(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-28
(45)【発行日】2024-11-06
(54)【発明の名称】高周波誘導加熱装置と、それによって半田付けを行う回路基板
(51)【国際特許分類】
B23K 3/04 20060101AFI20241029BHJP
H05K 3/34 20060101ALI20241029BHJP
B23K 1/002 20060101ALI20241029BHJP
H05B 6/10 20060101ALI20241029BHJP
【ＦＩ】
B23K3/04 Y
H05K3/34 507D
B23K1/002
H05B6/10 331
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2020166729
(22)【出願日】2020-10-01
(65)【公開番号】P2022059164
(43)【公開日】2022-04-13
【審査請求日】2023-09-28
(73)【特許権者】
【識別番号】518360139
【氏名又は名称】株式会社スフィンクス・テクノロジーズ
(74)【代理人】
【識別番号】100114074
【弁理士】
【氏名又は名称】大谷 嘉一
(74)【代理人】
【識別番号】100222324
【弁理士】
【氏名又は名称】西野 千明
(72)【発明者】
【氏名】臼田 武史
(72)【発明者】
【氏名】熊田 泉実
(72)【発明者】
【氏名】高柳 毅
【審査官】松田 長親
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２０－０５９０４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－１２０６４９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０９７４２７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１６６０９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－１４２８４８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ２３Ｋ １／００－３／０８
Ｈ０５Ｋ ３／３４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
回路基板のスルーホールに、部品面側から半田面側に貫通した電子部品の端子を、このスルーホール内、前記回路基板の部品面側において、前記スルーホールに電気的に導通接続された部品面側パッド、および前記回路基板の半田面側において、前記スルーホールに電気的に導通接続された半田面側パッドに、半田付けをする高周波誘導加熱ヘッドと、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分に、半田を供給する半田供給手段と、を備え、前記高周波誘導加熱ヘッドは、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分を、所定間隔をおいて、両側から挟んだ状態で配置される磁気ギャップを有するコア体と、前記コア体に磁束を供給するコイルと、このコイルへの通電制御を行う制御手段と、を有し、
前記制御手段には、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分の温度を検出する第１の温度検出手段と、前記回路基板の半田面側パッド部分の温度を検出する第２の温度検出手段と、を接続し、
前記制御手段は、前記コイルへの通電後、前記第１の温度検出手段による端子部の検出温度が、半田溶融温度よりも高くなったことを検出すると、前記半田供給手段により、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分に、半田を所定量供給する構成とするとともに、前記半田供給手段による半田供給開始後、前記第２の温度検出手段による半田面側パッド部分の検出温度が、下降傾向を示した後に、上昇に転じたことを検出すると、前記コイルへの通電を停止、または前記コイルへの供給電力量を低下させる構成としたことを特徴とする高周波誘導加熱装置。
【請求項2】
前記制御手段にタイマを接続し、前記第２の温度検出手段による半田面側パッド部の検出温度が、下降傾向を示した後に、上昇に転じ、この上昇傾向が所定時間以上経過したことを検出すると、前記コイルへの通電を停止、または前記コイルへの供給電力量を低下させる構成としたことを特徴とする請求項１に記載の高周波誘導加熱装置。
【請求項3】
前記制御手段は、前記コイルへの通電後、前記第１の温度検出手段による端子部分の検出温度が、半田溶融温度よりも高くなったことを検出すると、前記半田供給手段により、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分に、半田を供給するとともに、前記コイルへの供給電力量を高める構成としたことを特徴とする請求項１または２に記載の高周波誘導加熱装置。
【請求項4】
第１の温度検出手段と第２の温度検出手段のうち、少なくとも第２の温度検出手段を、放射温度計によって構成したことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の高周波誘導加熱装置。
【請求項5】
前記第１の温度検出手段は、回路基板の半田面側に突出する端子の先端部分の温度を検出する構成とし、前記半田供給手段は、前記第１の温度検出手段による温度検出部分よりも半田面側パッド側の端子部分に半田を供給する構成としたことを特徴とする請求項４に記載の高周波誘導加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波誘導加熱装置と、それによって半田付けを行う回路基板に関するものである。
【背景技術】
【0002】
高周波誘導加熱装置は、例えば、特許文献１に示すように回路基板のパッド部分に、電子部品を、半田付けするものとして活用されている。
すなわち、この種、高周波誘導加熱装置は、電子部品の端子を、回路基板のパッド部に、半田付けする高周波誘導加熱ヘッドと、前記パッド部に、半田を供給する、半田供給手段と、を備えた構成となっている。
また、前記高周波誘導加熱ヘッドは、磁気ギャップを有するコア体と、前記コア体に磁束を供給するコイルと、このコイルへの通電制御を行う制御手段と、を有する構成となっていた。
この高周波誘導加熱装置を用いて、電子部品の端子を回路基板のパッド部に、半田付けする場合、先ず、高周波誘導加熱ヘッドの磁気ギャップを、パッド部に移動させて、このパッド部、および、電子部品の端子を、半田の溶融温度以上に加熱し、次に、前記磁気ギャップに、半田供給手段から、半田を供給し、半田を半溶融化させ、その後、半溶融状態の半田を、前記パッド部、端子部に押圧し、この状態で、前記パッド部、端子部、半田を加熱し、半田を溶融させ、半田付けを完了させるようにしていた。
すなわち、この種、高周波誘導加熱装置は、電子部品の端子を、回路基板のパッド部に、半田付けする高周波誘導加熱ヘッドと、前記パッド部に、半田を供給する、半田供給手段と、を備えた構成となっている。
また、前記高周波誘導加熱ヘッドは、磁気ギャップを有するコア体と、前記コア体に磁束を供給するコイルと、このコイルへの通電制御を行う制御手段と、を有する構成となっていた。
この高周波誘導加熱装置を用いて、電子部品の端子を回路基板のパッド部に、半田付けする場合、先ず、高周波誘導加熱ヘッドの磁気ギャップを、パッド部に移動させて、このパッド部、および、電子部品の端子を、半田の溶融温度以上に加熱し、次に、前記磁気ギャップに、半田供給手段から、半田を供給し、半田を半溶融化させ、その後、半溶融状態の半田を、前記パッド部、端子部に押圧し、この状態で、前記パッド部、端子部、半田を加熱し、半田を溶融させ、半田付けを完了させるようにしていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１４－１２０６４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記先行技術においては、回路基板のパッド部に、電子部品の端子をはんだ付けしているが、回路基板のスルーホールを貫通した電子部品の端子を、このスルーホール内、および、前記スルーホールの半田面側パッド、および部品側パッドに、半田付けする点については、何ら、考慮されていない。
すなわち、回路基板のスルーホールを貫通した電子部品の端子を、このスルーホール内、および、前記半田面側パッド、部品面側パッド部に、半田付けする場合には、半田を溶融させ、スルーホール内を流動させなくてはならないのであるが、上記先行文献では、この点が全く考慮されておらず、結論として、スルーホールを有する回路基板への半田付けを、適切に行う事は出来ない。
そこで、本発明は、スルーホールを有する回路基板への半田付けが適切に行えるようにすることを目的とするものである。
すなわち、回路基板のスルーホールを貫通した電子部品の端子を、このスルーホール内、および、前記半田面側パッド、部品面側パッド部に、半田付けする場合には、半田を溶融させ、スルーホール内を流動させなくてはならないのであるが、上記先行文献では、この点が全く考慮されておらず、結論として、スルーホールを有する回路基板への半田付けを、適切に行う事は出来ない。
そこで、本発明は、スルーホールを有する回路基板への半田付けが適切に行えるようにすることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
そして、この目的を達成するために本発明の高周波誘導加熱装置は、回路基板のスルーホールに、部品面側から半田面側に貫通した電子部品の端子を、このスルーホール内、前記回路基板の部品面側において、前記スルーホールに電気的に導通接続された部品面側パッド、および前記回路基板の半田面側において、前記スルーホールに電気的に導通接続された半田面側パッドに、半田付けをする高周波誘導加熱ヘッドと、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分に、半田を供給する半田供給手段と、を備え、前記高周波誘導加熱ヘッドは、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分を、所定間隔をおいて、両側から挟んだ状態で配置される磁気ギャップを有するコア体と、前記コア体に磁束を供給するコイルと、このコイルへの通電制御を行う制御手段と、を有し、前記制御手段には、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分の温度を検出する第１の温度検出手段と、前記回路基板の半田面側パッド部分の温度を検出する第２の温度検出手段と、を接続し、前記制御手段は、前記コイルへの通電後、前記第１の温度検出手段による端子部の検出温度が、半田溶融温度よりも高くなったことを検出すると、前記半田供給装置により、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分に、半田を所定量供給する構成とするとともに、前記半田供給装置による半田供給開始後、前記第２の温度検出手段による半田面側パッド部分の検出温度が、下降傾向を示した後に、上昇に転じたことを検出すると、前記コイルへの通電を停止、または前記コイルへの供給電力量を低下させる構成とした。
【0006】
また、本発明の高周波誘導加熱装置は、前記制御手段にタイマを接続し、前記第２の温度検出手段による半田面側パッド部の検出温度が、下降傾向を示した後に、上昇に転じ、この上昇傾向が所定時間以上経過したことを検出すると、前記コイルへの通電を停止、または前記コイルへの供給電力量を低下させる構成とした。
さらに、本発明の高周波誘導加熱装置の制御手段は、前記コイルへの通電後、前記第１の温度検出手段による端子部分の検出温度が、半田溶融温度よりも高くなったことを検出すると、前記半田供給装置により、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分に、半田を供給するとともに、前記コイルへの供給電力量を高める構成とした。
また、本発明の高周波誘導加熱装置は、第１の温度検出手段と第２の温度検出手段のうち、少なくとも第２の温度検出手段を、放射温度計によって構成した。
さらに、本発明の高周波誘導加熱装置は、前記第１の温度検出手段は、回路基板の半田面側に突出する端子の先端部分の温度を検出する構成とし、前記半田供給装置は、前記第１の温度検出手段による温度検出部分よりも半田面側パッド側の端子部分に半田を供給する構成とした。
さらに、本発明の高周波誘導加熱装置の制御手段は、前記コイルへの通電後、前記第１の温度検出手段による端子部分の検出温度が、半田溶融温度よりも高くなったことを検出すると、前記半田供給装置により、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分に、半田を供給するとともに、前記コイルへの供給電力量を高める構成とした。
また、本発明の高周波誘導加熱装置は、第１の温度検出手段と第２の温度検出手段のうち、少なくとも第２の温度検出手段を、放射温度計によって構成した。
さらに、本発明の高周波誘導加熱装置は、前記第１の温度検出手段は、回路基板の半田面側に突出する端子の先端部分の温度を検出する構成とし、前記半田供給装置は、前記第１の温度検出手段による温度検出部分よりも半田面側パッド側の端子部分に半田を供給する構成とした。
【0007】
また、本発明の高周波誘導加熱装置によって電子部品の端子が半田付けされる回路基板は、その半田面と部品面間を貫通したスルーホールと、前記回路基板の半田面側において、前記スルーホールに電気的に導通接続された半田面側パッド、および前記回路基板の部品面側において、前記スルーホールに電気的に導通接続された部品側パッドとを備え、前記半田面側パッド、および部品側パッドで、前記高周波誘導加熱装置のコア体の磁気ギャップ方向とは直交する部分に、ビアホールエリアを設け、このビアホールエリアには、回路基板の部品面、半田面間を貫通し、半田面側パッド、および部品側パッドに熱伝導的に接続されたビアホールを設けた。
また、本発明の回路基板は、前記半田面側パッド、および部品面側パッドであって、前記スルーホールの外側で、磁気ギャップ方向の延長線上部分に、非ビアホールエリアを設けた。
また、本発明の回路基板は、前記半田面側パッド、および部品面側パッドであって、前記スルーホールの外側で、磁気ギャップ方向の延長線上部分に、非ビアホールエリアを設けた。
【発明の効果】
【0008】
以上のように本発明に係る高周波誘導加熱装置は、回路基板のスルーホールを、部品面側から半田面側に貫通した電子部品の端子を、このスルーホール内、部品面側パッド、および半田面側パッドに、半田付けをする高周波誘導加熱ヘッドと、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分に、半田を供給する半田供給手段と、を備え、前記高周波誘導加熱ヘッドは、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分を、所定間隔をおいて、両側から挟んだ状態で配置される磁気ギャップを有するコア体と、前記コア体に磁束を供給するコイルと、このコイルへの通電制御を行う制御手段と、を有し、前記制御手段には、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分の温度を検出する第１の温度検出手段と、前記回路基板の半田面側パッド部分の温度を検出する、放射温度計によって構成された第２の温度検出手段と、を接続し、前記制御手段は、前記コイルへの通電後、前記第１の温度検出手段による端子部の検出温度が、半田溶融温度よりも高くなったことを検出すると、前記半田供給装置により、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分に、半田を所定量供給する構成とするとともに、前記半田供給装置による半田供給開始後、前記第２の温度検出手段による半田面側パッド部分の検出温度が、下降傾向を示した後に、上昇に転じたことを検出すると、前記コイルへの通電を停止、または前記コイルへの供給電力量を低下させる構成としたので、スルーホールを有する回路基板への半田付けが適切に行えるようになる。
【0009】
すなわち、本発明においては、回路基板の半田面側に突出した端子部分の温度を検出する第１の温度検出手段と、前記回路基板の半田面側パッド部分の温度を検出する、放射温度計によって構成された第２の温度検出手段と、を設けるとともに、これら第１、第２の温度検出手段に接続した制御手段は、前記コイルへの通電後、前記第１の温度検出手段による端子部の検出温度が、半田溶融温度よりも高くなったことを検出すると、前記半田供給装置により、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分に、半田を所定量供給する構成とし、また、前記半田供給装置による半田供給開始後、前記第２の温度検出手段による半田面側パッド部分の検出温度が、下降傾向を示した後に、上昇に転じたことを検出すると、前記コイルへの通電を停止、または前記コイルへの供給電力量を低下させる構成としたので、スルーホールを有する回路基板への半田付けが適切に行えるようになる。
【0010】
つまり、前記回路基板の半田面側に突出した端子部分に供給された半田が溶融し、その後、スルーホール内を半田が下降している状態を、前記第２の温度検出手段により、半田面側パッド部の検出温度が、下降傾向を示すことで検出し、また、半田が、回路基板の部品面側にまで到達したことを、前記第２の温度検出手段により、半田面側パッド部の検出温度が上昇に転じたことで検出し、これにより、前記コイルへの通電を停止、または低下させる構成としたものであるので、スルーホールを有する回路基板への半田付けが適切に行えるようになるのである。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の一実施形態にかかる高周波誘導加熱の斜視図である。
【図2】同、高周波誘導加熱装置の正面図である。
【図3】同、高周波誘導加熱装置の側面図である。
【図4】同、高周波誘導加熱装置の側面図である。
【図5】同、高周波誘導加熱装置の一部を取り除いた斜視図である。
【図6】同、高周波誘導加熱装置の分解斜視図である。
【図7】同、高周波誘導加熱装置の分解斜視図である。
【図8】同、高周波誘導加熱装置の高周波誘導加熱ヘッド部分の拡大斜視図である。
【図9】同、高周波誘導加熱装置の高周波誘導加熱ヘッド部分の拡大分解斜視図である。
【図10】同、高周波誘導加熱装置の高周波誘導加熱ヘッド部分の拡大分解斜視図である。
【図11】同高周波誘導加熱装置の正面図である。
【図12】同、高周波誘導加熱装置の側面図である。
【図13】同、高周波誘導加熱装置の拡大斜視図である。
【図14】同、高周波誘導加熱装置の拡大斜視図である。
【図15】同、高周波誘導加熱装置の拡大斜視図である。
【図16】同、高周波誘導加熱装置の拡大斜視図である。
【図17】同、高周波誘導加熱装置の拡大斜視図である。
【図18】同、高周波誘導加熱装置の拡大斜視図である。
【図19】同、高周波誘導加熱装置の拡大斜視図である。
【図20】同、高周波誘導加熱装置の制御ブロック図である。
【図21】同、高周波誘導加熱装置の動作を説明する図である。
【図22】同、高周波誘導加熱装置の動作を説明する図である。
【図23】同、高周波誘導加熱装置の動作を説明する図である。
【図24】同、高周波誘導加熱装置の動作を説明する図である。
【図25】同、高周波誘導加熱装置の動作を説明する図である。
【図26】同、高周波誘導加熱装置の動作を説明する図である。
【図27】同、高周波誘導加熱装置の動作を説明する図である。
【図28】同、高周波誘導加熱装置の動作を説明する図である。
【図29】同、高周波誘導加熱装置の動作を説明するフロチャートである。
【図30】同、高周波誘導加熱装置で半田付けする回路基板の他の実施形態を示す一部平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の一実施形態を、添付図面を用いて説明する。
（実施の形態１）
本実施形態では、先ずは、高周波誘導加熱ヘッド１の構成について図１～図１０を用いて説明し、他の部分の構成については、図１１～図２９を用いて説明する。
図１～図４において、本実施形態の高周波誘導加熱ヘッド１は、箱状の本体ケース２を備えている。
本体ケース２の上面２ａ、下面２ｂ、４枚の外周面２ｃの、合計六面は、何れも樹脂で形成され、この本体ケース２の上面２ａには、ＩＨ出力接続コネクター２Ａと、２個の冷却水接続コネクター３が設けられている。
また、本体ケース２の下方には、コア体４と、このコア体４に磁束を供給するコイル５が配置されている。
本体ケース２の内部には、図５～図７に示すようにコンデンサ６が配置され、このコンデンサ６の両側には、それぞれ、コンデンサ６側から外方に向けて、電気水路接続体７、８が設けられている。
これらの電気水路接続体７、８はいずれも銅材によって形成され、当接する物品との電気的な導通が図れる構成となっている。
先ず、電気水路接続体８は、全体的な形状としてはビル状で、その内部には、上下方向に延びる水路（図示せず）が形成され、この水路の上端には、電気水路接続体８の上面において、冷却水接続コネクター３が結合されている。
また、電気水路接続体８内の水路の下端は、図７に示すように、電気水路接続体８の下部で、コンデンサ６側において水路結合部９となっている。
次に、電気水路接続体７は、全体的な形状としては板状であるが、下部の基台部１０の内部には、電気水路接続体８側への横方向から、その後、下方へと延びる水路（図示せず）が形成されている。
そして、電気水路接続体７の水路で、電気水路接続体８側への端部は、図６に示すように水路結合部１１となっている。
また、電気水路接続体７の水路で、下端側への端部は、図７に示すように水路結合部１２となっている。
以上のような構成で、図６、図７に示す金属製のねじ１３、１４を用いて、左右の電気水路接続体７、８ともコンデンサ６の固定部にねじ止めすると、図５に示すように、コンデンサ６の両側に、それぞれ、電気水路接続体７、８が一体化された構成となる。
また、この一体化作業により、左右の電気水路接続体７、８とも、それぞれ、冷却水接続コネクター３、電気水路接続体８内の水路、その水路結合部９、電気水路接続体７の水路結合部１１、電気水路接続体７の水路、水路結合部１２への連続した水路が形成される。
前記コンデンサ６、電気水路接続体７、８の一体化物は、本体ケース２内において、図５の様に下面２ｂ上に保持された状態となっており、冷却水接続コネクター３は、本体ケース２の上面２ａの貫通孔Ａ上に引き出された状態となっている。
また、二つの電気水路接続体７の基台部１０の下面は、本体ケース２の下面２ｂの貫通孔Ｂ部に位置し、それによって、基台部１０の下面の水路結合部１２は、貫通孔Ｂを介して本体ケース２外に臨んだ状態となっている。
そして、二つの基台部１０の下面に、図６、図７のねじ１６で、コア体４と、コイル５が図５の様に結合されている。
（実施の形態１）
本実施形態では、先ずは、高周波誘導加熱ヘッド１の構成について図１～図１０を用いて説明し、他の部分の構成については、図１１～図２９を用いて説明する。
図１～図４において、本実施形態の高周波誘導加熱ヘッド１は、箱状の本体ケース２を備えている。
本体ケース２の上面２ａ、下面２ｂ、４枚の外周面２ｃの、合計六面は、何れも樹脂で形成され、この本体ケース２の上面２ａには、ＩＨ出力接続コネクター２Ａと、２個の冷却水接続コネクター３が設けられている。
また、本体ケース２の下方には、コア体４と、このコア体４に磁束を供給するコイル５が配置されている。
本体ケース２の内部には、図５～図７に示すようにコンデンサ６が配置され、このコンデンサ６の両側には、それぞれ、コンデンサ６側から外方に向けて、電気水路接続体７、８が設けられている。
これらの電気水路接続体７、８はいずれも銅材によって形成され、当接する物品との電気的な導通が図れる構成となっている。
先ず、電気水路接続体８は、全体的な形状としてはビル状で、その内部には、上下方向に延びる水路（図示せず）が形成され、この水路の上端には、電気水路接続体８の上面において、冷却水接続コネクター３が結合されている。
また、電気水路接続体８内の水路の下端は、図７に示すように、電気水路接続体８の下部で、コンデンサ６側において水路結合部９となっている。
次に、電気水路接続体７は、全体的な形状としては板状であるが、下部の基台部１０の内部には、電気水路接続体８側への横方向から、その後、下方へと延びる水路（図示せず）が形成されている。
そして、電気水路接続体７の水路で、電気水路接続体８側への端部は、図６に示すように水路結合部１１となっている。
また、電気水路接続体７の水路で、下端側への端部は、図７に示すように水路結合部１２となっている。
以上のような構成で、図６、図７に示す金属製のねじ１３、１４を用いて、左右の電気水路接続体７、８ともコンデンサ６の固定部にねじ止めすると、図５に示すように、コンデンサ６の両側に、それぞれ、電気水路接続体７、８が一体化された構成となる。
また、この一体化作業により、左右の電気水路接続体７、８とも、それぞれ、冷却水接続コネクター３、電気水路接続体８内の水路、その水路結合部９、電気水路接続体７の水路結合部１１、電気水路接続体７の水路、水路結合部１２への連続した水路が形成される。
前記コンデンサ６、電気水路接続体７、８の一体化物は、本体ケース２内において、図５の様に下面２ｂ上に保持された状態となっており、冷却水接続コネクター３は、本体ケース２の上面２ａの貫通孔Ａ上に引き出された状態となっている。
また、二つの電気水路接続体７の基台部１０の下面は、本体ケース２の下面２ｂの貫通孔Ｂ部に位置し、それによって、基台部１０の下面の水路結合部１２は、貫通孔Ｂを介して本体ケース２外に臨んだ状態となっている。
そして、二つの基台部１０の下面に、図６、図７のねじ１６で、コア体４と、コイル５が図５の様に結合されている。
【0013】
具体的に説明すると、先ず、コイル５は、内部に水路が形成された銅パイプによってＵ字状に形成され、その一端側と、他端は、それぞれ、銅材製の前、後のコイルベース１７、１８に結合されている。
前、後のコイルベース１７、１８は、それぞれの上辺に、ねじ１６を貫通させる貫通孔が形成された水平方向のフランジ１７ａ、１８ａが形成され、このフランジ１７ａ、１８ａの貫通孔に、下方からねじ１６を貫通させ、このねじ１６を、電気水路接続体７の基台部１０の下面のねじ穴に螺合させることで、前、後のコイルベース１７、１８は、電気水路接続体７の基台部１０に結合される。
また、コイルベース１７、１８には、それぞれ、上下方向への水路（図示せず）が形成され、コイルベース１７の水路の下端には、コイル５の一端側の水路結合部（図示せず）が連結され、コイルベース１８の水路の下端には、コイル５の他端側の水路結合部（図示せず）が連結されている。
また、コイルベース１７の水路の上端のフランジ１７ａには、図６のごとく水路結合部１９が形成され、コイルベース１８の水路の上端のフランジ１８ａには、図６のごとく水路結合部２０が形成されている。
このため、二つの基台部１０の下面に、図６、図７の金属製のねじ１６で、コイルベース１７、１８を固定すると、二つの基台部１０の下面の水路結合部１２に、コイルベース１７、１８の水路結合部１９、２０が、それぞれ、別々にゴムパッキン１５を介して連結されることになる。
なお、水路結合部９、１１間にも、例えば、図７に示すようなゴムパッキン１５が介在され、水漏れを防ぐ構造となっている。
以上の構成とすることで、一方の冷却水接続コネクター３から、例えば、２５℃の冷却水を流し込むと、その冷却水は、一方の電気水路接続体８内の水路、水路結合部９、一方の電気水路接続体７の水路結合部１１、一方の電気水路接続体７内の水路、水路結合部１２、コイルベース１７の水路結合部１９、コイルベース１７の水路、コイル５の一端側の水路結合部、コイル５の水路、コイル５の他端側の水路結合部、コイルベース１８の水路、コイルベース１８の水路結合部２０、他方の電気水路接続体７の水路結合部１２、他方の電気水路接続体７の水路、他方の電気水路接続体８内の水路、他方の冷却水接続コネクター３へと流れて、そのご、本体ケース２外の冷却部で冷却され、再び、上記一方の冷却水接続コネクター３へと循環される。
なお、コイルベース１７、１８間は、樹脂製の絶縁板２１を介して重ね合わせ、しかも、これら両者を結合するねじ２２は樹脂製で、絶縁性であるので、コイルベース１７、１８間における短絡的な電気的導通は起きない。
また、図５に示す、ＩＨ出力接続コネクター２Ａの一端子と、一方の電気水路接続体８の端子部２３は配線（図面の煩雑化を避けるために図示せず）で接続され、また、ＩＨ出力接続コネクター２Ａの他端子と、他方の電気水路接続体８の端子部２４は配線（図面の煩雑化を避けるために図示せず）で接続されている。
また、コンデンサ６と電気水路接続体７、８も上記金属製のねじ１３、１４による一体化で、電気的に接続された状態となっている。
さらに、コンデンサ６、電気水路接続体７、８、コイルベース１７、１８、コイル５も、電気的に接続された状態となっている。
つまり、ＩＨ出力接続コネクター２Ａからの電源供給を行うと、コンデンサ６とコイル５による共振が発生し、この共振電流が、コイル５に供給され、磁束が発生する状態となる。
前、後のコイルベース１７、１８は、それぞれの上辺に、ねじ１６を貫通させる貫通孔が形成された水平方向のフランジ１７ａ、１８ａが形成され、このフランジ１７ａ、１８ａの貫通孔に、下方からねじ１６を貫通させ、このねじ１６を、電気水路接続体７の基台部１０の下面のねじ穴に螺合させることで、前、後のコイルベース１７、１８は、電気水路接続体７の基台部１０に結合される。
また、コイルベース１７、１８には、それぞれ、上下方向への水路（図示せず）が形成され、コイルベース１７の水路の下端には、コイル５の一端側の水路結合部（図示せず）が連結され、コイルベース１８の水路の下端には、コイル５の他端側の水路結合部（図示せず）が連結されている。
また、コイルベース１７の水路の上端のフランジ１７ａには、図６のごとく水路結合部１９が形成され、コイルベース１８の水路の上端のフランジ１８ａには、図６のごとく水路結合部２０が形成されている。
このため、二つの基台部１０の下面に、図６、図７の金属製のねじ１６で、コイルベース１７、１８を固定すると、二つの基台部１０の下面の水路結合部１２に、コイルベース１７、１８の水路結合部１９、２０が、それぞれ、別々にゴムパッキン１５を介して連結されることになる。
なお、水路結合部９、１１間にも、例えば、図７に示すようなゴムパッキン１５が介在され、水漏れを防ぐ構造となっている。
以上の構成とすることで、一方の冷却水接続コネクター３から、例えば、２５℃の冷却水を流し込むと、その冷却水は、一方の電気水路接続体８内の水路、水路結合部９、一方の電気水路接続体７の水路結合部１１、一方の電気水路接続体７内の水路、水路結合部１２、コイルベース１７の水路結合部１９、コイルベース１７の水路、コイル５の一端側の水路結合部、コイル５の水路、コイル５の他端側の水路結合部、コイルベース１８の水路、コイルベース１８の水路結合部２０、他方の電気水路接続体７の水路結合部１２、他方の電気水路接続体７の水路、他方の電気水路接続体８内の水路、他方の冷却水接続コネクター３へと流れて、そのご、本体ケース２外の冷却部で冷却され、再び、上記一方の冷却水接続コネクター３へと循環される。
なお、コイルベース１７、１８間は、樹脂製の絶縁板２１を介して重ね合わせ、しかも、これら両者を結合するねじ２２は樹脂製で、絶縁性であるので、コイルベース１７、１８間における短絡的な電気的導通は起きない。
また、図５に示す、ＩＨ出力接続コネクター２Ａの一端子と、一方の電気水路接続体８の端子部２３は配線（図面の煩雑化を避けるために図示せず）で接続され、また、ＩＨ出力接続コネクター２Ａの他端子と、他方の電気水路接続体８の端子部２４は配線（図面の煩雑化を避けるために図示せず）で接続されている。
また、コンデンサ６と電気水路接続体７、８も上記金属製のねじ１３、１４による一体化で、電気的に接続された状態となっている。
さらに、コンデンサ６、電気水路接続体７、８、コイルベース１７、１８、コイル５も、電気的に接続された状態となっている。
つまり、ＩＨ出力接続コネクター２Ａからの電源供給を行うと、コンデンサ６とコイル５による共振が発生し、この共振電流が、コイル５に供給され、磁束が発生する状態となる。
【0014】
次に、この磁束による加熱を行うコア体４について説明する。
コア体４は、図８～図１０に示すように、Ｃの字状の第１のサブコア体２５と、逆Ｃの字状の第２のサブコア体２６の、それぞれの一端側（上端側）を重ね合わせ、前記サブコア体２５、２６の他端側（下端側）間に、隙間による磁気ギャップ２７を形成した構成としている。
つまり、前記コア体４は、Ｃの字状のサブコア体２５と、逆Ｃの字状のサブコア体２６の、それぞれの一端側（上端側）を重ね合わせることで、正面視の状態で、リング状で、リングの一部に、前記磁気ギャップ２７を形成する隙間が形成された構成としている。
そして、リング状のコア体４の内部空間に、コイル５が直線状に貫通した状態となっており、これにより、コイル５で発生した磁束が、コア体４、磁気ギャップ２７に流れる構成となっている。
また、前記サブコア体２５、２６の一端側における重合部には、サブコア体２５、２６を貫通する貫通孔２８を設け、この貫通孔２８に貫通軸としてねじ２９を貫通させ、このねじ２９を開閉軸として、前記磁気ギャップ２７の大きさを可変する構成としている。
また、前記コア体４は、正面視の状態で、外径寸法よりも、表裏方向の板厚寸法が小さい板状とし、この板状のコア体４の表面と、裏面には、それぞれ保護板３０、３１を配置している。
保護板３０は、Ｃの字状の第１のサブ保護板３２と、逆Ｃの字状の第２のサブ保護板３３の一端側（上部側）を重ね合わせるとともに、これらサブ保護板３２、３３の重合部には、サブ保護板３２、３３を貫通す貫通孔３４を設け、この貫通孔３４には、前記貫通軸としてねじ２９が貫通する。
また、保護板３１は、Ｃの字状の第１のサブ保護板３５と、逆Ｃの字状の第２のサブ保護板３６の一端側（上部側）を重ね合わせるとともに、これらサブ保護板３５、３６の重合部には、サブ保護板３５、３６を貫通す貫通孔３７を設け、この貫通孔３７には、前記貫通軸としてねじ２９が貫通する。
つまり、貫通軸としてねじ２９は、サブ保護板３２、３３の貫通孔３４、次に、サブコア体２５、２６の貫通孔２８、その後、サブ保護板３５、３６の貫通孔３７を貫通し、Ｕ字状の熱伝導部材３８のねじ穴３９にねじ込まれることになる。
そして、この構成により、コア体４は、表面も裏面も、熱伝導が可能な状態で、保護板３０、３１で覆われた状態となっている。
また、サブ保護板３２、３３の上部には、サブコア体２５、２６の上面を覆う様に、後方への折り曲部４０が形成され、そこにねじ穴４１を形成している。
さらに、サブ保護板３５、３６の上部には、サブ保護板３２、３３上部の後方への折り曲げ部を覆う様に、前方への折り曲部４２が形成され、そこに貫通孔４３を形成している。
また、サブ保護板３５、３６の上部には外方への取り付け部４４を設け、そこに貫通孔４５を設けている。
貫通孔４３は前後方向への長孔、貫通孔４５は外周方向への長孔となっている。
このような構成で、保護板３１、コア体４、保護板３０を重ね、熱伝導部材３８に保持、固定するのであるが、その方法は、一例として、先ず、保護板３１、コア体４、保護板３０を重ね、貫通孔３４、貫通孔２８、貫通孔３７に棒状の治具（図示せず）を貫通させて、軸合わせをする。
次に、保護板３１の上方からねじ４６を、貫通孔４３を介して保護板３０のねじ穴４１に螺合させ、これによって、コア体４を前後から、保護板３０、３１で挟んだ状態とする。
そして、この様に仮のユニット化されたコア体４、保護板３０、３１から上記棒状の治具を抜き取り、次に、図９の熱伝導部材３８の保持部３８ａに配置し、保護板３１、コア体４、保護板３０の貫通孔３４、貫通孔２８、貫通孔３７にねじ２９を貫通させ、このねじ２９を熱伝導部材３８のねじ穴３９にねじ込む。
また、ねじ４７は保護板３１の貫通孔４５を貫通させ、熱伝導部材３８のねじ穴４８にねじ込む。
この状態で、磁気ギャップ２７の大きさを調整し、最終的に、上記ねじ２９、４７を強く締め付け、これによって保護板３１、コア体４、保護板３０の熱伝導部材３８への保持、固定が完了する。
以上の構成とすれば、熱伝導部材３８に、保護板３１のコア体４とは反対側の面が当接され、熱伝導部材３８と保護板３１間の熱伝導が行いやすい状態となる。
つまり、コイルベース１８が、コイル５を冷却する冷却水で冷却されると、その低温は、銅材製の熱伝導部材３８、銅材製の保護板３１を介して、フェライト材よりなるコア体４の冷却にも活用されることになり、本実施形態では、連続２４時間の稼働をさせても、コア体４の温度を１００℃程度に抑制できることとなった。
コア体４は、図８～図１０に示すように、Ｃの字状の第１のサブコア体２５と、逆Ｃの字状の第２のサブコア体２６の、それぞれの一端側（上端側）を重ね合わせ、前記サブコア体２５、２６の他端側（下端側）間に、隙間による磁気ギャップ２７を形成した構成としている。
つまり、前記コア体４は、Ｃの字状のサブコア体２５と、逆Ｃの字状のサブコア体２６の、それぞれの一端側（上端側）を重ね合わせることで、正面視の状態で、リング状で、リングの一部に、前記磁気ギャップ２７を形成する隙間が形成された構成としている。
そして、リング状のコア体４の内部空間に、コイル５が直線状に貫通した状態となっており、これにより、コイル５で発生した磁束が、コア体４、磁気ギャップ２７に流れる構成となっている。
また、前記サブコア体２５、２６の一端側における重合部には、サブコア体２５、２６を貫通する貫通孔２８を設け、この貫通孔２８に貫通軸としてねじ２９を貫通させ、このねじ２９を開閉軸として、前記磁気ギャップ２７の大きさを可変する構成としている。
また、前記コア体４は、正面視の状態で、外径寸法よりも、表裏方向の板厚寸法が小さい板状とし、この板状のコア体４の表面と、裏面には、それぞれ保護板３０、３１を配置している。
保護板３０は、Ｃの字状の第１のサブ保護板３２と、逆Ｃの字状の第２のサブ保護板３３の一端側（上部側）を重ね合わせるとともに、これらサブ保護板３２、３３の重合部には、サブ保護板３２、３３を貫通す貫通孔３４を設け、この貫通孔３４には、前記貫通軸としてねじ２９が貫通する。
また、保護板３１は、Ｃの字状の第１のサブ保護板３５と、逆Ｃの字状の第２のサブ保護板３６の一端側（上部側）を重ね合わせるとともに、これらサブ保護板３５、３６の重合部には、サブ保護板３５、３６を貫通す貫通孔３７を設け、この貫通孔３７には、前記貫通軸としてねじ２９が貫通する。
つまり、貫通軸としてねじ２９は、サブ保護板３２、３３の貫通孔３４、次に、サブコア体２５、２６の貫通孔２８、その後、サブ保護板３５、３６の貫通孔３７を貫通し、Ｕ字状の熱伝導部材３８のねじ穴３９にねじ込まれることになる。
そして、この構成により、コア体４は、表面も裏面も、熱伝導が可能な状態で、保護板３０、３１で覆われた状態となっている。
また、サブ保護板３２、３３の上部には、サブコア体２５、２６の上面を覆う様に、後方への折り曲部４０が形成され、そこにねじ穴４１を形成している。
さらに、サブ保護板３５、３６の上部には、サブ保護板３２、３３上部の後方への折り曲げ部を覆う様に、前方への折り曲部４２が形成され、そこに貫通孔４３を形成している。
また、サブ保護板３５、３６の上部には外方への取り付け部４４を設け、そこに貫通孔４５を設けている。
貫通孔４３は前後方向への長孔、貫通孔４５は外周方向への長孔となっている。
このような構成で、保護板３１、コア体４、保護板３０を重ね、熱伝導部材３８に保持、固定するのであるが、その方法は、一例として、先ず、保護板３１、コア体４、保護板３０を重ね、貫通孔３４、貫通孔２８、貫通孔３７に棒状の治具（図示せず）を貫通させて、軸合わせをする。
次に、保護板３１の上方からねじ４６を、貫通孔４３を介して保護板３０のねじ穴４１に螺合させ、これによって、コア体４を前後から、保護板３０、３１で挟んだ状態とする。
そして、この様に仮のユニット化されたコア体４、保護板３０、３１から上記棒状の治具を抜き取り、次に、図９の熱伝導部材３８の保持部３８ａに配置し、保護板３１、コア体４、保護板３０の貫通孔３４、貫通孔２８、貫通孔３７にねじ２９を貫通させ、このねじ２９を熱伝導部材３８のねじ穴３９にねじ込む。
また、ねじ４７は保護板３１の貫通孔４５を貫通させ、熱伝導部材３８のねじ穴４８にねじ込む。
この状態で、磁気ギャップ２７の大きさを調整し、最終的に、上記ねじ２９、４７を強く締め付け、これによって保護板３１、コア体４、保護板３０の熱伝導部材３８への保持、固定が完了する。
以上の構成とすれば、熱伝導部材３８に、保護板３１のコア体４とは反対側の面が当接され、熱伝導部材３８と保護板３１間の熱伝導が行いやすい状態となる。
つまり、コイルベース１８が、コイル５を冷却する冷却水で冷却されると、その低温は、銅材製の熱伝導部材３８、銅材製の保護板３１を介して、フェライト材よりなるコア体４の冷却にも活用されることになり、本実施形態では、連続２４時間の稼働をさせても、コア体４の温度を１００℃程度に抑制できることとなった。
【0015】
本実施形態の高周波誘導加熱ヘッドは、磁気ギャップ２７部分において、回路基板のパッドに、電子部品の端子部を半田付けするものであり、このような、半田付け作業が２４時間連続で行えるという事は、生産性を飛躍的に高めることが出来るものとなる。
また、本実施形態では、保護板３０、３１は、前記コア体４よりも比透磁率が低く、かつ、前記コア体４よりも電気抵抗値が低い金属材によって構成した。
具体的には、コア体４はフェライト材により形成し、前記保護板３０、３１は銅材、あるいはアルミニウム材により形成した。
コア体４を構成するフェライト材の比透磁率が５０～５０００であるのに対して、保護板３０、３１を銅材やアルミニウム材で構成した場合は、その比透磁率は略１であるので、コア体４を流れる磁束は、専らコア体４内を流れ、保護板３０、３１へと漏洩することは少ない。
しかしながら、本実施形態では、コイル５に１００Ａ程度の大きな電流を流すので、漏れ磁束が磁気ギャップ２７を流れる磁束量に比較して十分に少なくても、コア体４近傍の構成体を十分に加熱、高温化させてしまうこともある。
これに対して本実施形態では、コア体４から漏れ出した磁束は、前記コア体４よりも比透磁率が低い保護板３０、３１を通過し、また、この保護板３０、３１は、前記コア体４よりも電気抵抗値が低い金属材によって構成したものであるので、前記磁束の通過により、渦電流が流れ、この渦電流で、前記保護板３０、３１を通過する磁束とは反対方向の磁束を発生させ、その結果として、前記コア体４から保護板３０、３１を介して漏れ出す磁束量が減少し、これによって、近傍の他の構成体を不用意に加熱することが無くなる。
実験によれば、磁気ギャップ２７から４ｍｍ離れた位置における不用意な加熱を２０％減少、８ｍｍ離れた位置における不用意な加熱を４０％減少させることが出来た。
これにより、本来は加熱するものではない物品が、コア体４からの磁束で不用意に加熱され、それが劣化することが無くなる。
また、磁気ギャップ２７近傍で、本来は加熱する予定の無い物品が、磁束によって不用意に加熱されないので、加熱作業の自由度が向上し、生産性も高まる。
また、漏れ磁束が減少するという事は、磁気ギャップ２７の磁束が増加するという事でもあり、加熱効率を高めることもできる。
なお、保護板３０、３１を銅材で形成した場合、その電気抵抗値は、１．６８×１０－８Ωｍ、また、保護板３０、３１をアルミニウム材で形成した場合、その電気抵抗値は、２．８３×１０－８Ωｍで、フェライト材が略絶縁性であるのに対して、極めての電気抵抗値が小さいものである。
また、前記コア体４の外形と、前記保護板３０、３１の外形を、略同一として、このコア体４の正面と、裏面を保護板３０、３１で覆ったので、コア体４に、直接的に、他の物品が衝突するのを保護板３０、３１で保護することが出来、この結果として、コア体４の損傷を抑制することが出来る。
つまり、コア体４は、フェライトで構成されるので、他の物品の衝突や、コア体４自身の落下により損傷を受けやすいものであるが、前記コア体４の外形と、前記保護板３０、３１の外形を、略同一として、このコア体４の正面と、裏面を保護板３０、３１で覆えば、コア体４に、直接的に、他の物品が衝突するのを保護板３０、３１で保護することが出来、この結果として、コア体４の損傷を抑制することが出来るのである。
また、前記保護板３１を銅材で形成した場合の熱伝導は、４０３Ｗ／ｍ・Ｋ、アルミニウム材により形成した場合の熱伝導は、２３６Ｗ／ｍ・Ｋと熱伝導度の良いものであるので、上記コイル５を冷却水で冷却すると、保護板３１を介してコア体４を十分に冷却することが出来るが、コア体４と前記保護板３１間には、例えばシリコーン系グリス等の熱伝導性グリスを介在させると、さらに冷却効果を高めることができる。
なお、上記実施形態では、コア体４を水冷する例を示したが、コア体４を空冷する構成としても良い。
例えば、熱伝導部材３８、保護板３０、３１に空冷用の送風を行っても良い。
また、そのために熱伝導部材３８、保護板３０、３１に放熱フィンを設けても良い。
また、本実施形態では、保護板３０、３１は、前記コア体４よりも比透磁率が低く、かつ、前記コア体４よりも電気抵抗値が低い金属材によって構成した。
具体的には、コア体４はフェライト材により形成し、前記保護板３０、３１は銅材、あるいはアルミニウム材により形成した。
コア体４を構成するフェライト材の比透磁率が５０～５０００であるのに対して、保護板３０、３１を銅材やアルミニウム材で構成した場合は、その比透磁率は略１であるので、コア体４を流れる磁束は、専らコア体４内を流れ、保護板３０、３１へと漏洩することは少ない。
しかしながら、本実施形態では、コイル５に１００Ａ程度の大きな電流を流すので、漏れ磁束が磁気ギャップ２７を流れる磁束量に比較して十分に少なくても、コア体４近傍の構成体を十分に加熱、高温化させてしまうこともある。
これに対して本実施形態では、コア体４から漏れ出した磁束は、前記コア体４よりも比透磁率が低い保護板３０、３１を通過し、また、この保護板３０、３１は、前記コア体４よりも電気抵抗値が低い金属材によって構成したものであるので、前記磁束の通過により、渦電流が流れ、この渦電流で、前記保護板３０、３１を通過する磁束とは反対方向の磁束を発生させ、その結果として、前記コア体４から保護板３０、３１を介して漏れ出す磁束量が減少し、これによって、近傍の他の構成体を不用意に加熱することが無くなる。
実験によれば、磁気ギャップ２７から４ｍｍ離れた位置における不用意な加熱を２０％減少、８ｍｍ離れた位置における不用意な加熱を４０％減少させることが出来た。
これにより、本来は加熱するものではない物品が、コア体４からの磁束で不用意に加熱され、それが劣化することが無くなる。
また、磁気ギャップ２７近傍で、本来は加熱する予定の無い物品が、磁束によって不用意に加熱されないので、加熱作業の自由度が向上し、生産性も高まる。
また、漏れ磁束が減少するという事は、磁気ギャップ２７の磁束が増加するという事でもあり、加熱効率を高めることもできる。
なお、保護板３０、３１を銅材で形成した場合、その電気抵抗値は、１．６８×１０－８Ωｍ、また、保護板３０、３１をアルミニウム材で形成した場合、その電気抵抗値は、２．８３×１０－８Ωｍで、フェライト材が略絶縁性であるのに対して、極めての電気抵抗値が小さいものである。
また、前記コア体４の外形と、前記保護板３０、３１の外形を、略同一として、このコア体４の正面と、裏面を保護板３０、３１で覆ったので、コア体４に、直接的に、他の物品が衝突するのを保護板３０、３１で保護することが出来、この結果として、コア体４の損傷を抑制することが出来る。
つまり、コア体４は、フェライトで構成されるので、他の物品の衝突や、コア体４自身の落下により損傷を受けやすいものであるが、前記コア体４の外形と、前記保護板３０、３１の外形を、略同一として、このコア体４の正面と、裏面を保護板３０、３１で覆えば、コア体４に、直接的に、他の物品が衝突するのを保護板３０、３１で保護することが出来、この結果として、コア体４の損傷を抑制することが出来るのである。
また、前記保護板３１を銅材で形成した場合の熱伝導は、４０３Ｗ／ｍ・Ｋ、アルミニウム材により形成した場合の熱伝導は、２３６Ｗ／ｍ・Ｋと熱伝導度の良いものであるので、上記コイル５を冷却水で冷却すると、保護板３１を介してコア体４を十分に冷却することが出来るが、コア体４と前記保護板３１間には、例えばシリコーン系グリス等の熱伝導性グリスを介在させると、さらに冷却効果を高めることができる。
なお、上記実施形態では、コア体４を水冷する例を示したが、コア体４を空冷する構成としても良い。
例えば、熱伝導部材３８、保護板３０、３１に空冷用の送風を行っても良い。
また、そのために熱伝導部材３８、保護板３０、３１に放熱フィンを設けても良い。
【0016】
以上の説明は、高周波誘導加熱ヘッド１を構成するコア体４、コイル５などを中心に説明を行ったが、本実施形態の高周波誘導加熱装置は、前記高周波誘導加熱ヘッド１以外に、図１１～図２９に示す半田供給装置の一例としての、糸半田供給装置４９、および、温度測定手段の一例として放射温度計５０、５１を備えている。
なお、図１１～図２９は、図１～図１０に示したものと同一のものであるが、糸半田供給装置４９、放射温度計５０、５１を中心に説明するので、図面の煩雑化を避けるため、図１～図１０で説明した一部の符号は、あえて、付与していない。
先ず、本実施形態の高周波誘導加熱装置は、図１１～図２０に示すように、高周波誘導加熱ヘッド１以外に、半田供給装置の一例としての、糸半田供給装置４９、温度測定手段の一例として放射温度計５０、５１を設けている。
図１５に示す回路基板５２は、例えば搬送手段の一例として用いたＸＹΘテーブル（図示せず）によって高周波誘導加熱ヘッド１部分に、搬送される。
回路基板５２は、図１７、図１８、図２１に示すように、この回路基板５２を貫通したスルーホール５２ａ（内面には導電膜が存在している）と、前記回路基板５２の半田面側（本実施形態では、図１７、図１８、図２１の上面側）において、前記スルーホール５２ａに電気的に導通された半田面側パッド５３ａ、前記回路基板５２の部品面側（本実施形態では、図１７、図１８、図２１の下面側）において、前記スルーホール５２ａに電気的に導通された部品面側パッド５３ｂと、を備えている。
また、回路基板５２の部品面側には、トランスなどの電子部品（図示せず）が実装され、その端子５４が、スルーホール５２ａを部品面側（下面側）から半田面側（上面側）へと貫通し、回路基板５２の半田面側（上面側）に突出されている。
この端子５４は、図２１に示すように、高周波誘導加熱ヘッド１の磁気ギャップ２７間に移動され、この状態で、半田面側パッド５３ａ、部品側パッド５３ｂ、スルーホール５２ａ部分に、半田付けされる。
つまり、回路基板５２の半田面側（上面側）に突出されている端子５４部分は、サブコア体２５、２６によって形成される磁気ギャップ２７部分において、これらのサブコア体２５、２６とは、所定間隔を置いて、左右に挟まれた状態となる。
その状態で、スルーホール５２ａの上方に突出した端子５４の上端部分の温度を測定するのが、図１１～図２０に示す放射温度計５０である。
この放射温度計５０は本発明における第１の温度検出手段に該当する。
また、半田面側パッド５３ａ部分、および、この半田面側パッド５３ａに近接する端子５４の温度を測定するのが放射温度計５１である。
この放射温度計５１は本発明における第２の温度検出手段に該当する。
また、これらの放射温度計５０、５１は図２０のごとく制御手段の一例としての制御部５５に接続されている。
制御部５５にはタイマ５６、メモリ５７（図２９のプログラム等を内蔵）、電源部５８も接続され、電源部５８にコイル５とコンデンサ６が接続された状態となっている。
なお、糸半田供給装置４９は、図１５に示すように、保持手段５９によって、熱伝導部材３８に保持させており、図２１～図２４に示すように、磁気ギャップ２７部に位置する端子５４部分に、糸半田供給装置４９から適切に糸半田４９ａが供給されるようにしている。
ここで、スルーホール５２ａを半田面側に突出した端子５４への糸半田供給装置４９からの糸半田４９ａ供給位置と、放射温度計５０による温度検出位置の関係について説明すると、糸半田供給装置４９は、放射温度計５０による温度検出部分よりも半田面側パッド５３ａ側の端子５４部分に、糸半田４９ａ供給する構成としている。
つまり、放射温度計５０は溶融する糸半田４９ａ部分の影響を受けずに、端子５４部分の温度を検出するようにしている。
一方、放射温度計５１は半田面側パッド５３ａ部分、および、この半田面側パッド５３ａに近接する端子５４の温度を測定するように設定しているので、糸半田４９ａ溶融状態に影響を受ける状態で、温度を検出するようになっている。
なお、図１１～図２９は、図１～図１０に示したものと同一のものであるが、糸半田供給装置４９、放射温度計５０、５１を中心に説明するので、図面の煩雑化を避けるため、図１～図１０で説明した一部の符号は、あえて、付与していない。
先ず、本実施形態の高周波誘導加熱装置は、図１１～図２０に示すように、高周波誘導加熱ヘッド１以外に、半田供給装置の一例としての、糸半田供給装置４９、温度測定手段の一例として放射温度計５０、５１を設けている。
図１５に示す回路基板５２は、例えば搬送手段の一例として用いたＸＹΘテーブル（図示せず）によって高周波誘導加熱ヘッド１部分に、搬送される。
回路基板５２は、図１７、図１８、図２１に示すように、この回路基板５２を貫通したスルーホール５２ａ（内面には導電膜が存在している）と、前記回路基板５２の半田面側（本実施形態では、図１７、図１８、図２１の上面側）において、前記スルーホール５２ａに電気的に導通された半田面側パッド５３ａ、前記回路基板５２の部品面側（本実施形態では、図１７、図１８、図２１の下面側）において、前記スルーホール５２ａに電気的に導通された部品面側パッド５３ｂと、を備えている。
また、回路基板５２の部品面側には、トランスなどの電子部品（図示せず）が実装され、その端子５４が、スルーホール５２ａを部品面側（下面側）から半田面側（上面側）へと貫通し、回路基板５２の半田面側（上面側）に突出されている。
この端子５４は、図２１に示すように、高周波誘導加熱ヘッド１の磁気ギャップ２７間に移動され、この状態で、半田面側パッド５３ａ、部品側パッド５３ｂ、スルーホール５２ａ部分に、半田付けされる。
つまり、回路基板５２の半田面側（上面側）に突出されている端子５４部分は、サブコア体２５、２６によって形成される磁気ギャップ２７部分において、これらのサブコア体２５、２６とは、所定間隔を置いて、左右に挟まれた状態となる。
その状態で、スルーホール５２ａの上方に突出した端子５４の上端部分の温度を測定するのが、図１１～図２０に示す放射温度計５０である。
この放射温度計５０は本発明における第１の温度検出手段に該当する。
また、半田面側パッド５３ａ部分、および、この半田面側パッド５３ａに近接する端子５４の温度を測定するのが放射温度計５１である。
この放射温度計５１は本発明における第２の温度検出手段に該当する。
また、これらの放射温度計５０、５１は図２０のごとく制御手段の一例としての制御部５５に接続されている。
制御部５５にはタイマ５６、メモリ５７（図２９のプログラム等を内蔵）、電源部５８も接続され、電源部５８にコイル５とコンデンサ６が接続された状態となっている。
なお、糸半田供給装置４９は、図１５に示すように、保持手段５９によって、熱伝導部材３８に保持させており、図２１～図２４に示すように、磁気ギャップ２７部に位置する端子５４部分に、糸半田供給装置４９から適切に糸半田４９ａが供給されるようにしている。
ここで、スルーホール５２ａを半田面側に突出した端子５４への糸半田供給装置４９からの糸半田４９ａ供給位置と、放射温度計５０による温度検出位置の関係について説明すると、糸半田供給装置４９は、放射温度計５０による温度検出部分よりも半田面側パッド５３ａ側の端子５４部分に、糸半田４９ａ供給する構成としている。
つまり、放射温度計５０は溶融する糸半田４９ａ部分の影響を受けずに、端子５４部分の温度を検出するようにしている。
一方、放射温度計５１は半田面側パッド５３ａ部分、および、この半田面側パッド５３ａに近接する端子５４の温度を測定するように設定しているので、糸半田４９ａ溶融状態に影響を受ける状態で、温度を検出するようになっている。
【0017】
この状態は、下記にて詳細に説明する。
なお、放射温度計５０、５１は、他の保持手段によって、本体ケース２に保持させているが、図面の煩雑化を避けるために、その保持手段は図示していない。
以上の構成において、ＸＹΘテーブル（図示せず）によって回路基板５２が搬送され、図１７、図２１のように、その端子５４が磁気ギャップ２７部分に配置されると、予備加熱として、コイル５への電源供給が開始され（図２９のＳ１）、放射温度計５０、５１による温度測定も開始される（図２９のＳ２）。
なお、図２９に示したフロー図では放射温度計５０を放射温度計１、放射温度計５１を放射温度計２と表示してある。
また、端子をピンと表示してある。
この予備加熱（図２７の期間Ａ）では、例えば１０５Ａ、１３０Ｗで、加熱が行われる。
放射温度計５０は、図１７～図１９に示すように、スルーホール５２ａを、回路基板５２の半田面側に突出した端子５４の上端部分の温度を測定している。
また、放射温度計５１は、図１７～図１９に示すように、半田面側パッド５３ａ部分、半田面側パッド５３ａ部分近傍の端子５４部分の温度を測定している。
まず、放射温度計５０による測定温度（端子５４の上端部分の温度）が、糸半田４９ａを十分に溶融させることが出来る半田溶融温度（例えば３００℃）を超えているか、否かの判定が行われる（図２９のＳ３）。
なお、今回使用する糸半田４９ａの溶融温度は図２７の様に約２２０℃のものを使用している。
したがって、上記半田溶融温度（例えば３００℃）であれば、糸半田４９ａを十分に溶融することが出来る。
放射温度計５０で検出した端子５４の上端部分の温度が３００℃を超えていなければ、次に、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ、その近傍の端子５４部分の温度）が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えているか、否かの判定が行われる（図２９のＳ４）。
放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ、その近傍の端子５４部分の温度）が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていなければ（図２９のＳ３）に戻って予備加熱が継続される。
図２７の（期間Ａ）は、この予熱状態における放射温度計５０で検出した端子５４の上端部分の温度（Ｅ線）と、この予熱状態における放射温度計５１で検出した半田面側パッド５３ａ、その近傍の端子５４部分の温度（Ｆ線）を示している。
これらの（Ｅ線）と（Ｆ線）から理解されるように、予備加熱（図２７の期間Ａ）において、時間経過とともに、徐々に温度上昇が起きるが、端子５４は磁気ギャップ２７間で加熱されるので、半田面側パッド５３ａ、その近傍の端子５４部分よりも温度上昇スピードが速くなっている。
なお、（図２９のＳ４）において、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていれば、コイル５への電源供給を停止させる（図２９のＳ５）。
また、（図２９のＳ３）において、端子５４の上端部分の温度が、糸はんだ４９ａを十分に溶融させることが出来る３００℃を超えると、次に、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えているか、否かの判定が行われる（図２９のＳ６）。
（図２９のＳ６）において、端子５４の上端部分の温度が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていると、コイル５への電源供給を停止させる（図２９のＳ７）。
（図２９のＳ６）において、端子５４の上端部分の温度が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていなければ、次に、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えているか、否かの判定が行われる（図２９のＳ８）。
（図２９のＳ８）において、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていれば、コイル５への電源供給を停止させる（図２９のＳ９）。
（図２９のＳ８）において、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていなければ、図２１から図２２の様に、糸半田供給装置４９による糸半田４９ａの供給を開始し（図２７の期間Ｂ）、また、本加熱として、コイル５への出力を１５０Ａ、２７０Ｗへと変更（出力アップ）する（図２９のＳ１０）。
すなわち、糸半田供給装置４９から糸はんだ４９ａを、端子５４の磁気ギャップ２７部分に、予め設定した量だけ供給する。
端子５４部に供給された糸半田４９ａは、端子５４の熱で溶融し、図２３の様に、半田面側パッド５３ａ部分で球状となり、次に、図２４のようにスルーホール５２ａ内へと流動、流入することになる。
なお、図２２は、図２７の（期間Ｂポイント）、図２３は図２７の（本加熱期間Ｃａの図２３ポイント時の状態）、図２４は（本加熱期間Ｃｂの図２４ポイント時の状態）を示している。
つまり、図２２は、糸半田供給装置４９からの糸はんだ４９ａ供給開始時点を示し、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３１０℃に到達しているが、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は２００℃となっている。
また、参考までに、部品面側パッド５３ｂの検出温度（他の温度検出手段を使用し、参考までに測定）は１５０℃となっている。
端子５４の上端部分の温度が３１０℃に到達しているのは、端子５４が磁気ギャップ２７間で集中的に加熱されているからで、それに比べ、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の検出温度が２００℃と低いのは、磁気ギャップ２７部に比べると磁束密度が低いからである。
さらに、部品面側パッド５３ｂでは、磁気ギャップ２７部に比べるとさらに、磁束密度が低く、主として、スルーホール５２ａを通じての熱伝導で温度上昇が起きているからである。
また、図２３は、糸半田供給装置４９からの糸はんだ４９ａ供給が開始され、本加熱状態となっており、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３１０℃を維持し、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は１５５℃となっている。
また、部品面側パッド５３ｂの検出温度は１６０℃となっている。
端子５４の上端部分の温度が３１０℃で維持されているのは、本加熱状態であるからで、それに比べ、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分は１５５℃まで低下している。
これは半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度を検出する温度検出手段として、放射温度計５１を用いたからである。
つまり、図２３の様に、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分で半田が溶融状態になると、溶融した半田により、温度検出部分からの温度放射状態が低下すること、および、溶融した半田が半田面側パッド５３ａに触れることで、回路基板５２側へと熱伝導が起こることが理由で、結論として、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は、図２７のＦ線のように徐々に低下することになる。
また、部品面側パッド５３ｂの検出温度が１６０℃と僅かながら上昇しているのは、スルーホール５２ａを通じての熱伝導が進んだからである。
また、図２４は、糸半田供給装置４９からの糸はんだ４９ａ供給、および本加熱状態が継続されている状態で、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３１０℃を維持し、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は９５℃となっている。
また、部品面側パッド５３ｂの検出温度は１８０℃となっている。
端子５４の上端部分の温度が３１０℃で維持されているのは、本加熱状態であるからで、それに比べ、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分は９５℃まで低下している。
なお、放射温度計５０、５１は、他の保持手段によって、本体ケース２に保持させているが、図面の煩雑化を避けるために、その保持手段は図示していない。
以上の構成において、ＸＹΘテーブル（図示せず）によって回路基板５２が搬送され、図１７、図２１のように、その端子５４が磁気ギャップ２７部分に配置されると、予備加熱として、コイル５への電源供給が開始され（図２９のＳ１）、放射温度計５０、５１による温度測定も開始される（図２９のＳ２）。
なお、図２９に示したフロー図では放射温度計５０を放射温度計１、放射温度計５１を放射温度計２と表示してある。
また、端子をピンと表示してある。
この予備加熱（図２７の期間Ａ）では、例えば１０５Ａ、１３０Ｗで、加熱が行われる。
放射温度計５０は、図１７～図１９に示すように、スルーホール５２ａを、回路基板５２の半田面側に突出した端子５４の上端部分の温度を測定している。
また、放射温度計５１は、図１７～図１９に示すように、半田面側パッド５３ａ部分、半田面側パッド５３ａ部分近傍の端子５４部分の温度を測定している。
まず、放射温度計５０による測定温度（端子５４の上端部分の温度）が、糸半田４９ａを十分に溶融させることが出来る半田溶融温度（例えば３００℃）を超えているか、否かの判定が行われる（図２９のＳ３）。
なお、今回使用する糸半田４９ａの溶融温度は図２７の様に約２２０℃のものを使用している。
したがって、上記半田溶融温度（例えば３００℃）であれば、糸半田４９ａを十分に溶融することが出来る。
放射温度計５０で検出した端子５４の上端部分の温度が３００℃を超えていなければ、次に、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ、その近傍の端子５４部分の温度）が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えているか、否かの判定が行われる（図２９のＳ４）。
放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ、その近傍の端子５４部分の温度）が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていなければ（図２９のＳ３）に戻って予備加熱が継続される。
図２７の（期間Ａ）は、この予熱状態における放射温度計５０で検出した端子５４の上端部分の温度（Ｅ線）と、この予熱状態における放射温度計５１で検出した半田面側パッド５３ａ、その近傍の端子５４部分の温度（Ｆ線）を示している。
これらの（Ｅ線）と（Ｆ線）から理解されるように、予備加熱（図２７の期間Ａ）において、時間経過とともに、徐々に温度上昇が起きるが、端子５４は磁気ギャップ２７間で加熱されるので、半田面側パッド５３ａ、その近傍の端子５４部分よりも温度上昇スピードが速くなっている。
なお、（図２９のＳ４）において、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていれば、コイル５への電源供給を停止させる（図２９のＳ５）。
また、（図２９のＳ３）において、端子５４の上端部分の温度が、糸はんだ４９ａを十分に溶融させることが出来る３００℃を超えると、次に、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えているか、否かの判定が行われる（図２９のＳ６）。
（図２９のＳ６）において、端子５４の上端部分の温度が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていると、コイル５への電源供給を停止させる（図２９のＳ７）。
（図２９のＳ６）において、端子５４の上端部分の温度が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていなければ、次に、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えているか、否かの判定が行われる（図２９のＳ８）。
（図２９のＳ８）において、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていれば、コイル５への電源供給を停止させる（図２９のＳ９）。
（図２９のＳ８）において、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていなければ、図２１から図２２の様に、糸半田供給装置４９による糸半田４９ａの供給を開始し（図２７の期間Ｂ）、また、本加熱として、コイル５への出力を１５０Ａ、２７０Ｗへと変更（出力アップ）する（図２９のＳ１０）。
すなわち、糸半田供給装置４９から糸はんだ４９ａを、端子５４の磁気ギャップ２７部分に、予め設定した量だけ供給する。
端子５４部に供給された糸半田４９ａは、端子５４の熱で溶融し、図２３の様に、半田面側パッド５３ａ部分で球状となり、次に、図２４のようにスルーホール５２ａ内へと流動、流入することになる。
なお、図２２は、図２７の（期間Ｂポイント）、図２３は図２７の（本加熱期間Ｃａの図２３ポイント時の状態）、図２４は（本加熱期間Ｃｂの図２４ポイント時の状態）を示している。
つまり、図２２は、糸半田供給装置４９からの糸はんだ４９ａ供給開始時点を示し、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３１０℃に到達しているが、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は２００℃となっている。
また、参考までに、部品面側パッド５３ｂの検出温度（他の温度検出手段を使用し、参考までに測定）は１５０℃となっている。
端子５４の上端部分の温度が３１０℃に到達しているのは、端子５４が磁気ギャップ２７間で集中的に加熱されているからで、それに比べ、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の検出温度が２００℃と低いのは、磁気ギャップ２７部に比べると磁束密度が低いからである。
さらに、部品面側パッド５３ｂでは、磁気ギャップ２７部に比べるとさらに、磁束密度が低く、主として、スルーホール５２ａを通じての熱伝導で温度上昇が起きているからである。
また、図２３は、糸半田供給装置４９からの糸はんだ４９ａ供給が開始され、本加熱状態となっており、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３１０℃を維持し、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は１５５℃となっている。
また、部品面側パッド５３ｂの検出温度は１６０℃となっている。
端子５４の上端部分の温度が３１０℃で維持されているのは、本加熱状態であるからで、それに比べ、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分は１５５℃まで低下している。
これは半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度を検出する温度検出手段として、放射温度計５１を用いたからである。
つまり、図２３の様に、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分で半田が溶融状態になると、溶融した半田により、温度検出部分からの温度放射状態が低下すること、および、溶融した半田が半田面側パッド５３ａに触れることで、回路基板５２側へと熱伝導が起こることが理由で、結論として、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は、図２７のＦ線のように徐々に低下することになる。
また、部品面側パッド５３ｂの検出温度が１６０℃と僅かながら上昇しているのは、スルーホール５２ａを通じての熱伝導が進んだからである。
また、図２４は、糸半田供給装置４９からの糸はんだ４９ａ供給、および本加熱状態が継続されている状態で、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３１０℃を維持し、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は９５℃となっている。
また、部品面側パッド５３ｂの検出温度は１８０℃となっている。
端子５４の上端部分の温度が３１０℃で維持されているのは、本加熱状態であるからで、それに比べ、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分は９５℃まで低下している。
【0018】
これは、上述のごとく、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度を検出する温度検出手段として、放射温度計５１を用いたからである。
つまり、図２４の様に、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分で半田が溶融し、スルーホール５２ａ内に流入する状態になると、溶融した半田により、温度検出部分からの温度放射状態が低下すること、および、溶融した半田が半田面側パッド５３ａに触れ、スルーホール５２ａ内に流入し、回路基板５２側へと熱伝導が進むことが理由で、結論として、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は、図２７のＦ線のように徐々に低下することになる。
また、部品面側パッド５３ｂの検出温度が１８０℃と僅かながら上昇しているのは、スルーホール５２ａを通じての熱伝導が進んだからである。
このような本加熱状態でも、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えているか、否かの判定が継続的に行われている（図２９のＳ１１）。
（図２９のＳ１１）において、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていれば、コイル５への電源供給を停止させる（図２９のＳ１２）。
（図２９のＳ１１）において、放射温度計５０による測定温度（端子５４の上端部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていなければ、本加熱が継続され、また、糸半田供給装置４９による糸半田４９ａの供給も、予め定めた量だけが継続的に供給される。
これにより、溶融した糸はんだ４９ａは、図２５のように、部品側パッド５３ｂ部分にまで到達する。
また、この図２５に示す状態では、糸半田４９ａの供給も終了している。
図２５の状態は、図２７、図２８の（期間Ｄの図２５ポイント時の状態）を示している。
図２５は、糸半田供給装置４９からの糸半田４９ａ供給が終了しているが、本加熱状態が継続されている状態で、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３２０℃、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は９０℃となっている。
また、部品面側パッド５３ｂの検出温度は２２０℃となっている。
この図２５の各部検出温度については、下記にて詳細に説明する。
図２７で注目すべきは、糸半田４９ａの供給を開始（図２７の期間Ｂ）から、（本加熱期間Ｃａ、Ｃｂ）の間、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３００℃以上となっているのに対して、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が、２００℃程度から徐々に低下していることである。
放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）が３００℃以上となっているのは、サブコア体２５、２６による高周波誘導加熱が継続的に行われているからである。
サブコア体２５、２６による高周波誘導加熱が継続的に行われていれば、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）も徐々に上昇するようにも考えられるが、実際には、放射温度計５１による検出温度は、図２７のＦ線のように徐々に低下する。
これは半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度を検出する温度検出手段として、放射温度計５１を用いたからである。
つまり、図２３、図２４の様に、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分で溶融状態になると、溶融した半田により、温度検出部分からの温度放射状態が低下すること、および、溶融した半田が半田面側パッド５３ａに触れ、スルーホール５２ａ内に流入することで、回路基板５２側へと熱伝導が起こることの理由で、結論として、本加熱状態が継続されていても、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は、図２７のＦ線のように徐々に低下することになる。
しかしながら、図２７、図２８の（期間Ｄ）になると、下降していた放射温度計５１による検出温度が上昇に転じることになる。
この状態を、図２７、図２８の（期間Ｄ）における図２５ポイント部分を示す、図２５を用いて説明する。
この図２５では、糸半田４９ａの供給も終了、端子５４に供給された半田は、半田面側パッド５３ａからスルーホール５２ａ内を通り、部品面側パッド５３ｂにも到達した状態となっている。
部品面側パッド５３ｂは、端子５４、スルーホール５２ａ、半田を介した熱伝導により、温度上昇が続き、この図２５の状態では糸半田４９ａの溶融温度よりも高い２２０℃となっている。
つまり、放射温度計５１による検出温度は、図２３、図２４の状態では、半田面側パッド５３ａ、スルーホール５２ａ、部品面側パッド５３ｂによる吸熱状態により、徐々に低下していくが、図２５の状態では、部品面側パッド５３ｂですら２２０℃となっているので、上記吸熱状態が起きず、その結果として、放射温度計５１による検出温度が上昇へと転じることになる。
本実施形態では、放射温度計５１による検出温度が上昇に転じ、０、３秒後（タイマ５６で設定）には、「半田が部品面側パッド５３ｂにも到達し、半田面側パッド５３ａ、部品面側パッド５３ｂに、フィレットが形成された」と判定する（図２９のＳ１３）。
なお、（図２９のＳ１３）において、上記放射温度計５１による検出温度の上昇が検出されない状態では、再び（図２９のＳ１１）に戻り、本加熱が継続される。
次に、（図２９のＳ１３）で、上記放射温度計５１による検出温度の上昇が検出されると、次に、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えているか、否かの判定が行われる（図２９のＳ１４）。
（図２９のＳ１４）において、端子５４の上端部分の温度が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていると、コイル５への電源供給を停止させる（図２９のＳ１５）。
また、（図２９のＳ１４）において、端子５４の上端部分の温度が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていなければ、タイマ５６で設定した仕上げ時間だけ、コイル５への電源供給を継続し、仕上げ時間が経過すると、コイル５への出力を停止する（図２９のＳ１６、Ｓ１７）。
図２６は図２７、図２８の期間Ｄの図２６ポイントの状態である。
つまり、半田付けが完了し、コイル５への出力が停止された状態で、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３３０℃、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は１００℃、また、部品面側パッド５３ｂの検出温度は２３０℃となっている。
そして、このような制御を行う事で、図２６のように、半田面側パッド５３ａ、部品面側パッド５３ｂの両方に、適切なフィレットが形成されることになる。
つまり、スルーホール５２ａを有する回路基板５２に対して電子部品の端子５４を適切に半田付けすることが出来るのである。
なお、上記実施形態では、回路基板５２の半田面側パッド５３ａを上面、部品面側パッド５３ｂを下面として平面状態に配置し、半田付けを行ったが、半田面側パッド５３ａを下面、部品面側パッド５３ｂを上面として平面状態に配置しても半田付けを行う事も出来る。
つまり、端子５４で溶融した半田は、その濡れ状態、スルーホール５２ａ部分の毛細管現象によって、半田面側パッド５３ａ、スルーホール５２ａ、部品面側パッド５３ｂへと進行するので、半田面側パッド５３ａを下面、部品面側パッド５３ｂを上面としても半田付けを行う事も出来る。
また、回路基板５２を立てた状態でも、半田面側パッド５３ａ、横向きのスルーホール５２ａ、部品面側パッド５３ｂへと溶融した半田が進行するので、この場合でも、適切な半田付けを行う事も出来る。
なお、上記実施の形態では、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が下降傾向を示した後に、上昇に転じたことを検出すると、制御部５５によって、前記コイル５への通電を停止したが、この場合に、前記コイル５への供給電力量を低下させる構成としても良い。
つまり、図２４の様に、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分で半田が溶融し、スルーホール５２ａ内に流入する状態になると、溶融した半田により、温度検出部分からの温度放射状態が低下すること、および、溶融した半田が半田面側パッド５３ａに触れ、スルーホール５２ａ内に流入し、回路基板５２側へと熱伝導が進むことが理由で、結論として、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は、図２７のＦ線のように徐々に低下することになる。
また、部品面側パッド５３ｂの検出温度が１８０℃と僅かながら上昇しているのは、スルーホール５２ａを通じての熱伝導が進んだからである。
このような本加熱状態でも、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えているか、否かの判定が継続的に行われている（図２９のＳ１１）。
（図２９のＳ１１）において、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていれば、コイル５への電源供給を停止させる（図２９のＳ１２）。
（図２９のＳ１１）において、放射温度計５０による測定温度（端子５４の上端部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていなければ、本加熱が継続され、また、糸半田供給装置４９による糸半田４９ａの供給も、予め定めた量だけが継続的に供給される。
これにより、溶融した糸はんだ４９ａは、図２５のように、部品側パッド５３ｂ部分にまで到達する。
また、この図２５に示す状態では、糸半田４９ａの供給も終了している。
図２５の状態は、図２７、図２８の（期間Ｄの図２５ポイント時の状態）を示している。
図２５は、糸半田供給装置４９からの糸半田４９ａ供給が終了しているが、本加熱状態が継続されている状態で、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３２０℃、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は９０℃となっている。
また、部品面側パッド５３ｂの検出温度は２２０℃となっている。
この図２５の各部検出温度については、下記にて詳細に説明する。
図２７で注目すべきは、糸半田４９ａの供給を開始（図２７の期間Ｂ）から、（本加熱期間Ｃａ、Ｃｂ）の間、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３００℃以上となっているのに対して、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が、２００℃程度から徐々に低下していることである。
放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）が３００℃以上となっているのは、サブコア体２５、２６による高周波誘導加熱が継続的に行われているからである。
サブコア体２５、２６による高周波誘導加熱が継続的に行われていれば、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）も徐々に上昇するようにも考えられるが、実際には、放射温度計５１による検出温度は、図２７のＦ線のように徐々に低下する。
これは半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度を検出する温度検出手段として、放射温度計５１を用いたからである。
つまり、図２３、図２４の様に、半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分で溶融状態になると、溶融した半田により、温度検出部分からの温度放射状態が低下すること、および、溶融した半田が半田面側パッド５３ａに触れ、スルーホール５２ａ内に流入することで、回路基板５２側へと熱伝導が起こることの理由で、結論として、本加熱状態が継続されていても、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は、図２７のＦ線のように徐々に低下することになる。
しかしながら、図２７、図２８の（期間Ｄ）になると、下降していた放射温度計５１による検出温度が上昇に転じることになる。
この状態を、図２７、図２８の（期間Ｄ）における図２５ポイント部分を示す、図２５を用いて説明する。
この図２５では、糸半田４９ａの供給も終了、端子５４に供給された半田は、半田面側パッド５３ａからスルーホール５２ａ内を通り、部品面側パッド５３ｂにも到達した状態となっている。
部品面側パッド５３ｂは、端子５４、スルーホール５２ａ、半田を介した熱伝導により、温度上昇が続き、この図２５の状態では糸半田４９ａの溶融温度よりも高い２２０℃となっている。
つまり、放射温度計５１による検出温度は、図２３、図２４の状態では、半田面側パッド５３ａ、スルーホール５２ａ、部品面側パッド５３ｂによる吸熱状態により、徐々に低下していくが、図２５の状態では、部品面側パッド５３ｂですら２２０℃となっているので、上記吸熱状態が起きず、その結果として、放射温度計５１による検出温度が上昇へと転じることになる。
本実施形態では、放射温度計５１による検出温度が上昇に転じ、０、３秒後（タイマ５６で設定）には、「半田が部品面側パッド５３ｂにも到達し、半田面側パッド５３ａ、部品面側パッド５３ｂに、フィレットが形成された」と判定する（図２９のＳ１３）。
なお、（図２９のＳ１３）において、上記放射温度計５１による検出温度の上昇が検出されない状態では、再び（図２９のＳ１１）に戻り、本加熱が継続される。
次に、（図２９のＳ１３）で、上記放射温度計５１による検出温度の上昇が検出されると、次に、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）が、過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えているか、否かの判定が行われる（図２９のＳ１４）。
（図２９のＳ１４）において、端子５４の上端部分の温度が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていると、コイル５への電源供給を停止させる（図２９のＳ１５）。
また、（図２９のＳ１４）において、端子５４の上端部分の温度が過熱閾値温度（例えば３５０℃）を超えていなければ、タイマ５６で設定した仕上げ時間だけ、コイル５への電源供給を継続し、仕上げ時間が経過すると、コイル５への出力を停止する（図２９のＳ１６、Ｓ１７）。
図２６は図２７、図２８の期間Ｄの図２６ポイントの状態である。
つまり、半田付けが完了し、コイル５への出力が停止された状態で、放射温度計５０による検出温度（端子５４の上端部分の温度）は３３０℃、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）は１００℃、また、部品面側パッド５３ｂの検出温度は２３０℃となっている。
そして、このような制御を行う事で、図２６のように、半田面側パッド５３ａ、部品面側パッド５３ｂの両方に、適切なフィレットが形成されることになる。
つまり、スルーホール５２ａを有する回路基板５２に対して電子部品の端子５４を適切に半田付けすることが出来るのである。
なお、上記実施形態では、回路基板５２の半田面側パッド５３ａを上面、部品面側パッド５３ｂを下面として平面状態に配置し、半田付けを行ったが、半田面側パッド５３ａを下面、部品面側パッド５３ｂを上面として平面状態に配置しても半田付けを行う事も出来る。
つまり、端子５４で溶融した半田は、その濡れ状態、スルーホール５２ａ部分の毛細管現象によって、半田面側パッド５３ａ、スルーホール５２ａ、部品面側パッド５３ｂへと進行するので、半田面側パッド５３ａを下面、部品面側パッド５３ｂを上面としても半田付けを行う事も出来る。
また、回路基板５２を立てた状態でも、半田面側パッド５３ａ、横向きのスルーホール５２ａ、部品面側パッド５３ｂへと溶融した半田が進行するので、この場合でも、適切な半田付けを行う事も出来る。
なお、上記実施の形態では、放射温度計５１による検出温度（半田面側パッド５３ａ部分、その近傍の端子５４部分の温度）が下降傾向を示した後に、上昇に転じたことを検出すると、制御部５５によって、前記コイル５への通電を停止したが、この場合に、前記コイル５への供給電力量を低下させる構成としても良い。
【0019】
（実施の形態２）
図３０、図３１（図３０のＡ－Ａ染断面図）は、上記（実施の形態１）で説明した高周波誘導加熱装置で半田付けをする回路基板６０を示すものである。
この回路基板６０は、半田面側パッドとなる表面側パッド６１ａと、部品側パッドとなる裏面側パッド６１ｂを備えている。
また、回路基板６０を貫通したスルーホール６２を有し、このスルーホール６２と表面側パッド６１ａと、裏面側パッド６１ｂは電気的に接続されている。
また、この回路基板６０の裏面側に実装される電子部品６３の端子６４は、スルーホール６２を、裏面側パッド６１ｂ側から表面側パッド６１ａ方向に貫通している。
そして、高周波誘導加熱装置のコア体４によって半田付けが行われる。
具体的には、コア体４の左右のサブコア体２５、２６間の磁気ギャップ２７において、端子６４がコア体４の左右のサブコア体２５、２６によって挟まれた状態となる。
この回路基板６０の特徴は、大きな電流を流す電子部品６３等が実装されるので、表面側パッド６１ａ、裏面側パッド６１ｂが、例えば、電子部品６３の外径よりも大きいという事である。
この様に大きな表面側パッド６１ａ、裏面側パッド６１ｂが存在する回路基板６０に対し、高周波誘導加熱装置によって電子部品６３の端子６４を半田付けする場合には、スルーホール６２内、裏面側パッド６１ｂの温度上昇が緩慢となり、その結果として、半田品質が低下したり、半田時間が長くなったりする。
すなわち、高周波誘導加熱装置のコア体４によって電子部品６３の端子６４を加熱しても、表面側パッド６１ａ、裏面側パッド６１ｂが大きいと、スルーホール６２内、裏面側パッド６１ｂの温度上昇が緩慢となってしまうのである。
そこで、本実施形態では、前記表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂで、前記高周波誘導加熱装置のコア体４の磁気ギャップ２７方向とは直交する部分に、ビアホールエリア６５を設け、このビアホールエリア６５には、回路基板６０の表裏面間を貫通し、表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂに熱伝導的に接続された複数のビアホール６６を設けた。
また、表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂであって、前記スルーホール６２の外側で、磁気ギャップ２７方向の延長線上部分には、非ビアホールエリア６７を設けた。
以上の構成とすると、スルーホール６２内、このスルーホール６２近傍の表面側パッド部６１ａ、裏面側パッド部６１ｂの温度上昇を促進することが出来るので、半田品質が低下したり、半田時間が長くなったりするのを防止できる。
図３０、図３１（図３０のＡ－Ａ染断面図）は、上記（実施の形態１）で説明した高周波誘導加熱装置で半田付けをする回路基板６０を示すものである。
この回路基板６０は、半田面側パッドとなる表面側パッド６１ａと、部品側パッドとなる裏面側パッド６１ｂを備えている。
また、回路基板６０を貫通したスルーホール６２を有し、このスルーホール６２と表面側パッド６１ａと、裏面側パッド６１ｂは電気的に接続されている。
また、この回路基板６０の裏面側に実装される電子部品６３の端子６４は、スルーホール６２を、裏面側パッド６１ｂ側から表面側パッド６１ａ方向に貫通している。
そして、高周波誘導加熱装置のコア体４によって半田付けが行われる。
具体的には、コア体４の左右のサブコア体２５、２６間の磁気ギャップ２７において、端子６４がコア体４の左右のサブコア体２５、２６によって挟まれた状態となる。
この回路基板６０の特徴は、大きな電流を流す電子部品６３等が実装されるので、表面側パッド６１ａ、裏面側パッド６１ｂが、例えば、電子部品６３の外径よりも大きいという事である。
この様に大きな表面側パッド６１ａ、裏面側パッド６１ｂが存在する回路基板６０に対し、高周波誘導加熱装置によって電子部品６３の端子６４を半田付けする場合には、スルーホール６２内、裏面側パッド６１ｂの温度上昇が緩慢となり、その結果として、半田品質が低下したり、半田時間が長くなったりする。
すなわち、高周波誘導加熱装置のコア体４によって電子部品６３の端子６４を加熱しても、表面側パッド６１ａ、裏面側パッド６１ｂが大きいと、スルーホール６２内、裏面側パッド６１ｂの温度上昇が緩慢となってしまうのである。
そこで、本実施形態では、前記表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂで、前記高周波誘導加熱装置のコア体４の磁気ギャップ２７方向とは直交する部分に、ビアホールエリア６５を設け、このビアホールエリア６５には、回路基板６０の表裏面間を貫通し、表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂに熱伝導的に接続された複数のビアホール６６を設けた。
また、表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂであって、前記スルーホール６２の外側で、磁気ギャップ２７方向の延長線上部分には、非ビアホールエリア６７を設けた。
以上の構成とすると、スルーホール６２内、このスルーホール６２近傍の表面側パッド部６１ａ、裏面側パッド部６１ｂの温度上昇を促進することが出来るので、半田品質が低下したり、半田時間が長くなったりするのを防止できる。
【0020】
すなわち、高周波誘導加熱装置の磁気ギャップ２７部分においては、端子６４を通過する磁束以外に、コア体４のサブコア体２５、表面側パッド部６１ａ、回路基板６０内、サブコア体２６、次の瞬間には、サブコア体２６、表面側パッド部６１ａ、回路基板６０内、サブコア体２５へと磁束が流れ、このように、スルーホール６２の両側において磁束が通過する表面側パッド部６１ａ部分に、渦電流が流れる。
この時、スルーホール６２の両側の一方では、表面側パッド部６１ａの上側から下側に磁束が通過し、他方では、逆に、表面側パッド部６１ａの下側から上側に磁束が通過し、それぞれの磁束通過部において、前記磁束通過による渦電流が発生する。
その結果、図３０に示すように、磁気ギャップ２７方向とは直交する部分のビアホールエリア６５部においては、スルーホール６２の両側において、同じ向きの渦電流６８が流れることになる。
また、６５ａはビアホールエリア６５において、電流密度が高いエリアを示しており、このエリア６５ａにビアホール６６を設けた。
その結果、表面側パッド部６１ａのビアホールエリア６５は他の場所よりも高い温度上昇が起きる。
そこで、本実施形態では、このビアホールエリア６５に、回路基板６０の表裏面間を貫通し、表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂに熱伝導的に接続された複数のビアホール６６を設けた。
この結果、表面側パッド部６１ａのビアホールエリア６５部分の発熱を、図３１の矢印のごとく、ビアホール６６を介して裏面側パッド部６１ｂに伝達し、これによって、スルーホール６２近傍の裏面側パッド部６１ｂ、スルーホール６２内の温度を高め、これによって、スルーホール６２内、このスルーホール６２近傍の表面側パッド部６１ａ、裏面側パッド部６１ｂの温度上昇を促進することが出来、半田品質が低下したり、半田時間が長くなったりするのを防止できるのである。
また、表面側パッド部６１ａのビアホールエリア６５部分の熱を、ビアホール６６を介して裏面側パッド部６１ｂに伝達することで、表面側パッド部６１ａのビアホールエリア６５部分の異常高温化が避けられ、回路基板６０の損傷も防止できる。
さらに、表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂであって、前記スルーホール６２の外側で、磁気ギャップ２７方向の延長線上部分に、非ビアホールエリア６７を設けたので、コストダウンが図れるだけでなく、表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂの熱的負荷を不用意に大きくすることなく、上記スルーホール６２近傍の表面側パッド部６１ａ、裏面側パッド部６１ｂの温度上昇を促進することが出来る。
なお、図３１において、６９は表面側パッド部６１ａ、裏面側パッド部６１ｂに設けたレジスト膜である。
この時、スルーホール６２の両側の一方では、表面側パッド部６１ａの上側から下側に磁束が通過し、他方では、逆に、表面側パッド部６１ａの下側から上側に磁束が通過し、それぞれの磁束通過部において、前記磁束通過による渦電流が発生する。
その結果、図３０に示すように、磁気ギャップ２７方向とは直交する部分のビアホールエリア６５部においては、スルーホール６２の両側において、同じ向きの渦電流６８が流れることになる。
また、６５ａはビアホールエリア６５において、電流密度が高いエリアを示しており、このエリア６５ａにビアホール６６を設けた。
その結果、表面側パッド部６１ａのビアホールエリア６５は他の場所よりも高い温度上昇が起きる。
そこで、本実施形態では、このビアホールエリア６５に、回路基板６０の表裏面間を貫通し、表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂに熱伝導的に接続された複数のビアホール６６を設けた。
この結果、表面側パッド部６１ａのビアホールエリア６５部分の発熱を、図３１の矢印のごとく、ビアホール６６を介して裏面側パッド部６１ｂに伝達し、これによって、スルーホール６２近傍の裏面側パッド部６１ｂ、スルーホール６２内の温度を高め、これによって、スルーホール６２内、このスルーホール６２近傍の表面側パッド部６１ａ、裏面側パッド部６１ｂの温度上昇を促進することが出来、半田品質が低下したり、半田時間が長くなったりするのを防止できるのである。
また、表面側パッド部６１ａのビアホールエリア６５部分の熱を、ビアホール６６を介して裏面側パッド部６１ｂに伝達することで、表面側パッド部６１ａのビアホールエリア６５部分の異常高温化が避けられ、回路基板６０の損傷も防止できる。
さらに、表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂであって、前記スルーホール６２の外側で、磁気ギャップ２７方向の延長線上部分に、非ビアホールエリア６７を設けたので、コストダウンが図れるだけでなく、表面側パッド部６１ａ、および裏面側パッド部６１ｂの熱的負荷を不用意に大きくすることなく、上記スルーホール６２近傍の表面側パッド部６１ａ、裏面側パッド部６１ｂの温度上昇を促進することが出来る。
なお、図３１において、６９は表面側パッド部６１ａ、裏面側パッド部６１ｂに設けたレジスト膜である。
【産業上の利用可能性】
【0021】
本発明に係る高周波誘導加熱装置は、スルーホールを有する回路基板への半田付けが適切に行えるようになる。
【符号の説明】
【0022】
１ 高周波誘導加熱ヘッド
２ 本体ケース
２ａ 上面
２ｂ 下面
２ｃ 外周面
２Ａ ＩＨ出力接続コネクター
３ 冷却水接続コネクター
４ コア体
５ コイル
６ コンデンサ
７ 電気水路接続体
８ 電気水路接続体
９ 水路結合部
１０ 基台部
１１ 水路結合部
１２ 水路結合部
１３ ねじ
１４ ねじ
１５ ゴムパッキン
１６ ねじ
１７ コイルベース
１８ コイルベース
１９ 水路結合部
２０ 水路結合部
２１ 絶縁板
２２ ねじ
２３ 端子部
２４ 端子部
２５ サブコア体
２６ サブコア体
２７ 磁気ギャップ
２８ 貫通孔
２９ ねじ
３０ 保護板
３１ 保護板
３２ サブ保護板
３３ サブ保護板
３４ 貫通孔
３５ サブ保護板
３６ サブ保護板
３７ 貫通孔
３８ 熱伝導部材
３９ ねじ穴
４０ 折り曲部
４１ ねじ穴
４２ 折り曲部
４３ 貫通孔
４４ 取り付け部
４５ 貫通孔
４６ ねじ
４７ ねじ
４８ ねじ穴
４９ 糸半田供給装置
５０ 放射温度計（放射温度計１，第１の温度検出手段）
５１ 放射温度計（放射温度計２，第２の温度検出手段）
５２ 回路基板
５２ａ スルーホール
５３ａ 半田面側パッド
５３ｂ 部品面側パッド
５４ 端子（ピン）
５５ 制御部
５６ タイマ
５７ メモリ
５８ 電源部
５９ 保持手段
６０ 回路基板
６１ａ 表面側パッド（半田面側パッド）
６１ｂ 裏面側パッド（部品面側パッド）
６２ スルーホール
６３ 電子部品
６４ 端子
６５ ビアホールエリア
６５ａ エリア
６６ ビアホール
６７ 非ビアホールエリア
６８ 渦電流
６９ レジスト膜
２ 本体ケース
２ａ 上面
２ｂ 下面
２ｃ 外周面
２Ａ ＩＨ出力接続コネクター
３ 冷却水接続コネクター
４ コア体
５ コイル
６ コンデンサ
７ 電気水路接続体
８ 電気水路接続体
９ 水路結合部
１０ 基台部
１１ 水路結合部
１２ 水路結合部
１３ ねじ
１４ ねじ
１５ ゴムパッキン
１６ ねじ
１７ コイルベース
１８ コイルベース
１９ 水路結合部
２０ 水路結合部
２１ 絶縁板
２２ ねじ
２３ 端子部
２４ 端子部
２５ サブコア体
２６ サブコア体
２７ 磁気ギャップ
２８ 貫通孔
２９ ねじ
３０ 保護板
３１ 保護板
３２ サブ保護板
３３ サブ保護板
３４ 貫通孔
３５ サブ保護板
３６ サブ保護板
３７ 貫通孔
３８ 熱伝導部材
３９ ねじ穴
４０ 折り曲部
４１ ねじ穴
４２ 折り曲部
４３ 貫通孔
４４ 取り付け部
４５ 貫通孔
４６ ねじ
４７ ねじ
４８ ねじ穴
４９ 糸半田供給装置
５０ 放射温度計（放射温度計１，第１の温度検出手段）
５１ 放射温度計（放射温度計２，第２の温度検出手段）
５２ 回路基板
５２ａ スルーホール
５３ａ 半田面側パッド
５３ｂ 部品面側パッド
５４ 端子（ピン）
５５ 制御部
５６ タイマ
５７ メモリ
５８ 電源部
５９ 保持手段
６０ 回路基板
６１ａ 表面側パッド（半田面側パッド）
６１ｂ 裏面側パッド（部品面側パッド）
６２ スルーホール
６３ 電子部品
６４ 端子
６５ ビアホールエリア
６５ａ エリア
６６ ビアホール
６７ 非ビアホールエリア
６８ 渦電流
６９ レジスト膜
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
