特許 7577622 レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-25

(45)【発行日】2024-11-05

(54)【発明の名称】レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法

(51)【国際特許分類】

   B23K 26/53 20140101AFI20241028BHJP

   B23K 26/064 20140101ALI20241028BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20241028BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20241028BHJP

【ＦＩ】

B23K26/53

B23K26/064 A

H01L21/78 B

H01L21/304 601Z

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2021109420

(22)【出願日】2021-06-30

(65)【公開番号】P2023006695

(43)【公開日】2023-01-18

【審査請求日】2024-04-17

(73)【特許権者】

【識別番号】000236436

【氏名又は名称】浜松ホトニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100140442

【弁理士】

【氏名又は名称】柴山 健一

(72)【発明者】

【氏名】坂本 剛志

【審査官】豊島 唯

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２１－８７９７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－０９０９９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１２８００８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－８９９２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１８６１５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－５４２０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１５／１５２１５６（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ２３Ｋ ２６／００ － ２６／７０

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

対象物を支持する支持部と、
レーザ光を出力する光源と、
前記光源から出力された前記レーザ光を変調パターンに応じて変調して出力するための空間光変調器と、
前記空間光変調器から出力された前記レーザ光を前記対象物に向けて集光し、前記対象物に前記レーザ光の集光スポットを形成するための集光レンズと、
前記集光スポットを前記対象物に対して相対移動させるための移動部と、
少なくとも、前記光源、前記空間光変調器、及び前記移動部を制御する制御部と、
を備え、
前記対象物は、前記レーザ光の入射面となる第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、前記第２面において配列された第１領域及び第２領域と、を含み、前記第１領域と前記第２領域との間を通るように前記集光スポットを相対移動させるラインが設定され、
前記第１領域及び前記第２領域の少なくとも前記ライン側の一部分は、互いに異なる構造を有しており、
前記制御部は、前記光源、前記空間光変調器、及び前記移動部を制御することにより、前記第１面及び前記第２面に交差するＺ方向について前記集光スポットを前記第１面よりも前記第２面側の第１Ｚ位置に位置させた状態で前記集光スポットを前記ラインに沿って相対移動させながら前記レーザ光を前記対象物に照射する第１照射処理を実行し、
前記第１照射処理では、前記制御部は、前記ライン及び前記Ｚ方向に交差するＹ方向とＺ方向とを含むＹＺ面内での前記集光スポットのビーム形状が、少なくとも前記集光スポットの中心よりも前記第１面側において、前記Ｚ方向に対して傾斜した傾斜形状となるように、前記空間光変調器に表示させる前記変調パターンを制御する、
レーザ加工装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記光源、前記空間光変調器、及び前記移動部を制御することにより、前記Ｚ方向について前記集光スポットを前記第１Ｚ位置よりも前記第２面から離れた第２Ｚ位置に位置させた状態で前記集光スポットを前記ラインに沿って相対移動させながら前記レーザ光を前記対象物に照射する第２照射処理を実行し、
前記第２照射処理では、前記制御部は、前記空間光変調器の制御により、前記ＹＺ面内での前記集光スポットのビーム形状が前記Ｚ方向に沿う非傾斜形状とする、
請求項１に記載のレーザ加工装置。

【請求項3】

前記第１領域及び前記第２領域は、それぞれ半導体デバイスであり、
前記第２領域は、前記一部分において配線部が設けられており、
前記第１照射処理では、前記制御部は、前記ＹＺ面内での前記集光スポットのビーム形状が、少なくとも前記集光スポットの中心よりも前記第１面側において、前記第１面から前記第２面に向かうにつれて前記第２領域から前記第１領域に向かう傾斜形状となるように、前記空間光変調器に表示させる前記変調パターンを制御する、
請求項１又は２に記載のレーザ加工装置。

【請求項4】

前記第２領域は、アクティブ領域であり、
前記第１領域は、前記アクティブ領域と異なる領域であり、
前記第１照射処理では、前記制御部は、前記ＹＺ面内での前記集光スポットのビーム形状が、少なくとも前記集光スポットの中心よりも前記第１面側において、前記第１面から前記第２面に向かうにつれて前記第２領域から前記第１領域に向かう傾斜形状となるように、前記空間光変調器に表示させる前記変調パターンを制御する、
請求項１又は２に記載のレーザ加工装置。

【請求項5】

前記変調パターンは、前記レーザ光に対してコマ収差を付与するためのコマ収差パターンを含み、
前記第１照射処理では、前記制御部は、前記コマ収差パターンによる前記コマ収差を制御することにより、前記ビーム形状を前記傾斜形状とする、
請求項１～４のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。

【請求項6】

第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、前記第２面に沿って配列された第１領域及び第２領域と、を含み、前記第１領域と前記第２領域との間を通るようにラインが設定された対象物にレーザ光を照射するレーザ加工方法であって、
前記第１面及び前記第２面に交差するＺ方向について、前記レーザ光の集光スポットを前記第１面よりも前記第２面側の第１Ｚ位置に位置させた状態で、前記集光スポットを前記ラインに沿って相対移動させながら前記レーザ光を前記対象物に照射する第１照射工程、を備え、
前記第１領域及び前記第２領域の少なくとも前記ライン側の一部分は、互いに異なる構造を有しており、
前記第１照射工程では、前記ライン及び前記Ｚ方向に交差するＹ方向と前記Ｚ方向とを含むＹＺ面内での前記集光スポットのビーム形状が、少なくとも前記集光スポットの中心よりも前記第１面側において、前記Ｚ方向に対して傾斜した傾斜形状となるように前記レーザ光を変調する、
レーザ加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、レーザダイシング装置が記載されている。このレーザダイシング装置は、ウェハを移動させるステージと、ウェハにレーザ光を照射するレーザヘッドと、各部の制御を行う制御部と、を備えている。レーザヘッドは、ウェハの内部に改質領域を形成するための加工用レーザ光を出射するレーザ光源と、加工用レーザ光の光路上に順に配置されたダイクロイックミラー及び集光レンズと、ＡＦ装置と、を有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特許第５７４３１２３号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、ウェハにレーザ光を照射してウェハの内部に改質領域を形成する場合、ウェハのレーザ光入射面と反対側の面から、レーザ光の一部が抜け出る場合がある（いわゆる抜け光が発生する場合がある）。この抜け光は、ウェハのレーザ光入射面と反対側の面に形成されたデバイス等のダメージの原因となるおそれがある。

【0005】

そこで、本開示は、抜け光によるダメージの影響を低減可能なレーザ加工装置、及び、レーザ加工方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示に係るレーザ加工装置は、対象物を支持する支持部と、レーザ光を出力する光源と、光源から出力されたレーザ光を変調パターンに応じて変調して出力するための空間光変調器と、空間光変調器から出力されたレーザ光を対象物に向けて集光し、対象物にレーザ光の集光スポットを形成するための集光レンズと、集光スポットを対象物に対して相対移動させるための移動部と、少なくとも、光源、空間光変調器、及び移動部を制御する制御部と、を備え、対象物は、レーザ光の入射面となる第１面と、第１面の反対側の第２面と、第２面において配列された第１領域及び第２領域と、を含み、第１領域と第２領域との間を通るように集光スポットを相対移動させるラインが設定され、第１領域及び第２領域の少なくともライン側の一部分は、互いに異なる構造を有しており、制御部は、光源、空間光変調器、及び移動部を制御することにより、第１面及び第２面に交差するＺ方向について集光スポットを第１面よりも第２面側の第１Ｚ位置に位置させた状態で集光スポットをラインに沿って相対移動させながらレーザ光を対象物に照射する第１照射処理を実行し、第１照射処理では、制御部は、ライン及びＺ方向に交差するＹ方向とＺ方向とを含むＹＺ面内での集光スポットのビーム形状が、少なくとも集光スポットの中心よりも第１面側において、Ｚ方向に対して傾斜した傾斜形状となるように、空間光変調器に表示させる変調パターンを制御する。

【0007】

本開示に係るレーザ加工方法は、第１面と、第１面の反対側の第２面と、第２面に沿って配列された第１領域及び第２領域と、を含み、第１領域と第２領域との間を通るようにラインが設定された対象物にレーザ光を照射するレーザ加工方法であって、第１面及び第２面に交差するＺ方向について、レーザ光の集光スポットを第１面よりも第２面側の第１Ｚ位置に位置させた状態で、集光スポットをラインに沿って相対移動させながらレーザ光を対象物に照射する第１照射工程、を備え、第１領域及び第２領域の少なくともライン側の一部分は、互いに異なる構造を有しており、第１照射工程では、ライン及びＺ方向に交差するＹ方向とＺ方向とを含むＹＺ面内での集光スポットのビーム形状が、少なくとも集光スポットの中心よりも第１面側において、Ｚ方向に対して傾斜した傾斜形状となるようにレーザ光を変調する。

【0008】

この装置及び方法では、対象物に設定されたラインに沿ってレーザ光の集光スポットを相対移動させることにより、対象物へのレーザ光の照射を行う。対象物は、レーザ光の入射面となる第１面と、第１面の反対側の第２面と、第２面に沿って配列された第１領域及び第２領域と、を含む。集光スポットを相対移動させるラインは、第１領域と第２領域との間を通るように設定されている。そして、レーザ光の照射の際には、ＹＺ面内における集光スポットのビーム形状が、少なくとも集光スポットの中心よりも第１面側においてＺ方向に対して傾斜形状となるようにする。本発明者の知見によれば、このようにビーム形状を傾斜形状とすると、抜け光によるダメージを傾斜方向に応じて偏在させることが可能である。

【0009】

つまり、ＹＺ面内における集光スポットの傾斜形状を、第１面から第２面に向かうにつれて第２領域から第１領域に向かうようにした場合には、抜け光によるダメージを第１領域側に偏在させることができる。一方で、ＹＺ面内における集光スポットの傾斜形状を、第１面から第２面に向かうにつれて第１領域から第２領域に向かうようにした場合には、抜け光によるダメージを第２領域側に偏在させることができる。ここで、対象物の第１領域と第２領域とは、少なくともライン側の一部分において互いに異なる構造を有している。したがって、この装置及び方法によれば、集光スポットの傾斜方向を制御することにより、第１領域及び第２領域のうち、当該一部分が相対的に抜け光に対して脆弱な構造である領域とは反対の領域に抜け光のダメージを偏在させることが可能となる。これにより、この装置及び方法によれば、抜け光によるダメージの影響を低減可能となる。

【0010】

本開示に係るレーザ加工装置では、制御部は、光源、空間光変調器、及び移動部を制御することにより、Ｚ方向について集光スポットを第１Ｚ位置よりも第２面から離れた第２Ｚ位置に位置させた状態で集光スポットをラインに沿って相対移動させながらレーザ光を対象物に照射する第２照射処理を実行し、第２照射処理では、制御部は、空間光変調器の制御により、ＹＺ面内での集光スポットのビーム形状がＺ方向に沿う非傾斜形状としてもよい。この場合、第１領域及び第２領域が配列された第２面からより遠く、第２面側への抜け光の影響が小さい第２Ｚ位置では、レーザ光の集光スポットのビーム形状がＺ方向に沿った非傾斜形状とされることにより、当該第２Ｚ位置付近で形成される改質領域からＺ方向に好適に亀裂を伸展させることが可能となる。

【0011】

本開示に係るレーザ加工装置では、第１領域及び第２領域は、それぞれ半導体デバイスであり、第２領域は、一部分において配線部が設けられており、第１照射処理では、制御部は、ＹＺ面内での集光スポットのビーム形状が、少なくとも集光スポットの中心よりも第１面側において、第１面から第２面に向かうにつれて第２領域から第１領域に向かう傾斜形状となるように、空間光変調器に表示させる変調パターンを制御してもよい。一般に、半導体デバイスにあっては、配線部分が抜け光によりダメージを受けやすい。したがって、上記のように傾斜形状を制御することにより、配線部が設けられた第２領域とは反対の第１領域側に抜け光によるダメージを偏在させれば、抜け光によるダメージの影響を確実に低減可能である。

【0012】

本開示に係るレーザ加工装置では、第２領域は、アクティブ領域であり、第１領域は、アクティブ領域と異なる領域であり、第１照射処理では、制御部は、ＹＺ面内での集光スポットのビーム形状が、少なくとも集光スポットの中心よりも第１面側において、第１面から第２面に向かうにつれて第２領域から第１領域に向かう傾斜形状となるように、空間光変調器に表示させる変調パターンを制御してもよい。この場合、上記のように傾斜形状を制御することにより、アクティブエリアである第２領域とは反対の第１領域側に抜け光によるダメージを偏在させれば、抜け光によるダメージの影響を確実に低減可能である。

【0013】

本開示に係るレーザ加工装置では、変調パターンは、レーザ光に対してコマ収差を付与するためのコマ収差パターンを含み、第１照射処理では、制御部は、コマ収差パターンによるコマ収差を制御することにより、ビーム形状を傾斜形状としてもよい。このように、レーザ光に付与するコマ収差を制御することにより、集光スポットの傾斜形状を制御可能である。

【発明の効果】

【0014】

本開示によれば、抜け光によるダメージの影響を低減可能なレーザ加工装置、及び、レーザ加工方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】図１は、一実施形態に係るレーザ加工装置の構成を示す模式図である。

【図2】図２は、図１に示されたレーザ照射部の構成を示す模式図である。

【図3】図３は、図２に示された４ｆレンズユニット等を示す模式図である。

【図4】図４は、図２に示された空間光変調器の断面を示す模式図である。

【図5】図５は、対象物の一例を示す図である。

【図6】図６は、一実施形態に係るレーザ加工方法の一工程を示す図である。

【図7】図７は、一実施形態に係るレーザ加工方法の別の一工程を示す図である。

【図8】図８は、集光スポットの形状及び抜け光の影響を示す図である。

【図9】図９は、球面収差補正パターンをオフセットさせる様子を示す図である。

【図10】図１０は、球面収差補正パターンのオフセット量又はコマ収差パターンのコマ収差のレベルを複数段階で変化させたときのビーム形状の変化を示す図である。

【図11】図１１は、各集光スポットのＸＹ面内でのプロファイルを示す。

【図12】図１２は、コマ収差のレベルに応じた加工結果の一例を示す写真である。

【図13】図１３は、変調パターンの一例を示す図である。

【図14】図１４は、集光レンズの入射瞳面における強度分布、及び、集光スポットのビーム形状を示す図である。

【図15】図１５は、集光スポットのビーム形状、及び、集光スポットの強度分布の観測結果を示す図である。

【図16】図１６は、変調パターンの一例を示す図である。

【図17】図１７は、非対称な変調パターンの別の例を示す図である。

【図18】図１８は、集光レンズの入射瞳面における強度分布、及び、集光スポットのビーム形状を示す図である。

【図19】図１９は、変形例に係る集光スポットを示す模式的な断面図である。

【図20】図２０は、変形例に係る対象物を示す図である。

【図21】図２１は、別の変形例に係る対象物を示す図である。

【図22】図２２は、集光スポットのビーム形状を示す図である。

【図23】図２３は、集光スポットのビーム形状を示す図である。

【図24】図２４は、加工結果を説明するための図である。

【図25】図２５は、さらに別の変形例に係る対象物を示す図である。

【図26】図２６は、斜め亀裂を形成する方法を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において、同一又は相当する部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。また、各図には、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸によって規定される直交座標系を示す場合がある。

【0017】

図１は、一実施形態に係るレーザ加工装置の構成を示す模式図である。図１に示されるように、レーザ加工装置１は、ステージ（支持部）２と、レーザ照射部３と、駆動部（移動部）４，５と、制御部６と、を備えている。レーザ加工装置１は、対象物１１にレーザ光Ｌを照射することにより、対象物１１に改質領域１２を形成するための装置である。

【0018】

ステージ２は、例えば対象物１１に貼り付けられたフィルムを保持することにより、対象物１１を支持する。ステージ２は、Ｚ方向に平行な軸線を回転軸として回転可能である。ステージ２は、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれに沿って移動可能とされてもよい。なお、Ｘ方向及びＹ方向は、互いに交差（直交）する第１水平方向及び第２水平方向であり、Ｚ方向は鉛直方向である。

【0019】

レーザ照射部３は、対象物１１に対して透過性を有するレーザ光Ｌを集光して対象物１１に照射する。ステージ２に支持された対象物１１の内部にレーザ光Ｌが集光されると、レーザ光Ｌの集光スポットＣ（例えば後述する中心Ｃａ）に対応する部分においてレーザ光Ｌが特に吸収され、対象物１１の内部に改質領域１２が形成される。なお、集光スポットＣは、詳細な説明は後述するが、レーザ光Ｌのビーム強度が最も高くなる位置又はビーム強度の重心位置から所定範囲の領域である。

【0020】

改質領域１２は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲の非改質領域とは異なる領域である。改質領域１２としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等がある。改質領域１２は、改質領域１２からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に亀裂が延びるように形成され得る。そのような改質領域１２及び亀裂は、例えば対象物１１の切断に利用される。

【0021】

一例として、ステージ２をＸ方向に沿って移動させ、対象物１１に対して集光スポットＣをＸ方向に沿って相対的に移動させると、複数の改質スポット１２ｓがＸ方向に沿って１列に並ぶように形成される。１つの改質スポット１２ｓは、１パルスのレーザ光Ｌの照射によって形成される。１列の改質領域１２は、１列に並んだ複数の改質スポット１２ｓの集合である。隣り合う改質スポット１２ｓは、対象物１１に対する集光スポットＣの相対的な移動速度及びレーザ光Ｌの繰り返し周波数によって、互いに繋がる場合も、互いに離れる場合もある。

【0022】

駆動部４は、ステージ２をＺ方向に交差（直交）する面内の一方向に移動させる第１移動部４１と、ステージ２をＺ方向に交差（直交）する面内の別方向に移動させる第２移動部４２と、を含む。一例として、第１移動部４１は、ステージ２をＸ方向に沿って移動させ、第２移動部４２は、ステージ２をＹ方向に沿って移動させる。また、駆動部４は、ステージ２をＺ方向に平行な軸線を回転軸として回転させる。駆動部５は、レーザ照射部３を支持している。駆動部５は、レーザ照射部３をＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に沿って移動させる。レーザ光Ｌの集光スポットＣが形成されている状態においてステージ２及び/又はレーザ照射部３が移動させられることにより、集光スポットＣが対象物１１に対して相対移動させられる。すなわち、駆動部４，５は、対象物１１に対してレーザ光Ｌの集光スポットＣが相対移動するように、ステージ２及びレーザ照射部３の少なくとも一方を移動させる移動部である。

【0023】

制御部６は、ステージ２、レーザ照射部３、及び駆動部４，５の動作を制御する。制御部６は、処理部、記憶部、及び入力受付部を有している（不図示）。処理部は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。処理部では、プロセッサが、メモリ等に読み込まれたソフトウェア（プログラム）を実行し、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み、並びに、通信デバイスによる通信を制御する。記憶部は、例えばハードディスク等であり、各種データを記憶する。入力受付部は、各種情報を表示すると共に、ユーザから各種情報の入力を受け付けるインターフェース部である。入力受付部は、ＧＵＩ（Graphical User Interface）を構成している。

【0024】

図２は、図１に示されたレーザ照射部の構成を示す模式図である。図２には、レーザ加工の予定を示す仮想的なラインＡを示している。図２に示されるように、レーザ照射部３は、光源３１と、空間光変調器７と、集光レンズ３３と、４ｆレンズユニット３４と、を有している。光源３１は、例えばパルス発振方式によって、レーザ光Ｌを出力する。なお、レーザ照射部３は、光源３１を有さず、レーザ照射部３の外部からレーザ光Ｌを導入するように構成されてもよい。空間光変調器７は、光源３１から出力されたレーザ光Ｌを変調する。集光レンズ３３は、空間光変調器７によって変調されて空間光変調器７から出力されたレーザ光Ｌを対象物１１に向けて集光する。

【0025】

図３に示されるように、４ｆレンズユニット３４は、空間光変調器７から集光レンズ３３に向かうレーザ光Ｌの光路上に配列された一対のレンズ３４Ａ，３４Ｂを有している。一対のレンズ３４Ａ，３４Ｂは、空間光変調器７の変調面７ａと集光レンズ３３の入射瞳面（瞳面）３３ａとが結像関係にある両側テレセントリック光学系を構成している。これにより、空間光変調器７の変調面７ａでのレーザ光Ｌの像（空間光変調器７において変調されたレーザ光Ｌの像）が、集光レンズ３３の入射瞳面３３ａに転像（結像）される。なお、図中のＦｓはフーリエ面を示す。

【0026】

図４に示されるように、空間光変調器７は、反射型液晶（ＬＣＯＳ：Liquid Crystal on Silicon）の空間光変調器（ＳＬＭ：Spatial Light Modulator）である。空間光変調器７は、半導体基板７１上に、駆動回路層７２、画素電極層７３、反射膜７４、配向膜７５、液晶層７６、配向膜７７、透明導電膜７８及び透明基板７９がこの順序で積層されることで、構成されている。

【0027】

半導体基板７１は、例えば、シリコン基板である。駆動回路層７２は、半導体基板７１上において、アクティブ・マトリクス回路を構成している。画素電極層７３は、半導体基板７１の表面に沿ってマトリックス状に配列された複数の画素電極７３ａを含んでいる。各画素電極７３ａは、例えば、アルミニウム等の金属材料によって形成されている。各画素電極７３ａには、駆動回路層７２によって電圧が印加される。

【0028】

反射膜７４は、例えば、誘電体多層膜である。配向膜７５は、液晶層７６における反射膜７４側の表面に設けられており、配向膜７７は、液晶層７６における反射膜７４とは反対側の表面に設けられている。各配向膜７５，７７は、例えば、ポリイミド等の高分子材料によって形成されており、各配向膜７５，７７における液晶層７６との接触面には、例えば、ラビング処理が施されている。配向膜７５，７７は、液晶層７６に含まれる液晶分子７６ａを一定方向に配列させる。

【0029】

透明導電膜７８は、透明基板７９における配向膜７７側の表面に設けられており、液晶層７６等を挟んで画素電極層７３と向かい合っている。透明基板７９は、例えば、ガラス基板である。透明導電膜７８は、例えば、ＩＴＯ等の光透過性且つ導電性材料によって形成されている。透明基板７９及び透明導電膜７８は、レーザ光Ｌを透過させる。

【0030】

以上のように構成された空間光変調器７では、変調パターンを示す信号が制御部６から駆動回路層７２に入力されると、当該信号に応じた電圧が各画素電極７３ａに印加され、各画素電極７３ａと透明導電膜７８との間に電界が形成される。当該電界が形成されると、液晶層７６において、各画素電極７３ａに対応する領域ごとに液晶分子７６ａの配列方向が変化し、各画素電極７３ａに対応する領域ごとに屈折率が変化する。この状態が、液晶層７６に変調パターンが表示された状態である。変調パターンは、レーザ光Ｌを変調するためのものである。

【0031】

すなわち、液晶層７６に変調パターンが表示された状態で、レーザ光Ｌが、外部から透明基板７９及び透明導電膜７８を介して液晶層７６に入射し、反射膜７４で反射されて、液晶層７６から透明導電膜７８及び透明基板７９を介して外部に出射させられると、液晶層７６に表示された変調パターンに応じて、レーザ光Ｌが変調される。このように、空間光変調器７によれば、液晶層７６に表示する変調パターンを適宜設定することで、レーザ光Ｌの変調（例えば、レーザ光Ｌの強度、振幅、位相、偏光等の変調）が可能である。なお、図３に示された変調面７ａは、例えば液晶層７６である。

【0032】

以上のように、光源３１から出力されたレーザ光Ｌが、空間光変調器７及び４ｆレンズユニット３４を介して集光レンズ３３に入射され、集光レンズ３３によって対象物１１内に集光されることにより、その集光スポットＣにおいて対象物１１に改質領域１２及び改質領域１２から延びる亀裂が形成される。さらに、制御部６が駆動部４，５を制御することにより、集光スポットＣを対象物１１に対して相対移動させることにより、集光スポットＣの移動方向に沿って改質領域１２及び亀裂が形成されることとなる。

【0033】

図５は、対象物の一例を示す図である。図５の（ａ）は平面図であり、図５の（ｂ）は図５の（ａ）のVb－Vb線に沿っての断面図である。図５の（ｂ）では、ハッチングを省略している（以下、各断面図でも同様）。図５に示されるように、対象物１１は、第１面１１ａと、第１面１１ａの反対側の第２面１１ｂと、を含む。対象物１１は、第１面１１ａ及び第２面１１ｂがＺ方向に交差（直交）するように、且つ、第１面１１ａがレーザ照射部３側に臨むようにステージ２に支持されている。したがって、対象物１１では、第１面１１ａがレーザ光Ｌの入射面となる。

【0034】

対象物１１は、第２面１１ｂに沿って２次元状に配列された複数の半導体デバイス１１Ｄを含む。半導体デバイス１１Ｄは、例えば金属からなる配線部Ｗを含む。配線部Ｗは、平面視において１つの半導体デバイス１１Ｄ内の一方側（ここではＹ方向正側）に配置されている。また、半導体デバイス１１Ｄのそれぞれは、平面視において同じ向きで配列されている。したがって、Ｙ方向に隣り合う一対の半導体デバイス１１Ｄのうち、一方の半導体デバイス１１Ｄは、他方の半導体デバイス１１Ｄに対向する一部分Ｐ１において配線部Ｗが設けられておらず、他方の半導体デバイス１１Ｄは、一方の半導体デバイス１１Ｄに対向する一部分Ｐ２において配線部Ｗが設けられている。

【0035】

ここでは、一方の半導体デバイス１１Ｄ及び第２面１１ｂにおける当該半導体デバイス１１Ｄが設けられたエリアを第１領域Ｒ１と称し、他方の半導体デバイス１１Ｄ及び第２面１１ｂにおける当該半導体デバイス１１Ｄが設けられたエリアを第２領域Ｒ２と称する。また、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間、すなわち、互いに隣り合う半導体デバイス１１Ｄの間には、ストリート領域Ｒｓが介在されている。ラインＡは、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間を通るようにストリート領域Ｒｓに設定されている。したがって、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２のラインＡ側の一部分Ｐ１，Ｐ２は、少なくとも配線部Ｗを含むか否かにおいて、互いに異なる構造を有することとなる。

【0036】

このような対象物１１に対して、以下のようにレーザ加工が実施される。図６は、一実施形態に係るレーザ加工方法の一工程を示す図である。図６の（ａ）は平面図であり、図６の（ｂ）は図６の（ａ）のVIb－VIb線に沿っての断面図である。図６に示されるように、まず、レーザ光Ｌを第１面１１ａ側から対象物１１内に入射させつつ、対象物１１の内部において、Ｚ方向の第１Ｚ位置にレーザ光Ｌの集光スポットＣ１が形成されるようにする。第１Ｚ位置は、第１面１１ａよりも第２面１１ｂ側の位置である。その状態において、レーザ光Ｌの集光スポットＣ１をラインＡに沿ってＸ方向に相対移動させながら、レーザ光Ｌを対象物１１に照射する（工程Ｓ１０１：第１照射工程）。

【0037】

レーザ加工装置１としては、この工程Ｓ１０１において、制御部６が、光源３１、空間光変調器７、及び駆動部４，５を制御することにより、Ｚ方向について集光スポットＣ１を第１面１１ａよりも第２面１１ｂ側の第１Ｚ位置に位置させた状態で、集光スポットＣ１をラインＡに沿って相対移動させながら、レーザ光Ｌを対象物１１に照射する第１照射処理を実行することとなる。このように、ここでは、Ｘ方向が加工進行方向ＦＤとされる。これにより、対象物１１の内部に（第１Ｚ位置において）、ラインＡに沿って改質領域１２ａが形成される。この工程Ｓ１０１及び第１照射処理は、複数のラインＡについて順次行われ得る。

【0038】

図７は、一実施形態に係るレーザ加工方法の別の一工程を示す図である。図７の（ａ）は平面図であり、図７の（ｂ）は図７の（ａ）のVIIb－VIIb線に沿っての断面図である。図７に示されるように、引き続いて、レーザ光Ｌを第１面１１ａ側から対象物１１内に入射させつつ、対象物１１の内部においてＺ、方向の第２Ｚ位置にレーザ光Ｌの集光スポットＣ２が形成されるようにする。第２Ｚ位置は、第１Ｚ位置よりも第１面１１ａ側の位置である。その状態において、レーザ光Ｌの集光スポットＣ２をラインＡに沿ってＸ方向に相対移動させながら、レーザ光Ｌを対象物１１に照射する（工程Ｓ１０２）。

【0039】

レーザ加工装置１としては、この工程Ｓ１０２において、制御部６が、光源３１、空間光変調器７、及び駆動部４，５を制御することにより、Ｚ方向について集光スポットＣ２を第１Ｚ位置よりも第２面１１ｂから離れた第２Ｚ位置に位置させた状態で、集光スポットＣ２をラインＡに沿って相対移動させながらレーザ光Ｌを対象物１１に照射する第２照射処理を実行することとなる。これにより、対象物１１の内部（第２Ｚ位置において）、ラインＡに沿って改質領域１２ｂが形成される。この工程Ｓ１０２及び第２照射処理は、複数のラインＡについて順次行われ得る。

【0040】

なお、図７の（ｂ）の例では、第１Ｚ位置近傍に形成された改質領域１２ａよりも第１面１１ａ側に、２列の改質領域１２ｂが形成される様子が示されている。いずれの改質領域１２ｂも、第１Ｚ位置よりも第１面１１ａ側の第２Ｚ位置近傍に形成されている。このように、改質領域１２ｂは、レーザ光Ｌの集光スポットＣ２を２以上の複数の第２Ｚ位置に位置させつつレーザ光Ｌの照射が行われることにより、任意の列数だけ形成され得る。換言すれば、第１Ｚ位置は、Ｚ方向に並ぶ複数列の改質領域１２を形成するに際して、最も第２面１１ｂ側の改質領域１２ａを形成するときに、集光スポットＣ１が位置させられるＺ方向の位置となる。

【0041】

したがって、工程Ｓ１０１及び第１照射処理では、複数回のレーザ加工の中で、最も第２面１１ｂ側に集光スポットＣ１を位置させての加工が行われることから、集光スポットＣ１から第２面１１ｂ側、すなわち半導体デバイス１１Ｄ側への抜け光によるダメージを考慮する必要性が高い。そのため、本実施形態では、少なくとも工程Ｓ１０１及び第１照射処理において、集光スポットＣ１の形状を傾斜形状とする。引き続いて、この点について詳細に説明する。

【0042】

図８は、集光スポットの形状及び抜け光の影響を示す図である。図８の（ａ）は、ＹＺ面内での集光スポットＣ１のビーム形状を示している。Ｙ方向は、加工進行方向ＦＤであるＸ方向と、Ｚ方向との両方に交差（直交）する方向である。図８の（ａ）に示されるように、工程Ｓ１０１及び第１照射処理では、空間光変調器７を用いてレーザ光Ｌを変調することにより、集光スポットＣ１のＹＺ面内でのビーム形状を、少なくとも集光スポットＣ１の中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、Ｚ方向に対して傾斜する傾斜形状とする。本発明者の知見によれば、このようにビーム形状を傾斜形状とすると、抜け光によるダメージを、傾斜方向に応じて偏在させることが可能である。

【0043】

本実施形態では、集光スポットＣ１のビーム形状は、中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、Ｚ方向に対してＹ方向の負側に傾斜するように、すなわち、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて（Ｚ方向負側に向かうにつれて）、第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かうように傾斜されている。また、本実施形態では、集光スポットＣ１のビーム形状は、中心Ｃａよりも第２面１１ｂ側においても、Ｚ方向に対してＹ方向の負側に傾斜するように、すなわち、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて（Ｚ方向負側に向かうにつれて）、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２に向かうように傾斜されている。これにより、集光スポットＣ１のＹＺ面内でのビーム形状は、全体として、Ｙ方向正側に凸となる弧形状とされている。なお、ＹＺ面内における集光スポットＣ１のビーム形状とは、ＹＺ面内における集光スポットＣ１でのレーザ光Ｌの強度分布である。

【0044】

図８の（ｂ）に示されるように、以上のように集光スポットＣ１のビーム形状の傾斜形状を制御することにより、配線部Ｗが設けられた第２領域Ｒ２とは反対の第１領域Ｒ１側に抜け光Ｌｔによるダメージを偏在させれば、抜け光Ｌｔによるダメージを受けやすい配線部Ｗへの抜け光Ｌｔの影響を確実に低減可能である。

【0045】

引き続いて、集光スポットＣ１のＹＺ面内でのビーム形状を傾斜形状とするための知見について説明する。まず、集光スポットＣ１（他の集光スポットも同様）の定義について具体的に説明する。ここでは、集光スポットＣ１とは、中心Ｃａから所定範囲（例えばＺ方向について中心Ｃａから±２５μｍの範囲）の領域である。中心Ｃａは、ビーム強度が最も高くなる位置、又は、ビーム強度の重心位置である。ビーム強度の重心位置は、例えば、レーザ光Ｌを分岐させるための変調パターンといったようなレーザ光Ｌの光軸をシフトさせる変調パターンによる変調が行われていない状態でのレーザ光Ｌの光軸上で、ビーム強度の重心が位置する位置である。

【0046】

ビーム強度が最も高くなる位置やビーム強度の重心は、以下のように取得できる。すなわち、レーザ光Ｌの出力を対象物１１に改質領域１２が形成されない程度に（加工閾値よりも）低くした状態で、対象物１１にレーザ光Ｌを照射する。これと共に、対象物１１のレーザ光Ｌの入射面と反対側の面（ここでは第２面１１ｂ）からのレーザ光Ｌの反射光を、例えば図１５に示されるＺ方向の複数の位置Ｆ１～Ｆ７についてカメラで撮像する。これにより、得られた画像に基づいてビーム強度の最も高くなる位置や重心を取得できる。なお、改質領域１２は、この中心Ｃａ付近で形成される。

【0047】

集光スポットＣ１でのビーム形状を傾斜形状とするためには、変調パターンをオフセットさせる方法がある。より具体的には、空間光変調器７には、波面の歪を補正するための歪補正パターン、レーザ光を分岐するためのグレーティングパターン、スリットパターン、非点収差パターン、コマ収差パターン、及び、球面収差補正パターン等の種々のパターンが表示される（これらが重畳されたパターンが表示される）。このうち、図９に示されるように、球面収差補正パターンＰｓをオフセットさせることにより、集光スポットＣ１のビーム形状を調整可能である。

【0048】

図９の例では、変調面７ａにおいて、球面収差補正パターンＰｓの中心Ｐｃを、レーザ光Ｌの（ビームスポットの）中心Ｌｃに対して、Ｙ方向の負側にオフセット量Ｏｙ１だけオフセットさせている。上述したように、変調面７ａは、４ｆレンズユニット３４によって、集光レンズ３３の入射瞳面３３ａに転像される。したがって、変調面７ａにおけるオフセットは、入射瞳面３３ａでは、Ｙ方向の正側へのオフセットになる。すなわち、入射瞳面３３ａでは、球面収差補正パターンＰｓの中心Ｐｃは、レーザ光Ｌの中心Ｌｃ、及び入射瞳面３３ａの中心（ここでは、中心Ｌｃと一致している）からＹ方向の正側にオフセット量Ｏｙ２だけオフセットされる。

【0049】

このように、球面収差補正パターンＰｓをオフセットさせることにより、レーザ光Ｌの集光スポットＣ１のビーム形状が、図８の（ａ）に示されるように弧状の傾斜形状に変形される。以上のように球面収差補正パターンＰｓをオフセットさせることは、レーザ光Ｌに対してコマ収差を与えることに相当する。したがって、空間光変調器７の変調パターンに、レーザ光Ｌに対してコマ収差を付与するためのコマ収差パターンを含ませることにより、集光スポットＣ１のビーム形状を傾斜形状としてもよい。すなわち、変調パターンは、レーザ光Ｌに対してコマ収差を付与するためのコマ収差パターンを含み、工程Ｓ１０１及び第１照射処理では、制御部６が、コマ収差パターンによるコマ収差を制御することにより、ビーム形状を前記傾斜形状としてもよい。なお、コマ収差パターンとしては、Ｚｅｒｎｉｋｅの多項式の９項（３次のコマ収差のＹ成分）に相当するパターンであって、Ｙ方向にコマ収差が発生するパターンを使用することができる。

【0050】

図１０は、球面収差補正パターンのオフセット量又はコマ収差パターンのコマ収差のレベルを複数段階で変化させたときのビーム形状の変化を示す図である。図１０における「オフセット［ｐｉｘｅｌ］ＳＬＭ平面」は、変調面７ａでのオフセット量を示している。また、「（３次）コマ収差」は、球面収差補正パターンＰｓのオフセット量に対応する３次のコマ収差の大きさを示している。上述したように、ここでは、変調面７ａでの球面収差補正パターンＰｓをオフセット量の符号と、入射瞳面３３ａでの球面収差補正パターンＰｓをオフセット量の符号とが逆になっている。

【0051】

また、「ＢＥ（μｍ）」は、球面収差補正パターンＰｓの補正量であり、「Ｚ［μｍ］」はＺ方向におけるレーザ光Ｌの集光位置であり、「ＣＰ［μｍ］」は集光補正量である。図１０に示されるように、球面収差補正パターンＰｓの（中心Ｐｃの）オフセット量を段階的に変化させることにより、又は、コマ収差パターンのコマ収差のレベルを段階的に変化させることにより、集光スポットＣ１のビーム形状を段階的に変化させることができる。

【0052】

引き続いて、図１０に示される複数の集光スポットのうち、コマ収差のレベルが「４」である場合の集光スポットＣ１ａ、コマ収差のレベルが「１」である場合の集光スポットＣ１ｂ、及び、コマ収差のレベルが「０」である場合（コマ収差が付与されない場合）の集光スポットＣ１ｃについて比較する。図１１は、各集光スポットの（位置Ｑａにおける）ＸＹ面内でのプロファイルを示す。図１１に示されるように、集光スポットＣ１ｃから集光スポットＣ１ａにかけて、コマ収差のレベルが大きくなるにつれて、ＸＹ面内においてビーム強度分布が均一な状態から偏在した状態となる様子が理解される。

【0053】

図１２は、コマ収差のレベルに応じた加工結果の一例を示す写真である。図１２の（ａ）は、コマ収差のレベルが「４」である場合（集光スポットＣ１ａ）での加工結果を示し、図１２の（ｂ）は、コマ収差のレベルが「１」である場合（集光スポットＣ１ｂ）での加工結果を示し、図１２の（ｃ）は、コマ収差のレベルが「０」である場合（集光スポットＣ１ｃ）での加工結果を示している。図１２の（ａ），（ｂ）の例では、抜け光によるダメージＤｔが第１領域Ｒ１に確実に偏在されており、第２領域Ｒ２にはダメージＤｔが生じていない。

【0054】

一方、図１２の（ｃ）の例では、抜け光ＬｔによるダメージＤｔの偏在が見られず、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の両方にダメージＤｔが生じている。この結果からも、上述したように集光スポットＣ１のビーム形状を傾斜形状とすることにより、抜け光ＬｔによるダメージＤｔの影響をコントロール可能であることが理解される。なお、図１２の例では、対象物１１の第２面１１ｂ上に、半導体デバイス１１Ｄに代えて金属膜を成膜することによりダメージＤｔを可視化している。また、ダメージＤｔは、いわゆるスプラッシュであると考えられる。

【0055】

以上のように、少なくとも工程Ｓ１０１及び第１照射処理では、制御部６が、ラインＡ及びＺ方向に交差するＹ方向とＺ方向とを含むＹＺ面内での集光スポットＣ１のビーム形状が、少なくとも集光スポットＣ１の中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、Ｚ方向に対して傾斜した傾斜形状となるように、空間光変調器７に表示させる変調パターンを制御する。より具体的には、工程Ｓ１０１及び第１照射処理では、制御部６が、ＹＺ面内での集光スポットＣ１のビーム形状が、少なくとも集光スポットＣ１の中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かう傾斜形状となるように、空間光変調器７に表示させる変調パターンを制御する。

【0056】

一方、工程Ｓ１０２及び第２照射処理についても、制御部６が工程Ｓ１０１及び第１照射処理と同様に、レーザ光Ｌの集光スポットＣ２のビーム形状が傾斜形状となるように空間光変調器７を制御してもよい。しかし、工程Ｓ１０２及び第２照射処理では、相対的に第２面１１ｂから離れた第２Ｚ位置に集光スポットＣ２を位置させての加工が行われることから、集光スポットＣ２から第２面１１ｂ側、すなわち半導体デバイス１１Ｄ側への抜け光によるダメージを考慮する必要性が低い。そのため、本実施形態では、工程Ｓ１０２及び第２照射処理では、制御部６が、空間光変調器７の制御により、ＹＺ面内での集光スポットＣ２のビーム形状がＺ方向に沿う非傾斜形状とする。非傾斜形状の集光スポットＣ２は、一例として、空間光変調器７に表示する変調パターンのコマ収差のレベルを「０」とすることにより、集光スポットＣ１ｃのような形状に形成され得る。

【0057】

以上説明したように、本実施形態に係るレーザ加工装置１及びレーザ加工方法では、対象物１１に設定されたラインＡに沿ってレーザ光Ｌの集光スポットＣを相対移動させることにより、対象物１１へのレーザ光Ｌの照射を行う。対象物１１は、レーザ光Ｌの入射面となる第１面１１ａと、第１面１１ａの反対側の第２面１１ｂと、第２面１１ｂに沿って配列された第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２と、を含む。集光スポットＣを相対移動させるラインＡは、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間を通るように設定されている。そして、レーザ光Ｌの照射の際には、ＹＺ面内における集光スポットＣ１のビーム形状が、少なくとも集光スポットＣ１の中心Ｃａよりも第１面１１ａ側においてＺ方向に対して傾斜形状となるようにする。このようにビーム形状を傾斜形状とすると、抜け光ＬｔによるダメージＤｔを、傾斜方向に応じて偏在させることが可能なのである。

【0058】

つまり、ＹＺ面内における集光スポットＣ１の傾斜形状を、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かうようにした場合には、抜け光ＬｔによるダメージＤｔを第１領域Ｒ１側に偏在させることができる。一方で、ＹＺ面内における集光スポットＣ１の傾斜形状を、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２に向かうようにした場合には、抜け光ＬｔによるダメージＤｔを第２領域Ｒ２側に偏在させることができる。

【0059】

ここで、対象物１１の第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とは、少なくともライン側の一部分Ｐ１，Ｐ２において互いに異なる構造を有している。したがって、本実施形態に係るレーザ加工装置１及びレーザ加工方法によれば、集光スポットＣ１の傾斜方向を制御することにより、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２のうち、当該一部分Ｐ１，Ｐ２が相対的に抜け光Ｌｔに対して脆弱な構造である領域とは反対の領域に抜け光ＬｔのダメージＤｔを偏在させることが可能となる。これにより、本実施形態に係るレーザ加工装置１及びレーザ加工方法によれば、抜け光ＬｔによるダメージＤｔの影響を低減可能となる。

【0060】

また、本実施形態に係るレーザ加工装置１では、制御部６は、光源３１、空間光変調器７、及び駆動部４，５を制御することにより、Ｚ方向について集光スポットＣ２を第１Ｚ位置よりも第２面１１ｂから離れた第２Ｚ位置に位置させた状態で集光スポットＣ２をラインＡに沿って相対移動させながらレーザ光Ｌを対象物１１に照射する第２照射処理を実行する。第２照射処理では、制御部６は、空間光変調器７の制御により、ＹＺ面内での集光スポットＣ２のビーム形状がＺ方向に沿う非傾斜形状とする。このように、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２が配列された第２面１１ｂからより遠く、第２面１１ｂ側への抜け光Ｌｔの影響が小さい第２Ｚ位置では、レーザ光Ｌの集光スポットＣ２のビーム形状がＺ方向に沿った非傾斜形状とされることにより、当該第２Ｚ位置付近で形成される改質領域１２ｂからＺ方向に好適に亀裂（垂直亀裂）を伸展させることが可能となる。

【0061】

また、本実施形態に係るレーザ加工装置１では、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２は、それぞれ半導体デバイス１１Ｄであり、第２領域Ｒ２は、一部分Ｐ２において配線部Ｗが設けられている。そして、第１照射処理では、制御部６は、ＹＺ面内での集光スポットＣ１のビーム形状が、少なくとも集光スポットＣ１の中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かう傾斜形状となるように、空間光変調器７に表示させる変調パターンを制御する。一般に、半導体デバイス１１Ｄにあっては、配線部Ｗが抜け光Ｌｔによりダメージを受けやすい。したがって、上記のように傾斜形状を制御することにより、配線部Ｗが設けられた第２領域Ｒ２とは反対の第１領域Ｒ１側に抜け光ＬｔによるダメージＤｔを偏在させれば、抜け光ＬｔによるダメージＤｔの影響を確実に低減可能である。

【0062】

さらに、本実施形態に係るレーザ加工装置１では、変調パターンは、レーザ光Ｌに対してコマ収差を付与するためのコマ収差パターンを含み、第１照射処理では、制御部６は、コマ収差パターンによるコマ収差を制御することにより、ビーム形状を傾斜形状としてもよい。このように、レーザ光Ｌに付与するコマ収差を制御することにより、集光スポットＣ１の傾斜形状を制御可能である。
［変形例］

【0063】

以上の実施形態は、本開示に係るレーザ加工装置及びレーザ加工方法の一例を説明したものである。したがって、本開示に係るレーザ加工装置及びレーザ加工方法は上記のものから変形され得る。

【0064】

上記実施形態では、レーザ光Ｌの集光スポットＣのビーム形状を傾斜形状とするに際して、球面収差補正パターンＰｓのオフセットやコマ収差を利用した。しかし、ビーム形状のコントロールは上記の例に限定されない。引き続いて、ビーム形状を傾斜形状とするための別の例について説明する。図１３の（ａ）に示されるように、加工進行方向ＦＤであるＸ方向に沿った軸線Ａｘに対して非対称な変調パターンＰＧ１によってレーザ光Ｌを変調し、集光スポットＣのビーム形状を傾斜形状としてもよい。変調パターンＰＧ１は、Ｙ方向におけるレーザ光Ｌのビームスポットの中心Ｌｃを通るＸ方向に沿った軸線ＡｘよりもＹ方向の負側にグレーティングパターンＧａを含むと共に、軸線ＡｘよりもＹ方向の正側に非変調領域Ｂａを含む。換言すれば、変調パターンＰＧ１は、軸線ＡｘよりもＹ方向の負側のみにグレーティングパターンＧａが含まれる。なお、図１３の（ｂ）は、図１３の（ａ）の変調パターンＰＧ１を集光レンズ３３の入射瞳面３３ａに対応するように反転させたものである。

【0065】

図１４の（ａ）は、集光レンズ３３の入射瞳面３３ａにおけるレーザ光Ｌの強度分布を示す。図１４の（ａ）に示されるように、このような変調パターンＰＧ１を用いることにより、空間光変調器７に入射したレーザ光ＬのうちのグレーティングパターンＧａにより変調された部分が集光レンズ３３の入射瞳面３３ａに入射しなくなる。この結果、図１４の（ｂ）及び図１５に示されるように、ＹＺ面内における集光スポットＣのビーム形状を、その全体がＺ方向に対して一方向に傾斜した傾斜形状とすることができる。

【0066】

すなわち、この場合には、集光スポットＣのビーム形状が、集光スポットＣの中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、Ｚ方向に対してＹ方向の負側に傾斜するようにされる。すなわち、中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて（Ｚ方向負側に向かうにつれて）、第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かうように傾斜される。また、この場合には、集光スポットＣの中心Ｃａよりも第２面１１ｂ側において、Ｚ方向に対してＹ方向の正側に傾斜することとなる。すなわち、中心Ｃａよりも第２面１１ｂ側においても、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて（Ｚ方向負側に向かうにつれて）、第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かうように傾斜される。

【0067】

なお、この場合には、抜け光ＬｔによるダメージＤｔは、第１領域Ｒ１側に偏在されることとなる。これに対して、抜け光ＬｔによるダメージＤｔを第２領域Ｒ２側に偏在させる場合には、変調パターンＰＧ１において、グレーティングパターンＧａと非変調領域Ｂａとの位置を入れ替えればよい。また、図１５の（ｂ）の各図は、図１５の（ａ）に示されたＺ方向の各位置Ｆ１～Ｆ７におけるレーザ光ＬのＸＹ面内の強度分布を示し、カメラによる実際の観測結果である。

【0068】

さらに、軸線Ａｘに対して非対称な変調パターンとしては、図１６に示される変調パターンＰＧ２，ＰＧ３，ＰＧ４を採用することもできる。変調パターンＰＧ２は、軸線ＡｘよりもＹ方向の負側において、軸線Ａｘから離れる方向に順に配列された非変調領域Ｂａ及びグレーティングパターンＧａを含み、軸線ＡｘよりもＹ方向の正側に非変調領域Ｂａを含む。すなわち、変調パターンＰＧ２は、軸線ＡｘよりもＹ方向の負側の領域の一部にグレーティングパターンＧａを含む。

【0069】

変調パターンＰＧ３は、軸線ＡＸよりもＹ方向の負側において、軸線Ａｘから離れる方向に順に配列された非変調領域Ｂａ及びグレーティングパターンＧａを含むと共に、軸線ＡｘよりもＹ方向の正側においても、軸線Ａｘから離れる方向に順に配列された非変調領域Ｂａ及びグレーティングパターンＧａを含む。変調パターンＰＧ３では、軸線ＡｘよりもＹ方向の正側とＹ方向の負側とで、非変調領域Ｂａ及びグレーティングパターンＧａの割合を異ならせることで（Ｙ方向の負側で相対的に非変調領域Ｂａが狭くされることで）、軸線Ａｘに対して非対称とされている。

【0070】

変調パターンＰＧ４は、変調パターンＰＧ２と同様に、軸線ＡｘよりもＹ方向の負側の領域の一部にグレーティングパターンＧａを含む。変調パターンＰＧ４では、さらに、Ｘ方向についても、グレーティングパターンＧａが設けられた領域が一部とされている。すなわち、変調パターンＰＧ４では、軸線ＡｘよりもＹ方向の負側の領域において、Ｘ方向に順に配列された非変調領域Ｂａ、グレーティングパターンＧａ、及び、非変調領域Ｂａを含む。ここでは、グレーティングパターンＧａは、Ｘ方向におけるレーザ光Ｌのビームスポットの中心Ｌｃを通るＹ方向に沿った軸線Ａｙを含む領域に配置されている。

【0071】

以上のいずれの変調パターンＰＧ２～ＰＧ４によっても、集光スポットＣのビーム形状を、少なくとも中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かうような傾斜形状とすることができる。すなわち、集光スポットＣのビーム形状を、少なくとも中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かうように制御するためには、変調パターンＰＧ１～ＰＧ４のように、或いは、変調パターンＰＧ１～ＰＧ４に限らず、グレーティングパターンＧａを含む非対称な変調パターンを用いることができる。そして、グレーティングパターンＧａと非変調領域Ｂａとの位置を入れ替えることにより、反対向きの傾斜形状を形成することもできる。

【0072】

さらに、集光スポットＣのビーム形状を傾斜形状とするための非対称な変調パターンとしては、グレーティングパターンＧａを利用するものに限定されない。図１７は、非対称な変調パターンの別の例を示す図である。図１７の（ａ）に示されるように、変調パターンＰＥは、軸線ＡｘよりもＹ方向の負側に楕円パターンＥｗを含むと共に、軸線ＡｘよりもＹ方向の正側に楕円パターンＥｓを含む。なお、図１７の（ｂ）は、図１７の（ａ）の変調パターンＰＥを集光レンズ３３の入射瞳面３３ａに対応するように反転させたものである。

【0073】

図１７の（ｃ）に示されるように、楕円パターンＥｗ，Ｅｓは、いずれも、Ｘ方向及びＹ方向を含むＸＹ面における集光スポットＣのビーム形状を、Ｘ方向を長手方向とする楕円形状とするためのパターンである。ただし、楕円パターンＥｗと楕円パターンＥｓとでは変調の強度が異なる。より具体的には、楕円パターンＥｓによる変調の強度が楕円パターンＥｗによる変調の強度よりも大きくされている。すなわち、楕円パターンＥｓによって変調されたレーザ光Ｌが形成する集光スポットＣｓが、楕円パターンＥｗによって変調されたレーザ光Ｌが形成する集光スポットＣｗよりもＸ方向に長い楕円形状となるようにされている。ここでは、軸線ＡｘよりもＹ方向の負側に相対的に強い楕円パターンＥｓが配置されている。

【0074】

図１８の（ａ）に示されるように、このような変調パターンＰＥを用いることにより、ＹＺ面内における集光スポットＣのビーム形状を、中心Ｃａよりも第１面１１ａ側においてＺ方向に対してＹ方向の負側に傾斜する傾斜形状とする、すなわち、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かうような傾斜形状とすることができる。特に、この場合には、ＹＺ面内における集光スポットＣのビーム形状が、中心Ｃａよりも第１面１１ａと反対側においてもＺ方向に対してＹ方向の負側に傾斜する、すなわち、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２に向かうような傾斜形状とすることとなり、全体として弧状となる。

【0075】

なお、変調パターンＰＥにおいて、楕円パターンＥｗと楕円パターンＥｓとを入れ替えることにより、反対向きの傾斜形状を形成することも可能である。また、図１８の（ｂ）の各図は、図１８の（ａ）に示されたＺ方向の各位置Ｈ１～Ｆ８におけるレーザ光ＬのＸＹ面内の強度分布を示し、カメラによる実際の観測結果である。

【0076】

さらには、集光スポットＣのビーム形状を傾斜形状とするための変調パターンは、以上の非対称なパターンに限定されない。一例として、そのような変調パターンとして、図１９に示されるように、ＹＺ面Ｅ内において複数位置に集光点ＣＩを形成して、複数の集光点ＣＩの全体で（複数の集光点ＣＩを含む）傾斜形状である集光スポットＣを形成するように、レーザ光Ｌを変調するためのパターンが挙げられる。このような変調パターンは一例として、アキシコンレンズパターンに基づいて形成できる。このような変調パターンを用いた場合には、改質領域１２自体もＹＺ面内において斜めに形成することができる。

【0077】

なお、ビーム形状の制御に際して、球面収差補正パターンのオフセットを利用する場合、コマ収差パターンを利用する場合、及び、楕円パターンを利用する場合には、回折格子パターンを利用してレーザ光の一部をカットする場合と比較して、高エネルギーでの加工が可能となる。また、これらの場合には、亀裂の形成を重視する場合に有効である。また、コマ収差パターンを利用する場合には、多焦点加工の場合に、一部の集光スポットのビーム形状のみを傾斜形状とすることが可能である。さらに、アキシコンレンズパターンを利用する場合は、他のパターンと比較して改質領域の形成を重視する場合に有効である。

【0078】

引き続いて、加工対象物の変形例について説明する。図２０は、変形例に係る対象物を示す図である。図２０の（ａ）は平面図であり、図２０の（ｂ）は図２０の（ａ）のXXb－XXb線に沿っての断面図である。この例では、１つの対象物１１に対して１つの大面積の半導体デバイス１１Ｅ（例えばＳｉフォトダイオード）が形成されており、その半導体デバイス１１Ｅを囲むように半導体デバイス１１Ｅの外縁に沿ってラインＡが設定されている。したがって、ラインＡが設定されるストリート領域Ｒｓを介して、半導体デバイス１１Ｅを含む第２領域Ｒ２と、半導体デバイス１１Ｅが形成されていない第１領域Ｒ１とが対向することとなる。この場合、第２領域Ｒ２がアクティブ領域であり、第１領域Ｒ１がアクティブ領域と異なる非アクティブ領域である。アクティブ領域とは、半導体デバイス１１Ｅといった機能素子を含む領域である。また、非アクティブ領域とは、半導体デバイス１１Ｅといった機能素子を含まない領域、或いは、一定の機能を有する素子を含むものの、当該素子がＴＥＧといったテスト用の素子である領域である。

【0079】

よって、この場合にも、第１領域Ｒ１及び第２領域のラインＡ側の一部分は互いに異なる構造を有する。そして、この場合には、半導体デバイス１１Ｅを含む第２領域Ｒ２でなく、第１領域Ｒ１側に抜け光ＬｔによるダメージＤｔを偏在させることが望ましい。したがって、この場合でも、上記実施形態と同様に、少なくとも工程Ｓ１０１及び第１照射処理では、制御部６が、空間光変調器７を用いてレーザ光Ｌを変調することにより、集光スポットＣ１のＹＺ面内でのビーム形状を、少なくとも集光スポットＣ１の中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、Ｚ方向に対して傾斜する傾斜形状とする。

【0080】

より具体的には、ここでも、工程Ｓ１０１及び第１照射処理では、制御部６が、ＹＺ面内での集光スポットＣ１のビーム形状が、少なくとも集光スポットＣ１の中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かう傾斜形状となるように、空間光変調器７に表示させる変調パターンを制御する。これにより、抜け光ＬｔによるダメージＤｔが、半導体デバイス１１Ｅが存在しない第１領域Ｒ１に偏在され、抜け光ＬｔによるダメージＤｔの影響が低減される。なお、この例の対象物１１では、半導体デバイス１１Ｅの周囲に特性確認用のＴＥＧセンサ１１Ｇが形成されている場合がある。この場合、ラインＡが、部分的に、半導体デバイス１１ＥとＴＥＧセンサ１１Ｇとの間を通るように設定される場合がある。この場合にも、半導体デバイス１１Ｅと反対側に抜け光ＬｔのダメージＤｔが偏在するように集光スポットＣ１のビーム形状を傾斜させることもできる。

【0081】

図２１は、別の変形例に係る対象物を示す図である。図２１の（ａ）は平面図であり、図２１の（ｂ）は図２１の（ａ）のXXIb－XXIb線に沿っての断面図である。この例では、対象物１１の第２面１１ｂに沿って複数の半導体デバイス１１Ｄが２次元状に配列される点は上記実施形態と同様であるが、隣り合う半導体デバイス１１Ｄの間の間隔が広くとられている。このため、この例では、隣り合う半導体デバイス１１Ｄの間の領域に、２つのラインＡが設定される（Ｗライン加工が行われる）。それぞれのラインＡは、隣り合う半導体デバイス１１Ｄの間の領域の中心よりも一方の半導体デバイス１１Ｄ側に偏って設定される。

【0082】

したがって、この例では、互いに隣り合う一対の半導体デバイス１１Ｄを含む一対の第２領域Ｒ２の間に、一対のラインＡのそれぞれが設定される一対のストリート領域Ｒｓが介在されると共に、一対のストリート領域Ｒｓの間に１つの第１領域Ｒ１（半導体デバイス１１Ｄが形成されていない領域）が設けられる。したがって、この場合にも、１つのラインＡに着目したときに、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の当該ラインＡ側の一部分の構造が異なることとなる。この場合にも、第２領域Ｒ２がアクティブ領域であり、第１領域Ｒ１がアクティブ領域と異なる非アクティブ領域である。そして、この例では、いずれのラインＡの加工時にも、半導体デバイス１１Ｄが形成されていない第１領域Ｒ１１側に抜け光ＬｔのダメージＤｔを偏在させることが望ましい。

【0083】

そこで、工程Ｓ１０１及び第１照射処理では、一対のラインＡのうちのＹ方向負側のラインＡを加工する場合（すなわち、加工進行方向ＦＤ（Ｘ方向）からみて第２領域Ｒ２がＹ方向負側に位置する場合）には、図２２に示されるように、制御部６が、集光スポットＣ１１を形成する。集光スポットＣ１１では、その中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて（Ｚ方向負側に向かうにつれて）、第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かうように傾斜されている。なお、集光スポットＣ１１では中心Ｃａよりも第２面１１ｂ側においては、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて（Ｚ方向負側に向かうにつれて）、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２に向かうように傾斜されている。これにより、集光スポットＣ１１のＹＺ面内でのビーム形状は、全体として、Ｙ方向正側に凸となる弧形状とされている。

【0084】

一方、工程Ｓ１０１及び第１照射処理では、一対のラインＡのうちのＹ方向正側のラインＡを加工する場合（すなわち、加工進行方向ＦＤ（Ｘ方向）からみて第２領域Ｒ２がＹ方向正側に位置する場合）には、図２３に示されるように、制御部６が、集光スポットＣ１２を形成する。集光スポットＣ１２では、その中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて（Ｚ方向負側に向かうにつれて）、第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かうように傾斜されている。なお、集光スポットＣ１２では中心Ｃａよりも第２面１１ｂ側においては、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて（Ｚ方向負側に向かうにつれて）、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２に向かうように傾斜されている。これにより、集光スポットＣ１２のＹＺ面内でのビーム形状は、全体として、Ｙ方向負側に凸となる弧形状とされている。集光スポットＣ１１，Ｃ１２の形成に際しては、例えばコマ収差を利用することが可能である。

【0085】

以上により、図２４に示されるように、一対のラインＡのいずれの加工においても、抜け光ＬｔのダメージＤｔを半導体デバイス１１Ｄが形成されていない第１領域Ｒ１側に偏在させることにより、半導体デバイス１１Ｄを含む第２領域Ｒ２側への抜け光ＬｔのダメージＤｔの影響を低減可能である。なお、図２４の（ｂ）に示されるように、この変形例に係る対象物１１では、隣り合う半導体デバイス１１Ｄの間にテスト用のチップやＴＥＧ等の構造体１１Ｆが形成される場合がある。このような場合には、少なくとも、隣り合う半導体デバイス１１Ｄの間に構造体１１Ｆが介在する方向（ここではＹ方向）に交差する方向を加工進行方向ＦＤとする場合に、構造体１１Ｆを跨ぐように２つのラインＡが設定され、Ｗライン加工が行われる。

【0086】

この場合にも、上記の例と同様に、構造体１１Ｆを含む領域を第１領域Ｒ１として、当該第１領域Ｒ１側に抜け光ＬｔのダメージＤｔが偏在するように集光スポットＣ１１，Ｃ１２のビーム形状を制御すればよい。一方、隣り合う半導体デバイス１１Ｄの間に構造体１１Ｆが介在しない方向（ここではＸ方向）に交差する方向を加工進行方向ＦＤとする場合には、隣り合う半導体デバイス１１Ｄの間隔が狭くされ、１つのラインＡに沿った加工を行う場合がある。この場合には、当該方向については、隣り合う半導体デバイス１１Ｄの構造を比較し、抜け光Ｌｔに対して相対的に脆弱な構造を有する側と反対側に抜け光ＬｔのダメージＤｔが偏在するように、集光スポットＣ１のビーム形状を制御すればよい。

【0087】

図２５は、さらに別の変形例に係る対象物を示す図である。図２５の（ａ）は平面図であり、図２５の（ｂ）は図２５の（ａ）のXXVb－XXVb線に沿っての断面図である。この例では、対象物１１には、Ｚ方向からみて円環状にラインＡが設定されている。また、対象物１１は、デバイス層１１Ｑを介して別のウェハ１１Ｚに接合されている。この対象物１１に対して、トリミング加工を行う。トリミング加工では、ラインＡに沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、Ｚ方向に並ぶように複数列の改質領域１２ａ，１２ｂと、改質領域１２ａから延びる亀裂（斜め亀裂１３ａ）と、改質領域１２ｂから延びる亀裂（垂直亀裂１３ｂ）と、を形成する。これにより、ラインＡの外側の円環状の領域を対象物１１から除去する。

【0088】

改質領域１２ａの形成に際して、工程Ｓ１０１及び第１照射処理が実施される。すなわち、ここでは、まず、レーザ光Ｌを第１面１１ａ側から対象物１１内に入射させつつ、対象物１１の内部においてＺ方向の第１Ｚ位置にレーザ光Ｌの集光スポットＣ１が形成されるようにする（図２６参照）。第１Ｚ位置は、第１面１１ａよりも第２面１１ｂ側の位置であって、最も第２面１１ｂ側の改質領域１２ａを形成する位置である。その状態において、レーザ光Ｌの集光スポットＣ１をラインＡに沿って相対移動させながら、レーザ光Ｌを対象物１１に照射する。

【0089】

このとき、制御部６が、ラインＡ及びＺ方向に交差するＹ方向とＺ方向とを含むＹＺ面内での集光スポットＣ１のビーム形状が、少なくとも集光スポットＣ１の中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、Ｚ方向に対して傾斜した傾斜形状となるように、空間光変調器７に表示させる変調パターンを制御する。より具体的には、工程Ｓ１０１及び第１照射処理では、制御部６が、ＹＺ面内での集光スポットＣ１のビーム形状が、少なくとも集光スポットＣ１の中心Ｃａよりも第１面１１ａ側において、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に向かう傾斜形状となるように、空間光変調器７に表示させる変調パターンを制御する。

【0090】

ここでの第２領域Ｒ２は、デバイス層１１Ｑの内側のアクティブエリアを含む。また、第１領域Ｒ１は、デバイス層１１Ｑが形成されていない領域（デバイス層１１Ｑの外部の領域）である。つまり、ここでも、第２領域Ｒ２がアクティブ領域であり、第１領域Ｒ１がアクティブ領域と異なる非アクティブ領域である。ここでのアクティブ領域とは、デバイス層１１Ｑの内部の領域である。また、ここでの非アクティブ領域とは、デバイス層１１Ｑの外部の領域である。第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間には、デバイス層１１Ｑの外縁部の非アクティブエリアを含む第３領域Ｒ３が介在されている。少なくとも改質領域１２ａを形成するためのラインＡは、Ｚ方向からみてこの第３領域Ｒ３に位置する。したがって、この例でも、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の当該ラインＡ側の一部分の構造が異なることとなる。そして、この例では、デバイス層１１Ｑのアクティブエリアである第２領域Ｒ２と反対側の第１領域Ｒ１側に、抜け光ＬｔのダメージＤｔを偏在させる。

【0091】

続いて、トリミング加工では、工程Ｓ１０２及び第２照射処理が実施される。すなわち、図２６に示されるように、レーザ光Ｌを第１面１１ａ側から対象物１１内に入射させつつ、対象物１１の内部においてＺ方向の第２Ｚ位置にレーザ光Ｌの集光スポットＣ２が形成されるようにする。第２Ｚ位置は、第１Ｚ位置よりもシフト量Ｓｚだけ第１面１１ａ側の位置であって、最も改質領域１２ａ側に位置する改質領域１２ｂを形成する位置である。さらに、ここでは、集光スポットＣ２が、集光スポットＣ１のＹ方向の位置である第１Ｙ位置からＹ方向にシフト量Ｓｙだけシフトされた第２Ｙ位置とされる。

【0092】

さらに、ここでは、工程Ｓ１０２及び第２照射処理において、集光スポットＣ２のビーム形状が、少なくとも集光スポットＣ２の中心より第１面１１ａ側においてシフトの方向（ここではＹ方向負側）に傾斜する傾斜形状となるようにレーザ光Ｌ２を成形する。一例として、集光スポットＣ２のビーム形状は、集光スポットＣ１と同様とすることができる。これにより、ＹＺ面内において集光スポットＣ２のシフトの方向に傾斜するように斜め亀裂１３ａが形成される。斜め亀裂１３ａは、第１面１１ａから第２面１１ｂに向かうにつれて対象物１１の外側に向かうように傾斜して形成される。これにより、改質領域１２から第２面１１ｂ側に亀裂が垂直方向に延びて、デバイス層１１Ｑや別のウェハ１１Ｚに至ることが抑制される。

【0093】

なお、改質領域１２ｂのうち、最も改質領域１２ａ側の改質領域１２ｂ以外のものを形成する際には、Ｚ方向に沿って延びる垂直亀裂１３ｂが形成されるように、集光スポットＣ２のビーム形状をＺ方向に沿った非傾斜形状とすることができる。

【0094】

以上のように、対象物１１のトリミング加工についても、工程Ｓ１０１及び第１照射処理において集光スポットＣ１のビーム形状を制御することにより、抜け光ＬｔのダメージＤｔの影響を低減可能であると共に、第２面１１ｂ側に向けて斜め亀裂１３ａを形成してデバイス層１１Ｑや別のウェハ１１Ｚに意図せずに亀裂が進展することが抑制される。

【0095】

なお、以上の例では、トリミング加工時の斜め亀裂１３ａの形成と、抜け光ＬｔのダメージＤｔの影響低減を併用する場合について説明した。しかし、トリミング加工以外であっても、斜め亀裂１３ａを形成する要求がある。したがって、斜め亀裂１３ａを形成する任意の場合に、抜け光ＬｔのダメージＤｔの影響を低減すべく、集光スポットＣ１のビーム形状を制御することができる。

【符号の説明】

【0096】

１…レーザ加工装置、２…ステージ（支持部）、４，５…駆動部（移動部）、６…制御部、７…空間光変調器、１１…対象物、１１ａ…第１面、１１ｂ…第２面、３１…光源、３３…集光レンズ、Ａ…ライン、Ｃ，Ｃ１，Ｃ２…集光スポット、Ｒ１…第１領域、Ｒ２…第２領域、Ｗ…配線部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】