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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-28
(45)【発行日】2024-11-06
(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、電子機器
(51)【国際特許分類】
H10K 50/844 20230101AFI20241029BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241029BHJP
H10K 50/125 20230101ALI20241029BHJP
H10K 50/82 20230101ALI20241029BHJP
H10K 50/822 20230101ALI20241029BHJP
H10K 50/826 20230101ALI20241029BHJP
H10K 59/30 20230101ALI20241029BHJP
【ＦＩ】
H10K50/844
G09F9/30 339Z
G09F9/30 365
H10K50/125
H10K50/82
H10K50/822
H10K50/826
H10K59/30
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2022505030
(86)(22)【出願日】2021-01-27
(86)【国際出願番号】 JP2021002763
(87)【国際公開番号】W WO2021176894
(87)【国際公開日】2021-09-10
【審査請求日】2024-01-15
(31)【優先権主張番号】P 2020035663
(32)【優先日】2020-03-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000002185
【氏名又は名称】ソニーグループ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】加藤 孝義
【審査官】内村 駿介
(56)【参考文献】
【文献】特開２００９－１０５０６８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－１６２９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－５４０４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１８１３３２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ１０Ｋ ５０／００－１０２／２０
Ｇ０９Ｆ ９／３０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
発光部、発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
表示装置。
【請求項2】
１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第１のコンタクトホールの側壁部において、互いに電気的に接続されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第２のコンタクトホールの底部において、互いに電気的に接続されている、請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
２層目以上のカソード電極を、電位供給配線に対して電気的に接続するカソードコンタクト部は、有効画素領域内に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
カソードコンタクト部は、有効画素領域内の画素毎に設けられている、請求項４に記載の表示装置。
【請求項6】
カソードコンタクト部は、有効画素領域内の所定の大きさの領域毎に設けられている、請求項４に記載の表示装置。
【請求項7】
カソードコンタクト部は、有効画素領域内の中央部の画素の近傍に設けられている、請求項４に記載の表示装置。
【請求項8】
発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、請求項１に記載の表示装置。
【請求項9】
有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、複数色の単色発光有機材料にて画素単位で形成されている、請求項８に記載の表示装置。
【請求項10】
有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、白色発光有機材料にて全画素共通に形成されており、１段、又は、２段以上積層されて設けられている、
請求項８に記載の表示装置。
【請求項11】
発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項12】
所定の電位が与えられた１層目のカソード電極の上に保護膜を形成し、次いで、保護膜に、所定の電位が与えられたコンタクト電極に至る第１のコンタクトホールを形成し、
次いで、第１のコンタクトホールの底部でコンタクト電極と電気的に接続され、第１のコンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する、
表示装置の製造方法。
【請求項13】
１層目のカソード電極の上に形成した保護膜に、１層目のカソード電極に至る第２のコンタクトホールを形成し、次いで、第２のコンタクトホールの底部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する、
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項14】
発光部、発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
近年の表示装置は、フラットパネル型（平面型）の表示装置が主流である。フラットパネル型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を、画素の発光部（発光素子）として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子の一つとして、有機材料のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、『有機ＥＬ素子』と略称する場合がある）が知られている。
【0003】
画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、『有機ＥＬ表示装置』と略称する場合がある）は、一般に、有機ＥＬ素子を駆動する回路部を基板上に形成し、当該回路部を覆う状態で絶縁膜（層間膜）を設け、この絶縁膜上に有機ＥＬ素子を配列形成した構成となっている。そして、有機ＥＬ素子の上には、上部電極として、カソード電極が全画素共通の電極として成膜される。このカソード電極には、所定の電位が与えられる。
【0004】
カソード電極に所定の電位を与えるために、従来は、有効画素領域の外周部に、所定の電位が与えられたコンタクト電極を設け、当該コンタクト電極に対してカソード電極を電気的に接続するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１４－１９９７３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上記の特許文献１に記載の従来技術のように、有効画素領域の外周部にコンタクト電極を設け、当該コンタクト電極にてカソード電極と電気的に接続するようにしたのでは、全画素共通に設けられるカソード電極のシート抵抗が種々の要因によって上昇する場合がある。カソード電極のシート抵抗が上昇すると、画角が大きい程、且つ、電流を多く流そうとする程、有効画素領域の中心部で輝度が低下するという不具合が生じる。
【0007】
本開示は、カソード電極のシート抵抗の低抵抗化を可能とした表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
発光部、
発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている。
発光部、
発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている。
【0009】
また、上記の目的を達成するための本開示の表示装置の製造方法は、
所定の電位が与えられた１層目のカソード電極の上に保護膜を形成し、
次いで、保護膜に、所定の電位が与えられたコンタクト電極に至る第１のコンタクトホールを形成し、
次いで、第１のコンタクトホールの底部でコンタクト電極と電気的に接続され、第１のコンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する。
所定の電位が与えられた１層目のカソード電極の上に保護膜を形成し、
次いで、保護膜に、所定の電位が与えられたコンタクト電極に至る第１のコンタクトホールを形成し、
次いで、第１のコンタクトホールの底部でコンタクト電極と電気的に接続され、第１のコンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する。
【0010】
また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、
発光部、
発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールを通して、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
表示装置を有する。
発光部、
発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールを通して、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
表示装置を有する。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器、全般に関する説明
２．本開示の技術が適用される表示装置
２－１．システム構成
２－２．画素回路
２－３．従来例に係るパネル構造
３．本開示の実施形態に係る表示装置
３－１．実施例１（カソード電極が２層の例：２層目のカソード電極を、コンタクトホールの底部で電位供給配線に電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを電気的に接続する例）
３－２．実施例２（実施例１に係る表示装置の製造方法の例）
３－３．実施例３（実施例１の変形例：１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを、専用に形成したコンタクトホールを通して電気的に接続する例）
３－４．実施例４（実施例３に係る表示装置の製造方法の例）
３－５．実施例５（カソード電極が３層の例：３層目のカソード電極を、コンタクトホールの底部で電位供給配線と電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で３層目のカソード電極と、１層目及び２層目のカソード電極とを電気的に接続する例）
３－６．実施例６（実施例５に係る表示装置の製造方法の例）
３－７．実施例７（電位供給配線に対する２層目以上のカソード電極の電気的接続部、及び、各層のカソード電極同士の電気的接続部の配置例）
４．変形例
５．本開示の電子機器
５－１．具体例１（デジタルスチルカメラの例）
５－２．具体例２（ヘッドマウントディスプレイの例）
６．本開示がとることができる構成
１．本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器、全般に関する説明
２．本開示の技術が適用される表示装置
２－１．システム構成
２－２．画素回路
２－３．従来例に係るパネル構造
３．本開示の実施形態に係る表示装置
３－１．実施例１（カソード電極が２層の例：２層目のカソード電極を、コンタクトホールの底部で電位供給配線に電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを電気的に接続する例）
３－２．実施例２（実施例１に係る表示装置の製造方法の例）
３－３．実施例３（実施例１の変形例：１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを、専用に形成したコンタクトホールを通して電気的に接続する例）
３－４．実施例４（実施例３に係る表示装置の製造方法の例）
３－５．実施例５（カソード電極が３層の例：３層目のカソード電極を、コンタクトホールの底部で電位供給配線と電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で３層目のカソード電極と、１層目及び２層目のカソード電極とを電気的に接続する例）
３－６．実施例６（実施例５に係る表示装置の製造方法の例）
３－７．実施例７（電位供給配線に対する２層目以上のカソード電極の電気的接続部、及び、各層のカソード電極同士の電気的接続部の配置例）
４．変形例
５．本開示の電子機器
５－１．具体例１（デジタルスチルカメラの例）
５－２．具体例２（ヘッドマウントディスプレイの例）
６．本開示がとることができる構成
【0013】
＜本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とが、第１のコンタクトホールの側壁部において、互いに電気的に接続されている構成とすることができる。また、１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とが、第２のコンタクトホールの底部において互いに電気的に接続されている構成とすることができる。
本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とが、第１のコンタクトホールの側壁部において、互いに電気的に接続されている構成とすることができる。また、１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とが、第２のコンタクトホールの底部において互いに電気的に接続されている構成とすることができる。
【0014】
上述した好ましい構成を含む本開示の本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、２層目以上のカソード電極を、電位供給配線に対して電気的に接続するカソードコンタクト部について、有効画素領域内に設けられている構成とすることができる。このとき、カソードコンタクト部について、有効画素領域内の画素毎に設けられている、あるいは又、有効画素領域内の所定の大きさの領域毎に設けられているあるいは又、有効画素領域内の中央部の画素の近傍に設けられている構成とすることができる。
【0015】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、発光部について、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る構成とすることができる。このとき、有機層について、複数色の単色発光有機材料にて画素単位で形成されている、あるいは又、白色発光有機材料にて全画素共通に形成されており、１段、又は、２段以上積層されて設けられている構成とすることができる。
【0016】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の本開示の表示装置、その製造方法及び電子機器にあっては、発光部の駆動回路部について、半導体基板上に形成されている構成とすることができる。
【0017】
＜本開示の技術が適用される表示装置＞
本開示の技術が適用される表示装置は、透明絶縁性基板上に形成した薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor：ＴＦＴ)や、シリコン半導体基板上に形成したＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタで、発光部（発光素子）を駆動して発光させる、所謂、アクティブマトリクス型表示装置である。
本開示の技術が適用される表示装置は、透明絶縁性基板上に形成した薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor：ＴＦＴ)や、シリコン半導体基板上に形成したＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタで、発光部（発光素子）を駆動して発光させる、所謂、アクティブマトリクス型表示装置である。
【0018】
発光部として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子がある。電流駆動型の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を例示することができる。ここでは、一例として、電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子を、画素回路の発光部として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合がある。
【0019】
有機ＥＬ表示装置の一般的な形態は、ガラス基板等の透明絶縁性基板上に形成した薄膜トランジスタによって有機ＥＬ素子に流す電流を制御するというものである。そして、テレビジョンシステムやスマートフォンのディスプレイのような用途には、薄膜トランジスタのチャネル材料として、例えばアモルファスシリコンや多結晶シリコンを用いるのが一般的である。一方、画素ピッチが例えば１０μｍ以下で、解像度が例えば２５００ｐｐｉ[pixels per inch]を超えるような高精細で、且つ、小型の表示装置の場合には、シリコン基板等の半導体基板上に形成したＭＯＳトランジスタによって有機ＥＬ素子に流す電流を制御する場合がある。
【0020】
有機ＥＬ表示装置では、全画素共通に設けられた共通電極を例えば０Ｖに固定とし、有機ＥＬ層を挟んで共通電極の反対側に位置し、画素毎に設けられた個別電極に正電圧を印加することで、有機ＥＬ素子を発光させることになる。以下では、画素毎に設けられた個別電極をアノード電極と記述し、全画素共通に設けられた共通電極をカソード電極と記述する。
【0021】
上記のように、カソード電極の電位（カソード電位）を０Ｖに固定する使い方が典型的な例であるが、この使い方に限定されるものではなく、例えばカソード電位を負電位に設定することで、０Ｖに固定する場合よりも、アノード電極との電位差を大きく設定し、輝度を上げるような使い方も可能である。以下に説明する実施形態では、限定されるものではないが、カソード電位を０Ｖに固定する使い方を基本とする。
【0022】
［システム構成］
図１は、本開示の技術が適用される表示装置の一例である有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。図１に示すように、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される周辺回路（周辺駆動部）とを有するシステム構成となっている。
図１は、本開示の技術が適用される表示装置の一例である有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。図１に示すように、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される周辺回路（周辺駆動部）とを有するシステム構成となっている。
【0023】
周辺回路は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。
【0024】
表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の透明絶縁性基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。表示パネル７０の基板として、半導体基板を用いた有機ＥＬ表示装置は、所謂、マイクロディスプレイ（小型ディスプレイ）と呼称され、デジタルスチルカメラの電子ビューファインダや、ヘッドマウントディスプレイの表示部等として用いて好適なものである。
【0025】
有機ＥＬ表示装置１０については、モノクロ（白黒）表示対応の構成とすることもできるし、カラー表示対応の構成とすることもできる。有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。
【0026】
１つの画素が複数の副画素から構成されるとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）の光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）の光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）の光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【0027】
但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【0028】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対し、行方向（画素行の画素の配列方向）に沿って走査線３１（３１1～３１m）と駆動線３２（３２1～３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対し、列方向（画素列の画素の配列方向）に沿って信号線３３（３３1～３３n）が画素列毎に配線されている。
【0029】
走査線３１（３１1～３１m）は、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２（３２1～３２m）は、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３（３３1～３３n）は、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【0030】
書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際し、走査線３１（３１1～３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1～ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
【0031】
駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動線３２（３２1～３２m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ1～ＤＳm）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。
【0032】
信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）に相当する電圧、あるいは、その近傍の電圧である。基準電圧Ｖofsは、補正動作を行う際に、初期化電圧として用いられる。
【0033】
信号出力部６０から択一的に出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３４（３４1～３４n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による線順次走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを画素行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【0034】
［画素回路］
図２は、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。
図２は、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。
【0035】
図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路部（画素駆動回路部）とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。これにより、有機ＥＬ素子２１のカソード電極には、共通電源線３４を通して所定の電位（例えば、基準電位）がカソード電位Ｖcathとして与えられる。図中、Ｃelは、有機ＥＬ素子２１の等価容量である。
【0036】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路部は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６を有する回路構成となっている。ここでは、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路部を、ガラス基板のような透明絶縁性基板上ではなく、シリコン基板のような半導体基板上に形成することを想定し、駆動トランジスタ２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。
【0037】
また、本例では、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４についても、駆動トランジスタ２２と同様に、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖddが印加される。
【0038】
但し、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４については、スイッチ素子として機能するスイッチングトランジスタであることから、Ｐチャネル型のトランジスタに限られるものではない。すなわち、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、Ｎチャネル型のトランジスタでも、Ｐチャネル型とＮチャネル型が混在した構成のものであってもよい。
【0039】
上記の構成の画素２０において、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部６０から信号線３３を通して供給される信号電圧Ｖsigをサンプリングすることによって保持容量２５に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖddのノードと駆動トランジスタ２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。
【0040】
保持容量２５は、駆動トランジスタ２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量２５は、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリング動作によって書き込まれた信号電圧Ｖsigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２５の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。
【0041】
補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧Ｖddのノードとの間に接続されている。この補助容量２６は、信号電圧Ｖsigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電位が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖgsを、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthにする作用を為す。
【0042】
［従来例に係るパネル構造］
ここで、従来例に係る表示パネル７０の構造（パネル構造）について説明する。図３Ａに、従来例に係る表示パネル７０の構造の平面図を示し、図３Ｂに、図３ＡのＡ－Ａ線に沿った矢視断面図を示す。
ここで、従来例に係る表示パネル７０の構造（パネル構造）について説明する。図３Ａに、従来例に係る表示パネル７０の構造の平面図を示し、図３Ｂに、図３ＡのＡ－Ａ線に沿った矢視断面図を示す。
【0043】
表示パネル７０は、シリコン基板等の半導体基板７１上に、有機ＥＬ素子２１を駆動する回路部（図示せず）が形成され、当該回路部を覆う状態で絶縁膜である層間膜７２が成膜され、当該層間膜７２の上に有機ＥＬ素子２１が配列形成された構成となっている。そして、有機ＥＬ素子２１の上には、上部電極としてカソード電極７３が全画素共通の電極として成膜されている。また、有機ＥＬ素子２１には、有効画素領域である画素アレイ部３０の画素毎に、下部電極としてアノード電極７４が設けられている。図２から明らかなように、アノード電極７４は、画素単位で、有機ＥＬ素子２１を駆動する回路部と電気的に接続されている。
【0044】
カソード電極７３には、所定の電位をカソード電位Ｖcathとして与える必要がある。具体的には、例えば図２の画素回路の構成を採る場合には、カソード電位Ｖcathの共通電源線３４に対してカソード電極７３を電気的に接続する必要がある。そのため、従来例に係る表示パネル７０のパネル構造にあっては、画素アレイ部３０の領域である有効画素領域の外周部に、所定の電位がカソード電位Ｖcathとして与えられたコンタクト電極７５を矩形環状に設け、当該コンタクト電極７５にカソード電極７３を電気的に接続するようにしている。
【0045】
上記の構成の従来例に係るパネル構造では、有効画素領域の全面に亘って、全画素共通に設けられるカソード電極７３のシート抵抗が種々の要因によって上昇する場合がある。そして、カソード電極７３のシート抵抗が上昇すると、画角が大きい程、且つ、電流を多く流そうとする程、有効画素領域の中心部及びその近傍の画素の輝度が低下し、シェーディングの一因となる。また、有効画素領域の外周部にコンタクト電極７５を配置する必要があるため、表示パネル７０の狭額縁化（チップサイズの縮小化）の妨げとなる。
【0046】
＜本開示の実施形態に係る表示装置＞
本開示の実施形態として、図１及び図２に示した表示装置、即ち、発光部（発光素子）が、電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子から成る有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
本開示の実施形態として、図１及び図２に示した表示装置、即ち、発光部（発光素子）が、電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子から成る有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
【0047】
有機ＥＬ素子において、発光機能層である有機層（有機ＥＬ層）は、発光層（例えば、有機発光材料から成る発光層）を備えている。この有機層は、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造等の有機層をタンデムユニットとする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、中間層としてのＣＧＬ（Charge Generation Layer：電荷発生層）、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよい。
【0048】
有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザ光を照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、当該メタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることによって有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。
【0049】
本開示の実施形態に係る表示装置は、例えば、発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置であって、発光部、発光部の上に、互いに層間膜（保護膜）を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、多層のカソード電極に対して所定の電位（例えば、基準電位）を与える電位供給配線、を備えている。そして、多層のカソード電極のうち、２層目以上のカソード電極が、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続された構成となっている。カソード電極について、互いに電気的に接続された多層の電極構造とすることで、カソード電極のシート抵抗の低抵抗化を図ることができる。
【0050】
１層目のカソード電極及び有機層については、マスクスパッタ及び蒸着にて形成するために微細な構造での形成ができなく、その後のフォトレジスト加工にてコンタクトホールを含め形成するときに微細な加工等を実現することになる。２層目以上のカソード電極については、微細な構造での形成が可能であるために、２層目以上のカソード電極を電位供給配線に電気的に接続し、所定の電位に対するカソードコンタクト部とすることで、カソードコンタクト部を有効画素領域内に設けることが可能になる。これにより、有効画素領域内の特に中央部の画素とカソードコンタクト部との間の距離を短くすることができるために、カソード電極のシート抵抗の低抵抗化と相俟って、カソード電極のシート抵抗に起因するシェーディングを抑えることができる。また、カソードコンタクト部を有効画素領域内に設けることにより、表示パネル７０の狭額縁化（チップサイズの縮小化）を図ることができる。
【0051】
以下に、多層のカソード電極を有するパネル構造の本開示の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の具体的な実施例について説明する。以下では、多層のカソード電極として、例えば、第１のカソード電極と第２のカソード電極とから成る２層のカソード電極を例に挙げて説明することとする。但し、多層のカソード電極としては、２層のカソード電極に限られるものではなく、３層以上のカソード電極であってもよい。
【0052】
［実施例１］
実施例１は、カソード電極が２層の例であり、２層目のカソード電極を、コンタクトホールの底部で電位供給配線に電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを電気的に接続する例である。図４は、実施例１に係る表示装置のパネル構造を示す切断部端面図である。
実施例１は、カソード電極が２層の例であり、２層目のカソード電極を、コンタクトホールの底部で電位供給配線に電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを電気的に接続する例である。図４は、実施例１に係る表示装置のパネル構造を示す切断部端面図である。
【0053】
図４に示すように、有機ＥＬ素子２１を駆動する画素回路部２０Ａが形成された半導体基板７１上には、当該画素回路部２０Ａを覆う状態で、絶縁膜である層間膜７２が形成されている。そして、層間膜７２上には、有機ＥＬ素子２１を含む画素（副画素）２０が配列形成されている。画素２０は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）の光を発光する画素２０Ｒ、緑色の光を発光する画素２０Ｇ、青色の光を発光する画素２０Ｂの３つの副画素から構成される。
【0054】
ところで、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの形成手法には大きく分けて二種類ある。その一つは、図５に示すように、複数色、例えばＲ，Ｇ，Ｂの単色発光有機材料を蒸着マスクで塗り分けて画素（副画素）単位で有機ＥＬ層を形成する手法である。他の一つは、図６に示すように、複数色の発光スペクトルを持つ白色（Ｗ）発光有機材料を、発光画素領域の全面に亘って蒸着して白色有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ層）２１Ｗを全画素共通に形成し、複数色、例えばＲ，Ｇ，Ｂの分光スペクトルを持つカラーフィルタ９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂによって分光する手法である。
【0055】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、ＲＧＢ塗分け構造のパネル構造を有する有機ＥＬ表示装置であってもよいし、白色（Ｗ）１段もしくは２段以上のタンデム構造のパネル構造を有する有機ＥＬ表示装置であってもよい。
【0056】
画素２０の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ層）２１は、有機ＥＬ材料を真空蒸着することによって形成される。有機ＥＬ素子２１には、下部電極としてアノード電極７４が、画素毎に独立して層間膜７２の上に形成されている。アノード電極７４の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や、酸化インジウム錫（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）と銀（Ａｇ）との積層等による金属材料を用いることができる。
【0057】
層間膜７２の上のアノード電極７４と同じ層には、コンタクト電極７５が形成されている。コンタクト電極７５の材料としては、例えば、アノード電極７４と同じ材料、即ち、アルミニウムや、酸化インジウム錫と銀との積層等による金属材料を例示することができる。コンタクト電極７５には、所定の電位（基準電位）を供給する電位供給配線７６が電気的に接続されている。電位供給配線７６は、例えば、有機ＥＬ素子２１を駆動する画素回路部２０Ａの配線７７と同じ層に形成されている。
【0058】
アノード電極７４は、有機ＥＬ素子２１を駆動する画素回路部２０Ａの配線７７に電気的に接続されている。画素回路部２０Ａの配線７７は、画素２０が図２に示す回路例の場合には、有機ＥＬ素子２１と駆動トランジスタ２２とを繋ぐ配線等に相当する。
【0059】
有機ＥＬ素子２１の上には、上部電極として、１層目のカソード電極である第１のカソード電極７３1が真空蒸着によって形成されている。第１のカソード電極７３1の材料としては、例えば、酸化インジウム亜鉛（Indium Zink Oxide：ＩＺＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透過性の材料を用いることができる。また、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）等の半透過性の材料を用いることもできる。
【0060】
第１のカソード電極７３1の上には、画素配列の全面に亘って保護膜７８が真空蒸着にて成膜されている。保護膜７８の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、又は、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）等の無機材料を用いることができる。
【0061】
保護膜７８の上には、２層目のカソード電極である第２のカソード電極７３2が真空蒸着によって形成されている。第２のカソード電極７３2の材料としては、第１のカソード電極７３1と同じ材料、即ち、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の材料を用いることができる。但し、第２のカソード電極７３2の材料については、必ずしも、第１のカソード電極７３1と同じ材料である必要はなく、異なる材料を用いることもできる。
【0062】
第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2との間の層間膜である保護膜７８については、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2との間での光の共振効果を利用した、光取り出しに最適なキャビティ構造を形成するように調整してもよい。
【0063】
図４に示すように、保護膜７８には、所定の電位を供給する電位供給配線７６と電気的に接続されたコンタクト電極７５に、有機ＥＬ素子２１の層を通して繋がる第１のコンタクトホール７９が形成されている。この第１のコンタクトホール７９の側壁部には、保護膜７８の上面と同様に、第２のカソード電極７３2が真空蒸着にて形成されている。これにより、第２のカソード電極７３2は、コンタクトホール７８の底部において、電位供給配線７６に対して、コンタクト電極７５を介して電気的に接続されている。
【0064】
また、第１のカソード電極７３1は、第１のコンタクトホール７９の側壁部において、第２のカソード電極７３2と電気的に接続されている。すなわち、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とは、第１のコンタクトホール７９の側壁部において、互いに電気的に接続されている。
【0065】
そして、第１のカソード電極７３1には、第１のコンタクトホール７９の底部において、電位供給配線８５からコンタクト電極７５を介して所定の電位（基準電位）が与えられることになる。また、第２のカソード電極７３2には、第１のコンタクトホール７９の側壁部において、第１のカソード電極７３1から所定の電位が与えられることになる。
【0066】
［実施例２］
実施例２は、実施例１に係る表示装置のパネル構造の製造方法の例である。実施例２に係る製造方法の工程図（その１）を図７Ａ、図７Ｂ、及び、図７Ｃに示し、工程図（その２）を図８Ａ、図８Ｂ、及び、図８Ｃに示す。ここでは、アノード電極７４の形成以降の製造工程について説明することとする。
実施例２は、実施例１に係る表示装置のパネル構造の製造方法の例である。実施例２に係る製造方法の工程図（その１）を図７Ａ、図７Ｂ、及び、図７Ｃに示し、工程図（その２）を図８Ａ、図８Ｂ、及び、図８Ｃに示す。ここでは、アノード電極７４の形成以降の製造工程について説明することとする。
【0067】
図７Ａに示す工程１の状態は、一般的なアノード電極７４の形成プロセスで下地を作製した状態を示している。図７Ｂに示す工程２では、発光部である有機ＥＬ素子２１及び第１のカソード電極７３1を蒸着及びスパッタリングによって形成する。次に、図７Ｃに示す工程３では、第１のカソード電極７３1の上に、画素配列の全面に亘って保護膜７８を、窒化シリコンや酸化チタン等の材料を用いて成膜する。
【0068】
次に、図８Ａに示す工程４では、保護膜７８の上に、第１のコンタクトホール７９を形成する部位Ａを除いてフォトレジスト８１を塗布し、次いで、図８Ｂに示す工程５では、異方性のエッチングによって、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを電気的に接続するための第１のコンタクトホール７９を保護膜７８に形成する。次に、図８Ｃに示す工程６では、フォトレジスト８１を除去した後、第１のコンタクトホール７９の内壁及び底部を含んで、保護膜７８の全面に亘って、第２のカソード電極７３2をスパッタリングもしくは蒸着によって形成する。
【0069】
上述した実施例２に係る製造方法によれば、第１のコンタクトホール７９の底部において、第１のカソード電極７３1をコンタクト電極７５に対して電気的に接続することができるとともに、第１のコンタクトホール７９の側壁部において、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを互いに電気的に接続することができる。
【0070】
［実施例３］
実施例３は、実施例１の変形例であり、１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを、専用に形成したコンタクトホール（第２のコンタクトホール）を通して電気的に接続する例である。図９は、実施例２に係るパネル構造を示す切断部端面図である。
実施例３は、実施例１の変形例であり、１層目のカソード電極と２層目のカソード電極とを、専用に形成したコンタクトホール（第２のコンタクトホール）を通して電気的に接続する例である。図９は、実施例２に係るパネル構造を示す切断部端面図である。
【0071】
実施例１に係る表示装置のパネル構造は、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを、第２のカソード電極７３2をコンタクト電極７５に接続する第１のコンタクトホール７９の側壁部で電気的に接続する構成となっている。これに対し、実施例３に係る表示装置のパネル構造は、図９に示すように、保護膜７８に、第１のカソード電極７３1に繋がる第２のコンタクトホール８０を形成するとともに、第２のコンタクトホール８０の側壁部及び底部を含んで、保護膜７８の全面に亘って、第２のカソード電極７３2を形成し、第２のコンタクトホール８０の底部において、第２のカソード電極７３2を第１のカソード電極７３1と電気的に接続する構成となっている。
【0072】
実施例３に係る表示装置のパネル構造によれば、第１のコンタクトホール７９の底部において、電位供給配線７６からコンタクト電極７５を介して第２のカソード電極７３2に所定の電位が与えられる。そして、この所定の電位が、第１のコンタクトホール７９の側壁部において、第１のカソード電極７３1に与えられるとともに、第２のカソード電極７３2を通して、第２のコンタクトホール８０の底部において、第１のカソード電極７３1に与えられることになる。
【0073】
尚、実施例３に係る表示装置のパネル構造では、第２のコンタクトホール８０の底部の他に、第１のコンタクトホール７９の側壁部においても、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを電気的に接続する構成となっているが、これに限られるものではない。すなわち、第２のコンタクトホール８０の底部においてのみ、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを電気的に接続する構成とすることができる。
【0074】
［実施例４］
実施例４は、実施例３に係る表示装置のパネル構造の製造方法の例である。実施例４に係る製造方法の工程図（その１）を図１０Ａ、図１０Ｂ、及び、図１０Ｃに示し、工程図（その２）を図１１Ａ、図１１Ｂ、及び、図１１Ｃに示す。
実施例４は、実施例３に係る表示装置のパネル構造の製造方法の例である。実施例４に係る製造方法の工程図（その１）を図１０Ａ、図１０Ｂ、及び、図１０Ｃに示し、工程図（その２）を図１１Ａ、図１１Ｂ、及び、図１１Ｃに示す。
【0075】
ここでは、アノード電極７４の形成以降の製造工程について説明することとする。また、第１のカソード電極７３1を、電位供給配線８５に対して、コンタクト電極７５を介して電気的に接続するための第１のコンタクトホール７９の形成については、実施例２の製造方法の場合と同じであるため、ここではその説明を省略することとする。
【0076】
図１０Ａに示す工程１の状態は、一般的なアノード電極７４の形成プロセスで下地を作製した状態を示している。図１０Ｂに示す工程２では、発光部である有機ＥＬ素子２１及び第１のカソード電極７３1を蒸着及びスパッタリングによって形成する。次に、図１０Ｃに示す工程３では、第１のカソード電極７３1の上に、画素配列の全面に亘って保護膜７８を、窒化シリコンや酸化チタン等の材料を用いて成膜する。
【0077】
次に、図１１Ａに示す工程４では、保護膜７８の上に、第２のコンタクトホール８０を形成する部位Ｂを除いてフォトレジスト８１を塗布し、次いで、図１１Ｂに示す工程５では、異方性のエッチングによって、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを電気的に接続するための第２のコンタクトホール８０を保護膜７８に形成する。次に、図１１Ｃに示す工程６では、フォトレジスト８１を除去した後、第２のコンタクトホール８０の内壁及び底部を含んで、保護膜７８の全面に亘って、第２のカソード電極７３2をスパッタリングもしくは蒸着によって形成する。
【0078】
上述した実施例４に係る製造方法によれば、第２のコンタクトホール８０の底部において、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とを電気的に接続することができる。
【0079】
［実施例５］
実施例５は、カソード電極が３層の例であり、３層目のカソード電極を、コンタクトホール（第３のコンタクトホール）の底部で電位供給配線と電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で３層目のカソード電極と、１層目及び２層目のカソード電極とを電気的に接続する例である。図１２は、実施例５に係る表示装置のパネル構造を示す切断部端面図である。
実施例５は、カソード電極が３層の例であり、３層目のカソード電極を、コンタクトホール（第３のコンタクトホール）の底部で電位供給配線と電気的に接続するとともに、コンタクトホールの側壁部で３層目のカソード電極と、１層目及び２層目のカソード電極とを電気的に接続する例である。図１２は、実施例５に係る表示装置のパネル構造を示す切断部端面図である。
【0080】
図１２に示すように、第２のカソード電極７３2の上には、画素配列の全面に亘って保護膜８２が真空蒸着にて成膜されている。保護膜８２の材料としては、保護膜７８と同じ材料、即ち、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化チタン、又は、酸化アルミニウム等の無機材料を用いることができる。
【0081】
保護膜８２の上には、３層目のカソード電極である第３のカソード電極７３3が真空蒸着にて形成されている。第３のカソード電極７３3の材料としては、第１のカソード電極７３1及び第２のカソード電極７３2と同じ材料、即ち、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛等の材料を用いることができる。但し、第３のカソード電極７３3の材料については、必ずしも、第１のカソード電極７３1及び第２のカソード電極７３2と同じ材料である必要はなく、異なる材料を用いることもできる。
【0082】
保護膜８２及び保護膜７８には、所定の電位を供給する電位供給配線７６と電気的に接続されたコンタクト電極７５に、有機ＥＬ素子２１の層を通して繋がる第３のコンタクトホール８３が形成されている。この第３のコンタクトホール８３の側壁部及び底部には、保護膜８２の上面と同様に、第３のカソード電極７３3が真空蒸着にて形成されている。これにより、第３のカソード電極７３3は、第３のコンタクトホール７８の底部において、電位供給配線７６に対して、コンタクト電極７５を介して電気的に接続されている。
【0083】
また、第１のカソード電極７３1及び第２のカソード電極７３2は、第３のコンタクトホール８３の側壁部において、第３のカソード電極７３3と電気的に接続されている。すなわち、第１のカソード電極７３1及び第２のカソード電極７３2と第３のカソード電極７３3とは、第３のコンタクトホール８３の側壁部において、互いに電気的に接続されている。
【0084】
第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とは、実施例３に係る表示装置のパネル構造の場合と同様に、第２のコンタクトホール８０の底部においても、互いに電気的に接続されている。尚、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とは、第３のコンタクトホール８３の側壁部において、第３のカソード電極７３3を通して互いに電気的に接続されていることから、第２のコンタクトホール８０の底部での電気的接続を省略するようにしてもよい。
【0085】
【0086】
尚、実施例４に係る製造方法の第２のカソード電極７３2を形成する工程（図１１に示す工程６）以前の工程については、実施例４に係る製造方法の場合と同じであるために、ここではその工程の図示及び説明は省略することとする。
【0087】
第２のカソード電極７３2を形成した後、図１３Ａに示す工程１では、第２のカソード電極７３2の上に、画素配列の全面に亘って保護膜８２を、窒化シリコンや酸化チタン等の材料を用いて成膜する。次に、図１３Ｂに示す工程２では、保護膜８２の上に、第３のコンタクトホール８３を形成する部位Ｃを除いてフォトレジスト８４を塗布する。
【0088】
次に、図１４Ａに示す工程３では、異方性のエッチングによって、第３のカソード電極７３3とコンタクト電極７５とを電気的に接続するための第３のコンタクトホール８３を形成する。次に、図１４Ｂに示す工程４では、フォトレジスト８４を除去した後、第３のコンタクトホール８３の内壁及び底部を含んで、保護膜８４の全面に亘って、第３のカソード電極７３3をスパッタリングもしくは蒸着によって形成する。
【0089】
上述した実施例４に係る製造方法によれば、第３のコンタクトホール８３の底部において、第３のカソード電極７３3をコンタクト電極７５に対して電気的に接続することができる。また、第３のコンタクトホール８３の側壁部において、第３のカソード電極７３3に対して、第１のカソード電極７３1及び第２のカソード電極７３2を電気的に接続することができる。
【0090】
［実施例７］
実施例７は、電位供給配線に対する２層目以上のカソード電極の電気的接続部、及び、各層のカソード電極同士の電気的接続部の配置例である。
実施例７は、電位供給配線に対する２層目以上のカソード電極の電気的接続部、及び、各層のカソード電極同士の電気的接続部の配置例である。
【0091】
実施例１に係る表示装置のパネル構造では、電位供給配線７６に対して第２のカソード電極７３2が第１のコンタクトホール７９の底部で電気的に接続されている。実施例１に係る表示装置のパネル構造では更に、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とが、第１のコンタクトホール７９の側壁部で互いに電気的に接続されている。
【0092】
実施例２に係る表示装置のパネル構造では、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とが、第２のコンタクトホール８０の底部で互いに電気的に接続されている。
【0093】
実施例３に係る表示装置のパネル構造では、電位供給配線７６に対して第３のカソード電極７３3が第３のコンタクトホール８３の底部で電気的に接続されている。実施例３に係る表示装置のパネル構造では更に、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2と第３のカソード電極７３3とが、第３のコンタクトホール８３の側壁部で互いに電気的に接続されている。
【0094】
ここで、便宜上、電位供給配線７６に対して、２層目以上のカソード電極（第２のカソード電極７３2／第３のカソード電極７３3）が第１のコンタクトホール７９／第３のコンタクトホール８３の底部で電気的に接続される接続部を第１のカソードコンタクト部とする。また、第１のカソード電極７３1と第２のカソード電極７３2とが第２のコンタクトホール８０の底部で電気的に接続される接続部を第２のカソードコンタクト部とし、第１のコンタクトホール７９／第３のコンタクトホール８３の側壁部で各層のカソード電極同士が互いに電気的に接続される接続部を第３のカソードコンタクト部とする。
【0095】
第１のコンタクトホール７９／第３のコンタクトホール８３の底部を利用する第１のカソードコンタクト部については、白色（Ｗ）１段もしくは２段のタンデム構造では、有効画素領域の内側、外側、もしくは、その両側に配置することができ、３段以上のタンデム構造、又は、ＲＧＢ塗分け構造では、有効画素領域の内側もしくは外側に配置することができる。
【0096】
白色（Ｗ）１段もしくは２段のタンデム構造では、第１のカソードコンタクト部の配置位置が有効画素領域の内側及び外側のとき、あるいは、内側のみのときには、コンタクトホール８０の底部を利用する第２のカソードコンタクト部、及び、第１のコンタクトホール７９／第３のコンタクトホール８３の側壁部を利用する第３のカソードコンタクト部を採用することができる。第１のカソードコンタクト部の配置位置が有効画素領域外側のみときには、コンタクトホール７９の底部を利用する第２のカソードコンタクト部を採用することができる。ＲＧＢ塗分け構造では、コンタクトホール８０の底部を利用する第２のカソードコンタクト部、及び、第１のコンタクトホール７９／第３のコンタクトホール８３の側壁部を利用する第３のカソードコンタクト部を採用することができる。
【0097】
特に、第１のカソードコンタクト部については、有効画素領域外に設けることも可能であるが、有効画素領域内の特に中央部の画素２０と第１のカソードコンタクト部との間の距離を短くし、カソード電極のシート抵抗の低抵抗化を図る上では、有効画素領域内に設けることが好ましい。また、第１のカソードコンタクト部を有効画素領域内に設けることで、表示パネル７０の狭額縁化（チップサイズの縮小化）を図ることができる。
【0098】
【0099】
例えば、第１のカソードコンタクト部８５を、有効画素領域内に設けるに当たっては、最も好ましい形態としては、図１５Ａの配置例（その１）に示すように、第１のカソードコンタクト部８５を、１つの画素２０に１個ずつ配置することである。この配置例（その１）によれば、有効画素領域内における画素２０の位置に関係なく、画素２０と第１のカソードコンタクト部８５との間の距離を短く、しかも、一定にすることができる。
【0100】
また、図１５Ｂの配置例（その２）に示すように、互いに隣接する複数の画素２０を含む所定の大きさの領域Ｘを単位とし、当該領域Ｘに第１のカソードコンタクト部８５を１個ずつ配置する配置例とすることもできる。ここでは、所定の大きさの領域Ｘが、互いに隣接する４画素から成る場合を例示しているが、４画素から成る領域に限られるものではなく、その領域Ｘの大きさは任意である。但し、領域Ｘを構成する画素数が少ない方が、図１５Ａの最も好ましい形態に近付けることができ、画素２０と第１のカソードコンタクト部８５との間の距離を短く、しかも、一定にすることができる。
【0101】
また、図１５Ｃの配置例（その３）に示すように、有効画素領域の中央部の画素２０ｏの近傍の複数の画素２０に、第１のカソードコンタクト部８５を１個ずつ配置する配置例とすることもできる。この配置例（その３）によれば、特に中央部の画素２０と第１のカソードコンタクト部８５との間の距離を短くし、カソード電極のシート抵抗の低抵抗化を図ることができるため、ＩＲドロップの発生を抑制し、シート抵抗に起因するシェーディングを抑えることができる。
【0102】
＜変形例＞
以上、本開示の技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示の技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。例えば、上記の実施形態では、有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、有機ＥＬ表示装置への適用に限られるものではなく、例えば、カソード電極に所定の電位を与える構成をとる表示装置全般に対して適用可能である。
以上、本開示の技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示の技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。例えば、上記の実施形態では、有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、有機ＥＬ表示装置への適用に限られるものではなく、例えば、カソード電極に所定の電位を与える構成をとる表示装置全般に対して適用可能である。
【0103】
また、上記の実施形態では、白色（Ｗ）１段のタンデム構造を例に挙げて説明したが、電荷発生層（ＣＧＬ）を中間層としてタンデムユニットを積層して成る白色（Ｗ）２段以上のタンデム構造に対しても、本開示の技術を適用することができる。
【0104】
＜本開示の電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示する、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。電子機器としては、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができる。但し、これらに限られるものではない。
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示する、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。電子機器としては、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができる。但し、これらに限られるものではない。
【0105】
このように、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることにより、以下のような効果を得ることができる。すなわち、本開示の表示装置によれば、画素解像度の向上、高輝度化、及び、狭額縁化の全てを満たすことができる。従って、本開示の表示装置を用いることにより、電子機器の表示部の高性能化、及び、電子機器本体の小型化に寄与できる。
【0106】
本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これらに限られるものではない。
【0107】
【0108】
本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。
【0109】
そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
【0110】
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例１に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、その電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【0111】
［具体例２］
図１７は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。
図１７は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの一例を示す外観図である。
【0112】
本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、本体部３０１、アーム部３０２及び鏡筒３０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイ構成となっている。本体部３０１は、アーム部３０２及び眼鏡３１０と接続されている。具体的には、本体部３０１の長辺方向の端部はアーム部３０２に取り付けられている。また、本体部３０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡３１０に連結されている。尚、本体部３０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
【0113】
本体部３０１は、ヘッドマウントディスプレイ３００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部３０２は、本体部３０１と鏡筒３０３とを連結させることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を支える。具体的には、アーム部３０２は、本体部３０１の端部及び鏡筒３０３の端部と結合されることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を固定する。また、アーム部３０２は、本体部３０１から鏡筒３０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。
【0114】
鏡筒３０３は、本体部３０１からアーム部３０２を経由して提供される画像光を、眼鏡３１０のレンズ３１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ３００を装着するユーザの目に向かって投射する。
【0115】
上記の構成のヘッドマウントディスプレイ３００において、本体部３０１に内蔵される表示部として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、その表示部として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【0116】
＜本開示がとることができる構成＞
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
【0117】
≪Ａ．表示装置≫
［Ａ－１］発光部、
発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
表示装置。
［Ａ－２］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第１のコンタクトホールの側壁部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ａ－１］に記載の表示装置。
［Ａ－３］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第２のコンタクトホールの底部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ａ－２］に記載の表示装置。
［Ａ－４］２層目以上のカソード電極を、電位供給配線に対して電気的に接続するカソードコンタクト部は、有効画素領域内に設けられている、
上記［Ａ－１］乃至上記［Ａ－３］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ－５］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の画素毎に設けられている、
上記［Ａ－４］に記載の表示装置。
［Ａ－６］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の所定の大きさの領域毎に設けられている、
上記［Ａ－４］に記載の表示装置。
［Ａ－７］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の中央部の画素の近傍に設けられている、
上記［Ａ－４］に記載の表示装置。
［Ａ－８］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ａ－１］乃至上記［Ａ－７］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ－９］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、複数色の単色発光有機材料にて画素単位で形成されている、
上記［Ａ－８］に記載の表示装置。
［Ａ－１０］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、白色発光有機材料にて全画素共通に形成されており、
１段、又は、２段以上積層されて設けられている、
上記［Ａ－８］に記載の表示装置。
［Ａ－１１］発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記［Ａ－１］乃至上記［Ａ－１０］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ－１］発光部、
発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
表示装置。
［Ａ－２］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第１のコンタクトホールの側壁部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ａ－１］に記載の表示装置。
［Ａ－３］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第２のコンタクトホールの底部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ａ－２］に記載の表示装置。
［Ａ－４］２層目以上のカソード電極を、電位供給配線に対して電気的に接続するカソードコンタクト部は、有効画素領域内に設けられている、
上記［Ａ－１］乃至上記［Ａ－３］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ－５］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の画素毎に設けられている、
上記［Ａ－４］に記載の表示装置。
［Ａ－６］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の所定の大きさの領域毎に設けられている、
上記［Ａ－４］に記載の表示装置。
［Ａ－７］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の中央部の画素の近傍に設けられている、
上記［Ａ－４］に記載の表示装置。
［Ａ－８］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ａ－１］乃至上記［Ａ－７］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ－９］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、複数色の単色発光有機材料にて画素単位で形成されている、
上記［Ａ－８］に記載の表示装置。
［Ａ－１０］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、白色発光有機材料にて全画素共通に形成されており、
１段、又は、２段以上積層されて設けられている、
上記［Ａ－８］に記載の表示装置。
［Ａ－１１］発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記［Ａ－１］乃至上記［Ａ－１０］のいずれかに記載の表示装置。
【0118】
≪Ｂ．表示装置の製造方法≫
［Ｂ－１］所定の電位が与えられた１層目のカソード電極の上に保護膜を形成し、
次いで、保護膜に、所定の電位が与えられたコンタクト電極に至る第１のコンタクトホールを形成し、
次いで、第１のコンタクトホールの底部でコンタクト電極と電気的に接続され、第１のコンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する、
表示装置の製造方法。
［Ｂ－２］１層目のカソード電極の上に形成した保護膜に、１層目のカソード電極に至る第２のコンタクトホールを形成し、
次いで、第２のコンタクトホールの底部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する、
上記［Ｂ－１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ－１］所定の電位が与えられた１層目のカソード電極の上に保護膜を形成し、
次いで、保護膜に、所定の電位が与えられたコンタクト電極に至る第１のコンタクトホールを形成し、
次いで、第１のコンタクトホールの底部でコンタクト電極と電気的に接続され、第１のコンタクトホールの側壁部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する、
表示装置の製造方法。
［Ｂ－２］１層目のカソード電極の上に形成した保護膜に、１層目のカソード電極に至る第２のコンタクトホールを形成し、
次いで、第２のコンタクトホールの底部で１層目のカソード電極と電気的に接続される２層目以上のカソード電極を形成する、
上記［Ｂ－１］に記載の表示装置の製造方法。
【0119】
≪Ｃ．電子機器≫
［Ｃ－１］発光部、
発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
表示装置を有する電子機器。
［Ｃ－２］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第１のコンタクトホールの側壁部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ｃ－１］に記載の電子機器。
［Ｃ－３］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第２のコンタクトホールの底部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ｃ－２］に記載の電子機器。
［Ｃ－４］２層目以上のカソード電極を、電位供給配線に対して電気的に接続するカソードコンタクト部は、有効画素領域内に設けられている、
上記［Ｃ－１］乃至上記［Ｃ－３］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ－５］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の画素毎に設けられている、
上記［Ｃ－４］に記載の電子機器。
［Ｃ－６］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の所定の大きさの領域毎に設けられている、
上記［Ｃ－４］に記載の電子機器。
［Ｃ－７］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の中央部の画素の近傍に設けられている、
上記［Ｃ－４］に記載の電子機器。
［Ｃ－８］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ｃ－１］乃至上記［Ｃ－７］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ－９］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、複数色の単色発光有機材料にて画素単位で形成されている、
上記［Ｃ－８］に記載の電子機器。
［Ｃ－１０］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、白色発光有機材料にて全画素共通に形成されており、
１段、又は、２段以上積層されて設けられている、
上記［Ｃ－８］に記載の電子機器。
［Ｃ－１１］発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記［Ｃ－１］乃至上記［Ｃ－１０］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ－１］発光部、
発光部の上に、互いに保護膜を挟んで２層以上積層され、互いに電気的に接続された多層のカソード電極、及び、
多層のカソード電極に対して所定の電位を与える電位供給配線、
を備え、
多層のカソード電極のうち２層目以上のカソード電極は、第１のコンタクトホールの底部において、電位供給配線に対して電気的に接続されている、
表示装置を有する電子機器。
［Ｃ－２］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第１のコンタクトホールの側壁部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ｃ－１］に記載の電子機器。
［Ｃ－３］１層目のカソード電極と２層目以上のカソード電極とは、第２のコンタクトホールの底部において、互いに電気的に接続されている、
上記［Ｃ－２］に記載の電子機器。
［Ｃ－４］２層目以上のカソード電極を、電位供給配線に対して電気的に接続するカソードコンタクト部は、有効画素領域内に設けられている、
上記［Ｃ－１］乃至上記［Ｃ－３］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ－５］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の画素毎に設けられている、
上記［Ｃ－４］に記載の電子機器。
［Ｃ－６］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の所定の大きさの領域毎に設けられている、
上記［Ｃ－４］に記載の電子機器。
［Ｃ－７］カソードコンタクト部は、有効画素領域内の中央部の画素の近傍に設けられている、
上記［Ｃ－４］に記載の電子機器。
［Ｃ－８］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ｃ－１］乃至上記［Ｃ－７］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ－９］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、複数色の単色発光有機材料にて画素単位で形成されている、
上記［Ｃ－８］に記載の電子機器。
［Ｃ－１０］有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層は、白色発光有機材料にて全画素共通に形成されており、
１段、又は、２段以上積層されて設けられている、
上記［Ｃ－８］に記載の電子機器。
［Ｃ－１１］発光部の駆動回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記［Ｃ－１］乃至上記［Ｃ－１０］のいずれかに記載の電子機器。
【符号の説明】
【0120】
１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）・・・画素（副画素）、２０Ａ・・・画素回路部、２１（２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｗ）・・・有機ＥＬ素子（有機ＥＬ層）、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・保持容量、２６・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、７１・・・半導体基板、７２・・・層間膜、７３・・・カソード電極（上部電極）、７３1・・・第１のカソード電極、７３2・・・第２のカソード電極、７３3・・・第３のカソード電極、７４（７４Ｒ，７４Ｇ，７４Ｂ）、・・・アノード電極（下部電極）、７５・・・コンタクト電極、７６・・・電源供給配線、７７・・・回路部の配線、７８，８２・・・保護膜、７９・・・第１のコンタクトホール、８０・・・第２のコンタクトホール、８３・・・第３のコンタクトホール、８５・・・カソードコンタクト部、９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ・・・カラーフィルタ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】