特許 7578426 センサ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-28

(45)【発行日】2024-11-06

(54)【発明の名称】センサ装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/10 20060101AFI20241029BHJP

   H01L 31/107 20060101ALI20241029BHJP

   G01S 7/4861 20200101ALI20241029BHJP

【ＦＩ】

H01L31/10 G

H01L31/10 B

G01S7/4861

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2020117253

(22)【出願日】2020-07-07

(65)【公開番号】P2022014734

(43)【公開日】2022-01-20

【審査請求日】2023-06-16

(73)【特許権者】

【識別番号】000005016

【氏名又は名称】パイオニア株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】520001073

【氏名又は名称】パイオニアスマートセンシングイノベーションズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100110928

【弁理士】

【氏名又は名称】速水 進治

(74)【代理人】

【識別番号】100127236

【弁理士】

【氏名又は名称】天城 聡

(72)【発明者】

【氏名】田中 亮太

(72)【発明者】

【氏名】阿部 義徳

【審査官】佐竹 政彦

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－０１６６３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－０８１２５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０６８０６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０５－１２９８５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第０９０４８３７０（ＵＳ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３１／０８－３１／１１９

Ｇ０１Ｊ １／４２－１／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

電磁波を出射する出射部と、
前記出射部から出射された前記電磁波を所定の走査範囲に向けて反射する可動反射部と、
前記走査範囲内に存在する物体によって反射された電磁波を受信するアバランシェダイオードと、
前記アバランシェダイオードを制御する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、
前記アバランシェダイオードが所定の増倍率となる前記アバランシェダイオードの基準動作電圧を推定する推定部と、
前記推定部によって推定された前記基準動作電圧を用いて前記アバランシェダイオードの増倍率を設定する設定部と、
を備え、
前記推定部は、前記アバランシェダイオードの動作電圧を掃引することで、前記アバランシェダイオードの前記動作電圧に対する前記アバランシェダイオードの出力電圧の正規化された差分近似を取得して、前記差分近似から前記アバランシェダイオードの前記基準動作電圧を推定し、
前記差分近似の一次導関数において、前記推定部が前記基準動作電圧として推定する動作電圧に対応する値は正であり、
前記アバランシェダイオードのアノードには、ＴＩＡ回路が接続されている
センサ装置。

【請求項2】

請求項１に記載のセンサ装置において、
前記可動反射部の走査線が、第１方向に蛇行しながら、前記第１方向に交わる第２方向に伸びており、
前記推定部は、前記可動反射部の走査線が、前記可動反射部によって生成される視野の前記第２方向における両外側の少なくとも一方を通過するタイミングで、前記アバランシェダイオードの前記基準動作電圧を推定する、
センサ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、制御装置及びセンサ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、ＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）等のセンサ装置が開発されている。センサ装置は、赤外線等の電磁波を受信するアバランシェダイオードを備えている。

【0003】

特許文献１には、アバランシェダイオードの最適増倍率を得るための所定の電圧を設定することについて記載されている。ここでは、温度補償回路がアバランシェダイオードの降伏電圧の温度傾斜に当たる電圧を出力している。これによって、出力電圧の設定と温度補償とが行われている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００６－３０３５２４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

アバランシェダイオードを所望の増倍率で動作させるためには、アバランシェダイオードが当該所望の増倍率となる降伏電圧等の基準動作電圧を推定する必要がある。一方、特許文献１に記載されているように、アバランシェダイオードの降伏電圧の温度傾斜を用いて、温度補償を行う場合がある。しかしながら、この場合、アバランシェダイオードの基準動作電圧自体が推定されていない。このため、推定された基準動作電圧自体を用いて、アバランシェダイオードを所望の増倍率で動作させることができない。

【0006】

本発明が解決しようとする課題としては、アバランシェダイオードを所望の増倍率で動作させることが一例として挙げられる。

【課題を解決するための手段】

【0007】

請求項１に記載の発明は、
出射部から出射され、可動反射部によって所定の走査範囲に向けて反射され、前記走査範囲内に存在する物体によって反射された電磁波を受信するアバランシェダイオードを制御する制御装置であって、
前記アバランシェダイオードが所定の増倍率となる前記アバランシェダイオードの基準動作電圧を推定する推定部と、
前記推定部によって推定された前記基準動作電圧を用いて前記アバランシェダイオードの増倍率を設定する設定部と、
を備え、
前記推定部は、前記アバランシェダイオードの動作電圧を掃引することで、前記アバランシェダイオードの前記動作電圧に対する前記アバランシェダイオードの出力電圧の正規化された差分近似を取得して、前記差分近似から前記アバランシェダイオードの前記基準動作電圧を推定する、制御装置である。

【0008】

請求項４に記載の発明は、
電磁波を出射する出射部と、
前記出射部から出射された前記電磁波を所定の走査範囲に向けて反射する可動反射部と、
前記走査範囲内に存在する物体によって反射された電磁波を受信するアバランシェダイオードと、
請求項１～３のいずれか一項に記載の制御装置と、
を備えるセンサ装置である。

【0009】

請求項５に記載の発明は、
アバランシェダイオードを制御する制御装置であって、
前記アバランシェダイオードが所定の増倍率となる前記アバランシェダイオードの基準動作電圧を推定する推定部と、
前記推定部によって推定された前記基準動作電圧を用いて前記アバランシェダイオードの増倍率を設定する設定部と、
を備え、
前記推定部は、前記アバランシェダイオードの動作電圧を掃引することで、前記アバランシェダイオードの前記動作電圧に対する前記アバランシェダイオードの出力電圧の正規化された差分近似を取得して、前記差分近似から前記アバランシェダイオードの前記基準動作電圧を推定する、制御装置である。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施形態に係るセンサ装置を示す図である。

【図2】推定部及び設定部の機能ブロック図である。

【図3】アバランシェダイオード及び設定部の回路図である。

【図4】変数ｘと、式（１）を簡易に示した式（２）によって示される関数ｆ（ｘ）と、の関係の光電流ｉ依存性の一例を示すグラフである。

【図5】変数ｘと、式（３）によって示される関数ｇ（ｘ）と、の関係の一例を示すグラフである。

【図6】降伏電圧Ｖ_ＢＲに対する動作電圧Ｖ_ＡＰＤの比と、増倍率Ｍと、の関係の一例を示すグラフである。

【図7】アバランシェダイオードのアバランシェに起因したイベントの第１例を説明するためのグラフである。

【図8】アバランシェダイオードのアバランシェに起因したイベントの第２例を説明するためのグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

【0012】

図１は、実施形態に係るセンサ装置１０を示す図である。

【0013】

図１において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに交差しており、具体的には直交している。図１において、第１方向Ｘは水平方向である。第１方向Ｘを示す矢印の方向である第１方向Ｘの正方向は、後述する可動反射部１２０から可動反射部１２０の走査範囲に向かって見て左方向である。第１方向Ｘを示す矢印の方向の反対方向である第１方向Ｘの負方向は、可動反射部１２０が位置する側から可動反射部１２０の走査範囲に向かって見て右方向である。第２方向Ｙは垂直方向である。第２方向Ｙを示す矢印の方向である第２方向Ｙの正方向は、上方向である。第２方向Ｙを示す矢印の方向の反対方向である第２方向Ｙの負方向は、下方向である。

【0014】

本明細書の説明から明らかなように、第１方向Ｘは水平方向と異なる方向であってもよく、第２方向Ｙは垂直方向と異なる方向であってもよい。

【0015】

センサ装置１０は、出射部１１０、可動反射部１２０、アバランシェダイオード１３０、ビームスプリッタ１４０及び制御装置２０を備えている。制御装置２０は、推定部２１０及び設定部２２０を有している。図１において、出射部１１０、可動反射部１２０、アバランシェダイオード１３０、ビームスプリッタ１４０及び走査線Ｌにかけて延びる点線は、出射部１１０、可動反射部１２０、アバランシェダイオード１３０、ビームスプリッタ１４０及び走査線Ｌに亘って伝搬する電磁波を示している。図１では、可動反射部１２０から走査線Ｌに向けて反射された電磁波は、走査線Ｌが形成される領域のおおよそ中央部に向けて照射されている。

【0016】

出射部１１０は、一定のタイミングの間隔でパルス状の赤外線等の電磁波を出射する。出射部１１０は、例えばレーザダイオード（ＬＤ）等、電流等の電気を光等の電磁波に変換可能な素子である。出射部１１０から出射された電磁波は、ビームスプリッタ１４０を透過して可動反射部１２０に入射する。

【0017】

可動反射部１２０は、出射部１１０から出射された電磁波を所定の走査範囲内に向けて反射する。可動反射部１２０の走査範囲は、可動反射部１２０によって反射された電磁波によって照射可能な範囲である。可動反射部１２０は、例えば、２軸ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）ミラーである。可動反射部１２０は、第１方向Ｘに沿って例えば正弦波状に駆動されており、第２方向Ｙに沿って例えば鋸歯状波状に第１方向Ｘに沿った正弦波より低い周波数で駆動されている。すなわち、第１方向Ｘは、可動反射部１２０の共振駆動の方向であり、第２方向Ｙは、可動反射部１２０の線型駆動の方向となっている。これにより、可動反射部１２０の走査線Ｌは、第１方向Ｘに蛇行しながら、第２方向Ｙに伸びている。

【0018】

出射部１１０から出射されて可動反射部１２０によって反射された電磁波の少なくとも一部分は、センサ装置１０の外部に存在する物体等の対象物によって反射又は散乱される。この電磁波は、可動反射部１２０に戻り、可動反射部１２０による反射と、ビームスプリッタ１４０による反射と、を順に経て、アバランシェダイオード１３０によって受信される。アバランシェダイオード１３０は、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等、光等の電磁波を電流等の電気に変換可能な素子である。

【0019】

制御装置２０は、アバランシェダイオード１３０を制御している。具体的には、制御装置２０は、アバランシェダイオード１３０のＡＧＣ（自動利得制御）を行っている。

【0020】

推定部２１０及び設定部２２０は、ハードウエア単位の構成ではなく、機能単位のブロックを示している。推定部２１０及び設定部２２０は、任意のコンピュータのＣＰＵ、メモリ、メモリにロードされたプログラム、そのプログラムを格納するハードディスクなどの記憶メディア、ネットワーク接続用インタフェースを中心にハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。そして、その実現方法、装置には様々な変形例がある。

【0021】

推定部２１０は、アバランシェダイオード１３０が所定の増倍率となるアバランシェダイオード１３０の基準動作電圧を推定する。基準動作電圧は、例えば、アバランシェダイオード１３０の降伏電圧である。なお、基準動作電圧は、アバランシェダイオード１３０の降伏電圧より低くてもよい。設定部２２０は、推定部２１０によって推定された基準動作電圧を用いてアバランシェダイオード１３０の増倍率を設定する。推定部２１０は、アバランシェダイオード１３０の動作電圧を掃引することで、アバランシェダイオード１３０の動作電圧に対するアバランシェダイオード１３０の出力電圧の正規化された差分近似を取得して、当該差分近似からアバランシェダイオード１３０の基準動作電圧を推定する。

【0022】

差分近似を用いることで、差分近似を用いない場合と比較して、推定部２１０は、降伏電圧等の基準動作電圧を高速に推定することができる。また、差分近似を用いることで、差分近似を用いない場合と比較して、アバランシェダイオード１３０の電圧を高電圧まで上昇させる必要がない。アバランシェダイオード１３０の動作電圧を掃引する場合において、増倍率が高いほどアバランシェダイオード１３０には高電流が流れ、アバランシェダイオード１３０の温度が上昇する。アバランシェダイオード１３０の温度は、アバランシェダイオード１３０に電流が流れる時間が長くなるほど上昇する。そしてアバランシェダイオード１３０の温度が上昇するほど、アバランシェダイオード１３０の基準動作電圧が高くなる。本実施形態では、基準動作電圧を高速に推定することで、アバランシェダイオード１３０の基準動作電圧を正確に推定することができる。

【0023】

推定部２１０は、可動反射部１２０の走査線Ｌが、可動反射部１２０によって生成される視野Ｆの第２方向Ｙにおける両外側の少なくとも一方を通過するタイミングで、アバランシェダイオード１３０の基準動作電圧を推定するようにすることができる。基準動作電圧の推定には一定の時間を要する。したがって、可動反射部１２０の走査範囲のうち比較的長期間である上記タイミングを用いることで、可動反射部１２０の走査範囲のうち他のタイミングを用いるよりも、基準動作電圧の推定が容易となる。しかしながら、推定部２１０は、上記タイミングと異なるタイミングで、アバランシェダイオード１３０の基準動作電圧を推定してもよい。

【0024】

なお、視野Ｆは、例えば、可動反射部１２０によって生成されるＦＯＶ（Ｆｉｅｌｄ Ｏｆ Ｖｉｅｗ）である。

【0025】

センサ装置１０は、制御装置２０がアバランシェダイオード１３０のＡＧＣを行った後、ＡＧＣが行われたアバランシェダイオード１３０を用いての出射部１１０の出力電磁波強度の調整と、ＡＧＣが行われたアバランシェダイオード１３０を用いての可動反射部１２０の振れ角の調整と、の少なくとも一方を行ってもよい。例えば、センサ装置１０は、可動反射部１２０による走査の１フレーム内において、アバランシェダイオード１３０のＡＧＣと、出射部１１０の出力電磁波強度の調整と、可動反射部１２０の振れ角の調整と、を行ってもよい。この例においては、例えば、アバランシェダイオード１３０のＡＧＣは、可動反射部１２０によって生成される視野Ｆの第２方向Ｙにおける両外側の一方で行ってもよい。また、出射部１１０の出力電磁波強度の調整は、可動反射部１２０によって生成される視野Ｆの第１方向Ｘにおける両外側の一方で行なってもよい。さらに、可動反射部１２０の振れ角の調整は、可動反射部１２０によって生成される視野Ｆの第１方向Ｘにおける両外側の他方で行なってもよい。さらに、出射部１１０の出力電磁波強度の調整後、可動反射部１２０の振れ角の調整が行われるようにすることができる。この場合、可動反射部１２０の振れ角の調整後に出射部１１０の出力電磁波強度の調整が行われる場合と比較して、出射部１１０の出力電磁波強度が安定した状態で、可動反射部１２０の振れ角の調整を行うことができる。可動反射部１２０の振れ角の調整後に出射部１１０の出力電磁波強度の調整が行われてもよい。

【0026】

推定部２１０は、基準反射体３００によって反射又は散乱された電磁波を用いてアバランシェダイオード１３０の基準動作電圧を推定してもよい。この電磁波は、基準反射体３００による反射又は散乱によって可動反射部１２０に向けて戻り、可動反射部１２０による反射と、ビームスプリッタ１４０による反射と、を順に経て、アバランシェダイオード１３０によって受信される。仮に、背景光を用いて基準動作電圧を推定する場合、背景光のみでは基準動作電圧を推定するために十分な量の光が得られないおそれがある。これに対して、基準反射体３００によって反射又は散乱された電磁波を用いる場合、背景光を用いる場合と比較して、基準動作電圧を推定するために十分な量の光が得ることができる。なお、推定部２１０は、背景光を用いて基準動作電圧を推定してもよい。

【0027】

可動反射部１２０から基準反射体３００までの距離は、可動反射部１２０から上記対象物までの距離より短くなっている。したがって、出射部１１０からの電磁波の出射から、基準反射体３００による電磁波の反射を経て、アバランシェダイオード１３０による電磁波の受信までの時間は、出射部１１０からの電磁波の出射から、上記対象物による電磁波の反射を経て、アバランシェダイオード１３０による電磁波の受信までの時間より短くなる。このため、アバランシェダイオード１３０において発生する信号の時間差に基づいて、センサ装置１０は、アバランシェダイオード１３０において発生した信号が、基準反射体３００に起因する信号であるか、又は上記対象物に起因する信号であるかを区別することができる。

【0028】

基準反射体３００は、センサ装置１０に設けられていてもよい。すなわち、センサ装置１０は、基準反射体３００を備えていてもよい。或いは、基準反射体３００は、センサ装置１０の外部に設けられていてもよい。基準反射体３００がセンサ装置１０に設けられている場合、基準反射体３００は、例えば、出射部１１０、可動反射部１２０、アバランシェダイオード１３０、ビームスプリッタ１４０等センサ装置１０を構成する部材を収容する筐体の窓部、すなわち、筐体の内部と外部との間で電磁波が透過する部分に設けることができる。しかしながら、基準反射体３００が設けられる場所は、窓部に限定されない。

【0029】

図２は、推定部２１０及び設定部２２０の機能ブロック図である。

【0030】

図２に示すように、設定部２２０には、背景光Ｐが入力され、電圧Ｖ_ｈが与えられている。背景光Ｐ及び電圧Ｖ_ｈに応じて設定部２２０から出力電圧Ｖ_ｏｕｔが出力されている。推定部２１０は、設定部２２０から出力された出力電圧Ｖ_ｏｕｔを用いて、アバランシェダイオード１３０の降伏電圧Ｖ_ＢＲを推定している。設定部２２０は、推定部２１０によって推定された降伏電圧Ｖ_ＢＲを用いて、アバランシェダイオード１３０の増倍率を設定している。

【0031】

図３は、アバランシェダイオード１３０及び設定部２２０の回路図である。

【0032】

図３に示すように、設定部２２０は、ＴＩＡ（ｔｒａｎｓｉｍｐｅｄａｎｃｅ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）回路となっている。アバランシェダイオード１３０のカソードには、抵抗値Ｒ_ｌｉｍの抵抗を介して電圧Ｖ_ｈが印加されている。アバランシェダイオード１３０のアノードは、非反転入力端子が接地されたオペアンプＵの反転入力端子に接続されている。アバランシェダイオード１３０には、電流Ｉ_ｏｕｔが流れている。アバランシェダイオード１３０の動作電圧Ｖ_ＡＰＤは、Ｖ_ｈ－Ｒ_ｌｉｍＩ_ｏｕｔとなる。オペアンプＵの反転入力端子と出力端子との間には、抵抗値Ｒ_ｆの抵抗が接続されている。オペアンプＵの出力端子からは、抵抗値Ｒ_１の抵抗を介して出力電圧Ｖ_ｏｕｔが出力されている。

【0033】

アバランシェダイオード１３０の出力電圧Ｖ_ｏｕｔは、以下の式（１）に示されるようになる。

【数1】

ただし、ｉは光電流を示す。

【0034】

図４は、変数ｘと、式（１）を簡易に示した式（２）によって示される関数ｆ（ｘ）と、の関係の光電流ｉ依存性の一例を示すグラフである。図４では、光電流ｉにつき１．Ｅ＋００、１．Ｅ＋０１、１．Ｅ＋０２、１．Ｅ＋０３及び１．Ｅ＋０４の関数ｆ（ｘ）が示されている。

【数2】

ただし、ｘ＝Ｖ_ＡＰＤ／Ｖ_ＢＲである。

【0035】

図５は、変数ｘと、式（３）によって示される関数ｇ（ｘ）と、の関係の一例を示すグラフである。

【0036】

光電流ｉによって変化する関数ｆ（ｘ）を規格化して、前進差分近似することで、以下の式（３）が得られる。

【数3】

【0037】

図５に示す例では、ｇ（ｘ）＝１．Ｅ＋００であり、かつｇ（ｘ）の一次導関数が正となるｘに対応する動作電圧Ｖ_ＡＰＤを降伏電圧Ｖ_ＢＲとして推定することができる。なお、図５に示す例では、前進差分近似を用いているが、前進差分近似と異なる差分近似、例えば、後進差分近似又は中心差分近似を用いてもよい。

【0038】

図６は、降伏電圧Ｖ_ＢＲに対する動作電圧Ｖ_ＡＰＤの比と、増倍率Ｍと、の関係の一例を示すグラフである。この関係は、アバランシェダイオード１３０の温度によらず一定となっている。

【0039】

図７は、アバランシェダイオード１３０のアバランシェに起因したイベントの第１例を説明するためのグラフである。図７において、グラフの横軸は時間を示している。また、グラフの縦軸はアバランシェダイオード１３０に発生する信号の強度を示している。

【0040】

アバランシェに起因したイベントは、アバランシェダイオード１３０の増倍率が高い、すなわちアバランシェダイオード１３０の動作電圧が高いとき、出現する。図７に示す例では、ＤＣ（直流）成分がほとんど存在しない状況において、４つのアバランシェに起因したイベントが発生している。

【0041】

推定部２１０は、アバランシェに起因したイベントを監視して降伏電圧等の基準動作電圧を推定してもよい。具体的には、推定部２１０は、アバランシェに起因したイベントのカウンティングによって基準動作電圧を推定することができる。

【0042】

図８は、アバランシェダイオード１３０のアバランシェに起因したイベントの第２例を説明するためのグラフである。図８に示す例は、以下の点を除いて、図７に示す例と同様である。

【0043】

図８に示すように、ＤＣ成分が存在する状況においても、アバランシェに起因したイベントによるピークが発生する。この場合においても、推定部２１０は、アバランシェに起因したイベントを監視して基準動作電圧を推定してもよい。アバランシェに起因したイベントと、基準動作電圧と、の間には、相関がある。具体的には、アバランシェに起因したイベントが多くなるほど、基準動作電圧が高くなる。

【0044】

以上、図面を参照して実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

【0045】

例えば、実施形態では、センサ装置１０は、ＬｉＤＡＲとなっている。すなわち、アバランシェダイオード１３０は、出射部１１０から出射され、可動反射部１２０によって所定の走査範囲に向けて反射され、走査範囲内に存在する物体によって反射された電磁波を受信している。しかしながら、制御装置２０は、ＬｉＤＡＲ以外に用いられるアバランシェダイオードを制御してもよい。
以下、参考形態の例を付記する。
１． 出射部から出射され、可動反射部によって所定の走査範囲に向けて反射され、前記走査範囲内に存在する物体によって反射された電磁波を受信するアバランシェダイオードを制御する制御装置であって、
前記アバランシェダイオードが所定の増倍率となる前記アバランシェダイオードの基準動作電圧を推定する推定部と、
前記推定部によって推定された前記基準動作電圧を用いて前記アバランシェダイオードの増倍率を設定する設定部と、
を備え、
前記推定部は、前記アバランシェダイオードの動作電圧を掃引することで、前記アバランシェダイオードの前記動作電圧に対する前記アバランシェダイオードの出力電圧の正規化された差分近似を取得して、前記差分近似から前記アバランシェダイオードの前記基準動作電圧を推定する、制御装置。
２． １．に記載の制御装置において、
前記推定部は、前記アバランシェダイオードのアバランシェに起因したイベントを監視して前記基準動作電圧を推定する、制御装置。
３． １．又は２．に記載の制御装置において、
前記可動反射部の走査線が、第１方向に蛇行しながら、前記第１方向に交わる第２方向に伸びており、
前記推定部は、前記可動反射部の走査線が、前記可動反射部によって生成される視野の前記第２方向における両外側の少なくとも一方を通過するタイミングで、前記アバランシェダイオードの前記基準動作電圧を推定する、制御装置。
４． 電磁波を出射する出射部と、
前記出射部から出射された前記電磁波を所定の走査範囲に向けて反射する可動反射部と、
前記走査範囲内に存在する物体によって反射された電磁波を受信するアバランシェダイオードと、
１．～３．のいずれか一つに記載の制御装置と、
を備えるセンサ装置。
５． アバランシェダイオードを制御する制御装置であって、
前記アバランシェダイオードが所定の増倍率となる前記アバランシェダイオードの基準動作電圧を推定する推定部と、
前記推定部によって推定された前記基準動作電圧を用いて前記アバランシェダイオードの増倍率を設定する設定部と、
を備え、
前記推定部は、前記アバランシェダイオードの動作電圧を掃引することで、前記アバランシェダイオードの前記動作電圧に対する前記アバランシェダイオードの出力電圧の正規化された差分近似を取得して、前記差分近似から前記アバランシェダイオードの前記基準動作電圧を推定する、制御装置。

【符号の説明】

【0046】

１０ センサ装置
２０ 制御装置
１１０ 出射部
１２０ 可動反射部
１３０ アバランシェダイオード
１４０ ビームスプリッタ
２１０ 推定部
２２０ 設定部
３００ 基準反射体
Ｆ 視野
Ｌ 走査線
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】