(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-25
(45)【発行日】2024-11-05
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 23/36 20060101AFI20241028BHJP
H01L 25/07 20060101ALI20241028BHJP
H01L 25/18 20230101ALI20241028BHJP
【ＦＩ】
H01L23/36 D
H01L25/04 C
【請求項の数】
23
(21)【出願番号】P 2021573030
(86)(22)【出願日】2020-12-24
(86)【国際出願番号】 JP2020048436
(87)【国際公開番号】W WO2021149452
(87)【国際公開日】2021-07-29
【審査請求日】2023-10-26
(31)【優先権主張番号】P 2020007272
(32)【優先日】2020-01-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】神田 沢水
【審査官】豊島 洋介
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０２４０７３１（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１６－０３９２０６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－１７９２２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－２０４００６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１７０６０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－３０３９００（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ２３／２９
Ｈ０１Ｌ２３／３４ －２３／３６
Ｈ０１Ｌ２３／３７３－２３／４２７
Ｈ０１Ｌ２３／４４
Ｈ０１Ｌ２３／４６７－２３／４７３
Ｈ０１Ｌ２５／００ －２５／０７
Ｈ０１Ｌ２５／１０ －２５／１１
Ｈ０１Ｌ２５／１６ －２５／１８
Ｈ０２Ｍ ７／４２ － ７／９８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚さ方向において互いに反対側を向く第１絶縁主面および第１絶縁裏面を有しており、前記第１絶縁裏面が露出した第１絶縁部材と、前記第１絶縁主面上に設けられた第１駆動導電層と、
前記第１駆動導電層に搭載された第１半導体素子と、
前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２絶縁主面および第２絶縁裏面を有しており、前記第２絶縁裏面が露出し、前記第２絶縁主面が前記第１絶縁主面と前記厚さ方向において対向するように前記第１絶縁部材に対して前記厚さ方向に離間して配置された第２絶縁部材と、
前記第２絶縁主面上に設けられた第２駆動導電層と、
前記第２駆動導電層に搭載された第２半導体素子と、
前記第１絶縁部材および前記第１駆動導電層のうちの少なくとも一方と、前記第２絶縁部材および前記第２駆動導電層のうちの少なくとも一方との間に伝熱経路を形成する接続部材と、
前記第１半導体素子、前記第２半導体素子および前記接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記接続部材の熱伝導率は、前記封止樹脂の熱伝導率よりも高く、
前記第１半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第１素子主面および第１素子裏面を有しており、前記第１素子裏面が前記第１駆動導電層と前記厚さ方向に対向するように配置されており、
前記第１素子裏面には、第１裏面側駆動電極が設けられており、
前記第１素子主面には、第１主面側駆動電極が設けられており、
前記第２半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２素子主面および第２素子裏面を有しており、前記第２素子裏面が前記第２駆動導電層と前記厚さ方向に対向するように配置されており、
前記第２素子裏面には、第２裏面側駆動電極が設けられており、
前記第２素子主面には、第２主面側駆動電極が設けられており、
前記第１駆動導電層は、第１駆動配線および第２駆動配線を有しており、
前記第１半導体素子は、前記第１裏面側駆動電極が前記第１駆動配線に電気的に接続されるように前記第１駆動配線に搭載されており、
前記接続部材は、電気絶縁性を有する材料からなり、前記第１駆動導電層と前記第２駆動導電層とを接続している
半導体装置。
【請求項2】
前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第１半導体素子よりも前記第２半導体素子の近くに配置されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第２半導体素子は、前記第２裏面側駆動電極が前記第２駆動導電層に電気的に接続されるように前記第２駆動導電層に搭載されており、前記厚さ方向において前記第２半導体素子と前記第２駆動配線とが互いに離間した状態で対向しており、
前記第２半導体素子と前記第２駆動配線との間には、前記第２主面側駆動電極と前記第２駆動配線とを電気的に接続する第２接続層が設けられている
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記厚さ方向において前記第１半導体素子と前記第２駆動導電層とが互いに離間した状態で対向しており、前記第１半導体素子と前記第２駆動導電層との間には、前記第１主面側駆動電極と前記第２駆動導電層とを電気的に接続する第１接続層が設けられている
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子はそれぞれ、複数個設けられており、前記厚さ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向を第１方向および第２方向とすると、
前記複数の第１半導体素子は、前記第１方向において互いに同じ位置で前記第２方向において互いに離間して配列されており、
前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において互いに同じ位置で前記第２方向において互いに離間して配列されており、
前記複数の第１半導体素子および前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において互いに離間して配置されており、
前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第２方向に向けて延びている
請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記接続部材は、前記第１方向から視て、前記複数の第２半導体素子の全てと重なるように配置されている請求項５に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記接続部材は、前記第１方向において前記複数の第２半導体素子の全てと隣り合うように配置されている請求項６に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第１方向における前記接続部材の大きさは、前記第１方向における前記第２半導体素子の大きさよりも小さい請求項５～７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項9】
厚さ方向において互いに反対側を向く第１絶縁主面および第１絶縁裏面を有しており、前記第１絶縁裏面が露出した第１絶縁部材と、
前記第１絶縁主面上に設けられた第１駆動導電層と、
前記第１駆動導電層に搭載された第１半導体素子と、
前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２絶縁主面および第２絶縁裏面を有しており、前記第２絶縁裏面が露出し、前記第２絶縁主面が前記第１絶縁主面と前記厚さ方向において対向するように前記第１絶縁部材に対して前記厚さ方向に離間して配置された第２絶縁部材と、
前記第２絶縁主面上に設けられた第２駆動導電層と、
前記第２駆動導電層に搭載された第２半導体素子と、
前記第１絶縁部材および前記第１駆動導電層のうちの少なくとも一方と、前記第２絶縁部材および前記第２駆動導電層のうちの少なくとも一方との間に伝熱経路を形成する接続部材と、
前記第１半導体素子、前記第２半導体素子および前記接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記接続部材の熱伝導率は、前記封止樹脂の熱伝導率よりも高く、
前記第１半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第１素子主面および第１素子裏面を有しており、前記第１素子裏面が前記第１駆動導電層と前記厚さ方向に対向するように配置されており、
前記第１素子裏面には、第１裏面側駆動電極が設けられており、
前記第１素子主面には、第１主面側駆動電極が設けられており、
前記第２半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２素子主面および第２素子裏面を有しており、前記第２素子裏面が前記第２駆動導電層と前記厚さ方向に対向するように配置されており、
前記第２素子裏面には、第２裏面側駆動電極が設けられており、
前記第２素子主面には、第２主面側駆動電極が設けられており、
前記第１駆動導電層は、第１駆動配線および第２駆動配線を有しており、
前記第１半導体素子は、前記第１裏面側駆動電極が前記第１駆動配線に電気的に接続されるように前記第１駆動配線に搭載されており、
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子はそれぞれ、複数個設けられており、
前記厚さ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向を第１方向および第２方向とすると、
前記複数の第１半導体素子は、前記第１方向において互いに同じ位置で前記第２方向において互いに離間して配列されており、
前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において互いに同じ位置で前記第２方向において互いに離間して配列されており、
前記複数の第１半導体素子および前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において互いに離間して配置されており、
前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第２方向に向けて延びており、
前記接続部材は、前記複数の第２半導体素子のうち前記第２方向の両端の第２半導体素子の一方を前記第２方向から取り囲む部分を有している
半導体装置。
【請求項10】
厚さ方向において互いに反対側を向く第１絶縁主面および第１絶縁裏面を有しており、前記第１絶縁裏面が露出した第１絶縁部材と、
前記第１絶縁主面上に設けられた第１駆動導電層と、
前記第１駆動導電層に搭載された第１半導体素子と、
前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２絶縁主面および第２絶縁裏面を有しており、前記第２絶縁裏面が露出し、前記第２絶縁主面が前記第１絶縁主面と前記厚さ方向において対向するように前記第１絶縁部材に対して前記厚さ方向に離間して配置された第２絶縁部材と、
前記第２絶縁主面上に設けられた第２駆動導電層と、
前記第２駆動導電層に搭載された第２半導体素子と、
前記第１絶縁部材および前記第１駆動導電層のうちの少なくとも一方と、前記第２絶縁部材および前記第２駆動導電層のうちの少なくとも一方との間に伝熱経路を形成する接続部材と、
前記第１半導体素子、前記第２半導体素子および前記接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記接続部材の熱伝導率は、前記封止樹脂の熱伝導率よりも高く、
前記第１半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第１素子主面および第１素子裏面を有しており、前記第１素子裏面が前記第１駆動導電層と前記厚さ方向に対向するように配置されており、
前記第１素子裏面には、第１裏面側駆動電極が設けられており、
前記第１素子主面には、第１主面側駆動電極が設けられており、
前記第２半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２素子主面および第２素子裏面を有しており、前記第２素子裏面が前記第２駆動導電層と前記厚さ方向に対向するように配置されており、
前記第２素子裏面には、第２裏面側駆動電極が設けられており、
前記第２素子主面には、第２主面側駆動電極が設けられており、
前記第１駆動導電層は、第１駆動配線および第２駆動配線を有しており、
前記第１半導体素子は、前記第１裏面側駆動電極が前記第１駆動配線に電気的に接続されるように前記第１駆動配線に搭載されており、
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子はそれぞれ、複数個設けられており、
前記厚さ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向を第１方向および第２方向とすると、
前記複数の第１半導体素子は、前記第１方向において互いに同じ位置で前記第２方向において互いに離間して配列されており、
前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において互いに同じ位置で前記第２方向において互いに離間して配列されており、
前記複数の第１半導体素子および前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において互いに離間して配置されており、
前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第２方向に向けて延びており、
前記接続部材は、前記複数の第２半導体素子のうち前記第２方向において隣り合う第２半導体素子の間に位置する部分を有している
半導体装置。
【請求項11】
前記接続部材は、前記複数の第２半導体素子のうち前記第２方向の両端の第２半導体素子の一方を前記第２方向から取り囲む部分を有している
請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記接続部材は、前記第２駆動導電層と接続している
請求項９～１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第１半導体素子よりも前記第２半導体素子の近くに配置されている
請求項９～１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記第２半導体素子は、前記第２裏面側駆動電極が前記第２駆動導電層に電気的に接続されるように前記第２駆動導電層に搭載されており、
前記厚さ方向において前記第２半導体素子と前記第２駆動配線とが互いに離間した状態で対向しており、
前記第２半導体素子と前記第２駆動配線との間には、前記第２主面側駆動電極と前記第２駆動配線とを電気的に接続する第２接続層が設けられている
請求項９～１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記厚さ方向において前記第１半導体素子と前記第２駆動導電層とが互いに離間した状態で対向しており、
前記第１半導体素子と前記第２駆動導電層との間には、前記第１主面側駆動電極と前記第２駆動導電層とを電気的に接続する第１接続層が設けられている
請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項16】
前記接続部材は、電気絶縁性を有する材料からなり、前記第１駆動導電層と前記第２駆動導電層とを接続している
請求項９～１５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項17】
前記接続部材は、前記第１方向から視て、前記複数の第２半導体素子の全てと重なるように配置されている
請求項９～１６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項18】
前記接続部材は、前記第１方向において前記複数の第２半導体素子の全てと隣り合うように配置されている
請求項９～１７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項19】
前記第１方向における前記接続部材の大きさは、前記第１方向における前記第２半導体素子の大きさよりも小さい
請求項９～１８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項20】
前記接続部材は、スプリング材を含む請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項21】
前記接続部材は、１または複数の柱状のスプリングプローブを含む請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項22】
前記第２絶縁主面上に設けられた制御導電層を有しており、前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第２半導体素子に対して前記制御導電層とは反対側に配置されている
請求項１～２１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項23】
前記第１絶縁部材および前記第２絶縁部材はそれぞれ、セラミックスからなる請求項１～２２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の一例として、第１絶縁部材上に設けられた第１半導体素子と、第１半導体素子よりも上方に配置された第２絶縁部材と、第２絶縁部材上に設けられた第２半導体素子と、を備えた両面放熱構造の半導体装置が知られている（たとえば特許文献１参照）。この半導体装置は、第１絶縁部材に第１冷却器が取り付けられており、第２絶縁部材に第２冷却器が取り付けられた構成である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１０－９７９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、搭載場所の状態によっては、上記半導体装置は、第１冷却器と第２冷却器のいずれか一方、たとえば第２冷却器が省略された状態で使用される場合がある。この場合、第１半導体素子から第１冷却器までの熱抵抗と、第２半導体素子から第１冷却器までの熱抵抗との差が大きくなる。その結果、半導体装置の駆動時において第１半導体素子および第２半導体素子のうち熱抵抗が高い方の温度が高くなるため、半導体装置の性能を十分に発揮できないおそれがある。
【0005】
本開示の目的は、第１半導体素子から冷却器までの熱抵抗と第２半導体素子から冷却器までの熱抵抗との差の増加を抑制できる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決する半導体装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く第１絶縁主面および第１絶縁裏面を有しており、前記第１絶縁裏面が露出した第１絶縁部材と、前記第１絶縁主面上に設けられた第１駆動導電層と、前記第１駆動導電層に搭載された第１半導体素子と、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２絶縁主面および第２絶縁裏面を有しており、前記第２絶縁裏面が露出し、前記第２絶縁主面が前記第１絶縁主面と前記厚さ方向において対向するように前記第１絶縁部材に対して前記厚さ方向に離間して配置された第２絶縁部材と、前記第２絶縁主面上に設けられた第２駆動導電層と、前記第２駆動導電層に搭載された第２半導体素子と、前記第１絶縁部材および前記第１駆動導電層のうちの少なくとも一方と、前記第２絶縁部材および前記第２駆動導電層のうちの少なくとも一方との間に伝熱経路を形成する接続部材と、前記第１半導体素子、前記第２半導体素子および前記接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、前記接続部材の熱伝導率は、前記封止樹脂の熱伝導率よりも高い。
【0007】
この構成によれば、接続部材を介して第２半導体素子から冷却器までの伝熱経路が形成されるため、第２半導体素子が搭載される第２絶縁部材に冷却器が取り付けられていない場合に第１半導体素子から冷却器までの熱抵抗と第２半導体素子から冷却器までの熱抵抗との差の増加を抑制できる。
【発明の効果】
【0008】
上記半導体装置によれば、第１半導体素子から冷却器までの熱抵抗と第２半導体素子から冷却器までの熱抵抗との差の増加を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本実施形態の半導体装置の斜視図。
【図6】本実施形態の半導体装置の第１半導体ユニットの平面図。
【図7】本実施形態の半導体装置の第２半導体ユニットの平面図。
【図9】本実施形態の半導体装置の回路図。
【図10】比較例の半導体装置の断面図。
【図11】変更例の半導体装置の断面図。
【図12】変更例の半導体装置の第２半導体ユニットの平面図。
【図13】変更例の半導体装置の第２半導体ユニットの平面図。
【図14】変更例の半導体装置の第２半導体ユニットの平面図。
【図15】変更例の半導体装置の第２半導体ユニットの平面図。
【図16】変更例の半導体装置の第２半導体ユニットの平面図。
【図17】変更例の半導体装置の第２半導体ユニットの平面図。
【図18】変更例の半導体装置の断面図。
【図19】変更例の半導体装置の断面図。
【図20】変更例の半導体装置の断面図。
【図21】変更例の半導体装置の断面図。
【図22】変更例の半導体装置の第１半導体ユニットの平面図。
【図23】変更例の半導体装置の断面図。
【図24】変更例の半導体装置の第２半導体ユニットの平面図。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、半導体装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。また、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。また断面図では、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。
【0011】
図１～図９を参照して、本実施形態の半導体装置１の構成について説明する。なお、便宜上、図６において、後述する冷却器２００を省略して示している。また便宜上、図６および図７において、後述する封止樹脂７０を省略して示している。
【0012】
また、以降の説明において、半導体装置１の平面視において、互いに直交する２方向をそれぞれｘ方向およびｙ方向とし、ｘ方向およびｙ方向と直交する方向をｚ方向とする。ここで、ｚ方向は厚さ方向の一例であり、ｙ方向は第１方向の一例であり、ｘ方向は第２方向の一例である。
【0013】
図１～図８に示すように、半導体装置１は、複数（本実施形態では４個）の第１半導体素子５０Ａおよび複数（本実施形態では４個）の第２半導体素子５０Ｂを封止樹脂７０によって封止した構成である。図１～図５に示すように、半導体装置１が冷却器２００に取り付けられることによって各第１半導体素子５０Ａ（図６参照）および各第２半導体素子５０Ｂ（図７参照）のそれぞれの熱が冷却器２００に移動する。
【0014】
封止樹脂７０は、電気絶縁性を有する樹脂材料からなり、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。封止樹脂７０は、直方体状であり、樹脂側面７１～７４と、第１樹脂主面７５Ａおよび第２樹脂主面７５Ｂと、を有している。
【0015】
樹脂側面７１および樹脂側面７２は、ｙ方向において互いに反対側を向いている。ｚ方向から視て、樹脂側面７１，７２はそれぞれ、ｘ方向に沿って延びている。樹脂側面７３および樹脂側面７４は、ｘ方向において互いに反対側を向いている。ｚ方向から視て、樹脂側面７３，７４はそれぞれ、ｙ方向に沿って延びている。第１樹脂主面７５Ａおよび第２樹脂主面７５Ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。本実施形態では、第１樹脂主面７５Ａには、冷却器２００が取り付けられている。このため、第２樹脂主面７５Ｂは、ｚ方向において冷却器２００とは反対側の面となる。
【0016】
図１～図５に示すように、半導体装置１は、封止樹脂７０から突出する複数の端子８０を備えている。複数の端子８０は、それぞれ金属板からなり、たとえばＣｕ（銅）からなる。複数の端子８０は、第１入力端子８１、第２入力端子８２、出力端子８３、第１制御用端子８４Ａ、第１検出用端子８５Ａ、第２制御用端子８４Ｂおよび第２検出用端子８５Ｂを有している。第１入力端子８１、第２入力端子８２および出力端子８３はそれぞれ、樹脂側面７１からｙ方向に向けて突出している。第１制御用端子８４Ａ、第１検出用端子８５Ａ、第２制御用端子８４Ｂおよび第２検出用端子８５Ｂはそれぞれ、樹脂側面７２からｙ方向に向けて突出している。換言すると、第１入力端子８１、第２入力端子８２および出力端子８３と、第１制御用端子８４Ａ、第１検出用端子８５Ａ、第２制御用端子８４Ｂおよび第２検出用端子８５Ｂとは、ｙ方向において封止樹脂７０の互いに反対側から突出している。
【0017】
第１入力端子８１、第２入力端子８２および出力端子８３は、ｚ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。各端子８１～８３は、ｚ方向を厚さ方向とする平板状に形成されている。
【0018】
第１制御用端子８４Ａ、第１検出用端子８５Ａ、第２制御用端子８４Ｂおよび第２検出用端子８５Ｂは、ｚ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。第１制御用端子８４Ａおよび第１検出用端子８５Ａは、ｚ方向から視て、樹脂側面７４寄りに配置されている。第２制御用端子８４Ｂおよび第２検出用端子８５Ｂは、ｚ方向から視て、樹脂側面７３寄りに配置されている。各端子８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂは、ｙ方向に延びる四角柱状に形成されている。
【0019】
図８に示すように、半導体装置１は、第１半導体ユニット１Ａおよび第２半導体ユニット１Ｂを備えている。半導体装置１は、第１半導体ユニット１Ａと第２半導体ユニット１Ｂとがｚ方向において対向する構成である。封止樹脂７０は、ｚ方向において第１半導体ユニット１Ａと第２半導体ユニット１Ｂとの間に充填されており、第１半導体ユニット１Ａおよび第２半導体ユニット１Ｂをｘ方向およびｙ方向から取り囲むように構成されている。つまり、第１半導体ユニット１Ａの一部および第２半導体ユニット１Ｂの一部はそれぞれ、封止樹脂７０からｚ方向において露出している。
【0020】
図６および図８に示すように、第１半導体ユニット１Ａは、第１絶縁部材１０Ａ、第１駆動導電層２０Ａ、制御導電層４０Ａ、複数（本実施形態では４個）の第１半導体素子５０Ａを備えている。第１半導体ユニット１Ａは、封止樹脂７０のｚ方向の両端部のうち第１樹脂主面７５Ａに近い方の端部に配置されている。つまり、ｚ方向において、第１半導体ユニット１Ａは、第２半導体ユニット１Ｂよりも冷却器２００の近くに配置されている。
【0021】
第１絶縁部材１０Ａは、ｚ方向を厚さ方向とする平板状に形成された電気絶縁性を有する基板である。ｚ方向から視た第１絶縁部材１０Ａの形状は、矩形状である。第１絶縁部材１０Ａは、ｚ方向において互いに反対側を向く第１絶縁主面１０Ａｓおよび第１絶縁裏面１０Ａｒを有している。第１絶縁主面１０Ａｓは、ｚ方向において冷却器２００とは反対側を向いている。すなわち第１絶縁主面１０Ａｓは、封止樹脂７０の第２樹脂主面７５Ｂと同じ側を向いている。第１絶縁裏面１０Ａｒは、ｚ方向において冷却器２００に向いている。すなわち第１絶縁裏面１０Ａｒは、封止樹脂７０の第１樹脂主面７５Ａと同じ側を向いている。図８に示すように、第１半導体ユニット１Ａの第１絶縁部材１０Ａの第１絶縁裏面１０Ａｒは、封止樹脂７０の第１樹脂主面７５Ａからｚ方向において露出している。本実施形態では、第１絶縁裏面１０Ａｒは、第１樹脂主面７５Ａと面一である。第１絶縁裏面１０Ａｒには、冷却器２００が取り付けられている。
【0022】
なお、第１樹脂主面７５Ａに対する第１絶縁裏面１０Ａｒのｚ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、第１絶縁裏面１０Ａｒは、第１樹脂主面７５Ａよりもｚ方向に突出するように設けられてもよい。この場合、冷却器２００は、第１絶縁裏面１０Ａｒに取り付けられる。すなわち、冷却器２００と第１樹脂主面７５Ａとのｚ方向の間には空隙が形成される。
【0023】
図６に示すように、第１絶縁部材１０Ａは、絶縁側面１１Ａ～１４Ａを有している。絶縁側面１１Ａおよび絶縁側面１２Ａは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。ｚ方向から視て、絶縁側面１１Ａ，１２Ａはそれぞれ、ｘ方向に延びている。絶縁側面１１Ａは封止樹脂７０の樹脂側面７１と同じ側を向いており、絶縁側面１２Ａは封止樹脂７０の樹脂側面７２と同じ側を向いている。絶縁側面１３Ａおよび絶縁側面１４Ａは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。ｚ方向から視て、絶縁側面１３Ａ，１４Ａはそれぞれ、ｙ方向に延びている。絶縁側面１３Ａは封止樹脂７０の樹脂側面７３と同じ側を向いており、絶縁側面１４Ａは封止樹脂７０の樹脂側面７４と同じ側を向いている。
【0024】
第１駆動導電層２０Ａおよび制御導電層４０Ａはそれぞれ、第１絶縁部材１０Ａの第１絶縁主面１０Ａｓ上に形成されている。各導電層２０Ａ，４０Ａは、たとえばＣｕからなる。第１駆動導電層２０Ａおよび制御導電層４０Ｂは、第１絶縁主面１０Ａｓにおいて互いに離間して配置されている。
【0025】
第１駆動導電層２０Ａは、第１駆動配線２１および第２駆動配線２２を有している。第１駆動配線２１および第２駆動配線２２は、第１絶縁主面１０Ａｓにおいて互いに離間して配置されている。
【0026】
第１駆動配線２１は、第１絶縁主面１０Ａｓのうちｙ方向において絶縁側面１１Ａの近く、かつｘ方向において絶縁側面１４Ａの近くに配置されている。ｚ方向から視た第１駆動導電層２０Ａの形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。
【0027】
第１駆動配線２１には、第１入力端子８１が接続されている。より詳細には、第１駆動配線２１上には、はんだやＡｇペースト等の第１導電性接合材（図示略）が形成されている。第１導電性接合材上には、導電性の接続層（図示略）が搭載されている。接続層上には、はんだやＡｇペースト等の第２導電性接合材（図示略）が形成されている。第２導電性接合材上には、第１入力端子８１が搭載されている。このように、第１入力端子８１は、各導電性接合材および接続層を介して第１駆動導電層２０Ａと電気的に接続されている。ここで、接続層は、たとえば金属材料からなり、本実施形態では、Ｃｕからなる。接続層の一例は、柱状に形成されている。接続層は、たとえば四角柱である。なお、接続層の形状はこれに限られず、円柱、三角柱等の四角柱以外の多角柱であってもよい。
【0028】
また、第１駆動配線２１には、複数の第１半導体素子５０Ａが搭載されている。複数の第１半導体素子５０Ａは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。ここで、複数の第１半導体素子５０Ａのｙ方向のずれ量の最大値が第１半導体素子５０Ａのｙ方向の寸法の１０％以内であれば、複数の第１半導体素子５０Ａは、ｙ方向において互いに同じ位置にあるといえる。
【0029】
本実施形態では、各第１半導体素子５０Ａは、第１駆動配線２１のｙ方向の中央に配置されている。なお、第１駆動配線２１における各第１半導体素子５０Ａの配置位置は任意に変更可能である。一例では、各第１半導体素子５０Ａは、第１駆動配線２１のｙ方向の中央よりも絶縁側面１２Ａ寄りに配置されていてもよい。
【0030】
各第１半導体素子５０Ａは、スイッチング素子であり、たとえば、Ｓｉ（ケイ素）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、または、ＧａＮ（窒化ガリウム）やＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、あるいはＧａ２Ｏ３（酸化ガリウム）などからなるトランジスタが用いられる。各第１半導体素子５０ＡがＳｉＣからなる場合、スイッチングの高速化に適している。本実施形態では、各第１半導体素子５０Ａは、ＳｉＣからなるＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）が用いられている。なお、各第１半導体素子５０Ａは、ＭＯＳＦＥＴに限定されず、ＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor FET）を含む電界効果トランジスタ、または、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を含むバイポーラトランジスタなどのトランジスタであってもよい。各第１半導体素子５０Ａは、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴに代えて、Ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴとしてもよい。
【0031】
図８に示すように、第１半導体素子５０Ａは、ｚ方向において第２半導体素子５０Ｂよりも第１絶縁部材１０Ａ寄りに配置されている。換言すると、第１半導体素子５０Ａは、第１絶縁部材１０Ａと第２絶縁部材１０Ｂとのｚ方向の間のうち第２絶縁部材１０Ｂよりも第１絶縁部材１０Ａの近くに配置されている。第１半導体素子５０Ａは、ｚ方向において互いに反対側を向く第１素子主面５０Ａｓおよび第１素子裏面５０Ａｒを有している。第１素子主面５０Ａｓは、第１絶縁主面１０Ａｓと同じ側を向いている。換言すると、第１素子主面５０Ａｓは、第２樹脂主面７５Ｂと同じ側を向いている。第１素子裏面５０Ａｒは、第１絶縁裏面１０Ａｒと同じ側を向いている。換言すると、第１素子裏面５０Ａｒは、第１樹脂主面７５Ａと同じ側を向いている。第１絶縁裏面１０Ａｒには、第１裏面側駆動電極の一例であるドレイン電極５１Ａが形成されている。第１素子主面５０Ａｓには、第１主面側駆動電極の一例であるソース電極５２Ａと、ゲート電極５３Ａとが形成されている。各第１半導体素子５０Ａの第１素子裏面５０Ａｒは、はんだやＡｇペースト等の導電性接合材ＪＡによって第１駆動導電層２０Ａに接合されている。これにより、各第１半導体素子５０Ａのドレイン電極５１Ａは、第１駆動導電層２０Ａと電気的に接続されている。
【0032】
第２駆動配線２２は、第１駆動配線２１を絶縁側面１３Ａの近くおよび絶縁側面１２Ａの近くから取り囲むように形成されている。ｚ方向から視た第２駆動配線２２の形状は、Ｌ字状である。第２駆動配線２２は、ｘ方向に延びる主配線部２２ａと、主配線部２２ａからｙ方向に延びる接続配線部２２ｂと、を有している。本実施形態では、主配線部２２ａおよび接続配線部２２ｂは、一体的に形成された単一部材である。
【0033】
主配線部２２ａは、ｙ方向において第１駆動配線２１よりも絶縁側面１２Ａの近くに配置されている。ｚ方向から視た主配線部２２ａの形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。主配線部２２ａは、ｙ方向から視て、第１駆動配線２１と重なる部分を有している。一方、主配線部２２ａおよび第１駆動配線２１は、ｘ方向において互いにずれている。より詳細には、主配線部２２ａは、ｘ方向において第１駆動配線２１よりも絶縁側面１３Ａ寄りにはみ出す部分を有している。第１駆動配線２１は、ｘ方向において主配線部２２ａよりも絶縁側面１４Ａ寄りにはみ出す部分を有している。
【0034】
接続配線部２２ｂは、主配線部２２ａのｘ方向の両端部のうち絶縁側面１３Ａの近くの端部から絶縁側面１１Ａに向けて延びている。ｚ方向から視た接続配線部２２ｂの形状は、ｙ方向が長辺方向となり、ｘ方向が短辺方向となる矩形状である。接続配線部２２ｂは、第１駆動配線２１よりも絶縁側面１４Ａの近くに配置されており、ｘ方向から視て第１駆動配線２１と重なるように配置されている。
【0035】
接続配線部２２ｂには、第２入力端子８２が接続されている。図示されていないが、接続配線部２２ｂと第２入力端子８２との接続構造は、第１駆動導電層２０Ａと第１入力端子８１との接続構造と同じである。
【0036】
制御導電層４０Ａは、制御用配線４１Ａおよび検出用配線４２Ａを有している。制御用配線４１Ａおよび検出用配線４２Ａは、第１絶縁主面１０Ａｓにおいて互いに離間して配置されている。制御用配線４１Ａおよび検出用配線４２Ａはそれぞれ、第２駆動配線２２の主配線部２２ａを絶縁側面１１Ａ、絶縁側面１４Ａおよび絶縁側面１２Ａから取り囲むように形成されている。ｚ方向から視た制御用配線４１Ａおよび検出用配線４２Ａのそれぞれの形状は、略Ｕ字状である。検出用配線４２Ａは、制御用配線４１Ａよりも第２駆動配線２２の主配線部２２ａの近くに配置されている。換言すると、制御用配線４１Ａは、検出用配線４２Ａを絶縁側面１１Ａ、絶縁側面１４Ａおよび絶縁側面１２Ａから取り囲むように形成されている。
【0037】
制御用配線４１Ａには、第１制御用端子８４Ａが接続されている。検出用配線４２Ａには、第１検出用端子８５Ａが接続されている。図示されていないが、制御用配線４１Ａと第１制御用端子８４Ａとの接合構造、および、検出用配線４２Ａと第１検出用端子８５Ａとの接合構造はそれぞれ、第１駆動導電層２０Ａと第１入力端子８１との接続構造と同じである。ｚ方向から視て、第１制御用端子８４Ａは、第１検出用端子８５Ａよりも絶縁側面１４Ａの近くに配置されている。なお、ｚ方向から視た第１制御用端子８４Ａおよび第１検出用端子８５Ａの配置位置は任意に変更可能である。一例では、ｚ方向から視て、第１検出用端子８５Ａは、第１制御用端子８４Ａよりも絶縁側面１４Ａの近くに配置されていてもよい。
【0038】
図６に示すように、第１半導体ユニット１Ａは、各第１半導体素子５０Ａのソース電極５２Ａと検出用配線４２Ａとを接続するワイヤＷ１と、各第１半導体素子５０Ａのゲート電極５３Ａと制御用配線４１Ａとを接続するワイヤＷ２と、を有している。ワイヤＷ１，Ｗ２はそれぞれ、たとえばＡｕ（金）からなる。なお、ワイヤＷ１，Ｗ２はそれぞれ、ＣｕまたはＡｌ（アルミニウム）からなる構成であってもよい。これにより、各第１半導体素子５０Ａのソース電極５２Ａと検出用配線４２ＡとがワイヤＷ２を介して電気的に接続されている。各第１半導体素子５０Ａのゲート電極５３Ａと制御用配線４１ＡとがワイヤＷ１を介して電気的に接続されている。
【0039】
図７および図８に示すように、第２半導体ユニット１Ｂは、第２絶縁部材１０Ｂ、第２駆動導電層２０Ｂ、制御導電層４０Ｂ、複数（本実施形態では４個）の第２半導体素子５０Ｂおよび第２接続層６０Ｂを備えている。第２半導体ユニット１Ｂは、封止樹脂７０のｚ方向の両端部のうち第２樹脂主面７５Ｂに近い方の端部に配置されている。つまり、第２半導体ユニット１Ｂは、冷却器２００から遠い位置に配置されている。
【0040】
第２絶縁部材１０Ｂは、ｚ方向を厚さ方向とする平板状に形成された電気絶縁性を有する基板である。第２絶縁部材１０Ｂは、ｚ方向において第１絶縁部材１０Ａと離間した状態でｚ方向において第１絶縁部材１０Ａと対向するように配置されている。ｚ方向から視た第２絶縁部材１０Ｂの形状は、矩形状である。第２絶縁部材１０Ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向く第２絶縁主面１０Ｂｓおよび第２絶縁裏面１０Ｂｒを有している。第２絶縁裏面１０Ｂｒは、ｚ方向において冷却器２００とは反対側を向いている。すなわち第２絶縁裏面１０Ｂｒは、封止樹脂７０の第２樹脂主面７５Ｂと同じ側を向いている。図８に示すように、第２半導体ユニット１Ｂの第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁裏面１０Ｂｒは、封止樹脂７０の第２樹脂主面７５Ｂからｚ方向において露出している。本実施形態では、第２絶縁裏面１０Ｂｒは、第２樹脂主面７５Ｂと面一である。第２絶縁主面１０Ｂｓは、ｚ方向において冷却器２００に向いている。すなわち第２絶縁主面１０Ｂｓは、封止樹脂７０の第１樹脂主面７５Ａと同じ側を向いている。また、第２絶縁主面１０Ｂｓは、第１絶縁部材１０Ａの第１絶縁主面１０Ａｓとｚ方向に対向するように配置されているともいえる。
【0041】
なお、第２樹脂主面７５Ｂに対する第２絶縁裏面１０Ｂｒのｚ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、第２絶縁裏面１０Ｂｒは、第２樹脂主面７５Ｂからｚ方向に突出するように設けられてもよい。
【0042】
また、第２絶縁部材１０Ｂは、絶縁側面１１Ｂ～１４Ｂを有している。絶縁側面１１Ｂおよび絶縁側面１２Ｂは、ｙ方向において互いに反対側を向いている。ｚ方向から視て、絶縁側面１１Ｂ，１２Ｂはそれぞれ、ｘ方向に延びている。絶縁側面１１Ｂは封止樹脂７０の樹脂側面７１と同じ側を向いており、絶縁側面１２Ｂは封止樹脂７０の樹脂側面７２と同じ側を向いている。このため、絶縁側面１１Ｂは第１絶縁部材１０Ａの絶縁側面１１Ａと同じ側を向いており、絶縁側面１２Ｂは第１絶縁部材１０Ａの絶縁側面１２Ａと同じ側を向いている。絶縁側面１３Ｂおよび絶縁側面１４Ｂは、ｘ方向において互いに反対側を向いている。ｚ方向から視て、絶縁側面１３Ｂ，１４Ｂはそれぞれ、ｙ方向に延びている。絶縁側面１３Ｂは封止樹脂７０の樹脂側面７３と同じ側を向いており、絶縁側面１４Ｂは封止樹脂７０の樹脂側面７４と同じ側を向いている。このため、絶縁側面１３Ｂは第１絶縁部材１０Ａの絶縁側面１３Ａと同じ側を向いており、絶縁側面１４Ｂは第１絶縁部材１０Ａの絶縁側面１４Ａと同じ側を向いている。
【0043】
第２駆動導電層２０Ｂおよび制御導電層４０Ｂはそれぞれ、第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁主面１０Ｂｓ上に形成されている。各導電層２０Ｂ，４０Ｂは、たとえばＣｕからなる。第２駆動導電層２０Ｂおよび制御導電層４０Ｂは、第２絶縁主面１０Ｂｓにおいて互いに離間して配置されている。
【0044】
第２駆動導電層２０Ｂは、第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁主面１０Ｂｓのうちｙ方向における絶縁側面１１Ｂ寄りに配置されている。第２駆動導電層２０Ｂは、第２絶縁主面１０Ｂｓのうち大部分にわたり形成されている。ｚ方向から視た第２駆動導電層２０Ｂの形状は、矩形状である。
【0045】
第２駆動導電層２０Ｂには、出力端子８３が接続されている。第２駆動導電層２０Ｂと出力端子８３との接続構造は、第１駆動導電層２０Ａと第１入力端子８１との接続構造と同じである。すなわち、図８に示すように、第２駆動導電層２０Ｂ上には、はんだやＡｇペースト等の第１導電性接合材ＪＥ１が形成されている。第１導電性接合材ＪＥ１上には、導電性の接続層３０が搭載されている。接続層３０上には、はんだやＡｇペースト等の第２導電性接合材ＪＥ２が形成されている。第２導電性接合材ＪＥ２上には、出力端子８３が搭載されている。このように、出力端子８３は、各導電性接合材ＪＥ１，ＪＥ２および接続層３０を介して第２駆動導電層２０Ｂと電気的に接続されている。ここで、接続層３０は、たとえば金属材料からなり、本実施形態では、Ｃｕからなる。接続層３０の一例は、柱状に形成されている。接続層３０は、たとえば四角柱である。なお、接続層３０の形状はこれに限られず、円柱、三角柱等の四角柱以外の多角柱であってもよい。
【0046】
図７に示すように、第２駆動導電層２０Ｂには、複数の第２半導体素子５０Ｂが搭載されている。本実施形態では、各第２半導体素子５０Ｂは、第２駆動導電層２０Ｂのうち絶縁側面１２Ｂ寄りかつ絶縁側面１３Ｂ寄りに配置されている。具体的には、各第２半導体素子５０Ｂは、第２駆動導電層２０Ｂのうちｚ方向において第１半導体ユニット１Ａの第２駆動配線２２の主配線部２２ａと対向する領域Ｒ内に配置されている。
【0047】
複数の第２半導体素子５０Ｂは、ｙ方向において互いに同じ位置でｘ方向において互いに離間して配列されている。ここで、複数の第２半導体素子５０Ｂのｙ方向のずれ量の最大値が第２半導体素子５０Ｂのｙ方向の寸法の１０％以内であれば、複数の第２半導体素子５０Ｂは、ｙ方向において互いに同じ位置にあるといえる。図６～図８に示すように、第２半導体素子５０Ｂは、ｙ方向において第１半導体素子５０Ａと離間して配置されている。ｚ方向から視て、複数の第１半導体素子５０Ａと複数の第２半導体素子５０Ｂとはｘ方向において互いにずれている。複数の第１半導体素子５０Ａは、複数の第２半導体素子５０Ｂに対して樹脂側面７４寄りにずれて配置されている。ｙ方向からみて、各第１半導体素子５０Ａと各第２半導体素子５０Ｂとは、一部が重なるように配置されている。
【0048】
各第２半導体素子５０Ｂは、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、または、ＧａＮやＧａＡｓ、あるいはＧａ２Ｏ３などからなるトランジスタが用いられる。各第２半導体素子５０ＢがＳｉＣからなる場合、スイッチングの高速化に適している。本実施形態では、各第２半導体素子５０Ｂは、ＳｉＣからなるＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴが用いられている。なお、各第２半導体素子５０Ｂは、ＭＯＳＦＥＴに限定されず、ＭＩＳＦＥＴを含む電界効果トランジスタ、または、ＩＧＢＴを含むバイポーラトランジスタなどのトランジスタであってもよい。各第２半導体素子５０Ｂは、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴに代えて、Ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴとしてもよい。
【0049】
図８に示すように、第２半導体素子５０Ｂは、ｚ方向において第１半導体素子５０Ａよりも第２絶縁部材１０Ｂ寄りに配置されている。換言すると、第２半導体素子５０Ｂは、第１絶縁部材１０Ａと第２絶縁部材１０Ｂとのｚ方向の間のうち第１絶縁部材１０Ａよりも第２絶縁部材１０Ｂの近くに配置されている。第２半導体素子５０Ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向く第２素子主面５０Ｂｓおよび第２素子裏面５０Ｂｒを有している。第２素子主面５０Ｂｓは、第２絶縁主面１０Ｂｓと同じ側を向いている。換言すると、第２素子主面５０Ｂｓは、第１樹脂主面７５Ａと同じ側を向いている。第２素子裏面５０Ｂｒは、第２絶縁裏面１０Ｂｒと同じ側を向いている。換言すると、第２素子裏面５０Ｂｒは、第２樹脂主面７５Ｂと同じ側を向いている。図８に示すとおり、ｚ方向において第２半導体素子５０Ｂの配置方向は、第１半導体素子５０Ａの配置方向と逆向きとなる。第２絶縁裏面１０Ｂｒには、第２裏面側駆動電極の一例であるドレイン電極５１Ｂが形成されている。第２素子主面５０Ｂｓには、第２主面側駆動電極の一例であるソース電極５２Ｂと、ゲート電極５３Ｂとが形成されている。各第２半導体素子５０Ｂの第２素子裏面５０Ｂｒは、はんだやＡｇペースト等の導電性接合材ＪＢによって第２駆動導電層２０Ｂに接合されている。これにより、各第２半導体素子５０Ｂのドレイン電極５１Ｂは、第２駆動導電層２０Ｂと電気的に接続されている。
【0050】
図７に示すように、制御導電層４０Ｂは、第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁主面１０Ｂｓのうちｙ方向における第２駆動導電層２０Ｂと絶縁側面１２Ｂとの間に配置されている。制御導電層４０Ｂは、制御用配線４１Ｂおよび検出用配線４２Ｂを有している。ｚ方向から視た制御用配線４１Ｂおよび検出用配線４２Ｂの形状はそれぞれ、ｘ方向に延びる細帯状である。制御用配線４１Ｂおよび検出用配線４２Ｂは、ｘ方向において互いに同じ位置でｙ方向において互いに離間して配列されている。制御用配線４１Ｂは、検出用配線４２Ｂよりも第２駆動導電層２０Ｂの近くに配置されている。
【0051】
制御用配線４１Ｂには、第２制御用端子８４Ｂが接続されている。検出用配線４２Ｂには、第２検出用端子８５Ｂが接続されている。図示されていないが、制御用配線４１Ｂと第２制御用端子８４Ｂとの接合構造、および、検出用配線４２Ｂと第２検出用端子８５Ｂとの接合構造はそれぞれ、第１駆動導電層２０Ａと第１入力端子８１との接続構造と同じである。ｚ方向から視て、第２検出用端子８５Ｂは、第２制御用端子８４Ｂよりも絶縁側面１３Ａの近くに配置されている。なお、ｚ方向から視て、第２制御用端子８４Ｂおよび第２検出用端子８５Ｂの配置位置は任意に変更可能である。一例では、ｚ方向から視て、第２制御用端子８４Ｂは、第２検出用端子８５Ｂよりも絶縁側面１３Ａの近くに配置されていてもよい。
【0052】
図７に示すように、第２半導体ユニット１Ｂは、各第２半導体素子５０Ｂのソース電極５２Ｂと検出用配線４２Ｂとを接続するワイヤＷ３と、各第２半導体素子５０Ｂのゲート電極５３Ｂと制御用配線４１Ｂとを接続するワイヤＷ４と、を有している。ワイヤＷ３，Ｗ４はそれぞれ、たとえばＡｕからなる。なお、ワイヤＷ３，Ｗ４はそれぞれ、ＣｕまたはＡｌからなる構成であってもよい。これにより、各第２半導体素子５０Ｂのソース電極５２Ｂと検出用配線４２Ｂとが電気的に接続されている。各第２半導体素子５０Ｂのゲート電極５３Ｂと制御用配線４１Ｂとが電気的に接続されている。
【0053】
図８に示すように、複数の第１半導体素子５０Ａのソース電極５２Ａはそれぞれ、第２半導体ユニット１Ｂの第２駆動導電層２０Ｂと電気的に接続されている。より詳細には、ソース電極５２Ａ上には、はんだやＡｇペースト等の第１導電性接合材ＪＡ１が配置されている。第１導電性接合材ＪＡ１上には、導電性の第１接続層６０Ａが載置されている。第２駆動配線２２において第１接続層６０Ａとｚ方向に対向する部分には、はんだやＡｇペースト等の第２導電性接合材ＪＡ２が配置されている。第２導電性接合材ＪＡ２は、第１接続層６０Ａと接触している。すなわち、第１接続層６０Ａは、各導電性接合材ＪＡ１，ＪＡ２によってソース電極５２Ａと第２駆動導電層２０Ｂとに接合されている。このように、ソース電極５２Ａと第２駆動導電層２０Ｂとは、各導電性接合材ＪＡ１，ＪＡ２および第１接続層６０Ａを介して電気的に接続されている。
【0054】
第１接続層６０Ａは、たとえば金属材料からなり、本実施形態ではＣｕからなる。第１接続層６０Ａの一例は、柱状に形成されている。第１接続層６０Ａは、たとえば四角柱である。なお、第１接続層６０Ａの形状はこれに限られず、円柱、三角柱等の四角柱以外の多角柱であってもよい。図８に示すとおり、本実施形態では、第１接続層６０Ａの厚さ（第１接続層６０Ａのｚ方向の寸法）は、第１半導体素子５０Ａの厚さ（第１半導体素子５０Ａのｚ方向の寸法）よりも厚い。
【0055】
図８に示すように、複数の第２半導体素子５０Ｂのソース電極５２Ｂはそれぞれ、第１半導体ユニット１Ａの第１駆動導電層２０Ａの第２駆動配線２２と電気的に接続されている。より詳細には、ソース電極５２Ｂ上には、はんだやＡｇペースト等の第１導電性接合材ＪＢ１が配置されている。第１導電性接合材ＪＢ１上には、導電性の第２接続層６０Ｂが載置されている。第２駆動配線２２において第２接続層６０Ｂとｚ方向に対向する部分には、はんだやＡｇペースト等の第２導電性接合材ＪＢ２が配置されている。第２導電性接合材ＪＢ２は、第２接続層６０Ｂと接触している。すなわち、第２接続層６０Ｂは、各導電性接合材ＪＢ１，ＪＢ２によってソース電極５２Ｂと第２駆動配線２２とに接合されている。このように、ソース電極５２Ｂと第２駆動配線２２とは、各導電性接合材ＪＢ１，ＪＢ２および第２接続層６０Ｂを介して電気的に接続されている。
【0056】
第２接続層６０Ｂは、たとえば金属材料からなり、本実施形態ではＣｕからなる。第２接続層６０Ｂの一例は、柱状に形成されている。第２接続層６０Ｂは、たとえば四角柱である。なお、第２接続層６０Ｂの形状はこれに限られず、円柱、三角柱等の四角柱以外の多角柱であってもよい。図８に示すとおり、本実施形態では、第２接続層６０Ｂの厚さ（第２接続層６０Ｂのｚ方向の寸法）は、第２半導体素子５０Ｂの厚さ（第２半導体素子５０Ｂのｚ方向の寸法）よりも厚い。
【0057】
なお、第１接続層６０Ａおよび第２接続層６０Ｂの厚さはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第１接続層６０Ａの厚さは、第１半導体素子５０Ａの厚さ以下であってもよい。第２接続層６０Ｂの厚さは、第２半導体素子５０Ｂの厚さ以下であってもよい。
【0058】
このような構成の半導体装置１の回路構成は、互いに並列接続された４個の第１半導体素子５０Ａと、互いに並列接続された４個の第２半導体素子５０Ｂとが直列接続されたハーフブリッジ型のインバータ回路である。図９は、半導体装置１のインバータ回路の一例を示している。図９では、便宜上、互いに並列接続された４個の第１半導体素子５０Ａを１つの第１半導体素子５０Ａとして示し、互いに並列接続された４個の第２半導体素子５０Ｂを１つの第２半導体素子５０Ｂとして示している。
【0059】
図９に示すように、第１半導体素子５０Ａのドレイン電極５１Ａは、第１入力端子８１に電気的に接続されている。第１半導体素子５０Ａのソース電極５２Ａは、第２半導体素子５０Ｂのドレイン電極５１Ｂと電気的に接続されている。第１半導体素子５０Ａのソース電極５２Ａと第２半導体素子５０Ｂのドレイン電極５１ＢとのノードＮには、出力端子８３が接続されている。第２半導体素子５０Ｂのソース電極５２Ｂは、第２入力端子８２に電気的に接続されている。
【0060】
第１半導体素子５０Ａのゲート電極５３Ａは、第１制御用端子８４Ａに接続されている。第２半導体素子５０Ｂのゲート電極５３Ｂは、第２制御用端子８４Ｂに接続されている。第１半導体素子５０Ａのソース電極５２ＡとノードＮとの間のノードＮＡには、第１検出用端子８５Ａが接続されている。第２半導体素子５０Ｂのソース電極５２Ｂと第２入力端子８２との間のノードＮＢには、第２検出用端子８５Ｂが接続されている。
【0061】
【0062】
図８に示すように、半導体装置１は、第１駆動導電層２０Ａと第２駆動導電層２０Ｂとを接続する接続部材９０を備えている。本実施形態では、接続部材９０は、たとえば接着剤（図示略）によって第１駆動導電層２０Ａと第２駆動導電層２０Ｂとのそれぞれに接合されている。
【0063】
接続部材９０の熱伝導率は、封止樹脂７０の熱伝導率よりも高い。また接続部材９０の熱伝導率は、空気の熱伝導率よりも高い。接続部材９０の熱伝導率は、１０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。接続部材９０は、電気絶縁性を有する材料からなり、たとえばＳｉ、またはアルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックスのような放熱性に優れた材料からなる。本実施形態では、接続部材９０は、セラミックスからなる。接続部材９０は、冷却器２００が取り付けられていない半導体ユニットの半導体素子（本実施形態では、第２半導体ユニット１Ｂの各第２半導体素子５０Ｂ）の放熱を補助するための部材である。本実施形態では、接続部材９０は、第１駆動導電層２０Ａの第２駆動配線２２と、第２駆動導電層２０Ｂとの間に伝熱経路を形成している。
【0064】
接続部材９０は、ｙ方向において第２半導体素子５０Ｂに対して制御導電層４０Ｂとは反対側に配置されている。本実施形態では、接続部材９０は、ｙ方向において第１半導体素子５０Ａと第２半導体素子５０Ｂとの間に配置されている。より詳細には、接続部材９０は、ｙ方向において第１半導体素子５０Ａよりも第２半導体素子５０Ｂの近くに配置されている。接続部材９０は、ｙ方向において第２半導体素子５０Ｂと隣り合う位置に配置されている。図７に示すように、接続部材９０は、領域Ｒ内に配置されている。
【0065】
図７に示すように、接続部材９０は、全ての第２半導体素子５０Ｂとｙ方向に対向するようにｘ方向に延びている。つまり、接続部材９０は、ｙ方向において全ての第２半導体素子５０Ｂと隣り合うように配置されている。ｚ方向から視た接続部材９０の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。接続部材９０のｙ方向の大きさは、第２半導体素子５０Ｂのｙ方向の大きさよりも小さい。図７および図８に示すように、本実施形態の接続部材９０は、ｙ方向を厚さ方向とする平板状のブロックからなる。
【0066】
【0067】
図１０は、比較例の半導体装置１Ｘの断面構造を示している。比較例の半導体装置１Ｘは、本実施形態の半導体装置１から接続部材９０を省略した構成である。このため、比較例の半導体装置１Ｘにおいて、半導体装置１と共通する構成要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
【0068】
半導体装置１Ｘにおいて各第１半導体素子５０Ａおよび各第２半導体素子５０Ｂが駆動する場合、各第１半導体素子５０Ａおよび各第２半導体素子５０Ｂは発熱する。第１半導体ユニット１Ａの第１絶縁部材１０Ａには冷却器２００が取り付けられているため、各第１半導体素子５０Ａの熱は、図１０の矢印ＹＸ１に示すとおり、導電性接合材ＪＡ、第１駆動導電層２０Ａの第１駆動配線２１および第１絶縁部材１０Ａを介して冷却器２００に移動する。また、第２半導体ユニット１Ｂの第２絶縁部材１０Ｂに冷却器２００が取り付けられていないため、各第２半導体素子５０Ｂの熱は、図１０の矢印ＹＸ２に示すとおり、第１導電性接合材ＪＢ１、第２接続層６０Ｂ、第２導電性接合材ＪＢ２、第１駆動導電層２０Ａの第２駆動配線２２および第１絶縁部材１０Ａを介して冷却器２００に移動する。このように、各第２半導体素子５０Ｂから冷却器２００までの熱抵抗は、各第１半導体素子５０Ａから冷却器２００までの熱抵抗よりも高くなる。その結果、各第２半導体素子５０Ｂは、各第１半導体素子５０Ａよりも放熱しにくくなり、各第１半導体素子５０Ａよりも温度が高くなりやすい。
【0069】
一方、本実施形態の半導体装置１において各第１半導体素子５０Ａおよび各第２半導体素子５０Ｂが駆動する場合、各第１半導体素子５０Ａの熱は、図８の矢印Ｙ１に示すとおり、導電性接合材ＪＡ、第１駆動導電層２０Ａの第１駆動配線２１および第１絶縁部材１０Ａを介して冷却器２００に移動する。
【0070】
また、各第２半導体素子５０Ｂの熱は、２つの伝熱経路を介して冷却器２００に移動する。より詳細には、各第２半導体素子５０Ｂの熱は、図８の矢印Ｙ２に示すとおり、第１導電性接合材ＪＢ１、第２接続層６０Ｂ、第２導電性接合材ＪＢ２、第１駆動導電層２０Ａの第２駆動配線２２および第１絶縁部材１０Ａを介して冷却器２００に移動する。また各第２半導体素子５０Ｂの熱は、図８の矢印Ｙ３に示すとおり、導電性接合材ＪＢ、第２駆動導電層２０Ｂ、接続部材９０、第１駆動導電層２０Ａの第２駆動配線２２および第１絶縁部材１０Ａを介して冷却器２００に移動する。このように、各第２半導体素子５０Ｂの熱が矢印Ｙ２の伝熱経路および矢印Ｙ３の伝熱経路の２つの経路を介して冷却器２００に移動するため、各第２半導体素子５０Ｂから冷却器２００までの熱抵抗と、各第１半導体素子５０Ａから冷却器２００までの熱抵抗との差の増加を抑制できる。これにより、各第２半導体素子５０Ｂは、各第１半導体素子５０Ａと同様の放熱性能を有し、各第１半導体素子５０Ａよりも温度が高くなりやすくなることを抑制できる。
【0071】
本実施形態の半導体装置１によれば、以下の効果が得られる。
【0072】
（１）半導体装置１は、第１駆動導電層２０Ａと第２駆動導電層２０Ｂとを接続している接続部材９０と、第１半導体素子５０Ａ、第２半導体素子５０Ｂおよび接続部材９０を封止する封止樹脂７０と、を備えている。接続部材９０は、各第２半導体素子５０Ｂから冷却器２００への伝熱経路を形成している。接続部材９０の熱伝導率は、封止樹脂７０の熱伝導率よりも高い。この構成によれば、第１半導体素子５０Ａよりも冷却器２００から遠い第２半導体素子５０Ｂと冷却器２００との伝熱経路を増やすことができるため、半導体装置１における第１半導体素子５０Ａから冷却器２００までの熱抵抗と第２半導体素子５０Ｂから冷却器２００までの熱抵抗との差の増加を抑制できる。したがって、第１半導体素子５０Ａおよび第２半導体素子５０Ｂが駆動しているときに、第２半導体素子５０Ｂの温度が第１半導体素子５０Ａの温度よりも高くなりすぎることを抑制できるため、半導体装置１の性能を十分に発揮できる。
【0073】
（２）たとえば、接続部材９０が第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁主面１０Ｂｓに接続される構成では、第２半導体素子５０Ｂの熱は、第２駆動導電層２０Ｂおよび第２絶縁部材１０Ｂに伝わり、再び第２駆動導電層２０Ｂに伝わって接続部材９０に移動する。このため、第２半導体素子５０Ｂから接続部材９０までの伝熱経路が長くなる。
【0074】
その点、本実施形態では、接続部材９０は、第２駆動導電層２０Ｂと接続している。この構成によれば、第２半導体素子５０Ｂの熱が第２駆動導電層２０Ｂから接続部材９０に伝わるため、伝熱経路が短くなる。したがって、第２半導体素子５０Ｂの熱が接続部材９０に伝わりやすくなる。
【0075】
（３）ｚ方向から視て、接続部材９０は、第１半導体素子５０Ａよりも第２半導体素子５０Ｂの近くに配置されている。この構成によれば、第１半導体素子５０Ａの熱よりも第２半導体素子５０Ｂの熱が接続部材９０に伝わりやすくなるため、第２半導体素子５０Ｂが第１半導体素子５０Ａよりも温度が高くなりやすくなることを抑制できる。
【0076】
（４）第２半導体素子５０Ｂの第２素子主面５０Ｂｓにはソース電極５２Ｂが形成されており、第２接続層６０Ｂを介して第１駆動導電層２０Ａの第２駆動配線２２と接続されている。この構成によれば、第２半導体素子５０Ｂの熱が第２接続層６０Ｂ、第２駆動配線２２および第１絶縁部材１０Ａを介して冷却器２００に移動する。したがって、第２半導体素子５０Ｂの温度が過度に高くなることを抑制できる。
【0077】
第１半導体素子５０Ａの第１素子主面５０Ａｓにはソース電極５２Ａが形成されており、第１接続層６０Ａを介して第２駆動導電層２０Ｂと接続されている。この構成によれば、第１半導体素子５０Ａの熱が第１接続層６０Ａ、第２駆動導電層２０Ｂおよび第２絶縁部材１０Ｂに伝わるため、第１半導体素子５０Ａの温度が過度に高くなることを抑制できる。
【0078】
（５）ｙ方向から視て、接続部材９０は、複数の第２半導体素子５０Ｂの全てと重なるように配置されている。この構成によれば、複数の第２半導体素子５０Ｂの熱がそれぞれ接続部材９０に移動するため、複数の第２半導体素子５０Ｂの温度のばらつきを抑制できる。
【0079】
（６）接続部材９０は、ｙ方向において複数の第２半導体素子５０Ｂの全て隣り合うように配置されている。この構成によれば、複数の第２半導体素子５０Ｂの熱がそれぞれ接続部材９０に移動しやすくなる。したがって、複数の第２半導体素子５０Ｂの温度がそれぞれ過度に高くなることを抑制できる。
【0080】
（７）接続部材９０が第２半導体素子５０Ｂと、第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁主面１０Ｂｓ上に形成された制御導電層４０Ｂとの間に配置された場合、第２半導体素子５０Ｂと制御用配線４１Ｂとを接続するワイヤＷ３と、第２半導体素子５０Ｂと検出用配線４２Ｂとを接続するワイヤＷ４とを接続部材９０を避けて形成する必要がある。このため、ワイヤＷ３，Ｗ４の長さが長くなったり、ワイヤＷ３，Ｗ４の形成が困難となったりする場合がある。
【0081】
その点、本実施形態では、接続部材９０は、制御導電層４０Ｂとは反対側に配置されている。この構成によれば、接続部材９０を避けるようにワイヤＷ３，Ｗ４を形成する必要がないため、ワイヤＷ３，Ｗ４を容易に形成できるとともにワイヤＷ３，Ｗ４のそれぞれの長さを短くすることができる。
【0082】
（８）第１絶縁部材１０Ａおよび第２絶縁部材１０Ｂはそれぞれ、セラミックスからなる。この構成によれば、各第１半導体素子５０Ａおよび各第２半導体素子５０Ｂの熱が第１絶縁部材１０Ａから冷却器２００に伝わりやすくなる。また各第１半導体素子５０Ａおよび各第２半導体素子５０Ｂの熱が第２絶縁部材１０Ｂを介して外部に放熱しやすくなる。
【0083】
（９）第１入力端子８１、第２入力端子８２、および出力端子８３はそれぞれ封止樹脂７０の樹脂側面７４から突出している。この構成によれば、半導体装置１を実装基板に実装し、実装基板にたとえばスナバ用コンデンサを設ける場合、半導体装置１とスナバ用コンデンサとを接続する配線を容易に形成できる。
【0084】
（１０）接続部材９０のｙ方向の大きさは、第２半導体素子５０Ｂのｙ方向の大きさよりも小さい。この構成によれば、第１駆動導電層２０Ａの第２駆動配線２２のｙ方向の大きさの増加を抑制できるため、半導体装置１のｙ方向の大型化を抑制できる。
【0085】
（変更例）
上記実施形態は本開示に関する半導体装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体装置は、上記実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または上記実施形態に新たな構成を付加した形態である。また、以下の各変更例は、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わせることができる。以下の各変更例において、上記実施形態と共通する部分については、上記実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
上記実施形態は本開示に関する半導体装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体装置は、上記実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または上記実施形態に新たな構成を付加した形態である。また、以下の各変更例は、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わせることができる。以下の各変更例において、上記実施形態と共通する部分については、上記実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0086】
・上記実施形態において、封止樹脂７０のｘ方向の大きさおよびｙ方向の大きさはそれぞれ任意に変更可能である。一例では、封止樹脂７０は、第１絶縁部材１０Ａの絶縁側面１１Ａ～１４Ａが露出するように形成されてもよい。封止樹脂７０は、第２絶縁部材１０Ｂの絶縁側面１１Ｂ～１４Ｂが露出するように形成されてもよい。
【0087】
・上記実施形態において、接続部材９０と第１駆動導電層２０Ａとの間の接着剤と、接続部材９０と第２駆動導電層２０Ｂとの間の接着剤との少なくとも一方を省略してもよい。たとえば接続部材９０と第１駆動導電層２０Ａとの間の接着剤を省略した場合、接続部材９０と第１駆動導電層２０Ａとは互いに接触している。またたとえば接続部材９０と第２駆動導電層２０Ｂとの間の接着剤を省略した場合、接続部材９０と第２駆動導電層２０Ｂとは互いに接触している。
【0088】
・上記実施形態において、接続部材９０のｙ方向の寸法は任意に変更可能である。一例では、図１１に示すように、接続部材９０のｙ方向の寸法を上記実施形態の接続部材９０のｙ方向の寸法よりも大きくしてもよい。この場合、各第２半導体素子５０Ｂは、第２駆動導電層２０Ｂのｙ方向の両端部のうち絶縁側面１２Ｂに近い方の端部に配置されている。これにより、領域Ｒ（図７参照）のうちｙ方向において接続部材９０が配置可能なスペースを拡大させることができる。これにより、接続部材９０のｙ方向の寸法を大きくしても、接続部材９０は、領域Ｒ内に収まっている。
【0089】
この構成によれば、接続部材９０の体積が大きくなるため、各第２半導体素子５０Ｂの熱が接続部材９０を介して冷却器２００に移動しやすくなる。したがって、各第２半導体素子５０Ｂの温度が各第１半導体素子５０Ａの温度よりも高くなりやすくなることを一層抑制できる。
【0090】
・上記実施形態において、接続部材９０のｘ方向の長さは任意に変更可能である。接続部材９０のｘ方向の長さは、ｙ方向において複数の第２半導体素子５０Ｂのうち一部の第２半導体素子５０Ｂと対向するような長さであってもよい。
【0091】
・上記実施形態において、ｚ方向から視た接続部材９０の形状は任意に変更可能である。ｚ方向から視た接続部材９０の形状は、たとえば次の（Ａ）～（Ｃ）のように変更してもよい。
【0092】
（Ａ）図１２に示すように、接続部材９０は、ｙ方向において全ての第２半導体素子５０Ｂと対向する主対向壁９１と、ｘ方向の両端に配置された第２半導体素子５０Ｂのそれぞれに対してｘ方向において対向する端部対向壁９２と、を有している。図示された例においては、接続部材９０は、主対向壁９１と端部対向壁９２とが一体に形成された単一部品である。主対向壁９１は、ｙ方向において第２半導体素子５０Ｂと隣り合う位置に配置されており、ｘ方向に沿って延びている。端部対向壁９２は、主対向壁９１のｘ方向の両端部からｙ方向に沿って延びている。端部対向壁９２は、ｘ方向の両端に配置された第２半導体素子５０Ｂのそれぞれとｘ方向に隣り合う位置に配置されている。図示された例においては、端部対向壁９２は、ｘ方向から視て、第２半導体素子５０Ｂの全てと重なるように設けられている。
【0093】
この構成によれば、端部対向壁９２が省略された接続部材９０と比較して、接続部材９０の体積が増加することによって、各第２半導体素子５０Ｂが駆動している場合において各第２半導体素子５０Ｂの熱が接続部材９０に移動しやすくなる。なお、図１２に示す変更例において、接続部材９０は、主対向壁９１と、２個の端部対向壁９２のうちの少なくとも１つとが分離した状態となるように構成されてもよい。
【0094】
（Ｂ）図１３に示すように、接続部材９０は、ｙ方向において全ての第２半導体素子５０Ｂと対向する主対向壁９１と、ｘ方向において隣り合う第２半導体素子５０Ｂの間に配置された複数（図示された例では３個）の中間対向壁９３と、を有している。図示された例においては、接続部材９０は、主対向壁９１と中間対向壁９３とが一体に形成された単一部品である。主対向壁９１は、ｙ方向において第２半導体素子５０Ｂと隣り合う位置に配置されており、ｘ方向に沿って延びている。各中間対向壁９３は、主対向壁９１からｙ方向に沿って延びている。各中間対向壁９３は、ｘ方向において第２半導体素子５０Ｂと対向している。各中間対向壁９３は、ｘ方向から視て、第２半導体素子５０Ｂの全てと重なるように設けられている。
【0095】
この構成によれば、中間対向壁９３が省略された接続部材９０と比較して、接続部材９０の体積が増加することによって、各第２半導体素子５０Ｂが駆動している場合において各第２半導体素子５０Ｂの熱が接続部材９０に移動しやすくなる。なお、図１３に示す変更例において、接続部材９０は、主対向壁９１と、３個の中間対向壁９３のうちの少なくとも１つとが分離した状態となるように構成されてもよい。
【0096】
（Ｃ）図１４に示すように、接続部材９０は、ｙ方向において全ての第２半導体素子５０Ｂと対向する主対向壁９１と、ｘ方向の両端に配置された第２半導体素子５０Ｂのそれぞれに対してｘ方向において対向する端部対向壁９２と、ｘ方向において隣り合う第２半導体素子５０Ｂの間に配置された中間対向壁９３と、を有している。図示された例においては、接続部材９０は、主対向壁９１と端部対向壁９２と中間対向壁９３とが一体に形成された単一部品である。主対向壁９１は、ｙ方向において第２半導体素子５０Ｂと隣り合う位置に配置されており、ｘ方向に沿って延びている。端部対向壁９２は、主対向壁９１のｘ方向の両端部からｙ方向に沿って延びている。端部対向壁９２は、ｘ方向の両端に配置された第２半導体素子５０Ｂのそれぞれとｘ方向に隣り合う位置に配置されている。図示された例においては、端部対向壁９２は、ｘ方向から視て、第２半導体素子５０Ｂの全てと重なるように設けられている。各中間対向壁９３は、主対向壁９１からｙ方向に沿って延びている。各中間対向壁９３は、ｘ方向において第２半導体素子５０Ｂと対向している。各中間対向壁９３は、ｘ方向から視て、第２半導体素子５０Ｂの全てと重なるように設けられている。
【0097】
この構成によれば、端部対向壁９２および中間対向壁９３の少なくとも一方が省略された接続部材９０と比較して、接続部材９０の体積が増加することによって、各第２半導体素子５０Ｂが駆動している場合において各第２半導体素子５０Ｂの熱が接続部材９０に移動しやすくなる。
【0098】
なお、図１４に示す変更例において、接続部材９０は、主対向壁９１と、２個の端部対向壁９２のうちの少なくとも１つとが分離した状態となるように構成されてもよい。また接続部材９０は、主対向壁９１と、３個の中間対向壁９３のうちの少なくとも１つとが分離した状態となるように構成されてもよい。また接続部材９０は、主対向壁９１と、２個の端部対向壁９２のうちの少なくとも１つと、３個の中間対向壁９３のうちの少なくとも１つとが互いに分離した状態となるように構成されてもよい。
【0099】
なお、上記（Ａ）および（Ｃ）について、端部対向壁９２のｙ方向の長さは任意に変更可能である。一例では、端部対向壁９２は、ｘ方向から視て、第２半導体素子５０Ｂの一部と重なるように設けられていてもよい。また、端部対向壁９２は、ｚ方向から視て、ｙ方向において第２半導体素子５０Ｂよりも絶縁側面１２Ｂに向けてはみ出すように設けられてもよい。
【0100】
また、上記（Ｂ）および（Ｃ）について、中間対向壁９３のｙ方向の長さは任意に変更可能である。一例では、中間対向壁９３は、ｘ方向から視て、第２半導体素子５０Ｂの一部と重なるように設けられていてもよい。また、中間対向壁９３は、ｚ方向から視て、ｙ方向において第２半導体素子５０Ｂよりも絶縁側面１２Ｂに向けてはみ出すように設けられてもよい。
【0101】
・上記実施形態では、複数の第２半導体素子５０Ｂに対して共通の接続部材９０が設けられたが、これに限られない。たとえば、図１５に示すように、各第２半導体素子５０Ｂに対して１つの接続部材９０が設けられてもよい。各接続部材９０は、その接続部材９０と対応する第２半導体素子５０Ｂに対してｙ方向において対向するように配置されている。より詳細には、各接続部材９０は、その接続部材９０と対応する第２半導体素子５０Ｂとｙ方向において隣り合うように配置されている。
【0102】
・図１５の変更例において、第２半導体素子５０Ｂに対する接続部材９０の配置位置は任意に変更可能である。一例では、図１６に示すように、接続部材９０は、ｘ方向において隣り合う第２半導体素子５０Ｂの間に配置されてもよい。また接続部材９０は、複数の第２半導体素子５０Ｂのうちｘ方向の両端部に配置された第２半導体素子５０Ｂに対してｘ方向に隣り合う第２半導体素子５０Ｂとは反対側に配置されてもよい。つまり、接続部材９０は、ｘ方向の両端部に配置された第２半導体素子５０Ｂのｘ方向の両側に配置されている。ｚ方向から視て、接続部材９０は、ｙ方向に延びている。図示された例においては、接続部材９０は、ｘ方向から視て、第２半導体素子５０Ｂの全体と重なるように設けられている。
【0103】
・図１５の変更例において、各接続部材９０のｚ方向から視た形状は任意に変更可能である。一例では、図１７に示すように、各接続部材９０は、第２半導体素子５０Ｂをｘ方向の両側およびｙ方向から囲うように設けられてもよい。なお、各接続部材９０は、第２半導体素子５０Ｂをｘ方向の一方およびｙ方向から囲うように設けられてもよい。
【0104】
・図１５の変更例および図１７の変更例において、接続部材９０の個数は任意に変更可能である。一例では、２個の第２半導体素子５０Ｂに対して１個の接続部材９０が設けられてもよい。この場合、接続部材９０は、ｙ方向から視て、２個の第２半導体素子５０Ｂの全体と重なるように設けられることが好ましい。
【0105】
・図１６の変更例において、接続部材９０の個数は任意に変更可能である。一例では、図１６の複数の接続部材９０のうちｘ方向の両端部の接続部材９０を省略してもよい。また別例では、接続部材９０は、絶縁側面１３Ｂ寄りの２個の第２半導体素子５０Ｂのｘ方向の間と、絶縁側面１４Ｂ寄りの２個の第２半導体素子５０Ｂのｘ方向の間とのそれぞれに配置されてもよい。
【0106】
・上記実施形態では、接続部材９０は、接着剤によって第１駆動導電層２０Ａおよび第２駆動導電層２０Ｂのそれぞれに接続されていたが、これに限られない。たとえば図１８に示すように、接続部材９０と第１駆動導電層２０Ａとは、はんだやＡｇペースト等の第１導電性接合材ＪＣ１によって接合され、接続部材９０と第２駆動導電層２０Ｂとは、はんだやＡｇペースト等の第２導電性接合材ＪＣ２によって接合されてもよい。ここで、各導電性接合材ＪＣ１，ＪＣ２の熱伝導率は、接着剤の熱伝導率よりも高い。
【0107】
この構成によれば、接続部材９０と第１駆動導電層２０Ａおよび第２駆動導電層２０Ｂとが接着剤によって接続された構成と比較して、第２半導体素子５０Ｂの熱が第２駆動導電層２０Ｂから接続部材９０に移動しやすくなり、接続部材９０から第１駆動導電層２０Ａに移動しやすくなる。
【0108】
・上記実施形態では、接続部材９０は、ｙ方向が厚さ方向となる平板状のブロックからなる構成であったが、これに限られない。たとえば図１９に示すように、接続部材９０は、ｘ方向から視て略Ｓ字状となる薄板から構成されてもよい。接続部材９０は、たとえば電気絶縁性を有するスプリング材からなる。また接続部材９０は、導電性のスプリング材からなり、接続部材９０のうち少なくともｚ方向の両端部が絶縁被膜によって覆われた構成であってもよい。図示された例においては、接続部材９０は、第１駆動導電層２０Ａおよび第２駆動導電層２０Ｂによって圧縮された状態で第１駆動導電層２０Ａおよび第２駆動導電層２０Ｂに接触している。つまり、接続部材９０のｚ方向の両端部のうち第１駆動導電層２０Ａに近い方の端部は、第１駆動導電層２０Ａに向けて付勢されている。接続部材９０のｚ方向の両端部のうち第２駆動導電層２０Ｂに近い方の端部は、第２駆動導電層２０Ｂに向けて付勢されている。
【0109】
この構成によれば、接続部材９０と第１駆動導電層２０Ａおよび第２駆動導電層２０Ｂとが確実に接触するため、第２半導体素子５０Ｂの熱が第２駆動導電層２０Ｂから接続部材９０に移動しやすくなり、接続部材９０から第１駆動導電層２０Ａに移動しやすくなる。
【0110】
また図２０に示すように、接続部材９０は、複数本のスプリングプローブから構成されてもよい。図示された例においては、接続部材９０は、第１駆動導電層２０Ａに向けて付勢される構成である。接続部材９０と第２駆動導電層２０Ｂとは、はんだやＡｇペースト等の導電性接合材ＪＤによって接合されている。この構成によれば、接続部材９０と第１駆動導電層２０Ａとが確実に接触するため、第２半導体素子５０Ｂの熱が接続部材９０から第１駆動導電層２０Ａに移動しやすくなる。
【0111】
・上記実施形態では、接続部材９０が電気絶縁性を有する材料からなる構成であったが、これに限られない。たとえば接続部材９０は、Ｃｕ、Ａｌ等の金属材料からなる構成であってもよい。この場合、たとえば接続部材９０と第１駆動導電層２０Ａとを接続する接着剤と、接続部材９０と第２駆動導電層２０Ｂとを接続する接着剤とのそれぞれは、電気絶縁性を有する材料からなる。これにより、接続部材９０と第１駆動導電層２０Ａとが絶縁され、接続部材９０と第２駆動導電層２０Ｂとが絶縁される。
【0112】
・上記実施形態において、接続部材９０は、第２駆動配線２２とは異なる駆動配線に接続されてもよい。一例では、図２１に示すように、第１駆動導電層２０Ａは、第２駆動配線２２とは異なる駆動配線として、第３駆動配線２３を有していてもよい。第３駆動配線２３は、第２駆動配線２２と電気的に絶縁されており、ｙ方向において第２駆動配線２２と隙間を介して隣り合うように形成されている。図２２に示すように、第３駆動配線２３は、ｘ方向に延びている。第３駆動配線２３は、第２駆動配線２２の主配線部２２ａとｙ方向に離間し、接続配線部２２ｂとｘ方向に離間するように配置されている。この場合、接続部材９０は、導電性を有する材料、たとえば金属材料から構成されてもよい。
【0113】
・上記実施形態では、接続部材９０は、第１駆動導電層２０Ａおよび第２駆動導電層２０Ｂに接続されていたが、これに限られない。接続部材９０は、第１駆動導電層２０Ａに代えて第１絶縁部材１０Ａの第１絶縁主面１０Ａｓに接続されてもよいし、第２駆動導電層２０Ｂに代えて第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁主面１０Ｂｓに接続されてもよい。一例では、図２３に示すように、接続部材９０は、第１絶縁部材１０Ａの第１絶縁主面１０Ａｓに接続されており、第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁主面１０Ｂｓに接続されている。
【0114】
図２４に示すように、第２駆動導電層２０Ｂのうち接続部材９０が配置される部分には、貫通孔２４が形成されている。貫通孔２４は、ｚ方向において第２駆動導電層２０Ｂを貫通している。接続部材９０は、貫通孔２４に挿通されて第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁主面１０Ｂｓに接続されている。
【0115】
また、接続部材９０は、第１駆動導電層２０Ａおよび第１絶縁部材１０Ａの第１絶縁主面１０Ａｓに跨って接続されてもよく、第２駆動導電層２０Ｂおよび第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁主面１０Ｂｓに跨って接続されてもよい。
【0116】
このように、接続部材９０は、第１駆動導電層２０Ａおよび第１絶縁部材１０Ａの第１絶縁主面１０Ａｓのうちの少なくとも一方と、第２駆動導電層２０Ｂおよび第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁主面１０Ｂｓのうちの少なくとも一方一方とに接続されていればよい。接続部材９０が第１絶縁部材１０Ａの第１絶縁主面１０Ａｓまたは第２絶縁部材１０Ｂの第２絶縁主面１０Ｂｓに接続される場合、たとえば接続部材９０を、導電性を有する材料、たとえば金属材料から構成されてもよい。
【0117】
・上記実施形態において、第１接続層６０Ａおよび第２接続層６０Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、各接続層６０Ａ，６０Ｂは、はんだやＡｇペースト等の導電性接合材から構成されてもよい。この場合、第１接続層６０Ａのｚ方向の両端部に形成される各導電性接合材ＪＡ１，ＪＡ２を含めて、第１半導体素子５０Ａと第２駆動導電層２０Ｂとを接続する第１接続層を構成する。また、第２接続層６０Ｂのｚ方向の両端部に形成される各導電性接合材ＪＢ１，ＪＢ２を含めて、第２半導体素子５０Ｂと第１駆動導電層２０Ａ（第２駆動配線２２）とを接続する第２接続層を構成する。
【0118】
・上記実施形態において、第１制御用端子８４Ａおよび第１検出用端子８５Ａはそれぞれ、樹脂側面７４からｘ方向に突出してもよい。また第２制御用端子８４Ｂおよび第２検出用端子８５Ｂはそれぞれ、樹脂側面７３からｘ方向に突出してもよい。
【0119】
・上記実施形態において、制御用配線４１Ａおよび検出用配線４２Ａのそれぞれの配置位置は任意に変更可能である。一例では、検出用配線４２Ａが制御用配線４１Ａよりも第２駆動配線２２の主配線部２２ａの近くに配置されてもよい。
【0120】
・上記実施形態において、ｚ方向から視た制御用配線４１Ａおよび検出用配線４２Ａの形状はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、制御用配線４１Ａおよび検出用配線４２Ａのうち少なくとも一方について、第２駆動配線２２と絶縁側面１２Ａとのｙ方向の間に配置された部分を省略してもよい。
【0121】
・上記実施形態において、制御用配線４１Ｂおよび検出用配線４２Ｂのそれぞれの配置位置は任意に変更可能である。一例では、検出用配線４２Ｂが制御用配線４１Ｂよりも第２駆動導電層２０Ｂの近くに配置されてもよい。
【0122】
・上記実施形態において、第２駆動導電層２０Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、第２駆動導電層２０Ｂは、各第１半導体素子５０Ａが接続された第１導電部と、各第２半導体素子５０Ｂが接続された第２導電部とに分割された構成であってもよい。この場合、第１導電部と第２導電部とは、導電性の連結部材によって接続されていてもよい。
【0123】
・上記実施形態において、第１半導体素子５０Ａおよび第２半導体素子５０Ｂの数は任意に変更可能である。第１半導体素子５０Ａおよび第２半導体素子５０Ｂの数はそれぞれ、半導体装置１の特性に応じて、１個～３個、または５個以上であってもよい。
【0124】
・上記実施形態において、第１接続層６０Ａおよび第２接続層６０Ｂを省略してもよい。この場合、第１半導体素子５０Ａは、第２駆動導電層２０Ｂと直接的に接続される。第２半導体素子５０Ｂは、第１駆動導電層２０Ａの第２駆動配線２２と直接的に接続される。なお、第１半導体素子５０Ａは、はんだやＡｇペースト等の導電性接合材を介して第２駆動導電層２０Ｂと接続されてもよいし、第２駆動導電層２０Ｂと接触した状態で第２駆動導電層２０Ｂと接続されてもよい。また、第２半導体素子５０Ｂは、はんだやＡｇペースト等の導電性接合材を介して第１駆動導電層２０Ａの第２駆動配線２２と接続されてもよいし、第２駆動配線２２と接触した状態で第２駆動配線２２と接続されてもよい。
【0125】
・上記実施形態において、第１半導体素子５０Ａと第１駆動導電層２０Ａの第１駆動配線２１との間の接合材ＪＡを省略してもよい。この場合、第１半導体素子５０Ａは、第１駆動配線２１と接触した状態で第１駆動配線２１と接続されている。
【0126】
・上記実施形態において、第２半導体素子５０Ｂと第２駆動導電層２０Ｂとの間の接合材ＪＢを省略してもよい。この場合、第２半導体素子５０Ｂは、第２駆動導電層２０Ｂと接触した状態で第２駆動導電層２０Ｂに接続されている。
【0127】
・上記実施形態では、第１半導体素子５０Ａが第２半導体素子５０Ｂよりも第１絶縁部材１０Ａ寄りに配置されており、第２半導体素子５０Ｂが第１半導体素子５０Ａよりも第２絶縁部材１０Ｂ寄りに配置されていたが、これに限られない。たとえば、第１半導体素子５０Ａおよび第２半導体素子５０Ｂはそれぞれ、第１絶縁部材１０Ａと第２絶縁部材１０Ｂとのｚ方向の間の中央に配置されてもよい。第１半導体素子５０Ａおよび第２半導体素子５０Ｂをそれぞれ、第１絶縁部材１０Ａと第２絶縁部材１０Ｂとのｚ方向の間の中央に配置する構成としては、たとえば、接合材ＪＡ，ＪＢや各接続層６０Ａ，６０Ｂを省略する構成と、第１駆動配線２１の厚さおよび第２駆動導電層２０Ｂの厚さを厚くする構成とが挙げられる。
【0128】
・上記実施形態において、第１半導体素子５０Ａおよび第２半導体素子５０Ｂの構成はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、第１半導体素子５０Ａの第１素子主面５０Ａｓにドレイン電極５１Ａ、ソース電極５２Ａおよびゲート電極５３Ａが形成されてもよい。この場合、ドレイン電極５１Ａは、ワイヤまたは帯状の接続部材によって第１駆動導電層２０Ａの第１駆動配線２１と接続されている。また、第２半導体素子５０Ｂの第２素子主面５０Ｂｓにドレイン電極５１Ｂ、ソース電極５２Ｂおよびゲート電極５３Ｂが形成されてもよい。この場合、ドレイン電極５１Ｂは、ワイヤまたは帯状の接続部材によって第２駆動導電層２０Ｂと接続されている。
【0129】
・上記実施形態において、各半導体素子５０Ａ，５０Ｂは、ダイオード等のスイッチング素子以外の半導体素子であってもよい。
＜付記＞
［付記１］
厚さ方向において互いに反対側を向く第１絶縁主面および第１絶縁裏面を有しており、前記第１絶縁裏面が露出した第１絶縁部材と、
前記第１絶縁主面上に設けられた第１駆動導電層と、
前記第１駆動導電層に搭載された第１半導体素子と、
前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２絶縁主面および第２絶縁裏面を有しており、前記第２絶縁裏面が露出し、前記第２絶縁主面が前記第１絶縁主面と前記厚さ方向において対向するように前記第１絶縁部材に対して前記厚さ方向に離間して配置された第２絶縁部材と、
前記第２絶縁主面上に設けられた第２駆動導電層と、
前記第２駆動導電層に搭載された第２半導体素子と、
前記第１絶縁部材および前記第１駆動導電層のうちの少なくとも一方と、前記第２絶縁部材および前記第２駆動導電層のうちの少なくとも一方との間に伝熱経路を形成する接続部材と、
前記第１半導体素子、前記第２半導体素子および前記接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記接続部材の熱伝導率は、前記封止樹脂の熱伝導率よりも高い
半導体装置。
［付記２］
前記接続部材は、前記第２駆動導電層と接続している
付記１に記載の半導体装置。
［付記３］
前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第１半導体素子よりも前記第２半導体素子の近くに配置されている
付記１または２に記載の半導体装置。
［付記４］
前記第１半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第１素子主面および第１素子裏面を有しており、前記第１素子裏面が前記第１駆動導電層と前記厚さ方向に対向するように配置されており、
前記第１素子裏面には、第１裏面側駆動電極が設けられており、
前記第１素子主面には、第１主面側駆動電極が設けられており、
前記第２半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２素子主面および第２素子裏面を有しており、前記第２素子裏面が前記第２駆動導電層と前記厚さ方向に対向するように配置されており、
前記第２素子裏面には、第２裏面側駆動電極が設けられており、
前記第２素子主面には、第２主面側駆動電極が設けられている
付記１～３のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記５］
前記第１駆動導電層は、第１駆動配線および第２駆動配線を有しており、
前記第１半導体素子は、前記第１裏面側駆動電極が前記第１駆動配線に電気的に接続されるように前記第１駆動配線に搭載されている
付記４に記載の半導体装置。
［付記６］
前記第２半導体素子は、前記第２裏面側駆動電極が前記第２駆動導電層に電気的に接続されるように前記第２駆動導電層に搭載されており、
前記厚さ方向において前記第２半導体素子と前記第２駆動配線とが互いに離間した状態で対向しており、
前記第２半導体素子と前記第２駆動配線との間には、前記第２主面側駆動電極と前記第２駆動配線とを電気的に接続する第２接続層が設けられている
付記５に記載の半導体装置。
［付記７］
前記厚さ方向において前記第１半導体素子と前記第２駆動導電層とが互いに離間した状態で対向しており、
前記第１半導体素子と前記第２駆動導電層との間には、前記第１主面側駆動電極と前記第２駆動導電層とを電気的に接続する第１接続層が設けられている
付記６に記載の半導体装置。
［付記８］
前記厚さ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向を第１方向および第２方向とすると、
前記第１駆動導電層は、前記第１方向において前記第２駆動配線と隣り合うように形成された第３駆動配線を有しており、
前記第３駆動配線は、前記第２駆動配線と電気的に絶縁されており、
前記接続部材は、前記第３駆動配線と前記第２駆動導電層とを接続している
付記５～７のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記９］
前記接続部材は、電気絶縁性を有する材料からなり、前記第１駆動配線と前記第２駆動導電層とを接続している
付記５～７のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１０］
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子はそれぞれ、複数個設けられており、
前記厚さ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向を第１方向および第２方向とすると、
前記複数の第１半導体素子は、前記第１方向において互いに同じ位置で前記第２方向において互いに離間して配列されており、
前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において互いに同じ位置で前記第２方向において互いに離間して配列されており、
前記複数の第１半導体素子および前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において互いに離間して配置されており、
前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第２方向に向けて延びている
付記５～９のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１１］
前記接続部材は、前記第１方向から視て、前記複数の第２半導体素子の全てと重なるように配置されている
付記１０に記載の半導体装置。
［付記１２］
前記接続部材は、前記第１方向において前記複数の第２半導体素子の全てと隣り合うように配置されている
付記１１に記載の半導体装置。
［付記１３］
前記第１方向における前記接続部材の大きさは、前記第１方向における前記第２半導体素子の大きさよりも小さい
付記１０～１２のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１４］
前記接続部材は、前記複数の第２半導体素子のうち前記第２方向の両端の第２半導体素子の一方を前記第２方向から取り囲む部分を有している
付記１０～１３のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１５］
前記接続部材は、前記複数の第２半導体素子のうち前記第２方向において隣り合う第２半導体素子の間に位置する部分を有している
付記１０～１４のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１６］
前記接続部材は、スプリング材を含む
付記１～１３のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１７］
前記接続部材は、１または複数の柱状のスプリングプローブを含む
付記１～１３のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１８］
前記第２絶縁主面上に設けられた制御導電層を有しており、
前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第２半導体素子に対して前記制御導電層とは反対側に配置されている
付記１～１７のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１９］
前記第１絶縁部材および前記第２絶縁部材はそれぞれ、セラミックスからなる
付記１～１８のいずれか一つに記載の半導体装置。
＜付記＞
［付記１］
厚さ方向において互いに反対側を向く第１絶縁主面および第１絶縁裏面を有しており、前記第１絶縁裏面が露出した第１絶縁部材と、
前記第１絶縁主面上に設けられた第１駆動導電層と、
前記第１駆動導電層に搭載された第１半導体素子と、
前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２絶縁主面および第２絶縁裏面を有しており、前記第２絶縁裏面が露出し、前記第２絶縁主面が前記第１絶縁主面と前記厚さ方向において対向するように前記第１絶縁部材に対して前記厚さ方向に離間して配置された第２絶縁部材と、
前記第２絶縁主面上に設けられた第２駆動導電層と、
前記第２駆動導電層に搭載された第２半導体素子と、
前記第１絶縁部材および前記第１駆動導電層のうちの少なくとも一方と、前記第２絶縁部材および前記第２駆動導電層のうちの少なくとも一方との間に伝熱経路を形成する接続部材と、
前記第１半導体素子、前記第２半導体素子および前記接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記接続部材の熱伝導率は、前記封止樹脂の熱伝導率よりも高い
半導体装置。
［付記２］
前記接続部材は、前記第２駆動導電層と接続している
付記１に記載の半導体装置。
［付記３］
前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第１半導体素子よりも前記第２半導体素子の近くに配置されている
付記１または２に記載の半導体装置。
［付記４］
前記第１半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第１素子主面および第１素子裏面を有しており、前記第１素子裏面が前記第１駆動導電層と前記厚さ方向に対向するように配置されており、
前記第１素子裏面には、第１裏面側駆動電極が設けられており、
前記第１素子主面には、第１主面側駆動電極が設けられており、
前記第２半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第２素子主面および第２素子裏面を有しており、前記第２素子裏面が前記第２駆動導電層と前記厚さ方向に対向するように配置されており、
前記第２素子裏面には、第２裏面側駆動電極が設けられており、
前記第２素子主面には、第２主面側駆動電極が設けられている
付記１～３のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記５］
前記第１駆動導電層は、第１駆動配線および第２駆動配線を有しており、
前記第１半導体素子は、前記第１裏面側駆動電極が前記第１駆動配線に電気的に接続されるように前記第１駆動配線に搭載されている
付記４に記載の半導体装置。
［付記６］
前記第２半導体素子は、前記第２裏面側駆動電極が前記第２駆動導電層に電気的に接続されるように前記第２駆動導電層に搭載されており、
前記厚さ方向において前記第２半導体素子と前記第２駆動配線とが互いに離間した状態で対向しており、
前記第２半導体素子と前記第２駆動配線との間には、前記第２主面側駆動電極と前記第２駆動配線とを電気的に接続する第２接続層が設けられている
付記５に記載の半導体装置。
［付記７］
前記厚さ方向において前記第１半導体素子と前記第２駆動導電層とが互いに離間した状態で対向しており、
前記第１半導体素子と前記第２駆動導電層との間には、前記第１主面側駆動電極と前記第２駆動導電層とを電気的に接続する第１接続層が設けられている
付記６に記載の半導体装置。
［付記８］
前記厚さ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向を第１方向および第２方向とすると、
前記第１駆動導電層は、前記第１方向において前記第２駆動配線と隣り合うように形成された第３駆動配線を有しており、
前記第３駆動配線は、前記第２駆動配線と電気的に絶縁されており、
前記接続部材は、前記第３駆動配線と前記第２駆動導電層とを接続している
付記５～７のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記９］
前記接続部材は、電気絶縁性を有する材料からなり、前記第１駆動配線と前記第２駆動導電層とを接続している
付記５～７のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１０］
前記第１半導体素子および前記第２半導体素子はそれぞれ、複数個設けられており、
前記厚さ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向を第１方向および第２方向とすると、
前記複数の第１半導体素子は、前記第１方向において互いに同じ位置で前記第２方向において互いに離間して配列されており、
前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において互いに同じ位置で前記第２方向において互いに離間して配列されており、
前記複数の第１半導体素子および前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において互いに離間して配置されており、
前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第２方向に向けて延びている
付記５～９のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１１］
前記接続部材は、前記第１方向から視て、前記複数の第２半導体素子の全てと重なるように配置されている
付記１０に記載の半導体装置。
［付記１２］
前記接続部材は、前記第１方向において前記複数の第２半導体素子の全てと隣り合うように配置されている
付記１１に記載の半導体装置。
［付記１３］
前記第１方向における前記接続部材の大きさは、前記第１方向における前記第２半導体素子の大きさよりも小さい
付記１０～１２のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１４］
前記接続部材は、前記複数の第２半導体素子のうち前記第２方向の両端の第２半導体素子の一方を前記第２方向から取り囲む部分を有している
付記１０～１３のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１５］
前記接続部材は、前記複数の第２半導体素子のうち前記第２方向において隣り合う第２半導体素子の間に位置する部分を有している
付記１０～１４のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１６］
前記接続部材は、スプリング材を含む
付記１～１３のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１７］
前記接続部材は、１または複数の柱状のスプリングプローブを含む
付記１～１３のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１８］
前記第２絶縁主面上に設けられた制御導電層を有しており、
前記厚さ方向から視て、前記接続部材は、前記第２半導体素子に対して前記制御導電層とは反対側に配置されている
付記１～１７のいずれか一つに記載の半導体装置。
［付記１９］
前記第１絶縁部材および前記第２絶縁部材はそれぞれ、セラミックスからなる
付記１～１８のいずれか一つに記載の半導体装置。
【符号の説明】
【0130】
１…半導体装置
１０Ａ…第１絶縁部材
１０Ａｓ…第１絶縁主面
１０Ａｒ…第１絶縁裏面
１０Ｂ…第２絶縁部材
１０Ｂｓ…第２絶縁主面
１０Ｂｒ…第２絶縁裏面
２０Ａ…第１駆動導電層
２１…第１駆動配線
２２…第２駆動配線
２３…第３駆動配線
２０Ｂ…第２駆動導電層
４０Ｂ…制御導電層
６０Ａ…第１接続層
６０Ｂ…第２接続層
５０Ａ…第１半導体素子
５０Ａｓ…第１素子主面
５０Ａｒ…第１素子裏面
５１Ａ…ドレイン電極（第１裏面側駆動電極）
５２Ａ…ソース電極（第１主面側駆動電極）
５０Ｂ…第２半導体素子
５０Ｂｓ…第２素子主面
５０Ｂｒ…第２素子裏面
５１Ｂ…ドレイン電極（第２裏面側駆動電極）
５２Ｂ…ソース電極（第２主面側駆動電極）
７０…封止樹脂
９０…接続部材
９２…端部対向壁（複数の第２半導体素子のうち第２方向の両端の第２半導体素子の一方を第２方向から取り囲む部分）
９３…中間対向壁（複数の第２半導体素子のうち第２方向において隣り合う第２半導体素子の間に位置する部分）
２００…冷却器
１０Ａ…第１絶縁部材
１０Ａｓ…第１絶縁主面
１０Ａｒ…第１絶縁裏面
１０Ｂ…第２絶縁部材
１０Ｂｓ…第２絶縁主面
１０Ｂｒ…第２絶縁裏面
２０Ａ…第１駆動導電層
２１…第１駆動配線
２２…第２駆動配線
２３…第３駆動配線
２０Ｂ…第２駆動導電層
４０Ｂ…制御導電層
６０Ａ…第１接続層
６０Ｂ…第２接続層
５０Ａ…第１半導体素子
５０Ａｓ…第１素子主面
５０Ａｒ…第１素子裏面
５１Ａ…ドレイン電極（第１裏面側駆動電極）
５２Ａ…ソース電極（第１主面側駆動電極）
５０Ｂ…第２半導体素子
５０Ｂｓ…第２素子主面
５０Ｂｒ…第２素子裏面
５１Ｂ…ドレイン電極（第２裏面側駆動電極）
５２Ｂ…ソース電極（第２主面側駆動電極）
７０…封止樹脂
９０…接続部材
９２…端部対向壁（複数の第２半導体素子のうち第２方向の両端の第２半導体素子の一方を第２方向から取り囲む部分）
９３…中間対向壁（複数の第２半導体素子のうち第２方向において隣り合う第２半導体素子の間に位置する部分）
２００…冷却器
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】