凸を完全に被覆していない場合においても、下地層のコンタクトホールに対応する凹凸によるインク量のばらつきによる塗布層の膜厚ばらつきを抑止することができる。したがって、画素間規制層が下地層のコンタクトホールに対応する凹凸を完全に被覆していない場合でも輝度ムラのない高品質な自発光パネルを製造することができ、歩留まり向上に奏功する。また、全ての画素間規制層について形成時に溝部を形成しておくことにより、画素間規制層が下地層のコンタクトホールに対応する凹凸を完全に被覆しているか否かを検査する必要がなく、製造工程を省力化することができる。

【0137】

≪変形例≫
実施の形態１に係る自発光パネル１０では、図５等に示すように、画素間規制層１４Ｘａの溝部１４Ｘｂは、画素間規制層１４Ｘａの列方向の一端から他端まで伸びる１本の溝であるとした。しかしながら、平面視した場合の溝部１４Ｘｂの形状は上述の場合に限られず、以下に説明するような形状であってもよい。

【0138】

図１８（ａ）は、変形例の１つに係る溝部１４Ｘｂの形状である。図１８（ａ）に示すように、溝部１４Ｘｂは、画素間規制層１４Ｘａの列方向（Ｙ方向）の一端から多端まで伸びる２本の溝であってもよい。

【0139】

また、図１８（ｂ）は、変形例の１つに係る溝部１４Ｘｂの形状である。図１８（ｂ）に示すように、溝部１４Ｘｂは、画素間規制層１４Ｘａの列方向（Ｙ方向）の一端から多端まで伸びる４本の溝であってもよい。

【0140】

なお、溝部１４Ｘｂの数は、１本、２本、４本に限られず、任意の数であってよい。但し、上述したように、凹部１５ａにインクが流れ込む流路を形成することは好ましくないので、画素間規制層１４Ｘａと露出した凹部１５ａとの境界に溝部１４Ｘｂが接しないことが好ましい。

【0141】

また、図１８（ｃ）は、変形例の１つに係る溝部１４Ｘｂの形状である。図１８（ｃ）に示すように、溝部１４Ｘｂは、画素間規制層１４Ｘａの列方向（Ｙ方向）の一端から多端まで伸びる溝であれば、複数の溝が画素間規制層１４Ｘａ上で合流、分岐していてもよい。

【0142】

また、図１８（ｄ）は、変形例の１つに係る溝部１４Ｘｂの形状である。図１８（ｄ）に示すように、溝部１４Ｘｂは、画素間規制層１４Ｘａの列方向（Ｙ方向）の一端から多端まで伸びるものであれば、延伸方向が列方向と平行でなくてもよいし、行方向と直交していなくてもよい。

【0143】

また、図１９（ａ）および（ｂ）は、変形例の１つに係る溝部１４Ｘｂの形状である。図１９（ａ）および（ｂ）に示すように、溝部１４Ｘｂは、画素間規制層１４Ｘａの列方向（Ｙ方向）の一端から多端まで伸びるものであれば、行方向（Ｘ方向）の幅や深さ等が一定である必要はなく、幅が一定しない形状であってもよい。

【0144】

また、図１９（ｃ）は、変形例の１つに係る溝部１４Ｘｂの形状である。図１９（ｃ）に示すように、溝部１４Ｘｂは、全体としてインクの流路となっていればよく、画素間規制層１４Ｘａは、溝部１４Ｘｂの内部に島状の突起を有していてもよい。なお、この島状の突起はインクの流動性を制御するものであってもよいが、溝部１４Ｘｂの深さにムラが生じる工程を用いることによって生じたものであってもよい。

【0145】

また、図１９（ｄ）および（ｅ）は、変形例の１つに係る溝部１４Ｘｂの形状である。図１９（ｄ）および（ｅ）に示すように、溝部１４Ｘｂは、複数の凹部が画素間規制層１４Ｘａの列方向（Ｙ方向）の一端から多端まで連結したものであってもよい。溝部１４Ｘｂは、例えば、レーザー照射や針による押圧で形成することができる。

【0146】

また、図１９（ｆ）は、変形例の１つに係る溝部１４Ｘｂの形状である。図１９（ｆ）に示すように、溝部１４Ｘｂは、凹部１５ａの上部及び近傍以外の全域に形成されてもよい。すなわち、画素間規制層１４Ｘａは、凹部１５ａの上部及び近傍の上面の高さが、それ以外の部分の高さより高い構造であってもよい。

【0147】

なお、溝部１４Ｘｂの形状は上述した例に限られず、実施の形態と変形例を組み合わせた形状、複数の変形例を組み合わせた形状であってもよい。

【0148】

≪実施の形態３≫
実施の形態２では、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法において、画素間規制層が下地層のコンタクトホールに対応する凹凸を完全に被覆しているか否かに関わらず、画素間規制層に溝部を設ける場合について説明した。しかしながら、例えば、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法において、画素間規制層が下地層のコンタクトホールに対応する凹凸を完全に被覆しているか否かを検査し、必要な場合にのみ画素間規制層に溝部を設けるとしてもよい。

【0149】

図２０は、実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示すフローチャートである。なお、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法を示す図１４と同一の工程については同一のステップ番号を付し、説明を省略する。図２１は、画素間規制層の検査と溝部の形成工程を示す模式平面図である。

【0150】

実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法は、画素電極と正孔注入層の形成工程（ステップＳ３３）までは実施の形態２に係る機ＥＬ表示パネル１０の製造方法と同一である。以下、画素間規制層の形成工程が実施の形態２と異なるため、以下説明する。

【0151】

画素電極と正孔注入層の形成後、画素間規制層を形成する（ステップＳ１４０）。ここでは、溝部１４Ｘｂを有さない画素間規制層１４Ｘを形成する。具体的には、正孔注入層１５および層間絶縁層１２上に、画素間規制層１４Ｘの材料である画素間規制層用樹脂を塗布し、画素間規制材料層１４０Ｘを形成する。そして、フォトマスクを用いて画素間規制層１４Ｘをパターン露光する。このとき、フォトマスクとしては、フォトマスク３０１のハーフトーン部３０２Ｈが遮光部３０２Ｓに置換されたものを使用する。すなわち、フォトマスクの遮光部が画素間規制層１４Ｘに対応し、光透過部は、画素間規制層１４Ｘが形成されない発光領域１００ａの予定領域に対応する。そして、現像によって露光部分を取り除く。

【0152】

次に、画素間規制層を検査し、溝部を形成する（ステップＳ１４１）。まず、画素間規制層１４Ｘが形成された直後の未完成品について撮影を行い、画素間規制層１４Ｘの位置及び範囲を特定して、コンタクトホールに対応する正孔注入層１５の凹部１５ａそれぞれについて、画素間規制層１４Ｘに完全に覆われているか否かを判定する。図２１（ａ）は平面模式図であり、凹部１５ａ－１１、１５ａ－２１、１５ａ－３１、１５ａ－３２のそれぞれは画素間規制層１４Ｘ－１１、１４Ｘ－２１、１４Ｘ－３１、１４Ｘ－３２に完全に覆われている一方、凹部１５ａ－２１、１５ａ－２２のそれぞれは画素間規制層１４Ｘ－１２、１４Ｘ－２２に覆われず露出している部分が存在する。このような事象は、例えば、露光時のフォトマスクと未完成品との位置ずれや角度ずれ、光学系の異常等で発生しうる。そして、画素間規制層１４Ｘに完全に覆われていない正孔注入層１５の凹部１５ａについて、当該凹部１５ａの一部を覆っている画素間規制層１４Ｘに溝部１４Ｘｂを形成して画素間規制層１４Ｘａとする。具体的には、例えば、凹部１５ａの一部を覆っている画素間規制層１４Ｘに対してレーザー光を用いて溝部１４Ｘｂを形成する。これにより、図２１（ｂ）に示すように、凹部１５ａの一部が露出している下地層について、凹部１５ａの一部を覆っている画素間規制層１４Ｘａに溝部１４Ｘｂを設けることで、機能層形成時にインクの流動を容易にする。

【0153】

必要に応じて画素間規制層１４Ｘａを形成した後は、隔壁の形成工程（ステップＳ５０）に進む。以降の工程は実施の形態２と同様であるので説明を省略する。

【0154】

なお、画素間規制層の検査と溝部の形成は、画素間規制層１４Ｘの形成直後である必要はなく、隔壁１４Ｙの形成中または形成後であってもよい。但し、塗布膜である機能層の形成より前に行う必要がある。

【0155】

＜小括＞
実施の形態３に係る自発光パネルの製造方法によっても、画素間規制層が列方向に隣り合う発光素子を電気的に絶縁していれば、画素間規制層が下地層のコンタクトホールに対応する凹凸を完全に被覆していない場合においても、下地層のコンタクトホールに対応する凹凸によるインク量のばらつきによる塗布層の膜厚ばらつきを抑止することができる。したがって、画素間規制層が下地層のコンタクトホールに対応する凹凸を完全に被覆していない場合でも輝度ムラのない高品質な自発光パネルを製造することができ、歩留まり向上に奏功する。また、必要な場合にのみ画素間規制層に溝部を形成するため、画素間規制層が下地層のコンタクトホールに対応する凹凸を完全に被覆していない事象の発生確率が十分に低い場合、不必要な溝部を形成する必要がなくなり、溝部を形成するためのハーフトーン部を有さない従来のフォトマスクをそのまま使用することができる。

【0156】

≪実施の形態に係るその他の変形例≫
（１）上記各実施の形態および変形例においては、画素間規制層に溝部を設け、画素間規制層を超えて列方向に隣り合う２つの下地層上を連通させインクの流路とした。しかしながら、溝部は画素間規制層ではなく、隔壁１４Ｙ側に設けてもよい。図２２は隔壁１４Ｙにインクの流路を設ける構成であり、図２２（ａ）は模式平面図、図２２（ｂ）は断面図である。図２２（ａ）、（ｂ）に示すように、画素間規制層１４Ｘと隔壁１４Ｙとの間にインク流路１４Ｙａを設けることにより、同様の効果を得ることができる。

【0157】

（２）上記実施の形態においては、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれに発光する３種類の発光層を設けた有機ＥＬ表示パネルについて説明したが、発光層の種類は２種類であってもよいし、４種類以上であってもよい。ここで、発光層の種類とは発光層や機能層の膜厚のバリエーションを指すものであり、同一の発光色であっても発光層や機能層の膜厚が異なる場合は、種類が異なる発光層と考えてよい。また、発光層の配置についても、ＲＧＢＲＧＢ…の配置に限られず、ＲＧＢＢＧＲＲＧＢ…の配置であってもよいし、画素と画素との間に補助電極層やその他の非発光領域を設けてもよい。

【0158】

（３）上記実施の形態及び変形例においては、画素電極１３と正孔注入層１５との積層構造が下地層であり、正孔輸送層１６が塗布膜である機能層であるとしたが、この場合に限られない。例えば、正孔注入層１５を塗布法で形成してもよく、この場合には、画素電極１３が下地層であり、正孔注入層１５が塗布膜である機能層となる。また、例えば、正孔注入層１５が蒸着層と塗布膜の２層構造であってもよく、正孔注入層１５の蒸着層と画素電極との積層構造が下地層であり、正孔注入層１５の塗布膜が機能層となる。同様に、例えば、正孔輸送層１６が蒸着層である場合、画素電極１３、正孔注入層１５、正孔輸送層１６の積層構造が下地層であり、発光層１７が塗布膜である機能層となる。

【0159】

なお、いずれの場合においても、画素間規制層１４Ｘは、列方向に隣り合う下地層を電気的に区画してそれらの上面の一部を被覆するように形成され、塗布膜である機能層は、下地層上と画素間規制層１４Ｘ上とに跨るように連続的に形成される。

【0160】

（４）正孔注入層１５、正孔輸送層１６、電子輸送層１８、電子注入層１９は必ずしも上記実施の形態および変形例の構成である必要はない。いずれか１以上を備えないとしてもよいし、さらにほかの機能層を備えていてもよい。また、例えば、電子輸送層１８と電子注入層１９に替えて、単一の電子注入輸送層を備える、としてもよい。

【0161】

（５）上記実施の形態および変形例においては、有機ＥＬ表示パネルはトップエミッション型であるとして、画素電極が光反射性を有し、対向電極が光透過性を有する場合について説明した。しかしながら、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルは、いわゆるボトムエミッション型であるとしてもよい。

【0162】

（６）以上、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。

【産業上の利用可能性】

【0163】

本発明は、機能層を塗布法で形成する自発光パネルにおいて、画素電極と画素間規制層の間の位置ずれにより下地層の上面が平坦でない場合においても機能層の膜厚を容易に均一化させることができ、輝度ムラのない自発光パネルを製造するのに有用である。

【符号の説明】

【0164】

１ 表示装置
１０ 有機ＥＬ表示パネル（自発光パネル）
１００ 有機ＥＬ素子（発光素子）
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極
１４Ｘ 画素間規制層
１４Ｘａ 画素間規制層
１４Ｘｂ 溝部
１４Ｙ 隔壁
１５ 正孔注入層
１５ａ 凹部
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１８ 電子輸送層
１９ 電子注入層
２０ 対向電極
２１ 封止層
１４Ｙａ インク流路

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】