特許 7577724 電波吸収体、筐体、および電力変換装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-25

(45)【発行日】2024-11-05

(54)【発明の名称】電波吸収体、筐体、および電力変換装置

(51)【国際特許分類】

   H05K 9/00 20060101AFI20241028BHJP

   H01F 1/37 20060101ALI20241028BHJP

   B32B 7/025 20190101ALI20241028BHJP

   B32B 18/00 20060101ALI20241028BHJP

   B32B 27/18 20060101ALI20241028BHJP

   H02M 7/48 20070101ALI20241028BHJP

【ＦＩ】

H05K9/00 M

H05K9/00 G

H01F1/37

B32B7/025

B32B18/00 C

B32B27/18 H

H02M7/48 Z

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2022194114

(22)【出願日】2022-12-05

(65)【公開番号】P2024080836

(43)【公開日】2024-06-17

【審査請求日】2023-07-28

(73)【特許権者】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100160691

【弁理士】

【氏名又は名称】田邊 淳也

(74)【代理人】

【識別番号】100167232

【弁理士】

【氏名又は名称】川上 みな

(72)【発明者】

【氏名】森 智史

(72)【発明者】

【氏名】菊地 真史

【審査官】板澤 敏明

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－０８８５１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１８７５６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－１５８４８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－００４０１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２２－１２６９３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－００４００３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ９／００

Ｈ０１Ｆ １／３７

Ｂ３２Ｂ １／００－４３／００

Ｈ０２Ｍ ７／４８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

電磁波を吸収する電波吸収体であって、
軟磁性材料と第１樹脂とを備え、前記軟磁性材料は前記第１樹脂内に分散されている電波吸収層と、
前記電波吸収層の一方の面上に積層して配置された電気抵抗層であって、絶縁破壊強度が８ｋＶ／ｍｍ以上のセラミックと、空気の絶縁破壊強度よりも高い絶縁破壊強度を有する第２樹脂と、を備え、前記セラミックは前記第２樹脂内に分散されている前記電気抵抗層と、
を備えることを特徴とする電波吸収体。

【請求項2】

請求項１に記載の電波吸収体であって、
絶縁破壊強度が３ｋＶ／ｍｍ以上であることを特徴とする
電波吸収体。

【請求項3】

請求項１に記載の電波吸収体であって、
複素比透磁率の実数成分が、１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲で３以上であることを特徴とする
電波吸収体。

【請求項4】

請求項１に記載の電波吸収体であって、
前記軟磁性材料は、マンガン亜鉛フェライトであることを特徴とする
電波吸収体。

【請求項5】

請求項１に記載の電波吸収体であって、
ヤング率が１０ＭＰａ以下であることを特徴とする
電波吸収体。

【請求項6】

電磁波を吸収する電波吸収体であって、
軟磁性材料と樹脂とを備える電波吸収層と、
前記電波吸収層の一方の面上に配置され、絶縁破壊強度が８ｋＶ／ｍｍ以上のセラミックと、空気の絶縁破壊強度よりも高い絶縁破壊強度を有する樹脂と、を備える電気抵抗層と、
を備え、
ヤング率が１０ＭＰａ以下であることを特徴とする
電波吸収体。

【請求項7】

電子部品モジュールを収納するための、導電性部材によって構成される筐体であって、
請求項１から６までのいずれか一項に記載の電波吸収体を備え、
前記電波吸収体は、前記電波吸収層が前記筐体の内壁面に対向する向きで前記筐体の内壁面に取り付けられていることを特徴とする
筐体。

【請求項8】

半導体を有するパワーモジュールと、前記パワーモジュールに電気的に接続されるハーネスと、前記パワーモジュールおよび前記ハーネスを収納すると共に導電性材料によって構成される筐体と、を備える電力変換装置であって、
前記筐体は、請求項１から６までのいずれか一項に記載の電波吸収体を備え、
前記電波吸収体は、前記電波吸収層が前記筐体の内壁面に対向する向きで前記筐体の内壁面に取り付けられていることを特徴とする
電力変換装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、電波吸収体、筐体、および電力変換装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、種々の電気回路や電子機器等から放出される電磁波の影響を抑えるために、電磁波を吸収する電波吸収体が用いられている。例えば、特許文献１には、プリント配線板の配線上に貼り付ける電磁波シールドフィルムとして、樹脂によって構成される絶縁樹脂層と導電層とを備える電磁波シールドフィルムが開示されている。ここで、上記電磁波シールドフィルムが備える導電層は、金属層として構成されて電磁波を遮断する電磁波遮断層と、金属層や導電性金属化合物層等によって構成されて電磁波を吸収する電磁波吸収層と、を備えることにより、電磁波の影響を抑えている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－２１８３７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、種々の機器において高電圧化が進み、電波吸収体における絶縁性の要求が高まるにつれて、引用文献１に記載の構成のように電波吸収体が絶縁樹脂層を備える場合であっても、電波吸収体の絶縁性能が不十分となる場合が生じるようになった。絶縁性を確保するための構成としては、例えば、高電圧機器あるいは高電圧機器に接続される高電圧配線と電波吸収体との間に空間を設けて、空気を絶縁層として用いる方策も考えられる。ただし、このような構成は、上記高電圧機器の電圧が高いほど、高電圧機器等と電波吸収体との間の距離を大きくする必要が高まり、高電圧機器を含む装置全体が大型化するため、採用し難い場合がある。そのため、装置全体の大型化を抑えつつ、耐電圧性能を確保できる電波吸収体が望まれていた。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示は、以下の形態として実現することが可能である。
（１）本開示の一形態によれば、電磁波を吸収する電波吸収体が提供される。この電波吸収体は、軟磁性材料と樹脂とを備える電波吸収層と、前記電波吸収層の一方の面上に配置され、絶縁破壊強度が８ｋＶ／ｍｍ以上のセラミックと、空気の絶縁破壊強度よりも高い絶縁破壊強度を有する樹脂と、を備える電気抵抗層と、を備える。
この形態の電波吸収体によれば、電波吸収性能を有する電波吸収体の耐電圧性能を高めることができる。
（２）上記形態の電波吸収体において、絶縁破壊強度が３ｋＶ／ｍｍ以上であることとしてもよい。このような構成とすれば、電波吸収体の絶縁破壊強度が空気の絶縁破壊強度以上となるため、絶縁性を確保するために電波吸収体上に設ける空気層を削減しつつ、電波吸収体の絶縁破壊を抑えることができる。
（３）上記形態の電波吸収体において、複素比透磁率の実数成分が、１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲で３以上であることとしてもよい。このような構成とすれば、１ＭＨｚから１００ＭＨｚの電磁波に対して、電波吸収体として機能することができる。
（４）上記形態の電波吸収体において、前記軟磁性材料は、マンガン亜鉛フェライトであることとしてもよい。このような構成とすれば、１ＭＨｚから１００ＭＨｚの電磁波に対する電波吸収体としての機能を高めることができる。
（５）上記形態の電波吸収体において、ヤング率が１０ＭＰａ以下であることとしてもよ
い。このような構成とすれば、電波吸収体の柔軟性や可撓性を高めることができるため、電波吸収体を曲げることなどにより、任意の形状の部材表面に電波吸収体を配置することが容易になる。
（６）上記形態の電波吸収体において、大気中において１００℃で１０００時間処理した後のヤング率が、１１ＭＰａ以下であることとしてもよい。このような構成とすれば、電波吸収体を、比較的高温になる装置内に配置して長時間用いた場合であっても、電波吸収体の柔軟性を確保することができ、電波吸収体の耐熱性および耐久性を高めることができる。
（７）本開示の他の一形態によれば、電子部品モジュールを収納するための、導電性部材によって構成される筐体が提供される。この筐体は、（１）から（６）までのいずれか一項に記載の電波吸収体を備え、前記電波吸収体は、前記電波吸収層が前記筐体の内壁面に対向する向きで前記筐体の内壁面に取り付けられている。
この形態の筐体によれば、筐体の内壁面に上記電波吸収体が取り付けられることにより、電子部品モジュールに係る電磁波の影響を抑えると共に、筐体と電子部品モジュールとの間の絶縁性を確保することができる。このとき、電波吸収層が筐体の内壁面に対向する向きとなるように、電波吸収体が筐体の内壁面に取り付けられるため、電気抵抗層によって電波吸収層の絶縁破壊を抑えることができる。
（８）本開示のさらに他の一形態によれば、半導体を有するパワーモジュールと、前記パワーモジュールに電気的に接続されるハーネスと、前記パワーモジュールおよび前記ハーネスを収納すると共に導電性材料によって構成される筐体と、を備える電力変換装置が提供される。この電力変換装置において、前記筐体は、（１）から（６）までのいずれか一項に記載の電波吸収体を備え、前記電波吸収体は、前記電気電波吸収層が前記筐体の内壁面に対向する向きで前記筐体の内壁面に取り付けられている。
この形態の電力変換装置によれば、筐体の内壁面に上記電波吸収体が取り付けられることにより、パワーモジュールに係る電磁波の影響を抑えると共に、筐体とパワーモジュールとの間の絶縁性を確保することができる。このとき、電波吸収層が筐体の内壁面に対向する向きとなるように、電波吸収体が筐体の内壁面に取り付けられるため、電気抵抗層によって電波吸収層の絶縁破壊を抑えることができる。
本開示は、上記以外の種々の形態で実現可能であり、例えば、電波吸収シート、電波吸収体の製造方法、電子機器における電磁波の放出や侵入の防止方法、などの形態で実現することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態の電波吸収体の概略構成を表す断面模式図。

【図2】高電圧機器を収納する筐体内壁面近傍の様子を示す説明図。

【図3】第２実施形態の電波吸収体の概略構成を表す断面模式図。

【図4】電波吸収体の構成と性能を調べた結果とをまとめて示す説明図。

【図5】電波吸収体の評価結果をまとめて示す説明図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

Ａ．第１実施形態：
図１は、本開示の第１実施形態としての電波吸収体１０の概略構成を表す断面模式図である。電波吸収体１０は、電波吸収層１２と、電波吸収層１２の一方の面上に配置される電気抵抗層１４と、を備える。

【0008】

電波吸収層１２は、軟磁性材料と樹脂とを備える。電波吸収層１２が備える樹脂のことを、以下では「第１樹脂」とも呼ぶ。電波吸収層１２において、軟磁性材料は、粉末粒子の状態で第１樹脂中に分散されている。

【0009】

軟磁性材料は、例えば、軟磁性合金、あるいは金属酸化物のうちの少なくとも１種とす
ることができる。軟磁性合金としては、例えば、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金、センダスト（Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金）、パーマロイ（Ｆｅ－Ｎｉ合金）などが挙げられる。金属酸化物としては、Ｎｉ－Ｚｎフェライト（ニッケル亜鉛フェライト）やＭｎ－Ｚｎフェライト（マンガン亜鉛フェライト）等のフェライト、あるいは、マグネタイトやマグヘマイト等の酸化鉄などが挙げられる。

【0010】

軟磁性材料は、電波吸収体１０を用いて吸収すべき電磁波の周波数帯に応じて適宜選択すればよい。一般的な電子機器から放出される電磁波の周波数帯がｋＨｚ～ＭＨｚであるため、ｋＨｚ～ＭＨｚまでの幅広い周波数帯で機能する軟磁性材料が好ましい。既述したＮｉ－Ｚｎフェライト、Ｍｎ－Ｚｎフェライト、マグネタイト、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金、センダスト、パーマロイ等は、このような周波数帯の電磁波に対して有用であるが、特に、Ｍｎ－Ｚｎフェライトは、ｋＨｚ～ＭＨｚにわたる周波数帯における透磁率が比較的高く、好ましい。また、電波吸収体１０を高電圧機器に近接して用いる場合には、軟磁性材料は、電気抵抗がより大きい材料であることが望ましい。電気抵抗が大きいという観点から、Ｎｉ－ＺｎフェライトやＭｎ－Ｚｎフェライト等のフェライトが好ましく、特に、Ｎｉ－Ｚｎフェライトが好ましい。電波吸収層１２における軟磁性材料の添加量は、電波吸収体１０における複素比透磁率の実数成分μ’を高める観点から、４０体積％～６０体積％であることが好ましい。

【0011】

第１樹脂は、電気抵抗が比較的大きい樹脂であることが望ましく、絶縁性樹脂であることがより望ましい。このようにすれば、電波吸収体１０を、電子機器や電子機器に接続される配線に近接して、あるいは接触するように配置して用いる場合であっても、電波吸収体１０の絶縁破壊を抑えることができる。第１樹脂の絶縁破壊強度は、空気の絶縁破壊強度以上、具体的には３ｋＶ／ｍｍ以上であることが望ましい。このような樹脂としては、アクリル樹脂、ブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられ、特に耐熱性や柔軟性の観点からシリコーン樹脂が好ましい。

【0012】

電気抵抗層１４は、電波吸収体１０全体の電気抵抗を高めるための層であり、セラミックと樹脂とを備える。電気抵抗層１４が備えるセラミックのことを、以下では「高抵抗セラミック」とも呼ぶ。電気抵抗層１４において、高抵抗セラミックは、粉末粒子の状態で第２樹脂中に分散されている。また、電気抵抗層１４が備える樹脂のことを、以下では「第２樹脂」とも呼ぶ。

【0013】

高抵抗セラミックとして、本実施形態では絶縁破壊強度が８ｋＶ／ｍｍ以上のセラミックを用いている。電気抵抗層１４および電波吸収体１０全体の電気抵抗を高める観点から、高抵抗セラミックの絶縁破壊強度は１０ｋＶ／ｍｍ以上であることが望ましい。このような高抵抗セラミックとして、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、ジルコニア（ＺｒＯ_２）、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ムライト（３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２～２Ａｌ_２Ｏ_３・ＳｉＯ_２で表されるアルミノケイ酸塩）等を用いることができる。高抵抗セラミックは、充填材料として第２樹脂中に混合して用いるため、粒子径や形状制御の容易なアルミナとすることが特に好ましい。電気抵抗層１４における高抵抗セラミックの添加量は、４０体積％～６０体積％であることが好ましい。

【0014】

第２樹脂は、第１樹脂と同様に、電気抵抗が比較的大きい樹脂であることが望ましく、絶縁性樹脂であることがより望ましい。本実施形態では、第２樹脂の絶縁破壊強度は、空気の絶縁破壊強度（３ｋＶ／ｍｍ）よりも高い。第２樹脂としては、既述した第１樹脂の説明において記載した樹脂と同様の樹脂を用いることができる。第１樹脂と第２樹脂とは同種の樹脂であってもよく、異なる種類の樹脂であってもよい。第１樹脂と第２樹脂とを同種の樹脂とすれば、電波吸収層１２と電気抵抗層１４との固着強度を確保することが容易になるため望ましい。

【0015】

電波吸収体１０において、電波吸収層１２と電気抵抗層１４とを合わせた電波吸収体１０全体の絶縁破壊強度は、空気の絶縁破壊強度以上であることが望ましく、具体的には３ｋＶ／ｍｍ以上であることが望ましい。このように、電波吸収体１０の絶縁破壊強度を空気の絶縁破壊強度以上にすることで、高電圧機器の近傍で電波吸収体１０を用いる際に、高電圧機器と電波吸収体１０との間で絶縁性を高めるための空気層をさらに確保すること無く、電波吸収体１０の絶縁破壊を抑えることができる。

【0016】

図２は、筐体２０内に高電圧機器を収納した装置における、筐体２０の内壁面近傍の様子を示す説明図である。図２では一例として、高電圧機器に接続された配線２２と筐体２０との間を拡大して示している。図２（Ａ）は、電波吸収体を配置しない場合を示し、図２（Ｂ）は、筐体２０の内壁面に、電波吸収層１２のみによって構成される電波吸収体を配置した様子を示し、図２（Ｃ）は、筐体２０の内壁面に、電波吸収層１２および電気抵抗層１４を備える電波吸収体１０を配置した様子を示す。

【0017】

図２（Ａ）に示すように、筐体２０と配線２２との間の距離は、筐体２０と配線２２との間の絶縁性を確保可能となるように、距離αを設定すればよい。このような装置において、図２（Ｂ）に示すように筐体２０の内壁面に電波吸収層１２を配置すると、電波吸収層１２と配線２２との間の距離は、距離αよりも短い距離βとなる。このとき、所望の電波吸収性能が得られるように設計された電波吸収層１２の絶縁破壊強度が不十分であると、電波吸収層１２と筐体２０の内壁面との距離が距離αよりも短くなることにより、電波吸収層１２において絶縁破壊が起こる可能性が生じる。これに対して、図２（Ｃ）に示すように、さらに電気抵抗層１４を備える電波吸収体１０を用いる場合には、電波吸収体１０と配線２２との間の距離が、距離βよりもさらに短い距離γとなっても、電波吸収体１０全体の絶縁破壊強度が空気の絶縁破壊強度以上であることにより、筐体２０と配線２２との間の絶縁性を確保することができる。すなわち、筐体２０の内壁面と配線２２との間の距離αを変更することなく、装置全体の大型化を抑えつつ、筐体２０と配線２２との間の絶縁性を確保することができる。

【0018】

なお、電波吸収体１０全体の絶縁破壊強度には、電波吸収層１２および電気抵抗層１４の各々の、絶縁破壊強度、静電容量、および厚さが影響する。各層の絶縁破壊強度が高い方が電波吸収体１０全体の絶縁破壊強度が高まり、また、絶縁破壊強度がより高い電気抵抗層１４が厚い方が電波吸収体１０全体の絶縁破壊強度が高まる。各層の絶縁破壊強度は、使用するフィラー（電波吸収層１２の軟磁性材料や電気抵抗層１４の高抵抗セラミック）の種類と添加量によって調節できる。静電容量は比誘電率の影響を受けるが、例えば各層で同種の樹脂を使用した場合には各層の静電容量は同程度となるため、この場合には各層の絶縁破壊強度と厚さとが、電波吸収体１０全体の絶縁破壊強度への大きな影響要因となる。また、各層の作製時に発生するボイド（気泡の噛みこみ）やクラック等の欠陥も、絶縁破壊強度に影響する。そのため、電波吸収体１０の製造時には、上記欠損の影響を抑えるために、各層の成形前に材料（ペースト）の脱泡処理を行うことや、フィラーの２次凝集を抑えるための十分な攪拌処理を行うことが望ましい。

【0019】

電波吸収体１０における複素比透磁率の実数成分μ’は、１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲で３以上であることが望ましい。このようにすることで、電波吸収体１０は、上記周波数帯の電磁波に対して電波吸収体として良好に機能することができる。電波吸収体１０における複素比透磁率の実数成分μ’は、例えば、電波吸収層１２に含まれる軟磁性材料の種類や添加量等によって調整することができる。また、電波吸収層１２と電気抵抗層１４とが積層された電波吸収体１０における電波吸収層１２の厚さ分率も、上記実数成分μ’に影響する。電波吸収層１２の厚さ分率が大きい方が、電波吸収体１０における複素比透磁率の実数成分μ’は大きくなる。

【0020】

上記複素比透磁率の実数成分μ’を３以上にするには、電波吸収層１２が備える軟磁性材料として、Ｍｎ－Ｚｎフェライトを用いることが望ましい。Ｍｎ－Ｚｎフェライトは、ｋＨｚ～ＭＨｚにわたる周波数帯における透磁率が比較的高いため、軟磁性材料としてＭｎ－Ｚｎフェライトを用いることで、１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲で複素比透磁率の実数成分μ’を３以上にすることが容易になる。

【0021】

また、電波吸収体１０のヤング率は、１５ＭＰａ以下であることが好ましく、１０ＭＰａ以下であることがより好ましい。これにより、電波吸収体１０の柔軟性を確保することができる。電波吸収体１０の柔軟性を確保することにより、電波吸収体１０を、平坦面とは異なる形状に沿って取り付けることが容易になる。例えば、電磁波を放出し、あるいは電磁波の影響を受ける機器を収納する筐体の内壁面の少なくとも一部に電波吸収体１０を貼り付けるときに、貼り付け部位が曲面であっても、電波吸収体１０を容易に貼り付けることが可能になる。なお、電波吸収体１０のヤング率は、０．５ＭＰａ以上であることが好ましく、１ＭＰａ以上であることがより好ましい。

【0022】

電波吸収体１０のヤング率は、例えば、第１樹脂や第２樹脂の種類、分子量、あるいは架橋密度等により調整することができる。例えば、上記樹脂の分子量が小さいと、架橋密度が高くなりやすく、ヤング率は大きくなりやすい。特に、エポキシ樹脂のように架橋密度が高い樹脂は、ヤング率が大きくなりやすい。また、電波吸収体１０のヤング率は、電波吸収層１２における軟磁性材料の種類や含有率、あるいは、電気抵抗層１４における高抵抗セラミックの種類や含有率によって調整することができる。各層におけるフィラーの含有率を抑えるほど、電波吸収体１０のヤング率を低くすることができる。

【0023】

さらに、電波吸収体１０は、大気中において１００℃で１０００時間処理した後のヤング率が、１５ＭＰａ以下であることが好ましく、１１ＭＰａ以下であることがより好ましい。これにより、電波吸収体１０を、比較的高温になる装置内に配置して長時間用いた場合であっても、電波吸収体１０の柔軟性を確保することができ、電波吸収体の耐熱性および耐久性を高めることができる。上記した熱処理後の電波吸収体１０のヤング率は、例えば、第１樹脂や第２樹脂の種類、架橋密度、あるいは、樹脂を硬化する際の温度等により調整することができる。例えば、官能基量が同一と仮定した場合、第１樹脂や第２樹脂の分子量が大きいほど、架橋密度が低くなりやすく、加熱処理後のヤング率は小さくなりやすい。例えば、上記樹脂としてシリコーン樹脂を用いる場合には、シリコーン樹脂の主剤の分子量は２万以上とすることが好ましく、５万以上とすることがより好ましく、７万以上とすることがさらに好ましい。また、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等は比較的低温で硬化するものの、低温で硬化を行った場合には、その後に高温環境下に長期間配置したときに、ヤング率が上昇して大きく変化し得る。なお、上記した熱処理後の電波吸収体１０のヤング率は、０．５ＭＰａ以上であることが好ましく、１ＭＰａ以上であることがより好ましい。

【0024】

電波吸収体１０の一方の面側（電波吸収層１２における電気抵抗層１４と接する面とは異なる面であり、図１において接着面１３として示す面側）に、接着層を設けることとしてもよい。この接着層は、図２に示した高電圧機器を収納する筐体２０の内壁面のように、電波吸収体１０を配置したい箇所に電波吸収体１０を貼り付けるための構造である。接着層は、例えば、シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤もしくは粘着剤を塗布することにより構成することができる。なお、電波吸収体１０を、貼り付けではなく、例えば留め具などを用いて機械的に固定して配置する場合には、上記した接着層を設けないこととしてもよい。

【0025】

また、電波吸収体１０を貼り付けにより配置する場合に、接着層を設けることなく、例
えば、電波吸収層１２を構成する第１樹脂にシランカップリング剤等のアルコキシドを添加し、電波吸収体１０を接着シートとして使用してもよい。この場合には、第１樹脂の一部分を硬化させた状態で電波吸収体１０を用意した後に、所望の箇所（筐体の内壁面などの被着体）に電波吸収体１０を貼り付けて熱硬化させることで、上記被着体に電波吸収体１０を接合することができる。第１樹脂に添加するシランカップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、有機反応性基としてビニル基、エポキシ基、メタクリル基、アミノ基、メルカプト基、イソシアネート基のいずれかを有するものなど、従来知られるシランカップリング剤の中から適宜選択することができる。

【0026】

以上のように構成された本実施形態の電波吸収体１０によれば、軟磁性材料および第１樹脂を備える電波吸収層１２と、電波吸収層１２の一方の面上に配置され、高抵抗セラミックおよび第２樹脂を備える電気抵抗層１４と、を備えている。このように、電波吸収体１０が、高抵抗セラミックを含む電気抵抗層１４を備えるため、電波吸収体１０の耐電圧性能を高めることができる。このとき、電磁波を放出し、あるいは電磁波の影響を受ける機器を収納する筐体の内壁面に電波吸収体１０を配置して用いる場合には、電気抵抗層１４によって絶縁性が確保されるため、電波吸収体１０と上記機器との間で絶縁性を高めるために設ける空間を削減することができる。その結果、上記機器および筐体を備える装置全体の大型化を抑えることが可能になる。

【0027】

装置の大型化を抑える効果について、さらに以下に説明する。既述したように、電気抵抗層１４の絶縁破壊強度は、高抵抗セラミックの種類や含有率等によって調節することができ、例えば、アルミナのように１０ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊強度を有する高抵抗セラミックを用いる場合には、７０ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊強度を有する電気抵抗層１４を得ることができる。このような電気抵抗層１４を、高電圧機器を収納する筐体２０の内壁面上に配置して耐電圧性能を確保すると仮定すると、高電圧機器の使用電圧に応じて定められる耐電圧の要求が例えば１ｋＶであるならば、１ｋＶの耐電圧を実現するために必要な電気抵抗層１４（絶縁破壊強度は７０ｋＶ／ｍｍ）の厚みは、０．０１５ｍｍ程度となる。これに対して、既述した特許文献１に記載の電磁波シールドフィルムのように、樹脂によって構成される絶縁樹脂層を筐体２０の内壁面に配置して用いる場合には、樹脂層の絶縁破壊強度は一般に１０～２０ｋＶ／ｍｍと考えられるため、１ｋＶの耐電圧を実現するために必要な絶縁樹脂層の厚みは、０．０５～０．１ｍｍとなる。このように、本実施形態の電気抵抗層１４を採用することで、所望の耐電圧を実現するために必要な絶縁層の厚みを大きく削減することができるため、装置の大型化を抑える効果が得られる。上記のような配置箇所を考慮すると、電波吸収体１０の厚さは２ｍｍ以下であることが好ましい。

【0028】

上記のような高電圧機器を備える装置としては、例えば、モータを利用して走行するハイブリッド車両や電気自動車において、電力をコントロールするために搭載されるパワーコントロールユニット（Power Control Unit：ＰＣＵ）等の、電力変換装置を挙げることができる。ＰＣＵは、一般に、バッテリ電圧を昇圧する昇圧コンバータ、高電圧を降圧する降圧コンバータ、および、モータへの電力供給に先立って直流を交流に変換して周波数制御を行う３相インバータ等を備える。また、ＰＣＵは、一般に、アルミニウムのような導電性材料によって構成される筐体を備えている。このような装置は、一般に、高電圧機器や配線と筐体との間にスペースがほとんど設けられていない。そのため、本実施形態の電波吸収体１０を適用することで、装置の大型化を抑える効果が顕著に得られる。すなわち、電波吸収体１０と高電圧機器や配線２２とが接触する場合であっても、高電圧機器や配線２２と筐体２０との間の絶縁性を確保することが可能になる。

【0029】

このような電力変換装置では、例えば、インバータが直流を交流に変換する際に、数ＭＨｚ～数百ＭＨｚの周波数の電磁ノイズを発生する。電波吸収層１２が備える軟磁性材料
は、吸収・減衰すべき電磁波の周波数帯に応じて適宜選択すればよく、上記のような電磁ノイズを吸収するためには、Ｍｎ－Ｚｎフェライトや軟磁性合金が適している。このように、例えばＮｉ－Ｚｎフェライトに比べると比較的電気抵抗が低い軟磁性材料を用いる場合であっても、電気抵抗層１４を設けることにより、電波吸収体１０全体として、上記のような電力変換装置に適した絶縁性を確保することが可能になる。

【0030】

本実施形態の電波吸収体１０を適用する装置は、上記したＰＣＵ以外であってもよく、半導体を有するパワーモジュールと、パワーモジュールに電気的に接続される配線であるハーネスと、パワーモジュールおよびハーネスを収納すると共に導電性材料によって構成される筐体と、を備える種々の電力変換装置とすることができる。このような他の電力変換装置としては、例えば、太陽光パネルで発電した電圧を変換して蓄電池に送るためのＳＣＵ（Solar Charging Unit）を挙げることができる。このとき、電波吸収体１０は、電
波吸収層１２が筐体２０の内壁面に対向する向きとなるように、筐体２０の内壁面に取り付けられることとすればよい。これにより、電波吸収層１２の絶縁破壊を抑えることができる。また、本実施形態の電波吸収体１０は、上記のような高電圧機器とは異なる機器（使用電圧が比較的低い電子部品モジュール）を備える装置に用いてもよく、例えば装置を収納する筐体の内壁面に電波吸収体１０を配置することで、上記実施形態と同様の効果が得られる。

【0031】

Ｂ．第２実施形態：
図３は、第２実施形態の電波吸収体１３０の概略構成を表す断面模式図である。第２実施形態の電波吸収体１３０は、第１実施形態と同様の電波吸収体１０に加えて、さらに、電波吸収体１０の一方の面（被着体に接する電波吸収層１２側の面）上に、反射層１１６を備えている。

【0032】

反射層１１６は、電波吸収体１０を透過した電磁波を反射する層である。反射層１１６は、電磁波を反射可能であればよく、例えば、銅、ニッケル、鉄、ステンレス鋼、金や銀等の貴金属、アルミニウム等の金属により形成することができる。反射層１１６は、例えば、予め作製した金属膜を、電波吸収体１０の一方の面に貼り付けることにより形成することができる。このとき、反射層１１６と電波吸収体１０との貼り付けは、接着剤を用いてもよく、あるいは、電波吸収層１２を構成する第１樹脂にシランカップリング剤等を添加して電波吸収体１０を接着シートにして、反射層１１６と電波吸収体１０とを接合することとしてもよい。また、反射層１１６の材料としてめっき皮膜を形成可能な金属を用いる場合には、電解めっきや無電解めっき等のめっき処理を電波吸収体１０の表面に施すことにより、反射層１１６を形成してもよい。第２実施形態の電波吸収体１０を所望の被着体上に配置する際には、例えば、電波吸収体１０に貼り付けられた反射層１１６と被着体とを、接着剤を用いて固定すればよい。

【0033】

このような構成とすれば、第１実施形態の電波吸収体１０と同様の効果が得られると共に、反射層１１６を電波吸収体１０に重ねて設けることで、電波吸収体１０を透過する電磁波を遮断することができる。したがって、電磁波を放出し、あるいは電磁波の影響を受ける機器を収納する筐体が、金属のように電磁波を反射する材料とは異なる材料によって構成される場合であっても、電波吸収体１３０を用いることで、電波吸収体１０によって電磁波を吸収しつつ、反射層１１６によって筐体外への電磁波の漏洩を抑えることができる。

【0034】

Ｃ．他の実施形態：
上記した各実施形態では、電波吸収体はシート状に形成したが、異なる形状としてもよい。ただし、シート状にすることで、任意の形状の被着体の表面に沿って電波吸収体を配置することが容易になる。

【実施例】

【0035】

図４は、サンプルＳ１～サンプルＳ１３までの１３種類の電波吸収体を作製し、それらの構成と性能を調べた結果をまとめて示す説明図である。図５は、サンプルＳ１～サンプルＳ１３の電波吸収体についての評価結果をまとめて示す説明図である。以下に、各サンプルの構成および製造方法と、性能を評価した結果について説明する。各サンプルは、用いた材料の種類や材料の混合割合が、それぞれ異なっている。なお、サンプルＳ１０～サンプルＳ１３は、実施形態で説明した軟磁性材料や高抵抗セラミックに係る条件を満たさない比較例のサンプルである。また、以下に説明する各サンプルでは、電波吸収層を構成する第１樹脂と電気抵抗層を構成する第２樹脂とは、共通する樹脂を用いた。

【0036】

＜各サンプルの作製＞
［サンプルＳ１］
アクリル樹脂（分子量約２０００００）に、５０体積％となるＭｎ－Ｚｎフェライト（算術平均粒子径：約１．５μｍ）と、アクリル系分散材（分子量約１００００）と、消泡材と、分散溶媒としての水とを添加し、湿式混合してペーストを作製した。得られたペーストの粘度を調整したのち、厚みが９００μmとなるようドクターブレード法によってシ
ート状に成形し、１００℃以下の温度で溶媒を揮発させて電波吸収層を得た。図４では、サンプルＳ１を含む各サンプルにおいて、シート状に成形した際の上記シートの厚みを、「層１２厚」と記載している。

【0037】

同様に、アクリル樹脂（分子量約２０００００）に、４５体積％となるアルミナ（算術平均粒子径:約１０μｍ）と、アクリル系分散材（分子量約１００００）と、消泡材と、
分散溶媒としての水とを添加し、湿式混合してペーストを作製した。得られたペーストの粘度を調整したのち、 厚みが１００μｍとなるようドクターブレード法によってシート
状に成形し、１００℃以下の温度で溶媒を揮発させて電気抵抗層を得た。図４では、サンプルＳ１を含む各サンプルにおいて、シート状に成形した際の上記シートの厚みを、「層１４厚」と記載している。

【0038】

上記のように作製した電波吸収層と電気抵抗層とを積層し、１００℃で熱圧着を行うことで一体化して、サンプルＳ１の電波吸収体を得た。

【0039】

［サンプルＳ２］
液状エポキシ樹脂に、５０体積％となるようＭｎ－Ｚｎフェライト（算術平均粒子径：約１．５μｍ）を添加し、攪拌羽根を用いる攪拌機および３本ロールミルによって混合してペーストを得た。そこへ硬化剤を添加して混合した後、得られたペーストを厚み９００μｍとなるようドクターブレード法によってシート状に成形し、６０℃以下の温度で熱硬化させて電波吸収層を得た。

【0040】

同様に、液状エポキシ樹脂に、４５体積％となるようアルミナ（算術平均粒子径：約１０μｍ）を添加し、攪拌羽根を用いる攪拌機および３本ロールミルによって混合してペーストを得た。そこへ硬化剤を添加して混合した後、得られたペーストを厚み１００μｍとなるようドクターブレード法によってシート状に成形し、６０℃以下の温度で熱硬化させて電気抵抗層を得た。

【0041】

上記のように作製した電波吸収層と電気抵抗層との間にエポキシ接着剤を塗布して両者を積層して一体化し、サンプルＳ２の電波吸収体を得た。

【0042】

［サンプルＳ３］
官能基としてビニル基を有するシリコーン樹脂（分子量約３００００）に、５０体積％
となるＭｎ－Ｚｎフェライト（算術平均粒子径：約１．５μｍ）と、シランカップリング剤と、架橋剤と、金属触媒とを添加し、攪拌羽根を用いる攪拌機および３本ロールミルによって混合してペーストを得た。得られたペーストを厚み９００μｍとなるようドクターブレード法によってシート状に成形し、１００℃以下の温度で熱硬化（半硬化）させて電波吸収層を得た。

【0043】

同様に、官能基としてビニル基を有するシリコーン樹脂（分子量約３００００）に、４５体積％となるアルミナ（算術平均粒子径：約１０μｍ）と、シランカップリング剤と、架橋剤と、金属触媒とを添加し、攪拌羽根を用いる攪拌機および３本ロールミルによって混合してペーストを得た。得られたペーストを厚み１００μｍとなるようドクターブレード法によってシート状に成形し、１００℃以下の温度で熱硬化（半硬化）させて電気抵抗層を得た。

【0044】

上記のように作製した電波吸収層と電気抵抗層とを積層し、１００℃以上でさらに熱硬化を行うことで一体化して、サンプルＳ３の電波吸収体を得た。

【0045】

［サンプルＳ４］
電波吸収層の作製には、サンプルＳ３の電波吸収層のために作製したペーストを使用した。このペーストを厚み４５０μｍとなるようドクターブレード法によってシート状に成形し、１００℃以下の温度で熱硬化させて電波吸収層を得た。

【0046】

電気抵抗層の作製には、サンプルＳ３の電気抵抗層のために作製したペーストを使用した。このペーストを厚み５０μｍとなるようドクターブレード法によってシート状に成形し、１００℃以下の温度で熱硬化させて電気抵抗層を得た。

【0047】

上記のように作製した電波吸収層と電気抵抗層とを積層し、１００℃以上でさらに熱硬化を行うことで一体化して、サンプルＳ４の電波吸収体を得た。

【0048】

［サンプルＳ５］
官能基としてビニル基を有するシリコーン樹脂（分子量約７００００）に、５０体積％となるＭｎ－Ｚｎフェライト（算術平均粒子径：約１．５μｍ）と、シランカップリング剤と、架橋剤と、金属触媒とを添加し、攪拌羽根を用いる攪拌機および３本ロールミルによって混合してペーストを得た。得られたペーストを厚み４５０μｍとなるようドクターブレード法によってシート状に成形し、１００℃以下の温度で熱硬化（半硬化）させて電波吸収層を得た。

【0049】

同様に、官能基としてビニル基を有するシリコーン樹脂（分子量約７００００）に、４５体積％となるアルミナ（算術平均粒子径：約１０μｍ）と、シランカップリング剤と、架橋剤と、金属触媒とを添加し、攪拌羽根を用いる攪拌機および３本ロールミルによって混合してペーストを得た。得られたペーストを厚み５０μｍとなるようドクターブレード法によってシート状に成形し、１００℃以下の温度で熱硬化（半硬化）させて電気抵抗層を得た。

【0050】

上記のように作製した電波吸収層と電気抵抗層とを積層し、１００℃以上でさらに熱硬化を行うことで一体化して、サンプルＳ５の電波吸収体を得た。

【0051】

［サンプルＳ６］
電波吸収層は、サンプルＳ３の電波吸収層と同様にして作製した。電気抵抗層は、高抵抗セラミックとして、４５体積％となるアルミナ（算術平均粒子径：約１０μｍ）に代えて、４５体積％となる窒化アルミニウム（算術平均粒子径：約１５μｍ）を用いたこと以
外は、サンプルＳ３の電気抵抗層と同様にして作製した。上記のように作製した電波吸収層と電気抵抗層とを積層し、１００℃以上でさらに熱硬化を行うことで一体化して、サンプルＳ６の電波吸収体を得た。

【0052】

［サンプルＳ７］
電波吸収層は、サンプルＳ３の電波吸収層と同様にして作製した。電気抵抗層は、高抵抗セラミックとして、４５体積％となるアルミナ（算術平均粒子径：約１０μｍ）に代えて、４５体積％となるジルコニア（算術平均粒子径：約２μｍ）を用いたこと以外は、サンプルＳ３の電気抵抗層と同様にして作製した。上記のように作製した電波吸収層と電気抵抗層とを積層し、１００℃以上でさらに熱硬化を行うことで一体化して、サンプルＳ７の電波吸収体を得た。

【0053】

［サンプルＳ８］
電波吸収層は、軟磁性材料として、５０体積％となるＭｎ－Ｚｎフェライト（算術平均粒子径：約１．５μｍ）に代えて、５０体積％となるＮｉ－Ｚｎフェライト（算術平均粒子径：約１．５μｍ）を用いたこと以外は、サンプルＳ５の電波吸収層と同様にして作製した。電気抵抗層は、サンプルＳ５の電気抵抗層と同様にして作製した。上記のように作製した電波吸収層と電気抵抗層とを積層し、１００℃以上でさらに熱硬化を行うことで一体化して、サンプルＳ８の電波吸収体を得た。

【0054】

［サンプルＳ９］
電波吸収層は、軟磁性材料として、５０体積％となるＭｎ－Ｚｎフェライト（算術平均粒子径：約１．５μｍ）に代えて、５０体積％となるＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金（算術平均粒子径：約９μｍ）を用いたことと、シート状に成形する際の厚みを、４５０μｍではなく９００μｍとしたこと以外は、サンプルＳ５の電波吸収層と同様にして作製した。電気抵抗層は、シート状に成形する際の厚みを、５０μｍではなく１００μｍとしたこと以外は、サンプルＳ５の電気抵抗層と同様にして作製した。上記のように作製した電波吸収層と電気抵抗層とを積層し、１００℃以上でさらに熱硬化を行うことで一体化して、サンプルＳ９の電波吸収体を得た。

【0055】

［サンプルＳ１０］
サンプルＳ１０は、電波吸収層を有することなく、電気抵抗層のみを備えている。電気抵抗層の作製には、サンプルＳ５の電気抵抗層のために作製したペーストを使用した。このペーストを厚み１００μｍとなるようドクターブレード法によってシート状に成形し、１００℃以下の温度で熱硬化させて、サンプルＳ１０を得た。

【0056】

［サンプルＳ１１］
サンプルＳ１１は、電気抵抗層を有することなく、電波吸収層のみを備えている。電波吸収層の作製には、サンプルＳ５の電波吸収層のために作製したペーストを使用した。このペーストを厚み９００μｍとなるようドクターブレード法によってシート状に成形し、１００℃以下の温度で熱硬化させて、サンプルＳ１１を得た。

【0057】

［サンプルＳ１２］
官能基としてビニル基を有するシリコーン樹脂（分子量約３００００）に、シランカップリング剤と、架橋剤と、金属触媒とを添加し、攪拌羽根を用いる攪拌機および３本ロールミルによって混合してペーストを得た。得られたペーストを厚み１００μｍとなるようドクターブレード法によってシート状に成形し、１００℃以下の温度で熱硬化（半硬化）させて電波吸収層を得た。すなわち、サンプルＳ１２の電波吸収層は、軟磁性材料を含んでいない。

【0058】

電気抵抗層は、サンプルＳ３の電気抵抗層と同様にして作製した。上記のように作製した電波吸収層と電気抵抗層とを積層し、１００℃以上でさらに熱硬化を行うことで一体化して、サンプルＳ１２の電波吸収体を得た。

【0059】

［サンプルＳ１３］
電波吸収層は、サンプルＳ３の電波吸収層と同様にして作製した。電気抵抗層は、高抵抗セラミックを含まないこと以外は、サンプルＳ３の電気抵抗層と同様にして作製した。上記のように作製した電波吸収層と電気抵抗層とを積層し、１００℃以上でさらに熱硬化を行うことで一体化して、サンプルＳ９の電波吸収体を得た。

【0060】

＜絶縁破壊強度の測定＞
絶縁破壊強度は、ＪＩＳ Ｃ ２１１０－１：２０１６に従い測定した。測定の際には、各サンプルは、１００ｍｍ×１００ｍｍの矩形形状に切り出した。厚みが１ｍｍのサンプルはそのまま測定し、絶縁破壊強度の値を得た。異なる厚みのサンプルは、絶縁破壊電圧の測定後に、厚さ１ｍｍ当たりの絶縁破壊強度を算出した。

【0061】

＜複素比透磁率の導出＞
複素比透磁率の実数成分μ’は、Ｅ４９９１Ｂインピーダンス・アナライザ（キーサイト・テクノロジー社製）を用いて測定した。測定の際には、各サンプルは、外径２０ｍｍ、内径１０ｍｍのトロイダル形状となるように切り出して使用した。複素比透磁率の実数成分は、μ’の値が一定となる領域の値を読み取った。

【0062】

＜ヤング率の測定＞
ヤング率は、引張試験機（島津製作所製オートグラフ（ＡＧ－ＩＳ））を使用して室温にて測定した。各サンプルを、幅１ｃｍ×長さ７ｃｍの短冊状の試験片として切り出し、両端から２ｃｍの位置を治具で保持して、中間の長さ３ｃｍの部分で引張試験を行い、Ｓ－Ｓカーブ（応力－ひずみ曲線）からヤング率を得た。具体的には、各試験片を破断するまで引っ張りながら、サンプル長と荷重の変化を経時的に測定した。このとき、測定した荷重を試験片の引張試験前の断面積で除すことにより、引張応力を算出した。ヤング率は、以下の（１）式により算出される歪みを横軸とし、上記引張応力を縦軸とするグラフ（応力－ひずみ曲線）において、弾性変形領域における傾きとして算出した。

【0063】

歪み（％）＝［引っ張り中のサンプル長 － 元のサンプル長］／元のサンプル長 ・・・（１）

【0064】

＜耐熱試験＞
各サンプルを、大気中１００℃の乾燥機に投入し、１０００時間の連続耐熱試験を行った。耐熱後の各サンプルについて、上記した「ヤング率の測定」と同様の方法により、ヤング率を測定した。

【0065】

＜評価方法＞
図５に示すように、各項目について、基準値との比較により評価を行った。「ＭＨｚ帯性能」は、ＭＨｚ帯用の電磁波吸収体として特に適していることに係る評価項目であり、各サンプルにおいて、電波吸収層が軟磁性材料としてＭｎ－Ｚｎフェライトを含む場合には「○」、Ｍｎ－Ｚｎフェライトを含まない場合には「×」とした。「絶縁破壊強度」は、各サンプルの絶縁破壊強度が３ｋＶ／ｍｍ以上であれば「○」、３ｋＶ／ｍｍ未満であれば「×」とした。「μ’」は、各サンプルの１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲の複素比透磁率の実数成分μ’が３以上であれば「○」、３未満であれば「×」とした。「ヤング率」は、各サンプルのヤング率が１０ＭＰａ以下であれば「○」、１０ＭＰａを超えていれば「×」とした。「耐熱後ヤング率」は、各サンプルの耐熱試験後のヤング率が１１Ｍ
Ｐａ以下であれば「○」、１１ＭＰａを超えていれば「×」とした。

【0066】

図５では、さらに、総合評価の結果を示している。「総合評価」は、本開示の電波吸収体が奏する効果に係る基本性能に対応する評価項目、すなわち、「絶縁破壊強度」と「μ’」のうちの少なくとも一方が「×」の場合には「×」とした。また、総合評価が「×」以外の場合であって、残余の評価項目において「×」の評価項目が無い場合に「◎」、「×」の評価項目が１つの場合に「○」、「×」の評価項目が２つ以上の場合に「△」とした。

【0067】

＜評価結果＞
図５に示すように、「軟磁性材料と樹脂とを備える電波吸収層１２」と、「電波吸収層１２の一方の面上に配置され、絶縁破壊強度が８ｋＶ／ｍｍ以上のセラミックと、空気の絶縁破壊強度よりも高い絶縁破壊強度を有する樹脂と、を備える電気抵抗層１４」と、を備えることで、１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲の電磁波に対する電波吸収能を確保しつつ、絶縁性を高めることができることが確認された（サンプルＳ１～Ｓ９と、サンプルＳ１０～Ｓ１３の対比）。また、電波吸収体を構成する樹脂としてシリコーン樹脂を用いることにより、電波吸収体の柔軟性を高める効果が得られると共に、このような効果が、高温条件下で長時間処理することによっても持続することが確認された（例えば、サンプルＳ３とサンプルＳ１，２との対比）。また、電波吸収体を構成する樹脂の分子量が大きいほど、ヤング率および耐熱試験後のヤング率が小さくなり、電波吸収体の柔軟性および耐熱性が高まることが確認された（例えば、サンプルＳ４とＳ５との対比）。

【0068】

本開示は、上述の実施形態等に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。

【0069】

本開示は、以下の形態としても実現することが可能である。
［適用例１］
電磁波を吸収する電波吸収体であって、
軟磁性材料と樹脂とを備える電波吸収層と、
前記電波吸収層の一方の面上に配置され、絶縁破壊強度が８ｋＶ／ｍｍ以上のセラミックと、空気の絶縁破壊強度よりも高い絶縁破壊強度を有する樹脂と、を備える電気抵抗層と、
を備えることを特徴とする電波吸収体。
［適用例２］
適用例１に記載の電波吸収体であって、
絶縁破壊強度が３ｋＶ／ｍｍ以上であることを特徴とする
電波吸収体。
［適用例３］
適用例１または２に記載の電波吸収体であって、
複素比透磁率の実数成分が、１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲で３以上であることを特徴とする
電波吸収体。
［適用例４］
適用例１から３までのいずれか一項に記載の電波吸収体であって、
前記軟磁性材料は、マンガン亜鉛フェライトであることを特徴とする
電波吸収体。
［適用例５］
適用例１から４までのいずれか一項に記載の電波吸収体であって、
ヤング率が１０ＭＰａ以下であることを特徴とする
電波吸収体。
［適用例６］
適用例１から５までのいずれか一項に記載の電波吸収体であって、
大気中において１００℃で１０００時間処理した後のヤング率が、１１ＭＰａ以下であることを特徴とする
電波吸収体。
［適用例７］
電子部品モジュールを収納するための、導電性部材によって構成される筐体であって、
適用例１から６までのいずれか一項に記載の電波吸収体を備え、
前記電波吸収体は、前記電波吸収体が前記筐体の内壁面に対向する向きで前記筐体の内壁面に取り付けられていることを特徴とする
筐体。
［適用例８］
半導体を有するパワーモジュールと、前記パワーモジュールに電気的に接続されるハーネスと、前記パワーモジュールおよび前記ハーネスを収納すると共に導電性材料によって構成される筐体と、を備える電力変換装置であって、
前記筐体は、適用例１から６までのいずれか一項に記載の電波吸収体を備え、
前記電波吸収体は、前記電波吸収体が前記筐体の内壁面に対向する向きで前記筐体の内壁面に取り付けられていることを特徴とする
電力変換装置。

【符号の説明】

【0070】

１０，１３０…電波吸収体
１２…電波吸収層
１３…接着面
１４…電気抵抗層
２０…筐体
２２…配線
１１６…反射層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】