特許 7577658 テラヘルツ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-25

(45)【発行日】2024-11-05

(54)【発明の名称】テラヘルツ装置

(51)【国際特許分類】

   H01Q 23/00 20060101AFI20241028BHJP

   H01Q 19/13 20060101ALI20241028BHJP

   H01Q 19/12 20060101ALI20241028BHJP

   H03B 7/08 20060101ALI20241028BHJP

【ＦＩ】

H01Q23/00

H01Q19/13

H01Q19/12

H03B7/08

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2021530618

(86)(22)【出願日】2020-06-30

(86)【国際出願番号】 JP2020025601

(87)【国際公開番号】W WO2021006105

(87)【国際公開日】2021-01-14

【審査請求日】2023-05-10

(31)【優先権主張番号】P 2019126200

(32)【優先日】2019-07-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2019126201

(32)【優先日】2019-07-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(72)【発明者】

【氏名】外山 智一郎

(72)【発明者】

【氏名】鶴田 一魁

【審査官】岸田 伸太郎

(56)【参考文献】

【文献】特開２００７－１２９０４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－０２６８４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－３３５７０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０１３１７０４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００２－３４４０２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２００５／０４３６３７（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｑ ２３／００

Ｈ０１Ｑ １９／１３

Ｈ０１Ｑ １９／１２

Ｈ０３Ｂ ７／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材と、
前記基材に取り付けられ、電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、
前記アンテナ面に形成され、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の少なくとも一部を一方向に向けて反射させる反射膜と、を備え、
前記テラヘルツ素子は、
電磁波が発生する発振点を有する素子主面と、
前記素子主面とは反対側の素子裏面と、
を有し、
前記反射膜は、前記素子裏面よりも前記素子主面側に配置されたパラポラアンテナ形状であり、
前記発振点から前記反射膜に向かう垂直距離は、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の共振条件を満たすように設定されているテラヘルツ装置。

【請求項2】

前記アンテナベースは、
前記基材と対向するベース主面と、
前記ベース主面とは反対側のベース裏面と、
側方を向いたベース側面と、
を有し、
前記テラヘルツ装置は、外部との電気的接続に用いられる電極を備え、
前記電極は、
前記ベース側面に形成された側面電極と、
前記ベース裏面に形成された裏面電極と、
を有している請求項１に記載のテラヘルツ装置。

【請求項3】

前記電極は、前記アンテナベースに沿って折り曲げられたリードフレームによって構成されている請求項２に記載のテラヘルツ装置。

【請求項4】

前記電極は、
前記ベース側面と前記ベース主面とのコーナ部分にて前記ベース側面に向かうように屈曲している基端部と、
前記ベース側面と前記ベース裏面とのコーナ部分にて屈曲している屈曲部と、
前記ベース裏面に配置されている先端部と、
を備えており、
前記側面電極は、前記基端部から前記屈曲部までの部分であり、
前記裏面電極は、前記屈曲部から前記先端部までの部分である請求項３に記載のテラヘルツ装置。

【請求項5】

前記テラヘルツ素子は、前記発振点から開口角度の範囲に亘って放射状に電磁波を照射するものであり、
前記反射膜は、前記発振点に対して前記開口角度以上の角度に亘って形成されている請求項１～４のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【請求項6】

前記反射膜は、当該反射膜の焦点が前記発振点に位置するように配置されている請求項１～５のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【請求項7】

前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記反射膜の中心点と前記発振点とが一致している請求項１～５のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【請求項8】

前記反射膜は、電気的にフローティング状態である請求項１～７のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【請求項9】

前記アンテナベースは絶縁性材料によって形成されている請求項１～８のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【請求項10】

前記基材は、前記反射膜と対向する位置に設けられ、電磁波が透過する材料によって形成されている請求項１～９のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【請求項11】

前記基材は誘電体によって形成されている請求項１０に記載のテラヘルツ装置。

【請求項12】

前記基材は、前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面を有し、
前記アンテナベースは、
前記取付主面と対向するベース主面と、
前記ベース主面から凹んだものであって前記アンテナ面を有する凹部と、
を備え、
前記テラヘルツ素子および前記反射膜は、前記取付主面と前記アンテナ面とによって区画された収容空間内に配置されている請求項１～１１のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【請求項13】

前記反射膜は、前記アンテナ面に形成されている一方、前記ベース主面には形成されていない請求項１２に記載のテラヘルツ装置。

【請求項14】

前記アンテナベースは、前記凹部とは別に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して並列接続された保護ダイオードが収容される収容凹部を備えている請求項１２または請求項１３に記載のテラヘルツ装置。

【請求項15】

前記取付主面に設けられ、前記テラヘルツ素子と接続される導電部材と、
前記アンテナベースと前記導電部材との間に設けられ、前記アンテナベースと前記導電部材とを接着させる接着層と、を備え、
前記接着層は、絶縁性材料で形成されており、前記反射膜と前記導電部材との間に介在している請求項１２～１４のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【請求項16】

前記接着層とは別に前記反射膜と前記導電部材との間に設けられた絶縁性のスペーサを備えている請求項１５に記載のテラヘルツ装置。

【請求項17】

前記基材は、前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面と、
前記取付主面とは反対側の取付裏面と、
を有し、
前記取付主面に設けられ、前記テラヘルツ素子と接続される導電部材と、
前記取付裏面のうち前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て前記導電部材と重なる部分の少なくとも一部に設けられ、電磁波の反射を低減させる反射低減膜と、
を備えている請求項１～１６のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、テラヘルツ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、トランジスタなどの電子デバイスの微細化が進み、電子デバイスの大きさがナノサイズになってきたため、量子効果と呼ばれる現象が観測されるようになっている。そして、この量子効果を利用した超高速デバイスや新機能デバイスの実現を目指した開発が進められている。

【0003】

そのような環境の中で、特に、周波数が０．１ＴＨｚ～１０ＴＨｚであるテラヘルツ帯と呼ばれる周波数領域を利用して大容量通信や情報処理、あるいはイメージングや計測などを行う試みが行われている。この周波数領域は、光と電波との両方の特性を兼ね備えており、この周波数帯で動作するデバイスが実現されれば、上述したイメージング、大容量通信・情報処理のほか、物性、天文、生物などのさまざまな分野における計測など、多くの用途に利用されうる。

【0004】

テラヘルツ帯の周波数の高周波電磁波を発振する素子としては、共鳴トンネルダイオードと微細スロットアンテナを集積する構造のものが知られている（たとえば特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１６－１１１５４２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上記のようなテラヘルツ素子を有するテラヘルツ装置においては、利得の向上が求められる場合がある。
本開示の目的は、利得の向上を図ることができるテラヘルツ装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するテラヘルツ装置は、基材と、前記基材に取り付けられ、電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、前記アンテナ面に形成され、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の少なくとも一部を一方向に向けて反射させる反射膜と、を備えている。この構成によれば、テラヘルツ素子から発生した電磁波は、反射膜によって一方向に反射される。これにより、テラヘルツ装置から照射される電磁波の出力を高くすることができる。したがって、テラヘルツ装置の利得の向上を図ることができる。

【0008】

上記課題を解決するテラヘルツ装置は、電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、前記テラヘルツ素子に対して対向しかつ前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の少なくとも一部を反射する反射部を有する基材と、前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、前記アンテナ面に形成され、前記反射部によって反射された電磁波の少なくとも一部を一方向に向けて反射させる反射膜と、を備えている。この構成によれば、テラヘルツ素子から発生した電磁波は、反射部によって反射され、更に反射膜によって一方向に向けて反射される。これにより、テラヘルツ装置から照射される電磁波の出力を高くすることができる。したがって、テラヘルツ装置の利得の向上を図ることができる。

【0009】

上記課題を解決するテラヘルツ装置は、基材と、前記基材に取り付けられ、電磁波を受信するテラヘルツ素子と、前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、前記アンテナ面に形成され、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、を備えている。この構成によれば、反射膜に向けて入射された電磁波は反射膜によってテラヘルツ素子に向けて反射される。これにより、テラヘルツ装置の受信強度を高くすることができる。したがって、テラヘルツ装置の利得の向上を図ることができる。

【0010】

上記課題を解決するテラヘルツ装置は、電磁波を受信するテラヘルツ素子と、前記テラヘルツ素子に対して対向する位置に設けられ、入射された電磁波の少なくとも一部を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射部を有する基材と、前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、前記アンテナ面に形成され、入射された電磁波の少なくとも一部を前記反射部に向けて反射させる反射膜と、を備えている。この構成によれば、反射膜に向けて入射された電磁波は反射部に向けて反射され、更に反射部によってテラヘルツ素子に向けて反射される。これにより、テラヘルツ装置の受信強度を高くすることができる。したがって、テラヘルツ装置の利得の向上を図ることができる。

【0011】

上記課題を解決するテラヘルツ装置は、基材と、前記基材に取り付けられ、電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、前記アンテナ面に形成され、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の少なくとも一部を一方向に向けて反射させる反射膜と、外部との電気的接続に用いられる電極と、を備え、前記電極は、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記アンテナベースに対して側方に突出している。

【0012】

この構成によれば、テラヘルツ素子から発生した電磁波は、反射膜によって一方向に反射される。これにより、テラヘルツ装置から照射される電磁波の出力を高くすることができる。したがって、テラヘルツ装置の利得の向上を図ることができる。

【0013】

また、電極がアンテナベースに対して側方に突出しているため、回路基板に設けられた孔にアンテナベースを挿入した状態でテラヘルツ装置を回路基板に実装することができる。これにより、テラヘルツ装置を回路基板に実装する際の低背化を図ることができる。

【0014】

上記課題を解決するテラヘルツ装置は、基材と、前記基材に取り付けられ、電磁波を受信するテラヘルツ素子と、前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、前記アンテナ面に形成され、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、外部との電気的接続に用いられる電極と、を備え、前記電極は、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記アンテナベースに対して側方に突出している。

【0015】

この構成によれば、反射膜に向けて入射された電磁波は反射膜によってテラヘルツ素子に向けて反射される。これにより、テラヘルツ装置の受信強度を高くすることができる。したがって、テラヘルツ装置の利得の向上を図ることができる。

【0016】

また、電極がアンテナベースに対して側方に突出しているため、回路基板に設けられた孔にアンテナベースを挿入した状態でテラヘルツ装置を回路基板に実装することができる。これにより、テラヘルツ装置を回路基板に実装する際の低背化を図ることができる。

【発明の効果】

【0017】

上記テラヘルツ装置によれば、利得の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】第１実施形態のテラヘルツ装置を上方から見た斜視図。

【図2】テラヘルツ装置を下方から見た斜視図。

【図3】テラヘルツ装置の上面図。

【図4】図３の４－４線端面図。

【図5】テラヘルツ素子およびリードフレームの正面図。

【図6】能動素子およびその周辺を模式的に示す端面図。

【図7】能動素子の断面構造を拡大して示す端面図。

【図8】第１実施形態のテラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図9】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図10】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図11】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図12】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図13】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図14】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図15】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図16】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図17】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図18】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す平面図。

【図19】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す平面図。

【図20】第１実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す端面図。

【図21】第２実施形態のテラヘルツ装置の概要を示す回路図。

【図22】第２実施形態におけるテラヘルツ素子およびリードフレームの正面図。

【図23】図２２における２３－２３線端面図。

【図24】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図25】変更例の接続部を示す正面図。

【図26】変更例の接続部を示す正面図。

【図27】変更例のリードフレームを示す正面図。

【図28】図２７の２８－２８線端面図。

【図29】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図30】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図31】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図32】変更例のリードフレームを示す正面図。

【図33】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図34】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す平面図。

【図35】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図36】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図37】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図38】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図39】第３実施形態のテラヘルツ装置を上方から見た斜視図。

【図40】テラヘルツ装置を下方から見た斜視図。

【図41】テラヘルツ装置の上面図。

【図42】図４１の４－４線端面図。

【図43】テラヘルツ素子およびリードフレームの正面図。

【図44】能動素子およびその周辺を模式的に示す端面図。

【図45】能動素子の断面構造を拡大して示す端面図。

【図46】第３実施形態のテラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図47】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図48】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図49】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図50】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図51】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図52】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図53】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す端面図。

【図54】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す平面図。

【図55】テラヘルツ装置の製造方法の一工程を示す平面図。

【図56】テラヘルツ装置の回路基板への実装形態の一例を示す端面図。

【図57】第３実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す端面図。

【図58】第４実施形態のテラヘルツ装置の概要を示す回路図。

【図59】第４実施形態におけるテラヘルツ素子およびリードフレームの正面図。

【図60】図５９における２２－２２線端面図。

【図61】第５実施形態のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図62】第５実施形態のテラヘルツ装置の一工程を示す端面図。

【図63】第５実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す端面図。

【図64】第６実施形態のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図65】第６実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す端面図。

【図66】第６実施形態のテラヘルツ装置の変更例を示す端面図。

【図67】第７実施形態のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図68】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図69】変更例の接続部を示す正面図。

【図70】変更例の接続部を示す正面図。

【図71】変更例のリードフレームを示す正面図。

【図72】図７１の３４－３４線端面図。

【図73】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図74】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図75】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図76】変更例のリードフレームを示す正面図。

【図77】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図78】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図79】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図80】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図81】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図82】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図83】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図84】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【図85】変更例のテラヘルツ装置を模式的に示す端面図。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、テラヘルツ装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す各実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の各実施形態は、種々の変更を加えることができる。また、図面については、図示の都合上、一部模式的に示している。

【0020】

（第１実施形態）
図１～図７は、本開示の第１実施形態にかかるテラヘルツ装置１０を示している。第１実施形態のテラヘルツ装置１０は、基材としての取付板１１と、電磁波を発生させるテラヘルツ素子２０と、アンテナベース５０と、反射膜５４と、電極および導電部材としてのリードフレーム６０と、を備えている。

【0021】

図１及び図２は、テラヘルツ装置１０の斜視図である。図３は、テラヘルツ装置１０の上面図である。図４は、図３の４－４線端面図である。図５は、アンテナベース５０を取り外した場合におけるテラヘルツ装置１０の下面図であり、テラヘルツ素子２０およびリードフレーム６０の正面図である。なお、図５においては、図示の都合上、電極９４，１０１を破断して示す。

【0022】

取付板１１は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波を透過する材料で形成されている。本実施形態では、取付板１１は誘電体で形成されており、たとえばエポキシ樹脂などの合成樹脂またはＳｉなどの単結晶の真性半導体で形成されている。エポキシ樹脂としては、たとえばガラスエポキシ樹脂がある。ただし、取付板１１の材料はこれに限られず任意であり、たとえばテフロン（登録商標）やガラスなどでもよい。取付板１１は、絶縁性を有している。

【0023】

取付板１１は、たとえば矩形板状である。なお、説明の便宜上、取付板１１の厚さ方向をｚ方向とする。また、ｚ方向に直交し、かつ、互いに直交する２方向を、ｘ方向およびｙ方向とする。

【0024】

図３および図４に示すように、取付板１１は、取付板１１の厚さ方向に交差する板面として取付主面１２及び取付裏面１３を有している。取付主面１２および取付裏面１３は、矩形状の平面である。取付主面１２および取付裏面１３は、ｘ方向およびｙ方向に延びており、ｚ方向に離間している。取付主面１２および取付裏面１３の形状は、矩形状に限定されず、円形状、楕円形状あるいは多角形状でもよい。説明の便宜上、本実施形態において、ｚ方向において取付裏面１３から離れる方向を「上方」とし、ｚ方向において取付主面１２から離れる方向を「下方」とする。

【0025】

図５に示すように、本実施形態の取付板１１は、ｘ方向の両端面である一対の第１板側面１４と、ｙ方向の両端面である一対の第２板側面１５と、を有している。一対の第１板側面１４は、ｘ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｘ方向に対して直交している。一対の第２板側面１５は、ｙ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｙ方向に対して直交している。第１板側面１４と第２板側面１５とは互いに直交している。

【0026】

テラヘルツ素子２０は、テラヘルツ帯の電磁波と電気エネルギーとの変換を行う素子である。なお、電磁波とは、光および電波のいずれか一方あるいは両方の概念を含むものとしている。テラヘルツ素子２０は、入力される電気エネルギーをテラヘルツ帯の電磁波に変換する。これにより、テラヘルツ素子２０は、電磁波（換言すればテラヘルツ波）を発振する。テラヘルツ素子２０が発生させる電磁波の周波数は、たとえば０．１Ｔｈｚ～１０Ｔｈｚである。

【0027】

図５に示すように、テラヘルツ素子２０は、ｚ方向から見て（以下、「平面視」ともいう。）矩形の板状である。本実施形態では、テラヘルツ素子２０は平面視で正方形である。なお、テラヘルツ素子２０の平面視形状は、矩形状に限定されず、円形状、楕円形状あるいは多角形状であってもよい。

【0028】

テラヘルツ素子２０は、素子主面２１および素子裏面２２を有している。素子主面２１および素子裏面２２は、ｚ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｚ方向に対して直交している。素子主面２１および素子裏面２２は、ｚ方向から見て矩形状であり、たとえば正方形状である。ただし、素子主面２１および素子裏面２２の形状はこれに限定されず任意である。

【0029】

図４に示すように、本実施形態のテラヘルツ素子２０は、素子裏面２２が取付主面１２に対して接触または中間層を介して対向している状態で取付板１１に取り付けられている。つまり、取付板１１は、テラヘルツ素子２０が取り付けられるものである。テラヘルツ素子２０は、取付板１１に実装されている。

【0030】

テラヘルツ素子２０は、ｘ方向の両端面である一対の第１素子側面２３と、ｙ方向の両端面である一対の第２素子側面２４と、を有している。一対の第１素子側面２３は、ｘ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｘ方向に対して直交している。一対の第２素子側面２４は、ｙ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｙ方向に対して直交している。第１素子側面２３と第２素子側面２４とは互いに直交している。

【0031】

図６および図７は、テラヘルツ素子２０の詳細な構成の一例を示している。図６は、テラヘルツ素子２０の断面の模式図の一例である。図７は、図６の部分拡大図である。
図６および図７に示すように、テラヘルツ素子２０は、素子基板３１と、能動素子３２と、第１導電体層３３と、第２導電体層３４と、を備えている。

【0032】

素子基板３１は、半導体よりなり、半絶縁性を有する。素子基板３１を構成する半導体は、たとえば、ＩｎＰ（リン化インジウム）であるが、ＩｎＰ以外の半導体であってもよい。素子基板３１がＩｎＰである場合、その屈折率（絶対屈折率）は、約３．４である。本実施形態では、素子基板３１は矩形板状であり、たとえば平面視で正方形状である。素子主面２１および素子裏面２２は素子基板３１の主面および裏面であり、両素子側面２３，２４は素子基板３１の側面である。

【0033】

能動素子３２は、テラヘルツ帯の電磁波と電気エネルギーとの変換を行う。能動素子３２は、素子基板３１に形成されている。能動素子３２は、典型的には共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ：Resonant Tunneling Diode）である。

【0034】

能動素子３２としては、たとえば、タンネット（ＴＵＮＮＥＴＴ：Tunnel injection Transit Time）ダイオード、インパット（ＩＭＰＡＴＴ：Impact Ionization Avalanche Transit Time）ダイオード、ＧａＡｓ系電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）、ＧａＮ系ＦＥＴ、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）、あるいは、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Heterojunction Bipolar Transistor）であってもよい。

【0035】

能動素子３２を実現するための一例を説明する。
素子基板３１上には、半導体層４１ａが形成されている。半導体層４１ａは、たとえばＧａＩｎＡｓによって形成されている。半導体層４１ａには、ｎ型不純物が高濃度にドープされている。

【0036】

半導体層４１ａ上には、ＧａＩｎＡｓ層４２ａが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４２ａには、ｎ型不純物がドープされている。たとえば、ＧａＩｎＡｓ層４２ａの不純物濃度は、半導体層４１ａの不純物濃度よりも低い。

【0037】

ＧａＩｎＡｓ層４２ａ上には、ＧａＩｎＡｓ層４３ａが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４３ａには、不純物がドープされていない。
ＧａＩｎＡｓ層４３ａ上には、ＡｌＡｓ層４４ａが積層されており、ＡｌＡｓ層４４ａ上にはＩｎＧａＡｓ層４５が積層されており、ＩｎＧａＡｓ層４５上にはＡｌＡｓ層４４ｂが積層されている。これらＡｌＡｓ層４４ａとＩｎＧａＡｓ層４５とＡｌＡｓ層４４ｂとによってＲＴＤ部が構成されている。

【0038】

ＡｌＡｓ層４４ｂ上には、不純物がドープされていないＧａＩｎＡｓ層４３ｂが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４３ｂ上には、ｎ型不純物がドープされているＧａＩｎＡｓ層４２ｂが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４２ｂ上には、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４１ｂには、ｎ型不純物が高濃度にドープされている。たとえば、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂの不純物濃度は、ＧａＩｎＡｓ層４２ｂの不純物濃度よりも高い。

【0039】

なお、能動素子３２の具体的構成は、電磁波を発生（あるいは受信およびその両方）可能なものであれば任意である。換言すれば、能動素子３２は、テラヘルツ帯の電磁波に対して発振するものであればよいともいえる。

【0040】

図５に示すように、テラヘルツ素子２０は、電磁波の発振を行う発振点Ｐ１を有している。発振点Ｐ１は、素子主面２１に形成されている。発振点Ｐ１がある素子主面２１は能動面ともいえる。また、発振点Ｐ１は、能動素子３２が設けられている位置ともいえる。

【0041】

本実施形態の発振点Ｐ１（能動素子３２）は、素子主面２１の中心に配置されている。ただし、発振点Ｐ１の位置、換言すれば素子主面２１に対する能動素子３２の位置は、素子主面２１の中心に限られず任意である。

【0042】

本実施形態において、第１素子側面２３と発振点Ｐ１との第１垂直距離ｘ１は、（λ’ＩｎＰ／２）＋（（λ’ＩｎＰ／２）×Ｎ）であるとよい（Ｎは０以上の整数：Ｎ＝０，１，２，３，・・・）。

【0043】

λ’ＩｎＰは、テラヘルツ素子２０の内部を伝達する電磁波の実効的な波長である。テラヘルツ素子２０（素子基板３１）の屈折率をｎ１、ｃを光速、ｆｃを電磁波の中心周波数としたとき、λ’ＩｎＰは、（１／ｎ１）×（ｃ／ｆｃ）である。第１垂直距離ｘ１を上記のように設定することで、テラヘルツ素子２０から発振された電磁波は、第１素子側面２３で自由端反射する。よって、テラヘルツ素子２０自体が、テラヘルツ装置１０における共振器（１次共振器）として設計されている。

【0044】

同様に、第２素子側面２４と発振点Ｐ１との第２垂直距離ｙ１は、（λ’ＩｎＰ／２）＋（（λ’ＩｎＰ／２）×Ｎ）であるとよい（Ｎは０以上の整数：Ｎ＝０，１，２，３，・・・）。

【0045】

なお、垂直距離ｘ１，ｙ１は、各々が上記計算式によって算出される値であれば、素子側面２３，２４ごとに異なる値であってもよい。また、図５において、右側にある第１素子側面２３と発振点Ｐ１との第１垂直距離ｘ１と、左側にある第１素子側面２３と発振点Ｐ１との第１垂直距離ｘ１とが異なっていてもよい。同様に、図５において、上側にある第２素子側面２４と発振点Ｐ１との第２垂直距離ｙ１と、下側にある第２素子側面２４と発振点Ｐ１との第２垂直距離ｙ１とが異なっていてもよい。

【0046】

テラヘルツ素子２０のｚ方向寸法は、たとえば、発振する電磁波の周波数に応じて設計されているとよい。具体的には、テラヘルツ素子２０のｚ方向寸法は、電磁波の波長λの１／２倍（すなわち、λ／２）の整数倍である。素子基板３１と空気との界面においては、電磁波が自由端反射する。よって、テラヘルツ素子２０のｚ方向寸法を上記のように設定することで、位相を揃えた定在波をテラヘルツ素子２０の内部で励起させることができる。なお、テラヘルツ素子２０のｚ方向寸法は、電磁波の周波数が高いほど、ｚ方向寸法は小さくなり、電磁波の周波数が低いほど、ｚ方向寸法は大きくなる。

【0047】

なお、テラヘルツ素子２０の構成は、上記したものに限定されない。たとえば、素子基板３１の能動素子３２が配置された素子主面２１とは反対側の素子裏面２２に、裏面反射体金属層を配置してもよい。この場合、能動素子３２から放射された電磁波（電磁波）は、当該裏面反射体金属層に反射される。

【0048】

裏面反射体金属層を配置する場合は、素子基板３１と裏面反射体金属層との界面において、電磁波が固定端反射するので、位相がπずれる。よって、この場合、テラヘルツ素子２０のｚ方向寸法は、電磁波の波長λとして、（λ／４）＋（λ／２の整数倍）に設計するとよい。

【0049】

本実施形態では、発振点Ｐ１から発生する電磁波は指向性を有する。図４に示すように、発振点Ｐ１から発生する電磁波は、開口角度θの範囲に亘って放射状に照射される。開口角度θは、たとえば１２０°～１８０°である。ただし、開口角度θについてはこれに限られず任意である。

【0050】

第１導電体層３３および第２導電体層３４はそれぞれ、素子主面２１上に形成されている。第１導電体層３３および第２導電体層３４は互いに絶縁されている。第１導電体層３３および第２導電体層３４はそれぞれ、金属の積層構造を有する。第１導電体層３３および第２導電体層３４の各々の積層構造は、たとえばＡｕ（金）、Ｐｄ（パラジウム）およびＴｉ（チタン）が積層された構造である。あるいは、第１導電体層３３および第２導電体層３４の各々の積層構造は、ＡｕおよびＴｉが積層された構造である。第１導電体層３３および第２導電体層３４はいずれも、真空蒸着法あるいはスパッタリング法などによって形成される。

【0051】

図６に示すように、本実施形態では、能動素子３２に対してｘ方向の両側に、第１導電体層３３の一部および第２導電体層３４の一部が配置されている。第１導電体層３３は、能動素子３２に対してｚ方向に重なる第１接続領域３３ａを有している。第１接続領域３３ａは、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂ上に位置しており、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂに接している。

【0052】

また、半導体層４１ａは、ＧａＩｎＡｓ層４２ａ等の他の層よりも第２導電体層３４に向けてｘ方向に延びている。第２導電体層３４は、半導体層４１ａのうちＧａＩｎＡｓ層４２ａ等が積層されていない部分に積層された第２接続領域３４ａを有している。これにより、能動素子３２が第１導電体層３３および第２導電体層３４に導通している。なお、第２接続領域３４ａとＧａＩｎＡｓ層４２ａ等の他の層とはｘ方向に離間している。

【0053】

図示は省略するが、図７とは異なり、ｎ型不純物を高濃度にドープされたＧａＩｎＡｓ層が、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂと第１接続領域３３ａとの間に介在していてもよい。これにより、第１導電体層３３とＧａＩｎＡｓ層４１ｂとのコンタクトが良好になりうる。

【0054】

図５に示すように、第１導電体層３３の一部および第２導電体層３４の一部が、ダイポールアンテナを構成している。すなわち、テラヘルツ素子２０は、第１導電体層３３の一部および第２導電体層３４の一部によって、素子主面２１側においてアンテナが集積化されている。なお、ダイポールアンテナに限定されず、スロットアンテナ、ボータイアンテナあるいはリングアンテナなどの他のアンテナであってもよい。また、アンテナがなくてもよい。

【0055】

また、本実施形態のテラヘルツ素子２０は、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）リフレクタ３５を有している。ＭＩＭリフレクタ３５は、第１導電体層３３の一部と第２導電体層３４の一部とが絶縁体をｚ方向に挟み込むことによって構成されている。ＭＩＭリフレクタ３５は、第１導電体層３３の一部と第２導電体層３４の一部とを高周波的に短絡させるものである。ＭＩＭリフレクタ３５は、高周波の電磁波を反射させることができる。ただし、ＭＩＭリフレクタ３５は必須ではなく、ＭＩＭリフレクタ３５を省略してもよい。

【0056】

図５に示すように、第１導電体層３３は第１パッド３３ｂを有しており、第２導電体層３４は第２パッド３４ｂを有している。第１パッド３３ｂ及び第２パッド３４ｂは、ｘ方向に離間しており、互いに絶縁されている。

【0057】

図２に示すように、アンテナベース５０は、たとえば全体として直方体形状である。アンテナベース５０は、たとえば絶縁性材料で形成されている。具体的には、アンテナベース５０は、誘電体で形成されており、たとえばエポキシ樹脂などの合成樹脂により形成されている。エポキシ樹脂としては、たとえばガラスエポキシ樹脂がある。ただし、アンテナベース５０の材料はこれに限られず任意であり、たとえばＳｉ、テフロン、ガラスなどでもよい。

【0058】

アンテナベース５０は、取付板１１に対して取付裏面１３側とは反対側の取付主面１２側に設けられている。アンテナベース５０は、取付板１１と対向する位置に設けられている。具体的には、アンテナベース５０は、リードフレーム６０を介して取付板１１とｚ方向に対向している。ｚ方向は、アンテナベース５０と取付板１１との対向方向とも言える。

【0059】

アンテナベース５０は、取付主面１２に対して対向するベース主面５０ａと、ベース主面５０ａとは反対側のベース裏面５０ｂと、ベース側面５１と、を有している。
ベース主面５０ａおよびベース裏面５０ｂは、ｚ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｚ方向に対して直交している。ベース主面５０ａおよびベース裏面５０ｂはたとえば矩形状（たとえば正方形状）である。ベース裏面５０ｂがテラヘルツ装置１０の底面を構成している。

【0060】

本実施形態では、ベース側面５１は、テラヘルツ装置１０（アンテナベース５０）において側方を向く面である。ベース側面５１は、アンテナベース５０においてベース主面５０ａとベース裏面５０ｂとの対向方向に対して直交する方向の端面ともいえる。ベース側面５１は、ベース主面５０ａとベース裏面５０ｂとを繋いでいる。

【0061】

本実施形態のベース側面５１は４つ設けられている。具体的には、ベース側面５１は、アンテナベース５０におけるｘ方向の両端面である第１ベース側面５１ａおよび第２ベース側面５１ｂと、アンテナベース５０におけるｙ方向の両端面である第３ベース側面５１ｃおよび第４ベース側面５１ｄと、を有している。第１ベース側面５１ａおよび第２ベース側面５１ｂは、ｘ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｘ方向に対して直交している。第３ベース側面５１ｃおよび第４ベース側面５１ｄは、ｙ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｙ方向に対して直交している。第１ベース側面５１ａおよび第２ベース側面５１ｂと、第３ベース側面５１ｃおよび第４ベース側面５１ｄとは、互いに直交している。

【0062】

アンテナベース５０には、ベース主面５０ａに対して取付主面１２から離れる方向に凹んだ凹部５２が形成されている。凹部５２は、ベース主面５０ａから取付主面１２とは離れる方向、すなわち下方に凹んでいる。本実施形態では、凹部５２は、全体として半球状に形成されている。凹部５２内には、空気が装填されている。

【0063】

凹部５２は、上方に向けて開口している。凹部５２の開口は、ｚ方向から見て円状である。凹部５２の開口は、取付板１１によって塞がれている。本実施形態では、テラヘルツ素子２０は凹部５２内に収容されている。

【0064】

凹部５２は、アンテナ面５３を有している。アンテナ面５３は、たとえば下方に向けて凸となった湾曲面である。アンテナ面５３は、アンテナ形状に対応させて形成されている。たとえば、アンテナ面５３は、パラボラアンテナ形状となるように湾曲している。アンテナ面５３は、上方から見て円形状である。

【0065】

図４に示すように、反射膜５４は、アンテナ面５３上に形成されている。反射膜５４は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波を反射する材料で形成されており、たとえばＣｕなどの金属で形成されている。本実施形態では、反射膜５４は、アンテナ面５３の全体に亘って形成されている。一方、反射膜５４は、ベース主面５０ａには形成されていない。

【0066】

反射膜５４は、テラヘルツ素子２０からの電磁波の少なくとも一部を一方向に反射させるものである。本実施形態では、反射膜５４は、テラヘルツ素子２０からの電磁波をｚ方向（具体的には上方）に向けて反射させる。換言すれば、反射膜５４は、開口角度θの範囲に亘って放射状に照射される電磁波を一方向にガイドするものともいえる。

【0067】

具体的には、反射膜５４はアンテナ形状となっている。本実施形態では、アンテナ面５３がアンテナ形状に対応させて湾曲しているため、アンテナ面５３上に形成される反射膜５４は自ずとアンテナ形状となる。本実施形態では、反射膜５４は、パラボラアンテナ形状となっている。換言すれば、反射膜５４は、回転放物面鏡となっている。反射膜５４は、ｚ方向から見て円形状となっている。

【0068】

反射膜５４と取付板１１とはｚ方向に対向している。換言すれば、取付板１１は、反射膜５４に対して対向する位置、本実施形態では反射膜５４の上方に設けられている。このため、反射膜５４によって反射された電磁波は取付板１１を透過して上方に照射される。

【0069】

反射膜５４は、素子裏面２２ではなく、発振点Ｐ１が存在する素子主面２１側に配置されており、テラヘルツ素子２０（本実施形態では素子主面２１）と対向している。反射膜５４は、たとえば当該反射膜５４の焦点が発振点Ｐ１となるように配置されている。本実施形態では、ｚ方向から見て、反射膜５４の中心点Ｐ２と発振点Ｐ１とは一致している。本実施形態では、中心点Ｐ２はｚ方向から見た円形の反射膜５４の中心である。

【0070】

また、発振点Ｐ１から反射膜５４までの垂直距離を規定距離ｚ１とし、反射膜５４のｚ方向の座標をＺとし、反射膜５４のｘ方向の位置をＸとすると、Ｚ＝（１／（４ｚ１））Ｘ^２の条件を満たすようにアンテナ面５３が湾曲しているとよい。ただし、アンテナ面５３の湾曲態様はこれに限られず任意である。

【0071】

ｚ方向は、反射膜５４とテラヘルツ素子２０（素子主面２１）との対向方向ともいえるし、テラヘルツ装置１０の電磁波の出力方向ともいえる。また、ｚ方向は、反射膜５４の中心点Ｐ２と発振点Ｐ１との対向方向ともいえ、規定距離ｚ１は、発振点Ｐ１と中心点Ｐ２との間の距離ともいえる。

【0072】

また、反射膜５４は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波が共振するように、当該電磁波の周波数に対応する位置に配置されている。具体的には、規定距離ｚ１は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波の共振条件を満たすように、たとえば（λ’_Ａ／４）+（（λ’_Ａ／２)×Ｎ）（ただし、Ｎは０以上の整数）であるとよい。λ’_Ａは、（１／ｎ_Ａ）（ｃ／ｆｃ）（c：光速，ｆｃ：発振の中心周波数）である。ｎ_Ａは、発振点Ｐ１と反射膜５４との間に介在する物体の屈折率である。たとえば、両者の間に空気が存在している場合には、ｎ_Ａは「１」である。ｆｃは、テラヘルツ素子２０の目標周波数ともいえるし、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波のうち最も出力が大きい周波数でもよい。

【0073】

ｚ方向から見て、ｘ方向またはｙ方向における反射膜５４の端から端までの距離を反射膜５４の開口幅という。本実施形態では、反射膜５４はアンテナ面５３の全体に亘って形成されているため、反射膜５４の開口幅は、凹部５２の開口幅と一致している。なお、凹部５２の開口幅は、円状に形成された凹部５２の開口の直径ともいえる。

【0074】

反射膜５４は、たとえば発振点Ｐ１に対して開口角度θ以上の角度に亘って形成されている。具体的には、アンテナ面５３は、発振点Ｐ１を中心とした場合に開口角度θ以上の角度に亘って形成されている。そして、既に説明したとおり、本実施形態の反射膜５４はアンテナ面５３の全体に亘って形成されている。本実施形態では、発振点Ｐ１に対して反射膜５４が形成されている角度は１８０°よりも大きくなっている。このため、本実施形態では、発振点Ｐ１から開口角度θの範囲内で照射された電磁波は全て反射膜５４によって反射される。

【0075】

ここで、本実施形態では、アンテナベース５０のｚ方向の長さは、取付板１１のｚ方向の長さである取付板１１の厚さよりも大きい。また、アンテナベース５０のｘ方向の長さは、取付板１１のｘ方向の長さと同一に設定されている。アンテナベース５０のｙ方向の長さは、取付板１１のｙ方向の長さと同一に設定されている。ただし、アンテナベース５０と取付板１１との長さの関係は任意である。

【0076】

図４および図５に示すように、リードフレーム６０は、取付板１１の取付主面１２に取り付けられている。リードフレーム６０と取付板１１とは密着して接合されており、両者は位置ずれしないように固定されている。

【0077】

リードフレーム６０は、たとえばｚ方向を厚さ方向とする矩形板状である。本実施形態のリードフレーム６０は、取付板１１よりも厚く形成されている。換言すれば、本実施形態の取付板１１は、リードフレーム６０よりも薄く形成されている。

【0078】

リードフレーム６０は、互いに絶縁された第１リードパーツ６１および第２リードパーツ７１を有している。第１リードパーツ６１および第２リードパーツ７１は、たとえばｘ方向に離間して対向配置されており、互いに離間してｘ方向に対向している第１リード対向面６２および第２リード対向面７２を有している。本実施形態の両リード対向面６２，７２は、ｘ方向に対して直交している。本実施形態では、第１リードパーツ６１および第２リードパーツ７１が「第１導電部」および「第２導電部」に対応する。

【0079】

第１リードパーツ６１および第２リードパーツ７１は、ｚ方向から見て、取付板１１よりも側方、本実施形態ではｘ方向にはみ出している。一方、両リードパーツ６１，７１のｙ方向の長さは、取付板１１のｙ方向の長さよりも若干短く設定されており、たとえばアンテナベース５０のｙ方向の長さと同一に設定されている。このため、本実施形態のリードフレーム６０は、取付板１１に対してｙ方向にはみ出しにくくなっている。

【0080】

リードフレーム６０は、ｚ方向から見て反射膜５４（凹部５２）と重ならないように避けて形成されている。具体的には、リードフレーム６０には、ｚ方向から見て反射膜５４の少なくとも一部と重なる開口部８０が形成されている。

【0081】

開口部８０は、たとえば両リードパーツ６１，７１の間に設けられている隙間８１と、第１リードパーツ６１に形成された第１パーツ開口部６３と、第２リードパーツ７１に形成された第２パーツ開口部７３と、によって構成されている。

【0082】

隙間８１は、ｙ方向に延びたスリット状であり、両リード対向面６２，７２間の空間と、両パーツ開口部６３，７３間の空間とを含む。
第１パーツ開口部６３は、第１リードパーツ６１のうちｚ方向から見て反射膜５４と重なる部分に形成されている。第２パーツ開口部７３は、第２リードパーツ７１のうちｚ方向から見て反射膜５４と重なる部分に形成されている。

【0083】

第１パーツ開口部６３および第２パーツ開口部７３は、ｚ方向に貫通しており、凹部５２と連通している。第１パーツ開口部６３および第２パーツ開口部７３は互いに隙間８１を介してｘ方向に離間して対向配置されている。両パーツ開口部６３，７３はｘ方向に開口している。第１パーツ開口部６３は、第２リードパーツ７１に向けて開口しており、第２パーツ開口部７３は、第１リードパーツ６１に向けて開口している。このため、両パーツ開口部６３，７３は隙間８１と連通している。

【0084】

第１パーツ開口部６３および第２パーツ開口部７３はそれぞれ、ｚ方向から見て半円状に形成されている。第１パーツ開口部６３および第２パーツ開口部７３によって１つの円状の孔が形成されている。テラヘルツ素子２０は、両パーツ開口部６３，７３によって形成される円の中心に配置されているともいえる。なお、両パーツ開口部６３，７３によって形成される円の直径は、たとえば反射膜５４の開口幅と同一またはそれ以上であるとよい。

【0085】

第１リードパーツ６１は、第１パーツ開口部６３の内壁面である第１内壁面６４を有している。第１内壁面６４は、第１リード対向面６２に対して第２リード対向面７２とは離れる方向に凹んだ凹面である。

【0086】

第２リードパーツ７１は、第２パーツ開口部７３の内壁面である第２内壁面７４を有している。第２内壁面７４は、第２リード対向面７２に対して第１リード対向面６２とは離れる方向に凹んだ凹面である。

【0087】

第１内壁面６４および第２内壁面７４は、互いに離れる方向に凸となるように湾曲している。両内壁面６４，７４は、たとえば両リードパーツ６１，７１が反射膜５４と重ならないように反射膜５４の端５４ａ、すなわち凹部５２の開口縁の外側に沿って延びている。

【0088】

図５に示すように、本実施形態の第１リードパーツ６１は、テラヘルツ素子２０と電気的に接続するための第１接続部６５を有している。本実施形態の第１接続部６５は、第１リードパーツ６１におけるｚ方向から見て凹部５２（換言すれば反射膜５４）と重ならない部分からテラヘルツ素子２０に向けて突出している部分である。具体的には、第１接続部６５は、第１内壁面６４からテラヘルツ素子２０に向けて突出した突出片である。第１接続部６５は、ｚ方向から見て反射膜５４と重なっている。第１接続部６５と第１パッド３３ｂとが第１ワイヤＷ１によって接続されている。これにより、第１リードパーツ６１とテラヘルツ素子２０とが電気的に接続される。

【0089】

本実施形態では、第１接続部６５の第１内壁面６４からの突出寸法は、ｚ方向から見た第１ワイヤＷ１の長さよりも短い。上記突出寸法は、たとえば反射膜５４の開口幅の１／４よりも短い。

【0090】

同様に、本実施形態の第２リードパーツ７１は、テラヘルツ素子２０と電気的に接続するための第２接続部７５を有している。本実施形態の第２接続部７５は、第２リードパーツ７１におけるｚ方向から見て凹部５２（換言すれば反射膜５４）と重ならない部分からテラヘルツ素子２０に向けて突出している部分である。具体的には、第２接続部７５は、第２内壁面７４からテラヘルツ素子２０に向けて突出した突出片である。第２接続部７５は、ｚ方向から見て凹部５２（換言すれば反射膜５４）と重なっている。第２接続部７５と第２パッド３４ｂとが第２ワイヤＷ２によって接続されている。これにより、第２リードパーツ７１とテラヘルツ素子２０とが電気的に接続される。

【0091】

本実施形態では、第２接続部７５の第２内壁面７４からの突出寸法は、ｚ方向から見た第２ワイヤＷ２の長さよりも短い。上記突出寸法は、たとえば反射膜５４の開口幅の１／４よりも短い。

【0092】

本実施形態では、第１接続部６５と第２接続部７５とは、テラヘルツ素子２０を介して対向配置されている。たとえば、両接続部６５，７５は、ｘ方向に対称配置されている。換言すれば、両接続部６５，７５は、ｚ方向から見て、１８０°ずれた位置に配置されている。

【0093】

図４に示すように、テラヘルツ装置１０は、アンテナベース５０とリードフレーム６０とを接着させる接着層９０を有している。接着層９０は、たとえば絶縁性材料で形成されており、たとえば樹脂系の接着剤で構成されている。接着層９０は、アンテナベース５０のベース主面５０ａとリードフレーム６０との間に設けられている。アンテナベース５０は、接着層９０によってリードフレーム６０に接着している。これにより、取付板１１、リードフレーム６０およびアンテナベース５０がユニット化されている。すなわち、基材としての取付板１１とアンテナベース５０とが位置ずれしないようにユニット化されることによって、取付板１１に取り付けられているテラヘルツ素子２０と、アンテナベース５０に形成されている反射膜５４とが位置ずれしないようにユニット化される。

【0094】

接着層９０は、反射膜５４とリードフレーム６０との間に介在している。接着層９０によって、反射膜５４とリードフレーム６０とが電気的に接続されないように規制されている。以上のとおり、反射膜５４は、アンテナベース５０およびリードフレーム６０の双方に対して電気的に接続されておらず、電気的にフローティング状態となっている。

【0095】

特に、本実施形態では、接着層９０の内周端は、反射膜５４よりも内側（換言すればテラヘルツ素子２０側）に向けてはみ出している。このため、接着層９０を回避して反射膜５４とリードフレーム６０とが接触する事態が生じにくい。接着層９０の内周端とは、接着層９０におけるテラヘルツ素子２０側の端といえる。接着層９０の内周端は、たとえば凹部５２に対応させてｚ方向から見て円形状となっている。ただし、接着層９０の内周端の形状は任意であり、矩形状でもよい。

【0096】

テラヘルツ素子２０および反射膜５４は、取付板１１と凹部５２とによって区画された収容空間Ａ１内に収容されているといえる。本実施形態では、収容空間Ａ１は、取付主面１２とアンテナ面５３とによって区画された空間である。本実施形態の収容空間Ａ１は接着層９０等によって密閉されており、当該収容空間Ａ１内には空気が存在する。

【0097】

図３～図５に示すように、テラヘルツ装置１０は、外部との電気的接続に用いられる第１電極９４および第２電極１０１を備えている。本実施形態では、第１電極９４および第２電極１０１は、アンテナベース５０に沿って折り曲げられたリードフレーム６０によって構成されている。

【0098】

具体的には、第１リードパーツ６１は、第１ベース側面５１ａからアンテナベース５０外に延出されており、アンテナベース５０に沿って折り曲げられて、ベース裏面５０ｂまで到達している。第１電極９４は、第１リードパーツ６１における上記折り曲げられている部分によって構成されている。

【0099】

第１電極９４は、第１ベース側面５１ａとベース主面５０ａとのコーナ部分にて第１ベース側面５１ａに向かうように屈曲している第１基端部９４ａと、第１ベース側面５１ａとベース裏面５０ｂとのコーナ部分にて屈曲している第１屈曲部（または湾曲部）９４ｂと、ベース裏面５０ｂに配置されている第１先端部９４ｃと、を有している。第１電極９４は、ｙ方向から見てＬ字状に形成されており、第１ベース側面５１ａとベース裏面５０ｂとに跨って形成されている。

【0100】

第１電極９４は、第１ベース側面５１ａに形成された第１側面電極９５と、ベース裏面５０ｂに形成された第１裏面電極９３と、を有している。第１側面電極９５は、第１電極９４における第１基端部９４ａから第１屈曲部９４ｂまでの部分であり、第１ベース側面５１ａの全体に形成されている。第１裏面電極９３は、第１電極９４における第１屈曲部９４ｂから第１先端部９４ｃまでの部分である。

【0101】

同様に、第２リードパーツ７１は、第２ベース側面５１ｂからアンテナベース５０外に延出されており、アンテナベース５０に沿って折り曲げられて、ベース裏面５０ｂまで到達している。第２電極１０１は、第２リードパーツ７１における上記折り曲げられている部分によって構成されている。

【0102】

第２電極１０１は、第２ベース側面５１ｂとベース主面５０ａとのコーナ部分にて第２ベース側面５１ｂに向かうように屈曲している第２基端部１０１ａと、第２ベース側面５１ｂとベース裏面５０ｂとのコーナ部分にて屈曲している第２屈曲部（または湾曲部）１０１ｂと、ベース裏面５０ｂに配置されている第２先端部１０１ｃと、を有している。第２電極１０１は、ｙ方向から見てＬ字状に形成されており、第２ベース側面５１ｂとベース裏面５０ｂとに跨って形成されている。

【0103】

第２電極１０１は、第２ベース側面５１ｂに形成された第２側面電極１０２と、ベース裏面５０ｂに形成された第２裏面電極１０３と、を有している。第２側面電極１０２は、第２電極１０１における第２基端部１０１ａから第２屈曲部１０１ｂまでの部分であり、第２ベース側面５１ｂの全体に形成されている。第２裏面電極１０３は、第２電極１０１における第２屈曲部１０１ｂから第２先端部１０１ｃまでの部分である。

【0104】

本実施形態では、両電極９４，１０１は、左右対称に形成されている。また、第１先端部９４ｃと第２先端部１０１ｃとはｘ方向に離間しているため、両電極９４，１０１の絶縁は確保されている。

【0105】

なお、両電極９４，１０１のｙ方向の長さである幅は、アンテナベース５０のｙ方向の長さと同一に設定されている。ただし、これに限られず、両電極９４，１０１の幅は任意に変更可能であり、たとえばアンテナベース５０のｙ方向の長さよりも短くてもよい。

【0106】

ここで、既に説明したとおり、アンテナベース５０のｚ方向の長さは、取付板１１の厚さよりも大きい。また、アンテナベース５０のｚ方向の長さは、取付板１１の厚さとリードフレーム６０の厚さとを合わせた寸法よりも大きい。アンテナベース５０と取付板１１との間に設けられているリードフレーム６０は、テラヘルツ装置１０において上方側に配置されている。このため、第１基端部９４ａおよび第２基端部１０１ａは、テラヘルツ装置１０において上方側に配置されている。

【0107】

つまり、ｚ方向をテラヘルツ装置１０の厚さ方向とすると、第１基端部９４ａおよび第２基端部１０１ａは、テラヘルツ装置１０の厚さ方向の中央部よりも上方（換言すれば取付板１１側または電磁波の出力側）に偏倚して配置されている。

【0108】

図４に示すように、テラヘルツ装置１０は、たとえば配線パターン１１４が形成されている回路基板１１３に実装される。具体的には、テラヘルツ装置１０は、ベース裏面５０ｂが回路基板１１３と対向する向きで設置されるものであり、半田などの導電性接合部材１１５を用いて裏面電極９３，１０３と配線パターン１１４とが接合された状態で回路基板１１３に取り付けられる。

【0109】

次に本実施形態のテラヘルツ装置１０の製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、まずは１つのテラヘルツ装置１０の製造方法について説明する。
図８に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、リードフレーム６０を成型する工程を含む。当該工程では、第１パーツ開口部６３および第１接続部６５が形成された第１リードパーツ６１と、第２パーツ開口部７３および第２接続部７５が形成された第２リードパーツ７１とを形成する。

【0110】

図９に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、取付板１１を成型する工程を含む。当該工程では、両リードパーツ６１，７１に跨るように取付板１１を成型する。なお、取付板１１の具体的な成型手法については任意である。

【0111】

その後、図１０に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、テラヘルツ素子２０を取付板１１に取り付ける工程を含む。当該工程では、テラヘルツ素子２０を、取付板１１のうちリードフレーム６０が設けられている側の面に実装する。これにより、リードフレーム６０、取付板１１およびテラヘルツ素子２０がユニット化される。

【0112】

図１１に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、両ワイヤＷ１，Ｗ２を用いてテラヘルツ素子２０と両リードパーツ６１，７１とを電気的に接続する工程を含む。当該工程では、第１ワイヤＷ１を第１パッド３３ｂと第１リードパーツ６１とにボンディングするとともに、第２ワイヤＷ２を第２パッド３４ｂと第２リードパーツ７１とにボンディングする。なお、ボンディングの順序については任意である。

【0113】

図１２に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、アンテナベース５０における凹部５２を形成する工程を含む。当該工程では、アンテナ面５３に対応させて形成された金型を用いてアンテナ面５３を有する凹部５２を形成する。

【0114】

図１３に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、凹部５２が形成された後に実行され、反射膜５４を構成する金属膜を形成する工程を含む。当該工程では、ベース主面５０ａおよびアンテナ面５３の双方に対して金属膜を形成する。

【0115】

図１４に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、ベース主面５０ａに形成された金属膜を除去する工程を含む。当該ベース主面５０ａの金属膜を除去する具体的手法は任意であるが、たとえばパターニングによって除去する手法でもよいし、研磨によって除去する手法でもよい。これにより、アンテナ面５３にのみ反射膜５４としての金属膜が形成される。

【0116】

なお、金属膜を形成する工程としては、上記の工程に限られない。たとえば、テラヘルツ装置１０の製造方法は、ベース主面５０ａをマスキングする工程と、電子ビームを用いた蒸着等によって金属膜をアンテナ面５３に形成する工程と、を有する構成でもよい。この場合、ベース主面５０ａに形成された金属膜を除去する工程が不要となる。

【0117】

図１５に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、リードフレーム６０、取付板１１およびテラヘルツ素子２０のユニット体と、反射膜５４が形成されたアンテナベース５０とを組み付ける工程を含む。当該工程では、接着層９０を用いてアンテナベース５０とリードフレーム６０とを接着させる。

【0118】

その後、図１６に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、リードフレーム６０を折り曲げる第１折曲工程を含む。第１折曲工程では、アンテナベース５０から側方に突出しているリードフレーム６０（両リードパーツ６１，７１）を、アンテナベース５０のコーナ部分にてアンテナベース５０のベース側面５１ａ，５１ｂに沿うように折り曲げる。これにより、側面電極９５，１０２が形成される。

【0119】

続いて、図１７に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、リードフレーム６０を更に折り曲げる第２折曲工程を含む。第２折曲工程では、アンテナベース５０から上方に突出しているリードフレーム６０を、アンテナベース５０のコーナ部分にてアンテナベース５０のベース裏面５０ｂに沿うように折り曲げる。これにより、屈曲部９４ｂ，１０１ｂおよび裏面電極９３，１０３が形成される。これにより、テラヘルツ装置１０が形成される。

【0120】

なお、説明の便宜上、１つのテラヘルツ装置１０の製造方法について説明したが、実際には複数のテラヘルツ装置１０を同時に製造してもよい。
たとえば、図１８に示すように、複数のリードフレーム６０を構成するものであって開口部８０となる部分が打ち抜かれた金属板１１１を用意し、当該金属板１１１に複数の取付板１１及び複数のテラヘルツ素子２０を取り付ける。金属板１１１には、リードフレーム６０のｙ方向の端部に沿って打ち抜かれた第１貫通孔１１１ａが形成されている。第１貫通孔１１１ａは、たとえば両電極９４，１０１の分だけ取付板１１よりもｘ方向の両側に長く延びたスリット形状である。

【0121】

一方で、図１９に示すように、凹部５２および反射膜５４が複数配列されたベース体１１２を用意する。ベース体１１２には、リードフレーム６０を露出したい部分に対応させて第２貫通孔１１２ａが形成されている。第２貫通孔１１２ａは、金属板１１１とベース体１１２とが貼り合わせた場合において電極９４，１０１と対向する部分に形成されている。そして、取付板１１およびテラヘルツ素子２０が取り付けられた金属板１１１とベース体１１２とを位置合わせをした状態で接着剤を用いて貼り合わせた後に、ダイシングによって切断する。そして、リードフレーム６０を折り曲げる。これにより、複数のテラヘルツ装置１０が製造される。

【0122】

ここで、金属板１１１とベース体１１２とを貼り合わせる際には、金属板１１１に形成された第１位置決め部１１１ｂと、ベース体１１２に形成された第２位置決め部１１２ｂとが重なるように金属板１１１とベース体１１２との位置決めを行うとよい。

【0123】

次に本実施形態の作用について説明する。
テラヘルツ素子２０の発振点Ｐ１から発生した電磁波は、反射膜５４によって反射されて一方向に向けて照射される。

【0124】

また、本実施形態における両電極９４，１０１は、テラヘルツ装置１０の底面を構成するベース裏面５０ｂにも形成されている。これにより、ベース裏面５０ｂと回路基板１１３とが対向する向きでテラヘルツ装置１０を回路基板１１３に取り付けることにより、テラヘルツ装置１０が容易に回路基板１１３に実装される。

【0125】

以上詳述した本実施形態によれば以下の効果を奏する。
（１－１）テラヘルツ装置１０は、基材としての取付板１１と、取付板１１に取り付けられたテラヘルツ素子２０と、取付板１１と対向する位置に設けられ、アンテナ面５３を有するアンテナベース５０と、アンテナ面５３に形成された反射膜５４と、を備えている。反射膜５４は、テラヘルツ素子２０から発生した電磁波の少なくとも一部を一方向（たとえば上方）に向けて反射させる。この構成によれば、テラヘルツ素子から発生した電磁波が一方向に向けて照射される。これにより、テラヘルツ装置１０から照射される電磁波の出力を高くすることができる。したがって、テラヘルツ装置１０の利得の向上を図ることができる。

【0126】

（１－２）テラヘルツ装置１０は、外部との電気的接続に用いられる電極９４，１０１を備えている。電極９４，１０１は、ベース側面５１ａ，５１ｂに形成された側面電極９５，１０２と、ベース裏面５０ｂに形成された裏面電極９３，１０３と、を備えている。この構成によれば、側面電極９５，１０２または裏面電極９３，１０３と、回路基板１１３の配線パターン１１４とを比較的容易に電気的に接続することができるため、回路基板１１３へのテラヘルツ装置１０の実装を容易に行うことができる。

【0127】

（１－３）電極９４，１０１は、アンテナベース５０に沿って折り曲げられたリードフレーム６０によって構成されている。この構成によれば、比較的折り曲げ加工しやすいリードフレーム６０が電極９４，１０１として採用されている。これにより、容易に側面電極９５，１０２および裏面電極９３，１０３を形成することができる。また、リードフレーム６０はアンテナベース５０に沿って折り曲げられることにより、リードフレーム６０が側方に突出することを抑制できる。これにより、テラヘルツ装置１０のｘ方向の小型化を図ることができる。

【0128】

（１－４）第１電極９４は、第１ベース側面５１ａとベース主面５０ａとのコーナ部分にて第１ベース側面５１ａに向かうように屈曲している第１基端部９４ａと、第１ベース側面５１ａとベース裏面５０ｂとのコーナ部分にて屈曲している第１屈曲部９４ｂと、ベース裏面５０ｂに配置された第１先端部９４ｃと、を有している。第１側面電極９５は、第１基端部９４ａから第１屈曲部９４ｂまでの部分であり、第１裏面電極９３は、第１屈曲部９４ｂから第１先端部９４ｃまでの部分である。

【0129】

同様に、第２電極１０１は、第２ベース側面５１ｂとベース主面５０ａとのコーナ部分にて第２ベース側面５１ｂに向かうように屈曲している第２基端部１０１ａと、第２ベース側面５１ｂとベース裏面５０ｂとのコーナ部分にて屈曲している第２屈曲部１０１ｂと、ベース裏面５０ｂに配置された第２先端部１０１ｃと、を有している。第２側面電極１０２は、第２基端部１０１ａから第２屈曲部１０１ｂまでの部分であり、第２裏面電極１０３は、第２屈曲部１０１ｂから第２先端部１０１ｃまでの部分である。

【0130】

この構成によれば、アンテナベース５０の各コーナ部分を支点としてリードフレーム６０を折り曲げることによって、側面電極９５，１０２および裏面電極９３，１０３が形成される。これにより、比較的容易に側面電極９５，１０２及び裏面電極９３，１０３を形成できる。

【0131】

（１－５）両先端部９４ｃ，１０１ｃは、ｘ方向に離間している。この構成によれば、両電極９４，１０１の絶縁を確保できる。
（１－６）テラヘルツ素子２０は、電磁波が発生する発振点Ｐ１を有する素子主面２１と、素子主面２１とは反対側の素子裏面２２とを有している。反射膜５４は、素子裏面２２側ではなく素子主面２１側に設けられている。この構成によれば、電磁波が反射膜５４に到達し易いため、反射膜５４を用いて発振点Ｐ１から発生する電磁波を好適に反射させることができる。

【0132】

（１－７）テラヘルツ素子２０は、発振点Ｐ１から開口角度θの範囲に亘って放射状に電磁波を照射する。反射膜５４は、発振点Ｐ１に対して開口角度θ以上の角度に亘って形成されている。この構成によれば、発振点Ｐ１から開口角度θの範囲に亘って放射状に照射された電磁波は、反射膜５４によって反射される。これにより、反射膜５４によって反射されない電磁波を低減でき、利得の向上を図ることができる。

【0133】

（１－８）反射膜５４はパラポラアンテナ形状である。この構成によれば、電磁波を好適に一方向に向けて反射させることができる。
（１－９）反射膜５４は、当該反射膜５４の焦点が発振点Ｐ１に位置するように配置されている。この構成によれば、発振点Ｐ１から発生した電磁波は、反射膜５４によって一方向に誘導される。これにより、反射膜５４によって一方向に向けて反射されない電磁波を低減でき、利得の向上を図ることができる。

【0134】

（１－１０）反射膜５４は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波が共振するように、当該電磁波の周波数に対応する位置に配置されている。一例としては、発振点Ｐ１から反射膜５４に向かう垂直距離である規定距離ｚ１は、電磁波の共振条件、たとえば（λ’_Ａ／４）+（（λ’_Ａ／２)×Ｎ）を満たすように設定されている。この構成によれば、テラヘルツ装置１０の利得の向上を図ることができる。

【0135】

（１－１１）反射膜５４は電気的にフローティング状態である。この構成によれば、反射膜５４によって電磁波が吸収されるなどといった不都合を抑制できる。
（１－１２）アンテナベース５０は絶縁性材料で形成されている。この構成によれば、アンテナベース５０を介して反射膜５４が何らかの部材と電気的に接続されることを抑制できる。

【0136】

（１－１３）基材としての取付板１１は、テラヘルツ素子２０が取り付けられる取付主面１２を有している。アンテナベース５０は、取付主面１２と対向するベース主面５０ａと、ベース主面５０ａから凹んだものであってアンテナ面５３を有する凹部５２と、を備えている。テラヘルツ素子２０および反射膜５４は、取付主面１２とアンテナ面５３とによって区画された収容空間Ａ１内に配置されている。この構成によれば、テラヘルツ素子２０および反射膜５４に対する外部からの影響を低減できる。

【0137】

（１－１４）反射膜５４は、アンテナ面５３に形成されている一方、ベース主面５０ａには形成されていない。この構成によれば、ベース主面５０ａに形成される反射膜５４によって電磁波が反射されることを回避できる。これにより、不要な反射波に起因する不都合、たとえば定在波の発生を抑制できる。

【0138】

（１－１５）取付主面１２には、導電部材としてのリードフレーム６０が設けられている。アンテナベース５０は、接着層９０によってリードフレーム６０に対して接着している。接着層９０は、絶縁性材料で形成されており、反射膜５４とリードフレーム６０との間に介在している。この構成によれば、接着層９０によって反射膜５４とリードフレーム６０とが接触しないように規制されている。これにより、反射膜５４とリードフレーム６０とが電気的に接続されることを抑制できる。

【0139】

（１－１６）リードフレーム６０には、ｚ方向から見て反射膜５４の少なくとも一部と重なる開口部８０が形成されている。この構成によれば、反射膜５４によって反射された電磁波は、開口部８０を介して出力される。これにより、電磁波がリードフレーム６０によって遮断されることを抑制できる。

【0140】

（１－１７）リードフレーム６０は、互いに離間して対向配置された第１リードパーツ６１および第２リードパーツ７１を有している。開口部８０は、両リードパーツ６１，７１間の隙間８１を含む。この構成によれば、両リードパーツ６１，７１の絶縁性を確保しつつ、リードフレーム６０による電磁波の遮断（ブロッキング）を抑制できる。

【0141】

（１－１８）開口部８０は、第１リードパーツ６１におけるｚ方向から見て反射膜５４と重なる部分に形成され、隙間８１と連通している第１パーツ開口部６３を有している。開口部８０は、第２リードパーツ７１におけるｚ方向から見て反射膜５４と重なる部分に形成され、隙間８１と連通している第２パーツ開口部７３を有している。この構成によれば、リードフレーム６０による電磁波の遮断を更に抑制できる。

【0142】

（１－１９）第１リードパーツ６１は、テラヘルツ素子２０と電気的に接続するための第１接続部６５を有している。第１接続部６５は、第１パーツ開口部６３の内壁面である第１内壁面６４からテラヘルツ素子２０に向けて突出しており、ｚ方向から見て反射膜５４と重なっている。第２リードパーツ７１は、テラヘルツ素子２０と電気的に接続するための第２接続部７５を有している。第２接続部７５は、第２パーツ開口部７３の内壁面である第２内壁面７４からテラヘルツ素子２０に向けて突出しており、ｚ方向から見て反射膜５４と重なっている。この構成によれば、リードフレーム６０による電磁波の遮断を抑制しつつ、テラヘルツ素子２０と両リードパーツ６１，７１とを電気的に接続させることができる。

【0143】

（１－２０）テラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０に形成された第１パッド３３ｂと第１接続部６５とを接続する第１ワイヤＷ１と、テラヘルツ素子２０に形成された第２パッド３４ｂと第２接続部７５とを接続する第２ワイヤＷ２と、を備えている。ｚ方向から見て、第１内壁面６４からの第１接続部６５の突出寸法は、第１ワイヤＷ１の長さよりも短い。この構成によれば、第１接続部６５の突出寸法が短い分だけ電磁波が第１接続部６５に遮断されることを抑制できる。同様に、ｚ方向から見て、第２内壁面７４からの第２接続部７５の突出寸法は、第２ワイヤＷ２の長さよりも短いとよい。

【0144】

（１－２１）両接続部６５，７５はテラヘルツ素子２０を介して対向配置されている。この構成によれば、両ワイヤＷ１，Ｗ２が互いに干渉しにくいため、両ワイヤＷ１，Ｗ２が接触することを抑制できる。

【0145】

（第１実施形態の変更例）
・図２０に示すように、テラヘルツ装置１０は、取付裏面１３に形成された反射低減膜１２０を備えていてもよい。反射低減膜１２０は、反射防止膜ともいえるし、ＡＲコーティング膜ともいえる。

【0146】

反射低減膜１２０は、たとえば取付裏面１３のうちｚ方向から見てリードフレーム６０と重なる部分の少なくとも一部に形成されているとよい。一例としては、反射低減膜１２０は、取付裏面１３のうちｚ方向から見てリードフレーム６０と重なる部分の全部に形成されている。これにより、リードフレーム６０にて電磁波が反射することに起因する定在波の発生を抑制できる。なお、反射低減膜１２０の具体的構成は、少なくともテラヘルツ帯の電磁波の反射を低減することができれば任意である。

【0147】

（第２実施形態）
図２１に示すように、本実施形態のテラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０に電気的に接続される特定素子の一例としての保護ダイオード１３１，１３２を備えている。保護ダイオード１３１，１３２は、テラヘルツ素子２０に対して電気的に接続されており、本実施形態ではテラヘルツ素子２０に対して並列接続されている。両保護ダイオード１３１，１３２は、テラヘルツ素子２０に対して互いに逆方向となるように接続されている。保護ダイオード１３１，１３２は、通常のダイオードの他に、ツェナーダイオード、ショットキーダイオード、または発光ダイオードであってもよい。

【0148】

なお、特定素子としては、保護ダイオード１３１，１３２に限られず、制御ＩＣ（たとえばＡＳＩＣ）でもよい。制御ＩＣは、たとえば、テラヘルツ素子２０に流れる電流検知、アンプ、テラヘルツ素子２０への電力供給、又は信号処理などを行うものであるとよい。また、特定素子とテラヘルツ素子２０との接続態様は任意であり、たとえば直列接続でもよい。

【0149】

図２２および図２３に示すように、両保護ダイオード１３１，１３２は、テラヘルツ素子２０を介して対向配置されている。両保護ダイオード１３１，１３２は、リードフレーム６０に実装されている。

【0150】

具体的には、第１保護ダイオード１３１は、第１リードパーツ６１と電気的に接続された状態で第１リードパーツ６１上に配置されている。第１保護ダイオード１３１は、たとえば第１リードパーツ６１における第１パーツ開口部６３の付近に配置されており、本実施形態では第１内壁面６４、第１リード対向面６２および第１リードパーツ６１のｙ方向の端面によって囲まれた領域に配置されている。

【0151】

また、第１保護ダイオード１３１と第２リードパーツ７１とは、第１ダイオードワイヤＷ３によって電気的に接続されている。これにより、第１保護ダイオード１３１は、両電極９４，１０１に電気的に接続される。

【0152】

第１ダイオードワイヤＷ３は、第２リードパーツ７１において第１保護ダイオード１３１に近い位置、すなわち第２内壁面７４、第２リード対向面７２および第２リードパーツ７１のｙ方向の端面によって囲まれた領域にボンディングされている。これにより、第１ダイオードワイヤＷ３の長さが短くなっている。

【0153】

同様に、第２保護ダイオード１３２は、第２リードパーツ７１と電気的に接続された状態で第２リードパーツ７１上に配置されている。第２保護ダイオード１３２は、たとえば第２リードパーツ７１における第２パーツ開口部７３の付近に配置されており、本実施形態では第２内壁面７４、第２リード対向面７２および第２リードパーツ７１のｙ方向の端面によって囲まれた領域に配置されている。

【0154】

また、第２保護ダイオード１３２と第１リードパーツ６１とは、第２ダイオードワイヤＷ４によって電気的に接続されている。これにより、第２保護ダイオード１３２は、両電極９４，１０１に電気的に接続される。

【0155】

第２ダイオードワイヤＷ４は、第１リードパーツ６１において第２保護ダイオード１３２に近い位置、すなわち第１内壁面６４、第１リード対向面６２および第１リードパーツ６１のｙ方向の端面によって囲まれた領域にボンディングされている。これにより、第２ダイオードワイヤＷ４の長さが短くなっている。

【0156】

図２３に示すように、本実施形態のアンテナベース５０は、ベース主面５０ａから凹んだ収容凹部１４１，１４２を備えており、保護ダイオード１３１，１３２は収容凹部１４１，１４２内に収容されている。収容凹部１４１，１４２は、凹部５２の周囲に形成されており、凹部５２と連通しないように形成されている。すなわち、収容凹部１４１，１４２は、特定素子を収容するために凹部５２とは別に設けられたものといえる。なお、図２３に示すように、接着層９０は収容凹部１４１，１４２に対応する箇所には形成されていない。

【0157】

以上詳述した本実施形態によれば以下の作用効果を奏する。
（２－１）テラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０に対して並列接続された保護ダイオード１３１，１３２を備えている。この構成によれば、たとえば静電気等に起因してテラヘルツ素子２０の両端に高電圧が印加された場合には、保護ダイオード１３１，１３２を経由して電流を流すことが可能となる。これにより、テラヘルツ素子２０に過度な電流が流れることを抑制できるため、テラヘルツ素子２０を保護できる。

【0158】

（２－２）両保護ダイオード１３１，１３２は、テラヘルツ素子２０に対して互いに逆方向となるように接続されている。この構成によれば、いずれの方向の高電圧が発生した場合であってもテラヘルツ素子２０を保護できる。

【0159】

（２－３）アンテナベース５０は、ベース主面５０ａから凹んだ収容凹部１４１，１４２を有しており、保護ダイオード１３１，１３２は収容凹部１４１，１４２に収容されている。この構成によれば、保護ダイオード１３１，１３２を設けることに起因するテラヘルツ装置１０の大型化を抑制できる。

【0160】

（変更例）
各実施形態のテラヘルツ装置１０は例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、説明の便宜上、以下の変更例では、基本的には第１実施形態を用いて説明するが、技術的な矛盾が生じない限り、他の実施形態にも適用できる。

【0161】

・図２４に示すように、テラヘルツ装置１０は、接着層９０とは別に設けられ、反射膜５４とリードフレーム６０とを絶縁させるスペーサ２００を備えているとよい。スペーサ２００は、絶縁性を有している。スペーサ２００は、反射膜５４とリードフレーム６０との間にも介在している。図２４では、スペーサ２００は、リードフレーム６０と接着層９０との間に介在している。ただし、これに限られず、スペーサ２００は、アンテナベース５０と接着層９０との間に設けられていてもよい。

【0162】

この構成によれば、スペーサ２００と接着層９０とによって、反射膜５４とリードフレーム６０とが接触することが規制されている。これにより、反射膜５４とリードフレーム６０との接触を、より抑制できる。

【0163】

・図２５に示すように、第１接続部６５および第２接続部７５は、テラヘルツ素子２０の近くまで延びていてもよい。たとえば、第１接続部６５の先端部は、第１内壁面６４よりもテラヘルツ素子２０に近い位置に配置されており、第２接続部７５の先端部は、第２内壁面７４よりもテラヘルツ素子２０に近い位置に配置されていてもよい。換言すれば、両接続部６５，７５の突出寸法は、反射膜５４の開口幅の１／４よりも大きくてもよい。

【0164】

また、ｚ方向から見て、第１ワイヤＷ１の長さは、第１内壁面６４からの第１接続部６５の突出寸法よりも短くてもよい。同様に、第２ワイヤＷ２の長さは、第２内壁面７４からの第２接続部７５の突出寸法よりも短くてもよい。この構成によれば、ワイヤＷ１，Ｗ２の長さを短くできるため、ワイヤＷ１，Ｗ２に起因する応答性の低下を抑制できる。

【0165】

・図２６に示すように、第１接続部６５と第２接続部７５とは、平行に並んで配列されていてもよい。この構成によれば、テラヘルツ装置１０の応答性の向上を図ることができる。

【0166】

・第１接続部６５および第２接続部７５がなくてもよい。
・図２７及び図２８に示すように、テラヘルツ素子２０が取り付けられる基材としてリードフレーム６０を用いてもよい。具体的には、リードフレーム６０は、テラヘルツ素子２０が取り付けられる取付ベース２１０と、取付ベース２１０と繋がる第１接続部２１１と、第１接続部２１１と絶縁された第２接続部２１２と、を有する構成でもよい。第１接続部２１１は、第１ワイヤＷ１を介して第１パッド３３ｂと電気的に接続される。第２接続部２１２は、第２ワイヤＷ２を介して第２パッド３４ｂと電気的に接続される。

【0167】

また、リードフレーム６０は、第１接続部２１１から凹部５２の開口縁の外側に沿って延びた第１湾曲部２１３と、第２接続部２１２から凹部５２の開口縁の外側に沿って延びた第２湾曲部２１４と、を有していてもよい。

【0168】

また、本変更例では、図２８に示すように、テラヘルツ装置１０は、取付ベース２１０及び両接続部２１１，２１２を上方から覆うカバー部材２１５を備えていてもよい。カバー部材２１５は、電磁波を透過する材料で形成されているとよく、たとえば誘電体で形成されているとよい。

【0169】

・図２９に示すように、凹部５２は、アンテナ面５３よりも拡径した拡径面２２１と、アンテナ面５３と拡径面２２１との間に形成された段差面２２２と、を有してもよい。段差面２２２は、ｚ方向に対して交差する面である。この構成において、反射膜２２３は、アンテナ面５３と段差面２２２とに亘って形成されていてもよい。この場合、反射膜２２３とリードフレーム６０とがｚ方向に離間しているため、両者の接触を抑制できる。

【0170】

・図３０に示すように、反射膜２２４は、アンテナ面５３の一部の範囲に亘って形成されている構成でもよい。たとえば、反射膜２２４は、発振点Ｐ１よりも下方の部分に形成されていてもよい。また、反射膜２２４は、発振点Ｐ１に対して開口角度θ未満の角度に亘って形成されていてもよい。反射膜は、テラヘルツ素子２０にて発生した電磁波の少なくとも一部を一方向に反射させることができればよい。

【0171】

・反射膜の形状は適宜変更可能である。たとえば、反射膜は、１つの膜に限られず、分離された複数のパーツで構成されていてもよい。たとえば、反射膜にスリットが形成されていてもよいし、孔が形成されていてもよい。

【0172】

・図３１に示すように、アンテナベース５０は、取付裏面１３側に設けられる構成でもよい。この場合、リードフレーム６０と反射膜５４との間に取付板１１が介在するため、反射膜５４とリードフレーム６０との接触を回避できる。ただし、テラヘルツ素子２０を収容空間Ａ１内に収容できる点に鑑みれば、アンテナベース５０は、取付主面１２側に設けられている方がよい。

【0173】

・図３２に示すように、両リード対向面６２，７２は、ｙ方向に対して傾斜していてもよい。この場合、隙間８１は、ｙ方向に対して傾斜して延びている。
この構成において、第２実施形態のように保護ダイオード１３１，１３２を設ける場合、第１保護ダイオード１３１の少なくとも一部は、第１内壁面６４と第１リード対向面６２との間に配置されていてもよい。同様に、第２保護ダイオード１３２の少なくとも一部は、第２内壁面７４と第２リード対向面７２との間に配置されていてもよい。

【0174】

・図３３に示すように、テラヘルツ素子２０は、上方から見て発振点Ｐ１が反射膜５４の中心点Ｐ２からずれた位置に配置されていてもよい。すなわち、反射膜５４の焦点が発振点Ｐ１と一致していなくてもよい。

【0175】

・図３４に示すように、テラヘルツ装置１０は、反射膜５４とは別に設けられた反射部３００を有する複反射鏡型でもよい。
具体的には、テラヘルツ装置１０は、反射膜５４とは別に反射部３００を備えている。詳細には、取付主面１２には反射用凸部３０１が形成されており、反射部３００は、反射用凸部３０１の表面に形成された金属膜である。反射用凸部３０１が反射膜５４に向けて凸となるように湾曲していることに対応させて、反射部３００は、反射膜５４に向けて凸となるように湾曲している。反射部３００と反射膜５４とは径方向に対向しており、反射部３００によって反射された電磁波は、反射膜５４に向けて照射される。

【0176】

本変更例のテラヘルツ素子２０は、反射部３００と対向する位置に配置されている。換言すれば、反射部３００を有する基材としての取付板１１は、テラヘルツ素子２０に対して対向する位置に設けられている。

【0177】

テラヘルツ装置１０は、たとえば取付柱３０２，３０３を備えている。取付柱３０２，３０３は、たとえば導電性材料で形成されている。取付柱３０２，３０３は、アンテナベース５０および反射膜５４を下方から貫通しており、収容空間Ａ１内に入り込んでいる。テラヘルツ素子２０は、取付柱３０２，３０３に取り付けられている。テラヘルツ素子２０と取付柱３０２，３０３とは電気的に接続されている。

【0178】

テラヘルツ素子２０は取付柱３０２，３０３に対して直接接合されていてもよいし、導電性接合部材を介して接合されていてもよい。また、取付柱３０２，３０３と反射膜５４との接触を回避するために、取付柱３０２，３０３の側面に絶縁部（たとえば絶縁コーティング）が設けられていてもよい。なお、本変更例では取付柱３０２，３０３は２本設けられているが、取付柱３０２，３０３の数は任意である。

【0179】

本変更例のテラヘルツ装置１０は、取付柱３０２，３０３と電気的に接続される電極３０４，３０５を備えている。電極３０４，３０５は、アンテナベース５０におけるベース主面５０ａとは反対側のベース裏面５０ｂに形成されており、取付柱３０２，３０３と接合されている。

【0180】

本変更例によれば、両電極３０４，３０５から電圧が印加されることにより、テラヘルツ素子２０から電磁波が発生する。当該電磁波は、反射部３００によって反射された後、反射膜５４によって更に反射されて、一方向としての上方に向けて照射される。つまり、テラヘルツ素子２０にて発生した電磁波は、反射部３００を介して反射膜５４に照射され、反射膜５４によって更に反射される。

【0181】

すなわち、反射部３００は、テラヘルツ素子２０から発生した電磁波が入射されるものであって当該電磁波の少なくとも一部を反射するものであり、反射膜５４は、反射部３００によって反射された電磁波が入射されるものであって当該電磁波の少なくとも一部を一方向（上方）に向けて反射するものである。

【0182】

ここで、本変更例では、取付板１１には、リードフレーム６０および両ワイヤＷ１，Ｗ２は形成されていない。また、上方から見て、反射部３００は、たとえばテラヘルツ素子２０の投影範囲内に収まっているとよい。これにより、電磁波が遮断（ブロッキング）されることを抑制できる。

【0183】

ちなみに、図３４に示すように、反射膜５４に形成され取付柱３０２，３０３が貫通する貫通孔３０６は、反射膜５４と取付柱３０２，３０３とが接触しないように取付柱３０２，３０３よりも大きく形成されているとよい。なお、反射膜５４のうち２つの取付柱３０２，３０３の間にある部分を省略してもよい。つまり、反射膜５４は、上方から見て、中心部分が除去された環状となっていてもよい。また、反射部３００は、テラヘルツ素子２０に対して凹状となっていてもよい。具体的には、反射部３００は、反射膜５４とは反対方向（すなわち上方）に凹んだアンテナ形状となっていてもよい。つまり、反射部３００は、カセグレンタイプでもよいし、グレゴリアンタイプでもよい。

【0184】

・アンテナベース５０の形状は適宜変更可能である。たとえば、図３５に示すように、アンテナベース５０は、コーナ部分が切り欠かれたドーム形状であってもよい。具体的には、本変更例のアンテナベース５０は、ベース側面５１ａ，５１ｂとベース裏面５０ｂとの間に形成された傾斜面３１１，３１２を有していてもよい。第１傾斜面３１１は、第１ベース側面５１ａとベース裏面５０ｂとの双方に対して交差しており、第２傾斜面３１２は、第２ベース側面５１ｂとベース裏面５０ｂとの双方に対して交差している。

【0185】

この場合、第１電極９４は、第１ベース側面５１ａと第１傾斜面３１１とベース裏面５０ｂとに亘って形成され、第２電極１０１は、第２ベース側面５１ｂと第２傾斜面３１２とベース裏面５０ｂとに亘って形成されているとよい。

【0186】

・図３６に示すように、接着層９０の内周端は、反射膜５４の表面と面一となる位置に配置されていてもよい。つまり、接着層９０は、反射膜５４よりも内側（換言すればテラヘルツ素子２０側）に向けてはみ出さないように構成されていてもよい。

【0187】

・また、図３７および図３８に示すように、接着層９０の内周端は、反射膜５４の表面よりもｘ方向およびｙ方向の外側（換言すればベース側面５１側）に配置されていてもよい。たとえば、図３７に示すように、接着層９０の内周端は、アンテナ面５３と面一となる位置に配置されていてもよい。また、図３８に示すように、接着層９０の内周端は、アンテナ面５３のよりもｘ方向およびｙ方向の外側に配置されていてもよい。この場合、反射膜５４の端５４ａとリードフレーム６０との間には、接着層９０が介在していない。つまり、接着層９０が反射膜５４とリードフレーム６０との間に介在することは必須ではない。この場合であっても、接着層９０の高さの分だけ、反射膜５４とリードフレーム６０とが離間するため、反射膜５４とリードフレーム６０との接触を抑制できる。

【0188】

・テラヘルツ装置１０は、側面電極９５，１０２を用いて配線パターン１１４と電気的に接続された状態で回路基板１１３に実装されてもよい。具体的には、側面電極９５，１０２と配線パターン１１４とを接続する導電性接合部材１１５が設けられていてもよい。

【0189】

・リードフレーム６０以外の導電部材を用いて電極９４，１０１が構成されていてもよい。
・ベース側面５１ａ，５１ｂとベース主面５０ａとの間に傾斜面が設けられていてもよい。この場合、傾斜面がベース側面５１ａ，５１ｂとベース主面５０ａとのコーナ部分に対応する。

【0190】

・テラヘルツ素子２０は、素子裏面２２が反射膜５４を向くように配置されていてもよい。すなわち、反射膜５４は、テラヘルツ素子２０に対して、素子主面２１側ではなく、素子裏面２２側に設けられていてもよい。

【0191】

・反射膜５４は、電気的にフローティング状態でなくてもよい。
・ベース主面５０ａに反射膜５４が形成されていてもよい。この場合、たとえばベース主面５０ａと対向する位置に反射低減膜が形成されているとよい。

【0192】

・収容空間Ａ１内に存在する気体は空気に限られず任意に変更可能である。また、真空でもよい。
・アンテナベース５０とリードフレーム６０とは接着以外の手法でユニット化されていてもよい。

【0193】

・開口部８０の形状は任意に変更可能であり、たとえば両パーツ開口部６３，７３のいずれか一方が省略されていてもよいし、両パーツ開口部６３，７３が反射膜５４よりも小さくてもよい。

【0194】

・基材としての取付板１１の形状は任意である。たとえば取付板１１をリードフレーム６０よりも肉厚に形成してもよい。
・電極９４，１０１は、テラヘルツ装置１０のｚ方向の中央部付近から延出されていてもよいし、中央部よりも下方から延出されてもよい。また、側面電極９５，１０２は、第１ベース側面５１ａおよび第２ベース側面５１ｂに設けられている構成に限られず、第３ベース側面５１ｃおよび第４ベース側面５１ｄに設けられていてもよい。

【0195】

換言すれば、両電極９４，１０１は、アンテナベース５０におけるｘ方向の両側に設けられていてもよいし、ｙ方向の両側に設けられていてもよい。また、第１電極９４は、第１ベース側面５１ａと第３ベース側面５１ｃとに跨って形成されていてもよい。第２電極１０１についても同様である。

【0196】

・テラヘルツ素子２０の具体的構成は適宜変更可能である。たとえば両パッド３３ｂ，３４ｂの位置や大きさを変更してもよい。また、発振点Ｐ１が中心以外の位置にあってもよい。

【0197】

・テラヘルツ素子２０は、電磁波を受信し、受信した電磁波を電気エネルギーに変換するものであってもよい。具体的には、テラヘルツ素子２０は、たとえば発振点Ｐ１に対して開口角度θの範囲に亘る電磁波を受信する。この場合、発振点Ｐ１は、電磁波の受信を行う受信点といえる。

【0198】

この構成においては、反射膜は、入射された電磁波を、テラヘルツ素子２０（好ましくは受信点）に向けて反射させるものであるとよい。これにより、テラヘルツ装置１０の受信強度が高くなるため、受信に関する利得の向上を図ることができる。

【0199】

さらに、テラヘルツ素子２０は、電磁波の発振および受信の両方を行うものであってもよい。つまり、発振点Ｐ１は、電磁波の発振及び受信の少なくとも一方を行う点でもよい。

【0200】

なお、テラヘルツ素子２０が電磁波を受信するものである場合、上記変更例における反射部３００は、反射膜５４によって反射された電磁波をテラヘルツ素子２０に向けて反射させる。この構成によれば、反射膜５４によって反射された電磁波は、反射部３００を介してテラヘルツ素子２０に照射される。つまり、反射膜５４は、入射された電磁波の少なくとも一部を反射部３００に向けて反射するものであり、反射部３００は、反射膜５４によって反射された電磁波が入射され、当該電磁波の少なくとも一部をテラヘルツ素子２０に向けて照射するものであるといえる。

【0201】

（第３実施形態）
図３９～図４５は、本開示の第３実施形態にかかるテラヘルツ装置１０を示している。第３実施形態のテラヘルツ装置１０は、基材としての取付板１１と、電磁波を発生させるテラヘルツ素子２０と、アンテナベース５０と、反射膜５４と、電極および導電部材としてのリードフレーム６０と、を備えている。

【0202】

図３９及び図４０は、テラヘルツ装置１０の斜視図である。図４１は、テラヘルツ装置１０の上面図である。図４２は、図４１の４－４線端面図である。図４３は、アンテナベース５０を取り外した場合におけるテラヘルツ装置１０の下面図であり、テラヘルツ素子２０およびリードフレーム６０の正面図である。

【0203】

取付板１１は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波を透過する材料で形成されている。本実施形態では、取付板１１は誘電体で形成されており、たとえばエポキシ樹脂などの合成樹脂またはＳｉなどの単結晶の真性半導体で形成されている。エポキシ樹脂としては、たとえばガラスエポキシ樹脂がある。ただし、取付板１１の材料はこれに限られず任意であり、たとえばテフロン（登録商標）やガラスなどでもよい。取付板１１は、絶縁性を有している。

【0204】

取付板１１は、たとえば矩形板状である。なお、説明の便宜上、取付板１１の厚さ方向をｚ方向とする。また、ｚ方向に直交し、かつ、互いに直交する２方向を、ｘ方向およびｙ方向とする。

【0205】

図４１および図４２に示すように、取付板１１は、取付板１１の厚さ方向に交差する板面として取付主面１２及び取付裏面１３を有している。取付主面１２および取付裏面１３は、矩形状の平面である。取付主面１２および取付裏面１３は、ｘ方向およびｙ方向に延びており、ｚ方向に離間している。取付主面１２および取付裏面１３の形状は、矩形状に限定されず、円形状、楕円形状あるいは多角形状でもよい。説明の便宜上、本実施形態において、ｚ方向において取付裏面１３から離れる方向を「上方」とし、ｚ方向において取付主面１２から離れる方向を「下方」とする。

【0206】

図４３に示すように、本実施形態の取付板１１は、ｘ方向の両端面である一対の第１板側面１４と、ｙ方向の両端面である一対の第２板側面１５と、を有している。一対の第１板側面１４は、ｘ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｘ方向に対して直交している。一対の第２板側面１５は、ｙ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｙ方向に対して直交している。第１板側面１４と第２板側面１５とは互いに直交している。

【0207】

テラヘルツ素子２０は、テラヘルツ帯の電磁波と電気エネルギーとの変換を行う素子である。なお、電磁波とは、光および電波のいずれか一方あるいは両方の概念を含むものとしている。テラヘルツ素子２０は、入力される電気エネルギーをテラヘルツ帯の電磁波に変換する。これにより、テラヘルツ素子２０は、電磁波（換言すればテラヘルツ波）を発振する。テラヘルツ素子２０が発生させる電磁波の周波数は、たとえば０．１Ｔｈｚ～１０Ｔｈｚである。

【0208】

図４３に示すように、テラヘルツ素子２０は、ｚ方向から見て（以下、「平面視」ともいう。）矩形の板状である。本実施形態では、テラヘルツ素子２０は平面視で正方形である。なお、テラヘルツ素子２０の平面視形状は、矩形状に限定されず、円形状、楕円形状あるいは多角形状であってもよい。

【0209】

テラヘルツ素子２０は、素子主面２１および素子裏面２２を有している。素子主面２１および素子裏面２２は、ｚ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｚ方向に対して直交している。素子主面２１および素子裏面２２は、ｚ方向から見て矩形状であり、たとえば正方形状である。ただし、素子主面２１および素子裏面２２の形状はこれに限定されず任意である。

【0210】

図４２に示すように、本実施形態のテラヘルツ素子２０は、素子裏面２２が取付主面１２に対して接触または中間層を介して対向している状態で取付板１１に取り付けられている。つまり、取付板１１は、テラヘルツ素子２０が取り付けられるものである。テラヘルツ素子２０は、取付板１１に実装されている。

【0211】

テラヘルツ素子２０は、ｘ方向の両端面である一対の第１素子側面２３と、ｙ方向の両端面である一対の第２素子側面２４と、を有している。一対の第１素子側面２３は、ｘ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｘ方向に対して直交している。一対の第２素子側面２４は、ｙ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｙ方向に対して直交している。第１素子側面２３と第２素子側面２４とは互いに直交している。

【0212】

図４４および図４５は、テラヘルツ素子２０の詳細な構成の一例を示している。図４４は、テラヘルツ素子２０の断面の模式図の一例である。図４５は、図４４の部分拡大図である。

【0213】

図４４および図４５に示すように、テラヘルツ素子２０は、素子基板３１と、能動素子３２と、第１導電体層３３と、第２導電体層３４と、を備えている。
素子基板３１は、半導体よりなり、半絶縁性を有する。素子基板３１を構成する半導体は、たとえば、ＩｎＰ（リン化インジウム）であるが、ＩｎＰ以外の半導体であってもよい。素子基板３１がＩｎＰである場合、その屈折率（絶対屈折率）は、約３．４である。本実施形態では、素子基板３１は矩形板状であり、たとえば平面視で正方形状である。素子主面２１および素子裏面２２は素子基板３１の主面および裏面であり、両素子側面２３，２４は素子基板３１の側面である。

【0214】

能動素子３２は、テラヘルツ帯の電磁波と電気エネルギーとの変換を行う。能動素子３２は、素子基板３１に形成されている。能動素子３２は、典型的には共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ：Resonant Tunneling Diode）である。

【0215】

能動素子３２としては、たとえば、タンネット（ＴＵＮＮＥＴＴ：Tunnel injection Transit Time）ダイオード、インパット（ＩＭＰＡＴＴ：Impact Ionization Avalanche Transit Time）ダイオード、ＧａＡｓ系電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）、ＧａＮ系ＦＥＴ、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）、あるいは、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Heterojunction Bipolar Transistor）であってもよい。

【0216】

能動素子３２を実現するための一例を説明する。
素子基板３１上には、半導体層４１ａが形成されている。半導体層４１ａは、たとえばＧａＩｎＡｓによって形成されている。半導体層４１ａには、ｎ型不純物が高濃度にドープされている。

【0217】

半導体層４１ａ上には、ＧａＩｎＡｓ層４２ａが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４２ａには、ｎ型不純物がドープされている。たとえば、ＧａＩｎＡｓ層４２ａの不純物濃度は、半導体層４１ａの不純物濃度よりも低い。

【0218】

ＧａＩｎＡｓ層４２ａ上には、ＧａＩｎＡｓ層４３ａが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４３ａには、不純物がドープされていない。
ＧａＩｎＡｓ層４３ａ上には、ＡｌＡｓ層４４ａが積層されており、ＡｌＡｓ層４４ａ上にはＩｎＧａＡｓ層４５が積層されており、ＩｎＧａＡｓ層４５上にはＡｌＡｓ層４４ｂが積層されている。これらＡｌＡｓ層４４ａとＩｎＧａＡｓ層４５とＡｌＡｓ層４４ｂとによってＲＴＤ部が構成されている。

【0219】

ＡｌＡｓ層４４ｂ上には、不純物がドープされていないＧａＩｎＡｓ層４３ｂが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４３ｂ上には、ｎ型不純物がドープされているＧａＩｎＡｓ層４２ｂが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４２ｂ上には、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂが積層されている。ＧａＩｎＡｓ層４１ｂには、ｎ型不純物が高濃度にドープされている。たとえば、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂの不純物濃度は、ＧａＩｎＡｓ層４２ｂの不純物濃度よりも高い。

【0220】

なお、能動素子３２の具体的構成は、電磁波を発生（あるいは受信およびその両方）可能なものであれば任意である。換言すれば、能動素子３２は、テラヘルツ帯の電磁波に対して発振するものであればよいともいえる。

【0221】

図４３に示すように、テラヘルツ素子２０は、電磁波の発振を行う発振点Ｐ１を有している。発振点Ｐ１は、素子主面２１に形成されている。発振点Ｐ１がある素子主面２１は能動面ともいえる。また、発振点Ｐ１は、能動素子３２が設けられている位置ともいえる。

【0222】

本実施形態の発振点Ｐ１（能動素子３２）は、素子主面２１の中心に配置されている。ただし、発振点Ｐ１の位置、換言すれば素子主面２１に対する能動素子３２の位置は、素子主面２１の中心に限られず任意である。

【0223】

本実施形態において、第１素子側面２３と発振点Ｐ１との第１垂直距離ｘ１は、（λ’ＩｎＰ／２）＋（（λ’ＩｎＰ／２）×Ｎ）であるとよい（Ｎは０以上の整数：Ｎ＝０，１，２，３，・・・）。

【0224】

λ’ＩｎＰは、テラヘルツ素子２０の内部を伝達する電磁波の実効的な波長である。テラヘルツ素子２０（素子基板３１）の屈折率をｎ１、ｃを光速、ｆｃを電磁波の中心周波数としたとき、λ’ＩｎＰは、（１／ｎ１）×（ｃ／ｆｃ）である。第１垂直距離ｘ１を上記のように設定することで、テラヘルツ素子２０から発振された電磁波は、第１素子側面２３で自由端反射する。よって、テラヘルツ素子２０自体が、テラヘルツ装置１０における共振器（１次共振器）として設計されている。

【0225】

同様に、第２素子側面２４と発振点Ｐ１との第２垂直距離ｙ１は、（λ’ＩｎＰ／２）＋（（λ’ＩｎＰ／２）×Ｎ）であるとよい（Ｎは０以上の整数：Ｎ＝０，１，２，３，・・・）。

【0226】

なお、垂直距離ｘ１，ｙ１は、各々が上記計算式によって算出される値であれば、素子側面２３，２４ごとに異なる値であってもよい。また、図４３において、右側にある第１素子側面２３と発振点Ｐ１との第１垂直距離ｘ１と、左側にある第１素子側面２３と発振点Ｐ１との第１垂直距離ｘ１とが異なっていてもよい。同様に、図４３において、上側にある第２素子側面２４と発振点Ｐ１との第２垂直距離ｙ１と、下側にある第２素子側面２４と発振点Ｐ１との第２垂直距離ｙ１とが異なっていてもよい。

【0227】

テラヘルツ素子２０のｚ方向寸法は、たとえば、発振する電磁波の周波数に応じて設計されているとよい。具体的には、テラヘルツ素子２０のｚ方向寸法は、電磁波の波長λの１／２倍（すなわち、λ／２）の整数倍である。素子基板３１と空気との界面においては、電磁波が自由端反射する。よって、テラヘルツ素子２０のｚ方向寸法を上記のように設定することで、位相を揃えた定在波をテラヘルツ素子２０の内部で励起させることができる。なお、テラヘルツ素子２０のｚ方向寸法は、電磁波の周波数が高いほど、ｚ方向寸法は小さくなり、電磁波の周波数が低いほど、ｚ方向寸法は大きくなる。

【0228】

なお、テラヘルツ素子２０の構成は、上記したものに限定されない。たとえば、素子基板３１の能動素子３２が配置された素子主面２１とは反対側の素子裏面２２に、裏面反射体金属層を配置してもよい。この場合、能動素子３２から放射された電磁波（電磁波）は、当該裏面反射体金属層に反射される。

【0229】

裏面反射体金属層を配置する場合は、素子基板３１と裏面反射体金属層との界面において、電磁波が固定端反射するので、位相がπずれる。よって、この場合、テラヘルツ素子２０のｚ方向寸法は、電磁波の波長λとして、（λ／４）＋（λ／２の整数倍）に設計するとよい。

【0230】

本実施形態では、発振点Ｐ１から発生する電磁波は指向性を有する。図４２に示すように、発振点Ｐ１から発生する電磁波は、開口角度θの範囲に亘って放射状に照射される。開口角度θは、たとえば１２０°～１８０°である。ただし、開口角度θについてはこれに限られず任意である。

【0231】

第１導電体層３３および第２導電体層３４はそれぞれ、素子主面２１上に形成されている。第１導電体層３３および第２導電体層３４は互いに絶縁されている。第１導電体層３３および第２導電体層３４はそれぞれ、金属の積層構造を有する。第１導電体層３３および第２導電体層３４の各々の積層構造は、たとえばＡｕ（金）、Ｐｄ（パラジウム）およびＴｉ（チタン）が積層された構造である。あるいは、第１導電体層３３および第２導電体層３４の各々の積層構造は、ＡｕおよびＴｉが積層された構造である。第１導電体層３３および第２導電体層３４はいずれも、真空蒸着法あるいはスパッタリング法などによって形成される。

【0232】

図４４に示すように、本実施形態では、能動素子３２に対してｘ方向の両側に、第１導電体層３３の一部および第２導電体層３４の一部が配置されている。第１導電体層３３は、能動素子３２に対してｚ方向に重なる第１接続領域３３ａを有している。第１接続領域３３ａは、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂ上に位置しており、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂに接している。

【0233】

また、半導体層４１ａは、ＧａＩｎＡｓ層４２ａ等の他の層よりも第２導電体層３４に向けてｘ方向に延びている。第２導電体層３４は、半導体層４１ａのうちＧａＩｎＡｓ層４２ａ等が積層されていない部分に積層された第２接続領域３４ａを有している。これにより、能動素子３２が第１導電体層３３および第２導電体層３４に導通している。なお、第２接続領域３４ａとＧａＩｎＡｓ層４２ａ等の他の層とはｘ方向に離間している。

【0234】

図示は省略するが、図４５とは異なり、ｎ型不純物を高濃度にドープされたＧａＩｎＡｓ層が、ＧａＩｎＡｓ層４１ｂと第１接続領域３３ａとの間に介在していてもよい。これにより、第１導電体層３３とＧａＩｎＡｓ層４１ｂとのコンタクトが良好になりうる。

【0235】

図４３に示すように、第１導電体層３３の一部および第２導電体層３４の一部が、ダイポールアンテナを構成している。すなわち、テラヘルツ素子２０は、第１導電体層３３の一部および第２導電体層３４の一部によって、素子主面２１側においてアンテナが集積化されている。なお、ダイポールアンテナに限定されず、スロットアンテナ、ボータイアンテナあるいはリングアンテナなどの他のアンテナであってもよい。また、アンテナがなくてもよい。

【0236】

また、本実施形態のテラヘルツ素子２０は、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）リフレクタ３５を有している。ＭＩＭリフレクタ３５は、第１導電体層３３の一部と第２導電体層３４の一部とが絶縁体をｚ方向に挟み込むことによって構成されている。ＭＩＭリフレクタ３５は、第１導電体層３３の一部と第２導電体層３４の一部とを高周波的に短絡させるものである。ＭＩＭリフレクタ３５は、高周波の電磁波を反射させることができる。ただし、ＭＩＭリフレクタ３５は必須ではなく、ＭＩＭリフレクタ３５を省略してもよい。

【0237】

図４３に示すように、第１導電体層３３は第１パッド３３ｂを有しており、第２導電体層３４は第２パッド３４ｂを有している。第１パッド３３ｂ及び第２パッド３４ｂは、ｘ方向に離間しており、互いに絶縁されている。

【0238】

図４０に示すように、アンテナベース５０は、たとえば全体として直方体形状である。アンテナベース５０は、たとえば絶縁性材料で形成されている。具体的には、アンテナベース５０は、誘電体で形成されており、たとえばエポキシ樹脂などの合成樹脂により形成されている。エポキシ樹脂としては、たとえばガラスエポキシ樹脂がある。ただし、アンテナベース５０の材料はこれに限られず任意であり、たとえばＳｉ、テフロン、ガラスなどでもよい。

【0239】

アンテナベース５０は、取付板１１に対して取付裏面１３側とは反対側の取付主面１２側に設けられている。アンテナベース５０は、取付板１１と対向する位置に設けられている。具体的には、アンテナベース５０は、リードフレーム６０を介して取付板１１とｚ方向に対向している。ｚ方向は、アンテナベース５０と取付板１１との対向方向とも言える。

【0240】

アンテナベース５０は、取付主面１２に対して対向するベース主面５０ａと、ベース主面５０ａとは反対側のベース裏面５０ｂと、ベース側面５１と、を有している。
ベース主面５０ａおよびベース裏面５０ｂは、ｚ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｚ方向に対して直交している。ベース主面５０ａおよびベース裏面５０ｂはたとえば矩形状（たとえば正方形状）である。ベース裏面５０ｂがテラヘルツ装置１０の底面を構成している。

【0241】

本実施形態では、ベース側面５１は、テラヘルツ装置１０（アンテナベース５０）において側方を向く面である。ベース側面５１は、アンテナベース５０においてベース主面５０ａとベース裏面５０ｂとの対向方向に対して直交する方向の端面ともいえる。ベース側面５１は、ベース主面５０ａとベース裏面５０ｂとを繋いでいる。

【0242】

本実施形態のベース側面５１は４つ設けられている。具体的には、ベース側面５１は、アンテナベース５０におけるｘ方向の両端面である第１ベース側面５１ａおよび第２ベース側面５１ｂと、アンテナベース５０におけるｙ方向の両端面である第３ベース側面５１ｃおよび第４ベース側面５１ｄと、を有している。第１ベース側面５１ａおよび第２ベース側面５１ｂは、ｘ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｘ方向に対して直交している。第３ベース側面５１ｃおよび第４ベース側面５１ｄは、ｙ方向に対して交差する面であり、本実施形態ではｙ方向に対して直交している。第１ベース側面５１ａおよび第２ベース側面５１ｂと、第３ベース側面５１ｃおよび第４ベース側面５１ｄとは、互いに直交している。

【0243】

アンテナベース５０には、ベース主面５０ａに対して取付主面１２から離れる方向に凹んだ凹部５２が形成されている。凹部５２は、ベース主面５０ａから取付主面１２とは離れる方向、すなわち下方に凹んでいる。本実施形態では、凹部５２は、全体として半球状に形成されている。凹部５２内には、空気が装填されている。

【0244】

凹部５２は、上方に向けて開口している。凹部５２の開口は、ｚ方向から見て円状である。凹部５２の開口は、取付板１１によって塞がれている。本実施形態では、テラヘルツ素子２０は凹部５２内に収容されている。

【0245】

凹部５２は、アンテナ面５３を有している。アンテナ面５３は、たとえば下方に向けて凸となった湾曲面である。アンテナ面５３は、アンテナ形状に対応させて形成されている。たとえば、アンテナ面５３は、パラボラアンテナ形状となるように湾曲している。アンテナ面５３は、上方から見て円形状である。

【0246】

図４２に示すように、反射膜５４は、アンテナ面５３上に形成されている。反射膜５４は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波を反射する材料で形成されており、たとえばＣｕなどの金属で形成されている。本実施形態では、反射膜５４は、アンテナ面５３の全体に亘って形成されている。一方、反射膜５４は、ベース主面５０ａには形成されていない。

【0247】

反射膜５４は、テラヘルツ素子２０からの電磁波の少なくとも一部を一方向に反射させるものである。本実施形態では、反射膜５４は、テラヘルツ素子２０からの電磁波をｚ方向（具体的には上方）に向けて反射させる。換言すれば、反射膜５４は、開口角度θの範囲に亘って放射状に照射される電磁波を一方向にガイドするものともいえる。

【0248】

具体的には、反射膜５４はアンテナ形状となっている。本実施形態では、アンテナ面５３がアンテナ形状に対応させて湾曲しているため、アンテナ面５３上に形成される反射膜５４は自ずとアンテナ形状となる。本実施形態では、反射膜５４は、パラボラアンテナ形状となっている。換言すれば、反射膜５４は、回転放物面鏡となっている。反射膜５４は、ｚ方向から見て円形状となっている。

【0249】

反射膜５４と取付板１１とはｚ方向に対向している。換言すれば、取付板１１は、反射膜５４に対して対向する位置、本実施形態では反射膜５４の上方に設けられている。このため、反射膜５４によって反射された電磁波は取付板１１を透過して上方に照射される。

【0250】

反射膜５４は、素子裏面２２ではなく、発振点Ｐ１が存在する素子主面２１側に配置されており、テラヘルツ素子２０（本実施形態では素子主面２１）と対向している。反射膜５４は、たとえば当該反射膜５４の焦点が発振点Ｐ１となるように配置されている。本実施形態では、ｚ方向から見て、反射膜５４の中心点Ｐ２と発振点Ｐ１とは一致している。本実施形態では、中心点Ｐ２はｚ方向から見た円形の反射膜５４の中心である。

【0251】

また、発振点Ｐ１から反射膜５４までの垂直距離を規定距離ｚ１とし、反射膜５４のｚ方向の座標をＺとし、反射膜５４のｘ方向の位置をＸとすると、Ｚ＝（１／（４ｚ１））Ｘ^２の条件を満たすようにアンテナ面５３が湾曲しているとよい。ただし、アンテナ面５３の湾曲態様はこれに限られず任意である。

【0252】

ｚ方向は、反射膜５４とテラヘルツ素子２０（素子主面２１）との対向方向ともいえるし、テラヘルツ装置１０の電磁波の出力方向ともいえる。また、ｚ方向は、反射膜５４の中心点Ｐ２と発振点Ｐ１との対向方向ともいえ、規定距離ｚ１は、発振点Ｐ１と中心点Ｐ２との間の距離ともいえる。

【0253】

また、反射膜５４は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波が共振するように、当該電磁波の周波数に対応する位置に配置されている。具体的には、規定距離ｚ１は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波の共振条件を満たすように、たとえば（λ’_Ａ／４）+（（λ’_Ａ／２)×Ｎ）（ただし、Ｎは０以上の整数）であるとよい。λ’_Ａは、（１／ｎ_Ａ）（ｃ／ｆｃ）（c：光速，ｆｃ：発振の中心周波数）である。ｎ_Ａは、発振点Ｐ１と反射膜５４との間に介在する物体の屈折率である。たとえば、両者の間に空気が存在している場合には、ｎ_Ａは「１」である。ｆｃは、テラヘルツ素子２０の目標周波数ともいえるし、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波のうち最も出力が大きい周波数でもよい。

【0254】

ｚ方向から見て、ｘ方向またはｙ方向における反射膜５４の端から端までの距離を反射膜５４の開口幅という。本実施形態では、反射膜５４はアンテナ面５３の全体に亘って形成されているため、反射膜５４の開口幅は、凹部５２の開口幅と一致している。なお、凹部５２の開口幅は、円状に形成された凹部５２の開口の直径ともいえる。

【0255】

反射膜５４は、たとえば発振点Ｐ１に対して開口角度θ以上の角度に亘って形成されている。具体的には、アンテナ面５３は、発振点Ｐ１を中心とした場合に開口角度θ以上の角度に亘って形成されている。そして、既に説明したとおり、本実施形態の反射膜５４はアンテナ面５３の全体に亘って形成されている。本実施形態では、発振点Ｐ１に対して反射膜５４が形成されている角度は１８０°よりも大きくなっている。このため、本実施形態では、発振点Ｐ１から開口角度θの範囲内で照射された電磁波は全て反射膜５４によって反射される。

【0256】

ここで、本実施形態では、アンテナベース５０のｚ方向の長さは、取付板１１のｚ方向の長さである取付板１１の厚さよりも大きい。また、アンテナベース５０のｘ方向の長さは、取付板１１のｘ方向の長さと同一に設定されている。アンテナベース５０のｙ方向の長さは、取付板１１のｙ方向の長さと同一に設定されている。ただし、アンテナベース５０と取付板１１との長さの関係は任意である。

【0257】

図４２および図４３に示すように、リードフレーム６０は、取付板１１の取付主面１２に取り付けられている。リードフレーム６０と取付板１１とは密着して接合されており、両者は位置ずれしないように固定されている。

【0258】

リードフレーム６０は、たとえばｚ方向を厚さ方向とする矩形板状である。本実施形態のリードフレーム６０は、取付板１１よりも厚く形成されている。換言すれば、本実施形態の取付板１１は、リードフレーム６０よりも薄く形成されている。

【0259】

リードフレーム６０は、互いに絶縁された第１リードパーツ６１および第２リードパーツ７１を有している。第１リードパーツ６１および第２リードパーツ７１は、たとえばｘ方向に離間して対向配置されており、互いに離間してｘ方向に対向している第１リード対向面６２および第２リード対向面７２を有している。本実施形態の両リード対向面６２，７２は、ｘ方向に対して直交している。本実施形態では、第１リードパーツ６１および第２リードパーツ７１が「第１導電部」および「第２導電部」に対応する。

【0260】

第１リードパーツ６１および第２リードパーツ７１は、ｚ方向から見て、取付板１１よりも側方、本実施形態ではｘ方向にはみ出している。一方、両リードパーツ６１，７１のｙ方向の長さは、取付板１１のｙ方向の長さよりも若干短く設定されており、たとえばアンテナベース５０のｙ方向の長さと同一に設定されている。このため、本実施形態のリードフレーム６０は、取付板１１に対してｙ方向にはみ出しにくくなっている。

【0261】

リードフレーム６０は、ｚ方向から見て反射膜５４（凹部５２）と重ならないように避けて形成されている。具体的には、リードフレーム６０には、ｚ方向から見て反射膜５４の少なくとも一部と重なる開口部８０が形成されている。

【0262】

開口部８０は、たとえば両リードパーツ６１，７１の間に設けられている隙間８１と、第１リードパーツ６１に形成された第１パーツ開口部６３と、第２リードパーツ７１に形成された第２パーツ開口部７３と、によって構成されている。

【0263】

隙間８１は、ｙ方向に延びたスリット状であり、両リード対向面６２，７２間の空間と、両パーツ開口部６３，７３間の空間とを含む。
第１パーツ開口部６３は、第１リードパーツ６１のうちｚ方向から見て反射膜５４と重なる部分に形成されている。第２パーツ開口部７３は、第２リードパーツ７１のうちｚ方向から見て反射膜５４と重なる部分に形成されている。

【0264】

第１パーツ開口部６３および第２パーツ開口部７３は、ｚ方向に貫通しており、凹部５２と連通している。第１パーツ開口部６３および第２パーツ開口部７３は互いに隙間８１を介してｘ方向に離間して対向配置されている。両パーツ開口部６３，７３はｘ方向に開口している。第１パーツ開口部６３は、第２リードパーツ７１に向けて開口しており、第２パーツ開口部７３は、第１リードパーツ６１に向けて開口している。このため、両パーツ開口部６３，７３は隙間８１と連通している。

【0265】

第１パーツ開口部６３および第２パーツ開口部７３はそれぞれ、ｚ方向から見て半円状に形成されている。第１パーツ開口部６３および第２パーツ開口部７３によって１つの円状の孔が形成されている。テラヘルツ素子２０は、両パーツ開口部６３，７３によって形成される円の中心に配置されているともいえる。なお、両パーツ開口部６３，７３によって形成される円の直径は、たとえば反射膜５４の開口幅と同一またはそれ以上であるとよい。

【0266】

第１リードパーツ６１は、第１パーツ開口部６３の内壁面である第１内壁面６４を有している。第１内壁面６４は、第１リード対向面６２に対して第２リード対向面７２とは離れる方向に凹んだ凹面である。

【0267】

第２リードパーツ７１は、第２パーツ開口部７３の内壁面である第２内壁面７４を有している。第２内壁面７４は、第２リード対向面７２に対して第１リード対向面６２とは離れる方向に凹んだ凹面である。

【0268】

第１内壁面６４および第２内壁面７４は、互いに離れる方向に凸となるように湾曲している。両内壁面６４，７４は、たとえば両リードパーツ６１，７１が反射膜５４と重ならないように反射膜５４の端５４ａ、すなわち凹部５２の開口縁の外側に沿って延びている。

【0269】

図４３に示すように、本実施形態の第１リードパーツ６１は、テラヘルツ素子２０と電気的に接続するための第１接続部６５を有している。本実施形態の第１接続部６５は、第１リードパーツ６１におけるｚ方向から見て凹部５２（換言すれば反射膜５４）と重ならない部分からテラヘルツ素子２０に向けて突出している部分である。具体的には、第１接続部６５は、第１内壁面６４からテラヘルツ素子２０に向けて突出した突出片である。第１接続部６５は、ｚ方向から見て反射膜５４と重なっている。第１接続部６５と第１パッド３３ｂとが第１ワイヤＷ１によって接続されている。これにより、第１リードパーツ６１とテラヘルツ素子２０とが電気的に接続される。

【0270】

本実施形態では、第１接続部６５の第１内壁面６４からの突出寸法は、ｚ方向から見た第１ワイヤＷ１の長さよりも短い。上記突出寸法は、たとえば反射膜５４の開口幅の１／４よりも短い。

【0271】

同様に、本実施形態の第２リードパーツ７１は、テラヘルツ素子２０と電気的に接続するための第２接続部７５を有している。本実施形態の第２接続部７５は、第２リードパーツ７１におけるｚ方向から見て凹部５２（換言すれば反射膜５４）と重ならない部分からテラヘルツ素子２０に向けて突出している部分である。具体的には、第２接続部７５は、第２内壁面７４からテラヘルツ素子２０に向けて突出した突出片である。第２接続部７５は、ｚ方向から見て凹部５２（換言すれば反射膜５４）と重なっている。第２接続部７５と第２パッド３４ｂとが第２ワイヤＷ２によって接続されている。これにより、第２リードパーツ７１とテラヘルツ素子２０とが電気的に接続される。

【0272】

本実施形態では、第２接続部７５の第２内壁面７４からの突出寸法は、ｚ方向から見た第２ワイヤＷ２の長さよりも短い。上記突出寸法は、たとえば反射膜５４の開口幅の１／４よりも短い。

【0273】

本実施形態では、第１接続部６５と第２接続部７５とは、テラヘルツ素子２０を介して対向配置されている。たとえば、両接続部６５，７５は、ｘ方向に対称配置されている。換言すれば、両接続部６５，７５は、ｚ方向から見て、１８０°ずれた位置に配置されている。

【0274】

図４２に示すように、テラヘルツ装置１０は、アンテナベース５０とリードフレーム６０とを接着させる接着層９０を有している。接着層９０は、たとえば絶縁性材料で形成されており、たとえば樹脂系の接着剤で構成されている。接着層９０は、アンテナベース５０のベース主面５０ａとリードフレーム６０との間に設けられている。アンテナベース５０は、接着層９０によってリードフレーム６０に接着している。これにより、取付板１１、リードフレーム６０およびアンテナベース５０がユニット化されている。すなわち、基材としての取付板１１とアンテナベース５０とが位置ずれしないようにユニット化されることによって、取付板１１に取り付けられているテラヘルツ素子２０と、アンテナベース５０に形成されている反射膜５４とが位置ずれしないようにユニット化される。

【0275】

接着層９０は、反射膜５４とリードフレーム６０との間に介在している。接着層９０によって、反射膜５４とリードフレーム６０とが電気的に接続されないように規制されている。以上のとおり、反射膜５４は、アンテナベース５０およびリードフレーム６０の双方に対して電気的に接続されておらず、電気的にフローティング状態となっている。

【0276】

特に、本実施形態では、接着層９０の内周端は、反射膜５４よりも内側（換言すればテラヘルツ素子２０側）に向けてはみ出している。このため、接着層９０を回避して反射膜５４とリードフレーム６０とが接触する事態が生じにくい。接着層９０の内周端とは、接着層９０におけるテラヘルツ素子２０側の端といえる。接着層９０の内周端は、たとえば凹部５２に対応させてｚ方向から見て円形状となっている。ただし、接着層９０の内周端の形状は任意であり、矩形状であってもよい。

【0277】

テラヘルツ素子２０および反射膜５４は、取付板１１と凹部５２とによって区画された収容空間Ａ１内に収容されているといえる。本実施形態では、収容空間Ａ１は、取付主面１２とアンテナ面５３とによって区画された空間である。本実施形態の収容空間Ａ１は接着層９０等によって密閉されており、当該収容空間Ａ１内には空気が存在する。

【0278】

図４１～図４３に示すように、テラヘルツ装置１０は、外部との電気的接続に用いられる第１電極９１および第２電極９２を備えている。本実施形態では、第１電極９１および第２電極９２は、リードフレーム６０によって構成されている。

【0279】

すなわち、本実施形態では、第１リードパーツ６１の一部および第２リードパーツ７１の一部がアンテナベース５０に対して側方に突出している。第１電極９１は、第１リードパーツ６１のうちアンテナベース５０に対して側方に突出している部分によって構成されている。第１電極９１は、第１ベース側面５１ａから突出している。

【0280】

同様に、第２電極９２は、第２リードパーツ７１のうちアンテナベース５０に対して側方に突出している部分によって構成されている。第２電極９２は、第２ベース側面５１ｂから突出している。

【0281】

本実施形態では、第１電極９１および第２電極９２は、互いにｘ方向に離間している。第１電極９１および第２電極９２は、アンテナベース５０に対して互いに離れる方向に延びており、本実施形態ではｘ方向に延びている。第１電極９１および第２電極９２は、ｚ方向に対して直交している。換言すれば、第１電極９１および第２電極９２は水平方向に延びた平板である。

【0282】

ここで、既に説明したとおり、アンテナベース５０のｚ方向の長さは、取付板１１の厚さよりも大きい。また、アンテナベース５０のｚ方向の長さは、取付板１１の厚さとリードフレーム６０の厚さとを合わせた寸法よりも大きい。アンテナベース５０と取付板１１との間に設けられているリードフレーム６０は、テラヘルツ装置１０において上方側に配置されている。このため、リードフレーム６０の一部によって構成されている第１電極９１および第２電極９２は、テラヘルツ装置１０において上方側に配置されている。

【0283】

つまり、ｚ方向をテラヘルツ装置１０の厚さ方向とすると、第１電極９１および第２電極９２は、テラヘルツ装置１０の厚さ方向の中央部よりも上方（換言すれば取付板１１側または電磁波の出力側）に偏倚して配置されている。換言すれば、電極９１，９２は、ベース側面５１ａ，５１ｂにおける中央部よりもベース主面５０ａ側の部分から側方に向けて突出している。なお、突出方向は、ベース側面５１ａ，５１ｂに対して直交する方向に限られず、傾斜していてもよい。

【0284】

次に本実施形態のテラヘルツ装置１０の製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、まずは１つのテラヘルツ装置１０の製造方法について説明する。
図４６に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、リードフレーム６０を成型する工程を含む。当該工程では、第１パーツ開口部６３および第１接続部６５が形成された第１リードパーツ６１と、第２パーツ開口部７３および第２接続部７５が形成された第２リードパーツ７１とを形成する。

【0285】

図４７に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、取付板１１を成型する工程を含む。当該工程では、両リードパーツ６１，７１に跨るように取付板１１を成型する。なお、取付板１１の具体的な成型手法については任意である。

【0286】

その後、図４８に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、テラヘルツ素子２０を取付板１１に取り付ける工程を含む。当該工程では、テラヘルツ素子２０を、取付板１１のうちリードフレーム６０が設けられている側の面に実装する。これにより、リードフレーム６０、取付板１１およびテラヘルツ素子２０がユニット化される。

【0287】

図４９に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、両ワイヤＷ１，Ｗ２を用いてテラヘルツ素子２０と両リードパーツ６１，７１とを電気的に接続する工程を含む。当該工程では、第１ワイヤＷ１を第１パッド３３ｂと第１リードパーツ６１とにボンディングするとともに、第２ワイヤＷ２を第２パッド３４ｂと第２リードパーツ７１とにボンディングする。なお、ボンディングの順序については任意である。

【0288】

図５０に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、アンテナベース５０における凹部５２を形成する工程を含む。当該工程では、アンテナ面５３に対応させて形成された金型を用いてアンテナ面５３を有する凹部５２を形成する。

【0289】

図５１に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、凹部５２が形成された後に実行され、反射膜５４を構成する金属膜を形成する工程を含む。当該工程では、ベース主面５０ａおよびアンテナ面５３の双方に対して金属膜を形成する。

【0290】

図５２に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、ベース主面５０ａに形成された金属膜を除去する工程を含む。当該ベース主面５０ａの金属膜を除去する具体的手法は任意であるが、たとえばパターニングによって除去する手法でもよいし、研磨によって除去する手法でもよい。これにより、アンテナ面５３にのみ反射膜５４としての金属膜が形成される。

【0291】

なお、金属膜を形成する工程としては、上記の工程に限られない。たとえば、テラヘルツ装置１０の製造方法は、ベース主面５０ａをマスキングする工程と、電子ビームを用いた蒸着等によって金属膜をアンテナ面５３に形成する工程と、を有する構成でもよい。この場合、ベース主面５０ａに形成された金属膜を除去する工程が不要となる。

【0292】

図５３に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、リードフレーム６０、取付板１１およびテラヘルツ素子２０のユニット体と、反射膜５４が形成されたアンテナベース５０とを組み付ける工程を含む。当該工程では、接着層９０を用いてアンテナベース５０とリードフレーム６０とを接着させる。これにより、テラヘルツ装置１０が形成される。

【0293】

なお、説明の便宜上、１つのテラヘルツ装置１０の製造方法について説明したが、実際には複数のテラヘルツ装置１０を同時に製造してもよい。
たとえば、図５４に示すように、複数のリードフレーム６０を構成するものであって開口部８０となる部分が打ち抜かれた金属板１０４を用意し、当該金属板１０４に複数の取付板１１及び複数のテラヘルツ素子２０を取り付ける。金属板１０４には、リードフレーム６０のｙ方向の端部に沿って打ち抜かれた第１貫通孔１０４ａが形成されている。第１貫通孔１０４ａは、たとえば両電極９１，９２の分だけ取付板１１よりもｘ方向の両側に長く延びたスリット形状である。

【0294】

一方で、図５５に示すように、凹部５２および反射膜５４が複数配列されたベース体１０５を用意する。ベース体１０５には、リードフレーム６０を露出したい部分に対応させて第２貫通孔１０５ａが形成されている。第２貫通孔１０５ａは、金属板１０４とベース体１０５とが貼り合わせた場合において電極９１，９２と対向する部分に形成されている。そして、取付板１１およびテラヘルツ素子２０が取り付けられた金属板１０４とベース体１０５とを位置合わせをした状態で接着剤を用いて貼り合わせた後に、ダイシングによって切断する。これにより、複数のテラヘルツ装置１０が製造される。

【0295】

ここで、金属板１０４とベース体１０５とを貼り合わせる際には、金属板１０４に形成された第１位置決め部１０４ｂと、ベース体１０５に形成された第２位置決め部１０５ｂとが重なるように金属板１０４とベース体１０５との位置決めを行うとよい。

【0296】

次に本実施形態の作用について説明する。
テラヘルツ素子２０の発振点Ｐ１から発生した電磁波は、反射膜５４によって反射されて一方向に向けて照射される。

【0297】

また、テラヘルツ装置１０の両電極９１，９２は、ｚ方向から見てアンテナベース５０に対して側方に突出している。このため、図５６に示すように、テラヘルツ装置１０は、回路基板１１０に設けられた孔１１６にアンテナベース５０を挿入した状態で回路基板１１０に取り付けることができる。この場合、たとえば半田等の導電性接合部材１１７を用いて両電極９１，９２を回路基板１１０に対して接合できる。

【0298】

以上詳述した本実施形態によれば以下の効果を奏する。
（３－１）テラヘルツ装置１０は、基材としての取付板１１と、取付板１１に取り付けられたテラヘルツ素子２０と、取付板１１と対向する位置に設けられ、アンテナ面５３を有するアンテナベース５０と、アンテナ面５３に形成された反射膜５４と、を備えている。反射膜５４は、テラヘルツ素子２０から発生した電磁波の少なくとも一部を一方向（たとえば上方）に向けて反射させる。この構成によれば、テラヘルツ素子から発生した電磁波が一方向に向けて照射される。これにより、テラヘルツ装置１０から照射される電磁波の出力を高くすることができる。したがって、テラヘルツ装置１０の利得の向上を図ることができる。

【0299】

（３－２）テラヘルツ装置１０は、外部との電気的接続に用いられる電極として第１電極９１および第２電極９２を備えている。両電極９１，９２は、取付板１１とアンテナベース５０との対向方向であるｚ方向から見て、アンテナベース５０に対して側方に突出している。この構成によれば、回路基板１１０に設けられた孔１１６にアンテナベース５０を挿入した状態で回路基板１１０に実装することができる。これにより、テラヘルツ装置１０が回路基板１１０に実装される際にテラヘルツ装置１０が回路基板１１０からｚ方向に突出することを抑制でき、低背化を図ることができる。

【0300】

すなわち、テラヘルツ装置１０が反射膜５４を有するアンテナベース５０を備えることにより、利得の向上を図ることができる一方、アンテナベース５０の分だけテラヘルツ装置１０がｚ方向に大きくなる。このため、回路基板１１０に実装する際にテラヘルツ装置１０が邪魔になり易いという不都合が懸念される。

【0301】

これに対して、両電極９１，９２が側方に突出している構成であれば、上記のようにアンテナベース５０を孔１１６に挿入した状態でテラヘルツ装置１０を回路基板１１０に実装できる。具体的には、電極９１，９２が回路基板１１０と接触する位置までアンテナベース５０を孔１１６に挿入できる。これにより、テラヘルツ装置１０の回路基板１１０からの突出量を低減できるため、アンテナベース５０を備えていることによる上記不都合を抑制できる。

【0302】

（３－３）電極９１，９２は、テラヘルツ装置１０のｚ方向の中央部よりも取付板１１側に偏倚して配置されている。この構成によれば、孔１１６に挿入されるアンテナベース５０の寸法を大きくすることができるため、より低背化を図ることができる。

【0303】

（３－４）電極９１，９２は、テラヘルツ装置１０の厚さ方向（ｚ方向）と直交する方向（ｘ方向）に延びている。この構成によれば、電極９１，９２を折り曲げる構成と比較して、電極９１，９２の長さを短くできるため、電極９１，９２のインダクタンスを低減できる。また、電極９１，９２を折り曲げることに起因する高周波特性の低下を抑制できる。

【0304】

（３－５）両電極９１，９２は、互いに離間して対向配置されている。この構成によれば、両電極９１，９２が接触することを抑制できる。また、２つの電極９１，９２によってテラヘルツ装置１０を回路基板１１０に支持することができる。

【0305】

（３－６）テラヘルツ素子２０は、電磁波が発生する発振点Ｐ１を有する素子主面２１と、素子主面２１とは反対側の素子裏面２２とを有している。反射膜５４は、素子裏面２２側ではなく素子主面２１側に設けられている。この構成によれば、電磁波が反射膜５４に到達し易いため、反射膜５４を用いて発振点Ｐ１から発生する電磁波を好適に反射させることができる。

【0306】

（３－７）テラヘルツ素子２０は、発振点Ｐ１から開口角度θの範囲に亘って放射状に電磁波を照射する。反射膜５４は、発振点Ｐ１に対して開口角度θ以上の角度に亘って形成されている。この構成によれば、発振点Ｐ１から開口角度θの範囲に亘って放射状に照射された電磁波は、反射膜５４によって反射される。これにより、反射膜５４によって反射されない電磁波を低減でき、利得の向上を図ることができる。

【0307】

（３－８）反射膜５４はパラポラアンテナ形状である。この構成によれば、電磁波を好適に一方向に向けて反射させることができる。
（３－９）反射膜５４は、当該反射膜５４の焦点が発振点Ｐ１に位置するように配置されている。この構成によれば、発振点Ｐ１から発生した電磁波は、反射膜５４によって一方向に誘導される。これにより、反射膜５４によって一方向に向けて反射されない電磁波を低減でき、利得の向上を図ることができる。

【0308】

（３－１０）反射膜５４は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波が共振するように、当該電磁波の周波数に対応する位置に配置されている。一例としては、発振点Ｐ１から反射膜５４に向かう垂直距離である規定距離ｚ１は、電磁波の共振条件、たとえば（λ’_Ａ／４）+（（λ’_Ａ／２)×Ｎ）を満たすように設定されている。この構成によれば、テラヘルツ装置１０の利得の向上を図ることができる。

【0309】

（３－１１）反射膜５４は電気的にフローティング状態である。この構成によれば、反射膜５４によって電磁波が吸収されるなどといった不都合を抑制できる。
（３－１２）アンテナベース５０は絶縁性材料で形成されている。この構成によれば、アンテナベース５０を介して反射膜５４が何らかの部材と電気的に接続されることを抑制できる。

【0310】

（３－１３）基材としての取付板１１は、テラヘルツ素子２０が取り付けられる取付主面１２を有している。アンテナベース５０は、取付主面１２と対向するベース主面５０ａと、ベース主面５０ａから凹んだものであってアンテナ面５３を有する凹部５２と、を備えている。テラヘルツ素子２０および反射膜５４は、取付主面１２とアンテナ面５３とによって区画された収容空間Ａ１内に配置されている。この構成によれば、テラヘルツ素子２０および反射膜５４に対する外部からの影響を低減できる。

【0311】

（３－１４）反射膜５４は、アンテナ面５３に形成されている一方、ベース主面５０ａには形成されていない。この構成によれば、ベース主面５０ａに形成される反射膜５４によって電磁波が反射されることを回避できる。これにより、不要な反射波に起因する不都合、たとえば定在波の発生を抑制できる。

【0312】

（３－１５）取付主面１２には、導電部材としてのリードフレーム６０が設けられている。アンテナベース５０は、接着層９０によってリードフレーム６０に対して接着している。接着層９０は、絶縁性材料で形成されており、反射膜５４とリードフレーム６０との間に介在している。この構成によれば、接着層９０によって反射膜５４とリードフレーム６０とが接触しないように規制されている。これにより、反射膜５４とリードフレーム６０とが電気的に接続されることを抑制できる。

【0313】

（３－１６）リードフレーム６０には、ｚ方向から見て反射膜５４の少なくとも一部と重なる開口部８０が形成されている。この構成によれば、反射膜５４によって反射された電磁波は、開口部８０を介して出力される。これにより、電磁波がリードフレーム６０によって遮断されることを抑制できる。

【0314】

（３－１７）リードフレーム６０は、互いに離間して対向配置された第１リードパーツ６１および第２リードパーツ７１を有している。開口部８０は、両リードパーツ６１，７１間の隙間８１を含む。この構成によれば、両リードパーツ６１，７１の絶縁性を確保しつつ、リードフレーム６０による電磁波の遮断（ブロッキング）を抑制できる。

【0315】

（３－１８）開口部８０は、第１リードパーツ６１におけるｚ方向から見て反射膜５４と重なる部分に形成され、隙間８１と連通している第１パーツ開口部６３を有している。開口部８０は、第２リードパーツ７１におけるｚ方向から見て反射膜５４と重なる部分に形成され、隙間８１と連通している第２パーツ開口部７３を有している。この構成によれば、リードフレーム６０による電磁波の遮断を更に抑制できる。

【0316】

（３－１９）第１リードパーツ６１は、テラヘルツ素子２０と電気的に接続するための第１接続部６５を有している。第１接続部６５は、第１パーツ開口部６３の内壁面である第１内壁面６４からテラヘルツ素子２０に向けて突出しており、ｚ方向から見て反射膜５４と重なっている。第２リードパーツ７１は、テラヘルツ素子２０と電気的に接続するための第２接続部７５を有している。第２接続部７５は、第２パーツ開口部７３の内壁面である第２内壁面７４からテラヘルツ素子２０に向けて突出しており、ｚ方向から見て反射膜５４と重なっている。この構成によれば、リードフレーム６０による電磁波の遮断を抑制しつつ、テラヘルツ素子２０と両リードパーツ６１，７１とを電気的に接続させることができる。

【0317】

（３－２０）テラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０に形成された第１パッド３３ｂと第１接続部６５とを接続する第１ワイヤＷ１と、テラヘルツ素子２０に形成された第２パッド３４ｂと第２接続部７５とを接続する第２ワイヤＷ２と、を備えている。ｚ方向から見て、第１内壁面６４からの第１接続部６５の突出寸法は、第１ワイヤＷ１の長さよりも短い。この構成によれば、第１接続部６５の突出寸法が短い分だけ電磁波が第１接続部６５に遮断されることを抑制できる。同様に、ｚ方向から見て、第２内壁面７４からの第２接続部７５の突出寸法は、第２ワイヤＷ２の長さよりも短いとよい。

【0318】

（３－２１）両接続部６５，７５はテラヘルツ素子２０を介して対向配置されている。この構成によれば、両ワイヤＷ１，Ｗ２が互いに干渉しにくいため、両ワイヤＷ１，Ｗ２が接触することを抑制できる。

【0319】

（第３実施形態の変更例）
・図５７に示すように、テラヘルツ装置１０は、取付裏面１３に形成された反射低減膜１２０を備えていてもよい。反射低減膜１２０は、反射防止膜ともいえるし、ＡＲコーティング膜ともいえる。

【0320】

反射低減膜１２０は、たとえば取付裏面１３のうちｚ方向から見てリードフレーム６０と重なる部分の少なくとも一部に形成されているとよい。一例としては、反射低減膜１２０は、取付裏面１３のうちｚ方向から見てリードフレーム６０と重なる部分の全部に形成されている。これにより、リードフレーム６０にて電磁波が反射することに起因する定在波の発生を抑制できる。なお、反射低減膜１２０の具体的構成は、少なくともテラヘルツ帯の電磁波の反射を低減することができれば任意である。

【0321】

（第４実施形態）
図５８に示すように、本実施形態のテラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０に電気的に接続される特定素子の一例としての保護ダイオード１３１，１３２を備えている。保護ダイオード１３１，１３２は、テラヘルツ素子２０に対して電気的に接続されており、本実施形態ではテラヘルツ素子２０に対して並列接続されている。両保護ダイオード１３１，１３２は、テラヘルツ素子２０に対して互いに逆方向となるように接続されている。保護ダイオード１３１，１３２は、通常のダイオードの他に、ツェナーダイオード、ショットキーダイオード、または発光ダイオードであってもよい。

【0322】

なお、特定素子としては、保護ダイオード１３１，１３２に限られず、制御ＩＣ（たとえばＡＳＩＣ）でもよい。制御ＩＣは、たとえば、テラヘルツ素子２０に流れる電流検知、アンプ、テラヘルツ素子２０への電力供給、又は信号処理などを行うものであるとよい。また、特定素子とテラヘルツ素子２０との接続態様は任意であり、たとえば直列接続でもよい。

【0323】

図５９および図６０に示すように、両保護ダイオード１３１，１３２は、テラヘルツ素子２０を介して対向配置されている。両保護ダイオード１３１，１３２は、リードフレーム６０に実装されている。

【0324】

具体的には、第１保護ダイオード１３１は、第１リードパーツ６１と電気的に接続された状態で第１リードパーツ６１上に配置されている。第１保護ダイオード１３１は、たとえば第１リードパーツ６１における第１パーツ開口部６３の付近に配置されており、本実施形態では第１内壁面６４、第１リード対向面６２および第１リードパーツ６１のｙ方向の端面によって囲まれた領域に配置されている。

【0325】

また、第１保護ダイオード１３１と第２リードパーツ７１とは、第１ダイオードワイヤＷ３によって電気的に接続されている。これにより、第１保護ダイオード１３１は、両電極９１，９２に電気的に接続される。

【0326】

第１ダイオードワイヤＷ３は、第２リードパーツ７１において第１保護ダイオード１３１に近い位置、すなわち第２内壁面７４、第２リード対向面７２および第２リードパーツ７１のｙ方向の端面によって囲まれた領域にボンディングされている。これにより、第１ダイオードワイヤＷ３の長さが短くなっている。

【0327】

同様に、第２保護ダイオード１３２は、第２リードパーツ７１と電気的に接続された状態で第２リードパーツ７１上に配置されている。第２保護ダイオード１３２は、たとえば第２リードパーツ７１における第２パーツ開口部７３の付近に配置されており、本実施形態では第２内壁面７４、第２リード対向面７２および第２リードパーツ７１のｙ方向の端面によって囲まれた領域に配置されている。

【0328】

また、第２保護ダイオード１３２と第１リードパーツ６１とは、第２ダイオードワイヤＷ４によって電気的に接続されている。これにより、第２保護ダイオード１３２は、両電極９１，９２に電気的に接続される。

【0329】

第２ダイオードワイヤＷ４は、第１リードパーツ６１において第２保護ダイオード１３２に近い位置、すなわち第１内壁面６４、第１リード対向面６２および第１リードパーツ６１のｙ方向の端面によって囲まれた領域にボンディングされている。これにより、第２ダイオードワイヤＷ４の長さが短くなっている。

【0330】

図６０に示すように、本実施形態のアンテナベース５０は、ベース主面５０ａから凹んだ収容凹部１４１，１４２を備えており、保護ダイオード１３１，１３２は収容凹部１４１，１４２内に収容されている。収容凹部１４１，１４２は、凹部５２の周囲に形成されており、凹部５２と連通しないように形成されている。すなわち、収容凹部１４１，１４２は、特定素子を収容するために凹部５２とは別に設けられたものといえる。なお、図６０に示すように、接着層９０は収容凹部１４１，１４２に対応する箇所には形成されていない。

【0331】

以上詳述した本実施形態によれば以下の作用効果を奏する。
（４－１）テラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０に対して並列接続された保護ダイオード１３１，１３２を備えている。この構成によれば、たとえば静電気等に起因してテラヘルツ素子２０の両端に高電圧が印加された場合には、保護ダイオード１３１，１３２を経由して電流を流すことが可能となる。これにより、テラヘルツ素子２０に過度な電流が流れることを抑制できるため、テラヘルツ素子２０を保護できる。

【0332】

（４－２）両保護ダイオード１３１，１３２は、テラヘルツ素子２０に対して互いに逆方向となるように接続されている。この構成によれば、いずれの方向の高電圧が発生した場合であってもテラヘルツ素子２０を保護できる。

【0333】

（４－３）アンテナベース５０は、ベース主面５０ａから凹んだ収容凹部１４１，１４２を有しており、保護ダイオード１３１，１３２は収容凹部１４１，１４２に収容されている。この構成によれば、保護ダイオード１３１，１３２を設けることに起因するテラヘルツ装置１０の大型化を抑制できる。

【0334】

（第５実施形態）
図６１に示すように、テラヘルツ装置１０は、基材として支持基板１５０を備えている。支持基板１５０は、たとえば電磁波を透過する材料で形成されており、一例としては誘電体で形成されている。

【0335】

支持基板１５０は板状であり、本実施形態では矩形板状に形成されている。支持基板１５０は、ｚ方向から見てアンテナベース５０よりも所定の方向に長く形成されており、ｚ方向から見てアンテナベース５０よりも側方（たとえばｘ方向）に延出した第１延出部１５１および第２延出部１５２を有している。両延出部１５１，１５２は互いにｘ方向に離間して対向配置されている。

【0336】

支持基板１５０は、板面としての取付主面１５３および取付裏面１５４を有している。取付主面１５３および取付裏面１５４はｚ方向に交差する面であり、一例としてはｚ方向に対して直交している。テラヘルツ素子２０は取付主面１５３に取り付けられている。取付主面１５３と反射膜５４とが対向している。

【0337】

テラヘルツ装置１０は、導電部材および電極として取付主面１５３に形成された配線パターン１６０と、配線パターン１６０とアンテナベース５０とを接着させる接着層１７０と、を備えている。

【0338】

配線パターン１６０は、取付主面１５３に形成された導電層であり、たとえばＣｕなどで形成されている。支持基板１５０のｚ方向の長さである支持基板１５０の厚さは、配線パターン１６０の厚さよりも厚い。配線パターン１６０は、第１パターン１６１および第２パターン１６２を有している。第１パターン１６１および第２パターン１６２の具体的なレイアウト構造は、基本的には第１リードパーツ６１及び第２リードパーツ７１と同様である。本実施形態では、第１パターン１６１および第２パターン１６２が「第１導電部」および「第２導電部」に対応する。

【0339】

接着層１７０は、絶縁性材料で形成されている。接着層１７０は、ベース主面５０ａと配線パターン１６０との間に設けられているとともに、反射膜５４と配線パターン１６０との間にも介在している。

【0340】

本実施形態の電極１７１，１７２は、配線パターン１６０によって構成されている。たとえば、電極１７１，１７２は、支持基板１５０のうち延出部１５１，１５２に形成されている配線パターン１６０によって構成されている。第１電極１７１は、第１パターン１６１におけるアンテナベース５０（第１ベース側面５１ａ）からｘ方向に延出した部分で構成されており、第２電極１７２は、第２パターン１６２におけるアンテナベース５０（第２ベース側面５１ｂ）からｘ方向に延出した部分で構成されている。このため、第３実施形態と同様に、両電極１７１，１７２は、アンテナベース５０に対して側方に突出している。なお、支持基板１５０は、両電極１７１，１７２を支持しているともいえる。

【0341】

本実施形態のテラヘルツ装置１０の製造方法の一例について説明する。
図６２に示すように、テラヘルツ装置１０の製造方法は、支持基板１５０に配線パターン１６０を形成する工程を含む。当該工程では、支持基板１５０の取付主面１５３に配線パターン１６０をパターニングする。これにより、両パターン１６１，１６２が形成される。テラヘルツ素子２０の実装など、その後の工程は、第３実施形態と同様であるため、詳細な説明を省略する。

【0342】

以上詳述した本実施形態によれば以下の作用効果を奏する。
（５－１）テラヘルツ装置１０は、基材としての支持基板１５０と、導電部材としての配線パターン１６０と、を備えている。この構成によれば、導電部材として、リードフレーム６０ではなく配線パターン１６０が用いられているため、微細加工を行いやすい。これにより、高速の信号伝達に対応した信号経路を実現しやすい。

【0343】

（５－２）支持基板１５０は、ｚ方向から見てアンテナベース５０に対して側方に延出した第１延出部１５１および第２延出部１５２を有している。両電極１７１，１７２は、両延出部１５１，１５２に形成された配線パターン１６０によって構成されている。この構成によれば、両電極１７１，１７２がアンテナベース５０に対して側方に突出するため、（３－２）の効果を奏する。

【0344】

（第５実施形態の変更例）
・図６３に示すように、取付裏面１５４のうちｚ方向から見て配線パターン１６０と重なる部分の少なくとも一部に反射低減膜１８０が形成されていてもよい。反射低減膜１８０は、たとえば両電極１７１，１７２と重なる部分、すなわち両延出部１５１，１５２に形成されてもよい。

【0345】

（第６実施形態）
本実施形態では、図６４に示すように、テラヘルツ装置１０は、取付主面１５３に形成された第１接続パターン１９１および第１電極１９２と、取付裏面１５４に形成された第１裏面パターン１９３と、第１接続パターン１９１および第１電極１９２と第１裏面パターン１９３とを電気的に接続する第１スルービア１９４，１９５と、を備えている。

【0346】

第１接続パターン１９１は、取付主面１５３に形成された配線パターンによって構成されている。第１接続パターン１９１は、取付主面１５３における凹部５２と対向する部分に形成されている。第１接続パターン１９１は、収容空間Ａ１内に配置されている。第１接続パターン１９１は、反射膜５４の端５４ａに対して離間しており、両者は接触しないようになっている。第１ワイヤＷ１は、第１接続パターン１９１にボンディングされている。

【0347】

第１電極１９２は、取付主面１５３に形成された配線パターンによって構成されている。第１電極１９２は、収容空間Ａ１外に設けられている。第１電極１９２は、取付主面１５３のうち第１延出部１５１に対応する部分に形成されており、アンテナベース５０に対して側方に突出している。

【0348】

第１裏面パターン１９３は、取付裏面１５４に形成された配線パターンによって構成されている。第１裏面パターン１９３は、ｚ方向から見て、第１接続パターン１９１および第１電極１９２の双方に跨って配置されており、第１接続パターン１９１および第１電極１９２の双方に重なっている。

【0349】

第１スルービア１９４，１９５は、支持基板１５０を厚さ方向に貫通している。一方の第１スルービア１９４は、第１接続パターン１９１と第１裏面パターン１９３とを接続しており、他方の第１スルービア１９５は、第１電極１９２と第１裏面パターン１９３とを接続している。これにより、第１電極１９２とテラヘルツ素子２０とが電気的に接続される。

【0350】

テラヘルツ装置１０は、たとえば取付主面１５３に形成された第２接続パターン２０１および第２電極２０２と、取付裏面１５４に形成された第２裏面パターン２０３と、第２接続パターン２０１および第２電極２０２と第２裏面パターン２０３とを電気的に接続する第２スルービア２０４，２０５と、を備えている。第２接続パターン２０１、第２電極２０２、第２裏面パターン２０３、第２スルービア２０４，２０５については、ｘ方向に左右対称である点を除き、第１接続パターン１９１、第１電極１９２、第１裏面パターン１９３、第１スルービア１９４，１９５と同様であるため、詳細な説明を省略する。本実施形態では、第１接続パターン１９１が「第１接続部」に対応し、第２接続パターン２０１が「第２接続部」に対応する。

【0351】

ここで、本実施形態では、アンテナベース５０は、接着層１７０を介して取付主面１５３に取り付けられている。この場合、両接続パターン１９１，２０１は、反射膜５４の端５４ａに対してテラヘルツ素子２０側に配置されている。一方、両電極１９２，２０２は、反射膜５４の端５４ａに対して側方に配置されている。つまり、ｚ方向から見て、反射膜５４の端５４ａ（およびベース主面５０ａ）は、接続パターン１９１，２０１と電極１９２，２０２との間に離間して配置されている。これにより、反射膜５４と電極１９２，２０２との絶縁が確保されているとともに、反射膜５４と接続パターン１９１，２０１との絶縁が確保されている。

【0352】

以上詳述した本実施形態によれば以下の作用効果を奏する。
（６－１）テラヘルツ装置１０は、取付主面１５３および取付裏面１５４を有する基材としての支持基板１５０と、支持基板１５０の取付主面１５３に形成された接続パターン１９１，２０１および電極１９２，２０２と、取付裏面１５４に形成された裏面パターン１９３，２０３と、スルービア１９４，１９５，２０４，２０５と、を備えている。接続パターン１９１，２０１は、ワイヤＷ１，Ｗ２を介してテラヘルツ素子２０と接続されている。スルービア１９４，１９５，２０４，２０５は、回路基板１１０を貫通することによって、接続パターン１９１，２０１および電極１９２，２０２と、裏面パターン１９３，２０３とを接続している。反射膜５４の端５４ａは、接続パターン１９１，２０１と電極１９２，２０２との間に離間して配置されている。この構成によれば、反射膜５４と接続パターン１９１，２０１および電極１９２，２０２との接触を回避しつつ、電極１９２，２０２とテラヘルツ素子２０とを電気的に接続することができる。

【0353】

（第６実施形態の変更例）
・図６５に示すように、テラヘルツ装置１０は、取付裏面１５４（本実施形態では裏面パターン１９３，２０３）に実装された特定素子２１６，２１７を備えていてもよい。これにより、テラヘルツ素子２０と電気的に接続される特定素子２１６，２１７を比較的容易に設けることができる。なお、特定素子２１６，２１７は、たとえば保護ダイオードであるとよい。これにより、テラヘルツ素子２０に過度な電流が流れることを抑制できる。

【0354】

ただし、これに限られず、特定素子２１６，２１７は任意である。たとえば、特定素子２１６，２１７は、制御ＩＣ（たとえばＡＳＩＣ）でもよい。制御ＩＣは、たとえば、テラヘルツ素子２０に流れる電流検知、アンプ、テラヘルツ素子２０への電力供給、又は信号処理などを行うものであるとよい。

【0355】

特定素子２１６，２１７は、たとえばテラヘルツ素子２０に電気的に接続された状態で取付裏面１５４に実装されていればよい。たとえば、特定素子２１６，２１７は、上記のような裏面パターン１９３，２０３上に実装されている構成に限られず、取付裏面１５４のうち裏面パターン１９３，２０３がない部分に実装されていてもよい。この場合、特定素子２１６，２１７は、導電部によって裏面パターン１９３，２０３と電気的に接続されているとよい。

【0356】

・図６６に示すように、テラヘルツ装置１０は、ｚ方向から見て支持基板１５０に形成された配線パターンと重なるように形成された反射低減膜２２０を備えていてもよい。反射低減膜２２０は、たとえば裏面パターン１９３，２０３に形成されており、一例としては裏面パターン１９３，２０３および両電極１９２，２０２と重なっているとよい。

【0357】

（第７実施形態）
図６７に示すように、アンテナベース２３０は凸レンズ状でもよい。たとえば、アンテナベース２３０は、支持基板１５０に対して取付裏面１５４側に設けられている。アンテナベース２３０は、取付主面１５３に設けられているテラヘルツ素子２０から離れる方向に凸となるように湾曲しているアンテナ面２３１と、アンテナ面２３１の基端から側方にはみ出しているフランジ面２３２と、を有している。アンテナ面２３１は、アンテナベース２３０のレンズ面に対応しており、湾曲している。アンテナ面２３１とテラヘルツ素子２０とがｚ方向に対向している。

【0358】

本実施形態の反射膜２３３は、少なくともアンテナ面２３１に形成されており、一例としてはアンテナ面２３１とフランジ面２３２との双方に亘って形成されている。本実施形態では、テラヘルツ素子２０と反射膜２３３との間には支持基板１５０とアンテナベース２３０とが介在している。

【0359】

本実施形態では、支持基板１５０およびアンテナベース２３０は、テラヘルツ素子２０から発生する電磁波を透過可能な材料で形成されていると好ましく、たとえば誘電体で形成されているとよい。誘電体としては、たとえばＳｉ、樹脂、テフロン、ガラス、などが考えられる。支持基板１５０とアンテナベース２３０とは同一材料でもよいし、異なる材料でもよい。たとえば、支持基板１５０とアンテナベース２３０とが同一材料であれば、屈折率の変化が生じにくいため、支持基板１５０とアンテナベース２３０との界面での反射を抑制できる。

【0360】

また、支持基板１５０とアンテナベース２３０とは貼り合わせなどによって取り付けられている構成でもよいし、一体形成される構成でもよい。
本実施形態のテラヘルツ装置１０は、取付主面１５３に形成された第１接続パターン２４１と、取付裏面１５４に形成された第１電極２４２と、第１接続パターン２４１と第１電極２４２とを接続する第１スルービア２４３と、を含む。第１電極２４２は、ｚ方向から見てアンテナベース２３０に対して側方（たとえばｘ方向）に突出した位置に配置されており、第１電極２４２と反射膜２３３とはｘ方向に離間している。

【0361】

テラヘルツ装置１０は、取付主面１５３に形成された第２接続パターン２５１と、取付裏面１５４に形成された第２電極２５２と、第２接続パターン２５１と第２電極２５２とを接続する第２スルービア２５３と、を含む。第２電極２５２は、ｚ方向から見てアンテナベース２３０に対して側方（たとえばｘ方向）に突出した位置に配置されており、第２電極２５２と反射膜２３３とはｘ方向に離間している。

【0362】

ここで、本実施形態では、テラヘルツ素子２０は、素子主面２１が反射膜２３３側を向くように配置されている。具体的には、テラヘルツ素子２０は、素子主面２１が取付主面１５３と対向した状態で支持基板１５０に実装されている。この場合、半田などの導電性接合部材２４４，２４５を用いて、両パッド３３ｂ，３４ｂと接続パターン２４１，２５１とが電気的に接続されているとよい。発振点Ｐ１に対するアンテナ面２３１の形状や位置関係は、第３実施形態と同様である。

【0363】

本実施形態のテラヘルツ装置１０は、取付裏面１５４側から回路基板１１０に取り付けられる。これにより、アンテナベース２３０の少なくとも一部が孔１１６に挿入される。また、両電極２４２，２５２と回路基板１１０とが対向するため、導電性接合部材１１７を用いて電気的接続を行うことができる。

【0364】

以上詳述した本実施形態によれば以下の作用効果を奏する。
（７－１）テラヘルツ装置１０は、テラヘルツ素子２０から離れる方向に凸となるように湾曲した凸レンズ状であるアンテナベース２３０を有している。アンテナ面２３１は、アンテナベース２３０のレンズ面に対応する。この構成であっても、（３－１）などの効果を奏する。

【0365】

（７－２）アンテナベース２３０は、取付裏面１５４側に設けられている。テラヘルツ素子２０と反射膜２３３とは、支持基板１５０およびアンテナベース２３０を介して対向している。この構成によれば、アンテナベース２３０内にテラヘルツ素子２０を収容するために凹部を設けるなどといったことをしなくてもよいため、アンテナベース２３０の構成の簡素化を図ることができる。

【0366】

（変更例）
各実施形態のテラヘルツ装置１０は例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、説明の便宜上、以下の変更例では、基本的には第３実施形態を用いて説明するが、技術的な矛盾が生じない限り、他の実施形態にも適用できる。

【0367】

・図６８に示すように、テラヘルツ装置１０は、接着層９０とは別に設けられ、反射膜５４とリードフレーム６０とを絶縁させるスペーサ２６０を備えているとよい。スペーサ２６０は、絶縁性を有している。スペーサ２６０は、反射膜５４とリードフレーム６０との間にも介在している。図６８では、スペーサ２６０は、リードフレーム６０と接着層９０との間に介在している。ただし、これに限られず、スペーサ２６０は、アンテナベース５０と接着層９０との間に設けられていてもよい。

【0368】

この構成によれば、スペーサ２６０と接着層９０とによって、反射膜５４とリードフレーム６０とが接触することが規制されている。これにより、反射膜５４とリードフレーム６０との接触を、より抑制できる。

【0369】

・図６９に示すように、第１接続部６５および第２接続部７５は、テラヘルツ素子２０の近くまで延びていてもよい。たとえば、第１接続部６５の先端部は、第１内壁面６４よりもテラヘルツ素子２０に近い位置に配置されており、第２接続部７５の先端部は、第２内壁面７４よりもテラヘルツ素子２０に近い位置に配置されていてもよい。換言すれば、両接続部６５，７５の突出寸法は、反射膜５４の開口幅の１／４よりも大きくてもよい。

【0370】

また、ｚ方向から見て、第１ワイヤＷ１の長さは、第１内壁面６４からの第１接続部６５の突出寸法よりも短くてもよい。同様に、第２ワイヤＷ２の長さは、第２内壁面７４からの第２接続部７５の突出寸法よりも短くてもよい。この構成によれば、ワイヤＷ１，Ｗ２の長さを短くできるため、ワイヤＷ１，Ｗ２に起因する応答性の低下を抑制できる。

【0371】

・図７０に示すように、第１接続部６５と第２接続部７５とは、平行に並んで配列されていてもよい。この構成によれば、テラヘルツ装置１０の応答性の向上を図ることができる。

【0372】

・第１接続部６５および第２接続部７５がなくてもよい。
・図７１及び図７２に示すように、テラヘルツ素子２０が取り付けられる基材としてリードフレーム６０を用いてもよい。具体的には、リードフレーム６０は、テラヘルツ素子２０が取り付けられる取付ベース２７０と、取付ベース２７０と繋がる第１接続部２７１と、第１接続部２７１と絶縁された第２接続部２７２と、を有する構成でもよい。第１接続部２７１は、第１ワイヤＷ１を介して第１パッド３３ｂと電気的に接続される。第２接続部２７２は、第２ワイヤＷ２を介して第２パッド３４ｂと電気的に接続される。

【0373】

また、リードフレーム６０は、第１接続部２７１から凹部５２の開口縁の外側に沿って延びた第１湾曲部２７３と、第２接続部２７２から凹部５２の開口縁の外側に沿って延びた第２湾曲部２７４と、を有していてもよい。

【0374】

また、本変更例では、図７２に示すように、テラヘルツ装置１０は、取付ベース２７０及び両接続部２７１，２７２を上方から覆うカバー部材２７５を備えていてもよい。カバー部材２７５は、電磁波を透過する材料で形成されているとよく、たとえば誘電体で形成されているとよい。

【0375】

・図７３に示すように、凹部５２は、アンテナ面５３よりも拡径した拡径面２８１と、アンテナ面５３と拡径面２８１との間に形成された段差面２８２と、を有してもよい。段差面２８２は、ｚ方向に対して交差する面である。この構成において、反射膜２８３は、アンテナ面５３と段差面２８２とに亘って形成されていてもよい。この場合、反射膜２８３とリードフレーム６０とがｚ方向に離間しているため、両者の接触を抑制できる。

【0376】

・図７４に示すように、反射膜２９０は、アンテナ面５３の一部の範囲に亘って形成されている構成でもよい。たとえば、反射膜２９０は、発振点Ｐ１よりも下方の部分に形成されていてもよい。また、反射膜２９０は、発振点Ｐ１に対して開口角度θ未満の角度に亘って形成されていてもよい。反射膜は、テラヘルツ素子２０にて発生した電磁波の少なくとも一部を一方向に反射させることができればよい。

【0377】

・反射膜の形状は適宜変更可能である。たとえば、反射膜は、１つの膜に限られず、分離された複数のパーツで構成されていてもよい。たとえば、反射膜にスリットが形成されていてもよいし、孔が形成されていてもよい。

【0378】

・図７５に示すように、アンテナベース５０は、取付裏面１３側に設けられる構成でもよい。この場合、リードフレーム６０と反射膜５４との間に取付板１１が介在するため、反射膜５４とリードフレーム６０との接触を回避できる。ただし、テラヘルツ素子２０を収容空間Ａ１内に収容できる点に鑑みれば、アンテナベース５０は、取付主面１２側に設けられている方がよい。

【0379】

・図７６に示すように、両リード対向面６２，７２は、ｙ方向に対して傾斜していてもよい。この場合、隙間８１は、ｙ方向に対して傾斜して延びている。
この構成において、第４実施形態のように保護ダイオード１３１，１３２を設ける場合、第１保護ダイオード１３１の少なくとも一部は、第１内壁面６４と第１リード対向面６２との間に配置されていてもよい。同様に、第２保護ダイオード１３２の少なくとも一部は、第２内壁面７４と第２リード対向面７２との間に配置されていてもよい。

【0380】

・図７７に示すように、テラヘルツ素子２０は、上方から見て発振点Ｐ１が反射膜５４の中心点Ｐ２からずれた位置に配置されていてもよい。すなわち、反射膜５４の焦点が発振点Ｐ１と一致していなくてもよい。

【0381】

・図７８に示すように、テラヘルツ装置１０は、反射膜５４とは別に設けられた反射部３００を有する複反射鏡型でもよい。
具体的には、テラヘルツ装置１０は、反射膜５４とは別に反射部３００を備えている。詳細には、取付主面１２には反射用凸部３０１が形成されており、反射部３００は、反射用凸部３０１の表面に形成された金属膜である。反射用凸部３０１が反射膜５４に向けて凸となるように湾曲していることに対応させて、反射部３００は、反射膜５４に向けて凸となるように湾曲している。反射部３００と反射膜５４とは径方向に対向しており、反射部３００によって反射された電磁波は、反射膜５４に向けて照射される。

【0382】

本変更例のテラヘルツ素子２０は、反射部３００と対向する位置に配置されている。換言すれば、反射部３００を有する基材としての取付板１１は、テラヘルツ素子２０に対して対向する位置に設けられている。

【0383】

テラヘルツ装置１０は、たとえば取付柱３０２，３０３を備えている。取付柱３０２，３０３は、たとえば導電性材料で形成されている。取付柱３０２，３０３は、アンテナベース５０および反射膜５４を下方から貫通しており、収容空間Ａ１内に入り込んでいる。テラヘルツ素子２０は、取付柱３０２，３０３に取り付けられている。テラヘルツ素子２０と取付柱３０２，３０３とは電気的に接続されている。

【0384】

テラヘルツ素子２０は取付柱３０２，３０３に対して直接接合されていてもよいし、導電性接合部材を介して接合されていてもよい。また、取付柱３０２，３０３と反射膜５４との接触を回避するために、取付柱３０２，３０３の側面に絶縁部（たとえば絶縁コーティング）が設けられていてもよい。なお、本変更例では取付柱３０２，３０３は２本設けられているが、取付柱３０２，３０３の数は任意である。

【0385】

本変更例のテラヘルツ装置１０は、取付柱３０２，３０３と電気的に接続される電極３０４，３０５を備えている。電極３０４，３０５は、アンテナベース５０におけるベース主面５０ａとは反対側のベース裏面５０ｂに形成されており、取付柱３０２，３０３と接合されている。

【0386】

本変更例によれば、両電極３０４，３０５から電圧が印加されることにより、テラヘルツ素子２０から電磁波が発生する。当該電磁波は、反射部３００によって反射された後、反射膜５４によって更に反射されて、一方向としての上方に向けて照射される。つまり、テラヘルツ素子２０にて発生した電磁波は、反射部３００を介して反射膜５４に照射され、反射膜５４によって更に反射される。

【0387】

すなわち、反射部３００は、テラヘルツ素子２０から発生した電磁波が入射されるものであって当該電磁波の少なくとも一部を反射するものであり、反射膜５４は、反射部３００によって反射された電磁波が入射されるものであって当該電磁波の少なくとも一部を一方向（上方）に向けて反射するものである。

【0388】

ここで、本変更例では、取付板１１には、リードフレーム６０および両ワイヤＷ１，Ｗ２は形成されていない。また、上方から見て、反射部３００は、たとえばテラヘルツ素子２０の投影範囲内に収まっているとよい。これにより、電磁波が遮断（ブロッキング）されることを抑制できる。

【0389】

ちなみに、図７８に示すように、反射膜５４に形成され取付柱３０２，３０３が貫通する貫通孔３０６は、反射膜５４と取付柱３０２，３０３とが接触しないように取付柱３０２，３０３よりも大きく形成されているとよい。なお、反射膜５４のうち２つの取付柱３０２，３０３の間にある部分を省略してもよい。つまり、反射膜５４は、上方から見て、中心部分が除去された環状となっていてもよい。また、反射部３００は、テラヘルツ素子２０に対して凹状となっていてもよい。具体的には、反射部３００は、反射膜５４とは反対方向（すなわち上方）に凹んだアンテナ形状となっていてもよい。つまり、反射部３００は、カセグレンタイプでもよいし、グレゴリアンタイプでもよい。

【0390】

・アンテナベース５０の形状は適宜変更可能である。たとえば、図７９に示すように、アンテナベース５０は、コーナ部分が切り欠かれたドーム形状であってもよいし、図８０に示すように、アンテナベース５０に肉抜き部３１３が形成されていてもよい。

【0391】

また、図８１に示すように、アンテナベース５０は、ｚ方向から見て円形状に形成されていてもよい。具体的には、アンテナベース５０は、ｚ方向を軸線方向とする円柱状であってもよい。この場合、アンテナベース５０の周囲には、リードフレーム６０が露出した露出領域３２１が形成される。本変更例においては、テラヘルツ装置１０は、たとえば露出領域３２１を用いて回路基板１１０に取り付けられるとよい。具体的には、回路基板１１０に形成された孔１１６の径は、アンテナベース５０の外郭の径と同一またはそれよりも若干大きい。この場合、アンテナベース５０を孔１１６に挿入すると、露出領域３２１が回路基板１１０と当接する。このため、露出領域３２１に導電性接合部材１１７を設けることにより、電気的に接続した状態でテラヘルツ装置１０を回路基板１１０に実装することができる。これにより、テラヘルツ装置１０の更なる小型化を図ることができる。

【0392】

・図８２に示すように、電極９１，９２は、アンテナベース５０から離れるに従って取付板１１とは離れる方向、具体的には下方に傾斜した傾斜部９１ａ，９２ａを有してもよい。たとえば、第１電極９１は、アンテナベース５０（第１ベース側面５１ａ）からｘ方向に延びた第１基端部９１ｂと、第１基端部９１ｂよりも側方かつ下方に位置した第１先端部９１ｃと、第１基端部９１ｂおよび第１先端部９１ｃと繋がる第１傾斜部９１ａと、を有するクランク状でもよい。

【0393】

同様に、第２電極９２は、アンテナベース５０（第２ベース側面５１ｂ）からｘ方向に延びた第２基端部９２ｂと、第２基端部９２ｂよりも側方かつ下方に位置した第２先端部９２ｃと、第２基端部９２ｂおよび第２先端部９２ｃと繋がる第２傾斜部９２ａと、を有するクランク状でもよい。

【0394】

この構成においては、テラヘルツ装置１０は、アンテナベース５０の一部が孔１１６に挿入された状態で導電性接合部材１１７によって両先端部９１ｃ，９２ｃが回路基板１１０に接合させることによって回路基板１１０に実装されるとよい。これにより、回路基板１１０がテラヘルツ装置１０よりも薄い場合であっても、テラヘルツ装置１０が回路基板１１０から下方に突出することを抑制できる。なお、第１基端部９１ｂおよび第２基端部９２ｂを省略してもよい。

【0395】

・図８３に示すように、接着層９０の内周端は、反射膜５４の表面と面一となる位置に配置されていてもよい。つまり、接着層９０は、反射膜５４よりも内側（換言すればテラヘルツ素子２０側）に向けてはみ出さないように構成されていてもよい。

【0396】

・また、図８４および図８５に示すように、接着層９０の内周端は、反射膜５４の表面よりもｘ方向およびｙ方向の外側（換言すればベース側面５１側）に配置されていてもよい。たとえば、図８４に示すように、接着層９０の内周端は、アンテナ面５３と面一となる位置に配置されていてもよい。また、図８５に示すように、接着層９０の内周端は、アンテナ面５３のよりもｘ方向およびｙ方向の外側に配置されていてもよい。この場合、反射膜５４の端５４ａとリードフレーム６０との間には、接着層９０が介在していない。つまり、接着層９０が反射膜５４とリードフレーム６０との間に介在することは必須ではない。この場合であっても、接着層９０の高さの分だけ、反射膜５４とリードフレーム６０とが離間するため、反射膜５４とリードフレーム６０との接触を抑制できる。

【0397】

・両電極９１，９２は、ｘ方向ではなくｙ方向に突出していてもよいし、ｘ方向およびｙ方向の双方に突出していてもよい。
・テラヘルツ素子２０は、素子裏面２２が反射膜５４を向くように配置されていてもよい。すなわち、反射膜５４は、テラヘルツ素子２０に対して、素子主面２１側ではなく、素子裏面２２側に設けられていてもよい。

【0398】

・反射膜５４は、電気的にフローティング状態でなくてもよい。
・ベース主面５０ａに反射膜５４が形成されていてもよい。この場合、たとえばベース主面５０ａと対向する位置に反射低減膜が形成されているとよい。

【0399】

・収容空間Ａ１内に存在する気体は空気に限られず任意に変更可能である。また、真空でもよい。
・アンテナベース５０とリードフレーム６０とは接着以外の手法でユニット化されていてもよい。

【0400】

・開口部８０の形状は任意に変更可能であり、たとえば両パーツ開口部６３，７３のいずれか一方が省略されていてもよいし、両パーツ開口部６３，７３が反射膜５４よりも小さくてもよい。

【0401】

・基材としての取付板１１および支持基板１５０の形状は任意である。たとえば取付板１１をリードフレーム６０よりも肉厚に形成してもよい。
・電極９１，９２は、テラヘルツ装置１０のｚ方向の中央部付近に配置されていてもよいし、中央部よりも下方に偏倚して配置されていてもよい。

【0402】

・テラヘルツ素子２０の具体的構成は適宜変更可能である。たとえば両パッド３３ｂ，３４ｂの位置や大きさを変更してもよい。また、発振点Ｐ１が中心以外の位置にあってもよい。

【0403】

・テラヘルツ素子２０は、電磁波を受信し、受信した電磁波を電気エネルギーに変換するものであってもよい。具体的には、テラヘルツ素子２０は、たとえば発振点Ｐ１に対して開口角度θの範囲に亘る電磁波を受信する。この場合、発振点Ｐ１は、電磁波の受信を行う受信点といえる。

【0404】

この構成においては、反射膜は、入射された電磁波を、テラヘルツ素子２０（好ましくは受信点）に向けて反射させるものであるとよい。これにより、テラヘルツ装置１０の受信強度が高くなるため、受信に関する利得の向上を図ることができる。

【0405】

さらに、テラヘルツ素子２０は、電磁波の発振および受信の両方を行うものであってもよい。つまり、発振点Ｐ１は、電磁波の発振及び受信の少なくとも一方を行う点でもよい。

【0406】

なお、テラヘルツ素子２０が電磁波を受信するものである場合、上記変更例における反射部３００は、反射膜５４によって反射された電磁波をテラヘルツ素子２０に向けて反射させる。この構成によれば、反射膜５４によって反射された電磁波は、反射部３００を介してテラヘルツ素子２０に照射される。つまり、反射膜５４は、入射された電磁波の少なくとも一部を反射部３００に向けて反射するものであり、反射部３００は、反射膜５４によって反射された電磁波が入射され、当該電磁波の少なくとも一部をテラヘルツ素子２０に向けて照射するものであるといえる。

【0407】

（付記）
次に、上記各実施形態および各変更例に基づく技術的思想を以下に記載する。
（付記１）
基材と、
前記基材に取り付けられ、電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、
前記アンテナ面に形成され、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の少なくとも一部を一方向に向けて反射させる反射膜と、
を備えているテラヘルツ装置。

【0408】

（付記２）
前記アンテナベースは、
前記基材と対向するベース主面と、
前記ベース主面とは反対側のベース裏面と、
側方を向いたベース側面と、
を有し、
前記テラヘルツ装置は、外部との電気的接続に用いられる電極を備え、
前記電極は、
前記ベース側面に形成された側面電極と、
前記ベース裏面に形成された裏面電極と、
を有している付記１に記載のテラヘルツ装置。

【0409】

（付記３）
前記電極は、前記アンテナベースに沿って折り曲げられたリードフレームによって構成されている付記２に記載のテラヘルツ装置。

【0410】

（付記４）
前記電極は、
前記ベース側面と前記ベース主面とのコーナ部分にて前記ベース側面に向かうように屈曲している基端部と、
前記ベース側面と前記ベース裏面とのコーナ部分にて屈曲している屈曲部と、
前記ベース裏面に配置されている先端部と、
を備えており、
前記側面電極は、前記基端部から前記屈曲部までの部分であり、
前記裏面電極は、前記屈曲部から前記先端部までの部分である付記３に記載のテラヘルツ装置。

【0411】

（付記５）
前記テラヘルツ素子は、
電磁波が発生する発振点を有する素子主面と、
前記素子主面とは反対側の素子裏面と、
を有し、
前記反射膜は、前記素子裏面よりも前記素子主面側に配置されている付記１～４のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0412】

（付記６）
前記テラヘルツ素子は、前記発振点から開口角度の範囲に亘って放射状に電磁波を照射するものであり、
前記反射膜は、前記発振点に対して前記開口角度以上の角度に亘って形成されている付記５に記載のテラヘルツ装置。

【0413】

（付記７）
前記反射膜はパラポラアンテナ形状である付記５または付記６に記載のテラヘルツ装置。

【0414】

（付記８）
前記反射膜は、当該反射膜の焦点が前記発振点に位置するように配置されている付記７に記載のテラヘルツ装置。

【0415】

（付記９）
前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記反射膜の中心点と前記発振点とが一致している付記７に記載のテラヘルツ装置。

【0416】

（付記１０）
前記反射膜は、前記テラヘルツ素子から発生する電磁波が共振するように、当該電磁波の周波数に対応する位置に配置されている付記７～９のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0417】

（付記１１）
前記テラヘルツ素子は、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記反射膜の中心点と前記発振点とがずれた位置に配置されている付記７に記載のテラヘルツ装置。

【0418】

（付記１２）
前記反射膜は、電気的にフローティング状態である付記１～１１のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0419】

（付記１３）
前記アンテナベースは絶縁性材料によって形成されている付記１～１２のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0420】

（付記１４）
前記基材は、前記反射膜と対向する位置に設けられ、電磁波が透過する材料によって形成されている付記１～１３のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0421】

（付記１５）
前記基材は誘電体によって形成されている付記１４に記載のテラヘルツ装置。
（付記１６）
前記基材は、前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面を有し、
前記アンテナベースは、
前記取付主面と対向するベース主面と、
前記ベース主面から凹んだものであって前記アンテナ面を有する凹部と、
を備え、
前記テラヘルツ素子および前記反射膜は、前記取付主面と前記アンテナ面とによって区画された収容空間内に配置されている付記１～１５のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0422】

（付記１７）
前記反射膜は、前記アンテナ面に形成されている一方、前記ベース主面には形成されていない付記１６に記載のテラヘルツ装置。

【0423】

（付記１８）
前記アンテナベースは、前記凹部とは別に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して並列接続された保護ダイオードが収容される収容凹部を備えている付記１６または付記１７に記載のテラヘルツ装置。

【0424】

（付記１９）
前記取付主面に設けられ、前記テラヘルツ素子と接続される導電部材と、
前記アンテナベースと前記導電部材との間に設けられ、前記アンテナベースと前記導電部材とを接着させる接着層と、
を備え、
前記接着層は、絶縁性材料で形成されており、前記反射膜と前記導電部材との間に介在している付記１６～１８のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0425】

（付記２０）
前記接着層とは別に前記反射膜と前記導電部材との間に設けられた絶縁性のスペーサを備えている付記１９に記載のテラヘルツ装置。

【0426】

（付記２１）
前記凹部は、前記アンテナ面よりも拡径した拡径面と、前記アンテナ面と前記拡径面との間に形成された段差面と、を有し、
前記反射膜は、前記アンテナ面と前記段差面とに亘って形成されている付記１９または付記２０に記載のテラヘルツ装置。

【0427】

（付記２２）
前記基材は、前記取付主面とは反対側の取付裏面を有し、
前記テラヘルツ装置は、前記取付裏面のうち前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て前記導電部材と重なる部分の少なくとも一部に形成され、電磁波の反射を低減させる反射低減膜を備えている付記１９～２１のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0428】

（付記２３）
前記基材には、前記テラヘルツ素子と接続される導電部材が設けられ、
前記導電部材には、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て前記反射膜の少なくとも一部と重なる開口部が形成されている付記１～２２のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0429】

（付記２４）
前記導電部材は、互いに離間して対向配置された第１導電部および第２導電部を有し、
前記開口部は、前記第１導電部と前記第２導電部との間の隙間を含む付記２３に記載のテラヘルツ装置。

【0430】

（付記２５）
前記開口部は、
前記第１導電部における前記対向方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成され、前記隙間と連通している第１パーツ開口部と、
前記第２導電部における前記対向方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成され、前記隙間と連通している第２パーツ開口部と、
を有している付記２４に記載のテラヘルツ装置。

【0431】

（付記２６）
前記第１導電部は、前記テラヘルツ素子と電気的に接続するための第１接続部を有し、
前記第１接続部は、前記第１パーツ開口部の内壁面である第１内壁面から前記テラヘルツ素子に向けて突出しており、
前記第２導電部は、前記テラヘルツ素子と電気的に接続するための第２接続部を有し、
前記第２接続部は、前記第２パーツ開口部の内壁面である第２内壁面から前記テラヘルツ素子に向けて突出している付記２５に記載のテラヘルツ装置。

【0432】

（付記２７）
前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと、前記第１接続部とを接続する第１ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第１内壁面からの前記第１接続部の突出寸法は、前記第１ワイヤの長さよりも短い付記２６に記載のテラヘルツ装置。

【0433】

（付記２８）
前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと、前記第２接続部とを接続する第２ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第２内壁面からの前記第２接続部の突出寸法は、前記第２ワイヤの長さよりも短い付記２７に記載のテラヘルツ装置。

【0434】

（付記２９）
前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと、前記第１接続部とを接続する第１ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第１ワイヤの長さは、前記第１内壁面からの前記第１接続部の突出寸法よりも短い付記２６に記載のテラヘルツ装置。

【0435】

（付記３０）
前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと、前記第２接続部とを接続する第２ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第２ワイヤの長さは、前記第２内壁面からの前記第２接続部の突出寸法よりも短い付記２９に記載のテラヘルツ装置。

【0436】

（付記３１）
前記第１接続部と前記第２接続部とは、前記テラヘルツ素子を介して対向配置されている付記２６～３０のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0437】

（付記３２）
前記第１接続部と前記第２接続部とは、平行に並んで配列されている付記２６～３０のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0438】

（付記３３）
前記導電部材は、リードフレームによって構成されており、
前記基材は、前記リードフレームに取り付けられている付記２３～３２のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0439】

（付記３４）
前記基材は、前記リードフレームの厚さよりも薄い板状である付記３３に記載のテラヘルツ装置。

【0440】

（付記３５）
前記基材としてのリードフレームを備え、
前記リードフレームは、
前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付ベースと、
前記取付ベースと繋がる部分であって、前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと第１ワイヤを介して電気的に接続される第１接続部と、
前記第１接続部とは絶縁され、前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと第２ワイヤを介して電気的に接続される第２接続部と、
を備えている付記１に記載のテラヘルツ装置。

【0441】

（付記３６）
前記基材は、
前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面と、
前記取付主面とは反対側の取付裏面と、
を有し、
前記アンテナベースは、前記取付裏面側に設けられており、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜とは前記基材を介して対向している付記１に記載のテラヘルツ装置。

【0442】

（付記３７）
電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子に対して対向しかつ前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の少なくとも一部を反射する反射部を有する基材と、
前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、
前記アンテナ面に形成され、前記反射部によって反射された電磁波の少なくとも一部を一方向に向けて反射させる反射膜と、
を備えているテラヘルツ装置。

【0443】

（付記３８）
基材と、
前記基材に取り付けられ、電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、
前記アンテナ面に形成され、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、
を備えているテラヘルツ装置。

【0444】

（付記３９）
前記アンテナベースは、
前記基材と対向するベース主面と、
前記ベース主面とは反対側のベース裏面と、
側方を向いたベース側面と、
を有し、
前記テラヘルツ装置は、外部との電気的接続に用いられる電極を備え、
前記電極は、
前記ベース側面に形成された側面電極と、
前記ベース裏面に形成された裏面電極と、
を有している付記３８に記載のテラヘルツ装置。

【0445】

（付記４０）
前記電極は、前記アンテナベースに沿って折り曲げられたリードフレームによって構成されている付記３９に記載のテラヘルツ装置。

【0446】

（付記４１）
前記電極は、
前記ベース側面と前記ベース主面とのコーナ部分にて前記ベース側面に向かうように屈曲している基端部と、
前記ベース側面と前記ベース裏面とのコーナ部分にて屈曲している屈曲部と、
前記ベース裏面に配置されている先端部と、
を備えており、
前記側面電極は、前記基端部から前記屈曲部までの部分であり、
前記裏面電極は、前記屈曲部から前記先端部までの部分である付記４０に記載のテラヘルツ装置。

【0447】

（付記４２）
前記テラヘルツ素子は、
電磁波を受信する受信点を有する素子主面と、
前記素子主面とは反対側の素子裏面と、
を有し、
前記反射膜は、前記素子裏面よりも前記素子主面側に配置されている付記３８～４１のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0448】

（付記４３）
前記テラヘルツ素子は、前記受信点に対して開口角度の範囲に亘る電磁波を受信するものであり、
前記反射膜は、前記受信点に対して前記開口角度以上の角度に亘って形成されている付記４２に記載のテラヘルツ装置。

【0449】

（付記４４）
前記反射膜はパラポラアンテナ形状である付記４２または付記４３に記載のテラヘルツ装置。

【0450】

（付記４５）
前記反射膜は、当該反射膜の焦点が前記受信点に位置するように配置されている付記４４に記載のテラヘルツ装置。

【0451】

（付記４６）
前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記反射膜の中心点と前記受信点とが一致している付記４４に記載のテラヘルツ装置。

【0452】

（付記４７）
前記反射膜は、前記テラヘルツ素子が受信する電磁波が共振するように、当該電磁波の周波数に対応する位置に配置されている付記４４～４６のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0453】

（付記４８）
前記テラヘルツ素子は、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記反射膜の中心点と前記受信点とがずれた位置に配置されている付記４４に記載のテラヘルツ装置。

【0454】

（付記４９）
前記反射膜は、電気的にフローティング状態である付記３８～４８のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0455】

（付記５０）
前記アンテナベースは絶縁性材料によって形成されている付記３８～４９のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0456】

（付記５１）
前記基材は、前記反射膜と対向する位置に設けられ、電磁波が透過する材料によって形成されている付記３８～５０のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0457】

（付記５２）
前記基材は誘電体によって形成されている付記５１に記載のテラヘルツ装置。
（付記５３）
前記基材は、前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面を有し、
前記アンテナベースは、
前記取付主面と対向するベース主面と、
前記ベース主面から凹んだものであって前記アンテナ面を有する凹部と、
を備え、
前記テラヘルツ素子および前記反射膜は、前記取付主面と前記アンテナ面とによって区画された収容空間内に配置されている付記３８～５２のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0458】

（付記５４）
前記反射膜は、前記アンテナ面に形成されている一方、前記ベース主面には形成されていない付記５３に記載のテラヘルツ装置。

【0459】

（付記５５）
前記アンテナベースは、前記凹部とは別に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して並列接続された保護ダイオードが収容される収容凹部を備えている付記５３または付記５４に記載のテラヘルツ装置。

【0460】

（付記５６）
前記取付主面に設けられ、前記テラヘルツ素子と接続される導電部材と、
前記アンテナベースと前記導電部材との間に設けられ、前記アンテナベースと前記導電部材とを接着させる接着層と、
を備え、
前記接着層は、絶縁性材料で形成されており、前記反射膜と前記導電部材との間に介在している付記５３～５５のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0461】

（付記５７）
前記接着層とは別に前記反射膜と前記導電部材との間に設けられた絶縁性のスペーサを備えている付記５６に記載のテラヘルツ装置。

【0462】

（付記５８）
前記凹部は、前記アンテナ面よりも拡径した拡径面と、前記アンテナ面と前記拡径面との間に形成された段差面と、を有し、
前記反射膜は、前記アンテナ面と前記段差面とに亘って形成されている付記５６または付記５７に記載のテラヘルツ装置。

【0463】

（付記５９）
前記基材は、前記取付主面とは反対側の取付裏面を有し、
前記テラヘルツ装置は、前記取付裏面のうち前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て前記導電部材と重なる部分の少なくとも一部に形成され、電磁波の反射を低減させる反射低減膜を備えている付記５６～５８のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0464】

（付記６０）
前記基材には、前記テラヘルツ素子と接続される導電部材が設けられ、
前記導電部材には、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て前記反射膜の少なくとも一部と重なる開口部が形成されている付記３８～５９のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0465】

（付記６１）
前記導電部材は、互いに離間して対向配置された第１導電部および第２導電部を有し、
前記開口部は、前記第１導電部と前記第２導電部との間の隙間を含む付記６０に記載のテラヘルツ装置。

【0466】

（付記６２）
前記開口部は、
前記第１導電部における前記対向方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成され、前記隙間と連通している第１パーツ開口部と、
前記第２導電部における前記対向方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成され、前記隙間と連通している第２パーツ開口部と、
を有している付記６１に記載のテラヘルツ装置。

【0467】

（付記６３）
前記第１導電部は、前記テラヘルツ素子と電気的に接続するための第１接続部を有し、
前記第１接続部は、前記第１パーツ開口部の内壁面である第１内壁面から前記テラヘルツ素子に向けて突出しており、
前記第２導電部は、前記テラヘルツ素子と電気的に接続するための第２接続部を有し、
前記第２接続部は、前記第２パーツ開口部の内壁面である第２内壁面から前記テラヘルツ素子に向けて突出している付記６２に記載のテラヘルツ装置。

【0468】

（付記６４）
前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと、前記第１接続部とを接続する第１ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第１内壁面からの前記第１接続部の突出寸法は、前記第１ワイヤの長さよりも短い付記６３に記載のテラヘルツ装置。

【0469】

（付記６５）
前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと、前記第２接続部とを接続する第２ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第２内壁面からの前記第２接続部の突出寸法は、前記第２ワイヤの長さよりも短い付記６４に記載のテラヘルツ装置。

【0470】

（付記６６）
前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと、前記第１接続部とを接続する第１ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第１ワイヤの長さは、前記第１内壁面からの前記第１接続部の突出寸法よりも短い付記６３に記載のテラヘルツ装置。

【0471】

（付記６７）
前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと、前記第２接続部とを接続する第２ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第２ワイヤの長さは、前記第２内壁面からの前記第２接続部の突出寸法よりも短い付記６６に記載のテラヘルツ装置。

【0472】

（付記６８）
前記第１接続部と前記第２接続部とは、前記テラヘルツ素子を介して対向配置されている付記６３～６７のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0473】

（付記６９）
前記第１接続部と前記第２接続部とは、平行に並んで配列されている付記６３～６７のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0474】

（付記７０）
前記導電部材は、リードフレームによって構成されており、
前記基材は、前記リードフレームに取り付けられている付記６０～６９のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0475】

（付記７１）
前記基材は、前記リードフレームの厚さよりも薄い板状である付記７０に記載のテラヘルツ装置。

【0476】

（付記７２）
前記基材としてのリードフレームを備え、
前記リードフレームは、
前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付ベースと、
前記取付ベースと繋がる部分であって、前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと第１ワイヤを介して電気的に接続される第１接続部と、
前記第１接続部とは絶縁され、前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと第２ワイヤを介して電気的に接続される第２接続部と、
を備えている付記３８に記載のテラヘルツ装置。

【0477】

（付記７３）
前記基材は、
前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面と、
前記取付主面とは反対側の取付裏面と、
を有し、
前記アンテナベースは、前記取付裏面側に設けられており、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜とは前記基材を介して対向している付記３８に記載のテラヘルツ装置。

【0478】

（付記７４）
電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子に対して対向する位置に設けられ、入射された電磁波の少なくとも一部を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射部を有する基材と、
前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、
前記アンテナ面に形成され、入射された電磁波の少なくとも一部を前記反射部に向けて反射させる反射膜と、
を備えているテラヘルツ装置。

【0479】

（付記７５）
基材と、
前記基材に取り付けられ、電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、
前記アンテナ面に形成され、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の少なくとも一部を一方向に向けて反射させる反射膜と、
外部との電気的接続に用いられる電極と、
を備え、
前記電極は、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記アンテナベースに対して側方に突出しているテラヘルツ装置。

【0480】

（付記７６）
前記電極は、前記テラヘルツ装置の前記対向方向の中央部よりも前記基材側に偏倚して配置されている付記７５に記載のテラヘルツ装置。

【0481】

（付記７７）
前記電極は、リードフレームによって構成されている付記７５または付記７６に記載のテラヘルツ装置。

【0482】

（付記７８）
前記電極は、前記アンテナベースから離れるに従って前記基材とは離れる方向に傾斜した傾斜部を含む付記７７に記載のテラヘルツ装置。

【0483】

（付記７９）
前記電極はクランク形状である付記７７または付記７８に記載のテラヘルツ装置。
（付記８０）
前記基材は支持基板であり、
前記支持基板は、前記対向方向から見て前記アンテナベースよりも側方にはみ出している延出部を有し、
前記電極は、前記延出部に形成された配線パターンによって構成されている付記７５または付記７６に記載のテラヘルツ装置。

【0484】

（付記８１）
前記基材は、前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面と、前記取付主面とは反対側の取付裏面と、を有し、
前記テラヘルツ装置は、
前記取付主面において前記電極とは離間した位置に形成された配線パターンであって、前記テラヘルツ素子と接続された接続パターンと、
前記取付裏面に形成された配線パターンである裏面パターンと、
前記支持基板を貫通することにより、前記接続パターンおよび前記電極と、前記裏面パターンとを接続するスルービアと、
を有し、
前記対向方向から見て、前記反射膜の端は、前記接続パターンと前記電極との間に離間して配置されている付記８０に記載のテラヘルツ装置。

【0485】

（付記８２）
前記テラヘルツ素子は、
電磁波が発生する発振点を有する素子主面と、
前記素子主面とは反対側の素子裏面と、
を有し、
前記反射膜は、前記素子裏面よりも前記素子主面側に配置されている付記７５～８１のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0486】

（付記８３）
前記テラヘルツ素子は、前記発振点から開口角度の範囲に亘って放射状に電磁波を照射するものであり、
前記反射膜は、前記発振点に対して前記開口角度以上の角度に亘って形成されている付記８２に記載のテラヘルツ装置。

【0487】

（付記８４）
前記反射膜はパラポラアンテナ形状である付記８２または付記８３に記載のテラヘルツ装置。

【0488】

（付記８５）
前記反射膜は、当該反射膜の焦点が前記発振点に位置するように配置されている付記８４に記載のテラヘルツ装置。

【0489】

（付記８６）
前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記反射膜の中心点と前記発振点とが一致している付記８４に記載のテラヘルツ装置。

【0490】

（付記８７）
前記反射膜は、前記テラヘルツ素子から発生する電磁波が共振するように、当該電磁波の周波数に対応する位置に配置されている付記８４～８６のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0491】

（付記８８）
前記テラヘルツ素子は、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記反射膜の中心点と前記発振点とがずれた位置に配置されている付記８４に記載のテラヘルツ装置。

【0492】

（付記８９）
前記反射膜は、電気的にフローティング状態である付記７５～８８のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0493】

（付記９０）
前記アンテナベースは絶縁性材料によって形成されている付記７５～８９のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0494】

（付記９１）
前記基材は、前記反射膜と対向する位置に設けられ、電磁波が透過する材料によって形成されている付記７５～９０のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0495】

（付記９２）
前記基材は誘電体によって形成されている付記９１に記載のテラヘルツ装置。
（付記９３）
前記基材は、前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面を有し、
前記アンテナベースは、
前記取付主面と対向するベース主面と、
前記ベース主面から凹んだものであって前記アンテナ面を有する凹部と、
を備え、
前記テラヘルツ素子および前記反射膜は、前記取付主面と前記アンテナ面とによって区画された収容空間内に配置されている付記７５～９２のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0496】

（付記９４）
前記反射膜は、前記アンテナ面に形成されている一方、前記ベース主面には形成されていない付記９３に記載のテラヘルツ装置。

【0497】

（付記９５）
前記アンテナベースは、前記凹部とは別に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して並列接続された保護ダイオードが収容される収容凹部を備えている付記９３または付記９４に記載のテラヘルツ装置。

【0498】

（付記９６）
前記取付主面に設けられ、前記テラヘルツ素子と接続される導電部材と、
前記アンテナベースと前記導電部材との間に設けられ、前記アンテナベースと前記導電部材とを接着させる接着層と、
を備え、
前記接着層は、絶縁性材料で形成されており、前記反射膜と前記導電部材との間に介在している付記９３～９５のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0499】

（付記９７）
前記接着層とは別に前記反射膜と前記導電部材との間に設けられた絶縁性のスペーサを備えている付記９６に記載のテラヘルツ装置。

【0500】

（付記９８）
前記凹部は、前記アンテナ面よりも拡径した拡径面と、前記アンテナ面と前記拡径面との間に形成された段差面と、を有し、
前記反射膜は、前記アンテナ面と前記段差面とに亘って形成されている付記９６または付記９７に記載のテラヘルツ装置。

【0501】

（付記９９）
前記基材は、前記取付主面とは反対側の取付裏面を有し、
前記テラヘルツ装置は、前記取付裏面のうち前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て前記導電部材と重なる部分の少なくとも一部に形成され、電磁波の反射を低減させる反射低減膜を備えている付記９６～９８のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0502】

（付記１００）
前記基材には、前記テラヘルツ素子と接続される導電部材が設けられ、
前記導電部材には、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て前記反射膜の少なくとも一部と重なる開口部が形成されている付記６５～９９のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0503】

（付記１０１）
前記導電部材は、互いに離間して対向配置された第１導電部および第２導電部を有し、
前記開口部は、前記第１導電部と前記第２導電部との間の隙間を含む付記１００に記載のテラヘルツ装置。

【0504】

（付記１０２）
前記開口部は、
前記第１導電部における前記対向方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成され、前記隙間と連通している第１パーツ開口部と、
前記第２導電部における前記対向方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成され、前記隙間と連通している第２パーツ開口部と、
を有している付記１０１に記載のテラヘルツ装置。

【0505】

（付記１０３）
前記第１導電部は、前記テラヘルツ素子と電気的に接続するための第１接続部を有し、
前記第１接続部は、前記第１パーツ開口部の内壁面である第１内壁面から前記テラヘルツ素子に向けて突出しており、
前記第２導電部は、前記テラヘルツ素子と電気的に接続するための第２接続部を有し、
前記第２接続部は、前記第２パーツ開口部の内壁面である第２内壁面から前記テラヘルツ素子に向けて突出している付記１０２に記載のテラヘルツ装置。

【0506】

（付記１０４）
前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと、前記第１接続部とを接続する第１ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第１内壁面からの前記第１接続部の突出寸法は、前記第１ワイヤの長さよりも短い付記１０３に記載のテラヘルツ装置。

【0507】

（付記１０５）
前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと、前記第２接続部とを接続する第２ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第２内壁面からの前記第２接続部の突出寸法は、前記第２ワイヤの長さよりも短い付記１０４に記載のテラヘルツ装置。

【0508】

（付記１０６）
前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと、前記第１接続部とを接続する第１ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第１ワイヤの長さは、前記第１内壁面からの前記第１接続部の突出寸法よりも短い付記１０３に記載のテラヘルツ装置。

【0509】

（付記１０７）
前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと、前記第２接続部とを接続する第２ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第２ワイヤの長さは、前記第２内壁面からの前記第２接続部の突出寸法よりも短い付記１０６に記載のテラヘルツ装置。

【0510】

（付記１０８）
前記第１接続部と前記第２接続部とは、前記テラヘルツ素子を介して対向配置されている付記１０３～１０７のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0511】

（付記１０９）
前記第１接続部と前記第２接続部とは、平行に並んで配列されている付記１０３～１０７のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0512】

（付記１１０）
前記導電部材は、リードフレームによって構成されており、
前記基材は、前記リードフレームに取り付けられている付記９６～１０９のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0513】

（付記１１１）
前記基材は、前記リードフレームの厚さよりも薄い板状である付記１１０に記載のテラヘルツ装置。

【0514】

（付記１１２）
前記基材は、支持基板であり、
前記導電部材は、前記支持基板に形成された配線パターンを含む付記９６～１０９のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0515】

（付記１１３）
前記基材としてのリードフレームを備え、
前記リードフレームは、
前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付ベースと、
前記取付ベースと繋がる部分であって、前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと第１ワイヤを介して電気的に接続される第１接続部と、
前記第１接続部とは絶縁され、前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと第２ワイヤを介して電気的に接続される第２接続部と、
を備えている付記７５に記載のテラヘルツ装置。

【0516】

（付記１１４）
前記基材は、
前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面と、
前記取付主面とは反対側の取付裏面と、
を有し、
前記アンテナベースは、前記取付裏面側に設けられており、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜とは前記基材を介して対向している付記７５に記載のテラヘルツ装置。

【0517】

（付記１１５）
前記アンテナベースは、前記テラヘルツ素子から離れる方向に凸となるように湾曲した凸レンズ状であり、
前記アンテナ面は、前記アンテナベースのレンズ面に対応する付記７５に記載のテラヘルツ装置。

【0518】

（付記１１６）
前記基材は、
前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面と、
前記取付主面とは反対側の取付裏面と、
を有し、
前記アンテナベースは、前記基材における前記取付裏面側に設けられており、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜とは、前記基材および前記アンテナベースを介して対向している付記１１５に記載のテラヘルツ装置。

【0519】

（付記１１７）
基材と、
前記基材に取り付けられ、電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、
前記アンテナ面に形成され、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、
外部との電気的接続に用いられる電極と、
を備え、
前記電極は、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記アンテナベースに対して側方に突出しているテラヘルツ装置。

【0520】

（付記１１８）
前記電極は、前記テラヘルツ装置の前記対向方向の中央部よりも前記基材側に偏倚して配置されている付記１１７に記載のテラヘルツ装置。

【0521】

（付記１１９）
前記電極は、リードフレームによって構成されている付記１１７または付記１１８に記載のテラヘルツ装置。

【0522】

（付記１２０）
前記電極は、前記アンテナベースから離れるに従って前記基材とは離れる方向に傾斜した傾斜部を含む付記１１９に記載のテラヘルツ装置。

【0523】

（付記１２１）
前記電極はクランク形状である付記１１９または付記１２０に記載のテラヘルツ装置。
（付記１２２）
前記基材は支持基板であり、
前記支持基板は、前記対向方向から見て前記アンテナベースよりも側方にはみ出している延出部を有し、
前記電極は、前記延出部に形成された配線パターンによって構成されている付記１１７または付記１１８に記載のテラヘルツ装置。

【0524】

（付記１２３）
前記基材は、前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面と、前記取付主面とは反対側の取付裏面と、を有し、
前記テラヘルツ装置は、
前記取付主面において前記電極とは離間した位置に形成された配線パターンであって、前記テラヘルツ素子と接続された接続パターンと、
前記取付裏面に形成された配線パターンである裏面パターンと、
前記支持基板を貫通することにより、前記接続パターンおよび前記電極と、前記裏面パターンとを接続するスルービアと、
を有し、
前記対向方向から見て、前記反射膜の端は、前記接続パターンと前記電極との間に離間して配置されている付記１２２に記載のテラヘルツ装置。

【0525】

（付記１２４）
前記テラヘルツ素子は、
電磁波を受信する受信点を有する素子主面と、
前記素子主面とは反対側の素子裏面と、
を有し、
前記反射膜は、前記素子裏面よりも前記素子主面側に配置されている付記１１７～１２３のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0526】

（付記１２５）
前記テラヘルツ素子は、前記受信点に対して開口角度の範囲に亘る電磁波を受信するものであり、
前記反射膜は、前記受信点に対して前記開口角度以上の角度に亘って形成されている付記１２４に記載のテラヘルツ装置。

【0527】

（付記１２６）
前記反射膜はパラポラアンテナ形状である付記１２４または付記１２５に記載のテラヘルツ装置。

【0528】

（付記１２７）
前記反射膜は、当該反射膜の焦点が前記受信点に位置するように配置されている付記１２６に記載のテラヘルツ装置。

【0529】

（付記１２８）
前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記反射膜の中心点と前記受信点とが一致している付記１２６に記載のテラヘルツ装置。

【0530】

（付記１２９）
前記反射膜は、前記テラヘルツ素子が受信する電磁波が共振するように、当該電磁波の周波数に対応する位置に配置されている付記１２６～１２８のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0531】

（付記１３０）
前記テラヘルツ素子は、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て、前記反射膜の中心点と前記受信点とがずれた位置に配置されている付記１２６に記載のテラヘルツ装置。

【0532】

（付記１３１）
前記反射膜は、電気的にフローティング状態である付記１１７～１３０のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0533】

（付記１３２）
前記アンテナベースは絶縁性材料によって形成されている付記１１７～１３１のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0534】

（付記１３３）
前記基材は、前記反射膜と対向する位置に設けられ、電磁波が透過する材料によって形成されている付記１１７～１３２のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0535】

（付記１３４）
前記基材は誘電体によって形成されている付記１３３に記載のテラヘルツ装置。
（付記１３５）
前記基材は、前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面を有し、
前記アンテナベースは、
前記取付主面と対向するベース主面と、
前記ベース主面から凹んだものであって前記アンテナ面を有する凹部と、
を備え、
前記テラヘルツ素子および前記反射膜は、前記取付主面と前記アンテナ面とによって区画された収容空間内に配置されている付記１１７～１３４のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0536】

（付記１３６）
前記反射膜は、前記アンテナ面に形成されている一方、前記ベース主面には形成されていない付記１３５に記載のテラヘルツ装置。

【0537】

（付記１３７）
前記アンテナベースは、前記凹部とは別に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して並列接続された保護ダイオードが収容される収容凹部を備えている付記１３５または付記１３６に記載のテラヘルツ装置。

【0538】

（付記１３８）
前記取付主面に設けられ、前記テラヘルツ素子と接続される導電部材と、
前記アンテナベースと前記導電部材との間に設けられ、前記アンテナベースと前記導電部材とを接着させる接着層と、
を備え、
前記接着層は、絶縁性材料で形成されており、前記反射膜と前記導電部材との間に介在している付記１３５～１３７のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0539】

（付記１３９）
前記接着層とは別に前記反射膜と前記導電部材との間に設けられた絶縁性のスペーサを備えている付記１３８に記載のテラヘルツ装置。

【0540】

（付記１４０）
前記凹部は、前記アンテナ面よりも拡径した拡径面と、前記アンテナ面と前記拡径面との間に形成された段差面と、を有し、
前記反射膜は、前記アンテナ面と前記段差面とに亘って形成されている付記１３８または付記１３９に記載のテラヘルツ装置。

【0541】

（付記１４１）
前記基材は、前記取付主面とは反対側の取付裏面を有し、
前記テラヘルツ装置は、前記取付裏面のうち前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て前記導電部材と重なる部分の少なくとも一部に形成され、電磁波の反射を低減させる反射低減膜を備えている付記１３８～１４０のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0542】

（付記１４２）
前記基材には、前記テラヘルツ素子と接続される導電部材が設けられ、
前記導電部材には、前記基材と前記アンテナベースとの対向方向から見て前記反射膜の少なくとも一部と重なる開口部が形成されている付記１１７～１４１のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0543】

（付記１４３）
前記導電部材は、互いに離間して対向配置された第１導電部および第２導電部を有し、
前記開口部は、前記第１導電部と前記第２導電部との間の隙間を含む付記１４２に記載のテラヘルツ装置。

【0544】

（付記１４４）
前記開口部は、
前記第１導電部における前記対向方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成され、前記隙間と連通している第１パーツ開口部と、
前記第２導電部における前記対向方向から見て前記反射膜と重なる部分に形成され、前記隙間と連通している第２パーツ開口部と、
を有している付記１４３に記載のテラヘルツ装置。

【0545】

（付記１４５）
前記第１導電部は、前記テラヘルツ素子と電気的に接続するための第１接続部を有し、
前記第１接続部は、前記第１パーツ開口部の内壁面である第１内壁面から前記テラヘルツ素子に向けて突出しており、
前記第２導電部は、前記テラヘルツ素子と電気的に接続するための第２接続部を有し、
前記第２接続部は、前記第２パーツ開口部の内壁面である第２内壁面から前記テラヘルツ素子に向けて突出している付記１４４に記載のテラヘルツ装置。

【0546】

（付記１４６）
前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと、前記第１接続部とを接続する第１ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第１内壁面からの前記第１接続部の突出寸法は、前記第１ワイヤの長さよりも短い付記１４５に記載のテラヘルツ装置。

【0547】

（付記１４７）
前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと、前記第２接続部とを接続する第２ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第２内壁面からの前記第２接続部の突出寸法は、前記第２ワイヤの長さよりも短い付記１４６に記載のテラヘルツ装置。

【0548】

（付記１４８）
前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと、前記第１接続部とを接続する第１ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第１ワイヤの長さは、前記第１内壁面からの前記第１接続部の突出寸法よりも短い付記１４５に記載のテラヘルツ装置。

【0549】

（付記１４９）
前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと、前記第２接続部とを接続する第２ワイヤを有し、
前記対向方向から見て、前記第２ワイヤの長さは、前記第２内壁面からの前記第２接続部の突出寸法よりも短い付記１４８に記載のテラヘルツ装置。

【0550】

（付記１５０）
前記第１接続部と前記第２接続部とは、前記テラヘルツ素子を介して対向配置されている付記１４５～１４９のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0551】

（付記１５１）
前記第１接続部と前記第２接続部とは、平行に並んで配列されている付記１４５～１４９のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0552】

（付記１５２）
前記導電部材は、リードフレームによって構成されており、
前記基材は、前記リードフレームに取り付けられている付記１３８～１５１のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0553】

（付記１５３）
前記基材は、前記リードフレームの厚さよりも薄い板状である付記１５２に記載のテラヘルツ装置。

【0554】

（付記１５４）
前記基材は、支持基板であり、
前記導電部材は、前記支持基板に形成された配線パターンを含む付記１３８～１５１のうちいずれか一項に記載のテラヘルツ装置。

【0555】

（付記１５５）
前記基材としてのリードフレームを備え、
前記リードフレームは、
前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付ベースと、
前記取付ベースと繋がる部分であって、前記テラヘルツ素子に形成された第１パッドと第１ワイヤを介して電気的に接続される第１接続部と、
前記第１接続部とは絶縁され、前記テラヘルツ素子に形成された第２パッドと第２ワイヤを介して電気的に接続される第２接続部と、
を備えている付記１１７に記載のテラヘルツ装置。

【0556】

（付記１５６）
前記基材は、
前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面と、
前記取付主面とは反対側の取付裏面と、
を有し、
前記アンテナベースは、前記取付裏面側に設けられており、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜とは前記基材を介して対向している付記１１７に記載のテラヘルツ装置。

【0557】

（付記１５７）
前記アンテナベースは、前記テラヘルツ素子から離れる方向に凸となるように湾曲した凸レンズ状であり、
前記アンテナ面は、前記アンテナベースのレンズ面に対応する付記１１７に記載のテラヘルツ装置。

【0558】

（付記１５８）
前記基材は、
前記テラヘルツ素子が取り付けられる取付主面と、
前記取付主面とは反対側の取付裏面と、
を有し、
前記アンテナベースは、前記基材における前記取付裏面側に設けられており、
前記テラヘルツ素子と前記反射膜とは、前記基材および前記アンテナベースを介して対向している付記１５７に記載のテラヘルツ装置。

【0559】

（付記１５９）
前記アンテナベースは、前記凹部とは別に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して電気的に接続された特定素子が収容される収容凹部を備えていてもよい。

【0560】

（付記１６０）
前記特定素子はＩＣであるとよい。
（付記１６１）
基材と、
前記基材に取り付けられ、電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、
前記アンテナ面に形成され、前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の少なくとも一部を一方向に向けて反射させる反射膜と、を備えているテラヘルツ装置。

【0561】

（付記１６２）
基材と、
前記基材に取り付けられ、電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、
前記アンテナ面に形成され、入射された電磁波を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射膜と、を備えているテラヘルツ装置。

【0562】

（付記１６３）
電磁波を発生させるテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子に対して対向しかつ前記テラヘルツ素子から発生した電磁波の少なくとも一部を反射する反射部を有する基材と、
前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、
前記アンテナ面に形成され、前記反射部によって反射された電磁波の少なくとも一部を一方向に向けて反射させる反射膜と、を備えているテラヘルツ装置。

【0563】

（付記１６４）
電磁波を受信するテラヘルツ素子と、
前記テラヘルツ素子に対して対向する位置に設けられ、入射された電磁波の少なくとも一部を前記テラヘルツ素子に向けて反射させる反射部を有する基材と、
前記基材と対向する位置に設けられ、アンテナ面を有するアンテナベースと、
前記アンテナ面に形成され、入射された電磁波の少なくとも一部を前記反射部に向けて反射させる反射膜と、を備えているテラヘルツ装置。

【0564】

（付記１６５）
前記アンテナベースは、前記凹部とは別に設けられ、前記テラヘルツ素子に対して電気的に接続された特定素子が収容される収容凹部を備えていてもよい。

【0565】

（付記１６６）
前記テラヘルツ素子に電気的に接続された状態で、前記取付裏面に実装された特定素子を備えていてもよい。

【0566】

（付記１６７）
前記特定素子は、ＩＣであるとよい。

【符号の説明】

【0567】

１０…テラヘルツ装置
１１…取付板（基材）
１２…取付主面
１３…取付裏面
２０…テラヘルツ素子
２１…素子主面
２２…素子裏面
３３ｂ…第１パッド
３４ｂ…第２パッド
５０…アンテナベース
５０ａ…ベース主面
５０ｂ…ベース裏面
５１ａ…第１ベース側面
５１ｂ…第２ベース側面
５２…凹部
５３…アンテナ面
５４，２２３，２２４…反射膜
５４ａ…反射膜の端
６０…リードフレーム
６１…第１リードパーツ
６３…第１パーツ開口部
６４…第１内壁面
６５，２１１…第１接続部
７１…第２リードパーツ
７３…第２パーツ開口部
７４…第２内壁面
７５，２１２…第２接続部
８０…開口部
８１…隙間
９０…接着層
９４，１０１，３０４，３０５…電極
９４ａ，１０１ａ…基端部
９４ｂ，１０１ｂ…屈曲部
９４ｃ，１０１ｃ…先端部
９５，１０２…側面電極
９３，１０３…裏面電極
１１０…回路基板
１２０…反射低減膜
１３１，１３２…保護ダイオード
１４１，１４２…収容凹部
２００…スペーサ
２１０…取付ベース
２２１…拡径面
２２２…段差面
３００…反射部
３０１…反射用凸部
Ａ１…収容空間
Ｐ１…発振点
Ｐ２…反射膜の中心点
Ｗ１…第１ワイヤ
Ｗ２…第２ワイヤ
θ…開口角度
１５３…取付主面
１５４…取付裏面
２３０…アンテナベース
２３１…アンテナ面
２３３，２８３，２９０…反射膜
１７０…接着層
９１，１７１，１９２，２４２…第１電極（電極）
９２，１７２，２０２，２５２…第２電極（電極）
９１ａ，９２ａ…傾斜部
１１６…孔
１８０，２２０…反射低減膜
１５０…支持基板（基材）
１５１，１５２…延出部
１６０…配線パターン
１９１，２０１，２４１，２５１…接続パターン
１９３，２０３…裏面パターン
１９４，１９５，２０４，２０５…スルービア
２６０…スペーサ
２７０…取付ベース
２８１…拡径面
２８２…段差面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36】

【図37】

【図38】

【図39】

【図40】

【図41】

【図42】

【図43】

【図44】

【図45】

【図46】

【図47】

【図48】

【図49】

【図50】

【図51】

【図52】

【図53】

【図54】

【図55】

【図56】

【図57】

【図58】

【図59】

【図60】

【図61】

【図62】

【図63】

【図64】

【図65】

【図66】

【図67】

【図68】

【図69】

【図70】

【図71】

【図72】

【図73】

【図74】

【図75】

【図76】

【図77】

【図78】

【図79】

【図80】

【図81】

【図82】

【図83】

【図84】

【図85】