特許 7578440 電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-28

(45)【発行日】2024-11-06

(54)【発明の名称】電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20241029BHJP

   H01C 1/142 20060101ALI20241029BHJP

   H01F 27/29 20060101ALI20241029BHJP

   H01G 4/232 20060101ALI20241029BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201F

H01C1/142

H01F27/29 123

H01G4/232 B

H01G4/30 201G

H01G4/30 513

H01G4/30 516

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2020149924

(22)【出願日】2020-09-07

(65)【公開番号】P2022044341

(43)【公開日】2022-03-17

【審査請求日】2023-07-18

(73)【特許権者】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001494

【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】乾 京介

(72)【発明者】

【氏名】森田 誠

(72)【発明者】

【氏名】工藤 孝潔

(72)【発明者】

【氏名】安保 敏之

(72)【発明者】

【氏名】殿山 恭平

(72)【発明者】

【氏名】三浦 冬樹

(72)【発明者】

【氏名】須貝 正則

(72)【発明者】

【氏名】阿部 栄悦

(72)【発明者】

【氏名】外海 透

(72)【発明者】

【氏名】小柳 佑市

【審査官】鈴木 駿平

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－００６５０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－２１１３３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１８２２１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２０／１２１５９９（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｇ ４／００－４／２２４

Ｈ０１Ｇ ４／２３２

Ｈ０１Ｇ ４／２５５－４／４０

Ｈ０１Ｇ １３／００－１３／０６

Ｈ０１Ｃ １／１４２

Ｈ０１Ｆ １７／００－２１／１２

Ｈ０１Ｆ ２７／００

Ｈ０１Ｆ ２７／０２

Ｈ０１Ｆ ２７／０６

Ｈ０１Ｆ ２７／０８

Ｈ０１Ｆ ２７／２３

Ｈ０１Ｆ ２７／２６

Ｈ０１Ｆ ２７／２８－２７／２９

Ｈ０１Ｆ ２７／３０

Ｈ０１Ｆ ２７／３２

Ｈ０１Ｆ ２７／３６

Ｈ０１Ｆ ２７／４２

Ｈ０１Ｆ ３８／４２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

素子本体の外面に具備してある取出電極部と、
前記素子本体の外面の一部に形成され、前記取出電極部に接続してある樹脂電極層と、を有し、
前記取出電極部が、主成分として銅を含み、
前記樹脂電極層が、銀を含む導体粉末と樹脂とを含み、
前記樹脂電極層の前記導体粉末は、粒径がマイクロメートルオーダの第１粒子と、粒径がナノメートルオーダの第２粒子とで構成してあり、
前記樹脂電極層における前記取出電極部との界面には、酸化銅および銀を含む拡散層が形成してあり、
前記界面では、前記取出電極部の最表面に対して、樹脂成分が接する第１領域（Ｒ１）と、前記第１粒子が接する第２領域（Ｒ２）と、前記第２粒子が接する第３領域（Ｒ３）と、が存在し、
前記拡散層は、前記第３領域（Ｒ３）に存在し、前記界面に沿って前記拡散層が断続的に形成してある電子部品。

【請求項2】

前記拡散層は、厚みが少なくとも３０ｎｍ以上である請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記拡散層では、前記取出電極部の最表面から前記樹脂電極層側に向かって、銀の濃度勾配が生じている請求項２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記第１粒子は、扁平状であり、
前記第１粒子の間では、前記第２粒子が凝集している請求項１～３のいずれかに記載の電子部品。

【請求項5】

前記取出電極部の表面側には、酸化銅を主として含む酸化被膜が形成してあり、
前記拡散層は、前記酸化被膜と前記樹脂電極層との間に位置する請求項１～４のいずれかに記載の電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、端子電極を有する電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に示すように、素体の外面に端子電極（外部電極と呼ばれる場合もある）が形成してある電子部品が知られている。この電子部品において、端子電極は、素体に具備してある内部電極やリードなどの取出電極と接続している。

【0003】

このような端子電極は、たとえば特許文献１に示すように、素体の外面に金属粉とガラス成分とを含む焼成型ペーストを塗布し、このペーストを塗布した箇所を７００℃程度、もしくはそれ以上の温度で焼き付け処理することで形成することができる。ただし、上記のように高温で焼き付け処理して端子電極を形成する場合、熱応力の影響で素体にクラックなどの欠陥が発生することがある。

【0004】

また、特許文献２では、金属粉末と熱硬化性樹脂とを含む熱硬化性ペーストを用いて端子電極を形成する方法を開示している。この場合、端子電極の形成にあたって、樹脂の硬化温度で加熱処理を施せばよく、高温での焼き付け処理を必要としない。ただし、特許文献２の端子電極では、取出電極に対する接合強度が十分に確保できず、接合部の接触抵抗が高くなるという課題があった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１３－０４５９２６号公報

【文献】特開平６－２６７７８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明は、このような実情を鑑みてなされ、その目的は、端子電極の接合信頼性が高く、端子電極が低抵抗である電子部品を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記の目的を達成するために、本発明に係る電子部品は、
素子本体の外面に具備してある取出電極部と、
前記素子本体の外面の一部に形成され、前記取出電極部に接続してある樹脂電極層と、を有し、
前記取出電極部が、主成分として銅を含み、
前記樹脂電極層が、銀を含む導体粉末と樹脂とを含み、
前記取出電極部と前記樹脂電極層との界面には、酸化銅および銀を含む拡散層が形成してある。

【0008】

上記の構成を有することで、本発明に係る電子部品は、取出電極部と端子電極（樹脂電極層）との接合信頼性を十分に確保することができる。また、端子電極の低抵抗化を実現することもできる。

【0009】

前記拡散層の厚みは、少なくとも３０ｎｍ以上とすることができる。また、前記拡散層は、前記取出電極部の最表面から前記樹脂電極層側に向かって、銀の濃度勾配が生じている領域として認識することができる。

【0010】

好ましくは、前記樹脂電極層の前記導体粉末は、粒径がマイクロメートルオーダの第１粒子と、粒径がナノメートルオーダの第２粒子とで構成してある。樹脂電極層が上記の構成を有することで、端子電極の接合信頼性がより向上し、端子電極の抵抗値をより低くすることができる。

【0011】

好ましくは、前記第１粒子は、扁平状であり、前記第１粒子の間では、前記第２粒子が凝集している。
上記の構成を有することで、第１粒子の粒子間を第２粒子が電気的に接続することとなり、端子電極の抵抗値をより低くすることができる。

【0012】

前記拡散層は、前記取出電極部と前記樹脂電極層との界面に沿って、断続的に存在することができる。

【0013】

また、前記取出電極部の表面側には、酸化銅を主として含む酸化被膜が形成してあってもよい。この場合、前記拡散層は、前記酸化被膜と前記樹脂電極層との間に位置することとなる。本発明に係る電子部品では、取出電極部の表面側に酸化被膜が存在していたとしても、取出電極部と樹脂電極との間に拡散層が形成される。そのため、端子電極の接合強度を十分に確保することができ、なおかつ、端子電極の抵抗値を低くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品を示す斜視図である。

【図2】図２は、図１に示す電子部品を実装面側からみた場合の斜視図である。

【図3A】図３Ａは、図１に示すIIIＡ－IIIＡ線に沿う断面図である。

【図3B】図３Ｂは、図１および図３Ａに示す電子部品の変形例を示す断面図である。

【図4A】図４Ａは、取出電極部と端子電極との接合部分を示す断面図である。

【図4B】図４Ｂは、図４Ａに示す領域IVＢを拡大した断面図である。

【図4C】図４Ｃは、図４Ｂに示す領域IVＣを拡大した断面図である。

【図4D】図４Ｄは、図４Ｃの変形例を示す断面図である。

【図5A】図５Ａは、従来の電子部品における取出電極部と端子電極との接合部分を示す断面図である。

【図5B】図５Ｂは、図５Ａに示す領域VＢを拡大した断面図である。

【図6A】図６Ａは、図４Ｃに示す取出電極部と端子電極との界面をライン分析した結果である。

【図6B】図６Ｂは、図４Ｄに示す取出電極部と端子電極との界面をライン分析した結果である。

【図7】図７は、図５Ｂに示す取出電極部と端子電極との境界面をライン分析した結果である。

【図8A】図８Ａは、図４Ｃに示すような断面におけるＡｇのマッピング画像である。

【図8B】図８Ｂは、図４Ｃに示すような断面におけるＣｕのマッピング画像である。

【図8C】図８Ｃは、図４Ｃに示すような断面におけるＯのマッピング画像である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき詳細に説明する。

【0016】

図１に示すように、本発明の第１実施形態に係る電子部品としてのインダクタ２は、略直方体形状（略六面体）からなる素子本体４を有する。

【0017】

素子本体４は、上面４ａと、上面４ａとはＺ軸方向の反対側に位置する底面４ｂと、４つの側面４ｃ～４ｆとを有する。素子本体４の寸法は、特に限定されない。たとえば、素子本体４のＸ軸方向の寸法を１.２～６.５ｍｍとすることができ、Ｙ軸方向の寸法を０.６～６.５ｍｍとすることができ、高さ（Ｚ軸）方向の寸法を、０.５～５.０ｍｍとすることができる。

【0018】

図１および図２に示すように、素子本体４の底面４ｂには、一対の端子電極８が形成してある。一対の端子電極８は、Ｘ軸方向で離反して形成してあり、互いに絶縁してある。本実施形態のインダクタ２では、この端子電極８に対して、図示しない配線などを介して外部回路が接続可能となっている。また、インダクタ２は、はんだや導電性接着剤などの接合部材を用いて、回路基板などの各種基板の上に実装可能となっている。基板に実装する場合、素子本体４の底面４ｂが実装面となり、端子電極８と基板とが、接合部材により接合される。

【0019】

また、素子本体４は、その内部において、コイル部６αを有している。このコイル部６αは、導体としてのワイヤ６をコイル状に巻回することで構成してある。本実施形態の図１において、コイル部６αは、一般的なノーマルワイズで巻回された空芯コイルであるが、ワイヤ６の巻回方式は、これに限定されない。たとえば、ワイヤ６をα巻きした空芯コイルや、エッジワイズ巻きした空芯コイルであってもよい。あるいは、ワイヤ６は、後述する巻芯部４１ｂ（図３Ａ参照）に直接に巻回してもよい。

【0020】

コイル部６αを構成するワイヤ６は、主として銅を含む導体部と、その導体部の外周を覆う絶縁層とで構成してある。より具体的に、導体部は、無酸素銅やタフピッチ銅などの純銅、リン青銅や黄銅、丹銅、ベリリウム銅、銀－銅合金などの銅を含む合金、もしくは、銅被覆鋼線で構成される。一方、絶縁層は、電気絶縁性を有していればよく、特に限定されない。たとえば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル、ナイロン、ポリエステルなど、もしくは、上記のうち少なくとも２種の樹脂を混合した合成樹脂が例示される。また、本実施形態において、ワイヤ６は、図１および図３Ａに示すように、丸線であり、導体部の断面形状が、円形となっている。

【0021】

図１および図３Ａに示すように、本実施形態における素子本体４は、第１コア部４１と、第２コア部４２とを有する。この第１コア部４１および第２コア部４２は、いずれも、磁性材料と、樹脂とを含む圧粉体で構成することができる。

【0022】

各コア部４１，４２に含まれる磁性材料は、たとえばフェライト粉末または金属磁性粉末で構成することができる。フェライト粉末としては、たとえば、Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライトなどが例示される。また、金属磁性粉末としては、特に限定されないが、たとえば、Ｆｅ－Ｎｉ合金、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ｃｏ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金、Ｆｅを含むアモルファス合金、Ｆｅを含むナノ結晶合金など、その他の軟磁性合金が例示される。なお、上記のフェライト粉末または金属磁性粉末には、適宜、副成分が添加してあってもよい。

【0023】

また、第１コア部４１および第２コア部４２は、たとえば同種の磁性材料で構成して、第１コア部４１の比透磁率μ１と、第２コア部４２の比透磁率μ２とを等しくしてもよい。また、第１コア部４１と第２コア部４２とを、それぞれ材質が異なる磁性材料で構成してもよい。

【0024】

また、第１コア部４１または第２コア部４２を構成する磁性材料（すなわちフェライト粉末または金属磁性粉末）については、そのメディアン径（Ｄ５０）を５μｍ～５０μｍとすることができる。さらに、上記の磁性材料は、Ｄ５０が異なる複数の粒子群を混ぜ合わせて構成してもよい。たとえば、Ｄ５０が８μｍ～１５μｍの大径粉と、Ｄ５０が１μｍ～５μｍの中径粉と、Ｄ５０が０．３μｍ～０．９μｍの小径粉とを混ぜ合わせてもよい。

【0025】

上記のように複数の粒子群を混ぜ合わせる場合、大径粉と中径粉と小径粉との割合は、特に制限されない。また、大径粉と中径粉と小径粉とは、全て同種の材質で構成することができ、異なる材質で構成することもできる。このように、第１コア部４１または第２コア部４２に含まれる磁性材料を、複数の粒子群で構成することで、素子本体４に含まれる磁性材料の充填率を高めることができる。その結果、インダクタ２の透磁率や渦電流損失、直流重畳特性などの諸特性が向上する。

【0026】

なお、磁性材料の粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）などで素子本体４の断面を観察し、得られた断面写真をソフトウェアにより画像解析することで測定できる。その際、磁性材料の粒径は、円相当径換算で計測することが好ましい。

【0027】

また、第１コア部４１または第２コア部を金属磁性粉末で構成する場合、当該粉末を構成する粒子は、当該粒子間が互いに絶縁されていることが好ましい。絶縁する方法としては、たとえば、粒子表面に絶縁被膜を形成する方法が挙げられる。絶縁被膜としては、樹脂または無機材料で形成する被膜、および、熱処理により粒子表面を酸化して形成する酸化被膜が挙げられる。樹脂または無機材料で絶縁被膜を形成する場合、樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。無機材料としては、リン酸マグネシウム、リン酸カルシウム、リン酸亜鉛、リン酸マンガンなどのリン酸塩、ケイ酸ナトリウムなどのケイ酸塩（水ガラス）、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウ酸塩ガラス、硫酸塩ガラスなどが挙げられる。絶縁被膜を形成することで、粒子間の絶縁性を高めることができ、インダクタ２の耐電圧を向上させることができる。

【0028】

また、第１コア部４１および第２コア部４２に含まれる樹脂としては、特に制限されないが、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、フラン樹脂、アルキド樹脂、ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂などの熱硬化性樹脂、または、アクリル樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）などの熱可塑性樹脂などを用いることができる。

【0029】

図１に示すように、第１コア部４１は、鍔部４１ａと、巻芯部４１ｂと、切り欠き部４１ｃとを有する。鍔部４１ａは、素子本体４の各側面４ｃ～４ｆに向かって突出しており、各側面４ｃ～４ｆに対応して４つ形成してある。この鍔部４１ａの上面には、コイル部６αが搭載されており、鍔部４１ａがコイル部６αを支持している。ここで、Ｘ軸方向に沿って突出する２つの鍔部４１ａを、それぞれ、第１鍔部４１ａｘとし、Ｙ軸方向に沿って突出する２つの鍔部４１ａを、それぞれ第２鍔部４１ａｙとする。第１鍔部４１ａｘの厚みは、第２鍔部４１ａｙの厚みよりも、薄くなっており、第１鍔部４１ａｘの下方には、リード部６ａの一部を収容するスペースが存在する。

【0030】

巻芯部４１ｂは、鍔部４１ａよりもＺ軸方向の上方に位置し、鍔部４１ａと一体的に形成してある。また、巻芯部４１ｂは、Ｚ軸の上方に向かって突出する略楕円柱からなり、コイル部６αの内側に挿入されている。巻芯部４１ｂの形状は、図１および図３Ａに示す様態に限定されず、コイル部６αの巻回形状に合わせた形状とすればよい。たとえば、円柱状、角柱状とすることができる。

【0031】

切り欠き部４１ｃは、各鍔部４１ａの間に位置し、Ｘ－Ｙ平面の四隅に４つ形成してある。すなわち、切り欠き部４１ｃは、素子本体４の各側面４ｃ～４ｆが互いに交差する箇所の付近に形成してある。この切り欠き部４１ｃは、コイル部６αから引き出されたリード部６ａが通過するための通路として利用される。また、切り欠き部４１ｃは、製造過程において、第２コア部４２を構成する成形材料が、第１コア部４１の表面側から裏面側に流動する際の通路としても機能する。図１において、切り欠き部４１ｃは、略正方形状に切り欠かれているが、その形状は、リード部６ａおよび上述した成形材料が通過する形状であればよく、特に制限されない。たとえば、切り欠き部４１ｃは、鍔部４１ａの表裏面を貫通する貫通孔であってもよい。

【0032】

第２コア部４２は、図３Ａに示すように、第１コア部４１を覆っている。より具体的に、第２コア部は、鍔部４１ａの上方においてコイル部６αと巻芯部４１ｂとを覆うとともに、切り欠き部４１ｃおよび第１鍔部４１ａｘの下方に存在するスペースに充填してある。なお、図２に示すように、第２鍔部４１ａｙの下面は、素子本体４の底面４ｂの一部を構成しており、この第２鍔部４１ａｙの下方には、第２コア部４２が充填されていない。

【0033】

図１に示すように、一対のリード部６ａは、それぞれ、第１鍔部４１ａｘの上方において、コイル部６αからＹ軸に沿って引き出されている。また、一対のリード部６ａは、それぞれ、素子本体４の側面４ｃの近傍で折り返されて、第１鍔部４１ａｘの下方において、側面４ｃ側から側面４ｄ側に向かって延びている。

【0034】

ここで、素子本体４の底面４ｂから第１鍔部４１ａｘまでのＺ軸方向の高さｈは、リード部６ａの外径よりも小さい。そのため、第１鍔部４１ａｘの下方において、リード部６ａの大半は、素子本体４（とりわけ第２コア部４２）の内部に収容してあるが、リード部６ａの外周縁の一部は、素子本体４の底面４ｂに露出している。リード部６ａは、いずれもワイヤ６で構成してあるが、底面４ｂに露出した箇所では、ワイヤ６の外周側に存在する絶縁層が除去されて、ワイヤ６の導体部が露出している。本実施形態では、図２に示すように、底面４ｂにおいて、ワイヤ６の導体部が露出した箇所を、特に、取出電極部６１と称する。

【0035】

本実施形態では、図２に示すように、一対の取出電極部６１を、それぞれ覆うように一対の端子電極８が形成してあり、取出電極部６１と端子電極８とが電気的に接続されている。

【0036】

端子電極８は、少なくとも樹脂電極層８１を有する。また、端子電極８は、樹脂電極層８１とその他の電極層とを有する積層構造であってもよい。端子電極８を積層構造とする場合、樹脂電極層８１は、取出電極部６１と接触する部分に位置し、その他の電極層は、樹脂電極層８１の外側、すなわち、取出電極部６１の反対側に積層される。その他の電極層は、単層でも複数層でもよく、その材質は特に限定されない。たとえば、その他の電極層は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属、または、これらの金属元素のうち少なくとも１種を含む合金で構成することができ、メッキやスパッタリングにより形成することができる。また、端子電極８ａ，８ｂの全体の平均厚みは、１０μｍ～６０μｍとすることが好ましく、樹脂電極層８１の平均厚みは、１０μｍ～２０μｍとすることが好ましい。

【0037】

図４Ａ～図４Ｃは、取出電極部６１と、端子電極８の樹脂電極層８１との接合境界を拡大した断面図である。図４Ａに示すように、樹脂電極層８１には、樹脂成分８２と導体粉末８３とが含まれる。樹脂電極層８１における樹脂成分８２は、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂で構成される。導体粉末８３には、主としてＡｇが含まれ、その他、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄなどが含まれてもよい。

【0038】

また、本実施形態において、樹脂電極層８１の導体粉末８３は、粒度分布が異なる２つの粒子群、第１粒子８３ａと、第２粒子８３ｂとで構成してある。第１粒子８３ａは、粒径がマイクロメートルオーダの粒子群である。本実施形態において「マイクロメートルオーダの粒子」とは、平均粒径が、０．０５μｍ以上、数十μｍ以下である粒子を意味する。本実施形態の第１粒子８３ａは、図４Ａに示す断面において、平均粒径が１μｍ～１０μｍであることが好ましく、３μｍ～５μｍであることがより好ましい。

【0039】

また第１粒子８３ａの形状は、球に近い形状、長球状、不規則なブロック状、針状、扁平状とすることができ、特に、針状もしくは扁平状であることが好ましい。本実施形態において、扁平状の粒子とは、図４Ａに示すような断面において、アスペクト比（短手方向の長さに対する長手方向の長さの比）が２～３０である粒子を意味する。なお、第１粒子８３ａの平均粒径は、図４Ａ～図４Ｃに示すような断面をＳＥＭやＳＴＥＭで観察し、得られる断面写真を画像解析することで測定できる。その測定に際して、第１粒子８３ａの平均粒径は、最大長さ換算で算出する。

【0040】

一方、第２粒子８３ｂは、第１粒子８３ａよりも平均粒径が小さいナノメートルオーダの粒子群である。この第２粒子８３ｂは、図４Ｂおよび図４Ｃに示すように、第１粒子８３ａの外周近傍や、第１粒子８３ａの粒子間隙において、凝集して存在している。図４Ｃに示すような拡大した断面をＳＴＥＭにより観察すると、第２粒子８３ｂは、粒径が少なくとも１００ｎｍ以下である微小粒の集合体として認識される。なお、第２粒子８３ｂは、樹脂電極層８１の原材料であるペーストの製造過程において、形状が略球状で、平均粒径（円相当径換算）が５ｎｍ～３０ｎｍであるナノ粒子として添加される。

【0041】

また、上記の第１粒子８３ａおよび第２粒子８３ｂは、いずれも、Ａｇを主成分とする。導体粉末８３に、Ａｇ以外の金属元素も含まれる場合、その金属元素の存在形態は特に限定されない。たとえば、Ａｇ以外の金属元素は、第１粒子８３ａおよび第２粒子８３ｂ以外の粒子として存在していてもよいし、第１粒子８３ａに固溶していてもよい。

【0042】

また、図４Ａに示すような樹脂電極層８１の断面において、樹脂成分８２および導体粉末８３を含む観測視野の面積を１００％とすると、導体粉末８３が占める面積は、６０％以上であることが好ましい。また、樹脂電極層８１の断面において、第１粒子８３ａが占める面積をＡ１とし、第２粒子８３ｂが占める面積をＡ２とすると、Ａ２に対するＡ１の比（Ａ１／Ａ２）は、１．５～６．０であることが好ましい。

【0043】

なお、上記において各要素が占める面積は、図４Ａに示すような樹脂電極層８１の断面をＳＥＭもしくはＳＴＥＭで観察し、得られる断面画像を画像解析することで測定できる。ＳＥＭを用いる場合は、反射電子像で観測することが好ましく、ＳＴＥＭを用いる場合は、ＨＡＡＤＦ像で観測することが好ましい。上記の観察像では、コントラストが暗い部分が樹脂成分８２であり、コントラストが明るい部分が導体粉末８３である。また、第２粒子８３ｂは、前述したように微小粒の集合体として観測され、第２粒子８３ｂが占める面積Ａ２は、その集合体の面積とする。上記の観測において、１視野当たりの観察視野は、０．０４μｍ^２～０．３６μｍ^２とすることが好ましく、各要素が占める面積は、少なくとも１０視野以上観測した平均値として算出することが好ましい。

【0044】

図４Ａに示すように、取出電極部６１と樹脂電極層８１との界面では、取出電極部６１の最表面に対して、樹脂成分８２が接する領域Ｒ１と、導体粉末８３の第１粒子８３ａが接する領域Ｒ２と、導体粉末８３の第２粒子８３ｂが接する領域Ｒ３と、が存在する。図４Ａに示すような断面において、取出電極部６１と樹脂電極層８１との境界線の長さを１００％とすると、第２粒子８３ｂが接する領域Ｒ３の割合は、２０％～１００％程度であることが好ましい。

【0045】

本実施形態において、取出電極部６１と樹脂電極層８１との界面には、拡散層６８が形成してあるが、この拡散層６８は、図４Ｃに示すように、取出電極部６１の最表面に対して第２粒子８３ｂが接する領域Ｒ３に存在する。そのため、拡散層６８は、取出電極部６１と樹脂電極層８１との界面に沿って、断続的に存在する。そして、取出電極部６１と樹脂電極層８１との界面において、拡散層６８の面方向での存在比率は、第２粒子８３ｂが接する領域Ｒ３の割合に相当し、樹脂電極層８１に含まれる第２粒子８３ｂの含有割合が増えるほど、拡散層６８の面方向での存在比率が高くなる。

【0046】

この拡散層６８は、少なくとも酸化銅およびＡｇを含み、その他、空隙や樹脂成分８２が含まれていてもよい。また、拡散層６８の厚みＴ１は、少なくとも３０ｎｍ以上であり、３０ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、５０ｎｍ～２５０ｎｍであることがより好ましい。

【0047】

なお、図４Ｄに示すように、取出電極部６１の表面側には、酸化銅を主成分とする酸化被膜６１ａが形成してある領域が存在していてもよい。この酸化被膜６１ａは、インダクタ２の製造過程において、底面４ｂに取出電極部６１を露出させた際に形成され得る。もしくは、底面４ｂに樹脂電極用ペーストを塗布した後に所定の加熱処理を行うことで形成され得る。なお、酸化被膜６１ａは、取出電極部６１の表面の全域に亘って形成してあってもよく、取出電極部６１の表面の一部にのみ形成してあってもよい。

【0048】

本実施形態では、取出電極部６１の露出や樹脂電極層８１の形成を後述する所定の条件で実施することで、酸化被膜６１ａが形成されたとしても、取出電極部６１と樹脂電極層８１との界面に拡散層６８が形成され得る。この場合、拡散層６８は、取出電極部６１の酸化被膜６１ａと樹脂電極層８１との間に位置することとなる。また、酸化被膜６１ａの厚みＴ２は、５ｎｍ～１００ｎｍ程度とすることができ、５ｎｍ～３０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

【0049】

なお、図５Ａおよび図５Ｂは、従来通り、粒径がマイクロメートルオーダの粒子８３３のみで樹脂電極層８１１を形成した場合の断面図である。図５Ａおよび図５Ｂに示す従来技術の場合、取出電極部６１と樹脂電極層８１１との界面では、粒子８３３が取出電極部６１に対して物理的に接触することで、取出電極部６１と端子電極８との電気的接触が確保されている。すなわち、樹脂電極層８１１に含まれる導体粉末をマイクロメートルオーダの粒子８３３のみで構成した場合、拡散層６８は形成されない。

【0050】

本実施形態では、取出電極部６１と端子電極８との界面において、拡散層６８が形成してあることで、樹脂電極層８１の取出電極部６１に対する密着強度を向上させることができる。その結果、素子本体４に対する端子電極８の接合信頼性を向上させることができ、かつ、端子電極８の抵抗値を低くすることができる。

【0051】

前述したように拡散層６８は、酸化銅およびＡｇを含むが、拡散層６８の存在有無は、ＳＴＥＭ－ＥＰＭＡ（電子線マイクロアナライザ）を用いたライン分析またはマッピング分析などによって認識することができる。

【0052】

たとえば、ＳＴＥＭ－ＥＰＭＡによるライン分析では、取出電極部６１と樹脂電極層８１との界面に対して略垂直な方向に測定線を引き、その測定線上において一定の間隔で定量分析を行う。なお、上記の分析に際して、ＳＴＥＭ観察用の試料は、集束イオンビーム（Focused Ion Beam: FIB）を用いたマイクロサンプリング法により作製することができる。また、ライン分析では、各測定点のサイズ（スポットサイズ）を直径１．５ｎｍ以下に設定することが好ましく、測定点の間隔を１．０ｎｍ以下に設定することが好ましい。

【0053】

図６Ａは、測定線VIＡに沿ってＥＰＭＡによるライン分析を行った結果を示す模式図である。図６Ａに示すように、取出電極部６１の最表面から樹脂電極層８１に向かって厚みＴ１の範囲では、Ａｇの濃度勾配が発生している。ここで、取出電極部６１の最表面は、ＳＴＥＭの観察像から特定することができるが、Ｃｕの含有率によっても特定することができる。具体的には、Ｃｕの含有率が減退し始める位置を、取出電極部６１の最表面とする。そして、本実施形態では、取出電極部６１の最表面から樹脂電極層８１側に向かって、Ａｇの濃度勾配が発生している領域を、拡散層６８として特定する。より具体的には、取出電極部６１の最表面から樹脂電極層８１側に向かって、Ａｇの含有率が変動しながら増加する傾向にある領域を、拡散層６８とする。

【0054】

また、取出電極部６１の最表面側を、測定線VIＡ上における拡散層６８の始点とすると、拡散層６８の終点は、Ａｇの含有率が安定した位置とする。

【0055】

さらに、取出電極部６１の表面側に酸化被膜６１ａが存在する場合は、図６Ｂに示すようなライン分析結果が得られる。図６Ｂのグラフでは、取出電極部６１の表面側において、Ｃｕの含有率が減少し、かつ、酸素が検出される領域が存在する。本実施形態では、取出電極部６１の表面側において、酸素の含有率が３ｗｔ％以上の領域を酸化被膜６１ａと判断する。また、酸化被膜６１ａが存在する場合、「取出電極部６１の最表面」とは、Ｃｕの含有率が減退するとともに、酸素の含有率が減退し始める位置とする。

【0056】

なお、ＥＰＭＡによるライン分析では、測定点の深さ方向に存在する元素や、測定点の外周縁近傍に存在する元素が、成分分析結果に影響を与える。そのため、図５Ｂのように拡散層６８が存在しない場合であっても、取出電極部６１と樹脂電極層８１１との界面では、わずかながらＡｇの濃度勾配が生じているように見える領域が存在し得る。実際に、図７は、拡散層６８が存在していない場合のライン分析結果である。本実施形態では、図７に示すように、Ａｇの濃度勾配が存在するように見える領域Ｂの厚みが、３０ｎｍ未満の場合、拡散層６８が存在していないと判断する。

【0057】

また、Ａｇの濃度勾配のみでは拡散層６８の特定が困難な場合には、Ｃｕの濃度勾配も加味して拡散層６８を特定する。図６Ａに示すように、取出電極部６１の最表面から樹脂電極層８１に向かって厚みＴ１の範囲では、Ｃｕの濃度勾配も生じている。つまり、Ｃｕの含有率は、取出電極部６１の最表面から樹脂電極層８１側に向かって、変動しながら減少する傾向にある。拡散層６８は、取出電極部６１の最表面から樹脂電極層８１側に向かって、Ａｇの濃度勾配と、Ｃｕの濃度勾配とが重複して生じている領域とする。このような方法で、拡散層６８を特定する場合であっても、その厚みＴ１は、少なくとも３０ｎｍ以上であり、３０ｎｍ未満の場合は、拡散層６８が存在していないと判断する。

【0058】

さらに、拡散層６８は、上記の方法以外に、以下に示す定義に基づいて特定してもよい。すなわち、拡散層６８は、取出電極部６１の最表面よりも樹脂電極層８１側において、Ａｇの含有率とＣｕの含有率とがいずれも５ｗｔ％以上の領域である。もしくは、拡散層６８は、Ａｇの含有率が５ｗｔ％～１００ｗｔ％の範囲内で変動し、かつ、Ｃｕの含有率が５ｗｔ％～１００ｗｔ％の範囲内で変動する領域である。

【0059】

一方、ＳＴＥＭ－ＥＰＭＡを用いたマッピング分析により拡散層６８を測定した場合、図８Ａ～図８Ｃに示すようなマッピング画像が得られる。図８Ａは、Ａｇのマッピング画像であり、図８Ｂが、Ｃｕのマッピング画像、図８ＣがＯのマッピング画像である。また、図８Ａ～図８Ｃにおいて、図中の中央が拡散層６８であり、図中の右側が取出電極部６１、図中の右側が樹脂電極層８１である。

【0060】

各元素（Ａｇ，Ｃｕ，Ｏ）のマッピング画像を見比べると、拡散層６８では、ＣｕとＯが重複している領域が存在することがわかる。また、ＣｕおよびＯは、Ａｇの検出量が少ない箇所に存在しており、ＣｕとＯが重複している領域がＡｇ粒子の粒界に存在していることがわかる。つまり、拡散層６８に含まれるＣｕ成分は、純銅やＡｇ－Ｃｕ合金として存在しているわけではなく、酸化銅として存在している。そして、拡散層６８の酸化銅は、Ａｇ粒子の粒界に存在している。

【0061】

以上のとおり、取出電極部６１と樹脂電極層８１との界面をマッピング分析した場合、拡散層６８は、Ａｇ粒子と酸化銅とが混在している箇所として認識することができる。

【0062】

次に、本実施形態のインダクタ２の製造方法について、説明する。

【0063】

まず、第１コア部４１を、加熱加圧成形などのプレス法や、射出成形法によって作製する。第１コア部４１の作製においては、磁性材料の原料粉と、バインダ、溶媒などを混練して顆粒とし、その顆粒を成形用の原料として用いる。磁性材料を複数の粒子群で構成する場合には、粒度分布が異なる磁性粉末を準備して、所定の比率で混合すればよい。

【0064】

次に、得られた第１コア部４１に、コイル部６αを搭載する。コイル部６αは、予めワイヤ６を所定の形状に巻回した空芯コイルであって、この空芯コイルを、第１コア部４１の巻芯部４１ｂに挿入する。もしくは、第１コア部４１の巻芯部４１ｂにワイヤ６を直接巻回して、コイル部６αを形成してもよい。第１コア部４１とコイル部６αを組み合わせた後、図１に示すように、コイル部６αから一対のリード部６ａを引き出して、第１鍔部４１ａｘの下方に配置する。

【0065】

次に、第２コア部４２を、インサート射出成形により作製する。第２コア部４２の作製においては、まず、コイル部６αを搭載した第１コア部４１を、成形用金型の内部に設置する。この成形用金型の内面には、予め離型用フィルムを敷き詰めておくことが好ましい。離型用フィルムとしては、ＰＥＴフィルムなど、可撓性のあるシート状の部材を用いることができる。離型用フィルムを用いることで、第１コア部４１を成形用金型に設置した際に、第１鍔部４１ａｘの下方に位置するリード部６が、離型用フィルムに密着する。その結果、リード部６ａの外周縁の一部が離型用フィルムで覆われることとなり、第２コア部４２の作成後、素子本体４の底面４ｂから、リード部６ａの外周縁の一部が露出する。

【0066】

第２コア部４２を構成する原料としては、成形時に流動性がある材料が用いられる。具体的には、磁性材料の原料粉と、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などのバインダとを混錬した複合材料を用いる。この複合材料には、適宜、溶媒、分散剤などが添加してあってもよい。インサート射出成形においては、上記の複合材料をスラリー化した状態で、成形用金型内に導入する。その際、導入されたスラリーは、第１コア部４１の切り欠き部４１ｃを通過して、第１鍔部４１ａｘの下方にも充填される。また、射出成形時においては、使用するバインダの材質に応じて、適宜熱が加えられる。こうして、第１コア部４１と、第２コア部４２と、コイル部６αとが一体化された素子本体４が得られる。

【0067】

次に、素子本体４の底面４ｂの一部、すなわち、図２において一対の端子電極８を形成する箇所に、レーザを照射して電極予定部を形成する。このレーザ照射によって、底面４ｂに露出しているリード部６ａの絶縁層が除去され、取出電極部６１が形成される。また、レーザ照射によって、底面４ｂの最表面では、コア部４１，４２に含まれる樹脂が除去される。つまり、電極予定部では、コア部４１，４２に含まれる磁性材料が露出するとともに、取出電極部６１が露出する。これにより、素子本体４の底面４ｂに、端子電極８が密着されやすくなる。

【0068】

上記で使用するレーザは、波長が４００ｎｍ以下の短波長なＵＶレーザであることが好ましい。レーザ加工では、グリーンレーザ（波長５３２ｎｍ）を使用することが一般的であるが、グリーンレーザとＵＶレーザとでは、対象物（リード部６ａの絶縁層やコア部の樹脂など）を除去する原理が異なる。グリーンレーザの場合、レーザの照射により対象物の表面温度が急激に上昇し、対象物が融解もしくは蒸発する（熱分解）ことで、対象物が除去される。そのため、グリーンレーザを使用すると、露出した取出電極部６１の表面に、１００ｎｍを超過する厚みの酸化被膜が形成されやすくなり、拡散層６８の生成を抑制する。一方、ＵＶレーザの場合、ＵＶレーザが、対象物を構成する有機化合物の分子結合を分解することで、対象物が除去される。ＵＶレーザを使用する場合でも、多少の温度上昇が生じ、熱分解も発生するが、グリーンレーザを使用する場合に比べて、遥かに酸化被膜が形成され難い。そのため、ＵＶレーザを使用することで、拡散層６８が形成されやすくなる。

【0069】

なお、電極予定部の形成方法として、機械研磨、ブラスト処理、化学的な腐食処理なども考えられるが、これらの方法でも１００ｎｍを超過する厚みの被膜（酸化被膜や腐食層）が形成されやすい。そのため、電極予定部は、前述のとおり、ＵＶレーザの照射により形成することが好ましい。

【0070】

次に、樹脂電極用ペーストを、印刷法などの手法によって電極予定部に塗布する。この際に使用する樹脂電極用ペーストには、樹脂成分８２となるバインダと、導体粉末８３となる金属原料粉末が含まれている。より具体的に、金属原料粉末は、粒径がマイクロメートルオーダのマイクロ粒子と、粒径がナノメートルオーダのナノ粒子とで構成してある。マイクロ粒子は、ペーストの硬化処理後に第１粒子８３ａとなる粒子であって、平均粒径が１μｍ～１０μｍであることが好ましく、３μｍ～５μｍであることがより好ましい。一方、ナノ粒子は、ペーストの硬化処理後に第２粒子８３ｂとなる粒子であって、平均粒径が、好ましくは５ｎｍ～３０ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ～１５ｎｍである。

【0071】

なお、樹脂電極用ペーストの印刷においては、加熱処理後の樹脂電極層８１の平均厚みが１０μｍ～２０μｍとなるように、塗布量などの条件を制御する。樹脂電極層８１の厚みを上記の範囲に調整することで、拡散層６８が形成されやすくなる。

【0072】

電極予定部に樹脂電極用ペーストを塗布した後、素子本体４を所定の条件で加熱処理し、ペースト中のバインダ（樹脂成分８２）を硬化させる。加熱処理の条件は、処理温度（保持温度）を１７０℃～２３０℃とし、保持時間を６０ｍｉｎ～９０ｍｉｎとすることが好ましい。このような条件で加熱処理することで、素子本体４の電極予定部に樹脂電極層８１が形成される。

【0073】

ここで、拡散層６８の形成方法について説明しておく。本実施形態において、拡散層６８は、１）ＵＶレーザの照射により電極予定部を形成した後に、２）当該電極予定部にナノ粒子を含む樹脂電極用ペーストを所定の厚み（加熱処理後の樹脂電極層８１の厚みが１０～２０μｍとなる厚み）で塗布し、３）所定の条件で加熱処理する、ことで形成されると考えられる。また、拡散層６８の厚みＴ１は、加熱処理時の条件により制御できる。たとえば、加熱処理の際に、投入する熱エネルギーを多くするほど（保持温度を高くする、または、保持時間を長くする）、拡散層６８の厚みＴ１が厚くなる傾向となる。なお、上述した拡散層６８の形成条件は、あくまでも例示であり、上記以外の条件でも拡散層６８を形成できる場合もある。

【0074】

樹脂電極層８１の形成後、樹脂電極層８１の外面には、適宜、メッキ膜やスパッタ膜を形成してもよい。例えば、樹脂電極層８１の外面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎなどのメッキ膜を形成しておくことで、半田に対する濡れ性が向上する。

【0075】

以上のような製造方法によって、素子本体４に一対の端子電極８が形成されたインダクタ２が得られる。

【0076】

（第１実施形態のまとめ）
本実施形態のインダクタ２では、端子電極８が樹脂電極層８１を有している。この樹脂電極層８１は、樹脂成分８２を硬化処理することで形成され、製造過程で、高温での焼き付け処理を必要としない。そのうえ、本実施形態のインダクタ２では、取出電極部６１と樹脂電極層８１との界面に、Ａｇと酸化銅とを含む拡散層６８が形成してある。この拡散層６８を形成することにより、樹脂電極層８１の取出電極部６１に対する密着強度を向上させることができる。その結果、端子電極８の接合信頼性が向上するとともに、端子電極８の抵抗値を低減することができる。

【0077】

また、本実施形態では、樹脂電極層８１の導体粉末８３が、ナノ粒子を原料とする第２粒子８３ｂと、形状が扁平状で粒径がマイクロメートルオーダの第１粒子８３ａとで構成してある。このような構成とすることで、取出電極部６１に対する樹脂電極層８１の密着強度がより向上し、端子電極８の接合信頼性がさらに向上する。また、上記の構成を有することで、第２粒子８３ｂが、第１粒子８３ａの粒子間隙で凝集して、第１粒子８３ａの間を電気的に接続する役割を果たす。その結果、端子電極８の抵抗値をさらに低くすることができる。

【0078】

また、本実施形態では、取出電極部６１の少なくとも一部の表面に酸化被膜６１ａが形成してあってもよい。酸化被膜６１ａが存在していたとしても、前述した条件で樹脂電極層８１を形成することで、拡散層６８が形成され得る。そのため、酸化被膜６１ａが存在する場合であっても、端子電極８の接合信頼性が向上するとともに、端子電極８の抵抗値を低減することができる。

【0079】

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば、図１～図３Ａにおいて、コイル部６αは、丸線のワイヤ６で構成してあるが、ワイヤ６の種類は、これに限定されず、図３Ｂに示すような、導体部の断面形状が略長方形である平角線であってもよい。もしくは、四角線や、細線を撚り合わせたリッツ線であってもよい。さらに、コイル部６αは、導電性の板材を積層して構成してもよい。

【0080】

また、上述した実施形態では、端子電極８が素子本体４の底面４ｂに形成してあったが、端子電極８の形成箇所は、これに限定されず、上面４ａや側面４ｃ～４ｆに形成してあってもよく、複数の面に跨って形成してあってもよい。

【0081】

また、樹脂電極層８１の導体粉末８３は、ナノ粒子を原料とする第２粒子８３ｂのみで構成してもよい。もしくは、第２粒子８３ｂに代えて、マイクロ粒子（第１粒子８３ａ）よりも比表面積が大きい粒子を使用してもよい。

【0082】

また、素子本体４を構成する第１コア部４１は、フェライト粉末または金属磁性粉末の焼結体とすることもできる。また、素子本体４自体を、ＦＴ型、ＥＴ型、ＥＩ型、ＵＵ型、ＥＥ型、ＥＥＲ型、ＵＩ型、ドラム型、ポット型、カップ型の圧粉体コアもしくは焼結体コアとし、そのコアにコイルを巻回してインダクタ素子を構成してもよい。この場合、リード部は、素子本体の内部に埋設してある必要はなく、コアの外周に沿って引き出され、端子電極８の外面に接続してあってもよい。

【0083】

また、本発明に係る電子部品は、インダクタに限定されず、コンデンサ、トランス、チョークコイル、コモンモードフィルタなどの電子部品であってもよい。たとえば、電子部品が積層セラミックコンデンサの場合、積層体に含まれる内部電極層において、積層体の端面に露出している部分が取出電極部６１となる。また、積層セラミックコンデンサにおいて、端子電極８は、内部電極層の露出部分に合わせて積層体の端面に形成される。

【実施例】

【0084】

以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。

【0085】

実施例
実施例では、図１に示すインダクタ試料を作製した。具体的に、実施形態で述べた方法により電極予定部を有する素子本体を作成し、当該電極予定部に厚みが１０～２０μｍの樹脂電極層を形成した。樹脂電極層の形成時には、扁平状の第１粒子（Ａｇマイクロ粒子）と第２粒子（Ａｇナノ粒子）とを含む樹脂電極用ペーストを用い、実施形態で述べた条件で加熱処理を施した。そして、得られたインダクタ試料について、取出電極部と端子電極との界面を、ＳＴＥＭ－ＥＰＭＡにより分析（ライン分析）した。その結果、実施例では、図６Ａのグラフと同様に、取出電極部と樹脂電極層との界面（特に第２粒子の凝集体が接する部分）に、拡散層が形成されていることが確認でき、その厚みＴ１は、１２０ｎｍであった。

【0086】

比較例
比較例では、導体粉末としてＡｇマイクロ粒子のみを含む樹脂電極用ペーストを用いて、インダクタ試料を作製した。そして、比較例についても、ＳＴＥＭ－ＥＰＭＡにより、取出電極部と端子電極との界面を、ライン分析した。その結果、比較例では、図７と同様の分析結果が得られ、拡散層が形成されていないことが確認できた。

【0087】

評価
上記で得られたインダクタ試料の直流抵抗と、端子電極の接触抵抗とを測定した。直流抵抗および接触抵抗は、実施例および比較例について、それぞれ１０個測定し、その平均値およびＣＶ値（変動係数）を算出した。その結果、拡散層を有する実施例では、接触抵抗が比較例よりも４％低減したことが確認できた。また、実施例と比較例とで、直流抵抗のＣＶ値を比較したところ、実施例では、ＣＶ値が比較例の１／３程度であった。この結果から、取出電極部と端子電極との界面に拡散層を形成することで、端子電極の抵抗値を低減することができ、かつ、抵抗値のばらつきも低減できることがわかった。

【0088】

また、端子電極の接合信頼性を確認するために、高温負荷試験（加速試験）を実施した。高温負荷試験では、インダクタ試料に電圧を印加した状態で、１００℃以上の高温環境下に長時間暴露させ、暴露後の直流抵抗の上昇率を測定した。その結果、実施例では、試験後の直流抵抗の上昇率が、比較例の１／２以下に抑えられていた。この結果から、拡散層を形成することで端子電極の接合信頼性が向上することが確認できた。

【符号の説明】

【0089】

２ … インダクタ
４ … 素子本体
４ａ … 上面
４ｂ … 底面
４ｃ～４ｆ … 側面
４１ … 第１コア部
４１ａ … 鍔部
４１ｂ … 巻芯部
４１ｃ … 切り欠き部
４２ … 第２コア部
６α … コイル部
６ … ワイヤ
６ａ … リード部
６１ … 取出電極部
６１ａ … 酸化被膜
８ … 端子電極
８１ … 樹脂電極層
８２ … 樹脂成分
８３ … 導体粉末
８３ａ … 第１粒子
８３ｂ … 第２粒子
６８ … 拡散層

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図8C】